JP2011504640A - 電極を支持している基材、該基材を含む有機エレクトロルミネセントデバイス及びその製造 - Google Patents

Abstract

本発明は、主要面（１１）上に複合電極（２）を支持している基材（１）であって、当該複合電極が、金属及び／又は金属酸化物をベースとする導電性材料のストランドで構成される導電性ネットワーク（２１）を含むとともに、５５０ｎｍで少なくとも６０％の光透過率を有し、ネットワークのストランド間の間隙にはいわゆる絶縁性充填材料が充填されている基材に関する。複合電極はまた、導電性ネットワークを被覆しかつストランドに電気的に接続されている導電性コーティング（２２）をも含み、このコーティングは４０ｎｍ以上の厚み及び１０５Ω・ｃｍより低くしかもネットワークの抵抗率よりも高い抵抗率ｐｉを有する。このコーティングは電極の平滑な外表面を形成する。複合電極はまた、１０Ω／□以下の表面抵抗をも含む。本発明は、複合電極の製造及び前記電極を含む有機エレクトロルミネッセントデバイス（１００）にも関する。

Description

本発明の対象は、電極を支持している基材、それを内蔵する有機発光デバイス、及びその製造である。

公知の有機発光システム又はＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）は、導電性層の形でその側面に位置する電極によって電気の供給を受ける有機エレクトロルミネセント材料又はかかる材料の積重体を含む。

従来、上部電極は例えばアルミニウムで作られた反射性金属層であり、下部電極は、約１００〜１５０ｎｍ前後の厚みをもつ酸化インジウム、一般的にはＩＴＯという略語によってよりよく知られるスズドーピングされた酸化インジウム、を基礎材料とする透明な層である。しかしながら広い範囲にわたり均一に照明するためには、標準的に数ｍｍ²の電極ゾーンを形成することによって不連続な下部電極を形成すること、そして各電極ゾーン間の距離を大幅に、標準的には約１０ミクロンずつ、減少させることが必要である。費用がかかり複雑なフォトリソグラフィ及びパッシベーション技術が使用されている。

更に、米国特許第７１７２８２２号明細書は、基材に最も近い電極が亀裂入りマスクを充填することにより得られる不規則なネットワーク導体を含んでいる、ＯＬＥＤデバイスを提案している。より具体的には、ＯＬＥＤデバイスは、ガラス基材とＯＬＥＤ活性層の間に、逐次的に以下のもの、すなわち、
・金をベースとする副層、
・０．４μｍに等しい厚みを有する、アニール後に微小亀裂入りマスクを形成するゾル−ゲル層、
・３Ω／□に等しいシート抵抗及び８３％の光透過率を有する、触媒被着によって得られる金ベースのネットワーク導体、
・５０ｎｍのポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）層、
を含んでいる。

この米国特許第７１７２８２２号明細書の図３は、シリカゾル−ゲルマスクの形態を示している。それは、弾性材料の破壊現象の特徴である分岐を伴う、好ましい方向に沿って配向された細い亀裂ラインの形で現われる。これらの主要な亀裂ラインは、時として分岐により結合される。

亀裂ライン間の領域は非対称であり、一方は０．８ｍｍと１ｍｍの間の亀裂伝播方向に平行な、他方は１００μｍと２００μｍの間の垂直な、２つの特徴的な寸法を有する。

この電極は、許容可能な導電性及び透明度特性を有し、シート抵抗は３Ω／□に等しく光透過率は８２％である。しかしながら、このような電極を有するＯＬＥＤデバイスの信頼性は保証されていない。その上、電極の製造は、更に改良することができよう。

亀裂入りゾル−ゲルマスクを形成するために、水、アルコール及びシリカ前駆体（ＴＥＯＳ）をベースとしたゾルを被着させ、溶媒を蒸発させ、そして３０分間１２０℃でアニールした。

ゾル−ゲルマスクの亀裂形成によるこの電極製造法は、例えばフォトリソグラフィ（樹脂の放射線／ビームへの曝露及び現象）に頼ることがなくなることにより、ネットワーク導体の製造にとっての進歩をなすが、特に工業的要件（製造工程の信頼性、単純化、及び／又は削減、コスト低下など）と相容れるものとなるために、なおも改善の余地がある。

また、ネットワークを製造するための方法には、有利な付着（例えば金属コロイドの）を可能にするためか又は金属の後成長のための触媒グラフトを可能にするために開口部において（化学的又は物理的に）修飾可能な副層の被着が不可避的に必要となり、従ってこの副層がネットワークの成長法において機能的役割を有する、と言うこともできる。

更に、亀裂の断面形状は、弾性材料の破壊力学のためにＶ字形であり、そしてそれは金属ネットワークをＶ字の底部にあるコロイド粒子から出発して成長させるためにポストマスク法を使用するのを必要とする。

本発明の目的は、広い面積にわたり生成でき、信頼性が高く、丈夫で再現可能であり、しかもこれら全てのことが工業的規模で、且つ好ましくは比較的低コストで、可能な限り容易に得られる、高性能（高い伝導率、適切な透明度）のＯＬＥＤのための電極を得ることにある。好ましくは、この電極はＯＬＥＤデバイスの全体的性能（光出力、照明の均一性など）の増強にも貢献する。

この目的のために、本発明の第１の対象とするものは、
・５５０ｎｍで少なくとも６０％の光透過率、あるいは更に少なくとも６０％の積分光透過率Ｔ_Lを有し、金属及び／又は金属酸化物を基礎材料とする単数又は複数の導電性材料で作られた層（単層又は多層）であるストランドで形成された導電性ネットワークであって、ネットワークのストランド間の間隙に電気絶縁充填材料と呼ばれる材料が充填されている導電性ネットワーク、
・該導電性ネットワークを被覆し、厚みが４０ｎｍ以上であって、ストランドと電気的接触状態にあり、かつストランドと接触していて、抵抗率ρ１が１０⁵Ω・ｃｍ未満でありネットワークのストランドを形成する材料の抵抗率よりも大きく、電極の平滑な外表面を形成している導電性コーティング、
を含む複合電極を、１つの主要面上に支持する基材であって、
・前記複合電極が１０Ω／□以下のシート抵抗をも有している、
複合電極を１つの主要面上に支持する基材である。

従って、本発明による複合電極は、埋設される導電性ネットワークを含み、その表面は平滑であり、ＯＬＥＤ内に電気的欠陥を導入するのを回避している。

その厚み（ストランドの厚み未満かそれと等しい）に応じて、充填材料は、電極ネットワークの上部レベルと下部レベルの間の差をなくす。

導電性コーティングによって、ストランド及び／又はストランド間の充填材料の表面の制御されていない表面微小粗さに起因するスパイク効果によって発生する短絡の危険性がなくなる。

十分に平滑な充填材料又は粗さが制御された充填材料によって、スパイク効果により発生する短絡の危険性をなくすことに寄与することが可能となる。

こうして、本発明による導電性コーティングは、ネットワークと充填材料を平滑にするのを可能にするか、あるいは最低限でも、事前に得られた（例えば研磨によって）平滑性を維持するのを可能にする。

米国特許第７１７２８２２号明細書に記載されたネットワーク導体は、これとは反対に、ネットワーク導体と亀裂入りマスクとの高さの差と整合する薄いポリマー層で被覆されている。

本発明による埋設された平滑なネットワーク電極の設計を通して、ＯＬＥＤの信頼性及び再現性が保証され、従ってその耐用年数が長くなる。

従って、本発明は、比較的厚くてよく及び／又は間隔を開けていてよいストランドのネットワークで作られた電極から出発して、電極の粗さをいくつかのレベルで制御し（まず第１に急激な段差をなくすためにネットワークを埋設し、次にそれを十分に平滑化することによって）、そしていくつかの材料（ストランド材料（単数又は複数）、充填材料、導電性コーティング材料）で作られた電極に適している電気的特性及び透明度特性を確保するか、あるいは更にはＯＬＥＤの性能を改善することに関する。

絶縁用充填材料は、単成分又は多成分の、単層又は多層であることができる。それは好ましくは、単純なパッシベーション樹脂とは異なるものでよい。

充填材料は有利には、次の機能、すなわち、
・導電性ネットワークを形成するために、開口部のネットワークを有するマスクであること、
・電極の表面を、特に表面に出すことができる又は平滑な材料を選択する（被着方法、その処方、その厚みを慎重に選ぶことにより）ことによって、平滑化する役目を果たすこと、
・ＯＬＥＤにより放出される放射線を引き出す手段となること、
のうちの少なくとも１つを有するのが好ましい。

本発明による導電性コーティングは、その抵抗率、それがネットワーク及びその厚みを被覆することに起因して、電流のより良好な分配に寄与する。

導電性コーティングの抵抗率ρ１は１０³Ω・ｃｍ以下でよく、更には１０²Ω・ｃｍ以下でよい。

ネットワークは線形、例えば平行線の形でよく、又は閉鎖パターンの形（ストランドが相互接続し、メッシュを画定している）、例えば幾何学的な（長方形、正方形、多角形など）閉鎖パターン及び任意選択的には不規則形状及び／又は不規則サイズのパターンの形をとることができる。

ストランド間の平均距離（特に平均メッシュサイズに対応する）をＢとし、ストランドの平均幅をＡとして、ネットワークの任意選択的には不規則である平均周期をＢ＋Ａと定義づけすることが可能である。

ストランド間の平均距離Ｂが短くなればなるほど（高密度ネットワーク）、導電性コーティングの抵抗率は高くなることができる。充填材料は絶縁性である。抵抗率ρ１は、特にネットワークが高密度（Ｂが標準的に５０μｍ以下）である場合に、１０^-1Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。ネットワークの密度がそれほど高くない（Ｂが標準的に５０μｍより大きい）場合には、抵抗率ρ１は、なお１０^-2Ω・ｃｍ以下、更には１０^-4Ω・ｃｍ以下であることがより好ましい。

抵抗率ρ１は、場合によっては、短絡に対する感受性を減らすため、ρ２よりも少なくとも１０倍高くてもよい。

導電性コーティングの表面は、電極の外表面である。導電性コーティングの表面は、好ましくはＯＬＥＤの有機層、特に正孔注入層（ＨＩＬ）及び／又は正孔輸送層（ＨＴＬ）と接触するようにすることができる。

本発明による電極の表面は必ずしも、コーティングにより平担化されて平担ではない。それは、波状であってもよい。

具体的には、導電性コーティングは、最初に十分に広がるうねりを形成することにより、表面を平滑化してもよい。こうして、鋭い角度、急なギャップをなくすことが重要である。外表面は、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａにわたる外表面の実際の輪郭から出発し、そして局所的微小粗さをなくすためナノスケールのフィルタリングにより補正した輪郭を形成することによって、補正した（又は実際の）輪郭の平均的平面と補正した輪郭に対する接線とによって形成される、補正した輪郭の任意の点において４５°以下、より好ましくは更に３０°以下という角度が得られるような外表面であることが好ましい。

これらの角度の測定には、原子間力顕微鏡を使用することが可能である。ネットワークの２乗周期（Ａ＋Ｂ）²全体にわたり、実際の表面の画像を形成する。こうして所定の軸に沿った表面の実際の輪郭を形成するこの画像又はこの画像の１区画を利用する。輪郭についての分析長さＡ＋Ｂは、それが粗さの輪郭を明確に反映していることから、妥当なものである。ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａは、標準的にミリメートル未満であり、好ましくは１０μｍと５００μｍの間である。

実際の輪郭は、５０ｎｍと２００ｎｍの間の、例えば１００ｎｍのスケールで移動平均を取る（任意の点で）ことによって補正され、このとき各点について中央平面と輪郭に対する接線との角度が測定される。こうして、このナノスケールのフィルタリングはまず第一に短いスケールの不揃いを除外するのに役立つ。

しかしながら、短絡をできるかぎり防ぐためには、局所的微小粗さを制限することなく表面を滑らかにすることでは十分ではない。

従って、残留輪郭、すなわち実際の輪郭から補正された輪郭を差し引いたもの、が使用される。例えば、残留輪郭は、最高点と最低点の間に５０ｎｍ未満、より好ましくは更に２０ｎｍ以下、更には１０ｍｍ以下の、高さの最大の差（「山から谷まで（ｐｅａｋ−ｔｏ−ｖａｌｌｅｙ）」のパラメータ）を、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａにわたり有することができる。

残留輪郭はまた、５０ｎｍ以下、更には２０ｎｍ、また更には５ｎｍ以下のＲＭＳ粗さパラメータ（Ｒｑとしても知られている）を、ネットワーク平均周期Ｂ＋Ａにわたり有することもできる。

ＲＭＳは、「二乗平均平方根」粗さを意味する。それは、粗さの二乗平均平方根偏差の値を測定することからなる測定値である。従って、具体的には、ＲＭＳパラメータは、平均（残留）高さと比較して、残留粗さ（局所的微小粗さ）の山と谷の高さを平均して定量化する。かくして、１０ｎｍのＲＭＳはダブルピーク振幅を表す。

当然、角度及び残留微小粗さについての限界条件を、電極表面の大部分にわたり満たすことが好ましい。これを確認するためには、表面全体にわたり（均一に）広がった様々なゾーンにわたり測定を行なうことが可能である。

これらの測定は、電極の活性ゾーンや、例えば接続システムのため又は複数の発光ゾーンを形成するためにパッシベーションされることのある、例えば電極の端部などといった特定のゾーンで、行なうことが好ましい。

角度測定はまた、機械的スタイラス装置により（例えばＤＥＫＴＡＫという名称でＶＥＥＣＯ社により販売されている測定計器を用いて）別のやり方で行なってもよい。

導電性コーティングの外表面は、標準的には１ミリメートル以上にわたる、非常に大規模なうねりを有してもよい。更に、基材、ひいては外表面は、湾曲していてもよい。

ネットワークの光透過率は、ストランド間の平均距離Ｂのストランドの平均幅Ａに対するＢ／Ａ比により左右される。

好ましくは、Ｂ／Ａ比は、透明度を容易に保持するとともに製造を容易にするため、５と１５の間、より好ましくは更に１０前後である。例えば、Ｂ及びＡは、それぞれ約３００μｍと３０μｍ、１００μｍと１０μｍ、５０μｍと５μｍ、又は２０μｍと２μｍに等しい。

特に、ストランドの平均幅Ａは、３０μｍ未満、標準的には１００ｎｍと３０μｍの間、好ましくは１０μｍ以下、更にはストランドの可視性を制限するため５μｍ以下、そして製造を容易にし且つ高い導電率と透明度を容易に保持するため１μｍ以上である。好ましい範囲は１μｍと１０μｍの間である。

特に、透明度を容易に保持するため、５μｍと３００μｍの間、更には２０と１００μｍの間の、Ａより大きいストランド間の平均距離Ｂを選択することも可能である。

ネットワークは不規則であることがあり及び／又はストランドの端部には勾配がついていることがあるので、寸法Ａ及びＢは平均寸法である。

ストランドの平均厚さは、１００ｎｍと５μｍの間でよく、より好ましくは更に０．５〜３μｍであり、更には透明度及び高い導電率を容易に保持するため０．５μｍと１．５μｍの間でよい。

有利には、本発明による複合電極は、
・特に１μｍ以上、そして好ましくは１０μｍ未満、更には５μｍ以下のネットワーク厚み（更には合計電極厚み）について、５Ω／□以下、更には１Ω／□以下、又は０．５Ω／□以下のシート抵抗、
・及び／又は５０％以上、より好ましくは更に７０％以上の光透過率Ｔ_L、
を有することができる。

本発明による複合電極は、底面発光型有機発光デバイス又は底面及び上面発光型有機発光デバイスのために使用することができる。

光透過率Ｔ_Lは例えば、９０％前後また更にはそれより高いＴ_Lを有する基材、例えばソーダ−石灰−シリカガラスの上で測定することができる。

本発明による複合電極は、広い面積、例えば０．０２ｍ²以上、更には０．５ｍ²又は１ｍ²以上の面積にわたるものであってよい。

更に、導電性材料の被着物は、厚みのある被着物であっても、表面を十分に平滑化せずにストランドを被覆する可能性がある。これは、化学（ＣＶＤ）又は物理（ＰＶＤ）気相成長技術、特に真空下での被着（蒸着、スパッタリング）は当初の表面の不規則性を再現し、また更には増幅するからである。その後、平滑な外表面を得るため、例えば機械的（研磨タイプの）作用によって、導電性材料の表面後処理作業を実施する必要がある。

同様に、好ましくは、本発明による導電性コーティングのため（更には充填材料のためにも）、液体ルートの被着技術、特に以下の技術のうちの少なくとも１つが選択される。その技術とは、（フラット、回転などの）印刷によるもの、特にフレキソ印刷、エッチング印刷によるもの、又はスプレーコーティング、ディップコーティング、カーテンコーティング、フローコーティング、スピンコーティング、ブレードコーティング、ワイヤーバーコーティング、その他のコーティング、インクジェット印刷又はスクリーン印刷によるもの、である。被着物は同様に、ゾル−ゲルルートによって得ることもできる。

具体的に言えば、液体フィルムの表面張力は、表面不規則性を平滑化する傾向をもつ。

ストランド上において、導電性コーティングの単独での又は下にある導電性層と組合わせた状態での厚みは、４０ｎｍと１０００ｎｍの間、好ましくは５０ｎｍと５００ｎｍの間でよい。

導電性コーティングは、例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層を含むか、又はこれで構成されていてよい。

スズの単独酸化物ＳｎＯ₂、亜鉛の単独酸化物ＺｎＯ、インジウムの単独酸化物Ｉｎ₂Ｏ₃、そしてまたドープされた酸化物、更には混合二元又は三元酸化物、特に上述の元素のうちの１つ以上のもののそれらを、好ましく選択することが可能である。特に、以下のドープ又は混合酸化物のうちの少なくとも１つが好ましい。
・次の元素、すなわちアルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素、スズ、のうちの少なくとも１つをドープされた、又はそれと合金化された酸化亜鉛（例えば、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ｉｎ、ＺｎＯ：Ｂ、ＺｎＳｎＯ）。
・特に亜鉛をドープされ又はそれと合金化された、ガリウムと亜鉛をドープされ又はそれと合金化された、又はスズをドープされ又はそれと合金化された、酸化インジウム（ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、又はＩＴＯ）。
・フッ素又はアンチモンをドープされた酸化スズ（ＳｎＯ₂：Ｆ、ＳｎＯ₂：Ｓｂ）、又は任意選択的にアンチモンをドープされ、亜鉛と合金化された酸化スズ（ＳｎＺｎＯ）。
・ニオブをドープされた酸化チタン（ＴｉＯ₂：Ｎｂ）。

充填材料については、その他の酸化物、特に高屈折率の酸化物、特に、
・酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、
・酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、
・酸化チタン（ＴｉＯ₂）、
・アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、
・酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、
・あるいは、任意選択的にＺｒをドープされた、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＧａＮなどの窒化物、又は化学量論炭化ケイ素ＳｉＣ、
を選択することが可能である。

導電性コーティングは、例えば、被着物の粗さをより良く制限し制御するために、好ましくは１０ｎｍと５０ｎｍの間の、上述のとおりの金属ナノ粒子又は透明導電性酸化物（単数又は複数）のナノ粒子を含有する層を含むことができ、これらのナノ粒子は、任意選択的にかつ好ましくは結合剤中に存在している。

充填材料は、例えば、特に上述のもののような単一又は混合（非導電性）金属酸化物（単数又は複数）を基礎材料とするゾル−ゲル層を含むことができ、更にはそれで構成されてもよい。

しかし、厚いゾル−ゲル層、特に２００ｎｍを超える厚みを有するゾル−ゲル層を得るのは難しい。

充填材料は、例えば、上述のとおりの（ナノ）粒子又は（非導電性）酸化物（単数又は複数）を含有する層を含むことができ、又はそれで構成されてもよい。

ナノ粒子は、被着物の粗さをより良く制限しかつ制御するため、また上に位置する導電性コーティングによる平滑化に備えるため、１０ｎｍと５０ｎｍの間の大きさであることが好ましい。（ナノ）粒子は、任意選択的に結合剤中にある（ナノ）粒子である。

結合剤は有機物でよく、例えばアクリル、エポキシ又はポリウレタン樹脂でよく、あるいはゾル−ゲルルート（無機又は混成有機／無機結合剤など）で製造されてもよい。

ナノ粒子は、溶媒（アルコール、ケトン、水、グリコールなど）中の分散液から被着させることができる。

導電性コーティングを形成するために使用することができる粒子をベースとする市販の製品は、住友金属鉱山株式会社が販売する以下の製品である。
・（任意選択的な）樹脂結合剤中に分散し、ケトン溶媒を含む、ＩＴＯ粒子のＸ１００（登録商標）、Ｘ１００（登録商標）Ｄ。
・アルコール溶媒中に分散したＩＴＯ粒子のＸ５００（登録商標）。
・アルコール溶媒中の金コーティングされた銀粒子のＣＫＲ（登録商標）。
・凝集した金及び銀粒子のＣＫＲＦ（登録商標）。

分散単独では、粒子間に結合剤が存在しないことに起因して機械的にさほど耐久性がない。従って、コーティングの層の結束性を保証するためには、被着させる前にそれらを結合剤中に混合させることが好ましい（結合剤は充填層の厚み全体にわたって広がる）。

結合剤は、電気絶縁性又は導電性であることができる。

結合剤は、有機物でよく、例えばアクリル、エポキシ又はポリウレタン樹脂でよい。

結合剤は、ゾル−ゲルルート（無機、又は混成有機／無機など）により製造することができる。結合剤は、好ましくは金属酸化物のナノ粒子と同じ化学的性質をもつ、有機金属前駆体をベースとすることができる。

コーティングに望まれる抵抗率は、処方設計に応じて調整される。

導電性コーティング（及び／又は充填材料）は、主として無機又は混成有機／無機層、例えば特に先に言及したもののような単一又は混合導電性及び／又は金属酸化物をベースとするゾル−ゲル層、を含むことができる。

ゾル−ゲルは、激しい熱処理（例えばディップコーティングタイプの作業）にも耐えそしてＵＶ曝露に対する耐性があるという利点を有する。

導電性コーティングのためのゾル−ゲル層を製造するためには、好ましくは、透明な導電性酸化物の市販の前駆体、特に有機金属化合物又はこれらの金属の塩の前駆体が選択される。

例えば、スズ酸化物コーティングのための前駆体の例として、ＳｎＣｌ₄、スズ酸ナトリウム、ＳｎＣｌ₂（ＯＡｃ）₂又はＳｎ（ＩＶ）アルコキシド、例えばＳｎ（ＯｔＢｕ）₄、を選択することができる。同様に、スズ前駆体であるものとして公知の任意の有機金属化合物又は塩を選択することも可能である。

酸化アンチモンの被着のためには、有機金属化合物及び塩、特にＳｂ（ＩＩＩ）のアルコキシド、及びＳｂＣｌ₃又はＳｂＣｌ₅などの塩化物を選択することができる。

例えば適切な割合で前駆体を混合することにより、そして前記前駆体と相容性である溶媒を使用することによって、混合酸化物の及び／又はドープされた層が得られる。

例えば、尿素及び塩酸の存在下で、水中に溶解した塩化スズ及び塩化アンチモンから、アンチモンドープ型酸化スズ層を得てもよい。別の製造例は、水／アルコール／エタノールアミン混合物中で前駆体としてスズテトライソプロポキシドを使用し、ドーパントとして塩化アンチモンを添加するというものである。

ＩＴＯ層のゾル−ゲル製造例は、２００３年５月２０日にリヨンで提示され支持された受付番号５８−２００３号のＫａｉｓ Ｄａｏｕｄｉによる「ＥＬＡＢＯＲＡＴＩＯＮ ＥＴ ＣＡＲＡＣＴＥＲＩＳＡＴＩＯＮ ＤＥ ＦＩＬＭＳ ＭＩＮＣＥＳ Ｄ’ＯＸＹＤＥ Ｄ’ＩＮＤＩＵＭ ＤＯＰＥ Ａ Ｌ’ＥＴＡＩＮ ＯＢＴＥＮＵＳ ＰＡＲ ＶＯＩＥ ＳＯＬ−ＧＥＬ（ゾル−ゲルルートにより得られたスズドープ型酸化インジウムの薄膜の製造及び特性）」という題の論文の１９〜２５ページに示されている。

同じく、住友金属鉱山株式会社により販売されているＤＸ−４００（登録商標）という名称の製品を使用することも可能である。これは、スズアルコキシドとインジウムアルコキシド、有機溶媒、及び粘度制御剤をベースとしたペーストである。

複合電極は、費用の理由から、限られたＩＴＯ含有量であることが好ましい。例えば、有機金属前駆体をベースとするＩＴＯゾル−ゲル層は、１５０ｎｍ、あるいは更には５０ｎｍの最大厚みを有する。

アルコキシドタイプの金属酸化物の前駆体は、例えば、有機溶媒、例えば揮発性アルコールで希釈して、使用される。揮発性アルコールとしては、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１０又は１５アルコール、特にメタノール、エタノール、ヘキサノール、イソプロパノール又はグリコール、特にエチレングリコール、あるいは揮発性エステル、例えば酢酸エチルなど、を選択することが可能である。

ゾル−ゲル層を被着するために使用される組成物は、有利には、その他の構成成分、特に加水分解剤としての水、又はジアセトンアルコール、アセチルアセトン、酢酸又はホルムアミドといった安定剤を含むこともできる。

特に、金属塩タイプの前駆体は、一般に水溶液で使用される。水のｐＨを、前駆体の縮合条件を制御するため酸又は塩基（例えば塩酸、酢酸、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム）を用いることによって調整してもよい。ジアセトンアルコール、アセチルアセトン、酢酸又はホルムアミドなどの安定剤を使用してもよい。

被着後、一般には、２０℃と１５０℃の間、有利にはおよそ１００℃の温度で乾燥工程を実施し、それに続いて数分〜数時間の期間にわたりおよそ４５０〜６００℃の温度で、有利にはおよそ３０分の期間およそ５５０℃の温度で、熱処理を実施する。

導電性コーティングは、必要に応じて充填層の酸化物（ナノ）粒子のための結合剤を任意選択的に形成することのできる、液体ルートにより被着された本質的にポリマーの層を含んでもよく、あるいはそれで構成されてもよい。例えば、それは少なくとも以下の群のうちの少なくとも１つに由来する１以上の導電性ポリマーの層である。
・ポリチオフェン、例えばＰＥＤＯＴ（３，４−ポリエチレンジオキシチオペン）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳすなわちポリスチレンスルホネートと配合された３，４−ポリエチレンジオキシチオペン、及び米国特許出願第２００４２５３４３９号明細書に記載されたその他の誘導体、の群。
・あるいは、ポリ（アセチレン）類、ポリ（ピロール）類、ポリ（アニリン）類、ポリ（フルオレン）類、ポリ（３−アルキルチオフェン）類、ポリテトラチアフルバレン類、ポリナフタレン類、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、及びポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類。

ポリチオフェンとしては、例えば、ＨＣ Ｓｔｒａｃｋ社によりＢＡＹＴＲＯＮ（登録商標）の名称で販売されている製品あるいはＡｇｆａ社によりＯｒｇａｃｏｎ（登録商標）又はＯｒｇａｃｏｎ ＥＬ−Ｐ３０４０（登録商標）の名称で販売されている製品を選択することが可能である。

導電性ポリマーは、電極の一部であり、やはり任意選択的に正孔注入層としても働く。

５５０ｎｍで７０％以上、より好ましくは５５０ｎｍで更に８０％以上、また更には可視範囲全体にわたる、光透過率を有する導電性コーティング及び／又は充填材料が好ましい。

前駆体から製造されたＴＣＯ層は、（ナノ）粒子から製造された層より平滑である。

好ましくは、複合電極、最低限でも充填材料及び／又は導電性コーティングは、ＣＩＥＬＡＢ図の絶対値で５未満の測色座標ａ*及びｂ*を有する。

本出願においては、製造コストを削減するため、導電性材料（単数又は複数）の被着物（単数又は複数）を直接ネットワークに配置してもよい。

こうして、その後の構造化作業、例えば、多くの場合リソグラフィプロセス（レジストの放射線への曝露と現象）を必要とする乾式及び／又は湿式エッチング作業は回避される。

このネットワークとしての直接の配置は、例えばスタンプパッドを用いて、あるいはインクジェット印刷（適切なノズルを用いる）によって、１以上の適切な被着方法により直接得てもよい。

更に、導電性ネットワークは、基材上のマスク（恒久的なマスク又はその後除去されるマスク）の開口部のネットワークを通しての導電性被着物（単数又は複数）によってか、あるいは、例えば、前記マスクを通しての、例えば１０ｎｍから出発して好ましくは１００ｎｍを超えず、特におよそ５０ｎｍの深さにわたる、エッチングにより形成された基材のエッチングネットワークの導電性被着物（単数又は複数）によっても、直接得ることができる。これは、ストランドの固定に有利に働くことができる。

ガラス基材の場合、例えば、ＣＦ₄又はＣＨＦ₃などによる、特に真空下での、フッ素化プラズマエッチングを使用することが可能である。酸化雰囲気下では、マスクのエッチング速度を、特にそれが有機物であるように選択される場合に、制御することが可能である。

ストランドの配置は、この場合実質的に、マスクの開口部のネットワーク又はエッチングネットワークのそれの複製であることができる。

好ましくは、アニーリング作業を使用しなくても安定したマスクが選択される。

かくして、周囲温度で実施可能であり及び／又は単純（特に不可避的に触媒の使用を必要とする触媒作用による被着よりも単純）であり、及び／又は高密度の被着物を提供することのできる、１つ以上の被着技術を好ましく選択することが可能である。

被着物がマスクの又はエッチングネットワークの両方の開口部部分を充填し、そしてまたマスク又は基材の表面も被覆する、非選択的被着技術を選択することも可能である。マスクをその後除去してもよく、あるいは表面を研磨してもよい。

液体ルートによる、特に印刷、導電性インクを用いたブレードコーティングでの、及び／又はスパッタリング、あるいはより好ましくは蒸着などの真空被着技術による、被着物を好ましく選択することが特に可能である。

被着物（単数又は複数）は、任意選択的に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ又は使用可能な別の高導電率金属で作られた電極を用いた電解再充填（ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ ｒｅｃｈａｒｇｅ）によって仕上げをしてもよい。

基材を湿式ルート（例えばガラス用のＨＦ溶液を用いる）によりエッチングするために、導電性ネットワークを基材の、特にガラス基材の、エッチングネットワークに（部分的又は全体的に）被着させる場合には、適切な開口部ネットワークをもったゾル−ゲルマスクを選択してもよい。

この場合、有利には、基材上のマスクの自己形成した開口部のネットワークへの導電性材料（単数又は複数）の被着により、自己組織化したものとみなされる導電性ネットワークを得ることができる。

自己形成した開口部のネットワークは、例えば、この目的に適した材料の連続した被着物を硬化させることによって得ることができる。これらは、割れ目、又は特に米国特許第７１７２８２２号明細書に記載されているもののような亀裂であることができる。

そのような自己亀裂マスクを製作するために必要な技術的工程の数の削減は、所望の最終製品の生産収率及びコストに有利な影響を及ぼす。

自然形成した開口部、ひいてはストランドは、不規則で、非周期的又は（偽似）ランダムに分布することができる。

本発明の第１の実施形態において、自然形成した開口部を有するのが好ましいマスクは、導電性平滑化コーティングの被着の前に除去される。

第１のマスクを用いない構成では、導電性コーティングは、ストランド間の空隙を少なくとも部分的に、最低限でもストランド間の上部（基材から一番遠い）を、充填することができる。その厚みは特に、ストランドの高さより少なくとも１．５倍、更には２倍厚くてよい。

この構成において、例えば印刷、（特にフレキソ印刷）、スプレーコーティング又はディップコーティングによって被着された導電性コーティングを好ましく選択することができ、このコーティングは１回以上の作業で被着される。

更に、なお有利なマスクなしの構成においては、以下の特性を提供することができる。すなわち、
・ストランド間の間隙が、好ましくはその全高さにわたり、屈折率が少なくとも５５０ｎｍで、好ましくは全可視範囲にわたり、１．６５以上であり、より好ましくはなお屈折率が５５０ｎｍで、また更には全可視範囲にわたり、１．６５と２の間である、高屈折率充填材料として知られる充填材料で充填されており、好ましくはストランド間の距離Ｂが５０μｍ以下、より好ましくは更に３０μｍ以下であり、
・そしてストランドは、無色の反射光をもつ金属（白色金属）、好ましくは銀及びアルミニウム、あるいは白金、クロム、パラジウム及びニッケルで作られている。

実際には、少なくとも活性ＯＬＥＤシステム（標準的におよそ１．７〜１．９の光学屈折率を有する）の屈折率から０．０５を引いたもの以上の屈折率を有する充填材料が選択される。このような屈折率を選択することが、ＯＬＥＤシステムの導波モードの抽出に、そしてストランドどうしを十分近くもってくることが、ストランドの端部全体にわたる抽出された放射線の拡散に、有利に作用する。このときＯＬＥＤの効率は上昇する。

その上、さほど吸収性のない、特に可視範囲内の吸収が１０^-2ｃｍ^-1未満の充填材料が好ましい。

無機の高屈折率充填材料としては、既に示した金属酸化物をベースとする、特にＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃又はＴａ₂Ｏ₅をベースとする被着物を、例えば選択することができる。これらの酸化物は、真空下で、又は好ましくは液体ルートによって、被着させることができる。それらはゾル−ゲルであってもよい。

ゾル−ゲルタイプの高屈折率充填材料の例としては、安定剤により複合化した金属前駆体から得られる混成ゾル−ゲル層を挙げることができる。例えば、アセチルアセトンにより複合化されたジルコニウムプロポキシド又はチタンブトキシドのアルコール媒体溶液から得られる層である。それが最終的に対応する酸化物になることになる高温熱処理を受けない場合、かかる材料は、有機分子によって複合化された金属オキシ水酸化物で構成される。３５０℃から始まる熱処理により有機官能基を除去して、無機ゾル−ゲル層を得ることができる。

高屈折率の無機充填材料としては、例えばスクリーン印刷又はスプレーコーティングによって被着させた、高屈折率ガラスフリット（鉛ガラス、ビスマスガラスなど）を選択することもできる。

高屈折率ポリマーとしては、以下のポリマー、すなわち、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（１−ナフチルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、ポリ（２，４，６−トリブロモフェニルメタクリレート）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（２，４，６−トリブロモフェニルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、ポリ（２，６−ジクロロスチレン）、ポリ（２−クロロスチレン）、ポリ（２−ビニルチオフェン）、ポリ（ビス（４−ヨードフェノキシ）ホスファゼン）、ポリ（Ｎ−ビニルフタルイミド）、ポリ（ペンタブロモベンジルアクリレート）、ポリ（ペンタブロモベンジルメタクリレート）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモベンジルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモフェニルアクリレート−コグリシジルメタクリレート）、５０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモフェニルアクリレート−コグリシジルメタクリレート）、ポリ（ペンタブロモフェニルメタクリレート）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモフェニルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、５０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモフェニルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、ポリ（ペンタクロロフェニルメタクリレート）、ポリ（ビニルフェニルスルフィド）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ビニルフェニルスルフィド−コグリシジルメタクリレート）、を挙げることができる。これらのポリマーは、例えばＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社によって販売されている。

高屈折率の充填材料を得るための別の可能性は、前述の高屈折率材料のように、ポリマーであるかあるいは無機物である高屈折率の粒子を有する透明な材料を選択することにある。例えば、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＳｎＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃で作製した粒子が選択される。

無機物の透明材料としては、ガラスフリットを選ぶことができる。

ゾル−ゲルタイプの透明な材料としては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム又はケイ酸カリウム、あるいはオルガノシランタイプの前駆体から得られる混成物から製造されるシリカを選択することが可能であり、前記前駆体の一般式は、
Ｒ２_nＳｉ（ＯＲ１）_4-n
であって、式中のｎは０〜２の整数であり、Ｒ１はＣ_xＨ_2x+1タイプのアルキル官能基であり、Ｒ２は、例えばアルキル、エポキシ、アクリレート、メタクリレート、アミン、フェニル、又はビニル官能基を含む、有機基である。これらの混成化合物は、混合物としてか又は単独で、適切なｐＨをもつ水溶液又は水／アルコール混合物中に溶解した状態で使用可能である。

透明なポリマー材料としては、シリコーン、エポキシ樹脂、ポリウレタンＰＵ、エチレン／酢酸ビニルＥＶＡ、ポリビニルブチラールＰＶＢ、ポリ酢酸ビニルＰＶＡ、そしてアクリル樹脂を選択することが可能である。

マスクを使用しない１つの有利な態様においては、充填材料は拡散性であって、特に拡散性粒子をベースとする。

５％超の曇りを有する拡散性充填材料が好ましいであろう。

拡散性粒子は、混合物の１〜８０重量％の割合で結合剤中に分散させることができる。

これらの粒子は、５０ｎｍより大きく１ミクロン未満の、好ましくは１００ｎｍと５００ｎｍの間、更には１００ｎｍと３００ｎｍの間の、平均寸法を有することができる。

拡散性粒子の屈折率は有利には１．７超であることができ、結合剤のそれは好ましくは１．６未満であることができ、例えばシリカ又は混成有機ケイ素材料である。

拡散性粒子は、例えば上述の高屈折率ポリマー材料で作られた、有機粒子であることができる。好ましくはこれらの拡散性粒子は無機物、好ましくは窒化物、炭化物又は酸化物であることができ、酸化物はアルミナ、ジルコニア、チタン、セリウムから選択されるか又はこれらの酸化物のうちの少なくとも２つものの混合物である。

拡散性充填材料の結合剤は好ましくは、主として無機結合剤、例えばケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、リン酸アルミニウム、シリカ及びガラスフリットなど、から選択することができる。

混成有機／無機結合剤としては、透明材料について先に説明したオルガノシランベースの結合剤を挙げることができる。

拡散性充填材料は、当業者に公知の任意の層被着技術により、特にスクリーン印刷、塗料の塗装、ディップコーティング、スピンコーティング、スパッタリング、あるいはフローコーティングによって、被着することができる。

この拡散性充填層は、ストランド間の比較的大きな距離、すなわち３０μｍ更にはそれ以上から１００μｍ以上までの距離について、ＯＬＥＤの効率を上昇させるのを可能にする。

拡散性充填材料は、部分的にのみ空隙を充填してもよく、特に、それはネットワーク間の空隙の下部部分にあることができる。

拡散性充填材料は絶縁材である。この場合、その厚みは好ましくは導電性ストランドの高さの２０％と１００％の間、有利にはストランドの厚みの５０％と１００％の間であることができる。

充填材料としては、溶融ガラスフリット又はゾル−ゲル層を選択することが可能である。

数多くの化学元素が、ゾル−ゲル充填層のベースとなり得る。それは、必須構成材料として、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｅの元素のうちの少なくとも１つのものの少なくとも１種の化合物を含むことができる。それは特に、前述の元素のうちの少なくとも１つのものの単一酸化物又は混合酸化物であることができる。充填材料は好ましくは主として、無機ガラスに対するその付着力及びその相容性のために、シリカをベースとすることができる。

シリカ層の構成材料のゾル前駆体はシラン、特にテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）及び／又はメチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、あるいはケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムであることができる。

シリカは、既に述べたように、一般式Ｒ２_nＳｉ（ＯＲ１）_4-nの化合物により得られる混成物でよい。

好ましい充填材料は、スクリーン印刷、好ましくはディップコーティング又はスプレーコーティングによって被着させることができる。下にある導電性コーティングは、好ましくは印刷、特にフレキソ印刷により、あるいはディップコーティング又はスプレーコーティングによって被着させることができる。

更に、既に示したとおり、自己組織化した開口部のネットワークをもつマスクを保持し、ストランドがマスクのネットワークの開口部を、好ましくは完全に、充填することが可能であり、この場合充填材料はこのマスクと一致する。

このマスクは、とりわけ機械的な研磨によって、好ましくはストランドの表面のレベルに至るまで、表面に出すことができるのが好ましい。研磨は更に、ネットワーク導体のための材料の非選択的被着に由来するマスク表面の導電性材料を、必要ならば除去するのを可能にする。

研磨の結果、化学又は物理気相ルートにより導電性コーティングを被着することを任意選択的に選ぶことができる。

例えば、好ましくはシリカをベースとする、厚みが場合により１ミクロン以上を超えるゾル−ゲルマスクを、選ぶことができる。

これは特に、ケイ酸カリウム、ケイ酸リチウム又はケイ酸ナトリウムから得られる無機シリカのゾル−ゲル層でよい。

それは、一般式Ｒ２_nＳｉ（ＯＲ１）_4-n（式中のｎは０〜２の整数であり、Ｒ１はＣ_xＨ_2x+1タイプのアルキル官能基であり、Ｒ２は有機基、好ましくはアルキル、エポキシ、アクリレート、メタクリレート、アミン、フェニル、又はビニル官能基である）の前駆体の高濃度ゾルから得られる混成シリカのゾル−ゲル層でもよい。

これらの混成化合物は、混合物としてか又は単独で、適切なｐＨをもつ水又は水／アルコール混合物中に溶解した状態で使用することができる。２０％と６０％の間の、好ましくは３５％と５５％の間の、前駆体質量濃度が用いられる。濃度とマスクの乾燥条件を調節することにより、Ｂ／Ａ比を調整することが可能である。

導電性ネットワークは複合材でよく、特に多層材でよい。

更に、導電性ネットワークは、例えば酸化亜鉛ＺｎＯ、又は酸化スズＳｎＯ₂、あるいは混合型のインジウムとスズの酸化物ＩＴＯなど、高価でなく製造が容易な金属酸化物をベースとする層を含むことができ、又はそれで構成することができる。これらの金属酸化物は、例えば、真空被着、マグネトロンスパッタリング又はイオンビームスパッタリングによって被着される。

導電性ネットワークは、銀、アルミニウム、更には白金、金、銅、パラジウム、クロムから選択された純粋金属材料をベースとしてもよく、あるいは別の材料のＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎの少なくとも１つと合金化された又はそれをドープされた前記材料をベースとしていてもよい。

導電性ネットワークは、主として金属材料（連続媒体）で作られた層、及び／又は、導電性であってもなくてもよいマトリクス中に分散した金属粒子をベースとする、例えば、導電性の、特に銀の、粒子、例としてＩｎｋＴｅｃ社により販売されていてブレードコーティングにより被着させることができる製品のＴＥＣ−ＰＡ−０３０（登録商標）などの粒子を充填されたインクをベースとする層、を含むことができ、又はそれで構成することができる。

既に見てきたように、被着物（単数又は複数）、特に金属の被着物（単数又は複数）は、任意選択的に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ又は別の使用可能な高導電性金属で作られた電極を用いた電解再充填によって完成することができる。

ストランドは、特に前述の材料、詳しく言えば、任意選択的に銅で被覆された銀、アルミニウムで作られた金属の第１層と、例えばニッケル、クロム、モリブデン又はそれらの混合物で作られ金属の、あるいは例えばＴＣＯ酸化物の、１０ｎｍから出発して標準的には２０〜３０ｎｍ、そして例えば最高２００ｎｍあるいは１００ｎｍの厚みを有する、防食（水及び／又は空気）のための上層で作られた多層であることができる。例えば、上層は蒸着又はスパッタリングによって被着される。

好ましくは、本発明による複合電極（ストランド、充填材料、導電性コーティング）は主として無機物でよく、更に一層好ましくは基材もガラス基材である。

基材は、平担であっても湾曲していてもよく、そしてまた剛性、可撓性又は半可撓性であってもよい。

その主要面は、矩形、正方形更には任意の他の（円形、楕円形、多角形などの）形状を有することができる。この基材は、例えば０．０２ｍ²超の、更には０．５ｍ²又は１ｍ²超の表面積を有し、１つの下部電極がこの表面積（組み立て用のゾーンは除いて）を実質的に占めている、大型サイズのものでよい。

基材は、実質的に透明な無機物であることができ、あるいは、ポリカーボネートＰＣ又はポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ、又はＰＥＴ、ポリビニルブチラールＰＶＢ、ポリウレタンＰＵ、ポリテトラフルオロエチレンＰＴＦＥなどのプラスチック製でもよい。

基材は、好ましくはガラス基材、特にソーダ−石灰−シリカガラス製のガラス基材である。

基材は有利には、ＯＬＥＤ放射線（単数又は複数）の波長で２．５ｍ^-1未満、好ましくは０．７ｍ^-1未満の吸収係数を有するガラスであることができる。ソーダ−石灰−シリカガラスは、例えば、０．０５％のＦｅ（ＩＩＩ）又はＦｅ₂Ｏ₃を含むように選択され、特に、Ｓａｉｎｔ Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ社製のＤＩＡＭＡＮＴガラス、Ｐｉｌｋｉｎｇｔｏｎ社製のＯｐｔｉｗｈｉｔｅガラス、Ｓｃｈｏｔｔ社製のＢ２７０ガラスである。国際公開第０４／０２５３３４号パンフレットに記載されている全ての超透明ガラス組成物を選択することが可能である。

基材、特に選択されたガラス基材の厚みは、少なくとも０．３５ｍｍ、好ましくは少なくとも０．７ｍｍでよい。

基材のパネル縁端は反射性であってもよく、好ましくは、導かれる放射線の最適な再循環のためミラーを有し、そして縁端は、より幅広い抜き出し領域にわたり放射線の方向を変えるため、ＯＬＥＤシステムと結びつけられた主要面と４５°以上、ただし９０°未満、好ましくは８０°以上の外部角度をなす。かくしてパネルに面取りを施すことができる。

更に、米国特許第７１７２８２２号明細書に記載されている電極を製造する方法では不可避的に、金属の後成長のための触媒グラフト化を可能にするべく亀裂に修飾可能な副層を被着させることが必要であり、従ってこの副層は、ネットワークの成長プロセスにおいて機能的役割を有する。

この副層は、以下のような欠点、すなわち、
・ソーダ−石灰ガラス基材に対する接着性が小さい、
・基材の洗浄中に頻繁に用いられる塩基性媒体中で不安定である、
・高温熱処理（強化、アニーリングなど）の際に不安定である、
のうちの１つ以上を有することもある。

従って、本発明による複合電極は好ましくは、基材上、特にガラス基材上に直接位置することができる。

更に、電極への給電を容易にするため及び／又は複数の照明ゾーンを形成するために、本発明による複合電極は不連続であることができ、標準的には少なくとも、互いに絶縁された電極ゾーン、好ましくは１列以上の平行な複合電極ゾーンを形成する。これを行なうために、複合電極は例えばレーザーでエッチングされ、作り出されたくぼみにパッシベーション材料、例えばポリアミドが充填される。

先に定義した複合電極を支持している基材はまた、外表面上に直接被着された有機発光システムを含んでもよい。

本発明はまた、先に定義した複合電極を支持している基材を組み込んだ有機発光デバイスにも関し、この複合電極は基材に最も近い下部電極として知られているものを形成する。

有機発光デバイスは、以下のもの、すなわち、
・複合（下部）電極ゾーンの列、
・エレクトロルミネセントゾーンの形をした有機エレクトロルミネセント材料（単数又は複数）から作られ複合（下部）電極ゾーン上に配置された少なくとも１つの不連続な層、及び
・エレクトロルミネセント層ゾーン上に配置された電極ゾーンの形をした導電性層を有する不連続な上部電極、
を含むことができる。

次のような様々なタイプの接続が可能である。
・全てのエレクトロルミネセントゾーンの単一直列接続。
・直列及び並列接続の組合せ。
・各列に特有の直列接続。

直列接続においては、電流は上部電極ゾーンから隣接する下部電極ゾーンに流れるという点が喚起される。

一列当たり１つの直列接続の場合、エレクトロルミネセント層ゾーンは、列の方向において且つ所定の方向に沿って下部電極ゾーンからオフセットさせてよく、上部電極ゾーンは、列の方向において同じ方向にエレクトロルミネセントゾーンからオフセットさせてよい。

分離した列のエレクトロルミネセントゾーン間の距離は、所定の列のゾーン間の距離より大きくてよく、好ましくは１００μｍより大きく、特に１００μｍと２５０μｍの間でよい。

かくして各列は独立している。各列内の1つのゾーンに欠陥がある場合、それでもその列全体は作動する。隣接する列は無傷である。

本発明による有機発光デバイスには、電流リードを装備してもよく、しなくてもよい。

電流コレクタ又はディストリビュータの一部をなす２本の連続した又は不連続な電流リードバンドは、それぞれ複合下部電極の周縁部及び上部電極の好ましくは周縁部と電気的に接触することができる。

これらの電流リードバンドは、好ましくは０．５μｍと１０μｍの間の厚み及び０．５ｍｍの幅を有することができ、そして次のような様々な形態、すなわち、
・金属のＭｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄのうちの１つ、又は例えばＭｏＣｒ、ＡｌＮｄなどの金属合金で作られた金属単層、
・金属のＭｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄから形成された金属多層、例えばＭｏＣｒ／Ａｌ／ＭｏＣｒなど、
・例えば銀を含有する、導電性エナメルで作られ、スクリーン印刷されたもの、
・導電性材料又は導電性粒子を充填された材料で作られ、インクジェット印刷により被着されたもの、及び、
・金属、例えば銀でドープされているか又はドープされていない導電性ポリマーで作られたもの、
であることができる。

上部電極のためには、所望の光透過率／反射に応じて５ｎｍと５０ｎｍの間の厚みを標準的に有し、例えばＡｇ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ａｕで作られた、ＴＣＣ（透明導電性コーティング）と呼ばれる薄い金属層を使用することが可能である。

上部電極は、金属酸化物、特に次の材料、すなわち、ドープされた酸化亜鉛、とりわけアルミニウムドープ型酸化亜鉛ＺｎＯ：Ａｌ又はガリウムドープ型酸化亜鉛ＺｎＯ：Ｇａ、あるいはドープされた酸化インジウム、とりわけスズドープ型酸化インジウム（ＩＴＯ）又は亜鉛ドープ型酸化インジウム（ＩＺＯ）、から有利に選択された導電性層であることができる。

より一般的には、例えば２０ｎｍと１０００ｎｍの間の厚みをもつ、任意のタイプの透明な導電性層、例えばＴＣＯ（透明導電性酸化物）層と呼ばれる層、を使用することが可能である。

ＯＬＥＤデバイスは、特に青色及び／又は緑色及び／又は赤色の、単色光を発生してもよいし、あるいは白色光を発生するように適合させてもよい。

白色光を発生するためには、次のようないくつかの方法、すなわち、単層内に複数の化合物（赤色、緑色、青色発光）を混合すること、電極の面上に３つの有機構造体（赤色、緑色及び青色発光）又は２つの有機構造体（黄色及び青色）を積層すること、１つの有機構造体が１色の、一連の隣接した３つの有機構造体（赤色、緑色、青色発光）を電極の面上に積層し、他方の面に相応する蛍光体層を積層すること、が可能である。

ＯＬＥＤデバイスは、各々が白色光を発光するか又は３つ１組で赤色、緑色及び青色光を発光する複数の隣接する有機発光システムを含んでもよく、これらのシステムは例えば直列に接続される。

各列が例えば所定の色で発光してもよい。

ＯＬＥＤデバイスは、複数のグレージングユニット、特に真空グレージングユニット又は空気層又は別のガスの層を伴うものの一部を形成してもよい。デバイスはまた、一体式であってもよく、よりコンパクトかつ／又は軽くするために一体式グレージングユニットを構成していてもよい。

ＯＬＥＤシステムは、カバーと呼ばれる、好ましくは透明の、例えばガラスの、別の平担な基材に結合させてもよく、あるいは好ましくは、積層用の中間層、とりわけ特に透明な中間層を用いて、積層させてもよい。

積層グレージングユニットは通常、間に熱可塑性ポリマーシート又はかかるシートを重ね合わせたものが配置される２つの硬質基材で構成されている。本発明はまた、特にガラスタイプの硬質支持基材を用いそして被覆用基材として１つ以上の保護ポリマーシートを用いる「非対称」積層グレージングユニットと呼ばれるものも包含する。

本発明はまた、エラストマータイプの片面又は両面接着性ポリマーをベースとする少なくとも１つの中間層シートを有する積層グレージングユニット（すなわち、用語の通常の意味合いにおいての積層作業、つまり熱可塑性中間層シートを軟化させそれを接着させるように一般的に加圧下での加熱を必要とする積層、を必要としないもの）も包含する。

この構成では、支持基材にカバーを固定するための手段はこの場合、積層中間層でよく、特に熱可塑性の、例えばポリウレタン（ＰＵ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）又はエチレン／酢酸ビニル（ＥＶＡ）の、又は熱硬化性の単成分又は多成分樹脂（エポキシ、ＰＵ）の、又は紫外線硬化性の単成分又は多成分樹脂（エポキシ、アクリル樹脂）の、シートでよい。好ましくは、シートはカバー及び基材と実質的に同じ寸法を有する。

積層中間層は、特に例えば０．５ｍ²超の面積をもつ大型デバイスについて、カバーが屈曲するのを防ぐことができる。

特に、ＥＶＡは次のような数多くの利点、すなわち、
・それは水を容量にしてほとんど又は全く含まない、
・それを加工するために必ずしも高い圧力を必要としない、
という利点を提供する。

実施がより容易であると同時に比較的安価であり、場合によってはより不浸透性であることから、熱可塑性積層中間層の方が、注型用樹脂で作られたカバーよりも好ましいかもしれない。

中間層は任意選択的に、その内側面にセットされて上部電極に面する導電性ワイヤのネットワーク、及び／又はカバーの内側面の導電性層又は導電性バンドを含む。

ＯＬＥＤシステムは好ましくは、特に不活性ガス（例えばアルゴン）層を伴い、二重グレージングユニットの内側に設置することができる。

更に、本発明による電極を支持する基材とは反対側の面に、又は付加的な基材の上に、所定の機能性を有するコーティングを付加することが有利であり得る。これは、曇り防止層（親水性層を用いた）、汚れ防止層（少なくとも一部はアナターゼ型に結晶化されたＴｉＯ₂を含む光触媒コーティング）、あるいは、例えばＳｉ₃Ｎ₄／ＳｉＯ₂／Ｓｉ₃Ｎ₄／ＳｉＯ₂タイプの反射防止多重層、又はＵＶフィルタ、例えば酸化チタン（ＴｉＯ₂）の層、であることができる。それはまた、１つ以上の蛍光体層、ミラー層、又は少なくとも１つの散乱光抽出層であってもよい。

本発明はまた、これらのＯＬＥＤデバイスを適用することのできる様々な用途にも関し、前記デバイスは、屋外用途向けでも屋内用途向けでも、透明及び／又は反射性（ミラー機能）である１つ以上の発光性表面を形成する。

前記デバイスは、（択一的に又は組み合せて）、照明用、装飾用、建築用などのシステム、又は例えば図形、ロゴ又は英数字表示タイプの指示表示パネル、特に非常口パネル、を形成することができる。

ＯＬＥＤデバイスは、とりわけ均質な照明のために均一な光を発生するように、又は同じ強さ又は異なる強さの様々な発光ゾーンを生じさせるように配置可能である。

逆に、差別化された照明が求められることもある。有機発光システム（ＯＬＥＤ）が直接光ゾーンを形成し、別の発光ゾーンが、ガラス製であるように選択された基材の厚み内での全反射により導かれるＯＬＥＤ放射線を抽出することによって得られる。

この別の発光ゾーンを形成するために、抽出ゾーンはＯＬＥＤシステムに隣接することができ、あるいは基材とは反対の側にあってもよい。抽出ゾーンは、例えば、特に建築照明用に、直接光ゾーンにより提供される照明を増加させる役目、あるいは発光パネルを表示する役目を果たすことができる。抽出ゾーンは、好ましくは、１つ以上の、特に均一な、光のバンドの形をしており、これらは好ましくは面の１つの周縁部に配置される。これらのバンドは、例えば非常に発光性のフレームを形成し得る。

抽出は、抽出ゾーンに配置された次の手段、すなわち、好ましくは無機粒子をベースとし、且つ好ましくは無機結合剤を含む拡散層、拡散性となるように作られた基材、特に表面模様をつけた又は表面の粗い基材、のうちの少なくとも１つによってなされる。

２つの主要面はそれぞれ、直接光ゾーンを有することができる。

ＯＬＥＤシステムの有機構造体及び電極が透明となるように選択される場合、特に、照明ウインドウを製造することができる。この場合、部屋の照明改善は、光透過率を損なってなされるわけではない。また、特に照明ウインドウの外側で、光の反射を制限することによって、例えば、建物の外観について施行された防眩基準を満たすように、反射レベルを制御することも可能である。

より広範には、デバイス、特に部分的又は全体的に透明なデバイスは、
・建築用、例えば屋外発光グレージング、屋内発光間仕切り、又はガラスをはめた発光ドア（又はドアの一部）、特にスライドドアなど、
・輸送機関用、例えば陸上、水上又は航空輸送用手段（乗用車、貨物自動車、列車、航空機、ボートなど）の発光ルーフ、発光サイドウインドウ（又はウインドウの一部）、内部の発光間仕切りなど、
・都市又は業務向けの備品用、例えばバス待合所パネル、ディスプレイカウンタの壁、宝石展示又はショーウインドウ、温室の壁、又は照明タイルなど、
・室内備品用、例えば棚又はキャビネット構成部品、キャビネットの正面部品、照明タイル、天井、照明冷蔵庫棚、水槽の壁など、
・電子機器、特にディスプレイ画面、任意選択的にはダブルスクリーン、例えばテレビ又はコンピュータのスクリーン、タッチスクリーンなどの、バックライト用、
を対象とすることができる。

例えば、大きさが異なり、小さい方のスクリーンが好ましくは光を集中させるためフレネルレンズと結合されている、両面スクリーンのためのバックライトを想定することが可能である。

照明用ミラーを形成するためには、電極の１つは反射性であることができ、あるいは、直接光ゾーンの片側のみの選択的照明が所望される場合、ＯＬＥＤシステムの反対の面にミラーを配置してもよい。

それはミラーであってもよい。発光パネルは、浴室の壁又はキッチンの調理台を照明するのに用いてもよいし、又は天井であってもよい。

ＯＬＥＤは一般に、用いられる有機材料に応じて２つの大きな群に分けられる。

エレクトロルミネセント層が小さな分子から形成される場合、デバイスはＳＭ−ＯＬＥＤ（低分子有機発光ダイオード）と呼ばれる。薄層の有機エレクトロルミネセント材料は、蒸着した分子、例えば錯体ＡｌＱ₃（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−（ジフェニルビニレン）ビフェニル）、ＤＭＱＡ（ジメチルキナクリドン）又はＤＣＭ（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）の分子などからなる。放出層も、例えば、ｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム［Ｉｒ（ｐｐｙ）₃］をドープされた４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）の層であることができる。

一般に、ＳＭ−ＯＬＥＳの構造は、ＨＩＬ（正孔注入層）、ＨＴＬ（正孔輸送層）、電子放出層及びＥＴＬ（電子輸送層）の積重体で構成されている。

正孔注入層の一例は、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）であり、正孔輸送層は、例えばＮ、Ｎ’−ビス（ナフタ−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）でよい。

電子輸送層は、トリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＡｌＱ₃）又はバソフェンナントロリン（ＢＰｈｅｎ）で構成してもよい。

上層は、Ｍｇ／Ａｌ又はＬｉＦ／Ａｌ層でよい。

有機発光積重体の例は、例えば米国特許第６６４５６４５号明細書に記載されている。

有機エレクトロルミネセント層がポリマーである場合、デバイスはＰＬＥＤ（ポリマー発光ダイオード）と呼ばれる。

薄層の有機エレクトロルミネセント材料は、ＣＥＳポリマー（ＰＬＥＤ）、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）を表すＰＰＶ、ＰＰＰ（ポリ（ｐ−フェニレン）、ＤＯ−ＰＰＰ（ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］）、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ［２，５−ビス（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］）又はＰＤＡＦ（ポリジアルキルフルオレン）など、からなり、該ポリマー層はまた、例えばＰＥＤＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））からなる正孔注入を促進する層（ＨＩＬ）と結合される。

ＰＬＥＤの１つの例は、以下の積重体、すなわち、
・厚み５０ｎｍのポリ（スチレンスルホネート）でドープされたポリ（２，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の層、及び
・厚み５０ｎｍのフェニルポリ（ｐ−フェニレンビニレン）Ｐｈ−ＰＰＶの層、
からなる。

上部電極は、Ｃａの層であることができる。

本発明はまた、第１の構成において、以下の工程、すなわち、
・次の被着物、すなわち、
・スタンプパッドによる、あるいは導電性インクジェット印刷による、基材へのネットワークの導電性材料の被着物、
・基材の、好ましくはガラス基材の、エッチングネットワークへの被着物、
のうちの少なくとも１つを含む、導体のネットワーク配置を直接形成する第１の工程、
・液体ルートによる導電性コーティングの被着を含む第２の工程、
を含み、あるいは、第２の構成において、以下の工程、すなわち、
・開口部の深さの一部分が充填されるまで、ネットワークとして自己組織化した開口部をもつ、マスクとして知られる、好ましくはガラスの基材上の１つの層を通して導電性材料を被着することを含む、導体のネットワーク配置を直接形成する第１の工程、
・任意選択的に、第１の工程の前の、マスクの開口部を通して基材をエッチングして、基材にネットワークを部分的（又は完全に）に固定する工程、
・マスクの任意選択的な除去工程、
・液体ルートによる導電性コーティングの被着を含む第２の工程、
を含む、先に規定したとおりの支持基材上の複合電極を製造する方法、にも関する。

既に示したとおり、マスクに、及び／又はエッチングネットワークに、ネットワークの導電性材料を被着するのは、単純な非選択的被着により、好ましくは真空被着、特に蒸着、あるいは液体ルート、特に導電性インクでのブレードコーティング、ディップコーティング、又は（平面又は回転）印刷によって、好ましく実施することができる。この被着は、任意選択的に、金、銀又は銅などの金属を用いた電解再充填によって完成される。

第２の構成においては、本発明による方法は、マスクを形成する工程であって、
・マスキング層として知られる層の（むきだしの又はコーティングされた）基材への被着、
・前記マスクを形成するネットワーク開口部が得られるまでのマスキング層の硬化（すなわち、層が液体である場合には乾燥）、
を含むマスク形成工程を含む。

マスキング層は、有利には、溶媒中に、特にアクリルコポリマーをベースとするコロイドの水溶液中に分散した、安定化したコロイド粒子の溶液であることができる。

少なくとも一方向に無作為の非周期のメッシュ開口部を有するマスクを形成する、端部が実質的に垂直な開口部の二次元ネットワークを得ることが可能である。

そのような開口部のネットワークは、亀裂入りのシリカゾル−ゲルマスクよりも実質的に多くの相互接続部を有する。本発明によるこの方法によって、表面全体にわたって分布し得る開口部のメッシュがかくして形成され、等方性を得ることを可能にする。

かくして、マスクは、少なくとも一方向、更には２つの（全ての）方向において、無作為で非周期的な構造を有する。

この特別な方法により、より低いコストで、次の適切な特性寸法、すなわち、
・ネットワークの（平均）幅Ａは、ミクロンサイズであり、更にはナノスケールであり、特に数百ナノメートルと数十ミクロンの間、とりわけ２００ｎｍと５０μｍの間である、
・ユニットの（平均）サイズＢは、ミリメートル代あるいはサブミリメートル代であり、特に５μｍと５００μｍの間、更には１００μｍと２５０μｍの間である、
・Ｂ／Ａ比は、特に粒子の性質に応じて調整可能であり、とりわけ７と２０、更には４０の間である、
・開口部の最大幅と開口部の最小幅との差は、マスクの所定の領域において、更には表面の大部分又は全体にわたり、４未満、更には２以下である、
・最大メッシュ（ユニット）寸法と最小メッシュ寸法との差は、マスクの所定の領域において、更には表面の大部分にわたり、なおまた全体にわたって、４未満、更には２以下である、
・オープンメッシュ（非開口、「非貫通（ｂｌｉｎｄ）」の間隙）の量は、マスクの所定の領域において、更には表面の大部分又は全体にわたり、５％未満、更には２％以下であり、従ってネットワークの裂開部は限定されたもの、更にはほぼゼロであって、それは任意選択的に、ネットワークのエッチングによって低減され、抑制可能である、
・所定のメッシュ、すなわち所定の領域における又は表面全体にわたるメッシュの大部分、更には全てについて、メッシュの特徴である最大寸法とメッシュの特徴である最小寸法との差は、等方性を高めるために、２未満である、そして
・ネットワークのセグメントの大部分、更には全てについて、端部は、特に１０μｍ程度の（例えば、２００倍の光学顕微鏡で観察される）一定の間隔を開け、平行になっている、
の無作為（形状及び／又はサイズ）で非周期的なユニットで構成されたマスクを得ることが可能となる。

幅Ａは、例えば１μｍと２０μｍの間、更には１μｍと１０μｍの間でよく、Ｂは５０μｍと２００μｍの間でよい。

こうして、開口部の幅と実質的に同一の平均ストランド幅及び開口部（メッシュの）間の間隙と実質的に同一のストランド間の（平均の）間隙により画定されるグリッドをその後作製することが可能になる。特に、ストランドのサイズは、好ましくは、数十ミクロン〜数百ナノメートルの間でよい。Ｂ／Ａ比は７と２０の間、更には３０〜４０の間で選択することができる。

開口部により画定されるメッシュは、様々な形状を有し、標準的に３、４、又は５つの辺、例えば主に４つの辺を伴い、及び／又は無作為かつ非周期的に分布した様々なサイズのものである。

大部分の又は全てのメッシュについて、１つのメッシュの２つの隣接する辺間の角度は６０°と１１０°の間、特に８０°と１００°の間でよい。

１つの構成において、主要ネットワークは（任意選択的にはほぼ平行な）開口部を伴って得られ、二次的なネットワークは、場所と間隔が無作為な、（任意選択的には平行なネットワークに対してほぼ垂直な）開口部を伴って得られる。二次的な開口部は、例えば主要開口部よりも小さい幅を有する。

乾燥によりマスク層の収縮及び表面におけるナノ粒子の摩擦がひき起こされ、その結果、層内に引張応力が発生し、それが緩和を経て開口部を形成する。

シリカゾル−ゲルと異なり、溶液は、既にナノ粒子が形成されている状態で自然に安定しており、好ましくは、ポリマー前駆体タイプの反応性成分を含まない（又は無視できる量しか含まない）。

乾燥により、１つの工程でもって、溶媒の除去及び開口部の形成がなされることになる。

乾燥後、それ自体の大きさがいろいろである開口部によって分離されていて、大きさがいろいろである、ナノ粒子のクラスターが得られる。

全深さにわたる開口部を得るためには、
・分散を促進するため、好ましくは１０ｎｍと３００ｎｍの間、更には５０ｎｍと１５０ｎｍの間の特性（平均）サイズを有する、制限されたサイズの粒子（ナノ粒子）を選択すること、及び、
・溶媒中の粒子を安定化させて（特に、表面電荷による、例えば界面活性剤による、処理によって、ｐＨの制御によって）、それらが一緒に凝集し、重力により沈降及び／又は降下するのを防ぐこと、
の両方が必要である。

更に、粒子の濃度を、好ましくは５重量％あるいは１０重量％と、６０重量％との間、より好ましくは更に２０％と４０％の間に調整する。結合剤の添加は避ける。

溶媒は好ましくは水性系であり、あるいは完全に水性である。

第１の実施形態においては、コロイド溶液はポリマーナノ粒子を含む（そして好ましくは溶媒は水性系、あるいは完全に水性である）。例えば、アクリル共重合体、スチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）クリレート、ポリエステル又はそれらの混合物が選択される。

第２の実施形態においては、溶液は、好ましくはシリカ、アルミナ又は酸化鉄の、無機ナノ粒子を含む。

粒子は特定のガラス転移温度Ｔｇを有することから、グリッドマスクの形態をより良く制御するために、被着及び乾燥は前記温度Ｔｇより低い温度で実施することができる。

プロセスの被着及び乾燥工程は、特に、（実質的に）周囲温度、標準的には２０℃と２５℃の間で実施することができる。アニーリングは必要ない。

粒子の特定のガラス転移温度Ｔｇと乾燥温度との差は、好ましくは１０℃より大きく、更には２０℃より大きい。

プロセスの被着及び乾燥工程は、例えば真空下での乾燥よりも、むしろ実質的に大気圧で実施することができる。

Ｂ、Ａ、及び／又はＢ／Ａ比を調整する目的で、乾燥パラメータ（制御パラメータ）、特に水分含量及び乾燥速度を変更することが可能である。

水分が多くなればなるほど（その他は全て等しいものとして）、Ａが小さくなる。

温度が高くなればなるほど（その他は全て等しいものとして）、Ｂが大きくなる。

ぎっしり詰めたコロイドと基材表面の間の摩擦係数、ナノ粒子のサイズ、蒸発速度、初期粒子濃度、溶媒の性質、及び被着技術に左右される厚みの中から選択された制御パラメータを変更することにより、Ｂ／Ａ比を調整することが可能である。

マスクの端部は実質的に垂直であり、すなわち、表面に対して８０°と１００°の間、更には８５°と９５°の間で、中央平面に沿っている。

端部が垂直であることにより、被着された層が不連続となり（端部に沿った被着は全く又はほとんどない）、従ってグリッドネットワークに損傷を与えることなくコーティングされたマスクを除去することが可能である。単純であることを理由として、グリッド材料の指向性の被着技術が好まれるかもしれない。被着は、隙間を通してもマスク全体にわたっても実施可能である。

最初の被着工程を実施する前に、好ましくは大気圧プラズマ源を用いて、ネットワーク開口部をクリーニングすることが可能である。

コロイドベースのマスク層を被着するための表面は、フィルム形成性の表面、特に溶媒が水性である場合は親水性表面である。これは、次の基材、すなわち、ガラス、プラスチック（例えばポリカーボネート）、又は任意選択的に機能性の追加の副層、すなわち親水性層（例えばプラスチック上の、シリカ層）及び／又はアルカリ金属バリヤ層及び／又はグリッド材料の密着を促進するための層、及び／又は（透明な）導電性層、の表面である。

この副層は、必ずしもグリッド材料の電解被着のための成長層ではない。

マスク層の間には、いくつかの副層が存在してもよい。

本発明による基材は、かくして、連続的でかつアルカリ金属に対するバリヤとなることのできる副層（特に基材に最も近いベース層）を含んでいてもよい。

それは、導電性被着物（特に電極を形成するための）の場合に、任意の汚染（層間剥離などの機械的欠陥に至りかねない汚染）からグリッド材料を保護し、更にその電気伝導率を保つ。

ベース層は丈夫で、様々な技術によって迅速かつ容易に被着する。それは、例えば、特に気相中での、熱分解技術（「化学気相成長」を意味するＣＶＤという略号により表示されることの多い技術）によって被着可能である。この技術は、被着パラメータの適切な調整により補強されたバリヤのための非常に緻密な層を得ることが可能になることから、本発明にとって有利である。

任意選択的に、真空下でのその被着をより安定したものにするため、ベース層にアルミニウム及び／又はホウ素をドープしてもよい。ベース層（任意選択的にドープされた、単層又は多層）は、１０ｎｍと１５０ｎｍの間、より好ましくは更に１５ｎｍと５０ｎｍの間の厚みであることができる。

ベース層は好ましくは、
・酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、一般式ＳｉＯＣの層、をベースとしてもよく、
・窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭窒化ケイ素、一般式ＳｉＮＯＣ、とりわけＳｉＮ、特にＳｉ₃Ｎ₄の層、をベースとしてもよい。

最も詳細には、ドープされた又は未ドープの窒化ケイ素Ｓｉ₃Ｎ₄で（主として）作られたベース層が好ましかろう。窒化ケイ素は、非常に迅速に被着し、アルカリ金属に対する優れたバリヤを形成する。

金属グリッド材料（銀、金）の、特にガラス上への付着を促進する層として、例えば５ｎｍ以下の厚みをもつ、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌをベースとする層、単一又は混合型のドープ又は非ドープ金属酸化物（ＩＴＯなど）、を選択することが可能である。

基材が疎水性である場合、シリカ層などの親水性層を追加することが可能である。

なおも第２の構成においては、第２の被着工程の前に、好ましくは液体ルートによる、例えばマスクの選択的化学溶解（水、アルコール、アセトン、あるいは酸性もしくは塩基性溶液での）によって、任意選択的には熱いうちに、及び／又は超音波の助けを借りて、前記導電性ネットワークが露出されるまで、除去工程が行われる。

やはり第２の構成において、第２の被着工程の前に、例えばマスクの選択的化学溶解（水、アルコール、アセトン、又は酸性もしくは塩基性溶液中での）によって、前記導電性ネットワークが現れるまでマスクの除去工程を行うことが可能である。

第１の構成又は第２の構成において（前記導電性ネットワークが現れるまでマスクを除去後に）、充填材料をより薄く被着してもよい。

この充填材料は任意選択的に、拡散性で、高屈折率のものでよく、既に説明した材料で作ることができ、特にそれはゾル−ゲル層であることができる。

被着は、選択された材料及び処方設計に応じて、例えば印刷、スクリーン印刷、インクのブレードコーティング、ディップコーティング、又はスプレーコーティングによって実施することができる。

第１の構成又は第２の構成において（前記導電性ネットワークが現れるまでマスクを除去後に）、別のやり方として、表面に出ることができる充填材料でストランドを充填しかつ導電性ネットワークを被覆する工程を行い、任意選択的な熱処理を行い、その後機械的研磨工程を、前記第２の工程の前に実質的に同じ高さで表面が実質的に平滑な導電性ネットワーク及び充填層が得られるまで行うことが可能である。

この表面に出ることができる充填層は、例えばガラスフリットで、スクリーン印刷することができ、あるいはゾル−ゲル層、好ましくは透明なもの、例えば既に説明した無機物又は混成シリカの層であることができる。

充填層は絶縁性であり、表面材はもちろん、ストランドの表面をその上の導電性コーティングとの電気的接触のために露出させることができなくてはならない。

熱処理は、例えば、ガラスフリットを融解させる役目を果たし、あるいはゾル−ゲル層の場合には、溶媒を除去し及び／又は層を緻密化する役目を果たす。言うまでもなく、いくつかの熱処理が可能である。

研磨の結果として、第２の被着工程は、特に、既に説明したもののようなドープ型及び／又は混合型酸化物である単純な導電性金属酸化物をスパッタリングすることによる、気相被着工程であることもできる。

第２の構成において、そして既に説明した混成ゾル−ゲルマスクのような保持されていて研磨可能なマスクを使用して、第２の被着工程の前に同じ高さで表面が平滑な導電性ネットワーク及びマスクが得られるまで、機械的研磨工程を行うことが可能である。

この場合も、研磨の結果として、第２の被着工程は、特に、既に説明したもののようなドープ型及び／又は混合型酸化物である単純な導電性金属酸化物をスパッタリングすることによる、気相被着工程であることもできる。

好ましくは、複合電極、最低限でも導電性コーティングは、以下のＯＬＥＤ製造工程に対する耐性、すなわち、
・１時間、２００℃に対する耐性、
・１３のｐＨ（クリーニング溶液）に対する耐性、
・１．５と２の間のｐＨ（特に、ＯＬＥＤ積重体の前に導電性コーティングのためにＰＥＤＯＴを被着させる場合の）に対する耐性、
・層間剥離耐性（セロハンテープ試験）、
をもつ。

次に、限定されない例と図によって本発明をより詳しく説明する。

本発明の第１の実施形態による複合下部電極を含む第１の有機発光デバイスの模式断面図である。 図１のデバイスで使用される電極のネットワークの模式上面図を示す。 本発明の第２の実施形態による複合下部電極を含む第２の有機発光デバイスの模式断面図である。 本発明の第３の実施形態による複合下部電極を含む第３の有機発光デバイスの模式断面図である。

明確さを期して、図示されたものの種々の構成要素は一定の縮尺で作図されていないという点に言及しておくべきである。

〔有機発光デバイス〕
（例１）
意図的にきわめて模式的である図１は、有機発光デバイス１００（基材を通して発光する、すなわち「底面発光」の）を断面で示している。

このデバイス１００は、第１及び第２の主要面１１、１２を有する厚み０．７ｍｍの、透明で、例えば矩形の、ソーダ−石灰−シリカガラスの平担な基材１を含む。

第１の主要面１１は、
・後に詳細に説明される複合下部電極２、
・有機発光システム３、例えば、次の構造、すなわち、
・α−ＮＰＤ層、
・ＴＣＴＡ＋Ｉｒ（ｐｐｙ）₃層、
・ＢＰｈｅｎ層、
・ＬｉＦ層、
の構造のＳＭ−ＯＬＥＤ、
・特に金属製であり、特に銀又はアルミニウムをベースとしている、反射性上部電極４、
を含んでいる。

より具体的には、複合下部電極２はまず第１に、３μｍ前後の平均幅Ａをもち３０μｍ前後の平均距離Ｂだけ互いに離隔していて、Ｂ／Ａ比が１０の、不規則な銀ベースのストランドから形成されている、厚み１μｍの非周期性ネットワーク導体２１を含む。

このようにして、Ｂ／Ａ及び厚みを慎重に選択することにより、このネットワーク２１の特に低いシート抵抗は約０．６Ω／□となる。このネットワーク２１の光透過率Ｔ_Lは７０％前後であり、ストランドは肉眼では見えない。

任意選択的に、金属ストランド上に、複合ストランドを形成するのを目的として、厚み約１０ｎｍのニッケル及び／又はクロムで作られた保護用の上層を被着することが可能である。

大きさが５０ｎｍ未満のＴｉＯ₂ナノ粒子から作られた高屈折率の充填層２３を、ネットワーク２１のストランド間で使用する。屈折率は約１．８である。この層２３は、その後蒸発させる溶媒を用いて被着することができる。この層２３は、有機層における導波モードの抽出を向上させる。

液体ルートにより被着させたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ製の導電性コーティング２２は、抵抗率ρ１がおよそ１０^-1Ω・ｃｍ、厚みがおよそ１００ｎｍであり、残りの空隙を充填するとともに電極２を平滑にする。

導電性ネットワーク２１は、自己組織化した開口部のネットワークを備えたマスク上に銀を蒸着して製造される。マスクはその後除去される。導電性ネットワーク２１の不規則な配置を、そのストランド２１０とともに図２に示す。

電極２、４の給電のために、有機層３の被着前に、長手方向の端部付近に、好ましくはその長さ全体にわたって、複合電極２の開口部を作る。この開口部は、例えばレーザーで作られ、幅が１５０μｍ前後である。このエッチングされたゾーンは、その後、アクリルタイプの絶縁性樹脂５を用いてパッシベーションされる。

長手方向の端部付近に設けられている電気的接合ゾーンには、例えば電極２、４の上に銀をスクリーン印刷して、慣用のブスバー６を付加することが好ましい。

デバイス１００は、大きくてもよい１つの領域全体にわたって、均質な光源を作り出す。接続システムのためのエッチングの時点で複数の発光ゾーンを作り出すことが望まれる場合、例えば幅１５０μｍの、他の適切なレーザーエッチングを行い、その後パッシベーションを行う。

（例２）
図３は、複合電極２”を含む有機発光デバイス３２００の断面図を示している。以下では、デバイス１００との関係において変更したところだけを詳しく説明する。

ネットワーク２１０のストランド間に挿入されているのは、溶融ガラスフリットで作られた充填層２３０である。

ネットワーク２１０のストランドと溶融ガラスフリット２３０で形成された表面は、機械的研磨により、例えばアルミナでの、又は酸化セリウムなどでの研磨により、平滑にされている。このガラスフリットは、別の態様として、高屈折率のフリットでもよい。

複合電極２１０を製作するためには、ストランドの上に上層を形成するように、ネットワーク２１０のストランド間とそれらを越えてガラスフリットを被着させる。アニーリング後、表面をストランドのレベルまで削る。

もう一つの方法として、充填層としてゾル−ゲル層、例えばＭＴＥＯＳ（メチルトリエトキシシラン）から構成されるゾルから得られた混成シリカの層、を選ぶことが可能である。この前駆体は、水／エタノール媒体中で加水分解され、水は塩酸でｐＨ＝２の酸性にされている。１モルのＭＴＥＯＳ当たりに３モルの水と３モルのエタノールを加える。この配合物をディップコーティング又はスプレーコーティングにより被着させるのが好ましい。被着した配合物は１００℃で乾燥させ、次に４５０℃の熱処理に１時間かける。配合物を上層として被着させて、任意選択的な乾燥とアニーリング後に、そのゾル−ゲル層をストランドに達するまで表面を削り取って研磨することを選択するのが好ましかろう。

このゾル−ゲル層は高屈折率層、例えばＺｒＯ₂を充填したものでもよい。

充填層２３０は絶縁性であるので、導電性コーティング２２０はかなり低い抵抗率を有するように選択される。導電性コーティング２２０は、平滑性を保持し、電流を分配するのを可能にする。

研磨することにより、導電性コーティング２２０を気相成長によって被着するのを選択することが可能になる。例えば、４０ｎｍ以上の厚みでおよそ１０^-4Ω・ｃｍの抵抗率ρ１を得るために、ＩＴＯをスパッタリングにより被着することを選択することができる。厚みがおよそ７０ｎｍで約１０^-2〜１０^-3Ω・ｃｍの抵抗率ρ１のＩＴＯゾル−ゲル層を形成することも可能である。

もう一つの態様として、導電性コーティングは液相ルートにより被着したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳであってもよい。

有機発光デバイス４００の別の実施形態では、自己組織化した開口部、典型的には亀裂、の開口部からなるマスクが保持されていて、このマスクが電極のネットワークを製作するのに用いられるので、研磨したガラスフリットは用いられない。それは、むくの研磨した一体式マスク、例えば混成ゾル−ゲル層であることができる。モル比が１に等しいトリエトキシシラン（ＴＥＯＳ）とメチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）から構成されたゾルから得られるシリカ層を選択するのが好ましい。これらの前駆体は、水／エタノール媒体中で加水分解され、水は塩酸でｐＨ＝２の酸性にされている。前駆体の重量濃度は４５％である。この配合物は、ディップコーティング又はスプレーコーティングで被着させるのが好ましい。配合物を被着後、亀裂を生じさせるため、直ちに、例えば４５０℃で１時間、高温熱処理にかける。

平滑な複合電極を製作するため、導電性ネットワーク材料、例えば銀を、液体ルートにより、例えばインクをブレードコーティングすることにより、マスクの高さの一部が充填されるまで被着させる。その後、マスクの表面をストランドに達するまで研磨して削り取る。

（例３）
図４は、複合電極２０’を含む有機発光デバイス３００の断面図を示している。以下では、デバイス１００との関係において変更したところだけを詳しく説明する。

電極ネットワーク２１０’は、厚み１ミクロンで、ガラス１のエッチングネットワーク１１０内にある。

例えば混成又は非混成シリカをベースとする、ガラス上の亀裂入りゾル−ゲルマスクを使用する。

基材は、ＨＦ溶液での湿式エッチングを受ける。

ネットワークの材料は、ゾル−ゲルマスクを保持しながら被着され、被着は亀裂を通して行われる。好ましくは、真空被着、例えば蒸着による銀の被着、あるいはスパッタリングによるＩＴＯ又はＩＺＯの被着が選択される。例えばドクターブレードを用いて銀インクを塗布する、液体ルートを選択することも可能である。被着物の厚みは、好ましくはエッチングしたゾーンを完全に充填するように、制御することができる。

ネットワーク材料を被着する前にマスクを除去する場合は、その後ガラスを研磨してその自由表面の導電性被着物を除去するようにする。

導電性コーティング２２０’は例えば、５０μｍ以上の厚みで液体ルートにより被着されるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳでよい。

接続のための長手方向のエッチング部５１がエッチングネットワーク１１０よりも確実に深くなるように注意が払われる。

全ての例において、コーティングの外表面は、ネットワーク平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたる外表面の実際の輪郭から出発し、そして局所的微小粗さを除去するためナノスケールのフィルタリングにより補正した輪郭を形成することにより、補正した輪郭の全ての点において得られるものが、補正した輪郭に対する接線と補正した輪郭の平均平面がなす４５°以下の角度となるような外表面である。

実際の輪郭と補正した輪郭との差により形成される残留輪郭から出発して、補正した輪郭上の全ての点で得られるものは、ネットワーク平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたって少なくとも５０ｎｍ未満の、残留輪郭の最高点と最低点との最大の高さの差である。

〔複合電極の製造〕
以下に示すのは、好ましい実施形態において自然発生させた開口部のネットワークを有するマスクを利用した複合電極の製造の例である。

ａ）自然発生開口部を有するマスクの製造
まず、自然発生させた開口部を有するマスクを製造する。このためには、４０重量％の濃度で水中で安定化させたアクリル共重合体をベースとするコロイド粒子の単純なエマルジョンを、液体ルートによって被着させる。コロイド粒子は、８０〜１００ｎｍの特性サイズを有し、Ｎｅｏｃｒｙｌ ＸＫ ５２という商標名でＤＳＭ社により販売されている。

次に、コロイド粒子を取込んだいわゆるマスキング層を乾燥させて溶媒を蒸発させる。この乾燥は、任意の適切な方法（高温空気乾燥など）によって実施可能である。

この乾燥工程中に、システムは自己配置し、以下でＡ１と呼ぶ表面模様の平均幅、及び以下でＢ１と呼ぶ表面模様間の平均距離によって特徴づけされる構造にしたがった表面模様を描く。この安定化されたマスクは結果として、Ｂ１／Ａ１比によって規定される。アニーリングを用いることなく、安定したマスクが得られる。

Ｂ１／Ａ１比は、被着技術に応じて、例えば固められたコロイドと基材表面との摩擦係数、あるいはナノ粒子のサイズ、あるいはまた蒸発速度、又は粒子の初期濃度、又は溶媒の性質、又は厚みを適合させることにより、変更することができる。

これらのいろいろな選択肢を例示するために、試験片の上昇速度を調節することによって被着した、２つのコロイド溶液濃度（Ｃ₀及び０．５×Ｃ₀）及び様々な厚みを用いた実験計画を以下に示す。溶液はディップコーティングによって被着した。濃度を変更することによってＢ１／Ａ１比を変更しうるという点を指摘しておくべきである。結果を、次の表に示す。

同様に、コロイド溶液を様々な厚みのプルフィルムを用いて濃度Ｃ₀＝４０％で被着させた。これらの実験は、コロイド層の初期厚みを調整することにより表面模様のサイズＡ１及び表面模様間の距離Ｂ１を変化させることが可能であるということを示している。結果を、次の表に示す。

ｂ）マスクのクリーニング
その後、亀裂の底部にある有機粒子をクリーニングするためのもととしてプラズマ源を使用することにより、電極ネットワークへの促進用導電性材料の付着を改善することが可能となる。

例示的実施形態を提供すると、酸素／ヘリウム混合物をベースとするプラズマ移行アークを用いて大気圧プラズマ源を使用したクリーニングにより、間隙の底部に被着した材料の密着力を改善すると同時に間隙を拡幅することが可能となる。Ｓｕｒｆｘ社が販売する“ＡＴＯＭＦＬＯＷ”という商標のプラズマ源を使用することができる。

ｃ）導電性ネットワークの製造
本発明による複合電極の導電性ネットワークは、このマスクを用いて生産される。これを行なうためには、間隙の一部分が充填されるまで、マスクを通して１種以上の導電性材料を被着させる。

金属としては、好ましくは銀又はアルミニウムを選択することができる。導電性酸化物としては、好ましくはＩＴＯ、ＩＺＯ又はＩＧＺＯを選択することができる。

導電性ストランドの平均幅ＡはおよそＡ１に等しい。導電性ストランド間の平均距離ＢはおよそＢ１に等しい。

ｄ）マスクの除去
マスクからネットワークの構造を露出させるために、「リフト−オフ」作業が行なわれる。コロイドマスクを水とアセトンを含有する溶液（クリーニング溶液はコロイド粒子の性質に応じて選択される）中に浸漬し、その後コロイドでコーティングされた全ての部分を除去するように洗い流す。

ｅ）ネットワークの充填及び被覆
導電性ストランド間の空隙を、好ましくはＯＬＥＤ層中の導波モードの抽出を促進し導電性である、所定の材料（高屈折率、拡散性など）で完全に充填し、そしてネットワーク及び充填材材料を、平滑化を完了して電流を分配するか又は垂直導電性を維持するという電気的役割を有する導電性コーティングで被覆する。

特に、ストランド間の空隙は、例１におけるように、適切な抵抗率のわずかに導電性である同一の材料を用いて充填し、平滑化することができる。

言うまでもなく、本発明は、上記の例に記載されているもの以外の発光システムを用い、及びプラスチック基材を用いて、同じように適用される。

Claims (25)

1. 複合電極（２〜２０’）を１つの主要面（１１）上に支持している基材（１）であって、当該複合電極は、次のもの、すなわち、
   ・５５０ｎｍで少なくとも６０％の光透過率を有し、金属及び／又は金属酸化物をベースとする導電性材料で作られたストランドから形成された層である導電性ネットワークであって、ネットワークのストランド間の空隙に電気絶縁性充填材料と呼ばれる材料が充填されている、導電性ネットワーク（２１〜２１０’）、
   ・導電性ネットワークを被覆し、ストランドと電気的に接続し、ストランドと接触していて、厚みが４０ｎｍ以上であり、抵抗率ρ１が１０⁵Ω・ｃｍ未満でありネットワークの抵抗率より大きく、電極の平滑な外表面を形成している導電性コーティング（２２〜２２０’）、
   を含み、
   当該複合電極はまた１０Ω／□以下のシート抵抗を有する、
   複合電極（２〜２０’）を１つの主要面（１１）上に支持している基材（１）。
2. 前記外表面は、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたり当該外表面の実際の輪郭と呼ばれるものから出発し、かつ局所的微小粗さを除去するためナノスケールのフィルタリングにより補正された輪郭を形成することによって、当該補正された輪郭の任意の点において当該補正された輪郭の平均平面と当該補正された輪郭に対する接線とがなす角度が４５°以下になるようなものであること、及び実際の輪郭と補正された輪郭との差により形成された残留輪郭から出発して、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたり、補正された輪郭の任意の点において、前記残留輪郭の最高点と最低点の間に５０ｎｍ未満の最大の高さの差が得られることを特徴とする、請求項１に記載の基材（１）。
3. ストランド間の平均距離Ｂとストランドの平均幅ＡとのＢ／Ａ比が５と１５の間であり、好ましくはストランドの平均幅Ａは１００ｎｍと３０μｍの間及び／又はストランド間の平均距離Ｂは５μｍと３００μｍの間であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の基材（１）。
4. 前記導電性コーティング（２２、２２’）が、金属をベースとする、特にＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ材料の１つで作られたナノ粒子をベースとする、層を含むこと、又は、前記導電性コーティング（２２、２２’）が、任意選択的にドープされ又は混合された、主として単一の酸化スズ、酸化亜鉛又は酸化インジウムをベースとする層、特にゾルゲル層、好ましくは次のドープされた又は混合された酸化物、すなわち、
   ・アルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素、スズ元素のうちの少なくとも１つをドープされた又はそれと合金化された酸化亜鉛、
   ・亜鉛、ガリウムと亜鉛、スズをドープされた又はそれと合金化された酸化インジウム、
   ・フッ素又はアンチモンをドープされた、又は任意選択的にアンチモンをドープされ、亜鉛と合金化された酸化スズ、
   ・ニオブをドープされた酸化チタン、
   のうちの少なくとも１つをベースとする層を含むこと特徴とする、請求項１〜３の一つに記載の基材（１）。
5. 前記導電性コーティング（２２’）が、本質的にポリマーの層、あるいは、ポリ（アセチレン）、ポリチオフェンの群のうちの少なくとも１つに由来する１種以上のポリマー、特にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（ピロール）、ポリ（アニリン）、又はポリ（フルオレン）、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）及びポリ（ｐ−フェニレンビニレン）をベースとする層を含むことを特徴とする、請求項１〜４の一つに記載の基材（１）。
6. 前記充填材料が絶縁性であり、前記抵抗率ρ１が１０^-1Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜５の一つに記載の基材（１）。
7. 高屈折率充填材料として知られもの（２３）が５５０ｍで１．６５以上の屈折率を有すること、及びストランド間の距離Ｂが好ましくは５０μｍ以下であり、ストランドが好ましくは金属をベースとし、特に銀又はアルミニウムをベースとしていることを特徴とする、請求項１〜６の一つに記載の基材（１）。
8. 前記充填材料が拡散性である（２３’）ことを特徴とする、請求項１〜６の一つに記載の基材（１）。
9. 前記導電性ネットワーク（２１０’）が少なくとも部分的に、好ましくはガラス基材の、エッチングネットワーク（１１０）内にあることを特徴とする、請求項１〜８の一つに記載の基材（１）。
10. 前記充填材料が、自然発生した開口部のネットワークをもつ、特にシリカ製の、任意選択的に混成シリカ、ゾル−ゲル製のマスクであり、前記ストランドが当該マスクの開口部を充填し、当該ストランド及び／又は当該マスクの表面が好ましくは平滑であることを特徴とする、請求項１〜９の一つに記載の基材（１）。
11. 前記導電性ネットワーク（２１〜２１０’）が、銀、アルミニウム、銅、パラジウム、クロム、白金又は金から選択された純粋金属材料をベースとする層、又はＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎから選択された少なくとも１種のその他の材料と組み合わされた又はそれをドープされた前記材料をベースとする層を含むことを特徴とする、請求項１〜１０の一つに記載の基材（１）。
12. 前記基材がカラス基材であることを特徴とする、請求項１〜１１の一つに記載の基材（１）。
13. 電極（２〜２０’）の外表面に直接被着された有機発光システム（３）を含むことを特徴とする、請求項１〜１２の一つに記載の基材（１）。
14. 前記複合電極（２〜２０’）が下部電極として知られるもの、すなわち基材に最も近い電極を形成している、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の基材（１）を取り入れてなる有機発光デバイス（１００〜３００）。
15. １つ以上の透明な及び／又は反射性の発光表面を形成し、特に照明用、装飾用又は建築用システム、又は例えば図形、ロゴ又は英数字表示タイプの、表示用ディスプレイパネルを形成しており、当該システムが、均一な光を発生し、又は特にガラス基材内の導波光の抽出により差別化される、差別化発光ゾーンを作り出すことを特徴とする、請求項１４に記載の有機発光デバイス（１００〜５００）。
16. ・屋外発光グレージング、屋内発光間仕切り、又は発光グレージングドア（又はドアの一部）、特にスライドドアなどの、建物用、
    ・陸上、水上又は航空輸送手段の発光ルーフ、発光サイドウインドウ（又はウインドウの一部）、内部発光間仕切りなどの、輸送手段用、
    ・バス待合所パネル、陳列台の壁、宝石展示又はショーウインドウ、温室の壁、又は照明タイルなどの、都市又は業務向けの備品用、
    ・棚又はキャビネット構成部品、キャビネットの正面部品、照明タイル、天井、照明冷蔵庫棚、水槽の壁などの、室内備品用、
    ・電子機器、特にディスプレイ画面、任意選択的にはダブルスクリーンのバックライト用、例えばテレビ又はコンピュータのスクリーン、タッチスクリーンなどの、バックライト用、又は
    ・照明ミラー、特に浴室の壁又はキッチンカウンターを照らすため、又は天井のためのもの、
    であることを特徴とする、請求項１４と１５の一つに記載の有機発光デバイス（１００〜３００）。
17. 請求項１〜１３の一つに記載の基材（１）上の前記複合電極を製造するための方法であって、
    ・導体のネットワーク配置を直接形成する第１の工程であって、次の被着、すなわち、
    ・スタンプパッドを用いてのネットワークの導電性材料の被着、
    ・基材上への導電性インクジェット印刷による被着、
    ・基材の、好ましくはガラス基材の、エッチングネットワーク（１１０）への被着、
    のうちの少なくとも１つを含む第１の工程、
    ・液体ルートによる導電性コーティング（２００’）の被着を含む第２の工程、
    を含むことを特徴とする、基材上の複合電極製造方法。
18. 請求項１〜１３の一つに記載の基材上の前記複合電極（２〜２０）を製造するための方法であって、
    ・導体のネットワーク配置を直接形成する第１の工程であって、開口部の深さの一部分が充填されるまで、ネットワークとして自己組織化した開口部をもつ、マスクとして知られる基材上の１つの層を通してネットワークの導電性材料を被着することを含む第１の工程、
    ・液体ルートによる導電性コーティングの被着を含む第２の工程、
    を含むことを特徴とする、基材上の複合電極製造方法。
19. マスク又はエッチングネットワーク上へのネットワークの導電性材料の被着が、非選択的被着、好ましくは真空被着、特に蒸発による被着、又は液体ルートによる被着、特に印刷による、導電性インクでのブレードコーティングよる、ディップコーティングによる、スプレーコーティングによる被着を含み、任意選択的に当該被着を、金、銀、銅などの金属による電解再充填により完成することを特徴とする、請求項１７と１８のいずれかに記載の複合電極（２〜２０）製造方法。
20. 前記マスクの形成工程であって、
    ・マスキング層として知られるものの基材上への被着、
    ・前記マスクを形成するネットワーク開口部が得られるまでマスキング層を硬化させること、
    を含むマスク形成工程を含むことを特徴とする、請求項１８と１９のいずれかに記載の複合電極（２〜２０）製造方法。
21. 前記マスキング層が、溶媒中に安定化されて分散されたコロイド粒子の溶液、特にアクリル系コポリマーをベースとするコロイドの水溶液であることを特徴とする、請求項２０に記載の複合電極（２〜２０）製造方法。
22. 前記第２の工程の前に、
    ・ストランド間の間隙を、前記高屈折率材料又は前記拡散性材料の充填材料のうちの少なくとも１つで、好ましくは液体ルートにより、充填する工程、
    ・適切な場合には、当該充填に先立ち、任意選択的に存在するマスクを前記導電性ネットワークが現れるまで除去する工程、
    を含むことを特徴とする、請求項１７〜２１の一つに記載の複合電極（２〜２０）製造方法。
23. 第２の工程の前に、次の工程、すなわち、
    ・ストランド間の空隙を、好ましくは液体ルートにより、充填して、ストランドを表面を形成できる充填材料で、特にスクリーン印刷、ディップコーティング又はスプレーコーティングにより、被覆する工程、
    ・任意選択的な熱処理工程、
    ・その後の、同じ高さであり十分に平滑な表面を有する導電性ネットワークと充填材料、特に溶融ガラスフリット又はゾル−ゲル、を得るようにする機械研磨工程、及び
    ・適切な場合には、任意選択的に存在するマスクを、前記充填の前に前記導電性ネットワークが現れるまで除去する工程、
    を含むことを特徴とする、請求項１７〜２１の一つに記載の複合電極（２０）製造方法。
24. 前記第２の被着工程の代わりに、導電性金属酸化物を被着させる気相被着工程を行うことを特徴とする、請求項２３に記載の複合電極（２０）製造方法。
25. 前記マスク、特にゾル−ゲル層を、研磨することができ、そして当該方法が、前記第２の被着工程の前に同じ高さであり実質的に平滑な表面を有する導電性ネットワークとマスクを得るようにする機械的研磨工程を含むこと、及び任意選択的に前記第２の被着工程の代わりに、導電性金属酸化物を被着するための気相被着工程を行うことを特徴とする、請求項１９に記載の複合電極製造方法。

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