JPH01316699A - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
の製造方法に関するもσ２であり、さらに詳しくは鮮鋭
性が高い放射線画像を与え、かつ反り等による変形が少
なく、感度むらの小さい輝尽性蛍光体層を有する放射線
画像変換パネルの製造方法に関する。

（従来の技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。

このＸ線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に代
って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法が
工夫されている。

この方法は、被写体を透過した放射線（一般にＸ線）を
蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光
または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体
が上記放射線吸収により蓄゛積している放射線エネルギ
ーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化
する方法である。

具体的には、例えば、米国特許３，８５９，５２７号及
び特開昭５５−１２１４４号公報には、＊尽性蛍光体を
用い可視光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像
変換方法が示されている。

この方法は、輝尽性蛍光体層（以後輝尽層と略称）を有
する放射線画像変換パネル（以後変換パネルと略称）を
使用するもので、この変換パネルの輝尽層に被写体を透
過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応
する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しか
る後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。

この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよい
し、ＣＲＴ上に再生してもよい。

この放射線画像変換方法において使用される変換パネル
は、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査によ
って蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射線
画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能である
。

このような変換パネルは、通常、第１図に示したように
、輝尽層（１）、支持体（２）および保護層（３）から
構成されており、また、輝尽層（１）を外部からの物理
的あるいは化学的刺激から保護するために、さらに変換
パネルの周縁が封ＨＢＢ材（４）で封着されていること
が多い。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような封着部材としては一般に加熱
硬化型の接着剤を用いることが多いために、変換パネル
の封着を高温で行なった後、変換パネルを使用温度まで
冷却すると、支持体と保護層の熱膨張率の差により、変
換パネルに反りや歪み等の変形を生じたり、封着部分が
剥離したり、保護層および／または支持体が割れる等の
問題を有していた。

反り等の変形は、感度むらの原因となり、この感度むら
は放射線画像変換装置の集光系と変換パネルとの距離が
、変換パネルの変形によって一定でなくなるために生ず
る。

また、封着部の剥離や保護層および／または支持体の割
れ等は変換パネルの耐湿性の低下を招き、好ましくない
。

そこで、本発明は鮮鋭性の高い放射線画像を与え１反り
等の変形が少なく、感度むらが小さく、耐久性が優れた
輝尽層を有する変換パネルの製造方法の提供を目的とす
る。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、支持体と保護層の間に輝尽性蛍光体層が設け
られ、該輝尽性蛍光体層が封着部材により支持体と保護
層の居間に封入され密閉されている放射線画像変換パネ
ルの製造方法において、封着部材の硬化時に支持体およ
び保護層の温度を放射線画像変換パネル使用時の温度と
の差が±２０℃以内となるように保持することを特徴と
する放射線画像変換パネルの製造方法に関する。

ここで封着部材が硬化した状態とは、支持体と保護層が
封着部において固定され、通常使用される状態で与えら
れる外力の範囲では相対的な位置が変化しなくなった状
態をいう、また、支持体と保護層との間に保護層保持部
材（スペーサ）を設けた場合には支持体と保護層保持部
材及び保護層保持部材と保護層が封着部において固定さ
れ、相対的な位置が変化しなくなり、支持体と保護層が
保護層保持部材を介して固定され、通常使用される状態
で与えられる外力の範囲では相対的な位置が変化しなく
なった状態をいう。

本発明の方法において使用される輝尽性蛍光体とは、最
初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された後に、
先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝
尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー放射線
の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実
用的な面から好ましくは５００ｎｍ以上の輝尽励起光に
よって輝尽発光を示す蛍光体である。そのような輝尽性
蛍光体としては１例えば特開昭４８−８０４８７号公報
に記載されているＢａＳＯ４：Ａｘ、特開昭４８−８０
４８９号公報に記載されている５ｒＳ０４：Ａｘ、特開
昭５３−３９２７７号公報ｔ７）Ｌ　ｉ２　Ｂ４　ｏ、
　：　Ｃｕ　、　Ａｇ等、特開昭５４−４７８８３号公
報のＬｉ２Ｑ＊　（Ｂ２０２　）ｘ：Ｃｕ及びＬｉ２　
Ｃ１（Ｂ２０２）ｘ：Ｃｕ。

Ａｇ等、米国特許３，８５９，５２７号のＳｒＳ：Ｃｅ
、Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ、Ｌａ２０２　Ｓ：Ｅｕ、
Ｓｍ及び（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ、で示される蛍光体が
挙げられる。

また、特開昭５５−１２１４２号公報に記載されている
ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、−数式Ｂａ５ｓ　ｘＡ１２
０３　　：Ｅｕで示されるアルミン酸バリウム蛍光体、
及び−数式Ｍ”Ｏ＠ｘＳｉ０２：Ａで示されるアルカリ
土類金属ケイ酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特開昭
５５−１２１４３号公報に記載されている一般式％式％ で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭５５−１２１４４号公報に記載されている一般式 ％式％： で示される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号公報に記
載されている一般式 ％式％： で示される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号公報に記
載されている一般式 ％式％ で示される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号公報に
記載されている一般式 ％式％： で示される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、−数式ＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）
ＳＥＡ、Ｓ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ：Ａ、Ｘで
示される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号公報に記載
されている下記いずれかの一般式 ％式％： ： で示される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号公報に
記載されている下記いずれかの一般式％式％： で示される蛍光体、及び特開昭６１−７２０８７号公報
に記載されている下記−数式 ％式％： で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。

しかし、本発明により製造される変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝
尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であっても
よい。

本発明により製造される変換パネルは前記の輝尽性蛍光
体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝
尽層から成る輝尽層群であってもよい、また、それぞれ
の輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよい
が異なっていてもよい。

変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、結着剤を含有しない場合１０−〜１０００−の
範囲、好ましくは２０戸〜８００−の範囲から選ばれ、
結着剤を含有する場合で２０μ〜１００ＯＱの範囲、好
ましくは５０−〜５００戸の範囲から選ばれる。

このような輝尽層は支持体上に塗布法や気相堆積法等を
用いて形成されるが、輝尽層を保護層上に形成せしめた
後、支持体に積層してもよい。

気相堆積法としては例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法などが挙げられる。

気相堆積法で形成された輝尽層に加熱処理を施すとｘ！
Ｊｉｌに対する感度が向上する。また、支持体または保
護層上に付活剤を含まない輝尽性蛍光体母体層（以下「
蛍光母体層」と略称する）を形成した後に熱拡散法など
の方法により、蛍光母体層に付活剤をドーピングして所
定の蛍光体層とすることもできる。

本発明の方法において使用される支持体としては各種高
分子材料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる
。

高分子材料としては例えばセルロースアセテートフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカ
ーボネートｙのフィルムが挙げられる。金属としては、
アルミニウム、鉄、ｆ＃１．クロム等の金属シートまた
は金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート
または金属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化
ガラスや結晶化ガラスなどが挙げられる。またセラミッ
クスとしてはアルミナやジルコニアの焼結板などが挙げ
られる。

また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、−数的には８０ｐ１〜５０００ｕであり
、取り扱い上の点が、さらに好ましくは２００μｓ〜２
０００−である。

支持体は防湿性の点から透湿度が低いことが望ましく、
透湿度は１０　（ｇ／ｍ’　・２４ｈｒ）以下が好まし
く、ｌ　（ｇ／ｒｒｙ’　・２４ｈｒ）以下がさらに好
ましい、気密性にすぐれ透湿度が実質的に０であるよう
なガラス、セラミックス、金属などが特に好ましい。

また前述のような輝尽層の加熱処理を行なう場合には、
支持体には耐熱性が要求され、５００℃以上での連続使
用においても割れや変形を起こさないことが好ましい、
さらに加熱処理中に、輝尽性蛍光体と反応してｘｗ＆感
度等の性能に影響を与えないことが好ましい、＃熱性に
すぐれ、輝尽層との反応性が乏しい支持体としては１例
えば結晶化ガラス、石英、アルミナシリカ焼結板などが
あげられる。

結晶化ガラスは、ガラスセラミックスともいい、以下に
示す特殊な組成のガラスを溶融成形した後。

十分に制御された条件下で再加熱し原形を保ったまま、
アモルファス状態から均一な微細結晶の凝集体に変った
ものである。現在実用に供されている結晶化ガラスの組
成系の主なものとしては例えばケイ酸塩ガラスとしてＬ
ｉ２０−　Ｓ　ｔ　Ｏ２１Ｎａ２０−Ｃａｏ−ＭｇＯ−
５＋０２　、アルミノケイ酸塩系としてＬ　＋２０−Ａ
　１２０３−５ｉ０２　、Ｎａ２０−Ａｌ２０３−５ｉ
０２　。

ＭｇＯＡ　１２０ｓ　−３ａｏ２、ホウ酸塩ガラスとし
てＰｂＯ−Ｚｎ０−Ｂ２０３．ホウケイ酸塩ガラスとし
てＺ　ｎ　ＯＢ２０３−　Ｓ　ｉ　０２等が挙げられる
。

前記結晶化ガラス組成系のうちＬｉ２０−３　＋０２　
、　Ｎａ２０−ＣａＯ−ＭｇＯ−３＋０２などのケイ酸
塩ガラス、あるいはＬｉ２０−Ａ　Ｉ２０３−３　＋０
２　、　Ｎａ２０−Ａ　１２０３−３　ｉ　０２　　、
　Ｍｇ０−Ａ　１２０ｓ　−３ｉ　０２　ナトノアルミ
ノケイ酸塩ガラスが好ましい。

さらにはＬ　ｉ　２０−Ａ　１２０３−３　ｉ　０２ガ
ラスが好ましく各成分の組成比は化学量論比でＬｆｚ　
Ｏ：Ａｌ２Ｏ３：５ｉ０２　＝ｌ：１：４がさらに好ま
しい。

しかし本発明にかかる支持体に用いられる結晶化ガラス
は前述の結晶化ガラスに限られるものではなく、耐熱性
にすぐれ、また加熱した際の平面性にすぐれた結晶化ガ
ラスであれば、いかなる結晶化ガラスであってもよい。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よい、また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、個
々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造と
してもよい。

さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向上
させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けても
よいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けても
よい。

本発明の方法において用いられる保護層としては、透光
性がよく、シート状に成形できるものが使用される。保
護層は輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過するた
めに、広い波長範囲で高い透過率を示すことが望ましく
、透過率は４００ｎ■〜８００ｎ＋ｓの波長範囲で８０
％以上が好ましく。

９０％以上がより好ましい、また、３６０ｒ＋ｍ〜４０
０ｎｍの波長範囲では６０％以上が好ましく、８０％以
上がより好ましい。

そのようなものとしては、例えば、石英、ホウケイ酸ガ
ラス、化学的強化ガラス等の板ガラスや、ＰＥＴ、延伸
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物
が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは３３０ｍｍ〜２．６
−の波長範囲で８０％以上の透過率を示し、石英ガラス
ではさらに短波長においても高い透過率を示す。

さらに、保護層の表面に、ＭｇＦ２等の反射防上層を設
けると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過する
とともに５ｇ鋭性の低下を小さくする効果もあり好まし
い。

また、保護層の厚さは２５戸〜５■腸であり、良好な防
湿性と耐衝撃性を得るためには、１００μｓ〜３ｍ■が
好ましい。

保護層の透湿度は、変換パネルの耐温性の点から低いこ
とが望ましく、透湿度は１０（ｇ／ｍ″・２４ｈｒ）以
下が好ましく、Ｉ　Ｃｇ／ｒｒｒ＠２４ｈｒ）以下がさ
らに好ましい、気密性にすぐれ透湿度が実質的にＯであ
り、なおかつ透光性の良いガラスが特に好ましい。

本発明の保護層は単一層であってもよいし、２種類以上
の層からなっていてもよい０例えば、第１の保護層とし
てガラスを用い、有機高分子層を第２の保護層として用
いる場合である。

第２の保護層として吸湿性の高い有機高分子層、例えば
ポリビニルアルコールやエチレン−ビニルアルコール共
重合体などを第１の保護層の輝尽層側に設けると、封着
時に輝尽層が吸着していた水分が第２の保護層によって
吸着除去されるため、輝尽層の水分による劣化が防上さ
れ変換パネルの初期性能が向上するので好ましい。

保護層は輝尽層に接着していてもいなくてもよいが、両
層間に保護層より低屈折率の層が存在していると、保護
層を厚くしても鮮鋭性の低下が小さいので好ましく、そ
のような低屈折率層としては、空気、窒素、アルゴン等
の不活性な気体、メチルアルコール、エチルアルコール
等の液体、ＣａＦ２　、Ｎａ３　Ａ　ＩＦ６　、ＭｇＦ
２　、Ｓ　ｉ０２等の物質の薄膜等が挙げられる。

低屈折率層の厚さは、０．０５−〜３ｍｍまでが実用的
である。

低屈折率層を形成するために、支持体と保護層の層間に
、輝尽層を取り囲んで保護層保持部材（スペーサ）を設
けてもよい、そのようなスペーサとしては、例えばガラ
ス、セラミックス、金属、プラスチック等が挙げられる
。

かくして構成された変換パネルにおいて、次に、ｔＲ尽
厚層封着部材により支持体と保護層の層間に封入し、密
閉する。その際、上記スペーサを設けて低屈折率層を有
する場合においてはスペーサと支持体および保護層との
接着部分を封着部材により封着して密閉する。また、保
護層の延長部分で封着し、封着部材を用いて密閉するこ
ともできる。

本発明の方法においては、この封着の工程で、封着部材
を硬化させる時に、支持体と保護層の温度を変換パネル
使用時の温度との差が±２０℃以内となるように保持す
ることが必要であり、好ましくは±ｌθ℃以内、さらに
好ましくは±５℃以内とする。

温度差が上記の範囲を逸脱すると、支持体と保護層の熱
膨張率の差により、製造した変換パネルが使用温度にお
いて反りや歪み等の変形を生じたりする。なお、使用温
度は通常４０℃付近である。

このような条件で封着を行なうための封着部材としては
例えば、常温硬化型のものを使用することができる。

上記の常温硬化型の封着部材としては、例えば二液型ウ
レタン系接着剤、二液型変性アクリレート系接着剤、二
液型変性アクリル系接着剤、二液型エポキシ系接着剤な
どの２液を混合することによって重縮合、あるいは架橋
反応して硬化する樹脂や、Ｘ線、α線、β線、γ線、高
エネルギー中性子線、電子線、紫外線等の電磁波あるい
は粒子線を照射することによりその電磁波あるいは粒子
線のエネルギーを吸収して硬化する放射線硬化型樹脂な
どがあげられ、好ましくは二液型エポキシ系接着剤と紫
外線硬化型接着剤である。　　　　゛二液型エポキシ系
接着剤は、エポキシ樹脂を主剤とした従来公知のものを
用いることができ、硬化剤としては、ポリアミン、ポリ
アミド、ポリチオール、変性ポリアミン、変性ポリアミ
ド、変性ポリアミドアミン、脂肪族ポリアミン、変性脂
肪族ポリアミン、変性芳香族ポリアミン、変性脂環式ポ
リアミン、イミダゾールなどを用いることができる。

紫外線硬化型樹脂は、その主成分である光重合性プレポ
リマーとしてポリエステルアクリレート、ポリウレタン
アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルア
クリレート、オリゴアクリレート、アルキドアクリレー
ト、ポリオールアクリレートなどを用いることができ、
好ましくはエポキシアクリレートである。また、従来公
知のように光重合性上ツマー１光開始剤を基本的な成分
として含み、必要に応じて増感剤、顔料、充てん剤、不
活性有機ポリマー、レベリング剤、チキソトロープ性付
与剤、熱重合禁止剤、溶剤などを添加してもよい。

本発明により製造される変換パネルは、第４図に概略的
に示される放射線画像変換方法に用いられる。

すなわち、放射線透過像ｆｉ４１からの放射線Ｒは、被
写体４２を通して変換パネル４３に入射する。

この入射した放射線はパネル４３の輝尽層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。

次にこの蓄積像を輝尽励起光源４４からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光電変換し２画像再生装置４６
によって画像として再生し画像表示装置４７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。

（実施例） 次に本発明を実施例により説明する。

実施例１ １．１ｍｍ厚の結晶化ガラス支持体（４００ｍｍＸ５０
０１鳳）をエレクトロンビーム法（ＥＢ法）による蒸着
器中に設置した０次いで蒸着源としてプレス成形したア
ルカリハライド（ＲｂＢｒ）を水冷したルツボに入れた
。

続いて蒸着器を排気し、５Ｘ１０４Ｔｏｒｒの真空度と
した０次に支持体を４０℃〜４５℃に保持しながら、Ｅ
Ｂガンに電力を供給してＲｂＢｒｔ−蒸発させた。

目的とするＲｂＢｒ層を得るために膜厚モニタにより蒸
着速度を検出し、蒸着速度がｌＯ５人／ｌｌ１ｎとなる
ようにコントロールした。また電子ビームはルツボの蒸
発源表面をラスター状にスキャンさせた。

ＲｂＢｒ層の層厚が３００−となったところで蒸着を終
了させ、蒸着パネルを得た。この蒸着パネルを付活ドー
ピング剤粉末（ＲｂＢ　ｒ　：　１０４Ｔｌを入れた石
英製ルツボに入れ、蓋をしたのち６００℃でｌｈｒ加熱
することにより、蒸着パネルＲｂＢｒをＴｌでドープし
、輝尽層上に１．１１厚で線熱膨張係数９０Ｘ１０’／
℃の化学強化ソーダガラスの保護層を載置した０次いで
、輝尽層の周縁を二液型エポキシ系接着剤（ＡＶ１３８
＋ＨＶ９９８．日本チ／＜ガイギー■製）を用いて封着
した。

上記接着剤が硬化し、変換パネルが密閉されるまで、変
換パネルを恒温器中に入れて支持体と保護層の温度を４
０℃に４時間保持した。

かくして第１図に示したような放射線画像変換パネルを
得た。

次に、上述の放射線画像変換パネルに、管電圧８０ＫＶ
ｐのＸ線をｌＯｍＲ照射した後、半導体レーザ光（７８
０ｎ＋ｓ）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射され
る輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換し、
この信号を画像再生装置によって画像として再生し、銀
塩フィルム上に記録した。このときの放射線画像変換パ
ネルの使用温度は４０℃±１℃であった。

得られた画像より、相対感度のむらを調べ、第１表に示
した。ここで、相対感度のむらとは。

２０４８Ｘ２０４８画素の相対感度の標準偏差を相対感
度の平均値で除した値を百分率で示したものである。

また、得られた変換パネルの使用温度４０℃での反りを
調べ、第１表に合わせて示した。第１表における反りは
変換パネルを反りの凹側を上にして平板上に置いた時の
４ずみの浮き上りの平均値で示しである。

くり返し耐久性は、１２時間の周期で一４０℃〜５０℃
〜−４０℃の温度変化をくり返して、変換パネルに異常
が生じるまでの時間を測定した。

その結果を第１表に示した。

実施例２ 実施例１と同様の方法でＲｂＢｒ蒸着パネルを作製し、
Ｔｌドープを行なった後に、第３図のように支持体上に
輝尽層をとり囲んで厚さ１．１鵬層で線熱膨張係数１０
ＸＩＯ’／’Ｃの結晶化ガラスのスペーサを設け、その
上に厚さ１．１■■で線熱膨張係数１０ＸＩＯ’／’０
結晶化ガラスを載置した。保護層とスペーサ及び支持体
とスペーサの間は二液型エポキシ系接着剤（ＡＶ１３８
＋ＨＶ９９８、日本チバガイギー補製）で封着した。接
着剤が硬化し、変換パネルが密閉されるまで変換パネル
を恒温器内に入れて支持体と保護層の温度を４０℃に４
時間保った。

かくして得られた変換パネルに対して実施例１と同様な
評価を行ない、その結果を第１表に示した。

実施例３ 接着剤の硬化時に変換パネルを恒温器中に入れて支持体
と保護層の温度を５０”０に２時間保持したこと以外は
実施例２と同様にして変換パネルを作製した。得られた
変換パネルに対して実施例１と同様の評価を行ない、そ
の結果を第１表に示した。

実施例４ 実施例２と同様にして第３図に示す構成の変換パネルを
作製した。ただし、保護層とスペーサおよび支持体とス
ペーサの間は紫外線硬化型樹脂（３０３３，スリーポン
ド■製）で封着した。変換パネルの温度を２５℃の室温
に保ちつつ保護層側から１５０ｍＷ／ｃ■２の紫外線を
３０秒照射して封着剤を硬化させた。

得られた変換パネルに対して実施例１と同様の評価を行
ない、その結果を第４表に示した。

比較例１ 封着部材として加熱硬化型エポキシ系接着剤（ＸＮＲ３
５０５，日本チバガイギー鞠製）を用い、封着部材が硬
化するまで支持体と保護層の温度を８５℃に２時間保っ
たこと以外は実施例２と同様にして変換パネルを作製し
た。

得られた変換パネルに対して実施例１と同様の評価を行
ない、その結果を第１表に示した。

比較例２ 封着部材として加熱硬化型エポキシ系接着剤（ＣＶ５１
７１．松下電工■製）を用い、封着部材が硬化するまで
支持体と保護層の温度を１６０℃に２時間保ったこと以
外は実施例２と同様にして変換パネルを作製した。

得られた変換パネルに対して実施例１と同様の評価を行
ない、その結果を第１表に示した。

ｉ１表 木ΔＴは封着部剤硬化時の温度と使用温度（４０℃）と
の差 第１表に示したように比較例１．２では変換パネルの反
りが大きいために感度むらが非常に大きい、また、くり
返し温度変化に対しては短時間で異常が発生した。

一方、実施例１〜４の変換パネルでは反りが小さいため
に感度むらが小さく、良好な画像が得られた。またくり
返し温度変化に対する耐久性も著しく向上している。

［発明の効果］ 本発明により製造される放射線画像変換パネルは、支持
体および保護層を使用時の温度に近い温度に保持して封
着するため、使用時にパネルが反ったり歪んだりする等
の変形を生じることなく、またさらに、輝尽性蛍光体の
特性も良好であるので、鮮鋭な放射線画像を与えること
ができ有用性が高い。

【図面の簡単な説明】

第１図および第３図は本発明の放射線画像変換パネルで
あり、第２図は第１図のＡ−Ａ’断面図であり、第４図
は放射線画像変換パネルを用いる放射線画像変換方法の
説明図である。 １・・・輝尽層 ２・・・支持体 ３・・・保護層 ４・・・封着部材 ５・・・保護層保持部材（スペーサ） ４１・・・放射線発生装置 ４２・・・被写体 ４３・・・放射線画像変換パネル ４４・・・輝尽励起光源 ４５・・・光電変換装置 ４６・・・放射線画像再生装置 ４７・・・放射線画像表示装置 ４８・・・フィルタ 第１図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 支持体と保護層の間に輝尽性蛍光体層が設けられ、該輝
   尽性蛍光体層が封着部材により支持体と保護層の層間に
   封入され密閉されている放射線画像変換パネルの製造方
   法において、 封着部材の硬化時に支持体および保護層の温度を放射線
   画像変換パネル使用時の温度との差が±２０℃以内とな
   るように保持することを特徴とする放射線画像変換パネ
   ルの製造方法。