JPH04303825A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
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- JPH04303825A JPH04303825A JP3068279A JP6827991A JPH04303825A JP H04303825 A JPH04303825 A JP H04303825A JP 3068279 A JP3068279 A JP 3068279A JP 6827991 A JP6827991 A JP 6827991A JP H04303825 A JPH04303825 A JP H04303825A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影型テレビ画像表示装
置（プロジェクションＴＶ）、ビデオカメラのビューフ
ァインダー、ＯＡ機器等のディスプレイに用いる液晶表
示装置とその製造方法に関する。
置（プロジェクションＴＶ）、ビデオカメラのビューフ
ァインダー、ＯＡ機器等のディスプレイに用いる液晶表
示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、ポッケトサイズ
のＴＶ受像機、プロジェクションＴＶ、ビデオカメラの
ビューファインダー、ＯＡ機器等のディスプレイに広く
使用されるようになってきた。特に、画質の点から考え
ると、画素の一つ一つに薄膜トランジスタのスイッチ（
以下画素トランジスタと称する）を設けたアクティブマ
トリックス型が他の方式より優位であり、画質の向上、
プロセスの簡素化等について画素構造の研究が盛んに行
われている。
のＴＶ受像機、プロジェクションＴＶ、ビデオカメラの
ビューファインダー、ＯＡ機器等のディスプレイに広く
使用されるようになってきた。特に、画質の点から考え
ると、画素の一つ一つに薄膜トランジスタのスイッチ（
以下画素トランジスタと称する）を設けたアクティブマ
トリックス型が他の方式より優位であり、画質の向上、
プロセスの簡素化等について画素構造の研究が盛んに行
われている。
【０００３】以下に従来の液晶表示装置について説明す
る。図５は従来の液晶表示装置の画素部の断面構造図で
ある。図５において、１は石英基板、２は多結晶シリコ
ン薄膜（以下ポリシリコン薄膜と称する）、２ａは画素
トランジスタ、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５
は層間絶縁膜、６はアルミ配線による信号線であり、画
素トランジスタを構成する。７はアルミ（Ａｌ）電極、
２１はクロム（Ｃｒ）電極で画素トランジスタ２ａとイ
ンジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）膜からなる画素電
極２２とを接続するための導電材料であり、２３は表面
保護膜となるＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）膜
である。
る。図５は従来の液晶表示装置の画素部の断面構造図で
ある。図５において、１は石英基板、２は多結晶シリコ
ン薄膜（以下ポリシリコン薄膜と称する）、２ａは画素
トランジスタ、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５
は層間絶縁膜、６はアルミ配線による信号線であり、画
素トランジスタを構成する。７はアルミ（Ａｌ）電極、
２１はクロム（Ｃｒ）電極で画素トランジスタ２ａとイ
ンジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）膜からなる画素電
極２２とを接続するための導電材料であり、２３は表面
保護膜となるＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）膜
である。
【０００４】以上のように構成された液晶表示装置につ
いて、以下その動作を説明する。画像を形成するために
、ある決まったタイミングで画素トランジスタ２ａのゲ
ート電極４にＯＮ電圧が印加され、信号線６から送られ
てきた画像信号は画素トランジスタ２ａを通り、画素電
極２２に達する。そして画像信号に応じて液晶が変位し
、画素を透過する光量が調整される。このような動作が
各画素について順次行われることにより液晶表示装置に
画像が表示される。
いて、以下その動作を説明する。画像を形成するために
、ある決まったタイミングで画素トランジスタ２ａのゲ
ート電極４にＯＮ電圧が印加され、信号線６から送られ
てきた画像信号は画素トランジスタ２ａを通り、画素電
極２２に達する。そして画像信号に応じて液晶が変位し
、画素を透過する光量が調整される。このような動作が
各画素について順次行われることにより液晶表示装置に
画像が表示される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、以下のような課題を有している。すなわ
ち、画素電極２２としてスパッタ法によるＩＴＯ膜を用
いているため、エッチング特性の良好なＩＴＯ膜を再現
性よく形成するのが非常に困難である。そのためＩＴＯ
膜のエッチング不良が生じ、液晶表示装置の歩留りが悪
くなり、製造コストが高くなる原因となっていた。
来の構成では、以下のような課題を有している。すなわ
ち、画素電極２２としてスパッタ法によるＩＴＯ膜を用
いているため、エッチング特性の良好なＩＴＯ膜を再現
性よく形成するのが非常に困難である。そのためＩＴＯ
膜のエッチング不良が生じ、液晶表示装置の歩留りが悪
くなり、製造コストが高くなる原因となっていた。
【０００６】本発明は上記の従来の課題を解決するもの
で、パターン形成の容易な画素電極構造を有する液晶表
示装置とその製造方法を提供することを目的とする。
で、パターン形成の容易な画素電極構造を有する液晶表
示装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の液晶表示装置は、絶縁基体の上に形成された
薄膜トランジスタのソースとドレインが第１の層間絶縁
膜の上に形成された第１、第２の導体配線とそれぞれ接
続されており、その上に第２の層間絶縁膜が形成されて
おり、この第２の層間絶縁膜の上に形成されたアモルフ
ァスシリコン薄膜からなる画素電極と薄膜トランジスタ
のドレインが第３のコンタクトホールを通して接続され
た構成を有している。
に本発明の液晶表示装置は、絶縁基体の上に形成された
薄膜トランジスタのソースとドレインが第１の層間絶縁
膜の上に形成された第１、第２の導体配線とそれぞれ接
続されており、その上に第２の層間絶縁膜が形成されて
おり、この第２の層間絶縁膜の上に形成されたアモルフ
ァスシリコン薄膜からなる画素電極と薄膜トランジスタ
のドレインが第３のコンタクトホールを通して接続され
た構成を有している。
【０００８】
【作用】この構成によって、すなわち画素電極としての
アモルファスシリコン薄膜は５００℃以下で形成するこ
とができるため、すでに形成されている薄膜トランジス
タや導体配線などに悪影響を与えることもなく、またエ
ッチングが再現性良くでき、ＩＴＯを画素電極とするよ
りも歩留りが向上し、製造コスト低減が実現できる。
アモルファスシリコン薄膜は５００℃以下で形成するこ
とができるため、すでに形成されている薄膜トランジス
タや導体配線などに悪影響を与えることもなく、またエ
ッチングが再現性良くでき、ＩＴＯを画素電極とするよ
りも歩留りが向上し、製造コスト低減が実現できる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の第１の実施例について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１０】図１は本発明の第１の実施例における液晶
表示装置の画素部の断面構造図である。図１において、
１は石英基板、２はポリシリコン薄膜、２ａは画素トラ
ンジスタ、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５は第
１の層間絶縁膜、５ａは第１のコンタクトホール、５ｂ
は第２のコンタクトホール、６はアルミ配線による信号
線、７はアルミ電極で画素トランジスタ２ａとアモルフ
ァスシリコン薄膜からなる画素電極１０を接続するため
の導電材料であり、ＳｉＮｘ膜８とＳＯＧ膜９で第２の
層間絶縁膜９ａを形成する。９ｂは第３のコンタクトホ
ール、１０はアモルファスシリコン薄膜からなる画素電
極（以下画素電極と称する）である。
表示装置の画素部の断面構造図である。図１において、
１は石英基板、２はポリシリコン薄膜、２ａは画素トラ
ンジスタ、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５は第
１の層間絶縁膜、５ａは第１のコンタクトホール、５ｂ
は第２のコンタクトホール、６はアルミ配線による信号
線、７はアルミ電極で画素トランジスタ２ａとアモルフ
ァスシリコン薄膜からなる画素電極１０を接続するため
の導電材料であり、ＳｉＮｘ膜８とＳＯＧ膜９で第２の
層間絶縁膜９ａを形成する。９ｂは第３のコンタクトホ
ール、１０はアモルファスシリコン薄膜からなる画素電
極（以下画素電極と称する）である。
【００１１】以上のように形成された液晶表示装置につ
いて、以下その動作を説明する。画像を形成するために
、ある決まったタイミングで画素トランジスタ２ａのゲ
ート電極４にＯＮ電圧が印加されると、信号線６から送
られてきた画像信号は画素トランジスタ２ａを通り、画
素電極１０に達する。そして画像信号に応じて液晶が変
位し、画素を透過する光量が調整される。このような動
作が各画素について順次行われることにより液晶表示装
置に画像が表示される。
いて、以下その動作を説明する。画像を形成するために
、ある決まったタイミングで画素トランジスタ２ａのゲ
ート電極４にＯＮ電圧が印加されると、信号線６から送
られてきた画像信号は画素トランジスタ２ａを通り、画
素電極１０に達する。そして画像信号に応じて液晶が変
位し、画素を透過する光量が調整される。このような動
作が各画素について順次行われることにより液晶表示装
置に画像が表示される。
【００１２】次に本発明の第１の実施例の液晶表示装置
の製造方法について説明する図２は本発明の第１の実施
例における液晶表示装置の製造工程図である。まず図２
（ａ）に示すように、石英基板１の上に能動領域を構成
するポリシリコン薄膜２、ゲート酸化膜３、ゲート電極
４、第１の層間絶縁膜５、信号線６、アルミ電極７から
なる画素トランジスタ２ａを形成する。信号線６は第１
のコンタクトホール５ａを通して、またアルミ電極７は
第２のコンタクトホール５ｂを通してそれぞれ画素トラ
ンジスタ２ａに接続されている。次に図２（ｂ）に示す
ように、連続してＳｉＮｘ膜８、ＳＯＧ膜９を形成し、
第２の層間絶縁膜９ａとする。次に図２（ｃ）に示すよ
うに、ドライエッチングによりアルミ電極７の上の第２
の層間絶縁膜９ａに第３のコンタクトホール９ｂを形成
する。次に図２（ｄ）に示すように、Ｓｉ２Ｈ６を原料
ガスとしＰＨ３をドーパントガスとする減圧ＣＶＤ法に
より４５０℃でアモルファスシリコン薄膜を堆積した後
パターニングを行い画素電極１０を形成する。アルミ電
極７と画素電極１０の接続は、４５０℃でアモルファス
シリコン薄膜を堆積するときにアロイが生じ、同時に形
成される。アモルファスシリコン薄膜のエッチングはＣ
Ｆ４ガスによるドライエッチングにより行う。
の製造方法について説明する図２は本発明の第１の実施
例における液晶表示装置の製造工程図である。まず図２
（ａ）に示すように、石英基板１の上に能動領域を構成
するポリシリコン薄膜２、ゲート酸化膜３、ゲート電極
４、第１の層間絶縁膜５、信号線６、アルミ電極７から
なる画素トランジスタ２ａを形成する。信号線６は第１
のコンタクトホール５ａを通して、またアルミ電極７は
第２のコンタクトホール５ｂを通してそれぞれ画素トラ
ンジスタ２ａに接続されている。次に図２（ｂ）に示す
ように、連続してＳｉＮｘ膜８、ＳＯＧ膜９を形成し、
第２の層間絶縁膜９ａとする。次に図２（ｃ）に示すよ
うに、ドライエッチングによりアルミ電極７の上の第２
の層間絶縁膜９ａに第３のコンタクトホール９ｂを形成
する。次に図２（ｄ）に示すように、Ｓｉ２Ｈ６を原料
ガスとしＰＨ３をドーパントガスとする減圧ＣＶＤ法に
より４５０℃でアモルファスシリコン薄膜を堆積した後
パターニングを行い画素電極１０を形成する。アルミ電
極７と画素電極１０の接続は、４５０℃でアモルファス
シリコン薄膜を堆積するときにアロイが生じ、同時に形
成される。アモルファスシリコン薄膜のエッチングはＣ
Ｆ４ガスによるドライエッチングにより行う。
【００１３】なお、本発明の第１の実施例では、画素電
極１０を構成するアモルファスシリコン薄膜はＳｉ２Ｈ
６を原料ガスとしＰＨ３をドーパントガスとする減圧Ｃ
ＶＤ法により５００℃以下で形成したが、ドーパントガ
スはＢ２Ｈ６ガスでもよい。また、アモルファスシリコ
ン薄膜は、Ｓｉ２Ｈ６またはＳｉＨ４を原料ガスとしＰ
Ｈ３またはＢ２Ｈ６をドーパントガスとするプラズマＣ
ＶＤ法により５００℃以下で形成してもよい。
極１０を構成するアモルファスシリコン薄膜はＳｉ２Ｈ
６を原料ガスとしＰＨ３をドーパントガスとする減圧Ｃ
ＶＤ法により５００℃以下で形成したが、ドーパントガ
スはＢ２Ｈ６ガスでもよい。また、アモルファスシリコ
ン薄膜は、Ｓｉ２Ｈ６またはＳｉＨ４を原料ガスとしＰ
Ｈ３またはＢ２Ｈ６をドーパントガスとするプラズマＣ
ＶＤ法により５００℃以下で形成してもよい。
【００１４】次に本発明の第２の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図３は本発明の第２の実施例
における液晶表示装置の画素部の断面構造図である。な
お図１に示す本発明の第１の実施例と同一箇所には同一
符号を付して、詳細説明を省略する。図３に示す第２の
実施例が図１に示す第１の実施例と異なる点は、画素ト
ランジスタ２ａと画素電極１０とが第１の層間絶縁膜５
および第２の層間絶縁膜９ａを貫通して設けた第３のコ
ンタクトホール９ｂを通して画素電極１０を構成するア
モルファスシリコン薄膜により接続されている点である
。
を参照しながら説明する。図３は本発明の第２の実施例
における液晶表示装置の画素部の断面構造図である。な
お図１に示す本発明の第１の実施例と同一箇所には同一
符号を付して、詳細説明を省略する。図３に示す第２の
実施例が図１に示す第１の実施例と異なる点は、画素ト
ランジスタ２ａと画素電極１０とが第１の層間絶縁膜５
および第２の層間絶縁膜９ａを貫通して設けた第３のコ
ンタクトホール９ｂを通して画素電極１０を構成するア
モルファスシリコン薄膜により接続されている点である
。
【００１５】以下に第２の実施例の液晶表示装置の動作
の説明をする。画像を形成するためにある決まったタイ
ミングで画素トランジスタ２ａのゲート電極４にＯＮ電
圧が印加され、信号線６から送られてきた画像信号は画
素トランジスタ２ａを通り、アモルファスシリコン薄膜
からなる画素電極１０に達する。そして画像信号に応じ
て液晶が変位し、画素を透過する光量が調整される。こ
のような動作が各画素について順次行われることにより
液晶表示装置に画像が表示される。
の説明をする。画像を形成するためにある決まったタイ
ミングで画素トランジスタ２ａのゲート電極４にＯＮ電
圧が印加され、信号線６から送られてきた画像信号は画
素トランジスタ２ａを通り、アモルファスシリコン薄膜
からなる画素電極１０に達する。そして画像信号に応じ
て液晶が変位し、画素を透過する光量が調整される。こ
のような動作が各画素について順次行われることにより
液晶表示装置に画像が表示される。
【００１６】次に本発明の第２の実施例の製造方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。図４は本発明の第
２の実施例における液晶表示装置の製造工程図である。 まず図４（ａ）に示すように、石英基板１の上にポリシ
リコン薄膜２を能動領域としゲート酸化膜３、ゲート電
極４、第１の層間絶縁膜５、信号線６からなる画素トラ
ンジスタ２ａを形成する。信号線６は第１の層間絶縁膜
５に設けた第１のコンタクトホール５ａを通して画素ト
ランジスタ２ａと接続されている。次に、図４（ｂ）に
示すように、連続してＳｉＮｘ膜８、ＳＯＧ膜９を形成
し、第２の層間絶縁膜９ａとする。次に図４（ｃ）に示
すように、ドライエッチングにより画素トランジスタ２
ａのドレインの上に第３のコンタクトホール９ｂを形成
する。次に図４（ｄ）に示すように、Ｓｉ２Ｈ６を原料
ガスとしＰＨ３をドーパントガスとする減圧ＣＶＤ法に
より４５０℃でアモルファスシリコン薄膜を堆積した後
パターニングを行い画素電極１０を形成する。アルミ電
極７と画素電極１０の接続は、４５０℃でアモルファス
シリコン薄膜を堆積するときにアロイが生じ、同時に形
成される。アモルファスシリコン薄膜のエッチングはＣ
Ｆ４ガスによるドライエッチングにより行う。画素トラ
ンジスタ２ａのドレインと画素電極１０のアモルファス
シリコン薄膜とは第３のコンタクトホール９ｂを通して
直接接続される。
いて、図面を参照しながら説明する。図４は本発明の第
２の実施例における液晶表示装置の製造工程図である。 まず図４（ａ）に示すように、石英基板１の上にポリシ
リコン薄膜２を能動領域としゲート酸化膜３、ゲート電
極４、第１の層間絶縁膜５、信号線６からなる画素トラ
ンジスタ２ａを形成する。信号線６は第１の層間絶縁膜
５に設けた第１のコンタクトホール５ａを通して画素ト
ランジスタ２ａと接続されている。次に、図４（ｂ）に
示すように、連続してＳｉＮｘ膜８、ＳＯＧ膜９を形成
し、第２の層間絶縁膜９ａとする。次に図４（ｃ）に示
すように、ドライエッチングにより画素トランジスタ２
ａのドレインの上に第３のコンタクトホール９ｂを形成
する。次に図４（ｄ）に示すように、Ｓｉ２Ｈ６を原料
ガスとしＰＨ３をドーパントガスとする減圧ＣＶＤ法に
より４５０℃でアモルファスシリコン薄膜を堆積した後
パターニングを行い画素電極１０を形成する。アルミ電
極７と画素電極１０の接続は、４５０℃でアモルファス
シリコン薄膜を堆積するときにアロイが生じ、同時に形
成される。アモルファスシリコン薄膜のエッチングはＣ
Ｆ４ガスによるドライエッチングにより行う。画素トラ
ンジスタ２ａのドレインと画素電極１０のアモルファス
シリコン薄膜とは第３のコンタクトホール９ｂを通して
直接接続される。
【００１７】なお、本発明の第２の実施例では、画素電
極１０を構成するアモルファスシリコン薄膜はＳｉ２Ｈ
６を原料ガスとしＰＨ３をドーパントガスとする減圧Ｃ
ＶＤ法により５００℃以下で形成したが、ドーパントガ
スはＢ２Ｈ６ガスでもよい。また、アモルファスシリコ
ン薄膜は、Ｓｉ２Ｈ６またはＳｉＨ４を原料ガスとしＰ
Ｈ３またはＢ２Ｈ６をドーパントガスとするプラズマＣ
ＶＤ法により５００℃以下で形成してもよい。
極１０を構成するアモルファスシリコン薄膜はＳｉ２Ｈ
６を原料ガスとしＰＨ３をドーパントガスとする減圧Ｃ
ＶＤ法により５００℃以下で形成したが、ドーパントガ
スはＢ２Ｈ６ガスでもよい。また、アモルファスシリコ
ン薄膜は、Ｓｉ２Ｈ６またはＳｉＨ４を原料ガスとしＰ
Ｈ３またはＢ２Ｈ６をドーパントガスとするプラズマＣ
ＶＤ法により５００℃以下で形成してもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明は、絶縁基体の上に
形成された薄膜トランジスタのソースとドレインが第１
の層間絶縁膜の上に形成された第１、第２の導体配線と
それぞれ接続されており、その上に第２の層間絶縁膜が
形成されており、この第２の層間絶縁膜の上に形成され
たアモルファスシリコン薄膜からなる画素電極と薄膜ト
ランジスタのドレインが第３のコンタクトホールを通し
て接続された構成とすることにより、再現性よくまた精
度よく画素電極を形成できるため、歩留まり向上と製造
コストの低減を図ることのできる優れた液晶表示装置と
その製造方法を実現できるものである。
形成された薄膜トランジスタのソースとドレインが第１
の層間絶縁膜の上に形成された第１、第２の導体配線と
それぞれ接続されており、その上に第２の層間絶縁膜が
形成されており、この第２の層間絶縁膜の上に形成され
たアモルファスシリコン薄膜からなる画素電極と薄膜ト
ランジスタのドレインが第３のコンタクトホールを通し
て接続された構成とすることにより、再現性よくまた精
度よく画素電極を形成できるため、歩留まり向上と製造
コストの低減を図ることのできる優れた液晶表示装置と
その製造方法を実現できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の画素部
の断面構造図
の断面構造図
【図２】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の製造工
程図
程図
【図３】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の画素部
の断面構造図
の断面構造図
【図４】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の製造工
程図
程図
【図５】従来の液晶表示装置の画素部の断面構造図
１ 石英基板（絶縁基体）
２ ポリシリコン薄膜（半導体薄膜）２ａ 画素ト
ランジスタ ５ 第１の層間絶縁膜 ５ａ 第１のコンタクトホール ５ｂ 第２のコンタクトホール ６ 第１の導体配線 ７ 第２の導体配線 ９ａ 第２の層間絶縁膜 ９ｂ 第３のコンタクトホール １０ 画素電極
ランジスタ ５ 第１の層間絶縁膜 ５ａ 第１のコンタクトホール ５ｂ 第２のコンタクトホール ６ 第１の導体配線 ７ 第２の導体配線 ９ａ 第２の層間絶縁膜 ９ｂ 第３のコンタクトホール １０ 画素電極
Claims (6)
- 【請求項１】絶縁基体の上に半導体薄膜を能動領域とす
るプレナー型の薄膜トランジスタが形成されており、前
記薄膜トランジスタの上に第１の層間絶縁膜が形成され
ており、前記薄膜トランジスタのソースと前記第１の層
間絶縁膜の上の第１の導体配線が前記第１の層間絶縁膜
に形成された第１のコンタクトホールを通して接続され
ており、前記薄膜トランジスタのドレインと前記第１の
層間絶縁膜の上の第１の導体配線とは独立して設けられ
た第２の導体配線が前記第１の層間絶縁膜に形成された
第２のコンタクトホールを通して接続されており、第１
、第２の導体配線が形成された絶縁基体の上に第２の層
間絶縁膜が形成されており、第２の層間絶縁膜の上にア
モルファスシリコン薄膜からなる画素電極が形成されて
おり、前記画素電極と前記第２の導体配線が前記第２の
層間絶縁膜に形成された第３のコンタクトホールを通し
て接続されている液晶表示装置。 - 【請求項２】絶縁基体の上に半導体薄膜を能動領域とす
るプレナー型の薄膜トランジスタが形成されており、前
記薄膜トランジスタの上に第１の層間絶縁膜が形成され
ており、前記薄膜トランジスタのソースと前記第１の層
間絶縁膜の上の第１の導体配線が前記第１の層間絶縁膜
に形成された第１のコンタクトホールを通して接続され
ており、前記第１の導体配線が形成された絶縁基板の上
に第２の層間絶縁膜が形成されており、前記第２の層間
絶縁膜の上に形成されたアモルファスシリコン薄膜から
なる画素電極と前記薄膜トランジスタのドレインとが前
記第１および第２の層間絶縁膜を貫通して形成された第
３のコンタクトホールを通して前記画素電極の延長によ
り接続されている液晶表示装置。 - 【請求項３】薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜が
多結晶シリコン薄膜である請求項１または２記載の液晶
表示装置。 - 【請求項４】絶縁基体の上に半導体薄膜を堆積した後、
それぞれ独立した島領域を形成する工程と、島領域の半
導体薄膜の上にゲート酸化膜を形成する工程と、前記ゲ
ート酸化膜の上にゲート電極を形成する工程と、ゲート
電極が形成された絶縁基体の上に第１の層間絶縁膜を形
成する工程と、前記第１の層間絶縁膜に前記島領域の半
導体薄膜のソース、ドレインに達する第１および第２の
コンタクトホールを形成する工程と、前記第１の層間絶
縁膜の上に前記第１のコンタクトホールを通してソース
に接続された第１の導体配線と前記第２のコンタクトホ
ールを通してドレインに接続された第２の導体配線とを
形成する工程と、前記第１および第２の導体配線が形成
された絶縁基体の上に第２の層間絶縁膜を形成する工程
と、前記第２の層間絶縁膜に前記第２の導体配線に達す
る第３のコンタクトホールを形成する工程と、前記第２
の層間絶縁膜の上に前記第２の導体配線に一端が接続さ
れたアモルファスシリコン薄膜からなる画素電極を形成
する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜が
多結晶シリコン薄膜である請求項４記載の液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項６】画素電極を形成する工程が、シラン（Ｓｉ
Ｈ４）またはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を原料ガスとし、
ホスフィン（ＰＨ３）またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）をド
ーパントガスとする減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ
法により５００℃以下で形成したアモルファスシリコン
薄膜をパターンニングする工程からなる請求項４記載の
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068279A JPH04303825A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068279A JPH04303825A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04303825A true JPH04303825A (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=13369166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3068279A Pending JPH04303825A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04303825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7116389B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-10-03 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP3068279A patent/JPH04303825A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7116389B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-10-03 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
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