JPH075450A - 透明配線付き基板およびその製造方法 - Google Patents
透明配線付き基板およびその製造方法Info
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- JPH075450A JPH075450A JP14444593A JP14444593A JPH075450A JP H075450 A JPH075450 A JP H075450A JP 14444593 A JP14444593 A JP 14444593A JP 14444593 A JP14444593 A JP 14444593A JP H075450 A JPH075450 A JP H075450A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1343—Electrodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低抵抗でかつ表面段差を抑えた、表示パネル
等に用いられる透明配線付き基板を提供することを目的
とする。 【構成】 透明基板表面に金属配線が、前記透明基板表
面と略同一面となるように埋設され、さらに該金属配線
の上に該金属配線より幅広の透明配線を形成した透明配
線付き基板を作製する。
等に用いられる透明配線付き基板を提供することを目的
とする。 【構成】 透明基板表面に金属配線が、前記透明基板表
面と略同一面となるように埋設され、さらに該金属配線
の上に該金属配線より幅広の透明配線を形成した透明配
線付き基板を作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイ，Ｅ
Ｌディスプレイ等のフラットパネルディスプレイやイメ
ージセンサなどに使われる透明配線付き基板の性能向上
に関するものである。
Ｌディスプレイ等のフラットパネルディスプレイやイメ
ージセンサなどに使われる透明配線付き基板の性能向上
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄型平面ディスプレイ装置として、液晶
ディスプレイ（ＬＣＤ），電界発光ディスプレイ（ＥＬ
Ｄ）等が、近年盛んに製造されるようになった。
ディスプレイ（ＬＣＤ），電界発光ディスプレイ（ＥＬ
Ｄ）等が、近年盛んに製造されるようになった。
【０００３】ＬＣＤは、電極付きの基板で液晶を挟み込
んだものであり、電極に印加される電界によって、光の
透過率または反射率を変化させて画像を表示する。ＬＣ
Ｄは、画素毎にスイッチ素子を作り込んだアクティブマ
トリクス（以下、ＡＭと略記する）ＬＣＤと、スイッチ
素子を持たない単純マトリクスＬＣＤに分類される。
んだものであり、電極に印加される電界によって、光の
透過率または反射率を変化させて画像を表示する。ＬＣ
Ｄは、画素毎にスイッチ素子を作り込んだアクティブマ
トリクス（以下、ＡＭと略記する）ＬＣＤと、スイッチ
素子を持たない単純マトリクスＬＣＤに分類される。
【０００４】ＡＭ−ＬＣＤでは、スイッチ素子によって
画素が分離されており、それぞれの画素がスタティック
に駆動されるのと等価となり、ＣＲＴに匹敵する高画
質，高速応答が実現できる。しかし、画素毎にスイッチ
素子を作り込むため、 （１）構造が複雑となりコストが高くなる （２）大型化が困難である という問題点がある。
画素が分離されており、それぞれの画素がスタティック
に駆動されるのと等価となり、ＣＲＴに匹敵する高画
質，高速応答が実現できる。しかし、画素毎にスイッチ
素子を作り込むため、 （１）構造が複雑となりコストが高くなる （２）大型化が困難である という問題点がある。
【０００５】一方、単純マトリクスＬＣＤは、画素間の
分離が行われていないため、一般的にはＡＭ−ＬＣＤに
比べて画質は劣る。しかし、構造が単純なため、コスト
が安く、ある程度の大型化も可能である。
分離が行われていないため、一般的にはＡＭ−ＬＣＤに
比べて画質は劣る。しかし、構造が単純なため、コスト
が安く、ある程度の大型化も可能である。
【０００６】単純マトリクスＬＣＤの構造を図８に示
す。３４は図上で横方向に走るストライプパターンをも
った下側透明配線，４２は３４と直交するパターンを持
った上側透明配線，３７はセルのギャップ幅を決めるス
ペーサ，３９はガラス基板の周囲を固定するシールであ
る。単純マトリクスＬＣＤでは、下側透明配線３４と上
側透明配線４２の交点の容量を充放電することにより書
き込みを行う。
す。３４は図上で横方向に走るストライプパターンをも
った下側透明配線，４２は３４と直交するパターンを持
った上側透明配線，３７はセルのギャップ幅を決めるス
ペーサ，３９はガラス基板の周囲を固定するシールであ
る。単純マトリクスＬＣＤでは、下側透明配線３４と上
側透明配線４２の交点の容量を充放電することにより書
き込みを行う。
【０００７】強誘電液晶を用いた強誘電ＬＣＤ（以下Ｆ
ＬＣＤと略記）は、単純マトリクスＬＣＤの一種であ
る。しかし、簡単な構造にもかかわらず、ＡＭ−ＬＣＤ
並の高画質を得ることができる。
ＬＣＤと略記）は、単純マトリクスＬＣＤの一種であ
る。しかし、簡単な構造にもかかわらず、ＡＭ−ＬＣＤ
並の高画質を得ることができる。
【０００８】ＥＬＤは、絶縁層で挟まれた発光層（Ｍｎ
添加ＺｎＳなど）に電界を印加し、発光中心材料を励起
し、これが基底状態に戻るときの発光を利用して画像表
示を行う。図９にＥＬＤの構造を示す。
添加ＺｎＳなど）に電界を印加し、発光中心材料を励起
し、これが基底状態に戻るときの発光を利用して画像表
示を行う。図９にＥＬＤの構造を示す。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】これらの平面ディスプ
レイ装置の透明導電膜として、スズ添加酸化インジウム
（ＩＴＯ）等の透明導電膜が広く用いられている。この
ような酸化物導電体では、低抵抗のものを得ることは難
しい。このため、ディスプレイが大型化、大容量化する
につれて、透明導電膜の配線抵抗が増大し、画質の劣化
を引き起こす。
レイ装置の透明導電膜として、スズ添加酸化インジウム
（ＩＴＯ）等の透明導電膜が広く用いられている。この
ような酸化物導電体では、低抵抗のものを得ることは難
しい。このため、ディスプレイが大型化、大容量化する
につれて、透明導電膜の配線抵抗が増大し、画質の劣化
を引き起こす。
【００１０】例えば、単純マトリクスＬＣＤの場合、透
明導電膜の配線抵抗が大きいと、画素への書き込みのた
めの時定数が大きくなり、十分な書き込みができなくな
ってくる。
明導電膜の配線抵抗が大きいと、画素への書き込みのた
めの時定数が大きくなり、十分な書き込みができなくな
ってくる。
【００１１】具体的には、面積抵抗率が１０ΩのＩＴＯ
で、幅２００μｍの透明導電膜の配線を行うと、一辺が
３０ｃｍのディスプレイでは、終端までの抵抗値は１５
ｋΩとなる。この抵抗値で、１ｎＦの寄生容量を駆動す
ることを考えると、ＲＣ時定数が立ち上がりで１５μｓ
となり、立ち下がり分も考えると、ＲＣの遅延だけで３
０μｓかかることとなる。
で、幅２００μｍの透明導電膜の配線を行うと、一辺が
３０ｃｍのディスプレイでは、終端までの抵抗値は１５
ｋΩとなる。この抵抗値で、１ｎＦの寄生容量を駆動す
ることを考えると、ＲＣ時定数が立ち上がりで１５μｓ
となり、立ち下がり分も考えると、ＲＣの遅延だけで３
０μｓかかることとなる。
【００１２】実際の画素へのデータの書き込みには、さ
らにこの数倍の時間が必要となってくる。通常では、１
ラインあたり３０μｓで書き込みを終えなければならな
いので、これでは十分な書き込みは行われないことにな
る。
らにこの数倍の時間が必要となってくる。通常では、１
ラインあたり３０μｓで書き込みを終えなければならな
いので、これでは十分な書き込みは行われないことにな
る。
【００１３】また、ＥＬＤの場合、駆動電流が比較的大
きい（ピークで６０から７０ｍＡ）ため、透明導電膜の
配線抵抗のよる発熱が問題となる。
きい（ピークで６０から７０ｍＡ）ため、透明導電膜の
配線抵抗のよる発熱が問題となる。
【００１４】以上の問題点を解決するためには、透明導
電膜の抵抗率を下げる必要がある。抵抗率を下げるに
は、透明導電膜の膜厚を厚くすることが考えられる。し
かし、この方法では、透過率の低下のほか、成膜レート
やエッチングレートが遅いため、成膜やおよびパターニ
ングに時間がかかるという問題点がある。
電膜の抵抗率を下げる必要がある。抵抗率を下げるに
は、透明導電膜の膜厚を厚くすることが考えられる。し
かし、この方法では、透過率の低下のほか、成膜レート
やエッチングレートが遅いため、成膜やおよびパターニ
ングに時間がかかるという問題点がある。
【００１５】そこで、透明導電膜を厚くする代わりに、
金属でできた補助配線を透明導電膜の上または下に設け
る方法（例えば、Ｒ．Ｔ▲ｏｅ▼ｒｎｑｖｉｓｔ，MULT
ICOLOUR THIN FILM ELECTROLIMINESCENT DISPLAYS. INT
ERNATIONAL CONFERENCE ON '92.p329-336）がある。
金属でできた補助配線を透明導電膜の上または下に設け
る方法（例えば、Ｒ．Ｔ▲ｏｅ▼ｒｎｑｖｉｓｔ，MULT
ICOLOUR THIN FILM ELECTROLIMINESCENT DISPLAYS. INT
ERNATIONAL CONFERENCE ON '92.p329-336）がある。
【００１６】この方法では、金属の補助配線部分は光を
透過しないが、透明導電膜を厚くする必要がなくなるの
で、全体としては低抵抗で透明性のよい導電膜とするこ
とができる。しかも、透明導電膜に作製する工程はその
ままでよい。
透過しないが、透明導電膜を厚くする必要がなくなるの
で、全体としては低抵抗で透明性のよい導電膜とするこ
とができる。しかも、透明導電膜に作製する工程はその
ままでよい。
【００１７】しかし、金属の補助配線の厚み分の段差が
生じ、つぎのような問題を生じさせる。 （１）ＬＣＤでは、液晶の配向を決める配向膜として、
ポリイミド膜を強く一方向に摩擦して表面に微細な方向
性のある溝を形成し、かつ高分子鎖を局部的に延伸した
ものを用いる。この摩擦工程はラビング工程と呼ばれる
が、基板に段差があると、均一なラビングを行うことが
できなくなる。その結果、画質を低下させることにな
る。 （２）ＦＬＣＤの場合、セルギャップが２〜３μｍと狭
く、またギャップの精度を必要とする。このため、僅か
な凹凸でも画質に影響を与えるため、段差は好ましくな
い。 （３）ＥＬＤでは段差があると、段差部分に電界集中が
起こり、信頼性を悪くする。
生じ、つぎのような問題を生じさせる。 （１）ＬＣＤでは、液晶の配向を決める配向膜として、
ポリイミド膜を強く一方向に摩擦して表面に微細な方向
性のある溝を形成し、かつ高分子鎖を局部的に延伸した
ものを用いる。この摩擦工程はラビング工程と呼ばれる
が、基板に段差があると、均一なラビングを行うことが
できなくなる。その結果、画質を低下させることにな
る。 （２）ＦＬＣＤの場合、セルギャップが２〜３μｍと狭
く、またギャップの精度を必要とする。このため、僅か
な凹凸でも画質に影響を与えるため、段差は好ましくな
い。 （３）ＥＬＤでは段差があると、段差部分に電界集中が
起こり、信頼性を悪くする。
【００１８】本発明は、上述したような問題点を、解決
するためになされたものであって、低抵抗な透明配線付
き基板を提供することを目的とする。
するためになされたものであって、低抵抗な透明配線付
き基板を提供することを目的とする。
【００１９】
【問題を解決するための手段】すなわち本発明では、透
明基板表面に金属配線が、前記透明基板表面と略同一面
となるように埋設され、さらに該金属配線の上に該金属
配線より幅広の透明配線を形成した透明配線付き基板を
作製する。
明基板表面に金属配線が、前記透明基板表面と略同一面
となるように埋設され、さらに該金属配線の上に該金属
配線より幅広の透明配線を形成した透明配線付き基板を
作製する。
【００２０】また、透明基板表面に金属配線が埋設さ
れ、さらに該金属配線の上に該金属配線より幅広の透明
配線を形成し、該透明配線が前記透明基板表面と略同一
面となるように埋設された透明配線付き基板を作製す
る。
れ、さらに該金属配線の上に該金属配線より幅広の透明
配線を形成し、該透明配線が前記透明基板表面と略同一
面となるように埋設された透明配線付き基板を作製す
る。
【００２１】上記のような構成によって、金属配線を透
明基板中に埋め込み、その上に透明配線を形成すること
によって、表面段差を抑えながら配線抵抗を低下させて
いる。
明基板中に埋め込み、その上に透明配線を形成すること
によって、表面段差を抑えながら配線抵抗を低下させて
いる。
【００２２】本発明において、上記金属配線表面または
透明配線表面は、透明基板表面と完全に同一面に構成さ
れていることがより好ましい。
透明配線表面は、透明基板表面と完全に同一面に構成さ
れていることがより好ましい。
【００２３】以下、本発明をさらに詳細に説明する。図
１は、金属配線が透明基板表面と略同一面となるように
埋設され、さらに該金属配線の上に透明配線が形成され
てなる透明配線付き基板の断面構造を示す図である。
１は、金属配線が透明基板表面と略同一面となるように
埋設され、さらに該金属配線の上に透明配線が形成され
てなる透明配線付き基板の断面構造を示す図である。
【００２４】図１において、１は透明基板，２は金属で
できた補助配線であり、表面部分が、透明基板１と略同
一面となるように埋設されている。３は透明配線であ
り、２と接するように形成される。上記基板１として
は、ソーダライムガラス、石英ガラス、ほう珪酸ガラス
などを用いることができる。また、金属配線２として
は、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｕなどが使える。
できた補助配線であり、表面部分が、透明基板１と略同
一面となるように埋設されている。３は透明配線であ
り、２と接するように形成される。上記基板１として
は、ソーダライムガラス、石英ガラス、ほう珪酸ガラス
などを用いることができる。また、金属配線２として
は、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｕなどが使える。
【００２５】金属配線２として、例えばＡｌを幅１０μ
ｍで、かつ透明基板１の表面から０．３μｍの深さに矩
形に埋設する。この場合の配線抵抗は、Ａｌの電気抵抗
率が３μΩｃｍであるから、一辺３０ｃｍの基板の場合
３ｋΩとなり、配線抵抗はＩＴＯのみの場合のおよそ１
／５となる。
ｍで、かつ透明基板１の表面から０．３μｍの深さに矩
形に埋設する。この場合の配線抵抗は、Ａｌの電気抵抗
率が３μΩｃｍであるから、一辺３０ｃｍの基板の場合
３ｋΩとなり、配線抵抗はＩＴＯのみの場合のおよそ１
／５となる。
【００２６】また、透明導電膜が主として、電気伝導の
機能を受け持たなくともよいため、透明導電膜自身の膜
厚も薄くてよい。このため、上述した成膜レートやエッ
チングレートが遅いという問題点が軽減される。さら
に、透過率が向上する。
機能を受け持たなくともよいため、透明導電膜自身の膜
厚も薄くてよい。このため、上述した成膜レートやエッ
チングレートが遅いという問題点が軽減される。さら
に、透過率が向上する。
【００２７】（金属配線作製方法１）以下に、金属配線
２の埋設の方法１について述べる。 （イ）透明基板１に、金属配線を埋設するための深さが
０．１μｍから１０μｍ，幅が１から１００μｍの溝を
形成する。なお、上記溝は、以下の方法により形成す
る。 ・フォトリソグラフィ法によって、エッチングマスクを
形成し、湿式もしくは乾式エッチングを行う。 ・透明基板上にゾルゲル膜を形成し、スタンパを押し当
てる。 （ロ）この上に溝の深さと略同一の厚さの金属膜を、ス
パッタ法や真空蒸着法等で成膜する。 （ハ）溝以外の金属膜部分を研磨によって除去する。 以上の手順により、透明基板に埋め込まれた金属配線２
を得る。
２の埋設の方法１について述べる。 （イ）透明基板１に、金属配線を埋設するための深さが
０．１μｍから１０μｍ，幅が１から１００μｍの溝を
形成する。なお、上記溝は、以下の方法により形成す
る。 ・フォトリソグラフィ法によって、エッチングマスクを
形成し、湿式もしくは乾式エッチングを行う。 ・透明基板上にゾルゲル膜を形成し、スタンパを押し当
てる。 （ロ）この上に溝の深さと略同一の厚さの金属膜を、ス
パッタ法や真空蒸着法等で成膜する。 （ハ）溝以外の金属膜部分を研磨によって除去する。 以上の手順により、透明基板に埋め込まれた金属配線２
を得る。
【００２８】（金属配線作製方法２）以下に、金属配線
２の埋設の方法２について述べる。 （イ）透明基板に、フォトレジストのエッチングマスク
を用いて、湿式もしくは乾式エッチングによって、金属
配線を埋設するための深さが０．１から１０μｍ，幅が
１から１００μｍの溝を形成する。 （ロ）この上にレジストを残したまま、溝の深さと略同
一の膜厚の金属膜を、スパッタ法や真空蒸着法等で形成
する。 （ハ）これをフォトレジストを溶解する有機溶剤に浸漬
し、溝以外の金属膜をフォトレジストと共に除去する。 （ニ）さらに必要に応じて、表面に研磨を施す。 以上の手順により、透明基板に埋め込まれた金属配線２
を得る。
２の埋設の方法２について述べる。 （イ）透明基板に、フォトレジストのエッチングマスク
を用いて、湿式もしくは乾式エッチングによって、金属
配線を埋設するための深さが０．１から１０μｍ，幅が
１から１００μｍの溝を形成する。 （ロ）この上にレジストを残したまま、溝の深さと略同
一の膜厚の金属膜を、スパッタ法や真空蒸着法等で形成
する。 （ハ）これをフォトレジストを溶解する有機溶剤に浸漬
し、溝以外の金属膜をフォトレジストと共に除去する。 （ニ）さらに必要に応じて、表面に研磨を施す。 以上の手順により、透明基板に埋め込まれた金属配線２
を得る。
【００２９】（金属配線作製方法３）以下に、金属配線
２の埋設の方法３について述べる。 （イ）透明基板に、フォトレジストのエッチングマスク
を用いて、湿式もしくは乾式エッチングによって、金属
配線を埋設するための深さが０．１から１０μｍ，幅が
１から１００μｍの溝を形成する。 （ロ）この上にレジストを残したまま、１から１００ｎ
ｍの膜厚の金属膜を、スパッタ法や真空蒸着法等で形成
する。 （ハ）溝以外の金属膜を、フォトレジストと共に除去す
る。 （ニ）電解めっき法あるいは無電解めっき法により、上
記金属膜上にのみに金属を成長させ溝を埋める。 （ホ）さらに必要に応じて、表面に研磨を施す。 以上の手順により、透明基板に埋め込まれた金属配線２
を得る。
２の埋設の方法３について述べる。 （イ）透明基板に、フォトレジストのエッチングマスク
を用いて、湿式もしくは乾式エッチングによって、金属
配線を埋設するための深さが０．１から１０μｍ，幅が
１から１００μｍの溝を形成する。 （ロ）この上にレジストを残したまま、１から１００ｎ
ｍの膜厚の金属膜を、スパッタ法や真空蒸着法等で形成
する。 （ハ）溝以外の金属膜を、フォトレジストと共に除去す
る。 （ニ）電解めっき法あるいは無電解めっき法により、上
記金属膜上にのみに金属を成長させ溝を埋める。 （ホ）さらに必要に応じて、表面に研磨を施す。 以上の手順により、透明基板に埋め込まれた金属配線２
を得る。
【００３０】（金属配線作製方法４）以下に、金属配線
２の埋設の方法４について述べる。 （イ）透明基板に、フォトレジストのエッチングマスク
を用いて、湿式もしくは乾式エッチングによって、金属
配線を埋設するための深さが０．１から１０μｍ，幅が
１から１００μｍの溝を形成する。 （ロ）このうえに二酸化珪素を液相析出法にて析出さ
せ、該透明基板上に絶縁膜を形成する。 （ハ）フォトレジストを除去することで、金属配線の埋
め込まれた透明基板を得る。
２の埋設の方法４について述べる。 （イ）透明基板に、フォトレジストのエッチングマスク
を用いて、湿式もしくは乾式エッチングによって、金属
配線を埋設するための深さが０．１から１０μｍ，幅が
１から１００μｍの溝を形成する。 （ロ）このうえに二酸化珪素を液相析出法にて析出さ
せ、該透明基板上に絶縁膜を形成する。 （ハ）フォトレジストを除去することで、金属配線の埋
め込まれた透明基板を得る。
【００３１】なお、上記レジストととして、有機物の感
光性樹脂を用いた場合には、上記絶縁膜は透明基板上の
金属膜以外の部分に形成される。また、絶縁膜の膜厚
は、上記金属配線と略同一であることが望ましい。
光性樹脂を用いた場合には、上記絶縁膜は透明基板上の
金属膜以外の部分に形成される。また、絶縁膜の膜厚
は、上記金属配線と略同一であることが望ましい。
【００３２】液相析出法（以下、ＬＰＤ法と記す）で
は、疎水性の下地には膜が成長しないため、金属表面上
には膜成長は起こらず、結果として二酸化珪素膜によっ
て、金属配線を埋め込むことができる。
は、疎水性の下地には膜が成長しないため、金属表面上
には膜成長は起こらず、結果として二酸化珪素膜によっ
て、金属配線を埋め込むことができる。
【００３３】以上のような方法で作製した金属配線の上
に、ＩＴＯ等の透明配線３を、例えばＣＶＤ法などで作
製することによって、図１に示した構造の透明配線付き
基板を得ることができる。
に、ＩＴＯ等の透明配線３を、例えばＣＶＤ法などで作
製することによって、図１に示した構造の透明配線付き
基板を得ることができる。
【００３４】さらに、第４の方法を用いて、透明配線３
も基板中に埋設することもできる。透明配線を埋設した
場合を図７に示す。
も基板中に埋設することもできる。透明配線を埋設した
場合を図７に示す。
【００３５】本構造の金属配線の作製方法は、以下のよ
うである。 （イ）上述の第１から第４の方法で、作製した金属配線
の埋め込まれた透明基板の上に、透明配線３をパターニ
ングする。 （ロ）その後、フォトレジストを残した状態でＬＰＤ法
の処理液に浸漬し、透明配線と略同一の膜厚の絶縁膜を
形成する。 （ハ）この後、フォトレジストを除去する。
うである。 （イ）上述の第１から第４の方法で、作製した金属配線
の埋め込まれた透明基板の上に、透明配線３をパターニ
ングする。 （ロ）その後、フォトレジストを残した状態でＬＰＤ法
の処理液に浸漬し、透明配線と略同一の膜厚の絶縁膜を
形成する。 （ハ）この後、フォトレジストを除去する。
【００３６】以上により、透明配線をも埋設した平坦な
透明配線付き基板を得ることができる。本構成は、特に
ＦＬＣＤの場合に有効である。これは、ＦＬＣＤではセ
ルギャップが狭く、基板の僅かな凹凸も画質に影響を与
えるためである。
透明配線付き基板を得ることができる。本構成は、特に
ＦＬＣＤの場合に有効である。これは、ＦＬＣＤではセ
ルギャップが狭く、基板の僅かな凹凸も画質に影響を与
えるためである。
【００３７】
【作用】以上のように、表面を平坦に保ったまま、低抵
抗の透明導電膜配線を得ることができる。すなわち、透
明配線の抵抗率を下げる必要がなくなるため、透明配線
の膜厚を薄くでき、光の透過率を上げることができる。
抗の透明導電膜配線を得ることができる。すなわち、透
明配線の抵抗率を下げる必要がなくなるため、透明配線
の膜厚を薄くでき、光の透過率を上げることができる。
【００３８】また、金属配線の厚さを大きくすることが
可能となるため、必要な抵抗率を得るための金属配線の
幅を狭くでき、開口率の向上が可能となる。
可能となるため、必要な抵抗率を得るための金属配線の
幅を狭くでき、開口率の向上が可能となる。
【００３９】
（実施例１）本発明の実施例１を図１に示す。
【００４０】（第１の作製方法）本実施例の第１の作製
方法を図２に示す。 （イ）ソーダライム透明基板１に、金属配線を埋設する
ための溝４を、フォトリソグラフによってエッチングマ
スクを形成し、湿式エッチングによって形成した。エッ
チングには、緩衝フッ酸（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ：Ｈ2Ｏ＝５：
１：６）を用いた。またフォトレジストとしてＡＺ−１
３７０（ヘキスト製）を用いた。溝４の幅は１０μｍ、
深さは０．３μｍ、ピッチは２００μｍである。 （ロ）フォトレジストを除去した後、ガラス基板１の上
に溝４の深さと同じ厚さである０．３μｍのＡｌ膜５を
スパッタ法により成膜する。 （ハ）溝以外の不要部分を研磨によって除去することに
より、ガラス基板に埋め込まれた金属配線２を得た。
方法を図２に示す。 （イ）ソーダライム透明基板１に、金属配線を埋設する
ための溝４を、フォトリソグラフによってエッチングマ
スクを形成し、湿式エッチングによって形成した。エッ
チングには、緩衝フッ酸（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ：Ｈ2Ｏ＝５：
１：６）を用いた。またフォトレジストとしてＡＺ−１
３７０（ヘキスト製）を用いた。溝４の幅は１０μｍ、
深さは０．３μｍ、ピッチは２００μｍである。 （ロ）フォトレジストを除去した後、ガラス基板１の上
に溝４の深さと同じ厚さである０．３μｍのＡｌ膜５を
スパッタ法により成膜する。 （ハ）溝以外の不要部分を研磨によって除去することに
より、ガラス基板に埋め込まれた金属配線２を得た。
【００４１】以上の方法で作製した金属配線の上に、Ｉ
ＴＯ透明配線３をＣＶＤ法で作製し、図１に示した構造
の透明配線付き基板を得た（ｄ）。
ＴＯ透明配線３をＣＶＤ法で作製し、図１に示した構造
の透明配線付き基板を得た（ｄ）。
【００４２】（第２の作製方法）前述の図１の構造を実
現する第２の作製方法を図３に示す。まず実施例１と同
様に溝４を形成する。つぎに、レジスト６を残したまま
ガラス基板１の上に溝４の深さと同じ厚さである０．３
μｍのＡｌ膜５をスパッタ法により成膜し（ｂ）、これ
をアセトンに浸漬し溝以外の金属膜をフォトレジストと
共に除去する。
現する第２の作製方法を図３に示す。まず実施例１と同
様に溝４を形成する。つぎに、レジスト６を残したまま
ガラス基板１の上に溝４の深さと同じ厚さである０．３
μｍのＡｌ膜５をスパッタ法により成膜し（ｂ）、これ
をアセトンに浸漬し溝以外の金属膜をフォトレジストと
共に除去する。
【００４３】以上の方法で作製した金属配線の上に、Ｉ
ＴＯ透明配線３をＣＶＤ法で作製し、図１に示した構造
の透明配線付き基板を得た（ｄ）。
ＴＯ透明配線３をＣＶＤ法で作製し、図１に示した構造
の透明配線付き基板を得た（ｄ）。
【００４４】（第３の作製方法）前述の図１の構造を実
現する第３の作製方法を図４に示す。まず、ガラス基板
１に実施例２と、同様に溝４を形成する（ａ）。つぎ
に、レジスト６を残したままガラス基板１の上に０．０
５μｍのＮｉ膜７をスパッタ法により成膜し（ｂ）、こ
れをアセトンに浸漬し溝以外の金属膜をフォトレジスト
と共に除去する（ｃ）。この基板をめっき液に浸漬する
ことにより上記金属膜上にのみ金属８を成長させ溝を埋
める（ｄ）。
現する第３の作製方法を図４に示す。まず、ガラス基板
１に実施例２と、同様に溝４を形成する（ａ）。つぎ
に、レジスト６を残したままガラス基板１の上に０．０
５μｍのＮｉ膜７をスパッタ法により成膜し（ｂ）、こ
れをアセトンに浸漬し溝以外の金属膜をフォトレジスト
と共に除去する（ｃ）。この基板をめっき液に浸漬する
ことにより上記金属膜上にのみ金属８を成長させ溝を埋
める（ｄ）。
【００４５】以上の方法で作製した金属配線の上に、Ｉ
ＴＯ透明配線３をＣＶＤ法で作製し、図１に示した構造
の透明配線付き基板を得た（ｅ）。
ＴＯ透明配線３をＣＶＤ法で作製し、図１に示した構造
の透明配線付き基板を得た（ｅ）。
【００４６】（第４の作製方法）前述の図１の構造を実
現する第４の作製方法を図５に示す。まずガラス基板１
上にスパッタ法により膜厚０．３μｍのＴａ膜を形成す
る。この上に、フォトリソグラフ法によって幅１０μ
ｍ、２００μｍピッチのストライプ状フォトレジスト
（ＡＺ−１３７０）パターン６を形成し、これをマスク
にＣＦ４ガスを用いた化学的乾式エッチング（ＣＤＥ）
法によりＴａ配線２を形成した（ａ）。
現する第４の作製方法を図５に示す。まずガラス基板１
上にスパッタ法により膜厚０．３μｍのＴａ膜を形成す
る。この上に、フォトリソグラフ法によって幅１０μ
ｍ、２００μｍピッチのストライプ状フォトレジスト
（ＡＺ−１３７０）パターン６を形成し、これをマスク
にＣＦ４ガスを用いた化学的乾式エッチング（ＣＤＥ）
法によりＴａ配線２を形成した（ａ）。
【００４７】これをＬＰＤ法の処理液に接触させ、該ガ
ラス基板上に膜厚０．３μｍの絶縁膜９を形成する
（ｂ）。上記レジスト上には、絶縁膜は形成されないた
め、上記絶縁膜はガラス基板上の金属膜以外の部分に形
成される。
ラス基板上に膜厚０．３μｍの絶縁膜９を形成する
（ｂ）。上記レジスト上には、絶縁膜は形成されないた
め、上記絶縁膜はガラス基板上の金属膜以外の部分に形
成される。
【００４８】上記浸漬槽にガラス基板を浸漬する方法と
しては、例えば図６に示す従来公知の絶縁膜形成装置を
用いることができる。すなわち、上記絶縁膜形成装置は
外槽２０内槽２１からなり、外槽２０と内槽２１の間に
は水２２が満たしてある。この水は、温度調節器２３に
よって一定の温度に調節されている。上記内槽２１は前
部槽２４、中部槽２５、後部槽２６からなり、各部には
飽和水溶液が処理液として満たしてある。２７は循環ポ
ンプ、２８はフィルタである。ＬＰＤ法では、疎水性の
下地には膜が成長しないため、金属表面には膜成長は起
こらず、結果として二酸化珪素膜によって金属配線を埋
め込むことができる。
しては、例えば図６に示す従来公知の絶縁膜形成装置を
用いることができる。すなわち、上記絶縁膜形成装置は
外槽２０内槽２１からなり、外槽２０と内槽２１の間に
は水２２が満たしてある。この水は、温度調節器２３に
よって一定の温度に調節されている。上記内槽２１は前
部槽２４、中部槽２５、後部槽２６からなり、各部には
飽和水溶液が処理液として満たしてある。２７は循環ポ
ンプ、２８はフィルタである。ＬＰＤ法では、疎水性の
下地には膜が成長しないため、金属表面には膜成長は起
こらず、結果として二酸化珪素膜によって金属配線を埋
め込むことができる。
【００４９】こののち、フォトレジストを除去すること
で、金属配線の埋め込まれたガラス基板を得る（ｃ）。
で、金属配線の埋め込まれたガラス基板を得る（ｃ）。
【００５０】以上の方法で作製した金属配線の上に、Ｉ
ＴＯ透明配線３をＣＶＤ法で作製し、図１に示した構造
の透明配線付き基板を得た（ｄ）。
ＴＯ透明配線３をＣＶＤ法で作製し、図１に示した構造
の透明配線付き基板を得た（ｄ）。
【００５１】（実施例２）さらに、実施例１の第４の作
製方法を用いて透明配線３も基板中に埋設することがで
きる。透明配線を埋設した場合も、図１と同様である。
本構造の作製方法を図７に示す。
製方法を用いて透明配線３も基板中に埋設することがで
きる。透明配線を埋設した場合も、図１と同様である。
本構造の作製方法を図７に示す。
【００５２】すなわち、実施例１の第１の作製方法で作
製した金属配線の埋め込まれたガラス基板１０の上に透
明配線３をパターニングしたフォトレジスト１１を残し
た状態（ａ）でＬＰＤ法の処理液に浸漬し、透明配線と
略同一の膜厚の絶縁膜１２を形成する（ｂ）。このの
ち、フォトレジスト１０を除去することにより平坦な透
明配線付き基板を得ることができる（ｃ）。
製した金属配線の埋め込まれたガラス基板１０の上に透
明配線３をパターニングしたフォトレジスト１１を残し
た状態（ａ）でＬＰＤ法の処理液に浸漬し、透明配線と
略同一の膜厚の絶縁膜１２を形成する（ｂ）。このの
ち、フォトレジスト１０を除去することにより平坦な透
明配線付き基板を得ることができる（ｃ）。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、透明配線の厚さを増や
すことなく、また表面の段差を生じることなく、低抵抗
な透明配線を得ることができる。このため、透明配線の
膜厚を薄くでき、結果として光の透過率を向上できる。
また、透明配線の成膜，パターニングが容易になる。本
発明を単純マトリクスＬＣＤに適用した場合、ラビング
むらを減少させ、信号の伝搬遅延が減るため画質が向上
する。また、ＥＬＤにおいては画質を劣化させることな
く消費電力を減少できる。
すことなく、また表面の段差を生じることなく、低抵抗
な透明配線を得ることができる。このため、透明配線の
膜厚を薄くでき、結果として光の透過率を向上できる。
また、透明配線の成膜，パターニングが容易になる。本
発明を単純マトリクスＬＣＤに適用した場合、ラビング
むらを減少させ、信号の伝搬遅延が減るため画質が向上
する。また、ＥＬＤにおいては画質を劣化させることな
く消費電力を減少できる。
【図１】本発明の実施例１
【図２】実施例１の第１の作製方法
【図３】実施例１の第２の作製方法
【図４】実施例１の第３の作製方法
【図５】実施例１の第４の作製方法
【図６】ＬＰＤ法の絶縁膜形成装置
【図７】実施例２の作製方法
【図８】単純マトリクスＬＣＤの断面構造
【図９】ＥＬＤの断面構造
１ ガラス基板 ２ 金属の補助配線 ３ 透明配線 ４ 溝 ５ 金属膜 ６ フォトレジスト ７ 金属膜 ８ めっきによって成長した金属 ９ 絶縁膜 １０ 金属の補助配線を埋め込んだガラス基板 １１ フォトレジスト ２０ 外槽 ２１ 内槽 ２２ 水 ２３ 温度調節器 ２４ 前部槽 ２５ 中部槽 ２６ 後部槽 ２７ 循環ポンプ ２８ フィルタ ３１ 液晶 ３２ ガラス基板 ３４ 下側透明配線 ３７ スペーサ ３９ シール ４０ 偏光板 ４１ カラーフィルタ ４２ 上側透明配線 ５１ ガラス基板 ５２ 透明導電膜 ５３ 第１絶縁層 ５４ 発光層 ５５ 第２絶縁層 ５６ 背面電極 ５７ シールガラス ５８ シール接着剤
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/04 Ｚ 9443−4Ｅ 3/06 Ａ 9443−4Ｅ 3/10 Ｅ 7511−4Ｅ 3/24 Ｚ 7511−4Ｅ
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板表面に金属配線が、前記透明基
板表面と略同一面となるように埋設され、さらに該金属
配線の上に該金属配線より幅広の透明配線を形成したこ
とを特徴とする透明配線付き基板。 - 【請求項２】 透明基板表面に金属配線が埋設され、さ
らに該金属配線の上に該金属配線より幅広の透明配線を
形成し、該透明配線が前記透明基板表面と略同一面とな
るように埋設されたことを特徴とする透明配線付き基
板。 - 【請求項３】 以下の工程からなる透明配線付き基板の
製造方法。 （イ）透明基板に、金属配線を埋設するための、深さが
０．１から１０μｍ，幅が１から１００μｍの溝を形成
する工程。 （ロ）この上に溝の深さと略同一の厚さの金属膜を成膜
する工程。 （ハ）溝以外の金属膜を研磨によって除去する工程。 （ニ）この金属配線の上に、透明配線を形成する工程。 - 【請求項４】 以下の工程からなる透明配線付き基板の
製造方法。 （イ）透明基板に、フォトレジストのエッチングマスク
を用いて、湿式もしくは乾式エッチングによって、金属
配線を埋設するための、深さが０．１から１０μｍ，幅
が１から１００μｍの溝を形成する工程。 （ロ）この上にレジストを残したまま、溝の深さと略同
一の膜厚の金属膜を形成する工程。 （ハ）この透明基板をフォトレジストを溶解する有機溶
剤に浸漬し、溝の部分以外の金属膜をフォトレジストと
共に除去する工程。 （ニ）この金属配線の上に、透明配線を形成する工程。 - 【請求項５】 以下の工程からなる透明配線付き基板の
製造方法。 （イ）透明基板に、フォトレジストのエッチングマスク
を用いて、湿式もしくは乾式エッチングによって、金属
配線を埋設するための、深さが０．１から１０μｍ，幅
が１から１００μｍの溝を形成する工程。 （ロ）レジストを残したまま、その上に１から１００ｎ
ｍの膜厚の金属膜を形成する工程。 （ハ）溝の部分以外の金属膜を、フォトレジストと共に
除去する工程。 （ニ）溝の部分の金属膜上にのみに、金属をめっき法で
成長させ溝を埋める工程。 （ホ）この金属配線の上に、透明配線を形成する工程。 - 【請求項６】 以下の工程からなる透明配線付き基板の
製造方法。 （イ）透明基板に、金属膜を形成する工程。 （ロ）フォトリソグラフィ法によって、前記金属膜上に
パターンを形成する工程。 （ハ）乾式エッチングによって、不要な金属膜を除去す
る工程。 （ニ）不要な金属膜を除去した部分に、二酸化珪素の絶
縁膜を形成する工程。 （ホ）フォトレジストを除去する工程。 （ヘ）この金属配線の上に、透明配線を形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14444593A JPH075450A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 透明配線付き基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14444593A JPH075450A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 透明配線付き基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075450A true JPH075450A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15362396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14444593A Pending JPH075450A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 透明配線付き基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075450A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845696A2 (en) * | 1996-11-28 | 1998-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method of fabricating electrode substrate for use in the liquid crystal display element |
| JP2007525819A (ja) * | 2003-04-28 | 2007-09-06 | イーストマン コダック カンパニー | パターニングされていて導電性誘導路を利用した接続がなされる導電性シート |
| WO2009157244A1 (ja) * | 2008-06-24 | 2009-12-30 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法、及び電気化学表示素子 |
| WO2011096244A1 (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板の製造方法、透明導電性基板および表示素子 |
| CN104320909A (zh) * | 2014-10-27 | 2015-01-28 | 皆利士多层线路版(中山)有限公司 | 高阶梯铜电路板及其制作方法 |
| JP2016509359A (ja) * | 2013-03-08 | 2016-03-24 | サン−ゴバン グラス フランス | Ｏｌｅｄ用導電性支持体、これを組み込んだｏｌｅｄ、及びその製造 |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP14444593A patent/JPH075450A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845696A2 (en) * | 1996-11-28 | 1998-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method of fabricating electrode substrate for use in the liquid crystal display element |
| EP0845696A3 (en) * | 1996-11-28 | 1999-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method of fabricating electrode substrate for use in the liquid crystal display element |
| US6008877A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having multilayered electrodes with a layer adhesive to a substrate formed of indium tin oxide |
| JP2007525819A (ja) * | 2003-04-28 | 2007-09-06 | イーストマン コダック カンパニー | パターニングされていて導電性誘導路を利用した接続がなされる導電性シート |
| WO2009157244A1 (ja) * | 2008-06-24 | 2009-12-30 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法、及び電気化学表示素子 |
| JP4539786B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2010-09-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板の製造方法 |
| JPWO2009157244A1 (ja) * | 2008-06-24 | 2011-12-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板の製造方法 |
| WO2011096244A1 (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板の製造方法、透明導電性基板および表示素子 |
| JP4883249B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2012-02-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電性基板の製造方法、透明導電性基板および表示素子 |
| JP2016509359A (ja) * | 2013-03-08 | 2016-03-24 | サン−ゴバン グラス フランス | Ｏｌｅｄ用導電性支持体、これを組み込んだｏｌｅｄ、及びその製造 |
| US10181566B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-15 | Saint-Gobain Glass France | Electrically conductive OLED carrier, OLED incorporating said carrier, and its manufacture |
| CN104320909A (zh) * | 2014-10-27 | 2015-01-28 | 皆利士多层线路版(中山)有限公司 | 高阶梯铜电路板及其制作方法 |
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