WO2006109460A1

WO2006109460A1 - 放射線画像変換パネル及びその製造方法

Info

Publication number: WO2006109460A1
Application number: PCT/JP2006/305659
Authority: WO
Inventors: Takafumi Yanagita; Tadashi Arimoto
Original assignee: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.
Priority date: 2005-03-31
Filing date: 2006-03-22
Publication date: 2006-10-19
Also published as: US7834330B2; US20090078887A1; JPWO2006109460A1; CN101147208A; EP1868210A1

Abstract

　高い鮮鋭性と膜付き性のバランスがとれた、特に支持体と輝尽性蛍光体層との接着力を向上させた、物理的衝撃に対して強い放射線画像変換パネル、および放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。支持体上に下引層と輝尽性蛍光体層とを、該支持体側からこの順に積層してなる放射線画像変換パネルであって、該輝尽性蛍光体層の少なくとも１層は気相法により形成された５０μｍ以上の膜厚を有する層であり、該下引層の少なくとも１層は、熱可塑性樹脂よりなり画像領域における中央部の膜厚が周辺部の膜厚より厚い層、であることを特徴とする。

Description

明細書

放射線画像変換パネル及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル及びその製造方法に関するものである。

背景技術

[0002] 近年、輝尽性蛍光体を利用した放射線画像変換パネルにより、放射線像を画像ィ匕する方法が用いられるようになつてきた。

[0003] この放射線像変換方法に用いられる放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよぐ高鮮鋭性であることが要求される。

[0004] これらの感度や画質に関する複数の因子を調整して感度、画質を改良するため、これまで様々な検討がされてきた。それらの中、放射線画像の鮮鋭性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされて、る。

[0005] その試みの 1つとして、例えば特開昭 61— 142497号公報等には微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した、微細な擬柱状ブロック力なる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。

[0006] 又、特開昭 61— 142500号公報に記載されているように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭 62— 39737号公報に記載されたような、支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭 62— 110200号公報に記載のように、支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によつて空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されてヽる。

[0007] 又、気相堆積法によって支持体 (以下、基板ともいう）上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されてヽる (例えば、特許文献 1を参照)。

[0008] これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱状とすることで、輝尽励起光 (輝尽発光)の横方向への拡散を抑える (柱状結晶界面にぉ、て反射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができるため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができるという特徴がある

[0009] これらの気相成長 (堆積）により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいては、前記感度と鮮鋭性の関係が向上するが、また、擬柱状或いは柱状の輝尽性蛍光体結晶からなる蛍光体層に更に低屈折率層を組み合わせることによって、放射線画像変換パネル中の層界面での反射や屈折を抑え、画質を更に向上させるなどの試みがされてヽる（例えば、特許文献 2を参照)。

[0010] し力しながら、特に柱状輝尽性蛍光体結晶からなる蛍光体層は、細長い柱状の結晶を基板上に形成しているため、基板への付着性 (接着性)が充分でない場合があり、形成後、剥離しやすぐ耐久性の改良が必要であった。特に高反射性支持体を使用すると膜付き性が劣化する傾向があり（例えば、特許文献 3を参照）、放射線画像変換パネルを落下させるなど物理的な衝撃が加えられると、蛍光体層が剥がれ落ちたり、パネルに塗設された層全体にきれつが入ったりする傾向が顕著であった。特許文献 1：特開平 2— 58000号公報

特許文献 2：特開平 1 131498号公報

特許文献 3 :特開 2004— 251883号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0011] 本発明の目的は、高い鮮鋭性と膜付き性のノランスがとれた、特に支持体と輝尽性蛍光体層との接着力を向上させた、物理的衝撃に対して強い放射線画像変換パネル、および放射線画像変換パネルの製造方法を提供することである。

課題を解決するための手段

[0012] 本発明の発明者等は鋭意検討した結果、本発明の目的は、下記構成により達成されることがわかった。

1.支持体上に下引層と輝尽性蛍光体層とを、該支持体側からこの順に積層してなる放射線画像変換パネルにぉヽて、該輝尽性蛍光体層の少なくとも 1層は気相法により形成された 50 m以上の膜厚を有する層であり、該下引層の少なくとも 1層は、熱可塑性榭脂よりなり画像領域における中央部の膜厚が周辺部の膜厚より厚い層、であることを特徴とする放射線画像変換パネル。

2.前記中央部の膜厚が、前記周辺部の膜厚に対して 3〜50%厚いことを特徴とする 1記載の放射線画像変換パネル。

3.前記輝尽性蛍光体層がアルカリハライド系輝尽性蛍光体の柱状結晶体より構成されてヽることを特徴とする 1又は 2記載の放射線画像変換パネル。

4.前記アルカリハライド系輝尽性蛍光体の柱状結晶体力 CsBr系柱状結晶により構成されていることを特徴とする 3記載の放射線画像変換パネル。

5. 1〜4の、ずれか 1項記載の放射線画像変換パネルを製造する製造方法にお!ヽて、下引層を、支持体上に滴下した塗布液を遠心力を用いてスピンコートすることにより形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。

[0013] 本発明は、放射線画像変換パネルの下引層の中央部を周辺部より厚くすると、支持体 (基板)と輝尽性蛍光体層との接着力を向上させることができ、特に物理的衝撃に対して強、放射線画像変換パネルを作製することが出来るとヽぅものである。

[0014] 中央部とは基板重心点を基準として、画像領域全体面積の 10%の面積を占める円形部分を指し、周辺部とは画像領域の端部 (画像領域と画像領域以外の領域との境界線）と、その内側にある閉じた線とで囲まれた領域であって、一定の幅を有する帯状の領域であり、その面積が画像領域の面積に対して、 10%の面積を占める部分を指す。また、画像領域とは、放射線画像変換パネルにおいて実際に画像を形成させてヽる領域を指し、本発明に係る輝尽性蛍光体層が形成されて!ヽる領域をヽぅ。

[0015] 図 1は、放射線画像変換パネルの中央部 11、周辺部 12及び画像領域 (蛍光体層塗設領域)の端部 13につ、て示した説明のための概要図である。

[0016] 尚、膜厚の実際の測定は、各々の部位につき 20点を任意に選び、その膜厚の平均値をもってその部位の膜厚とした。 [0017] 膜厚の測定方法は、特に限定はないが、有機溶剤を用いて下引層を除去し、表面粗さ計 (例えば、東京精密社製サーフコム 1400D)を使用し、下引層と基板の段差を測定する。或いは基板と下引層を断裁し、断面を電子顕微鏡 (例えば日立製作所社製 S800)により撮影し、写真より層厚を測定する方法を用いることも出来る。

[0018] また、下引層の中央部の膜厚が、周辺部に対して厚いとは、下記式にて算出した値 (膜厚の差)が、プラス 1%以上であることをいい、膜厚の差としては耐衝撃性、解像力、膜付き性の面から 3〜50%であることが好ましい。

[0019] 膜厚の差 (％) = { (中央部の膜厚） - (周辺部の膜厚） }Z (中央部の膜厚）

発明の効果

[0020] 本発明により、高い鮮鋭性と膜付き性のバランスがとれた、特に支持体と輝尽性蛍光体層との接着力を向上させた、物理的衝撃に対して強い放射線画像変換パネル、および放射線画像変換パネルの製造方法を提供することができた。

図面の簡単な説明

[0021] [図 1]放射線画像変換パネルの中央部、周辺部及び画像領域の概要図。

[図 2]本発明の輝尽性蛍光体層の形成に用いる蒸着装置の一例を示す概略図。符号の説明

[0022] 1 蒸着装置

2 真空チャンバ一

3 支持体回転機構 (支持体回転機能）

4 支持体

5 蒸発源

6 支持体表面温度制御ヒーター

11 中央部

12 周辺部

13 画像領域の端部

発明を実施するための最良の形態

[0023] 本発明を構成する化合物、層構成、製造方法等につき以下さらに説明する。 [0024] 〔支持体 (基材)〕

本発明の支持体は通常放射線画像変換パネルに使用される基材、例えば、アルミユウム、石英ガラス、ブラスティック榭脂等が用いられるが、本発明の効果をより奏する点では、アルミニウムを主成分とする金属基板、 CFRP、ァラミド積層板が好ましく用いられる。

[0025] 〔下引層（中間層)〕

本発明に係る下引層（中間層ともいう）は、支持体と輝尽性蛍光体層との間にある層であり、例えば、支持体表面をポリマーコート処理して設層したポリマー層などである。

下引層の膜厚は 0. 1〜： LO /z mが好ましぐまた、下引層の膜厚が、支持体の輝尽性蛍光体層側に設けられている全構成層の膜厚に対して、 0. 1〜20%であることが望ましい。

[0026] 本発明においては、下引層の少なくとも 1層は、熱可塑性榭脂よりなり、かつ中央部の膜厚が周辺部の膜厚より厚ヽ層である。

[0027] 下引き層で用いることのできる熱可塑性榭脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリウレタン、ポリエステル、塩ィヒビュル共重合体、塩ィヒビュル酢酸ビュル共重合体、塩ィ匕ビュル一塩ィ匕ビユリデン共重合体、塩ィ匕ビュル—アクリロニトリル共重合体、ブタジエン—アクリロニトリル共重合体、ポリアミド榭脂、ポリビュルブチラール、セル口ース誘導体 (ニトロセルロース等）、スチレンブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系榭脂、フエノール榭脂、エポキシ榭脂、尿素樹脂、メラミン榭脂、フエノキシ榭脂、シリコン榭脂、アクリル系榭脂、尿素ホルムアミド榭脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニールブチラールが好ましい。ポリウレタンとしては三洋化成社製サンプレンシリーズ、武田薬品工業社製タケネートシリーズ等が挙げられる。ポリエステル榭脂としては東洋紛社製バイロンシリーズ等を挙げることができる。下引層で用いる熱可塑性榭脂の平均ガラス転移点温度 (Tg)が 2 0〜200°Cの Tgを有することが好まし!/、。

[0028] これらの榭脂を支持体上に画像領域における中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層に塗設する方法にっ、ても特に限定はな、。下引層を形成する方法としては、支持体上に滴下した塗布液を遠心力を用、てスピンコートすることにより形成する方法が好ましく用いられる。

例えば、スピンコーターを用い回転数と塗布液粘度を調節することにより、適正な膜厚の分布を有するものを塗設することができる。

[0029] スピンコーターを使用し、塗工する場合、中央部を厚く塗布するには、塗料の粘度、回転数を下記のように調整すればよい。中央部を厚くするためには塗料の粘度範囲を 5mPa' s以上 lOOmPa' sでかつスピンコーターの回転数を 200rpm以上 lOOOr pm以下に制御することが重要である。また 10秒以内に設定回転数に到達することが好ましい。

[0030] スピンコーターは、巿販のものを用いて特に問題はない。

[0031] スピンコートに用いられる塗布液としては、上記の熱可塑性榭脂を溶解して含む溶媒が用いられ、界面活性剤などの塗布性向上剤を含んでもよ!、。

[0032] また、本発明に係る下引層の形成には、架橋剤を用いることが好ましぐ塗布時、あるいは塗布後に架橋させて熱可塑性榭脂の層を形成することが好まし、。例えば、多官能イソシァネート及びその誘導体、メラミン及びその誘導体、アミノ榭脂及びその誘導体等を挙げることができるが、架橋剤として多官能イソシァネートイ匕合物を用いることが好ましぐ例えば、日本ポリウレタン社製のコロネート HX、コロネート 3041等が挙げられる。

[0033] また、これらの熱可塑性榭脂 (バインダー）は 2種以上を混合して使用することもできる。なお、下引層として重層構造にすることも出来る。

[0034] 〔輝尽性蛍光体層〕

本発明の輝尽性蛍光体層は、少なくともその中の一層がアルカリハライド系輝尽性蛍光体の柱状結晶体で構成されていることが好ましい。構成されているとは、輝尽性蛍光体層がその他の成分を含有していてもよいが、アルカリハライド系輝尽性蛍光体の柱状結晶体が主要な成分であるという意味であり、全輝尽性蛍光体層質量中、少なくとも 50質量％以上を占めているという意味である。

[0035] アルカリハライド系輝尽性蛍光体であれば、特に限定はないが、特に下記一般式（ 1)で表されるものが好まし！/、。 [0036] 一般式（1) M'x-aM 'bM³X eA〔式中、 M¹は Li Na K Rbおよび

2 3

Csから選ばれる少なくとも 1種のアルカリ金属原子であり、 M²は Be Mg Ca Sr B a Zn Cd Cuおよび Niから選ばれる少なくとも一種の二価金属原子であり、 M³は S c Y La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu Al Gaおよび In力選ばれる少なくとも 1種の三価金属原子であり、 X X^ および X〃は各々 F原子、 C1原子、 Br原子および I原子力ゝら選ばれる少なくとも 1種のハロゲン原子であり、 Aは、 Eu Tb In Ce Tm Dy Pr Ho Nd Yb Er Gd Lu Sm Y Tl Na Ag Cu及び Mgから選ばれる少なくとも 1種の金属原子であり、また、 a b eはそれぞれ 0≤a< 0. 5 0≤b< 0. 5 0< e≤0. 2の範囲の数値を表す。〕次に、本発明に好ましく用いられる前記一般式（1)で表される輝尽性蛍光体にっ、て説明する。

[0037] 前記一般式（1)で表される輝尽性蛍光体において、 M¹は、 Na K Rb及び Cs等の各原子力選ばれる少なくとも 1種のアルカリ金属原子を表し、中でも Rb及び Csの各原子力ゝら選ばれる少なくとも 1種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくは Cs原子である。

[0038] M²は Be Mg Ca Sr Ba Zn Cd Cu及び Ni等の各原子から選ばれる少なくとも 1種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、 Be Mg Ca S r及び Ba等の各原子力選ばれる二価の金属原子である。

[0039] M³は Sc Y La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu Al Ga及び In等の各原子力も選ばれる少なくとも 1種の三価の金属原子を表す力中でも好ましく用いられるのは Y Ce Sm Eu Al La Gd Lu Ga及び In等の各原子力選ばれる三価の金属原子である。

[0040] Aは Eu Tb In Ce Tm Dy Pr Ho Nd Yb Er Gd Lu Sm Y Tl Na

Ag Cu及び Mgの各原子力選ばれる少なくとも 1種の金属原子である。中でも好まし!/、のは Eu金属原子である。

[0041] 輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、 X X' 及び X は F Cl Br及び Iの各原子力選ばれる少なくとも 1種のハロゲン原子を表す力 F C1及び Brから選ばれる少なくとも 1種のハロゲン原子が好ましぐ Br及び Iの各原子力選ばれる少なくとも 1種のハロゲン原子が更に好ま、。

[0042] 中でも本発明に用いられる輝尽性蛍光体として、 CsBr系輝尽性蛍光体、例えば C sBr:Euが好ましい。

[0043] 本発明の一般式（1)で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。

[0044] 蛍光体原料としては、例えば、

(a) NaF、 NaCl、 NaBr、 Nal、 KF、 KC1、 KBr、 KI、 RbF、 RbCl、 RbBr、 Rbl、 Cs

F、 CsCl、 CsBr及び Csl力も選ばれる少なくとも 1種の化合物が用いられる。

[0045] (b) MgF、 MgCl、 MgBr、 Mgl、 CaF、 CaCl、 CaBr、 Cal、 SrF、 SrCI、 Sr

2 2 2 2 2 2 2 2 2 2

Br、 Sri、 BaF、 BaCl、 BaBr、 BaBr · 2H 0、 Bal、 ZnF、 ZnCl、 ZnBr、 Znl

2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2

、 CdF、 CdCl、 CdBr、 Cdl、 CuF、 CuCl、 CuBr、 Cul、 NiF、 NiCl、 NiBr及

2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 び Nilの化合物力選ばれる少なくとも 1種の化合物が用いられる。

2

[0046] (c)AlCl、 GaBr及び InClの化合物から選ばれる少なくとも 1種又は 2種以上の

3 3 3

化合物が用いられる。

[0047] (d)賦活部の原料としては、 Eu、 Tb、 In、 Cs、 Ce、 Tm、 Dy、 Pr、 Ho、 Nd、 Yb、 E r、 Gd、 Lu、 Sm、 Y、 Tl、 Na、 Ag、 Cu及び Mg等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。

[0048] また、一般式 (I)で表される化合物において、 aは 0≤a< 0. 5、好ましくは 0≤a< 0

. 01、biま 0≤b< 0. 5、好ましく ίま 0≤b≤10— ²、 eiま 0< e≤0. 2、好ましく ίま 0< e≤

0. 1である。

[0049] 上記輝尽性蛍光体を得るには、その数値範囲の混合組成になるように前記 (a)〜（ d)の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。

[0050] 本発明の輝尽性蛍光体層は気相法 (気相堆積法ともヽぅ）によって形成される。

[0051] 輝尽性蛍光体層を形成するための気相法としては蒸着法、スパッタリング法、 CVD 法、イオンプレーティング法、などが挙げられる。

[0052] 本発明にお、ては、例えば、以下の方法が挙げられる。

[0053] 第 1の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して 1. 333 X 10— ⁴Pa程度の真空度とする。

[0054] 次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。

[0055] この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

[0056] また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

[0057] 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線画像変換パネルが製造される。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとつてもよ!ヽ。

[0058] さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体 (支持体、保護層又は中間層）を冷却あるいは加熱してもよ、。

[0059] また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよ!/ヽ。また、前記蒸着法においては必要に応じて O、 H等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい

2 2

[0060] 第 2の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して 1. 333 X 10— ⁴ Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとして Ar、 Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して 1. 333 X 10^_1Pa程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。

[0061] 前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる

[0062] 第 3の方法として CVD法があり、又、第 4の方法としてイオンプレーティング法がある。

[0063] また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は、放射線画像変換パネルの生産性、成長速度のコントロールの面から、 0. 05〜300 mZ分であることが好ましい。

[0064] 放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ま、放射線画像変換パネルが得られるので好ま、。

[0065] 蒸着を行うるつぼは蒸着方式を抵抗加熱方式、ハロゲン加熱方式 EB (エレクトロンビーム)方式などの加熱方式によって異なる。

[0066] 前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明に記載の効果を得る観点から 50 m 以上である必要があり、その上限は特に限定はないが lmm程度までが好ましぐより好ましい膜厚の範囲は 50〜800 μ mである。

[0067] 本発明においては、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよぐ輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。

[0068] 高反射率の物質とは、輝尽励起光（500〜900nm、特に 600〜800nm)に対する反射率の高い物質のことをいい、例えば、アルミニウム、マグネシウム、銀、インジウム、その他の金属等、白色顔料及び緑色〜赤色領域の色材を用いることができる。白色顔料は輝尽発光も反射することができる。

[0069] 白色顔料としては、例えば、 TiO (アナターゼ型、ルチル型）、 MgO、 PbCO -Pb (

2 3

OH) 、 BaSO、 Al O、 M (II) FX (但し、 M (II)は Ba、 Sr及び Caの各原子から選ば

2 4 2 3

れるの少なくとも一種の原子であり、 Xは C1原子又は Br原子である。）、 CaCO、 Zn

3

0、 Sb O、 SiO、 ZrO、リトポン（BaSO 'ZnS)、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸

2 3 2 2 4

塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。

[0070] これらの白色顔料は隠蔽力が強ぐ屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させることができる。

[0071] また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸ィ匕クロム、酸ィ匕-ッケル、酸ィ匕鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。

[0072] また、色材は、有機又は無機系色材の、ずれでもよ!/ヽ。

[0073] 有機系色材としては、例えば、ザボンファーストブルー 3G (へキスト製）、エストロールブリルブルー N— 3RL (住友化学製）、 D&Cブルー No. 1 (ナショナルァ-リン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルー No. 603 (オリエント製）、キトンブルー A (チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルー GLH (保土ケ谷化学製）、レイクブルー AFH (協和産業製)、プリモシァニン 6GX (稲畑産業製)、ブリルアシッドダリーン 6BH (保土谷化学製）、シアンブルー BNRCS (東洋インク製）、ライオノィルブルー SL (東洋インク製)等が用いられる。

[0074] また、カラーインデクス No. 24411、 23160、 74180、 74200、 22800、 23154、 23155、 24401、 14830、 15050、 15760、 15707、 17941、 74220、 13425、 1 3361、 13420、 11836、 74140、 74380、 74350、 74460等の有機系金属錯塩色材もあげられる。

[0075] 無機系色材としては群青、例えば、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、 TiO—ZnO— Co—NiO系等の無機顔料があげられる。

2

[0076] 輝尽性蛍光体層を蒸着させるためには、支持体上に下引層を塗布し乾燥させた後、各種蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成するのが好ましヽ。

[0077] なお、輝尽性蛍光体層を気相成長法にて形成させるには、代表的には図 2のごとき蒸着装置を用いる。

[0078] 図 2において、 1は蒸着装置、 2は真空チャンバ一、 3は支持体回転機構 (支持体回転機能）、 4は支持体であり、さらに 5が蒸発源、 6が支持体表面温度制御ヒーターである。また、 dは支持体 4と蒸発源 5の間の距離である。

1

[0079] 〔保護層〕

本発明の輝尽性蛍光体層は必要により保護層を有していてもよい。

[0080] 保護層は保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に設置してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成し、支持体と設置する手段を採ってもよい。

[0081] 保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタタリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビ-リデン、ナイロン、ポリ四フッ化工チレン、ポリ三フッ化一塩化工チレン、四フッ化工チレン一六フッ化プロピレン共重合体、塩ィ匕ビユリデン一塩ィ匕ビニル共重合体、塩ィ匕ビユリデン一アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることちでさる。

[0082] また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、 SiC、 SiO O等

2、 SiN、 Al

2 3 の無機物質を積層して形成してもよ、。

[0083] さらに、これら保護層の層厚は 0. 1〜2000 μ mが好ましい。

[0084] 〔放射線画像変換パネルの使用法〕

本発明に用いられる輝尽性蛍光体の発光波長域は通常 300〜500nmであり、一方輝尽励起波長域は 500〜900nmであることが多い。最近、診断装置のダウンサイジングイ匕が進み、放射画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で、且つ、コンパクトィ匕が容易な半導体レーザが好まれ、そのレーザ光の波長は 680nmであることが多ぐ本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、 680nmの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものであることが好ましい。

[0085] 即ち、本発明に用いられる輝尽性蛍光体はいずれも 500nm以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を高めることができる。

[0086] レーザとしては、例えば、 He— Neレーザ、 He— Cdレーザ、 Arイオンレーザ、 Krィオンレーザ、 Nレーザ、 YAGレーザ及びその第 2高調波、ルビーレーザ、半導体レ

2

一ザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常は He Neレーザや Arイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル 1画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。

[0087] また、特開昭 59— 22046号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用、て変調するよりもパルス発振のレーザを用ヽる方が好ましい。

[0088] 上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、し力も変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。

[0089] 例えば、輝尽励起波長が 500〜900nmで輝尽発光波長が 300〜500nmにあるような実用上好ましい組合せの場合、フィルタとしては例えば東芝社製 C— 39、 C-40 、 V— 40、 V— 42、 V— 44、コ一-ング社製 7— 54、 7— 59、スぺク卜口フィルム社製 BG—1、 BG— 3、 BG— 25、 BG— 37、 BG— 38等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。

実施例

[0090] 以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、無論、本発明の実施態様はこれらに限定されない。

[0091] (実施例）

《放射線画像変換パネル試料 1〜12 (試料 No. 1〜12)の作製》

以下に示すように、 0. 5mm厚のアルミニウム板支持体の表面（平均表面粗さ 0. 0 2 m)に、下引層としてポリエステル榭脂 (東洋紡社製バイロンシリーズ Tg： 60°C) をメチルェチルケトン Zトルエンの lZl質量比混合溶媒に溶解した、下引層用の塗布液をスピンコーターで塗布して、 70°Cの熱風中にて乾燥した。

[0092] 次に、図 2で示した蒸着装置により、輝尽性蛍光体 (CsBr:Eu)を用いて 200 /z m の輝尽性蛍光体層を形成した。

[0093] 真空チャンバ一内をー且排気した後、 Arガスを導入して 1. 0 X 10— ²Paとなるように真空度を調整し、支持体の表面温度を 100°Cとなるように保持しながら、輝尽性蛍光体層の膜厚が 400 μ mとなるまで蒸着を行な、放射線像変換パネル試料を作製した

[0094] なお図 2に示した蒸着装置においては、支持体中心と直交する法線上に蒸着源を配置することとし支持体と蒸着源との距離 d (60cm)とした。蒸着中は支持体を回転

1

させながら蒸着操作を行なった。

[0095] 次いで、保護層として四フッ化工チレン一六フッ化プロピレン共重合体の薄層（膜厚 2. 0 m)で、輝尽性蛍光体層表面を覆い、乾燥空気の雰囲気内で支持体及び保護層周縁部を接着剤で封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射線像変換パネル試料 1を得た。

[0096] 下引層は表 1に示すように、その膜厚分布 (画像領域の中央部と周辺部の膜厚の差)を変更した以外は放射線画像変換パネル試料 1 (試料 No. 1)と同様にして、放射線画像変換パネル試料 2〜6 (試料 No. 2〜6)を作製した。

[0097] 作製に当たっては、スピンコーターの回転速度を調節して、下引層の膜厚分布を変えた。

[0098] また、上記放射線画像変換パネル試料 1〜6同様に作製したが、下引層用榭脂をポリウレタン榭脂（三洋化成社製サンプレンシリーズ Tg45°C)に変更し、放射線画像変換パネル試料 7〜12 (試料 No. 7〜12)を作製した。

[0099] 《性能特性の評価》

下記の項目にっき評価を行った。

[0100] 耐衝撃性

放射線画像変換パネルの表面に、格子状に力ミソリの刃で支持体面に達する切り傷を付け（一辺： 6. Ocm)、 60cmの高さよりパネルをコンクリート床に落下させて衝撃を与えた。

[0101] 損傷 (ひびが入る、膜が浮き上がる)を受けた面積を下記の基準で 5段階評価した。

[0102] 1： 100%の面積で損傷が見られる

2： 50%以上 100%未満の面積で損傷が見られる

3： 20%以上 50%未満の面積で損傷が見られる

4： 5%以上 20%未満の面積で損傷が見られる (接着性は強い）

5： 5%未満の面積でしか損傷が見られな、 (接着性は非常に強!、）

なお、評価 4以上であれば、実用上十分な耐衝撃強度を有していると見なすことができる。 [0103] 鮮鋭性

鮮鋭性にっヽては、変調伝達関数 (MTF)を求め評価した。

[0104] 各放射線画像変換パネルに CTFチャートを貼りつけた後、 80kVpの X線を 10mR

(被写体までの距離; 1. 5m)照射した後、蛍光体層 Aを有する面側から半導体レーザ光（690nm、パネル上でのパワー 40mW)を照射して、直径 100 μ mの半導体レ一ザ光で CTFチャートを走査し、読みとつて求めた。表 1の記載の値は、 0. 51p/m mにおける放射線画像変換パネル 1の MTF値を 100とし、各パネルにっ、て相対値で求めたものである。

[0105] 輝度

輝尽性発光強度を測定した。

[0106] 評価は放射線像変換パネル全面に、管電圧 80kVpの X線を照射し、パネルを 100 mWの半導体レーザー（680nm)で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子増倍管 (浜松ホトニタス製:光電子増倍管 R1305)を用い受光して電気信号に変換し、アナログ Zデジタル変換して磁気テープにより記録した。

[0107] 記録したノヽードディスクをコンピューターで分析して、ハードディスクに記録されている X線平面画像のシグナル値力も輝尽発光強度を求めた。

[0108] 結果は、試料 No. 1を 100とした相対値で示した。

[0109] 膜付き性

放射線像変換パネルの表面に、格子状に力ミソリで支持体面に達するまで傷を付け、セロテープ (登録商標)を圧着し、急激に引き剥がし剥離面積で 5段階評価した。

[0110] 1 接着力は非常に弱ぐ完全に 100%以上の面積が剥離する

2 50%以上 100%未満の面積が剥離する

3 20%以上 50%未満の面積が剥離する

4 接着力は強ぐ 5%以上 20%未満の面積が剥離する

5 接着力は非常に強ぐ剥離面積は 5%未満か全く剥離されない

尚、評価 4以上であれば実用上十分に膜付きが強いと見なせる

上記で得られた試料 No. 1〜 12について、その評価結果を下記表 1に示す。

[0111] [表 1] 膜厚分布性能本発明の試料 No .

( % ) 耐衝擊性 MTF( ) 輝度膜付性内 ·外

1 0 3 100 100 3 外

2 30 5 100 100 5 内

3 10 5 100 100 5 内

4 50 5 100 100 5 内

5 100 4 95 100 4 内

6 -50 1 95 100 1 外

7 0 3 100 100 3 外

8 2.5 4 100 100 5 内

9 10 5 100 100 5 内

10 40 5 100 100 5 内

11 60 4 95 100 4 内

12 一 30 1 95 100 1 外表 1から明らかなように、本発明内の試料が本発明外 (比較）の試料に比して、特に耐衝撃性が明らかに優れ、他の性能においても同等以上であることがわかる。

Claims

請求の範囲

[1] 支持体上に下引層と輝尽性蛍光体層とを、該支持体側力もこの順に積層してなる放射線画像変換パネルにぉヽて、該輝尽性蛍光体層の少なくとも 1層は気相法により形成された 50 m以上の膜厚を有する層であり、該下引層の少なくとも 1層は、熱可塑性榭脂よりなり画像領域における中央部の膜厚が周辺部の膜厚より厚い層、であることを特徴とする放射線画像変換パネル。

[2] 前記中央部の膜厚が、前記周辺部の膜厚に対して 3〜50%厚いことを特徴とする請求の範囲第 1項記載の放射線画像変換パネル。

[3] 前記輝尽性蛍光体層がアルカリハライド系輝尽性蛍光体の柱状結晶体より構成されていることを特徴とする請求の範囲第 1又は 2項記載の放射線画像変換パネル。

[4] 前記アルカリハライド系輝尽性蛍光体の柱状結晶体が、 CsBr系柱状結晶により構成されていることを特徴とする請求の範囲第 3項記載の放射線画像変換パネル。

[5] 請求の範囲第 1〜4項のいずれか 1項記載の放射線画像変換パネルを製造する製造方法において、下引層を、支持体上に滴下した塗布液を遠心力を用いてスピンコートすることにより形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。