JPH0634114B2 - 放射線像変換パネル - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法に
用いられる放射線像変換パネルに関するものである。

［発明の技術的背景］ 放射線像を画像として得る方法として、従来より銀塩感
光材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィルムと増
感紙との組合わせを用いる、いわゆる放射線写真法が利
用されている。最近、上記放射線写真法に代る方法の一
つとして、たとえば特開昭５５−１２１４５号公報など
に記載されているような、輝尽性蛍光体を用いる放射線
像変換方法が注目されるようになった。放射線像変換方
法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線像変換パネル（蓄
積性蛍光体シート）を利用するもので、被写体を透過し
た放射線、あるいは被検体から発せられた放射線を該パ
ネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののちに輝尽性蛍光
体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系列
的に励起することにより、該輝尽性蛍光体中に蓄積され
ている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光）として放出
させ、この蛍光を光電的に読み取って電気信号を得、得
られた電気信号を画像化するものである。

この放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法に
よる場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情報量
の豊富な放射線画像を得ることができるという利点があ
る。従って、この方法は、特に医療診断を目的とするＸ
線撮影等の直接医療放射線撮影において利用価値の非常
に高いものである。

放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネルは、
基本構造として、支持体とその片面に設けられた蛍光体
層とからなるものである。なお、蛍光体層の支持体とは
反対側の表面（支持体に面していない側の表面）には一
般に、高分子物質からなる透明な保護膜が設けられてい
て、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から
保護している。

蛍光体層は、輝尽性蛍光体とこれを分散状態で含有支持
する結合剤とからなるものであり、輝尽性蛍光体は、Ｘ
線などの放射線を吸収したのち、可視光線および赤外線
などの電磁波（励起光）の照射を受けると発光（輝尽発
光）を示す性質を有するものである。従って、被写体を
透過した、あるいは被検体から発せられた放射線は、そ
の放射線量に比例して放射線像変換パネルの蛍光体層に
吸収され、放射線像変換パネル上には被写体あるいは被
検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積像として形成
される。この蓄積像は、上記電磁波で時系列的に励起す
ることにより輝尽発光として放射させることができ、こ
の輝尽発光を光電的に読み取って電気信号に変換するこ
とにより放射線エネルギーの蓄積像を画像化することが
可能となる。

放射線像変換方法は上述のように非常に有利な画像形成
方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネ
ルも従来の放射線写真法に用いられる増感紙と同様に、
高感度であって、かつ画質（鮮鋭度、粒状性など）の優
れた画像を与えるものであることが望まれる。特に、放
射線像変換方法を医療用放射線撮影に適用するに際して
は、人体の被曝線量を軽減させ、かつより多くの情報を
得る必要から、該方法に用いられる放射線像変換パネル
は感度ができるだけ高いことが望ましい。

放射線像変換パネルの感度は、基本的にはパネルに含有
される輝尽性蛍光体の輝尽発光量によって決まり、この
発光量は蛍光体自体の発光特性に依存するのみならず、
輝尽発光を生じさせるための励起光が充分な強度を有し
ない場合にはその強度によっても異なるものである。

放射線像変換方法において放射線像変換パネルの読出し
は、たとえば励起光としてレーザー光等を用いてパネル
表面を走査することにより行なわれているが、励起光の
一部はパネル中、特に蛍光体層中で散乱されたのち輝尽
性蛍光体を励起することなく再び該パネル表面から放出
されるために、蛍光体が十分に励起されず、従って励起
光の利用効率が必ずしも高いとは言えなかった。特に、
励起光の光源として出力の小さいレーザー等を用いる場
合には、励起光の利用効率を高めてパネルの感度を向上
させることが望まれる。

［発明の要旨］ 本発明は、感度の向上した放射線像変換パネルを提供す
ることをその目的とするものである。

また、本発明は、高感度であってかつ画質の優れた画像
を与える放射線像変換パネルを提供することもその目的
とするものである。

上記の目的は、片面に凹部が規則正しく多数個設けら
れ、かつ該凹部に輝尽性蛍光体が充填された支持体と、
この片面（即ち、支持体の凹部が設けられた側の表面）
に設けられた該輝尽性蛍光体の励起波長における光透過
率が０〜５°の範囲の光の入射角度に対して７０％以上
であり、かつ該励起波長における光反射率が３０°以上
の光の入射角度に対して６０％以上である多層膜フィル
タとから実質的に構成された本発明の放射線像変換パネ
ルにより達成することができる。

なお、本明細書において入射角度とは、入射面の垂線か
らの角度を意味する。従って、入射角度は０〜９０°の
範囲をとりうる。

本発明は、放射線像変換パネルの輝尽性蛍光体を含む側
の支持体表面に、励起波長について角度依存性の光透過
率および光反射率を有する多層膜フィルタを設けること
により、励起光の利用効率を高めてパネルの感度の顕著
な向上を実現するものである。同時に、本発明は、従来
の支持体と蛍光体層とからなる構成の代りに、支持体の
片面に凹部（マイクロセル）を多数形成し、この凹部の
それぞれに輝尽性蛍光体を充填した構成とすることによ
り、画像の鮮鋭度など画質の向上を実現するものであ
る。

通常、放射線像変換パネルの読出しは蛍光体層側表面
（本発明においては蛍光体の充填された側の支持体表
面、これをパネル表面と呼ぶ）から行なわれており、読
出しの際にレーザー光等の励起光はパネル表面にほぼ垂
直に照射される。それに対し、パネル中で散乱された励
起光は大部分が角度をもって入射方向とは逆方向のパネ
ル表面に向かう。

本発明の放射線像変換パネルにおいては、励起光の入射
角度が小さい（入射面に垂直に近い）場合には励起光を
透過し、逆に入射角度が大きい（斜め入射）場合には励
起光を透過しないで反射するような角度に依存した透過
および反射特性を有する多層膜フィルタが、輝尽性蛍光
体が充填された側の支持体表面に設けられている。この
多層膜フィルタにより、パネル表面に照射された励起光
は透過されるが、パネル中、特に支持体のマイクロセル
中で散乱されて角度をもった励起光は透過されることな
くフィルタ表面で反射されて、再びマイクロセル内に向
かうことになる。このために、パネル中で散乱された励
起光が輝尽性蛍光体の励起に寄与することなく外部に逸
脱するような励起光の損失を防ぐことができ、励起され
る輝尽性蛍光体の比率を高めることができる。換言すれ
ば、励起光をパネル内に閉じ込めることにより、蛍光体
の輝尽発光量を大幅に増大してパネルの感度を従来より
も顕著に高めることができるものである。

また、本発明の放射線像変換パネルにおいては、輝尽性
蛍光体は従来のように層として存在するのではなく多数
の凹部（マイクロセル）に局在化して存在するために、
マイクロセルに入射した励起光は該マイクロセル内で散
乱あるいは反射されてもそれ以上に広がりをもつことな
く該マイクロセル内の蛍光体を励起し、そして各マイク
ロセル内で励起された蛍光体から輝尽発光光が放射され
る。従って、パネル中における励起光の横方向への広が
りを顕著に防止することができ、これにより、散乱され
た励起光によって蛍光体が励起されることによる鮮鋭度
等の画像の画質の低下を防いで、高画質の画像を得るこ
とができる。

特に、本発明に係るマイクロセルは、その開口部の口径
と深さとの比率が１：３．５以上の範囲にあるのが好ま
しい。ここで、マイクロセル（または空孔）の開口部の
口径とは開口部の最大直線距離を意味し、マイクロセル
の深さ（または空孔の長さ）とは支持体（または基板）
表面から垂直な最大距離を意味する。

マイクロセルが開口部の口径に対してその深さが大きく
されている場合には、パネルに入射した励起光の広がり
が開口部の口径程度に制限される一方で、輝尽性蛍光体
からの輝尽発光量を高めることができる。さらにマイク
ロセルの内面に光反射層を設けた場合には、より一層各
マイクロセル内に励起光が閉じ込められるために感度お
よび画質を顕著に高めることができる。

従って、本発明によれば、強度の弱い励起光の照射であ
ってもパネル中の蛍光体の輝尽発光量を多く保つことが
でき、画像の画質を低下させることなくパネルを高感度
に維持することができる。特に、励起光の光源が出力の
小さなものである場合、あるいは読出しの設定条件等か
ら励起光の強度を高めることができない場合において、
放射線像変換パネルの励起光に対する利用効率が増大す
ることは大きな利点といえる。

そして、本発明のパネルを使用することによって励起光
源および読出し系についての制約を緩和することができ
るから、パネルの読出しに用いられる放射線像変換装置
について小型化、高速化などの改良が容易となり、ひい
ては放射線像変換方法の適用範囲を広げることが可能と
なる。

［発明の構成］ 以上述べたような好ましい特性を持った本発明の放射線
像変換パネルの態様を第１図に示す。

第１図は、本発明に係る放射線像変換パネルの構成を示
す断面図である。

第１図において、パネルは順に支持体１、多層膜フィル
タ２および保護膜３からなる。支持体１は基板１ａと光
反射層１ｂとからなり、光反射層１ｂには多数の凹部
（マイクロセル）１ｃが規則正しく設けられ、この凹部
１ｃには輝尽性蛍光体１ｄが充填されている。

ただし、本発明の放射線像変換パネルは上記第１図に示
した態様に限定されるものではなく、多層膜フィルタが
輝尽性蛍光体の充填された凹部を有する側の支持体表面
に設けられていればよい。

本発明の放射線像変換パネルは、たとえば次に述べるよ
うな方法により製造することができる。

本発明において支持体を構成する基板は、Ｘ線などの放
射線に対する吸収率が低く、かつ加工性の優れたもので
あるのが望ましい。これにより支持体中での放射線の損
失を少なくし、そして支持体表面には多数の微小の凹部
を規則正しく形成することができる。更に粒状性などの
点から、凹部の形状が温度変化によってあまり変形する
ことがないように線膨張率の小さな材料を用いるのが好
ましい。

そのような材料としては、たとえばセルロースアセテー
ト、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等の炭素、水素および窒素原子からなる
有機高分子物質を挙げることができる。更に詳しくは、
化学便覧、応用編、第１０章『高分子化学工業』、日本
化学会編１９８０年（丸善）に記載されており、これに
記載の物質の中から適当に選択して使用することができ
る。これら材料からなるプラスチックシートにはカーボ
ンブラック、有機染料などの光吸収性物質、あるいは二
酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれていてもよ
く、支持体自体を光吸収性または光反射性とすることも
できる。

この光吸収性物質は、第７図（ａ）に示すように光反射
性物質とともにマイクロセル内面に設けられていてもよ
いし、あるいは第７図（ｂ）に示すように光吸収性物質
は支持体に均一に分散され、光反射性物質のみがマイク
ロセル内面に設けられていてもよい（７１：支持体、７
２：マイクロセル、７３：光吸収層、７４：光反射層、
７５：輝尽性蛍光体、７６：光吸収性物質が分散されて
なる支持体、７７：マイクロセル、７８：光反射層、７
９：輝尽性蛍光体）。ここで、光吸収性物質は光反射層
が完全ではなく、欠陥等によるもれ光を生じた場合に他
のセルにリークしていくのを防ぐ働きをする。

また、基板の材料としては、Ｍｇ、Ａ、Ｔｉ等の軽金
属；ＳｉＯ_２、Ａ_２Ｏ_３、ケイ酸アルミニウム等を主
成分とするガラスおよびセラミックを挙げることができ
る。これらの材料はＸ線吸収率および線膨張率が小さい
ことに加えて光反射特性の点で優れており、凹部を形成
した場合にその内面を光反射性とすることができる。こ
のほかに、上記化学便覧、第６章『窯業』に記載の物質
の中から適当に選択して使用することができる。

支持体にはこれら材料の複合材料を用いることもでき
る。たとえば、有機高分子物質からなる基板上に、二酸
化チタンなどの光反射性物質からなる基板上に、二酸化
チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくは
カーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層
を設けたものであってもよい。具体的には、ポリエチレ
ンテレフタレート上に二酸化チタンの光反射層を設け、
この光反射層に前記の凹部を穿つことにより、自動的に
光反射層を凹部内部に設けることができる。

特に、励起光の横方向への広がりを効果的に防止するた
めには、励起光を選択的に吸収する有機染料等で着色さ
れた光吸収層を第７図（ａ）または（ｂ）に示すように
設けるのが好ましい。また、カーボンブラックが練り込
まれた光吸収層は帯電防止性能を具備する点で好まし
い。

従って、本発明における支持体には、基板のみからなる
もの、および基板表面に光反射層、光吸収層など各種の
層が付設されたものが含まれる。

支持体の片面には、本発明の特徴的な要件である微小の
凹部（マイクロセル）が規則的に多数形成される。

マイクロセルの開口部の形状としては、三乃至十角形、
円形、楕円形など任意の形状を選ぶことができる。ま
た、マイクロセルの断面形状は、長方形、台形および半
楕円形などのいずれであってもよい。

本発明において感度および鮮鋭度等の画質の点から、マ
イクロセルの開口部の口径ｄ_１と深さｈとの比率
（ｄ_１：ｈ）は１：３．５以上の範囲にあるのが好まし
い。より好ましくは、ｄ_１：ｈの比率は１：５〜１：３
０の範囲にある。ここで、セル開口部の口径とは、開口
部が円形である場合には直径をいい、開口部が多角形で
ある場合には多角形の最大直線距離をいう。

一般にマイクロセルの開口部の口径ｄ_１は１〜２００μ
ｍの範囲にあり、セルの深さｈは３．５μｍ〜１mmの範
囲にある。好ましくは、ｄ_１が１〜５０μｍの範囲にあ
り、ｈが５〜３００μｍの範囲にある。

マイクロセル内の輝尽性蛍光体から発せられた輝尽光を
効率良くマイクロセル外に放出させるためには、第２図
（ａ）に示すように、支持体２１ａ上に設けられたマイ
クロセル２２ａの開口部の口径ｄ_１が底部の口径ｄ_２よ
りも大きな台形、あるいは（ｂ）に示すように（２１
ｂ：支持体、２２ｂ：マイクロセル）、半楕円形である
のが好ましい。セルの断面形状が台形である場合には、
開口部の口径ｄ_１と底部の口径ｄ_２との比率（ｄ_１：ｄ
_２）は、通常１１：１０乃至４：１の範囲にあり、好ま
しくは６：５乃至２：１にある。

本発明において、マイクロセルは支持体表面に規則正し
く配列される。たとえば、第３図（ａ）に示すような整
列であってもよいし、あるいは（ｂ）に示すような一列
おきに半分ずらした（いわゆる絵素ずらし）配列であっ
てもよい。セルとセルとの間隔ｄ_３は一般に０．５〜２
００μｍの範囲にあり、そしてセル開口部の面積の総和
は支持体の表面積の５０〜９９％の範囲にある。好まし
くは７０〜９０％である。

マイクロセルは、たとえば、方向性を有するドライエッ
チングなどのリソグラフィーを利用して支持体表面に形
成することができる。その例として、Ｏ_２ガス、ＣＣ
_４ガス等による反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；reac
tive ion etching）を挙げることができる。

具体的には、プラスチックシートからなる支持体上にＡ
等の金属を蒸着してフォトリソグラフィー、ウェット
エッチング等により金属膜のパターン化を行なった後、
この金属膜をマスクにしてＯ_２ガスによる反応性イオン
エッチングを行なう。たとえば支持体が有機高分子物質
からなる場合に、Ａと有機高分子物質とのエッチング
比（Ａ／有機高分子物質）は約1/1000であり、支持体
のみをエッチングすることができる。また、有機高分子
物質のエッチング速度は該物質の温度上昇により加速さ
れるから、支持体を８０〜２００℃の温度範囲で加熱し
てエッチングを行なうのがよい。たとえば１００〜１５
０℃の範囲の温度であれば、一般にエッチング速度は
０．７μｍ／分であり、１４０μｍの深さにエッチング
するのに約２００分を要する。反応ガスとしては少量の
ＣＦ_４を含むＯ_２ガス（特に、１０^-2〜２０モル％のＣ
Ｆ_４を含むＯ_２ガス）が好ましく、ＣＦ_４ガスプラズマ
により該物質中に含まれる微量の金属を除去することが
できる。この場合に、ＡマスクはＣＦ_４ガスプラズマ
では殆どエッチングされないので問題はない。

なお、上記の反応性イオンエッチングは電気回路等の微
細加工には利用されているが、本発明におけるような画
像記録媒体の製造法に適用された例はなく、公知の方法
では不可能であった開口部の口径が小さく、深さが大き
なマイクロセルの形成が可能となるものである。また、
電気回路等におけるようにエッチングによりその機能が
破壊されるとの問題もなく、本発明においては反応性イ
オンエッチングを好適に利用することができる。

他の物質からなる支持体に対しても同様にして反応性イ
オンエッチングを行なうことができるが、その際のマス
ク材の選定については、例えば『半導体プラズマプロセ
ス技術』、菅野卓雄編、１９８０年版（産業図書）の記
載を参考にすることができる。たとえば、Ａからなる
支持体はマスクとしてＳｉＯ_２を用い、反応ガスとして
ＣＣ_４ガスを用いることによりエッチングすることが
できる。

また、上記の台形の断面形状にマイクロセルを形成する
ためには、方向性ドライエッチング時における印加電圧
を小さくして一定方向へのイオンの加速を弱めたり、ガ
ス圧を高くして一定方向に加速されたイオンの他のガス
分子との衝突による散乱確率を増加させることにより、
セル側面に傾斜をつけることができる。あるいは、放電
分離型の方向性ドライエッチング法を利用してもよい。
この場合には、放電によりプラズマイオンを形成する電
極と、イオンに方向性を持たせるための電場を形成する
電極とが別であるために、プラズマイオン種の濃度とイ
オンを一定方向に加速する加速電場とをそれぞれ任意に
変化させることができ、その選択範囲がより広くなる点
で好ましい。なお、放電分離型のものには、プラズマ発
生部と方向性イオンエッチング部とが位置的に離れてい
るもの、および両者は同一の場所にあるがプラズマ発生
部の電極対に直角に方向性イオンエッチング部の電極対
が存在するものがある。両者の分離性の点からは、前者
の位置的に離れたタイプの方が好ましい。また、エッチ
ングの方向性をコントロールするには、平行平板電極間
に印加する電極を変えたり、印加する時間と印加しない
時間の比（通常、duty比という）を変えたりすることが
有効である。

上記方法については、半導体研究１４『超ＬＳＩ技術微
細加工』、半導体研究振興会編（工業調査会発行）、お
よび『半導体ハンドブック』第二版、第１０、１１章、
柳井久義編（オーム社）の記載を参考にすることができ
る。

また、マイクロセルは第４図に示すように、基板４１を
貫通するように孔４２を形成してもよい。この場合に
は、形成された空孔に輝尽性蛍光体を充填したのち片面
に光反射層等の層４３を設けてセルの底部を形成する。
従って、マイクロセルは基板４１および層４３を壁面と
して形成される。ここで、支持体は基板４１と層４３か
らなり、このような構成のものも本発明の放射線像変換
パネルに含まれる。この製造法によれば、セルを一定の
深さにそろえることができ、またセル中の空気等は他方
の開口部より排出されるので、これらに妨害されずに輝
尽性蛍光体粒子を容易かつ迅速に充填することができ
る。

また、結合剤の溶媒が両方の開口部から蒸発するので充
填後の乾燥性もよい。さらに、この方法では局部的な異
常放電や、被エッチング材のチャンネリングと呼ばれる
現象に基づく局所的なエッチング速度の上昇等によるエ
ッチング深さのバラツキといった問題が解消されるとの
利点がある。

マイクロセルの内面には、第５図に示すように（５１：
基板、５２：マイクロセル、５３：光反射層または光吸
収層、５４：輝尽性蛍光体）、画質および感度の向上の
点からは光反射層が設けられているのが好ましく、また
鮮鋭度等の画質の点からは光吸収層が設けられているの
が好ましい。光反射層の材料としては、蛍光体を輝尽発
光させるための励起光およびその輝尽光（すなわち、可
視乃至赤外領域の光）に対する反射率の高い物質が用い
られ、たとえばＡｇ、Ａ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｔｉ等
の金属およびこれらの合金、金属ケイ化物；ＴｉＯ
_２（ルチル型、アナターゼ型）、硫化亜鉛、硫酸バリウ
ム、ダイヤモンド粉、ＭｇＯ等の白色顔料および有色顔
料；マグネシア粉を挙げることができる。これらのうち
で、感度の点からＸ線吸収の少ない物質が好ましく、原
子番号の小さなＡ、Ｔｉ、ＴｉＯ_２、ダイヤモンド粉
などが好ましい。

また、光吸収層の材料としては、励起光に対する吸収率
が高くかつ輝尽光に対する吸収率が低い物質が好まし
い。たとえば、カーボンブラック、および特開昭５５−
１６３５００号公報、特開昭５７−９６３００号公報等
に記載されている励起光の波長領域の光を選択的に吸収
する有機染料および顔料が用いられる。光吸収層は特
に、蛍光の横方向への広がりを防止する目的から、マイ
クロセルの側面部に設けられているのが好ましい。

マイクロセル内面への光反射層および光吸収層の付設
は、通常の塗布方法により凹部内壁に塗布形成してもよ
いし、前記のように支持体上に一様な厚さの光反射層あ
るいは光吸収層を設け、この光反射層あるいは光吸収層
に規則的に凹部を穿つ方法を用いてもよい。また支持体
を構成する基板を貫通して空孔が設けられている場合に
は、基板表面に光反射性物質または光吸収性物質の分散
物を塗布した後、基板の片面を減圧状態にしておいて該
分散物を孔中を通過させることにより光反射層または光
吸収層を設けてもよいし、あるいは蒸着の際、気体状の
Ａ（例えば、抵抗加熱により蒸発させてＡ原子、Ａ
_ｎ分子）を強制的に孔中を通過させることにより通常
では困難な細孔内壁へのＡ膜の形成を用意に行なうこ
とができる。この手法に関しては、半導体ガスラインに
使われている半導体ガスライン用ミリポアフィルターを
利用する方法を参考にすることができる。

輝尽性蛍光体は、先に述べたように放射線を照射した
後、励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体である
が、実用的な面からは波長が４００〜９００ｎｍの範囲
にある励起光によって３００〜５００ｎｍの波長範囲の
輝尽発光を示す蛍光体であることが望ましい。本発明の
放射線像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体の例とし
ては、 米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されてい
るＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、Ｓｒｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｔｈ
Ｏ_２：Ｅｒ、およびＬａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、 特開昭５５−１２１４２号公報に記載されているＺｎ
Ｓ：Ｃｕ，Ｐｂ、ＢａＯ・ｘＡ_２Ｏ_３：Ｅｕ（ただ
し、０．８≦ｘ≦１０）、および、Ｍ^IIＯ・ｘＳｉ
Ｏ_２：Ａ（ただし、Ｍ^IIはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、またはＢａであり、ＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、
Ｐｂ、Ｔ、Ｂｉ、またはＭｎであり、ｘは、０．５≦
ｘ≦２．５である）、 特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている（Ｂａ
_1-x-y，Ｍｇ_ｘ，Ｃａ_ｙ）ＦＸ：ａＥｕ²⁺（ただし、Ｘ
はＣおよびＢｒのうちの少なくとも一つであり、ｘお
よびｙは、０＜ｘ＋ｙ≦０．６、かつｘｙ≠０であり、
ａは、１０^-6≦ａ≦５×１０^-2である）、 特開昭５５−１２１４４号公報に記載されているＬｎＯ
Ｘ：ｘＡ（ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ、およびＬｕ
のうちの少なくとも一つ、ＸはＣおよびＢｒのうちの
少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂのうちの少なくと
も一つ、そして、ｘは、０＜ｘ＜０．１である）、 特開昭５５−１２１４５号公報に記載されている（Ｂａ
_1-x，Ｍ²⁺ _ｘ）ＦＸ：ｙＡ（ただし、Ｍ²⁺はＭｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｚｎ、およびＣｄのうち少なくとも一つ、Ｘ
はＣ、Ｂｒ、およびＩのうちの少なくとも一つ、Ａは
Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙ
ｂ、およびＥｒのうちの少なくとも一つ、そしてｘは、
０≦ｘ≦０．６、ｙは、０≦ｙ≦０．２である）、 特開昭５５−１６００７８号公報に記載されているＭ^II
ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ［ただし、Ｍ^IIはＢａ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少なくとも一種、
ＡはＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｚｎ
Ｏ、Ａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、
ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＧｅＯ_２、ＳｎＯ_２、
Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、およびＴｈＯ_２のうちの少な
くとも一種、ＬｎはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐ
ｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｍ、およびＧｄのうち
の少なくとも一種、ＸはＣ、Ｂｒ、およびＩのうちの
少なくとも一種であり、ｘおよびｙはそれぞれ５×１０
^-5≦ｘ≦０．５、および０＜ｙ≦０．２である］の組成
式で表わされる蛍光体、 特開昭５６−１１６７７７号公報に記載されている（Ｂ
ａ_1-x，Ｍ^II _ｘ）Ｆ_２・ａＢａＸ_２：ｙＥｕ，ｚＡ［た
だし、Ｍ^IIはベリリウム、マグネシウム、カルシウム、
ストロンチウム、亜鉛、およびカドミウムのうちの少な
くとも一種、Ｘは塩素、臭素、および沃素のうちの少な
くとも一種、Ａはジルコニウムおよびスカンジウムのう
ちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそ
れぞれ０．５≦ａ≦１．２５、０≦ｘ≦１、１０^-6≦ｙ
≦２×１０^-1、および０＜ｚ≦１０^-2である］の組成式
で表わされる蛍光体、 特開昭５７−２３６７３号公報に記載されている（Ｂａ
_1-x，Ｍ^II _ｘ）Ｆ_２・ａＢａＸ_２：ｙＥｕ，ｚＢ［ただ
し、Ｍ^IIはベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
トロンチウム、亜鉛、およびカドミウムのうちの少なく
とも一種、Ｘは塩素、臭素、および沃素のうちの少なく
とも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ０．
５≦ａ≦１．２５、０≦ｘ≦１、１０^-6≦ｙ≦２×１０
^-1、および０＜ｚ≦２×１０^-1である］の組成式で表わ
される蛍光体、 特開昭５７−２３６７５号公報に記載されている（Ｂａ
_1-x，Ｍ^II _ｘ）Ｆ_２・ａＢａＸ_２：ｙＥｕ，ｚＡ［ただ
し、Ｍ^IIはベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
トロンチウム、亜鉛、およびカドミウムのうちの少なく
とも一種、Ｘは塩素、臭素、および沃素のうちの少なく
とも一種、Ａは砒素および硅素のうちの少なくとも一種
であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ０．５≦ａ≦
１．２５、０≦ｘ≦１、１０^-6≦ｙ≦２×１０^-1、およ
び０＜ｚ≦５×１０^-1である］の組成式で表わされる蛍
光体、 特開昭５８−６９２８１号公報に記載されているＭ^III
ＯＸ：ｘＣｅ［ただし、Ｍ^IIIはＰｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ，Ｙｂ、およ
びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金
属であり、ＸはＣおよびＢｒのうちのいずれか一方あ
るいはその両方であり、ｘは０＜ｘ＜０．１である］の
組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５８−２０６６７８号公報に記載されているＢａ
_1-xＭ_x/2Ｌ_x/2ＦＸ：ｙＥｕ²⁺［ただし、ＭはＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣｓからなる群より選ばれる少な
くとも一種のアルカリ金属を表わし；Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ，Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、およびＴからなる群より選ばれる少なくとも一種
の三価金属を表わし；Ｘは、Ｃ、Ｂｒ、およびＩから
なる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表わ
し；そして、ｘは１０^-2≦ｘ≦０．５、ｙは０＜ｙ≦
０．１である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−２７９８０号公報に記載されているＢａＦ
Ｘ・ｘＡ：ｙＥｕ²⁺［ただし、Ｘは、Ｃ、Ｂｒ、およ
びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であり；Ａは、テトラフルオロホウ酸化合物の焼成物で
あり；そして、ｘは１０^-6≦ｘ≦０．１、ｙは０＜ｙ≦
０．１である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−４７２８９号公報に記載されているＢａＦ
Ｘ・ｘＡ：ｙＥｕ²⁺［ただし、Ｘは、Ｃ、Ｂｒ、およ
びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であり；Ａは、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロ
チタン酸およびヘキサフルオロジルコニウム酸の一価も
しくは二価金属の塩からなるヘキサフルオロ化合物群よ
り選ばれる少なくとも一種の化合物の焼成物であり；そ
して、ｘは１０^-6≦ｘ≦０．１、ｙは０＜ｙ≦０．１で
ある］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−５６４７９号公報に記載されているＢａＦ
Ｘ・ｘＮａＸ′：ａＥｕ²⁺［ただし、ＸおよびＸ′は、
それぞれＣ、Ｂｒ、およびＩのうちの少なくとも一種
であり、ｘおよびａはそれぞれ０＜ｘ≦２、および０＜
ａ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−５６４８０号公報に記載されているＭ^IIＦ
Ｘ・ｘＮａＸ′：ｙＥｕ²⁺：ｚＡ［ただし、Ｍ^IIは、Ｂ
ａ、Ｓｒ、およびＣａからなる群より選ばれる少なくと
も一種のアルカリ土類金属であり；ＸおよびＸ′は、そ
れぞれＣ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選ばれる少
なくとも一種のハロゲンであり；Ａは、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉより選ばれる少なくとも一
種の遷移金属であり；そして、ｘは０＜ｘ≦２、ｙは０
＜ｙ≦０．２、およびｚは０＜ｚ≦１０^-2である］の組
成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−７５２００号公報に記載されているＭ^IIＦ
Ｘ・ａＭ^IＸ′：ｂＭ′^IIＸ″_２・ｃＭ^IIIＸ_３・ｘ
Ａ：ｙＥｕ²⁺［ただし、Ｍ^IIは、Ｂａ、Ｓｒ、およびＣ
ａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土
類金属であり；Ｍ^ＩはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣ
ｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金
属であり；Ｍ′^IIはＢｅおよびＭｇからなる群より選ば
れる少なくとも一種の二価金属であり；Ｍ^IIIはＡ、
Ｇａ、Ｉｎ、およびＴからなる群より選ばれる少なく
とも一種の三価金属であり；Ａは金属酸化物であり；Ｘ
はＣ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり；Ｘ′、Ｘ″、およびＸ
は、Ｆ、Ｃ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選ばれる
少なくとも一種のハロゲンであり；そして、ａは０≦ａ
≦２、ｂは０≦ｂ≦１０^-2、ｃは０≦ｃ≦１０^-2、かつ
ａ＋ｂ＋ｃ≧１０^-6であり；ｘは０＜ｘ≦０．５、ｙは
０＜ｙ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭６０−８４３８１号公報に記載されているＭ^IIＸ
_２・ａＭ^IIＸ′_２：ｘＥｕ²⁺［ただし、Ｍ^IIはＢａ、Ｓ
ｒおよびＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種の
アルカリ土類金属であり；ＸおよびＸ′はＣ、Ｂｒお
よびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲ
ンであって、かつＸ≠Ｘ′であり、そしてａは０．１≦
ａ≦１０．０、ｘは０＜ｘ≦０．２である］の組成式で
表わされる輝尽性蛍光体、 特開昭６０−１０１１７３号公報に記載されているＭ^II
ＦＸ・ａＭ^ＩＸ′：ｘＥｕ²⁺［ただし、Ｍ^IIはＢａ、Ｓ
ｒおよびＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種の
アルカリ土類金属であり；Ｍ^ＩはＲｂおよびＣｓからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であ
り；ＸはＣ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少
なくとも一種のハロゲンであり；Ｘ′はＦ，Ｃ、Ｂｒ
およびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロ
ゲンであり；そしてａおよびｘはそれぞれ０≦ａ≦４．
０および０＜ｘ≦０．２である］の組成式で表わされる
輝尽性蛍光体、 本出願人による特願昭６０−７０４８４号明細書に記載
されているＭ^ＩＸ：ｘＢｉ［ただし、Ｍ^ＩはＲｂおよび
Ｃｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ
金属であり；ＸはＣ、ＢｒおよびＩからなる群より選
ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そしてｘは０
＜ｘ≦０．２の範囲の数値である］の組成式で表わされ
る輝尽性蛍光体、 などを挙げることができる。

また、上記特開昭６０−８４３８１号公報に記載されて
いるＭ^IIＸ_２・ａＭ^IIＸ′_２：ｘＥｕ²⁺輝尽性蛍光体に
は、以下に示すような添加物がＭ^IIＸ_２・ａＭ^IIＸ′_２
１モル当り以下の割合で含まれていてもよい。

特開昭６０−１６６３７９号公報に記載されているｂＭ
^ＩＸ″（ただし、Ｍ^ＩはＲｂおよびＣｓからなる群より
選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｘ″は
Ｆ、Ｃ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり、そしてｂは０＜ｂ≦１０．
０である）；特開昭６０−２２１４８３号公報に記載さ
れているｂＫＸ″・ｃＭｇＸ_２・ｄＭ^IIIＸ′
_３（ただし、Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕ
からなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であ
り、Ｘ″、ＸおよびＸ′はいずれもＦ、Ｃ、Ｂｒ
およびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロ
ゲンであり、そしてｂ、ｃおよびｄはそれぞれ、０≦ｂ
≦２．０、０≦ｃ≦２．０、０≦ｄ≦２．０であって、
かつ２×１０^-5≦ｂ＋ｃ＋ｄである）；本出願人による
特願昭５９−８４３５６号明細書に記載されているｙＢ
（ただし、ｙは２×１０^-4≦ｙ≦２×１０^-1である）；
特願昭５９−８４３５８号明細書に記載されているｂＡ
（ただし、ＡはＳｉＯ_２およびＰ_２Ｏ_５からなる群より
選ばれる少なくとも一種の酸化物であり、そしてｂは１
０^-4≦ｂ≦２×１０^-1である）；特願昭５９−２４０４
５２号明細書に記載されているｂＳｉＯ（ただし、ｂは
０≦ｂ≦３×１０^-2である）；特願昭５９−２４０４５
４号明細書に記載されているｂＳｎＸ″_２（ただし、
Ｘ″はＦ、Ｃ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる
少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂは０＜ｂ≦
１０^-3である）；特願昭６０−７８０３３号明細書に記
載されているｂＣｓＸ″・ｃｃＳｎＸ_２（ただし、
Ｘ″およびＸはそれぞれＦ、Ｃ、ＢｒおよびＩから
なる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、
そしてｂおよびｃはそれぞれ、０＜ｂ≦１０．０および
１０^-6≦ｃ≦２×１０^-2である）；および特願昭６０−
７８０３５号明細書に記載されているｂＣｓＸ″・ｙＬ
ｎ³⁺（ただし、Ｘ″はＦ、Ｃ、ＢｒおよびＩからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ｌｎ
はＳｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ，Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群より
選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、そしてｂ
およびｙはそれぞれ、０＜ｂ≦１０．０および１０^-6≦
ｙ≦１．８×１０^-1である）。

上記の輝尽性蛍光体のうちで、二価ユーロピウム賦活ア
ルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体および希土類元素
賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体は高輝度の輝尽
発光を示すので特に好ましい。ただし、本発明に用いら
れる輝尽性蛍光体は上述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後励起光を照射した場合に輝尽発
光を示す蛍光体であればいかなるものであってもよい。

マイクロセルへの輝尽性蛍光体の充填は、たとえば以下
のようにして行なうことができる。

上記輝尽性蛍光体粒子と結合剤とを適当な溶剤（たとえ
ば、低級アルコール、塩素原子含有炭化水素、ケトン、
エステル、エーテル）に加え、これを充分に混合して、
結合剤溶液中に蛍光体が均一に分散した分散液を調製す
る。

結合剤の例としては、ゼラチン等の蛋白質、ポリ酢酸ビ
ニル、ニトロセルロース、ポリウレタン、ポリビニルア
ルコール、ポリアルキル（メタ）アクリレート、線状ポ
リエステルなどのような合成高分子物質などにより代表
される結合剤を挙げることができる。

分散液における結合剤と蛍光体との混合比は、通常は
１：８乃至１：４０（重量比）の範囲から選ばれる。こ
の分散液を支持体上に塗布することにより各マイクロセ
ルに充填したのち乾燥する。また、結合剤として光架橋
型のポリマーを用い光照射で硬化させたり、たとえばア
ラルダイト等の二液を混合し硬化させる有機物を用いた
りすれば、溶剤を用いる方法に比べて溶剤の乾燥負荷が
なくなり有利である。

あるいは、輝尽性蛍光体粒子のみを直接にマイクロセル
に充填してもよいし、また蒸着法により充填してもよ
い。

なお、基板を突き抜けて空孔が設けられている場合に、
基板の片面を減圧状態にしておけば（例えば、上面圧／
下面圧＝１．０〜１０^４）、更に容易かつ迅速に蛍光体
の充填を行なうことができる。

第６図に示すように、支持体上に更に蛍光体層が１〜５
０μｍの範囲の層厚で設けられていてもよい（６１：基
板、６２：マイクロセル、６３：蛍光体層）。この場合
には、上記諸特性に加えて画像の粒状消失効果があり、
より高画質を得ることができる。

次に、輝尽性蛍光体が充填されたマイクロセルを有する
支持体表面（または蛍光体層表面）には多層膜フィルタ
が設けられる。

本発明において多層膜フィルタは、マイクロセルに含ま
れる輝尽性蛍光体を励起するための励起光の入射角度が
０〜５°の範囲にある場合に７０％以上の光透過率を有
し、かつ励起光の入射角度が３０°以上である場合に６
０％以上の光反射率を有するものである。好ましくは、
励起光の入射角度が０〜５°の範囲にある場合に８０％
以上の光透過率を有し、かつ励起光の入射角度が３０°
以上である場合に７０％以上の光反射率を有するもので
ある。すなわち、多層膜フィルタは、少なくとも輝尽性
蛍光体の励起波長領域に含まれる一つの波長に対してこ
のような角度依存の透過および反射特性を有している必
要がある。好ましくは、蛍光体の励起スペクトルのピー
ク付近の波長に対して上記透過および反射特性を満足す
るものである。

一例として、市販の放射線像変換パネルには通常、二価
ユーロピウム賦活弗化臭化バリウム系蛍光体が使用され
ており、励起光としてＨｅ−Ｎｅレーザー光（波長：６
３３nm）が用いられている。従って、マイクロセルがこ
の輝尽性蛍光体を含有する場合には、多層膜フィルタは
６３３nmの励起波長に対する光透過率が上記のような角
度依存性を有するものであればよい。

また通常、輝尽発光光の検出も支持体の輝尽性蛍光体が
充填されている側から行なわれるから、パネルの感度の
点から、多層膜フィルタは蛍光体の輝尽発光波長におけ
る光透過率が角度に関係なく高いのが好ましい。一般
に、入射角度が０〜４０°の範囲にある場合に発光のピ
ーク波長における透過率が６０％以上であるのが好まし
く、より好ましくは８０％以上である。従って、上記二
価ユーロピウム賦活弗化臭化バリウム系蛍光体について
は、約３９０nmのピーク波長に対して上記のような透過
率を有することが望ましい。

多層膜フィルタは、透過スペクトルにおける透過帯の幅
が広いショートパスフィルタであってもよいし、あるい
は透過帯の幅が極めて狭いバンドパスフィルタであって
もよい。

本発明に用いられる多層膜フィルタの透過スペクトル、
反射スペクトルおよびその角度依存性の例を第９図〜第
１２図にそれぞれ示す。

第９図は、ショートパスフィルタの入射角度０°、３０
°および４５°それぞれにおける透過スペクトルであ
る。

第１０図は、ショートパスフィルタについて入射角度と
透過率との関係および入射角度と反射率との関係を示す
グラフである。第１０図において、６３３nmは上記二価
ユーロピウム賦活弗化臭化バリウム系蛍光体の励起波長
に相当し、３９０nmは輝尽発光のピーク波長に相当す
る。

第１１図は、バンドパスフィルタの入射角度０°におけ
る透過スペクトルである。

第１２図は、バンドパスフィルタについて３９０nmおよ
び６３３nmにおける入射角度と透過率との関係および入
射角度と反射率との関係を示すグラフである。

多層膜フィルタは、屈折率の異なる二種以上の物質が光
の波長の1/4程度の厚さで逐次積層されたものである。
多層膜フィルタには公知の光学薄膜に使用されている各
種の物質を用いることができるが、具体的にはＳｉ
Ｏ_２、ＭｇＦ_２などの低屈折率物質およびＴｉＯ_２、Ｚ
ｒＯ_２、ＺｎＳなどの高屈折率物質を挙げることができ
る。

多層膜フィルタは、たとえば上記物質からなる薄膜を真
空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの
方法によって、透明なシート表面（後述の保護膜形成用
シート）に数層から数十層に積層して形成することによ
り設けることができる。特に、イオンプレーティング法
は、透明シートが高分子物質からなる場合であっても、
該シートを高温にしないでシートとの密着性が高いフィ
ルタを形成することができる点で好ましい方法である。

多層膜フィルタの製造に際して、使用する物質（屈折
率）および各層の膜厚を制御することにより、使用され
る輝尽性蛍光体に合わせて上記の特性を有する種々のフ
ィルタを得ることができる。一般に、多層膜フィルタ全
体の膜厚は約０．１乃至１０μｍの範囲にある。

透明シートの例としては、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミドな
どからなるプラスチックシート；およびガラスを挙げる
ことができる。この透明シートの表面には予め、表面を
清浄にするための各種の表面処理、下塗処理などが施さ
れていてもよい。

多層膜フィルタは、たとえば上記多層膜フィルタの形成
された透明シートを支持体表面に、多層膜フィルタと輝
尽性蛍光体が充填されているマイクロセルとが面するよ
うに、適当な接着剤を用いて接着することにより支持体
上に設けることができる。あるいは、多層膜フィルタは
蒸着法などにより支持体表面に直接に形成してもよい。

この多層膜フィルタ上には、透明な保護膜が設けられて
いてもよい。保護膜を設けることによりパネルを物理的
および化学的に保護することができる。なお、上記のよ
うに多層膜フィルタが透明シート上に設けられ、透明シ
ートごと支持体上に設けられた場合にはこの透明シート
が保護膜として機能する。

透明保護膜の材料の例としては、酢酸セルロース、ポリ
メチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンおよびガラスを挙げることができる。ま
た、前記支持体の材料として述べた有機高分子物質およ
び無機物質の中から適宜選択してもよい。透明保護膜の
膜厚は、通常約０．１乃至２０μｍである。

なお、画質を向上させるために、保護膜のマイクロセル
とマイクロセルとの間に相当する部分を前記の励起光を
選択的に吸収するような着色剤で着色してもよい。

次に本発明の実施例および比較例を記載する。ただし、
これらの各例は本発明を制限するものではない。

［実施例１］ ポリエチレンテレフタレートフィルム（基板、厚み：２
５０μｍ）上に、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）のゼラチン
分散液（硬膜剤、粘度調整剤、界面活性剤等の添加剤を
含む）を塗布し、乾燥することにより、層厚が約１７０
μｍの光反射層を形成して、支持体を得た。

光反射層上にＡを真空蒸着し、更にフォトレジスト
（AZ1350、シプレー社）をスピンコーティングしたのち
紫外線により露光し、アルカリ溶液で現像処理してレジ
スト層のパターニングを行なった。次いで、リン酸：硝
酸：酢酸：水＝７６：１３：１５：１６の液で４分間エ
ッチングして、Ａ膜のパターニングを行なった。この
Ａ膜をマスクとしてＯ_２＋ＣＦ_４（２モル％）プラズ
マによるＲＩＥドライエッチング法により、開口部の形
状が六角形で断面の形状が長方形の多数のマイクロセル
（開口部の一辺の長さ：１０μｍ、深さ：１６０μｍ、
開口部の口径：深さ＝１：８、セル間隔：５μｍ）を光
反射層中に形成した。

ＲＩＥドライエッチングは、第８図に示すような平行電
極型プラズマ装置を用いて行なった。まず、上記Ａ膜
の付設された基板（試料）８０をプラズマ装置の陰極８
１に設置し、リークバルブ８３、８４を開いてＯ_２＋Ｃ
Ｆ_４（２モル％）ガスを矢印の方向に導入したのち高周
波電力を陰極８１と陽極８２の間にかけた。プラズマ中
で発生したＯ^＋カチオンは電極方向に加速されて直進し
て試料８０に垂直に入射し、基板上の光反射層はＡマ
スクパターンに忠実にエッチングされた。Ａとゼラチ
ンとのエッチング比は１／１０００程度であるから、垂
直な方向性をもってエッチングが行なわれた。なおこの
時、ゼラチンは酸素と反応して二酸化炭素及び水とな
る。また、Ａ膜表面は酸化アルミニウムとなるがエッ
チングされることは殆どない。

次に、輝尽性の二価ユーロピウム賦活弗化臭化バリウム
蛍光体（ＢａＦＢｒ：Ｅｕ²⁺）の粒子と線状ポリエステ
ル樹脂との混合物にメチルエチルケトンを添加し、さら
に硝化度１１．５％のニトロセルロースを添加した後充
分に攪拌混合して、蛍光体粒子が均一に分散し、結合剤
と蛍光体との混合比が１：２０（重量比）、かつ粘度が
２５〜３５ＰＳ（２５℃）の分散液を調製した。この分
散液を支持体上に塗布乾燥して各マイクロセルに蛍光体
分散物を充填した。

次いで、約３５０℃に加熱した透明なガラス板（保護膜
用シート、厚み：約１mm）を真空容器内に入れ、ＴｉＯ
_２およびＳｉＯ_２を用いて各層の膜厚を制御しながら交
互に繰り返し真空蒸着することにより、ガラス板上に、
第１０図に示した透過および反射特性を有する多層膜フ
ィルタ（ショートパスフィルタ）を約２μｍの総膜厚
（約２０層積層）で形成した。

この多層膜フィルタの設けられたガラス板を、多層膜フ
ィルタ側に接着剤（厚さ：約２μｍ）をつけて支持体の
マイクロセル側に接着した。

このようにして、基板、蛍光体が充填されたマイクロセ
ルを有する光反射層、多層膜フィルタおよび保護膜から
構成された放射線像変換パネルを製造した。

［実施例２］ 実施例１において、ガラス板上にＴｉＯ_２およびＳｉＯ
_２を真空蒸着することにより、第１２図に示した透過お
よび反射特性を有する多層膜フィルタ（バンドパスフィ
ルタ）を約２μｍの膜厚で設けること以外は、実施例の
方法と同様の操作を行なうことにより、基板、蛍光体が
充填されたマイクロセルを有する光反射層、多層膜フィ
ルタおよび保護膜から構成された放射線像変換パネルを
製造した。

［比較例１］ 実施例１において、ガラス板上に多層膜フィルタを設け
ないこと以外は実施例の方法と同様の操作を行なうこと
により、基板、蛍光体が充填されたマイクロセルを有す
る光反射層および保護膜から構成された放射線像変換パ
ネルを製造した。

次に、各放射線像変換パネルについて、以下の感度試験
を行なうことにより評価を行なった。

放射線像変換パネルに、管電圧８０KVpのＸ線を照射し
たのち、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（波長：６３３nm）で励
起した感度を測定した。

得られた結果を第１表にまとめて示す。

第１表に示された結果から明らかなように、本発明に係
る多層膜フィルタが設けられた放射線像変換パネル（実
施例１および２）は、比較のための多層膜フィルタが設
けられていない放射線像変換パネル（比較例１）と比較
して、感度が著しく向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の放射線像変換パネルの一態様を示す
部分断面図である。 第２図および第４図〜第７図はそれぞれ、本発明の放射
線像変換パネルの支持体部分の別の実施態様を示す部分
断面図である。 第３図（ａ）および（ｂ）は、本発明の放射線像変換パ
ネルの支持体部分の二態様を示す部分平面図である。 第８図は、本発明の放射線像変換パネルの製造に用いら
れる平行電極型プラズマ装置の概略図である。 １：支持体、１ａ：基板、１ｂ：光反射層、 １ｃ：マイクロセル、１ｄ：輝尽性蛍光体、 ２：多層膜フィルタ、３：保護膜、 ８０：試料、８１：陽極電極、 ８２：陰極電極、８３，８４：バルブ 第９図は、本発明に用いられるショートパスフィルタの
例について入射角度０°、３０°および４５°それぞれ
における透過スペクトルを示す図である。 第１０図は、上記ショートパスフィルタについて３９０
nmおよび６３３nmにおける透過率および反射率の角度依
存性を示すグラフである。 第１１図は、本発明に用いられるバンドパスフィルタの
例について入射角度０°における透過スペクトルを示す
図である。 第１２図は、上記バンドパスフィルタについて３９０nm
および６３３nmにおける透過率および反射率の角度依存
性を示すグラフである。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−63929（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−169095（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−169096（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−169097（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−169099（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−169100（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−182700（ＪＰ，Ａ)

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】片面に凹部が規則正しく多数個設けられ、
   かつ該凹部に輝尽性蛍光体が充填された支持体と、この
   支持体の凹部が設けられた側の表面に設けられた該輝尽
   性蛍光体の励起波長における光透過率が０〜５°の範囲
   の光の入射角度に対して７０％以上であり、かつ該励起
   波長における光反射率が３０°以上の光の入射角度に対
   して６０％以上である多層膜フィルタとから実質的に構
   成された放射線像変換パネル。
2. 【請求項２】上記多層膜フィルタの輝尽性蛍光体の励起
   波長における光透過率が０〜５°の範囲の光の入射角度
   に対して８０％以上であり、かつ該励起波長における光
   反射率が３０°以上の光の入射角度に対して７０％以上
   である特許請求の範囲第１項記載の放射線像変換パネ
   ル。
3. 【請求項３】上記多層膜フィルタの輝尽性蛍光体の輝尽
   発光波長における光透過率が０〜４０°の範囲の光の入
   射角度に対して６０％以上である特許請求の範囲第１項
   記載の放射線像変換パネル。
4. 【請求項４】上記多層膜フィルタの輝尽性蛍光体の輝尽
   発光波長における光透過率が０〜４０°の範囲の光の入
   射角度に対して８０％以上である特許請求の範囲第３項
   記載の放射線像変換パネル。
5. 【請求項５】上記多層膜フィルタがショートパスフィル
   タもしくはバンドパスフィルタである特許請求の範囲第
   １項記載の放射線像変換パネル。
6. 【請求項６】上記多層膜フィルタが、ＳｉＯ_２およびＭ
   ｇＦ_２からなる群より選ばれる少なくとも一種の低屈折
   率物質と、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２およびＺｎＳからなる群
   より選ばれる少なくとも一種の高屈折率物質からなる特
   許請求の範囲第１項記載の放射線像変換パネル。
7. 【請求項７】上記多層膜フィルタが真空蒸着により形成
   されたものである特許請求の範囲第１項記載の放射線像
   変換パネル。
8. 【請求項８】上記放射線像変換パネルが、順に支持体、
   多層膜フィルタおよび保護膜から構成され、かつ保護膜
   が高分子物質からなり、多層膜フィルタがイオンプレー
   ティングにより保護膜の表面に形成されたものである特
   許請求の範囲第１項記載の放射線像変換パネル。
9. 【請求項９】上記輝尽性蛍光体の励起波長が４００〜９
   ００ｎｍの範囲にある特許請求の範囲第１項記載の放射
   線像変換パネル。
10. 【請求項１０】上記輝尽性蛍光体が二価ユーロピウム賦
    活ハロゲン化物系蛍光体である特許請求の範囲第９項記
    載の放射線像変換パネル。
11. 【請求項１１】上記二価ユーロピウム賦活ハロゲン化物
    系蛍光体が二価ユーロピウム賦活弗化ハロゲン化物系蛍
    光体である特許請求の範囲第１０項記載の放射線像変換
    パネル。
12. 【請求項１２】上記凹部の開口部の口径と深さとの比率
    が１：３．５以上の範囲にある特許請求の範囲第１項記
    載の放射線像変換パネル。
13. 【請求項１３】上記凹部の開口部の口径が１乃至２００
    μｍの範囲にあり、そして凹部の深さが５μｍ乃至１ｍ
    ｍの範囲にある特許請求の範囲第１項記載の放射線像変
    換パネル。
14. 【請求項１４】上記凹部の断面形状が長方形もしくは開
    口部の口径が底部の口径よりも大きな台形である特許請
    求の範囲第１項記載の放射線像変換パネル。
15. 【請求項１５】上記凹部の断面形状が台形であって、凹
    部の開口部の口径と底部の口径との比率が１１：１０乃
    至４：１の範囲にある特許請求の範囲第１４項記載の放
    射線像変換パネル。
16. 【請求項１６】上記凹部の内面に光反射層もしくは光吸
    収層が設けられている特許請求の範囲第１項記載の放射
    線像変換パネル。