JP3927036B2

JP3927036B2 - 放射線画像情報読取方法

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Publication number: JP3927036B2
Application number: JP2002011793A
Authority: JP
Inventors: 恵子 ▼錬▲石; 雄一細井
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2001-02-27
Filing date: 2002-01-21
Publication date: 2007-06-06
Anticipated expiration: 2022-01-21
Also published as: JP2002328200A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線像変換パネルに記録されている放射線画像情報を読み取る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線などの放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて輝尽発光を示す性質を有する蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）が知られている。この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルを、被検体を透過した、あるいは被検体から発せられた放射線に露光させ、被検体の放射線画像情報を該変換パネルに一旦記録した後、該変換パネルの表面をレーザ光などの励起光で走査して、順次輝尽発光を放出させ、この発光を光電的に読み取って画像信号を得ることからなる、放射線画像記録再生方法が既に実用化されている。この読み取りを終えた変換パネルは、残存する放射線エネルギーの消去が行われたのち、次の撮影（放射線露出動作）のために備えられ、繰り返し使用される。
【０００３】
放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基本構造として、支持体とその上に設けられた蓄積性蛍光体層とからなるものである。ただし、蓄積性蛍光体層が自己支持性である場合には必ずしも支持体を必要としない。また、蓄積性蛍光体層の上面（支持体に面していない側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している。
【０００４】
通常の蓄積性蛍光体層は、蓄積性蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなる。ただし、蒸着法や焼結法によって形成される結合剤を含まず、蓄積性蛍光体の凝集体のみから構成された蓄積性蛍光体層や、蓄積性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸された蓄積性蛍光体層も知られている。
【０００５】
また、上記放射線画像記録再生方法の別法として、従来の蓄積性蛍光体における放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能とを分離して、蓄積性蛍光体（エネルギー蓄積性蛍光体）を含有する放射線像変換パネルと、放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発光を示す蛍光体（放射線吸収性蛍光体）を含有する蛍光スクリーンとの組合せを用いる放射線画像形成方法が提案されている。この方法は、被検体からの放射線をまず、該蛍光スクリーンの放射線吸収性蛍光体により紫外乃至可視領域の光に変換した後、その光を変換パネルのエネルギー蓄積性蛍光体に取り込み、放射線画像情報として記録する。次いで、この変換パネルを励起光で走査して輝尽発光を放出させ、この発光を光電的に読み取って画像信号を得るものである。なお、放射線吸収性蛍光体は、放射線像変換パネルに含有させることもできる。
【０００６】
上記の放射線画像記録再生方法及び放射線画像形成方法では、得られた画像信号に階調処理、周波数処理などの画像処理を施すことができ、少ない照射線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点がある。さらに、放射線像変換パネルは繰り返し使用できるので、資源保護、経済効率の面からも有利である。
【０００７】
蓄積性蛍光体からの発光（輝尽光）として放出される放射線画像情報を読み取る方法として、近年、発光の読取時間の短縮や、読取装置のコンパクト化、コストの低減などの観点から、画素分割を二次元固体撮像素子や半導体ラインセンサなどの受光素子により行ない、電気回路によって時系列画像信号を形成する方法が提案されている。例えば、特公平５−３２９４５号公報には、蛍光灯等から発せられた光をスリットを通して放射線像変換パネルに照射することにより励起光を線状に照射し（ライン励起）、そしてパネルから放出される輝尽光を励起光照射部分に対向して配置された多数の光電変換素子からなるラインセンサにより検出する（ライン検出）ための装置が記載されている。
【０００８】
発光の読み取りにおいて、従来の集光ガイドと光電子増倍管等の光検出器との組合せでは、レーザ光等の励起光の照射部分から発せられる光は集光ガイドによってほぼ全部集光されるので、鮮鋭度等の画質はパネルからの発光量、すなわち蓄積性蛍光体層の厚みによって決まる。従って、画質の均一な放射線画像を得るためには蛍光体層の層厚を一定にすることが重要であった。
【０００９】
それに対して、上記のライン検出ではラインセンサに輝尽発光を効率良く集光するのに、セルフォックレンズアレイ等の集光レンズが用いられ、光は集光レンズによってラインセンサの受光面にて結像するように集光される。集光レンズでは、明確な像が得られる受光面の位置に許容範囲（焦点深度）があり、この焦点深度とレンズの開口角とは反比例の関係にある。開口角を広くして集光効率を上げようとすれば焦点深度は小さくなる。そして、パネル表面と集光レンズとの距離の僅かな変動でも、集光レンズに集光される発光領域が変わるため、集光効率が大きく変化して、鮮鋭度等の画質が低下することになる。従って、この場合には画質は、蓄積性蛍光体層の層厚よりも、集光レンズと蛍光体層表面との距離の変動による影響の方が大きい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、放射線情報が記録された放射線像変換パネルからライン検出によって得られる放射線画像の画質について検討を重ねた結果、放射線像変換パネルの表面状態、特に蓄積性蛍光体層表面の凹凸が画質の低下を招いていることを見い出した。すなわち、蓄積性蛍光体層は、前述したように塗布法や気相堆積法などにより形成されるが、その表面を完全に平らに形成することは殆ど不可能である。そして、通常、蛍光体層表面には幅が数μｍ〜数十μｍの範囲のミクロの凹凸と、それよりずっと大きい蛍光体層の厚みムラのようなマクロの凹凸とが存在している。ミクロの凹凸は、ラインセンサの各光電変換素子に対応する一画素内に収まるので画質に影響を及ぼすことはないが、マクロの凹凸は、蛍光体層表面から集光レンズまでの距離を変動させるため、結果として画質の不均一な放射線画像を与えることになる。
【００１１】
これまで、放射線画像情報読取装置において放射線像変換パネルの垂直方向の位置決めは、変換パネルを載せる台を固定して、台から集光レンズとラインセンサを含む光検出手段までの距離を一定として設定することにより行われている。しかしながら、変換パネルの厚みは、厳密にはその全面に渡って均一ではないため、台を固定しただけでは変換パネルと光検出手段との距離を一定に保つには不十分であることが分った。
【００１２】
従って、本発明は、均一で高い画質の放射線画像情報を得ることのできる放射線画像情報読取方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、中央部に放射線画像記録領域が設定された蓄積性蛍光体層を有する放射線像変換パネルの該蓄積性蛍光体層に記録された放射線画像情報を、該蓄積性蛍光体層への励起光の照射により該放射線画像記録領域から発せられる光を集光レンズを通して集光する放射線画像情報読取装置を用い、該放射線画像情報読取装置を該放射線像変換パネルの表面に沿って移動させながら読み取ることからなる放射線画像情報読取方法において、該放射線像変換パネルとして、該放射線画像記録領域の外側に読取基準面を、該変換パネルの放射線画像記録領域内の表面の凹凸が該読取基準面に対して上記集光レンズの焦点深度の範囲内となるように形成した放射線像変換パネルを用い、該放射線画像情報読取装置の放射線像変換パネルの表面に沿う移動を、該放射線画像情報読取装置に形成された基準面検出手段と該読取基準面とを物理的に接触させて、該放射線像変換パネルの表面に対する距離を調整しながら行なうことを特徴とする放射線画像情報読取方法にある。
【００１４】
本発明の放射線画像情報読取方法に用いる放射線像変換パネルの基準面は、放射線画像記録領域内の表面の凹凸に対して±５０μｍの範囲内にあることが望ましい。
【００１５】
本発明の放射線画像情報読取方法に用いる放射線像変換パネルの基準面は、放射線画像記録領域内の表面の凹凸に対して±２０μｍの範囲内にあることが望ましい。
【００１６】
本発明の放射線画像情報読取方法に用いる放射線像変換パネルの基準面は、放射線像変換パネルの少なくとも相対する両側縁部に設けられた枠の上面であることが望ましい。
【００１７】
本発明の放射線画像情報読取方法に用いる放射線像変換パネルの好ましい態様は以下の通りである。
（１）剛性層と、剛性層上であってそれよりも内側に設けられた蓄積性蛍光体層とを有する。
（２）剛性層の材料の弾性率が１×１０ ⁵ ｋｇｆ／ｃｍ ² 以上であって、かつ層厚が１００μｍ乃至１０ｍｍの範囲にある。
（３）剛性を有する保護層と、保護層に隣接してそれよりも内側に設けられた蓄積性蛍光体層とを有する。
（４）剛性を有する保護層の材料の弾性率が１×１０ ⁵ ｋｇｆ／ｃｍ ² 以上であって、かつ層厚が２００μｍ乃至１０ｍｍの範囲にある。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の放射線画像情報読取方法に用いる放射線像変換パネル（以後、簡略化のために、本発明の放射線像変換パネルと云う）の構成を添付図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１の（１）は、本発明の放射線像変換パネルの構成の例を示す斜視図であって、（２）はそのＩ−Ｉに沿った拡大断面図である。図１の（１）において、放射線像変換パネル１０は、蓄積性蛍光体層１１、および基準面指定手段１２から構成される。基準面指定手段１２は、蛍光体層１１表面の相対する両側端部にそれぞれ一定の幅で設けられた枠１２ａ、１２ｂからなる。基準面Ａは、この枠１２ａと１２ｂの上面を結ぶことにより形成される面（仮想的な面）である。
【００２０】
放射線像変換パネルの大きさは、パネルに要求される画像領域によって決まるが、実際には画像領域より広い領域が必要であり、通常は縦、横それぞれの１．１倍以上（例えば、１．２倍）である。よって、パネルの縦、横の長さはそれぞれ一般には１０〜１００ｃｍの範囲にある。また一般に、枠１２ａ、１２ｂの幅は１〜１００ｍｍの範囲にあり、高さは０．１〜５０ｍｍの範囲にある。
【００２１】
図１の（２）において、放射線像変換パネル１０の蓄積性蛍光体層１１の表面は凹んでいて、その凹みは、基準面Ａに平行な面Ａ’（仮想の面であって、本明細書ではこの面も基準面に含める。なお、後述するラインセンサの位置決めは実際にはこの面に基づく）を中心として、深さ±ｄ（ｄ：集光レンズの焦点深度）の範囲内にある。パネル１０表面の凹みは、使用する集光レンズの種類によっても異なるが、面Ａ’に対して深さ±５０μｍ以内にあることが好ましく、更に好ましくは深さ±２０μｍ以内である。
【００２２】
放射線画像情報の読み取りは、後述するように、集光レンズとラインセンサとからなる箱型の光検出手段を枠１２ａ、１２ｂの上面に接触した状態で矢印の方向に移動させながら行われるので、光検出手段は基準面Ａ内を移動することになる。従って、光検出手段に内蔵された集光レンズも基準面Ａに平行な面内を移動することになり、蓄積性蛍光体層１１表面からラインセンサまでの距離の変動は常に、集光レンズの焦点深度ｄの範囲内に収められる。
【００２３】
図１の（１）に示したような構成の各種の放射線像変換パネルについて、後述する放射線画像情報読取装置（図５、６）を用いて放射線画像情報の読み取りを行った場合のパネル表面の凹凸と得られた画像の鮮鋭度との関係を、下記の表１に示す。なお、表面の凹凸は、基準面に平行な面に対するずれであり、使用した集光レンズの焦点深度（６ｌｐでのＭＴＦを１０％以上確保できる範囲）は３００μｍである。
【００２４】
【表１】

【００２５】
図２に、本発明の放射線像変換パネルの構成の別の態様を拡大断面図として示す。である。図２の（１）において、パネルの蓄積性蛍光体層２１の表面は傾斜していて、基準面Ａも同様に傾斜している。蛍光体層２１表面の傾斜は、基準面Ａに平行な面Ａ’を中心とする深さ±ｄの範囲内にある。
【００２６】
図２の（２）において、パネルの蓄積性蛍光体層３１の表面は波打っていて、基準面Ａは湾曲している。蛍光体層３１表面の凹凸は、基準面Ａに平行な面Ａ’を中心とする深さ±ｄの範囲内にある。
【００２７】
このように、基準面指定手段（枠）は、蛍光体層表面の凹凸に対応して傾斜していてもあるいは湾曲していてもよく、この枠を結んで形成される基準面も同様に傾斜していても湾曲していてもよい。いずれの場合であっても、放射線画像情報の読み取りに際して蛍光体層表面からラインセンサまでの距離の変動は常に、集光レンズの焦点深度ｄの範囲内に収められる。
【００２８】
本発明において基準面指定手段は、図１の態様に限定されるものではなく、放射線像変換パネルの画像形成領域の外側に設けられてラインセンサの位置決めのための基準面を形成することができる限り、任意の形状とすることができる。
【００２９】
図３は、本発明の放射線像変換パネルの基準面指定手段の別の例を示す断面図である。図３の（１）において、基準面指定手段４２（枠４２ａ、４２ｂ）は、蓄積性蛍光体層４１の両側端縁部にそれぞれ設けられ、枠４２ａと４２ｂの上面を結んだ面が基準面Ａである。
【００３０】
図３の（２）において、基準面指定手段５２（枠５２ａ、５２ｂ）は、蓄積性蛍光体層５１の両側側部にそれぞれ設けられ、枠５２ａと５２ｂの上面を結んだ面が基準面Ａである。なお、この場合には、蛍光体層５１表面の凹凸は基準面Ａを中心とする深さ±ｄの範囲内にある。
【００３１】
図４は、本発明の放射線像変換パネルの基準面指定手段の別の例を示す断面図である。図４において、放射線像変換パネル６０の基準面指定手段６２は、蓄積性蛍光体層６１表面の周囲端部に設けられている。枠６２の上面を結ぶ面が基準面Ａである。
【００３２】
次に、本発明の放射線像変換パネルを製造する方法について詳細に述べる。
蓄積性蛍光体としては、波長が４００〜９００ｎｍの範囲の励起光の照射により、３００〜５００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が好ましい。
【００３３】
これらのうちでも、基本組成式（Ｉ）：
Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）
で代表されるアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体は特に好ましい。但し、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し、そしてＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す。
【００３４】
基本組成式（Ｉ）中のＭ^Iとしては少なくともＣｓを含んでいることが好ましい。Ｘとしては少なくともＢｒを含んでいることが好ましい。Ａとしては特にＥｕ又はＢｉであることが好ましい。また、基本組成式（Ｉ）には、必要に応じて、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加物として、Ｍ^I１モルに対して、０．５モル以下の量で加えてもよい。
【００３５】
また、基本組成式（II）：
Ｍ^IIＦＸ：ｚＬｎ ‥‥（II）
で代表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、Ｍ^IIはＢａ、Ｓｒ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。ｚは、０＜ｚ≦０．２の範囲内の数値を表す。
【００３６】
基本組成式（II）中のＭ^IIとしては、Ｂａが半分以上（モル比で）を占めることが好ましい。Ｌｎとしては、特にＥｕ又はＣｅであることが好ましい。また、基本組成式（II）では表記上Ｆ：Ｘ＝１：１のように見えるが、これはＢａＦＸ型の結晶構造を持つことを示すものであり、最終的な組成物の化学量論的組成を示すものではない。一般に、ＢａＦＸ結晶においてＸ^-イオンの空格子点のＦ⁺（Ｘ^-）中心が多く生成された状態があって、６００〜７００ｎｍの光に対する輝尽効率を高める上で好ましい。このとき、ＦはＸよりもやや過剰にあることが多い。
【００３７】
なお、基本組成式（II）では省略されているが、必要に応じて下記のような添加物を一種もしくは二種以上を基本組成式（II）に加えてもよい。
ｂＡ，ｗＮ^I，ｘＮ^II，ｙＮ^III
ただし、ＡはＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂及びＺｒＯ₂などの金属酸化物を表す。Ｍ^IIＦＸ粒子同士の焼結を防止する上では、一次粒子の平均粒径が０．１μｍ以下の超微粒子でＭ^IIＦＸとの反応性が低いものを用いることが好ましい。Ｎ^Iは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属の化合物を表し、Ｎ^IIは、Ｍｇ及び／又はＢｅからなるアルカリ土類金属の化合物を表し、Ｎ^IIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属の化合物を表す。これらの金属化合物としては、特開昭５９−７５２００号公報に記載のようなハロゲン化物を用いることが好ましいが、それらに限定されるものではない。
【００３８】
また、ｂ、ｗ、ｘ及びｙはそれぞれ、Ｍ^IIＦＸのモル数を１としたときの仕込み添加量であり、０≦ｂ≦０．５、０≦ｗ≦２、０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３の各範囲内の数値を表す。これらの数値は、焼成やその後の洗浄処理によって減量する添加物に関しては最終的な組成物に含まれる元素比を表しているわけではない。また、上記化合物には最終的な組成物において添加されたままの化合物として残留するものもあれば、Ｍ^IIＦＸと反応する、あるいは取り込まれてしまうものもある。
【００３９】
その他、基本組成式（II）には更に必要に応じて、Ｚｎ及びＣｄ化合物；ＴｉＯ₂、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｈＯ₂等の金属酸化物；Ｚｒ及びＳｃ化合物；Ｂ化合物；Ａｓ及びＳｉ化合物；テトラフルオロホウ酸化合物；ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロチタン酸、およびヘキサフルオロジルコニウム酸の１価もしくは２価の塩からなるヘキサフルオロ化合物；Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉなど遷移金属の化合物などを添加してもよい。さらに、本発明においては上述した添加物を含む蛍光体に限らず、基本的に希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とみなされる組成を有するものであれば如何なるものであってもよい。
【００４０】
ただし、本発明において蛍光体は蓄積性蛍光体に限定されるものではなく、Ｘ線などの放射線を吸収して紫外乃至可視領域に（瞬時）発光を示す蛍光体であってもよい。そのような蛍光体の例としては、ＬｎＴａＯ₄：（Ｎｂ，Ｇｄ）系、Ｌｎ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ系、ＬｎＯＸ：Ｔｍ系（Ｌｎは希土類元素である）、ＣｓＸ系（Ｘはハロゲンである）、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、ＺｎＷＯ₄、ＬｕＡｌＯ₃：Ｃｅ、Ｇｄ₃Ｇａ₅Ｏ₁₂：Ｃｒ，Ｃｅ、ＨｆＯ₂等を挙げることができる。
【００４１】
本発明の放射線像変換パネルにおいて蛍光体層は、例えば気相堆積法の一種である電子線蒸着法により、以下のようにして形成することができる。なお、気相堆積法によって形成される蛍光体層は、結合剤を含有せず、蓄積性蛍光体のみからなり、蓄積性蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を高めることができ、高感度であって、高鮮鋭度の画像を得ることができる。特に電子線蒸着法では、形状が良好で配列の整った柱状結晶が得られると同時に、蒸着源を局所的に加熱して瞬時に蒸発させるので、蒸着源のうち蒸気圧の高い物質が優先的に蒸発して（例えば、付活剤が蛍光体母体よりも先行して蒸発する）、蒸発源として仕込んだ蛍光体の組成と形成された蛍光体層中の蛍光体の組成とが不一致となるようなことが殆どない。
【００４２】
まず、蒸発源である蓄積性蛍光体、および被蒸着物である基板を蒸着装置内に設置し、装置内を排気して３×１０^-10〜３×１０^-12ｋｇ／ｃｍ²程度の真空度とする。このとき、真空度をこの程度に保持しながら、Ａｒガス、Ｎｅガスなどの不活性ガスを導入してもよい。基板としては、石英ガラスシート、アルミニウムなどからなる金属シート、およびアラミドなどからなる樹脂シートを用いることができる。
【００４３】
蓄積性蛍光体は、加圧圧縮により錠剤（ペレット）の形状に加工しておくことが好ましい。加圧圧縮は、一般に８００〜１０００ｋｇ／ｃｍ²の範囲の圧力を掛けて行う。圧縮の際に、５０〜２００℃の範囲の温度に加温してもよく、また圧縮後、得られた錠剤に脱ガス処理を施してもよい。これにより、蒸発源の相対密度を高めることができる。蒸発源の相対密度が低いと、蛍光体が均一に蒸発しないで蒸着膜の膜厚が不均一となったり、突沸物が基板に付着したり、更には蛍光体自体が不均一に蒸発して蒸着膜中に蛍光体の付活剤や添加物が偏析したりする。さらに、蓄積性蛍光体の代わりにその原料もしくは原料混合物を用いることも可能である。
【００４４】
次に、電子銃から電子線を発生させて、蒸発源に照射する。このとき、電子線の加速電圧を１．５ｋＶ以上で、５．０ｋＶ以下に設定することが望ましい。加速電圧が１．５ｋＶより低いと、電圧が不安定になって、電子線のビームポジションが変動してしまったり、蒸発源の電子線による走査面の形状が変化して蒸発面を平坦に保つことが困難となる。反対に、加速電圧が５．０ｋＶより高い場合には、蒸発により気相成長する蛍光体の柱状結晶が不揃いとなる。
【００４５】
電子線の照射により、蒸発源である蓄積性蛍光体は加熱されて蒸発、飛散し、基板表面に堆積する。蛍光体の堆積する速度、すなわち蒸着速度は一般には０．１〜１０００μｍ／分の範囲にあり、好ましくは１〜１００μｍ／分の範囲にある。なお、電子線の照射を複数回に分けて行って２層以上の蛍光体層を形成してもよいし、あるいは複数の電子銃を用いて異なる蛍光体を共蒸着させてもよい。また、蛍光体の原料を用いて基板上で蛍光体を合成すると同時に蛍光体層を形成することも可能である。さらに、蒸着の際に必要に応じて被蒸着物（基板）を冷却または加熱してもよいし、あるいは蒸着終了後に蛍光体層を加熱処理（アニール処理）してもよい。
【００４６】
さらに、上記の電子線蒸着法以外にも、抵抗加熱法等の他の蒸着法あるいはスパッタ法など公知の各種の気相堆積法を利用することができる。
【００４７】
このようにして、蓄積性蛍光体の柱状結晶が基板に対してほぼ垂直な方向に成長した蛍光体層が得られる。蛍光体層は、蓄積性蛍光体のみからなり、蓄積性蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。また、蛍光体層の表面には一般に、幅が１〜数十μｍの個々の柱状結晶の高さの微小な違いによるミクロな凹凸、および図１または図２に示したような表面全体に渡るマクロな傾斜や波打ち、凹み、膨らみなどが生じている。
【００４８】
得られた蛍光体層の表面には、その凹凸を集光レンズの焦点深度の範囲内に収めるために、研磨処理など公知の各種の表面処理を施すことが好ましい。特に、図１の（１）において矢印の方向と直交する方向にはできる限り平面性が高いことが望ましい。
【００４９】
あるいは、蓄積性蛍光体層は、蓄積性蛍光体の粒子および結合剤を適当な有機溶剤に分散溶解した塗布液を塗布、乾燥することにより形成して、蛍光体粒子とそれを分散支持する結合剤とからなる蛍光体層としてもよい。結合剤は公知の各種の結合剤樹脂から適宜選択して用いることができる。
【００５０】
この蓄積性蛍光体層の表面および／または側面の一部には、基準面指定手段が設けられる。基準面指定手段は、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの有機高分子フィルムやガラス板などを適当な接着剤を用いて蛍光体層に接合することにより設けることができる。あるいは、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などの有機高分子物質を含む溶液を蛍光体層に塗布、乾燥することにより形成してもよいし、あるいはまた、無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に枠状に形成してもよい。
【００５１】
次いで、蓄積性蛍光体層を基板より剥ぎ取ることにより、蓄積性蛍光体層と基準面指定手段とからなる放射線像変換パネルが得られる。
【００５２】
なお、蓄積性蛍光体層の裏面には支持体（剛性層）が設けられていてもよく、上記の基板を剥ぎ取らないでそのまま支持体として用いてもよい。あるいは、蛍光体層を基板より剥ぎ取った後、別の適当な支持体上に接着剤などを用いて接合してもよい。支持体の材料としては、従来より放射線像変換パネルの支持体として公知の各種の材料を用いることができる。また、公知の放射線像変換パネルにおいて、パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られている。本発明に用いられる支持体についても、これらの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望のパネルの目的、用途などに応じて任意に選択することができる。さらに、得られる画像の鮮鋭度を向上させる目的で、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の蛍光体層側の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場合には、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な凹凸が形成されていてもよい。
【００５３】
支持体に剛性を持たせて剛性層とする場合には、その材料の弾性率が、１×１０⁵ｋｇｆ／ｃｍ²以上であることが好ましく、より好ましくは２×１０⁵乃至１×１０⁸ｋｇｆ／ｃｍ²の範囲にある。また、剛性層は、放射線吸収が少ないことが望ましく、Ｘ線吸収率が一般には２０％以下であり、好ましくは１０％以下である。さらに、耐湿性の点から気密性に優れ、透湿度が低いことが望ましい。このような剛性層の材料としては、ガラスシート；アルミニウム等の金属シート；炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）、ガラス繊維強化プラスチック（ＧＦＲＰ）などからなるプラスチックシート；および多孔質セラミックなどからなるセラミックシートを挙げることができる。剛性層の層厚は、一般には１００μｍ乃至１０ｍｍの範囲にあって、好ましくは１乃至１０ｍｍの範囲にある。なお、保護層が剛性を有する場合には、必ずしも剛性層を設ける必要はない。
【００５４】
放射線像変換パネルの耐湿性を高めるために、蓄積性蛍光体層を保護層よりも内側に形成してその周囲に封止部材を設けてもよい。封止部材としては、気密性に優れ、透湿度が低いものが好ましく、具体的には、下記の接着剤や、低融点ガラスなどの封着用ガラスを挙げることができる。あるいは、ガラス、セラミックス、金属、プラスチックなどからなる枠体（スペーサ）を、保護層と剛性層との間に下記接着剤または接着性の充填材を用いて接合してもよい。枠体は、一体化されていることが好ましい。
【００５５】
接着剤としては、気密性に優れ、透湿度の低いものが好ましく、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニトリル系ゴムなどの有機高分子系接着剤；およびシリコーン系接着剤を挙げることができる。
【００５６】
蓄積性蛍光体層の表面には、放射線像変換パネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のために、保護層を設けてもよい。保護層は、励起光の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透明であることが望ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保護することができるように、化学的に安定で防湿性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
【００５７】
保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蓄積性蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲にあり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜１ｍｍの範囲にある。
【００５８】
上記蓄積性蛍光体層と保護層との間には、発光光の射出角度を抑えて集光レンズに入射する発光光の光量を増大させる目的で、空気層や屈折率層などの光学不連続層を設けることが好ましい。光学不連続層は、例えば蛍光体層上に保護層を熱圧着などにより形成して不連続に接合することにより、不連続な薄い空気層として設けることができる。あるいは、蛍光体層の周囲にスペーサを設ける場合には保護層をスペーサに接着して設けることにより、蛍光体層と保護層との間に空間を形成したり、高分子材料からなるビーズ等を充填してもよい。
【００５９】
保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（または分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面に塗布し、乾燥することにより形成することができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することもできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚は通常は０．５〜２０μｍの範囲にある。
【００６０】
あるいは、保護層に剛性を持たせてもよく、その場合には保護層の材料は弾性率が１×１０⁵ｋｇｆ／ｃｍ²以上であることが好ましく、より好ましくは２×１０⁵乃至１×１０⁸ｋｇｆ／ｃｍ²の範囲にある。保護層は、透明であって（励起光および発光光に対する透過率が高く）、高い平行平面性を有し、そして気密性に優れ、透湿度が低いことが望ましい。このような条件を満たす保護層の代表的なものとしてはガラスシートがある。具体的には、セントラル硝子（株）製のＦｌ０．７、０．８５、１．０；日本板硝子（株）製のＵＦＦ０．４０、０．５０、０．５５、０．７０；および旭硝子（株）製のＰＲＯＱＳ４０ＳＸを挙げることができる。保護層の層厚は一般には、２００μｍ乃至１０ｍｍの範囲にある。
【００６１】
その場合に、まず剛性を有する保護層上に蓄積性蛍光体層を形成し、次いでその上に剛性層を設けてもよい。また、蛍光体層と剛性層との間には、パネルの平行平面性を高めるために、充填材層が設けられてもよい。充填材層は、剛性層よりも密度が低くて軽く、かつ放射線吸収が少ないことが望ましい。そのような充填材層に使用される充填材の例としては、不織布、合成繊維や天然繊維、またはこれらの織物やガラス繊維；発泡ウレタン、発泡ポリエチレンテレフタレート、多孔質セラミック、ミクロフィルタなどの微細な孔（空隙）を有するもの；一般的な樹脂、特に密度が１．７ｇ／ｃｍ³以下の樹脂、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂；および中空粒子（中空ポリマーなど）を結合剤に混合したものを挙げることができる。
【００６２】
中空粒子を分散させる結合剤としては、ポリスチレン、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリブタジエン、エチレン酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、天然ゴム、フッ素ゴム、ポリイソプレン、塩素化ポリエチレン、スチレン−ブタジエンゴム、シリコンゴムなどの熱可塑性エラストマーを挙げることができる。
【００６３】
充填材が接着性を有する場合には、蛍光体上に塗布などにより充填材層を形成し、次いで剛性層をこの充填材により接合する。充填材が接着性を有しない場合には、蛍光体層上に充填材を接着剤により接着し、次いでこの充填材層上に剛性層を接着剤により接着する。充填材層の層厚は、一般には１００μｍ乃至１０ｍｍの範囲にあり、好ましくは１乃至５ｍｍの範囲にある。
【００６４】
なお、蓄積性蛍光体層上に保護層やフッ素樹脂塗布層を設けた場合には、基準面指定手段は、これらの層表面および／またはこれらの層と蛍光体層の側面に設けられ、これらの層表面の凹凸が集光レンズの焦点深度の範囲内に収まるようにされる。
【００６５】
上述のようにして本発明の放射線像変換パネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各種のバリエーションを含むものであってもよい。たとえば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的として、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し発光光は吸収しないような着色剤によって着色してもよい。
【００６６】
次に、本発明の放射線画像情報読取方法の実施に適した放射線画像情報読取装置（以後、簡略化のために、本発明の放射線画像情報読取装置ということがある）について、蓄積性蛍光体として輝尽性蛍光体を含有する場合を例に取って、添付図面を参照しながら説明する。
図５は本発明の放射線画像情報読取装置の例を示す構成図であり、図６は、図５のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【００６７】
図５および図６において、放射線画像情報読取装置は、放射線像変換パネル１０を水平に載置する台７１、パネル１０表面に対して略平行に線状の励起光Ｌを出射するブロードエリアレーザ（以下、ＢＬＤという）７２、励起光Ｌの光路上に設けられ、励起光Ｌを平行ビームとするコリメータレンズとトーリックレンズとからなる光学系７３、順次角度を変えながら励起光Ｌを反射して、パネル１０表面に矢印Ｘ方向に沿って延びる線状に照射する可変ミラー７４、パネル１０の枠１２ａ、１２ｂの上部に接した状態で基準面Ａに沿って矢印Ｙ方向に可変ミラー７４の動きに連動して移動しながら、励起光Ｌの照射によりパネル１０から発せられる輝尽発光光Ｍを集光して検出する箱型の光検出手段７５、及び光検出手段７５から出力される信号Ｓをパネル１０の部位に対応させて演算処理して、電気的画像信号として出力する画像情報読取手段８０を備えた構成である。なお、これらの放射線画像情報読取装置において、ブロードエリアレーザ７２から可変ミラー７４までの励起光照射部と光検出手段７５を中心とする輝尽発光光検出部とは一体として移動するように構成されていることが好ましい。
【００６８】
箱型の光検出手段７５は、輝尽発光光Ｍをラインセンサ７８に集光させる屈折率分布形レンズアレイ（多数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズであり、以下、セルフォックレンズアレイという）７６、セルフォックレンズアレイ７６を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、パネル１０表面で反射した励起光Ｌをカットし輝尽発光光Ｍを透過する励起光カットフィルタ７７、および励起光カットフィルタ７７を透過した輝尽発光光Ｍを受光して光電変換する多数の光電変換素子７９が配列されたラインセンサ７８を内蔵している。光検出手段７５は、パネル１０の基準面Ａ上を、常に励起光Ｌの照射域の真上に位置するように移動する。
【００６９】
放射線像変換パネル１０は、図１に示したように蓄積性蛍光体層１１と枠状の基準面指定手段１２ａ、１２ｂとから構成され、基準面Ａを有する。
【００７０】
ブロードエリアレーザ（ＢＬＤ）７２は、矢印Ｘ方向に配置され、波長６３０〜６９０ｎｍの可視領域の光を発する。可変ミラー７４は、角度を変えながら励起光Ｌを反射して、励起光Ｌを順次矢印Ｙ方向に移動させながらパネル１０上に矢印Ｘ方向に沿って延びる線状に照射する。
【００７１】
セルフォックレンズアレイ７６は、ラインセンサ７８の受光面において、パネル１０上の輝尽発光光Ｍの発光域を１対１の大きさで結像する像面とする作用をなす。
【００７２】
ラインセンサ７８は、矢印Ｘ方向に多数（例えば、１０００個以上）の光電変換素子（ＣＣＤ、電荷結合素子）７９が配列された構成である。多数の光電変換素子７９はそれぞれ、縦１００μｍ×横１００μｍ程度の大きさの受光面を有しており、一画素に対応している。各受光面は、放射線像変換パネル１０表面における縦１００μｍ×横１００μｍ程度の領域から発せられる輝尽発光光Ｍを受光する。
【００７３】
上記の読取装置および放射線像変換パネルを用いた放射線画像情報の読み取りは、次のようにして実施することができる。
まず、被検体を透過したＸ線等の放射線が照射されるなどして被検体の放射線画像情報が蓄積記録された放射線像変換パネル１０が、台７１上に載置される。ＢＬＤ７２から、パネル１０の表面に対して略平行に発せられた線状の励起光Ｌは、その光路上に設けられたコリメータレンズとトーリックレンズとからなる光学系７３により平行ビームとされ、次いで可変ミラー７４により反射されて、パネル１０上に矢印Ｘ方向に沿って延びる線状に照射される。励起光Ｌは、可変ミラー７４の稼動により、逐次矢印Ｙ方向に移動しながらパネル１０上に線状に照射される。
【００７４】
パネル１０に入射した線状の励起光Ｌの励起により、パネル１０の照射域およびその近傍から、蓄積記録されている放射線画像情報に応じた強度の輝尽発光光Ｍが発せられる。
【００７５】
この輝尽発光光Ｍは、可変ミラー７４の動きに連動してパネル１０の基準面Ａ上を移動する光検出手段７５のセルフォックレンズアレイ７６により、ラインセンサ７８を構成する各光電変換素子７９の受光面に集光される。この光検出手段７５の移動速度は画像読取手段８０に入力される。
【００７６】
この際に、セルフォックレンズアレイ７６を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、パネル１０表面で反射した励起光Ｌは、励起光カットフィルタ７７によりカットされる。
【００７７】
各光電変換素子７９により受光された輝尽発光光Ｍは光電変換され、そして光電変換して得られた各信号Ｑは、画像情報読取手段８０に入力される。画像情報読取手段８０にて各信号Ｑは、光検出手段７５の移動速度に基づいてパネル１０の部位に対応して演算処理され、画像データとして画像表示装置（図示なし）に出力される。
【００７８】
なお、本発明の放射線画像情報読取装置は、図５および図６に示した態様に限定されるものではなく、光源、光源とパネルとの間の集光光学系、パネルとラインセンサとの間の光学系、およびラインセンサはそれぞれ、公知の種々の構成を採用することができる。
【００７９】
例えば、放射線像変換パネルを台上に載置する代わりに、図７に示すようにパネルの両側端部を長手方向に沿って支持部材で固定支持し、この支持部材に沿って、別に用意した光検出手段を移動させる構成であってもよい。
【００８０】
図７は、本発明の読取装置の別の例を示す概略部分断面図であり、装置内におけるパネルの支持手段と光検出手段との位置関係を表している（矢印は放射線の照射方向および励起光の照射方向を意味する）。図７において、放射線像変換パネル２０（８１：上側表面に透明保護膜そして下側表面に支持体シートを備えた蓄積性蛍光体層、８３：接着層、８４：剛性層、８５：縁貼り）の基準面指定手段８２は、剛性層８４の露出した表面部分であり、この基準面指定手段８２を含む両側端部にて、板バネからなる支持手段８６ａ、８６ｂにより水平に固定支持されている。板バネ８６ａ、８６ｂの上面８６ｃ、８６ｄは装置側の基準面を形成している。光検出手段８７は、その下方両端に脚部８７ａ、８７ｂを有し、読み取り時には板バネ８６ａ、８６ｂ上をその基準面８６ｃ、８６ｄに沿って移動する。
【００８１】
このような構成とすることにより、放射線像変換パネルを水平または垂直に固定した状態で放射線撮影および画像情報の読み取りを行うことが可能となり、装置を小型化することができる。この場合に、放射線像変換パネルは、それ自体の重みによる撓みを防ぐために、蓄積性蛍光体層の少なくとも片面に剛性層または剛性を有する保護層を設けた構成とすることが望ましい。
【００８２】
また、ライン光源は、光源自体がライン状であってもよく、蛍光灯、冷陰極蛍光灯、ＬＥＤ（発光ダイオード）アレイなども用いることができる。ライン光源から発せられる励起光は、連続的に出射するものであってもよいし、あるいは出射と停止を繰り返すパルス光であってもよい。ノイズ低減の観点からは、高出力のパルス光であることが好ましい。
【００８３】
セルフォックレンズアレイの代わりに、マイクロレンズアレイを用いることもできる。ラインセンサとしてはＣＣＤセンサ以外に、アモルファスシリコンセンサ、バックイルミネータ付きのＣＣＤ、ＭＯＳイメージセンサなどを用いることができる。また、箱型の光検出手段は、パネルの基準面と接触する部分に突起などが設けられていてもよい。
【００８４】
また、上記態様においては説明を簡単化するために、パネルとラインセンサとの間の光学系を１：１結像系に設定したが、拡大縮小光学系を利用してもよい。ただし、集光効率を高めるためには等倍または拡大光学系を用いることが好ましい。
【００８５】
さらに、画像情報読取手段から出力された画像データ信号に対して種々の信号処理を施す画像処理手段、画像データ信号が表す可視像をＣＲＴやドライフィルムなどに出力表示する画像出力手段、カセッテ内部に収容された放射線像変換パネルをカセッテから引き出す吸着手段、あるいは読み取り終了後のパネルになお残存する放射線エネルギーを適切に放出させる消去手段などを更に備えた構成を採用することもできる。
【００８６】
【実施例】
図８〜１０はそれぞれ、本発明の放射線像変換パネルの構成の別の例を示す概略断面図である。
【００８７】
［実施例１］
１）輝尽性蛍光体粒子（ＢａＦ（Ｂｒ，Ｉ）：Ｅｕ）とウレタン系樹脂とを重量比２０：１で有機溶剤中に分散させて、蛍光体分散液を得た後、この蛍光体分散液を剥離可能な仮支持体上に塗布機により塗布し、乾燥して、蛍光体膜を製造する。該蛍光体膜を仮支持体から剥離して、下塗り材料を介して支持体シート上に加熱圧着し、ついで蛍光体膜の表面に保護膜を塗布形成して、支持体付き蓄積性蛍光体膜（４１０ｍｍ×４３０ｍｍ、層厚：約２５０μｍ）を形成した。
２）研磨したアルミニウム板（剛性層、４３０ｍｍ×４５０ｍｍ、厚み：１０ｍｍ）の表面に、片面低粘着両面シート（接着層、厚み：６０μｍ）を介して上記支持体付き蓄積性蛍光体膜の支持体側を貼り合わせた。
３）蛍光体層および接着層の周縁部に、シリコーン樹脂溶液を塗布、乾燥して縁貼りを形成し、図７に示したような放射線像変換パネルを得た。
【００８８】
得られた放射線像変換パネルの蛍光体層の表面の凹凸を測定したところ、平面精度は基準面に平行な面に対して±１３μｍであった。
【００８９】
［実施例２］
１）ガラス基板（４３０ｍｍ×４５０ｍｍ、厚み：０．６３ｍｍ）の表面に、輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を電子線蒸着により蒸着させて、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蓄積性蛍光体層（サイズ：４１０ｍｍ×４３０ｍｍ、層厚：約５００μｍ）を形成した。
２）別に、ガラスシート（剛性保護層、４３０ｍｍ×４５０ｍｍ、厚み：８ｍｍ）の周囲にアクリル系樹脂を主成分とする接着剤（封止樹脂）を用いてガラススペーサ（厚み：５００μｍ）を設けた。
３）次に、このガラススペーサの上に、上記蓄積性蛍光体層を有するガラス基板を蛍光体層を下に向けて光学不連続層を介して貼り合わせ、図８に示すような放射線像変換パネルを得た。
【００９０】
図８において、放射線像変換パネルは、順に保護層９３、光学不連続層９４、蒸着蓄積性蛍光体層９１、および蒸着基板９５からなり、蒸着蓄積性蛍光体層９１の周囲は、ガラススペーサ９６と封止樹脂層９７、９８とにより封止されている。そして、基準面指定手段９２は保護層９３の周囲表面部分（ガラススペーサに対応する部分）である。この放射線変換パネルでは、Ｘ線の照射は下側から行ない、読取りは上側から行なう。
【００９１】
得られた放射線像変換ハネルの蒸着蓄積性蛍光体層表面の凹凸を測定したところ、平面精度は基準面に対して±２０μｍであった。
【００９２】
［実施例３］
１）ガラス板（剛性層、４３０ｍｍ×４５０ｍｍ、厚み：８ｍｍ）の表面に、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を電子線蒸着により蒸着させて、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蓄積性蛍光体層（サイズ：４１０ｍｍ×４３０ｍｍ、層厚：約５００μｍ）を形成した。
２）封止性能を持たせるために、透明防湿フィルム（厚み：６０μｍ、GL-AU、凸版印刷(株)製）を接着剤を用いて蛍光体層および剛性層の表面に接着して、保護層を設けた。このようにして、図９に示す放射線像変換パネルを得た。
【００９３】
図９において、放射線像変換パネルは、順に保護層１０３、蓄積性蛍光体層１０１、および剛性層１０４からなり、基準面指定手段１０２は剛性層１０４の露出した表面部分である。この放射線変換パネルでは、Ｘ線の照射及び読取りは上側から行なう。
【００９４】
得られた放射線像変換パネル表面の凹凸を測定したところ、平面精度は基準面に平行な面に対して±５０μｍであった。
【００９５】
［実施例４］
１）ガラス板（剛性層、４３０ｍｍ×４５０ｍｍ、厚み：８ｍｍ）の表面に、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を電子線蒸着により蒸着させて、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蓄積性蛍光体層（４１０ｍｍ×４３０ｍｍ、層厚：約５００μｍ）を形成した。
２）剛性層の周囲にアクリル系樹脂を主成分とする接着剤（封止樹脂）を用いてガラススペーサ（厚み：５００μｍ）を設けた。
３）次に、このガラススペーサとガラスシート（保護層、４３０ｍｍ×４５０ｍｍ、厚み：０．７ｍｍ）を接着剤を用いて貼り合わせ、図１０に示すような放射線像変換パネルを得た。
【００９６】
図１０において、放射線像変換パネルは、順に保護層１１３、光学不連続層１１４、蓄積性蛍光体層１１１、および剛性層１１５からなり、蛍光体層１１１の周囲は、ガラススペーサ１１６と封止樹脂層１１７、１１８とにより封止されている。基準面指定手段１１２は保護層１１３の周囲表面部分（ガラススペーサに対応する部分）である。この放射線変換パネルでは、Ｘ線の照射及び読取りは上側から行なう。
【００９７】
得られた放射線像変換パネル表面の凹凸を測定したところ、平面精度は基準面に対して±５０μｍであった。
【００９８】
【発明の効果】
本発明に従い、放射線像変換パネルに基準面を設け、かつパネル表面の凹凸を集光系の焦点深度の範囲内に収め、そして画像情報の読み取りは光検出手段をパネルの基準面に接触した状態で移動させて実施することにより、パネルの垂直方向の位置合せを正確に行うことができ、パネル表面とラインセンサとの距離の変動を、パネルの厚みムラに関係なく常に集光系の焦点深度内に維持することができる。この垂直方向の位置合せを正確に行えることにより、高速であってかつ鮮鋭度等の画質の均一な放射線画像を得ることができる。このため、本発明の放射線画像情報読取方法は、医療診断用ラジオグラフィーや工業用ラジオグラフィー、並びにフルオロスコピーに利用した場合に有利となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（１）は、本発明の放射線像変換パネルの構成の例を示す斜視図であり、そして（２）はそのＩ−Ｉに沿った拡大断面図である。
【図２】本発明の放射線像変換パネルの構成の別の例を示す拡大断面図である。
【図３】本発明に係る基準面指定手段の別の例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る基準面指定手段の別の例を示す断面図である。
【図５】本発明の放射線画像情報読取装置の例を示す構成図である。
【図６】図５のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図７】本発明の放射線像変換パネルと放射線画像情報読取装置との組合せの別の例を示す概略部分断面図である。
【図８】本発明の放射線像変換パネルの構成の別の例を示す概略断面図である。
【図９】本発明の放射線像変換パネルの構成の別の例を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の放射線像変換パネルの構成の別の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０、２０、６０放射線像変換パネル
１１、２１、３１、４１、５１、６１蓄積性蛍光体層
１２ａ、１２ｂ、４２ａ、４２ｂ、５２ａ、５２ｂ、６２基準面指定手段（枠）
Ａ基準面
Ａ’ 基準面に平行な面
７１台
７２ブロードエリアレーザ（ＢＬＤ）
７３コリメータレンズとトーリックレンズからなる光学系
７４可変ミラー
７５光検出手段
７６セルフォックレンズアレイ
７７励起光カットフィルタ
７８ラインセンサ
７９光電変換素子
８０画像情報読取手段
Ｌ励起光
Ｍ輝尽発光光
Ｓ信号

Claims

中央部に放射線画像記録領域が設定された蓄積性蛍光体層を有する放射線像変換パネルの該蓄積性蛍光体層に記録された放射線画像情報を、該蓄積性蛍光体層への励起光の照射により該放射線画像記録領域から発せられる光を集光レンズを通して集光する放射線画像情報読取装置を用い、該放射線画像情報読取装置を該放射線像変換パネルの表面に沿って移動させながら読み取ることからなる放射線画像情報読取方法において、該放射線像変換パネルとして、該放射線画像記録領域の外側に読取基準面を、該変換パネルの放射線画像記録領域内の表面の凹凸が該読取基準面に対して上記集光レンズの焦点深度の範囲内となるように形成した放射線像変換パネルを用い、該放射線画像情報読取装置の放射線像変換パネルの表面に沿う移動を、該放射線画像情報読取装置に形成された基準面検出手段と該読取基準面とを物理的に接触させて、該放射線像変換パネルの表面に対する距離を調整しながら行なうことを特徴とする放射線画像情報読取方法。
放射線像変換パネルの基準面が放射線画像記録領域内の表面の凹凸に対して±５０μｍの範囲内にある請求項１に記載の放射線画像情報読取方法。
放射線像変換パネルの基準面が放射線画像記録領域内の表面の凹凸に対して±２０μｍの範囲内にある請求項１に記載の放射線画像情報読取方法。
基準面が、放射線像変換パネルの少なくとも相対する両側縁部に設けられた枠の上面である請求項１乃至３のうちのいずれかの項に記載の放射線画像情報読取方法。
放射線画像情報読取装置が、ラインセンサである請求項１乃至４のうちのいずれかの項に記載の放射線画像情報読取方法。