JPS63165842A - 放射線像変換方法およびそれに用いられる放射線像変換体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、放射線像変換方法およびその方法に用いられ
る放射線像変換体に関するものである。

［発明の背景］ 従来の放射線写真法に代わる方法として、たとえば特開
昭５５−１２１４５号公報等に記載されているような輝
尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法が知られている
。この方法は被写体を透過した放射線、あるいは被検体
から発せられた放射線のエネルギーな輝尽性蛍光体に吸
収させ、そののち輝尽性蛍光体を可視光線および赤外線
から選ばれる電磁波（励起光）で時系列的に励起するこ
とにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネ
ルギーを蛍光（輝尽発光光）として放出させ、この蛍光
を光電的に読取って電気信号を得たのち電気信号を感光
フィルム等の記録材料、ＣＲＴ等の表示装置上に可視像
として再生するものである。

この放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法を
利用した場合に比較してはるかに少ない被曝線量で情報
量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点が
ある。従って、この方法は、特に医療診断を目的とする
Ｘ線撮影などの直接医療用放射線撮影において利用価値
が非常に高いものである。

放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネル（蓄
積性蛍光体シートとも称する）は、基本構造として、支
持体とその片面に設けられた輝尽性蛍光体層とから構成
される。なお、輝尽性蛍光体層が自己支持性である場合
には支持体を必要としない、また、輝尽性蛍光体層の支
持体とは反対側の表面（支持体に面していない側の表面
）には、一般に透明な保護膜が設けられていて蛍光体層
を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している
。

上記放射線像変換方法および放射線像変換パネルの感度
はできる限り高いことが望ましく、従って、それに用い
られる輝尽性蛍光体は輝尽発光量ができる限り多いこと
が望ましいが、同時にフェーディング特性、放射線残光
特性、消去特性および残像特性などの他の発光特性も良
好であることが望まれている。

フェーディングとは、輝尽性蛍光体が放射線エネルギー
を吸収蓄積したのち経時により徐々に蓄積エネルギーを
失って、ある時間経過後に蛍光体を電磁波で励起したと
き輝尽発光量が少なくなる現象をいい、放射線の照射に
よる放射線像の記録と励起光の照射による読出しとが時
間的に離れている場合には、放射線像変換方法およびパ
ネルの実質的な感度低下をもたらす。

二価ユーロピウム賦活弗化臭化ハロゲン化物蛍光体など
の輝尽性蛍光体はＸ線等の放射線の照射を受けると瞬時
発光を示すが、放射線残光とは、放射線の照射を停止し
たのちなお輝尽性蛍光体から放射される瞬時発光光をい
い、放射線の照射直後に励起光による読出しを行なう場
合には画像のＳ／Ｎ比の低下を引き起こし、画質を低下
させることになる。

また、輝尽性蛍光体からなる放射線像変換パネルは繰り
返し使用されるものであるが、レーザー光でパネルを走
査することからなる通常の読出し操作では放射線エネル
ギーは放出し尽されず、読出し後および／または放射線
像の記録前にパネルに光、熱などを加えて残存する放射
線エネルギーを除去すること（消去操作）が行なわれて
いる。

従って同じく画質の点から、残存エネルギーの消去が容
易であって消去効率が優れていること、さらに消去後経
時により残存エネルギーの一部が読出し可能となる現象
（残像の浮き上がり）が生じないことが望まれる。

［発明の要旨］ 本発明は、フェーディング特性の向上した放射線像変換
方法およびその方法に用いられる放射線像変換体を提供
するものである。

また、本発明は、放射線残光特性の向上した放射線像変
換方法およびその方法に用いられる放射線像変換体を提
供するものである。

さらに、本発明は、消去・残像特性の向上した放射線像
変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換体を
提供するものである。

上記の目的は、 （１）熱電冷却素子からなる冷却板とこの上に設けられ
た輝尽性蛍光体層とを有する放射線像変換体の輝尽性蛍
光体層を、冷却板で冷却することにより２５℃以下の温
度に保った状態で、被写体を透過したあるいは被検体か
ら発せられた放射線を該放射線像変換体に照射して放射
線エネルギーな輝尽性蛍光体層に吸収させた後、放射線
像変換体に電磁波を照射して輝尽性蛍光体層に蓄積され
ている放射線エネルギーを蛍光として放出させ。

そしてこの蛍光を検出することからなる本発明の放射線
像変換方法：および （２）輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを熱
電冷却素子からなる冷却器の冷却部に接触させて冷却す
ることにより、輝尽性蛍光体層を２５℃以下の温度に保
った状態で、被写体を透過したあるいは被検体から発せ
られた放射線を該放射線像変換パネルに照射して放射線
エネルギーを輝尽性蛍光体層に吸収させた後、放射線像
変換パネルに電磁波を照射して輝尽性蛍光体層に蓄積さ
れている放射線エネルギーを蛍光として放出させ、そし
てこの蛍光を検出することからなる本発明の放射線像変
換方法； により達成することができる。

また、上記（１）の方法に用いられる熱電冷却素子から
なる冷却板と、この上に設けられた輝尽性蛍光体層とか
ら実質的に構成された本発明の放射線像変換体により達
成することができる。

すなわち、本発明は、輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光
体層を常温より低い温度状態において放射線像の記録お
よび再生を行なうことにより、フェーディング特性、放
射線残光特性など輝尽性蛍光体の発光特性の向上を実現
し、これにより、放射線像変換方法および放射線像変換
体の感度および画像の画質の改良を図るものである。

本発明に３いて、輝尽性蛍光体層の冷却は熱電冷却素子
からなる冷却器を用いて行なわれる。この熱電冷却素子
からなる冷却器は、二種の金属または半導体を接続して
電流を流すとこの接点で熱の発生または吸収が生じる現
象（ｒベルチェ効果１）を利用するものてあり、異種金
属または半導体に電子が流れ込むときにその接点では電
位障壁の大きさに応じたエネルギーが失われて冷却され
る一方で、該金属または半導体から電子が流れ出るとき
には他方の接点て同じエネルギーが与えられて発熱を生
じる。従って、放熱側の温度な下げることにより更に冷
却側の温度を下げたり、あるいは放熱側の温度を調節す
ることにより冷却側を一定温度に保つことができる。

冷却器（冷却板）は、冷却部側で輝尽性蛍光体層と接す
るように蛍光体層の片側（読出し側とは反対の側）に、
一体化されて（本発明においてはこれをｒ放射線像変換
体１と称する）使用されるか、あるいは別体で設けられ
て使用される。

本発明者の研究によれば、フェーディング特性は輝尽性
蛍光体が低温であるほど良好であるから、放射線の照射
から励起光による読出しに至るまで上記冷却器を用いて
輝尽性蛍光体層を低温下におくことにより輝尽性蛍光体
のフェーディング特性を顕著に改良することがてき、こ
れを用いた放射線像変換方法および放射線像変換体の感
度を実質的に高めることができる。

また、輝尽性蛍光体のＸ線等の放射線に対する残光特性
は一般に温度依弁性を有している６本発明者の研究によ
れば、輝尽性蛍光体層の温度を常温より低く設定するこ
とにより、輝尽性蛍光体の放射線残光を著しく軽減する
ことができ、放射線像変換方法および放射線像変換体に
よって得られる画像の画質を改善することができる。

さらに、残像の浮き上がりも輝尽性蛍光体層を低温に保
つことにより軽減することができる。また、冷却器に電
流を逆に流すことにより冷却部と放熱部を逆転させるこ
とができるから、蛍光体層を加熱して熱消去を行なうこ
とが可能であり、消去操作が容易となる。

以上の利点に加えて、輝尽性蛍光体層を一定温度に維持
することがてきるから、測定毎あるいはパネル毎に輝尽
性蛍光体の諸発光特性に差異が生じるのを軽減もしくは
解消することかてきる。また、輝尽性蛍光体自体の耐久
性を高めることができる。

［発明の構成］ 本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像変換体
および放射線像変換パネルと冷却器との組合せについて
、添付図面を参照しながら説明する。

第１図は、本発明の放射線像変換体の構成例を示す断面
図であり、冷却板が輝尽性蛍光体層に一体化された構成
をとる。第２図は、本発明の方法に用いられる放射線像
変換パネルと冷却器との組合せの例を示す断面図であり
、冷却器は輝尽性蛍光体層と別体で設けられている。

第１図において、放射線像変換体は、順に熱電冷却素子
からなる冷却板ｌ、障尽性蛍光体層２および保護ｓ３か
ら構成される。冷却板１には電圧をかけるためのリード
線１ａが引かれており、そして蛍光体層が設けられてい
る側の表面ｉｂが冷却部（正電流を流した場合）であり
、反対側の裏面１ｃが放熱部である。

第２図において、独立の冷却器４にはリード線４ａが引
かれており、表面４ｂは冷却部（正電流を流した場合）
であり、裏面４ｃは放熱部である。放射線像変換パネル
５は、順に支持体４ａ、輝尽性蛍光体層４ｂおよび保護
膜４ｃから構成される。使用に際しては、冷却器４とパ
ネル５とをその冷却部４ｂと支持体５ａとが向かい合う
ように接触させる。

冷却板ｌおよび冷却器４それぞれの冷却部と放熱部とは
、逆電流を流した場合に逆転させることができる。

ただし１本発明の放射線像変換体、および本発明の方法
に用いられる放射線像変換パネルと冷却器との組合せは
いずれも上記の構成例に限定されるものではなく、輝尽
性蛍光体層（またはパネル）を冷却板（冷却器）の冷却
部と接触状態で使用することができる限り、任意の構成
をとることがてきる。たとえば、冷却部表面の温度をよ
り低温に、もしくは一定温度に保つために反対側の放熱
部側には水冷装置、ファンなどの熱交換器が一体化され
てまたは別体で設けられていてもよい。

本発明の放射線像変換方法を放射線像変換体を用いる態
様を例にとり、第３図に示す概略図を用いて具体的に説
明する。

第３図において、１１はＸ線などの放射線発生装置、１
２は被写体、１３は本発明の放射線像変換体（ａ：輝尽
性蛍光体層、ｂ：冷却板、Ｃ：）アン）、１４は放射線
像変換体１３上に形成された放射線エネルギーの蓄積像
を蛍光として放出させるための励起源としての光源、１
５は放射線像変換体１３より放射された蛍光を検出する
光電変換装置、１６は光電変換装置１５で検出された光
電変換信号を画像として再生する装置、１７は再生され
た画像を表示する装置、そして１８は光源１４からの反
射光を透過させないで放射線像変換体１３より放射され
た蛍光のみを透過させるためのフィルターである。

なお、第３図は被写体の放射線透過像を得る場合の例を
示しているか、被写体１２自体が放射線を発するもの（
本明細書においてはこれを被検体という）である場合に
は、上記の放射線発生装置１１は特に設置する必要はな
い、また、光電変換装置１５〜画像表示装置１７までは
、放射線像変換体１３から蛍光として放出される情報を
何らかの形で画像として再生できる他の適当な装置に変
えることもできる。

第３図に示すように、まず放射線像変換体１３の冷却板
すに電流を流して、隣接する輝尽性蛍光体層ａを常温（
２５℃）より低い温度に保つ、好ましくは０〜２０°Ｃ
の範囲である。また一定温度に保つのが望ましい、この
とき、ファンＣを稼動させることにより、輝尽性蛍光体
層ａをより一層低くかつ一定の温度に維持することかて
きる。

次に、被写体１２に放射線発生装置１１からＸ線などの
放射線を照射すると、その放射線は被写体１２をその各
部の放射線透過率に比例して透過する。被写体１２を透
過した放射線は、次に放射線像変換体１３の輝尽性蛍光
体層ａ側から入射し、その放射線の強弱に比例して輝尽
性蛍光体層ａに吸収される。すなわち、輝尽性蛍光体層
ａ上には放射線透過像に相当する放射線エネルギーの蓄
積像（一種の潜像）が形成される。

次いで、放射線像変換体１３の輝尽性蛍光体層ａに光源
１４を用いて可視乃至赤外領域から選ばれる電磁波を照
射すると、輝尽性蛍光体層ａに形成された放射線エネル
ギーの蓄積像は蛍光として放射される。この放射される
蛍光は、吸収された放射線エネルギーの強弱に比例して
いる。この蛍光の強弱で構成される光信号を、たとえば
光電子増倍管などの光電変換装置１５で電気信号に変換
し、画像再生装置１６によって画像として再生し、画像
表示装置１７によってこの画像を表示する。

放射線像変換体の輝尽性蛍光体層に記録された画像情報
を蛍光として読み出す操作は、一般にレーザー光で輝尽
性蛍光体層を時系列的に走査し、この走査によって輝尽
性蛍光体層から放射される蛍光を適当な集光体を介して
光電子増倍管等の光検出器で検出し、時系列電気信号を
得ることによって行なわれる。この読出しは観察読影性
能のより優れた画像を得るために、低エネルギーの励起
光の照射による先読み操作と高エネルギーの励起光の照
射による本読み操作とから構成されていてもよい（特開
昭５８−６７２４０号公報参照）。

この先読み操作を行なうことにより本読み操作における
読出し条件を好適に設定することができるとの利点があ
る。

上記の読出し操作は、たとえば放射線像変換体を装置に
固定した状態で、もしくは面方向に水平に移動させなが
ら行なわれる。

また、たとえば光電変換装置として光導電体およびフォ
トダイオードなどの固体光電変換素子を用いることもで
きる（特開昭５９−２１１２６３号、特開昭５９−２１
１２６４号、特開昭６０−１１１５６８号、特開昭６０
−１１１５７１号および特開昭５８−１２１８７４号の
各公報参照）、この場合には、多数の固体光電変換素子
が輝尽性蛍光体層の全表面を覆うように構成され、放射
線像変換体と一体化されていてもよいし、あるいは放射
線像変換体に近接した状態で配置されていてもよい、ま
た、光電変換装置は複数の光電変換素子が線状に連なっ
たラインセンサであってもよいし、あるいは一画素に対
応する一個の固体光電変換素子から構成されていてもよ
い。

上記の場合の光源としては、レーザー等のような点光源
のほかに、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザー
等を列状に連ねてなるアレイなどの線光源であってもよ
い。このような装置を用いて読出しを行なうことにより
、放射線像変換体から放出される蛍光の損失を防ぐと同
時に受光立体角を大きくしてＳ／Ｎ比を高めることがで
きる。

また、得られる電気信号は励起光の時系列的な照射によ
ってではなく、光検出器の電気的な処理によって時系列
化されるために、読出し速度を速くすることが可能であ
る。

画像情報の読出しが行なわれた放射線像変換体に対して
は、蛍光体の励起光の波長領域の光を照射することによ
り、あるいは加熱することにより、残存している放射線
エネルギーの消去を行なってもよく、そうするのが好ま
しい（特開昭５６−１１３９２号および特開昭５６−１
２５９９号公報参照）。この消去操作を行なうことによ
り、次にこの放射線像変換体を使用した時の残像による
ノイズの発生を防止することができる。さらに、読出し
後と次の使用直前の二度に渡って消去操作を行なうこと
により、自然放射能などによるノイズの発生を防いで更
に効率良く消去を行なうこともできる（特開昭５７−１
１６３００号公報参照）。

なお、本発明においては、冷却板に逆電流を流すことに
より冷却板の輝尽性蛍光体層側表面を放熱部に変換して
蛍光体層を加熱することにより。

消去操作を行なうことが可能であり、この場合には特別
の消去装置を必要としない、あるいは、従来の光消去操
作と組み合わせて行なうことにより消去時間を短縮化す
ることができる。

本発明の放射線像変換方法において、被写体の放射線透
過像を得るのに用いられる放射線は、上記放射線像変換
体に含まれる輝尽性蛍光体がこの放射線の照射を受けた
後、さらに電磁波で励起された時に輝尽発光を示しうる
ものであればいかなる放射線であってもよく、たとえば
Ｘ線、中性子線、電子線、紫外線など一般によく知られ
ている放射線を用いることができる。また、被検体の放
射線像を得る場合に直接に被検体から発せられる放射線
も、同様に輝尽性蛍光体に吸収されて輝尽発光のエネル
ギー源となるものであればいかなる放射線であってもよ
く、その例としてはγ線、α線、β線などの放射線を挙
げることができる。

上記のようにして被写体もしくは被検体からの放射線を
吸収した輝尽性蛍光体を励起する電磁波の光源としては
、可視乃至赤外領域（約４００〜９００ｎｍの波長領域
）にバントスペクトル分布をもつ光を放射する光源のほ
かに、Ａｒイオンレーザ−１Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ルビ
ー・レーザー、半導体レーザー、ガラス・レーザー、Ｙ
ＡＧレーザ−、Ｋｒイオンレーザ−１色素レーザー等の
レーザーおよび発光ダイオードなどの光源を使用するこ
とができる。これらのうちでレーザー光は、単位面積当
りのエネルギー密度の高いレーザービームな放射線像変
換体に照射することができるため１本発明において用い
る励起用光源として好ましい、さらにその安定性および
出力などの点から、好ましいレーザー光はＡｒイオンレ
ーザ−１Ｋ「イオンレーザ−１Ｈｅ−Ｎｅレーザーおよ
び半導体レーザーである。また、半導体レーザーは小型
であること、駆動電力が小さいこと、直接変調が可能な
のでレーザー出力の安定化が簡単にできることなどの理
由から励起光源として好ましい。

また、消去に用いられる光源としては、輝尽性蛍光体の
励起波長領域の光を放射するものであればよく、その例
としてはタングステンランプ、蛍光灯、ハロゲンランプ
、高圧ナトリウムランプを挙げることができる。

本発明の放射線像変換方法は、輝尽性蛍光体層に放射線
のエネルギーを吸収蓄積させる蓄積（記録）部、この蛍
光体層に励起光を照射して放射線エネルギーを蛍光とし
て放出させる光検出（読出し）部、および蛍光体層中に
残存するエネルギーを放出させるための消去部を一つの
装置に内蔵したビルトイン型の放射線像変換装置に適用
することもできる（特開昭５８−２００２６９号および
特開昭５９−１９２２４０号の各公報参照）。このよう
なビルトイン型の装置を利用することにより放射線像変
換体を循環再使用することができ、安定した均質な画像
を得ることができる。また、ビルトイン型とすることに
より装置を小型化、軽量化することができ、その設置お
よび移動が容易になる。さらにこの装置を移動車に搭載
することにより、巡回放射線撮影が可能となる。

なお、上記においては輝尽性蛍光体層と冷却板とが一体
化された構成の放射線像変換体を使用する場合について
説明したが、本発明の放射線像変換方法は、放射線像変
換体の代りに輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネ
ルと冷却器とが独立の構成からなる組合せを用いること
もできる。この場合には実施にあたり、まずパネルの裏
面（読出し側とは反対の側であって、通常は支持体側表
面）を冷却器の冷却部に接触させたのち、冷却器に電流
を流してパネルの輝尽性蛍光体層を低温状態に設定維持
し、この接触状態で上述した放射線像の記録および再生
が行なわれる。

また、冷却板（冷却器）による輝尽性蛍光体層の冷却は
放射線像の記録後、すなわち読出し過程でのみ行なうこ
とも勿論可能である。

次に、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換体について説明する。

放射線像変換体は、前述したように、実質的に冷却板と
この冷却板上に設けられた輝尽性蛍光体層とから構成さ
れる。

放射線像変換体は、たとえば１次に述べるような方法に
より製造することができる。

本発明に用いられる冷却板は、熱電冷却素子からなる。

金属及び半導体（Ｂｉ２Ｔｅ３、Ｓｂ２Ｔｅ３．ＰｂＴ
ｅ、Ｂ１５ｂＴｅ３、Ｚｎ５ｂ、Ｇ　ｅ　Ｔ　ｅなど）
からなる群より選ばれる二種類の物質を用いてベルチェ
効果を利用する熱電冷却素子については既に公知であり
、本発明においても公知の熱電冷却素子を用いることが
できる。冷却板の冷却部側表面にはアルマイト加工され
たアルミニウム板が設けられていてもよい、また、冷却
板の放熱側表面には、冷却部を更に低い温度もしくは一
定温度にする目的で、水冷装置、ファンなどの熱交換器
が一体化されてもしくは独立に付設されていてもよい、
さらに温度を一定に保つためにサーモセンサまたはサー
モコントローラが付設・されていてもよい。

冷却板に電流を流すことにより、表面の冷却部では吸熱
現象が起こって温度が低下する。一方、裏面の放熱部で
は発熱現象が起こって温度が上昇する。この冷却現象を
利用して冷却板に隣接する輝尽性蛍光体層を常温より低
い温度に保つことができる。冷却板は、０〜２０℃の範
囲内で一定温度に保ちつる能力を具備しているのが好ま
しい。

また、冷却板に逆電流を流した場合には表面の冷却部は
放熱部に逆転し、輝尽性蛍光体層の加熱が可能となる。

なお、本発明において冷却板は金属もしくは半導体材料
から構成されているのて、公知の放射線像変換パネルに
３ける支持体の機能も果す。

冷却板上に輝尽性蛍光体層を形成するに先立って、冷却
板と蛍光体層の結合を強化するため、あるいは放射線像
変換体としての感度もしくは画質（ｇ鋭度、粒状性）を
更に向上させるために、蛍光体層が設けられる側の冷却
板表面にゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性付
与層とじたり、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物
質からなる光反射層、カーボンブラックなどの光吸収性
物質からなる光吸収層などを設けてもよい。

さらに、特開昭５８−２００２００号公報に記載されて
いるように、画像の鮮鋭度を向上させる目的で、冷却板
の輝尽性蛍光体層側の表面（蛍光体層側表面に接着性付
与層、光反射層あるいは光吸収層等が設けられている場
合には、その表面を意味する）には微小の凹凸が形成さ
れていてもよい。

次に、冷却板の冷却部側表面には輝尽性蛍光体層が形成
される。

輝尽性蛍光体層は基本的には輝尽性蛍光体からなる層で
ある。たとえば、輝尽性蛍光体の粒子とこれを分散状態
で含有支持する結合剤とから構成されていてもよいし、
あるいは実質的に輝尽性蛍光体のみから構成されていて
もよい。

輝尽性蛍光体は、先に述べたように放射線を照射した後
、励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であるが、
実用的な面からは波長が４００〜９００ｎｍの範囲にあ
る励起光によって３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽
発光を示す蛍光体であることが望ましい０本発明の放射
線像変換体に用いられる輝尽性蛍光体の例としては、米
国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されている
ＳｒＳ　：　Ｃｅ、Ｓｍ、ＳｒＳ　：　Ｅｕ。

Ｓｍ、Ｔｈ０２　：　Ｅｒ、およびＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ
、Ｓｍ、 特開昭５５−１２１４２号公報に記載されているＺｎＳ
：Ｃｕ、Ｐｂ、ＢａＯ・ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ（ただし、
０．８≦Ｘ≦ｌＯ）、および、Ｍ’Ｏ・ｘＳｉ０２：Ａ
（ただし、Ｍ璽はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、また
はＢａであり、ＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔ
１．Ｂｉ、またはＭｎであり、Ｘは、０．５≦Ｘ≦２．
５である）。

特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている（　Ｂ
　ａ　＊−ｚ　−ｙ　、　Ｍ　ｇ　ｚ　、　Ｃａ　ｙ　
）　Ｆ　Ｘ　：ａＥｕ”（ただし、ＸはＣＪＩおよびＢ
ｒのうちの少なくとも一つであり、Ｘおよびｙは、０〈
ｘ＋ｙ≦０．６、かつｘｙ≠０であり、ａは、１０４≦
ａ≦５Ｘ１０−”である）、 特開昭５５−１２１４４号公報に記載されているＬｎＯ
Ｘ　：　ｘＡ　（ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ。

Ｇｄ、およびＬｕのうちの少なくとも一つ、ＸはＣ１お
よびＢｒのうちの少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂ
のうちの少なくとも一つ、そして、Ｘは、Ｏ＜ｘ＜０．
１である）。

特開昭５５−１２１４５号公報に記載されている（Ｂａ
、−１，Ｍ２°ｚ）ＦＸ：ｙＡ（ただし、Ｍ２°はＭｇ
、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少なくとも一
つ、ＸはＣ１，Ｂｒ、およびＩのうちの少なくとも一つ
、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎ
ｄ、Ｙｂ、およびＥｒのうちの少なくとも一つ、モして
Ｘは、Ｏ≦Ｘ≦０．６．Ｙは、０≦ｙ≦０．２である）
、特開昭５５−１６００７８号公報に記載されているＭ
ＩＦｘ−ｘＡ：ｙＬｎ［ただし　ＭｌはＢａ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少なくとも一種、
ＡはＢｅ０１Ｍｇ０１Ｃａ０、　　ＳｒＯ，ＢａＯ１Ｚ
ｎＯ１Ａ　ｉ　２０３　、　Ｙ２Ｏ１、Ｌａｔ　Ｏｓ　
、Ｉ　　ｎ　　２０２　、５ｉ０２　、　ＴｉＯ□　、
　ＺｒＯ２，ＧｅＯ２，５ｎ０２　、　Ｎｂ。

０１、Ｔ　ａ　２０　＠、およびＴｈｅ、のうちの少な
くとも一種、ＬｎはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、　
Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｓｍ、およ
びＧｄのうちの少なくとも一種、ＸはＣｉ、Ｂｒ、ｇよ
び■のうちの少なくとも一種であり。

Ｘおよびｙはそれぞれ５×ｌＯ−％≦Ｘ≦Ｏ，Ｓ、およ
びｏ＜ｙ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光体
、 特開昭５８−１１６７７７号公報に記載されている（Ｂ
ａ、ｚ、Ｍ冨１）Ｆ２−ａＢａＸ２：ｙＥｕ、ｚＡ［た
だし　Ｍｌはベリリウム、マグネシウム、カルシウム、
ストロンチウム、亜鉛、およびカドミウムのうちの少な
くとも一種、Ｘは塩素、臭素、Ｓよび沃素のうちの少な
くとも一種、Ａはジルコニウムおよびスカンジウムのう
ちの少なくとも一種てあり、ａ、ｘ、ｙ、および２はそ
れぞれ０．５≦ａ≦１．２５．０≦Ｘ≦１．１０”≦ｙ
≦２Ｘ１０−’、およびＯ＜ｚ≦１０−２である］の組
成式で表わされる蛍光体、特開昭５７−２３６７３号公
報に記載されている（ｓａｔ−１＋　Ｍ”　ｘ）Ｆ２　
・ａＢａＸ２　：ｙＥｕ、ｚＢ　［ただし、Ｍｌはベリ
リウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、
亜鉛、およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは
塩素、臭素、および沃素のうちの少なくとも一種であり
、ａ、ｘ、ｙ、および２はそれぞれ０．５≦ａ≦１．２
５．０≦Ｘ≦１．１０−６≦ｙ≦２×ｌＯ−“、および
Ｏ＜ｚ≦２　Ｘ　１０−”である］の組成式で表わされ
る蛍光体、 特開昭５７−２３６７５号公報に記載されてし）る（Ｂ
ａ、ｚ、Ｍ”　ｚ）Ｆ　２　・ａＢａＸ２　：ｙＥｕ、
ｚＡ［ただし、Ｍｌはベリリウム、マグネシウム、カル
シウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカドミウムのう
ちの少なくとも一種、Ｘは塩素、臭素、および沃素のう
ちの少なくとも一種、Ａは砒素および硅素のうちの少な
くとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、および２はそれぞれ０
．５≦ａ≦１．２５、０≦Ｘ≦１．１０−”≦ｙ≦２×
１０−１、およびＯ＜ｚ≦５Ｘ１０−’である］の組成
式で表わされる蛍光体、 特開昭５８−６９２８１号公報に記載されてし）るＭ璽
ＯＸ：ｘＣｅ［ただし、Ｍ璽はＰｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ
、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、および
Ｂｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属
であり、ＸはＣ１およびＢｒのうちのいずれか一方ある
いはその両方であり、ＸはＯ＜ｘ＜０．１である］の組
成式で表わされる蛍光体、 特開昭５８−２０６６７８号公報に記載されているＢ　
ａ　ｓ−ｘ　Ｍ　ｘ　／２　Ｌ　ｘ　／２　Ｆ　Ｘ　：
　ｙ　Ｅ　ｕ　”　［ただし１ＭはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒ
ｈ、およびＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種
のアルカリ金属を表わし：Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ
。

Ｐ「、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｉ、Ｇａ。

Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選ばれる少なくとも一
種の三価金属を表わし；Ｘは、Ｃ１、Ｂｒ、および■か
らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表わ
し；そして、Ｘは１０−２≦Ｘ≦０．５、ｙはｏ＜ｙ≦
０．１である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−２７９８０号公報に記載されているＢａＦ
Ｘ−ｘＡ：ｙＥｕ２°［たたし、Ｘは、Ｃｆ１．、Ｂｒ
、および■からなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンでありｚＡは、テトラフルオロホウ酸化合物の焼
成物であり；そして、Ｘは１０４≦Ｘ≦０．１、ｙはｏ
＜ｙ≦０．１である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−４７２８９号公報に記載されているＢａＦ
Ｘ−ｘＡ：　ｙＥｕ２°［ただし、Ｘは。

Ｃ１，Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる少なくと
も一種のハロゲンでありｚＡは、ヘキサフルオロケイ酸
、ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフルオロジルコ
ニウム酸の一価もしくは二価金属の塩からなるヘキサフ
ルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種の化合物の
焼成物であり；そして、Ｘは１０４≦Ｘ≦Ｏ，１，ｙは
ｏ＜ｙ≦０．１である］の組成式で表わされる蛍光体、
特開昭５９−５６４７９号公報に記載されているＢａＦ
Ｘ−ｘＮａＸ’：ａＥｕ”　［ただし、ＸおよびＸｏは
、それぞれＣ１、Ｂ「、およびＩのうちの少なくとも一
種であり、Ｘおよびａはそれでれ０＜ｘ≦２、およびＯ
＜ａ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−５６４８０号公報に記載されているＭ璽Ｆ
Ｘ−ｘＮａＸ’：ｙＥｕ２°：ｚＡ［ただし、ＭＩは、
Ｂａ、Ｓｒ、およびＣａからなる群より選ばれる少なく
とも一種のアルカリ土類金属であり：ＸおよびＸｏは、
それぞれｃｉ、Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる
少なくとも一種のハロゲンでありｚＡは、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉより選ばれる少なくとも一
種の遷移金属であり：そして、ＸはＯ＜ｘ≦２、ｙはｏ
＜ｙ≦０．２、および２はＯ＜ｚ≦１０−２である］の
組成式で表わされる蛍光体、特開昭５９−７５２００号
公報に記載されているＭ’　ＦＸ−ａＭ　’　Ｘ’　　
・ｂＭ’　　厘Ｘ”２・ｃＭ”Ｘ”３　・ｘＡ　：　ｙ
Ｅｕ”　［ただし、Ｍ”はＢａ、Ｓｒ、およびＣａから
なる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属
であり；ＭＩはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｈ、およびＣｓから
なる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であ
り、Ｍ’ｌはＢｅおよびＭｇからなる群より選ばれる少
なくとも一種の二価金属であり；Ｍ菖はＡｎ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、およびＴｌからなる群より選ばれる少なくとも一種
の三価金属であり；Ａは金属酸化物であり：ＸはＣｌ、
Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり；Ｘ’、Ｘ”、およびＸ”°は、Ｆ、
Ｃ１゜Ｂｒ、ｊ５よびＩからなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり：そして、ａは０≦ａ≦２、
ｂは０≦ｂ≦１０””、ｃは０≦Ｃ≦１０−２、かツａ
　＋　ｂ　＋　ｃ≧Ｉｏｎてあり：ＸはＯ＜ｘ≦Ｏ，Ｓ
、ｙはｏ＜ｙ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍
光体、 特開昭６０−８４３８１号公報に記載されているＭ”Ｘ
２　・ａＭ”Ｘ’　　２　：　ｘＥｕ’°［ただし、Ｍ
ｌはＨａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる少な
くとも一種のアルカリ土類金属であり；ＸおよびＸｏは
Ｃ１、Ｂ「および■からなる群より選ばれる少なくとも
一種のハロゲンであって、かつＸ≠Ｘ′であり；そして
ａは０．１≦ａ≦１０．０．ｘは０＜ｘ≦０．２である
］の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、 特開昭６０−１０１１７３号公報に記載されているＭ’
ＦＸ−ａＭ’Ｘ’　　：ｘＥｕ”［ただし、ＭｌはＢａ
、ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属であり：ＭＩはＲｈおよびＣｓか
らなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属で
あり；ＸはＣ１、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる
少なくとも一種のハロゲンであり；ｘ′はＦ、Ｃ１、Ｂ
ｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり；そしてａおよびＸはそれぞれ０≦ａ≦４
．０およびＯ＜ｘ≦０．２である］の組成式で表わされ
る輝尽性蛍光体、 本出願人による特願昭６０−７０４８４号明細書に記載
されているＭ’Ｘ：ｘＢｉ［ただし。

ＭｌはＲｈおよびＣｓからなる群より選ばれる少なくと
も一種のアルカリ金属であり；ＸはＣ１、Ｂｒおよび■
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
り：そしてＸはＯ＜ｘ≦０．２の範囲の数値である］の
組成式て表わされる輝尽性蛍光体、 特開昭６１−７２０８７号公報および特開昭６１−７２
０８８号公報に記載されているアルカリ金属ハロゲン化
物蛍光体、 などを挙げることができる。

また、上記特開昭６０−８４３８１号公報に記載されて
いるＭ”　Ｘ　２　・ａＭ”　Ｘ’　　２　：　ｘＥｕ
”輝尽性蛍光体には、以下に示すような添加物かＭＩＸ
２・ａ　Ｍ　”　Ｘ”　２１モル当り以下の割合で含ま
れていてもよい。

特開昭６０−１６６３７９号公報に記載されているｂＭ
ＩＸ″　（ただし、ＭｌはＲｈおよびＣｓからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｘ”
はＦ、Ｃ１，ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンであり、モしてｂはｏ＜ｂ≦１０
．０である）；特開昭６０−２２１４８３号公報に記載
されているｂＫＸ”・ｃＭｇＸ”２　＊　ｄＭ厘Ｘ”ｚ
（ただし、Ｍ厘はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕから
なる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、
Ｘ”　Ｘ　１１１１およびＸ′″”はいずれもＦ、Ｃ１
、Ｂｒおよび■からなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり、そしてす、ｃおよびｄはそれぞれ、
０≦ｂ≦２．０．０≦Ｃ≦２゜０．０≦ｄ≦２．０であ
って、かつ２ｘｌＯ−’≦ｂ＋ｃ＋ｄである）：特開昭
６０−２２８５９２号公報に記載されているｙＢ（ただ
し、ｙは２ｘ　１０−’≦ｙ≦２ＸＩＯ−’である）；
特開昭６０−２２８５９３号公報に記載されているｂＡ
（ただし、Ａは５ｉ０２およびＰ２Ｏ，からなる群より
選ばれる少なくとも一種の酸化物であり、モしてｂはｔ
ｏ”≦ｂ≦２　Ｘ　１０−’である）：特開昭６１−１
２０８８３号公報に記載されているｂＳｉｎ（ただし、
ｂはｏ＜ｂ≦３　Ｘ　１０−２である）；特開昭６１−
１２０８８５号公報に記載されているｂＳｎχ″２（た
たし、Ｘ″はＦ。

Ｃ１、Ｂ「およびＩからなる群より選ばれる少なくとも
一種のハロゲンであり、そしてｂはｏ＜ｂ≦１Ｏ−３で
ある）：特開昭６１−２３５４８６号公報に記載されて
いるｂＣｓＸ”・ｃｓｎＸ”°２（ただし、Ｘ”および
Ｘ″°はそれぞれＦ、Ｃ１、Ｂｒおよび■からなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂ
およびＣはそれぞれ、０〈ｂ≦１０．０およびｌＯ″′
６≦Ｃ≦２×１Ｏ−２である）；および特開昭６１−２
３５４８７号公報に記載されているｂＣｓＸ″・ｙ　Ｌ
　ｎ　”（ただし、Ｘ”はＦ、ＣｆＬ、Ｂｒｇよび■か
らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンてあり
、ＬｎはＳｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる
群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、そ
してｂおよびｙはそれぞれ、ｏ＜ｂ≦１Ｏ００およびｌ
Ｏ橿≦ｙ≦１．８Ｘ　１０−’である）。

上記の輝尽性蛍光体のうちで、二価ユーロピウム賦活ア
ルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体および希土類元素
賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体は高輝度の輝尽
発光を示すので好ましい。

なお、フェーディング特性のあまり良好でない蛍光体を
用いた場合に本発明は特に有効である。ただし、本発明
に用いられる輝尽性蛍光体は上述の蛍光体に限られるも
のではなく、放射線を照射したのち励起光を照射した場
合に輝尽発光を示す蛍光体であればいかなるものてあっ
てもよい。

輝尽性蛍光体層に用いられる結合剤の例としては、ゼラ
チン等の蛋白質、デキストラン等のポリサッカライド、
またはアラビアゴムのような天然高分子物質；およびポ
リビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロー
ス、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコ
ポリマー、ポリアルキル（メタ）アクリレート、塩化ビ
ニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロー
スアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、線状
ポリエステルなどような合成高分子物質などにより代表
される結合剤を挙げることができる。このような結合剤
のなかで特に好ましいものは、ニトロセルロース、線状
ポリエステル、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ニ
トロセルロースと線状ポリエステルとの混合物、および
ニトロセルロースとポリアルキル（メタ）アクリレート
との混合物である。

輝尽性蛍光体層は、たとえば、次のような方法により冷
却板上に形成することができる。

まず、輝尽性蛍光体の粒子と結合剤とを適当な溶剤に加
え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に輝尽性蛍光
体粒子が均一に分散した塗布液を調製する。

塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパツール、ｎ−ブタノールなどの低級ア
ルコール；メチレンクロライド、エチレンクロライドな
どの塩素原子含有炭化水素：アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンなどのケトン：酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級ア
ルコールとのエステル：ジオキサン、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル：およびそれらの混合物を挙げ
ることができる。

塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比は、目
的とする放射線像変換体の特性、蛍光体の種類などによ
って異なるが、一般には結合剤と蛍光体との混合比はｌ
：ｌ乃至１：１００（重量比）のａ囲から選ばれ、そし
て特に１：８乃至ｌ：４０（重量比）の範囲から選ぶの
が好ましい。

なお、塗布液には、該塗布液中に３ける輝尽性蛍光体の
分散性を向上させるための分散剤、また、形成後の輝尽
性蛍光体層中における結合剤と蛍光体との間の結合力を
向上させるための可塑剤などの種々の添加剤が混合され
ていてもよい。そのような目的に用いられる分散剤の例
としては。

フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性
剤などを挙げることができる。そして可塑剤の例として
は、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェ
ニルなどの燐酸エステル；フタル酸ジエチル、フタル酸
ジメトキシエチルなどのフタル酸エステル：グリコール
酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリル
ブチルなどのグリコール酸エステル：そして、トリエチ
レングリコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチ
レングリコールとコハク酸とのポリエステルなどのポリ
エチレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステル
などを挙げることができる。

次に、調製された塗布液を冷却板の冷却部側表面に均一
に塗布することにより塗布液の塗膜を形成する。この塗
布操作は１通常の塗布手段、たとえばドクターブレード
、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用いることに
より行なうことができる。

冷却板上に塗膜を形成したのち塗膜を乾燥して、冷却板
上への輝尽性蛍光体層の形成を完了する。輝尽性蛍光体
層の層厚は、目的とする放射線像変換体の特性、輝尽性
蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比などによって
異なるが、通常は２０ｇｍ乃至１ｍｍとする。ただし、
この層厚は５０乃至５００ｐｍとするのが好ましい。

また、輝尽性蛍光体層は、必ずしも上記のように冷却板
上に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく、たとえ
ば、別にガラス板、金属板、プラスチックシートなどの
シート上に塗布液を塗布乾燥することにより蛍光体層を
形成したのち、これを冷却板上に押圧するか、あるいは
接着剤を用いるなどして冷却板と蛍光体層とを接合して
もよい。

あるいは、輝尽性蛍光体層は、本出願人による特願昭６
１−１６３２８４号明細書に記載されているように、輝
尽性蛍光体粒子からなる粉状物または蛍光体粒子と結合
剤を含有する分散液をシート状に成型した後、この成型
物を焼結させ１次いで焼結した蛍光体層を冷却板上に接
着剤等を用いて接合することによっても形成することが
できる。また５、冷却板上に直接に輝尽性蛍光体を真空
蒸着することにより、蒸着蛍光体層を設けてもよい、特
に焼結により蛍光体層を設けた場合には、蛍光体層の相
対密度を７０％以上の高密度とすることができ、鮮鋭度
等の画質を高めることができる。

輝尽性蛍光体層の冷却板に接する側とは反対側の表面に
は、蛍光体層を物理的および化学的に保護する目的で透
明な保！Ｉ膜が設けられていることが好ましい。

透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセル
ロースなどのセルロース誘導体：あるいはポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル・酢酸ビニルコポリマーなどの合成高分子物質のよう
な透明な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶
液な輝尽性蛍光体層の表面に塗布する方法により形成す
ることができる。あるいは、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミドな
どから別に形成した透明な薄膜を蛍光体層の表面に適当
な接着剤を用いて接着するなどの方法によっても形成す
ることができる。

このようにして形成する透明保護膜の膜厚は約０．１乃
至２０ｇｍとするのが望ましい。

本発明の放射線像変換方法において、冷却器と放射線像
変換パネルとの組合せを用いる場合に。

冷却器としては公知の熱電冷却素子からなる冷却器を用
いることができ、たとえば上述した冷却板と同様の構成
のものを使用することができる。また、放射線像変換パ
ネルとしては公知の如何なるものでも使用することがで
きるが、温度調節の点から輝尽性蛍光体が自己支持性で
あるものおよび支持体の厚みが薄いものが好ましい。

次に本発明の実施例および比較例を記載する。

ただし、これらの各側は本発明を制限するものではない
。

［実施例１］ 二価ユーロピウム賦活弗化臭化バリウム蛍光体（ＢａＦ
Ｂｒ　：０．０００３Ｅｕ”）の粒子と線状ポリエステ
ル樹脂との混合物にメチルエチルケトンを添加し、更に
硝化度１１．５％のニトロセルロースを添加して輝尽性
蛍光体を分散状態で含有する分散液を調製した０次に、
この分散液に燐酸トリクレジル、ｎ−ブタノール、そし
てメチルエチルケトンを添加した後、プロペラミキサー
を用いて充分に攪拌混合して、蛍光体が均一に分散し、
かつ結合剤と蛍光体との混合比がｌ　　：２０．粘度が
２５〜３５ＰＳ　（２５℃）の塗布液を調製した。

ファン付き冷却板（商品名：　ＳＡＭＯＬ　４Ｆ、日本
ブロアー■製）を水平に置き、その冷却部側表面に塗布
液をドクターブレードを用いて均一に塗布した。そして
塗布後に、塗膜が形成された冷却板を乾燥器内に入れ、
この乾燥器の内部の温度を２５℃から１００℃に徐々に
上昇させて塗膜の乾燥を行なった。このようにして、冷
却板上に層厚が２５０ｐｍの輝尽性蛍光体層を形成した
。

次いで、輝尽性蛍光体層の上にポリエチレンテレフタレ
ートの透明フィルム（厚み：１２ｇｍ、ポリエステル系
接着剤が付与されているもの）を接着剤層側を下に向け
て置いて接着することにより、透明保護膜を形成し、順
に冷却板、輝尽性蛍光体層および透明保ｉ！膜から構成
された放射線像変換体を製造した。

次に、得られた放射線像変換体について、以下の種々の
温度条件でフェーディング特性試験および放射線残光特
性試験を行ない、評価した。

ａ）冷却板に電流を流して輝尽性蛍光体層の温度をＯ″
Ｃに保つた。

ｂ）冷却板に電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を２０
℃に保った。

Ｃ）冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を３
０°Ｃに保った。

ｄ）冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を４
０℃に保った。

ｅ）冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を４
５℃に保った。

ｆ）冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を６
０°Ｃに保った。

（１）フェーディング特性試験 放射線像変換体の保護膜側表面に管電圧８０ＫＶｐのＸ
線を照射した後、直ちにＨｅ−Ｎｅレーザー光（波長６
３２．８ａｍ）で励起して輝尽発光量を測定した。

次に、上記と同様にして放射線像変換体にＸ線を照射し
、１時間放置した後Ｈｅ−Ｎｅレーザー光で励起して輝
尽発光量を測定した。

フェーディング特性は、［１時間後の輝尽発光量／Ｘ線
照射直後の輝尽発光量］の比を相対輝尽発光量として評
価を行なった。

（２）放射線残光特性試験 蛍光体に管電圧８０ＫＶｐ、管電流３００ｍＡのＸ線を
０．４秒間照射したときのＸ線残光（瞬時発光光）の減
衰を測定した。Ｘ線残光量はＸ線照射後ｉｏ秒における
量を測定値とし、［Ｘ線残光量／輝尽発光量］の比を相
対Ｘ線残光量として評価を行なった。

得られた結果をそれぞれ第４図および第５図にグラフの
形で示す。

第４図は、横軸に輝尽性蛍光体層の温度をとり、縦軸に
［１時間後の輝尽発光量／Ｘ線照射直後の輝尽発光量］
をとったグラフである。

第５図は、横軸に輝尽性蛍光体層の温度をとり、縦軸に
［Ｘ線残光量／輝尽発光量］をとったグラフである。

第４図に示した結果から明らかなように、Ｘ線照射１時
間後の輝尽発光量は輝尽性蛍光体層の温度が低くなるに
つれて直線的に増大した。従って、冷却板を具備する本
発明の放射線像変換体、およびそれを用いて常温より低
い温度で実施する本発明の放射線像変換方法によれば、
フェーディング特性を向上させて実質的に感度を高める
ことができることが判明した。

また、第５図に示した結果から明らかなように、Ｘ線残
光量は輝尽性蛍光体層が２５°Ｃより低い温度である場
合に顕著に軽減した。従って、冷却板を具備する本発明
の放射線像変換体、およびそれを用、いて常温より低い
温度で実施する本発明の放射線像変換方法によれば、放
射線残光特性を顕著に向上させて得られる画像の画質を
高めることかできることが判明した。

さらに、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線
像変換パネルと冷却器との組合せ（第２図参照）につい
ても、上記のフェーディング特性試験および放射線残光
特性試験を行なったところ、同様の結果が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の放射線像変換体の例を示す断面図で
ある。 第２図は、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射
線像変換パネルと冷却器との組合せの例を示す断面図で
ある。 第３図は、本発明の放射線像変換方法を説明する概略図
である。 第４図ば１本発明の放射線像変換体について、・輝尽性
蛍光体層の温度と［１時間後の輝尽発光量／Ｘ線照射直
後の輝尽発光量］との関係を表わすグラフである。 第５図は、本発明の放射線像変換体について、輝尽性蛍
光体層の温度と［Ｘｉ！ｉ残光量／輝尽発光量］との関
係を表わすグラフである。 ｌ：熱電変換素子からなる冷却板、 ｌａ、４ａ：リート線。 ｌｂ、４ｂ：冷却部、ｌｃ、４ｃ：放熱部２：輝尽性蛍
光体層、３：保護膜、 ４：熱電変換素子からなる冷却器、 ５：放射線像変換パネル。 ５ａ：支持体、５ｂ：輝尽性蛍光体層、５ｃ：保護膜 ｌｌ：放射線発生装置、１２：被写体、１３：放射線像
変換体、 ａ：輝尽性蛍光体層、ｂ＝冷却板。 Ｃ：熱交換器 １４：光源、１５：光電変換装置、 １６：画像再生装置、１７：画像表示装置、１８：フィ
ルター 特許出願人　富士写真フィルム株式会社代　　理　　人
　　弁理士　　　柳　　川　　泰　　男第１図 第２図 第４図 駐 雲　　　　　　　　　　　温度 で−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、熱電冷却素子からなる冷却板とこの上に設けられた
   輝尽性蛍光体層とを有する放射線像変換体の輝尽性蛍光
   体層を、冷却板で冷却することにより２５℃より低い温
   度に保った状態で、被写体を透過したあるいは被検体か
   ら発せられた放射線を該放射線像変換体に照射して放射
   線エネルギーを輝尽性蛍光体層に吸収させた後、放射線
   像変換体に電磁波を照射して輝尽性蛍光体層に蓄積され
   ている放射線エネルギーを蛍光として放出させ、そして
   この蛍光を検出することからなる放射線像変換方法。 ２。上記放射線像変換体の輝尽性蛍光体層を０〜２０℃
   の範囲内の一定温度に保つことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の放射線像変換方法。 ３。上記放射線像変換体の冷却板側に熱交換器が一体化
   してもしくは別体として設置されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。 ４。上記蛍光の検出後もしくは放射線の照射前に、放射
   線像変換体の冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層を
   加熱することにより、輝尽性蛍光体層に蓄積されている
   放射線エネルギーを除去することを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の放射線像変換方法。 ５。輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを熱電
   冷却素子からなる冷却器の冷却部に接触させて冷却する
   ことにより、輝尽性蛍光体層を２５℃より低い温度に保
   った状態で、被写体を透過したあるいは被検体から発せ
   られた放射線を該放射線像変換パネルに照射して放射線
   エネルギーを輝尽性蛍光体層に吸収させた後、放射線像
   変換パネルに電磁波を照射して輝尽性蛍光体層に蓄積さ
   れている放射線エネルギーを蛍光として放出させ、そし
   てこの蛍光を検出することからなる放射線像変換方法。 ６。上記放射線像変換パネルの輝尽性蛍光体層を０〜２
   ０℃の範囲内の一定温度に保つことを特徴とする特許請
   求の範囲第Ｓ項記載の放射線像変換方法。 ７。上記冷却器の放熱部側に熱交換器が一体化してもし
   くは別体として設置されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第Ｓ項記載の放射線像変換方法。 ８。上記蛍光の検出後もしくは放射線の照射前に、冷却
   器に逆電流を流して放射線像変換パネルの輝尽性蛍光体
   層を加熱することにより、輝尽性蛍光体層に蓄積されて
   いる放射線エネルギーを除去することを特徴とする特許
   請求の範囲第５項記載の放射線像変換方法。 ９。熱電冷却素子からなる冷却板と、この上に設けられ
   た輝尽性蛍光体層とから実質的に構成された放射線像変
   換体。 １０。上記冷却板の輝尽性蛍光体層側表面が２５℃より
   低い温度に保たれうることを特徴とする特許請求の範囲
   第９項記載の放射線像変換体。 １１。上記冷却板の輝尽性蛍光体層側表面が０〜２０℃
   の範囲内の一定温度に保たれうることを特徴とする特許
   請求の範囲第１０項記載の放射線像変換体。 １２。上記放射線像変換体の冷却板側に熱交換器が一体
   化してもしくは別体として付設されていることを特徴と
   する特許請求の範囲第９項記載の放射線像変換体。 １３。上記冷却板に逆電流を流すことによって冷却板の
   輝尽性蛍光体層側表面が加熱されうることを特徴とする
   特許請求の範囲第９項記載の放射線像変換体。