TWI496170B - 帶有電極的基板，含彼之有機發光裝置以及其製法 - Google Patents

帶有電極的基板，含彼之有機發光裝置以及其製法 Download PDF

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TWI496170B
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Description

帶有電極的基板，含彼之有機發光裝置以及其製法
本發明之標的為一種帶有電極的基板，含彼之有機發光裝置以及其製法。
已知的有機發光系統或OLED(有機發光二極體)包含有機電發光材料或該等材料之堆疊，其以導電層形式藉由側面與其相接之電極供電。
習知地，上電極為反射金屬層，例如由鋁製造，及下電極為以氧化銦(通常較佳已知為縮寫ITO之摻雜錫的氧化銦)為主的透明層，具有約100至150奈米之厚度。然而，對於在大面積上的均勻照明，需要形成不連續的下電極，典型地藉由形成數毫米2 的電極區，及需要大幅減少各電極區之間的距離，典型地減少約十微米。使用貴且複雜的光微影法和鈍化技術。
文件US 7172822此外提議一種OLED裝置，其中最靠近基板之電極包含藉由塡充龜裂遮罩而獲得的不規則網導體。更具體地說在玻璃基板和OLED活性層之間，OLED裝置連續地包含：
-　以金為主的下層；
-　溶膠-凝膠層，其在退火之後形成微裂遮罩，具有等於0.4微米之厚度；
-　以金為主的網導體，其藉由觸媒沉積獲得，此網導體具有等於3Ω/□之片電阻，及83%之光透射；
-　50奈米聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)層。
來自此文件US 7172822之圖3揭示矽石溶膠-凝膠遮罩之形態。其以於沿著較佳方向定向的細裂紋之形式出現，具有彈性材料的破碎現象之分叉特性。這些主要裂紋有時以分叉連結在一起。
裂紋之間的區域為不對稱的，由於二種特性尺寸：一平行於裂縫伸長方向的介於0.8和1毫米之間，另一個垂直於裂縫伸長方向的介於100和200微米之間。
此電極具有可接受的導電和透明性性質，該片電阻等於3Ω/□及82%之光透射。然而，不保證具有該電極的OLED裝置之可靠度。
為了形成龜裂溶膠-凝膠遮罩，將以水、醇和矽石前驅物(TEOS)為主的溶膠沉積，將溶劑蒸發且在120℃下退火30分鐘。
此藉由龜裂溶膠-凝膠遮罩製造電極之方法藉由除去(例如)對光微影法(將樹脂暴露於輻射/光束且顯影)的依賴而構成網導體的製造之進步，但是仍可被改良，特別是為了適合工業需求(可靠度、簡化及/或減少製造步驟、減少成本、等等)。
也觀察到製造網的方法不可避免地需要在孔之(化學地或物理地)可修正下層的沉積以便允許(例如，金屬膠體之)有利黏著或者允許金屬後生長之觸媒接枝，此下層因此在網的生長方法中具有功能性角色。
此外，由於彈性材料之破裂力學，龜裂的形狀為V形，其包括使用後遮罩方法之以便使金屬網從位於V的底部之膠體粒子開始生長。
本發明之目的為獲得一種用於高性能(高導電性、適當透明性)之OLED的電極，其為可靠、堅固、可再生，其可在大面積上產生，此全部以工業規模且較佳地以低成本和儘可能容易地生產。較佳地，此電極也有助於OLED裝置的整體性能(光輸出、照明均勻性、等等)之增加。
為此目的，本發明之第一個標的為一種於主要面上帶有複合電極的基板，其包含：
-　由股線形成之導電網，其為由以金屬及/或金屬氧化物為主之導電材料製造的層(單層或多層)，該網具有於550奈米之至少60%的光透射，或甚至至少60%之整體光透射TL ，股線之間的空間被稱為塡充材料之材料塡充；
-　導電塗層，其覆蓋導電網、具有大於或等於40奈米之厚度且與股線電接連、具有小於105 Ω.公分和大於形成網之股線的材料之電阻率的電阻率ρ1，該塗層形成電極之平滑外表面；
-　該塡充材料為導電性，具有大於該網之電阻率ρ0和小於電阻率ρ1之電阻率ρ2，或具有大於ρ1之電阻率ρ2，具有大於股線之厚度的厚度、導電塗層則覆蓋該塡充材料，或塡充材料由該導電材料製造，該導電塗層則實質上塡充股線之間的空間；
-　該複合電極也具有小於或等於10Ω/□之片電阻。
根據本發明之複合電極因此包含被埋入(被塡充材料，其可與導電塗層不同或相同)之導電網，其表面是平滑的以避免將電缺陷引進OLED中。
導電塗層的表面為電極之外表面。導電塗層的表面較佳地意欲與OLED之有機層：特別是電洞注入層(HIL)及/或電洞傳輸層(HTL)接觸。
該導電塡充材料減少(特別是)電極網的最高水平和最低水平之間的差。
透過導電塗層，消除起因於股線(被塡充材料塗佈)及/或股線之間的導電塡充材料之表面的不受控制的表面微觀粗糙度之尖峰效應所產生的短路之風險。
根據本發明之導電塗層可與或不與股線直接接觸。其藉由不同導電塡充材料以與股線的高度比較之過厚度(overthickness)而與股線分開。或當塡充材料由塗層之材料製造時，其與股線接觸。塡充材料的表面然後立刻形成電極的平滑表面。
透過足夠平滑的導電塡充材料，或控制粗糙度的導電塡充材料，因此可能有助於消除由尖峰效應所產生之短路的風險。因此，塡充材料的表面可形成第一平滑程度和不同導電塗層的表面，第二較細平滑程度。根據本發明之導電塗層因此可能使塗佈不同導電塡充材料之網的表面更加平滑。
相反地，文件US 7172822中所述之網導體，以符合網導體和碎裂遮罩之間的高度差之薄聚合物層覆蓋。
透過此根據本發明之埋入和平滑網電極的設計，OLED之可靠度和再現性因此被保證，且其使用壽命因此被延長。
本發明因此係有關，從股線的網製造之電極開始(股線可為較厚的及/或隔開)以幾種標準控制電極的粗糙度(首先藉由使用塡充材料埋入網以便抑制意外步驟且然後使其足夠地平滑)及有關確定適合於以數種材料(股線材料、可與導電塗層材料不同或相同之塡充材料)製造之電極的電和透明性性質或甚至改良OLED之性能。
導電塡充材料可為單成分或多成分單層或多層。
塡充材料可有利地較佳具有至少一種下列功能：
-　具有平滑化電極的表面之角色，特別是藉由選擇平滑材料(經由判斷正確選擇沉積方法、其調配物、其厚度)，如已經指示者；
-　與導電塗層組合具有電角色，由於其導電性質；
-　為一種提取由OLED發射之輻射的手段(means)。
根據本發明之導電塗層，由於其電阻率、其網之覆蓋和其不同導電塡充材料之覆蓋，且由於其厚度，維持足夠的垂直導電性，當塡充材料具有大於網之電阻率ρ0且小於電阻率ρ1之電阻率ρ2以便避免因為串聯電阻增加(需要增加施用之直流電壓)之光輸出損失時。
根據本發明之導電塗層，由於其電阻率、其網之覆蓋和其不同導電塡充材料之覆蓋，且由於其厚度，有助於電流的較佳分佈，當塡充材料為導電、具有大於ρ1之電阻率ρ2時。
導電塗層之電阻率ρ1可小於或等於103 Ω.cm，且甚至小於或等於102 Ω.cm。
網可呈線的形式，例如平行線，或者呈閉合型式的形式(彼此連接之股線，界定網格)，例如幾何(矩形、方形、多角形，等等)閉合型式和視需要地不規則形狀及/或不規則大小之型式。
可能定義B為股線之間的平均距離(特別是對應於平均網格大小)，A定義為股線之平均寬度，和B+A定義為視需要不規則網之平均週期。
股線之間的平均距離B較短(緻密網)，導電塗層之電阻率ρ1較高。而且，因為塡充材料為導電，所以導電塗層之電阻率ρ1可為較大。
在第一組態中，塡充材料為導電，例如具有小於或等於103 Ω.cm之電阻率ρ2，較佳地具有大於或等於股線之一半高度，特別是大於或等於200奈米的塡充厚度。電阻率ρ1則較佳可為小於或等於103 Ω.cm。
在第二組態中，塡充材料不是非常傳導性。電阻率ρ1較佳地可為小於或等於10-l Ω.公分，特別是當網為緻密(B典型地小於或等於50微米)時。當網不是很緻密(B典型地大於50微米)時，電阻率ρ1則更佳地可仍為小於或等於10-2 Ω.cm，或甚至小於或等於10-4 Ω.cm。
電阻率ρ1可能為大於ρ2至少十倍以減少對短路之靈敏度。
根據本發明之電極的表面不一定為用塗料平坦化之平面。其可為波形的。
明確地說，導電塗層可首先藉由形成足夠展開之波紋使表面平滑。因此除去銳利角、傾斜縫隙是重要的。較佳地，該外表面致使在網之平均週期B+A期間從外表面之實際外形開始且藉由以奈米級過濾形成校正外形而消除局部微觀粗糙度，獲得在校正外形的任何點之小於或等於45°，更佳地仍小於或等於30°的由校正外形之切線與校正(或實際)外形之平均平面所形成的角度。
為了這些角度量測，可能使用一種原子力顯微鏡。在網之平方週期(A+B)2 期間形成實際表面之圖像。利用因此沿著規定的軸形成表面之實際外形的此圖像或此圖像之部份。外形之分析長度A+B是明斷的，因為其清楚地反射粗糙度之外形。網之平均週期B+A典型地為亞毫米，較佳地介於10微米和500微米之間。
實際外形係藉由介於50和200奈米之間(例如100奈米)的規模取得移動平均(在任何點)來校正，及然後，對於每點，測定中平面和外形的切線之間的角度。此奈米級過濾因此首先用以消除不規則性短規模。
然而為了要儘可能的避免短路，其不足以使表面變軟而不會限制局部微觀粗糙度。
因此，使用其餘外形，換言之實際外形減校正外形。其餘外形可因此具有小於50奈米，更佳地仍小於或等於20奈米，或甚至10奈米的最高點和最低點之間的最大高度差(“峰對谷”參數)，在網的平均週期B+A期間。
其餘外形也可具有小於或等於50奈米，甚至20奈米(或者稱為Rq)，或甚至5奈米之RMS粗糙度參數，在網的平均週期B+A期間。
RMS表示“方均根”粗糙度。其為在於測量粗糙度之方均根偏差的値之測量。具體而言，RMS參數，因此根據平均其餘粗糙度的峰和谷之高度(局部微觀粗糙度)，與平均(其餘)高度比較而定量。因此，10奈米之RMS表示雙倍峰振幅。
自然地，有關角度和其餘微觀粗糙度之限制條件較佳可符合大多數的電極表面。為了證明此點，可能在分散(均勻地)於整個表面上的不同區上進行測量。
較佳者為在電極之活性區進行測量，某些區，如例如電極的邊緣，可能被鈍化，例如用於連接系統或為了形成幾個發光區。
角度量測也可以其他藉由機械探針系統(使用例如藉由Veeco名稱DEKTAK出售之量測儀器)之方式進行。
導電塗層之外表面也可具有非常大寸尺的波紋，典型地超過一或更多毫米。此外，該基板，且因此外表面，可為彎曲的。
網之光透射視股線之間的平均距離B對股線之平均寬度A的B/A比而定。
較佳地，B/A比係介於5和15之間，更佳地仍約10，以容易地保持透明性和幫助製造。例如，B和A分別地等於約300微米和30微米、100微米和10微米、50微米和5微米、或20微米和2微米。
特別地，股線之平均寬度A小於30微米，典型地介於100奈米和30微米之間，較佳地小於或等於10微米，或甚至5微米以限制它們的能見度且大於或等於1微米以幫助製造和容易地保持高導電性和透明性。較佳範圍係在1和10微米之間。
特別地，為了容易地保持透明性，也可能選擇大於A的股線之間的平均距離B，介於5微米和300微米之間，甚至介於20和100微米之間，或甚至小於50微米。
因為網可為不規則及/或股線之邊緣可為傾斜的，尺寸A和B因此為平均尺寸。
為了容易地保持透明性和高導電性，股線之平均厚度可介於100奈米和5微米之間，更佳地仍從0.5至3微米，或甚至介於0.5和1.5微米之間。
有利地，根據本發明之複合電極可具有：
-　小於或等於5Ω/□，甚至小於或等於1Ω/□，或甚至0.5Ω/□之片電阻，特別是對於大於或等於1微米，且較佳地小於10微米，甚至小於或等於5微米之網厚度(甚至總電極厚度)；
-　及/或大於或等於50%，更佳地仍大於或等於70%之光透射TL 。
根據本發明之複合電極可使用於底部發光有機發光裝置或使用於底部和頂部發光有機發光裝置。
光透射TL 可(例如)在具有約90%或甚至更高的TL 之基板(例如鹼石灰-矽石玻璃)上測量。
根據本發明之複合電極可覆蓋在大面積上，例如大於或等於0.02米2 或甚至大於或等於0.5米2 或1米2 之面積。
此外，導電材料的沉積物，甚至厚沉積物可覆蓋股線而沒有足夠地平滑化該表面。這是因為化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)技術，特別是在真空下之沉積(蒸發、濺射)再現或甚至放大起始表面之不規則性。然後，為了獲得平滑外表面，則必需進行後來導電材料的表面加工操作，例如經由機械(拋光類型)措施。
且，較佳地，用於根據本發明之導電塗層(甚至也用於塡充材料)，選擇液體路徑沉積技術，特別是至少一種下列技術：藉由(平面、輪轉、等等)印刷，特別是藉由快乾(flexographic)印刷、藉由蝕刻印刷或者藉由噴塗、藉由浸塗、藉由簾式塗佈、藉由流塗、藉由旋轉塗佈、藉由刮刀塗佈、藉由環棒式(wire-bar)塗佈、藉由其他塗佈、藉由噴墨印刷、或藉由網印。沉積也可藉由溶膠-凝膠路徑獲得。
明確地，液膜之表面張力傾向於使表面不規則性變平滑。
在股線的頂上，導電塗層之厚度，單獨或與底下由不同塡充材料製造的導電層組合，可為介於40和1000奈米之間且較佳地介於50和500奈米之間。
導電塗層及/或視需要不同之導電塡充材料可(例如)包含或由TCO(透明導電氧化物)層組成。
對導電塗層，可能較佳地選擇錫之單一氧化物SnO2 、鋅之單一氧化物ZnO、銦之單一氧化物In2 O3 以及摻雜氧化物，甚至混合二元或三元氧化物，特別是一或多個上述的元素。特別地，至少一種下列摻雜或混合氧化物為較佳：
-　氧化鋅，其與至少一種下列元素摻雜或合金化：鋁、鎵、銦、硼、錫，(例如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：In、ZnO：B、ZnSnO)；
-　氧化銦，其特別是與鋅(IZO)、鎵和鋅(IGZO)、或錫(ITO)摻雜或合金化；
-　氧化錫，其與氟或與銻摻雜(SnO2 ：F，SnO2 ：Sb)或與視需要地摻雜有銻之鋅合金化(SnZnO)；
-　與鈮摻雜之氧化鈦(TiO2 ：Nb)。對於導電塡充材料，可能選擇上述導電材料或其他氧化物之材料，特別是高指數、電絕緣(塡充導電粒子，特別是金屬粒子或透明導電氧化物之粒子)材料，特別是：
-　氧化鈮(Nb2 O5 )；
-　氧化鋯(ZrO2 )；
-　氧化鈦(TiO2 )；
-　氧化鋁(Al2 O3 )；
-　氧化鉭(Ta2 O5 )；
-　或者氮化物如Si3 N4 、AlN、GaN，視需要地摻雜Zr，或者化學計量碳化矽SiC。
此導電和高指數塡充層可藉由例如PVD或CVD沉積製備。
導電塗層可(例如)包含一含有如上所述的金屬奈米粒子或透明導電氧化物之奈米粒子(較佳地介於10和50奈米之間)的層，以較佳限制和控制沉積物之粗糙度，奈米粒子視需要地且較佳地在黏合劑中。
塡充材料包含或甚至由主要無機或混合有機/無機層組成。
塡充材料可(例如)包含或甚至由特別是以單一或混合導電金屬氧化物為主的溶膠-凝膠層組成，例如該等如上所述者。然而，難以獲得厚的溶膠-凝膠層，特別是具有大於200奈米或甚至150奈米且特別是一次達到之厚度。
較佳地，視需要地與導電塗層不同之塡充材料包含或由包含如上所述之(奈米)粒子或導電氧化物之(奈米)粒子的層組成。
(奈米)粒子較佳地尺寸介於10和50奈米之間以較佳限制和控制沉積物之粗糙度且較佳地經由蓋在上面的導電塗層製作平滑。(奈米)粒子視需要地在黏合劑中。
作為金屬(奈米)粒子，可能選擇以Ag、Au、Al、Pd、Pt、Cr或Cu為主的(奈米)粒子。為了電阻率和透明性，調整(奈米)粒子在黏合劑中的濃度。
作為透明導電氧化物之(奈米)粒子，特別是下列為較佳：
-　摻雜錫之氧化銦SnO2 ：I(ITO)
-　SnO2 ：Sb(ATO)
為了成本原因，複合電極較佳地具有限制之ITO含量。例如，以有機金屬前驅物為主的ITO溶膠-凝膠層具有150奈米或甚至50奈米之最大厚度。
奈米粒子可從在溶劑(醇、酮、水、二醇、等等)中之分散液沉積。
可用以形成塡充層(甚至導電塗層)之以粒子為主的商品為下列住友金屬礦業(Sumitomo Metal Mining)股份有限公司出售之產品：
-　分散在(視需要的)樹脂黏合劑中且使用酮溶劑之X100，X100D ITO粒子；
-　分散在醇溶劑中之X500ITO粒子；
-　在醇溶劑中之CKR金-塗佈之銀粒子；
-　CKRF黏聚之金和銀粒子。
由於粒子之間沒有黏合劑，分散液單獨不是很抵抗機械性。因此，為了確定該等層的黏合，較佳為在它們沉積之前將它們混合在黏合劑內(黏合劑然後散佈在塡充層之整個厚度)。
黏合劑可為電絕緣或導電。
黏合劑可為有機的，例如丙烯酸系、環氧或聚胺酯樹脂。
導電或電絕緣黏合劑，例如ZrO2 、TiO2 。其可經由溶膠-凝膠路徑(礦物、或混合有機/無機、等等)製備。黏合劑可以有機金屬前驅物為主，較佳地具有與導電金屬氧化物之奈米粒子相同之化學性質。
塗層及/或塡充層所要之電阻率係以調配物之函數調整。
另一替代方案為使用導電黏合劑覆蓋以奈米粒子為主的塡充層而沒有黏合劑。黏合劑穿透奈米粒子之間(至少在塡充層的最外面部份上)因此作為粒子之間的膠合劑，例如至少超過一半厚度(典型地超過數百奈米)。此外，保持在表面的黏合劑然後形成平滑表面且可防止塡充層受到機械攻擊之導電塗層。
此外，導電黏合劑可為：
-　礦物或混合礦物/有機黏合劑，特別是以有機金屬前驅物為主之溶膠-凝膠，較佳地具有與金屬氧化物之奈米粒子相同之化學性質；
-　或有機或聚合物黏合劑。
沉積塡充層之方法可(例如)藉由旋轉塗佈或噴塗或者藉由網印。
因此，導電塗層可包含或甚至由主要無機或混合有機/無機層組成，例如溶膠-凝膠層，特別是以單一或混合導電金屬氧化物為主者，例如該等上述所提及者。
此層較佳具有小於或等於200奈米之厚度，特別是當其為溶膠-凝膠層(尤其用於防止由於層中的高應力之裂縫)時。
溶膠-凝膠具有抵抗甚至高熱處理(例如，浸塗類型操作)和抵抗UV暴露的優點。
為了製造溶膠-凝膠層，較佳地選擇商業上可得之透明導電氧化物的前驅物，特別是有機金屬化合物或這些金屬之鹽類的前驅物。
因此，作為用於氧化錫塗層之前驅物的例子，可選擇SnCl4 、錫酸鈉、SnCl2 (OAc)2 或烷氧化Sn(IV)例如Sn(OtBu)4 。也可能選擇已知為錫前驅物之任何有機金屬化合物或鹽。
對於氧化銻沉積，可選擇有機金屬化合物和鹽類，特別是Sb(III)之烷氧化物和氯化物例如SbCl3 或SbCl5 。
混合及/或摻雜氧化物層係例如藉由以適當比例混合前驅物及藉由使用與該前驅物相容的溶劑獲得。
例如，摻雜銻之氧化錫層可為得自氯化錫和得自氯化銻在水中之溶液，在尿素和鹽酸存在下。另一製造例子在於使用四異丙醇錫作為在水/醇/乙醇胺混合物中的前驅物且加入氯化銻作為摻雜劑。
ITO層之溶膠-凝膠製造的例子給予於論文標題“ELABORATION ET CARACTERISATION DE FILMS MINCES D'OXYDE D'INDIUM DOPE A L'ETAIN OBTENUS PAR VOIE SOL-GEL”[藉由溶膠-凝膠路徑獲得之摻雜錫之氧化銦的薄膜之製備和定性](Kas DAOUDI，訂購號，58-2003，於2003年5月20日在Lyon提出和確認)之第19至25頁上。
也可能使用由住友金屬礦業(Sumitomo Metal Mining)股份有限公司出售之產品名DX-400。此為以烷氧化錫和銦、有機溶劑和黏度控制劑為主之糊漿。
使用烷氧化物類型之金屬氧化物的前驅物，例如，稀釋於有機溶劑(例如揮發性醇)中。作為揮發性醇類，可能選擇直鏈或支鏈C1至C10或15醇類，特別是，甲醇、乙醇、己醇、異丙醇、或者二醇類，特別是乙二醇或者揮發性酯類例如乙酸乙酯。
用於沉積溶膠-凝膠層之組成物也可有利地包含其他成份，特別是水作為水解劑時，或穩定劑例如二丙酮醇、乙醯丙酮、乙酸或甲醯胺。
特別地，金屬鹽類型之前驅物通常以水中之溶液使用。水之pH可藉由使用酸類或鹼類(例如，鹽酸、乙酸、氫氧化銨、氫氧化鈉)調整以控制前驅物的縮合條件。也可使用穩定劑如二丙酮醇、乙醯丙酮、乙酸或甲醯胺。
沉積之後，乾燥步驟通常在介於20和150℃之間，有利地在100℃等級之溫度進行，接著在450至600℃等級之溫度下熱處理，經幾分鐘至幾個小時之期間，有利地在550℃等級之溫度經30分鐘等級之期間。
透過從分子前驅物以溶液製備TCO層之方法，該等層通常具有150奈米之最大厚度，該類厚度時常藉由多重沉積獲得。
透過藉由沉積已經結晶之TCO奈米粒子的分散液製備TCO層之方法，該等層可厚很多(大於500奈米而沒有任何的問題，使用單一沉積)。導電性低於在從分子前驅物獲得之層的情況但仍保持正確的。不需要高溫熱處理，因為奈米粒子已經被結晶。
從前驅物製備之TCO層比從(奈米)粒子製備之層平滑。
導電塗層也可包含或由經由液體路徑沉積之基本聚合物層組成，視需要地能夠(若適當)形成用於塡充層之導電(奈米)粒子的黏合劑。
例如，其為一或多個來自至少一種下列族群之導電聚合物的層：
-　聚(噻吩)類族群，例如PEDOT(3,4-聚伸乙二氧基噻吩)、PEDOT/PSS即摻合聚苯乙烯磺酸酯類之3,4-聚伸乙二氧基噻吩，和其他申請案US2004/253439中所述之衍生物；
-　或者聚(乙炔)類、聚(吡咯)類、聚(苯胺)類、或聚(茀)類、聚(3-烷基噻吩)類、聚四硫富瓦烯類、聚萘類、聚(對-苯硫醚)、及聚(對-伸苯基伸乙烯)類。
作為聚噻吩類，可能選擇，例如，由HC Strack以名稱BAYTRON出售之產品或者由Agfa以名稱Orgacon或Orgacon EL-P3040出售之產品。
導電聚合物為電極之部份且也視需要地作為電洞注入層。
塡充材料也可包含或由經由液體路徑沉積之基本聚合物層組成。例如，其為一或多種上述導電聚合物之層。然而，以奈米粒子為主(特別是以導電金屬氧化物為主)之層為更透明，(特別是比較少著色)，尤其當它們非常厚時。
較佳地，複合電極，至少，塡充材料及/或導電塗層具有在CIELAB圖中的絕對値5以下之色度測量的坐標a*和b*。
導電塗層及/或具有於550奈米的大於或等於70%之光透射，更佳地仍於550奈米，或甚至在整個可見光範圍的大於或等於80%之塡充材料為較佳。
在本申請案中，為減少製造成本，網排列可直接地藉由導電材料之沉積獲得。
因此，避免後結構操作，例如乾燥及/或濕式蝕刻操作，其時常需要微影方法(光阻暴露於輻射和顯影)。
此直接排列成網可藉由一或多個適當的沉積方法直接地獲得，例如使用印台(stamp pad)，或者經由噴墨印刷(使用適當噴嘴)。
而且導電網可直接地藉由穿過基板上的遮罩(遮罩然後移除)中之孔的網之導電沉積，或甚至藉由在所形成之基板的蝕刻網中之導電沉積之前獲得，例如，藉由蝕刻穿透該遮罩，例如超過從10奈米開始的深度，較佳地不超過100奈米，特別是50奈米之等級。此可有利於股線之固定。
在玻璃基板的情況中，例如，可能使用氟電漿蝕刻，特別是在真空下，例如經由CF4 或CHF3 。在氧化大氣下，可能控制遮罩之蝕刻速率，特別是當選擇其為有機的時。
股線之排列則可實質上為在遮罩之網或最裏面部份的(視需要之)蝕刻網中的孔之複製品。較佳地選擇遮罩為穩定而沒有使用退火操作。
因此則可能較佳地選擇一或多個可於周圍溫度及/或為簡單(特別是比不可避免地需要使用觸媒的觸媒沉積簡單)及/或產生緻密沉積的沉積技術。
也可能選擇非選擇性沉積技術，沉積物塡充一部份的遮罩中或底下蝕刻網中之孔以及覆蓋遮罩的表面或基板的表面。遮罩然後可被移除。
特別是可能較佳地選擇經由液體路徑之沉積，特別是藉由印刷，藉由用導電墨水刮刀塗佈、及/或真空沉積技術例如濺射，或仍更佳地蒸發。
沉積可視需要地藉由使用由Ag、Cu、Au或另一可使用之高導電性金屬製造之電極電解表面加工補充。
如已見的，導電網可部份地沉積在基板(特別是玻璃基板)的蝕刻網中。基板可經由濕式路徑(例如對於玻璃用HF溶液)蝕刻，可選擇具有適當孔之網的溶膠-凝膠遮罩。
有利地，導電網，則符合自我組織，可藉由導電材料在基板上之遮罩中的自生成之孔的網中之沉積獲得。
自生成之孔的網可例如藉由硬化適合於此目的之材料的連續沉積獲得。這些可為間隙或裂縫特別是例如該等文件US7172822中所述者。
產生該類自龜裂遮罩所需之技術步驟數目的減少有利地影響產出率及所要最後產物之成本。
自生成之孔，和因此該等股線，可非周期地或(偽)隨機地不規則分布。
在導電平滑塗層沉積之前除去遮罩，較佳地具有自生成之孔。
如已見的，導電塗層可實質上完全地塡充股線之間的空間而形成簡單且迅速製造的埋入複合電極。塡充材料因此由塗層的材料製造。其厚度可特別為大於股線之高度至少一倍半，或甚至二倍。
在此組態中，較佳可選擇例如藉由印刷(特別是藉由快乾印刷)、藉由噴塗或藉由浸塗沉積之導電塗層，該塗層被沉積一或多遍。
此外，仍在一無遮罩組態中，可提供下列特性：
-　股線之間的空間(較佳地其整個高度)係用塡充材料塡充，該塡充材料稱為高指數塡充材料、具有至少於550奈米(較佳地在整個可見光範圍)大於或等於1.65之折射指數，更佳地仍於550奈米，或甚至在整個可見光範圍的介於1.65和2之間的折射指數，較佳地股線之間的距離B小於或等於50微米，更佳地仍小於或等於30微米；
-　且股線由具有無色反射的金屬(白色金屬)，較佳地銀和鋁或者鉑、鉻、鈀和鎳製造。
事實上，選擇具有至少大於或等於活性OLED系統之指數(典型地具有1.7至1.9之等級的光學指數)減0.05的指數之塡充材料。透過該類指數之選擇，OLED系統之導模的提取，及藉由使該等股線充份靠近，股線的邊緣上提取之輻射的擴散是有利的。OLED的效率然後被增加。
而且，不是很能吸收之塡充材料，特別是具有在小於10-2 cm-1 之可見光範圍的吸收為較佳。
作為藉由加入導電(奈米)粒子之無機且導電的高指數塡充材料，(例如)可選擇如已經指示之以金屬氧化物為主，特別是以Zro2 、TiO2 、Al2 O3 或Ta2 O5 為主的沉積物。這些氧化物可在真空下或較佳地藉由液體路徑沉積。它們可為溶膠-凝膠。
作為溶膠-凝膠型的高指數塡充材料之例子，可提及得自被穩定劑複合之金屬前驅物的混合溶膠-凝膠層。例如，得自被乙醯丙酮複合之丙氧化鋯或丁氧化鈦在醇介質中的溶液之層。當不進行導致對應氧化物之高溫熱處理時，該類材料由被有機分子複合的金屬羥基氧化物組成。有機官能基可藉由從350℃開始之熱處理移除以獲得無機溶膠-凝膠層。
作為高指數無機塡充材料，也可選擇高指數玻璃粉(鉛玻璃、鉍玻璃、等等)，例如藉由網印或藉由噴塗沉積且塡充導電(奈米)粒子。
作為高指數聚合物，可提及下列聚合物：聚(甲基丙烯酸1-萘酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)，具有10莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯、聚(甲基丙烯酸2,4,6-三溴苯酯)、具有10莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯之聚(甲基丙烯酸2,4,6-三溴苯酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)、聚(2,6-二氯苯乙烯)、聚(2-氯苯乙烯)、聚(2-乙烯基噻吩)、聚(雙(4-碘苯氧基)偶磷氮(phosphazene))、聚(N-乙烯酞醯亞胺)、聚(丙烯酸五溴苯甲酯)、聚(甲基丙烯酸五溴苯甲酯)、具有10莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯之聚(甲基丙烯酸五溴苯甲酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)、具有10莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯之聚(丙烯酸五溴苯酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)、具有50莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯之聚(丙烯酸五溴苯酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)、聚(甲基丙烯酸五溴苯酯)、具有10莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯之聚(甲基丙烯酸五溴苯酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)、具有50莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯之聚(甲基丙烯酸五溴苯酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)、聚(甲基丙烯酸五氯苯酯)、聚(乙烯基苯基硫醚)、具有10莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯之聚(乙烯基苯基硫醚-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)。這些聚合物係例如由Sigma-Aldrich出售。
獲得高指數塡充材料之另一可能性在於選擇具有高指數粒子之透明材料，其為聚合或者無機，如已經提及之高指數材料，例如選擇由ZrO2 、TiO2 、SnO2 或Al2 O3 製造之粒子。
作為溶膠-凝膠類型之透明材料，可能選擇產自四乙氧基矽烷(TEOS)之矽石、矽酸鈉、鋰或鉀鹽、或混合物，得自有機矽烷-類型前驅物，其通式為：
R2n Si(OR1)4-n
具有n為介於0和2之間的整數，R1為Cx H2x+l 類型之烷基官能，R2為有機基，包含例如，烷基、環氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、胺、苯基或乙烯基官能。這些混合化合物可以混合物或單獨，以水中之溶液或以具有適當pH的水/醇混合物使用。
作為透明聚合物材料，可能選擇聚矽氧類、環氧樹脂類、聚胺酯類PU、乙烯/乙酸乙烯酯EVA、聚乙烯丁醛PVB、聚乙酸乙烯酯PVA、及丙烯酸類。
此外，如已經描述的，高指數塡充材料可為大於網電阻率之電阻率ρ2的弱導電(在加入或沒有加入導電(奈米)粒子之前)。此高指數材料可覆蓋股線的表面，而形成在導電塗層底下之層或甚至形成根據本發明之導電塗層。其厚度視需要可為大於導電股線之高度。
然後可能選擇(特別是)已描述於導電和高指數塗層之材料者：
-已經描述之單一或混合金屬氧化物的層，特別是溶膠-凝膠層；
-聚合物PEDOT、PEDOT/PSS、等等；
-如已經指示的，高指數溶膠-凝膠基質或已描述且塡充導電氧化物(ZnO、ITO、IZO、SnO2 、ATO、等等)之(奈米)粒子的聚合物，固體重量含量介於0.5%和80%之間以便調整電阻率。
在一有利的無遮罩觀念中，塡充材料為導電且擴散的，特別是以擴散(視需要地導電)粒子為主和以已描述之導電(奈米)粒子為主。
具有大於5%之混濁度的擴散導電塡充材料可為較佳。
擴散(視需要地導電)粒子可以混合物之1至80重量%的比例分散在黏合劑(例如導電黏合劑)中。
這些粒子可具有大於50奈米之平均大小且亞微米化，較佳地介於100和500奈米之間，或甚至介於100和300奈米之間。
擴散粒子之指數可有利地為大於1.7和黏合劑之指數較佳可為小於1.6，例如矽石或混合有機矽材料。
擴散粒子可為有機，例如由上述高指數聚合物材料製造。較佳地，這些擴散粒子可為礦物，較佳地氮化物、碳化物或氧化物，氧化物係選自氧化鋁、鋯石、氧化鈦、氧化鈰或為這些氧化物之至少二種的混合物。
擴散塡充材料之黏合劑較佳可選自主要的礦物黏合劑，如矽酸鉀、矽酸鈉、矽酸鋰、磷酸鋁、矽石、及玻璃粉。
作為混合有機/礦物黏合劑，可提及如前述透明材料之以有機矽烷為主的黏合劑。
擴散塡充材料可藉由任何熟習該項技術者已知的層沉積技術沉積，特別是藉由網印、油漆之塗佈、藉由浸塗、藉由旋轉塗佈、藉由濺射、或者藉由流塗。
此擴散塡充層使可能增加OLED的效率，特別是於股線之間的較大距離，也就是從30微米且甚至更多到100微米及以上。
擴散塡充材料可只部份地塡充空間，特別是可在網之間的空間下部，上部由另一塡充材料製造。
擴散塡充材料可具有絕緣黏合劑，如果其包含導電(奈米)粒子。其厚度則可較佳地介於導電股線之高度的20%和100%之間且有利地介於股線之厚度的50%和100%之間。
如已經描述的，擴散塡充材料可為大於網的電阻率之電阻率ρ2的弱導電。此擴散塡充材料甚至可覆蓋股線的表面，而形成在導電塗層底下之層或甚至形成根據本發明之導電塗層。其厚度視需要可大於導電股線之高度。
總而言之，可能選擇下列作為導電擴散塡充材料：
- 塡充擴散粒子之導電聚合物材料，例如該等已經描述於導電塗層者(特別是PEDOT、PEDOT/PSS)；
-　及/或用透明導電氧化物(例如ITO)塡充之擴散粒子的絕緣黏合劑(礦物、溶膠-凝膠路徑、樹脂等等)；
-　及/或透明導電氧化物之擴散粒子的堆疊；
-　及/或用導電(奈米)粒子和擴散粒子塡充之視需要地絕緣黏合劑。
可能選擇熔融玻璃粉(用導電(奈米)粒子塡充)或溶膠
-凝膠層(視需要用導電(奈米)粒子塡充)作為導電塡充材料。
很多的化學元素可為溶膠-凝膠塡充層之主要部份。其可包含至少一種下列元素之至少一種化合物作為必需組份材料：Si、Ti、Zr、Sb、Hf、Ta、Mg、Al、Mn、Sn、Zn、Ce。其可特別為至少一種上述元素的單一氧化物或混合氧化物。塡充材料較佳可主要地以矽石為主，特別是為了其對礦物玻璃之黏著和與礦物玻璃的相容性。
矽石層的組成材料之溶膠前驅物可為矽烷，特別是四乙氧基矽烷(TEOS)及/或甲基三乙氧基-矽烷(MTEOS)、或矽酸鋰、矽酸鈉或矽酸鉀。
矽石可為如已描述於上之通式R2n Si(OR1)4-n 的化合物獲得之混合物或該化合物。
較佳塡充材料可較佳地藉由網印、藉由浸塗或噴塗沉積。導電底塗層可較佳地藉由印刷，特別是藉由快乾印刷、藉由浸塗或噴塗沉積。
導電網可為複合物，特別是多層化。
此外，導電網可包含或由以金屬氧化物為主的層組成，該金屬氧化物便宜且容易製造，例如氧化鋅ZnO、或氧化錫SnO2 、或者混合氧化銦和錫ITO。這些金屬氧化物係例如藉由真空沉積、藉由磁控管濺射、或藉由離子束濺射沉積。
導電網可以選自銀、鋁或甚至鉑、金、銅、鈀、鉻的純金屬材料為主或以與至少一種其他材料：Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co、Sn合金化或摻雜之該材料為主。
導電網可包含或由主要金屬材料(連續介質)製造之層及/或以分散在導電或不導電的基質中之金屬粒子為主的層組成，例如可藉由刮刀塗佈沉積用導電(特別是銀)粒子例如InkTec出售之產品TEC-PA-030塡充之墨水。
如已知的，沉積，特別是金屬沉積，可視需要地藉由使用由Ag、Cu、Au或另一可使用的高導電性金屬製造之電極電解補充完成。
股線可為多層，特別是用以上述材料(特別是銀、鋁)製造之金屬第一層製造，視需要地覆蓋在銅頂上，和用於防止腐蝕(水及/或空氣)之覆蓋層，例如導電或金屬透明氧化物，特別是由鎳、或鉻或鉬或其混合物製造，具有從10奈米開始之厚度，典型地20至30奈米，和例如最多至200奈米或甚至100奈米。例如，覆蓋層藉由蒸發或濺射沉積。
較佳地，根據本發明之複合電極(股線、塡充材料、導電塗層)可主要為礦物，且更佳地，基板也為玻璃基板。
基板可為平面或彎曲，且也為硬、彈性或半-彈性。
其主要面可為矩形、方形或甚至任何其他(圓形、橢圓、多邊、等等)形狀。此基板可為大尺寸，例如，具有大於0.02米2 或甚至0.5米2 或1米2 之表面積且具有一實質上佔領表面區域之下電極(與結構區分開)。
基板可為實質上透明之礦物或由塑膠例如聚碳酸酯PC或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或者PET、聚乙烯丁醛PVB、聚胺酯PU、聚四氟乙烯PTFE、等等製造。
基板較佳地為玻璃基板，特別是由鹼石灰-矽石玻璃製造。
基板可有利地為一種於OLED輻射之波長具有小於2.5米-l ，較佳地小於0.7米-l 之吸光係數的玻璃。例如選擇具有小於0.05%Fe III或Fe2 O3 之鹼石灰-矽石玻璃，特別是來自Saint-Gobain Glass之玻璃DIAMANT、來自Pilkington之玻璃OPTIWHITE、來自Schott之玻璃B270。可能選擇文件WO 04/025334中所述之所有超透明玻璃組成物。
基板(特別是所選擇之玻璃基板)之厚度可為至少0.35毫米，較佳地至少0.7毫米。
基板之板邊緣為了引導輻射之最適循環，也可為反射性且較佳地具有鏡子，和該等邊緣與OLED系統有關之主要面一起形成大於或等於45°但小於90°較佳地大於或等於80°之外角，以便將輻射重定向在較寬提取區上。該板因此可被切成斜角。
此外，文件US 7 172 822中所述之製造電極的方法為了允許用於金屬後成長之觸媒接枝而不可避免地需要可在裂縫可被改良的下層之沉積，此下層因此在網的生長方法中具有功能性角色。
此下層也可具有下列缺點或之一：
-　對鹼石灰玻璃基板之低黏著性；
-　在基本介質(時常在基板的清洗期間使用)中的不穩定性；
-　在高溫熱處理(韌化、退火、等等)期間的不穩定性。
因此，根據本發明之複合電極較佳地可直接地在基板(特別是玻璃基板)上。
而且，為了幫助電極的電力供應及/或形成多個照明區，根據本發明之複合電極可為不連續，典型地形成至少二個彼此絕緣之電極區，和較佳地一或多個平行排之複合電極區。為此，蝕刻複合電極，例如用雷射，和用鈍化材料(例如醯胺)塡充所產生之孔洞。
如前述定義之帶有複合電極的基板也可包含直接沉積在外表面上之有機發光系統。
本發明也有關一種有機發光裝置，其含如前述所定義之帶有複合電極的基板，該複合電極在最靠近於基板形成所謂的下電極。
有機發光裝置可包含：
-　一排複合(下)電極區；
-　至少一個由有機電發光材料製造之不連續層，其於電致發光層區之形式且排列在複合(下)電極區上；及
-　具有導電層之不連續上電極，其於電極區排列在電致發光層區上之形式。
各種類型之連接是可能的：
-　全部電發光區之單一串聯；
-　串聯和並聯之組合；
-　對各排之特定串聯。
應當指出的是在串聯中，電流從上電極區流至相鄰下電極區。
對於每排串聯，電致發光層區可從下電極區朝排的方向且沿著規定方向偏移及上電極區可從電發光區朝排的方向且沿著相同的方向偏移。
分開排之電發光區之間的距離可為大於規定排的區之間的距離，較佳地100微米以上，特別是介於100微米和250微米之間。
各排因此為獨立的。如果在各排中的區之一有缺陷，則整個排仍可操作。相鄰排保持原狀。
根據本發明之有機發光裝置可具有或沒有電流引線。
二個形成集電器或配電器的部份之連續或不連續電流引線帶可分別地與複合下電極的周圍邊緣且較佳地與上電極的周圍邊緣電接觸。
這些電流引線帶較佳地可具有介於0.5和10微米之間的厚度和0.5毫米的寬度，且可具有各種形式：
-　由下列金屬之一製造之金屬單層：Mo、Al、Cr、Nd或金屬之合金，例如MoCr、AlNd；
-　由下列金屬形成之金屬多層：Mo、Al、Cr、Nd，例如MoCr/Al/MoCr；
-　由例如包含銀且網印之導電瓷漆製造；
-　由導電材料或塡充導電粒子且藉由噴墨印刷沉積之材料製造；或
-　由無論摻雜金屬(例如銀)與否之導電聚合物製造。
對於上電極，可能使用稱為TCC(透明導電塗層)之薄金屬層，例如由Ag、Al、Pd、Cu、Pd、Pt、In、Mo、Au製造且視所要的光透射/反射而典型地具有介於5和50奈米之間的厚度。
該上電極可為有利地選自金屬氧化物，特別是下列材料的導電層：摻雜氧化鋅，特別是摻雜鋁之氧化鋅ZnO：Al或摻雜鎵之氧化鋅ZnO：Ga，或者摻雜氧化銦，特別是摻雜錫之氧化銦(ITO)或摻雜鋅之氧化銦(IZO)。
更通常地，可能使用任何類型之透明導電層，例如稱為TCO(透明導電氧化物)層之層，例如具有介於20和1000奈米之間的厚度。
OLED裝置可產生單色，特別是藍色及/或綠色及/或紅色光或可修改以使產生白色光。
為了產生白色光，數種方法是可能的：在單層中混合化合物(發紅色、綠色、藍色光)；堆疊在三個有機結構(發紅色、綠色和藍色光)或二個有機結構(黃色和藍色)之電極面上；在電極面上之串聯三個相鄰有機結構(發紅色、綠色、藍色光)，一個有機結構於一種顏色且在適當燐光體層的其他面上。
OLED裝置可包含多個相鄰有機發光系統，各發射白光、或藉由串聯三個發射紅色、綠色和藍色光，該等系統為例如以串聯連接。
各排可例如發射規定顏色的光。
OLED裝置可形成多層玻璃單元，特別是真空玻璃單元或一具有空氣層或其他氣體之層的單元之部件。為了使更緊密及/或更輕，裝置也可為單片且包含單片玻璃單元。
OLED系統可使用積層中間層(特別是超透明中間層)結合或較佳地層合另一稱為外罩之平面基板(較佳地透明，例如玻璃)。
積層玻璃單元通常由其間放置熱塑性聚合物板或該等板重疊之二個硬基板組成。本發明也包括特別地使用玻璃類型的硬載體基板之稱為“不對稱”積層玻璃單元，及作為覆蓋基板之一或多個保護聚合物板。
本發明也包括積層玻璃單元，其具有至少一個以彈性體類型之單側或雙側黏著聚合物為主的中間層板(也就是不需要以術語的習知意義積層操作者，也就是需要通常在壓力下加熱以使熱塑性中間層板變軟且使其黏著之積層)。
在此組態中，用於將外罩固定於載體基板之元件則可為積層中間層，特別是熱塑性塑膠，例如聚胺酯(PU)、聚乙烯丁醛(PVB)或乙烯/乙酸乙烯酯(EVA)、或熱硬化型單成分或多成分樹脂(環氧、PU)或紫外線硬化型單成分或多成分樹脂(環氧、丙烯酸系樹脂)之板。較佳地，板(實質上)具有與外罩和基板相同的尺寸。
積層中間層可預防外罩彎曲，特別是例如具有大於0.5米2 的面積之大裝置。
特別地，EVA提供許多優點：
-　其包含很少或沒有水含量；
-　不一定需要用高壓將其加工。
熱塑性積層中間層較佳可為由鑄造樹脂製造之外罩，因為其容易實施且較便宜並可能更不滲透。
中間層視需要地包括設定於其內表面內面對上電極的導電線之網，及/或在外罩之內表面上的導電層或導電帶。
OLED系統較佳地可放置於雙層玻璃單元(特別是具有惰性氣體(例如氬)層)內。
此外，可有利地在根據本發明之帶有電極的基板之反面上或在額外基板上增加一具有規定功能性之塗層。此可為防霧層(使用親水層)、防污層(包含TiO2 之光觸媒塗層，至少部份以銳鈦礦形式結晶)，或者例如Si3 N4 /SiO2 /Si3 N4 /SiO2 型之抗反射多層，或者UV濾波器如例如氧化鈦(TiO2 )之層。其也可為一或多個燐光體層、鏡層或至少一個散射光提取層。
本發明也有關各種可放入這些OLED裝置之應用，該裝置形成一或多個發光表面，其為透明及/或反射(鏡功能)，放在戶外和戶內應用。
該裝置可形成(或者或以組合方式)照明、裝璜、建築等等系統，或指示顯示板-例如繪圖、標識或文數指示類型，特別是緊急出口板。
OLED裝置可配置以產生均勻的光，特別是用於均勻照明，或以產生各種相同強度或不同強度之發光區。
相反地，可尋找差異照明。有機發光系統(OLED)產生一直射光區，和另一發光區係藉由以選擇用玻璃製造的基板之厚度中的全反射引導之OLED輻射的提取獲得。
為了形成此其他發光區，提取區可與OLED系統相鄰或在基板的另一側上。該或該等提取區可用以例如增加由直射光區提供之照明，特別是用於建築照明，或者用於指示發光板。該或該等提取區較佳地於一或多個(特別是均勻)光帶之形式和這些較佳地放置在該等面之一的周圍。這些帶可例如形成高發光框。
提取係藉由至少一種下列放置在提取區之元件達成：擴散層，較佳地以礦物粒子為主且較佳地具有礦物黏合劑；製造成擴散之基板，特別是結構性或粗糙基板。
二個主要面各可具有一直射光區。
當選擇OLED系統之電極和有機結構為透明的時，可特別製備照明窗。房間照明之改良則不會達到對光透射的損害。也藉由限制光反射，特別是在照明窗的外側上，也可能控制反射之程度，例如以使符合建築物壁面之防眩標準。
更廣泛地，裝置，特別是部份或完全地透明的裝置，可為：
-意欲用於建築物，如外部發光玻璃、內部發光隔板或發光玻璃門(或門零件)，特別是拉門；
-意欲用於運輸工具，如陸上、水運或空運運輸工具(汽車、卡車、火車、飛機、船、等等)之發光屋頂、發光側窗(或窗零件)、內部發光隔板；
-意欲用於城市或專業傢俱，如候車亭嵌板、展示櫃、珠寶陳列或陳列窗、溫室牆、或照明磚；
-意欲用於室內陳設、架子或櫃子部件、櫃子的正面、照明磚、天花板、照明冷藏室架、水族館牆；
-意欲用於電子設備(特別是顯示螢幕，視需要為雙螢幕，如電視或電腦螢幕、觸控螢幕)之背光。
例如，可能預見用於具有不同大小之雙面螢幕，小螢幕較佳與Fresnel透鏡倂用以集中光。
為了形成照明鏡，如果想要只優先照明在直射光區之一側，則電極之一可為反射性、或鏡子可放置在OLED系統之對立面。
其也可為鏡子。發光板可用作照明浴室牆壁或廚房工作檯，或可為天花板。
OLED通常視所使用之有機材料而分成二種廣泛族群。
如果電致發光層由小分子形成，則該等裝置稱為SM-OLED(小分子有機發光二極體)。薄層之有機電發光材料由蒸發的分子組成，如例如該等錯合物AlQ3 (參(8-羥喹啉)鋁)、DPVBi(4,4’-(二苯基伸乙烯基)聯苯)、DMQA(二甲基喹吖酮)或DCM(4-(二氰亞甲基)-2-甲基-6-(4-二甲胺基苯乙烯基)-4H-哌喃)之蒸發的分子。發光層也可為例如摻雜面向-參(2-苯基吡啶)銥[Ir(ppy)3 ]之4,4’,4”-三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)層。
一般而言，SM-OLED之結構由HIL(電洞注入層)、HTL(電洞傳輸層)、發光層和ETL(電子傳輸層)的堆疊組成。
電洞注入層之一例子為銅酞花青(CuPC)和電洞傳輸層可為例如N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺(α-NPB)。
電子傳輸層可由(參(8-羥喹啉)鋁)(AlQ3 )或二苯基二氮雜菲(BPhen)組成。
上層可為Mg/Al或 LiF/Al層。
有機發光堆疊之例子為例如文件 US 6 645 645中所述者。
如果有機電致發光層為聚合物，則裝置稱為PLED(聚合物發光二極體)。
薄層之有機電發光材料由CES聚合物(PLED)如例如代表聚(對-伸苯基伸乙烯基)之PPV、PPP(聚(對-伸苯基))、DO-PPP(聚(2-癸氧基-1,4-伸苯基))、MEH-PPV(聚[2-(2’-乙基己氧基)-5-甲氧基-1,4-伸苯基伸乙烯])、CN-PPV(聚[2,5-雙(己氧基)-1,4-伸苯基-(1-氰基伸乙烯)])或PDAFs(聚二烷基茀類)組成，且聚合物層也與由促進例如PEDT/PSS(聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚(4-聚苯乙烯磺酸酯))組成之電洞注入(HIL)之層有關。
PLED之一例子由下列堆疊組成：
-　具有50奈米之厚度的摻雜聚(聚苯乙烯磺酸酯)之聚(2,4-伸乙二氧基噻吩)(PEDOT：PSS)層；及
-　具有50奈米之厚度的苯基聚(對-伸苯基伸乙烯)Ph-PPV層。
上電極可為Ca層。
本發明也有關製造如上所定義之在載體基板上的複合電極之方法，在第一組態中，其包含下列步驟：
-　直接形成導體之網配置的第一步驟，其包含至少一個下列沉積：
-　網之導電材料經由印台(stamp pad)的沉積；
-　經由導電噴墨印刷在基板上之沉積；
-　第二步驟，其包含導電塗層(與導電塡充材料不同或相同)經由液體路徑之沉積。
或，在第二組態中，包含下列步驟：
-　直接形成導體之網配置的第一步驟，其包括導電材料透過較佳在玻璃基板上之稱為遮罩、具有自我組織成網之孔的層上，直到一部份的孔深度已被塡充之沉積；
-　視需要地，在第一步驟之前，透過遮罩之孔蝕刻基板，因此將網部份地固定於基板；
-　移除遮罩；
-　第二步驟，其包含導電塗層(與導電塡充材料不同或相同)經由液體路徑之沉積。
如已指示的，該網之導電材料在遮罩或視需要地部份在底下蝕刻網中之沉積較佳可藉由簡單非選擇性沉積，較佳地藉由真空沉積，特別是藉由蒸發，或藉由液體路徑，特別是藉由用導電墨水之刮刀塗佈、藉由浸塗、或藉由(平面或輪轉)印刷進行。
此沉積視需要地使用金屬如金、銀或銅之電解表面加工補充及/或視需要地以用於腐蝕保護的覆蓋層之沉積(PVD、CVD、等等)補充。
在第二組態中，根據本發明之方法包含形成遮罩之步驟，其包含：
-　在稱為遮蔽層之層的(裸或經塗佈)基板上之沉積，特別是從穩定且分散在溶劑中的膠體粒子之溶液開始；
-　硬化(即如果該層是液體，則乾燥)遮蔽層直到獲得形成該遮罩之網孔。
可能獲得一種形成在至少一個方向具有孔之隨機、非周期性網格之遮罩的實質上直邊孔之二維網。
該類孔之網實質上具有比龜裂矽石溶膠-凝膠遮罩多的內連。經由此根據本發明之方法，因此形成孔之網格，其可分布在整個表面上，致使可能獲得等向性質。
遮罩因此在至少一個方向，或甚至在二(所有)方向中具有隨機、非周期性結構。
由於此特殊方法，可能以低成本獲得由適當特性尺寸的隨機(形狀及/或大小)、非周期性單元組成之遮罩：
-　網之(平均)寬度A為微米尺寸，或甚至奈米級，特別是介於數百奈米至數十微米之間，特別是介於200奈米和50微米之間；
-　單元之(平均)大小B為毫米或甚至亞毫米，特別是介於5至500微米之間，或甚至100至250微米；
-　B/A比是可調整的，特別是，以粒子性質之函數調整，特別是介於7和20或甚至40之間；
-　孔之最大寬度和孔之最小寬度之間的差為小於4，或甚至小於或等於2，在遮罩之所規定的區域中，或甚至遍及大部份或全部表面；
-　最大網格(單元)尺寸和最小網格尺寸之間的差為小於4，或甚至小於或等於2，在遮罩之所規定的區域中，或甚至遍及大部份或甚至全部表面；
-　開放網格(非孔、"封閉"間隙)之量為小於5%，或甚至小於或等於2%，在遮罩之所規定的區域中，或甚至遍及大部份或全部表面，因此具有有限的或甚至幾乎零的網破裂，其藉由網的蝕刻視需要地被減少且可被抑制；
-　對於所規定的網格，在所規定的區域中或遍及全部表面的大部份或甚至全部網格，網格特性的最大尺寸和網格特性的最小尺寸之間的差為小於2，以使加強等向性；及
-　對於網的大部份或甚至全部片段，邊緣被固定地隔開，平行，特別是以10微米的等級(例如，使用具有200放大率之光學顯微鏡觀察)。
寬度A可(例如)介於1和20微米之間，或甚至介於1和10微米之間，和B可介於50和200微米之間。
此使得可能後來製備藉由以與孔的寬度實質上相同之平均股線寬度和與(網格的)孔之間的空間實質上相同之股線之間的(平均)空間所定義之格柵。特別地，股線之大小較佳地可介於數十微米至數百奈米之間。可選擇B/A比介於7和20之間，或甚至30至40。
由孔定界之網格具有不同的形狀，典型地具有三、四或五邊，例如顯著地具有四邊，及/或具有不同的大小，隨機且非周期性地分佈。
對於大部份或所有的網格，一個網格二相鄰邊之間的角可介於60°和110°之間，特別是介於80°和100°之間。
在一組態中，主網用孔(視需要地大約平行)和孔的副網(視需要地大約垂直於平行網)獲得，其之位置和距離是隨機的。副孔具有(例如)小於主孔之寬度。
乾燥引起遮罩層的收縮和奈米粒子在表面的摩擦，在層中造成張應力，其經由鬆弛，形成孔。
不像矽石溶膠-凝膠，溶液自然地穩定，具有已形成之奈米粒子，且較佳地不包含(或包含可以忽略的量)聚合物前驅物類型之反應性元素。
在一步驟中，乾燥造成溶劑的消除和孔的形成。
乾燥之後，如此獲得奈米粒子團，具有可變大小且被本身具有可變大小的孔分開之粒子團。
為了獲得穿透整個深度的孔，需要下列二者：
-　選擇限制大小之粒子(奈米粒子)，以便促進粒子之分散，較佳地具有介於10和300奈米之間，或甚至50和150奈米的特性(平均)大小；及
-　將粒子穩定於溶劑中(特別是藉由經由表面電荷之處理，例如經由表面活性劑，藉由pH之控制)，以防止其黏聚、沈澱及/或由於引力之落下。
除此之外，調整粒子之濃度，較佳地介於5%，或甚至10%和60重量%之間，更佳地仍介於20%和40%之間。避免加入黏合劑。
溶劑較佳地以水為主，或甚至完全地為水。
在第一個體系中，膠體溶液包含聚合奈米粒子(且較佳地具有以水為主或甚至完全地為水的溶劑)。例如，選擇丙烯酸系共聚物、苯乙烯類、聚苯乙烯類、聚(甲基)丙烯酸酯類、聚酯類或其混合物。
在第二個體系中，溶液包含較佳地矽石、氧化鋁、或氧化鐵之礦物奈米粒子。
因為粒子具有規定的玻璃轉移溫度Tg ，為了較佳控制格柵遮罩的形態，沉積和乾燥較佳可在低於該溫度Tg 的溫度下進行。
方法之沉積和乾燥步驟特別地可在周圍溫度，典型地介於20°和25℃之間(實質上)進行。不需要退火。
粒子之規定玻璃轉移溫度Tg 和乾燥溫度之間的差較佳地大於10℃，或甚至20℃。
方法之沉積和乾燥步驟可在大氣壓力下實質上進行，而非在真空下乾燥，例如。
可能修正乾燥參數(控制參數)，特別是濕度和乾燥速率，以便調整B、A及/或B/A比。
溼度越高(其他事項為相等)，A越低。
溫度越高(其他事項為相等)，B越高。
藉由修正選自壓實膠體和基板表面之間的摩擦係數、奈米粒子之大小、蒸發速率、初粒子濃度、溶劑之性質和視沉積技術而定之厚度的控制參數，其可能調整B/A比。
遮罩的邊緣實質上是直的，即沿著相對於表面之80和100°，或甚至介於85°和95°之間的中平面。
由於直邊緣，沉積層中止(沒有或很少沿著邊緣沉積)且因此可能除去塗佈遮罩而不損壞格柵網。為了簡單，用於格柵材料之沉積的定向技術可為有利的。可進行穿過間隙和在遮罩上之沉積。
可能在進行第一沉積步驟之前清潔網孔，較佳地使用大氣壓力電漿源。
用於沉積以膠體為主的遮罩層之表面為薄膜-形成表面，特別是親水性表面，如果溶劑是水性。此為基板：玻璃、塑膠(例如，聚碳酸酯)或功能添加下層：親水層(矽石層，例如在塑膠上)及/或鹼金屬阻隔層及/或用於促進格柵材料之黏著的層及/或(透明)導電層的表面。
此下層不一定是格柵材料的電解沉積之生長層。
遮罩層之間可有幾層下層。
根據本發明之基板因此可包含下層(特別是底層，最靠近基板)，其為連續且能夠為對鹼金屬之阻隔層。
其防止格柵材料之任何污染(可能導致機械缺點如脫層之污染)，在導電沉積的情況(特別是形成電極)中，且額外地維持其導電性。
底層是堅固、快速且容易地根據各種技術沉積。其可(例如)藉由熱解技術，特別是以氣相(時常以“化學氣相沉積”之縮寫CVD表示的技術)沉積。此技術對本發明是有利的，因為沉積參數的適當調整使其可能獲得用於強化阻隔層之非常緻密層。
底層視需要地可摻雜鋁及/或硼以使其在真空下的沉積更穩定。底層(單層或多層，視需要地摻雜)可具有介於10和150奈米之間，仍更佳地介於15和50奈米之間的厚度。
底層較佳地可為：
-　以氧化矽、氧碳化矽為主，通式SiOC之層；
-　以氮化矽、氧氮化矽、氧碳氮化矽為主，通式SiNOC之層，尤其是SiN，特別是Si3 N4 。
最特別地，(大部份)由經摻雜或未經摻雜之氮化矽Si3 N4 製造的底層可為較佳。氮化矽非常快速地沉積且形成對鹼金屬之極佳阻隔層。
作為促進金屬格柵材料(銀、金)，特別是對玻璃之黏著的層，可能選擇以NiCr、Ti、Nb、Al為主，單一或混合，經摻雜或未經摻雜之金屬氧化物(ITO、等等)，例如，具有小於或等於5奈米之厚度的層。
當基板為疏水性時，可能加入親水層例如矽石層。
在第二沉積步驟之前，可提供移除步驟，較佳地經由液體路徑，例如藉由遮罩之選擇性化學溶解(在水、醇、丙酮或酸或鹼溶液中)，視需要地當熱及/或藉由超聲波協助，直到該導電網已經暴露。
也可能沉積與導電塗層不同的弱導電塡充材料，具有大於網之厚度的厚度之電阻率ρ2。
此塡充材料視需要地也可為擴散、高指數、且由已述之材料製造，特別是其可為溶膠-凝膠層。
可進行沉積，例如藉由印刷，藉由網印、藉由用墨水之刮刀塗佈、藉由浸塗或藉由噴塗，視所選擇之材料和調配物而定。
為了塡充，可能沉積導電(奈米)粒子(特別是(透明)導電氧化物之(奈米)粒子)的分散液，例如已經提及者，其主要為無黏合劑，且其則可能沉積(奈米)粒子之導電黏合劑，特別是較佳地具有與(奈米)粒子相同之化學性質的(透明)導電氧化物之溶膠-凝膠，其穿透(奈米)粒子層且形成覆蓋(奈米)粒子之塗層(用於平滑操作)。
較佳地複合電極，至少導電塗層，抵抗下列OLED製造步驟：
-　抵抗200℃經1小時
-　抵抗13之pH(清潔溶液)
-　抵抗介於1.5和2之間的pH(特別是當沉積導電塗層之PEDOT時，OLED堆疊之前)
-　抗脫層性(scotch膠帶試驗)。
最後，在該方法之第二沉積步驟期間，可能藉由導電塗層提供股線之間的塡充，以一或多遍之方式。
為了清楚起見，應提及各種所示標的之各種部件沒有依比例繪製。
有機發光裝置
實例1
圖1，意欲為非常地概略，以橫剖面顯示有機發光裝置100(具有穿過基板之發射或“底部發射”)。
此裝置100包含鹼石灰-矽石玻璃之平面基板1，其為例如透明、例如矩形、具有0.7毫米之厚度、具有第一和第二主要面11、12。第一主要面11包含：
-　複合下電極2，稍後詳細地解釋；
-　有機發光系統3，例如下列結構之SM-OLED：
-　α-NPB層；
-　TCTA+Ir(ppy)3 層；
-　BPhen層；
-　LiF層；
-　反射上電極4，特別是其為金屬，特別是其以銀或鋁為主。
更具體地說，複合下電極2首先包含1微米厚的非周期網導體21，其由約3微米之平均寬度A並以約30微米之平均距離B彼此隔開且具有10之B/A比的不規則以銀為主的股線形成。
以此方式，透過B/A和厚度的判斷正確之選擇，此網21之特別低的片電阻為約0.6Ω/□。此網21之光透射TL 為約70%且股線是裸眼看不見的。
視需要地，可能在金屬股線上沉積具有約10奈米厚度之(例如)由鎳及/或鉻製造或由TCO製造的用於防止腐蝕之覆蓋層，因此形成複合股線。
複合下電極2則包含導電塗層22，後者塡充股線之間的空間且覆蓋股線以使形成電極之平滑外表面。
此導電塗層22係由IZO材料製造，具有約500奈米之在股線的頂端上之厚度，和約10-2 Ω.cm之電阻率ρ1以較佳地分佈電流。複合電極2之光透射TL 為60%。
獲得此導電塗層22，得自乙酸鋅和硝酸銦在2-甲氧基乙醇中之溶液的溶膠-凝膠層。使用乙醇胺作為穩劑。
鋅和銦之間的莫耳比為0.5。調配物較佳藉由浸塗或藉由噴塗沉積。在100℃下將沉積調配物乾燥1小時，然後在500℃下退火1小時。一變體在於將此材料與鎵攙雜，該材料則命名為IGZO。此係藉由將所要量之硝酸鎵加至溶膠中而進行。
此溶膠-凝膠導電塗層22也可從InCl3 和ZnCl2 前驅物獲得。
導電網21係藉由將銀蒸發在具有自我組織之孔的網之遮罩上製造。然後除去遮罩。導電網21與其股線210之不規則排列係顯示於圖2中。
為了電極2、4的電力供應，複合電極2之孔係在鄰近縱向邊緣製造且較佳地覆蓋其整個長度，在有機層3的沉積之前。此孔係用(例如)雷射製造且為約150微米寬。然後藉由丙烯酸型之絕緣樹脂5鈍化此蝕刻區。
在電聯接區中，在此提供於鄰近縱向邊緣，較佳者為加入習知匯電條6，例如藉由將銀網印在電極2、4上。
裝置100產生在一區域(其可為大的)上的均勻照明。如果想要在連接系統之蝕刻時產生多個發光區，則進行其他適當雷射蝕刻，例如150微米寬，及然後鈍化。
實例2
圖3a顯示包含複合電極2’的有機發光裝置200之橫剖面圖。下文只有詳細地說明有關裝置100的修正。
於網21的股線之間及在股線之上端，使用塡充層23，其由具有小於50奈米之大小的導電氧化物形成。此層23可用溶劑沉積，該溶劑然後被蒸發。
導電塡充層具有(例如)介於10-3 和103 Ω.cm之間的電阻率ρ2，較佳具有小於ρ1之ρ2。為此，使用例如藉由浸塗、藉由噴塗(特別是溶膠-凝膠路徑)或者藉由網印沉積之以透明導電氧化物例如ZnO、SnO2 、ITO、IZO為主的層。為了幫助製造，其厚度大於網22之厚度，塡充層則覆蓋網。
對於塡充層，可使用下列住友金屬礦業(Sumitomo Metal Mining)股份有限公司出售之產品：
-　分散在(視需要的)樹脂黏合劑中且使用酮溶劑之X100，X100D ITO粒子；
-　分散在醇溶劑中之X500ITO粒子；
-　在醇溶劑中之CKR金-塗佈之銀粒子；
-　CKRF黏聚之金和銀粒子。
藉由液體路徑沉積之PEDOT/PSS製造的導電塗層22’具有約10-1 Ω.cm之電阻率ρ1、約100奈米之厚度，覆蓋塡充材料以進一步使電極2’平滑。
實例2a
在實例2之第一變體中，為了形成塡充層，使用SnO2 ：Sb(ATO)之奈米粒子的分散液(例如，在水中之50%之ATO粒子)以覆蓋股線。該分散液可在其沉積(例如藉由旋轉塗佈)之前視需要地以所要厚度的函數稀釋於水中。這是(例如)沉積由Alfa Aesar出售之已知為Nanotek S1200W的分散液，具有pH~3，一種以2：1(以重量計)稀釋在去離子水中之分散液，的問題。
該層之厚度為例如1.5微米(對於1微米之股線厚度)。如此塗佈之基板的TL 為大於80%。舉例，對介於0.45和2.3微米之間的厚度，電阻率從3.5改變至9.2Ω.cm。
圖3b為塡充材料的表面之SEM照片。rms為28奈米及“峰對谷”高度為約200奈米。
為使此表面平滑，例如藉由旋轉塗佈沉積一種以SnCl2 和SbCl3 前驅物為主且具有200奈米之厚度的SnO2 ：Sb之溶膠-凝膠層。熱處理在500℃下進行1小時以固結層和獲得結晶與導電性。
一步驟詳細地描述在C Terrier等人的刊物：“Sb-doped SnO2 transparent conducting oxide from the sol-gel dip-coating technique”，Thin solid films 263(1995)37-41中。
一步驟也詳細地描述在Gebbert等人之刊物“Wet chemical deposition of ATO and ITO coatings using crystalline nanoparticles redispersable in solutions”，Thin solid films 351(1999)79中，提出ATO的奈米粒子(及ITO的奈米粒子)之合成，然後它們的沉積以產生具有厚度大於500奈米之TCO層。奈米粒子與黏合劑無關且沉積物在550℃下熱處理。
溶膠-凝膠層穿透至少塡充材料的外部部份。藉由穿透奈米粒子之間，其因此用作黏合劑，其具有加強塡充層的機械強度之結果。
一部份此溶膠-凝膠層覆蓋奈米粒子，因此形成導電塗層，產生平滑電極表面。表面之rms因此可減少，例如小於或等於5奈米。“峰對谷”高度也可被減少，例如小於或等於20奈米。
如果需要的話，例如減少溶膠-凝膠層之厚度、加入薄導電聚合物平滑化層，例如PEDOT層，例如具有約20奈米之厚度。
塗佈基板之TL 維持大於80%。
舉例，在此指定以SnCl2 和SbCl3 有機金屬前驅物為主的SnO2 ：Sb在醇介質中之調配物。SnO2 ：Sb溶膠之合成係以2步驟進行。
在第一步驟中，在250毫升圓底燒瓶中混合18克之SnCl2 ‧2H2 O和90克之絕對乙醇。在60℃回流下將混合物加熱並攪拌。然後於80℃下蒸發乙醇，且打開燒瓶，同時攪拌(操作持續數小時)。獲得白色粉末(SnCl2 )。
在第二步驟中，為了形成SnO2 ：Sb溶膠(具有Sb/Sn=7.4%)，在燒瓶中混合下列：
-　1.01克之SnCl2 粉(0.532 x 10-2 莫耳)，
-　0.09克之SbCl3 (3.94 x 10-2 莫耳)，
-　12克之絕對乙醇。
然後將混合物在50℃下攪拌2小時，然後冷卻。
乙醇的蒸發係用攪拌進行，直到溶劑完全地蒸發。此步驟需要數小時。此步驟可藉由真空蒸縮短。
作為此實例2a的第一變體，選擇以ZnO：Al為主的溶膠-凝膠層作為導電塗層。
以Zn(CH3 COO)2 和AlCl3 前驅物為主的ZnO：Al之溶膠-凝膠層係藉由旋轉塗佈沉積。在550℃下進行熱處理2小時以固結該層。為了較佳導電性，較佳者為在減壓下、於N2 、於N2 和氫(例如，5%)下進行熱處理。
除鋁之外，可選擇其他摻雜劑，例如：銦、釔、硼和鋯。
對於銦，步驟詳細地描述在下列刊物中：
-　“Transparent conducting ZnO:AI,In and Sn thin films deposited by the sol-gel method”，Thin solid films 426(2003)94；
-　“Electrical and optical properties of In2 O-ZnO thin films prepared by sol-gel method”，Thin solid films 484(2005)184；
-“Indium-doped ZnO thin films deposited by the sol-gel technique”，Thin solid films 490(2005)132；及
-　“Preparation and characterisation of IZO transparent conducting films by sol-gel method”，Materials Science Forum 449-452(2004)469。
對於釔，步驟詳細地描述在下列刊物中
-“Sol-gel derived highly transparent and conducting yttrium doped ZnO films”，J. of Non Cryst. Solids 352(2006)1335”；及
-“Development of highly transparent and conducting yttrium-doped ZnO films:the role of sol-gel stabilizers”，Materials Science-Poland 22，(2004)201”。
對於硼，步驟詳細地描述在下列刊物“Boron doped zinc oxide thin films prepared by sol-gel technique”，J. of. Mat. Science 40(2005)5285中。
對於鋯，步驟詳細地描述在下列刊物“Structural,optical and electrical studies on sol-gel deposited Zr doped ZnO films”，Materials Chemistry and Physics 79(2003)71中。
然而ZnO：Al層係用較沒毒的前驅物(乙酸鋅和氯化鋁，在錯合劑存在下)製備。
舉例，在此指定有機金屬前驅物在醇介質中之基本調配物：
對於50毫升之溶液：
-　用48.9毫升之2-甲氧基異丙醇或MIPA(45.08克)+1.058毫升之MEA(乙醇胺，1.069克)製備溶劑；
-　加入3.84克之Zn(CH3 COO)2 ‧2H2 O(1.75 x 10-2 莫耳)和加入0.042克之AlCl3 ‧6H2 O(1.75 x 10-4 莫耳)；
-　在60℃下攪拌2小時，然後冷卻；
-　沉積。
得到：
[Zn(CH3 COO)2 ‧2H2 O]=0.35M
Zn/MEA=1
Al/Zn=0.01。
一相似的合成描述在Jin-Hong Lee、Byung-Ok Part等人之論文“Transparent conducting ZnO:Al,In and Sn thin films deposited by the sol-gel method”中，(Thin solid films 426(2003)94-99)。然而，2-甲氧基乙醇被MIPA取代。
對於塡充層，也可能使用ZnO：Al奈米粒子的產物，其不是分散液而於Umicore出售之粉的形式，一種欲與(例如)溶膠-凝膠型(例如ZnO：Al)之黏合劑(如之前所提及者)或適當有機黏合劑混合的粉。
作為實例2a的第二變體，也可能將SnO2 ：Sb之奈米粒子插入溶膠中，例如以SnCl2 /SbCl3 前驅物為主。
以水為主的分散液在包含在溶膠中的乙醇存在下是不穩定的。因此，確定藉由選擇(例如)以相容溶劑(醇、等等)為主的分散液，二種溶液是相容的。
實例2b
在實例2的第二變體中，為了形成塡充層，將SnO2 ：I(ITO)之奈米粒子在黏合劑中的分散液(30重量%)(形成一種漆)沉積直到股線被覆蓋。該漆可稀釋於乙醇或二丙酮醇中。此可例如為由EVONIK出售之稱為VP Adnano ITO LTH之漆，具有pH~7，其係以2：1(以重量計)稀釋於乙醇中。
藉由旋轉塗佈之後，或作為網印的變體，該層在120℃下固結1小時且佳地在220℃下，例如經30分鐘，以便改良導電性。
或者，也可能使用由Evonik出售之稱為VP Adnano ITO LUV1的分散液(6重量%之ITO奈米粒子)。
或者，也可能使用具有ITO溶膠-凝膠前驅物的無色墨水，沒有毒性或污染重溶劑，即得自Rbnano公司之墨水RBnano-ITO。沉積可藉由賤射、墨水滾輪壓吸塗佈或浸塗進行。乾燥在空氣中是迅速的。墨水在介於400℃和600℃之間烘烤。
或者，可能使用SnO2 ：I(ITO)奈米粒子之分散液。此為例如由Evonik出售之稱為VP Adnano ITO TC8 DE的分散液，具有20重量%之在乙醇中的奈米粒子。沉積之後，進行在空氣中之熱處理。
由Evonik販賣的其他產品為：
-　VP Adnano ITO TC8，包含100% ITO；
-　VP Adnano ITO TC8 DW，包含20% ITO，ITO在水中；
-　VP Adnano ITO TC8 DPPH，包含40% ITO，ITO在DowanolTM PPH(丙二醇苯基醚)中；
-　VP Adnano ITO TC8 DMEK，包含40% ITO，ITO在甲基乙基醚中；
-　VP Adnano ITO TC8 DIPA，包含40% ITO，ITO在異丙醇中。
在刊物“Synthesis and characterisation of ITO nanoparticles”(Current Applied Physics 6(2006)，1044，Jang等人)中藉由浸塗使用厚度8至15奈米之奈米粒子(其以10重量%分散在聚合物黏合劑中)沉積而獲得厚度1微米之層。
在刊物“Conducting,Antistatic and Antistatic-Antiglare Coatings made with hybrid sols”，(Mol. Cryst. Liq. Cryst. 374(2002)，91，Al-Dahoudi等人)中，藉由旋轉塗佈和噴塗分別使用15奈米奈米粒子(其以25重量%之量分散在有機矽烷(環氧或甲基丙烯氧基丙基-三乙氧基矽烷)中和黏合劑而產生厚度500奈米至1微米之層。
以漆為主之塡充層的厚度為1.5微米(對於1微米之股線厚度)。然而較小厚度藉由改變Evonik LTH漆在乙醇中的稀釋或修正沉積參數(例如，較高的藉由旋轉塗佈之沉積速率)是想得到的。
如此塗佈的基板之TL 為大於80%。電阻率為從1至2Ω.cm。
圖3c顯示塡充材料的表面。產自Evonik LTH漆之ITO層由奈米粒子之凝聚物組成。可在表面上清楚地看到奈米粒子。位於在微格柵股線上面之層的區域可些微地升高。
存在於表面上之奈米粒子的凝集體造成粗糙度，我們已經用AFM測量該粗糙度。
對於具有100奈米等級之峰對谷高度的微格柵上之沉積物，所測得之rms粗糙度為約15奈米。
ITO奈米粒子的層充份地導電且不修正微格柵的導電率。所測得之R□ 保持不變。
為了評估以ITO為主的導電層之機械強度，我們進行一種膠帶撕裂試驗(膠帶為Tecmatel出售之51108)。觀察層的表面之修平：奈米粒子凝集體似乎被壓縮。然而沒有觀察到層的撕裂。
此透明以ITO為主的層符合厚度、導電性和機械強度之規格。
作為導電塗層，可能選擇(至少)具有約100奈米之厚度的PEDOT層。PEDOT聚合物則可使得可能將導電層之rms粗糙度減少至5奈米或少，且將峰對谷高度減少至小於或等於20奈之値米。
藉由以乙酸銦(III)或氯化銦(III)四水合物前驅物為主的合成，也可能形成包含溶膠-凝膠層(例如ITO之溶膠-凝膠層)的導電塗層。
實例3
圖4顯示有機發光裝置300之截面圖，該有機發光裝置包括複合電極2”。下文將只詳細地說明與裝置100比較的修正。
該網21’較不緻密，使用具有10微米等級之平均寬度A之股線，股線之間的平均間隔B具有100微米的等級。
為了改良導模在有機層3中的提取，股線之間的空間被塡充例如由大小150奈米的ITO導電粒子(視需要地分散在黏合劑(例如丙烯酸系樹脂)中，或分散在礦物黏合劑中，其也可能為導電的)形成之擴散塡充層23’。此層可例如被網印。此導電層23’具有選擇為大於電阻率ρ1之電阻率ρ2，典型地介於10-1 和10Ω.cm之間。
為了簡化製造，其厚度大於網22的厚度，例如等於4微米，塡充層23’則覆蓋網21’。
導電塗層22”為例如藉由浸塗或藉由噴塗沉積之ITO溶膠-凝膠層，其具有200奈米或甚至更少之厚度(例如150奈米)。導電塗層22”然後完成平滑化。其電阻率ρ1具有10-2 Ω.cm之等級。
例如也可能使用由住友金屬礦山(Sumitomo Metal Mining)股份有限公司出售之稱為DX-400的產品。此為以烷氧化錫和銦、有機溶劑和黏度控制劑為主之糊漿。
實例4
圖5顯示有機發光裝置400之截面圖，該有機發光裝置包括複合電極20’。下文將只詳細地說明關於裝置100的修正。
厚度1微米之導電網210’部份是在玻璃1之蝕刻網110中，具有50奈米之厚度。
使用在玻璃上之龜裂溶膠-凝膠遮罩，例如以混合或非混合矽石為主。用HF溶液將基板進行濕式蝕刻。然而，較佳者為使用自我組織之孔的遮罩，已經描述在實例1中(且稍後詳細地說明)及以氟電漿蝕刻該基板。
沉積網之材料同時保持溶膠-凝膠遮罩或以奈米粒子為主之遮罩，沉積係穿過裂縫進行。較佳地，選擇真空沉積，例如藉由蒸發之銀沉積，或藉由濺射之ITO或IZO沉積，接著銅之電鍍及/或鎳或鉻之電鍍。可能選擇液體路徑，例如使用用銀墨水之刮刀片。可控制沉積物之厚度，較佳地以使完全地塡充蝕刻區。
導電塗層220’可例如為具有從1.5微米以上之厚度的藉由液體路徑沉積之PEDOT/PSS。
小心確定用於連接之縱向蝕刻51比蝕刻網110深。
在所有的實例中，塗料之外表面為致使在網之平均週期B+A期間從外表面之實際外形開始且藉由以奈米級過濾形成校正外形以便消除局部微觀粗糙度，在校正外形的任何點獲得的是小於或等於45°的由校正外形之切線與校正外形之平均平面所形成的角度。
在網之平均週期B+A期間從實際外形和校正外形之間的差所形成之其餘外形開始，在校正外形的任何點所獲得是至少小於50奈米的其餘外形之最高點和最低點之間的最大高度差。
複合電極之製造
給予於下者為以較佳體系製造使用具有自生成之孔的網之遮罩的複合電極之實例。
a)具有自生成之孔的遮罩之製造首先，製備具有自生成之孔的遮罩。為此，藉由液體路徑沉積以丙烯酸系共聚物為主的膠體粒子之簡單乳液，其在水中為穩定的，於40重量%之濃度。膠體粒子具有80至100奈米之特性大小且由DSM公司以品牌名稱Neocryl XK 52販賣。
然後乾燥倂入膠體粒子之所謂的遮蔽層以使蒸發溶劑。此乾燥可藉由任何適當方法(熱空氣乾燥等等)進行。
在此乾燥步驟期間，系統進行自排列且根據以特徵(feature)之平均寬度(以下稱為A1)和特徵之間的平均距離(以下稱為B1)特徵化之結構描述特徵。此經穩定遮罩結果將以B1/A1比界定。獲得穩定遮罩而無需求助於退火。
B1/A1比可藉由例如修改壓實膠體和基板的表面之間的摩擦係數，或者奈米粒子之大小、亦或蒸發之速率、或起始濃度粒子、或溶劑之性質、或厚度、視沉積技術而定來修正。
為了說明這些各種選項，具有二種膠體溶液濃度(C0 和0.5 x C0 )和藉由調節試樣的上升率沉積之各種厚度的實驗計劃給予於下。溶液係藉由浸塗沉積。應指出B1/A1比可藉由改變濃度而改變。結果給予於下表中：
膠體溶液也使用各種厚度之拉膜以濃度C0 =40%沉積。這些實驗顯示藉由調整膠體層的初始厚度可能改變特徵的大小A1和特徵之間的距離B1。結果給予於下表中：
在另一體系中，沉積具有50%之重量濃度、3之pH和200mPa.s之黏度的以丙烯酸系共聚物為主的膠體粒子穩定於水中之簡單乳液。膠體粒子具有約118奈米之特性大小且由DSM公司以品牌名稱Neocryl XK 38販賣並具有71℃之Tg。
在另一體系中，沉積具有約10至20奈米之特性大小之矽石膠體的40%溶液，例如由Sigma Aldrich出售之產品LUDOXAS 40。B/A比為約30。
典型地，可例如沉積介於15%和50%之間的矽石膠體在有機(尤其水性)溶劑中。
b)遮罩之清潔
使用電漿源作為用於清潔位於裂縫底部之有機粒子的來源，隨後使得可能改良作用導電材料對電極之網的黏著。
為了給予典型體系，借助於具有以氧/氦混合物為主的傳輸型電弧電漿之常壓電漿源的清潔，使得可能改良沉積在間隙底部的材料之黏著和增寬間隙。可使用Surfx公司出售之商標“ATOMFLOW”的電漿源。
c)導電網之製造
使用此遮罩製備根據本發明之複合電極的導電網。為此，將一或多種導電材料沉積於整個遮罩，直到一部份的間隙被塡充。
作為金屬，較佳地可選擇銀或鋁。作為導電氧化物，較佳地可選擇ITO、IZO或IGZO。
導電股線之平均寬度A大約等於A1。導電股線之間的平均距離B大約等於B1。
為了增加金屬層的厚度和因此減少格柵的電阻，我們藉由電解(溶解陽極方法)在銀格柵上沉積銅覆蓋層。
視需要地藉由磁控管濺射覆蓋促進黏著之下層和銀格柵的玻璃組成實驗的裝置陰極。陽極由銅片所組成。此因被溶解而具有在整個沉積方法期間保持Cu2+ 離子常數的濃度且因此保持沉積率常數之角色。
電解溶液(浴)由硫酸銅水溶液(CuSO4 ‧5H2 O=70gl-1 )組成，將50毫升之硫酸(10N H2 SO4 )加至其中。電解期間溶液之溫度為23±2℃。
沉積條件如下：電壓和電流。
陽極和陰極，隔開3到5公分且具有相同大小，彼此平行放置以使獲得垂直線場線。
銅層在銀格柵上是均勻的。沉積物之厚度隨電解期間、電流密度和沉積物之形態增加。結果給予於下表中。
d)遮罩之移除
為了從遮罩暴露網的結構，進行“剝離(lift-off)”操作。將膠體遮罩浸在包含水和丙酮之溶液中(清潔溶液係根據膠體粒子之性質選擇)且然後沖洗以使除去所有用膠體塗佈的部份。
e)塡充和覆蓋該網
用所給予之材料完全地塡充導電股線之間的空間，較佳地促進在OLED(高指數、擴散、等等)層中波導模態之提取且為導電的，及該網和塡充材料係用導電塗層覆蓋，其完成平滑化且具有分布電流或維持垂直導電性的電角色。
特別地，可使用具有如實例1中之適當電阻率者和稍微相同的導電材料塡充和平滑股線之間的空間。
不用說本發明以相同的方式適用於使用非實例中所述之有機發光系統和使用塑膠基板。
100、200、300、400．．．有機發光裝置
1．．．基板
2．．．複合下電極
2’、2”、20’．．．複合電極
3．．．有機發光系統
4．．．反射上電極
5．．．絕緣樹脂
6．．．匯電條
11．．．第一主要面
12．．．第二主要面
21、210’．．．導電網
21’．．．網
22、22’．．．導電塗層
23、23’．．．塡充層
51．．．縱向蝕刻
110．．．蝕刻網
210’．．．導電塗層
現將藉由非限制例和圖式更詳細地描述本發明：
-　圖1為第一有機發光裝置之示意橫剖面圖，其包含根據本發明第一體系之複合下電極。
-　圖2說明使用於圖1之裝置中的電極之網的示意俯視圖。
-　圖3a為第二有機發光裝置之示意橫剖面圖，其包含根據本發明第二體系之複合下電極。
-　圖3b和3c為塡充材料的表面之SEM照片。
-　圖4為第三有機發光裝置之示意橫剖面圖，其包含根據本發明第三體系之複合下電極。
-　圖5為第四有機發光裝置之示意橫剖面圖，其包含根據本發明第四體系之複合下電極。
100．．．有機發光裝置
1．．．基板
2．．．複合下電極
3．．．有機發光系統
4．．．反射上電極
5．．．絕緣樹脂
6．．．匯電條
11．．．第一主要面
12．．．第二主要面
21．．．導電網
22．．．導電塗層

Claims (53)

  1. 一種於主要面(11)上帶有複合電極(2,2’,2”或20’)的基板(1)，其包含：導電網(21,21’或210’)，其為一由以金屬及/或金屬氧化物為主之導電材料製造的股線形成且具有於550奈米的至少60%之光透射之層，該網的股線之間的空間被稱為導電填充材料之材料填充；導電塗層(22,22’,22”或220’)，其覆蓋導電網、且與股線電接連、具有大於或等於40奈米之厚度、具有小於105 Ω.公分且大於該網之電阻率的電阻率ρ1，該塗層形成電極之平滑外表面；該填充材料為導電性，具有大於該網之電阻率ρ0和小於電阻率ρ1之電阻率ρ2，或具有大於ρ1之電阻率ρ2，具有大於股線之厚度的厚度，覆蓋該導電網，則該導電塗層覆蓋該填充材料，或填充材料由相同於該導電塗層(22,22’,22”或220')之材料製造，則該導電塗層實質上填充股線之間的空間；該複合電極也具有小於或等於10Ω/□之片電阻。
  2. 根據申請專利範圍第1項的基板(1)，其中該外表面致使在網之平均週期B+A期間從稱為外表面之實際外形開始且藉由以奈米級過濾形成校正外形而消除局部微觀粗糙度，獲得在校正外形的任何點之小於或等於45°的由正切於校正外形與校正外形之平均平面所形成的角度，及其中在網之平均週期B+A期間從實際外形和校正外形之 間的差所形成之其餘外形開始，獲得在校正外形的任何點之小於50奈米的其餘外形之最高點和最低點之間的最大高度差。
  3. 根據申請專利範圍第2項的基板(1)，其中該外表面致使在網之平均週期B+A期間從實際外形和校正外形之間的差所形成之其餘外形開始，獲得在校正外形的任何點之小於20奈米的其餘外形之最高點和最低點之間的最大高度差，及/或在網之平均週期B+A期間獲得小於或等於5奈米之均方根(rms)。
  4. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該股線之間的平均距離B和股線之平均寬度A的B/A比係介於5和15之間。
  5. 根據申請專利範圍第4項的基板(1)，其中股線之平均寬度A介於100奈米和30微米之間及/或股線之間的平均距離B介於5微米和300微米之間。
  6. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該網係由配置成格柵(grid)形成。
  7. 根據申請專利範圍第6項的基板(1)，其中該網係由配置成不規則格柵的股線形成。
  8. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該網具有介於100奈米和5微米之間的厚度。
  9. 根據申請專利範圍第8項的基板(1)，其中該網具有介於0.5和3微米之間的厚度。
  10. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中 該導電塗層包含或甚至由一以透明導電氧化物為主之層組成；或該導電塗層包含一以金屬為主之層。
  11. 根據申請專利範圍第10項的基板(1)，其中該導電塗層包含或甚至由一以單一氧化錫、氧化鋅或氧化銦為主之層組成。
  12. 根據申請專利範圍第10項的基板(1)，其中該導電塗層包含或甚至由一以至少一種下列摻雜或混合氧化物為主之層所組成：氧化鋅，其與至少一種下列元素摻雜或合金化：鋁、鎵、銦、硼、錫、釔、鋯；氧化銦，其與鋅、鎵和鋅、錫摻雜或合金化；氧化錫，其與氟或與銻摻雜或與隨選地摻雜有銻之鋅合金化；與鈮摻雜之氧化鈦。
  13. 根據申請專利範圍第10項的基板(1)，其中該導電塗層包含一以下列材料之一製造的金屬奈米粒子為主之層：Ag、Al、Cu、Au、Pd、Pt、Cr。
  14. 根據申請專利範圍第1項的基板(1)，其中該導電塗層包含或甚至由一經由溶膠-凝膠路徑獲得之以有機金屬前驅物為主的導電金屬氧化物之層。
  15. 根據申請專利範圍第1項的基板(1)，其中該導電塗層包含或甚至由聚合物層所組成。
  16. 根據申請專利範圍第14或15項的基板(1)，其中該導電塗層之表面形成平滑電極表面。
  17. 根據申請專利範圍第15項的基板(1)，其中該聚合物層選自至少一種下列家族：聚(乙炔)類、聚(噻吩)類、聚(吡咯)類、聚(苯胺)類、聚(茀)類、聚(3-烷基噻吩)類、聚四硫富瓦烯類、聚萘類、聚(對-苯硫醚)及聚(對-伸苯基伸乙烯)類。
  18. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該導電填充層包含或甚至由一金屬奈米粒子為主之層或一以導電氧化物之奈米粒子為主之層組成。
  19. 根據申請專利範圍第18項的基板(1)，其中該導電填充層包含或甚至由一以下列材料之一製造的金屬奈米粒子為主之層：Ag、Al、Cu、Au、Pd、Pt、Cr，或一以單一氧化錫、氧化鋅或氧化銦導電氧化物之奈米粒子為主之層組成。
  20. 根據申請專利範圍第18項的基板(1)，其中該導電氧化物為至少一種下列摻雜或混合氧化物：氧化鋅，其與至少一種下列元素摻雜或合金化：鋁、鎵、銦、硼、錫；氧化銦，其與鋅、鎵和鋅、錫摻雜或合金化；氧化錫，其與氟或與銻摻雜或與隨選地摻雜有銻之鋅合金化；與鈮摻雜之氧化鈦。
  21. 根據申請專利範圍第18項的基板(1)，其中該導電填充層，至少對於其離基板最遠之外部，係在如至少一種下列摻雜或混合金屬氧化物的導電氧化物之黏合劑中： 氧化鋅，其與至少一種下列元素摻雜或合金化：鋁、鎵、銦、硼、錫、釔、鋯；氧化銦，其與鋅、鎵和鋅、錫摻雜或合金化；氧化錫，其與氟或與銻摻雜或與隨選地摻雜有銻之鋅合金化；與鈮摻雜之氧化鈦。
  22. 根據申請專利範圍第18項的基板(1)，其中該導電填充層由一以導電金屬氧化物之奈米粒子為主的層組成，其係在以相同導電金屬氧化物作為奈米粒子之溶膠-凝膠黏合劑中，至少在其最外部份中，和該導電塗層包含或甚至由導電溶膠-凝膠層及/或具有相同導電金屬氧化物作為黏合劑所組成及其表面為平滑電極表面。
  23. 根據申請專利範圍第18項的基板(1)，其中該導電填充層由一以導電金屬氧化物之奈米粒子為主的層組成，其於聚合物黏合劑中，至少在其最外部份中，和該導電塗層包含或甚至由與黏合劑相容或相同之一或多種選自至少一種下列家族的聚合物之基本聚合物導電層所組成，其表面為平滑電極表面：聚(乙炔)類、聚(噻吩)類、聚(吡咯)類、聚(苯胺)類、聚(茀)類、聚(3-烷基噻吩)類、聚四硫富瓦烯類、聚萘類、聚(對-苯硫醚)及聚(對-伸苯基伸乙烯)類。
  24. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中因為填充材料係由該塗層之材料製造，所以股線之間的塗層之厚度為大於股線之高度至少1.5倍。
  25. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該填充材料具有在550奈米下之大於或等於1.65的折射指數，及其中股線之間的距離B小於或等於50微米，及該股線以金屬為主。
  26. 根據申請專利範圍第25項的基板(1)，其中該股線以銀或鋁為主。
  27. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該導電填充材料為擴散性。
  28. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該導電網(21,21’或210’)部份在玻璃基板之蝕刻網(110)中。
  29. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該導電網(21,21’或210’)包含一以選自銀、鋁、銅、鈀、鉻、鉑或金的純金屬材料為主、或以與至少一種選自下列的其他材料合金化或摻雜的該材料為主之層：Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co、Sn。
  30. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中該導電網(21,21’或210')包含用於保護以抗腐蝕之導電覆蓋層，其選自金屬或選自透明導電氧化物，且具有大於或等於10奈米之厚度。
  31. 根據申請專利範圍第30項的基板(1)，其中該金屬選自鎳、鉻、鉬及其混合物。
  32. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其中 該基板為玻璃基板。
  33. 根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)，其包含直接沉積在電極(2,2’,2”或20’)之外表面上的有機發光系統(3)。
  34. 一種含根據申請專利範圍第1或2項的基板(1)的有機發光裝置(100,200,300,400)，該複合電極(2,2’,2”或20’)形成所稱之下電極，即最靠近基板之電極。
  35. 根據申請專利範圍第34的有機發光裝置(100,200,300,400)，其形成一或多個透明及/或反射發光表面。
  36. 根據申請專利範圍第35的有機發光裝置(100,200,300,400)，其形成照明、裝璜或建築系統、指示顯示板、或產生均勻光或差異發光區的系統。
  37. 根據申請專利範圍第36的有機發光裝置(100,200,300,400)，其中該指示顯示板為圖畫、標識或文數指示類型。
  38. 根據申請專利範圍第36的有機發光裝置(100,200,300,400)，其中該產生差異發光區的系統是藉由導光提取在玻璃基板中產生差異。
  39. 根據申請專利範圍第34或35項的有機發光裝置(100,200,300,400)，其係：意欲用於建築物；意欲用於運輸工具；意欲用於城市或專業傢俱； 意欲用於室內陳設、架子或櫃子部件、櫃子的正面、照明磚、天花板、照明冷藏室架、水族館牆；意欲用於電子設備之背光；或照明鏡。
  40. 根據申請專利範圍第39項的有機發光裝置(100,200,300,400)，其中：該建築物包括外部發光玻璃、內部發光隔板或發光玻璃門；該運輸工具包括陸上、水運或空運運輸工具之發光屋頂、發光側窗、內部發光隔板；該傢俱包括候車亭嵌板、展示櫃、珠寶陳列或陳列窗、溫室牆、或照明磚；該電子設備包括顯示螢幕、觸控螢幕；或該照明鏡是用於照明浴室牆壁或廚房工作檯，或用於天花板。
  41. 一種製造在根據申請專利範圍第1或2項的基板上之複合電極的方法，其特徵在於其包含下列步驟；直接形成導體之網配置的第一步驟，其包含至少一個下列沉積：網之導電材料經由印台(stamp pad)的沉積；經由導電噴墨印刷在基板上的沉積，第二步驟，其包含經由液體路徑之導電塗層沉積。
  42. 一種製造在根據申請專利範圍第1或2項的基板上之複合電極的方法，其特徵在於其包含下列步驟： 直接形成導體之網配置的第一步驟，其包含網之導電材料遍及在基板上之稱為遮罩、具有自我組織成網之孔的層，直到一部份的孔深度已被填充之沉積；隨選地，在第一步驟之前，透過遮罩之孔蝕刻基板，因此將網部份地固定於基板；移除遮罩；及第二步驟，其包含經由液體路徑之導電塗層沉積。
  43. 根據申請專利範圍第41或42項方法，其中該網之導電材料在遮罩和隨選地部份在底下的蝕刻網上之沉積包含非選擇性真空沉積，或經由液體路徑之沉積。
  44. 根據申請專利範圍第43項的方法，其中該非選擇性真空沉積是經由蒸發。
  45. 根據申請專利範圍第43項的方法，其中該經由液體路徑之沉積是藉由印刷、藉由用導電墨水之刮刀塗佈、藉由浸塗、藉由噴塗，藉由選自金、銀、銅之金屬電解補充及/或用於保護以抗腐蝕之覆蓋層來完成。
  46. 根據申請專利範圍第41或42項的方法，其中其包含形成遮罩之步驟，包含：沉積在稱為遮蔽層之基板上；硬化遮蔽層或乾燥液體遮蔽層直到獲得形成該遮罩之網孔。
  47. 根據申請專利範圍第46項的方法，其中該遮蔽層為穩定且分散在溶劑中的膠體粒子之溶液。
  48. 根據申請專利範圍第47項的方法，其中該遮蔽 層為以丙烯酸系共聚物為主的膠體之水溶液。
  49. 根據申請專利範圍第41或42項的方法，其中在該第二步驟之前，其包含：用根據申請專利範圍第1或2項所述之導電填充材料填充股線之間的空間之步驟。
  50. 根據申請專利範圍第49項的方法，其中在該第二步驟之前，其包含在填充之前，除去該遮罩直到該網被暴露之步驟。
  51. 根據申請專利範圍第41或42項的方法，其中在第二步驟期間，股線之間的空間經由網印、浸塗或噴塗實質上完全地填充有該導電塗層。
  52. 根據申請專利範圍第41或42項的方法，其中為了填充，將導電(奈米)粒子的分散液沉積，其主要為無黏合劑，及然後將該(奈米)粒子之導電黏合劑沉積，該黏合劑穿入(奈米)粒子層且形成覆蓋(奈米)粒子之導電塗層。
  53. 根據申請專利範圍第52項的方法，其中該導電(奈米)粒子是導電氧化物之(奈米)粒子。
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