TWI508135B - 具有高度光萃取率之基板的製作方法 - Google Patents

具有高度光萃取率之基板的製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI508135B
TWI508135B TW102131834A TW102131834A TWI508135B TW I508135 B TWI508135 B TW I508135B TW 102131834 A TW102131834 A TW 102131834A TW 102131834 A TW102131834 A TW 102131834A TW I508135 B TWI508135 B TW I508135B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
holes
photoresist
plate body
inclined sidewall
Prior art date
Application number
TW102131834A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201511082A (zh
Inventor
Yao Nan Wang
Wei Hua Lu
Original Assignee
Univ Nat Pingtung Sci & Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Nat Pingtung Sci & Tech filed Critical Univ Nat Pingtung Sci & Tech
Priority to TW102131834A priority Critical patent/TWI508135B/zh
Publication of TW201511082A publication Critical patent/TW201511082A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI508135B publication Critical patent/TWI508135B/zh

Links

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

具有高度光萃取率之基板的製作方法
本發明是關於一種基板的製作方法,特別是一種具有高度光萃取率之基板的製作方法。
請參閱第8A、8B及8C圖,一種習知圖案化基板的製作方法,請參閱第8A圖,提供一基板510,並於該基板510上形成一光阻層520,請參閱第8B圖,藉由一遮罩530圖案化該光阻層520,請參閱第8C圖,進行一蝕刻步驟,藉由該圖案化之光阻層520蝕刻該基板510,經由該蝕刻步驟使該基板510形成有複數個凸塊511,但各該凸塊511的側壁511a垂直於該基板510之表面512,造成該基板510的光萃取率不佳。
本發明之主要目的在於形成光阻凸塊於板體之通孔中,再將該些光阻凸塊附著於基板上,由於通孔具有傾斜側壁,因此,受到該通孔之傾斜側壁的限制,附著於基板上之光阻凸塊具有傾斜側壁,再藉由具有傾斜側壁的光阻凸塊圖案化該基板,以使基板形成有凹槽及導光件,且因為光阻凸塊具有傾 斜側壁,因此圖案化該基板的製程中,使得凹槽及導光件亦具有傾斜側壁,藉由導光件之傾斜側壁可增加基板的光萃取率,且本發明製程簡單,可減少製作成本並提高製程之良率。
本案之具有高度光萃取率之基板的製作方法包含「提供滾動件及板體」、「形成光阻凸塊於通孔」、「以滾動件帶動板體轉動,使光阻凸塊之顯露面抵觸基板,並使光阻凸塊附著於基板」及「進行圖案化基板步驟」,於「提供滾動件及板體」的步驟中,提供一滾動件及一板體,該板體設置於該滾動件,該板體具有一上表面、一下表面及複數個通孔,該些通孔連通該上表面及該下表面,各該通孔具有一第一傾斜側壁,於「形成光阻凸塊於通孔」的步驟中,形成複數個光阻凸塊於該板體之各該通孔中,且各該光阻凸塊具有一顯露面,於「以滾動件帶動板體轉動,使光阻凸塊之顯露面抵觸基板,並使光阻凸塊附著於基板」的步驟中,以該滾動件帶動該板體轉動,使各該光阻凸塊之該顯露面抵觸一基板的一表面,並使各該光阻凸塊在該板體轉動過程中脫離該板體之各該通孔並附著於該基板之該表面上,附著於該基板之該表面上的各該光阻凸塊具有一顯露的頂端部及一顯露的第二傾斜側壁,該第二傾斜側壁位於該頂端部與該基板之該表面之間,其中各該光阻凸塊的該第二傾斜側壁是由該通孔的該第一傾斜側壁所限制成形,於「進行圖案化該基板步驟」的步驟中,以該些具有該第二傾斜側壁的光阻凸塊為遮罩並圖案化該基板,以使該基板之該表面形成有棋盤狀排列的複數個凹槽及被該些凹槽環繞的複數個導光件,其中各該反光件具有一第三傾斜側壁,各該凹槽具有一第四傾斜側壁,該第三傾斜側壁與該第四傾斜側壁實質上為一相同側壁,且該第三傾斜側壁與該第四傾斜側壁是藉由該些光阻凸塊的該第二傾斜側壁所形成。本發明藉由形成各該光 阻凸塊於各該通孔中,並由該轉動件帶動該板體轉動將該些光阻凸塊附著於該基板之該表面上,並藉由各該通孔之該第一傾斜側壁的限制,使各該光阻凸塊具有該第二傾斜側壁,再以該些光阻凸塊做為遮罩並圖案化該基板,使該基板形成該些凹槽及被該些凹槽環繞的導光件,其中各該導光件具有一第三傾斜側壁,各該凹槽具有一第四傾斜側壁,且該第三傾斜側壁與該第四傾斜側壁是藉由該些光阻凸塊的該第二傾斜側壁所形成,藉由該些具有該第三傾斜壁的導光件可增加該基板的光萃取率,且由於本發明的製程簡單,可減少製作成本並增加製程之良率。
10‧‧‧具有高度光萃取率之基板的製作方法
11‧‧‧提供滾動件及板體
12‧‧‧形成光阻凸塊於通孔
13‧‧‧以滾動件帶動板體轉動,使光阻凸塊之顯露面抵觸基板,並使光阻凸塊附著於基板
14‧‧‧進行圖案化基板步驟
100‧‧‧滾動件
110‧‧‧支撐肋
120‧‧‧側面
130‧‧‧通孔
140‧‧‧導引孔
200‧‧‧板體
210‧‧‧上表面
220‧‧‧下表面
230‧‧‧通孔
231‧‧‧第一傾斜側壁
232‧‧‧第一通孔部
232a‧‧‧第一開口
233‧‧‧第二通孔部
233a‧‧‧第二開口
300‧‧‧光阻凸塊
310‧‧‧顯露面
320‧‧‧頂端部
330‧‧‧第二傾斜側壁
400‧‧‧基板
410‧‧‧表面
420‧‧‧凹槽
421‧‧‧第四傾斜側壁
430‧‧‧導光件
431‧‧‧第三傾斜側壁
A‧‧‧點膠器
B‧‧‧刮刀
P‧‧‧光阻材料
G‧‧‧氣體
S‧‧‧通氣空間
T‧‧‧通氣導管
T1‧‧‧出氣孔
第1圖:依據本發明之一實施例,一種具有高度光萃取率之基板的製作方法之流程圖。
第2圖:依據本發明之一實施例,一滾動件及一板體的立體圖。
第3圖:依據本發明之一實施例,該滾動件及該板體的剖視圖。
第4圖:依據本發明之一實施例,該滾動件及該板體的剖視圖。
第5圖:依據本發明之一實施例,該具有高度光萃取率之基板的製作方法的示意圖。
第6A圖:依據本發明之第一實施例,該滾動件及該板體的剖視圖。
第6B圖:依據本發明之第一實施例,形成複數個光阻凸塊於該板體的剖視圖。
第6C圖:依據本發明之第一實施例,將該些光阻凸塊抵觸一基板剖視圖。
第6D圖:依據本發明之第一實施例,該些光阻凸塊及該基板的剖視圖。
第6E圖:依據本發明之第一實施例,藉由該些光阻凸塊圖案化該基板的剖視圖。
第6F圖:依據本發明之第一實施例,形成有複數個凸塊之該基板的剖視圖。
第7A圖:依據本發明之第二實施例,該滾動件及該板體的剖視圖。
第7B圖:依據本發明之第二實施例,形成複數個光阻凸塊於該板體的剖視圖。
第7C圖:依據本發明之第二實施例,將該些光阻凸塊抵觸一基板剖視圖。
第7D圖:依據本發明之第二實施例,該些光阻凸塊及該基板的剖視圖。
第7E圖:依據本發明之第二實施例,形成有複數個凸塊之該基板的剖視圖。
第8A圖:習知於一基板上形成一光阻層的剖視圖。
第8B圖:習知以一遮罩圖案化該光阻層的剖視圖。
第8C圖:習知具有複數個凸塊之該基板的剖視圖。
請參閱第1圖,一種具有高度光萃取率之基板的製作方法10包含「提供滾動件及板體11」、「形成光阻凸塊於通孔12」、「以滾動件帶動板體轉動,使光阻凸塊之顯露面抵觸基板,並使光阻凸塊附著於基板13」及「進行圖案化基板步驟14」。
首先,請參閱第1、2、3及4圖,於「提供滾動件及板體11」的步驟中,該板體200設置於該滾動件100,該滾動件100具有複數個支撐肋110、一側面120、一通孔130及複數個導引孔140,該些支撐肋110用以支撐該板體200,以避免該板體200之機械強度不足,該通孔130凹設於該側面120,該板體200及該滾動件100之間具有一通氣空間S,各該導引孔140連通該通氣空間S及該通孔130,請參閱第6A圖,為本發明之第一實施例,該板體200具有一上表面210、一 下表面220及複數個通孔230,該些通孔230凹設於該上表面210,在實施例中,該些通孔230連通該上表面210及該下表面220,在本實施例中,各該通孔230為梯形孔,各該通孔230具有一第一傾斜側壁231、一第一通孔部232及一第二通孔部233,各該第一通孔部232位於各該第二通孔部233及該上表面210之間,各該第一傾斜側壁231位於各該第一通孔部232,各該第一通孔部232具有一第一開口232a,該第一開口232a位於板體200之該上表面210,各該第二通孔部233具有一第二開口233a,該第一開口232a大於該第二開口233a,可避免於填充一光阻材料P於各該通孔230時,該光阻材料P經由該第二通孔部233流出。
請參閱第7A圖,為本發明之第二實施例,其與第一實施例的差異在於該板體200之各該通孔230為椎狀孔。
請參閱第1、5、6B及7B圖,於「形成光阻凸塊於通孔12」的步驟中,以一點膠器A將該光阻材料P塗佈於該板體200,並以一刮刀B將該光阻材料P填充於各該通孔230中以形成複數個光阻凸塊300,由於該第二通孔部233連通該通氣空間S,於填充該光阻材料P於各該通孔230時可經由該第二通孔部233透氣,使該光阻材料P填充於各該通孔230中,較佳的,該光阻材料P僅填充於該第一通孔部232,且該刮刀B可同時移除位於該板體200之該上表面210之該光阻材料P,以形成複數個光阻凸塊300於該板體200之各該通孔230中,且各該光阻凸塊300具有一顯露面310,請參閱第6B及7B圖,由於各該通孔230為一梯形孔或一椎狀孔,因此,填充於各該通孔230中的光阻凸塊300為一梯形凸塊或一椎狀凸塊,較佳的,於「形成光阻凸塊於通孔12」的步驟中,同時對該板體200加熱,使得填充於各該通孔230中的該光阻凸塊300可定型為該梯型凸塊或該錐型凸塊。
請參閱第1、5、6C及7C圖,於「以滾動件帶動板體轉動,使光阻凸塊之顯露面抵觸基板,並使光阻凸塊附著於基板13」的步驟中,以該滾動件100帶動該板體200轉動,使該板體200之該上表面210朝向一基板400,並使得各該光阻凸塊300之該顯露面310抵觸該基板400之一表面410,並使各該光阻凸塊300在該板體200轉動過程中脫離該板體200之各該通孔230並附著於該基板400之該表面410上,由於各該光阻凸塊300及各該通孔230之間的附著力小於各該光阻凸塊300及該基板400之間的附著力,因此,各該光阻凸塊300附著於該基板400上,較佳的,於本步驟中,請參閱第3、4及5圖,其另包含插設於該通孔130之一通氣導管T,該通氣導管T具有複數個出氣孔T1,各該出氣孔T1對應各該導引孔140,因此可將一氣體G經由該通氣導管T及各該導引孔140通入該通氣空間S,由於該通氣空間S連通該第二通孔部233,該氣體G經由該通氣空間S導引至各該第二通孔部233,該氣體G經由該第二通孔部233頂推位於通孔230中的光阻凸塊300,使各該光阻凸塊300脫離各該通孔230而附著於該基板400之該表面410。
請參閱第5、6D及7D圖,附著於該基板400之該表面410上的各該光阻凸塊300具有一顯露的頂端部320及一顯露的第二傾斜側壁330,該第二傾斜側壁330位於該頂端部320與該基板400之該表面410之間,其中各該光阻凸塊300的該第二傾斜側壁330是由該通孔230的該第一傾斜側壁231所限制成形,且由於該板體200之各該通孔230為梯形孔或椎狀孔,因此,各該光阻凸塊300亦為梯形凸塊(第6D圖)或椎狀凸塊(第7D圖)。
請參閱第1、5、6D、6F、7D及7E圖,於「進行圖案化該基板步驟14」的步驟中,同時對該基板400及該些光阻凸塊300進行一微影製程,以該些具有該第二傾斜側壁330的光阻凸塊300做為遮罩並圖案化該基板400,以使該基 板400之該表面410形成有棋盤狀排列的複數個凹槽420及被該些凹槽420環繞的複數個導光件430,其中各該導光件430具有一第三傾斜側壁431,各該凹槽420具有一第四傾斜側壁421,該第三傾斜側壁431與該第四傾斜側壁421實質上為一相同側壁,且該第三傾斜側壁431與該第四傾斜側421壁是藉由該些光阻凸塊300的該第二傾斜側壁330所形成。請參閱第6D及6F圖,在本發明之第一實施例中,由於各該光阻凸塊300為梯形凸塊,因此,形成於該基板400之該些導光件430相同為梯形凸塊,請參閱第7D及7E圖,在本發明之第二實施例中,由於各該光阻凸塊300為錐狀凸塊,因此,形成於該基板400之該些導光件430相同為錐狀凸塊。
請參閱第6E圖,於「進行圖案化該基板步驟14」的步驟後,若該些光阻凸塊300未完全蝕刻,而有部分殘留於該基板400之該表面410,可進行一移除該些光阻凸塊300之步驟。
本發明藉由形成各該光阻凸塊300於各該通孔230中,並由該轉動件100帶動該板體200轉動將該些光阻凸塊300附著於該基板400之該表面410上,並藉由各該通孔230之該第一傾斜側壁231的限制,使各該光阻凸塊300具有該第二傾斜側壁330,再以該些光阻凸塊300做為遮罩並圖案化該基板400,使該基板400形成該些凹槽420及被該些凹槽420環繞的導光件430,其中各該導光件430具有一第三傾斜側壁431,各該凹槽420具有一第四傾斜側壁421,且該第三傾斜側壁431與該第四傾斜側壁421是藉由該些光阻凸塊300的該第二傾斜側壁330所形成,藉由該些具有該第三傾斜壁421的導光件430可增加該基板400的光萃取率,且由於本發明的製程簡單,可減少製作成本並增加製程之良率。
本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準,任何熟知此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內所作之任何變化與修改,均屬於本發明之保護範圍。
10‧‧‧具有高度光萃取率之基板的製作方法
11‧‧‧提供滾動件及板體
12‧‧‧形成光阻凸塊於通孔
13‧‧‧以滾動件帶動板體轉動,使光阻凸塊之顯露面抵觸基板,並使光阻凸塊附著於基板
14‧‧‧進行圖案化該基板步驟

Claims (11)

  1. 一種具有高度光萃取率之基板的製作方法,其包含:提供一滾動件及一板體,該板體設置於該滾動件,該板體具有一上表面、一下表面及複數個通孔,該些通孔連通該上表面及該下表面,各該通孔具有一第一傾斜側壁;形成複數個光阻凸塊於該板體之各該通孔中,各該光阻凸塊具有一顯露面;以該滾動件帶動該板體轉動,使各該光阻凸塊之該顯露面抵觸一基板的一表面,並使各該光阻凸塊在該板體轉動過程中脫離該板體之各該通孔並附著於該基板之該表面上,附著於該基板之該表面上的各該光阻凸塊具有一顯露的頂端部及一顯露的第二傾斜側壁,該第二傾斜側壁位於該頂端部與該基板之該表面之間,其中各該光阻凸塊的該第二傾斜側壁是由該通孔的該第一傾斜側壁所限制成形;以及進行圖案化該基板步驟,以該些具有該第二傾斜側壁的光阻凸塊為遮罩並圖案化該基板,以使該基板之該表面形成有棋盤狀排列的複數個凹槽及被該些凹槽環繞的複數個導光件,其中各該導光件具有一第三傾斜側壁,各該凹槽具有一第四傾斜側壁,該第三傾斜側壁與該第四傾斜側壁實質上為一相同側壁,且該第三傾斜側壁與該第四傾斜側壁是藉由該些光阻凸塊的該第二傾斜側壁所形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其中各該通孔具有一第一通孔部及一第二通孔部,各該第一通孔部位於各該第二通孔部及該上表面之間,其中各該第一傾斜側壁位於各該第一通孔部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其中各該第一通孔部具有一第一開口,該第一開口位於板體之該上表面,各該第二通孔部具有一第二開口,該第一開口大於該第二開口。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其中在各該光阻凸塊附著於該基板的步驟中,經由該第二通孔部提供一氣體頂推位於通孔中的光阻凸塊,使各該光阻凸塊脫離各該通孔。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其中在各該光阻凸塊附著於該基板的步驟中,該板體及該滾動件之間具有一通氣空間,該通氣空間連通該第二通孔部,該氣體是經由該通氣空間導引至各該第二通孔部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其另包含一通氣導管,該滾動件具有一側面、一通孔及複數個導引孔,該通孔凹設於該側面,各該導引孔連通該通氣空間及該通孔,該通氣導管插設於該通孔,該通氣導管具有複數個出氣孔,各該出氣孔對應各該導引孔,且該氣體是由該通氣導管及各該導引孔導引至各該通氣空間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其中形成複數個光阻凸塊於該些通孔中的步驟中,以一刮刀將一光阻材料填充於各該通孔中以形成該些光阻凸塊。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其中在進行圖案化該基板步驟後具有移除該些光阻凸塊之步驟。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其中該滾動件具有複數個支撐肋,該些支撐肋用以支撐該板體。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之具有高度光萃取率之基板的製作方法,其中各該通孔可選自梯形孔或椎狀孔。
  11. 一種具有高度光萃取率之基板的製作方法,其包含:提供一滾動件及一板體,該板體設置於該滾動件,該板體具有一上表面、一下表面及複數個通孔,該些通孔凹設於該上表面,各該通孔具有一第一傾斜側壁;形成複數個光阻凸塊於該板體之各該通孔中,各該光阻凸塊具有一顯露面;以該滾動件帶動該板體轉動,使各該光阻凸塊之該顯露面抵觸一基板的一表面,並使各該光阻凸塊在該板體轉動過程中脫離該板體之各該通孔並附著於該基板之該表面上,附著於該基板之該表面上的各該光阻凸塊具有一顯露的頂端部及一顯露的第二傾斜側壁,該第二傾斜側壁位於該頂端部與該基板之該表面之間,其中各該光阻凸塊的該第二傾斜側壁是由該通孔的該第一傾斜側壁所限制成形;以及進行圖案化該基板步驟,以該些具有該第二傾斜側壁的光阻凸塊為遮罩並圖案化該基板,以使該基板之該表面形成有棋盤狀排列的複數個凹槽及被該些凹槽環繞的複數個導光件,其中各該導光件具有一第三傾斜側壁,各該凹槽具有一第四傾斜側壁,該第三傾斜側壁與該第四傾斜側壁實質上為一相同側壁,且該第三傾斜側壁與該第四傾斜側壁是藉由該些光阻凸塊的該第二傾斜側壁所形成。
TW102131834A 2013-09-04 2013-09-04 具有高度光萃取率之基板的製作方法 TWI508135B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102131834A TWI508135B (zh) 2013-09-04 2013-09-04 具有高度光萃取率之基板的製作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102131834A TWI508135B (zh) 2013-09-04 2013-09-04 具有高度光萃取率之基板的製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201511082A TW201511082A (zh) 2015-03-16
TWI508135B true TWI508135B (zh) 2015-11-11

Family

ID=53186817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102131834A TWI508135B (zh) 2013-09-04 2013-09-04 具有高度光萃取率之基板的製作方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI508135B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110001153A1 (en) * 2007-11-22 2011-01-06 Saint-Gobain Glass France Substrate bearing an electrode, organic light-emitting device incorporating it, and its manufacture
US20120187412A1 (en) * 2011-01-24 2012-07-26 Soraa, Inc. Gallium-Nitride-on-Handle Substrate Materials and Devices and Method of Manufacture
TW201246599A (en) * 2011-05-06 2012-11-16 Nanocrystal Asia Inc Taiwan Semiconductor substrate and fabricating method thereof
TWM459526U (zh) * 2013-01-09 2013-08-11 Unistars 基板以及半導體結構

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110001153A1 (en) * 2007-11-22 2011-01-06 Saint-Gobain Glass France Substrate bearing an electrode, organic light-emitting device incorporating it, and its manufacture
US20120187412A1 (en) * 2011-01-24 2012-07-26 Soraa, Inc. Gallium-Nitride-on-Handle Substrate Materials and Devices and Method of Manufacture
TW201246599A (en) * 2011-05-06 2012-11-16 Nanocrystal Asia Inc Taiwan Semiconductor substrate and fabricating method thereof
TWM459526U (zh) * 2013-01-09 2013-08-11 Unistars 基板以及半導體結構

Also Published As

Publication number Publication date
TW201511082A (zh) 2015-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101145335B1 (ko) 반도체 장치의 콘택 홀 제조 방법
US20140110846A1 (en) Dual hard mask lithography process
US8728331B2 (en) Methods of fabricating imprint mold and of forming pattern using the imprint mold
JP2007219303A (ja) マイクロレンズ用型の製造方法
JP4614916B2 (ja) 窪みの形成方法、枠型の形成方法および枠型
JP2007025692A5 (zh)
US7846345B2 (en) Method of manufacturing an imprinting template using a semiconductor manufacturing process and the imprinting template obtained
TW201140650A (en) Pattern formation method
JP2007133153A (ja) マイクロレンズ用型の製造方法
JP2007133153A5 (zh)
JP4195347B2 (ja) インクジェットプリントヘッドの製造方法
JP2007058179A (ja) 印刷板の製造方法
JP2011066273A (ja) 微細マスクパターンの形成方法、ナノインプリントリソグラフィ方法および微細構造体の製造方法
US20080048336A1 (en) Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same
TWI508135B (zh) 具有高度光萃取率之基板的製作方法
JP2011108948A5 (zh)
JP2005303310A5 (zh)
KR20150100610A (ko) 나노임프린트 몰드의 제조 방법
JP2014138067A5 (zh)
US20070249175A1 (en) Pitch-shrinking technologies for lithographic application
JP6279430B2 (ja) テンプレート、テンプレート形成方法および半導体装置の製造方法
JP6136721B2 (ja) パターン形成方法及びインプリントモールドの製造方法
US20140347734A1 (en) Light extraction substrate of organic el lighting
JP5649479B2 (ja) インプリントモールドの製造方法、インプリントモールド、及び配線板
TWI397114B (zh) Method for manufacturing epitaxial substrate

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees