JP2002022895A

JP2002022895A - 放射線像変換パネル

Info

Publication number: JP2002022895A
Application number: JP2000202498A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ogawa; 博小川
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2000-07-04
Filing date: 2000-07-04
Publication date: 2002-01-23

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】耐湿性に優れ、高画質の放射線画像を与える
放射線像変換パネルを提供する。【解決手段】支持体１１、気相堆積法で形成された蛍
光体層１２、および保護膜１３をこの順に有する放射線
像変換パネルで、支持体１１がセラミック、ガラスまた
は金属のシートであり、保護膜１３がセラミックまたは
ガラスのシートであり、そして支持体１１と保護膜１３
とが四方端面にて該蛍光体層１２の融点より低い金属ソ
ルダ１４で接合されて、蛍光体層１２が封じ込められて
いる放射線像変換パネル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、輝尽性蛍光体の輝
尽発光を利用する放射線像記録再生方法に用いられる放
射線像変換パネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の放射線写真法に代わる方法とし
て、輝尽性蛍光体を用いる放射線像記録再生方法が知ら
れている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線
像変換パネル（蓄積性蛍光体シート）を利用するもの
で、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられた
放射線を該パネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、その後に
輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起
光）で時系列的に励起することにより、該輝尽性蛍光体
中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光
光）として放出させ、この蛍光を光電的に読み取って電
気信号を得て、得られた電気信号に基づいて被写体ある
いは被検体の放射線画像を可視像として再生するもので
ある。読み取りを終えた該パネルは、残存する画像の消
去が行われた後、次の撮影のために備えられる。すなわ
ち、放射線像変換パネルは繰り返し使用される。

【０００３】この放射線像記録再生方法では、放射線写
真フィルムと増感紙との組合せを用いる従来の放射線写
真法の場合に比べて、はるかに少ない被曝線量で情報量
の豊富な放射線画像を得ることができるという利点があ
る。さらに、従来の放射線写真法では一回の撮影ごとに
放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線
像記録再生方法では放射線像変換パネルを繰り返し使用
するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。

【０００４】放射線像記録再生方法に用いられる放射線
像変換パネルは、基本構造として、支持体とその上に設
けられた輝尽性蛍光体層とからなるものである。ただ
し、輝尽性蛍光体層が自己支持性である場合には必ずし
も支持体を必要としない。また、輝尽性蛍光体層の上面
（支持体に面していない側の面）には通常、保護膜が設
けられていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的
な衝撃から保護している。

【０００５】輝尽性蛍光体層は、通常は輝尽性蛍光体と
これを分散状態で含有支持する結合剤とからなる。ただ
し、輝尽性蛍光体層としては、蒸着法や焼結法によって
形成される結合剤を含まないで輝尽性蛍光体の凝集体の
みから構成されるものも知られている。また、輝尽性蛍
光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されている輝尽
性蛍光体層を有する放射線像変換パネルも知られてい
る。これらのいずれの蛍光体層でも、輝尽性蛍光体はＸ
線などの放射線を吸収したのち励起光の照射を受けると
輝尽発光を示す性質を有するものであるから、被写体を
透過したあるいは被検体から発せられた放射線は、その
放射線量に比例して放射線像変換パネルの輝尽性蛍光体
層に吸収され、パネルには被写体あるいは被検体の放射
線像が放射線エネルギーの蓄積像として形成される。こ
の蓄積像は、上記励起光を照射することにより輝尽発光
光として放出させることができ、この輝尽発光光を光電
的に読み取って電気信号に変換することにより、放射線
エネルギーの蓄積像を画像化することが可能となる。

【０００６】また、上記放射線像記録再生方法の別法と
して本出願人による特願平１１−３７２９７８号明細書
には、輝尽性蛍光体を含有する蓄積性蛍光体層（および
放射線吸収性蛍光体層）を有する放射線像変換パネル
と、放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発光を示す蛍
光体を含有する放射線吸収性蛍光体層を有する蛍光スク
リーンとの組合せを用いる放射線画像形成方法、並びに
それらの組合せからなる放射線画像形成材料が記載され
ている。この方法は、被検体を透過した、被検体により
回折または散乱された、もしくは被検体から放射された
放射線をまず、蛍光スクリーンまたは放射線像変換パネ
ルの放射線吸収性蛍光体層にて紫外乃至可視領域の光に
変換した後、その光をパネルの蓄積性蛍光体層にて潜像
として蓄積記録する。次いで、このパネルに励起光を照
射して蓄積性蛍光体層からの輝尽発光光を光電的に読み
取って画像信号に変換し、そして画像信号より放射線の
空間的エネルギー分布に対応した画像を再構成するもの
である。本発明の放射線像変換パネルには、上記方法に
用いられるような画像形成材料、すなわち輝尽性蛍光体
と放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発光を示す蛍光
体の両方を含有するパネル、および蛍光スクリーンも包
含される。

【０００７】放射線像記録再生方法（および放射線画像
形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有する
方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネ
ルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮
鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであるこ
とが望まれている。

【０００８】感度および画質を高めることを目的とし
て、例えば特開平２−５８０００号公報に記載されてい
るように、輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成した
放射線像変換パネルが提案されている。このパネルでは
蛍光体層が輝尽性蛍光体の柱状結晶と空隙（クラック）
とから構成されているため、励起光の進入効率や発光光
の取出し効率を高めることができる。しかしながら、一
般に気相堆積法により形成された蛍光体層では蛍光体が
樹脂などの結合剤で覆われていないので吸湿し易く、パ
ネルを長期間に渡って繰り返し使用あるいは保存してい
るうちに蛍光体の発光特性が変化（劣化）したり、吸湿
が著しい場合には蛍光体自体が潮解してしまうことがあ
る。よって、蛍光体の吸湿をできる限り防ぐことが望ま
れている。

【０００９】蛍光体層上に設けられる保護膜としては、
透明な有機高分子物質を溶媒に溶解して調製した溶液を
蛍光体層上に塗布し形成したもの、ポリエチレンテレフ
タレートフィルム等の有機高分子フィルムやガラスシー
トなど別途形成した保護膜用シートを蛍光体層上に接着
剤を用いて接合したもの、あるいは無機化合物を蒸着な
どにより蛍光体層上に成膜したものなど各種の保護膜が
知られている。

【００１０】放射線像記録再生方法を実施する場合に
は、放射線像変換パネルはベルトやローラー等の搬送手
段を有する読取装置に掛けられて繰り返し使用される
が、そのパネルの強度を高める目的で、パネルの側面を
覆うように有機高分子物質からなる側面硬化皮膜（縁貼
り）を設けることも知られている。しかしながら、蛍光
体層の側面からの吸湿を防ぐという点では充分ではな
い。さらに、数千乃至数万回に渡って繰り返し使用する
という点から、パネルはできる限り強度が高いことが望
ましい。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明は、耐湿
性に優れ、高画質の放射線画像を与える放射線像変換パ
ネルを提供することにある。また本発明は、耐湿性およ
び強度において優れた放射線像変換パネルを提供するこ
とにもある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、気相堆積法
により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネル
の耐湿性について検討した結果、蛍光体層の上下両側に
設けられる支持体および保護膜にそれぞれ特定の材料を
用い、かつ支持体と保護膜の周辺部を金属ソルダで接合
封止して蛍光体層を封じ込めることにより、パネルの耐
湿性が顕著に高められることを見い出した。

【００１３】従って、本発明は、支持体、気相堆積法に
より形成された蛍光体層、および保護膜をこの順に有す
る放射線像変換パネルであって、該支持体がセラミッ
ク、ガラスまたは金属のシートであり、該保護膜がセラ
ミックまたはガラスのシートであって、そして支持体と
保護膜とが互いの周縁もしくはその近傍にて該蛍光体層
の融点より低い金属ソルダで接合されることにより、蛍
光体層が気密状態で外部雰囲気から遮蔽されていること
を特徴とする放射線像変換パネルにある。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の放射線像変換パ
ネルの好ましい態様を挙げる。（１）金属ソルダの融点が１００℃〜３００℃の範囲に
ある。（２）金属ソルダがＩｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ
系またはＰｂ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｓｂ系ソルダである。（３）保護膜表面に反射防止層および／または防汚層が
設けられている。（４）蛍光体層が輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層
である。

【００１５】本発明の放射線像変換パネルの構成を添付
図面を参照しながら説明する。図１の（１）〜（３）
は、本発明の放射線像変換パネルの構成の例を示す概略
断面図である。図１の（１）において、放射線像変換パ
ネルは、下側から順に、支持体１１、蛍光体層１２、お
よび保護膜１３から構成され、そして支持体１１と保護
膜１３は周囲端面にて金属ソルダ１４により接合され
て、蛍光体層１２は支持体１１と保護膜１３との間に封
じ込められている。

【００１６】図１の（２）において、放射線像変換パネ
ルは、下側から順に、支持体１１、蛍光体層１２、保護
膜１３、および反射防止層１５から構成され、そして支
持体１１と保護膜１３は周囲端面にて金属ソルダ１４に
より接合されている。図１の（３）において、放射線像
変換パネルは、下側から順に、支持体１１、蛍光体層１
２、保護膜１３、および防汚層１６から構成され、そし
て支持体１１と保護膜１３は周囲端面にて金属ソルダ１
４により接合されている。

【００１７】次に、本発明の放射線像変換パネルを製造
する方法について、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層を有
する場合を例にとって詳細に述べる。支持体は、気相堆
積法により蛍光体層を形成する際の基板となること、そ
して耐湿性を考慮して、セラミックシート、ガラスシー
トまたは金属シートが用いられる。支持体の厚みは、強
度および耐湿性の点から、一般には２００μｍ〜１０ｍ
ｍの範囲にあり、好ましくは５００μｍ〜５ｍｍの範囲
にある。公知の放射線像変換パネルにおいて、パネルと
しての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させ
るために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光
反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質
からなる光吸収層などを設けることが知られている。本
発明で用いられる支持体についても、これらの各種の層
を設けることができ、それらの構成は所望の放射線像変
換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択すること
ができる。さらに特開昭５８−２００２００号公報に記
載されているように、得られる画像の鮮鋭度を向上させ
る目的で、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の蛍光体
層側の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるい
は光吸収層などの補助層が設けられている場合には、そ
れらの補助層の表面であってもよい）には微小な凹凸が
形成されていてもよい。

【００１８】この支持体の上には気相堆積法により蛍光
体層が設けられる。輝尽性蛍光体としては、波長が４０
０〜９００ｎｍの範囲の励起光の照射により、３００〜
５００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が
好ましい。そのような輝尽性蛍光体の例は、特公平７−
８４５８８号、特開平２−１９３１００号および特開平
４−３１０９００号の各公報に詳しく記載されている。
好ましい輝尽性蛍光体としては、ユーロピウムまたはビ
スマスによって付活されているアルカリ金属ハロゲン化
物系蛍光体（例、ＣｓＢｒ：Ｅｕ、およびＲｂＢｒ：Ｅ
ｕ）、およびユーロピウムまたはセリウムによって付活
されているアルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体
（例、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ、及びＢａＦ（Ｂｒ，Ｉ）：Ｅ
ｕ）を挙げることができる。

【００１９】これらのうちでも、基本組成式（Ｉ）：Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）で代表されるアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体
は特に好ましい。ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ
及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアル
カリ金属を表し、Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる
少なくとも一種のアルカリ土類金属または二価金属を表
し、Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選
ばれる少なくとも一種の希土類元素または三価金属を表
し、そしてＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎ
ａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選
ばれる少なくとも一種の希土類元素または金属を表す。
Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表
わす。ａ、ｂおよびｚは、それぞれ、０≦ａ＜０．５、
０≦ｂ＜０．５、０≦ｚ＜０．２の範囲内の数値を表
す。

【００２０】上記基本組成式（Ｉ）中のＭ^IとしてはＲ
ｂ及び／又はＣｓであることが好ましい。ＸとしてはＢ
ｒであることが好ましい。Ａとしては、特にＥｕ又はＢ
ｉであることが好ましい。

【００２１】また、基本組成式（II）：Ｍ^IIＦＸ：ｚＬｎ ‥‥（II）で代表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン
化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、Ｍ^IIはＢａ、
Ｓｒ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種の
アルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから
なる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表
す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少
なくとも一種のハロゲンを表す。ｚは、０＜ｚ≦０．２
の範囲内の数値を表す。

【００２２】上記基本組成式（II）中のＭ^IIとしては、
Ｂａが半分以上を占めることが好ましい。Ｌｎとして
は、特にＥｕ又はＣｅであることが好ましい。また、基
本組成式（II）では表記上Ｆ：Ｘ＝１：１のように見え
るが、これはＢａＦＸ型の結晶構造を持つことを示すも
のであり、最終的な組成物の化学量論的組成を示すもの
ではない。一般に、ＢａＦＸ結晶においてＸ^-イオンの
空格子点であるＦ⁺（Ｘ^-）中心が多く生成された状態
が、６００〜７００ｎｍの光に対する輝尽効率を高める
上で好ましい。このとき、ＦはＸよりもやや過剰にある
ことが多い。

【００２３】なお、基本組成式（II）では省略されてい
るが、必要に応じて下記のような添加物を一種もしくは
二種以上を基本組成式（II）に加えてもよい。ｂＡ，ｗＮ^I，ｘＮ^II，ｙＮ^III ただし、ＡはＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂及びＺｒＯ₂などの金属
酸化物を表す。Ｍ^IIＦＸ粒子同士の焼結を防止する上で
は、一次粒子の平均粒径が０．１μｍ以下の超微粒子で
Ｍ^IIＦＸとの反応性が低いものを用いることが好まし
い。Ｎ^Iは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群
より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属の化合物を
表し、Ｎ^IIは、Ｍｇ及び／又はＢｅからなるアルカリ土
類金属の化合物を表し、Ｎ^IIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選
ばれる少なくとも一種の三価金属の化合物を表す。これ
らの金属化合物としては、特開昭５９−７５２００号公
報に記載のようなハロゲン化物を用いることが好ましい
が、それらに限定されるものではない。

【００２４】また、ｂ、ｗ、ｘ及びｙはそれぞれ、Ｍ^II
ＦＸのモル数を１としたときの仕込み添加量であり、０
≦ｂ≦０．５、０≦ｗ≦２、０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦
０．３の各範囲内の数値を表す。これらの数値は、焼成
やその後の洗浄処理によって減量する添加物に関しては
最終的な組成物に含まれる元素比を表しているわけでは
ない。また、上記化合物には最終的な組成物において添
加されたままの化合物として残留するものもあれば、Ｍ
^IIＦＸと反応する、あるいは取り込まれてしまうものも
ある。

【００２５】その他、上記基本組成式（II）には更に必
要に応じて、特開昭５５−１２１４５号公報に記載のＺ
ｎ及びＣｄ化合物；特開昭５５−１６００７８号公報に
記載の金属酸化物であるＴｉＯ₂、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔｈ
Ｏ₂；特開昭５６−１１６７７７号公報に記載のＺｒ及
びＳｃ化合物；特開昭５７−２３６７３号公報に記載の
Ｂ化合物；特開昭５７−２３６７５号公報に記載のＡｓ
及びＳｉ化合物；特開昭５９−２７９８０号公報に記載
のテトラフルオロホウ酸化合物；特開昭５９−４７２８
９号公報に記載のヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオ
ロチタン酸、及びヘキサフルオロジルコニウム酸の１価
もしくは２価の塩からなるヘキサフルオロ化合物；特開
昭５９−５６４８０号公報に記載のＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ及びＮｉなどの遷移金属の化合物などを添加し
てもよい。さらに、本発明においては上述した添加物を
含む蛍光体に限らず、基本的に希土類付活アルカリ土類
金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とみなされる組成
を有するものであれば如何なるものであってもよい。

【００２６】ただし、本発明において蛍光体は輝尽性蛍
光体に限定されるものではなく、Ｘ線などの放射線を吸
収して紫外乃至可視領域に（瞬時）発光を示す蛍光体で
あってもよい。そのような蛍光体の例としては、ＬｎＴ
ａＯ₄：（Ｎｂ，Ｇｄ）系、Ｌｎ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ系、Ｌ
ｎＯＸ：Ｔｍ系（Ｌｎは希土類元素である）、ＣｓＸ系
（Ｘはハロゲンである）、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ₂Ｏ₂
Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、ＺｎＷＯ₄、ＬｕＡｌＯ₃：Ｃｅ、Ｇｄ
₃Ｇａ₅Ｏ₁₂：Ｃｒ，Ｃｅ、ＨｆＯ₂等を挙げることがで
きる。

【００２７】本発明において蛍光体層は、気相堆積法に
より以下のようにして支持体上に形成することができ
る。第一の蒸着法による場合には、まず被蒸着物である
支持体および蒸発源である輝尽性蛍光体を蒸着装置内に
設置し、装置内を排気して１０^-4Ｐａ程度の真空度とす
る。次いで、輝尽性蛍光体を抵抗加熱法、エレクトロン
ビーム法などの方法で加熱蒸発させて、支持体表面に蛍
光体を所望の厚みで堆積させる。蒸着は、複数回に分け
て行ってもよいし、あるいは複数の抵抗加熱器またはエ
レクトロンビームを用いて異なる蛍光体を共蒸着させて
もよい。また、輝尽性蛍光体の原料を用いて支持体上で
蛍光体を合成すると同時に蛍光体層を形成することも可
能である。さらに、蒸着の際に必要に応じて被蒸着物
（支持体または保護膜）を冷却または加熱してもよい
し、あるいは蒸着終了後に蛍光体層を加熱処理（アニー
ル処理）してもよい。

【００２８】第二のスパッタ法による場合には、まず支
持体をスパッタ装置内に設置し、装置内を一旦排気して
１０^-4Ｐａ程度の真空度にした後、スパッタ用の気体と
してＡｒガス、Ｎｅガスなどの不活性ガスを導入して１
０^-1Ｐａ程度のガス圧とする。次いで、輝尽性蛍光体を
ターゲットとして放電し、イオン化した気体の衝撃によ
り蛍光体を飛散させて支持体表面に蛍光体を所望の厚み
で堆積させる。スパッタリングは、複数回に分けて行っ
てもよいし、あるいはそれぞれ異なる蛍光体からなる複
数のターゲットを用いて、同時にまたは順次スパッタリ
ングして蛍光体層を形成してもよい。また、複数の輝尽
性蛍光体原料を用いて同時にまたは順次スパッタリング
して、支持体上で蛍光体を合成すると同時に蛍光体層を
形成することも可能である。必要に応じて、装置内にＯ
₂ガス、Ｈ₂ガスを導入して反応性スパッタリングを行っ
てもよい。さらに、スパッタリングの際に必要に応じて
被蒸着物（支持体または保護膜）を冷却または加熱して
もよいし、あるいはスパッタリング終了後に蛍光体層を
加熱処理（アニール処理）してもよい。

【００２９】このようにして、輝尽性蛍光体の柱状結晶
がほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。蛍光体
層は、結合剤を含有せず、輝尽性蛍光体のみからなり、
輝尽性蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラ
ック）が存在する。蛍光体層の層厚は、通常は１００μ
ｍ〜１ｍｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７０
０ｍｍの範囲にある。なお、蛍光体層は、必ずしも上記
のように支持体上に直接蛍光体を気相成長させて形成す
る必要はなく、例えば、別に、ガラス板、金属板、プラ
スチックシートなどの仮支持体上に蛍光体を気相成長さ
せて蛍光体層を形成した後、接着剤を用いるなどして支
持体上に蛍光体層を接合する方法を利用してもよいし、
あるいは保護膜上に形成してもよい。

【００３０】この蛍光体層の上には、本発明の放射線像
変換パネルの特徴的な要件である金属ソルダにより、保
護膜が支持体に接合されて設けられる。保護膜として
は、耐湿性の点から透明な無機質膜、特に透明なセラミ
ックシートまたはガラスシートが用いられる。ガラスシ
ートの具体例としては、セントラル硝子(株)製のＦＬ
０．７（ｍｍ）、ＦＬ０．８５、ＦＬ１．０、そして日
本板硝子(株)製のＵＦＦ０．４０、ＵＦＦ０．５０、Ｕ
ＦＦ０．５５、ＵＦＦ０．７０；旭硝子(株)製のＲＲＱ
Ｓ４０ＳＸを挙げることができる。保護膜の厚みは、放
射線画像のボケ防止のためには薄い方が好ましいが、あ
まり薄いと透湿度が高くなるので好ましくない。一般に
保護膜の厚みは１００μｍ〜１ｍｍの範囲にあり、好ま
しくは２００μｍ〜５００μｍの範囲にある。

【００３１】本発明において、上記無機質の支持体と保
護膜とを接合封止するために無機質封止剤として用いら
れる金属ソルダは、その融点が蛍光体層を構成する蛍光
体の融点よりも低くなければならない。一般には融点が
１００℃〜３００℃の範囲にある金属ソルダが用いら
れ、好ましくは１００℃〜２００℃の範囲にあるものが
用いられる。また、金属ソルダは支持体および保護膜の
材料であるセラミックやガラスなどの無機質に対して接
着性を示すものでなければならず、そのようなソルダと
しては、Ｉｎ（融点１５６℃）またはＩｎ合金ソルダ
（Ｓｎ−５２Ｉｎ：約１０５℃）、Ｓｎ−Ｚｎ系ソルダ
（Ｓｎ−９Ｚｎ：約２００℃、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ：約１
９５℃）、Ｓｎ−Ｂｉ系ソルダ（Ｓｎ−５８Ｂｉ：約１
３８℃、Ｓｎ−５７Ｂｉ−１Ａｇ：約１４０℃）、およ
びＰｂ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｓｂ系ソルダ（Ｐｂ−Ｓｎ−Ｚｎ
−Ｓｂ：約１４０〜３００℃）を挙げることができる。
これらのうちでは、ＩｎまたはＩｎ合金ソルダが融点が
低く、可撓性を有しているため特に好ましい。

【００３２】上記金属ソルダを、蛍光体層が形成された
支持体の蛍光体層側の四方端面に蛍光体層を囲むように
線状に置く。通常は、金属ソルダの線幅は約５００μｍ
〜２０００μｍの範囲にある。この上に、支持体と同等
のサイズの保護膜材料を載せた後、オーブンで金属ソル
ダの融点付近（ただし、融点よりは高い）の温度で数分
間加熱して、支持体と保護膜材料とを完全に接合封止す
る。これにより、蛍光体層上に保護膜を付設すると同時
に、支持体と保護膜とで蛍光体層を封じ込める。

【００３３】保護膜の表面には更に、照射される励起光
の反射を防ぐ目的で反射防止層を設けてもよいし、ある
いは保護膜の耐汚染性を高める目的で防汚層を設けても
よい。反射防止層は、例えば弗化マグネシウムなどの無
機化合物を用いて、前述した気相堆積法により保護膜上
に形成することができる。反射防止層の層厚は通常は
０．１μｍ〜２０μｍの範囲にある。

【００３４】防汚層は、例えばフッ素樹脂を有機溶媒に
溶解（または分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保
護膜の表面に塗布し、乾燥することにより形成すること
ができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常
はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使
用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあ
るいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用
することもできる。防汚層には更に、干渉むらを低減さ
せて放射線画像の画質を向上させるために微粒子フィラ
ーを充填してもよいし、あるいは架橋剤、硬膜剤などの
ような添加成分を添加してもよい。特に架橋剤の添加
は、防汚層の耐久性の向上に有利である。防汚層の層厚
は通常は０．１μｍ〜２０μｍの範囲にある。

【００３５】上述のようにして本発明の放射線像変換パ
ネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各
種のバリエーションを含むものであってもよい。たとえ
ば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的とし
て、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し
輝尽発光光は吸収しないような着色剤によって着色して
もよい（特公昭５９−２３４００号公報参照）。

【００３６】

【実施例】［実施例１］（１）蛍光体層の形成支持体として周辺部０．５ｃｍを除いてアルミ蒸着され
た５ｍｍ厚の石英ガラス板（３５．５ｃｍ×３５．５ｃ
ｍ）を、蒸着装置内に設置した。装置の白金ボート中に
ユーロピウム付活臭化セシウム輝尽性蛍光体（ＣｓＢ
ｒ：0.01Ｅｕ）を入れた後、装置内を排気して２．６６
×１０^-4Ｐａの真空度とした。次いで、白金ボート中の
輝尽性蛍光体に電子銃で加速電圧２．３ｋＶの電子線を
３０分間照射して、石英ガラス板上に蛍光体を３０μｍ
／分の速度で堆積させた。その後、電子線の照射を止
め、装置内を大気圧に戻し、装置から石英ガラス板を取
り出した。得られた石英ガラス板上には、幅約２０μ
ｍ、長さ約９００μｍの柱状の蛍光体が垂直方向に密に
林立した構造の蛍光体層（厚み：約９００μｍ、縦横：
３５ｃｍ×３５ｃｍ）が形成されていた。

【００３７】（２）保護膜の形成上記石英ガラス板の四方端面に蛍光体層を囲むように線
状にインジウムを置いた。保護膜として石英ガラス板と
同サイズに切断した４００μｍ厚のガラスシート（ＵＦ
Ｆ０．４０、日本板硝子(株)製）を載せた後、これをオ
ーブン内で温度１６０℃で５分間加熱して、蛍光体層を
封じ込めた状態で支持体と保護膜とを接合封止した。こ
のようにして、支持体、蛍光体層および保護膜から構成
された本発明の放射線像変換パネルを得た（図１参
照）。

【００３８】［実施例２］実施例１において、インジウ
ムの代わりにスズ・インジウム合金（Ｓｎ−５２Ｉｎ）
を用いたこと以外は実施例１と同様にして、本発明の放
射線像変換パネルを製造した。

【００３９】［実施例３］実施例１において、ガラスシ
ートからなる保護膜の代わりに、下記のようにして形成
した防汚層を有するガラスシート保護膜を用いたこと以
外は実施例１と同様にして、本発明の放射線像変換パネ
ルを製造した。

【００４０】フッ素系共重合体樹脂（ルミフロンLF504X［３０％キシレン溶液］、旭硝子(株)製）４０ｇ有機微粒子フィラー：メラミン−ホルムアルデヒド樹脂粉末（エポスターS6、(株)日本触媒製）２８．４ｇ分散剤：アルミカップリング剤（プレンアクトAL-M、味の素(株)製）０．５ｇメチルエチルケトン２００ｇ

【００４１】上記材料を３ｍｍ径のジルコニアボールを
使用したボールミルで２０時間分散混合した後、ルミフロンLF504X［３０％キシレン溶液］３６０ｇを追加して、更に４時間分散混合した。その後、シリコーンマクロモノマー（サイラプレンFM-DA26、チッソ(株)製）５．６ｇ架橋剤：ポリイソシアネート（スミジュールN3300［固形分１００％］、住友バイエルウレタン(株)製）２２．２ｇ触媒：ジブチルチンジラウレート（KS1260、共同薬品(株)製）１．４ｍｇメチルエチルケトン８００ｇを追加して更に混合し、塗布液を調製した。

【００４２】この塗布液をガラスシートの表面にスリッ
トコータを用いて塗布した後、１２０℃で２０分間熱処
理して乾燥するとともに熱硬化させて、ガラスシート上
に防汚層（厚み：約２μｍ）を形成した。

【００４３】［実施例４］実施例１において、ガラスシ
ートからなる保護膜の代わりに、下記のようにして形成
した反射防止層を有するガラスシート保護膜を用いたこ
と以外は実施例１と同様にして、本発明の放射線像変換
パネルを製造した。蒸着装置を用いて真空度２．６６×
１０^-4Ｐａ、電子線の加速電圧２．３ｋＶ、蒸着速度３
０ｎｍ／分の条件にて、ガラスシートの表面に弗化マグ
ネシウムを蒸着させて、厚み約２６０ｎｍの反射防止層
を形成した。

【００４４】［比較例１］実施例１において、インジウ
ムソルダを用いる代わりに、下記のようにして側面硬化
皮膜を形成したこと以外は実施例１と同様にして、比較
のための放射線像変換パネルを製造した。

【００４５】フッ素系共重合体樹脂（ルミフロンLF504X［３０％キシレン溶液］、旭硝子(株)製）４０ｇ架橋剤：ポリイソシアネート（コロネートHX、日本ポリウレタン(株)製）２２．２ｇ触媒：ジブチルチンジラウレート（KS1260、共同薬品(株)製）１．４ｍｇ黄変防止剤：エポキシ樹脂（エピコート＃1001［固形］、油化シェルエポキシ(株)製）０．６ｇ滑り剤：反応性シリコーン（サイラプレンFM-DA26、チッソ(株)製）０．２ｇメチルエチルケトン１５ｇ

【００４６】上記材料を溶解混合して、塗布液を調製し
た。蛍光体層を有する支持体とガラスシート保護膜とを
重ね合わせた後、各側面にこの塗布液を塗布し、室温で
充分に乾燥して、厚み約２５μｍの側面硬化皮膜を形成
し、蛍光体層を封じ込めた。

【００４７】［放射線像変換パネルの性能評価］得られ
た各放射線像変換パネルについて、耐湿性および強度の
試験を行い、その性能を評価した。

【００４８】（１）耐湿性試験放射線像変換パネルを４０℃、８０％ＲＨと４０℃、１
０％ＲＨの温湿度条件下に１２時間毎に繰り返し放置し
て４週間経過した後、放置前後におけるパネルからの輝
尽発光の発光量の変化を測定し、以下の基準にて評価し
た。Ａ：５％未満の発光量低下。Ｂ：５％以上１０％未満の発光量低下。Ｃ：１０％以上の発光量低下。

【００４９】（２）強度試験上記と同様にして４週間経過した後、１ｍの高さから放
射線像変換パネルを厚さ５ｍｍ、硬度（ＨＳ）７０゜の
ＥＰＤＭゴムシートの上に垂直に落下させ、パネルの接
合面の状態を目視により観察し、以下の基準にて評価し
た。Ａ：接合面の剥がれ無し。Ｂ：接合面の剥がれ若干有り。Ｃ：接合面の剥がれ有り。得られた結果をまとめて表１に示す。

【００５０】

【表１】表１ ────────────────────── 耐湿性強度 ────────────────────── 実施例１ＡＡ実施例２ＡＡ実施例３ＡＡ実施例４ＡＡ ────────────────────── 比較例１ＣＣ ──────────────────────

【００５１】表１の結果から明らかなように、金属ソル
ダにより接合封止された本発明の放射線像変換パネル
（実施例１〜４）はいずれも、側面硬化皮膜が設けられ
た比較のための放射線像変換パネル（比較例１）に比べ
て耐湿性に非常に優れていた。また、パネル側面の強度
においても勝っていた。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、金属ソルダにより支持
体と保護膜とを接合して気相堆積法により形成された蛍
光体層を封止することにより、耐湿性を顕著に高めなが
ら、より一層高画質の放射線画像を与える放射線像変換
パネルを得ることができる。このため、医療診断のため
の放射線像記録再生方法に使用した場合に、本発明の放
射線像変換パネルは特に有利となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（１）〜（３）はそれぞれ、本発明の放射線像
変換パネルの構成の例を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１１支持体１２蛍光体層１３保護膜１４金属ソルダ１５反射防止層１６防汚層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体、気相堆積法により形成された蛍
光体層、および保護膜をこの順に有する放射線像変換パ
ネルであって、該支持体がセラミック、ガラスまたは金
属のシートであり、該保護膜がセラミックまたはガラス
のシートであって、そして支持体と保護膜とが互いの周
縁もしくはその近傍にて該蛍光体層の融点より低い金属
ソルダで接合されることにより、蛍光体層が気密状態で
外部雰囲気から遮蔽されていることを特徴とする放射線
像変換パネル。
【請求項２】金属ソルダの融点が１００℃〜３００℃
の範囲にある請求項１に記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】金属ソルダがＩｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓ
ｎ−Ｂｉ系またはＰｂ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｓｂ系ソルダであ
る請求項２に記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】保護膜表面に反射防止層および／または
防汚層が設けられている請求項１乃至３のうちのいずれ
かの項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項５】蛍光体層が輝尽性蛍光体からなる請求項
１乃至４のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パ
ネル。