JPH09512636A

JPH09512636A - ピクセル化蛍燐光体の製造方法

Info

Publication number: JPH09512636A
Application number: JP7528383A
Authority: JP
Inventors: トラン，ナン・トリ; カルホーン，クライド・ディ; クリンケ，ハーラン・エル; ダールクイスト，ジョン・シー; フレミング，パトリック・アール
Original assignee: ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチュアリング・カンパニー
Priority date: 1994-04-29
Filing date: 1995-04-26
Publication date: 1997-12-16
Also published as: EP0797835A1; WO1995030236A1; CA2186258A1

Abstract

(57)【要約】ピクセル化蛍燐光体構造の作製方法は、基板に複数の開口部を作製することによって完全に非層状の金型を形成すること、および蛍燐光体を金型の開口部の中に析出させることにより、金型の各開口部を蛍燐光体で充填し、それによって別々の蛍燐光体要素の配列を含んで成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成することの工程を伴う。ピクセル化蛍燐光体を作製する第二の方法は、基板に複数の第一の開口部を作製することによって第一の完全に非層状の金型を形成すること、原型金型のレプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成することであって、レプリカの１種またはそれ以上の世代それぞれが、複数の第二の開口部を有していること、および１種またはそれ以上の世代のレプリカの一つの第二の開口部の中に蛍燐光体を析出させることにより、１種またはそれ以上の世代のレプリカの一つの第二の開口部それぞれを蛍燐光体で充填し、それにより別々の蛍燐光体要素の配列を含んで成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成することの工程を伴う。ピクセル化蛍燐光体を作製する第三の方法は、第一蛍燐光体のシートを提供すること、第一の蛍燐光体中に複数の別々の穴を作製することであって、別々の穴それぞれが第一蛍燐光体を介して拡がって、かつ２つの開口部を有していること、および第一蛍燐光体上に第二蛍燐光体を析出させてピクセル化蛍燐光体構造を形成することであって、第二蛍燐光体の少なくとも一部を、第一の蛍燐光体中の複数の別々の穴中に付着することの工程を伴う。

Description

【発明の詳細な説明】ピクセル化蛍燐光体の製造方法発明の分野本発明は、蛍燐光体の製造方法に関し、特にピクセル化蛍燐光体の製造方法に関する。先行技術の検討Ｘ線検出分野において、いわゆる増幅スクリーンを用いて検出目的のために受け得る放射線を高めることは周知である。そのようなスクリーンは、物質に衝突する各Ｘ線フォトンに対する比較的大きな数の光フォトンを放射するために選ばれたＸ線発光物質を含有している。これは、検出されるＸ線を効果的に増幅するため、Ｘ線自体、および発光物質からのＸ線誘導放射によって放射された光の両者が、フィルム、または感光性電子センサーの配列のような他の検出媒体もしくはデバイス上で検出可能である。医療用応用において、そのような増幅スクリーンを使用する主な誘因は、特定の露光量を得るのに要するＸ線放射線量を低減し、それにより患者または作業者が被爆する放射線の危険を低下させることである。そのような増幅スクリーンは、検出可能な放射線量を増やすと同時に、得られる画像の鮮明性を低下させる影響を及ぼすことも知られている。一般に、発光スクリーンまたは構造物内での画像崩壊は、鮮明度とコントラストの必然的な低下によって画像の不鮮明性を生じさせる、発光物質内での光の拡散によって引き起こされる。この光の拡散は、２つの基本的な物理的プロセスによって生じる。第一に、イオン化放射線（例えば、Ｘ線）が光のに転換されると、光の放射方向がランダムであるため、全ての方向にほぼ等しく放射される。第二の効果は、高いエネルギー放射線が浸透することであり、浸透する程度は、衝突する放射線のエネルギーや浸透する物質の性質に依存する。エネルギーが高いほど、浸透は不覚なる。また、より低い密度の物質も、より深い浸透を導くであろう。したがって、スクリーンを通過する路(path)に沿って、かつその表面に垂直に可視光が発生することが分かり、さらに、光は、他の全ての方向にも放射しよう。スクリーンの表面に垂直でない角度で放射された光のいくらかは、フィルムまたは別の検出手段に到達して、拡散画像をもたらすであろう。結果として、そのようなスクリーンの設計は、大きな厚さのスクリーン間でのトレードオフを引き起こし、特定のＸ線基準に対する発光放射を増加させるが、低減した画像鮮明性（より厚いスクリーンに比べて改良された画像鮮明性をもたらすが、許容できるフィルム画像を与えるためのより多くのＸ線放射も要する）より薄いスクリーンも与えるが、それによって患者が被爆しなければならないＸ線照射量を増加させる。実際より厚いまたは高速のスクリーンは、最大画像鮮明性を要せず、それによって、患者へのＸ線被爆を低減する上記の応用には有用であるが、一方で中速および低速のスクリーンは、高めた画像解像度を要求される時に有用である。この後者のスクリーンは、より薄い蛍燐光体層を用いて、染料を組み込んで、より短い路を進行する垂直の光線よりも多いそのような光線を減衰させることによって、光の横方向の伝搬を最小限にすることができる。一般に、詳細な、または低速のスクリーンは、高速スクリーンの約８倍のＸ線照射量を要する。いくつかの特許は、そのようなスクリーンからフィルムまたは他の検出器に到達する散乱された発光放射線の量を低減する課題に対する解決策を提案している。これらの公報では、そのようなスクリーンの構造物への気泡質化(cellularize d)またはピクセル化法を提案しており、構造物は、一般に、壁部剤によって仕切られた発光物質の容積を含んで成る。壁部剤は、一般に、Ｘ線進行方向と平行に配置されており、その目的は、発光物質によって放射された光を反射することによって、散乱された光が検出手段に到達しないようにすることである。発光蛍燐光体を中に分散したプラスチック製の長方形の物体を、薄片にスライスした後、反射性物質で一方または両方の面を被覆する一つのそのような試みは、米国特許第３,０４１,４５６号公報に教示されている。次いで、この被覆した薄片の裏面を互いに接着させ、再度、最初のスライス方向と交差する方向にスライスする。この被覆および接着操作を、所望の厚さのスクリーンを得ることができる二重にラミネートされた本体を製造するために繰り返す。この公報の解決策は、理論的には興味をそそるが、繰り返して取り扱うこと、および損傷または汚染されずに極めて小さな蛍燐光体片を配列することを要するため、製造にかなり問題がある。他に取り得る解決策は、米国特許第３,６４３,０９２号公報に提案されている。該公報で提案されている構造は、Ｘ線進行方向に延びた複数の反応室を形成するように、その間に波形部材を配置した隣接する壁を用いている。この各反応室の少なくとも位置部を、上記の方法でＸ線放射線と反応して光を生成する発光蛍燐光体で充填する。反応室の構造は、検出手段に到達する散乱した放射線の量を制限するように、平坦な壁部剤と波形部材で形成されたその壁が、放射された光を綴じ込めおよび／または反射するようなものである。米国特許第３,０４１,４５６号公報と同様に、この公報に提案された構造は、理論的に興味深いが、小さくかつ脆い部品を取り扱うことを要するため、製造に問題がある。他の文献は、化学エッチングまたは練磨を用いて蛍燐光体物質中に溝（groove s）を作製し、その後、溝を高反射性物質で充填または平坦化して光反射性壁を形成することを提案している。しかしながら、この種のエッチングまたは練磨では、比較的粗い表面が得られるため、その後、平坦化または被覆下としても、優れた反射表面を提供しない。そのような比較的粗い表面は、多重反射を生成する効果を有することから、ほとんどの光は苛酷な散乱を介して消失する。そのような化学練磨またはエッチングのもう一つの不利益は、製造された壁が構造物を取り扱うのに十分な強度を与えるために、厚さが少なくとも０．００３〜０．０１０インチでなければならないことである。この厚さの壁は、識別でき、かつフィルム上の画像中に現れれる対応する線をもたらし、それによって解像度を低下させる。また、この厚さの壁は、受容できる蛍燐光体の量を相当する量だけ減らすことから、構造物からの光出力も低下する。さらに、この構造物は、壁の周囲が連続しておりかつ固いため、蛍燐光体をセル中に注入または浸漬した後で硬化すると、収縮または延びが生じることがあるという欠点を有している。このことは、しばしば、蛍燐光体の破壊をもたらし、その結果、破壊時に分離した界面によって乏しい光透過が生じる。米国特許第３,９３６,６４５号公報には、レーザーを用いてｘおよびｙ方向に、発光物質内に狭い溝(slots)を彫ることによって作製される気泡化された発光構造が開示されている。その後、溝を光もしくは放射線線またはその両者にたいして不透明な物質で充填する。米国特許第５,１５３,４３８号公報には、構造化シンチレーター材料であって、各シンチレーター要素間の透き間をその関連する感光性セルによって集光される各要素内での光の分配を最大にするために、例えば、二酸化チタン、酸化マグネシウム等のような反射性物質で好ましくは充填するものが開示されている。この公報では、基板の表面にオン座いする構造物上の蛍燐光体の優先的な付着によって、個々の要素が形成されている。米国特許第５,３０２,４２３号公報には、支持体上に蛍燐光体を付着させること；付着した蛍燐光体をマスクを介して電磁波発生源で露光し、それによいり蛍燐光体を部分的にアブレーションして、ＸおよびＹ両方向に一連の構造物をもたらして、溝で分離したピクセル化蛍燐光体の配列を作製すること；および得られたピクセル化蛍燐光体間の溝を、支持体上のピクセル化蛍燐光体それぞれが約０．５〜２５μｍの幅を空けて分離されるように、最初の工程で使用したものと同一または異なる組成の蛍燐光体で充填することに工程を伴うピクセル化蛍燐光体の製造方法が開示されている。前述の開示された方法は、意図された用とを満足するが、ピクセル化蛍燐光体構造物の作成方法に置いて続けられている改良は、その後も絶えず探求されている、アートの画像形成分野と同時に、直接的なデジタル放射線透過写真術の分野においても要求されている。この背景に参照すると、そのように改良されたプロセスを探求することであった。発明の要旨本発明によれば、改良されたピクセル化蛍燐光体の製造方法が提供される。第一の態様において、本発明は、（ａ）単層基板に放射線を接触させて該基板に複数の開口部(openings)を作製することによって完全に非層状の金型を形成すること、および（ｂ）第一の蛍燐光体を金型の開口部の中に付着させることにより、金型の各開口部を蛍燐光体で充填し、それによって別々の蛍燐光体要素の配列から成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成することの工程を含んでなるピクセル化蛍燐光体構造物の作製方法を提供する。第二の態様では、本発明は、（ａ）単層基板に機械用具を適用して、該基板に複数の開口部を作製することによって完全に非層状の金型を形成すること、（ｂ）第一蛍燐光体を金型の開口部の中に付着させることにより、金型の各開口部を第一蛍燐光体で充填すること、（ｃ）金型の一番上に連続した蛍燐光体層を形成することにより、連続した蛍燐光体層から突出した別々の蛍燐光体要素の配列を含むピクセル化蛍燐光体構造物を形成すること、および（ｄ）ピクセル化蛍燐光体構造物を金型から外すことの工程を含んでなるピクセル化蛍燐光体構造物の作製方法を提供する。本発明の前述の第一および第二の態様は、蛍燐光体中の穴(hole)のけがきまたはドリルによる処理を伴わないため、効率良くかつ有利であり、オンラインの連続手順に適しており、いずれの態様も、プロセス全体の製造速度の向上に基よする。さらに、本発明の方法は、レーザーを用いた蛍燐光体のアブレーションによって遭遇する困難を必然的にもたらさない。第三の態様において、本発明は、（ａ）単層基板に放射線を接触させて該基板に複数の開口部を作製することによって完全に非層状の金型を形成すること、（ｂ）原型金型のレプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成することであって、レプリカの１種またはそれ以上の世代それぞれが、複数の第二の開口部を有していること、および（ｃ）レプリカの１種またはそれ以上の世代の１つの第二の開口部の中に第一蛍燐光体を付着することにより、レプリカの１種またはそれ以上の世代の１つの第二の開口部それぞれを第一蛍燐光体で充填し、それにより別々の蛍燐光体要素の配列から成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成することの工程を含んでなるピクセル化蛍燐光体構造物の作製方法を提供する。第四の態様において、本発明は、（ａ）基板に機械用具を適用して、該基板に複数の開口部を作製することによって完全に非層状の金型を形成すること、（ｂ）原型金型のレプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成することであって、レプリカの１種またはそれ以上の世代それぞれが、複数の第二の開口部を有していること、（ｃ）レプリカの１種またはそれ以上の世代の１つの第二の開口部の中に第一蛍燐光体を付着することにより、レプリカの１種またはそれ以上の世代の１つの第二の開口部それぞれを第一蛍燐光体で充填し、それにより別々の蛍燐光体要素の配列から成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成することの工程を含んでなるピクセル化蛍燐光体構造物の作製方法を提供する。本発明の第三および第四の態様の方法は、多段階の金型形成操作を容易にする。すなわち、放射線または機械用具のいずれかで加工された基板は、ピクセル化蛍燐光体を直接製造するか、またはその後ピクセル化蛍燐光体を製造するのに用いられるレプリカの１種またはそれ以上の世代を形成するために用いられ得る。一段階操作は、速度および簡易性の利点をもたらすが、多段階工程操作は、電磁波またはイオン化放射線によって変形されない物質（例えば、金属）を、ピクセル化蛍燐光体を製造する第二または第三の金型として用いることができる。さらに、レプリカ世代の使用は、苛酷な初期の製造を必要とする第一「原型」金型を、損傷の機会をほとんど与えずに複製する事ができる。いずれの場合も、本発明の金型形成方法は、迅速かつ効果的であり、高いアスペクト比（約１：１〜２０：１の範囲）を有する別々の蛍燐光体構造物を製造することができる。高いアスペクト比は、特定の放射線照射量での解像度を高めることができるから望ましい。この方法では、高品質の画像が製造され、またＸ線放射線への患者の被爆量を最小限にすることができる。第五の態様において、本発明は、（ａ）第一蛍燐光体のシートを提供すること、（ｂ）第一蛍燐光体に複数の別々の穴を作製することであって、別々の穴それぞれが第一蛍燐光体の全体に及び、かつ２つの開口部を有すること、および（ｃ）第二蛍燐光体第一蛍燐光体上に析出してピクセル化蛍燐光体構造物を形成することであって、第二蛍燐光体の少なくとも一部が第一蛍燐光体の複数の別々の穴中に析出させることの工程を含んで成るピクセル化蛍燐光体構造物を作製する方法を提供する。本発明の第五の態様は、穴を充填する蛍燐光体の付着を達成するのが容易であることから有利である。蛍燐光体シート全体に亙って拡がっている穴は、蛍燐光体または蛍燐光体混合物を、気泡の詰まったキャビティ(cavity)を有しない穴を介して圧縮することにより付着することができ、圧縮しなければ、そのような技術で完全に充填することができない。場合により、光反射性または光吸収性物質の層は、第一蛍燐光体の穴の壁に付着することがある。本出願において、「アスペクト比」とは、特徴の幅に対するその高さまたは深さとの比を意味し；「レプリカの世代」とは、連続したレプリカ金型それぞれが系列を成して、直前のレプリカ金型の逆の型のレプリカ（または「鏡像」）を形成する一連のレプリカ金型を意味し；「ピクセル化蛍燐光体」とは、場合により互いに単離した隣接する形成する要素のシートを意味し；「溝」とは、一方の蛍燐光体要素を他方から分離する基板に形成された空の空間または隙間（例えば、細長い窪み(groove)）を意味し；「キャビティ」とは、基板に形成された穴(hole)を意味し；「開口部」とは、基板に形成された溝またはキャビティを意味し；「配列」とは、予め決定された順に並べられた要素の集まりを意味し；「センサー」とは、電磁放射線を対応する電気信号に変換するための電子デバイス（例えば、光ダイオードまたは半導体）を意味し；「連続した蛍燐光体層」とは、金型のキャビティを充填した後、金型構造物上に付着して、構造化領域を橋渡しする層を与える蛍燐光体を意味し；「別々の蛍燐光体構造物」とは、実質上平坦な表面から延びている蛍燐光体の多角形突出物を意味し；および「平坦化」とは、過剰の蛍燐光体または光反射もしくは光吸収物質を、ピクセル化蛍燐光体の一方または両方の主要表面から除去することを意味する。本発明の別の観点、利点および利益は、以下の詳細な説明、実施例および特許請求の範囲から自明である。好ましい態様の詳細な説明第一および第二の態様によれば、本発明は、（ａ）単層基板に放射線を接触させて該基板に複数の開口部(openings)を作製することによって完全に非層状の金型を形成すること、および（ｂ）第一の蛍燐光体を金型の開口部の中に付着させることにより、金型の各開口部を蛍燐光体で充填し、それによって別々の蛍燐光体要素の配列から成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成することの工程を含んでなるピクセル化蛍燐光体構造物の作製方法を提供するものである。得られるピクセル化蛍燐光体構造物は、金型から外すか、または金型中に放置することができる。本発明の方法は、場合により以下の更なる工程：（ｃ）別々の蛍燐光体要素の配列が連続した蛍燐光体層から突出するように金型の一番上に連続した蛍燐光体層を形成すること；（ｄ）光反射性または光吸収性物質の層を別々の蛍燐光体構造物の壁に付着させること；（ｅ）工程（ｂ）で使用した蛍燐光体と同一または異なる組成の蛍燐光体を蛍燐光体構造物間の隙間に付着させること；および（ｆ）蛍燐光体シートの少なくとも一方の主要表面を平坦化することを包含し得る。金型に形成された開口部は、複数のキャビティを含んでいてよく、その断面は、四角形、円形、矩形、六角形、または他の別個の多角形構造に相当し得る。一連の溝を、別の一連の溝と実質上直交するように形成して、その間に別々の蛍燐光体構造物の輪郭を表すことができる。好ましくは、溝またはキャビティで表された蛍燐光体構造物のアスペクト比は、約１：１〜２０：１の範囲、特に約２：１〜８：１の範囲であろう。別々の蛍燐光体構造物が、不均一な幅を有するならば、幅は、平均幅を意味することがある。好ましくは、金型の溝またはキャビティは、約５〜２００μｍ、特に約１５〜１００μｍの幅で離しておく。金型を形成するための一つの方法は、第一の態様によれば、複数の溝またはキャビティを基板内に作製するのに十分なエネルギーの電磁波またはイオン化放射線に基板を接触させることにより、金型を直接形成する一段階プロセスである。基板は、電磁波またはイオン化放射線により（例えば、アブレーションまたはフォトリソグラフィーにより）変形可能でかつ付着させる蛍燐光体を受容するのに適した材料であればよい。適する材料の例としては、プラスチック、例えば、ポリカーボネートもしくはアクリル酸、シリコーン、感光性レジスト、熱可塑せいエラストマー、ゴム、またはポリイミドが挙げられる。基板を、米国特許第５,３０２,４２３号公報に記載されているような蛍燐光体シートを構造化する技術に従って構造化してよく、前記の開示は、ここに挿入される。この技術を金型の形成に適用すると、レーザー（例えば、エキシマレーザーもしくはＣＯ₂レーザー）のような電磁波的な高エネルギー放射線、またはＸ線、γ線もしくは電子線のような高エネルギーのイオン化放射線を用いたアブレーションによって開口部を基板内に形成することができる。電磁波的またはイオン化放射線は、パルス波であり、および／またはマスクを使用して基板内に所望のパターンの開口部を達成し、それによって金型を形成し得る。金型を形成するための電磁波的またはイオン化放射線の使用は、ある場合には、溝またはキャビティそれぞれの壁の許容できない程度の表面粗さをもたらすことがある。表面粗さを低減または無くするために、本発明によれば、特有の投影画像形成レーザーアブレーション技術を用いることができる。本発明の投影レーザーアブレーション技術の説明は、パトリック・フレミング(Patrick Fleming) 、アンドリュー・アウダーカーク(Andrew Ouderkirk)、およびエリック・ボーチャーズ(Erick Borchers)、発明の名称：「メソッド・アンド・アパレイタス・フォア・ステップ・アンド・リピート・エクスポジュアー(METHOD AND APPARATUS FOR STEP AND REPEAT EXPOSURE)」、一般譲渡された同時継続中の米国特許出願（本出願と同日に出願、出願番号第号、および代理人整理番号第51 613US4A）の中にも見い出され得る。上記の特許出願の全内容をここに挿入する。この技術により、基板内に形成される開口部のパターンに対応したパターンの輪郭を表すマスクが提供される。レーザービームは、マスクを通過して、基板の領域を選択的にアブレーションし、それによって基板材料を除去して溝またはキャビティを形成する。基板材料を除去するには、非常に高い流束量(fluence)が必要である。したがって、マスクで表されるパターン領域は、好ましくは全く小さく、１ｃｍ²またはそれ未満の程度で作成される。基板および小さなマスクを、マスクが基板の異なる領域の上に配置されるように互いに連動して連続的に動かす。基板の異なる領域をマスクを通してレーザービームで露光して、例えば溝またキャビティの形態の開口部を形成する。あるいは、画像形成する領域全体を覆うのに十分なより大きなマスクを提供して、レーザービームを用いて走査することができる。大きなマスクの製造は非常に高価であるため、より小さなマスクの使用が好ましい。本発明の投影画像形成レーザーアブレーション技術は２つの選択を与える。第一の選択によれば、小さなマスクを基板の各位置において、部分レーザービーム露光のみを受容させる。部分レーザービーム露光は、所望の溝またはキャビティを形成するのに必要な深さまで基板を完全にアブレーションするのには不十分である。むしろ、マスクは、所望の深さを達成するのに十分な累積露光を伝搬するために、部分レーザービーム露光に繰り返して付されなくてはならない。繰り返されるレーザービーム露光は、好ましくは、同じマスク位置で連続して適用されない。その代わりとして、マスクを介して基板を部分連続してビーム露光に付す複数のマスク位置の上にマスクが配置されるように、基板とマスクを互いに連動して動かす。通常、固定したマスクに対して、並進ステージによって基板を移動させる。基板とマスクを、その後、互いに連動して動かして、所望の溝またはキャビティ深さを達成するまで、繰り返される部分レーザービーム露光のために何回も各位置にマスクを戻す。すなわち、基板のレーザービーム放射線による複数回の露光は、所望の深さまで各開口部をアブレーションする累積的な効果を発揮する。第一の選択は、基板技術のアブレーションによって発生する破壊屑によって引き起こされる表面粗さを低減する。特にスス状の破壊屑は、レーザーアブレーションによって、溝またはキャビティの周囲に堆積する傾向がある。溝またはキャビティの空間が狭いと、基板の一部をアブレーションすることによって発生する破壊屑が、基板のその後アブレーションされる部分の領域に必然的に落下する。破壊屑は、基板のアブレーション特性を、清浄な基板に比べて変更する。基板の変更されたアブレーション特性は、溝またはキャビティの壁に粗い表面をもたらす。しかしながら、この最初の選択に従って、部分レーザービーム露光の繰り返し工程のみを適用することによって、各工程での破壊屑の堆積は低減されるであろう。低減された破壊屑の堆積は、基板のアブレーション特性の変更を低減または削減する。結果として、繰り返される部分レーザービーム露光は、過度の粗さのない、所望の深さを達成するために使用され得る。第二の選択によれば、基板に溝またはキャビティを形成するために基板を所望の深さまで完全にアブレーションするには不十分な部分レーザービーム露光を行う。従って、第二の選択は、第一の選択と実質上合致する。しかしながら、基板の次の位置を露光するために、最後の露光位置からほんの一部のマスク寸法分だけ基板とマスクを互いに連動して動かす。その結果として、レーザービーム露光に付する次の位置が、前の位置と部分的に重なる。最初の選択の場合と同様に、第二の選択で適用される繰り返し部分レーザービーム露光は、アブレーションで発生する破壊屑によって引き起こされる表面粗さを低減するのに役立つ。さらに、第二の選択は、レーザービームの不均一差によって伴う表面粗さも低減する。具体的には、レーザービームによって、マスクを完全に照射することはできない。さらに、レーザービームをより均一に施すと、レーザー光学系のコストが嵩み、かつレーザーの効率も低下する。レーザービームの不均一さは、マスクを介して基板に透過される照射パターンに同様の不均一さをもたらす。連続的なレーザービーム露光におけるマスク寸法のほんの一部だけのマスクと基板の関連移動により、基板内に形成される溝またはキャビティにマスクパターンの異なる領域を経由して照射する。結果として、マスクを横断して製造される不均一さが「平均化」されるため、繰り返される部分レーザービーム露光の全体的な効果、および部分マスク寸法分の移動は比較的均一である。溝またはキャビティも、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて基板に形成され得る。この場合、基板は、感光性レジスト材料、好ましくはネガ型ドライ感光性レジスト材料であって、適するマスク（例えば、クロムマスク）を通して紫外線によって画像形成した後、現像液で洗い流す。５０〜１５０μｍ厚のドライ感光性レジストシートが、ハーキュリーズ・インコーポレイテッド(Hercules，I nc.)およびダイナ・ケミカル・インコーポレイテッド(Dyna Chem.,Inc.)から市販されている。第二の態様によれば、別の金型の形成方法は、例えば、ドリル用具またはダイアモンド旋削用具のような機械用具の使用によって、基板内に開口部を形成する事を伴う。ダイアモンド旋削用具は、基板に溝を形成する。従ってぴ構造物中にキャビティを望むのであれば、通常、ダイアモンド旋削した基板の鏡像レプリカを形成しなければならない。機械用具を使用するときに金型の製造に適する材料の例としては、金属（例えば、銅、無電解ニッケル、黄銅もしくはアルミニウム）、プラスチック（例えば、ポリカーボネートもしくはアクリル酸）、シリコーン、熱可塑せいエラストマー、ゴム、またはポリイミドが挙げられる。放射線または機械的手段のどちらかによって基板に形成された一つの好ましいパターンは、垂直および横断の２方向に延びている実質上四角形のキャビティを交互に有する「格子模様(checkerboard)」パターンである。また、ダイアモンド旋削を用いた四角形延びキャビティの形成は、最初の基板に溝を形成した後、得られた原型金型を複製した四角形のキャビティを有する金型を形成する事が必要であろう。この方法において、金型の合計容積のおよそ半分は、キャビティを含んで成り、残りの半分は、金型基板材料の非アブレーション化部分から構成されるであろう。放射線または機械的手段のどちらかによって基板に形成されたもう一つの好ましいパターンは、垂直および横断の２方向に延びている実質上四角形のキャビティを交互に有する「歪んだ(staggered)格子模様」パターンである。キャビティが互いに基板の一部分だけ離れているものである。この方法では、金型の合計容量の半分未満がキャビティを含んでいるであろう。溝またはキャビティの壁が、望ましくない表面粗さを表している場合、溝またはキャビティの壁の平滑さは、ラッカーの層で壁を被覆した後、電着を用いた銀の薄層で被覆することによって改良できる。シート内に溝を形成する場合、一般に２つの垂直な方向に溝を形成する。ラッカーは、例えば、ラッカー溶液およびラッカー薄め液中でディップコーティングすることによって、構造物の壁に塗布され得る。その後、ラッカーコーティングされた構造物を乾燥して溶媒を除去することができる。ラッカーコーティングの厚さは、ラッカーとラッカー薄め液との比を変えることにより、容易に制御できる。次に、ラッカーコーティングした壁を、例えば無電解めっきを用いた銀の薄層で被覆する。得られたラッカー／銀被覆された壁は、被覆されていない壁よりも平滑である。第３および第４の態様によれば、金型を形成する他の方法は、先ず第一材料の基板をシートに複数の第一の開口部を作成するのに十分なエネルギーの電磁波またはイオン化放射線と接触させることにより、または基板に機械用具を適用して開口部を形成することにより、最初の「原型」金型を作製するという多重工程を伴う。その後、原型金型のレプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を作製する。レプリカの世代とは、各レプリカを、その前のレプリカの鏡像として形成することを意味する。例えば、第一世代のレプリカ金型は、第二の材料を原型金型に付着させることにより形成できる。第一世代のレプリカ金型は、複数の第二の開口部有する逆の型のレプリカ、または第一の原型金型の「鏡像」を形成する。第一世代のレプリカ金型を、原型金型から外すことができる。原型金型に形成された開口部に依存する溝またはキャビティを含み得る第一世代の逆の型のレプリカの第二の開口部を使用して、ピクセル化蛍燐光体を形成することができる（すなわち、蛍燐光体を、第一世代のレプリカの第二の開口部の上に付着させてピクセル化蛍燐光体を形成することができる。）。第二世代の原型金型の正の型のレプリカ金型を、所望により、第三の材料を逆の型のレプリカ金型中に付着させることにより、第一世代のレプリカ金型から形成する事ができる。第二世代のレプリカ金型は、第一世代の鏡像、すなわち、原型金型の正の型のレプリカである。得られる第二世代の正の型のレプリカ金型は、原型金型の第一の開口部に対応する別の複数の第二の開口部を有するであろう。第三の材料を第一の逆の型の金型から外した後、蛍燐光体を第二世代の正の型のレプリカ金型内の第二の開口部中に付着させてピクセル化蛍燐光体構造物を形成することができる。第一世代の逆の型のレプリカ金型と第二世代のレプリカ金型を形成するために使用した第二および第三の材料はそれぞれ、同じもので有り得る。多重工程における原型金型の形成は、上記と同様に行うことができる（すなわち、金型を作製する材料と、それを構造化するために使用する技術は、上記の１段階金型作製法と関連させて記載したものと全く同一である。）。第一世代の逆の型のレプリカ金型を形成する為に、電気めっきまたはナイフコーティングのような適する方法により、第二の材料を原型金型上に付着させる。同様に、第二世代の正の型のレプリカ金型を形成するのと同じ方法で、第三の材料を第一世代の逆の型のレプリカ金型中に付着させることができる。第一世代の逆の型のレプリカ金型および第二世代の正の型のレプリカ金型それぞれを製造する第二および第三の材料としては、金属（例えば、ニッケルめっき）、プラスチック（例えば、ポリカーボネートまたはアクリル酸）、シリコーン、感光性レジスト、熱可塑性エラストマー、ゴム、またはポリイミドのような材料が挙げられる。第一世代のレプリカ金型を、原型金型内に残すまたは取り外す（すなわち、原型金型から分離する）ことができる。第一世代のレプリカ金型の原型金型からの分離は、時々、困難であり得る。この場合、原型金型を第一世代のレプリカ金型から適当な溶媒を用いて溶解してしまうことができる。例えば、第二材料がニッケルである場合、塩化メチレンを用いてアクリル酸原型金型を溶解してしまうか、または５０％ＫＯＨ溶液を用いてポリイミド原型金型を溶解してしまうことができる。あるいは、剥離コーティング（例えば、石油ゼリー、ワックス、またはシリコーン）を、第一世代のレプリカ金型を形成する前に原型金型に塗布して、第一世代のレプリカ金型からの原型金型の分離を促進することもできる。同様に、剥離コーティングを、第二世代の正の型のレプリカ金型を形成する前に第一世代の逆の型のレプリカ金型に塗布して、第一世代のレプリカ金型からの第二世代レプリカ金型の分離を促進することもできる。連続する世代を共に金属から形成するならば、パッシベーション(passivation)層をその前の金型に塗布して剥離を促進すべきである。金型上への蛍燐光体物質の付着中に、金型の開口部を蛍燐光体物質で充填すべいである。さらに、蛍燐光体構造物を金型から取り外すならば、連続した蛍燐光体層を、開口部内に蛍燐光体を内接する金型の一番上に付着させなければならない。得られる構造物は、連続した蛍燐光体層から突出した別々の蛍燐光体構造物の配列である。本発明では、通常の蛍燐光体がいずれも使用できる。そのような蛍燐光体の非限定的な例としては、以下のものが挙げられる：日本特許出願公開第８０４８７／１９７３号公報に開示されているようなＢａＳＯ₄：Ａｘ（式中、Ａは、Ｄｙ、ＴｂおよびＴｍから選ばれる少なくとも１つの元素であり、およびｘは、０．００１≦ｘ＜１モル％を満足する。）で表される蛍燐光体；日本特許出願公開第８０４８８／１９７３号公報に開示されているようなＭｇＳＯ₄：Ａｘ（式中、Ａは、ＨｏまたはＤｙのいずれかであり、およびｘは、０．００１≦ｘ＜１モル％を満足する。）で表される蛍燐光体；日本特許出願公開第８０４８９／１９７３号公報に開示されているようなＳｒＳＯ₄：Ａｘ（式中、Ａは、Ｄｙ、ＴｂおよびＴｍから選ばれる少なくとも１つの元素であり、およびｘは、０．００１≦ｘ＜１モル％を満足する。）で表される蛍燐光体；日本特許出願公開第２９８８９／１９７６号公報に開示されているようなＭｎ、ＤｙおよびＴｂから選ばれる少なくとも１つの元素を含有するＮａ₂ＳＯ₄、ＣａＳＯ₄またはＢａＳＯ₄を含んで成る蛍燐光体；日本特許出願公開第３０４８７／１９７７号公報に開示されているようなＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ₄またはＣａＦ₂を含んで成る蛍燐光体；日本特許出願公開第３９２７７／１９７８号公報に開示されているようなＬｉ₂ Ｂ₄Ｏ₇：ＣｕまたはＡｇを含んで成る蛍燐光体；日本特許出願公開第４７８８３／１９７９号公報に開示されているようなＬｉ₂ Ｏ・（Ｂ₂Ｏ₂）_x：Ｃｕ（式中、ｘは、２＜ｘ≦３を満足する。）またはＬｉ₂Ｏ・（Ｂ₂Ｏ₂）_x：Ｃｕ,Ａｇ（式中、ｘは、２＜ｘ≦３を満足する。）のいずれかで表される蛍燐光体；米国特許第３,８５９,５２７号公報に開示されているようなＳｒＳ：Ｃｅ,Ｓｍ；ＳｒＳ：Ｅｕ,Ｓｍ；Ｌａ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ,Sｍ；および（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ, Ｘ（式中、Ｘはハロゲンである。）表される蛍燐光体；日本特許出願公開第１２１４２／１９８０号公報に開示されているようなＺｎＳ；ＣｕまたはＰｂで表される蛍燐光体；ＢａＯ・（ＡＩ₂Ｏ₃）_x：Ｅｕ（式中、ｘは、０．８≦ｘ≦１０を満足する。）で表されるアルミン酸バリウム蛍燐光体、およびＭ^IIＯ_xＳｉＯ₂：Ａ（式中、Ｍ^IIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、ＣｄまたはＢａ；Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｌ、ＢｉおよびＭｎ空選ばれる少なくとも１つの元素であり、およびｘは、０．５≦ｘ≦２．５を満足する。）で表されるケイ酸アルカリ土類金属塩蛍燐光体；（Ｂａ_l-x-yＭｇ_xＣａ_y）ＦＸ：ｅＥｕ²⁺（式中、Ｘは、ＢｒおよびＣ１のうち少なくとも１つであり、ｘ、ｙおよびｅはそれぞれ、０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ ≠０、および１０^-6≦ｅ≦５×１０^-2を満足する。）で表されるアルカリ土類フルオロハライド蛍燐光体；日本特許出願公開第１２１４４／１９８０号公報に開示されているようなＬｎＯＸ：ｘＡ（式中、Ｌｎは、Ｌａ、Ｙ、ＧｄおよびＬｎから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｘは、Ｃｌおよび／またはＢｒであり、Ａは、Ｃｅおよび／またはＴｂであり、およびｘは、０＜ｘ＜０．１を満足する。）で表される蛍燐光体；日本特許出願公開第１２１４５／１９８０号公報に開示されているような（Ｂａ_1ーx Ｍ^II）ＦＸ：ｙＡ（式中、Ｍ^IIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、ＹｂおよびＥｒから選ばれる少なくとも１つの元素であり、およびｘおよびｙはそれぞれ、０≦Ｘ≦０．６および０≦ｙ≦０．２を満足する。）を含んで成る蛍燐光体；日本特許出願公開第８４３８９／１９８０号公報に開示されているようなＢＦＸ：ｘＣｅ,ｙＡ（式中、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ａは、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇｄ、ＳｍおよびＺｒから選ばれる少なくとも１つの元素であり、並びにｘおよびｙはそれぞれ、０＜ｘ≦２×１０^-1および０＜ｙ≦５×１０^-2を満足する。）で表される蛍燐光体；Ｍ^IIＦＸ：ｘＡ：ｙＬｎ（式中、Ｍ^IIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ａは、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅およびＴｈＯ₂から選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｌｎは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｖ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選ばれる少なくとも１つの元素であり、並びにｘおよびｙは、５×１０^-5≦ｘ≦０．５および０＜ｙ≦０．２を満足する。）で表される希土類不元素活性化二価の金属フルオロハライド蛍燐光体；日本特許出願公開第１４８２８５／１９８２号公報に開示されているようなｘＭ₃ （ＰＯ₄）₂・ＮＸ₂：ｙＡまたはＭ₃（ＰＯ₄）₂：ｙＡ（式中、ＭおよびＮは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＣｄから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、Ｔｌ、ＭｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも１つの元素であり、並びにｘおよびｙはそれぞれ、０＜ｘ≦６および１≦ｙ≦１を満足する。）で表される蛍燐光体；ｎＲＸ₃・ｍＡＸ'₂：ｘＥｕまたはｎＲｅＸ₃：ｍＡＸ'₂：ｘＥｕ,ｙＳｍ（式中、Ｒは、Ｌａ、Ｇｄ、ＹおよびＬｕから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１つの元素であり、ＸおよびＸ'はそれぞれ、Ｆ、ＣｌおよびＢｒから選ばれる少なくとも１つの元素であり、ｘおよびｙはそれぞれ、１×１０^-4＜ｘ＜３×１０^-1および１×１０^-4＜ｙ＜１×１０^-1を満足し、並びにｎ／ｍは、１×１０^-3＜ｎ／ｍ＜７×１０^-1を満足する。）で表される蛍燐光体；Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ・ｂＭ^IIIＸ：ｃＡ（式中、Ｍ^I は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓから選ばれる少なくとも１つの元素であり、、Ｍ^IIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉから選ばれるする１つの二価の金属であり、Ｍ^IIIは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｂ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１つの三価の金属であり、Ｘ，Ｘ'およびＸ"のそれぞれは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選ばれる少なくとも１つのハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ，Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、ＣｕおよびＭｇから選ばれる少なくとも１つの元素であり、並びにａ，ｂおよびｃはそれぞれ、０≦ ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５およ０＜ｃ≦０．２を満足する。）で表されるアルカリハライド蛍燐光体；アイ・イー・イー・イー・トランサクションズ・オブ・ヌクレアー・サイエンス (IEEE Transactions of Nuclear Science) 、第３４巻、第４号、１９９２年、５０２〜５０５頁に記載のセリウムドープしたルテチウムオキシオルトケイ酸塩ＬＵ_2(1-x)Ｃｅ_2x（ＳｉＯ₄）Ｏで表される蛍燐光体；アイ・イー・イー・イー・ジャーナル・オブ・クォンタム・エレクトロニクス(I EEE Journal of Quantum Electronics) 、第２６巻、第８号、１９９０年８月、１４０５〜１４１１頁および欧州特許第０,２５３,５８９号公報に記載のイットリウムオルトケイ酸塩中にドープしたネオジミウム（Ｎｄ³⁺：Ｙ₂ＳｉＯ₅）で表される蛍燐光体；ＲがＴｂ、Ｅｕ、ＰｒおよびＴｍから選ばれる少なくとも１つの元素であるＧｄ₂ Ｏ₂Ｓ：Ｒで表される蛍燐光体；ＣｓＩ：Ｎａ、ＬｉＦなどのような熱発光性物質で表される蛍燐光体等。本発明の好ましい蛍燐光体は、アルカリ金属ハライドまたはＧｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｒを含んで成るものである。場合により、蛍燐光体は、例えば、エポキシ、アクリレート、フェノール等のようなバインダーを含有し得る。好ましいバインダーは、米国特許第５,４１１, ８０６号公報に記載されているようなACMAS UV放射線硬化性バインダーであり、前記公報の全内容は、ここに挿入される。蛍燐光体を、多数の異なる方法を用いて、金型上に付着（蒸着）させることができる。第１の方法は、真空蒸発である。この方法では、金型を配置した真空蒸発装置を、１０^-6Torr程度の基準まで排気する。その後、上記の蛍燐光体の少なくとも１種を抵抗加熱、電子線加熱等によって蒸発させ、金型の表面上に形成された所望の厚さの蛍燐光体の層を作製する。蛍燐光体含有層は、何回も蒸発手順を繰り返す事によっても形成され得る。複数の抵抗ヒーターまたは電子線を用いて同時真空蒸発を行うこともできる。付着（蒸着）した層を蒸発中に加熱または冷却すること、あるいは付着（蒸着）した層を蒸発後に熱処理することもできる。真空蒸発操作後、蛍燐光体含有層は、場合により保護層を用いて、金型とは反対側の面に提供される。第２の方法は、スパッタリング技術である。この方法では、金型を配置したスパッタリング装置を約１０^-6Torrまで排気する。次に、ＡｒまたはＮｅのような不活性ガスを装置に導入し、内圧を約１０^-3Torr程度まで上げる。その後、上記の蛍燐光体の少なくとも１種をスパッタして、金型内部および表面上に蒸着させて所望の厚さの蛍燐光体の層を作製する。蛍燐光体層は、複数のスパッタリング手順を繰り返すことによっても形成できる。スパッタリング操作後、蛍燐光体層を、必要に応じて保護層をおもちいて、金型とは反対側の面に提供する。第３の方法は、化学真空蒸着（ＣＶＤ）である。この方法では、熱エネルギー、高周波出力等を用いて、目的とする蛍燐光体または有機金属化合物含有蛍燐光体原料を分解することにより、金型上に蛍燐光体層を得る。第４の方法は、噴霧技術である。この方法において、蛍燐光体層は、金型の粘着層上に蛍燐光体粉末を噴霧することによって得られる。あるいは、蛍燐光体粉末を粘着材料に沿って金型上に同時付着することもできる。第５の方法は、焼付け法である。この方法では、蛍燐光体粉末を中に分散した有機バインダーを、金型にコーティングした後、焼付けるため、有機バインダーが揮発して、バインダーを含まない蛍燐光体層が得られる。第６の方法は、硬化方法である。この方法では、蛍燐光体粉末を中に分散した有機重合性バインダーを、金型にコーティングした後、バインダーが重合を開始および完了する条件に付すことにより、重合したバインダーと蛍燐光体との固体複合塊を形成する。第７の方法は、噴霧熱分解法である。この方法では、蛍燐光体は、適する揮発性キャリヤー中に懸濁した基本要素の溶液を加熱した金型上に噴霧することによって形成され、蛍燐光体の付着中に、キャリヤーの蒸発が生じる。第８の方法は、カレンダー法である。この方法では、蛍燐光体をバインダーと混合して、例えばナイフコーターにより、それを基板の開口部中に付着させた後、その間の接触表面を明確にする一対のカレンダーロールに通過させる。カレンダーロールへの連続通過は、開口部中へ蛍燐光体を圧縮するのを助け、蛍燐光体と金型の壁との間の空隙を実質上排除する。蛍燐光体の付着後、蛍燐光体を金型の中に残すか、または金型を蛍燐光体から取り外すことができる。取り外しを促進するために、金型の頂点および開口部は、金型上に蛍燐光体を付着する前に、好ましくは剥離材料（例えば、シリコーン、石油ゼリーまたはワックス）で被覆する。金型から取り外すと、金型の一番上の連続した蛍燐光体層は、連続した蛍燐光体層から突出した別々の蛍燐光体構造物の配列を含み、結果としてピクセル化蛍燐光体の基となる。別々の蛍燐光体構造物は、高さが約５０〜５００μｍの範囲、および幅が約２５〜１７０μｍの範囲であり得る。特に、高さは５０〜２００ μｍの範囲であり、幅は５０〜８５μｍの範囲である。場合により、その後、アルミニウムまたは銀のような薄い光反射層を、別々の蛍燐光体構造物の壁に形成することができる。スパッタリング、蒸発、無電解めっき、電着、または他の薄膜付着技術を利用することができる。場合により、光吸収材料を、別々の蛍燐光体構造物の壁に付着することもできる。好ましくは光反射または光吸収材料の層の厚さは、約１０００〜１０,０００Åの範囲である。あるいは、金型をＸ線放射線を実質上透過する材料から作製すれば、蛍燐光体を金型に残すことができる。別々の蛍燐光体構造物を形成するのに使用する組成と同一または異なる蛍燐光体物質を、突出した蛍燐光体構造物の間の溝またはキャビティ内にににに付着することができる。前に使用した組成とは異なる組成の蛍燐光体材料を使用するは、画素内での屈折率が、画素の外部での屈折率よりも大きいと、屈折率の差が画素内を横切る光を生じさせて、画素内で反射して戻ることから、単一画素内での光の封じ込めを高めることがある。得られたピクセル化蛍燐光体構造物および薄い金属膜は、利用できるならば、その後、機械研磨、イオン練砕、化学エッチング、プラズマエッチング、および機械化学的ラッピングのような適する方法によって、一方または両方の主要表面上を平坦化し得る。所望により、その後得られる平坦化されたピクセル化蛍燐光体シートを、支持体上に付着して、構造的強度および耐摩耗性を与えることができる。蛍燐光体用の支持体は、種々のポリマー材料（例えば、ポリイミドおよびポリエステル）、ガラス、焼きなましガラス、石英、金属等であり得る。特に好ましい材料は、例えば、酢酸セルロース、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、三酢酸セルロースまたはポリカーボネートフィルムのようなプラスチックフィルム、あるいはアルミニウム、スチール鋼または銅のような金属製のシートである。ピクセル化蛍燐光体シートは、１つのセンサー配列を含む基板上に、または「サブ−モジュール」として記載され得る多数のセンサー配列上に配置できる。サブ−モジュールの集合体は、それらの端と端を互いに接合することにより組み立てて、完成した大規模な放射線透過技術用画像形成パネルを形成することができる。蛍燐光体を形成する工程は、大規模な放射線透過技術用画像形成パネル上でも成され得る。センサー配列は、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、カドミウムテルル、銅インジウム二セレン、および当業者に既知の他のセンサー材料から作製され得る。単結晶シリコンの場合、センサー配列は、約３００〜約７００μｍ厚のシリコンウエハー上における通常のセンサー配列であり得る。さらに、センサー配列は、好ましくは約１０〜５０μｍ厚、特に約１０〜２０μｍ厚の薄いシリコンウエハー上にもあり得る。十分に薄いシリコンウエハー上のセンサー配列は、光を透過するという利点を有しているため、蛍燐光体は、光検知センサーとは逆の面からシリコンを通してセンサー配列に発光することができる。端と端を接合させた薄いウエハーの使用は、高い重点ファクターを達成して、蛍燐光体からの光を有効に集光する。この発光方法は、「背面発光(back-illumination)」と呼ばれる。あるいは、ピクセル化蛍燐光体シートは、繊維光学要素上に付着できる。繊維光学要素は、束の一方の端に突出した画像は、画像の異なる部分の関連する位置に１対１で対応している束のもう一方の端に均一に転写されるように、互いに平行に接合した個々の光学繊維製品の大きな束から構成できる。繊維光学品のこの束の光透過する表面は、その後蛍燐光体の均一な付着により被覆できるパターニングした表面を形成することができるように、研磨することによって十分に平滑化できる。また、得られた蛍燐光体シートは、通常の放射線透過技術において使用されるように、通常のハロゲン化銀をベースとする写真フィルムに付着することもできる。第５の態様において、本発明は、（ａ）第一蛍燐光体のシートを提供すること、（ｂ）複数の別々の穴を第一蛍燐光体中に作製することであって、別々の穴がそれぞれ、第一蛍燐光体を介して拡がってかつ２つの開口部を有すること、および（ｃ）第二蛍燐光体を第一蛍燐光体上に付着させて、ピクセル化蛍燐光体構造物を形成することであって、第二蛍燐光体の少なくとも一部を、第一蛍燐光体の複数の別々の穴に付着させることの工程を含んで成るピクセル化蛍燐光体構造物の作製方法を提供するものである。光反射または光吸収材料の層を穴の壁に形成することができる。蛍燐光体のシートは、一般的な放射線透過技術において使用する蛍燐光体スクリーンを作製する当業者に周知の技術により作製することができる。通常のように、蛍燐光体は、蛍燐光体粒子、ポリマーバインダー、および溶媒を含んで成る組成物で支持体をコーティングすることによって作製される。コーティングを、乾燥して溶媒を除去し、バインダー中に分散された蛍燐光体粒子の接着層を取り外す。蛍燐光体のシートは、熱硬化または放射線硬化により形成された架橋したポリマーマトリックス中に分散した蛍燐光体の粒子を含んで成る組成物をコーティングすることによっても作製され得る。さらに、コーティングは、不飽和架橋性ポリマー、重合性アクリル酸モノマー、熱可塑性ポリウレタンエラストマー、および開始剤を含んでいてもよい。使用されるコーティング技術としては、ナイフコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、押出コーティング、カーテンコーティング等が挙げられる。２つの開口部を有する複数の穴は、適する方法、例えば、蛍燐光体層を介してレーザー（例えば、エキシマレーザーもしくはＣＯ₂レーザー）でアブレーションすること、またはドリルのような機械器具を蛍燐光体シートに適用すること等によって蛍燐光体シート中に作製され得る。本発明の方法以外の方法は、先にここに開示したように実施できる。加えて、得られるピクセル化蛍燐光体の少なくとも一方の主要表面も、先にここに開示した如く、平坦化され得る。以下の非限定的な実施例によって、本発明をさらに説明する。実施例１アクリル酸シートに、直径１００μｍ、深さ２００μｍの穴をＣＯ₂レーザーを用いて空けた。コヒーレントモデル４２ＣＯ₂レーザーの作動条件は、以下の通りであった：出力４６Ｗ（ＣＷ）、パルス長０．１ｍｓ、パルス間隔０．００３インチ、供給速度１００インチ／分、平衡Ｎ₂と１４％ＣＯ₂との混合ガスを用いたキャビティ圧２３ミリバール。次に、無電解めっきを用いて穴を１０００Å のＡｇで被覆した後、機械操作上の支持体としての一番上の連続層にＮｉ電着した。塩化メチレンを用いてアクリル酸を溶解して、高さ２００μｍ、底部直径１００μｍ、および頂点直径３０μｍの表面特徴［ポスト(posts)］を有するニッケル金型を得た。得られたニッケル金型のポスト間の領域を蛍燐光体で充填して、構造化蛍燐光体シートを形成した。実施例２１２５ｍｍ厚の蛍燐光体（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ）のシートをマイラーシートに被覆した。ＣＯ₂レーザーを用いて、蛍燐光体シート全体に亙って拡がっている直径１００μｍの穴を空けた。使用したレーザーの条件は、パルス間隔を０．００６インチに変えたこと以外は、実施例１と同様であった。実施例３実施例１と同様のレーザーおよび作動条件を用いて、シリコーンシートに穴を空けた。孔の直径は１００μｍ、中心間の距離は２５０μｍ、および深さは１５０μｍであった。１．５％石油ゼリーのクロロメタン溶液を熱水浴中で混合し、剥離層として、シリコーンシート中の穴の表面にコーティングした。その後、シリコーンゴム［ダウ・コーニング(Dow Corning)製、シラスティック(Silastic)J （登録商標）］を穴に注入した。シートを真空反応室に置いて、穴の中にトラップされた空隙が残らないことを確実にするために、３〜４分間真空引きした。次いで、シリコーンゴムを室温で２４時間、および６５℃で１時間硬化した。硬化後、シリコーンゴムをシリコーンシートから取り外して、ピクセル化蛍燐光体構造物を形成するための金型として用いた。実施例４Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂを含んで成る厚さ７５μｍの蛍燐光体を、２０００Åのアルミニウムで被覆したポリエステルフィルム上に塗布した。蛍燐光体に、中心間の間隔が２５０μｍで直径が１００μｍの穴をＣＯ₂レーザーを用いて空けた。穴は、アルミニウム被覆に向かっており、全ての方向に及んでいた。ＣＯ₂レーザー作動条件は、以下の通りであった：出力４８Ｗ（ＣＷ）、供給速度１００インチ／分、パルス間隔０．００６インチ、パルス長０．１ｍｓ、キャビティ圧１６ミリバール、１４％ＣＯ₂ガス。次に、熱的蒸発技術を用いて、穴を３０００Å の銀で被覆した。その後、蛍燐光体上の一番上の銀層をラップ仕上げすることにより除去した。次いで、２番目のＧｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ蛍燐光体の層を、真空中において、構造化蛍燐光体シート上にナイフコーティングした。実施例５実施例１の条件を用いて、アクリル酸シートに直径１００μｍ、深さ２００μ ｍの穴を空けた。真空環境下、ナイフコーティングによって、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ蛍燐光体で穴を充填し、蛍燐光体の連続層を一番上の表面に残した。次に、アクリル酸を、塩化メチレンを用いてエッチング除去し、蛍燐光体ポストを含んで成る構造化蛍燐光体を得た。実施例６部分的にマスク方向を移動させながらの投影レーザーアブレーション技術を用いて、ピクセル化蛍燐光体を製造するための金型を作製した。作製した金型は、一定の寸法および形状の特徴を有していた。ミクロフェイズ・ラボ(Microphase Labs)、コロラド・スプリング、コロラド州から２１１６個の開口部を有する画像形成マスクを入手した。開口部は、中心間の距離が１３０μｍで一辺が１００μｍの四角形であり、四角形のマトリックス中に、一辺に４６個の開口部を配列した。２倍縮小光学系を装備したレーザーアブレーション画像形成装置の対物平面にマスクを取り付け、画像平面における６５μｍ中心に５０μｍの四角形開口物の投影画像を得た。アブレーション装置の出力は、波長２４８μｍで操作するエキシマレーザーであった。デュポン(DuP ont)から市販されている厚さ７５μｍのカプトン(Kpton、登録商標)Ｅポリイミドフィルムを２５μｍ厚の銅箔に積層して基板を形成し、レーザー装置の画像平面に配置したｘ−ｙ並進ステージに固定した。レーザー出力設定は、基板において８００ｍＪ／ｃｍ²とし、ポリイミドフィルムを接着した銅層に向かってアブレーションするのに約３５２パルスが必要であることを決定した。基板を縦走する第一方向におけるパルス毎の２中心間距離の並進を選択した後、基板縦走を繰り返す前に、別の方向（第一方向に垂直な方向）における３中心間距離を変えた。特徴の列およびカラムが、並進ステージのｘ軸およびｙ軸において同時に生じるように画像形成マスクを配置し、マスクの投影画像が基板の一番上の左角にあるように基板を配置した。レーザーの１パルス毎に、並進ステージを特徴２つ分の距離（１３０μｍ）だけ左にシフトし、基板の一番端を画像形成するまで工程を続け、アブレーションの最初のパスを完了した。次に、ステージを元の位置に戻して、特徴３個分の距離（１９５μｍ）だけ並進させた。その後、１パルス照射してステージを特徴２個分左に並進させる工程を基板を横切って繰り返し、アブレーションの２度目のパスを完了した。基板の全表面を縦走するまで、特徴３個分並進させた後、１パルス照射し、基板を横に並進させる工程を続けた。この方法では、基板の中心の長方形領域は、深さ７５μｍの四角形の穴で画像形成された。この中心領域は、どの辺も穴４６個分の幅の領域で区切られており、深さは、中心領域付近で７５μｍ〜画像領域の端で約０まで変化した。しかしながら、中心領域の穴は、一定の寸法、深さおよび形状を有することを特徴としていた。穴の底部を銅でめっきすることにより、この構造物のニッケル製レプリカを形成した。実施例７ダイアモンド旋削器具を用いて約０．０８０インチ厚のアクリル酸（ＰＭＭＡ）のフレキシブルシートをパターニングして、原型金型形成した。アクリル酸をドラム周囲にしっかりと巻き付け、それに一連の平行な溝を切削した。その後、シートをドラムから外して、９０°回転させ、ドラムに再度固定した。次いで、第２の一連の平行な溝を切削し、基板から突き出した一連のポストを有するアクリル酸原型金具とした。その後、米国特許第５,３１７,８０５号公報（全内容をここに挿入する。）に記載の電鋳方法を用いて、電気めっき電流２０Ａ／平方フィートで析出速度０．００１インチ／時間においてアクリル酸原型をニッケル中で複製した。得られた第一世代のレプリカシートは、ニッケル表面内にアクリル酸原型金型のポストによって形成された一連の穴を含んでいる。複製工程は、第一世代のレプリカシートにおいて、さらにニッケル中で再度行われて、第二世代のレプリカ金型をもたらした。第一世代の金型をニッケルでめっきして第二世代の金型を形成する前に、二クロム酸カリウムの２％水溶液のパッシベーションを第一世代の金型に室温で３０秒間適用した。パッシベーションを蒸留水で洗い流し、複製を行った。得られた第二世代のレプリカ金型は、材料がニッケルであることを除いて、最初のアクリル酸原型金型と全く同一であった。第二世代のレプリカ金型を用いて１７０℃においてポリカーボネートのシートをホットプレスすることにより、第二世代のレプリカ金型の最終的な複製を達成した。加えた圧力は、以下の順に増加させた：７トンで１分間、１０トンで１分間、および１２．５トンで１分間。室温まで冷却した後、ポリカーボネートシートを第二世代のニッケル金型から除去した。得られたポリカーボネート金型は、深さの関数として変化させた正方形の断面を有する穴の正方形のマトリックスを含んでいた。穴の深さは１００μｍ、ポリカーボネートの表面での一辺が５０μｍ、孔の底面での一辺が３３μｍであった。台形型の断面を有し、かつポリカーボネートの表面では２８μｍおよび穴の底面では４２μｍと測定された壁で穴を分離した。その後、無電解めっきを用いて、金型を１０００Åの銀で被覆した。米国特許第５,４１１,８０６号公報の記載と同様にして、Ｔ１６蛍燐光体（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ）の混合物を含んで成るコーティングを、ACMAS UV放射線硬化性バインダーと１１：１の比で混合した。次いで、この混合物を金型に塗布し、米国特許第５ ,４１１,８０６号公報に記載の技術を用いて硬化した。実施例８実施例６のニッケル製レプリカを、実施例７の記載と同様にして、ポリカーボネート中で複製し、中心間の距離が６５μｍ、一辺が５０μｍおよび深さが７５ μｍの正方形の穴の直角の配列を得た。実施例９幅３００μｍおよび深さ１７５μｍと測定された一連の隣接する平行な９０° のＶ字型の溝を有するニッケル金型を用いて、アクリル酸フィルムをしぼつけした。１,２-ジクロロエタン５６ｇ中に石油ゼリー０．６ｇを含んで成る溶液でアクリル酸フィルムを被覆し、１００℃で２０分間焼き付けて溶媒を除去した。Ｔ６蛍燐光体（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ）の混合物を、ACMASバインダーと混合し、それを金型に塗布し、実施例７の記載と同様にして硬化した。Ｖ字型の溝パターンを含む蛍燐光体層の厚さは、約１７５μｍであった。硬化した蛍燐光体レプリカを金型表面から取り外した。実施例１０厚さ約５００μｍの基板を提供した。コーニングのコーニング・グラス・コーポレイション・オブ・コーニング(Corning Glass Corporation，of Corning、ニューヨーク)から市販されているフォトフォーム(Fotoform、登録商標)材料から基板を製造した。コーニングから入手したとき、基板には、中心間の距離が１１５ μｍの８５×８５μｍの正方形のキャビティがあった。１０％アクリル酸ラッカーと９０％ラッカー薄め液の溶液中で基板をディップコーティングして、一晩乾燥させた。コーティングの厚さは２μｍであった。その後、無電解めっきを用いて、ラッカー塗布した壁を１０００Å銀層で被覆した。得られた基板を、実施例９の記載と同様に、蛍燐光体の混合物で充填した。蛍燐光体で充填した基板にＸ線放射線を露光して、フィルムのシートを画像形成するのに使用した。ラッカー／銀被覆した蛍燐光体で画像形成したフィルムには、ラッカー／銀被覆していない蛍燐光体で画像形成されたフィルムに比べて、光出力と画像鮮明性の向上をもたらすことが観察された。本発明に記載した例示的な態様、更なる利点および変更は、ここに記載した本発明の明細書および実施を考慮することにより、当業者には容易に行えるであろう。したがって、明細書および実施例は、ほんの例示的なものであって、以下の特許請求の範囲で定義される本発明の真の範囲および精神の範疇にあるものと考えられるべきである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者カルホーン，クライド・ディアメリカ合衆国55133−3427ミネソタ州セント・ポール、ポスト・オフィス・ボックス 33427番 (72)発明者クリンケ，ハーラン・エルアメリカ合衆国55133−3427ミネソタ州セント・ポール、ポスト・オフィス・ボックス 33427番 (72)発明者ダールクイスト，ジョン・シーアメリカ合衆国55133−3427ミネソタ州セント・ポール、ポスト・オフィス・ボックス 33427番 (72)発明者フレミング，パトリック・アールアメリカ合衆国55133−3427ミネソタ州セント・ポール、ポスト・オフィス・ボックス 33427番

Claims

【特許請求の範囲】１．（ａ）単層基板に放射線を接触させて該基板に複数の開口部を作製することによって完全に非層状の金型を形成すること、および（ｂ）第一蛍燐光体を金型の開口部の中に付着させることにより、金型の各開口部を蛍燐光体で充填し、それによって別々の蛍燐光体要素の配列から成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成することの工程を含んでなるピクセル化蛍燐光体構造物の作製方法。２．別々の蛍燐光体要素の配列が連続した蛍燐光体層から突出するように、前記金型の一番上に連続した蛍燐光体層を形成する工程も含んで成る請求項１に記載の方法。３．金型からピクセル化蛍燐光体構造物を取り外す工程も含んで成る請求項２に記載の方法。４．取り外したピクセル化蛍燐光体構造物の別々の蛍燐光体要素の間の領域を第二蛍燐光体で充填する工程も含んで成る請求項３に記載の方法。５．前記第二蛍燐光体の組成が第一蛍燐光体の組成と異なる請求項４に記載の方法。６．ピクセル化蛍燐光体構造物が、第一および第二の主要な相反する表面を含み、前記の方法が、蛍燐光体構造物の第一および第二の主要な相反する表面の少なくとも一方を平面化することにより、ピクセル化蛍燐光体構造物上に少なくとも１つの平面化表面を形成することの工程を含んで成る請求項３に記載の方法。７．ピクセル化蛍燐光体構造物の少なくとも一方の平面化表面を第二基板に接合することを含んで成る請求項６に記載の方法。８．別々の蛍燐光体要素それぞれのアスペクト比が約１：１〜約２０：１の範囲であって、アスペクト比が、別々の蛍燐光体要素それぞれの高さと別々の蛍燐光体それぞれの幅との比を表す請求項１に記載の方法。９．別々の蛍燐光体要素それぞれのアスペクト比が２：１〜８：１の範囲である請求項８に記載の方法。１０．別々の蛍燐光体要素それぞれが壁を含み、方法が別々の蛍燐光体要素それぞれの壁の上にラッカーの層を形成すること；およびラッカー層上に銀の層を形成することの工程を含んで成る請求項１に記載の方法。１１．金型を形成する工程が、基板の複数の部分の一つにマスクを配置することであって、該マスクが開口部のパターンの輪郭を表すこと；マスクを介して基板の一部分を放射線で露光し、基板の一部分の領域を放射線アブレーションして基板に開口部を作製することであって、基板の一部分に対する放射線での露光強度がそれぞれ、基板の一部分の各領域を所望の深さまでアブレーションするには不十分であること；およびマスクが基板の別の部分の上に配置されるように基板とマスクを互いに連動させて動かすこと；基板の別の部分をマスクを介して放射線で露光すること；およびマスクが基板の各部分の上に配置されるように基板とマスクを互いに関連させて移動すること、および放射線による基板の部分の複数の露光が各領域を所望の深さまでアブレーションする蓄積効果を発揮するように、基板の各部分をマスクを介して複数回、放射線で露光することの工程も含んで成る請求項１に記載の方法。１２．基板およびマスクを互いに関連させて移動する工程が、基板およびマスクを互いに関連させて、マスク寸法未満の距離だけ移動することを含む請求項１１に記載の方法。１３．金型の開口部中に第一蛍燐光体を付着させる工程が、１対のカレンダーロールの間に金型をパスさせることを含むことであって、接触領域の輪郭を表す前記カレンダーロールが第一蛍燐光体を金型の開口部に圧縮し、それによって開口部内での空隙の形成を低減させる請求項１に記載の方法。１４．各開口部の断面が正方形、円、長方形および六角形の１つに対応する請求項１に記載の方法。１５．（ａ）単層の基板を放射線に接触させて基板に複数の開口部を作製することによって完全に非層状の原型金型を形成すること；（ｂ）原型金型のレプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成することであって、１種またはそれ以上の世代のレプリカそれぞれが、複数の第二の開口部を有すること；（ｃ）１種またはそれ以上の世代のレプリカの第二の開口部中に第一蛍燐光体を付着させること、それによりレプリカの１種またはそれ以上の世代の１つの第二の開口部それぞれを第一の蛍燐光体で充填すること、およびそれにより別々の蛍燐光体要素の配列を含むピクセル化蛍燐光体構造物を形成すること；の工程を含んで成るピクセル化蛍燐光体構造物を作製する方法。１６．別々の蛍燐光体要素が連続した蛍燐光体層から突出するように、レプリカの１種またはそれ以上の世代の１つの一番上に連続した蛍燐光体層を形成する工程も含んで成る請求項１５に記載の方法。１７．ピクセル化蛍燐光体構造物をレプリカの１種またはそれ以上の世代の１つから取り外す工程も含んで成る請求項１６に記載の方法。１８．取り外したピクセル化蛍燐光体構造物の別々の蛍燐光体要素の間を第二の蛍燐光体で充填する工程も含んで成る請求項１７に記載の方法。１９．第二の蛍燐光体の組成が前記第一の蛍燐光体の組成と異なる請求項１８に記載の方法。２０．ピクセル化蛍燐光体構造物が、第一および第二の主要な相反する表面を含み、前記の方法が、蛍燐光体構造物の第一および第二主要な相反する表面の少なくとも一方を平坦化することにより、ピクセル化蛍燐光体上に少なくとも一つの平坦化された表面を形成することの工程も含んで成る請求項１７に記載の方法。２１．ピクセル化蛍燐光体構造物の少なくとも１つの平坦化された表面を別の基板に接合する工程も含んで成る請求項２０に記載の方法。２２．基板が第一の材料を含んで成り、レプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成する工程（ｂ）が、第二の材料を原型金型中に付着させることによって原型金型の逆の型のレプリカを形成して、第二の材料を原型金型から取り外す工程を包含し、かつ第一蛍燐光体を付着させる（ｃ）の工程が、第一蛍燐光体を逆の型のレプリカの第二の開口部中に付着させることを含む請求項１５に記載の方法。２３．基板が第一の材料を含んで成り、レプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成する工程（ｂ）が、第二の材料を原型金型中に付着させることによって原型金型の逆の型のレプリカを形成すること、第二の材料を原型金型から取り外すこと、第三の材料を逆の型のレプリカ中に付着させることによって正の型のレプリカを形成すること、および第三の材料を逆の型のレプリカから取り外すことの工程を包含し、および第一蛍燐光体を付着させる（ｃ）の工程が、第二蛍燐光体を正の型のレプリカの第二の開口部中に付着させることを含む請求項１５に記載の方法。２４．別々の蛍燐光体要素それぞれのアスペクト比が、約１：１〜約２０：１の範囲であり、アスペクト比が、別々の蛍燐光体要素それぞれの高さと別々の蛍燐光体要素それぞれの幅の比を表す請求項１５に記載の方法。２５．別々の蛍燐光体要素それぞれのアスペクト比が２：１〜８：１の範囲である請求項２４に記載の方法。２６．別々の蛍燐光体要素それぞれが壁を包含し、前記の方法が別々の蛍燐光体要素それぞれの壁の上にラッカーの層を形成すること；およびラッカーの層上に銀の層を形成することの工程も含んで成る請求項１５に記載の方法。２７．金型を形成する工程が、前記基板の複数の部分の１つの上にマスクを配置することであって、マスクが前記開口部の輪郭を表すこと；基板の部分の１つをマスクを介して放射線で露光して、基板の部分の１つの領域を放射線アブレーションして基板に開口部を作製することであって、基板の部分の１つの放射線による露光強度が、基板の部分の１つの領域それぞれを所望の深さまでアブレーションするには不十分であること；およびマスクが基板の部分の１つの上に配置されるように、基板およびを互いに関連させて移動すること；基板の別の部分を前記のマスクを介して放射線で露光すること；マスクが、基板の各部分の上に配置されるように、基板およびマスクを互いに関連させて移動すること、およ放射線による基板の部分の複数の露光が所望の深さまで領域それぞれをアブレーションする蓄積効果を発揮するように、基板の各部分を前記のマスクを介して放射線で複数回露光することの工程も包含する請求項１５に記載の方法。２８．基板およびマスクを互いに関連させて移動する工程が、基板およびマスクを互いに関連させてマスクの寸法未満の距離だけ移動することを包含する請求項２７に記載の方法。２９．第二の開口部中に第一蛍燐光体を析出させる工程が、１対のカレンダーロールの間で第二の金型をパスすることを包含し、接触領域の輪郭を明確にする前記カレンダーロールが第一蛍領域を第二の開口部中に圧縮し、それによって第二の開口部内での空隙の形成を低減させる請求項１５に記載の方法。３０．前記の各開口部の断面が正方形、円、長方形および六角形の１つに対応する請求項１５に記載の方法。３１．（ａ）機械用具を基板に適用して該基板に複数の開口部を作製することによって完全に非層状の金型を形成すること；（ｂ）第一蛍燐光体を前記金型の開口部中に析出させることにより、金型の各開口部を第一蛍燐光体で充填すること；（ｃ）金型の一番上に連続した蛍燐光体層を形成することにより、連続した蛍燐光体層から突出した別々の蛍燐光体要素の配列を含んで成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成すること；および（ｄ）ピクセル化蛍燐光体構造物を金型から取り外すことの工程を含んで成るピクセル化蛍燐光体を作製する方法。３２．ピクセル化蛍燐光体構造物が、第一および第二の主要な相反する表面を含んで成り、前記の方法が、蛍燐光体構造物の第一および第二の主要な相反する表面の少なくとも一方を平坦化することにより、ピクセル化蛍燐光体構造物上に少なくとも１つの平坦化された表面を形成することの工程も含んで成る請求項３１に記載の方法。３３．ピクセル化蛍燐光体構造物の少なくとも１つの平坦化された表面を別の基板に接合する工程も含んで成る請求項３２に記載の方法。３４．取り外した蛍燐光体構造物の別々の蛍燐光体要素の間の領域を第二の蛍燐光体で充填する工程も含んで成る請求項３３に記載の方法。３５．第二蛍燐光体の組成が第一蛍燐光体の組成と異なる請求項３４に記載の方法。３６．別々の蛍燐光体要素それぞれのアスペクト比が、約１：１〜約２０：１の範囲であって、前記アスペクト比が、別々の蛍燐光体要素それぞれの高さと別々の蛍燐光体要素それぞれの幅の比である請求項３１に記載の方法。３７．別々の蛍燐光体要素それぞれのアスペクト比が２：１〜８：１の範囲である請求項３６に記載の方法。３８．金型の開口部中に第一蛍燐光体を析出させる工程が、１対のカレンダーロールの間に金型をパスさせることを包含することであって、接触領域の輪郭を明確にする前記カレンダーロールが、金型の開口部中に第一蛍燐光体を圧縮し、それにより開口部内での空隙の形成を低減する請求項３１に記載の方法。３９．（ａ）機械用具を基板に適用して該基板に複数の第一の開口部を作製することにより、完全に非層状の金型を形成すること；（ｂ）原型金型のレプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成することであって、レプリカの１種またはそれ以上の世代それぞれが、複数の第二の開口部を有すること；（ｃ）第一蛍燐光体を１種またはそれ以上の世代のレプリカの１つの第二の開口部中に析出させることにより、１種またはそれ以上の世代のレプリカの１つの第二の開口部それぞれを第一蛍燐光体で充填すること、およびそれにより別々の蛍燐光体要素の配列を含んで成るピクセル化蛍燐光体構造物を形成することの工程を含んで成るピクセル化蛍燐光体を作製する方法。４０．（ｄ）別々の蛍燐光体要素の配列が連続した蛍燐光体層から突出するように、レプリカの１種またはそれ以上の世代の１つの一番上に連続した蛍燐光体層を形成することの工程も含んで成る請求項３９に記載の方法。４１．レプリカの１種またはそれ以上の世代の１つからピクセル化蛍燐光体構造物を取り外す工程も含んで成る請求項４０に記載の方法。４２．取り外したピクセル化蛍燐光体構造物の別々の蛍燐光体要素の間の領域を第二蛍燐光体で充填する工程も含んで成る請求項４１に記載の方法。４３．第二蛍燐光体の組成が第一蛍燐光体の組成と異なる請求項４２に記載の方法。４４．ピクセル化蛍燐光体構造物が、第一および第二の主要な相反する表面を含んで成るものであって、前記の方法が、蛍燐光体構造物の第一および第二の主要な相反する表面の少なくとも一方を平坦化することにより、ピクセル化蛍燐光体構造物上に少なくとも１つの平坦化された表面を形成することの工程も含んで成る請求項４１に記載の方法。４５．ピクセル化蛍燐光体構造物の少なくとも１つの平坦化された表面を別の基板に接合する工程も含んで成る請求項４４に記載の方法。４６．レプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成する工程（ｂ）が、材料を原型金型中に析出させることにより原型金型の逆の型のレプリカを形成する工程を含むことであって、前記の逆の型のレプリカが第二の開口部を有し、かつ材料を原型金型から取り外すこと、および第一蛍燐光体を析出させる工程（ｃ）が、逆の型のレプリカの第二の開口部中に第一蛍燐光体を析出させることを含んで成る請求項３９に記載の方法。４７．レプリカの一連の１種またはそれ以上の世代を形成する工程（ｂ）が、原型金型に第一の材料を析出させることにより、原型金型の逆の型のレプリカを形成する工程を包含することであって、前記の逆の型のレプリカが、最初の複数の第二の開口部を有するもの、第一の材料を原型金型から取り外すこと、第二の材料を逆の型のレプリカ中に析出させることにより、原型金型の正の型のレプリカを形成することであって、正の型のレプリカが別の複数の第二の開口部を有すること、および第二の材料を逆の型のレプリカから取り外すこと、および第一蛍燐光体を析出させる工程（ｃ）が、正の型のレプリカの複数の第二の開口部中に第二蛍燐光体を析出させることを包含する請求項３９に記載の方法。４８．別々の蛍燐光体要素それぞれのアスペクト比が、約１：１〜約２０：１の範囲であって、前記アスペクト比が別々の蛍燐光体要素それぞれの高さと別々の蛍燐光体要素それぞれの幅の比で表される請求項３９に記載の方法。４９．別々の蛍燐光体要素それぞれのアスペクト比が２：１〜８：１の範囲である請求項４８に記載の方法。５０．（ａ）第一蛍燐光体のシートを提供すること；（ｂ）第一蛍燐光体に複数の別々の穴を作製することであって、別々の穴それぞれが第一蛍燐光体の全体に及び、かつ２つの開口部を有すること；および（ｃ）第二蛍燐光体第一蛍燐光体上に析出してピクセル化蛍燐光体構造物を形成することであって、第二蛍燐光体の少なくとも一部が第一蛍燐光体の複数の別々の穴中に析出させることの工程を含んで成るピクセル化蛍燐光体構造物を作製する方法。５１．第二蛍燐光体の組成が第一蛍燐光体の組成と異なる請求項５０に記載の方法。５２．第一蛍燐光体を機械的にドリルすることにより、第一蛍燐光体に複数の別々の穴を形成する請求項５０に記載の方法。５３．ピクセル化蛍燐光体構造物が、第一および第二の主要な相反する表面を含んで成り、方法が、ピクセル化蛍燐光体構造物の第一および第二の主要な表面の少なくとも一方を平坦化することにより、少なくとも１つの平坦化された表面を形成することの工程を包含する請求項５０に記載の方法。