JP2843998B2 - 放射線画像変換パネル - Google Patents
放射線画像変換パネルInfo
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルに関するものであり、さらに詳しくは、保護層内での
光の散乱による輝尽励起光の広がりが小さいことから優
れた画像の鮮鋭性を有する放射線画像変換パネルに関す
る。
ルに関するものであり、さらに詳しくは、保護層内での
光の散乱による輝尽励起光の広がりが小さいことから優
れた画像の鮮鋭性を有する放射線画像変換パネルに関す
る。
(従来の技術) X線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。
用いられている。
このX線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に
代って蛍光体層から直後画像を取出すX線画像変換方法
が工夫されている。
代って蛍光体層から直後画像を取出すX線画像変換方法
が工夫されている。
この方法は、被写体を通過した放射線(一般にX線)
を蛍光体に吸収せしめ、しかるのち、この蛍光体を例え
ば光また熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体
が上記放射線吸収により蓄積している放射線エネルギー
を蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化す
る方法である。
を蛍光体に吸収せしめ、しかるのち、この蛍光体を例え
ば光また熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体
が上記放射線吸収により蓄積している放射線エネルギー
を蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化す
る方法である。
具体的には、例えば、米国特許3,859,527号及び特開
昭55−12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線または
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が開示さ
れている。
昭55−12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線または
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が開示さ
れている。
この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層(以下「輝尽
性」と略称する)を形成した放射線画像変換パネル(以
下「変換パネル」と略称する)を使用するもので、この
変換パネルの輝尽性に被写体を透過した放射線を当てて
被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギー
を蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽層を輝
尽励起光で走査することによって各部の蓄積された放射
線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、この光の
強弱による光信号により画像を得るものである。
性」と略称する)を形成した放射線画像変換パネル(以
下「変換パネル」と略称する)を使用するもので、この
変換パネルの輝尽性に被写体を透過した放射線を当てて
被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギー
を蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽層を輝
尽励起光で走査することによって各部の蓄積された放射
線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、この光の
強弱による光信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよ
いし、CRT上に再生してもよい。
いし、CRT上に再生してもよい。
この放射線画像変換方法において使用される変換パネ
ルは、放射線画像情報を蓄積したのち輝尽励起光の走査
によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度
放射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能
である。
ルは、放射線画像情報を蓄積したのち輝尽励起光の走査
によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度
放射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能
である。
そこで、前記変換パネルは、得られる放射線画像の画
質を劣化させることなく長期間または多数回繰返しの使
用に耐える性能を有することが望ましい。そのために
は、前記変換パネルの輝尽層が外部からの物理的または
化学的刺激から充分に保護される必要がある。
質を劣化させることなく長期間または多数回繰返しの使
用に耐える性能を有することが望ましい。そのために
は、前記変換パネルの輝尽層が外部からの物理的または
化学的刺激から充分に保護される必要がある。
従来の変換パネルにおいては、上記の問題の解決を図
るため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保
護層を設ける方法がとられてきた。この保護層は、例え
ば特開昭59−42500号に開示されているように、保護層
用塗布液を輝尽層上に直接塗布して形成されるか、又は
あらかじめ別途形成した保護層を輝尽層上に接着する方
法により形成されている。
るため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保
護層を設ける方法がとられてきた。この保護層は、例え
ば特開昭59−42500号に開示されているように、保護層
用塗布液を輝尽層上に直接塗布して形成されるか、又は
あらかじめ別途形成した保護層を輝尽層上に接着する方
法により形成されている。
保護層としては一般的には有機高分子からなる薄い保
護層が用いられている。このような薄い保護層が用いら
れるのは、変換パネルの鮮鋭性の低下を防ぐためであ
る。輝尽層を有する変換パネルの鮮鋭性と保護層厚みの
関係を空間周波数1lp/mm及び2lp/mmのMTF(変調伝達関
数)を用いて表1に示す。なお、表1においてPETはポ
リエチレンテレフタレートフィルムである。
護層が用いられている。このような薄い保護層が用いら
れるのは、変換パネルの鮮鋭性の低下を防ぐためであ
る。輝尽層を有する変換パネルの鮮鋭性と保護層厚みの
関係を空間周波数1lp/mm及び2lp/mmのMTF(変調伝達関
数)を用いて表1に示す。なお、表1においてPETはポ
リエチレンテレフタレートフィルムである。
表1に示すように保護層が厚いほど鮮鋭性が低下す
る。この原因としては、入射した輝尽励起光の輝尽層表
面での反射散乱光が保護層−空気界面で反射され、輝尽
層へ再入射することが挙げられる。保護層が厚いほど反
射散乱光はより遠くまで到達し、対像画素外の画素の情
報を混入させるので、鮮鋭性が低下するのである。
る。この原因としては、入射した輝尽励起光の輝尽層表
面での反射散乱光が保護層−空気界面で反射され、輝尽
層へ再入射することが挙げられる。保護層が厚いほど反
射散乱光はより遠くまで到達し、対像画素外の画素の情
報を混入させるので、鮮鋭性が低下するのである。
X線撮影に用いる一般型の増感紙−フィルム系におい
て、1lp/mmの場合のMTFは約65%、2lp/mmの場合は約35
%を示すので、変換パネルにおいても前記増感紙−フィ
ルム系の数値より劣ることは好ましくなく、したがって
保護層の厚さは鮮鋭性の点だけを考慮すると10μm以下
が望ましい。
て、1lp/mmの場合のMTFは約65%、2lp/mmの場合は約35
%を示すので、変換パネルにおいても前記増感紙−フィ
ルム系の数値より劣ることは好ましくなく、したがって
保護層の厚さは鮮鋭性の点だけを考慮すると10μm以下
が望ましい。
しかしながら、常用される有機高分子からなる薄い保
護層はある程度の水分及び/又は湿気に対し透過性であ
り、そのため輝尽層が水分を吸収する結果、変換パネル
の放射線感度の低下又は輝尽励起光照射を受けるまでの
蓄積エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像の
画質のばらつき及び/又は劣化をもたらしている。
護層はある程度の水分及び/又は湿気に対し透過性であ
り、そのため輝尽層が水分を吸収する結果、変換パネル
の放射線感度の低下又は輝尽励起光照射を受けるまでの
蓄積エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像の
画質のばらつき及び/又は劣化をもたらしている。
例えば、厚さ10μmのPETの透湿度は約60(g/m2・24h
r)であり、1日に単位面積当たり60gもの水分を透過す
る。膜厚10μm延伸ポリプロピレン(以下、「OPP」と
略称する)では約15(g/m2・24hr)である。
r)であり、1日に単位面積当たり60gもの水分を透過す
る。膜厚10μm延伸ポリプロピレン(以下、「OPP」と
略称する)では約15(g/m2・24hr)である。
このように保護層を厚くすれば、薄いための欠陥は解
消できるが、前述のように鮮鋭性が低下する。この相反
する事象を越えて、鮮鋭性を損うことなく防湿性、強
度、耐衝撃性の面からの改良が望まれている。
消できるが、前述のように鮮鋭性が低下する。この相反
する事象を越えて、鮮鋭性を損うことなく防湿性、強
度、耐衝撃性の面からの改良が望まれている。
上記のとおり、従来の輝尽性蛍光耐を用いた変換パネ
ルにおいては、画像の鮮鋭性を向上させるべく薄い保護
層を使用した場合には、外部からの化学的刺激、特に水
分又は湿気の浸入により得られる放射線画像のばらつき
や劣化などを生じ、又、外部からの物理的刺激により輝
尽層の破損などが生じるという問題点がある。
ルにおいては、画像の鮮鋭性を向上させるべく薄い保護
層を使用した場合には、外部からの化学的刺激、特に水
分又は湿気の浸入により得られる放射線画像のばらつき
や劣化などを生じ、又、外部からの物理的刺激により輝
尽層の破損などが生じるという問題点がある。
一方、このような化学的、物理的刺激からの保護を目
的として、厚い保護層を使用した場合には保護層の光学
的性質によっては画質の低下が起こる場合がある。
的として、厚い保護層を使用した場合には保護層の光学
的性質によっては画質の低下が起こる場合がある。
すなわち保護層内部での励起光の散乱による拡りが、
保護層が厚いほど増幅される度合が大きくなり画像の鮮
鋭性が低下してしまう。
保護層が厚いほど増幅される度合が大きくなり画像の鮮
鋭性が低下してしまう。
そこで本発明は、画像の鮮鋭性を何ら損うことなく輝
尽層を外部からの物理的刺激及び化学的刺激、特に水分
に対して充分保護することができ、輝尽層の高感度、高
鮮鋭性及び高粒子性を長期間にわたり維持し、良好な状
態で使用することが可能である耐久性及び耐用性の高い
変換パネルを提供することを目的とする。
尽層を外部からの物理的刺激及び化学的刺激、特に水分
に対して充分保護することができ、輝尽層の高感度、高
鮮鋭性及び高粒子性を長期間にわたり維持し、良好な状
態で使用することが可能である耐久性及び耐用性の高い
変換パネルを提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明の変換パネルは、支持体上に輝尽性蛍光体層、
低屈折率層及び保護層をこの順位に設け、前記中間に位
する低屈折率層の屈折率を保護層の屈折率よりも低く定
め、更に前記保護層のヘイズ率が3%以下であることを
特徴とする。
低屈折率層及び保護層をこの順位に設け、前記中間に位
する低屈折率層の屈折率を保護層の屈折率よりも低く定
め、更に前記保護層のヘイズ率が3%以下であることを
特徴とする。
本発明の変換パネルの構成を添付図面に基づいて説明
する、第1図及び第2図は本発明の変換パネルの一例を
示す概略断面図である。図中の数字は、それぞれ1は保
護層、2は低屈折率層、3は輝尽層、4は支持体、5は
保護層保持部材を表す。
する、第1図及び第2図は本発明の変換パネルの一例を
示す概略断面図である。図中の数字は、それぞれ1は保
護層、2は低屈折率層、3は輝尽層、4は支持体、5は
保護層保持部材を表す。
本発明の変換パネルは、第1図に示すそおり、支持体
4上に輝尽層3、低屈折率層2及び保護層1をこの順位
に設けるものである。又、本発明の変換パネルにおいて
は、第2図に示すようにその保護層保持部材5を有する
ものでもよい。この保護保持部材5の一端は支持体4に
密着されており、他の一端は保護層1に密着されてい
る。又、輝尽層3の周縁部と保護層保持部材5は接触し
ていても、離れていてもよい。したがって、構成要素と
して保護層保持部材5を有する変換パネルの場合には、
低屈折率層2は、保護層1、輝尽層3(又は、輝尽層3
及び支持体4)及び保護層保持部材5により外部雰囲気
から遮断された状態で構成されているものである。
4上に輝尽層3、低屈折率層2及び保護層1をこの順位
に設けるものである。又、本発明の変換パネルにおいて
は、第2図に示すようにその保護層保持部材5を有する
ものでもよい。この保護保持部材5の一端は支持体4に
密着されており、他の一端は保護層1に密着されてい
る。又、輝尽層3の周縁部と保護層保持部材5は接触し
ていても、離れていてもよい。したがって、構成要素と
して保護層保持部材5を有する変換パネルの場合には、
低屈折率層2は、保護層1、輝尽層3(又は、輝尽層3
及び支持体4)及び保護層保持部材5により外部雰囲気
から遮断された状態で構成されているものである。
本発明の変換パネルにおける保護層は、JISK6714で規
定されるヘイズ率(曇価)が3%以下のものであり、好
ましくは1%以下のものである。このヘイズ率が3%を
越える場合には保護層内部において光の散乱の広がりに
より輝尽励起光の拡りが大きくなり、画像の鮮鋭性が低
下してしまう。
定されるヘイズ率(曇価)が3%以下のものであり、好
ましくは1%以下のものである。このヘイズ率が3%を
越える場合には保護層内部において光の散乱の広がりに
より輝尽励起光の拡りが大きくなり、画像の鮮鋭性が低
下してしまう。
保護層としては、そのほかにも透光性がよいことやシ
ート状に成形できるものが好ましい。又、保護層は輝尽
励起光及び輝尽発光を効率よく透過するために、光波長
範囲で高い透過率を示すものが好ましく、この透過率が
80%以上のものがさらに好ましい。
ート状に成形できるものが好ましい。又、保護層は輝尽
励起光及び輝尽発光を効率よく透過するために、光波長
範囲で高い透過率を示すものが好ましく、この透過率が
80%以上のものがさらに好ましい。
保護層の透湿度はカップ法(JIS Z0208)による測定
で10.0g/m2・24hr以下、好ましくは5.0g/m2・24hr以下
である。
で10.0g/m2・24hr以下、好ましくは5.0g/m2・24hr以下
である。
保護層の厚さは、その構成材料のヘイズ率及び防湿性
に関連して決定されるものであるが、実用上は10μm〜
4mmであり、所定のヘイズ率を有し、良好な防湿性を得
るためには100μm以上が好ましい。この保護層の厚さ
が200μm以上の場合には耐久性、耐用性に優れた変換
パネルを得ることができ好ましい。
に関連して決定されるものであるが、実用上は10μm〜
4mmであり、所定のヘイズ率を有し、良好な防湿性を得
るためには100μm以上が好ましい。この保護層の厚さ
が200μm以上の場合には耐久性、耐用性に優れた変換
パネルを得ることができ好ましい。
このような保護層を形成するものとしては、例えば、
石英、硼珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板やガラ
スや、PET,OPP,ポリ塩化ビニルなどの有機高分子化合物
を挙げることができる。
石英、硼珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板やガラ
スや、PET,OPP,ポリ塩化ビニルなどの有機高分子化合物
を挙げることができる。
ここで例えば、厚さ500μmの硼珪酸ガラスの一例は
ヘイズ率が0.6%であり、又330nm〜2.6μmの波長範囲
で80%以上の透過率を示す。厚さ500μmの石英ガラス
の一例はヘイズ率が0.0%であり、硼珪酸ガラスの場合
よりも短波長においても高い透過率を示す。
ヘイズ率が0.6%であり、又330nm〜2.6μmの波長範囲
で80%以上の透過率を示す。厚さ500μmの石英ガラス
の一例はヘイズ率が0.0%であり、硼珪酸ガラスの場合
よりも短波長においても高い透過率を示す。
ヘイズ率は、保護層の厚さや表面処理によっても変化
する。保護層が板ガラスであれば、研磨グレードの高い
ものは一般にヘイズ率が低い。又プラスチックフィルム
であれば、ラミネートしたものや表面をマット加工、エ
ンボス加工などしたものは一般にヘイズ率が高い。
する。保護層が板ガラスであれば、研磨グレードの高い
ものは一般にヘイズ率が低い。又プラスチックフィルム
であれば、ラミネートしたものや表面をマット加工、エ
ンボス加工などしたものは一般にヘイズ率が高い。
保護層を形成するものとしては、ヘイズ率とともに透
過率及び防湿性が優れていることから前記板ガラスが好
ましい、 又、保護層の表面に、MgF2等の反射防止層を設ける
と、輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過するととも
に、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好ましい。
過率及び防湿性が優れていることから前記板ガラスが好
ましい、 又、保護層の表面に、MgF2等の反射防止層を設ける
と、輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過するととも
に、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好ましい。
保護層の屈折率は特に制限されないが、実用上は1.4
〜2.0の範囲が一般的である。
〜2.0の範囲が一般的である。
保護層は、必要に応じて2層以上を設けることができ
る、 本発明の変換パネルの低屈折率層は、保護層よりも屈
折率の低い材質からなる層である。低屈折率層を構成す
るものとしては、保護層よりも低屈折率のものであれば
特に制限されないが、変換パネルの機構により好ましい
ものを適宜選択することが必要である。
る、 本発明の変換パネルの低屈折率層は、保護層よりも屈
折率の低い材質からなる層である。低屈折率層を構成す
るものとしては、保護層よりも低屈折率のものであれば
特に制限されないが、変換パネルの機構により好ましい
ものを適宜選択することが必要である。
保護層保持部材を含まない変換パネルにおいては、保
護層と輝尽層との間に、例えば、第1図に示すような状
態で低屈折率を有するものである。
護層と輝尽層との間に、例えば、第1図に示すような状
態で低屈折率を有するものである。
この屈折率層は、例えば、CaF2(屈折率1.23〜1.2
6)、Na3AlF6(屈折率1.35)、MgF2(屈折率1.38)、Si
O2(屈折率1.46)などからなる層にすることができる。
低屈折率層の形成方法としては、輝尽層又は保護層表面
に蒸着などの気相堆積法で形成する方法か、又は予め同
様の方法で形成した薄膜を輝尽層又は保護層表面に積層
する方法を適用することができる。
6)、Na3AlF6(屈折率1.35)、MgF2(屈折率1.38)、Si
O2(屈折率1.46)などからなる層にすることができる。
低屈折率層の形成方法としては、輝尽層又は保護層表面
に蒸着などの気相堆積法で形成する方法か、又は予め同
様の方法で形成した薄膜を輝尽層又は保護層表面に積層
する方法を適用することができる。
保護層保持部材を含む変換パネルにおいては、低屈折
率層は保護層保持部材により外部雰囲気から遮断された
状態で存在するものである。このように保護層の保持部
材を用いることにより保護層の厚さを実質的により厚く
することができるために、変換パネルの防湿性及び耐久
性を一層向上させることができる。
率層は保護層保持部材により外部雰囲気から遮断された
状態で存在するものである。このように保護層の保持部
材を用いることにより保護層の厚さを実質的により厚く
することができるために、変換パネルの防湿性及び耐久
性を一層向上させることができる。
低屈折率層としては、前記と同様のものにすることが
できるが、保護層保持部材を含む場合には、例えば、エ
タノール(屈折率1.36)、メタノール(屈折率1.33)及
びジエチルエーテル(屈折率1.35)などの液体からなる
層;又は空気、窒素、アルゴンなどの気体からなる層及
び真空層などの屈折率が実質的に1である層;にするこ
とがその構成から好ましいものである。
できるが、保護層保持部材を含む場合には、例えば、エ
タノール(屈折率1.36)、メタノール(屈折率1.33)及
びジエチルエーテル(屈折率1.35)などの液体からなる
層;又は空気、窒素、アルゴンなどの気体からなる層及
び真空層などの屈折率が実質的に1である層;にするこ
とがその構成から好ましいものである。
保護層保持部材を含む変換パネルの低屈折率層として
は、気体層又は真空層であることが、鮮鋭性の低下を防
止する効果が高いことから好ましい。
は、気体層又は真空層であることが、鮮鋭性の低下を防
止する効果が高いことから好ましい。
低屈折率層の厚さは0.05μm〜3mmまでが実用的であ
る、 本発明の低屈折率層に、鮮鋭性の低下を小さくすると
いう効果を十分に付与するためには低屈折率層が輝尽層
と密着状態にあることが好ましい。したがって、低屈折
率層が液体層、気体層及び真空層の場合にはそのままで
よいが、低屈折率層を上記CaF2,Na3AlF2,MgF2,SiO2など
で保護層の表面に形成した場合などには、輝尽層とは低
屈折率層を例えば接着剤などにより密着させる。この場
合には接着剤の屈折率は輝尽層の屈折率に近似したもの
であることが好ましい。
る、 本発明の低屈折率層に、鮮鋭性の低下を小さくすると
いう効果を十分に付与するためには低屈折率層が輝尽層
と密着状態にあることが好ましい。したがって、低屈折
率層が液体層、気体層及び真空層の場合にはそのままで
よいが、低屈折率層を上記CaF2,Na3AlF2,MgF2,SiO2など
で保護層の表面に形成した場合などには、輝尽層とは低
屈折率層を例えば接着剤などにより密着させる。この場
合には接着剤の屈折率は輝尽層の屈折率に近似したもの
であることが好ましい。
本発明の変換パネルで用いる保護層保持部材として
は、低屈折率層を外部雰囲気から遮断した状態で形成す
ることができるものであれば特に制限されず、ガラス、
セラミックス、金属、プラスチックなどを用いることが
できる。
は、低屈折率層を外部雰囲気から遮断した状態で形成す
ることができるものであれば特に制限されず、ガラス、
セラミックス、金属、プラスチックなどを用いることが
できる。
又、保護層保持部材は、その透湿度が10g/m2・24hr以
下であることが好ましい。この透湿度があまり大きすぎ
る場合には、外部から侵入する水分により輝尽性蛍光耐
が劣化するために好ましくない。
下であることが好ましい。この透湿度があまり大きすぎ
る場合には、外部から侵入する水分により輝尽性蛍光耐
が劣化するために好ましくない。
保護層保持部材の厚さ(第2図中のa)は、輝尽層の
厚さ以上の厚さであればよいものである。すなわち、保
護層保持部材の厚さは輝尽層の厚さと同じ厚さが、又は
その厚さを越える厚さである。
厚さ以上の厚さであればよいものである。すなわち、保
護層保持部材の厚さは輝尽層の厚さと同じ厚さが、又は
その厚さを越える厚さである。
保護層保持部材と輝尽層の厚さが同じ場合は、例えば
低屈折率層が真空層の場合である。この場合には、輝尽
層と保護層との間に光学的に不連続になるように真空層
が存在していれば低屈折率層としては十分であり、した
がって二つの層は接した状態であってもよい。
低屈折率層が真空層の場合である。この場合には、輝尽
層と保護層との間に光学的に不連続になるように真空層
が存在していれば低屈折率層としては十分であり、した
がって二つの層は接した状態であってもよい。
保護層保持部材の厚さが輝尽層の厚さを超える場合
は、保持層保持部材の厚さは形成しようとする低屈折率
層の厚さに関連して決定することができる。
は、保持層保持部材の厚さは形成しようとする低屈折率
層の厚さに関連して決定することができる。
保護層保持部材の幅(第2図中のb)は、主にこの保
護層保持部材と支持体及び保護層との密着部分の防湿性
(前記透湿度)に関連して決定されるものであり、1〜
30mmが好ましい。この保護層保持部材の幅があまり小さ
すぎる場合には保護層保持部材の安定性、強度及び防湿
性の点から好ましくない。又、あまり大きすぎる場合に
は必要以上に変換パネルが大型化するために好ましくな
い。なお、保護層保持部材と支持体及び保護層との密着
部分の透湿度は10g/m2・24hr以下であることが好まし
い。
護層保持部材と支持体及び保護層との密着部分の防湿性
(前記透湿度)に関連して決定されるものであり、1〜
30mmが好ましい。この保護層保持部材の幅があまり小さ
すぎる場合には保護層保持部材の安定性、強度及び防湿
性の点から好ましくない。又、あまり大きすぎる場合に
は必要以上に変換パネルが大型化するために好ましくな
い。なお、保護層保持部材と支持体及び保護層との密着
部分の透湿度は10g/m2・24hr以下であることが好まし
い。
保持層保護部材は、支持体と保護層に密着しているこ
とが変換パネルに防湿性を付与する点及び低屈折率層の
層厚を一定に保持する点から必要である。ここで保護層
保持部材を支持体及び保護層に密着させるには、例え
ば、接着剤などを用いるが、この接着剤としては防湿性
を有するものが好ましい。具体的には、エポキシ系樹
脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、酢
酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン系樹
脂、アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、ポリ
オレフィン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニトリル系ゴ
ム等の有機高分子系接着剤や、シリコーン系接着剤など
を用いるころができる。これらのなかでも半導体や電子
部品の封止に用いられるエポキシ系樹脂やシリコーン系
樹脂は耐湿性が優れているので好ましく、特にエポキシ
樹脂系接着剤は透湿度が低く好適である。
とが変換パネルに防湿性を付与する点及び低屈折率層の
層厚を一定に保持する点から必要である。ここで保護層
保持部材を支持体及び保護層に密着させるには、例え
ば、接着剤などを用いるが、この接着剤としては防湿性
を有するものが好ましい。具体的には、エポキシ系樹
脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、酢
酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン系樹
脂、アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、ポリ
オレフィン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニトリル系ゴ
ム等の有機高分子系接着剤や、シリコーン系接着剤など
を用いるころができる。これらのなかでも半導体や電子
部品の封止に用いられるエポキシ系樹脂やシリコーン系
樹脂は耐湿性が優れているので好ましく、特にエポキシ
樹脂系接着剤は透湿度が低く好適である。
なお、保護層保持部材と支持体又は保護層保持部材と
保護層との密着部材の接着性を向上させる目的で、保護
層保持部材、支持体及び保護層と他の層との接触面に下
引き層を設けたり、粗面化処理を施することもできる。
保護層との密着部材の接着性を向上させる目的で、保護
層保持部材、支持体及び保護層と他の層との接触面に下
引き層を設けたり、粗面化処理を施することもできる。
本発明の変換パネルにおいて輝尽層を構成する輝尽性
蛍光体とは、最初の光もしくは光エネルギー放射線が照
射された後に、光的、熱的、機械的、化学的又は電気的
等の刺激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高いエ
ネルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光
体であるが、実用的な面からはは500nm以上の励起光に
よって輝尽発光を示す蛍光体が好ましいものである。こ
のような輝尽性蛍光体として例えば特開昭48−80487号
に記載されているBaSO4,:Ax,特開昭48−80489号に記載
されているSrSO4,:Ax,特開昭53−39277号に記載されて
いるLi2B4O7Cu,Ag等、特開昭54−47883号に記載されて
いるLi2O・(B2O2)x:Cu及びLi2O・(B2O2)x:Cu,Ag
等、米国特許3,859,527号のSrS:Ce,Sm,SrS,Eu,Sm,La2O2
S:Eu,Sm及び(Zn,Cd)S:Mn,Xで示される蛍光体が挙げら
れる。
蛍光体とは、最初の光もしくは光エネルギー放射線が照
射された後に、光的、熱的、機械的、化学的又は電気的
等の刺激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高いエ
ネルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光
体であるが、実用的な面からはは500nm以上の励起光に
よって輝尽発光を示す蛍光体が好ましいものである。こ
のような輝尽性蛍光体として例えば特開昭48−80487号
に記載されているBaSO4,:Ax,特開昭48−80489号に記載
されているSrSO4,:Ax,特開昭53−39277号に記載されて
いるLi2B4O7Cu,Ag等、特開昭54−47883号に記載されて
いるLi2O・(B2O2)x:Cu及びLi2O・(B2O2)x:Cu,Ag
等、米国特許3,859,527号のSrS:Ce,Sm,SrS,Eu,Sm,La2O2
S:Eu,Sm及び(Zn,Cd)S:Mn,Xで示される蛍光体が挙げら
れる。
また、特開昭55−12142号に記載されているZnS:Cn,Pb
蛍光体、一般式 BaO・xAl2O3:Eu で示されるアルミン酸バリウム蛍光体及び一般式、 MIIO・xSiO2:A で示されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられ
る。又特開昭55−12143号に記載されている 一般式 (Ba1-x-yMgxCay)FX:eEu で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号に記載されている一般式、 LnOX:xA で示される蛍光体、特開昭55−12145号に記載されてい
る一般式、 (Ba1-xMIIx)FX:yA で示される蛍光体、特開昭55−84389号に記載されてい
る一般式、 BaFX:xCe,yA で示される蛍光体、特開昭55−160078号に記載されてい
る一般式、 MIIFX・xA:yLn で示される希土類元素付活2価金属フルオロハライド蛍
光体、 一般式、 ZnS:A、CdS:A、(Zn,Cd)S:A、 ZnS:A,X及びCds:A,X で示される蛍光体、特開昭59−38278号に記載されてい
る下記いずれかの一般式、 xM3(PO4)2・NX2:yA M3(PO4)2:yA で示される蛍光体、特開昭59−155487号に記載されてい
る下記のいずれかの一般式、 nReX3・mAX2:xEu nReX3・mAX2:xEu,ySm で示される蛍光体、及び特開昭61−72087号に記載され
ている下記一般式、 MIX・aMIIX′2・bMIIX″:cA で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。
蛍光体、一般式 BaO・xAl2O3:Eu で示されるアルミン酸バリウム蛍光体及び一般式、 MIIO・xSiO2:A で示されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられ
る。又特開昭55−12143号に記載されている 一般式 (Ba1-x-yMgxCay)FX:eEu で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号に記載されている一般式、 LnOX:xA で示される蛍光体、特開昭55−12145号に記載されてい
る一般式、 (Ba1-xMIIx)FX:yA で示される蛍光体、特開昭55−84389号に記載されてい
る一般式、 BaFX:xCe,yA で示される蛍光体、特開昭55−160078号に記載されてい
る一般式、 MIIFX・xA:yLn で示される希土類元素付活2価金属フルオロハライド蛍
光体、 一般式、 ZnS:A、CdS:A、(Zn,Cd)S:A、 ZnS:A,X及びCds:A,X で示される蛍光体、特開昭59−38278号に記載されてい
る下記いずれかの一般式、 xM3(PO4)2・NX2:yA M3(PO4)2:yA で示される蛍光体、特開昭59−155487号に記載されてい
る下記のいずれかの一般式、 nReX3・mAX2:xEu nReX3・mAX2:xEu,ySm で示される蛍光体、及び特開昭61−72087号に記載され
ている下記一般式、 MIX・aMIIX′2・bMIIX″:cA で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。
しかし、本発明の変換パネルに用いられる輝尽性蛍光
体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す
蛍光体であればいかなる蛍光体であてもよい。
体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す
蛍光体であればいかなる蛍光体であてもよい。
本発明の変換パネルにおける輝尽層は、前記の輝尽性
蛍光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上
の輝尽層から成る輝尽層群であってもよい。又、それぞ
れの輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよ
いが異なっていてもよい。
蛍光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上
の輝尽層から成る輝尽層群であってもよい。又、それぞ
れの輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよ
いが異なっていてもよい。
変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パネル
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、結着剤を含有しない場合10〜1000μmの範囲、
さらに好ましくは20〜800μmの範囲から選ばれるのが
好ましく、結着剤を含有する場合で20〜1000μmの範
囲、さらに好ましくは50〜500μmの範囲から選ばれる
のが好ましい。
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、結着剤を含有しない場合10〜1000μmの範囲、
さらに好ましくは20〜800μmの範囲から選ばれるのが
好ましく、結着剤を含有する場合で20〜1000μmの範
囲、さらに好ましくは50〜500μmの範囲から選ばれる
のが好ましい。
本発明において使用される支持体としては各種高分子
材料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる。尚
支持体の透湿度は、カップ法(JIS Z0208)による測定
で10g/m2・24hr以下、好ましくは5.0g/m2・24hr以下で
ある。
材料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる。尚
支持体の透湿度は、カップ法(JIS Z0208)による測定
で10g/m2・24hr以下、好ましくは5.0g/m2・24hr以下で
ある。
高分子材料としては例えばセルロースアセテート、ポ
リエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミ
ド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネートな
どのフイルムが挙げられる。
リエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミ
ド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネートな
どのフイルムが挙げられる。
金属としては、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金
属シートもしくは金属板又は該金属酸化物の被覆層を有
する金属シート又は金属板が挙げられる。
属シートもしくは金属板又は該金属酸化物の被覆層を有
する金属シート又は金属板が挙げられる。
ガラスとしては化学的強度ガラス及び決結晶化ガラス
などが挙げられる。又、セラミックスとしてはアルミナ
及びジルコニアの焼結板などが挙げられる。
などが挙げられる。又、セラミックスとしてはアルミナ
及びジルコニアの焼結板などが挙げられる。
又、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μm〜5mmであり、取り扱
いが容易であるという点から、好ましくは200μm〜3mm
である。
って異なるが、一般的には80μm〜5mmであり、取り扱
いが容易であるという点から、好ましくは200μm〜3mm
である。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽層
との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
又、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、個々に独立
した微小タイトル状板を密に配置した表面構造としても
よい。
との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
又、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、個々に独立
した微小タイトル状板を密に配置した表面構造としても
よい。
さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向
上させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けて
もよいし、必要に応じて高反射層、光吸収層等を設けて
もよい。
上させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けて
もよいし、必要に応じて高反射層、光吸収層等を設けて
もよい。
本発明の変換パネルによりいっそうの防湿性を付与す
るためには、保護層と支持体の側縁部又は保護層保持部
材の周縁部を封止することが好ましい。この封止の方法
としては、例えばガラス融着による封止法やエポキシ樹
脂系の接着剤による封止法を適用することができる。
るためには、保護層と支持体の側縁部又は保護層保持部
材の周縁部を封止することが好ましい。この封止の方法
としては、例えばガラス融着による封止法やエポキシ樹
脂系の接着剤による封止法を適用することができる。
又、本発明の変換パネルにおいては、保護層は支持体
の役割を兼ねることもできる。その場合には本発明でい
う支持体は実質的に輝尽層を支持する機能を発揮しなく
てもよい。
の役割を兼ねることもできる。その場合には本発明でい
う支持体は実質的に輝尽層を支持する機能を発揮しなく
てもよい。
本発明の変換パネルは、第3図に概略的に示される放
射線画像変換方法に用いられる。
射線画像変換方法に用いられる。
すなわち、放射線発生装置41からの放射線は、被写体
42を通して変換パネル43に入射する。
42を通して変換パネル43に入射する。
この入射した放射線はパネル43の輝尽層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。
次にこの蓄積像を輝尽励起光源44からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー
量に比例するので、この信号を例えば光電子倍管等の光
電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46によって画
像として再生し画像表面装置47によって表示することに
より、被写体の放射線透過像を観察することができる。
励起して輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー
量に比例するので、この信号を例えば光電子倍管等の光
電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46によって画
像として再生し画像表面装置47によって表示することに
より、被写体の放射線透過像を観察することができる。
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例1〜4及び比較例1、2 1mm厚の結晶化ガラス支持体に、蒸着装置でアルカリ
ハライド蛍光体(RbBr;0.0006Tl)を300μmの厚さにな
るように蒸着して輝尽層を形成した。次いで、表2に示
す厚さ及びヘイズ率の各保護層の表面にCaF2(屈折率1.
25)を0.1μm厚に蒸着し、低屈折率層とした。その
後、前記支持体と保護層を、それぞれの輝尽層と低屈折
率層が合うようにエポキシ樹脂系接着剤で接着して変換
パネルを得た。
ハライド蛍光体(RbBr;0.0006Tl)を300μmの厚さにな
るように蒸着して輝尽層を形成した。次いで、表2に示
す厚さ及びヘイズ率の各保護層の表面にCaF2(屈折率1.
25)を0.1μm厚に蒸着し、低屈折率層とした。その
後、前記支持体と保護層を、それぞれの輝尽層と低屈折
率層が合うようにエポキシ樹脂系接着剤で接着して変換
パネルを得た。
又、保護層が異なるほかは実施例と同一にして比較例
の変換パネルを得た。
の変換パネルを得た。
なお、ソーダガラス(A)と(B)は組成が同一で研
磨の程度が異なる。PETは(a)が透明タイプ、(b)
が市販の普及タイプ及び(c)がヘイジータイプであ
る。
磨の程度が異なる。PETは(a)が透明タイプ、(b)
が市販の普及タイプ及び(c)がヘイジータイプであ
る。
これらの実施例及び比較例で得た画像変換パネルを80
℃、10-3torrの条件で真空乾燥を1時間行ったのちに、
支持体とガラス保護層の側縁部又は保護層保持部材の周
縁部をエポキシ系接着剤で封止して、これを試料とし
た。この試験について、MTFによる鮮鋭性を評価した。
℃、10-3torrの条件で真空乾燥を1時間行ったのちに、
支持体とガラス保護層の側縁部又は保護層保持部材の周
縁部をエポキシ系接着剤で封止して、これを試料とし
た。この試験について、MTFによる鮮鋭性を評価した。
表3に各試料の空間周波数1lp/mm及び2lp/mmにおける
MTFを示す。
MTFを示す。
表から明らかなとおり、本発明の変換パネルは優れた
鮮鋭性を有しているが、保護層のヘイズ率は大きき比較
例の変換パネルは鮮鋭性が低い。
鮮鋭性を有しているが、保護層のヘイズ率は大きき比較
例の変換パネルは鮮鋭性が低い。
実施例5〜8及び比較例3、4 1mm厚の結晶化ガラス支持体に、蒸着装置でアルカリ
ハライド蛍光体(RbBr;0.0006T1)を300μmの厚さにな
るように蒸着して輝尺層を形成した。次いで、支持体上
に、前記輝尽層を包囲するようにして幅5mm、厚さ1mmの
ガラスシートをエポキシ樹脂系接着剤で接着した。その
後、80℃、10-3torrの条件で真空乾燥を1時間行った。
ハライド蛍光体(RbBr;0.0006T1)を300μmの厚さにな
るように蒸着して輝尺層を形成した。次いで、支持体上
に、前記輝尽層を包囲するようにして幅5mm、厚さ1mmの
ガラスシートをエポキシ樹脂系接着剤で接着した。その
後、80℃、10-3torrの条件で真空乾燥を1時間行った。
次に、前記ガラスシートの他の一面と表4に示すヘイ
ズ率の各保護層を前記と同様にして接着した。この一連
の工程を通常の雰囲気中で行うことにより、低屈折率層
を空気層にして、本発明の変換パネルを得た。
ズ率の各保護層を前記と同様にして接着した。この一連
の工程を通常の雰囲気中で行うことにより、低屈折率層
を空気層にして、本発明の変換パネルを得た。
又、保護層が異なるほかは実施例5〜8と同一にして
比較例の変換パネルを得た。
比較例の変換パネルを得た。
これらの実施例及び比較例で得た画像変換パネルを用
い、実施例1と同様にしてその空間周波数1lp/mm及び2l
p/mmにおけるMTFを測定した。
い、実施例1と同様にしてその空間周波数1lp/mm及び2l
p/mmにおけるMTFを測定した。
結果を表5に示す。
表から明らかなとおり、本発明の変換パネルは優れた
鮮鋭性を有しているが、保護層のヘイズ率の大きい比較
例の変換パネルは鮮鋭性が低い。
鮮鋭性を有しているが、保護層のヘイズ率の大きい比較
例の変換パネルは鮮鋭性が低い。
本発明の画像変換パネルは保護層内における光の散乱
による輝尽励起光の拡がりが小さいことから優れた鮮鋭
性を有している。
による輝尽励起光の拡がりが小さいことから優れた鮮鋭
性を有している。
第1図及び第2図は、本発明の画像変換パネルの概略断
面図であり、第3図は変換パネルを用いる放射線画像変
換方法の説明図である。
面図であり、第3図は変換パネルを用いる放射線画像変
換方法の説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G21K 4/00
Claims (1)
- 【請求項1】支持体上に輝尽性蛍光体層、低屈折率層及
び保護層をこの順位に設け、前記中間に位する低屈折率
層の屈折率を保護層の屈折率よりも低く定めた放射線画
像変換パネルにおいて、前記保護層のヘイズ率が3%以
下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15112388 | 1988-06-21 | ||
JP63-151123 | 1988-06-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0271200A JPH0271200A (ja) | 1990-03-09 |
JP2843998B2 true JP2843998B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15511867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1158755A Expired - Lifetime JP2843998B2 (ja) | 1988-06-21 | 1989-06-20 | 放射線画像変換パネル |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0348172B1 (ja) |
JP (1) | JP2843998B2 (ja) |
DE (1) | DE68917808T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7315031B2 (en) | 2002-08-14 | 2008-01-01 | Fujifilm Corporation | Radiation image storage panel |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002042799A1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Digidex Ltd. | A radiation detector comprising a storage phosphor, and a reader for such a detector |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5932900A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-22 | 化成オプトニクス株式会社 | 放射線像変換シ−ト |
JPS5942500A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
JPH077118B2 (ja) * | 1987-11-19 | 1995-01-30 | コニカ株式会社 | 低屈折率層を介した保護層を有する放射線画像変換パネル |
JPH077119B2 (ja) * | 1987-11-19 | 1995-01-30 | コニカ株式会社 | 物性を規制した中間層を有する放射線画像変換パネル |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP1158755A patent/JP2843998B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-21 DE DE1989617808 patent/DE68917808T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-21 EP EP19890306261 patent/EP0348172B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7315031B2 (en) | 2002-08-14 | 2008-01-01 | Fujifilm Corporation | Radiation image storage panel |
US7368746B2 (en) | 2002-08-14 | 2008-05-06 | Fujifilm Corporation | Phosphor panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0348172A3 (en) | 1990-03-14 |
EP0348172A2 (en) | 1989-12-27 |
JPH0271200A (ja) | 1990-03-09 |
DE68917808T2 (de) | 1995-02-02 |
DE68917808D1 (de) | 1994-10-06 |
EP0348172B1 (en) | 1994-08-31 |
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