JP2829610B2 - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents
放射線画像変換パネルの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルの製造方法に関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭
性が高い放射線画像を与え、かつ反り等による変形が少
なく、感度むらの小さい輝尽性蛍光体層を有する放射線
画像変換パネルの製造方法に関する。
ルの製造方法に関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭
性が高い放射線画像を与え、かつ反り等による変形が少
なく、感度むらの小さい輝尽性蛍光体層を有する放射線
画像変換パネルの製造方法に関する。
（従来の技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。
用いられている。
このＸ線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に
代って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。
代って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。
この方法は、被写体を透過した放射線（一般にＸ線）
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光
体が上記放射線吸収により蓄積している放射線エネルギ
ーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化
する方法である。
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光
体が上記放射線吸収により蓄積している放射線エネルギ
ーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化
する方法である。
具体的には、例えば、米国特許3,859,527号及び特開
昭55−12144号公報には、輝尽性蛍光体を用い可視光線
又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示
されている。
昭55−12144号公報には、輝尽性蛍光体を用い可視光線
又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示
されている。
この方法は、輝尽性蛍光体層（以後輝尽層と略称）を
有する放射線画像変換パネル（以後変換パネルと略称）
を使用するもので、この変換パネルの輝尽層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査することによっ
て各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれ
を光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。
有する放射線画像変換パネル（以後変換パネルと略称）
を使用するもので、この変換パネルの輝尽層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査することによっ
て各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれ
を光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよ
いし、CRT上に再生してもよい。
いし、CRT上に再生してもよい。
この放射線画像変換方法において使用される変換パネ
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能であ
る。
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能であ
る。
このような変換パネルは、通常、第１図に示したよう
に、輝尽層（１）、支持体（２）および保護層（３）か
ら構成されており、また、輝尽層（１）を外部からの物
理的あるいは化学的刺激から保護するために、さらに変
換パネルの周縁が封着部材（４）で封着されていること
が多い。
に、輝尽層（１）、支持体（２）および保護層（３）か
ら構成されており、また、輝尽層（１）を外部からの物
理的あるいは化学的刺激から保護するために、さらに変
換パネルの周縁が封着部材（４）で封着されていること
が多い。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような封着部材としては一般に加
熱硬化型の接着剤を用いることが多いために、変換パネ
ルの封着を高温で行なった後、変換パネルを使用温度ま
で冷却すると、支持体と保護層の熱膨張率の差により、
変換パネルに反りや歪み等の変形を生じたり、封着部分
が剥離したり、保護層および／または支持体が割れる等
の問題を有していた。
熱硬化型の接着剤を用いることが多いために、変換パネ
ルの封着を高温で行なった後、変換パネルを使用温度ま
で冷却すると、支持体と保護層の熱膨張率の差により、
変換パネルに反りや歪み等の変形を生じたり、封着部分
が剥離したり、保護層および／または支持体が割れる等
の問題を有していた。
反り等の変形は、感度むらの原因となり、この感度む
らは放射線画像変換装置の集光系と変換パネルとの距離
が、変換パネルの変形によって一定でなくなるために生
ずる。
らは放射線画像変換装置の集光系と変換パネルとの距離
が、変換パネルの変形によって一定でなくなるために生
ずる。
また、封着部の剥離や保護層および／または支持体の
割れ等は変換パネルの耐湿性の低下を招き、好ましくな
い。
割れ等は変換パネルの耐湿性の低下を招き、好ましくな
い。
そこで、本発明は鮮鋭性の高い放射線画像を与え、反
り等の変形が少なく、感度むらが小さく、耐久性が優れ
た輝尽層を有する変換パネルの製造方法の提供を目的と
する。
り等の変形が少なく、感度むらが小さく、耐久性が優れ
た輝尽層を有する変換パネルの製造方法の提供を目的と
する。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、支持体と保護層の間に輝尽性蛍光体層を有
し、該輝尽性蛍光体層の周縁部を取り囲み、かつ該支持
体と該保護層の間で該輝尽性蛍光体層を密閉する封着部
材と、前記輝尽性蛍光体層と前記保護層の層間に保護層
より低屈折率の層とを設けた放射線画像変換パネルの製
造方法であって、前記放射線画像変換パネル使用時の該
放射線画像変換パネルの温度と、前記封着部材硬化時の
前記支持体および前記保護層の温度との差が±20℃以内
となるように、前記支持体および前記保護層の温度を保
持しながら前記封着部材を硬化させることを特徴とする
放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
し、該輝尽性蛍光体層の周縁部を取り囲み、かつ該支持
体と該保護層の間で該輝尽性蛍光体層を密閉する封着部
材と、前記輝尽性蛍光体層と前記保護層の層間に保護層
より低屈折率の層とを設けた放射線画像変換パネルの製
造方法であって、前記放射線画像変換パネル使用時の該
放射線画像変換パネルの温度と、前記封着部材硬化時の
前記支持体および前記保護層の温度との差が±20℃以内
となるように、前記支持体および前記保護層の温度を保
持しながら前記封着部材を硬化させることを特徴とする
放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
ここで封着部材が硬化した状態とは、支持体と保護層
が封着部において固定され、通常使用される状態で与え
られる外力の範囲では相対的な位置が変化しなくなった
状態をいう。また、支持体と保護層との間に保護層保持
部材（スペーサ）を設けた場合には支持体と保護層保持
部材及び保護層保持部材と保護層が封着部において固定
され、相対的な位置が変化しなくなり、支持体と保護層
が保護層保持部材を介して固定され、通常使用される状
態で与えられる外力の範囲では相対的な位置が変化しな
くなった状態をいう。
が封着部において固定され、通常使用される状態で与え
られる外力の範囲では相対的な位置が変化しなくなった
状態をいう。また、支持体と保護層との間に保護層保持
部材（スペーサ）を設けた場合には支持体と保護層保持
部材及び保護層保持部材と保護層が封着部において固定
され、相対的な位置が変化しなくなり、支持体と保護層
が保護層保持部材を介して固定され、通常使用される状
態で与えられる外力の範囲では相対的な位置が変化しな
くなった状態をいう。
本発明の方法において使用される輝尽性蛍光体とは、
最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された後
に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激
（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー放
射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体である
が、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励起光
によって輝尽発光を示す蛍光体である。そのような輝尽
性蛍光体としては、例えば特開昭48−80487号公報に記
載されているBaSO4:Ax、特開昭48−80489号公報に記載
されているSrSO4:Ax、特開昭53−39277号公報のLi2B
4O7:Cu,Ag等、特開昭54−47883号公報のLi2O・（B2O2）
x:Cu及びLi2O・（B2O2）x:Cu,Ag等、米国特許3,859,527
号のSrS:Ce,Sm,SrS:Eu,Sm,La2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）
S:Mn,で示される蛍光体が挙げられる。
最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された後
に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激
（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー放
射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体である
が、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励起光
によって輝尽発光を示す蛍光体である。そのような輝尽
性蛍光体としては、例えば特開昭48−80487号公報に記
載されているBaSO4:Ax、特開昭48−80489号公報に記載
されているSrSO4:Ax、特開昭53−39277号公報のLi2B
4O7:Cu,Ag等、特開昭54−47883号公報のLi2O・（B2O2）
x:Cu及びLi2O・（B2O2）x:Cu,Ag等、米国特許3,859,527
号のSrS:Ce,Sm,SrS:Eu,Sm,La2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）
S:Mn,で示される蛍光体が挙げられる。
また、特開昭55−12142号公報に記載されているZnS:C
u,Pb蛍光体、一般式BaO・xAl2O3:Euで示されるアルミン
酸バリウム蛍光体、及び一般式MII O・xSiO2:Aで示され
るアルカリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体が挙げられる。ま
た、特開昭55−12143号公報に記載されている一般式 （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号公報に記載されている一般式 LnOX:xA で示される蛍光体、特開昭55−12145号公報に記載され
ている一般式 （Ba1-xMII x）FX:yA で示される蛍光体、特開昭55−84389号公報に記載され
ている一般式 BaFX:xCe,yA で示される蛍光体、特開昭55−160078号公報に記載され
ている一般式 MII FX・xA:yLn で示される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、S:A,ZnS:A,
X及びCdS:A,Xで示される蛍光体、特開昭59−38278号公
報に記載されている下記いずれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）2:yA で示される蛍光体、特開昭59−155487号公報に記載され
ている下記いずれかの一般式 nReX3:mAX′2:xEu nReX3:mAX′2:xEu,ySm で示される蛍光体、及び特開昭61−72087号公報に記載
されている下記一般式 MI X・aMII X′２・bMIII X″3:cA で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。
u,Pb蛍光体、一般式BaO・xAl2O3:Euで示されるアルミン
酸バリウム蛍光体、及び一般式MII O・xSiO2:Aで示され
るアルカリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体が挙げられる。ま
た、特開昭55−12143号公報に記載されている一般式 （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号公報に記載されている一般式 LnOX:xA で示される蛍光体、特開昭55−12145号公報に記載され
ている一般式 （Ba1-xMII x）FX:yA で示される蛍光体、特開昭55−84389号公報に記載され
ている一般式 BaFX:xCe,yA で示される蛍光体、特開昭55−160078号公報に記載され
ている一般式 MII FX・xA:yLn で示される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、S:A,ZnS:A,
X及びCdS:A,Xで示される蛍光体、特開昭59−38278号公
報に記載されている下記いずれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）2:yA で示される蛍光体、特開昭59−155487号公報に記載され
ている下記いずれかの一般式 nReX3:mAX′2:xEu nReX3:mAX′2:xEu,ySm で示される蛍光体、及び特開昭61−72087号公報に記載
されている下記一般式 MI X・aMII X′２・bMIII X″3:cA で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。
しかし、本発明により製造される変換パネルに用いら
れる輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものでは
なく、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であって
もよい。
れる輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものでは
なく、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であって
もよい。
本発明により製造される変換パネルは前記の輝尽性蛍
光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の
輝尽層から成る輝尽層群であってもよい。また、それぞ
れの輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよ
いが異なっていてもよい。
光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の
輝尽層から成る輝尽層群であってもよい。また、それぞ
れの輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよ
いが異なっていてもよい。
変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パネル
の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって
異なるが、結着剤を含有しない場合10μｍ〜1000μｍの
範囲、好ましくは20μｍ〜800μｍの範囲から選ばれ、
結着剤を含有する場合で20μｍ〜1000μｍの範囲、好ま
しくは50μｍ〜500μｍの範囲から選ばれる。
の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって
異なるが、結着剤を含有しない場合10μｍ〜1000μｍの
範囲、好ましくは20μｍ〜800μｍの範囲から選ばれ、
結着剤を含有する場合で20μｍ〜1000μｍの範囲、好ま
しくは50μｍ〜500μｍの範囲から選ばれる。
このような輝尽層は支持体上に塗布法や気相堆積法等
を用いて形成されるが、輝尽層を保護層上に形成せしめ
た後、支持体に積層してもよい。
を用いて形成されるが、輝尽層を保護層上に形成せしめ
た後、支持体に積層してもよい。
気相堆積法としては例えば蒸着法、スパッタ法、CVD
法などが挙げられる。
法などが挙げられる。
気相堆積法で形成された輝尽層に加熱処理を施すとＸ
線に対する感度が向上する。また、支持体または保護層
上に付活剤を含まない輝尽性蛍光体母体層（以下「蛍光
母体層」と略称する）を形成した後に熱拡散法などの方
法により、蛍光母体層に付活剤をドーピングして所定の
蛍光体層とすることもできる。
線に対する感度が向上する。また、支持体または保護層
上に付活剤を含まない輝尽性蛍光体母体層（以下「蛍光
母体層」と略称する）を形成した後に熱拡散法などの方
法により、蛍光母体層に付活剤をドーピングして所定の
蛍光体層とすることもできる。
本発明の方法において使用される支持体としては各種
高分子材料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられ
る。
高分子材料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられ
る。
高分子材料としては例えばセルロースアセテートフィ
ルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリ
カーボネート等のフィルムが挙げられる。金属として
は、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートまた
は金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート
または金属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化
ガラスや結晶化ガラスなどが挙げられる。またセラミッ
クスとしてはアルミナやジルコニアの焼結板などが挙げ
られる。
ルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリ
カーボネート等のフィルムが挙げられる。金属として
は、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートまた
は金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート
または金属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化
ガラスや結晶化ガラスなどが挙げられる。またセラミッ
クスとしてはアルミナやジルコニアの焼結板などが挙げ
られる。
また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等に
よって異なるが、一般的には80μｍ〜5000μｍであり、
取り扱い上の点が、さらに好ましくは200μｍ〜2000μ
ｍである。
よって異なるが、一般的には80μｍ〜5000μｍであり、
取り扱い上の点が、さらに好ましくは200μｍ〜2000μ
ｍである。
支持体は防湿性の点から透湿度が低いことが望まし
く、透湿度は10（g/m2・24hr）以下が好ましく、１（g/
m2・24hr）以下がさらに好ましい。気密性にすぐれた透
湿度が実質的に０であるようなガラス、セラミックス、
金属などが特に好ましい。
く、透湿度は10（g/m2・24hr）以下が好ましく、１（g/
m2・24hr）以下がさらに好ましい。気密性にすぐれた透
湿度が実質的に０であるようなガラス、セラミックス、
金属などが特に好ましい。
また前述のような輝尽層の加熱処理を行なう場合に
は、支持体には耐熱性が要求され、500℃以上での連続
使用においても割れや変形を起こさないことが好まし
い。さらに加熱処理中に、輝尽性蛍光体と反応してＸ線
感度等の性能に影響を与えないことが好ましい。耐熱性
にすぐれ、輝尽層との反応性が乏しい支持体としては、
例えば結晶化ガラス、石英、アルミナシリカ焼結板など
があげられる。
は、支持体には耐熱性が要求され、500℃以上での連続
使用においても割れや変形を起こさないことが好まし
い。さらに加熱処理中に、輝尽性蛍光体と反応してＸ線
感度等の性能に影響を与えないことが好ましい。耐熱性
にすぐれ、輝尽層との反応性が乏しい支持体としては、
例えば結晶化ガラス、石英、アルミナシリカ焼結板など
があげられる。
結晶化ガラスは、ガラスセラミックスともいい、以下
に示す特殊な組成のガラスを溶融成形した後、十分に制
御された条件下で再加熱し原形を保ったまま、アモルフ
ァス状態から均一な微細結晶の凝集体に変ったものであ
る。現在実用に供されている結晶化ガラスの組成系の主
なものとしては例えばケイ酸塩ガラスとしてLi2O−Si
O2,Na2O−CaO−MgO−SiO2、アルミノケイ酸塩系としてL
i2O−Al2O3−SiO2,Na2O−Al2O3−SiO2,MgO−Al2O3−SiO
2、ホウ酸塩ガラスとしてPbO−ZnO−B2O3、ホウケイ酸
塩ガラスとしてZnO−B2O3−SiO2等が挙げられる。
に示す特殊な組成のガラスを溶融成形した後、十分に制
御された条件下で再加熱し原形を保ったまま、アモルフ
ァス状態から均一な微細結晶の凝集体に変ったものであ
る。現在実用に供されている結晶化ガラスの組成系の主
なものとしては例えばケイ酸塩ガラスとしてLi2O−Si
O2,Na2O−CaO−MgO−SiO2、アルミノケイ酸塩系としてL
i2O−Al2O3−SiO2,Na2O−Al2O3−SiO2,MgO−Al2O3−SiO
2、ホウ酸塩ガラスとしてPbO−ZnO−B2O3、ホウケイ酸
塩ガラスとしてZnO−B2O3−SiO2等が挙げられる。
前記結晶化ガラス組成系のうちLi2O−SiO2,Na2O−CaO
−MgO−SiO2などのケイ酸塩ガラス、あるいはLi2O−Al2
O3−SiO2,Na2O−Al2O3−SiO2,MgO−Al2O3−SiO2などの
アルミノケイ酸塩ガラスが好ましい。
−MgO−SiO2などのケイ酸塩ガラス、あるいはLi2O−Al2
O3−SiO2,Na2O−Al2O3−SiO2,MgO−Al2O3−SiO2などの
アルミノケイ酸塩ガラスが好ましい。
さらには、Li2O−Al2O3−SiO2ガラスが好ましく各成
分の組成比は化学量論比でLi2O:Al2O3:SiO2＝1:1:4がさ
らに好ましい。
分の組成比は化学量論比でLi2O:Al2O3:SiO2＝1:1:4がさ
らに好ましい。
しかし本発明にかかる支持体に用いられる結晶化ガラ
スは前述の結晶化ガラスに限られるものではなく、耐熱
性にすぐれ、また加熱した際の平面性にすぐれた結晶化
ガラスであれば、いかなる結晶化ガラスであってもよ
い。
スは前述の結晶化ガラスに限られるものではなく、耐熱
性にすぐれ、また加熱した際の平面性にすぐれた結晶化
ガラスであれば、いかなる結晶化ガラスであってもよ
い。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造
としてもよい。
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造
としてもよい。
さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向
上させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けて
もよいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けて
もよい。
上させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けて
もよいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けて
もよい。
本発明の方法において用いられる保護層としては、透
光性がよく、シート状に成形できるものが使用される。
保護層は輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過する
ために、広い波長範囲で高い透過率を示すことが望まし
く、透過率は400nm〜800nmの波長範囲で80％以上が好ま
しく、90％以上がより好ましい。また、360nm〜400nmの
波長範囲では60％以上が好ましく、80％以上がより好ま
しい。
光性がよく、シート状に成形できるものが使用される。
保護層は輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過する
ために、広い波長範囲で高い透過率を示すことが望まし
く、透過率は400nm〜800nmの波長範囲で80％以上が好ま
しく、90％以上がより好ましい。また、360nm〜400nmの
波長範囲では60％以上が好ましく、80％以上がより好ま
しい。
そのようなものとしては、例えば、石英、ホウケイ酸
ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラスや、PET、延伸
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物
が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは330nm〜2.6μｍの波
長範囲で80％以上の透過率を示し、石英ガラスではさら
に短波長においても高い透過率を示す。
ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラスや、PET、延伸
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物
が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは330nm〜2.6μｍの波
長範囲で80％以上の透過率を示し、石英ガラスではさら
に短波長においても高い透過率を示す。
さらに、保護層の表面に、MgF2等の反射防止層を設け
ると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過すると
ともに、鮮鋭性の低下を小さくする硬化もあり好まし
い。
ると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過すると
ともに、鮮鋭性の低下を小さくする硬化もあり好まし
い。
また、保護層の厚さは25μｍ〜5mmであり、良好な防
湿性と耐衝撃性を得るためには、100μｍ〜3mmが好まし
い。
湿性と耐衝撃性を得るためには、100μｍ〜3mmが好まし
い。
保護層の透湿度は、変換パネルの耐湿性の点から低い
ことが望ましく、透湿度は10（g/m2・24hr）以下が好ま
しく、１（g/m2・24hr）以下がさらに好ましい。気密性
にすぐれ透湿度が実質的に０であり、なおかつ透光性の
良いガラスが特に好ましい。
ことが望ましく、透湿度は10（g/m2・24hr）以下が好ま
しく、１（g/m2・24hr）以下がさらに好ましい。気密性
にすぐれ透湿度が実質的に０であり、なおかつ透光性の
良いガラスが特に好ましい。
本発明の保護層は単一層であってもよいし、２種類以
上の層からなっていてもよい。例えば、第１の保護層と
してガラスを用い、有機高分子層を第２の保護層として
用いる場合である。
上の層からなっていてもよい。例えば、第１の保護層と
してガラスを用い、有機高分子層を第２の保護層として
用いる場合である。
第２の保護層として吸湿性の高い有機高分子層、例え
ばポリビニルアルコールやエチレン−ビニルアルコール
共重合体などの第１の保護層の輝尽層側に設けると、封
着時に輝尽層が吸着していた水分が第２の保護層によっ
て吸着除去されるため、輝尽層の水分による劣化が防止
され変換パネルの初期性能が向上するので好ましい。
ばポリビニルアルコールやエチレン−ビニルアルコール
共重合体などの第１の保護層の輝尽層側に設けると、封
着時に輝尽層が吸着していた水分が第２の保護層によっ
て吸着除去されるため、輝尽層の水分による劣化が防止
され変換パネルの初期性能が向上するので好ましい。
保護層は輝尽層に接着していてもいなくてもよいが、
両層間に保護層より低屈折率の層が存在していると、保
護層を厚くしても鮮鋭性の低下が小さいので好ましく、
そのような低屈折率層としては、空気、窒素、アルゴン
等の不活性な気体、メチルアルコール、エチルアルコー
ル等の液体、CaF2、Na3AlF6、MgF2、SiO2等の物質の薄
膜等が挙げられる。
両層間に保護層より低屈折率の層が存在していると、保
護層を厚くしても鮮鋭性の低下が小さいので好ましく、
そのような低屈折率層としては、空気、窒素、アルゴン
等の不活性な気体、メチルアルコール、エチルアルコー
ル等の液体、CaF2、Na3AlF6、MgF2、SiO2等の物質の薄
膜等が挙げられる。
低屈折率層の厚さは、0.05μｍ〜3mmまでが実用的で
ある。
ある。
低屈折率層を形成するために、支持体と保護層の層間
に、輝尽層を取り囲んで保護層保持部材（スペーサ）を
設けてもよい。そのようなスペーサとしては、例えばガ
ラス、セラミックス、金属、プラスチック等が挙げられ
る。
に、輝尽層を取り囲んで保護層保持部材（スペーサ）を
設けてもよい。そのようなスペーサとしては、例えばガ
ラス、セラミックス、金属、プラスチック等が挙げられ
る。
かくして構成された変換パネルにおいて、次に、輝尽
層を封着部材により支持体と保護層の層間に封入し、密
閉する。その際、上記スペーサを設けて低屈折率層を有
する場合においてはスペーサと支持体および保護層との
接着部分を封着部材により封着して密閉する。また、保
護層の延長部分で封着し、封着部材を用いて密閉するこ
ともできる。
層を封着部材により支持体と保護層の層間に封入し、密
閉する。その際、上記スペーサを設けて低屈折率層を有
する場合においてはスペーサと支持体および保護層との
接着部分を封着部材により封着して密閉する。また、保
護層の延長部分で封着し、封着部材を用いて密閉するこ
ともできる。
本発明の方法においては、この封着の工程で、封着部
材を硬化させる時に、支持体と保護層の温度を変換パネ
ル使用時の該変換パネルの温度との差が±20℃以内とな
るように保持することが必要であり、好ましくは±10℃
以内、さらに好ましくは±５℃以内とする。
材を硬化させる時に、支持体と保護層の温度を変換パネ
ル使用時の該変換パネルの温度との差が±20℃以内とな
るように保持することが必要であり、好ましくは±10℃
以内、さらに好ましくは±５℃以内とする。
温度差が上記の範囲を逸脱すると、支持体と保護層の
熱膨張率の差により、製造した変換パネルが使用温度に
おいて反りや歪み等の変形を生じたりする。なお、使用
温度は通常40℃付近である。
熱膨張率の差により、製造した変換パネルが使用温度に
おいて反りや歪み等の変形を生じたりする。なお、使用
温度は通常40℃付近である。
このような条件で封着を行なうための封着部材として
は例えば、常温硬化型のものを使用することができる。
は例えば、常温硬化型のものを使用することができる。
上記の常温硬化型の封着部材としては、例えば二液型
ウレタン系接着剤、二液型変性アクリレート系接着剤、
二液型変性アクリル系接着剤、二液型エポキシ系接着剤
などの２液を混合することによって重縮合、あるいは架
橋反応して硬化する樹脂や、Ｘ線、α線、β線、γ線、
高エネルギー中性子線、電子線、紫外線等の電磁波ある
いは粒子線を照射することによりその電磁波あるいは粒
子線のエネルギーを吸収して硬化する放射線硬化型樹脂
などがあげられ、好ましくは二液型エポキシ型接着剤と
紫外線硬化型接着剤である。
ウレタン系接着剤、二液型変性アクリレート系接着剤、
二液型変性アクリル系接着剤、二液型エポキシ系接着剤
などの２液を混合することによって重縮合、あるいは架
橋反応して硬化する樹脂や、Ｘ線、α線、β線、γ線、
高エネルギー中性子線、電子線、紫外線等の電磁波ある
いは粒子線を照射することによりその電磁波あるいは粒
子線のエネルギーを吸収して硬化する放射線硬化型樹脂
などがあげられ、好ましくは二液型エポキシ型接着剤と
紫外線硬化型接着剤である。
二液型エポキシ系接着剤は、エポキシ樹脂を主剤とし
た従来公知のものを用いることができ、硬化剤として
は、ポリアミン、ポリアミド、ポリチオール、変性ポリ
アミン、変性ポリアミド、変性ポリアミドアミン、脂肪
族ポリアミン、変性脂肪族ポリアミン、変性芳香族ポリ
アミン、変性脂環式ポリアミン、イミダゾールなどを用
いることができる。
た従来公知のものを用いることができ、硬化剤として
は、ポリアミン、ポリアミド、ポリチオール、変性ポリ
アミン、変性ポリアミド、変性ポリアミドアミン、脂肪
族ポリアミン、変性脂肪族ポリアミン、変性芳香族ポリ
アミン、変性脂環式ポリアミン、イミダゾールなどを用
いることができる。
紫外線硬化型樹脂は、その主成分である光重合性プレ
ポリマーとしてポリエステルアクリレート、ポリウレタ
ンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテル
アクリレート、オリゴアクリレート、アルキドアクリレ
ート、ポリオールアクリレートなどを用いることがで
き、好ましくはエポキシアクリレートである。また、従
来公知のように光重合性モノマー、光開始剤を基本的な
成分として含み、必要に応じて増感剤、顔料、充てん
剤、不活性有機ポリマー、レベリング剤、チキソトロー
プ性付与剤、熱重合禁止剤、溶剤などを添加してもよ
い。
ポリマーとしてポリエステルアクリレート、ポリウレタ
ンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテル
アクリレート、オリゴアクリレート、アルキドアクリレ
ート、ポリオールアクリレートなどを用いることがで
き、好ましくはエポキシアクリレートである。また、従
来公知のように光重合性モノマー、光開始剤を基本的な
成分として含み、必要に応じて増感剤、顔料、充てん
剤、不活性有機ポリマー、レベリング剤、チキソトロー
プ性付与剤、熱重合禁止剤、溶剤などを添加してもよ
い。
本発明により製造される変換パネルは、第４図に概略
的に示される放射線画像変換方法に用いられる。
的に示される放射線画像変換方法に用いられる。
すなわち、放射線発生装置41からの放射線Ｒは、被写
体42を通して変換パネル43に入射する。
体42を通して変換パネル43に入射する。
この入射した放射線はパネル43の輝尽層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。
次にこの蓄積像を輝尽励起光源44からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。放射される輝尽
発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー量に比例する
ので、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装
置45で光電変換し、画像再生装置46によって画像として
再生し画像表示装置47によって表示することにより、被
写体の放射線透過像を観察することができる。
励起して輝尽発光として放出せしめる。放射される輝尽
発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー量に比例する
ので、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装
置45で光電変換し、画像再生装置46によって画像として
再生し画像表示装置47によって表示することにより、被
写体の放射線透過像を観察することができる。
（実施例） 次に本発明を実施例により説明する。
実施例１ 1.1mm厚の結晶化ガラス支持体（400mm×500mm）をエ
レクトロンビーム法（EB法）による蒸着器中に設置し
た。次いで蒸着源としてプレス成形したアルカリハライ
ド（RbBr）を水冷したルツボに入れた。
レクトロンビーム法（EB法）による蒸着器中に設置し
た。次いで蒸着源としてプレス成形したアルカリハライ
ド（RbBr）を水冷したルツボに入れた。
続いて蒸着器を排気し、５×10-6Torrの真空度とし
た。次に支持体を40℃〜45℃に保持しながら、EBガンに
電力を供給してRbBrを蒸発させた。
た。次に支持体を40℃〜45℃に保持しながら、EBガンに
電力を供給してRbBrを蒸発させた。
目的とするRbBr層を得るために膜厚モニタにより蒸着
速度を検出し、蒸着速度が105Å/minとなるようにコン
トロールした。また電子ビームはルツボの蒸発源表面を
ラスター状にスキャンさせた。
速度を検出し、蒸着速度が105Å/minとなるようにコン
トロールした。また電子ビームはルツボの蒸発源表面を
ラスター状にスキャンさせた。
RbBr層の層厚が300μｍとなったところで蒸着を終了
させ、蒸着パネルを得た。この蒸着パネルを付活ドーピ
ング剤粉末（RbBr:10-4Tl）を入れた石英製ルツボに入
れ、蓋をしたのち600℃で1hr加熱することにより、蒸着
パネルRbBrをTlでドープし、輝尽層上に1.1mm厚で線熱
膨張係数90×10-7/℃の化学強化ソーダガラスの保護層
を載置した。次いで、輝尽層の周縁を二液型エポキシ型
接着剤（AV138＋HV998,日本チバガイギー（株）製）を
用いて封着した。
させ、蒸着パネルを得た。この蒸着パネルを付活ドーピ
ング剤粉末（RbBr:10-4Tl）を入れた石英製ルツボに入
れ、蓋をしたのち600℃で1hr加熱することにより、蒸着
パネルRbBrをTlでドープし、輝尽層上に1.1mm厚で線熱
膨張係数90×10-7/℃の化学強化ソーダガラスの保護層
を載置した。次いで、輝尽層の周縁を二液型エポキシ型
接着剤（AV138＋HV998,日本チバガイギー（株）製）を
用いて封着した。
上記接着剤が硬化し、変換パネルが密閉されるまで、
変換パネルを恒温器中に入れて支持体と保護層の温度を
40℃に４時間保持した。
変換パネルを恒温器中に入れて支持体と保護層の温度を
40℃に４時間保持した。
かくして第１図に示したような放射線画像変換パネル
を得た。
を得た。
次に、上述の放射線画像変換パネルに、管電圧80KVp
のＸ線を10mR照射した後、半導体レーザ光（780nm）で
輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を
光検出器（光電子増倍管）で光電変換し、この信号を画
像再生装置によって画像として再生し、銀塩フィルム上
に記録した。このときの放射線画像変換パネルの使用温
度は40℃±１℃であった。
のＸ線を10mR照射した後、半導体レーザ光（780nm）で
輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を
光検出器（光電子増倍管）で光電変換し、この信号を画
像再生装置によって画像として再生し、銀塩フィルム上
に記録した。このときの放射線画像変換パネルの使用温
度は40℃±１℃であった。
得られた画像より、相対感度のむらを調べ、第１表に
示した。ここで、相対感度のむらとは、2048×2048画素
の相対感度の標準偏差を相対感度の平均値で除した値を
百分率で示したものである。
示した。ここで、相対感度のむらとは、2048×2048画素
の相対感度の標準偏差を相対感度の平均値で除した値を
百分率で示したものである。
また、得られた変換パネルの使用温度40℃での反りを
調べ、第１表に合わせて示した。第１表における反りは
変換パネルを反りの凹側を上にして平板上に置いた時の
４すみの浮き上りの平均値で示してある。
調べ、第１表に合わせて示した。第１表における反りは
変換パネルを反りの凹側を上にして平板上に置いた時の
４すみの浮き上りの平均値で示してある。
くり返し耐久性は、12時間の周期で−40℃〜50℃〜−
40℃の温度変化をくり返して、変換パネルに異常が生じ
るまでの時間を測定した。その結果を第１表に示した。
40℃の温度変化をくり返して、変換パネルに異常が生じ
るまでの時間を測定した。その結果を第１表に示した。
実施例２ 実施例１と同様の方法でRbBr蒸着パネルを作製し、Tl
ドープを行なった後に、第３図のように支持体上に輝尽
層をとり囲んで厚さ1.1mmで線熱膨張係数10×10-7/℃の
結晶化ガラスのスペーサを設け、その上に厚さ1.1mmで
線熱膨張係数10×10-7/℃結晶化ガラスを載置した。保
護層とスペーサ及び支持体とスペーサの間は二液型エポ
キシ型接着剤（AV138＋HV998,日本チバガイギー（株）
製）で封着した。接着剤が硬化し、変換パネルが密閉さ
れるまで変換パネルを恒温器内に入れて支持体と保護層
の温度を40℃に４時間保った。
ドープを行なった後に、第３図のように支持体上に輝尽
層をとり囲んで厚さ1.1mmで線熱膨張係数10×10-7/℃の
結晶化ガラスのスペーサを設け、その上に厚さ1.1mmで
線熱膨張係数10×10-7/℃結晶化ガラスを載置した。保
護層とスペーサ及び支持体とスペーサの間は二液型エポ
キシ型接着剤（AV138＋HV998,日本チバガイギー（株）
製）で封着した。接着剤が硬化し、変換パネルが密閉さ
れるまで変換パネルを恒温器内に入れて支持体と保護層
の温度を40℃に４時間保った。
かくして得られた変換パネルに対して実施例１と同様
な評価を行ない、その結果を第１表に示した。
な評価を行ない、その結果を第１表に示した。
実施例３ 接着剤の硬化時に変換パネルを恒温器中に入れて支持
体と保護層の温度を50℃に２時間保持したこと以外は実
施例２と同様にして変換パネルを作製した。得られた変
換パネルに対して実施例１と同様の評価を行ない、その
結果を第１表に示した。
体と保護層の温度を50℃に２時間保持したこと以外は実
施例２と同様にして変換パネルを作製した。得られた変
換パネルに対して実施例１と同様の評価を行ない、その
結果を第１表に示した。
実施例４ 実施例２と同様にして第３図に示す構成の変換パネル
を作製した。ただし、保護層とスペーサおよび支持体と
スペーサの間は紫外線硬化型樹脂（3033,スリーボンド
（株）製）で封着した。変換パネルの温度を25℃の室温
に保ちつつ保護層側から150mW/cm2の紫外線を30秒照射
して封着剤を硬化させた。
を作製した。ただし、保護層とスペーサおよび支持体と
スペーサの間は紫外線硬化型樹脂（3033,スリーボンド
（株）製）で封着した。変換パネルの温度を25℃の室温
に保ちつつ保護層側から150mW/cm2の紫外線を30秒照射
して封着剤を硬化させた。
得られた変換パネルに対して実施例１と同様の評価を
行ない、その結果を第１表に示した。
行ない、その結果を第１表に示した。
比較例１ 封着部材として加熱硬化型エポキシ系接着剤（XNR350
5,日本チバガイギー（株）製）を用い、封着部材が硬化
するまで支持体と保護層の温度を85℃に２時間保ったこ
と以外は実施例２と同様にして変換パネルを作製した。
5,日本チバガイギー（株）製）を用い、封着部材が硬化
するまで支持体と保護層の温度を85℃に２時間保ったこ
と以外は実施例２と同様にして変換パネルを作製した。
得られた変換パネルに対して実施例１と同様の評価を
行ない、その結果を第１表に示した。
行ない、その結果を第１表に示した。
比較例２ 封着部材として加熱硬化型エポキシ系接着剤（CV517
1,松下電工（株）製）を用い、封着部材が硬化するまで
支持体と保護層の温度を160℃に２時間保ったこと以外
は実施例２と同様にして変換パネルを作製した。
1,松下電工（株）製）を用い、封着部材が硬化するまで
支持体と保護層の温度を160℃に２時間保ったこと以外
は実施例２と同様にして変換パネルを作製した。
得られた変換パネルに対して実施例１と同様の評価を
行ない、その結果を第１表に示した。
行ない、その結果を第１表に示した。
第１表に示したように比較例1,2では変換パネルの反
りが大きいために感度むらが非常に大きい。また、くり
返し温度変化に対しては短時間で異常が発生した。
りが大きいために感度むらが非常に大きい。また、くり
返し温度変化に対しては短時間で異常が発生した。
一方、実施例１〜４の変換パネルでは反りが小さいた
めに感度むらが小さく、良好な画像が得られた。またく
り返し温度変化に対する耐久性も著しく向上している。
めに感度むらが小さく、良好な画像が得られた。またく
り返し温度変化に対する耐久性も著しく向上している。
［発明の効果］ 本発明により製造される放射線画像変換パネルは、支
持体および保護層を使用時の温度に近い温度に保持して
封着するため、使用時にパネルが反ったり歪んだりする
等の変形を生じることなく、またさらに、輝尽性蛍光体
の特性も良好であるので、鮮鋭な放射線画像を与えるこ
とができ有用性が高い。
持体および保護層を使用時の温度に近い温度に保持して
封着するため、使用時にパネルが反ったり歪んだりする
等の変形を生じることなく、またさらに、輝尽性蛍光体
の特性も良好であるので、鮮鋭な放射線画像を与えるこ
とができ有用性が高い。
第１図および第３図は本発明の放射線画像変換パネルで
あり、第２図は第１図のＡ−Ａ′断面図であり、第４図
は放射線画像変換パネルを用いる放射線画像変換方法の
説明図である。 １……輝尽層 ２……支持体 ３……保護層 ４……封着部材 ５……保護層保持部材（スペーサ） 41……放射線発生装置 42……被写体 43……放射線画像変換パネル 44……輝尽励起光源 45……光電変換装置 46……放射線画像再生装置 47……放射線画像表示装置 48……フィルタ
あり、第２図は第１図のＡ−Ａ′断面図であり、第４図
は放射線画像変換パネルを用いる放射線画像変換方法の
説明図である。 １……輝尽層 ２……支持体 ３……保護層 ４……封着部材 ５……保護層保持部材（スペーサ） 41……放射線発生装置 42……被写体 43……放射線画像変換パネル 44……輝尽励起光源 45……光電変換装置 46……放射線画像再生装置 47……放射線画像表示装置 48……フィルタ
Claims (1)
- 【請求項１】支持体と保護層の間に輝尽性蛍光体層を有
し、該輝尽性蛍光体層の周縁部を取り囲み、かつ該支持
体と該保護層の間で該輝尽性蛍光体層を密閉する封着部
材と、前記輝尽性蛍光体層と前記保護層の層間に保護層
より低屈折率の層とを設けた放射線画像変換パネルの製
造方法であって、 前記放射線画像変換パネル使用時の該放射線画像変換パ
ネルの温度と、前記封着部材硬化時の前記支持体および
前記保護層の温度との差が±20℃以内となるように、前
記支持体および前記保護層の温度を保持しながら前記封
着部材を硬化させることを特徴とする放射線画像変換パ
ネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148000A JP2829610B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148000A JP2829610B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316699A JPH01316699A (ja) | 1989-12-21 |
| JP2829610B2 true JP2829610B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=15442870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63148000A Expired - Lifetime JP2829610B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829610B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3862563B2 (ja) | 2001-04-04 | 2006-12-27 | 富士フイルムホールディングス株式会社 | 放射線画像読取方法および装置ならびに蓄積性蛍光体シート |
| EP1426977A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-06-09 | Agfa-Gevaert | Storage phosphor screen and preparation method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237099A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-22 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
| JPS61237100A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-22 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP63148000A patent/JP2829610B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01316699A (ja) | 1989-12-21 |
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