JPS59202100A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法 - Google Patents
放射線画像変換パネル及びその製造方法Info
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- JPS59202100A JPS59202100A JP58077220A JP7722083A JPS59202100A JP S59202100 A JPS59202100 A JP S59202100A JP 58077220 A JP58077220 A JP 58077220A JP 7722083 A JP7722083 A JP 7722083A JP S59202100 A JPS59202100 A JP S59202100A
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- phosphor
- radiation
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1644—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using an array of optically separate scintillation elements permitting direct location of scintillations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は輝尽性螢光体を用いた放射録画イ９変換パネル
匠関するものであり、さら匠詳しくは鮮鋭度の高い画儂
を与える放射ｎ画像変換パネル及びその製造方法に閲す
るものである。
匠関するものであり、さら匠詳しくは鮮鋭度の高い画儂
を与える放射ｎ画像変換パネル及びその製造方法に閲す
るものである。
（従来技術）
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆ
る放射線写真が利用されている７１″−１近年、ｔ（？
に地球規模１（おけろ銀資源の枯渇等の間；ｍから銀塩
を使用しないで放射線像を両例化する方法が望まれろよ
ってなった。
る放射線写真が利用されている７１″−１近年、ｔ（？
に地球規模１（おけろ銀資源の枯渇等の間；ｍから銀塩
を使用しないで放射線像を両例化する方法が望まれろよ
ってなった。
上述の放射線写工τ法にかわる方法としで、被写体を透
過した放射線を螢光体に吸収ぜしぬ、しかる後、この螢
光体をある種のエネルギーで励起してこの螢光体がシ￥
８ｔしている放射線エネルギーを螢光として放射せしめ
、との螢光を検出して画像化する方法が考えられている
。具体的な方法として、例えば米国特許第３．８５９，
５２７号および特開昭５５−１２１４４ ＠−には螢光
体として輝尽性螢光体を用い励起エネルギーとして可視
光線および赤外線から遇ばれろ電磁放射線を用いる放射
線画像変換方法が提唱されている。この変換方法は、支
持体上に間尺性螢光体心を形成したパネルを用い、この
パネルの輝尽性螢光体ｆ５ｖｃ被写体を透過した放射線
を吸収させて放射線の強弱に対応した放射線エネルギー
を容貸させ、しかる後この即尽性螢光体βを灯尽励起光
（以下単に「励起光」と称する）で走介することによっ
て蓄積された放射ｎエネルギーを光の信号として取り出
し、この光の強弱眞よって画像２得るものである。この
Ｑπ冬的な画像はハードコピーとして再生してもよいし
、ＣＲＴ上に再生してもよい。
過した放射線を螢光体に吸収ぜしぬ、しかる後、この螢
光体をある種のエネルギーで励起してこの螢光体がシ￥
８ｔしている放射線エネルギーを螢光として放射せしめ
、との螢光を検出して画像化する方法が考えられている
。具体的な方法として、例えば米国特許第３．８５９，
５２７号および特開昭５５−１２１４４ ＠−には螢光
体として輝尽性螢光体を用い励起エネルギーとして可視
光線および赤外線から遇ばれろ電磁放射線を用いる放射
線画像変換方法が提唱されている。この変換方法は、支
持体上に間尺性螢光体心を形成したパネルを用い、この
パネルの輝尽性螢光体ｆ５ｖｃ被写体を透過した放射線
を吸収させて放射線の強弱に対応した放射線エネルギー
を容貸させ、しかる後この即尽性螢光体βを灯尽励起光
（以下単に「励起光」と称する）で走介することによっ
て蓄積された放射ｎエネルギーを光の信号として取り出
し、この光の強弱眞よって画像２得るものである。この
Ｑπ冬的な画像はハードコピーとして再生してもよいし
、ＣＲＴ上に再生してもよい。
ところで従来の放射線写真法に鉛ける画像の鮮鋭度が増
感紙中の螢光体の瞬間発光（放射線照射時の発光）の広
がりによって決定されろのは周知の通りである。これに
対し、上述の輝尽性螢光体を利用した放射線画像変換方
法（（おける１ｉｌＩｉ像の鮮鋭度は放射線画像変換パ
ネル中の螢光体の輝尽発光の広がりＫよって決定される
のではなく、すなわち放射線写真法におけるよう：（螢
光体の発光の広がりによって決定されるので（ｆ′ｉ／
ｆく、励起光の該パネル内での広がりに依存して決まる
。なぜならばこの放射線像変換方法においては、放射線
画イエ）変換パネルに嘗債された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（１＋ ）に照
射された励起光による輝尽発光は望ましくは全て採つＣ
されその時間に励起光が照射されていた該パネル上のあ
る画素（Ｘｉ ＊ｙｔ ）からの出力として記碌される
が、もし励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照
射画素（ｘｔ、ｙｉ）の外側に存在てろ螢光体をも励起
してしまうと、上記（ｘ＋＋ｙｔ）なろ１ｉＴｉｉ 素
からの出力としてその画素よりも広い領域からの出力が
記録されてしまうからである。従って、ある時間（１１
）に照射された励起光による輝尽発光が−その時間（ｔ
ｉ） Ｋ励起光が真に照射されていた該パネル上の画素
（ｘｔ＋ｙｉ）からの発光のみであれば、その発光がい
かなる広がりを持つものであろうと得られろ画伯の鮮鋭
度にけ影りがないのである。
感紙中の螢光体の瞬間発光（放射線照射時の発光）の広
がりによって決定されろのは周知の通りである。これに
対し、上述の輝尽性螢光体を利用した放射線画像変換方
法（（おける１ｉｌＩｉ像の鮮鋭度は放射線画像変換パ
ネル中の螢光体の輝尽発光の広がりＫよって決定される
のではなく、すなわち放射線写真法におけるよう：（螢
光体の発光の広がりによって決定されるので（ｆ′ｉ／
ｆく、励起光の該パネル内での広がりに依存して決まる
。なぜならばこの放射線像変換方法においては、放射線
画イエ）変換パネルに嘗債された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（１＋ ）に照
射された励起光による輝尽発光は望ましくは全て採つＣ
されその時間に励起光が照射されていた該パネル上のあ
る画素（Ｘｉ ＊ｙｔ ）からの出力として記碌される
が、もし励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照
射画素（ｘｔ、ｙｉ）の外側に存在てろ螢光体をも励起
してしまうと、上記（ｘ＋＋ｙｔ）なろ１ｉＴｉｉ 素
からの出力としてその画素よりも広い領域からの出力が
記録されてしまうからである。従って、ある時間（１１
）に照射された励起光による輝尽発光が−その時間（ｔ
ｉ） Ｋ励起光が真に照射されていた該パネル上の画素
（ｘｔ＋ｙｉ）からの発光のみであれば、その発光がい
かなる広がりを持つものであろうと得られろ画伯の鮮鋭
度にけ影りがないのである。
上述の放射線画像変換方法に用いられる放射線像変換パ
ネルは、少くとも輝尽性螢光体からなる曇光体鵡分有す
るものである。螢光体心は一役には適当な基（反上に設
けられるが、螢光体口が自己形態保持性がある静合は螢
光体心自体が放射線画像変換パネルとなり得る。さらに
通常は螢光体口が基榎と接面する面とは反対側の、Ｆ光
体ｎ表面Ｋ、８光体層を物理的あるいけ化学的して保護
するための保ワ鼎が設けられろ。このような従来の放射
線画像変換パネルにおいては、励起光の散乱等疋より（
７）光体市中での励起光の平均自由工程は長くなり、こ
のため螢光体層中で励起光が比収的大きく広がってしま
い、ｆ・ｒ脱塵が著しく劣化する欠点をイエしており、
その改良が強く望まれている。
ネルは、少くとも輝尽性螢光体からなる曇光体鵡分有す
るものである。螢光体心は一役には適当な基（反上に設
けられるが、螢光体口が自己形態保持性がある静合は螢
光体心自体が放射線画像変換パネルとなり得る。さらに
通常は螢光体口が基榎と接面する面とは反対側の、Ｆ光
体ｎ表面Ｋ、８光体層を物理的あるいけ化学的して保護
するための保ワ鼎が設けられろ。このような従来の放射
線画像変換パネルにおいては、励起光の散乱等疋より（
７）光体市中での励起光の平均自由工程は長くなり、こ
のため螢光体層中で励起光が比収的大きく広がってしま
い、ｆ・ｒ脱塵が著しく劣化する欠点をイエしており、
その改良が強く望まれている。
放射線画像情報パネルの鮮鋭度を改良する方法としては
、特開昭５５−１４６４４７号公Ｃ会記載の放射線画像
変換パネルの螢光体層中に白色粉体を混入する方法、特
開昭５５−１６３５００号公報記捜の放射絵画像変換パ
ネルを輝尽性螢光体の励起波長領域におけろ平均反射率
が前記輝尽性螢光体の輝尽発光波長領域ｒおけろ平均反
射率よりも小さく’ ｊｃろよって着色する方法等が知
られている。しかし、これらの方法は鮮鋭度を改良する
と必然的に感度が著しく低下してしまい、好ましい方法
とは言えない。
、特開昭５５−１４６４４７号公Ｃ会記載の放射線画像
変換パネルの螢光体層中に白色粉体を混入する方法、特
開昭５５−１６３５００号公報記捜の放射絵画像変換パ
ネルを輝尽性螢光体の励起波長領域におけろ平均反射率
が前記輝尽性螢光体の輝尽発光波長領域ｒおけろ平均反
射率よりも小さく’ ｊｃろよって着色する方法等が知
られている。しかし、これらの方法は鮮鋭度を改良する
と必然的に感度が著しく低下してしまい、好ましい方法
とは言えない。
（発明の目的）
本発明は輝尽性４？２光体を用いた放射線画像情報パネ
ルにおけろ上述のような欠点に鑑みてなされたものであ
り、鮮鋭度の高い両像を与える放射線画像情報バイ、ル
及びその製造方法全提供１−ろことを目的とするもので
多）ろ。
ルにおけろ上述のような欠点に鑑みてなされたものであ
り、鮮鋭度の高い両像を与える放射線画像情報バイ、ル
及びその製造方法全提供１−ろことを目的とするもので
多）ろ。
（発明の宿成）
木発明者等は、邦尽性螢光体を用いた放射線面住変倹パ
ネルについて鋭意研究の結集、本発明は前記の目的を達
成する放射線画像変換パネルとして、基標に輝尽性螢光
体口を設けた放射線画像変換パネルＧて於て、該パネル
の輝尽性螢光体が、隔壁部材によって多数個に区切られ
た小房から成るハニカム構造の各小房に充填されている
ことを特徴として宿成されろ。
ネルについて鋭意研究の結集、本発明は前記の目的を達
成する放射線画像変換パネルとして、基標に輝尽性螢光
体口を設けた放射線画像変換パネルＧて於て、該パネル
の輝尽性螢光体が、隔壁部材によって多数個に区切られ
た小房から成るハニカム構造の各小房に充填されている
ことを特徴として宿成されろ。
また前記本発明の放射線画伯変換パネルの創造方法は前
記ハニカム構造を母型を用いて形成する製造方法（Ｔす
取り法）または基板を没蝕すること前記葉取り法υて於
ては１つの母型から多行の前記ハニカム構造の基板が緑
返し庶価、迅速に作成され、一方ＩＪＥ−ｈ法に於てば
、写真法その他の利用によって精数て自由な形状のハニ
カム構造が作成されまた井ｔ、Ｈ３材に大きな制約が７
℃い。
記ハニカム構造を母型を用いて形成する製造方法（Ｔす
取り法）または基板を没蝕すること前記葉取り法υて於
ては１つの母型から多行の前記ハニカム構造の基板が緑
返し庶価、迅速に作成され、一方ＩＪＥ−ｈ法に於てば
、写真法その他の利用によって精数て自由な形状のハニ
カム構造が作成されまた井ｔ、Ｈ３材に大きな制約が７
℃い。
以下、本発明を図面により詳細Ｏて説明１−ろ。第１図
乃至第２図は、本発明の放射′ｆ：ｔ３而但恋１実バ、
ネルの１つの実施例を示すものである。１０ ｒ７：ｌ
：Ｈ光体陥基板である。この基板１０は底部１１と隔壁
部材１２より１−成されている。この底部１１は本質的
Ｃては必要熱いが隔壁部か１２を変形させないためのも
のである。従って隔壁部材１２が十分強度の大きいもの
で自己形態保持性があれば底部１１は必要がない。
乃至第２図は、本発明の放射′ｆ：ｔ３而但恋１実バ、
ネルの１つの実施例を示すものである。１０ ｒ７：ｌ
：Ｈ光体陥基板である。この基板１０は底部１１と隔壁
部材１２より１−成されている。この底部１１は本質的
Ｃては必要熱いが隔壁部か１２を変形させないためのも
のである。従って隔壁部材１２が十分強度の大きいもの
で自己形態保持性があれば底部１１は必要がない。
隔壁部材１２け第２図に示すように多数の隔壁部材が交
差して多数の小房１３を形成する構造になっている。小
房１３の形態は第２図に示されるような形状に限定され
るものではなく、第３図に示されるような円形でも良い
し、六角その曲いかなる形状でも良い。また小房１３の
配置も第２図に示されろような配置に限定されろもので
はなく、第３図に示ざ、ｌ″Ｌ、ろような配置でも良い
し、小房に分割されていれば池のいかなる配置でもよい
。尚、小房の規則的配列によるモアレを防止するたぬに
は、小房の形状及び／又は小房の配列をランダムに１−
ろとよい。この小房にはそれぞれ輝尽性螢光体１４が充
ｊ）’、され螢光体層１５が形成される。
差して多数の小房１３を形成する構造になっている。小
房１３の形態は第２図に示されるような形状に限定され
るものではなく、第３図に示されるような円形でも良い
し、六角その曲いかなる形状でも良い。また小房１３の
配置も第２図に示されろような配置に限定されろもので
はなく、第３図に示ざ、ｌ″Ｌ、ろような配置でも良い
し、小房に分割されていれば池のいかなる配置でもよい
。尚、小房の規則的配列によるモアレを防止するたぬに
は、小房の形状及び／又は小房の配列をランダムに１−
ろとよい。この小房にはそれぞれ輝尽性螢光体１４が充
ｊ）’、され螢光体層１５が形成される。
底部１１及び隔壁部材１２を４？４成１−ろ基板１０ば
、励起光を吸収するもの又は反射するものが材料として
使用されるが、励起光を反射する材料の方が感度が向上
しより好ましい。或はこの基板１０そのものがとれ等の
性質２有していなくても、小房の内壁に励起光吸収ｊつ
あるいは励起光吸収性を塗布あるいは蒸着等の方法で形
成してもよい。
、励起光を吸収するもの又は反射するものが材料として
使用されるが、励起光を反射する材料の方が感度が向上
しより好ましい。或はこの基板１０そのものがとれ等の
性質２有していなくても、小房の内壁に励起光吸収ｊつ
あるいは励起光吸収性を塗布あるいは蒸着等の方法で形
成してもよい。
尚、底部１１は励起光を透過する材料であっても差支え
ない。
ない。
また、シＳ板１０け輝尽性螢光体の発光光を透３Ｂ、吸
収または反射するもの等いかなるものでも材料として使
用さ、Ｉ″１．ろゾ１″−１発光光を反射する材料の方
が）一度が向上しより好ましい。尚、茫イ反を発光光に
対して吸収性若しくけ反射性と′ｆろためては、この基
板そのものがこれ等の性質を有してなくとも良く、小房
内壁に、発光光吸収層あるいは発光光反射層を塗布。％
ろいはｉ・５着等の方法で形成してもよい。
収または反射するもの等いかなるものでも材料として使
用さ、Ｉ″１．ろゾ１″−１発光光を反射する材料の方
が）一度が向上しより好ましい。尚、茫イ反を発光光に
対して吸収性若しくけ反射性と′ｆろためては、この基
板そのものがこれ等の性質を有してなくとも良く、小房
内壁に、発光光吸収層あるいは発光光反射層を塗布。％
ろいはｉ・５着等の方法で形成してもよい。
このような才、゛τ成の放射線画伯変換／くネル（てお
いて、輝尽性螢光体１４中に蓄積された放射？１９エネ
ルギーを坪尽発光として放出させるたぬの励起光は螢光
体１０１５による散乱等により、あらゆる方向に向って
進むが、Ｋ’Ａ壁部材１２に向った励起光ばｒ、７℃壁
部材１２によって吸収（隔壁部材が励起光吸収性のもの
であろｊ（１合）、若しくは反射（陽Ｊを部材が励起光
反射性のものである場合）されろ。また底部１１ Ｋ向
った励起光は底部によって吸収（底部材が励起光吸収性
のものである賜金）、反射（底部材が励起光反射性のも
のである場合）、若しくは透過（底部材が励起光透過性
のものである賜金、または底部を有しない場合）されろ
。
いて、輝尽性螢光体１４中に蓄積された放射？１９エネ
ルギーを坪尽発光として放出させるたぬの励起光は螢光
体１０１５による散乱等により、あらゆる方向に向って
進むが、Ｋ’Ａ壁部材１２に向った励起光ばｒ、７℃壁
部材１２によって吸収（隔壁部材が励起光吸収性のもの
であろｊ（１合）、若しくは反射（陽Ｊを部材が励起光
反射性のものである場合）されろ。また底部１１ Ｋ向
った励起光は底部によって吸収（底部材が励起光吸収性
のものである賜金）、反射（底部材が励起光反射性のも
のである場合）、若しくは透過（底部材が励起光透過性
のものである賜金、または底部を有しない場合）されろ
。
従って第４図に示されろような放射線画伯変換パネルの
一点て照射された励起光の広がりは第４図（ｂ）のよ５
に拡りの裾が切除され、鮮鋭性のよい放射綴画伸が得ら
れろ。
一点て照射された励起光の広がりは第４図（ｂ）のよ５
に拡りの裾が切除され、鮮鋭性のよい放射綴画伸が得ら
れろ。
輝尽性螢光体が充填される部分の寸法ｄ、 、ｄ２．ｈ
。
。
は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネルのシステ
ムとして必要とされる要求画質を従来のものよりも向上
させろものとして考えれば、概略決定されろものである
。即ち、その目安としては、ａｌ ＋ ａ２を１０μｒ
ｒＬ〜６００μｍ％隔壁の厚み幅Ｗ１を１０〜３００μ
７ｎとし、深さｈｌば３０μＴｒＬ〜１０００μｍ
程１ｆｉとすれば製作、性能の両面について均衡のと八
た、そして従来の）輝尽性螢光体を用いた放射線画像変
換パネルに比べて性能の向上したものが得られろ。
ムとして必要とされる要求画質を従来のものよりも向上
させろものとして考えれば、概略決定されろものである
。即ち、その目安としては、ａｌ ＋ ａ２を１０μｒ
ｒＬ〜６００μｍ％隔壁の厚み幅Ｗ１を１０〜３００μ
７ｎとし、深さｈｌば３０μＴｒＬ〜１０００μｍ
程１ｆｉとすれば製作、性能の両面について均衡のと八
た、そして従来の）輝尽性螢光体を用いた放射線画像変
換パネルに比べて性能の向上したものが得られろ。
尚、本発明の放射線画像変換パネルは第５図て示すよう
に輝尽性螢光体を隔壁部材１２より高くして、外観上螢
光体が均一に形成されているよつ１／Ｃなった場合でも
隔壁からの高さｈ２が小さければ第３図のよって隔壁上
面と輝尽性螢光体の表面が同一になっている場合にくら
べて画質はやや劣るが第３図の場合に近い画質向上効果
／１−得られろ。また第６図に示すように隔壁上面に対
して超尽性螢光体の表面が低い場合についても第３図の
↓ワ合と同様に画質向上効果が得られる。
に輝尽性螢光体を隔壁部材１２より高くして、外観上螢
光体が均一に形成されているよつ１／Ｃなった場合でも
隔壁からの高さｈ２が小さければ第３図のよって隔壁上
面と輝尽性螢光体の表面が同一になっている場合にくら
べて画質はやや劣るが第３図の場合に近い画質向上効果
／１−得られろ。また第６図に示すように隔壁上面に対
して超尽性螢光体の表面が低い場合についても第３図の
↓ワ合と同様に画質向上効果が得られる。
さらに第７０に示すよう匠高さｈ３の均一なロバ性螢光
体層上に隔壁部材１２を設け、この各小房に輝尽性螢光
体を充填したよう／ｆ購構造パオルの」５合についても
第３図の場合と回／、５．％ Ｋ画質向上効果が得らＪ
ｔろ。
体層上に隔壁部材１２を設け、この各小房に輝尽性螢光
体を充填したよう／ｆ購構造パオルの」５合についても
第３図の場合と回／、５．％ Ｋ画質向上効果が得らＪ
ｔろ。
本発明の放射昌画但変換パイルの螢光体だ弘榎１０ Ｖ
Ｃ用いられる材料としては例えば各口高分子材料、ガラ
ス、ウール、コツトン、紙、金ｎ ｆ：Ｃどの種々の素
材から作られたものが使用され得るが、上記のもの１（
限定されるものではない。また、螢光体層基板１０は１
種類の材料から成っている必要はなく、２種類以上の材
料から成っていてもよい。
Ｃ用いられる材料としては例えば各口高分子材料、ガラ
ス、ウール、コツトン、紙、金ｎ ｆ：Ｃどの種々の素
材から作られたものが使用され得るが、上記のもの１（
限定されるものではない。また、螢光体層基板１０は１
種類の材料から成っている必要はなく、２種類以上の材
料から成っていてもよい。
これらの螢光体層基板１０は螢光体層をより強固に保持
する目的で、小房内壁等の螢光体に接する面に螢光体に
接着性のある下塗り啼を有してもよい。
する目的で、小房内壁等の螢光体に接する面に螢光体に
接着性のある下塗り啼を有してもよい。
尚、使用する螢光体層基板が励起光を透通するものであ
る場合には、得られる放射線画像変換パネルは螢光体り
基板の螢光体節が設けられている面とけ反対側の面から
励起光を照射することが可能となる。
る場合には、得られる放射線画像変換パネルは螢光体り
基板の螢光体節が設けられている面とけ反対側の面から
励起光を照射することが可能となる。
また隔壁部材に用いられろ材料は、例えば励起光、発ブ
Ｃ光１（不透明な顔料若しくは染料含有Ｊすを有する各
穂高分子材料、ガラス或は材料自体が透明なセラミック
、金薦、更には材料自体が透明な賜金には前記小房の内
壁に不透明被膜を蒸着その他の手段で設けることができ
ろし、更如進んで該内壁を蒸着或は化学的手段πよって
鏡面仕上げとして反射面分形成することができるので輝
尽性螢光本発明の放射翻画俄変換パネルに用いられる間
尺性螢光体は、先に述べた４たに放射線を照射した後励
起光を照射すると輝尽発光を示す螢光体であるが実質的
な面から望ましくば５ｏＯ〜８００ ｎｍの励起光によ
って輝尽発光を示す螢光体である。本発明の放射縮面「
ξ変換パネル妬用いられろ暉尽住螢光体としては、例え
ば特開昭４８−８０４８７号記ｎのＢａＳＯ４： Ａｘ
（但しＡはＤｙ、’ｌ’ｂおよび’ｒｍのうち少なく
とも１錘であり、ｘ ｌ’ｊ： ０．００１４ Ｘ （
１モル％である。）で表わされる螢光体、４−シ開昭４
８−８０４８８号記Ｑ ノｂ７Ｈ８Ｏ４： ＡＸ （但
Ｌ Ａ ｔｄ Ｉ（ＯオヨヒＤｙのうち少くとも１種で
あり、ｘ ！ｒｉＯ，００１イＪ【≦１モル係である。
Ｃ光１（不透明な顔料若しくは染料含有Ｊすを有する各
穂高分子材料、ガラス或は材料自体が透明なセラミック
、金薦、更には材料自体が透明な賜金には前記小房の内
壁に不透明被膜を蒸着その他の手段で設けることができ
ろし、更如進んで該内壁を蒸着或は化学的手段πよって
鏡面仕上げとして反射面分形成することができるので輝
尽性螢光本発明の放射翻画俄変換パネルに用いられる間
尺性螢光体は、先に述べた４たに放射線を照射した後励
起光を照射すると輝尽発光を示す螢光体であるが実質的
な面から望ましくば５ｏＯ〜８００ ｎｍの励起光によ
って輝尽発光を示す螢光体である。本発明の放射縮面「
ξ変換パネル妬用いられろ暉尽住螢光体としては、例え
ば特開昭４８−８０４８７号記ｎのＢａＳＯ４： Ａｘ
（但しＡはＤｙ、’ｌ’ｂおよび’ｒｍのうち少なく
とも１錘であり、ｘ ｌ’ｊ： ０．００１４ Ｘ （
１モル％である。）で表わされる螢光体、４−シ開昭４
８−８０４８８号記Ｑ ノｂ７Ｈ８Ｏ４： ＡＸ （但
Ｌ Ａ ｔｄ Ｉ（ＯオヨヒＤｙのうち少くとも１種で
あり、ｘ ！ｒｉＯ，００１イＪ【≦１モル係である。
）で表わされる螢光体、特開昭４８−８０４８９号記露
のＳｒＳＯ４：Ａｘ （但しＡ ｉｄ ’１’ｌＴｌ’
＋ Ｔ ｂおよびＤｙのうち少くとも１秤であり、Ｘば
０．ＯＱ１≦ｘ （１モル係である。）で表わされろ螢
光体、特開昭５ｌ−２９８８９ｅ記Ｉ′？コのＮａ、、
ＳＯ４＋ （：ａＳＯ４およびＢ ａ ５０４ＣにＭｎ
、ＤｙおよびＴｂのうち少くとも１矛雪を添方ａした螢
光体、特開昭５２−３０４８７＠記腸のＢｅｄ、Ｌｉｆ
。
のＳｒＳＯ４：Ａｘ （但しＡ ｉｄ ’１’ｌＴｌ’
＋ Ｔ ｂおよびＤｙのうち少くとも１秤であり、Ｘば
０．ＯＱ１≦ｘ （１モル係である。）で表わされろ螢
光体、特開昭５ｌ−２９８８９ｅ記Ｉ′？コのＮａ、、
ＳＯ４＋ （：ａＳＯ４およびＢ ａ ５０４ＣにＭｎ
、ＤｙおよびＴｂのうち少くとも１矛雪を添方ａした螢
光体、特開昭５２−３０４８７＠記腸のＢｅｄ、Ｌｉｆ
。
Ｍｇ、ＳＯ４およびＣａＦ２等の螢光体、特１；ｌ昭５
３−３９２７７号記載のＬｉ２Ｂ４Ｏ７： ＣｕＡｇ等
の螢光体、４１開昭５４−４７８８３号記露のＬ ｉ
２０ ・（Ｂ２０２）ｘ ”、 Ｃｕ （但しｘ ｔｄ
−２＜ ｘ≦３）、およびＬｉ２０（Ｂ２０ｚ）ｘ：Ｃ
ｕ、Ａｇ （但しｘ ｉｄ ２ ＜≦３）等の螢光体、
米国・特許３，８５９，５２７号記脇のＳｒＳ：Ｃｅ、
Ｓｍ、 ＳｒＳ：ＥｌｌｌＳｍ） Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ
、Ｓｍおよび（Ｚｎ ！ Ｃｄ ’） Ｓ ：Ｍｎ＋
ｘ （但しＸはハロゲン）で表わせら才ｔろ螢光体。特
開昭５５−１２１４２号記載のＺｎｓ：Ｃｕ。
３−３９２７７号記載のＬｉ２Ｂ４Ｏ７： ＣｕＡｇ等
の螢光体、４１開昭５４−４７８８３号記露のＬ ｉ
２０ ・（Ｂ２０２）ｘ ”、 Ｃｕ （但しｘ ｔｄ
−２＜ ｘ≦３）、およびＬｉ２０（Ｂ２０ｚ）ｘ：Ｃ
ｕ、Ａｇ （但しｘ ｉｄ ２ ＜≦３）等の螢光体、
米国・特許３，８５９，５２７号記脇のＳｒＳ：Ｃｅ、
Ｓｍ、 ＳｒＳ：ＥｌｌｌＳｍ） Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ
、Ｓｍおよび（Ｚｎ ！ Ｃｄ ’） Ｓ ：Ｍｎ＋
ｘ （但しＸはハロゲン）で表わせら才ｔろ螢光体。特
開昭５５−１２１４２号記載のＺｎｓ：Ｃｕ。
Ｂ６４４ｒ’、光体、一般式がＢａ０−ｘＡｅ２０ｓ
”、 Ｅｕ （但し０．８４Ｘ≦１０）で表わされるア
ルミン酸バリウム螢光体、および一般式がＭ■Ｏ・ｘＳ
１０２ ： Ａ Ｃ但しＭＨば＋’ｇ ＋ Ｃａ 。
”、 Ｅｕ （但し０．８４Ｘ≦１０）で表わされるア
ルミン酸バリウム螢光体、および一般式がＭ■Ｏ・ｘＳ
１０２ ： Ａ Ｃ但しＭＨば＋’ｇ ＋ Ｃａ 。
Ｓｒ、Ｚｍ、Ｃｄ ’ｆたはＢａで・あり、ＡばＣｅ、
Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ＋Ｐｂ＋Ｔ７ｇ、ＢｉおよびＭｎのう
ち少くとも１種であり、Ｘは０・５くン：イ２．５であ
る。）で・表わされろγルカリ±ロ金ｒミ３ｉＬ ＦＦ
塩系螢光体。特開昭５５−１２１４３号記７２の一般式
が （［３ａ１−Ｘ−Ｎ４ｇｘＣｆ’、ｙ ） ＦＸ ：
ｅＥｕ” ”（但しＸはＢｒおよびＣ１の中の少くとも
１つであり、］【、ｙおよびｅばそれぞれＯ（ｘ ＋
ｙ ４０．６、ｘｙ〆０および１０−０−４ ｃ ４５
Ｘ １０ ” １’Ｃる多件を湾たす敬である。）で
表わされろアルカリ土類金属ロゲン化物螢光体、特開昭
５５−１２１４４号記ａの一般式が ＬｎＯＸ ： ｘＡ （但しＬｎはＬａ ｇ Ｙ ＋ ＧｄおよびＬｕの少く
とも１つを、ＸばＣ１及び／又はＢｒを、ＡけＣｅ及び
／又はＴｂを、Ｘは０ （ｘ （０，１を酒足する蝕字
な表わす。）で表１つされろづ：２光体、特開昭５５−
１２１４５号記ｔこ０御般式が （Ｂａ、−Ｘｂりｕｘ） ＦＸ：７人 （但しＡｔばＭａ、Ｃａ＋Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄのうち
の少なくとも１つ分、ＸばＣ１ｙＢｒおよび■のうちの
少なくとも１つを、Δ（ｄ Ｅｕ ＋ Ｔｂ Ｉ Ｃｅ
＋ Ｔｍ ＋ Ｄｙ ＋ Ｐ ｒ ＋ Ｆｌｏ ＋
Ｎｄ ＨＹｂ及びＥｒのうちの少くとも１つを、Ｘ及び
ｙは０４Ｘ≦０．６及び０＜；ｙ４０．２なる条件を酒
す０字を表わす。）で表わされろ螢光体、特開昭５５
８４３８９号記載の一般式がＢａＦＸ、ｘｃｅ、ｙＡ
（但し、ＸばＣ１゜ｒ３ｒおよび工のうちの少くとも１
つ、ΔはＩ” ｔ Ｔｌ＋ Ｇｄ ＋ＳｍオＣよびＺｒ
のうちの少くとも１つでｋ）す、ＸおよびｙＨ二それぞ
れＯ＜ ｘ 、、４２ Ｘ １０−’二ｉｔ丁よびＯ＜
ｙと５Ｘ１０−２である。）で表わさ１１．ろ螢光体
、特開Ｍ■ＦＸ ｘＡ：ｙＬｎ （但しＦＮばＢ ａ ＋ Ｃａ ＋ Ｓ ｒ ＋ Ｍｇ
ｔ Ｚ ｎおよびＣｄのうちの少くとも１程、ＡばＢ
ｅ Ｏ＋ ＭｇＯ＋ Ｃｎ Ｏ＋ Ｓ ｒＯｒ Ｂ
ａ Ｏｒ ｚｎＯ＋ＡｌｚＯｓ ＋ Ｙ２Ｏ３＋ Ｌａ
２０＋＋ ｌ Ｉ ｎ２ｏ、、 ＋ ８１０２ ＋ Ｔ
１０２ ＋ Ｚｒ ｏ２． ＧｅＯ２＋ＳｎＯ２，Ｎ
１）２０５ 、 Ｔａ、Ｑ、およびＴｈｅ２のうちの少
くとも１穏、ＬｎはＥｕ、Ｔｂ、Ｃ’ｅ＋Ｔｍ＋Ｄｙ＋
Ｐｒ、ＨＯ＋Ｎｄ＋Ｙｂ＋Ｅｒ＋ＳｍおよびＧｄのうち
の少くとも１鍾、Ｘばｃｅ、Ｂｒおよび工のうち少くと
も１種であり、Ｘおよびｙｆｌそれぞれ５×１０≦Ｘイ
０．５およびＯ＜ｙイ０．２なろ条件を６りたす数であ
る。）で表わされろ希土類元素付活２価金属フルオロハ
ライド螢光体、一般式がＺｎＳ：Ａ 、 ＣｄＳ：Ａ
、 （Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａ 、 ＺｎＳ：Ａ、Ｘおよび
ｃａｓ：Ａ、ｘ （但しＡ−ｕ Ｃｕ ＋ Ａｇ ＋
Ａｕ ’ｉたけＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で
表わされる螢光体、特彦昭５７ １４８２８５４８２８
５号記載０またば［１１，１、一般式ＣＩ ］ ｘ
Ｍａ（ＰＯ４）２°ＮＸ、 ： ｙＡ一般式［：、ＴＪ
］ Ｍｓ（ＰＯ４）２ ： ｙＡ（式中、へグおよ
びＮけそれぞれＭｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ＋Ｉ３ａ、Ｚｎおよび
Ｃｄの少くとも１種、ＸけＦ、Ｃ／？、１３ｒオじょび
■の少くとも１０、ＡばＥｕ ｇ Ｔｂ ＋ ＣＧ ＋
’ＩＴｉ’ｌ ｇ Ｄ７ ｒ Ｐ ｒ ＋ Ｅ（ｅ
ＨＮｄ ｌ Ｙｂ ｌ Ｅｒ ｌ Ｓｂ ｌ Ｔｄ 、
ｔｙｉｎおよびＳｎの少くとも１種を表わす。またＸお
よびｙは、Ｏ（Ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる多件を漕た”ｆ
数字である。）で表わされろ得光体、および一般式（Ｉ
ＪＤまたは匿〕−・般式〔ＩＩＩ） ｎＲｅＸ３
・ｍＡＸ’２ ：ｘＥｕ一般式［ＪＶｌ］ ｎＲｅ
Ｘ３ 撃ｍＡＸ’２ ： ｘＥｕ 書ｙＳｍ（式中、Ｌ
ｌｅはＬａ ＋ Ｇｄ ＋ Ｙ ＋ Ｌｕの少くとも１
（ユ、ＡＵアルカリ土類金属、Ｂ ａ ＨＳ ｒ ！
ＣＢの少くとも１０、ＸおよびＸ′ばＦ ＋ Ｃｐ ＋
Ｂ ｒの少くとも一行を表わす。
Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ＋Ｐｂ＋Ｔ７ｇ、ＢｉおよびＭｎのう
ち少くとも１種であり、Ｘは０・５くン：イ２．５であ
る。）で・表わされろγルカリ±ロ金ｒミ３ｉＬ ＦＦ
塩系螢光体。特開昭５５−１２１４３号記７２の一般式
が （［３ａ１−Ｘ−Ｎ４ｇｘＣｆ’、ｙ ） ＦＸ ：
ｅＥｕ” ”（但しＸはＢｒおよびＣ１の中の少くとも
１つであり、］【、ｙおよびｅばそれぞれＯ（ｘ ＋
ｙ ４０．６、ｘｙ〆０および１０−０−４ ｃ ４５
Ｘ １０ ” １’Ｃる多件を湾たす敬である。）で
表わされろアルカリ土類金属ロゲン化物螢光体、特開昭
５５−１２１４４号記ａの一般式が ＬｎＯＸ ： ｘＡ （但しＬｎはＬａ ｇ Ｙ ＋ ＧｄおよびＬｕの少く
とも１つを、ＸばＣ１及び／又はＢｒを、ＡけＣｅ及び
／又はＴｂを、Ｘは０ （ｘ （０，１を酒足する蝕字
な表わす。）で表１つされろづ：２光体、特開昭５５−
１２１４５号記ｔこ０御般式が （Ｂａ、−Ｘｂりｕｘ） ＦＸ：７人 （但しＡｔばＭａ、Ｃａ＋Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄのうち
の少なくとも１つ分、ＸばＣ１ｙＢｒおよび■のうちの
少なくとも１つを、Δ（ｄ Ｅｕ ＋ Ｔｂ Ｉ Ｃｅ
＋ Ｔｍ ＋ Ｄｙ ＋ Ｐ ｒ ＋ Ｆｌｏ ＋
Ｎｄ ＨＹｂ及びＥｒのうちの少くとも１つを、Ｘ及び
ｙは０４Ｘ≦０．６及び０＜；ｙ４０．２なる条件を酒
す０字を表わす。）で表わされろ螢光体、特開昭５５
８４３８９号記載の一般式がＢａＦＸ、ｘｃｅ、ｙＡ
（但し、ＸばＣ１゜ｒ３ｒおよび工のうちの少くとも１
つ、ΔはＩ” ｔ Ｔｌ＋ Ｇｄ ＋ＳｍオＣよびＺｒ
のうちの少くとも１つでｋ）す、ＸおよびｙＨ二それぞ
れＯ＜ ｘ 、、４２ Ｘ １０−’二ｉｔ丁よびＯ＜
ｙと５Ｘ１０−２である。）で表わさ１１．ろ螢光体
、特開Ｍ■ＦＸ ｘＡ：ｙＬｎ （但しＦＮばＢ ａ ＋ Ｃａ ＋ Ｓ ｒ ＋ Ｍｇ
ｔ Ｚ ｎおよびＣｄのうちの少くとも１程、ＡばＢ
ｅ Ｏ＋ ＭｇＯ＋ Ｃｎ Ｏ＋ Ｓ ｒＯｒ Ｂ
ａ Ｏｒ ｚｎＯ＋ＡｌｚＯｓ ＋ Ｙ２Ｏ３＋ Ｌａ
２０＋＋ ｌ Ｉ ｎ２ｏ、、 ＋ ８１０２ ＋ Ｔ
１０２ ＋ Ｚｒ ｏ２． ＧｅＯ２＋ＳｎＯ２，Ｎ
１）２０５ 、 Ｔａ、Ｑ、およびＴｈｅ２のうちの少
くとも１穏、ＬｎはＥｕ、Ｔｂ、Ｃ’ｅ＋Ｔｍ＋Ｄｙ＋
Ｐｒ、ＨＯ＋Ｎｄ＋Ｙｂ＋Ｅｒ＋ＳｍおよびＧｄのうち
の少くとも１鍾、Ｘばｃｅ、Ｂｒおよび工のうち少くと
も１種であり、Ｘおよびｙｆｌそれぞれ５×１０≦Ｘイ
０．５およびＯ＜ｙイ０．２なろ条件を６りたす数であ
る。）で表わされろ希土類元素付活２価金属フルオロハ
ライド螢光体、一般式がＺｎＳ：Ａ 、 ＣｄＳ：Ａ
、 （Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａ 、 ＺｎＳ：Ａ、Ｘおよび
ｃａｓ：Ａ、ｘ （但しＡ−ｕ Ｃｕ ＋ Ａｇ ＋
Ａｕ ’ｉたけＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で
表わされる螢光体、特彦昭５７ １４８２８５４８２８
５号記載０またば［１１，１、一般式ＣＩ ］ ｘ
Ｍａ（ＰＯ４）２°ＮＸ、 ： ｙＡ一般式［：、ＴＪ
］ Ｍｓ（ＰＯ４）２ ： ｙＡ（式中、へグおよ
びＮけそれぞれＭｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ＋Ｉ３ａ、Ｚｎおよび
Ｃｄの少くとも１種、ＸけＦ、Ｃ／？、１３ｒオじょび
■の少くとも１０、ＡばＥｕ ｇ Ｔｂ ＋ ＣＧ ＋
’ＩＴｉ’ｌ ｇ Ｄ７ ｒ Ｐ ｒ ＋ Ｅ（ｅ
ＨＮｄ ｌ Ｙｂ ｌ Ｅｒ ｌ Ｓｂ ｌ Ｔｄ 、
ｔｙｉｎおよびＳｎの少くとも１種を表わす。またＸお
よびｙは、Ｏ（Ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる多件を漕た”ｆ
数字である。）で表わされろ得光体、および一般式（Ｉ
ＪＤまたは匿〕−・般式〔ＩＩＩ） ｎＲｅＸ３
・ｍＡＸ’２ ：ｘＥｕ一般式［ＪＶｌ］ ｎＲｅ
Ｘ３ 撃ｍＡＸ’２ ： ｘＥｕ 書ｙＳｍ（式中、Ｌ
ｌｅはＬａ ＋ Ｇｄ ＋ Ｙ ＋ Ｌｕの少くとも１
（ユ、ＡＵアルカリ土類金属、Ｂ ａ ＨＳ ｒ ！
ＣＢの少くとも１０、ＸおよびＸ′ばＦ ＋ Ｃｐ ＋
Ｂ ｒの少くとも一行を表わす。
またＸおよびｙは、Ｉ Ｘ １０”−’ ＜ ｘ （３
Ｘ １０−’、Ｉ Ｘ １ｏ−’＜ ｙ ＜ １ ｘ
１０−’なる菌性を酒た１−ｖご字であり、ｎ／ｉｎ
ｉ’ｊ、Ｉ Ｘ １０−ｓ＜ ｒｖ’ｒｒｒ （７Ｘ
１０−’なるの件をｉτｆだす。）で哀わされろ芒光体
笥が番げられろ。
Ｘ １０−’、Ｉ Ｘ １ｏ−’＜ ｙ ＜ １ ｘ
１０−’なる菌性を酒た１−ｖご字であり、ｎ／ｉｎ
ｉ’ｊ、Ｉ Ｘ １０−ｓ＜ ｒｖ’ｒｒｒ （７Ｘ
１０−’なるの件をｉτｆだす。）で哀わされろ芒光体
笥が番げられろ。
しかしながら、本発明しζ係ノっろ放射γ７１而イ２変
僕方法て用いられるや）光体は上述の発ヴ、ＺＣ：：に
限らり１石ものでになく、放射線を照射した後励起光を
照射した賜金ＶｃＦ尽発光を示すものであればいかなる
螢光体であってもよいことは官５までも１℃い。
僕方法て用いられるや）光体は上述の発ヴ、ＺＣ：：に
限らり１石ものでになく、放射線を照射した後励起光を
照射した賜金ＶｃＦ尽発光を示すものであればいかなる
螢光体であってもよいことは官５までも１℃い。
使用する輝尽性螢光体の平均粒子径は放射線画ｆダ変換
パネルの感度と粒状性を考慮して平均粒子径０．１乃至
１００μ７ｎの範囲に於て適宜選択さハ、ろ。
パネルの感度と粒状性を考慮して平均粒子径０．１乃至
１００μ７ｎの範囲に於て適宜選択さハ、ろ。
さらに好ましくは平均粒径が１乃至３０μｍのものが使
用さ、１１、ろ。ただし、螢光体層箔様の小房よりも大
きｌ、Ｃ粒径のものに望ましくない。
用さ、１１、ろ。ただし、螢光体層箔様の小房よりも大
きｌ、Ｃ粒径のものに望ましくない。
本発明の放射線画作変換パネル眞おいて、一般的には上
述の輝尽性螢光体は適当な結倍剤中に分数さＪｔ、螢光
体層基根の小房ｔて光層されろ。結賠剤として１ｔゴ１
、例えばゼラチンの如き蛋白質、デキストランの如きポ
リサッカライド又はアラビアゴム、ポリビニルブチラー
ル、ポリ酸じ０ビニル、ニトロセルロース、エチルセル
ロース、塩化ヒ＝ｌＪデンー塔化ビニルコポリマー、ポ
リメチルメタク！Ｊｌ／−トー、ｔ＝化ビニル−１！ｉ
ｒのビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロースアセ
テートブチ１／−ト、ポリビニルアルコール等のような
通常Ｆｄ影形成用いられろ結合剤が使用される。一般に
結合剤は）罪尽件Ω光体１重付部に対して０．０１乃至
ｌ定合部の範囲で使用される。しかしながら得らｉＬる
放射線画像変換パネルの感度と鮮鋭度の点では結合剤は
少ない方が好ましく、塗布の容易さとの爺合いから０．
０３乃至０．２重ａ部の樋門がより好ましく・。
述の輝尽性螢光体は適当な結倍剤中に分数さＪｔ、螢光
体層基根の小房ｔて光層されろ。結賠剤として１ｔゴ１
、例えばゼラチンの如き蛋白質、デキストランの如きポ
リサッカライド又はアラビアゴム、ポリビニルブチラー
ル、ポリ酸じ０ビニル、ニトロセルロース、エチルセル
ロース、塩化ヒ＝ｌＪデンー塔化ビニルコポリマー、ポ
リメチルメタク！Ｊｌ／−トー、ｔ＝化ビニル−１！ｉ
ｒのビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロースアセ
テートブチ１／−ト、ポリビニルアルコール等のような
通常Ｆｄ影形成用いられろ結合剤が使用される。一般に
結合剤は）罪尽件Ω光体１重付部に対して０．０１乃至
ｌ定合部の範囲で使用される。しかしながら得らｉＬる
放射線画像変換パネルの感度と鮮鋭度の点では結合剤は
少ない方が好ましく、塗布の容易さとの爺合いから０．
０３乃至０．２重ａ部の樋門がより好ましく・。
さらに本発明の放射餞画仙変換パネルにおいては、−役
に螢光体層の外部に露呈する面（螢光体重基板の底部で
隠蔽されない面）Ｋ螢光体口を物理的あるいは化学的に
保唖するための保護膜が設けられる。この保眼厄は保ｒ
Ｘ５市３用塗布漂を螢光体倍上に直接塗布して形成して
もよいし、あるいはあらかじめ別途形成された保乃８を
螢光体口上に接倍してもよい。保ワ購の材料としてはニ
トロセルロース、エチルセルロース、セルロースアセテ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート等の
ような通営の保設例用材料が用いられる。
に螢光体層の外部に露呈する面（螢光体重基板の底部で
隠蔽されない面）Ｋ螢光体口を物理的あるいは化学的に
保唖するための保護膜が設けられる。この保眼厄は保ｒ
Ｘ５市３用塗布漂を螢光体倍上に直接塗布して形成して
もよいし、あるいはあらかじめ別途形成された保乃８を
螢光体口上に接倍してもよい。保ワ購の材料としてはニ
トロセルロース、エチルセルロース、セルロースアセテ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート等の
ような通営の保設例用材料が用いられる。
尚、この保護膜は輝尽発光光をみ過し、また励起光の照
射が保ＴＵＦＴ側から行なわれる場合には励起光を透過
するものとして前記のものが還ばれろ・本発明の放射線
画像変換パネルは第８図に概略的に示されろ放射線画像
変換方法Ｃ（用いられた場合優れた鮮鋭度を有する画像
を与えろ。
射が保ＴＵＦＴ側から行なわれる場合には励起光を透過
するものとして前記のものが還ばれろ・本発明の放射線
画像変換パネルは第８図に概略的に示されろ放射線画像
変換方法Ｃ（用いられた場合優れた鮮鋭度を有する画像
を与えろ。
すなわち、第８図において１６は放射線発生装置、１７
は被写体、１８は本発明の放射線画像変換パネル、１９
は該放８１画像変換パネルの放射線潜像を螢光として放
射させるだめの励起光源、２０は放射線画像変換パネル
より放射された光電を検出する光電変換装置、２１は光
電変換装混加で検出された光電変換信号を画像として再
生する画像再生装置、２２は再生された画像を表示する
画像表示装置、餡は光源１９ｈ）らの反射光をカットし
、放射線画像変換パネル１８より放射された光のみを透
過させるためのフィルターで′Ｅ−）る。光電変換装置
」〜画伯表示装置２２は放射線変換パネル１８からの光
情報を何らかの形で画像として再生できろものであね、
ばよく、」二記に限定されるものでは１．ｃい。
は被写体、１８は本発明の放射線画像変換パネル、１９
は該放８１画像変換パネルの放射線潜像を螢光として放
射させるだめの励起光源、２０は放射線画像変換パネル
より放射された光電を検出する光電変換装置、２１は光
電変換装混加で検出された光電変換信号を画像として再
生する画像再生装置、２２は再生された画像を表示する
画像表示装置、餡は光源１９ｈ）らの反射光をカットし
、放射線画像変換パネル１８より放射された光のみを透
過させるためのフィルターで′Ｅ−）る。光電変換装置
」〜画伯表示装置２２は放射線変換パネル１８からの光
情報を何らかの形で画像として再生できろものであね、
ばよく、」二記に限定されるものでは１．ｃい。
また光源１９からの反射光をカットするＫはフィルター
乙を用いずに特願昭５７−１２４７４４号ｆ示されてい
る発光の遅れ分利用して分難する方法によってもよい。
乙を用いずに特願昭５７−１２４７４４号ｆ示されてい
る発光の遅れ分利用して分難する方法によってもよい。
放射線を照射すると、放射線は被写体１７の各部の放射
線透過像の変化に従って透過し、その遇過仁（すなわち
放射線の強弱の俄）が放射線画像変色パネル１８に入射
する。この入射した透過像は放射Ｈ画ＱＴＨ変ＪＤ ハ
不ル１８の螢光体層に吸収され、これ（でよって螢光体
１９中に吸収した放射線計に比例１゜た数の電子及び／
′又（佳正孔が発生し、これが螢光体のトラップレベル
に蓄積される。すなわち放射線透過像のマ！ｒ積（：：
ｚ（潜像）が形成されろ。
線透過像の変化に従って透過し、その遇過仁（すなわち
放射線の強弱の俄）が放射線画像変色パネル１８に入射
する。この入射した透過像は放射Ｈ画ＱＴＨ変ＪＤ ハ
不ル１８の螢光体層に吸収され、これ（でよって螢光体
１９中に吸収した放射線計に比例１゜た数の電子及び／
′又（佳正孔が発生し、これが螢光体のトラップレベル
に蓄積される。すなわち放射線透過像のマ！ｒ積（：：
ｚ（潜像）が形成されろ。
次にこのｎ俄を励起光で励起して輝尽発光として放射せ
しめ、顕在化する。本発明の放射銀画ｆ′：、８変撲パ
ネル１８ば、隔壁部材にょっ゛Ｃ多数の小房に分割され
ており、上記螢光体層の励起の際に励起光が螢光体Ｒ５
内で広がるのが抑ｔｌｒｌＪされろ。放射された螢光の
強す５（・１行猜された電子及び／又は正孔の薮、１−
なわち放射と字画像変換７油、ッ比の螢光体電気信号に
変換し、画伯再生装量２１によって画「ことして再生し
、画像表示装置２２によってこの画伯を表示する。
しめ、顕在化する。本発明の放射銀画ｆ′：、８変撲パ
ネル１８ば、隔壁部材にょっ゛Ｃ多数の小房に分割され
ており、上記螢光体層の励起の際に励起光が螢光体Ｒ５
内で広がるのが抑ｔｌｒｌＪされろ。放射された螢光の
強す５（・１行猜された電子及び／又は正孔の薮、１−
なわち放射と字画像変換７油、ッ比の螢光体電気信号に
変換し、画伯再生装量２１によって画「ことして再生し
、画像表示装置２２によってこの画伯を表示する。
以下余白
；−″
次に本発明の放射線画像Ｋ Ｊ”４ ”’ネルの８遣方
法について説明する。まず前記型取り法に於ては第９図
のように・２３１図に示した螢光体層基板と龜（割の形
をした母刑冴を作勝する。この母型にシ１ノコン結晶材
より成る平板の表面に第１図の”１＋ ｈ４より多少大
きなＷ２ ＋ １１４なる幅と深さとを有する溝ｔダイ
ヤモンド刃によって形成したものである。
法について説明する。まず前記型取り法に於ては第９図
のように・２３１図に示した螢光体層基板と龜（割の形
をした母刑冴を作勝する。この母型にシ１ノコン結晶材
より成る平板の表面に第１図の”１＋ ｈ４より多少大
きなＷ２ ＋ １１４なる幅と深さとを有する溝ｔダイ
ヤモンド刃によって形成したものである。
次にこの母型に）成形剤７流し込むＯこの成形剤は二Ｑ
化チタンをｒ２１科として加えた白色シリコンゴム箋の
仕上り徨の隔壁での励起ブＣの透過がＣよと、んどなく
、成形に際して流動性が良く、ｍ型性にいれ、且つ収縮
性が少ない材料が好ましい。成形剤が固化した亡母型か
らこれ乞「１型して、第１図の螢）′ｔ、体層尤教を得
る。この基板の小房のそｔＬ、ぞれに初元体を充填する
ことによって、本発明の放射扉画仰変僕パネルが製造さ
れる。
化チタンをｒ２１科として加えた白色シリコンゴム箋の
仕上り徨の隔壁での励起ブＣの透過がＣよと、んどなく
、成形に際して流動性が良く、ｍ型性にいれ、且つ収縮
性が少ない材料が好ましい。成形剤が固化した亡母型か
らこれ乞「１型して、第１図の螢）′ｔ、体層尤教を得
る。この基板の小房のそｔＬ、ぞれに初元体を充填する
ことによって、本発明の放射扉画仰変僕パネルが製造さ
れる。
次［濃色法に於ては、例えば感光性（ヨ脂板を使用した
賜金に１．１、まず元に対し不ｔ１明部分が島状のパタ
ーンＴＫ府″ｆろマスクを例えばナイロン系感光性樹脂
（プリンタイト；東洋紡ぐ・′２株式会社興）の表面に
密着させ、感光波長域２５０〜４００ ｎｍの波長を含
む紫外線で照射する。露光後にこの感光性窃脂を現像す
る。この現像によって上記の感光性８脂の場合非露光部
が流され、第１Ｏ図の如く螢光体層基板５が形成される
。この基板５の小房に螢光体を充填することによって放
射線画像変換パネルが貯造される。またこの場合一般に
感光性樹脂ｉ”！透明である為、第１１図に示す如く小
房の隔壁内面に光吸収体、若しくは元反射体あが塗布若
しくは魚乃される。
賜金に１．１、まず元に対し不ｔ１明部分が島状のパタ
ーンＴＫ府″ｆろマスクを例えばナイロン系感光性樹脂
（プリンタイト；東洋紡ぐ・′２株式会社興）の表面に
密着させ、感光波長域２５０〜４００ ｎｍの波長を含
む紫外線で照射する。露光後にこの感光性窃脂を現像す
る。この現像によって上記の感光性８脂の場合非露光部
が流され、第１Ｏ図の如く螢光体層基板５が形成される
。この基板５の小房に螢光体を充填することによって放
射線画像変換パネルが貯造される。またこの場合一般に
感光性樹脂ｉ”！透明である為、第１１図に示す如く小
房の隔壁内面に光吸収体、若しくは元反射体あが塗布若
しくは魚乃される。
更に＼金凪板のエツチングを使用した製造方法について
説明する。まず例えばニッケル板の両面に例えばジノプ
レー社から販売されている感光性ご脂ＡＺ −１３５０
を均一に塗布する。次に光透過部分が島状のパターンを
有するマスクを上記のニッケル板の両面に表恣のパター
ンが整合する様に密着させ紫外線でｉＥ元する。Ｅ光径
この感光性樹脂を現像する。この現像によって上記の感
光性尉脂の賜金露うｔ部が流される。次にこのニッケル
板を１２０’Ｃで３０分間べ一牛ングした後酸でニッケ
ル板をエツチングすることによって第１２図に示すよっ
な固壁部材２７が形成されろ。このに−壁部材を底部拐
となる例えばポリエチレンテレフタレートに接着し’、
、’ａ ５’ｅ体層基鈑が形ルＺされる。この基板の小
房に螢光体を充填することによって放射線画像変換パネ
ルが製造される。
説明する。まず例えばニッケル板の両面に例えばジノプ
レー社から販売されている感光性ご脂ＡＺ −１３５０
を均一に塗布する。次に光透過部分が島状のパターンを
有するマスクを上記のニッケル板の両面に表恣のパター
ンが整合する様に密着させ紫外線でｉＥ元する。Ｅ光径
この感光性樹脂を現像する。この現像によって上記の感
光性尉脂の賜金露うｔ部が流される。次にこのニッケル
板を１２０’Ｃで３０分間べ一牛ングした後酸でニッケ
ル板をエツチングすることによって第１２図に示すよっ
な固壁部材２７が形成されろ。このに−壁部材を底部拐
となる例えばポリエチレンテレフタレートに接着し’、
、’ａ ５’ｅ体層基鈑が形ルＺされる。この基板の小
房に螢光体を充填することによって放射線画像変換パネ
ルが製造される。
上述したように本発明の放射だＩ画仰変侯／ぜネルは、
クク元体層基板の多俄の隔壁部材によって螢光体層が小
房に分割されており、励起う”０の螢光体層内での広が
りが抑制されるので画１象の鮮鋭度か若しく向上し工県
的価値の非常ｖｃ品いものである。
クク元体層基板の多俄の隔壁部材によって螢光体層が小
房に分割されており、励起う”０の螢光体層内での広が
りが抑制されるので画１象の鮮鋭度か若しく向上し工県
的価値の非常ｖｃ品いものである。
（実施例）
次に実施例によって不発明を説明づ−ろ。
実施例１
ナイロン：！？−，感光性討脂（ブリンクイト；東）ζ
：′＝紡【１株式会社鎧）の表面に非１秀過部分がＬ′
ｂ状のパターンをイアするマスクを密着し、宕外線で１
分間露光した。露光後、この感光性ｔｙｔ肘を水で現像
して第１０図に示したような螢光体層１５様を作襲した
。
：′＝紡【１株式会社鎧）の表面に非１秀過部分がＬ′
ｂ状のパターンをイアするマスクを密着し、宕外線で１
分間露光した。露光後、この感光性ｔｙｔ肘を水で現像
して第１０図に示したような螢光体層１５様を作襲した
。
この基板の小房の大きさは、ｄ、 ＝ ｄ、 ＝ １０
０μｍ１ｈ、 ＝ ２００ ｔｔｍであり、隔壁の厚さ
はＷｌ ＝ ４０ ｆｉｍであった。また該小房の内壁
に反射率８０％のアルミニウム蒸賠ハ４をつけたＣ真空
度２ Ｘｌ０−’ ｔｏｒｒ ％加熱蒸着）。
０μｍ１ｈ、 ＝ ２００ ｔｔｍであり、隔壁の厚さ
はＷｌ ＝ ４０ ｆｉｍであった。また該小房の内壁
に反射率８０％のアルミニウム蒸賠ハ４をつけたＣ真空
度２ Ｘｌ０−’ ｔｏｒｒ ％加熱蒸着）。
次に平均粒径２μｍのＢａＦＢｒ ： Ｅｕ螢光体８重
量部およびポリビニルブチラールＣ結着剤）１重量部′
ｆｆ：ｍ削（シクロへギサノン）を用いて混合分１孜し
て塗布液とした。この塗布液乞水平に置いた上記螢光体
ｊ―凸根上に均一に塗布し、各小房に充填し、−昼夜放
置して放射線画像変換パネル八を得た。
量部およびポリビニルブチラールＣ結着剤）１重量部′
ｆｆ：ｍ削（シクロへギサノン）を用いて混合分１孜し
て塗布液とした。この塗布液乞水平に置いた上記螢光体
ｊ―凸根上に均一に塗布し、各小房に充填し、−昼夜放
置して放射線画像変換パネル八を得た。
一方これとは別に、上記の螢光体層基板ビ用いないで水
平１ｃ Ｅ−いたポリエチレンテレフタレートフィルム
上に上記塗布液ビ乾燥膜厚２００μｍとなるように塗布
したこと以外は上記と同様にして比較用の放射線画像変
換パネルＢ’ｆ得た。
平１ｃ Ｅ−いたポリエチレンテレフタレートフィルム
上に上記塗布液ビ乾燥膜厚２００μｍとなるように塗布
したこと以外は上記と同様にして比較用の放射線画像変
換パネルＢ’ｆ得た。
次に上記放射線画つ変換パネルＡおよびＢそれぞれに管
Ｓ圧８０ ＫＶｐ Ｏ） Ｘ 腺ｆｉ照射した後ｘ５ｏ
ｔｔｍφのｌｉｅ −Ｎｃレーザ元で走査し、螢光体を
励起して、螢光体からの発光光を受光ｇ：ｉ（光電子増
倍ｑ２勺で受光して電気信号に変供し、これ乞′＃Ｉ像
再生装置によって画Ｇ＜’！３として再生して表示装置
上に画像を得た。得られたそれぞれの画像の変調伝達関
数（ＭＴＦ）を調べた。その結果を第１表に示す。
Ｓ圧８０ ＫＶｐ Ｏ） Ｘ 腺ｆｉ照射した後ｘ５ｏ
ｔｔｍφのｌｉｅ −Ｎｃレーザ元で走査し、螢光体を
励起して、螢光体からの発光光を受光ｇ：ｉ（光電子増
倍ｑ２勺で受光して電気信号に変供し、これ乞′＃Ｉ像
再生装置によって画Ｇ＜’！３として再生して表示装置
上に画像を得た。得られたそれぞれの画像の変調伝達関
数（ＭＴＦ）を調べた。その結果を第１表に示す。
第 １ 表
上記第１表より明らかなように・ご元体層を小房に分割
した放射線画像変換パネルＡは、従来の放射綿画像変侯
パネルＢに比較して鮮鋭度が極めて高い画佇ビ与えろ。
した放射線画像変換パネルＡは、従来の放射綿画像変侯
パネルＢに比較して鮮鋭度が極めて高い画佇ビ与えろ。
実施例
実施例１のナイロン系感光性樹脂を用いる代ワリに、ニ
ッケルをエツチングして第１２図に示すような螢光体１
各基板を作製した。この基板の小房の大きさｔｌ’ｉ
ｄ、 ＝ ｄ、＝ １２０μ７７Ｌ−ｈｌ” １９０
ｆｉｎであり、隔壁の厚さは最小の所で３５μｍであっ
た。次に実施例１のＢａＦＢｒ ： Ｅｕ ’ｆｄうｔ
体の代わりに０．ＩＭＦ、 −０，９ＢａＦＢｒ ：
Ｅｕ 螢光体を用いて実施例１と同様にして塗布液を作
り、実施例１と同様にして塗布・乾性して放射線画像変
換パネルＣを得た。
ッケルをエツチングして第１２図に示すような螢光体１
各基板を作製した。この基板の小房の大きさｔｌ’ｉ
ｄ、 ＝ ｄ、＝ １２０μ７７Ｌ−ｈｌ” １９０
ｆｉｎであり、隔壁の厚さは最小の所で３５μｍであっ
た。次に実施例１のＢａＦＢｒ ： Ｅｕ ’ｆｄうｔ
体の代わりに０．ＩＭＦ、 −０，９ＢａＦＢｒ ：
Ｅｕ 螢光体を用いて実施例１と同様にして塗布液を作
り、実施例１と同様にして塗布・乾性して放射線画像変
換パネルＣを得た。
一方これとは別に上記の螢光体層基板を用いないで水平
に置いたポリエチレンテレフタレートフィルム上に上記
箪布液ビ乾燥膜厚１９０μｍどなるよう［塗布したこと
以外は上記と同様にして比較用放射綜画像度換パネルＤ
を得た。実施例１と同様にして放射線画像を変換するこ
とによって得られた１ｉＬｉｉ像のｈｌＴＦを下記第２
表に示す。
に置いたポリエチレンテレフタレートフィルム上に上記
箪布液ビ乾燥膜厚１９０μｍどなるよう［塗布したこと
以外は上記と同様にして比較用放射綜画像度換パネルＤ
を得た。実施例１と同様にして放射線画像を変換するこ
とによって得られた１ｉＬｉｉ像のｈｌＴＦを下記第２
表に示す。
第 ２ 表
上記第２表より明らかなように螢光体層を小房に分割し
た放射恕画像度換パネルＣは従来の放射線画伝変換パネ
ルＤに比較して鮮鋭度が極めて窩いｖ！ｉ保を与える。
た放射恕画像度換パネルＣは従来の放射線画伝変換パネ
ルＤに比較して鮮鋭度が極めて窩いｖ！ｉ保を与える。
（発明の効呆）
本発明の目的が達成されると同時に、輝尽性螢光体を使
用する放射線画像変換方法に於る鮮鋭度を向上させる一
般的方法Ｚ提供することができ、この技術分野の進展に
貢献することができた。
用する放射線画像変換方法に於る鮮鋭度を向上させる一
般的方法Ｚ提供することができ、この技術分野の進展に
貢献することができた。
第１図は本発明の放射越画イ９慶儂パネルの実施例を示
す一部断面図、第２図は第１図の平面図、第３図は本発
明の他の実施例〉示す平面図、第４図（ａ）は従来の放
射部画儂変投パネルの特性ビ示す図、（ｂ）＆ま本発明
の放射線西俄変換パネルの特性を示す図、第５〜ｆ：ｆ
Ｊ７図は本発明の他の実施例を示す断面図、第８図は本
発明の放射線画像変色パネルを用いた放射だ１画像情報
記録方法の（′５Ｅ略図を示す図、第９図は第３図の放
射錦画俄変摂パネルの製造に使用する母型の断面図、第
１Ｏ図はＦＬＹ元性わｊ脂Ｚ使用して作製した螢光体層
基板の断面図、第１１図は第１Ｏ図の螢光体層基板に反
射層を設けた放射線変換パネルの断面図、第１２図は金
属板を使用して作製した螢光体層基板の断面図である。 ｌＯ・・・螢光体層基板１１１・・・底 部＼１２・・
・隔壁部材−，１３・・・小 房、１４・・・輝尽性螢
光体、 １５・・・螢）を体層、１６・・・放射えつ
発生装置、 １７・・・被写体、１８・・・放射錦画岱
変換パネル、 １９・・・励起光源、 Ｕ・・・母 型。 代理人 桑 原 Ｕ 美 第１図 １１ 第２図 第５図 病４図 （α） （ｂン 第５図 ２ 第６図 第７閉 第９図 ２４ 第１０図 弔１１図 ５ 第１２図
す一部断面図、第２図は第１図の平面図、第３図は本発
明の他の実施例〉示す平面図、第４図（ａ）は従来の放
射部画儂変投パネルの特性ビ示す図、（ｂ）＆ま本発明
の放射線西俄変換パネルの特性を示す図、第５〜ｆ：ｆ
Ｊ７図は本発明の他の実施例を示す断面図、第８図は本
発明の放射線画像変色パネルを用いた放射だ１画像情報
記録方法の（′５Ｅ略図を示す図、第９図は第３図の放
射錦画俄変摂パネルの製造に使用する母型の断面図、第
１Ｏ図はＦＬＹ元性わｊ脂Ｚ使用して作製した螢光体層
基板の断面図、第１１図は第１Ｏ図の螢光体層基板に反
射層を設けた放射線変換パネルの断面図、第１２図は金
属板を使用して作製した螢光体層基板の断面図である。 ｌＯ・・・螢光体層基板１１１・・・底 部＼１２・・
・隔壁部材−，１３・・・小 房、１４・・・輝尽性螢
光体、 １５・・・螢）を体層、１６・・・放射えつ
発生装置、 １７・・・被写体、１８・・・放射錦画岱
変換パネル、 １９・・・励起光源、 Ｕ・・・母 型。 代理人 桑 原 Ｕ 美 第１図 １１ 第２図 第５図 病４図 （α） （ｂン 第５図 ２ 第６図 第７閉 第９図 ２４ 第１０図 弔１１図 ５ 第１２図
Claims (3)
- （１）基板に灯尽性螢光体票を設けた放射ね画像変換パ
ネルに於て、前記輝尽性螢光体が、隔壁部材によって多
数個に区切られた小房から成ろハニカム（ｈｏｎｅｙ
ｃｏｍｂ ）で１造の各小房に光層さね、ていることを
特徴とする放射線ｊｉ！ｉｉ岱変換パネル。 - （２）基板ＶＣｎＣｎ帯性螢光体層けた放射繍画俄変換
パネルに於て、前記輝尽性螢光体を、母型から直型する
ことによって形成した隔壁部材によって多数個に区切ら
れた小房から成るハニカム（ｈｏｎｅｙ ｃｏｍｂ ）
構造の基標の各小房・て充填′ｆろことを特徴とする
放射縮画俄変０パネルの贋造方法。 - （３）基イ反にｆｆｉ’ｉｔ尽性螢光体口２設けた放射
線画像変換パネルに於て、前記輝尽性螢光体を前記基板
を濃色することによって形成した隔壁部材によって多数
個に区切られた小房からなるハニカム（ｈｏ、ｎｅｙ
ｃｏｍｂ ）構造の基板の各小房に光層１−ろことを特
徴とする放射線画作変換パネルの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58077220A JPS59202100A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
| DE8484302896T DE3475848D1 (en) | 1983-04-30 | 1984-04-30 | Method for reproducing a radiation image |
| EP19840302896 EP0126564B1 (en) | 1983-04-30 | 1984-04-30 | Method for reproducing a radiation image |
| US06/829,466 US4752557A (en) | 1983-04-30 | 1986-02-12 | Method of radiphotography using light-stimulable radiation image storage panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58077220A JPS59202100A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202100A true JPS59202100A (ja) | 1984-11-15 |
| JPH0434715B2 JPH0434715B2 (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=13627762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58077220A Granted JPS59202100A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4752557A (ja) |
| EP (1) | EP0126564B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59202100A (ja) |
| DE (1) | DE3475848D1 (ja) |
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| JP2004515790A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | アグファ ゲーヴェルト アクチェンゲゼルシャフト | メモリ層，変換層，ｘ線情報の読出装置及びｘ線カセット |
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