CN112442661A - 蒸镀装置 - Google Patents
蒸镀装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112442661A CN112442661A CN202010877099.9A CN202010877099A CN112442661A CN 112442661 A CN112442661 A CN 112442661A CN 202010877099 A CN202010877099 A CN 202010877099A CN 112442661 A CN112442661 A CN 112442661A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vapor deposition
- shutters
- sources
- partition wall
- shutter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供以下蒸镀装置:在具有多个蒸镀源和与各蒸镀源相对应的开闭器的团簇型的蒸镀装置中,不会导致装置的大型化并且能够始终监视蒸镀速率。在具有蒸镀源(1、2)和控制蒸镀源(1、2)的蒸镀、非蒸镀的开闭器(5、6)的蒸镀装置中,使开闭器(5、6)的高度彼此不同,将该开闭器(5、6)配置为在开状态下彼此重叠,并且配置有在开状态下将开闭器(5、6)之间分隔的分隔壁(12)。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有多个蒸镀源的蒸镀装置。
背景技术
近年来,有机发光元件作为能够通过低电压驱动而进行高亮度发光的发光元件受到关注。构成这样的发光元件的有机材料具有高分子材料和低分子材料。使用低分子材料的发光元件通常通过真空蒸镀法形成。有机发光元件由多个功能层形成,作为功能层,具有空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层等,这些功能层在阳极与阴极之间依次通过蒸镀形成。
通常使用的蒸镀装置具有直列型和团簇型。直列型适合宽幅基板的成膜,另一方面,团簇型从小型基板到大型基板都能够进行符合用途的应对。此外,针对发光元件的层结构变更,也容易追加蒸镀室,能够灵活地应对。在团簇型的蒸镀装置中,在考虑到交叉污染、生产节拍等的情况下,基本上期望针对每一层设置腔室。但是,为了抑制装置成本且使装置小型化而减少蒸镀室的数量或者同时蒸镀多个材料,因此,有时在同一腔室内蒸镀不同的多个材料。
日本特开2015-124440号公报(以下称为PTL1)公开了一种具有多个蒸镀源的团簇型的蒸镀装置,在这样的蒸镀装置中,在各蒸镀源配置开闭器,通过该开闭器的开闭来控制蒸镀、非蒸镀。
如PTL1所公开的那样,在具有多个蒸镀源的蒸镀装置中,通过开闭器的开闭来控制蒸镀源的选择。
另一方面,在一个蒸镀室内依次形成多个层的情况下,为了缩短生产节拍,期望始终利用监视器测量蒸镀速率并预先进行控制,以使得各蒸镀源的蒸镀速率不发生变动。但是,在开闭器距蒸镀源较近的情况下,在开闭器关闭的状态下,开闭器造成妨碍而无法利用膜厚传感器监视蒸镀速率。因而,为了即使在开闭器关闭时也能够监视蒸镀速率,需要使开闭器在一定程度上远离蒸镀源。并且,在使开闭器远离蒸镀源的状态下,为了防止在开闭器关闭时来自蒸镀源的蒸发物附着于被蒸镀基板,需要加大开闭器的尺寸。
当加大开闭器的尺寸时,需要加大相邻的蒸镀源的间隔,以便在同时打开多个开闭器的情况下开闭器彼此不会干涉,存在导致蒸镀室的尺寸大型化这样的问题。
发明内容
本公开的目的在于提供以下蒸镀装置:在具有多个蒸镀源和与各蒸镀源相对应的开闭器的团簇型的蒸镀装置中,不会导致装置的大型化并且能够始终监视蒸镀速率。
本发明是具有在水平方向上排列配置的两个蒸镀源和配置于所述两个蒸镀源各自的开口部的上方的两个开闭器的蒸镀装置,其特征在于,
所述两个开闭器的高度彼此不同,且通过在水平方向上移动而进行开闭,在从铅垂方向俯视时,具有在开状态下彼此重叠的区域,
所述蒸镀装置在所述重叠的区域具有将所述两个开闭器之间分隔的分隔壁。
通过以下示例性的实施例的描述(参考附图),本发明的进一步特征将变得明确。
附图说明
图1是示意地表示本发明的蒸镀装置的一实施方式的结构的剖视图。
图2是示意地表示本发明的蒸镀装置的其他实施方式的结构的剖视图。
图3的(a)、(b)分别是从上方观察图1、图2的蒸镀装置的俯视概略图。
图4是示意地表示以往的蒸镀装置的结构的剖视图。
图5是示意地表示将第一开闭器和第二开闭器设为彼此不同的高度的蒸镀装置的结构的剖视图。
图6是表示图5的蒸镀装置中的污染的发生过程的剖视图。
具体实施方式
本发明的蒸镀装置是具有多个蒸镀源和与各蒸镀源相对应的开闭器的团簇型的蒸镀装置。在本发明中,具有以下特征:使与两个蒸镀源相对应的两个开闭器的高度构成为彼此不同,并且在这些开闭器重叠的区域,在两个开闭器之间设有分隔壁。
首先,使用图4来说明具有开闭器和多个蒸镀源的以往的蒸镀装置。图4是示意地表示以往的团簇型的蒸镀装置的蒸镀室100的结构的剖视图,仅图示出主要的结构构件。在附图中,附图标记1、2为蒸镀源,在水平方向上隔有预定距离地配置,分别具有在上方具有开口的坩埚1a、2a。在坩埚1a、2a的外周配置有加热器1b、2b,通过利用该加热器1b、2b对坩埚1a、2a进行加热,能够使收纳于坩埚1a、2a内的蒸镀材料1c、2c蒸发并向上方飞散。另外,蒸镀源1、2除了具有图示的构件之外,还具有未图示的反射器、热电偶等构件。
基板保持件20以能够利用旋转轴20a旋转的方式安装于蒸镀室100的顶部,在该基板保持件20的下表面安装有被蒸镀基板9,并且在被蒸镀面(下表面)侧安装有掩膜10。在蒸镀时,被蒸镀基板9在被蒸镀面内旋转,来自蒸镀源1、2的蒸发物蒸镀于掩膜10的开口部。
针对蒸镀源1、2配置有开闭器5、6,该开闭器5、6用于防止来自该蒸镀源1、2的蒸发物蒸镀于被蒸镀基板9。开闭器5、6分别利用支承件5a、6a旋转,图4中实线所示的位置为开状态,虚线5b、6b所示的位置为闭状态。开闭器5、6在闭状态5b、6b下分别将蒸镀源1、2的开口部与被蒸镀基板9之间遮挡,阻碍蒸发物向被蒸镀基板9飞散。因而,在图4所示的蒸镀装置中,通过开闭器5、6的开闭,能够控制向被蒸镀基板9的蒸镀。例如在仅对蒸镀材料1c、2c中的一者进行蒸镀的情况下,将该一者侧的开闭器设为开状态,将另一者侧的开闭器设为闭状态。此外,若将开闭器5、6这两者设为开状态而进行蒸镀,则能够进行蒸镀材料1c、2c的共蒸镀。
在图4中,附图标记11是在水平方向上将蒸镀源1、2彼此分隔的分隔板。此外,附图标记7、8分别是用于测量蒸镀源1、2的蒸镀速率的监视器。在此,当在闭状态时开闭器5、6靠近蒸镀源1、2的开口部的情况下,在闭状态下监视器7、8被开闭器5、6遮挡,无法测量蒸镀源1、2的蒸镀速率。若使开闭器5、6向上方远离蒸镀源1、2的开口部地配置,则监视器7、8能够从开闭器5、6与蒸镀源1、2的开口部之间的间隙测量蒸镀速率。但是,如在图4中点划线所示,由于蒸发物的飞散区域从蒸镀源1、2的开口部朝向被蒸镀基板9扩大,因此,越使开闭器5、6远离蒸镀源1、2,则需要使开闭器5、6越大。由于开闭器5、6在开状态下彼此接近,因此,若使开闭器5、6变大,则需要扩大蒸镀源1、2的间隙,需要使蒸镀室100大型化。
在本发明中,作为第一特征,使开闭器5、6向上方远离蒸镀源1、2地配置,以便在开闭器5、6处于闭状态时监视器7、8也能够测量蒸镀速率。当然需要使开闭器5、6变大,但是,在此如图5所示,通过配置为使开闭器5、6的高度彼此不同且开闭器5、6在开状态下彼此重叠,从而不必扩大蒸镀源1、2的间隔。
但是,可知在使开闭器5、6的高度彼此不同的情况下,容易在蒸镀源1、2之间产生交叉污染。使用图6来说明图5的蒸镀装置中的交叉污染。另外,在图6中仅图示与图5相同的结构的蒸镀装置的说明所需的构件。
在开闭器5、6的背面(蒸镀源1、2侧)附着在闭状态时来自蒸镀源1、2的蒸发物。如图6的(a)所示,在将开闭器5、6同时设为开状态的情况下,有时附着于高度较高的开闭器6的背面的蒸发物31剥离而向高度较低的开闭器5的表面落下。在该状态下,当如图6的(b)所示使开闭器5朝向闭状态旋转时,如图6的(c)所示,开闭器5上的蒸发物31a有可能向蒸镀源1上落下。有可能落到蒸镀源1上的蒸发物31a堵塞蒸镀源1的开口部,或者被加热器1b加热而与蒸镀材料1c一同飞散而蒸镀于被蒸镀基板9(交叉污染)。
在本发明中,作为第二特征,通过在开闭器5、6之间设置分隔壁,能够防止图6所示那样附着于开闭器6的背面的蒸发物向蒸镀源1落下。使用图1来说明。
图1是概略地示出本发明的蒸镀装置的优选的实施方式的蒸镀室的主要结构的铅垂方向的剖视图。本实施方式的结构基本上具有与图5所示的以往的蒸镀装置相同的结构,并且具有分隔壁12。
在本实施方式中,与图5的蒸镀装置同样地,具有两个蒸镀源1、2和测量这些蒸镀源1、2的蒸镀速率的两个监视器7、8。针对蒸镀源1、2,配置有用于阻碍蒸发物向被蒸镀基板9飞散的开闭器5、6。开闭器5、6在向上方远离蒸镀源1、2的位置以能够利用支承件5a、6a旋转的方式配置,以便在闭状态下监视器7、8也能够测量蒸镀速率。在从铅垂方向俯视时,开闭器5、6具有在开状态下彼此重叠的区域,在本实施方式中,在该重叠的区域设有用于将开闭器5、6之间遮挡的分隔壁12。
在图3的(a)中示出从铅垂方向观察开闭器5、6、分隔壁12以及分隔板11的俯视图。在图3的(a)中,虚线所示的附图标记5c、6c分别为开闭器5、6通过旋转所占的区域的外周。因而,区域5c与6c重叠的区域21(以斜线的阴影表示的区域)为开闭器5、6在开状态下彼此重叠的区域。分隔壁12以与该区域21重叠的方式配置于开闭器5、6之间的高度,在开闭器5、6均处于开状态时,分隔壁12将开闭器5、6之间分隔。利用该分隔壁12,即使在附着于开闭器6的背面的蒸发物剥离而落下的情况下,所剥离的蒸发物也会向分隔壁12上落下,而不会向开闭器5的表面落下。因而,抑制附着于开闭器6的背面的蒸发物向蒸镀源1落下而堵塞蒸镀源1的开口部或者发生交叉污染这样的不良情况。
在本实施方式中,分隔壁12在长边方向(纸面上下方向)的两端由支承件22支持。此外,在本实施方式中,在将蒸镀源1、2之间遮挡的分隔板11的上端,朝向蒸镀源2安装有第二分隔壁13。由此,抑制附着于开闭器5的背面的蒸发物剥离而向蒸镀源2侧落下,抑制因该蒸发物导致蒸镀源2的开口部堵塞或发生交叉污染。
并且,在图2中示出概略地表示本发明的蒸镀装置的其他实施方式的蒸镀室的主要结构的铅垂方向的剖视图。在本实施方式中,除了图1的蒸镀装置之外,还具有连接分隔壁(以下记为第一分隔壁)12与第二分隔壁13的第一侧壁14和自第一分隔壁12的靠蒸镀源1侧的端部向上方突出的第二侧壁15。这样,通过设置侧壁14、15,能够更有效地抑制附着于开闭器5、6的背面的蒸发物剥离而分别向蒸镀源2、1侧落下。此外,如本实施方式这样,由于分隔板11、第二分隔壁13、第一侧壁14、第一分隔壁12、第二侧壁15依次连结起来,因此能够一体地处理,能够容易进行所附着的蒸发物的去除等维护。
在图1、图2所示出的实施方式中,示出了蒸镀源为两个的情况,但在蒸镀源为3个以上的情况下,也对其中的两个蒸镀源应用本发明即可。此外,在蒸镀源为4个的情况下,设为两个一组,对各组应用本发明即可。在任意的情况中都优选相邻的组的蒸镀源彼此由分隔板分隔。此外,在图1、图2中示出了使被蒸镀基板旋转来进行蒸镀的方式,但也可以是,使被蒸镀基板固定并将蒸镀源载置于旋转台而使蒸镀源进行旋转的方式。此外,示出了使开闭器5、6旋转来设为开状态和闭状态的结构,但只要是水平移动的方式,则移动方式没有特别限定。
【实施例】
在图1、图5所示的结构中,对于具有4个蒸镀源的蒸镀装置,将蒸镀源设为两个一组,使用不同的4种蒸镀材料进行共蒸镀。对于将一组的开闭器同时设为开状态并且将另一组的开闭器同时设为闭状态的工序,每5分钟切换并重复开状态和闭状态,将各蒸镀源的蒸镀速率以1.0nm/s设为一定,连续进行120小时。此外,在图2的蒸镀装置中,将蒸镀速率以1.0nm/s设为一定,使两个开闭器同时以5分钟的间隔重复开状态和闭状态,连续进行120小时不同蒸镀材料的共蒸镀。蒸镀结束后,停止对蒸镀源的加热,使蒸镀室恢复为大气状态,然后,利用擦拭器擦拭各蒸镀源的周边,对附着于擦拭器的物质进行了HPLC(高效液相色谱仪)分析。其结果是,在图1、图2的蒸镀装置中,在任一个蒸镀源中都没有观察到来自其他蒸镀源的蒸发物,但在图5的蒸镀装置中,确认了在同一组中的一个蒸镀源附着有来自另一个蒸镀源的蒸发物。
根据本公开,通过将两个开闭器设为彼此不同的高度,两个开闭器即使在打开的状态下也不会彼此干涉。因而,即便使开闭器远离蒸镀源且使开闭器自身大型化,也不必扩大两个蒸镀源彼此的间隔,不必担忧导致装置大型化。此外,通过在两个开闭器之间设置分隔壁,也能够减少由使开闭器的高度不同而导致的交叉污染等不良情况。
以上参照示例性的实施例说明了本发明,但应该理解为,本发明并不限定于所公开的示例性的实施例。所附权利要求书的范围应被赋予最广泛的解释,以涵盖所有这样的修改及等同的结构和功能。
Claims (7)
1.一种蒸镀装置,其具有在水平方向上排列配置的两个蒸镀源和配置于所述两个蒸镀源各自的开口部的上方的两个开闭器,其特征在于,
所述两个开闭器的高度彼此不同,且通过在水平方向上移动而进行开闭,在从铅垂方向俯视时,具有在开状态下彼此重叠的区域,
所述蒸镀装置在所述重叠的区域具有将所述两个开闭器之间分隔的分隔壁。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
所述蒸镀装置在与所述两个开闭器中的高度较低的开闭器在开状态下重叠的区域,在所述两个开闭器中的高度较低的开闭器的下方具有第二分隔壁。
3.根据权利要求2所述的蒸镀装置,其特征在于,
将所述两个开闭器之间分隔的分隔壁与所述第二分隔壁利用侧壁连结起来,该侧壁配置于与高度较高的一侧的开闭器相对应的蒸镀源侧。
4.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
在将所述两个开闭器之间分隔的分隔壁的靠与高度较低的一侧的开闭器相对应的蒸镀源侧的端部,配置有自所述端部向上方突出的侧壁。
5.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
在所述两个蒸镀源之间具有分隔板。
6.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
针对所述两个蒸镀源分别具有用于测量蒸发物的量的监视器,所述监视器设于不管所述两个开闭器的开闭都能够测量所述蒸发物的量的位置。
7.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
来自所述两个蒸镀源的蒸发物彼此不同。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-155607 | 2019-08-28 | ||
JP2019155607A JP7374662B2 (ja) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112442661A true CN112442661A (zh) | 2021-03-05 |
CN112442661B CN112442661B (zh) | 2023-07-25 |
Family
ID=74677148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010877099.9A Active CN112442661B (zh) | 2019-08-28 | 2020-08-27 | 蒸镀装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7374662B2 (zh) |
KR (1) | KR102672457B1 (zh) |
CN (1) | CN112442661B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114672772A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-06-28 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 一种蒸发源装置及其使用方法 |
Citations (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59226177A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH0556951U (ja) * | 1992-01-09 | 1993-07-30 | 沖電気工業株式会社 | 真空蒸着装置 |
JPH06179967A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Nikon Corp | Pvd装置 |
JPH0878791A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Canon Inc | 薄膜形成装置 |
JPH08120442A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着方法および真空蒸着装置 |
JPH09324267A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層薄膜の製造装置とそれを用いた積層薄膜の作製方法 |
JPH10163562A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sharp Corp | 光半導体の端面被覆方法および装置 |
EP0962260A1 (en) * | 1998-05-28 | 1999-12-08 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Evaporation apparatus, organic material evaporation source, and method of manufacturing thin organic film |
JP2003221665A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置 |
JP2004053421A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルの製造方法 |
JP2005126821A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着装置および真空蒸着の前処理方法 |
JP2006324649A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体装置の作製方法 |
KR20070080151A (ko) * | 2006-02-06 | 2007-08-09 | 엘지전자 주식회사 | 증착 장치 |
JP2007332433A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 真空蒸着装置 |
JP2008223066A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置 |
WO2009122809A1 (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-08 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法 |
JP2010027213A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Fujimura Denshino Gijutsu Kenkyusho:Kk | 塩分濃度差発電システム |
CN101896633A (zh) * | 2007-12-12 | 2010-11-24 | 山特维克知识产权股份有限公司 | 百叶窗系统 |
TW201122132A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Coating machine |
WO2014027578A1 (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-20 | 株式会社カネカ | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
CN106062240A (zh) * | 2014-03-11 | 2016-10-26 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 蒸镀装置以及使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法 |
CN106463625A (zh) * | 2014-05-05 | 2017-02-22 | 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园 | 用于制造用于太阳能电池用途的钙钛矿膜的系统和方法 |
CN107686969A (zh) * | 2017-08-22 | 2018-02-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种蒸发源装置 |
CN108966661A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-12-07 | 应用材料公司 | 用于基板的真空处理的设备、用于具有有机材料的装置的制造的系统、和用以密封连接两个压力区域的开口的方法 |
CN208517517U (zh) * | 2018-05-29 | 2019-02-19 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101553619B1 (ko) * | 2014-01-13 | 2015-09-17 | 주식회사 에스에프에이 | Oled 제조용 인라인 증착장치 |
KR101961752B1 (ko) * | 2017-02-10 | 2019-03-26 | 주식회사 선익시스템 | 마스크 쉐도우를 최소화하도록 분사각도 제어구조를 갖는 증착챔버 |
KR101992337B1 (ko) * | 2017-05-22 | 2019-06-25 | 조현일 | 대면적 기판 박막코팅장치 |
-
2019
- 2019-08-28 JP JP2019155607A patent/JP7374662B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-19 KR KR1020200103730A patent/KR102672457B1/ko active IP Right Grant
- 2020-08-27 CN CN202010877099.9A patent/CN112442661B/zh active Active
Patent Citations (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59226177A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH0556951U (ja) * | 1992-01-09 | 1993-07-30 | 沖電気工業株式会社 | 真空蒸着装置 |
JPH06179967A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Nikon Corp | Pvd装置 |
JPH0878791A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Canon Inc | 薄膜形成装置 |
JPH08120442A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着方法および真空蒸着装置 |
JPH09324267A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層薄膜の製造装置とそれを用いた積層薄膜の作製方法 |
JPH10163562A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sharp Corp | 光半導体の端面被覆方法および装置 |
EP0962260A1 (en) * | 1998-05-28 | 1999-12-08 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Evaporation apparatus, organic material evaporation source, and method of manufacturing thin organic film |
JP2003221665A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置 |
JP2004053421A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルの製造方法 |
JP2005126821A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着装置および真空蒸着の前処理方法 |
JP2006324649A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体装置の作製方法 |
KR20070080151A (ko) * | 2006-02-06 | 2007-08-09 | 엘지전자 주식회사 | 증착 장치 |
JP2007332433A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 真空蒸着装置 |
JP2008223066A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置 |
CN101896633A (zh) * | 2007-12-12 | 2010-11-24 | 山特维克知识产权股份有限公司 | 百叶窗系统 |
WO2009122809A1 (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-08 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法 |
JP2010027213A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Fujimura Denshino Gijutsu Kenkyusho:Kk | 塩分濃度差発電システム |
TW201122132A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Coating machine |
WO2014027578A1 (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-20 | 株式会社カネカ | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
CN106062240A (zh) * | 2014-03-11 | 2016-10-26 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 蒸镀装置以及使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法 |
CN106463625A (zh) * | 2014-05-05 | 2017-02-22 | 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园 | 用于制造用于太阳能电池用途的钙钛矿膜的系统和方法 |
CN108966661A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-12-07 | 应用材料公司 | 用于基板的真空处理的设备、用于具有有机材料的装置的制造的系统、和用以密封连接两个压力区域的开口的方法 |
CN107686969A (zh) * | 2017-08-22 | 2018-02-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种蒸发源装置 |
CN208517517U (zh) * | 2018-05-29 | 2019-02-19 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210027103A (ko) | 2021-03-10 |
JP7374662B2 (ja) | 2023-11-07 |
JP2021031753A (ja) | 2021-03-01 |
CN112442661B (zh) | 2023-07-25 |
KR102672457B1 (ko) | 2024-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8883259B2 (en) | Thin film deposition apparatus | |
US10964509B2 (en) | Substrate side-deposition apparatus | |
US9018647B2 (en) | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method | |
US20100275842A1 (en) | Evaporating apparatus | |
CN112442661A (zh) | 蒸镀装置 | |
KR20130045432A (ko) | 회전식 증착 장치 | |
US7914620B2 (en) | Supporting device for heating crucible and deposition apparatus having the same | |
TW201348487A (zh) | 沉積裝置與使用其製造有機發光二極體顯示器之方法 | |
CN114144540A (zh) | 用于在基板上形成膜的蒸发器腔室 | |
KR20180007387A (ko) | 박막 증착 장치 | |
KR101553619B1 (ko) | Oled 제조용 인라인 증착장치 | |
KR100647578B1 (ko) | 증착장치 및 증착방법 | |
JP4445497B2 (ja) | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法 | |
KR101573689B1 (ko) | 원자층 증착장치 | |
JP4026449B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造装置 | |
KR20150072726A (ko) | 증착장치 | |
KR100637180B1 (ko) | 증착 방법 및 이를 위한 증착 장치 | |
JP2008223066A (ja) | 蒸着装置 | |
KR20090069804A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
KR20150017866A (ko) | 박막증착장치 | |
KR20140123313A (ko) | 박막증착장치 | |
KR20050036227A (ko) | 증착원 및 이를 이용한 증착 방법 | |
US11186907B2 (en) | Deposition apparatus for both lateral portions of substrate | |
KR102335724B1 (ko) | 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 | |
JP2024012115A (ja) | スパッタリング装置およびこれを利用したスパッタリング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |