KR100778835B1 - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents
액정표시장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100778835B1 KR100778835B1 KR1020000084088A KR20000084088A KR100778835B1 KR 100778835 B1 KR100778835 B1 KR 100778835B1 KR 1020000084088 A KR1020000084088 A KR 1020000084088A KR 20000084088 A KR20000084088 A KR 20000084088A KR 100778835 B1 KR100778835 B1 KR 100778835B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pad
- gate
- film
- forming
- electrode
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
이후, 게이트전극(2a)이 형성된 부위에 상응하는 상기 게이트 절연막(3) 상에 반도체막(4) 및 오믹접촉막(5)을 적층한 후, 포토리소그래법을 이용하여 상기 오믹접촉막(5)과 반도체막(4)을 선택적으로 패터닝한다.
이어, 상기 오믹 접촉막(5)을 포함한 유리기판(1)의 전면에 소스 및 드레인전극용 금속막을 증착하고, 포토리소그래피법을 이용하여 상기 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 오믹접촉막(5)의 양단에 소스 전극(6)과 드레인 전극(7)을 형성한다.
이때 상기 소스전극(6) 및 드레인전극(7) 사이의 오믹접촉막(5)도 함께 제거한다.
그리고 상기 반도체층을 포함한 유리기판(11)의 전면에 금속막을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 반도체층의 양단에 일정한 간격을 갖는 소스/드레인 전극(16,17) 및 데이터 패드를 포함한 데이터 라인을 형성한다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 소스/드레인 전극(16,17) 및 패드부의 게이트 절연막(13)을 포함한 기판 전면에 보호막(18)을 형성한 후, 상기 보호막(18) 상에 포토레지스트(도시하지 않음)를 도포하고, 노광 및 현상공정을 이용한 패터닝 공정을 통해 상기 드레인 전극(17) 및 게이트 패드(12b)가 노출되도록 콘택홀(18a)을 형성한다.
Claims (7)
- 기판위에 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 라인을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상측의 게이트 절연막상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 양단 상측에 일정한 간격을 갖는 소스 및 드레인 전극이 위치되도록 데이터 패드를 포함한 데이터 라인을 형성하는 단계;상기 기판의 전면에 보호막을 형성하고, 상기 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드가 노출되도록 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 각각에 콘택홀을 형성하는 단계;상기 각 콘택홀을 포함한 기판의 전면에 비정질 투명 도전막을 형성하는 단계;상기 비정질 투명 도전막을 선택적으로 제거하여 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극 및 상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결되는 패드접촉막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 비정질 투명 도전막은 H2O 첨가-ITO 또는 H2 첨가-ITO로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 비정질 투명 도전막은 상온성막 ITO로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 비정질 투명 도전막은 섭씨 150~350도 범위에서 열처리하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000084088A KR100778835B1 (ko) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 액정표시장치의 제조방법 |
CNB011369345A CN1196018C (zh) | 2000-12-28 | 2001-12-25 | 液晶显示装置及其制造方法 |
US10/029,145 US7116389B2 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000084088A KR100778835B1 (ko) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 액정표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020054848A KR20020054848A (ko) | 2002-07-08 |
KR100778835B1 true KR100778835B1 (ko) | 2007-11-22 |
Family
ID=19703775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000084088A KR100778835B1 (ko) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 액정표시장치의 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7116389B2 (ko) |
KR (1) | KR100778835B1 (ko) |
CN (1) | CN1196018C (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100776505B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 화소전극 제조 방법 |
KR100909421B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2009-07-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101029409B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2011-04-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101282397B1 (ko) | 2004-12-07 | 2013-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 배선, 상기 배선을 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 |
KR101290018B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2013-08-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990077818A (ko) * | 1998-03-13 | 1999-10-25 | 니시무로 타이죠 | 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR20000065954A (ko) * | 1999-04-12 | 2000-11-15 | 구본준 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR20010108832A (ko) * | 2000-05-31 | 2001-12-08 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04303825A (ja) | 1991-04-01 | 1992-10-27 | Matsushita Electron Corp | 液晶表示装置とその製造方法 |
US5135581A (en) * | 1991-04-08 | 1992-08-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light transmissive electrically conductive oxide electrode formed in the presence of a stabilizing gas |
TW214603B (en) * | 1992-05-13 | 1993-10-11 | Seiko Electron Co Ltd | Semiconductor device |
EP0677593B1 (en) * | 1992-12-15 | 2000-03-22 | Idemitsu Kosan Company Limited | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
US7081938B1 (en) * | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
KR100204071B1 (ko) * | 1995-08-29 | 1999-06-15 | 구자홍 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법 |
EP0782039A3 (en) * | 1995-12-27 | 1998-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device and process for producing same |
US6445004B1 (en) * | 1998-02-26 | 2002-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof |
US6337520B1 (en) * | 1997-02-26 | 2002-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof |
JP3785767B2 (ja) | 1997-11-21 | 2006-06-14 | ソニー株式会社 | 液晶表示素子 |
FR2772615B1 (fr) * | 1997-12-23 | 2002-06-14 | Lipha | Comprime multicouche pour la liberation instantanee puis prolongee de substances actives |
TW418539B (en) * | 1998-05-29 | 2001-01-11 | Samsung Electronics Co Ltd | A method for forming TFT in liquid crystal display |
US6297519B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals |
KR100282233B1 (ko) * | 1998-12-09 | 2001-02-15 | 구본준 | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
TWI255957B (en) * | 1999-03-26 | 2006-06-01 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
KR100381054B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2003-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 인듐-징크-옥사이드로 적용된 투명전극과 이를 에칭하기위한 에천트 |
JP2001194676A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2001281698A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Advanced Display Inc | 電気光学素子の製法 |
KR100776505B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 화소전극 제조 방법 |
-
2000
- 2000-12-28 KR KR1020000084088A patent/KR100778835B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-12-25 CN CNB011369345A patent/CN1196018C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 US US10/029,145 patent/US7116389B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990077818A (ko) * | 1998-03-13 | 1999-10-25 | 니시무로 타이죠 | 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR20000065954A (ko) * | 1999-04-12 | 2000-11-15 | 구본준 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR20010108832A (ko) * | 2000-05-31 | 2001-12-08 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1196018C (zh) | 2005-04-06 |
US20020085142A1 (en) | 2002-07-04 |
CN1362637A (zh) | 2002-08-07 |
KR20020054848A (ko) | 2002-07-08 |
US7116389B2 (en) | 2006-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101183361B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
US6562645B2 (en) | Method of fabricating fringe field switching mode liquid crystal display | |
KR20140024267A (ko) | 박막 트랜지스터, 어레이 기판 및 이들을 제조하는 방법, 표시 장치 | |
US10504943B2 (en) | Method for manufacturing an array substrate motherboard | |
US9502437B2 (en) | Method of manufacturing array substrate, array substrate and display device | |
JP2002076366A (ja) | 薄膜トランジスタ、多層膜構造、薄膜トランジスタの製造方法、および多層膜構造の製造方法 | |
KR20080082253A (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
CN104952932A (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
JP4238960B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR20100005457A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 | |
US10879278B2 (en) | Display substrate, manufacturing method therefor, and display device | |
EP2863435A1 (en) | Array substrate, manufacturing method of same, and display device | |
CN102254861B (zh) | 薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法 | |
KR20000039794A (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 | |
WO2019100494A1 (zh) | Ips型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 | |
KR100778835B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
US8563341B2 (en) | Thin film transistor array substrate and manufacturing method for the same | |
KR20070073296A (ko) | 액정 표시 장치와 이의 제조 방법 | |
KR101281901B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101337178B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR101001992B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR20010010116A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20130010774A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 | |
KR100417915B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
KR102545697B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120928 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130930 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141021 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151028 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161012 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171016 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181015 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191015 Year of fee payment: 13 |