JP2002181997A

JP2002181997A - 放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方法

Info

Publication number: JP2002181997A
Application number: JP2000379650A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Hosoi; 雄一細井
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2000-12-14
Filing date: 2000-12-14
Publication date: 2002-06-26
Also published as: US20020104974A1; US6740897B2

Abstract

(57)【要約】【課題】輝尽発光光の集光効率が向上した放射線像変
換パネル、および高速かつ高感度であって、高画質の放
射線画像が得られる放射線画像情報読取方法を提供す
る。【解決手段】支持体上に気相堆積法により形成された
蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、蛍光体
層が一定方向に配向した蛍光体の柱状結晶からなり、か
つ個々の柱状結晶の片側端部が凸型の形状を有している
ことを特徴とする放射線像変換パネル、並びに、このパ
ネルの蛍光体の柱状結晶の配向方向に略平行に励起光を
照射し、かつ配向方向の略延長上で、凸状の端部側にラ
インセンサを配置して輝尽発光光を受光することを特徴
とする放射線画像情報読取方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、輝尽性蛍光体の輝
尽発光を利用する放射線画像記録再生方法に用いられる
放射線像変換パネル及び該放射線像変換パネルを用いる
放射線画像情報読取方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線などの放射線が照射されると、放射
線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や
赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けて、蓄積し
た放射線エネルギーのレベルに応じて輝尽発光を示す性
質を有する輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）を利用して、
この輝尽性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パ
ネルに、被写体を透過したあるいは被検体から発せられ
た放射線を照射して被写体または被検体の放射線画像情
報を一旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起
光を走査して順次輝尽発光光として放出させ、そしてこ
の輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得ること
からなる、放射線画像記録再生方法が広く実用に共され
ている。読み取りを終えたパネルは、残存する放射線エ
ネルギーの消去が行われた後、次の撮影のために備えら
れて繰り返し使用される。

【０００３】放射線画像記録再生方法に用いられる放射
線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基
本構造として、支持体とその上に設けられた輝尽性蛍光
体層とからなるものである。ただし、輝尽性蛍光体層が
自己支持性である場合には必ずしも支持体を必要としな
い。また、輝尽性蛍光体層の上面（支持体に面していな
い側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体
層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護してい
る。

【０００４】輝尽性蛍光体層は、通常は輝尽性蛍光体と
これを分散状態で含有支持する結合剤とからなる。ただ
し、蒸着法や焼結法によって形成される結合剤を含まな
いで輝尽性蛍光体の凝集体のみから構成されるものや、
輝尽性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されて
いるものも知られている。

【０００５】また、上記放射線画像記録再生方法の別法
として本出願人による特願平１１−３７２９７８号明細
書には、従来の輝尽性蛍光体における放射線吸収機能と
エネルギー蓄積機能とを分離して、少なくとも輝尽性蛍
光体（エネルギー蓄積用蛍光体）を含有する放射線像変
換パネルと、放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発光
を示す蛍光体（放射線吸収用蛍光体）を含有する蛍光ス
クリーンとの組合せを用いる放射線画像形成方法が提案
されている。この方法は、被検体を透過などした放射線
をまず、該スクリーンまたはパネルの放射線吸収用蛍光
体により紫外乃至可視領域の光に変換した後、その光を
パネルのエネルギー蓄積用蛍光体にて放射線画像情報と
して蓄積記録する。次いで、このパネルに励起光を走査
して輝尽発光光を放出させ、この輝尽発光光を光電的に
読み取って画像信号を得るものである。このような放射
線像変換パネルおよび蛍光スクリーンも、本発明に包含
される。

【０００６】輝尽発光光として放出される放射線画像情
報を読み取る方法としては、輝尽発光光の読取時間の短
縮や、読取装置のコンパクト化、コストの低減などの観
点から、画素分割を二次元固体撮像素子や半導体ライン
センサなどの受光素子により行い、電気回路によって時
系列画像信号を形成する方法が提案されている。例えば
特公平５−３２９４５号公報には、蛍光灯等から発せら
れた光をスリットを通して放射線像変換パネルに照射す
ることにより励起光を線状に照射し（ライン励起）、そ
してパネルから放出される輝尽発光光を励起光照射部分
に対向して配置された多数の光電変換素子からなるライ
ンセンサにより検出する（ライン検出）ための装置が記
載されている。

【０００７】上記の放射線画像記録再生方法（および放
射線画像形成方法）では、得られた画像信号に各種の画
像処理を施すことができ、少ない照射線量で情報量の豊
富な放射線画像を得ることができるという利点がある。
さらに、放射線像変換パネルは繰り返し使用できるの
で、資源保護、経済効率の面からも有利である。しかし
ながら、このような放射線像変換パネルにあっても、で
きる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭度、粒状性な
ど）の良好な画像を与えるものであることが望まれてい
る。

【０００８】感度および画質を高めることを目的とし
て、例えば特公平７−２７０７８号には、気相堆積法に
よって形成され、空隙により互いに区画されて独立した
柱状ブロック構造からなる輝尽性蛍光体層を有する放射
線像変換パネルを用いて、一方の側から励起光の照射お
よび光電変換器による輝尽発光光の検出を行うための放
射線画像情報読取装置が提案されている。また、特開昭
６２−４７６００号公報には、放射線像変換パネルの輝
尽性蛍光体層を気相堆積法の一種である電子線蒸着法に
より形成する方法が提案されている。この方法は、蒸着
源として輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体の原料を用い
て、蒸着源に電子銃で電子線を照射して蒸発源を蒸発、
飛散させ、支持体表面にその蒸発物を堆積させることに
より、輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる層を形成するも
のである。電子線蒸着法などの気相堆積法により形成さ
れた蛍光体層は、結合剤を含有することなく、輝尽性蛍
光体のみからなり、輝尽性蛍光体の柱状結晶と柱状結晶
の間には空隙（クラック）が存在する。このため、励起
光の進入効率や発光光の取出し効率を高めることがで
き、高感度で、高鮮鋭度の画像を得ることができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】蛍光体層を支持体上に
電子線蒸着法などの気相堆積法により形成した場合に、
個々の柱状結晶の成長終了側の端部（支持体とは反対側
の頂部）は通常、平面状であるか、あるいは平面状、凹
状、凸状など各種の形状が入り交じったものとなってい
る。本発明者は、蛍光体層を柱状結晶からなる柱状構造
とすることによって、蛍光体層内部においては励起光お
よび輝尽発光光の広がりを防ぐことができるものの、柱
状結晶の端部（頂部）が平面状や凹状であると、輝尽発
光光が蛍光体層表面から出射する際に拡散して広がり、
集光光学系を通して光電変換素子で受光しても集光効率
が低下することを見い出した。この集光効率の低下は、
感度を低下させ、引いては鮮鋭度などの画質の低下を招
くものである。

【００１０】従って、本発明は、輝尽発光光の集光効率
の向上した、高感度の放射線像変換パネルを提供するこ
とにある。本発明はまた、高速、高感度であって、高画
質の放射線画像が得られる放射線画像情報読取方法を提
供することにもある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、支持体上に、
気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像
変換パネルにおいて、該蛍光体層が一定方向に配向した
蛍光体の柱状結晶からなり、かつ個々の柱状結晶の片側
端部が凸型の形状を有していることを特徴とする放射線
像変換パネルにある。本発明において個々の柱状結晶の
端部が凸型の形状であるとは、９５％以上の柱状結晶が
凸状の端部を有することを意味する。

【００１２】本発明の放射線像変換パネルの好ましい態
様は、以下の通りである。（１）柱状結晶の支持体とは反対側の端部（頂部）が凸
型の形状を有しているパネル。（２）支持体が透明支持体であり、そして柱状結晶の支
持体側の端部（基部）が凸型の形状を有しているパネ
ル。（３）柱状結晶の凸状端部が球面状であるパネル。（４）蛍光体の柱状結晶が支持体に垂直に配向している
パネル。（５）蛍光体層が、支持体上に、蛍光体もしくはその原
料を電子線により蒸着させ、そして蒸着終了時に該電子
線の出力を徐々に小さくすることにより形成されるパネ
ル。（６）蛍光体が輝尽性蛍光体であるパネル。

【００１３】本発明はまた、上記態様（１）の放射線像
変換パネルであって放射線画像情報が蓄積記録された放
射線像変換パネル、および／または、該パネルの蛍光体
の柱状結晶の配向方向の略延長上に配置された、複数の
光電変換素子を線状に配してなるラインセンサを、ライ
ンセンサの移動が該パネルに対して平面方向となるよう
な方向にて相対的に移動させながら、該パネルの表面の
一部に励起光を該移動方向と異なる方向に線状に、かつ
該パネルの蛍光体の柱状結晶の配向方向に略平行に照射
し、該パネルの励起光照射部分から発せられる輝尽発光
光を該ラインセンサを用いて一次元的に受光して光電変
換を行い、そして該ラインセンサからの出力を該パネル
および／またはラインセンサの移動に応じて順次読み取
って、放射線画像情報を電気的画像信号として得ること
からなる放射線画像情報読取方法にもある。

【００１４】本発明はまた、上記態様（２）の放射線像
変換パネルであって放射線画像情報が蓄積記録された放
射線像変換パネル、および／または、該パネルの蛍光体
の柱状結晶の配向方向の略延長上に配置された、複数の
光電変換素子を線状に配してなるラインセンサを、ライ
ンセンサの移動が該パネルに対して平面方向となるよう
な方向にて相対的に移動させながら、該パネルの表面の
一部に励起光を該移動方向と異なる方向に線状に、かつ
該パネルの蛍光体の柱状結晶の配向方向に略平行に照射
し、該パネルの励起光照射部分の裏面から発せられる輝
尽発光光を該ラインセンサを用いて一次元的に受光して
光電変換を行い、そして該ラインセンサからの出力を該
パネルおよび／またはラインセンサの移動に応じて順次
読み取って、放射線画像情報を電気的画像信号として得
ることからなる放射線画像情報読取方法にもある。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の放射線像変換パ
ネルの構成を添付図面を参照しながら説明する。図１
は、本発明の放射線像変換パネルの構成の例を概略的に
示す部分断面図である。図１において、放射線像変換パ
ネル１０は、支持体１１、および蛍光体層１２から構成
される。蛍光体層１２は、蛍光体の多数の柱状結晶１３
からなる柱状構造を有している。各柱状結晶１３の間に
は空隙１４が存在する。各柱状結晶１３は、支持体１１
に対して垂直方向に配向し、その端部（頂部）１３ａは
凸型の形状を有している。

【００１６】各柱状結晶１３の幅は、一般に１〜数十μ
ｍの範囲にある。各柱状結晶１３の高さ（すなわち、蛍
光体層１２の層厚）は、一般には５０〜１０００μｍの
範囲にあり、好ましくは２００〜７００μｍの範囲にあ
る。空隙１４の幅は、一般に０〜数μｍの範囲にある。

【００１７】図２は、輝尽発光光が柱状結晶の端部から
出射する状態を概略的に示す断面図である。図２の
（１）は、図１に示した本発明に係る柱状結晶１３の場
合であり、（２）は、従来の柱状結晶の場合である。図
２の（１）において、本発明に係る支持体１１の上に備
えられた柱状結晶１３の内部の任意に決めた箇所１３ｂ
から発生した輝尽発光光（ｍ₁、ｍ₂、ｍ₃で例示）は全
方向に広がるが、いずれも柱状結晶１３の境界面（空隙
との界面）および支持体１１によって反射されながら次
第に端部１３ａに向かう。端部１３ａが球面状であるの
で、輝尽発光光ｍ₁、ｍ₂、ｍ₃は、いずれも端部１３ａ
から、支持体１１に対して垂直もしくはそれに近い方向
に出射する。

【００１８】図２の（２）では、従来の支持体１５の上
に備えられた柱状結晶１６内部の、前記１３ｂに相当す
る箇所１６ｂから発生した輝尽発光光（ｍ₁、ｍ₂、ｍ₃
で例示）は全方向に広がり、柱状結晶１６の境界面およ
び支持体１５によって反射されてながら次第に端部１６
ａに向かう。端部１６ａが平面状であるために、輝尽発
光光ｍ₁、ｍ₂、ｍ₃はそれぞれ、端部１６ａから様々な
方向に出射して拡散する。

【００１９】このように、本発明においては柱状結晶の
端部を凸状とすることによって、柱状結晶（すなわち蛍
光体層）からその配向方向（上記の場合には垂直方向）
に出射する輝尽発光光の割合を、従来よりも増加させる
ことができる。

【００２０】本発明において柱状結晶１３の端部１３ａ
の形状は、図２の（１）に示したように球面状であるこ
とが好ましいが、凸状である限り、図３に示すように任
意の形状をとることができる。図３の（１）〜（５）
は、本発明に係る柱状結晶端部の形状の例を示す断面図
である。図３において（１）は円錐状であり、（２）〜
（４）はそれぞれ径の異なる各種の球面状であり、そし
て（５）は頂部が平らな球面状である。

【００２１】本発明の放射線像変換パネルにおいて、蛍
光体の柱状結晶１３は、必ずしも図１に示したように支
持体に垂直な方向に配向している必要はなく、図４に示
すように、垂直方向から一定の角度で傾いて配向してい
てもよい。この傾きは、垂直方向から±４５度以内であ
ることが好ましい。

【００２２】図４は、本発明の放射線像変換パネルの構
成の別の例を概略的に示す部分断面図である。図４にお
いて、放射線像変換パネル２０は、支持体２１、および
蛍光体層２２から構成される。蛍光体層２２は、蛍光体
の多数の柱状結晶２３からなる柱状構造を有している。
各柱状結晶２３の間には空隙２４が存在する。各柱状結
晶２３は、支持体２１に対して一定方向に傾いて配向
し、その端部２３ａは凸型の形状を有している。

【００２３】あるいは、本発明の放射線像変換パネル
は、図５に示すような構成であってもよい。図５は、本
発明の放射線像変換パネルの構成の別の例を概略的に示
す部分断面図である。図５において、放射線像変換パネ
ル３０は、透明支持体３１、接着層３５および蛍光体層
３２から構成される。蛍光体層３２は、蛍光体の多数の
柱状結晶３３からなる柱状構造を有している。各柱状結
晶３３の間には空隙３４が存在する。各柱状結晶３３
は、透明支持体３１に対して垂直方向に配向し、その支
持体側端部３３ａは凸型の形状を有している。一方、支
持体とは反対側の端部３３ｃは平面状である。

【００２４】図５の放射線像変換パネルを用いた放射線
画像情報の読み取りは、後述するように、蛍光体層３２
の表面側から励起光を照射し、支持体３１の裏面側から
輝尽発光光の検出を行う。この場合に、柱状結晶３３
は、励起光照射側の端部３３ｃが平面状であるので、励
起光が入射する際に端部表面で散乱することが少なく、
かつ輝尽発光光検出側の端部３３ａが凸状であるので、
発光光が端部表面で出射する際に拡散するのを抑えるこ
とができる。これにより、発光光の集光効率のみなら
ず、励起光の入射効率も高めることができるので、より
一層高感度、高画質とすることができる。

【００２５】次に、本発明の放射線像変換パネルを製造
する方法について、蛍光体が輝尽性蛍光体である場合を
例にとって詳細に述べる。支持体の材料としては、従来
の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任
意に選ぶことができるが、気相堆積法により蛍光体層を
形成する際の基板となる場合には、石英ガラスシート、
アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シー
ト、およびアラミドなどからなる樹脂シートであること
が好ましい。公知の放射線像変換パネルにおいて、パネ
ルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上
させるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からな
る光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性
物質からなる光吸収層などを設けることが知られてい
る。本発明で用いられる支持体についても、これらの各
種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放射
線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択す
ることができる。さらに特開昭５８−２００２００号公
報に記載されているように、得られる画像の鮮鋭度を向
上させる目的で、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の
蛍光体層側の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層
あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場合に
は、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な
凹凸が形成されていてもよい。

【００２６】この支持体上には気相堆積法により蛍光体
層が設けられる。輝尽性蛍光体としては、波長が４００
〜９００ｎｍの範囲の励起光の照射により、３００〜５
００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が好
ましい。そのような輝尽性蛍光体の例は、特公平７−８
４５８８号、特開平２−１９３１００号および特開平４
−３１０９００号の各公報に詳しく記載されている。

【００２７】これらのうちでも、基本組成式（Ｉ）：Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）で代表されるアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体
は特に好ましい。ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ
及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアル
カリ金属を表し、Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる
少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表
し、Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選
ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表
し、そしてＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎ
ａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選
ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。
Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表
す。ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦
ｂ＜０．５、０≦ｚ＜０．２の範囲内の数値を表す。

【００２８】上記基本組成式（Ｉ）中のＭ^Iとしては少
なくともＣｓを含んでいることが好ましい。Ｘとしては
少なくともＢｒを含んでいることが好ましい。Ａとして
は特にＥｕ又はＢｉであることが好ましい。また、基本
組成式（Ｉ）には、必要に応じて、酸化アルミニウム、
二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加
物として、Ｍ^I１モルに対して、０．５モル以下の量で
加えてもよい。

【００２９】また、基本組成式（II）：Ｍ^IIＦＸ：ｚＬｎ ‥‥（II）で代表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン
化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、Ｍ^IIはＢａ、
Ｓｒ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種の
アルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから
なる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表
す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少
なくとも一種のハロゲンを表す。ｚは、０＜ｚ≦０．２
の範囲内の数値を表す。

【００３０】上記基本組成式（II）中のＭ^IIとしては、
Ｂａが半分以上を占めることが好ましい。Ｌｎとして
は、特にＥｕ又はＣｅであることが好ましい。また、基
本組成式（II）では表記上Ｆ：Ｘ＝１：１のように見え
るが、これはＢａＦＸ型の結晶構造を持つことを示すも
のであり、最終的な組成物の化学量論的組成を示すもの
ではない。一般に、ＢａＦＸ結晶においてＸ^-イオンの
空格子点であるＦ⁺（Ｘ^-）中心が多く生成された状態
が、６００〜７００ｎｍの光に対する輝尽効率を高める
上で好ましい。このとき、ＦはＸよりもやや過剰にある
ことが多い。

【００３１】なお、基本組成式（II）では省略されてい
るが、必要に応じて下記のような添加物を一種もしくは
二種以上を基本組成式（II）に加えてもよい。ｂＡ，ｗＮ^I，ｘＮ^II，ｙＮ^III ただし、ＡはＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂及びＺｒＯ₂などの金属
酸化物を表す。Ｍ^IIＦＸ粒子同士の焼結を防止する上で
は、一次粒子の平均粒径が０．１μｍ以下の超微粒子で
Ｍ^IIＦＸとの反応性が低いものを用いることが好まし
い。Ｎ^Iは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群
より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属の化合物を
表し、Ｎ^IIは、Ｍｇ及び／又はＢｅからなるアルカリ土
類金属の化合物を表し、Ｎ^IIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選
ばれる少なくとも一種の三価金属の化合物を表す。これ
らの金属化合物としては、特開昭５９−７５２００号公
報に記載のようなハロゲン化物を用いることが好ましい
が、それらに限定されるものではない。

【００３２】また、ｂ、ｗ、ｘ及びｙはそれぞれ、Ｍ^II
ＦＸのモル数を１としたときの仕込み添加量であり、０
≦ｂ≦０．５、０≦ｗ≦２、０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦
０．３の各範囲内の数値を表す。これらの数値は、焼成
やその後の洗浄処理によって減量する添加物に関しては
最終的な組成物に含まれる元素比を表しているわけでは
ない。また、上記化合物には最終的な組成物において添
加されたままの化合物として残留するものもあれば、Ｍ
^IIＦＸと反応する、あるいは取り込まれてしまうものも
ある。

【００３３】その他、上記基本組成式（II）には更に必
要に応じて、特開昭５５−１２１４５号公報に記載のＺ
ｎ及びＣｄ化合物；特開昭５５−１６００７８号公報に
記載の金属酸化物であるＴｉＯ₂、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔｈ
Ｏ₂；特開昭５６−１１６７７７号公報に記載のＺｒ及
びＳｃ化合物；特開昭５７−２３６７３号公報に記載の
Ｂ化合物；特開昭５７−２３６７５号公報に記載のＡｓ
及びＳｉ化合物；特開昭５９−２７９８０号公報に記載
のテトラフルオロホウ酸化合物；特開昭５９−４７２８
９号公報に記載のヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオ
ロチタン酸、及びヘキサフルオロジルコニウム酸の１価
もしくは２価の塩からなるヘキサフルオロ化合物；特開
昭５９−５６４８０号公報に記載のＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ及びＮｉなどの遷移金属の化合物などを添加し
てもよい。さらに、本発明においては上述した添加物を
含む蛍光体に限らず、基本的に希土類付活アルカリ土類
金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とみなされる組成
を有するものであれば如何なるものであってもよい。

【００３４】ただし、本発明において蛍光体は輝尽性蛍
光体に限定されるものではなく、Ｘ線などの放射線を吸
収して紫外乃至可視領域に（瞬時）発光を示す蛍光体で
あってもよい。そのような蛍光体の例としては、ＬｎＴ
ａＯ₄：（Ｎｂ，Ｇｄ）系、Ｌｎ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ系、Ｌ
ｎＯＸ：Ｔｍ系（Ｌｎは希土類元素である）、ＣｓＸ系
（Ｘはハロゲンである）、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ₂Ｏ₂
Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、ＺｎＷＯ₄、ＬｕＡｌＯ₃：Ｃｅ、Ｇｄ
₃Ｇａ₅Ｏ₁₂：Ｃｒ，Ｃｅ、ＨｆＯ₂等を挙げることがで
きる。

【００３５】本発明において蛍光体層は、例えば気相堆
積法の一種である電子線蒸着法により、以下のようにし
て支持体上に形成することができる。電子線蒸着法で
は、形状が良好で配列の整った柱状結晶が得られると同
時に、蒸着源を局所的に加熱して瞬時に蒸発させるの
で、蒸着源のうち蒸気圧の高い物質が優先的に蒸発して
（例えば、付活剤が蛍光体母体よりも先行して蒸発す
る）、蒸発源として仕込んだ蛍光体の組成と形成された
蛍光体層中の蛍光体の組成とが不一致となるようなこと
が殆どない。

【００３６】まず、蒸発源である輝尽性蛍光体、および
被蒸着物である基板を蒸着装置内に設置し、装置内を排
気して３×１０^-10〜３×１０^-12ｋｇ／ｃｍ²程度の真
空度とする。このとき、基板が蒸発源の飛散方向に対し
て垂直になるように基板を設置する。また、真空度をこ
の程度に保持しながら、Ａｒガス、Ｎｅガスなどの不活
性ガスを導入してもよい。

【００３７】輝尽性蛍光体は、加圧圧縮により錠剤（ペ
レット）の形状に加工しておくことが好ましい。加圧圧
縮は、一般に８００〜１０００ｋｇ／ｃｍ²の範囲の圧
力を掛けて行う。圧縮の際に、５０〜２００℃の範囲の
温度に加温してもよく、また圧縮後、得られた錠剤に脱
ガス処理を施してもよい。これにより、蒸発源の相対密
度を高めることができる。蒸発源の相対密度が低いと、
蛍光体が均一に蒸発しないで蒸着膜の膜厚が不均一とな
ったり、突沸物が基板に付着したり、更には蛍光体自体
が不均一に蒸発して蒸着膜中に蛍光体の付活剤や添加物
が偏析したりする。さらに、輝尽性蛍光体の代わりにそ
の原料もしくは原料混合物を用いることも可能である。

【００３８】次に、電子銃から電子線を発生させて、蒸
発源に照射する。このとき、電子線の加速電圧を１．５
ｋＶ以上で、５．０ｋＶ以下に設定することが望まし
い。加速電圧が１．５ｋＶより低いと、電圧が不安定に
なって、電子線のビームポジションが変動してしまった
り、蒸発源の電子線による走査面の形状が変化して蒸発
面を平坦に保つことが困難となる。反対に、加速電圧が
５．０ｋＶより高い場合には、蒸発により気相成長する
蛍光体の柱状結晶が不揃いとなる。

【００３９】電子線の照射により、蒸発源である輝尽性
蛍光体は加熱されて蒸発、飛散し、基板表面に堆積す
る。蛍光体の堆積する速度、すなわち蒸着速度は一般に
は０．１〜１０００μｍ／分の範囲にあり、好ましくは
１〜１００μｍ／分の範囲にある。そして、蒸着を終了
する際に、電子線の出力を徐々に小さくすることによ
り、柱状結晶の成長した端部を所望の凸状とすることが
できる。

【００４０】なお、電子線の照射を複数回に分けて行っ
て二層以上の蛍光体層を形成してもよいし、あるいは複
数の電子銃を用いて異なる蛍光体を共蒸着させてもよ
い。また、蛍光体の原料を用いて基板上で蛍光体を合成
すると同時に蛍光体層を形成することも可能である。さ
らに、蒸着の際に必要に応じて被蒸着物（基板）を冷却
または加熱してもよいし、あるいは蒸着終了後に蛍光体
層を加熱処理（アニール処理）してもよい。さらに、本
発明に用いられる気相堆積法は上記の電子腺蒸着法に限
定されるものではなく、抵抗加熱法等の他の蒸着法ある
いはスパッタ法など公知の各種の方法を利用することが
できる。

【００４１】このようにして、図１に示したような輝尽
性蛍光体の柱状結晶が基板（支持体）に対してほぼ垂直
な方向に成長した蛍光体層が得られる。蛍光体層は、結
合剤を含有せず、輝尽性蛍光体のみからなり、輝尽性蛍
光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が
存在する。

【００４２】図２に例示したような蛍光体の柱状結晶が
傾いて配向した蛍光体層は、電子線蒸着に際して、基板
を蒸発源の飛散方向に対して垂直な方向から０〜４５度
の範囲内で（例えば、４５度）、傾けて配置することに
より得ることができる。

【００４３】図４に示した構成の蛍光体層を支持体上に
形成する場合にはまず、ガラス板、金属板、プラスチッ
クシートなどの基板上に上記と同様にして輝尽性蛍光体
を気相成長させて蛍光体層を形成する。次いで、基板か
ら蛍光体層を引き剥がした後、その上下を逆にして接着
剤を用いるなどして別の透明な支持体上に接合する。こ
の場合に透明支持体の材料としては、気相堆積の条件に
左右されることなく、パネルの使用目的に応じて機械的
特性や光学的特性を考慮して選択することができる。好
ましい支持体材料は、石英ガラスシート、およびポリエ
チレンテレフタレートなどからなる樹脂シートである。

【００４４】この蛍光体層の表面には、放射線像変換パ
ネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のた
めに、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起
光の入射や輝尽発光光の出射に殆ど影響を与えないよう
に、透明であることが望ましく、また外部から与えられ
る物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充
分に保護することができるように、化学的に安定で防湿
性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。

【００４５】保護層としては、セルロース誘導体、ポリ
メチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂な
どのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解し
て調製した溶液を輝尽性蛍光体層の上に塗布することで
形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレート
などの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護
層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な
接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着
などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられ
る。また、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、
二酸化チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフル
オロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り
剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添
加剤が分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般
に、高分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの
範囲にあり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１
００〜１０００μｍの範囲にある。

【００４６】保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染
性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フ
ッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（また
は分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面
に塗布し、乾燥することにより形成することができる。
フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹
脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。ま
た、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパー
フルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することも
できる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて
更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィ
ラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚
は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素
樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防
止剤などのような添加成分を用いることができる。特に
架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有
利である。

【００４７】上述のようにして本発明の放射線像変換パ
ネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各
種のバリエーションを含むものであってもよい。たとえ
ば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的とし
て、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し
輝尽発光光は吸収しないような着色剤によって着色して
もよい（特公昭５９−２３４００号公報参照）。

【００４８】次に、上記の放射線像変換パネルを用いる
本発明の放射線画像情報読取方法について図面を参照し
ながら説明する。図６は、本発明の方法に用いる放射線
画像情報読取装置の例を示す構成図であり、図７は、図
６のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

【００４９】図６および図７において、放射線像変換パ
ネル１０は、図１に示したように、支持体１１と、片側
端部１３ａが凸状の多数の輝尽性蛍光体の柱状結晶１３
が垂直方向に配向した蛍光体層１２とから構成され、そ
して被写体を透過したＸ線等の放射線が照射されるなど
して被写体の放射線画像情報が蓄積記録されている。な
お、放射線エネルギーの蓄積効率の観点から、放射線画
像情報を蓄積記録する際に、Ｘ線等の放射線がパネル１
０に対してほぼ垂直な方向に照射されて、その入射方向
が蛍光体の柱状結晶１３の配向方向にほぼ平行となるよ
うにされることが望ましい。走査ベルト４０上に蛍光体
層１２側を上にして載置された放射線像変換パネル１０
は、走査ベルト４０が矢印Ｙ方向に移動することにより
矢印Ｙ方向に搬送される。パネル１０の搬送速度はベル
ト４０の移動速度に等しく、ベルト４０の移動速度は画
像読取手段５０に入力される。

【００５０】一方、ブロードエリアレーザ（以下、ＢＬ
Ｄという）４１から、パネル１０表面に対して略平行に
発せられた線状の励起光Ｌは、その光路上に設けられた
コリメータレンズとトーリックレンズとからなる光学系
４２により平行ビームとされ、パネル１０に対して４５
度の角度で傾けて配された、励起光を反射し輝尽発光光
を透過するように設定されてなるダイクロイックミラー
４４により、反射されてパネル１０表面に対して垂直に
入射する方向に進行し、屈折率分布形レンズアレイ（多
数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズであ
り、以下、第一のセルフォックレンズアレイという）４
５により、パネル１０上に矢印Ｘ方向に沿って延びる線
状に集光される。

【００５１】パネル１０に垂直に入射した線状の励起光
Ｌの励起により、パネル１０の集光域およびその近傍か
ら、蓄積記録されている放射線画像情報に応じた強度の
輝尽発光光Ｍが発せられる。このとき、図２に示したよ
うにパネル１０の蛍光体層１２を構成する柱状結晶１３
の端部１３ａが球面状であるので、輝尽発光光Ｍはその
大部分が、蛍光体層１２（すなわちパネル１０）表面か
ら垂直もしくはそれに近い方向に出射する。

【００５２】この輝尽発光光Ｍは、第一のセルフォック
レンズアレイ４５により平行光束とされ、ダイクロイッ
クミラー４４を透過し、第二のセルフォックレンズアレ
イ４６により、励起光Ｌの集光域の真上に配置されたラ
インセンサ４８を構成する各光電変換素子４９の受光面
に集光される。ラインセンサ４８は、少なくとも上記線
状の励起光照射部分の長さに整列配置された多数の光電
変換素子４９を有するものであり、各素子が１画素に対
応している。ラインセンサ４８を励起光Ｌの集光域の真
上に配置することにより、ほぼ垂直方向に出射する輝尽
発光光を効率良く集光することができる。光電変換素子
４９は受光面積が小さいので、とりわけ集光効率の向上
が著しい。

【００５３】なおこの際、第二のセルフォックレンズア
レイ４６を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、パ
ネル１０表面で反射した励起光Ｌは、励起光をカットし
輝尽発光光を透過する励起光カットフィルタ４７により
カットされる。

【００５４】各光電変換素子４９により受光された輝尽
発光光Ｍは光電変換され、そして光電変換して得られた
各信号Ｓは、画像情報読取手段５０に入力される。画像
情報読取手段５０にて各信号Ｓは、走査ベルト４０の移
動速度に基づいてパネル１０の部位に対応して演算処理
され、画像データとして画像処理装置（図示なし）に出
力される。

【００５５】なお、本発明に用いる放射線画像情報読取
装置は、図６および図７に示した態様に限定されるもの
ではなく、光源、光源とパネルとの間の集光光学系、パ
ネルとラインセンサとの間の光学系、およびラインセン
サはそれぞれ、公知の種々の構成を採用することができ
る。

【００５６】例えば、上記態様においては放射線像変換
パネルの輝尽性蛍光体の柱状結晶の配向方向が垂直方向
であったので、励起光の入射および輝尽発光光の受光方
向がパネルに対して垂直となるように各光学系が配置さ
れているが、これらの光学系は必ずしも柱状結晶の配向
方向に厳密に平行である必要はない。また、パネルの柱
状結晶の配向方向が一定方向に傾いている場合には、励
起光の入射および輝尽発光光の受光方向がその配向方向
に平行またはそれに近くなるように配置された光学系を
採用することができる。

【００５７】ライン光源は、光源自体がライン状であっ
てもよく、蛍光灯、冷陰極蛍光灯、ＬＥＤ（発光ダイオ
ード）アレイなども用いることができる。ライン光源か
ら発せられる励起光は、連続的に出射するものであって
もよいし、あるいは出射と停止を繰り返すパルス光であ
ってもよい。ノイズ低減の観点からは、高出力のパルス
光であることが好ましい。

【００５８】ラインセンサとしては、アモルファスシリ
コンセンサ、ＣＣＤセンサ、バックイルミネータ付きの
ＣＣＤ、ＭＯＳイメージセンサなどを用いることができ
る。また、ラインセンサは光電変換素子が１列で配置さ
れたもののみならず、２、３列で配置されたものであっ
てもよい。

【００５９】放射線像変換パネルを移動させる方向は、
ライン光源およびラインセンサの長さ方向に略直交する
方向であることが望ましいが、例えばパネルの略全面に
渡って均一に励起光を照射することができる範囲内で、
長さ方向から外れた斜め方向やジグザグ状に方向を変化
させて移動させてもよい。

【００６０】上記態様においては説明を簡単化するため
に、パネルとラインセンサとの間の光学系を１：１結像
系に設定したが、拡大縮小光学系を利用してもよい。た
だし、集光効率を高めるためには等倍または拡大光学系
を用いることが好ましい。

【００６１】また、上記態様では励起光Ｌの光路と輝尽
発光光Ｍの光路とが一部分重複するような構成として、
装置のコンパクト化を図ったが、励起光Ｌの光路と輝尽
発光光Ｍの光路が全く異なる構成を採用してもよい。

【００６２】さらに、上記の態様では放射線像変換パネ
ルを移動させて読み取りを行う構成であったが、パネル
を静置してラインセンサをパネル表面に沿って移動させ
る構成あるいは双方を相対的な位置関係を変えるような
方法で移動させる方法を採用してもよい。

【００６３】あるいはまた、画像情報読取手段から出力
された画像データ信号に対して種々の信号処理を施す画
像処理装置を更に備えた構成や、読み取り終了後のパネ
ルになお残存する放射線エネルギーを適切に放出させる
ための消去手段を更に備えた構成を採用することもでき
る。

【００６４】図８は、本発明の方法に用いる放射線画像
情報読取装置の別の例を示す構成図である。図８におい
て、放射線像変換パネル３０は、図５に示したように、
透明支持体３１と、支持体側端部３３ａが凸状の多数の
輝尽性蛍光体の柱状結晶３３が垂直方向に配向した蛍光
体層３２とから構成され、そして被写体を透過したＸ線
等の放射線が照射されるなどして被写体の放射線画像情
報が蓄積記録されている。走査ベルト４０’上に蛍光体
層３２側を上にして載置された放射線像変換パネル３０
は、走査ベルト４０’が矢印Ｙ方向に移動することによ
り矢印Ｙ方向に搬送される。パネル３０の搬送速度はベ
ルト４０’の移動速度に等しく、ベルト４０’の移動速
度は画像読取手段５０に入力される。

【００６５】一方、ＢＬＤ４１から、パネル３０表面に
対して略垂直に発せられた線状の励起光Ｌは、その光路
上に設けられたコリメータレンズとトーリックレンズと
からなる光学系４２により、パネル３０表面に対して垂
直に入射する方向に進行するとともに、パネル３０上に
矢印Ｘ方向に沿って延びる線状に集光される。

【００６６】パネル３０に垂直に入射した線状の励起光
Ｌの励起により、パネル３０の集光域およびその近傍か
ら、蓄積記録されている放射線画像情報に応じた強度の
輝尽発光光が発せられる。同時に、パネル３０の裏面側
の部分からもパネル３０の透明支持体３１を透過した輝
尽発光光Ｍ’が出射する。このとき、蛍光体層３２を構
成する柱状結晶３３の支持体側端部３３ａが球面状であ
るので前述と同様に、輝尽発光光Ｍ’はその大部分が、
蛍光体層３２（そして透明支持体３１）裏面から垂直も
しくはそれに近い方向に出射する。

【００６７】この輝尽発光光Ｍ’は、セルフォックレン
ズアレイ４６により、励起光Ｌの集光域の真下に配置さ
れたラインセンサ４８を構成する各光電変換素子４９の
受光面に集光される。この際に、輝尽発光光Ｍ’に僅か
に混在する、パネル３０を透過した励起光Ｌは、励起光
カットフィルタ４７によりカットされる。

【００６８】各光電変換素子４９により受光された輝尽
発光光Ｍ’は光電変換され、そして光電変換して得られ
た各信号Ｓは、画像情報読取手段５０に入力される。画
像情報読取手段５０にて各信号Ｓは、走査ベルト４０’
の移動速度に基づいてパネル３０の部位に対応して演算
処理され、画像データとして画像処理装置（図示なし）
に出力される。

【００６９】

【実施例】［実施例１］（１）蒸着源の作製臭化セシウム１００ｇ（ＣｓＢｒ、０．４７モル）と臭
化ユーロピウム１．８４０４ｇ（ＥｕＢｒ₃、４．７×
１０^-3モル)とを乳鉢で粉砕混合した後、更に撹拌振動
器で１５分間撹拌混合した。得られた混合物を炉内に置
いて、３分間排気した後、窒素雰囲気下、温度５２５℃
にて２時間焼成した。焼成後、炉内を１５分間排気して
焼成物を冷却した。次いで、得られたユーロピウム付活
臭化セシウム（ＣｓＢｒ：0.01Ｅｕ）輝尽性蛍光体を乳
鉢で粉砕した後、圧力８００ｋｇ／ｃｍ²にて加圧圧縮
して、蒸着用の錠剤を作製した。錠剤に、更に温度１５
０℃で２時間排気して脱ガス処理を施した。

【００７０】（２）蛍光体層の形成上記の蒸発源を蒸着装置内の所定位置に置き、アルミニ
ウム基板（支持体）を装置内の所定位置に蒸発源の飛散
方向に対して垂直となるように配置した後、装置内を排
気して４．０×１０^-9ｋｇ／ｃｍ²の真空度とした。次
いで、蒸着源に電子銃で加速電圧４．０ｋＶ、６０Ｗの
電子線を照射して、支持体上に輝尽性蛍光体を２５μｍ
／分の速度で堆積させた。その後、電子線の出力を徐々
に小さくし、３分間かけて出力０まで下げた。装置内を
大気圧に戻し、装置から支持体を取り出した。支持体上
には、幅が約８μｍ、長さが約２００μｍの蛍光体の柱
状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜
厚：２００μｍ）が形成されていた。また、蒸着膜の表
面を電子顕微鏡（ＳＥＭ）により写真撮影したところ、
図９に示すような写真が得られ、柱状結晶の成長側端部
が球面状であることが確認された。

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、一定方向に配向した蛍
光体の柱状結晶の片側（輝尽発光光検出側）端部を凸型
の形状とすることによって、輝尽発光光がその結晶端部
から出射する際に様々な方向に拡散するのを防いで、配
向方向にほぼ平行に出射する輝尽発光光の割合を増加さ
せることができ、結果として発光光の集光効率の向上し
た、高感度の放射線像変換パネルが得られる。特に、柱
状結晶の支持体側（輝尽発光光検出側）端部を凸状と
し、蛍光体層表面側（励起光照射側）端部を平面状とす
ることにより、発光光の集光効率とともに励起光の入射
効率も向上させることができ、より一層高感度であって
高画質の放射線画像を与えるパネルが得られる。

【００７２】また、本発明の放射線画像情報読取方法に
よれば、上記の放射線像変換パネルに対して、その蛍光
体の柱状結晶の配向方向にほぼ平行に励起光を照射し、
かつ配向方向のほぼ延長上であって凸状の端部側にライ
ンセンサを配置して輝尽発光光を受光することにより、
励起光を効率良く蛍光体層の柱状結晶に入射させること
が可能になる、その凸状端部から高い割合で配向方向に
出射する発光光を効率良く受光することができる。従っ
て、本発明の読取方法では、高速読み取りが可能とな
り、さらに高感度で、高画質の放射線再生画像を得るこ
とができる。このため、本発明の放射線像変換パネルお
よび読取方法は、医療診断用ラジオグラフィーや工業用
ラジオグラフィー、並びにフルオロスコピーに利用した
場合に特に有利となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の放射線像変換パネルの構成の例を示す
概略断面図である。

【図２】（１）は、本発明の放射線像変換パネルにおい
て輝尽発光光が柱状結晶の端部から出射する状態を示す
概略断面図であり、（２）はこれまでに知られている放
射線像変換パネルにおいて輝尽発光光が柱状結晶の端部
から出射する状態を示す概略断面図である。

【図３】（１）〜（５）は、本発明に係る柱状結晶端部
の形状を示す断面図である。

【図４】本発明の放射線像変換パネルの構成の別の例を
示す概略断面図である。

【図５】本発明の放射線像変換パネルの構成の別の例を
示す概略断面図である。

【図６】本発明の方法に用いる放射線画像情報読取装置
の例を示す構成図である。

【図７】図６に示した放射線画像情報読取装置のＩ−Ｉ
線に沿った断面図である。

【図８】本発明の方法に用いる放射線画像情報読取装置
の別の例を示す構成図である。

【図９】（１）および（２）は、本発明に係る柱状結晶
端部の形状を示す顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１０、２０、３０放射線像変換パネル１１、１５、２１、３１支持体１２、２２、３２蛍光体層１３、１６、２３、３３柱状結晶１３ａ、２３ａ、３３ａ柱状結晶端部１４、２４、３４空隙４０、４０’ 走査ベルト４１ブロードエリアレーザ（ＢＬＤ）４２コリメータレンズとトーリックレンズからなる光
学系４４ダイクロイックミラー４５、４６セルフォックレンズアレイ４７励起光カットフィルタ４８ラインセンサ４９光電変換素子５０画像情報読取手段Ｌ励起光Ｍ、Ｍ’ 輝尽発光光Ｓ信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に、気相堆積法により形成され
た蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍
光体層が一定方向に配向した蛍光体の柱状結晶からな
り、かつ個々の柱状結晶の片側端部が凸型の形状を有し
ていることを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】柱状結晶の支持体とは反対側の端部が凸
型の形状を有している請求項１に記載の放射線像変換パ
ネル。
【請求項３】支持体が透明支持体であり、そして柱状
結晶の支持体側の端部が凸型の形状を有している請求項
１に記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】柱状結晶の凸型形状端部が球面状である
請求項１乃至３のうちのいずれかの項に記載の放射線像
変換パネル。
【請求項５】蛍光体の柱状結晶が支持体に垂直に配向
している請求項１乃至４のうちのいずれかの項に記載の
放射線像変換パネル。
【請求項６】蛍光体層が、支持体上に蛍光体もしくは
その原料を電子線により蒸着させ、そして蒸着終了時に
該電子線の出力を徐々に小さくすることにより形成され
たものである請求項１または２に記載の放射線像変換パ
ネル。
【請求項７】蛍光体が輝尽性蛍光体である請求項１乃
至６のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネ
ル。
【請求項８】請求項２に記載の放射線像変換パネルで
あって放射線画像情報が蓄積記録された放射線像変換パ
ネル、および／または該パネルの蛍光体の柱状結晶の配
向方向の略延長上に配置された、複数の光電変換素子を
線状に配してなるラインセンサを、ラインセンサの移動
が該パネルに対して平面方向となるような方向にて相対
的に移動させながら、該パネルの表面の一部に励起光を
該移動方向と異なる方向に線状に、かつ該パネルの蛍光
体の柱状結晶の配向方向に略平行な方向に照射し、該パ
ネルの励起光照射部分から発せられる輝尽発光光を該ラ
インセンサを用いて一次元的に受光して光電変換を行
い、そして該ラインセンサからの出力を該パネルおよび
／またはラインセンサの移動に応じて順次読み取って、
放射線画像情報を電気的画像信号として得ることからな
る放射線画像情報読取方法。
【請求項９】放射線像変換パネルが蛍光体の柱状結晶
が支持体に垂直に配向した構成をもち、励起光を該パネ
ルに略垂直に照射し、そしてラインセンサを該パネルの
励起光照射部分の真上に配置して、該パネルから略垂直
方向に出射する輝尽発光光を受光する請求項８に記載の
放射線画像情報読取方法。
【請求項１０】請求項３に記載の放射線像変換パネル
であって、放射線画像情報が蓄積記録された放射線像変
換パネル、および／または該パネルの蛍光体の柱状結晶
の配向方向の略延長上に配置された、複数の光電変換素
子を線状に配してなるラインセンサを、ラインセンサの
移動が該パネルに対して平面方向となるような方向にて
相対的に移動させながら、該パネルの表面の一部に励起
光を該移動方向と異なる方向に線状に、かつ該パネルの
蛍光体の柱状結晶の配向方向に略平行に照射し、該パネ
ルの励起光照射部分の裏面から発せられる輝尽発光光を
該ラインセンサを用いて一次元的に受光して光電変換を
行い、そして該ラインセンサからの出力を該パネルおよ
び／またはラインセンサの移動に応じて順次読み取っ
て、放射線画像情報を電気的画像信号として得ることか
らなる放射線画像情報読取方法。
【請求項１１】放射線像変換パネルが蛍光体の柱状結
晶が支持体に垂直に配向した構成を持ち、励起光を該パ
ネルに略垂直に照射し、そしてラインセンサを該パネル
の励起光照射部分の真下に配置して、該パネルから略垂
直方向に出射する輝尽発光光を受光する請求項１０に記
載の放射線画像情報読取方法。