JP2016509359A - Oled用導電性支持体、これを組み込んだoled、及びその製造 - Google Patents
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Abstract
Description
・屈折率n1の範囲が1.3〜1.6であり、第1面と称する第1の主面を有する、(透明な、任意選択的に、特に表面が構造化されている場合には、半透明の)有機又は無機ガラスのグレージング基材、及び、
・金属グリッドと称するグリッドに配置された層を含む電極であって、このグリッドは20Ω/□未満、より好ましくは10Ω/□未満のシート抵抗を有する金属で製作されており(純粋な金属又は合金の単層又は多層)、該金属グリッドは少なくとも100nm、好ましくは最大で1500nmの厚さe2を有し、また該グリッドは50μm以下の幅Aを有するストランド(トラックと称することもあるもの)から形成されて、5000μm以下のストランド間距離Bをおいて離間されており、これらのストランドは1.65より高い屈折率の複数の電気絶縁非導電性区域で隔てられている、電極、
をこの順序で含む導電性OLED支持体であって、
(第1面と同じ側で且つ)前記金属グリッドの下に、
・光のバルク及び/又は表面散乱によって一般に光を抽出する、所定の厚さe0の電気絶縁性光抽出層であって、好ましくは、
・散乱面(光を散乱させるために構造化された)である、前記基材の第1面、及び/又は、
・(平坦な又は構造化された)前記基材の第1面の上の(好ましくはすぐ上の)追加散乱層であって、好ましくは、散乱要素を含有する無機材料で、例えば屈折率n4が1.7〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00の材料であって、n4とは異なる、好ましくは少なくとも0.1、より好ましくは少なくとも0.2、特に少なくとも0.25だけ異なる屈折率neを有するのが好ましい散乱要素を含有する材料で(本質的に)製作された、追加散乱層、
を含む(からなる)電気絶縁性光抽出層、及び、
・その厚さの一部を構造化された好ましくは電気絶縁性の層であり、所定の組成を有し、1.70〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00の屈折率n3の層であって、前記光抽出層の上(好ましくはすぐ上)、且つ特に前記グリッドの下にそれと接触して位置しており、該当する場合n3−n4の差の絶対値が好ましくは0.1未満であって、次のものから、すなわち、
・キャビティで構造化された領域(前記光抽出層から最も遠くに位置する)であって、好ましくは電気絶縁性であるこの領域に非導電性の区域が含まれており、前記キャビティの少なくとも一部分に前記金属グリッドが含まれている、キャビティで構造化された領域、及び、
・前記光抽出層の最も近くに位置し下側(非構造化)領域と称する別の領域であって、好ましくは当該光抽出層のすぐ上に位置し、好ましくは電気絶縁性である、別の領域、
から形成されている層、
を含んでいる導電性OLED支持体に関する。
・金属グリッド下の、光のバルク散乱及び/又は表面散乱により一般に光を抽出する、所定の厚さe0の、電気絶縁性光抽出層であって、好ましくは、
・散乱面(光を散乱させるために構造化された)である、基材の第1面、及び/又は、
・(平坦な又は構造化された)前記基材の第1面上の(好ましくはすぐ上の)追加散乱層であって、好ましくは、散乱要素を含有する無機材料で、例えば屈折率n4が1.7〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00の材料であって、n4とは異なる、好ましくは少なくとも0.1、より好ましくは少なくとも0.2、特に少なくとも0.25だけ異なる屈折率neを有するのが好ましい散乱要素を含有する材料で(本質的に)製作された、追加散乱層、
を含む(からなる)電気絶縁性光抽出層、及び、
・厚さの一部を構造化され、所定の組成を有し、屈折率n3が1.70〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00の層であって、前記光抽出層の上(好ましくはすぐ上)に位置し好ましくは前記グリッドと接触していて、該当する場合(n3とn4とが異なる場合)n3−n4の差の絶対値が好ましくは0.1未満である、厚さの一部を構造化された層であって、当該一部を構造化され、好ましくは電気絶縁性である層は、次のものから、すなわち、
・キャビティで構造化された領域(前記光抽出層から最も遠くに位置する)であって、この領域には非導電性の区域が含まれており、前記キャビティの少なくとも一部分に前記金属グリッドが含まれている、キャビティで構造化された領域、及び、
・前記金属グリッドの下の、前記光抽出層の最も近くに位置し下側(非構造化)領域と称する別の領域であって、好ましくは当該光抽出層のすぐ上に位置する、別の領域、
から形成されている層、
を含んでいる。
・キャビティ幅AcがWよりずっと小さいことから構造化に悪影響を及ぼさず、
・又は、特にフォトレジストの場合に、エッチングマスクの形成に悪影響を及ぼさない。
・基材は好ましくは無機ガラスで製作され、光抽出層は、散乱要素とガラス質材料、好ましくはエナメル、を含む(特にそれからなる)材料とを含有する追加散乱層を含み(さらにはそれで構成され)、部分的に構造化された層の組成はガラス質材料、好ましくはエナメル、を含み(特にそれからなり)、そしてこの組成は好ましくは追加散乱層の材料と同じであり、
・及び/又は、好ましくは無機ガラスで製作される基材の第1の(形成された)散乱面は、光抽出層の一部を形成するか又は光抽出層であって、部分的に構造化された層の組成はガラス質材料、好ましくはエナメル、を含む(特にそれからなる)。
・基材と光抽出層とで構成される組立体は、少なくとも40%、さらには50%の光透過率TLと、好ましくは最高5%、さらには3%の吸収率を有すること、及び、
・基材/(好ましくはガラス質材料/エナメルで製作される)光抽出層/(好ましくはガラス質材料、より好ましくはエナメルで作製され、光抽出層のすぐ上に位置する)部分的に構造化された層の組立体は、少なくとも40%、さらには50%のTLと、好ましくは最高で5%、さらには3%の吸収率を有すること、
が好ましい。
・無機ガラス基材の第1面(この面は散乱性にされているか又は慣用的な平坦な研磨面である)と追加散乱層との間に、及び/又は、
・無機ガラス基材の第1面(この面は散乱性にされているか又は慣用的な平坦な研磨面である)と好ましくは電気絶縁性の部分的に構造化された層との間に、
追加してもよい。
・第1金属、好ましくは銀をベースとし、さらには銀からなる第1金属で製作されるのが好ましい第1金属層であって、グリッドの総厚e2の15%未満、さらには10%未満を構成し、及び/又は総厚e2のうちの少なくとも3nm、5nm、さらには少なくとも10nm、且つ好ましく100nm未満、さらには50nm未満を構成している第1金属層、特に結合層(キャビティ底面のすぐ上に位置し、すなわちキャビティ底面に最も近い金属層)、
・銀、アルミニウム又は銅から選択されるのが好ましい第2金属をベースとした第2金属層(第1層上に、すなわち基材と反対側に位置する)であり、特に第1層との識別可能な界面を形成し、グリッドの総厚e2の少なくとも70%、80%、さらには90%を構成している第2金属層であって、好ましくは特に第1層のように銀をベースとするか又は銀からなる、第2金属層、
をこの順序で含む(あるいはこれらからなる)銀の多層でよい。
・上記の材料で製作され、厚さが少なくとも100nmの、好ましくは銀をベースとした(単一の)金属層であって、例えば銀めっき又は真空被着(スパッタリング)により被着される金属層、
・腐食(水及び/又は空気)から保護する被覆層であって、上記金属層とは異なる材料、例えば特に銀以外の金属で製作されて、10nm未満、より好ましくは5nm未満又は3nm未満の厚さを有する被覆層、
から構成される二層でよい。
・少なくとも1つは銀の第2金属層であるのが好ましく、銀の多層であるのが一層好ましい、上述の金属多層、及び、
・腐食(水及び/又は空気)から保護する被覆層であって、例えば特に銀以外の金属で製作されて、10nm未満、より好ましくは5nm未満又は3nm未満の厚さを有し、真空被着(蒸着又はスパッタリング)により、好ましくは電気めっきにより被着される被覆層、
から構成される三層でもよい。
・ρが10-2Ω・cm未満のClevios(登録商標)FET、又は、
・ρが約10Ω・cmのClevios(登録商標)HIL 1.1、
を挙げることができる。
・好ましくは、特にアルミニウム及び/又はガリウムをドープした酸化亜鉛(AZO及び/又はGZO)をベースとした層、又は任意選択的にITZOをベースとした層、及び/又は、
・例えばスズ亜鉛酸化物SnZnOをベースとした、好ましくは厚さが100nm未満である、又はインジウム亜鉛酸化物(IZOで表される)をベースとした、又はインジウムスズ亜鉛酸化物(ITZOで表される)をベースとした、(特にアモルファスの)層、
から選択される。
・1時間にわたって200℃に耐性を示す。
・13のpH(洗浄溶液)に耐性を示す。
・1.5と2の間のpHに耐性を示す(特に、OLED系を積層する前に導電性コーティング用にPEDOTを被着する際に)。
・層間剥離に耐性を示す(スコッチテープ試験)。
・次のものを含む基材、すなわち、
・基材の散乱性の第1面により形成される及び/又は、例えば散乱面を有する、基材上の(好ましくはすぐ上に位置する)追加散乱層により形成される、光抽出層、及び、
・光抽出層上の、屈折率n3の組成物で製作された高屈折率層と称するものであって、特に散乱粒子を含有せず、任意選択的に細孔タイプの要素を0.5%未満、好ましくは0.2%未満、特に0.1%未満の体積濃度で含有する、ガラス質材料を含み、好ましくは散乱面の粗さプロファイルを覆う、高屈折率層、
とを含む基材を用意する工程、
・次のことを含む、すなわち、
・高屈折率層上に、所定の配置の貫通開口部(線及び/又はメッシュ)を有する不連続マスク(例えばレジストの、特にフォトレジストの層)を形成すること、
・マスク(その幅Amが実質的にAに等しく、開口間距離Bmが実質的にBに等しい)の、特に直立した開口部(基材に対して直角)であるか又は基材から離れる方向に口を広げた開口部である貫通開口部を通して、高屈折率層をエッチングすること、
を含む、高屈折率層にキャビティと称する一端の閉じた開口部を形成して、部分的に構造化された層を形成する工程、及び、
・金属グリッド(非導電性区域の上側面と称する面と金属グリッドの表面との間に間隔Hを有する)を形成する工程であって、次のものを含む、すなわち、
・第1被着作業と称するものにおける、キャビティ内へのグリッドの第1金属の第1被着であって、この被着は好ましくは金属グリッドのための唯一の被着であり、第1金属をキャビティ底部に直接又はキャビティ底部の全て若しくは一部を覆う誘電体(非金属)の下層(結合用の下層)の上に被着させる、第1被着、及び、
・(少なくとも部分的にキャビティ内における)第1金属上へのグリッドの第2金属の任意選択的な第2被着、
を含む工程、
をこの順序で含む導電性支持体の製造方法にも関する。
・屈折率n3のガラスフリットを有機媒体と混合することで、平坦化ペーストと称するペーストを、好ましくは散乱粒子を添加することなしに作り、
・このペーストを例えばスクリーン印刷で、
・好ましくは(散乱性表面の)無機ガラスシートの上に直接、又は無機ガラスシート上の(散乱性表面の)無機バリア層の上に、又は追加散乱層の上に被着させ、
・このペーストを被着させた無機ガラスシートを焼成する、
という方法により得られるエナメルであるのが好ましい。
・ガラスフリットを有機媒体と、及び好ましくは散乱粒子と、混合することで、散乱ペーストと称するペーストを作り、
・このペーストを、好ましくは(平坦で研磨された又は表面を構造化されて散乱性の)無機ガラスシートの上に直接、又は無機ガラスシート上の無機バリア層の上に被着させ、
・このペーストを被着させた無機ガラスシートを焼成する、
という方法により得られるエナメルであるのが好ましい。
・第1被着作業は、被着のみの作業(グリッド金属の被着のみの作業)であり、湿式処理であって、好ましくは銀めっき作業であり、又は、
・第1被着作業は、銀をベースとする第1金属を被着するための物理気相成長作業であり、あるいはそれは湿式処理、好ましくは銀めっき作業であって、第2被着作業が、好ましくは銀をベースとする第2金属の、電気めっきである。
・SnCl2の第1(増感)水溶液(好ましくは撹拌(好ましくは5分未満、例えば1分未満)され、続いて(蒸留)水ですすがれる)、
・PdCl2の第2(活性化)水溶液(好ましくは撹拌(好ましくは5分未満、例えば1分未満)され、続いて(蒸留)水ですすがれる)、及び、
・銀塩、好ましくは硝酸銀の溶液と銀還元剤、好ましくはグルコン酸ナトリウムの溶液との混合物である第3溶液(好ましくは撹拌(好ましくは15分未満、さらには5分未満、例えば1分未満)され、続いて(蒸留)水ですすがれる)、
のうちの1つが、この順序で入っている。
・SnZnO若しくはAZOの任意選択的な第1被着、及びITO、MoO3、WO3若しくはV2O5の第2の若しくは最後の若しくは唯一の被着を含む、物理気相成長により、特にスパッタリングにより、及び/又は、
・湿式処理により、例えば、導電性ポリマーの被着、好ましくは単層導電性コーティングの単一被着により、
グリッド上に直接且つ部分的に構造化された層の上に(直接)被着する工程を含むことができる。
なお、原文明細書及び図面では電子出願の「図面の簡単な説明」の様式では許容されない「図1’a」〜「図1’e」、「図2’a」、「図2’b」、「図4’a」〜「図4’g」との表記が使用されていたため、翻訳文である本書中ではそれらを「図1a−2」〜「図1e−2」、「図2a−2」、「図2b−2」、「図4a−2」〜「図4g−2」に変更するとともに、相応して図番を変更した図面を図面の翻訳文として提出した。これに関連して、原文明細書及び図面の「図1a」〜「図1d」、図「4a」〜「図4g」を、「図1a−1」〜「図1d−1」、図「4a−1」〜「図4g−1」に変更した。
・無機ガラスを使用する場合には任意選択的なアルカリ金属バリア層(図示せず)、又は有機ガラスを使用する場合には湿分バリア層、例えば窒化ケイ素又はTi(Zr)O2など、
・散乱要素4’(粒子等)を含有する追加散乱層により形成される電気絶縁性の好ましくは無機の光抽出層41であって、散乱要素、すなわち散乱粒子4’及び任意選択的に細孔4”を含有している、屈折率n4が1.7〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00の高屈折率ガラス質材料で特に製作され、好ましくは所定のミクロンサイズ厚さe4を有する光抽出層41、
・屈折率n3が1.7〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00であり、好ましくはミクロンサイズの厚さe3の高屈折率、電気絶縁性の部分的に構造化された層3あって、好ましくは高屈折率ガラス質材料(より好ましくはエナメル)で製作され、該高屈折率材料に散乱粒子が添加されておらず、追加散乱層の表面を覆い、且つ次のもの、すなわち、
・追加散乱層のすぐ上に位置し、追加散乱層の表面を覆う、所定の好ましくはミクロンサイズの厚さe’3の、下側領域30と称する(連続的で構造化が施されていない)領域30、及び、
・突出部と凹部とで構造化された構造化領域31であって、突出部は平坦な上側面31’を画定し、キャビティ又は凹部は底部32’(下側面を画定している)及び側面32に囲まれていて、キャビティは好ましくは最大で1500nmの高さecを有し、且つ所定の均一又は不均一な(一次元的又は二次元的な、特にメッシュ状の)配置構成を有しており、上記上側面は局所的に平坦である、構造化領域31、
を含んでなる高屈折率、電気絶縁性の部分的に構造化された層3、
・金属グリッドと称する、グリッド20に配置された層を含む電極2であって、このグリッドは金属、好ましくは銀で製作されており、またこのグリッドは(全)キャビティ内に定着したストランド、言い換えるとトラック、20から形成された単層であり、ストランドは50μm未満、より好ましくは30μm以下(且つ少なくとも1μm)の幅Aを有し、5000μm以下の距離Bをあけて離間されており、そしてグリッドは少なくとも100nm、且つ好ましくは1500nm未満の厚さe2を有し、グリッドは20Ω/□未満、さらには10Ω/□未満又は5Ω/□未満のシート抵抗を有している、電極20、及び、
・グリッドの上端及び上側面上に位置する透明導電性酸化物で作製された無機層51で構成された単層の導電性コーティング5であって、厚さe5が500nm以下、抵抗率ρ5が20Ω・cm未満であって金属グリッドの抵抗率よりも高く、少なくとも1.55の所定の屈折率n5を有する、導電性コーティング5、
を支持している。
・いろいろな厚さ(約200nmと600nmの間)のHTL、
・厚さ10nmの電子ブロック層(EBL)、
・オレンジ色で発光する厚さ10nmの層、
・青色で発光する厚さ25nmの層、
・厚さ10nmの正孔ブロック層(HBL)、及び、
・厚さ40nmの電子輸送層(ETL)、
を含んでいる。
カソードは厚さ100nmのアルミニウム層であった。
・下記の銀めっき溶液を希釈した(希釈する溶液はDR.−ING.SCHMITT,GMBH社(Dieselstr.16, 64807 Dieburg/GERMANY)より調達)。
・250cm3フラスコ内の100μlのMiraflex(登録商標)1200(SnCl2の溶液)(溶液No.1)
・250cm3フラスコ内の200μlのMiraflex(登録商標)PD(PdC12の溶液)(溶液No.2)
・250cm3フラスコ内の15mlのMiraflex(登録商標)RV(還元剤グルコン酸ナトリウムの溶液)(溶液No.3)
・250cm3フラスコ内の15mlのMiraflex(登録商標)S(硝酸銀溶液)(溶液No.4)
・基材(エナメル層4、3を備えた)をトレイに入れ、そこに溶液No.1の中身を注ぎ、1分間撹拌してから蒸留水ですすいだ。
・基材(エナメル層4、3を備えた)を2番目のトレイに入れ、そこに溶液No.2の中身を注ぎ、1分間撹拌してから蒸留水ですすいだ。
・基材(エナメル層4、3を備えた)を最後のトレイに入れ、そこに溶液3、4の中身を注ぎ、1分間撹拌してから蒸留水ですすいだ。
・任意選択的に、基材(エナメル層4、3を備えた)を1番目のトレイ(溶液No.1)に入れ、撹拌を1分間行ってから蒸留水ですすいだ。
・下記の銀めっき溶液を希釈した(希釈する溶液はDR.−ING.SCHMITT,GMBH社(Dieselstr.16, 64807 Dieburg/GERMANY)より調達)。
・250cm3フラスコ内の42μlのMiraflex(登録商標)1200(SnCl2の溶液)(溶液No.1)
・250cm3フラスコ内の125μlのMiraflex(登録商標)PD(PdC12の溶液)(溶液No.2)
・250cm3フラスコ内の6mlのMiraflex(登録商標)RV(還元剤グルコン酸ナトリウムの溶液)(溶液No.3)
・250cm3フラスコ内の6mlのMiraflex(登録商標)S(硝酸銀溶液)(溶液No.4)
・ガラス基材をトレイに入れ、そこに溶液No.1の中身を注いだ。
・この溶液を1分間撹拌してから基材を蒸留水ですすいだ。
・グレージング基材を2番目のトレイに入れ、そこに溶液2の中身を注いだ。
・この溶液を1分間撹拌してから基材を蒸留水ですすいだ。
・グレージング基材を最後のトレイに入れ、そこに(ストップウォッチを始動させてから)溶液3、4の中身を注いだ。
・溶液を30秒間撹拌してから基材を蒸留水ですすいだ。
・任意選択的に、グレージング基材を1番目のトレイに入れ、撹拌を1分間行った。
・そして任意選択的に、基材を蒸留水ですすいだ。
・光抽出層上に、前述の屈折率n3を有するガラス質材料(好ましくはエナメル)を含む高屈折率層3aを形成し、
・そして層3aに、液状マスク材料、ここではポジ型フォトレジストの慣用的なAZ1505レジストの層60を適用する、
というものである。
・光抽出層上に、前述の屈折率n3を有するガラス質材料(好ましくはエナメル)を含む高屈折率層3aを形成し、
・そして層3aに、液状マスク材料、ここではポジ型フォトレジストの慣用的なAZ1505レジストの層60を適用する、
というものである。
Claims (31)
- 導電性OLED支持体(100〜300)であり、
・第1面と称する第1の主面(11)を有する、屈折率n1が1.3〜1.6の有機又は無機ガラスのグレージング基材(1)、及び、
・第1面(11)と同じ側で該グレージング基材によって支持された電極であって、この電極は金属グリッドと称するグリッド(2、20)に配置された層を含み、このグリッドは20Ω/□未満のシート抵抗を有する金属で製作されていて、少なくとも100nmの厚さe2を有し、また該グリッドは50μm以下の幅Aを有するストランド(20)から形成されて、5000μm以下のストランド間距離Bをおいて離間されており、これらのストランドは1.65より高い屈折率の複数の電気絶縁非導電性区域で隔てられている、電極、
をこの順序で含む導電性OLED支持体(100〜300)であって、
第1面(11)と同じ側で且つ前記金属グリッドの下に、
・電気絶縁性光抽出層(41〜42)、及び、
・その厚さの一部を構造化された層(3)であり、所定の組成を有し、屈折率n3が1.70〜2.3であり、前記光抽出層の上に位置している部分的に構造化された層(3)であって、次のものから、すなわち、
・前記光抽出層から最も遠くに位置し、前記金属グリッドを少なくとも部分的に含むキャビティで構造化された領域(31)であって、前記非導電性区域を含んでいる領域(31)、及び、
・前記光抽出層の最も近くに位置し、好ましくは当該光抽出層のすぐ上に位置する、下側領域と称する別の領域(30)、
から形成されている部分的に構造化された層(3)、
を含むこと、
且つ、前記非導電性区域(31)の上側面(31’)と称する面と前記金属グリッド(2)の表面との距離Hが絶対値で100nm以下であること、
を特徴とする導電性OLED支持体(100〜300)。 - 前記構造化された領域(31)、及び好ましくは前記下側領域(30)が、散乱粒子を含有しないことを特徴とする、請求項1に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 前記部分的に構造化された層(3)が電気絶縁性であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 前記部分的に構造化された層(3)がガラス質材料、好ましくはエナメルで製作されていることを特徴とする、請求項1〜3の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 前記基材(1)が好ましくは無機ガラス製であり、前記光抽出層が追加散乱層(41)を含んでいて、この追加散乱層の構成成分はガラス質材料、好ましくはエナメルと、散乱要素(4’、4”)とを含み、且つ前記部分的に構造化された層(3)の組成がガラス質材料、好ましくはエナメルを含み、その組成は特に前記追加散乱層の材料のそれと同一であること、及び/又は、好ましくは無機ガラス製である前記基材の散乱性の第1面(42)が前記光抽出層の一部を形成するか又は前記光抽出層であり、前記部分的に構造化された層(3)の組成がガラス質材料、好ましくはエナメルを含むことを特徴とする、請求項1〜4の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 好ましくは高さecが少なくとも50nmである、前記キャビティ(32、32’)が、直立した又はL≦1.4ecとなるような水平距離Lだけ前記基材からの距離と共に口を広げた側面(32)に囲まれていることを特徴とする、請求項1〜5の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 前記金属グリッド(20)が銀で製作されており、銀めっきにより得られることを特徴とする、請求項1〜6の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 好ましくは銀で製作される、前記ストランド(2)が細長く、当該ストランドはその長さに沿って前記上側面(31’)と同じ高さにある周辺側方領域(23、23’)間に中央領域(24)を有すること、且つ、前記中央領域の表面粗さが前記周辺領域における表面粗さより大きく、前記周辺領域における粗さパラメータRqが好ましくは最大で約5nmであり、前記中央領域におけるRqが少なくとも10nmであることを特徴とする、請求項1〜7の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 各周辺側方領域(23、23’)の幅L1が前記キャビティの高さec以上であって、L1≦1.4ecであることを特徴とする、請求項8に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 好ましくは銀で作製される、前記金属グリッド(20)が、前記上側面から引っ込んだ中央領域を有することを特徴とする、請求項1〜9の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 好ましくは銀で作製される、前記金属グリッド(20)が、25%未満又は10%未満、さらには6%未満の被覆率Tを有することを特徴とする、請求項1〜10の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 厚さe2が1500nm未満、好ましくは100〜1000nm、特に200〜800nmであり、幅Aが30μm未満、好ましくは1.5〜20μmであることを特徴とする、請求項1〜11の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 前記金属グリッド(20)の材料が、銀、銅、アルミニウム、金、及びこれらの金属をベースとした合金により形成される群から選択され、好ましくは銀をベースとし、さらには銀で構成されていることを特徴とする、請求項1〜12の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 前記金属グリッド(2)が多層であって、
・第1金属、好ましくは銀をベースとし、あるいは銀からなる第1金属で製作された第1金属層であって、前記グリッドの総厚e2の10%未満を構成し、及び/又は当該総厚e2のうちの少なくとも3nm、好ましく100nm未満、さらには50nm未満を構成している第1金属層、及び、
・銀、アルミニウム又は銅から選択されるのが好ましい第2金属をベースとした第2金属層であり、前記グリッドの厚さe2の少なくとも80%、さらには少なくとも90%を構成している第2金属層であって、好ましくは特に第1層のように銀をベースとするか又は銀からなる、第2金属層、
を含んでいることを特徴とする、請求項1〜13の一項に記載の導電性支持体(200)。 - 好ましくは銀で製作される、前記グリッド(2)が、前記キャビティ内に直接位置するか、又は前記キャビティの底部に存在する、結合層と称する誘導体層上に位置しており、特に1種以上の酸化物から形成される、好ましくは無機の前記結合層が、好ましくは前記上側面に存在せず、この結合層の厚さが30nm未満、さらには10nm未満であることを特徴とする、請求項1〜14の一項に記載の導電性支持体(300)。
- 導電性コーティング(5、51、52)が、前記上側面(31’)及び好ましくは銀で作製される前記金属グリッド(2)を、好ましくは直接、覆っており、この導電性コーティングが特に500nm以下の厚さe5、20Ω・cm未満であり前記金属グリッドの抵抗率より高い抵抗率ρ5、及び少なくとも1.55の屈折率n5を有することを特徴とする、請求項1〜15の一項に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 前記導電性コーティング(5)が、特に仕事関数を整合させるために、屈折率naが1.7と2.3の間に含まれる無機層(51)、好ましくは最終層、を含み、厚さが150nm未満であるのが好ましいこの無機層(51)が、特に酸化スズ及び/又は酸化亜鉛及び/又は酸化インジウムをベースとした透明導電性酸化物で製作されており、前記酸化物は任意選択的にドープされ及び/又は混合されていて、好ましくは酸化インジウムスズITO又はMoO3、WO3若しくはV2O5をベースとしていることを特徴とする、請求項16に記載の導電性支持体(100〜300)。
- 前記導電性コーティング(5)及び少なくとも前記基材から最も遠い前記最終層が、PEDOT又はPEDOT:PSS等の導電性ポリマーから作製されたサブミクロンサイズの厚さの、屈折率nbが少なくとも1.55の有機層(52)を含むことを特徴とする、請求項16又は17に記載の導電性支持体(300)。
- 前記導電性コーティングが多層であって、前記無機層(51)又は前記有機層(52)の下に、前記金属グリッド(2)のすぐ上に位置し且つ前記非導電性区域を覆う第1層(51’)を含み、この第1層は、200nm未満の厚さe’5及び1.7と2.3の間に含まれる屈折率n’5の透明導電性酸化物で作製され、特に酸化亜鉛、とりわけアルミニウム及び/又はガリウムをドープした酸化亜鉛をベースとする層であることを特徴とする、請求項16又は17に記載の導電性支持体。
- 前記導電性コーティング(5、51、52)上に被着され、任意選択的に正孔輸送層HTL又は正孔注入層HILを含む、有機的発光系を含むことを特徴とする、請求項16〜19の一項に記載の導電性支持体。
- 請求項1〜20のいずれか一項に記載の導電性支持体(100〜300)を組み込んだ有機発光デバイス。
- 請求項1〜20の一項に記載の導電性支持体(100〜300)の製造方法であって、以下の工程、すなわち、
・次のものを含む基材、すなわち、
・当該基材の散乱性の第1面により形成される及び/又は当該基材上の追加散乱層により形成されるのが好ましい、光抽出層(4)、及び、
・前記光抽出層上の、屈折率n3の組成物で作製され、好ましくは散乱粒子を含有しない、高屈折率層(3a)と称するもの、
を含む基材を用意する工程、
・前記高屈折率層(3a)にキャビティを形成して、部分的に構造化された層(3)を形成する工程であって、
・前記高屈折率層(3a)上に、所定の配置構成の貫通開口部を有する不連続マスクを形成すること、及び、
・前記マスクの貫通開口部を通して前記高屈折率層(3a)をエッチングすること、
を含むキャビティ形成工程、及び、
・第1被着作業と称するものにおいて、前記キャビティ内に前記グリッドの第1金属を、好ましくは銀を被着することを含む、金属グリッド(2)を形成する工程、
をこの順序で含むことを特徴とする、請求項1〜20の一項に記載の導電性支持体(100〜300)の製造方法。 - 前記エッチングが湿式処理、特に酸性溶液を用いる湿式処理であることを特徴とする、請求項22に記載の導電性支持体の製造方法。
- 前記マスクがレジスト、好ましくはフォトレジストであることを特徴とする、請求項22又は23に記載の導電性支持体の製造方法。
- 前記第1被着作業が銀めっき作業であることを特徴とする、請求項22〜24の一項に記載の導電性支持体の製造方法。
- 前記第1被着作業が銀めっき作業であり、且つスズ塩での処理を含む増感工程及び/又はパラジウム塩での処理を含む活性化工程を含むことを特徴とする、請求項22〜25の一項に記載の導電性支持体の製造方法。
- 前記キャビティの少なくとも1つが、前記マスクと前記高屈折率層との界面の平面における前記マスクの貫通開口部の幅より大きい幅を有し、前記キャビティに面している前記マスクの表面部分を前記上側面を越えて張り出させること、且つ、前記第1被着作業が銀めっき作業であり、前記キャビティを少なくとも部分的に埋め且つ前記キャビティの側面の全高さ及び前記表面部分の全て又は一部を埋めることで、前記上側面と同じ高さにあり且つ前記開口部に向き合った中央ストランド領域(24)より粗さが小さい周辺側方ストランド領域(22、23’)を形成することを特徴とする、請求項22〜26の一項に記載の導電性支持体の製造方法。
- 前記第1被着作業が銀めっき作業であって、前記キャビティを部分的に埋めることを特徴とする、請求項22〜27の一項に記載の導電性支持体の製造方法。
- 前記高屈折率層(30)がガラスフリットをベースとする第1組成物から特に得られるエナメルを含み、そして好ましくは、前記追加散乱層が、散乱粒子を含むこと以外は好ましくは前記第1組成物と同一であるガラスフリットをベースとする第2組成物から得られるエナメルを含むことを特徴とする、請求項22〜28の一項に記載の導電性支持体の製造方法。
- 前記第1被着作業が前記グリッドを形成するための被着だけの作業であり、前記第1被着作業が湿式被着作業であって、好ましくは銀めっき作業であること、又は、前記第1被着作業が物理気相成長作業若しくは湿式被着作業であって、好ましくは銀めっき作業であり、第2の好ましくは銀をベースとする金属を電気めっき若しくは銀めっきにより被着する第2被着作業が続き、前記第1及び第2被着作業を任意選択的に異なる被着法を用いて行うことを特徴とする、請求項22〜29の一項に記載の導電性支持体の製造方法。
- 前記導電性コーティングを被着する前に、前記電極を180℃より高い温度、好ましくは250℃と450℃の間、特に250℃と350℃の間に含まれる温度に、好ましくは5分と120分の間、特に15分と90分の間に含まれる時間わたって加熱する工程を含むこと、及び/又は、前記導電性コーティングを形成するための無機層、好ましくはITO層の被着と、180℃より高い温度、好ましくは250℃と450℃の間、特に250℃と350℃の間に含まれる温度への、好ましくは5分と120分の間、特に15分と90分の間に含まれる時間にわたる加熱とを含むことを特徴とする、請求項22〜30の一項に記載の導電性支持体の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019021629A (ja) * | 2017-07-11 | 2019-02-07 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 照明パネルおよびその製造方法、照明モジュール、照明装置、並びに照明システム |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101493601B1 (ko) | 2013-07-17 | 2015-02-13 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 발광 디바이스용 적층체 및 그의 제조 방법 |
KR101493612B1 (ko) | 2013-10-08 | 2015-02-13 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 발광 디바이스용 적층체 및 그의 제조 방법 |
KR101530047B1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-22 | 주식회사 창강화학 | 광학 부재 및 이를 구비하는 표시 장치 |
CN103943697B (zh) * | 2014-03-28 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性透明太阳能电池及其制备方法 |
FR3023979B1 (fr) * | 2014-07-17 | 2016-07-29 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
FR3025944B1 (fr) * | 2014-09-11 | 2017-11-24 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour dispositif electrochromique, dispositif electrochromique l'incorporant, et sa fabrication. |
KR102528355B1 (ko) * | 2016-05-11 | 2023-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 장치 |
KR101883600B1 (ko) * | 2017-05-24 | 2018-07-30 | 단국대학교 산학협력단 | 유연성을 갖는 광추출층을 포함하는 유기발광소자의 제조 방법 |
KR101884567B1 (ko) * | 2017-05-24 | 2018-08-01 | 단국대학교 산학협력단 | 굽힘 안정성이 우수한 광추출층을 포함하는 유기발광소자의 제조 방법 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH075450A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明配線付き基板およびその製造方法 |
JPH07316826A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-12-05 | Glaverbel Sa | ガラス質基体上に銀被覆を形成する方法 |
WO1997034447A1 (fr) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique et affichage electroluminescent organique |
JPH1092327A (ja) * | 1996-08-20 | 1998-04-10 | Lg Electron Inc | カラープラズマディスプレイパネルの隔壁及びその製造方法 |
JP2000284724A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Denso Corp | 表示用電極基板の製造方法 |
JP2004111095A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2005239789A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子用有機材料及び有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005276803A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 |
JP2007080579A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Toyota Industries Corp | 面発光装置 |
JP2008277202A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Aitesu:Kk | 多層基板およびその製造方法 |
JP2010103120A (ja) * | 2009-12-15 | 2010-05-06 | Nec Corp | 光学基板、発光素子、表示装置およびそれらの製造方法 |
US20110001159A1 (en) * | 2008-03-18 | 2011-01-06 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate for electronic device, layered body for organic led element, method for manufacturing the same, organic led element, and method for manufacturing the same |
WO2011096244A1 (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板の製造方法、透明導電性基板および表示素子 |
JP2012079419A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
US20120155093A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same |
US20130056778A1 (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6645645B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | The Trustees Of Princeton University | Phosphorescent organic light emitting devices |
WO2002037568A1 (en) * | 2000-11-02 | 2002-05-10 | 3M Innovative Properties Company | Brightness and contrast enhancement of direct view emissive displays |
FR2844364B1 (fr) | 2002-09-11 | 2004-12-17 | Saint Gobain | Substrat diffusant |
US6965197B2 (en) | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
US20080265757A1 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-30 | Stephen Forrest | Low Index Grids (LIG) To Increase Outcoupled Light From Top or Transparent OLED |
CN101766052B (zh) * | 2007-07-27 | 2012-07-18 | 旭硝子株式会社 | 透光性基板、其制造方法、有机led元件及其制造方法 |
FR2924274B1 (fr) * | 2007-11-22 | 2012-11-30 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
KR20110113177A (ko) | 2009-01-26 | 2011-10-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유기 led 소자의 산란층용 유리 및 유기 led 소자 |
KR101653431B1 (ko) | 2009-01-26 | 2016-09-01 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유리 조성물 및 기판 상에 그것을 구비하는 부재 |
FR2944145B1 (fr) | 2009-04-02 | 2011-08-26 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee |
FR2955575B1 (fr) * | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
JP4633861B1 (ja) * | 2010-07-12 | 2011-02-23 | 睦美 伊與田 | 手すり |
EP2495783A1 (en) | 2011-03-01 | 2012-09-05 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
-
2013
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Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH075450A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明配線付き基板およびその製造方法 |
JPH07316826A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-12-05 | Glaverbel Sa | ガラス質基体上に銀被覆を形成する方法 |
WO1997034447A1 (fr) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique et affichage electroluminescent organique |
JPH1092327A (ja) * | 1996-08-20 | 1998-04-10 | Lg Electron Inc | カラープラズマディスプレイパネルの隔壁及びその製造方法 |
JP2000284724A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Denso Corp | 表示用電極基板の製造方法 |
JP2004111095A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2005239789A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子用有機材料及び有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005276803A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 |
JP2007080579A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Toyota Industries Corp | 面発光装置 |
JP2008277202A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Aitesu:Kk | 多層基板およびその製造方法 |
US20110001159A1 (en) * | 2008-03-18 | 2011-01-06 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate for electronic device, layered body for organic led element, method for manufacturing the same, organic led element, and method for manufacturing the same |
JP2010103120A (ja) * | 2009-12-15 | 2010-05-06 | Nec Corp | 光学基板、発光素子、表示装置およびそれらの製造方法 |
WO2011096244A1 (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板の製造方法、透明導電性基板および表示素子 |
JP2012079419A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
US20120155093A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same |
US20130056778A1 (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing the same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019021629A (ja) * | 2017-07-11 | 2019-02-07 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 照明パネルおよびその製造方法、照明モジュール、照明装置、並びに照明システム |
US10804484B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-10-13 | Lg Display Co., Ltd. | Lighting panel and method of fabricating the same, lighting module, lighting device, and lighting system |
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