JPS6239797A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射８画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネルに関するものである
。

【発明の背景】

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられる。このＸ線画像を得るために、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体Ｗ４（蛍光スフ１７−ン）に照射し、こ
れによＩ）可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真
をとるときと同じように銀塩を使爪したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。 しかし、近年ｉ塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍
光体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるように
なった。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこ
の輝尽性蛍光体層を輝尽励起点で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
尤に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るもの゛である。この最終的な画像はハードコピーとし
て再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生してもよい。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良（、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μＩＩ＋程度の粒子状の輝尽性
蛍光体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保
Ｖ１層上に塗布・乾燥しで作成されるので、輝尽性蛍光
体の充填密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充
分高くするには第５図（ａ）に示すように輝尽性蛍光体
層の層厚を厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体層の層厚２００μ
Ｔｌｌのときにｖ１尽性蛍光体の附着量は５０ｍＨ／ｃ
（イ）２であり、層厚が３５０μＩｎまでは放射線感度
は直線的に増大して４５０μ「ｎ以上で飽和する。尚、
放射線感度が飽和するのは、ＵＴＩぶ性蛍光体層が厚く
なり過ぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽性蛍光体層
の散乱のため輝尽性蛍光体層内部での輝尽発光が外部に
出てこなくなるためである。 一方、これに対し前記放射１線画像変換方法にｆ３ける
画像の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像
変換パネルの輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向
にあり、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄
層化が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の枯逍的乱れいη
造モトル）等によって決定されるので、輝ふ性蛍光体層
の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放射
線量子数が減少して量子モトルが増加したり構造的乱れ
が顕在化してｈ１遺モトルが増加したりして画質の低下
を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝
尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚（二対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成さ
れできた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依プＦ　　ｌ
　　　／ｊ＋Ｌ　ｊ　　　ｊ　　　　　４−、、ｙｆ、
、　　）　　　＋、ｙ　　−ａ４Ｊｒｏ＋　　１白　７
式　１１ｈｒｌに　ｋ−上注においては、放射線画像変
換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系列化されて
取り出されるので、ある時間（Ｌｉ）に照射された輝尽
励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光されその時
間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上のある画素
０＋ｉ、ｙｉ）からの出力として記録されるが、もし輝
尽励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照射画素
（ｘｉ＋ｙりの外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起し
てしまうと、−ヒ記（Ｘｉ＋ｙりなる画素からの出力と
してその画素よりも広い領域からの出力が記録されてし
まうからである。従って、ある時間（ｔｉ）に照射され
た輝尽励起光による輝尽発光が、その時間（ｔｉ）に輝
尽励起光が真に照射されていた該パネル上の画素（ｘｉ
、ｙｉ）からの発光のみであれば、その発光がいかなる
広がりを持つものであろうと得られる画像の鮮鋭性には
影響がない。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性改善する方
法がいくつか考案されて米た。例えば特開昭５５−１４
６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層中に白色粉体を混入する方法、特闇昭５５−１６３５
００号記載の放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の哩
尽励起波長頒域における平均反射率が前記輝尽性蛍光体
の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さくな
るように着色する方法等である。しかし、これらの方法
は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が着しく低下してし
まい、好ましい方法とは言えない。 一方これ１３対し本出願人は既に出願した特願昭５９−
１９６３６５号において、前述のような輝尽性蛍光体を
用いた放射線画像変換パネルにおける従来の欠点を改良
°した新規な放射線画像変換パネルとして、輝尽性蛍光
体層が結着剤を含有しない放射線画像変換パネルを提案
している。これによれば、放射線画像変換パネルの輝尽
性蛍光体層が結着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充
填率が者しく向上すると共に輝尽性蛍光体層の透明性が
向上するので、前記放射線画像変換パネルの放射線に対
する感度と画像の粒状性が改善されると同時に、画像の
鮮鋭性も改善される。 ！　ラニ本出１９Ｉ人１．ｔ４１１昭５９−２６６９１
２−２６６９１６号において、輝尽性蛍光体層が微細柱
状ブロック構造を有する放射ＫＱ変換パネルを提案して
いる。これによれば、輝尽廟起点が前記輝尽性蛍光体層
に入射すると、該励起光は微細柱状プロンク構逍の光誘
導効果により柱状ブロック内面で反射を繰り返しながら
柱状ブロック外に散逸することなく柱状ブロックの底ま
で到達するため、画像の鮮鋭性がより増大する。 しかしながら前記特願昭５９−２６６９１２〜２６６９
１６号に述べた放射線画像変換パネルは、前記微細柱状
プロンク慴遺の素地となる層、すなわち支持体表面の微
細な凹凸パターンあるいは微小タイル状板が互いに隔絶
されて敷きつめられたごとき構造あるいは微小タイル状
板とそれらを区画する細線網との組合せなどが必要とさ
れるため、製造工程が複雑となり、また前記素地層の６
１造をある程度以上微細化することが困難であるためそ
の鮮鋭性にも限界があった。

【発明の目的】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関連し、これをさらに改良するものであり、本発明の目
的は放射線に対する感度が向上すると共に鮮鋭性の高い
画像を与える放射線画像変換パネルを提供することにあ
る。 本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供するこ
とにある。 また、本発明の他の目的は、その製造方法が簡便で安定
して生産することの可能な放射線画像変換パネルを提供
することにある。 （発明の慴成及び作用） 前記した本発明の目的は、支持体上に少なくとも一層の
輝尽蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
前記Ｖ＄尽性蛍光体層にその層表側から入る亀裂を設け
たことを特徴とする放射線画像変換パネルによって達成
される。 更に本発明の態様としでは、前記輝尽性蛍光体層がアル
カリハライド系蛍光体からなる場合に特に効果が高く好
ましい。 七　す＋　　　　プぐ　ｆｉ　ｎＲ／Ｆ％　　＋Ｊｔ　
　ＩＭ　　ｊ、自　１ｉＲＴ　　ｌａ　　ＴｆＲ＋ｍ　
　、ｊ　　＋　　　ｎ、　　ｌ↓　　　　　Ｌ　Δ）蓄
積画像を読み取るにあたり、輝尽励起光を前記輝尽性蛍
光体層の層表側から入射する場合に使用すると特に効果
が高く好ましい。 次に本発明を具体的に説明する。 第１図（ａ）は本発明の放射線画像変換パネル（以後単
にパネルと略称することがある）を厚み方向に切った断
面図の一例である。 第１図（ａ）において１０は本発明のパネルの形態を示
す。１１は支持体であり、１２は該支持体上に設けられ
た輝尽性蛍光体層好ましくはアルカリハライド系蛍光体
層である。また１３は設けられることが好ましい保護層
である。 支持体１１と輝尽性蛍光体層１２との間には、必要に応
じて各層間の接着性を改良するための接着層あるいは輝
尽励起光および／または輝尽発光の反射層もしくは吸収
層を設けてもよい。 前記１１！尽性蛍光体ＷＪ１２はその層表側から支持体
面に対し略垂直方向に延びた亀裂（１２ｉｊ）を有する
。 すなわち第１図（、）のように亀裂（１２ｉｊ）は輝尽
性蛍光体層の支持体側と反対の面から層の内側に商かっ
て形成される。前記亀裂（１２ｉｊ）の形状をＸ１ＩＩ
尽性蛍光体層の層表側から見ると第１図（ｂ）に示す平
面図のようになる。 本発明のパネルは、第２図に示すように成長した亀裂（
２２ｉｊ）が輝尽性蛍光体層２２を支持体に到るまで分
断しているような輝尽性蛍光体の微細柱状ブロンクｈ１
造を形成するようにししてもよい。 本発明のパネルにおいて、前記亀裂の間隔は、平均的に
１〜４００μｍｏが好ましく、亀裂の幅は平均的に０〜
２０μｍが好ましい。また、亀裂の深さは、平均的に輝
尽性蛍光体層の／ＦＪ厚のエサの一以上の深さであるこ
とが好ましい。 前記した亀裂を入れた輝尽性蛍光体層に輝尽励起光が入
射すると、該励起光は前記亀裂面で内部に反射を繰り返
しながら輝尽性蛍光体層の反対側の面まで到達する。し
たがって輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大する
ことができる。特に前記励起光が輝尽性蛍光体層の層表
側から入射する場合に本発明のパネルを使用すると、前
記亀裂による光誘導効果が高いため画像の鮮鋭性が大幅
に改良される。 次に、本発明の特徴である輝尽性蛍光体層中の亀裂の形
成方法について説明する。 輝尽性蛍光体の層表側から該蛍光体層に入る亀裂を与え
るには、たとえば種々の気相堆積法のいずれかに上り輝
尽性蛍光体層を作成した後に熱ショック等をグえて前記
亀裂を形成する方法がある。 すなわち、輝尽性蛍光体と支持体との開の熱膨張の大小
の差を利用して加熱、ンテ）却を行うことにより前記亀
裂を形成せしめる。 具体的には、たとえば輝尽性蛍光体の堆積を終えたパネ
ル原体を、窒素ガス等の不活性ガス中で３００°Ｃ程度
に加熱し、パネル原体が熱平衡に達した後、冷窒素ガス
を多量流入させて冷却すれば前記輝尽性蛍光体層に亀裂
が生じる。この場合、主熱は比熱或は冷却速度に基く支
持体温度と輝尽性蛍光体層の表面温度との差による歪に
よって生じるため、その大部分は輝尽性蛍光体層の層表
面から発生し、１１図（、）に示すような構造を与える
。 この際更に積極的に支持体側を加熱し、蛍光体側を冷却
してもよい。なお、冷却効果のよい場合には加熱温度は
さらに低くてもよく、たとえば冷却に冷アルコールを使
用する場合等は１５０℃位でもよい。前記亀裂形成方法
は輝尽性蛍光体の気相堆積中に介入されてもよい。また
、亀裂の形成方法は熱処理に限らず、パネルの機能を損
うことなく開裂を与える方法であればいがなる方法をと
ってもよい。　例えば輝尽性蛍光体層を気相堆積する後
半にアルゴン等の不活性ガスの濃度を高めて該蛍光体層
中に空洞を発生させ、これに層表側から熱ショックを与
えて亀裂を入れてもよい。 或いは堆積中に生ずる層表に向う結晶転位線に対し超音
波或は電気的ショック等を与えることによっても亀裂を
形成させることもできる。 また、パネル表面を保護する保護層上に輝尽蛍光体層を
気相堆積させ、堆積後に支持体に接着させるパネル製造
法を用いて亀裂を導入することもできる。 たとえば保ＭＮフィルムの表面に多数の微細な間、ｎ、
、−６’／ｎｅＩ↓ｉ−岸ソｔΔ１９Ｍ＋Ｊ１，０ノ＋
１Ｊｋａｈａｔ’Ｉ’１−４ｍ？、−間隙により互いに
隔絶されて敷きつめられたごとき表面構造を有する保護
層フィルムを用い、気相。 、堆積法のいずれかにより輝尽性蛍光体層を設ける。 すると輝尽性蛍光体は前記保護層フィルムの表面に微細
な柱状晶となして堆積を開始するため、それらの柱状晶
の間隔は該フィルム面に対して略垂直の方向に輝尽性蛍
光体層内に延びた亀裂を形成し、これを支持体に接着す
れば第２図に示すような層表側に向かって開いた亀裂を
導入することができる。 ＠２図のごと？−溝造を汀するパネルを製造した後、さ
らに熱処理等のショック処理を施することにより前記亀
裂を成長させてもよい。 本発明のパネルの輝尽性蛍光体層の厚みはパネルの放射
線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なる
が１０〜８００μ

【ｆｌの範囲であることが好ましく、
５０〜５００μｍの範囲であることが更に好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽蛍光体層 線が照射された後に、光的、熱的、機械的、光学的また
は電気的等の刺激（輝尽励起）により、最初の光もしく
は高エネルギーの放射線の照射量に対応した輝尽発光を
示す蛍光体を言うが、実泪的な面から好ましくは５０　
Ｏｎ　＋ｎ以上の輝尽励起光によりて輝尽発光を示す蛍
光体である。本発明の放射線画像変換パネルに用いられ
るＸ１ｌＩ尽性蛍光体としては、例えば特開昭４８−８
０４８７号に記載されているＢ　ａＳ　Ｏ、：Ａ　ｘ（
但しＡはＤｙ１Ｔｂ及びＴ　ｏ＋のうち少なくとも１種
であり、Ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％である。）で表
される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭ　ｇ
Ｓ　０４：Ａ　Ｘ（但しＡはＨｏ或いはｏｙのうちいず
れかであり、０．００１≦Ｘ≦１モル％である）で表さ
れる蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されてい
るＳ　ｒＳ　Ｏ、：Ａ　ｘ（但しＡ１．ｔＤｙ、Ｔｂ及
びＴ　Ｉｎのうち少なくとも１種でありｘｌ、ｔｏ、ｏ
０１≦ｘ＜１モル％ある。）で表わされている蛍光体、
特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮ　ａ２Ｓ
　Ｏ、、ＣａＳ　Ｏ、及びＢａ５Ｏ，等にＭｎ、Ｄｙ及
びＴ　Ｉ）のうち少なくとも１ａを添加した蛍光体、特
開昭５２−３０４８７号に記＠されているＢ　ｅ　Ｏ＋
　Ｌ　ｉ　Ｆ　Ｔ　Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏ４及びＣ［ＩＦ２等
の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されている
Ｌ　ｉ　２　Ｂ　＋　０７　’、　Ｃｕ　を八８″！Ｆ
の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されている
Ｌ　ｉ＝ｏ　・（Ｂ　２０２）Ｘ：Ｃｕ（但しＸは２＜
ｘ≦３）、及びＬｉ２Ｏ・（Ｂ２０２）Ｘ：Ｃｕ＋Ａｇ
（但しＸは２＜ｘ≦３）’９の蛍光体、米国特許３゜８
５９．５２７号に記ｆ２されているＳ　ｒＳ　：Ｃｅ、
Ｓ　ＩＩＩ、　Ｓ　ｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：
Ｅｕ、Ｓ＋ｏ及Ｖ　（Ｚ　ｌｉｔ　Ｃｄ）Ｓ：Ｍ　ＩＩ
、　Ｘ　（１’ｊ　シＸはハロゲン）で表わされる蛍光
体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４２号に記
載されているＺ　ｎＳ　：ＣｕｌＰ　ｂｉｌｉ光体、一
般式がＢ　’ａ　Ｏ・ＸＡ　１２０　ｓ：　Ｅ　ｕ（但
し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミン酸バリウム
蛍光本、及び一般式がＭ２Ｏ・×３１０２”、Ａ　（（
旦しＭ２はＭｇ、Ｃａ＋Ｓ　ｒ＋Ｚｎ＋ｃｄ又１土Ｂａ
でありＡはＣｅ、Ｔ　ＩＪ、Ｅｕ、７　＋ａ＋Ｐ　ｂ、
ＴＩ、Ｌ３　ｉ及びＭ　ｎのうち少なくとも１種であり
、Ｘは０．５≦Ｘ≦２゜５である。）で表わされるアル
カリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、一般
式が（Ｂａ１　　ｘ−ｙ　Ｍｔ？ＸＣａ　　）ＦＸ：　
ｅＥｕ”（但しＸ　１．ｔ　Ｂ　ｒ及びＣ１の中の少な
くとも１つであり、ｘ、ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ
≦０．６、ｘｙ≠０及び１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０−２な
る条件を満たす数である。）で表される蛍光体が挙げら
れる。また、一般式が ＬｉＯＸ　：ｘＡ （但しＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｃｌ及びＬｕの少な（とも１
つを、ＸはＣＩ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又は
Ｔｂを°、には０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）
で表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載さ
れている一般式が （Ｂ　ａ　　　Ｍ　２ｘ）Ｆ　Ｘ　：ｙＡ−ｘ （但しＭ２は、Ｍｇ＋Ｃｎ＋５ｒｙＺｎ及びＣｄのうち
の少なくとも１つを、Ｘｌ、ｔＣｌ、Ｂｒ及び■のうち
少なくとも１つを、Ａ１．ｔＥｕｔＴｂｔＣｅｔＴｍ＋
Ｄｙ＋Ｐｒ＋Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少なく
とも１つを、Ｘ及びｙはＯ≦Ｘ≦０．６及びＯ≦ｙ≦０
．２なる条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、
特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式がＢ
　ａＦ　Ｘ　：ｘＣｅ。 ｙＡ（但し、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びｒのうちの少なくとな
くとも１つであり、Ｘ及びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２Ｘ１
０−’及びｏ＜ｙ≦５ｘｌＯ−２である。）で表される
蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されている
一般式が Ｍ　ＩＦ　Ｘ　＋ｘＡ　：ｙＬ　ｎ （但しＭｌはＭ　ｇｙ　Ｃａ、Ｂ　ａｔ　Ｓ　ｒ＋　Ｚ
　ｎ及びＣｄのうちの少な（とも１種、ＡはＢ　ｅ　Ｏ
＋　Ｍ　ｇ○、Ｃａｂ。 Ｓ　ｒ　Ｏ、Ｂ　ａ　Ｏ、Ｚ　１１０　、Ａ　Ｉ　２０
３−　Ｙ　２０１１Ｌ　ｎ　２０　：１　。 １１１２０１、Ｓ　ｉｏ　２．Ｔ　ｉＯ：ｔＺｒＯ２，
ＧｅＯ２，Ｓ　１１０２゜Ｎ　ｂ２０７．Ｔ　Ｌｌ、Ｏ
、及びＴ　ｈ　Ｏ２のうちの少なくとも１種、Ｌ　ｎは
Ｅｕ＋ＴＩｒ＋Ｃｅ＋Ｔ＋ｎ＋Ｄｙ＋Ｐｒ＋）Ｉｏ＋Ｎ
ｄ＋Ｙｌｒ、Ｅｒ、Ｓ＋ａ及びＧｄのうちの少なくとも
１種であり、ＸはＣＩ、Ｂｒ及び工のうちの少なくとも
１種であり、Ｘ及びｙはそれぞれ５Ｘ１０−５≦に≦０
．５及びｏ＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）
で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式がＺｎＳ：Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａ、Ｃ
ｄＳ：Δ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ：Ａ、Ｘ（但しＡ
はＣＬｌｌ　Ａ　ｇ＋　Ａ　ｕｌ又はＭ、　ｎであり、
ＸはハＣ７デンである。）で表される蛍光体、特開昭５
７　１４８２８５号に記載されている一般式（１）又は
〔■〕、一般式（ｒ　〕ＸＭ　３（Ｐ　Ｏ４）２　・Ｎ
　Ｘ　２：ｌ／Ａ一般式［ＩＩ　）　　　　ｂｉ、（Ｐ
Ｏ，）２・ｙＡ（式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭ　ｇｖ　
Ｃａｌ　Ｓ　ｒｌ　Ｂ　ａｔＺ　ｎ及びＣｄのうち少な
くとも１種、ＸはＦ　、ＣＩ。 Ｂｒ＋及び■のうち少なくとも１種、ＡはＥｕ、ＴＩ）
。 ＣｅＩ　Ｔ　１６＋　Ｄ　ｙｌｐ　ｒｌ　Ｈ０１Ｎ　ｄ
＋　Ｅ　ｒ、Ｓ　ｂ＋Ｔ　ＩＩＭ　ＩＩ及びＳ　ｎのう
ち少なくとも１種を表す。また、Ｘ及びｙは０＜ｘ≦６
．０≦ｙ≦１なる条件を満たす数である。）で表される
蛍光体、一般式ＣＩ）又は〔■〕一般式（ｍ　）　　　
ｎＲｅＸ３・＋ａＡＸ’　２：ｘＥｕ一般式（ＩＶ　）
　　　ｎＲｅＸコ・ｍＡＸ’　ｚ：ｘＥｕ＋ｙｓ＋ｎ（
式中、ＲｅはＬ　ａｌ　Ｇ　Ｌ　Ｙ　＋　Ｌ　ｕｆ）う
ち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓｒ
、Ｃａのうち少なくとも１ｆｇ１１Ｘ及びＸ′はＦ、Ｃ
Ｉ、Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また、Ｘ及び
ｙは、ＩＸ　１０−、’　＜　ｘ　＜　３　Ｘ　１０−
’、　Ｉ　Ｘ　１０−１’　＜　ｙ＜　Ｉ　Ｘ　１０−
’なる条件を満たす数であり、”　／　ＩＩＩはＩ　Ｘ
　１０−’　＜　ｎ／　＋ｏ　＜　７　Ｘ　１０−’な
る条件を満たす。）で表される蛍光体、及び 一般式 ％式％： （但し、ＭＩはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、ＭＩはＢ
　ｅ　ｒ　Ｍ　ｇ　＋　Ｃｎ　＋　Ｓ　ｒ　＋　Ｂ　ａ
　ｒ　Ｚ　ｎ　ＨＣｄ　ｔ　Ｃｕ及びＮｉから選ばれる
少なくとも一種の二価金属である。ＭｌはＳｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、ＴＩ
＋。 Ｄｙ＋ＨｏｔＥｒ、Ｔ＋ｎ＋ＹｂｌＬｕ、Ａ　Ｉ＋Ｇａ
＋及びＩ　ｎから選ばれる少なくとも一種の三価金属で
ある。 ｘ、ｘ’及びＸ″はＦ、ＣＩ、Ｂｒ及びＩから選ばれる
少なくとも一種のハロゲンである。ＡはＥｕ。 ＴｂｌＣｅｔＴｍｌＤｙｔＰｒｔＨＯＩＮｄｌＹｂｔＥ
ｒｌＧｃｌｔＬｕｔＳ１Ｙ＋ＴＩ＋Ｎｏ＋Ａｇ＋Ｃｕ及
びＭ、から選ばれる少なくとも一種の金属である。 またａは０≦ａ＜０．５範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ
＜０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．２の範
囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は真空蒸
着、λバッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやす
く好ましい。 しかし・本発明の放射線画像変換パネルに泪ν１られる
輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく
、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝
尽発光を示す蛍光体であれぽいかなる蛍光体であっても
よい。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも−ａ類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成るＶ＄尽性蛍光体層群を有しもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて、用いられる支
持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いら
れる。特に情報記録材料としての取り扱い上回視性のあ
るシートあるいはウェブ加工できるものが好適であり、
この、αから例えばセルロースアセテートフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリ
アセテートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプ
ラスチック、アルミニウム、鉄、■、クロム等の金属シ
ート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好
ましい。 待に輝が励起光を支持体側から入射するパネルにおいて
は、支持体は前記の素材のうちのガラスあるいは透明プ
ラスチックフィルムを用いることが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μｌｆｌ〜１０００μｍ
ｎであり、取り扱い上の点からさらに好ましくは８０μ
鎗〜５００μｍである。 本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するための保１ｍを設け
ることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を輝
尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、ある
いはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上
に接着してもよい。保Ｆｉｌの材料としては酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート。 ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリプロピレン１．ポリ塩化ビニリ
デン、ナイロン、ポリ四７・ン化エチレン、ポリ三７ツ
化−塩化エチレン、四７・ン化エチレンー六７ツ化プロ
ピレン共重合体、塩化ビニリデン、塩化ビニル共重合体
、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の保１
層用材料ｙ用−１られる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等により、
Ｓ　ｉＣ、Ｓ　ｉｏ　２．ＳｉＮ　、Ａ　Ｉ２０　、な
どの無機物質を積層して形成してもよい。 保護層の層厚は一般には０．１〜１００μｍ０程度が好
ましい。 犬に前記輝尽性蛍光体層の気相堆積法につ（・て説明す
る。 第１の方法として真空蒸着法がある。該方法に於いては
、まず支持体を蒸着装置内に設置した後ｖｃ装置内排気
して１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。 次いで、支持体加熱用ヒーターにより３００〜５００°
Ｃに加熱して支持体表面を清浄にした後、ΔｒＪｌｅな
どの不活性ガスを導入して、真空度を５Ｘ１０−１′Ｔ
ｏｒｒ程度にし、輝尽性蛍光体たとえばタリウムを付活
剤とした臭化ルビノウム蛍尤体をＶ厚が杓２５０／ｊ＋
ｎになるまで、イヘ着する。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸Ｘ［工程では複数の抵抗加熱器あるいはエ
レクトロンビームを用いて共蒸着を行うことも可能であ
る。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とするｉｌｌ尽性蛍光体を合
成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱
してもよい。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタｖ装置内に設置した
後装置内を一旦排気して１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真空度
とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｈｅ等の不
活性〃スをスバ・７り装置内に導入して１０−’Ｔｏｒ
ｒ程度の〃ス圧とする。 そして支持体上にたとえばタリウムを付活剤とした臭化
ルビジウムをターデッドとしてスパッタリングすること
に五り輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 前記スパッタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターデッ
ドを用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターデッドして用いこれを同時あるいは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０２
．８２等の〃ス？−１ｔｉｌ−ｙ＋ば÷謔Ｗ　、−＋　
、　Ｉｔナー鐸　イ２１−１、さらに前記スパッタ法に
おいては、スパッタ時必要に応じて被蒸着物（支持体あ
るいは保護層）を冷却あるいは加熱してもよい。 その池の方法としてＣＶ　Ｄ法がある。該方法は目的と
する輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する
有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解
することにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性
蛍光体層を得る。 第３図（、）は気相堆積法によってえられた本発明の放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層及び該層厚に対応
する輝尽性蛍光体原料量と放射線感度の関係の一例を表
している。 本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着量（充填率）が
従来の輝尽性蛍光体を塗設しｔこ輝尽性蛍光体層の約２
倍あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線＠収率
が向上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の
粒状性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は透明性に優
れており、ＸｌＴｌｌＴｌ光及び輝尽発光の透過性が高
く、従来の塗設法による輝尽性蛍光体層上り層厚を厚く
することが可能であり、放射線に対して一層高感度とな
る。 前記のようにして得られた輝尽性蛍光体層の層表面側か
ら１！ｉ裂が入った輝尽性蛍光体層を有する本発明のパ
ネルの鮮鋭性の一例を第３図（ｂ）の３１に示す。 本発明の・パネルは特願昭５９−２６６９１２号〜２６
６９１６号に記載されている微細柱状ブロック構造より
その構造が微細であって、光誘導効果により、輝尽励起
光が亀裂面で内部に反射を繰り返すので、たとえば特願
昭５９　２６６９１４号に示されるタイル状情遣を引き
継いだものの特性を示す第３図（１１）の３２と比較す
ると明らかなように、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝
尽性蛍光体の層厚の増大にともなう鮮鋭性をより向上す
ることが可能である。 また、輝尽性蛍光体粒子を結着剤に分散塗布して得られ
た従来のパネルの特性を第３図の３３に示す。 これより明らかに画像の鮮鋭性が優れていることがわか
る。 本発明の放射線画像変換パネルは７１３４図に概略的に
示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた
鮮鋭性粒状性及び感度を怪える。すなわち、第４図にお
いて、４１は放射線発生装置、４２は被写体、４３は本
発明の放射線画像変換パネル、４４は輝尽励起光源、４
５は該放射線画像変換パネルより放射された輝尽発光を
検出する充電変換装置、４６は４５′ｃ検出された信号
を画像として再生する装置４７は再生された画像を表示
する装置、４８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝
尽発光のみを透過させるフィルターである。尚４５以降
は４３がらの光情報を何らかの形で１ｍ（２として再生
できるものであればよく、上記に限定されるものではな
い。 第４図に示されるように放射線発生ｖｃ置４１がらの放
射線は被写体４２を通して本発明の放射線画像変換放射
線画像変換パネル４３に入射する。この入射した放射線
は放射線画像変換パネル４３の輝ぶ性蛍光体層に吸収さ
れ、そのエネルギーが蓄積され放射線透過像の蓄積像が
形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源４４がらの
輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。本
発明の放射線画像変換パネル４３は、輝尽性蛍光体層が
亀裂を有しているため、上記輝尽励起光による走査の際
に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散するのが抑制
される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば充電Ｔ増倍管
等の光電変換装ｒＩ１４５で充電変換し、画像再生装置
４６によって画像として再生し画像表示装置４７によっ
て表示することにより、被写体の放射線透過像を観察す
ることができる。 【実施例］ 次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１゜ 支持体として０　、５　Ｉｎ　＋ａ厚のアルミニウム板
を蒸着器中に設置した。次に抵抗加熱用のモリブテンボ
ート中に輝尽性蛍光体ＲｂＢｒ：０．００４Ｔ党を入れ
、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を排気して
ＩＸ　１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度とした。次いで支
持体体表面と清浄にした後、アルゴンガスを導入して５
　Ｘ　１０−　’　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ程度の真空度とした
。 次にＲＩ】８ｒ：０．００４ＴＱを抵抗加熱法により蒸
発させ、膜厚が約２５０μ【ｆｉの輝尽性蛍光体層を形
成し、パネル原体を作成した。 次に該パネル原体を蒸着器より取り出して窒素雰囲気中
で３００℃まで加熱し、この状態で１０分間保持した後
、加熱炉を取り去るとともに窒素流量を増して２、速に
冷却し、前記Ｉｌｌ尽性蛍光体層の層表面から亀裂を発
生されて本発明の放射線画像変換パネルＡを得た。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ａ　ｉ：　’ｌ？電圧８０　Ｋ　Ｖ　ｐのＸｆｉを１０
　＋ａ　ｌｔ照射した後、半導体レーザー光（７８０ｎ
ｍ）をパネルの支持体と反対の側から走査して輝尽励起
し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器
（光電子増倍’！？）で光電変換し、この信号を画像再
生装置によって画像として再生し、銀塩フィルム上に記
録した。 イボ号の大きさより、放射線画像変換パネルＡのＸ線に
灯する感度ｆ−調べ、主た得らハか両イ争１ｎ画像の変
調伝達関数（ＭＴＦ）及び粒状性を調べｆｊＳ１表に示
す。 第１表において、Ｘ＃Ｘに対する感度は本発明の放射線
画像変換パネルＡを１００として相対値で示しである。 また、変調伝達関数（ＭＴＦ）は、空間周波数が２サイ
クル／　ＩＬｆｌｌの時の値である。 比較例１゜ 輝尽性蛍光体ＲＩ）Ｂ　ｒ：ｏ、００４Ｔ　Ｑ　８重量
部とポリビニルブチラール樹脂１重量部と忍耐（シクロ
ヘキサ７ン）５重量部を用いて混合、分散し、輝尽性蛍
光体層用塗布液を調整した。次にこの塗布液を水平に置
いた３００μｍ厚の支持体としての黒色ポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に均一に塗布し、自然乾燥させ
て２５０μｍｌ１７の輝尽性蛍光体層を形成した。 このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＰ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。 比較例２ 支持体として０．５１１１＋１１厚のアルミニラＡ［Ｅ
を用い、特願昭５９−Ｚ６６９１４号に述べられている
方法で陽極酸化処理および封孔処理を施し、タイル状板
が微細な間隙により互いに隔絶されて敷きつめられたこ
とき表面構造とした支持体を蒸着語中に設置した。 次に実施例１と同じ蒸着条件を用いてＲｂ０ｒ：０，０
０４ＴＱを蒸着し、膜厚が約２５０μｍの輝尽性蛍光体
層を形成し、比較の放射線画像変換変換パネルＱを得た
。 このパネルｑは実施例１と同様にして評価し、結果を第
１表に併記する。 第１表 １５１表より明らかなように本発明の放射線画像変換パ
ネル＾は、比較の放射線画像変換パネルＰに比べてＸｍ
感度が約２倍高くしがも画像の粒状性が優れていた。こ
れは本発明の放射Ｉｓ、画像変換パネルは輝尽性蛍光体
層中に結着剤を含んでおらす輝尽性蛍光体の充填率が比
較のパネルに比べて高＜ｘｉの吸収率が良いためである
。 また、本発明の放射線画像変換パネルＡは比較の放射線
画像変換パネルＰに比べてＸｆｓ感度が高いにもかかわ
らず鮮鋭性の点でも優れていた。これは、本発明の放射
線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は＋１１！！ｌを有
しているので、輝尽励起光である半導体レーザーの輝尽
性蛍光体層中での散乱が減少するためである。 また、本発明の放射線画像変換パネルＡは、比較の放射
線画像変換パネルＱに比べてＸ線感度および粒状性がほ
ぼ同等であるにもかかわらず鮮鋭性が優れていた。これ
は、本発明のパネルＡのＬｉｔ／３性蛍光体層はタイル
状板の敷きつめられたごとき表面構造をそのまま引き継
いだ柱状ブロック補遺よりもその構造が微細であってよ
り優れた光誘導効果をもっためであり、さらにＸ！ｌＩ
尽励起光が輝尽性蛍光体層の層表側から入射しているの
でその効果はいちだんと高い。 また、本発明のパネルＡの製造程度は、柱状ブロック構
造の素地となる泪を形成する工程たとえばアルミニウム
の陽極酸化処理および柱孔処理の工程を含まないため、
比較のパネルＱの製造工程に比べて単純である。 【発明の効果］ 以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が亀裂を有するため、１１１１尽励起光の輝尽蛍光体層
中での散乱が者しく減少し、その結果画像の鮮鋭性を向
上させろことが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体ＷＩ厚の増大による
画像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を
大きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させること
なく放射ｍ感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めで大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図（、）は、本発明の一例の放射線画像変換パネル
の一部を示す断面図であり第１図（１））は、本発明の
一例の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層表面を示
す平面図である。第２図は本発明の他の一例の放射線画
像変換パネルを示す断面図である。！￥ｔ３図（ａ）は
本発明の一例に関する放射線画像変換パネルにおける輝
尽性蛍光体層厚及び付着量と放射線に対する感度とを示
す図であり、（ｂ）は空間周波数と変調伝達関数（ＭＴ
Ｆ）との関係を示す図である。ｆｊＳ４図は本発明のパ
ネルが用いられる放射線画像変換装置の概略図である。 ｔｊＳ５図（ａ）は従来の放射線画像変換パネルにおけ
る輝尽性蛍光層及び晴着量と放射線に対する感度とを示
す図であり、（）））は前記従来の放射線画像変換パネ
ルにおける輝尽性蛍光体ＷＩＩ７及び晴着量と空間周波
数が２サイクル／　ＩＩＩ　Ｉｎにおける変調伝達関数
（ＨＴＦ）とを示す図である。 １１・・・支持体 １２・・・輝尽性蛍光体層 １３・・・保護層 ２１・・・支持体 ２２・・・２：ｊ１ｉｓ柱状ブロック購遺を有する輝尽
性蛍光体層 ２３・・・保護層 ３１・・・本発明の放射線画像変換パネルの特性３２・
・・微細柱状ブロック構造を有する放射線変換パネルの
特性 ３３・・・従来の放射線画像変換パネルの特性４１・・
・放射線発生装置 ４２・・・複写体 ４３・・・放射線画像変換パネル ４４・・・輝が励起光源 ４５・・・充電変換装置 ４６・・・画像再生装置 ４７・・・画像表示装置 ４８・・：フィルター 出願人　　小西六写真工業株式会社 第１図（０Ｌ） 第３図 （ｂ） 空間后ト皮数（１し％７．．） 第４図 →

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体上に少くとも一層の輝尽性蛍光体層を有する放射
   線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層にその
   層表側から入る亀裂を設けたことを特徴とする放射線画
   像変換パネル。