JP5547645B2 - 電極を支持している基材、該基材を含む有機エレクトロルミネセントデバイス及びその製造 - Google Patents

Description

本発明の対象は、電極を支持している基材、それを内蔵する有機発光デバイス、及びその製造である。

公知の有機発光システム又はＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）は、導電性層の形でその側面に位置する電極によって電気の供給を受ける有機エレクトロルミネセント材料又はかかる材料の積重体を含む。

従来、上部電極は例えばアルミニウムで作られた反射性金属層であり、下部電極は、約１００〜１５０ｎｍ前後の厚みをもつ酸化インジウム、一般的にはＩＴＯという略語によってよりよく知られるスズドーピングされた酸化インジウム、を基礎材料とする透明な層である。しかしながら広い範囲にわたり均一に照明するためには、標準的には数ｍｍ²の電極ゾーンを形成することによって不連続な下部電極を形成すること、そして各電極ゾーン間の距離を大幅に、標準的には約１０ミクロンずつ、減少させることが必要である。費用がかかり複雑なフォトリソグラフィ及びパッシベーション技術が使用されている。

更に、米国特許第７１７２８２２号明細書は、基材に最も近い電極が亀裂入りマスクを充填することにより得られる不規則なネットワーク導体を含んでいる、ＯＬＥＤデバイスを提案している。より具体的には、ＯＬＥＤデバイスは、ガラス基材とＯＬＥＤ活性層の間に、逐次的に以下のもの、すなわち、
・金ベースの副層、
・０．４μｍに等しい厚みを有する、アニール後に微小亀裂入りマスクを形成するゾル−ゲル層、
・３Ω／□に等しいシート抵抗及び８３％の光透過率を有する、触媒被着によって得られる金ベースのネットワーク導体、
・５０ｎｍのポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）層、
を含んでいる。

この米国特許第７１７２８２２号明細書の図３は、シリカゾル−ゲルマスクの形態を示している。それは、弾性材料の破壊現象の特徴である分岐を伴う、好ましい方向に沿って配向された細い亀裂ラインの形で現われる。これらの主要な亀裂ラインは、時として分岐により結合される。

亀裂ラインの間の領域は非対称であり、一方は０．８ｍｍと１ｍｍの間の亀裂伝播方向に平行な、他方は１００μｍと２００μｍの間の垂直な、２つの特徴的な寸法を有する。

この電極は、許容可能な導電性及び透明度特性を有し、シート抵抗は３Ω／□に等しく光透過率は８２％である。しかしながら、このような電極を有するＯＬＥＤデバイスの信頼性は保証されていない。

亀裂入りゾル−ゲルマスクを形成するために、水、アルコール及びシリカ前駆体（ＴＥＯＳ）をベースとしたゾルを被着させ、溶媒を蒸発させ、そして３０分間１２０℃でアニールした。

ゾル−ゲルマスクの亀裂形成によるこの電極製造法は、例えばフォトリソグラフィ（レジストの放射線／ビームへの曝露及び現象）に頼ることがなくなることにより、ネットワーク導体の製造にとっての進歩をなすが、特に工業的要件（製造工程の信頼性、単純化、及び／又は削減、コスト低下など）と相容れるものとなるために、なおも改善の余地がある。

また、ネットワークを製造するための方法には、有利な付着（例えば金属コロイドの）を可能にするためか又は金属の後成長のための触媒グラフトを可能にするために開口部において（化学的又は物理的に）修飾可能な副層の被着が不可避的に必要となり、従ってこの副層がネットワークの成長法において機能的役割を有する、と言うこともできる。

更に、亀裂の断面形状は、弾性材料の破壊力学のためにＶ字形であり、そしてそれは金属ネットワークをＶ字の底部にあるコロイド粒子から出発して成長させるためにポストマスク法を使用するのを必要とする。

本発明の目的は、広い面積にわたり生成でき、信頼性が高く、丈夫で再現可能であり、しかもこれら全てのことが工業的規模で、且つ好ましくは比較的低コストで、可能なかぎり容易に得られる、高性能（高い伝導率、適切な透明度）のＯＬＥＤのための電極を得ることにある。好ましくは、この電極はＯＬＥＤデバイスの全体的性能（光出力、照明の均一性など）の増強にも貢献する。

この目的のために、本発明の第１の対象とするものは、
・５５０ｎｍで少なくとも６０％の光透過率、あるいは更に少なくとも６０％の積分光透過率Ｔ_Lを有し、金属及び／又は金属酸化物を基礎材料とする単数又は複数の導電性材料で作られた層（単層又は多層）であるストランドで形成され、ストランド間の間隙には充填材料と呼ばれる材料が充填されている、導電性ネットワーク、
・該導電性ネットワークを被覆し、厚みが４０ｎｍ以上であり、ストランドと電気的接触状態にあり、抵抗率ρ１が１０⁵Ω・ｃｍ未満でネットワークのストランドを形成する材料の抵抗率よりも大きく、電極の平滑な外表面を形成している導電性コーティング、
を含む複合電極を、１つの主要面上に支持する基材であって、
・前記充填材料が導電性であって、ネットワークの抵抗率ρ０よりも大きく抵抗率ρ１よりも小さい抵抗率ρ２を有するか、又はρ１よりも大きい抵抗率ρ２を有し、ストランドの厚みより大きい厚みを有し、前記導電性コーティングが前記充填材料を被覆するか、あるいは前記充填材料が前記導電性材料で作られ、前記導電性コーティングが前記ストランド間の間隙を実質的に充填しており、
・前記複合電極が１０Ω／□以下のシート抵抗をも有している、
基材である。

従って、本発明による複合電極は、埋設される（導電性コーティングとは異なるものであってもなくてもよい充填材料によって）導電性ネットワークを含み、その表面は平滑であり、ＯＬＥＤ内に電気的欠陥を導入するのを回避している。

導電性コーティングの表面は電極の外表面である。導電性コーティングの表面は、好ましくはＯＬＥＤの有機層、特に正孔注入層（ＨＩＬ）及び／又は正孔輸送層（ＨＴＬ）、と接触するように意図されてよい。

導電性充填材料は、特に電極ネットワークの上部レベルと下部レベルの間の差をなくす。

導電性コーティングによって、ストランド（充填材料でコーティングされた）及びストランド間の導電性充填材料の表面の制御されていない表面微小粗さに起因するスパイク効果によって発生する短絡の危険性がなくなる。

本発明による導電性コーティングは、ストランドと直接接触していても接触していなくともよい。それは、ストランドの高さに比べてそれを上回る厚みの、異なる導電性充填材料によってストランドから分離されるか、あるいは、充填材料がコーティングの材料で作られている場合、ストランドと接触しているかのいずれかである。そのとき、充填材料の表面は、平滑な電極表面を直ちに形成する。

かくして、充分に平滑な導電性充填材料又は粗さが制御された導電性充填材料を通して、スパイク効果によって発生する短絡の危険性を除去することに寄与することが可能となる。従って、充填材料の表面は第１の平滑化レベルを形成することができ、異なる導電性コーティングの表面は第２のより細かい平滑化レベルを形成することができる。かくして、本発明による導電性コーティングは、異なる導電性充填材料でコーティングされたネットワークの表面をより一層平滑化することを可能にする。

米国特許第７１７２８２２号明細書に記載されたネットワーク導体は、これとは反対に、ネットワーク導体と亀裂入りマスクとの高さの差と整合する薄いポリマー層で被覆されている。

こうして、本発明による埋設された平滑なネットワーク電極の設計を通して、ＯＬＥＤの信頼性及び再現性が保証され、従ってその耐用年数が長くなる。

従って、本発明は、比較的厚くてよく及び／又は間隔を開けていてよいストランドのネットワークで作られた電極から出発して、電極の粗さをいくつかのレベルで制御し（まず第１に急激な段差をなくすため充填材料を用いてネットワークを埋設し、次にそれを充分に平滑化することによって）、そしていくつかの材料（ストランド材料（単数又は複数）、導電性コーティングとは異なるものであってもなくてもよい充填材料）で作られた電極に適している電気的特性及び透明度特性を確保するか、あるいは更にはＯＬＥＤの性能を改善することに関する。

導電性充填材料は、単成分又は多成分の、単層又は多層であることができる。

充填材料は有利には、次の機能、すなわち、
・電極の表面を、特に、既に記したように、平滑な材料を選択する（被着方法、その処方、その厚みを慎重に選ぶことにより）ことによって、平滑化する役目を果たすこと、
・導電性コーティングとの組合せにおいて、その導電性の結果として、電気的役割を果たすこと、
・ＯＬＥＤにより放出される放射線を引き出す手段となること、
のうちの少なくとも１つを有するのが好ましい。

本発明による導電性コーティングは、その抵抗率、それがネットワークを被覆すること、及びそれが異なる導電性充填材料を被覆することに起因して、またその厚みに起因して、充填材料の抵抗率ρ２がネットワークの抵抗率ρ０より大きく抵抗率ρ１よりも大きい場合に、直列抵抗の増加（印加されるＤＣ電圧の増加を必要とする）による光出力の損失を回避するために、充分な垂直導電率を維持する。

本発明による導電性コーティングは、その抵抗率、それがネットワークを被覆すること、及びそれが異なる導電性充填材料を被覆することに起因して、またその厚みに起因して、充填材料が導電性であって、ρ１より大きい抵抗率ρ２を有する場合に、電流のより良好な分配に寄与する。

導電性コーティングの抵抗率ρ１は１０³Ω・ｃｍ以下でよく、更には１０²Ω・ｃｍ以下でよい。

ネットワークは線形、例えば平行線の形でよく、又は閉鎖パターンの形（ストランドが相互接続し、メッシュを画定している）、例えば幾何学的な（長方形、正方形、多角形など）閉鎖パターン及び任意選択的には不規則形状及び／又は不規則サイズのパターンの形でよい。

ストランド間の平均距離（特に平均メッシュサイズに対応する）をＢとし、ストランドの平均幅をＡとして、ネットワークの任意選択的には不規則である平均周期をＢ＋Ａと定義づけすることが可能である。

ストランド間の平均距離Ｂが短くなればなるほど（高密度ネットワーク）、導電性コーティングの抵抗率ρ１は高くなることができる。その上、充填材料は導電性であることから、導電性コーティングの抵抗率ρ１は相対的に大きくてよい。

第１の構成において、充填材料は導電性であり、例えば１０³Ω・ｃｍ以下の抵抗率ρ２を有し、好ましくはストランドの高さの半分以上、特に２００ｎｍ以上の充填厚みを有する。抵抗率ρ１はこのとき、好ましくは１０³Ω・ｃｍ以下であることができる。

第２の構成においては、充填材料はそれほど導電性ではない。この場合、抵抗率ρ１は、特にネットワークが高密度（Ｂが標準的に５０μｍ以下）である場合に、１０^-1Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。ネットワークの密度がそれほど高くない（Ｂが標準的に５０μｍより大きい）場合には、抵抗率ρ１は、なお１０^-2Ω・ｃｍ以下、更には１０^-4Ω・ｃｍ以下であることがより好ましい。

抵抗率ρ１は、場合によっては、短絡に対する感受性を減らすため、ρ２よりも少なくとも１０倍高くてもよい。

本発明による電極の表面は必ずしも、コーティングにより平担化されて平担ではない。それは、波状であってもよい。

具体的には、導電性コーティングは、最初に充分に広がるうねりを形成することにより、表面を平滑化してもよい。こうして、鋭い角度、急なギャップをなくすことが重要である。外表面は、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａにわたる外表面の実際の輪郭から出発し、そして局所的微小粗さをなくすためナノスケールのフィルタリングにより補正済みの輪郭を形成することによって、補正済み（又は実際の）輪郭の平均的平面と補正済みの輪郭に対する接線とによって形成される、補正済み輪郭の任意の点において４５°以下、より好ましくは更に３０°以下という角度が得られるような外表面であることが好ましい。

これらの角度の測定には、原子間力顕微鏡を使用することが可能である。ネットワークの２乗周期（Ａ＋Ｂ）²全体にわたり、実際の表面の画像を形成する。こうして所定の軸に沿った表面の実際の輪郭を形成するこの画像又はこの画像の１区画を利用する。輪郭についての分析長さＡ＋Ｂは、それが粗さの輪郭を明確に反映していることから、妥当なものである。ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａは、標準的にミリメートル未満であり、好ましくは１０μｍと５００μｍの間である。

実際の輪郭は、５０ｎｍと２００ｎｍの間の、例えば１００ｎｍのスケールで移動平均を取る（任意の点で）ことによって補正され、このとき各点について中央平面と輪郭に対する接線との角度が測定される。こうして、このナノスケールのフィルタリングはまず第一に短いスケールの不揃いを除外するのに役立つ。

しかしながら、短絡をできるかぎり防ぐためには、局所的微小粗さを制限することなく表面を滑らかにすることでは充分ではない。

従って、残留輪郭、すなわち実際の輪郭から補正された輪郭を差し引いたもの、が使用される。例えば、残留輪郭は、最高点と最低点の間に５０ｎｍ未満、より好ましくは更に２０ｎｍ以下、更には１０ｍｍ以下の、高さの最大の差（「山から谷まで（ｐｅａｋ−ｔｏ−ｖａｌｌｅｙ）」のパラメータ）を、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａにわたり有することができる。

残留輪郭はまた、５０ｎｍ以下、更には２０ｎｍ、また更には５ｎｍ以下のＲＭＳ粗さパラメータ（Ｒｑとしても知られている）を、ネットワーク平均周期Ｂ＋Ａにわたり有することもできる。

ＲＭＳは、「二乗平均平方根」粗さを意味する。それは、粗さの二乗平均平方根偏差の値を測定することからなる測定値である。従って、具体的には、ＲＭＳパラメータは、平均（残留）高さと比較して、残留粗さ（局所的微小粗さ）の山と谷の高さを平均して定量化する。かくして、１０ｎｍのＲＭＳはダブルピーク振幅を表す。

当然、角度及び残留微小粗さについての限界条件を、電極表面の大部分にわたり満たすことが好ましい。これを確認するためには、表面全体にわたり（均一に）広がった様々なゾーンにわたり測定を行なうことが可能である。

これらの測定は、電極の活性ゾーンや、例えば接続システムのため又は複数の発光ゾーンを形成するためにパッシベーションされることのある、例えば電極の端部などといった特定のゾーンで、行なうことが好ましい。

角度測定はまた、機械的スタイラス装置により（例えばＤＥＫＴＡＫという名称でＶｅｅｃｏ社により販売されている測定計器を用いて）別の要領で行なってもよい。

導電性コーティングの外表面は、標準的には１ミリメートル以上にわたる、非常に大規模なうねりを有してもよい。更に、基材、ひいては外表面は、湾曲していてもよい。

ネットワークの光透過率は、ストランド間の平均距離Ｂのストランドの平均幅Ａに対するＢ／Ａ比により左右される。

好ましくは、Ｂ／Ａ比は、透明度を容易に保持するとともに製造を容易にするため、５と１５の間、より好ましくは更に１０前後である。例えば、Ｂ及びＡは、それぞれ約３００μｍと３０μｍ、１００μｍと１０μｍ、５０μｍと５μｍ、又は２０μｍと２μｍに等しい。

特に、３０μｍ未満、標準的には１００ｎｍと３０μｍの間、好ましくは１０μｍ以下、更にはストランドの可視性を制限するため５μｍ以下、そして製造を容易にし且つ高い導電率と透明度を容易に保持するため１μｍ以上である、ストランドの平均幅Ａが選択される。好ましい範囲は１μｍと１０μｍの間である。

特に、５μｍと３００μｍの間、更には２０と１００μｍの間、また更には透明度を容易に保持するため５０μｍ未満の、Ａより大きいストランド間の平均距離Ｂを選択することも可能である。

ネットワークは不規則であることがあり及び／又はストランドの端部には勾配がついていることがあるので、寸法Ａ及びＢは平均寸法である。

ストランドの平均厚さは、１００ｎｍと５μｍの間でよく、より好ましくは更に０．５〜３μｍであり、更には透明度及び高い導電率を容易に保持するため０．５μｍと１．５μｍの間でよい。

有利には、本発明による複合電極は、
・特に１μｍ以上、そして好ましくは１０μｍ未満、更には５μｍ以下のネットワーク厚み（更には合計電極厚み）について、５Ω／□以下、更には１Ω／□以下、又は０．５Ω／□以下のシート抵抗、
・及び／又は５０％以上、より好ましくは更に７０％以上の光透過率Ｔ_L、
を有することができる。

本発明による複合電極は、底面発光型有機発光デバイス又は底面及び上面発光型有機発光デバイスのために使用することができる。

光透過率Ｔ_Lは例えば、９０％前後また更にはそれより高いＴ_Lを有する基材、例えばソーダ−石灰−シリカガラスの上で測定することができる。

本発明による複合電極は、広い面積、例えば０．０２ｍ²以上、更には０．５ｍ²又は１ｍ²以上の面積にわたるものであってよい。

更に、導電性材料の被着物は、厚みのある被着物であっても、表面を充分に平滑化せずにストランドを被覆する可能性がある。これは、化学気相成長（ＣＶＤ）又は物理気相成長（ＰＶＤ）技術、特に真空下での被着（蒸着、スパッタリング）は当初の表面の不規則性を再現、また更には増幅するからである。その後、平滑な外表面を得るため、例えば機械的（研磨タイプの）作用によって、導電性材料の表面後処理作業を実施する必要がある。

同様に、好ましくは、本発明による導電性コーティングのため、更には充填材料のためにも、液体ルートの被着技術、特に以下の技術のうちの少なくとも１つが選択される。その技術とは、（フラット、回転などの）印刷によるもの、特にフレキソ印刷、エッチング印刷によるもの、又はスプレーコーティング、ディップコーティング、カーテンコーティング、フローコーティング、スピンコーティング、ブレードコーティング、ワイヤーバーコーティング、その他のコーティング、インクジェット印刷又はスクリーン印刷によるもの、である。被着物は同様に、ゾル−ゲルルートによって得ることもできる。

具体的に言えば、液体フィルムの表面張力は、表面不規則性を平滑化する傾向をもつ。

ストランド上において、導電性コーティングの単独での又は異なる充填材料で作られた下にある導電性層と組合わせた状態での厚みは、４０ｎｍと１０００ｎｍの間、好ましくは５０ｎｍと５００ｎｍの間でよい。

導電性コーティング及び／又は任意選択的に異なる導電性充填材料は、例えば、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）層を含むか、又はこれで構成されていてよい。

導電性コーティングについては、スズの単独酸化物ＳｎＯ₂、亜鉛の単独酸化物ＺｎＯ、インジウムの単独酸化物Ｉｎ₂Ｏ₃、そしてまたドープされた酸化物、更には混合二元又は三元酸化物、特に上述の元素のうちの１つ以上のもののそれらを、好ましく選択することが可能である。特に、以下のドープ又は混合酸化物のうちの少なくとも１つが好ましい。
・次の元素、すなわちアルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素、スズ、のうちの少なくとも１つをドープされた、又はそれと合金化された酸化亜鉛（例えば、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ｉｎ、ＺｎＯ：Ｂ、ＺｎＳｎＯ）。
・特に亜鉛をドープされ又はそれと合金化された、ガリウムと亜鉛をドープされ又はそれと合金化された、又はスズをドープされ又はそれと合金化された、酸化インジウム（ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、又はＩＴＯ）。
・フッ素又はアンチモンをドープされた酸化スズ（ＳｎＯ₂：Ｆ、ＳｎＯ₂：Ｓｂ）、又は任意選択的にアンチモンをドープされ、亜鉛と合金化された酸化スズ（ＳｎＺｎＯ）。
・ニオブをドープされた酸化チタン（ＴｉＯ₂：Ｎｂ）。

導電性充填材料については、上述の導電性材料又は、その他の酸化物材料、特に高屈折率、電気絶縁性の（導電性粒子、特に金属粒子又は透明導電性酸化物（単数又は複数）の粒子が充填された）材料、特に、
・酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、
・酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、
・酸化チタン（ＴｉＯ₂）、
・アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、
・酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、
・あるいは、任意選択的にＺｒをドープされた、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＧａＮなどの窒化物、又は化学量論炭化ケイ素ＳｉＣ、
を選択することも可能である。

この導電性かつ高屈折率の充填層は、例えばＰＶＤ又はＣＶＤでの被着によって、製造することができる。

導電性コーティングは、例えば、被着物の粗さをより良く制限し制御するために、好ましくは１０ｎｍと５０ｎｍの間の、上述のとおりの金属ナノ粒子又は透明導電性酸化物（単数又は複数）のナノ粒子を含有する層を含むことができ、これらのナノ粒子は、任意選択的にかつ好ましくは結合剤中に存在している。

充填材料は、主として無機質の層又は有機／無機の混成層を含むことができ、更にはそれで構成されてもよい。

充填材料は、例えば、特に上述のもののような単一又は混合導電性金属酸化物（単数又は複数）を基礎材料とするゾル−ゲル層を含むことができ、更にはそれで構成されてもよい。ただし、厚いゾル−ゲル層、特に２００ｎｍを超え、更には１５０ｎｍを超える厚みを有するゾル−ゲル層を、特に１回で得るのは難しい。

好ましくは、任意選択的に導電性コーティングとは異なる充填材料は、上述の通りの金属（ナノ）粒子又は導電性酸化物（単数又は複数）の（ナノ）粒子を含有する層を含むことができ、又はそれで構成されてもよい。

（ナノ）粒子は、被着物の粗さをより良く制限しかつ制御するため、そして好ましくは、上に位置する導電性コーティングによる平滑化に備えるため、１０ｎｍと５０ｎｍの間の大きさであることが好ましい。（ナノ）粒子は任意選択的には結合剤中に存在している。

金属（ナノ）粒子としては、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ又はＣｕをベースとする（ナノ）粒子を選択することが可能である。抵抗率及び透明度は、結合剤中の（ナノ）粒子の濃度について調整される。

透明な導電性酸化物（単数又は複数）の（ナノ）粒子としては、特に以下のものが好ましい。
・スズをドープされた酸化インジウムＳｎＯ₂：Ｉ（ＩＴＯ）。
・ＳｎＯ₂：Ｓｂ（ＡＴＯ）。

複合電極は好ましくは、コスト上の理由から限定されたＩＴＯ含有量を有する。例えば、有機金属前駆体をベースとするＩＴＯゾル−ゲル層は、１５０ｎｍ、また更には５０ｎｍの最大厚みを有する。

ナノ粒子は、溶媒（アルコール、ケトン、水、グリコールなど）中の分散液から被着させることができる。

充填層（あるいは更には導電性コーティング）を形成するために使用することができる粒子をベースとする市販の製品は、住友金属鉱山株式会社が販売する以下の製品である。
・（任意選択的な）樹脂結合剤中に分散し、ケトン溶媒を含む、ＩＴＯ粒子のＸ１００（登録商標）、Ｘ１００（登録商標）Ｄ。
・アルコール溶媒中に分散したＩＴＯ粒子のＸ５００（登録商標）。
・アルコール溶媒中の金コーティングされた銀粒子のＣＫＲ（登録商標）。
・凝集した金及び銀粒子のＣＫＲＦ（登録商標）。

分散単独では、粒子間に結合剤が存在しないことに起因して機械的にさほど耐久性がない。従って、層のより優れた結束性を保証するためには、被着させる前にそれらを結合剤中に混合させることが好ましい（このとき、結合剤は充填層の厚み全体にわたって広がる）。

結合剤は、電気絶縁性又は導電性であることができる。

結合剤は、例えばアクリル、エポキシ又はポリウレタン樹脂など、有機結合剤であってもよい。

導電性又は電気絶縁性結合剤、例えばＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂。それは、ゾル−ゲルルートにより製造することができる（無機、又は混成有機／無機など）。結合剤は、好ましくは導電性金属酸化物のナノ粒子と同じ化学的性質をもつ、有機金属前駆体をベースとすることができる。

コーティング及び／又は充填層に望まれる抵抗率は、処方設計に応じて調整される。

それに代わるもう一つは、結合剤なしのナノ粒子をベースとする充填層を導電性結合剤で被覆することである。結合剤はナノ粒子の間（少なくとも充填層の最も外側の部分全体にわたる）に浸透し、かくして、例えば少なくとも厚みの半分にわたり（標準的には数百ｎｍ超）、粒子間の接着剤として作用する。その上、このとき表面に残っている結合剤は、表面を平滑化しかつ機械的攻撃から充填層を保護し得る導電性コーティングを形成する。

ここでもまた、導電性結合剤は、
・好ましくは金属酸化物のナノ粒子と同じ化学的性質をもつ、無機又は混成無機／有機結合剤、特に有機金属前駆体をベースとするゾル−ゲル、
・あるいは、有機又はポリマー結合剤、
でよい。

充填層を被着させるための方法は、例えば、スピンコーティング又はスプレーコーティング、あるいはスクリーン印刷によることができる。

従って、導電性コーティングは、主として無機又は混成有機／無機層、例えば特に先に言及したもののような単一又は混合導電性金属酸化物をベースとするゾル−ゲル層、を含むか又はこれで構成することができる。

この層は好ましくは、特にそれがゾル−ゲル層（とりわけ層内の高い応力に起因する亀裂を防止するため）である場合、２００ｎｍ以下の厚みを有する。

ゾル−ゲルは、激しい熱処理（例えばディップコーティングタイプの作業）にも耐えそしてＵＶ曝露に対する耐性があるという利点を有する。

ゾル−ゲル層を製造するためには、好ましくは、透明な導電性酸化物の市販の前駆体、特に有機金属化合物又はこれらの金属の塩の前駆体が選択される。

例えば、スズ酸化物コーティングのための前駆体の例として、ＳｎＣｌ₄、スズ酸ナトリウム、ＳｎＣｌ₂（ＯＡｃ）₂又はＳｎ（ＩＶ）アルコキシド、例えばＳｎ（ＯｔＢｕ）₄、を選択することができる。同様に、スズ前駆体であるものとして公知の任意の有機金属化合物又は塩を選択することも可能である。

酸化アンチモンの被着のためには、有機金属化合物及び塩、特にＳｂ（ＩＩＩ）のアルコキシド、及びＳｂＣｌ₃又はＳｂＣｌ₅などの塩化物を選択することができる。

例えば適切な割合で前駆体を混合することにより、そして前記前駆体と相容性である溶媒を使用することによって、混合及び／又はドープ型酸化物層が得られる。

例えば、尿素及び塩酸の存在下で、水中に溶解した塩化スズ及び塩化アンチモンから、アンチモンドープ型酸化スズ層を得てもよい。別の製造例は、水／アルコール／エタノールアミン混合物中で前駆体としてスズテトライソプロポキシドを使用し、ドーパントとして塩化アンチモンを添加するというものである。

ＩＴＯ層のゾル−ゲル製造例は、２００３年５月２０日にＬｙｏｎｓで提示され支持された受付番号５８−２００３号のＫａｉｓ Ｄａｏｕｄｉによる「ＥＬＡＢＯＲＡＴＩＯＮ ＥＴ ＣＡＲＡＣＴＥＲＩＳＡＴＩＯＮ ＤＥ ＦＩＬＭＳ ＭＩＮＣＥＳ Ｄ’ＯＸＹＤＥ Ｄ’ＩＮＤＩＵＭ ＤＯＰＥ Ａ Ｌ’ＥＴＡＩＮ ＯＢＴＥＮＵＳ ＰＡＲ ＶＯＩＥ ＳＯＬ−ＧＥＬ（ゾル−ゲルルートにより得られたスズドープ型酸化インジウムの薄膜の製造及び特性）」という題の論文の１９〜２５ページに示されている。

同じく、住友金属鉱山株式会社により販売されているＤＸ−４００（登録商標）という名称の製品を使用することも可能である。これは、スズアルコキシドとインジウムアルコキシド、有機溶媒、及び粘度制御剤をベースとしたペーストである。

アルコキシドタイプの金属酸化物の前駆体は、例えば、有機溶媒、例えば揮発性アルコールで希釈して、使用される。揮発性アルコールとしては、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１０又は１５アルコール、特にメタノール、エタノール、ヘキサノール、イソプロパノール又はグリコール、特にエチレングリコール、あるいは揮発性エステル、例えば酢酸エチルなど、を選択することが可能である。

ゾル−ゲル層を被着するために使用される組成物は、有利には、その他の構成成分、特に加水分解剤としての水、又はジアセトンアルコール、アセチルアセトン、酢酸又はホルムアミドといった安定剤を含むこともできる。

特に、金属塩タイプの前駆体は、一般に水溶液で使用される。水のｐＨを、前駆体の縮合条件を制御するため酸又は塩基（例えば塩酸、酢酸、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム）を用いることによって調整してもよい。ジアセトンアルコール、アセチルアセトン、酢酸又はホルムアミドなどの安定剤も使用してよい。

被着後、一般には、２０℃と１５０℃の間、有利にはおよそ１００℃の温度で乾燥工程を実施し、それに続いて数分〜数時間の期間にわたりおよそ４５０〜６００℃の温度で、有利にはおよそ３０分の期間およそ５５０℃の温度で熱処理を実施する。

溶液中の分子の前駆体からＴＣＯ層を製造するための方法によると、層は一般に１５０ｎｍの最大厚みを有し、かかる厚みは多くの場合複数回の被着によって得られる。

既に結晶化されたＴＣＯナノ粒子の分散液の被着によりＴＣＯ層を製造するための方法によると、層ははるかに厚い（単一の被着で、何ら問題なく５００ｎｍ超の）ものとなることができる。導電率は、分子前駆体から得られる層の場合より低いが、やはり適切なものである。ナノ粒子は既に結晶化されていることから、高温熱処理は不要である。

前駆体から製造されたＴＣＯ層は、（ナノ）粒子から製造された層より平滑である。

導電性コーティングは、必要に応じて充填層の導電性（ナノ）粒子のための結合剤を任意選択的に形成することのできる、液体ルートにより被着された本質的にポリマーの層を含んでもよく、あるいはそれで構成されてもよい。

例えば、それは少なくとも以下の群のうちの少なくとも１つに由来する１以上の導電性ポリマーの層である。
・ポリチオフェン、例えばＰＥＤＯＴ（３，４−ポリエチレンジオキシチオペン）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳすなわちポリスチレンスルホネートと配合された３，４−ポリエチレンジオキシチオペン、及び米国特許出願第２００４／２５３４３９号明細書に記載されたその他の誘導体、の群。
・あるいは、ポリ（アセチレン）類、ポリ（ピロール）類、ポリ（アニリン）類、ポリ（フルオレン）類、ポリ（３−アルキルチオフェン）類、ポリテトラチアフルバレン類、ポリナフタレン類、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、及びポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類。

ポリチオフェンとしては、例えば、ＨＣ Ｓｔｒａｃｋ社によりＢＡＹＴＲＯＮ（登録商標）の名称で販売されている製品あるいはＡｇｆａ社によりＯｒｇａｃｏｎ（登録商標）又はＯｒｇａｃｏｎ ＥＬ−Ｐ３０４０（登録商標）の名称で販売されている製品を選択することが可能である。

導電性ポリマーは、電極の一部であり、やはり任意選択的に正孔注入層としても働く。

充填材料もやはり、液体ルートにより被着された本質的にポリマーの層を含むことができ、又はこれにより構成されてもよい。例えば、それは前述の導電性ポリマーのうちの１以上のものの層である。しかしながら、ナノ粒子、特に導電性金属酸化物をベースとする層は、とりわけ厚みが非常に大きい場合、より透明度が高い（特に着色の程度が低い）。

好ましくは、複合電極、最低限でも充填材料及び／又は導電性コーティングは、ＣＩＥＬＡＢ図の絶対値で５未満の測色座標ａ^*及びｂ^*を有する。

５５０ｎｍで７０％以上、より好ましくは５５０ｎｍで更に８０％以上、また更には可視範囲全体にわたる、光透過率を有する導電性コーティング及び／又は充填材料が好ましい。

本出願においては、製造コストを削減する目的で、導電性材料（単数又は複数）の被着物（単数又は複数）を直接ネットワークに配置してもよい。

かくして、その後の構造化作業、例えば、多くの場合リソグラフィプロセス（レジストの放射線への曝露と現象）を必要とする乾式及び／又は湿式エッチング作業は回避される。

このネットワークとしての直接の配置は、例えばスタンプパッドを用いて、あるいはインクジェット印刷（適切なノズルを用いる）によって、１以上の適切な被着方法により直接得てもよい。

更に、導電性ネットワークは、基材上のマスクの開口部のネットワークを通しての導電性被着物（単数又は複数）（マスクはその後除去される）によってか、あるいは、例えば、前記マスクを通しての、例えば１０ｎｍから出発して好ましくは１００ｎｍを超えず、特におよそ５０ｎｍの深さにわたる、エッチングにより形成された基材のエッチングネットワークの事前の導電性被着物（単数又は複数）によっても、直接得ることができる。これは、ストランドの固定に有利に働くことができる。

ガラス基材の場合、例えば、ＣＦ₄又はＣＨＦ₃などによる、特に真空下での、フッ素プラズマエッチングを使用することが可能である。酸素雰囲気下では、特に有機物であるように選択されるマスクのエッチング速度を制御することが可能である。

ストランドの配置は、この場合実質的に、マスクの開口部のネットワーク及び最も内側の部分については（任意選択的な）エッチングネットワークのそれの複製であることができる。好ましくは、アニーリング作業を使用しなくても安定したマスクが選択される。

かくして、周囲温度で実施可能であり及び／又は単純（特に不可避的に触媒の使用を必要とする触媒作用による被着よりも単純）であり、及び／又は高密度の被着物を提供することのできる、１つ以上の被着技術を好ましく選択することが可能である。

被着物がマスクの及び任意選択的には下にあるエッチングネットワークの両方の開口部部分を充填し、そしてまたマスク又は基材の表面も被覆する、非選択的被着技術を選択することも可能である。マスクはその後除去してもよい。

液体ルートによる、特に印刷、導電性インクを用いたブレードコーティングでの、及び／又はスパッタリング、あるいはより好ましくは蒸着などの真空被着技術による、被着物を好ましく選択することが特に可能である。

被着物（単数又は複数）には、任意選択的に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ又は使用可能な別の高導電率金属で作られた電極を用いた電解表面処理を補足的に施してもよい。

導電性ネットワークは、基材の、特に既に見たようにガラス基材の、エッチングネットワークに部分的に被着させてもよい。基材は、湿式ルート（例えばガラス用のＨＦ溶液を用いる）によりエッチングしてもよく、適切な開口部ネットワークをもったゾル−ゲルマスクを選択してもよい。

この場合、有利には、基材上のマスクの自己形成した開口部のネットワークへの導電性材料（単数又は複数）の被着により、自己組織化したものとみなされる導電性ネットワークを得ることができる。

自己形成した開口部のネットワークは、例えば、この目的に適した材料の連続した被着物を硬化させることによって得ることができる。これらは、割れ目、又は特に米国特許第７１７２８２２号明細書に記載されているもののような亀裂であることができる。

そのような自己亀裂マスクを製作するために必要な技術的工程の数の削減は、所望の最終製品の生産収率及びコストに有利な影響を及ぼす。

自然形成した開口部、ひいてはストランドは、不規則で、非周期的又は（偽似）ランダムに分布することができる。

自然形成した開口部を好ましく有するマスクは、導電性平滑化コーティングの被着の前に除去される。

既に見てきたとおり、導電性コーティングは、ストランド間の空隙を実質的に完全に充填して、製造するのが単純で迅速な埋め込み複合電極を形成することができる。充填材料はかくしてコーティングの材料で作られる。その厚みは特に、ストランドの高さより少なくとも１．５倍、更には２倍厚くてよい。

この構成において、例えば印刷、（特にフレキソ印刷）、スプレーコーティング又はディップコーティングによって被着された導電性コーティングを好ましく選択することができ、このコーティングは１回以上の作業で被着される。

更に、このマスクなしの構成においては、以下の特性を提供することができる。すなわち、
・ストランド間の間隙が、好ましくはその全高さにわたり、屈折率が少なくとも５５０ｎｍで、好ましくは全可視範囲にわたり、１．６５以上であり、より好ましくはなお屈折率が５５０ｎｍで、また更には全可視範囲にわたり、１．６５と２の間である、高屈折率充填材料として知られる充填材料で充填されており、好ましくはストランド間の距離Ｂが５０μｍ以下、より好ましくは更に３０μｍ以下であり、
・そしてストランドは、無色の反射光をもつ金属（白色金属）、好ましくは銀及びアルミニウム、あるいは白金、クロム、パラジウム及びニッケルで作られている。

実際には、少なくとも活性ＯＬＥＤシステム（標準的におよそ１．７〜１．９の光学屈折率を有する）の屈折率から０．０５を引いたもの以上の屈折率を有する充填材料が選択される。このような屈折率を選択することが、ＯＬＥＤシステムの導波モードの抽出に、そしてストランドどうしを充分近くもってくることが、ストランドの端部全体にわたる抽出された放射線の拡散に、有利に作用する。このときＯＬＥＤの効率は増大する。

その上、さほど吸収性のない、特に可視範囲内の吸収が１０^-2ｃｍ^-1未満の充填材料が好ましい。

導電性（ナノ）粒子の添加により導電性である無機の高屈折率充填材料としては、既に示した金属酸化物をベースとする、特にＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃又はＴａ₂Ｏ₅をベースとする被着物を、例えば選択することができる。これらの酸化物は、真空下で、又は好ましくは液体ルートによって、被着させることができる。それらはゾル−ゲルであってもよい。

ゾル−ゲルタイプの高屈折率充填材料の例としては、安定剤により複合化した金属前駆体から得られる混成ゾル−ゲル層を挙げることができる。例えば、アセチルアセトンにより複合化されたジルコニウムプロポキシド又はチタンブトキシドのアルコール媒体溶液から得られる層である。それが最終的に対応する酸化物になることになる高温熱処理を受けない場合、かかる材料は、有機分子によって複合化された金属オキシ水酸化物で構成される。３５０℃から始まる熱処理により有機官能基を除去して、無機ゾル−ゲル層を得ることができる。

高屈折率の無機充填材料としては、例えばスクリーン印刷又はスプレーコーティングによって被着させ、導電性（ナノ）粒子を充填した、高屈折率ガラスフリット（鉛ガラス、ビスマスガラスなど）を選択することもできる。

高屈折率ポリマーとしては、以下のポリマー、すなわち、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（１−ナフチルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、ポリ（２，４，６−トリブロモフェニルメタクリレート）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（２，４，６−トリブロモフェニルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、ポリ（２，６−ジクロロスチレン）、ポリ（２−クロロスチレン）、ポリ（２−ビニルチオフェン）、ポリ（ビス（４−ヨードフェノキシ）ホスファゼン）、ポリ（Ｎ−ビニルフタルイミド）、ポリ（ペンタブロモベンジルアクリレート）、ポリ（ペンタブロモベンジルメタクリレート）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモベンジルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモフェニルアクリレート−コグリシジルメタクリレート）、５０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモフェニルアクリレート−コグリシジルメタクリレート）、ポリ（ペンタブロモフェニルメタクリレート）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモフェニルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、５０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ペンタブロモフェニルメタクリレート−コグリシジルメタクリレート）、ポリ（ペンタクロロフェニルメタクリレート）、ポリ（ビニルフェニルスルフィド）、１０モル％のグリシジルメタクリレートを含むポリ（ビニルフェニルスルフィド−コグリシジルメタクリレート）、を挙げることができる。これらのポリマーは、例えばＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社によって販売されている。

高屈折率の充填材料を得るための別の可能性は、ポリマーであるかあるいは無機物である高屈折率の粒子を有する透明な材料を選択することにあり、前述の高屈折率材料、例えばＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＳｎＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃でできた粒子が選択される。

ゾル−ゲルタイプの透明な材料としては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム又はケイ酸カリウム、あるいはオルガノシランタイプの前駆体から得られる混成物から製造されるシリカを選択することが可能であり、前記前駆体の一般式は、
Ｒ２_nＳｉ（ＯＲ１）_4-n
であり、ここでｎは０〜２の整数であり、Ｒ１はＣ_xＨ_2x+1タイプのアルキル官能基であり、Ｒ２は、例えばアルキル、エポキシ、アクリレート、メタクリレート、アミン、フェニル、又はビニル官能基を含む、有機基である。これらの混成化合物は、混合物としてか又は単独で、適切なｐＨをもつ水又は水／アルコール混合物中に溶解した状態で使用可能である。

透明なポリマー材料としては、シリコーン、エポキシ樹脂、ポリウレタンＰＵ、エチレン／酢酸ビニルＥＶＡ、ポリビニルブチラールＰＶＢ、ポリ酢酸ビニルＰＶＡ、そしてアクリル樹脂を選択することが可能である。

更に、高屈折率の充填材料は、既に説明したようにネットワークの抵抗率よりも大きい抵抗率ρ２の、弱い導電性のもの（導電性（ナノ）粒子の添加の前又は添加なしで）でよい。この高屈折率材料は、ストランドの表面を被覆して、導電性コーティングの下にある層を形成することができ、あるいは更には本発明による導電性コーティングを形成することができる。その厚みは、導電性ストランドの高さよりも大きい。

この場合、特に、導電性で高屈折率のコーティングについて既に説明した材料、すなわち、
・既に説明した単一又は混合型金属酸化物の１層、特にゾル−ゲル層、
・ポリマーのＰＥＤＯＴ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなど、
・先に示したように、既に説明し導電性酸化物（ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ₂、ＡＴＯなど）の（ナノ）粒子を充填され、抵抗率の調整のため固形分重量含有率が０．５％と８０％の間である、高屈折率のゾル−ゲルマトリクス又はポリマー、
を選択することが可能である。

マスクを使用しない１つの有利な態様においては、充填材料は導電性かつ拡散性であって、特に拡散性（任意選択的には導電性の）粒子及び先に言及された導電性（ナノ）粒子をベースとする。

５％超の曇りを有する拡散性導電性充填材料が好ましいであろう。

拡散性（任意選択的には導電性）粒子は、混合物の１〜８０重量％の割合で結合剤中に、例えば導電性結合剤中に、分散させることができる。

これらの拡散性粒子は、５０ｎｍより大きく１ミクロン未満の、好ましくは１００ｎｍと５００ｎｍの間、更には１００ｎｍと３００ｎｍの間の、平均寸法を有することができる。

拡散性粒子の屈折率は有利には１．７超であることができ、結合剤のそれは好ましくは１．６未満であることができ、例えばシリカ又は混成有機ケイ素材料である。

拡散性粒子は、例えば上述の高屈折率ポリマー材料で作られた、有機粒子であることができる。好ましくはこれらの拡散性粒子は無機物、好ましくは窒化物、炭化物又は酸化物であることができ、酸化物はアルミナ、ジルコニア、チタン、セリウムから選択されるか又はこれらの酸化物のうちの少なくとも２つものの混合物である。

拡散性充填材料の結合剤は好ましくは、主として無機結合剤、例えばケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、リン酸アルミニウム、シリカ及びガラスフリットなど、から選択することができる。

混成有機／無機結合剤としては、透明材料について先に説明したオルガノシランベースの結合剤を挙げることができる。

拡散性充填材料は、当業者に公知の任意の層被着技術により、特にスクリーン印刷、塗料の塗装、ディップコーティング、スピンコーティング、スパッタリング、あるいはフローコーティングによって、被着することができる。

この拡散性充填層は、ストランド間の比較的大きな距離、すなわち３０μｍ更にはそれ以上から１００μｍ以上までの距離について、ＯＬＥＤの効率を増大させるのを可能にする。

拡散性充填材料は、部分的にのみ空隙を充填してもよく、特に、それはネットワーク間の空隙の下部部分にあって、上部部分は別の充填材料で作られてもよい。

拡散性充填材料は、それが導電性（ナノ）粒子を含有する場合、絶縁性結合剤を伴うことができる。この場合、その厚みは好ましくは導電性ストランドの高さの２０％と１００％の間、有利にはストランドの厚みの５０％と１００％の間であることができる。

拡散性充填材料は、既に説明したようにネットワークの抵抗率よりも大きい抵抗率ρ２の、弱い導電性のものでよい。この拡散性充填材料は、ストランドの表面さえも被覆して、導電性コーティングの下にある層を形成するか、更には本発明による導電性コーティングを形成してもよい。このときの厚みは、任意選択的に導電性ストランドの高さよりも大きくてよい。

要約すると、導電性の拡散性充填材料としては、
・拡散性粒子を充填された導電性ポリマー材料、例えば導電性コーティングについて先に説明したもの（特にＰＥＤＯＴ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、
・及び／又は透明な導電性酸化物（単数又は複数）、例えばＩＴＯ、の拡散性粒子を充填された絶縁性結合剤（無機、ゾル−ゲルルート、樹脂など）、
・及び／又は透明な導電性酸化物（単数又は複数）の拡散性粒子の積重体、
及び／又は導電性（ナノ）粒子及び拡散性粒子を充填された任意選択的に絶縁性の結合剤、
を選択することが可能である。

導電性充填材料としては、溶融ガラスフリット（導電性（ナノ）粒子を充填された）又はゾル−ゲル層（任意選択的に導電性（ナノ）粒子を充填された）を選択することが可能である。

数多くの化学元素が、ゾル−ゲル充填層のベースとなり得る。それは、必須構成材料として、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｅの元素のうちの少なくとも１つのものの少なくとも１種の化合物を含むことができる。それは特に、前述の元素のうちの少なくとも１つのものの単一酸化物又は混合酸化物であることができる。充填材料は好ましくは主として、無機ガラスに対するその付着力及びその相容性のために、シリカをベースとすることができる。

シリカ層の構成材料のゾル前駆体はシラン、特にテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）及び／又はメチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、あるいはケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムであることができる。

シリカは、既に述べたように、一般式Ｒ２_nＳｉ（ＯＲ１）_4-nの化合物により得られる混成物でよい。

好ましい充填材料は、スクリーン印刷、好ましくはディップコーティング又はスプレーコーティングによって被着させることができる。下にある導電性コーティングは、好ましくは印刷、特にフレキソ印刷により、あるいはディップコーティング又はスプレーコーティングによって被着させることができる。

導電性ネットワークは複合材でよく、特に多層材でよい。

更に、導電性ネットワークは、例えば酸化亜鉛ＺｎＯ、又は酸化スズＳｎＯ₂、あるいは混合型のインジウムとスズの酸化物ＩＴＯなど、高価でなく製造が容易な金属酸化物をベースとする層を含むことができ、又はそれで構成することができる。これらの金属酸化物は、例えば、真空被着、マグネトロンスパッタリング又はイオンビームスパッタリングによって被着される。

導電性ネットワークは、銀、アルミニウム、更には白金、金、銅、パラジウム、クロムから選択された純粋金属材料をベースとしてもよく、あるいは別の材料のＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎの少なくとも１つと合金化された又はそれをドープされた前記材料をベースとしていてもよい。

導電性ネットワークは、主として金属材料（連続媒体）で作られた層、及び／又は、導電性であってもなくてもよいマトリクス中に分散した金属粒子をベースとする、例えば、導電性の、特に銀の、粒子、例としてＩｎｋＴｅｃ社により販売されていてブレードコーティングにより被着させることができる製品のＴＥＣ−ＰＡ−０３０（登録商標）などの粒子を充填されたインクをベースとする層、を含むことができ、又はそれで構成することができる。

既に見てきたように、被着物（単数又は複数）、特に金属の被着物（単数又は複数）は、任意選択的に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ又は別の使用可能な高導電性金属で作られた電極を用いた電解再充填（ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ ｒｅｃｈａｒｇｅ）によって完成することができる。

ストランドは、特に前述の材料、詳しく言えば、任意選択的に銅で被覆された銀、アルミニウムで作られた金属の第１層、そして、例えば特にニッケル又はクロム又はモリブデン又はそれらの混合物で作られ１０ｎｍから出発して標準的には２０〜３０ｎｍ、そして例えば最高２００ｎｍあるいは１００ｎｍの厚みを有する、導電性又は金属の透明酸化物の、腐食（水及び／又は空気）から保護するための上層で作られた多層であることができる。例えば、上層は蒸着又はスパッタリングによって被着される。

好ましくは、本発明による複合電極（ストランド、充填材料、導電性コーティング）は主として無機物でよく、更に一層好ましくは基材もガラス基材である。

基材は、平担であっても湾曲していてもよく、そしてまた剛性、可撓性又は半可撓性であってもよい。

その主要面は、矩形、正方形更には任意の他の（円形、楕円形、多角形などの）形状を有することができる。この基材は、例えば０．０２ｍ²超の、更には０．５ｍ²又は１ｍ²超の表面積を有し、１つの下部電極がこの表面積（組み立て用のゾーンは除いて）を実質的に占めている、大型サイズのものでよい。

基材は、実質的に透明な無機物であることができ、あるいは、ポリカーボネートＰＣ又はポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ、又はＰＥＴ、ポリビニルブチラールＰＶＢ、ポリウレタンＰＵ、ポリテトラフルオロエチレンＰＴＦＥなどのプラスチック製でもよい。

基材は、好ましくはガラス基材、特にソーダ−石灰−シリカガラス製のガラス基材である。

基材は有利には、ＯＬＥＤ放射線（単数又は複数）の波長で２．５ｍ^-1未満、好ましくは０．７ｍ^-1未満の吸収係数を有するガラスであることができる。ソーダ−石灰−シリカガラスは、例えば、０．０５％のＦｅ（ＩＩＩ）又はＦｅ₂Ｏ₃を含むように選択され、特に、Ｓａｉｎｔ Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ社製のＤＩＡＭＡＮＴガラス、Ｐｉｌｋｉｎｇｔｏｎ社製のＯＰＴＩＷＨＩＴＥガラス、Ｓｃｈｏｔｔ社製のＢ２７０ガラスである。国際公開第０４／０２５３３４号パンフレットに記載されている全ての超透明ガラス組成物を選択することが可能である。

基材、特に選択されたガラス基材の厚みは、少なくとも０．３５ｍｍ、好ましくは少なくとも０．７ｍｍでよい。

基材のパネル縁端は反射性であってもよく、好ましくは、導かれる放射線の最適な再循環のためミラーを有し、そして縁端は、より幅広い抜き出し領域にわたり放射線の方向を変えるため、ＯＬＥＤシステムと結びつけられた主要面と４５°以上、ただし９０°未満、好ましくは８０°以上の外部角度をなす。かくしてパネルに面取りを施すことができる。

更に、米国特許第７１７２８２２号明細書に記載されている電極を製造する方法では不可避的に、金属の後成長のための触媒グラフト化を可能にするべく亀裂に変更可能な副層を被着させることが必要であり、従ってこの副層は、ネットワークの成長プロセスにおいて機能的役割を有する。

この副層は、以下のような欠点、すなわち、
・ソーダ−石灰ガラス基材に対する接着性が小さい、
・基材の洗浄中に頻繁に用いられる塩基性媒体中で不安定である、
・高温熱処理（強化、アニーリングなど）の際に不安定である、
のうちの１つ以上を有することもある。

従って、本発明による複合電極は好ましくは、基材上、特にガラス基材上に直接位置することができる。

更に、電極への給電を容易にするため及び／又は複数の照明ゾーンを形成するために、本発明による複合電極は不連続であることができ、標準的には少なくとも２つの互いに絶縁された電極ゾーン、好ましくは１列以上の平行な複合電極ゾーンを形成する。これを行なうために、複合電極は例えばレーザーでエッチングされ、作り出されたくぼみにパッシベーション材料、例えばポリアミドが充填される。

先に定義した複合電極を支持している基材はまた、外表面上に直接被着された有機発光システムを含んでもよい。

本発明はまた、先に定義した複合電極を支持している基材を組み込んだ有機発光デバイスにも関し、この複合電極は基材に最も近い下部電極として知られているものを形成する。

有機発光デバイスは、以下のもの、すなわち、
・複合（下部）電極ゾーンの列、
・エレクトロルミネセントゾーンの形をした有機エレクトロルミネセント材料（単数又は複数）から作られ複合（下部）電極ゾーン上に配置された少なくとも１つの不連続な層、及び
・エレクトロルミネセント層ゾーン上に配置された電極ゾーンの形をした導電性層を有する不連続な上部電極、
を含むことができる。

次のような様々なタイプの接続が可能である。
・全てのエレクトロルミネセントゾーンの単一直列接続。
・直列及び並列接続の組合せ。
・各列に特有の直列接続。

直列接続においては、電流は上部電極ゾーンから隣接する下部電極ゾーンに流れるという点が喚起される。

一列当たり１つの直列接続の場合、エレクトロルミネセント層ゾーンは、列の方向において且つ所定の方向に沿って下部電極ゾーンからオフセットさせてよく、上部電極ゾーンは、列の方向において同じ方向にエレクトロルミネセントゾーンからオフセットさせてよい。

分離した列のエレクトロルミネセントゾーン間の距離は、所定の列のゾーン間の距離より大きくてよく、好ましくは１００μｍ以上、特に１００μｍと２５０μｍの間でよい。

かくして各列は独立している。各列内の1つのゾーンに欠陥がある場合、それでもその列全体は作動する。隣接する列は無傷である。

本発明による有機発光デバイスには、電流リードを装備してもよく、しなくてもよい。

電流コレクタ又はディストリビュータの一部をなす２本の連続した又は不連続な電流リードバンドは、それぞれ複合下部電極の周縁部及び上部電極の周縁部と電気的に接触することができる。

これらの電流リードバンドは、好ましくは０．５μｍと１０μｍの間の厚み及び０．５ｍｍの幅を有することができ、そして次のような様々な形態、すなわち、
・金属のＭｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄのうちの１つ、又は例えばＭｏＣｒ、ＡｌＮｄなどの金属合金で作られた金属単層、
・金属のＭｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄから形成された金属多層、例えばＭｏＣｒ／Ａｌ／ＭｏＣｒなど、
・例えば銀を含有する、導電性エナメルで作られ、スクリーン印刷されたもの、
・導電性材料又は導電性粒子を充填された材料で作られ、インクジェット印刷により被着されたもの、又は、
・金属、例えば銀でドープされているか又はドープされていない導電性ポリマーで作られたもの、
であることができる。

上部電極のためには、所望の光透過率／反射に応じて５ｎｍと５０ｎｍの間の厚みを標準的に有し、例えばＡｇ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ａｕで作られた、ＴＣＣ（透明導電性コーティング）と呼ばれる薄い金属層を使用することが可能である。

上部電極は、金属酸化物、特に次の材料、すなわち、ドープされた酸化亜鉛、とりわけアルミニウムドープ型酸化亜鉛ＺｎＯ：Ａｌ又はガリウムドープ型酸化亜鉛ＺｎＯ：Ｇａ、あるいはドープされた酸化インジウム、とりわけスズドープ型酸化インジウム（ＩＴＯ）又は亜鉛ドープ型酸化インジウム（ＩＺＯ）、から有利に選択された導電性層であることができる。

より一般的には、例えば２０ｎｍと１０００ｎｍの間の厚みをもつ、任意のタイプの透明な導電性層、例えばＴＣＯ（透明導電性酸化物）層と呼ばれる層、を使用することが可能である。

ＯＬＥＤデバイスは、特に青色及び／又は緑色及び／又は赤色の、単色光を発生してもよいし、あるいは白色光を発生するように適合させてもよい。

白色光を発生するためには、次のようないくつかの方法、すなわち、単層内に複数の化合物（赤色、緑色、青色発光）を混合すること、電極の面上に３つの有機構造体（赤色、緑色及び青色発光）又は２つの有機構造体（黄色及び青色）を積層すること、１つの有機構造体が１色の、一連の隣接した３つの有機構造体（赤色、緑色、青色発光）を電極の面上に積層し、他方の面に相応する蛍光体層を積層すること、が可能である。

ＯＬＥＤデバイスは、各々が白色光を発光するか又は３つ１組で赤色、緑色及び青色光を発光する複数の隣接する有機発光システムを含んでもよく、これらのシステムは例えば直列に接続される。

各列が例えば所定の色で発光してもよい。

ＯＬＥＤデバイスは、複数のグレージングユニット、特に真空グレージングユニット又は空気層又は別のガスの層を伴うものの一部を形成してもよい。デバイスはまた、一体式であってもよく、よりコンパクトかつ／又は軽くするために一体式グレージングユニットを構成していてもよい。

ＯＬＥＤシステムは、カバーと呼ばれる、好ましくは透明の、例えばガラスの、別の平担な基材に結合させてもよく、あるいは好ましくは、積層用の中間層、とりわけ特に透明な中間層を用いて、積層させてもよい。

積層グレージングユニットは通常、間に熱可塑性ポリマーシート又はかかるシートを重ね合わせたものが配置される２つの硬質基材で構成されている。本発明はまた、特にガラスタイプの硬質支持基材を用いそして被覆用基材として１つ以上の保護ポリマーシートを用いる「非対称」積層グレージングユニットと呼ばれるものも包含する。

本発明はまた、エラストマータイプの片面又は両面接着性ポリマーをベースとする少なくとも１つの中間層シートを有する積層グレージングユニット（すなわち、熱可塑性中間層シートを軟化させそれを接着させるために一般的に加圧下での加熱を必要とする積層という用語の通常の意味合いにおいて積層作業を必要としないもの）も包含する。

この構成では、支持基材にカバーを固定するための手段はこの場合、積層中間層でよく、特に熱可塑性の、例えばポリウレタン（ＰＵ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）又はエチレン／酢酸ビニル（ＥＶＡ）の、又は熱硬化性の単成分又は多成分樹脂（エポキシ、ＰＵ）の、又は紫外線硬化性の単成分又は多成分樹脂（エポキシ、アクリル樹脂）の、シートでよい。好ましくは、シートはカバー及び基材と（実質的に）同じ寸法を有する。

積層中間層は、特に例えば０．５ｍ²超の面積をもつ大型デバイスについて、カバーが屈曲するのを防ぐことができる。

特に、ＥＶＡは次のような数多くの利点、すなわち、
・それは水を容量にしてほとんど又は全く含まない、
・それを加工するために必ずしも高い圧力を必要としない、
という利点を提供する。

実施がより容易であると同時に比較的安価であり、場合によってはより不浸透性であることから、熱可塑性積層中間層の方が、注型用樹脂で作られたカバーよりも好ましいかもしれない。

中間層は任意選択的に、その内側面にセットされて上部電極に面する導電性ワイヤのネットワーク、及び／又はカバーの内側面の導電性層又は導電性バンドを含む。

ＯＬＥＤシステムは好ましくは、特に不活性ガス（例えばアルゴン）層を伴い、二重グレージングユニットの内側に設置することができる。

更に、本発明による電極を支持する基材とは反対側の面に、又は付加的な基材の上に、所定の機能性を有するコーティングを付加することが有利であり得る。これは、曇り防止層（親水性層を用いた）、汚れ防止層（少なくとも一部はアナターゼ型に結晶化されたＴｉＯ₂を含む光触媒コーティング）、あるいは、例えばＳｉ₃Ｎ₄／ＳｉＯ₂／Ｓｉ₃Ｎ₄／ＳｉＯ₂タイプの反射防止多重層、又はＵＶフィルタ、例えば酸化チタン（ＴｉＯ₂）の層、であることができる。それはまた、１つ以上の蛍光体層、ミラー層、又は少なくとも１つの散乱光抽出層であってもよい。

本発明はまた、これらのＯＬＥＤデバイスを適用することのできる様々な用途にも関し、前記デバイスは、屋外用途向けでも屋内用途向けでも、透明及び／又は反射性（ミラー機能）である１つ以上の発光性表面を形成する。

前記デバイスは、（択一的に又は組み合せて）、照明用、装飾用、建築用などのシステム、又は例えば図形、ロゴ又は英数字標示タイプの指示表示パネル、特に非常口パネル、を形成することができる。

ＯＬＥＤデバイスは、とりわけ均質な照明のために均一な光を発生するように、又は同じ強さ又は異なる強さの様々な発光ゾーンを生じさせるように配置可能である。

逆に、差別化された照明が求められることもある。有機発光システム（ＯＬＥＤ）が直接光ゾーンを形成し、別の発光ゾーンが、ガラス製であるように選択された基材の厚み内での全反射により導かれるＯＬＥＤ放射線を抽出することによって得られる。

この別の発光ゾーンを形成するために、抽出ゾーンはＯＬＥＤシステムに隣接することができ、あるいは基材とは反対の側にあってもよい。抽出ゾーンは、例えば、特に建築照明用に、直接光ゾーンにより提供される照明を増加させる役目、あるいは発光パネルを標示する役目を果たすことができる。抽出ゾーンは、好ましくは、１つ以上の、特に均一な、光のバンドの形をしており、これらは好ましくは面の１つの周縁部に配置される。これらのバンドは、例えば非常に発光性のフレームを形成し得る。

抽出は、抽出ゾーンに配置された次の手段、すなわち、好ましくは無機粒子をベースとし、且つ好ましくは無機結合剤を含む拡散層、拡散性となるように作られた基材、特に表面模様をつけた又は表面の粗い基材、のうちの少なくとも１つによってなされる。

２つの主要面はそれぞれ、直接光ゾーンを有することができる。

ＯＬＥＤシステムの有機構造体及び電極が透明となるように選択される場合、特に、照明ウインドウを製造することができる。この場合、部屋の照明改善は、光透過率を損なってなされるわけではない。また、特に照明ウインドウの外側で、光の反射を制限することによって、例えば、建物の外観について施行された防眩基準を満たすように、反射レベルを制御することも可能である。

より広範には、デバイス、特に部分的又は全体的に透明なデバイスは、
・建築用、例えば屋外発光グレージング、屋内発光間仕切り、又はガラスをはめた発光ドア（又はドアの一部）、特にスライドドアなど、
・輸送機関用、例えば陸上、水上又は航空輸送用手段（乗用車、貨物自動車、列車、航空機、ボートなど）の発光ルーフ、発光サイドウインドウ（又はウインドウの一部）、内部の発光間仕切りなど、
・都市又は業務向けの備品用、例えばバス待合所パネル、ディスプレイカウンタの壁、宝石展示又はショーウインドウ、温室の壁、又は照明タイルなど、
・室内備品用、例えば棚又はキャビネット構成部品、キャビネットの正面部品、照明タイル、天井、照明冷蔵庫棚、水槽の壁など、
・電子機器、特にディスプレイ画面、任意選択的にはダブルスクリーン、例えばテレビ又はコンピュータのスクリーン、タッチスクリーンなどの、バックライト用、
を対象とすることができる。

例えば、大きさが異なり、小さい方のスクリーンが好ましくは光を集中させるためフレネルレンズと結合されている、両面スクリーンのためのバックライトを想定することが可能である。

照明用ミラーを形成するためには、電極の１つは反射性であることができ、あるいは、直接光ゾーンの片側のみの選択的照明が望まれる場合、ＯＬＥＤシステムの反対の面にミラーを配置してもよい。

それはミラーであってもよい。発光パネルは、浴室の壁又はキッチンの調理台を照明するのに用いてもよいし、又は天井であってもよい。

ＯＬＥＤは一般に、使用される有機材料に応じて２つの大きな群に分けられる。

エレクトロルミネセント層が小さな分子から形成される場合、デバイスはＳＭ−ＯＬＥＤ（低分子有機発光ダイオード）と呼ばれる。薄層の有機エレクトロルミネセント材料は、蒸着した分子、例えば錯体ＡｌＱ₃（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−（ジフェニルビニレン）ビフェニル）、ＤＭＱＡ（ジメチルキナクリドン）又はＤＣＭ（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）の分子などからなる。放出層も、例えば、ｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム［Ｉｒ（ｐｐｙ）₃］をドープされた４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）の層であることができる。

一般に、ＳＭ−ＯＬＥＳの構造は、ＨＩＬ（正孔注入層）、ＨＴＬ（正孔輸送層）、電子放出層及びＥＴＬ（電子輸送層）の積重体で構成されている。

正孔注入層の一例は、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）であり、正孔輸送層は、例えばＮ、Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）でよい。

電子輸送層は、トリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＡｌＱ₃）又はバソフェンナントロリン（ＢＰｈｅｎ）で構成してもよい。

上部電極はＭｇ／Ａｌ又はＬｉＦ／Ａｌ層でよい。

有機発光積重体の例は、例えば米国特許第６６４５６４５号明細書に記載されている。

有機エレクトロルミネセント層がポリマーである場合、デバイスはＰＬＥＤ（ポリマー発光ダイオード）と呼ばれる。

薄層の有機エレクトロルミネセント材料は、ＣＥＳポリマー（ＰＬＥＤ）、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）を表すＰＰＶ、ＰＰＰ（ポリ（ｐ−フェニレン）、ＤＯ−ＰＰＰ（ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］）、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ［２，５−ビス（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］）又はＰＤＡＦ（ポリジアルキルフルオレン）など、からなり、該ポリマー層はまた、例えばＰＥＤＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））からなる正孔注入を促進する層（ＨＩＬ）と結合される。

ＰＬＥＤの１つの例は、以下の積重体、すなわち、
・厚み５０ｎｍのポリ（スチレンスルホネート）でドープされたポリ（２，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の層、及び
・厚み５０ｎｍのフェニルポリ（ｐ−フェニレンビニレン）Ｐｈ−ＰＰＶの層、
からなる。

上部電極はＣａの層であることができる。

本発明はまた、第１の構成において、以下の工程、すなわち、
・次の被着物、すなわち、
・スタンプパッドによるネットワークの導電性材料の被着物、
・基材上への導電性インクジェット印刷による被着物、
のうちの少なくとも１つを含む、導体のネットワーク配置を直接形成する第１の工程、
・液体ルートによる導電性コーティング（導電性充填材料と異なりあるいは異ならない）の被着を含む第２の工程、
を含み、あるいは、第２の構成において、以下の工程、すなわち、
・開口部の深さの一部分が充填されるまで、ネットワークとして自己組織化した開口部をもつ、マスクとして知られる、好ましくはガラスの基材上の１つの層を通して導電性材料を被着することを含む、導体のネットワーク配置を直接形成する第１の工程、
・任意選択的に、第１の工程の前の、マスクの開口部を通して基材をエッチングして、基材にネットワークを部分的に固定する工程、
・マスクの除去工程、
・液体ルートによる導電性コーティング（導電性充填材料と異なりあるいは異ならない）の被着を含む第２の工程、
を含む、先に規定したとおりの支持基材上の複合電極を製造する方法、にも関する。

既に示したとおり、マスクに、そして任意選択的には下にあるエッチングネットワークに部分的に、ネットワークの導電性材料を被着するのは、単純な非選択的被着により、好ましくは真空被着、特に蒸発、あるいは液体ルート、特に導電性インクでのブレードコーティング、ディップコーティング、又は（平面又は回転）印刷によって、好ましく実施することができる。

この被着は、任意選択的に、金、銀又は銅などの金属を用いた電解表面処理で補完され、及び／又は任意選択的に、腐食防止用の上層の被着（ＰＶＤ、ＣＶＤなど）で補完される。

第２の構成においては、本発明による方法は、マスクを形成する工程であって、
・マスキング層として知られる層の、特に溶媒中で安定化され分散されたコロイド粒子の溶液から出発する層の、（むきだしの又はコーティング済みの）基材への被着、
・前記マスクを形成するネットワーク開口部が得られるまでのマスキング層の硬化（すなわち、層が液体である場合には乾燥）、
を含むマスク形成工程を含む。

少なくとも一方向に無作為の非周期のメッシュ開口部を有するマスクを形成する、端部が実質的に垂直な開口部の二次元ネットワークを得ることが可能である。

かかる開口部のネットワークは、亀裂入りのシリカゾル−ゲルマスクよりも実質的に多くの相互接続部を有する。本発明によるこの方法によって、表面全体にわたって分布し得る開口部のメッシュがかくして形成され、等方性を得ることを可能にする。

かくして、マスクは、少なくとも一方向、更には２つの（全ての）方向において、無作為で非周期的な構造を有する。

この特殊な方法により、より低いコストで、次の適切な特性寸法、すなわち、
・ネットワークの（平均）幅Ａは、ミクロンサイズであり、更にはナノスケールであり、特に数百ナノメートルと数十ミクロンの間、とりわけ２００ｎｍと５０μｍの間である、
・ユニットの（平均）サイズＢは、ミリメートル代あるいはサブミリメートル代であり、特に５μｍと５００μｍの間、更には１００μｍと２５０μｍの間である、
・Ｂ／Ａ比は、特に粒子の性質に応じて調整可能であり、とりわけ７と２０、更には４０の間である、
・開口部の最大幅と開口部の最小幅との差は、マスクの所定の領域において、更には表面の大部分又は全体にわたり、４未満、更には２以下である、
・最大メッシュ（ユニット）寸法と最小メッシュ寸法との差は、マスクの所定の領域において、更には表面の大部分にわたり、なおまた全体にわたって、４未満、更には２以下である、
・オープンメッシュ（非開口又は「非貫通（ｂｌｉｎｄ）」の間隙）の量は、マスクの所定の領域において、更には表面の大部分又は全体にわたり、５％未満、更には２％以下であり、従ってネットワークの裂開部は限定されたもの、更にはほぼゼロであって、それは任意選択的に、ネットワークのエッチングによって低減され、抑制可能である、
・所定のメッシュ、すなわち所定の領域における又は表面全体にわたるメッシュの大部分、更には全てについて、メッシュの特徴である最大寸法とメッシュの特徴である最小寸法との差は、等方性を高めるために、２未満である、そして
・ネットワークのセグメントの大部分、更には全てについて、端部は、特に１０μｍ程度の（例えば、２００倍の光学顕微鏡で観察される）一定の間隔を開け、平行になっている、
の無作為（形状及び／又はサイズ）で非周期的なユニットで構成されたマスクを得ることが可能となる。

幅Ａは、例えば１μｍと２０μｍの間、更には１μｍと１０μｍの間でよく、Ｂは５０μｍと２００μｍの間でよい。

こうして、開口部の幅と実質的に同一の平均ストランド幅及び開口部（メッシュの）間の間隙と実質的に同一のストランド間の（平均の）間隙により画定されるグリッドをその後作製することが可能になる。特に、ストランドのサイズは、好ましくは、数十ミクロン〜数百ナノメートルの間でよい。Ｂ／Ａ比は７と２０の間、更には３０〜４０の間で選択することができる。

開口部により画定されるメッシュは、様々な形状を有し、標準的に３、４、又は５つの辺、例えば主に４つの辺を伴い、及び／又は無作為かつ非周期的に分布した様々なサイズのものである。

大部分の又は全てのメッシュについて、１つのメッシュの２つの隣接する辺間の角度は６０°と１１０°の間、特に８０°と１００°の間でよい。

１つの構成において、主要ネットワークは（任意選択的にはほぼ平行な）開口部を伴って得られ、二次的なネットワークは、場所と間隔が無作為な、（任意選択的には平行なネットワークに対してほぼ垂直な）開口部を伴って得られる。二次的な開口部は、例えば主要開口部よりも小さい幅を有する。

乾燥によりマスク層の収縮及び表面におけるナノ粒子の摩擦がひき起こされ、その結果、層内に引張応力が発生し、それが緩和を経て開口部を形成する。

シリカゾル−ゲルとは異なり、溶液は、既にナノ粒子が形成されている状態で自然に安定しており、好ましくは、ポリマー前駆体タイプの反応性成分を含まない（又は無視できる量しか含まない）。

乾燥により、１つの工程でもって、溶媒の除去及び開口部の形成がなされることになる。

乾燥後、それ自体の大きさがいろいろである開口部によって分離されていて、大きさがいろいろである、ナノ粒子のクラスターが得られる。

全深さにわたる開口部を得るためには、
・分散を促進するため、好ましくは１０ｎｍと３００ｎｍの間、更には５０ｎｍと１５０ｎｍの間の特性（平均）サイズを有する、制限されたサイズの粒子（ナノ粒子）を選択すること、及び、
・溶媒中の粒子を安定化させて（特に、表面電荷による、例えば界面活性剤による、処理によって、ｐＨの制御によって）、それらが一緒に凝集し、重力により沈降及び／又は降下するのを防ぐこと、
の両方が必要である。

更に、粒子の濃度を、好ましくは５重量％あるいは１０重量％と、６０重量％との間、より好ましくは更に２０％と４０％の間に調整する。結合剤の添加は避ける。

溶媒は好ましくは水性系であり、あるいは完全に水性である。

第１の実施形態においては、コロイド溶液はポリマーナノ粒子を含む（そして好ましくは溶媒は水性系、あるいは完全に水性である）。例えば、アクリル共重合体、スチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）クリレート、ポリエステル又はそれらの混合物が選択される。

第２の実施形態においては、溶液は、好ましくはシリカ、アルミナ又は酸化鉄の、無機ナノ粒子を含む。

粒子は特定のガラス転移温度Ｔｇを有することから、グリッドマスクの形態をより良く制御するために、好ましくは被着及び乾燥を前記温度Ｔｇより低い温度で実施することができる。

プロセスの被着及び乾燥工程は、特に、（実質的に）周囲温度、標準的には２０℃と２５℃の間で実施することができる。アニーリングは必要ない。

粒子の特定のガラス転移温度Ｔｇと乾燥温度との差は、好ましくは１０℃より大きく、更には２０℃より大きい。

プロセスの被着及び乾燥工程は、例えば真空下での乾燥よりも、むしろ実質的に大気圧で実施することができる。

Ｂ、Ａ、及び／又はＢ／Ａ比を調整する目的で、乾燥パラメータ（制御パラメータ）、特に水分含量及び乾燥速度を変更することが可能である。

水分が多くなればなるほど（その他は全て等しいものとして）、Ａが小さくなる。

温度が高くなればなるほど（その他は全て等しいものとして）、Ｂが大きくなる。

ぎっしり詰まったコロイドと基材表面の間の摩擦係数、ナノ粒子のサイズ、蒸発速度、初期粒子濃度、溶媒の性質、及び被着技術に左右される厚みの中から選択された制御パラメータを変更することにより、Ｂ／Ａ比を調整することが可能である。

マスクの端部は実質的に垂直であり、すなわち、表面に対して８０°と１００°の間、更には８５°と９５°の間で、中央平面に沿っている。

端部が垂直であることにより、被着された層が不連続となり（端部に沿った被着は全く又はほとんどない）、従ってグリッドネットワークに損傷を与えることなくコーティングされたマスクを除去することが可能である。単純であることを理由として、グリッド材料の指向性の被着技術が好まれるかもしれない。被着は、隙間を通してもマスク全体にわたっても実施可能である。

最初の被着工程を実施する前に、好ましくは大気圧プラズマ源を用いて、ネットワーク開口部をクリーニングすることが可能である。

コロイドベースのマスク層を被着するための表面は、フィルム形成性の表面、特に溶媒が水性である場合は親水性表面である。これは、次の基材、すなわち、ガラス、プラスチック（例えばポリカーボネート）、又は任意選択的に機能性の追加の副層、すなわち親水性層（例えばプラスチック上の、シリカ層）及び／又はアルカリ金属バリヤ層及び／又はグリッド材料の密着を促進するための層、及び／又は（透明な）導電性層、の表面である。

この副層は、必ずしもグリッド材料の電解被着のための成長層ではない。

マスク層の間には、いくつかの副層が存在してもよい。

本発明による基材は、かくして、連続的でかつアルカリ金属に対するバリヤとなることのできる副層（特に基材に最も近いベース層）を含んでいてもよい。

それは、導電性被着物（特に電極を形成するための）の場合に、任意の汚染（層間剥離などの機械的欠陥に至りかねない汚染）からグリッド材料を保護し、更にその電気伝導率を保つ。

ベース層は丈夫で、様々な技術によって迅速かつ容易に被着する。それは、例えば、特に気相中での、熱分解技術（「化学気相成長」を意味するＣＶＤという略号により表示されることの多い技術）によって被着可能である。この技術は、被着パラメータの適切な調整により補強されたバリヤのための非常に緻密な層を得ることが可能になることから、本発明にとって有利である。

任意選択的に、真空下でのその被着をより安定したものにするため、ベース層にアルミニウム及び／又はホウ素をドープしてもよい。ベース層（任意選択的にドープされた、単層又は多層）は、１０ｎｍと１５０ｎｍの間、より好ましくは更に１５ｎｍと５０ｎｍの間の厚みであることができる。

ベース層は好ましくは、
・酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、一般式ＳｉＯＣの層、をベースとしてもよく、
・窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭窒化ケイ素、一般式ＳｉＮＯＣ、とりわけＳｉＮ、特にＳｉ₃Ｎ₄の層、をベースとしてもよい。

最も詳細には、ドープされた又は未ドープの窒化ケイ素Ｓｉ₃Ｎ₄で（主として）作られたベース層が好ましかろう。窒化ケイ素は、非常に迅速に被着し、アルカリ金属に対する優れたバリヤを形成する。

金属グリッド材料（銀、金）の、特にガラス上への付着を促進する層として、例えば５ｎｍ以下の厚みをもつ、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌをベースとする層、単一又は混合型のドープ又は非ドープ金属酸化物（ＩＴＯなど）、を選択することが可能である。

基材が疎水性である場合、シリカ層などの親水性層を追加することが可能である。

第２の被着工程の前に、好ましくは液体ルートにより、例えばマスクの選択的化学溶解（水、アルコール、アセトン、あるいは酸性もしくは塩基性溶液での）によって、任意選択的には熱いうちに及び／又は超音波の助けを借りて、前記導電性ネットワークが露出されるまで、除去工程が行われる。

ネットワークの厚みより大きい厚みを有する抵抗率ρ２の導電性コーティングとは異なる導電性の弱い充填材料を被着することも可能である。

この導電性充填材料は任意選択的に、拡散性で、高屈折率のものでよく、既に説明した材料で作ることができ、特にそれはゾル−ゲル層であることができる。

被着は、選択された材料及び処方設計に応じて、例えば印刷、スクリーン印刷、インクのブレードコーティング、ディップコーティング、又はスプレーコーティングによって実施することができる。

充填のためには、大抵の場合は結合剤を含まない導電性（ナノ）粒子の分散液、特に、例えば既に言及したとおりの、（透明な）導電性酸化物の（ナノ）粒子の分散液を被着することが可能であり、この場合、（ナノ）粒子層に浸透して（ナノ）粒子を被覆するコーティング（平滑化作業のための）を形成する、（ナノ）粒子の導電性結合剤、特に、好ましくは（ナノ）粒子と同じ化学的性質をもつ、（透明な）導電性酸化物のゾル−ゲル、を被着することが可能である。

好ましくは、複合電極、最低限でも導電性コーティングは、以下のＯＬＥＤ製造工程に対する耐性、すなわち、
・１時間、２００℃に対する耐性、
・１３のｐＨ（クリーニング溶液）に対する耐性、
・１．５と２の間のｐＨ（特に、ＯＬＥＤ積重体の前に導電性コーティングのためにＰＥＤＯＴを被着させる場合の）に対する耐性、
・層間剥離耐性（セロハンテープ試験）、
をもつ。

最後に、プロセスの前記第２の被着工程の間に、１回以上の作業で、導電性コーティングによりストランド間の間隙を充填することが可能である。

次に、限定されない例と図を用いて本発明をより詳細に説明する。

本発明の第１の実施形態にしたがった複合下部電極を含む第１の有機発光デバイスの模式断面図である。 図１のデバイスで使用される電極のネットワークの模式上面図を示す。 本発明の第２の実施形態にしたがった複合下部電極を含む第２の有機発光デバイスの模式断面図である。 充填材料の表面のＳＥＭ写真である。 充填材料の表面のＳＥＭ写真である。 本発明の第３の実施形態にしたがった複合下部電極を含む第３の有機発光デバイスの模式断面図である。 本発明の第４の実施形態にしたがった複合下部電極を含む第４の有機発光デバイスの模式断面図である。

明確さを期して、図示されたものの種々の構成要素は一定の縮尺で作図されていないという点に言及しておくべきである。

〔有機発光デバイス〕
（例１）
意図的にきわめて模式的である図１は、有機発光デバイス１００（基材を通して発光する、すなわち「底面発光」の）を断面で示している。

このデバイス１００は、第１及び第２の主要面１１、１２を有する厚み０．７ｍｍの、例えば透明で、例えば矩形の、ソーダ−石灰−シリカガラスの平担な基材１を含む。第１の主要面１１は、
・後に詳細に説明される複合下部電極２、
・有機発光システム３、例えば、次の構造、すなわち、
・α−ＮＰＤ層、
・ＴＣＴＡ＋Ｉｒ（ｐｐｙ）₃層、
・ＢＰｈｅｎ層、
・ＬｉＦ層、
の構造のＳＭ−ＯＬＥＤ、
・特に金属製であり、特に銀又はアルミニウムをベースとしている、反射性上部電極４、
を含んでいる。

より具体的には、複合下部電極２はまず第１に、３μｍ前後の平均幅Ａをもち３０μｍ前後の平均距離Ｂだけ互いに離隔していて、Ｂ／Ａ比が１０の、不規則な銀ベースのストランドから形成されている、厚み１μｍの非周期性ネットワーク導体２１を含む。

このようにして、Ｂ／Ａ及び厚みを慎重に選択することにより、このネットワーク２１の特に低いシート抵抗は約０．６Ω／□となる。このネットワーク２１の光透過率Ｔ_Lは７０％前後であり、ストランドは肉眼では見えない。

任意選択的に、金属ストランド上に、厚み約１０ｎｍの例えばニッケル及び／又はクロムで作られた、あるいはＴＣＯで作られた腐食防止用の上層を被着して、複合ストランドを形成することが可能である。

複合下部電極２は、ここでは導電性コーティング２２を含み、このコーティングは、電極の平滑な外表面を形成するように、ストランド間の間隙を充填しストランドを被覆する。

この導電性コーティング２２は、ストランド上面上の厚みが５００ｎｍ前後であり、かつ電流をより良く分配するべく１０^-2Ω・ｃｍ前後の抵抗率ρ１を有する、ＩＺＯ材料で作られる。複合電極２の光透過率Ｔ_Lは６０％である。

この導電性コーティング２２は、２−メトキシエタノール中に溶解した酢酸亜鉛及び硝酸インジウムから得られたゾル−ゲル層として得られる。安定剤としてエタノールアミンが使用される。亜鉛とインジウムのモル比は０．５である。処方配合物を、好ましくはディップコーティングか又はスプレーコーティングによって被着させる。被着させた処方配合物を、１００℃で１時間乾燥させ、次に５００℃で１時間アニールする。１つの変形実施形態は、この材料にガリウムをドーピングするものであり、この場合の材料はＩＧＺＯと呼ばれる。これは、所望量の硝酸ガリウムをゾルに添加することによって行われる。

このゾル−ゲル導電性コーティング２２は、ＩｎＣｌ₃及びＺｎＣｌ₂前駆体から得ることもできる。

導電性ネットワーク２１は、自己組織化した開口部のネットワークを備えたマスク上に銀を蒸着して製造される。マスクはその後除去される。導電性ネットワーク２１の不規則な配置を、そのストランド２１０とともに図２に示す。

電極２、４の給電のために、有機層３の被着前に、長手方向の端部付近に、好ましくはその長さ全体にわたって、複合電極２の開口部を作る。この開口部は、例えばレーザーで作られ、幅が１５０μｍ前後である。このエッチングされたゾーンは、その後、アクリルタイプの絶縁性樹脂５を用いてパッシベーションされる。

長手方向の端部付近に設けられている電気的接合ゾーンには、例えば電極２、４の上に銀をスクリーン印刷して、慣用のブスバー６を付加することが好ましい。

デバイス１００は、大きくてもよい１つの領域全体にわたって、均質な光源を作り出す。接続システムのためのエッチングの時点で複数の発光ゾーンを作り出すことが望まれる場合、例えば幅１５０μｍの、他の適切なレーザーエッチングを行い、その後パッシベーションを行う。

（例2）
図３ａは、複合電極２’を含む有機発光デバイス２００の断面図を示している。以下では、デバイス１００との関係において変更したところだけを詳細に説明する。

ネットワーク２１のストランド間及びストランド上で、５０ｎｍ未満のサイズを有する導電性酸化物のナノ粒子から形成された充填層２３を用いる。この層２３は溶媒を用いて被着させることができ、溶媒はその後蒸発させる。

導電性充填層は、例えば１０^-3と１０³Ω・ｃｍの間の抵抗率ρ２を有し、好ましくはρ２はρ１よりも小さい。このためには、例えばディップコーティング、スプレーコーティング（特にゾル−ゲルルート）あるいはスクリーン印刷によって被着された、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電性酸化物をベースとする層が使用される。製造を容易にするために、その厚みはネットワーク２２のそれよりも厚く、その結果充填層はネットワークを被覆する。

充填層のためには、住友金属鉱山株式会社が販売する以下の製品、すなわち、
・（任意選択的な）樹脂結合剤中にケトン溶媒で分散されたＩＴＯ粒子のＸ１００（登録商標）、Ｘ１００（登録商標）Ｄ、
・アルコール溶媒中に分散したＩＴＯ粒子のＸ５００（登録商標）、
・アルコール溶媒中の金コーティングされた銀粒子のＣＫＲ（登録商標）、
・凝集した金及び銀粒子のＣＫＲＦ（登録商標）、
を使用することができる。

液体ルートにより被着されたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ製の導電性コーティング２２’は、１０^-1Ω・ｃｍ前後の抵抗率ρ１、１００ｎｍ前後の厚みを有し、充填材料を被覆して電極２’を更に平滑化する。

（例２ａ）
例２の第１の変形実施形態においては、充填層を形成する目的で、ストランドを被覆するのにＳｎＯ₂：Ｓｂ（ＡＴＯ）のナノ粒子の分散液（例えば水中に５０％のＡＴＯ粒子）が使用される。分散液は、任意選択的に、所望の厚みに応じて、例えばスピンコーティングによる、その被着前に水で希釈してもよい。例えば、脱イオン水で２：１（重量による）に希釈されている分散液である、ｐＨが約３のＡｌｆａ Ａｅｓａｒ社が販売するＮａｎｏｔｅｋ Ｓ１２００Ｗとして知られる分散液を被着させる。

層の厚みは、例えば１．５μｍ（１μｍのストランド厚みについて）である。このようにコーティングされた基材のＴ_Lは８０％より大きい。一例を挙げると、抵抗率は、０．４５μｍと２．３μｍの間の厚みについて３．５から９．２Ω・ｃｍまで変動する。

図３ｂは、充填材料の表面のＳＥＭ写真である。ｒｍｓは２８ｎｍであり、「山から谷まで」の高さは２００ｎｍ前後である。

この表面を平滑化するために、ＳｎＣｌ₂及びＳｂＣｌ₃前駆体をベースとし２００ｎｍの厚みを有するＳｎＯ₂：Ｓｂのゾル−ゲル層を、例えばスピンコーティングにより被着させる。層を固めて結晶化し導電性を得るために、５００℃で１時間熱処理を行う。

１つの方法が、Ｃ． Ｔｅｒｒｉｅｒらによる出版物“Ｓｂ−ｄｏｐｅｄ ＳｎＯ₂ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｏｘｉｄｅ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｄｉｐ−ｃｏａｔｉｎｇ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ”， Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｆｉｌｍｓ， ２６３（１９９５）， ３７−４１に詳細に記載されている。

同様に、出版物“Ｗｅｔ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ＡＴＯ ａｎｄ ＩＴＯ ｃｏａｔｉｎｇｓ ｕｓｉｎｇ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ ｒｅｄｉｓｐｅｒｓａｂｌｅ ｉｎ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ”， Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｆｉｌｍｓ， ３５１（１９９９）， ７９にも、１つの方法が詳述されている。Ｇｅｂｂｅｒｔらは、ＡＴＯ（及びＩＴＯ）のナノ粒子の合成、そしてその後それらを被着させて５００ｎｍを超える厚みをもつＴＣＯ層を作ることを提示している。ナノ粒子は、結合剤と一緒にされず、被着物は５５０℃で熱処理される。

ゾル−ゲル層は、少なくとも充填材料の外側部分全体にわたって浸透する。このようにナノ粒子間に浸透することによって、それは結合剤として作用し、その結果充填層の機械的強度を補強する。

このゾル−ゲル層の一部分は、ナノ粒子を被覆し、導電性コーティングを形成して、平滑な電極表面を提供する。こうして、表面のｒｍｓを例えば５ｎｍ以下に低下させることができる。「山から谷まで」の高さも同様に、例えば２０ｎｍ以下に、低下させることができる。

例えばゾル−ゲル層の厚みを減らすために必要であるならば、例えば２０ｎｍ前後の厚みを有する、薄い導電性ポリマーの平滑化層、例えばＰＥＤＯＴ層、が付加される。

コーティングされた基材のＴ_Lは８０％より大きいままである。

一例として、ここではアルコール媒体中のＳｎＣｌ₂及びＳｂＣｌ₃有機金属前駆体をベースとするＳｎＯ₂：Ｓｂの処方配合物を具体的に説明する。ＳｎＯ₂：Ｓｂゾルの合成は２つの工程で実施される。

第１の工程においては、１８ｇのＳｎＣｌ₂・２Ｈ₂Ｏ及び９０ｇの無水エタノールを、２５０ｍｌの丸底フラスコ内で混合する。混合物を撹拌しながら還流下で６０℃に加熱する。その後、フラスコを開放して、撹拌しながら８０℃でエタノールを蒸発させる（この作業は数時間継続する）。白色粉末が得られる（ＳｎＣｌ₂）。

第２の工程では、ＳｎＯ₂：Ｓｂゾル（Ｓｂ／Ｓｎ＝７．４％）を作るため、フラスコ内で以下のもの、すなわち、
・ＳｎＣｌ₂粉末 １．０１ｇ（０．５３２×１０^-2モル）、
・ＳｂＣｌ₃ ０．０９ｇ（３．９４×１０^-2モル）、
・無水エタノール １．２ｇ、
を混合する。

その後、混合物を５０℃で２時間撹拌してから、冷却する。

溶媒が完全に蒸発するまで、撹拌しながらエタノールの蒸発を行う。この工程には数時間を要する。この工程は真空蒸発によって短縮してもよい。

この例２ａの第１の変形実施形態としては、ＺｎＯ：Ａｌをベースとするゾル−ゲル層を導電性コーティングとして選択する。

Ｚｎ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₂及びＡｌＣｌ₃前駆体をベースとするＺｎＯ：Ａｌのゾル−ゲル層を、スピンコーティングによって被着する。層を固めるために、５５０℃で２時間熱処理を行う。還元性雰囲気中にて、Ｎ₂下での、導電性を更に一層高めるためにはＮ₂及び水素（例えば５％）の下での、熱処理を行うのが好ましい。

アルミニウム以外に、その他のドーパント、例えばインジウム、イットリウム、ホウ素及びジルコニウムを選択してもよい。

インジウムについては、以下の出版物に方法が詳述されている。
・“Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＺｎＯ：Ａｌ， Ｉｎ ａｎｄ Ｓｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ”， Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｆｉｌｍｓ， ４２６（２００３）， ９４。
・“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｉｎ₂Ｏ−ＺｎＯ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ”， Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｆｉｌｍｓ， ４８４（２００５）， １８４。
・“Ｉｎｄｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ”， Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｆｉｌｍｓ， ４９０（２００５）， １３２。
・“Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓａｔｉｏｎ ｏｆ ＩＺＯ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍｓ ｂｙ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ”， Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｒｕｍ， ４４９−４５２（２００４）， ４６９。

イットリウムについては、以下の出版物に方法が詳述されている。
・“Ｓｏｌ−ｇｅｌ ｄｅｒｉｖｅｄ ｈｉｇｈｌｙ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ａｎｄ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｙｔｔｒｉｕｍ ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ”， Ｊ． ｏｆ Ｎｏｎ Ｃｒｙｓｔ． Ｓｏｌｉｄｓ， ３５２（２００６）， １３３５。
・“Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ｈｉｇｈｌｙ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ａｎｄ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｙｔｔｒｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ： ｔｈｅ ｒｏｌｅ ｏｆ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒｓ”， Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ−Ｐｏｌａｎｄ， ２２（２００４）， ２０１。

イットリウムについては、出版物“Ｂｏｒｏｎ ｄｏｐｅｄ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ”， Ｊ． ｏｆ Ｍａｔ． Ｓｃｉｅｎｃｅ， ４０（２００５）， ５２８５に方法が詳述されている。

ジルコニウムについては、出版物“Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ， ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｓｔｕｄｉｅｓ ｏｎ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ Ｚｒ ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ”， Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ， ７９（２００３）， ７１に方法が詳述されている。

しかしながら、ＺｎＯ：Ａｌ層は、より毒性の低い前駆体（錯化剤の存在下での、酢酸亜鉛及び塩化アルミニウム）を用いて製造される。

一例を挙げると、アルコール媒体中の有機金属前駆体の基本処方は、以下のように規定される。
溶液５０ｍｌあたり、
・４８．９ｍｌの２−メトキシイソプロパノール又はＭＩＰＡ（４５．０８ｇ）＋１．０５８ｍｌのＭＥＡ（エタノールアミン、１．０６９ｇ）を用いた溶媒の調製、
・３．８４ｇのＺｎ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₂・２Ｈ₂Ｏ（１．７５×１０^-2モル）及び０．０４２ｇのＡｌＣｌ₃・６Ｈ₂Ｏ（１．７５×１０^-4モル）の添加、
・６０℃で２時間の撹拌、その後の冷却、
・被着。
以下の数値となる。
［Ｚｎ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₂・２Ｈ₂Ｏ］＝０．３５Ｍ
Ｚｎ／ＭＥＡ＝１
Ａｌ／Ｚｎ＝０．０１

類似の合成が、Ｊｉｎ−Ｈｏｎｇ Ｌｅｅ， Ｂｙｕｎｇ−ＯＫ Ｐａｎｔらによる論文“Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＺｎＯ：Ａｌ， Ｉｎ ａｎｄ Ｓｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｓｏｌ−ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ”（Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｆｉｌｍｓ, ４２６（２００３）， ９４−９９）に記載されている。しかしながら、２−メトキシエタノールに代えてＭＩＰＡが用いられる。

充填層については、分散液でなく、Ｕｍｉｃｏｒｅ社により販売されている粉末の形でのＺｎＯ：Ａｌナノ粒子の製品、例えばゾル−ゲルタイプの結合剤、例えば先に挙げたＺｎＯ：Ａｌ、又は適当な有機結合剤と混合すべき粉末、を使用することも可能である。

例２ａの第２の変形実施形態として、例えばＳｎＣｌ₂／ＳｂＣｌ₃前駆体をベースとして、ゾルへＳｎＯ₂：Ｓｂのナノ粒子を加えることも可能である。

水性系の分散液は、ゾル中に含まれるエタノールの存在下で不安定である。従って、例えば相溶性の溶媒（アルコールなど）をベースとした分散液を選択することによって、２つの溶液を相溶性にするようにする。

（例２ｂ）
例２の第２の変形実施形態においては、充填層を形成する目的で、ラッカーを形成する、結合剤中にＳｎＯ₂：Ｉ（ＩＴＯ）（３０重量％）のナノ粒子が分散した分散液を、ストランドが被覆されるまで被着させる。ラッカーはエタノール又はジアセトンアルコールで希釈することができる。これは例えば、エタノールで２：１（重量による）に希釈され、約７のｐＨを有する、Ｅｖｏｎｉｋ社が販売しているＶＰ Ａｄｎａｎｏ ＩＴＯ ＬＴＨと呼ばれるラッカーでよい。

スピンコーティングによるか、又は一変形形態としてスクリーン印刷による被着後に、層を１２０℃で１時間、そして好ましくは２２０℃で例えば３０分間、導電性を改善するために固まらせる。

もう一つの方法として、Ｅｖｏｎｉｋ社が販売するＶＰ Ａｄｎａｎｏ ＩＴＯ ＬＵＶ １と呼ばれる分散液（ＩＴＯナノ粒子６重量％）を使用することも可能である。

もう一つの方法として、毒性又は汚染性重質溶媒を含まずＩＴＯゾル−ゲル前駆体を有する無色のインク、すなわちＲＢｎａｎｏ社のＲＢｎａｎｏ−ＩＴＯインクを使用することも可能である。被着は、スパッタリング、インクローラーパッドコーティング、又はディップコーティングにより行うことができる。乾燥は、空気中で高速である。インクは４００℃と６００℃の間で焼成される。

もう一つの方法として、ＳｎＯ₂：Ｉ（ＩＴＯ）ナノ粒子の分散液を使用することが可能である。これは例えば、エタノール中に２０重量％のナノ粒子を含む、Ｅｖｏｎｉｋ社が販売するＶＰ Ａｄｎａｎｏ ＩＴＯ ＴＣ８ ＤＥと呼ばれる分散液である。被着後、空気中での熱処理を行うことができる。

Ｅｖｏｎｉｋ社が販売するその他の製品は以下の通りである。
・１００％のＩＴＯを含有するＶＰ Ａｄｎａｎｏ ＩＴＯ ＴＣ８。
・水中のＩＴＯであり、ＩＴＯを２０％含有するＶＰ Ａｄｎａｎｏ ＩＴＯ ＴＣ８ ＤＷ。
・Ｄｏｗａｎｏｌ（登録商標） ＰＰＨ（プロピレングリコールフェニルエーテル）中のＩＴＯであり、ＩＴＯを４０％含有するＶＰ Ａｄｎａｎｏ ＩＴＯ ＴＣ８ ＤＰＰＨ。
・メチルエチルケトン中のＩＴＯであり、ＩＴＯを４０％含有するＶＰ Ａｄｎａｎｏ ＩＴＯ ＴＣ８ ＤＭＥＫ。
・イソプロパノール中のＩＴＯであり、ＩＴＯを４０％含有するＶＰ Ａｄｎａｎｏ ＩＴＯ ＴＣ８ ＤＩＰＡ。

出版物“Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓａｔｉｏｎ ｏｆ ＩＴＯ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ”， Ｃｕｒｒｅｎｔ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ， ６（２００６）， １０４４で、Ｊａｎｇらは、ポリマー結合剤中に１０重量％の割合で分散した厚み８〜１５ｎｍのナノ粒子を用いたディップコーティングにより被着して厚み１μｍの層を得た。

出版物“Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ， Ａｎｔｉｓｔａｔｉｃ ａｎｄ Ａｎｔｉｓｔａｔｉｃ−Ａｎｔｉｇｌａｒｅ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｍａｄｅ ｗｉｔｈ ｈｙｂｒｉｄ ｓｏｌｓ”， Ｍｏｌ． Ｃｒｙｓｔ． Ｌｉｑ． Ｃｒｙｓｔ．， ３７４（２００２）， ９１で、Ａｌ−Ｄａｈｏｕｄｉらは、オルガノシラン（エポキシ又はメタクリルオキシプロピル−トリエトキシシラン）及び結合剤中に２５重量％の量で分散した１５ｎｍのナノ粒子を用いてそれぞれスピンコーティング及びスプレーコーティングにより厚み５００ｎｍ〜１μｍの層を作製した。

ラッカーベースの充填層の厚みは１．５μｍ（１μｍのストランド厚みについて）である。しかしながら、エタノールでのＥｖｏｎｉｋ ＬＴＨラッカーの希釈度を変更するか又は被着パラメータを変更すること（例えばスピンコーティングによるより高い被着速度）により、もっと小さい厚みを考えることができる。

このようにコーティングした基材のＴ_Lは８０％より大きい。抵抗率は１〜２Ω・ｃｍである。

図３ｃは、充填材料の表面を示している。Ｅｖｏｎｉｋ ＬＴＨラッカーから作製されたＩＴＯ層は、ナノ粒子の凝集物で構成されている。表面にナノ粒子をはっきりと見ることができる。マイクログリッドストランドより上にある層のゾーンをわずかに上昇させてもよい。

表面に存在するナノ粒子の凝集物は粗さの原因となり、我々はそれをＡＦＭにより測定した。

測定されたｒｍｓ粗さは、マイクログリッド上の被着物について約１５ｎｍであり、山から谷までの高さはおよそ１００ｎｍである。

ＩＴＯナノ粒子の層は充分に導電性であり、マイクログリッドの導電性を変更しない。測定されたＲ_□は変化が見られない。

ＩＴＯベースの導電性層の機械的強度を評価するために、粘着テープ引裂試験を実施した（粘着テープはＴｅｃｍａｔａｌ社が販売する５１１０８である）。層の表面の平担化が見られ、すなわちナノ粒子凝集体は圧縮されているように思われる。しかしながら層の引裂は見られない。

この透明なＩＴＯベースの層は、厚み、電気伝導率及び機械的強度の点から見て設計仕様を満たしている。

導電性コーティングとしては、（少なくとも）ＰＥＤＯＴ層を選択することが可能であり、この層は約１００ｎｍの厚みをもつ。この場合、ＰＥＤＯＴポリマーは、導電性層のｒｍｓ粗さを５ｎｍ以下まで、そして山から谷までの高さを２０ｎｍ以下の値まで低下させるのを可能にすることができる。

同様に、酢酸インジウム（ＩＩＩ）又は塩化インジウム（ＩＩＩ）四水和物前駆体をベースとする合成により、ゾル−ゲル層を含む、例えばＩＴＯの、導電性コーティングを形成することも可能である。

（例３）
図４は、複合電極２”を含む、有機発光デバイス３００の断面図を示す。以下では、デバイス１００と比較して変更したところだけを詳細に説明する。

ネットワーク２１’は密度がより低く、ストランドはおよそ１０μｍの平均幅Ａを有し、ストランド間の平均間隔Ｂはおよそ１００μｍである。

有機層３内の導波モードの抽出を改善するため、ストランド間の間隙は、例えば、任意選択的に結合剤、例えばアクリル樹脂中に分散し、あるいは、場合によってはそれも導電性である無機結合剤中に分散し、サイズが１５０ｎｍのＩＴＯ導電性粒子から形成された、拡散性充填層２３’で充填されている。この層は、例えばスクリーン印刷することができる。この導電性層２３’は、標準的に１０^-1と１０Ω・ｃｍの間の抵抗率ρ１よりも大きくなるよう選択された抵抗率ρ２を有する。

製造を単純化するため、その厚みはネットワーク２２の厚みよりも大きく、例えば４μｍに等しく、その結果充填層２３’はネットワーク２１’を被覆する。

導電性コーティング２２”は、厚みがおよそ２００ｎｍ、更にはそれよりも小さい（例えば１５０ｎｍ）、例えばディップコーティング又はスプレーコーティングすることによって被着された、ＩＴＯゾル−ゲル層である。この場合、導電性コーティング２２”が平滑化を完成する。その抵抗率ρ１はおよそ１０^-2Ω・ｃｍである。

例えば、住友金属鉱山株式会社が販売するＤＸ−４００（登録商標）と呼ばれる製品を使用することが可能である。これは、スズアルコキシドとインジウムアルコキシド、有機溶媒及び粘性制御剤をベースとしたペーストである。

（例４）
図５は、複合電極２０’を含む有機発光デバイス４００の断面図を示す。以下では、デバイス１００に対して変更したところだけを詳細に説明する。

厚み１μｍの導電性ネットワーク２１０’は、５０ｎｍの厚みでガラス１のエッチングネットワーク１１０中に部分的に存在している。

例えば混成又は非混成シリカをベースとする、ガラス上の亀裂入りゾル−ゲルマスクが使用される。基材は、ＨＦ溶液での湿式エッチングを受ける。しかしながら、先に例１で説明した（そして後ほど詳細に説明される）自己組織化された開口部をもつマスクを使用することが好ましく、基材はフッ素プラズマによりエッチングされる。

ネットワークの材料は、ゾル−ゲルマスク又はナノ粒子ベースのマスクを保持しながら被着され、被着は亀裂を通して行われる。好ましくは、真空被着、例えば蒸着による銀の被着、あるいはスパッタリングし、任意選択的にその後で銅の電気メッキ及び／又はニッケルもしくはクロムの電気メッキを行う、ＩＴＯ又はＩＺＯの被着が選択される。例えばドクターブレードを用いて銀インクを塗布する、液体ルートを選択することも可能である。被着物の厚みは、好ましくはエッチングしたゾーンを完全に充填するように、制御することができる。

導電性コーティング２２０’は例えば、１．５μｍ以上の厚みで液体ルートにより被着されるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳでよい。

接続のための長手方向のエッチング部５１がエッチングネットワーク１１０よりも確実に深くなるように注意が払われる。

全ての例において、コーティングの外表面は、ネットワーク平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたる外表面の実際の輪郭から出発し、そして局所的微小粗さを除去するためナノスケールのフィルタリングにより補正した輪郭を形成することにより、補正した輪郭の全ての点において得られるものが、補正した輪郭に対する接線と補正した輪郭の平均平面がなす４５°以下の角度となるような外表面である。

実際の輪郭と補正した輪郭との差により形成される残留輪郭から出発して、補正した輪郭上の全ての点で得られるものは、ネットワーク平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたって少なくとも５０ｎｍ未満の、残留輪郭の最高点と最低点との最大の高さの差である。

〔複合電極の製造〕
以下に示すのは、好ましい実施形態において自然発生させた開口部のネットワークを有するマスクを利用した複合電極の製造の例である。

ａ）自然発生開口部を有するマスクの製造
まず、自然発生させた開口部を有するマスクを製造する。このためには、４０重量％の濃度で水中で安定化させたアクリル共重合体をベースとするコロイド粒子の単純なエマルジョンを、液体ルートによって被着させる。コロイド粒子は、８０〜１００ｎｍの特性サイズを有し、Ｎｅｏｃｒｙｌ ＸＫ ５２という商標名でＤＳＭ社により販売されている。

次に、コロイド粒子を取込んだいわゆるマスキング層を乾燥させて溶媒を蒸発させる。この乾燥は、任意の適切な方法（高温空気乾燥など）によって実施可能である。

この乾燥工程中に、システムは自己配置し、以下でＡ１と呼ぶ表面模様の平均幅、及び以下でＢ１と呼ぶ表面模様間の平均距離によって特徴づけされる構造にしたがった表面模様を描く。この安定化されたマスクは結果として、Ｂ１／Ａ１比によって規定される。アニーリングを用いることなく、安定したマスクが得られる。

Ｂ１／Ａ１比は、被着技術に応じて、例えば固められたコロイドと基材表面との摩擦係数、あるいはナノ粒子のサイズ、あるいはまた蒸発速度、又は粒子の初期濃度、又は溶媒の性質、又は厚みを適合させることにより、変更することができる。

これらのいろいろな選択肢を例示するために、試験片の上昇速度を調節することによって被着した、２つのコロイド溶液濃度（Ｃ_ｏ及び０．５×Ｃ_ｏ）及び様々な厚みを用いた実験計画を以下に示す。溶液はディップコーティングによって被着した。濃度を変更することによってＢ１／Ａ１比を変更しうるという点を指摘しておくべきである。結果を、次の表に示す。

同様に、コロイド溶液を様々な厚みのプルフィルムを用いて濃度Ｃ_ｏ＝４０％で被着させた。これらの実験は、コロイド層の初期厚みを調整することにより表面模様のサイズＡ１及び表面模様間の距離Ｂ１を変化させることが可能であるということを示している。結果を、次の表に示す。

別の実施形態においては、濃度５０重量％、ｐＨが３及び粘度２００ｍＰａ・ｓの水中で安定化されたアクリルコポリマーベースのコロイド粒子の単純エマルジョンを被着させる。コロイド粒子は、約１１８ｎｍの特性サイズを有し、Ｎｅｏｃｒｙ／ＸＫ ３８（登録商標）という商標名でＤＳＭ社により販売され、７１℃のＴｇを有する。

別の実施形態においては、１０〜２０ｎｍ前後の特性サイズを有するシリカコロイドの４０％溶液、例えばＳｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ社が販売する製品ＬＵＤＯＸ（登録商標） ＡＳ ４０を被着させる。Ｂ／Ａ比は約３０である。

標準的には、例えば、有機（特に水性）溶媒中の１５％と５０％の間のシリカコロイドを被着させることができる。

ｂ）マスクのクリーニング
その後、亀裂の底部にある有機粒子をクリーニングするためのもととしてプラズマ源を使用することにより、電極ネットワークへの促進用導電性材料の付着を改善することが可能となる。

例示的実施形態を提供すると、酸素／ヘリウム混合物をベースとするプラズマ移行アークを用いて大気圧プラズマ源を使用したクリーニングにより、間隙の底部に被着した材料の密着力を改善すると同時に間隙を拡幅することが可能となる。Ｓｕｒｆｘ社が販売する“ＡＴＯＭＦＬＯＷ”という商標のプラズマ源を使用することができる。

ｃ）導電性ネットワークの製造
本発明による複合電極の導電性ネットワークは、このマスクを用いて生産される。これを行なうためには、間隙の一部分が充填されるまで、マスクを通して１種以上の導電性材料を被着させる。

金属としては、好ましくは銀又はアルミニウムを選択することができる。導電性酸化物としては、好ましくはＩＴＯ、ＩＺＯ又はＩＧＺＯを選択することができる。

導電性ストランドの平均幅ＡはおよそＡ１に等しい。導電性ストランド間の平均距離ＢはおよそＢ１に等しい。

金属層の厚みを増大させかくしてグリッドの電気抵抗を低下させるため、我々は、電気分解（可溶性陽極法）により、銀グリッド上に銅の上層を被着させた。

マグネトロンスパッタリングにより付着促進用下層及び銀グリッドで任意選択的に被覆されたガラスが、実験用デバイスの陰極を構成する。陽極は、銅板からなる。これには、溶解することによって、被着プロセス全体を通してＣｕ²⁺イオン濃度を一定に保ち、かくして被着速度を一定に保つという役割がある。

電解溶液（浴）は、硫酸銅水溶液（ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ＝７０ｇｌ^-1）からなり、これに５０ｍｌの硫酸（１０Ｎ Ｈ₂ＳＯ₄）を加える。電気分解中の溶液の温度は２３±２℃である。

被着条件は以下のとおりであり、電圧≦１．５Ｖ、及び電流≦１Ａである。

３〜５ｃｍ離隔された大きさが同じ陽極と陰極を、垂直な力線が得られるように互いに平行に配置する。

銅層は、銀グリッド上で均質である。被着物の厚みは、電気分解の持続時間、電流密度、及び被着物の形態とともに増大する。結果を、次の表に示す。

ｄ）マスクの除去
マスクからネットワークの構造を露出させるために、「リフト−オフ」作業が行なわれる。コロイドマスクを水とアセトンを含有する溶液（クリーニング溶液はコロイド粒子の性質に応じて選択される）中に浸漬し、その後コロイドでコーティングされた全ての部分を除去するように洗い流す。

ｅ）ネットワークの充填及び被覆
導電性ストランド間の空隙を、好ましくはＯＬＥＤ層中の導波モードの抽出を促進し導電性である、所定の材料（高屈折率、拡散性など）で完全に充填し、そしてネットワーク及び充填材料を、平滑化を完了して電流を分配するか又は垂直導電性を維持するという電気的役割を有する導電性コーティングで被覆する。

特に、ストランド間の空隙は、例１におけるように、適切な抵抗率のわずかに導電性である同一の材料を用いて充填し、平滑化することができる。

言うまでもないが、本発明は、上記の例に記載されているもの以外の有機発光システムを用い、及びプラスチック基材を用いて、同じように適用される。

Claims (32)

1. 複合電極（２、２’、２”、２０’）を１つの主要面（１１）上に支持している基材（１）であって、当該複合電極は、次のもの、すなわち、
   ・５５０ｎｍで少なくとも６０％の光透過率を有し、金属及び／又は金属酸化物をベースとする導電性材料で作られたストランドから形成された層である導電性ネットワークであって、ネットワークのストランド間の空隙に導電性充填材料と呼ばれる材料が充填されている、導電性ネットワーク（２１、２１’、２１０’）、
   ・導電性ネットワークを被覆し、ストランドと電気的に接続していて、厚みが４０ｎｍ以上であり、抵抗率ρ１が１０⁵Ω・ｃｍ未満で、ネットワークの抵抗率より大きく、平滑な電極外表面を形成している導電性コーティング（２２、２２’、２２”、２２０’）、
   を含み、
   前記充填材料は導電性であって、ネットワークの抵抗率ρ０よりも大きく抵抗率ρ１よりも小さい抵抗率ρ２を有し、又はρ１よりも大きい抵抗率ρ２を有し、ストランドの厚みより大きい厚みを有し、導電性ネットワークを被覆していて、その結果前記導電性コーティングが当該充填材料を被覆しており、
   あるいは前記充填材料は前記導電性コーティング（２２、２２０’）で作られていて、その結果前記導電性コーティングがストランド間の空隙を実質的に充填しており、
   当該複合電極はまた１０Ω／□以下のシート抵抗を有する、
   複合電極（２、２’、２”、２０’）を１つの主要面（１１）上に支持している基材（１）。
2. 前記外表面は、ストランド間の平均距離をＢとし、ストランドの平均幅をＡとして、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたり当該外表面の実際の輪郭と呼ばれるものから見て局所的微小粗さを除去するためナノスケールのフィルタリングにより補正された輪郭を形成することによって、当該補正された輪郭の任意の点において当該補正された輪郭の平均平面と当該補正された輪郭に対する接線とがなす角度が４５°以下になるようなものであること、及び実際の輪郭と補正された輪郭との差により形成された残留輪郭から見て、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたり、補正された輪郭の任意の点において、前記残留輪郭の最高点と最低点の間に５０ｎｍ未満の最大の高さの差が得られることを特徴とする、請求項１に記載の基材（１）。
3. 前記外表面は、実際の輪郭と補正された輪郭との差によって形成された残留輪郭から出発して、ネットワークの平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたり、補正された輪郭の任意の点において、前記残留輪郭の最高点と最低点の間に２０ｎｍ未満の最大の高さの差が得られ、及び／又はネットワークの平均周期Ｂ＋Ａ全体にわたり５ｎｍ以下のｒｍｓが得られるようなものであることを特徴とする、請求項２に記載の基材。
4. ストランド間の平均距離Ｂとストランドの平均幅ＡとのＢ／Ａ比が５と１５の間であり、好ましくはストランドの平均幅Ａは１００ｎｍと３０μｍの間及び／又はストランド間の平均距離Ｂは５μｍと３００μｍの間であることを特徴とする、請求項１〜３の一つに記載の基材（１）。
5. ネットワークがグリッドをなして、好ましくは不規則なグリッドをなして配置されたストランドで形成されていることを特徴とする。請求項１〜４の一つに記載の基材（１）。
6. ネットワークの厚みが１００ｎｍと５μｍの間、好ましくは０．５μｍと３μｍの間であることを特徴とする、請求項１〜５の一つに記載の基材（１）。
7. 前記導電性コーティング（２２、２２’）が、任意選択的にドープされ及び／又は混合された、主として透明な導電性酸化物（単数又は複数）をベースとする、特に単一の酸化スズ、酸化亜鉛又は酸化インジウムをベースとする、そして好ましくは次のドープされ及び／又は混合された酸化物、すなわち、
   ・アルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素、スズ、イットリウム、ジルコニウム元素のうちの少なくとも１つをドープされた又はそれと合金化された酸化亜鉛、
   ・亜鉛、ガリウムと亜鉛、スズをドープされた又はそれと合金化された酸化インジウム、
   ・フッ素又はアンチモンをドープされた、又は任意選択的にアンチモンをドープされ、亜鉛と合金化された酸化スズ、
   ・ニオブをドープされた酸化チタン、
   のうちの少なくとも１つをベースとする層を含むか、あるいはその層で構成されており、
   又は、前記導電性コーティングが、金属をベースとする、特にナノ粒子をベースとする、好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ材料の１つで作られたナノ粒子をベースとする層を含むことを特徴とする、請求項１〜６の一つに記載の基材（１）。
8. 前記導電性コーティング（２２’）が、有機金属前駆体をベースとするゾル−ゲルルートにより得られた導電性金属酸化物（単数又は複数）の層であって、好ましくはその表面が平滑にされた電極表面である層、を含むか又はそれで構成されていることを特徴とする、請求項１〜７の一つに記載の基材（１）。
9. 前記導電性コーティング（２２’）が、好ましくは表面が平滑にされた電極表面である、本質的にポリマーの層、好ましくはポリ（アセチレン）、ポリ（チオフェン）の群のうちの少なくとも１つに由来する１種以上のポリマーの層、特に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（ピロール）、ポリ（アニリン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）及びポリ（ｐ−フェニレンビニレン）をベースとする層、を含むか又はそれにより構成されていることを特徴とする、請求項１〜８の一つに記載の基材（１）。
10. 前記層を形成している導電性充填材料が、好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ材料の１つで作られた、金属ナノ粒子をベースとする層、又は任意選択的にドープされ又は混合された、導電性酸化物（単数又は複数）のナノ粒子をベースとする、特に単一の酸化スズ、酸化亜鉛又は酸化インジウムをベースとする、そして好ましくは次のドープされた又は混合された酸化物、すなわち、
    ・アルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素、スズ元素のうちの少なくとも１つをドープされた又はそれと合金化された酸化亜鉛、
    ・亜鉛、ガリウムと亜鉛、スズをドープされた又はそれと合金化された酸化インジウム、
    ・フッ素又はアンチモンをドープされた、又は任意選択的にアンチモンをドープされ、亜鉛と合金化された酸化スズ、
    ・ニオブをドープされた酸化チタン、
    のうちの少なくとも１つをベースとする層を含むか、又はそれで構成されていること特徴とする、請求項１〜９の一つに記載の基材（１）。
11. 前記導電性充填材料の層は、少なくとも前記基材から最も遠いその外部部分が、結合剤、好ましくはゾル−ゲル結合剤中に、特に、次のドープされた又は混合された金属酸化物、すなわち、
    ・アルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素、スズ，イットリウム、ジルコニウム元素のうちの少なくとも１つをドープされた又はそれと合金化された酸化亜鉛、
    ・亜鉛、ガリウムと亜鉛、スズをドープされた又はそれと合金化された酸化インジウム、
    ・フッ素又はアンチモンをドープされた、又は任意選択的にアンチモンをドープされ、亜鉛と合金化された酸化スズ、
    ・ニオブをドープされた酸化チタン、
    のうちの少なくとも１つのような導電性酸化物（単数又は複数）の結合剤中にあることを特徴とする、請求項１０に記載の基材（１）。
12. 前記導電性充填材料の層は、少なくともその最も外側の部分において、導電性金属酸化物（単数又は複数）のナノ粒子をベースとする層で構成されていて、その粒子は好ましくは、当該ナノ粒子と同じ導電性金属酸化物（単数又は複数）のゾル−ゲル結合剤中にあり、そして前記導電性コーティングは、導電性ゾル−ゲル層、及び／又は好ましくは前記結合剤と同じ導電性金属酸化物（単数又は複数）の層を含み、又はそれで構成されていて、好ましくはその表面が平滑化された電極表面であることを特徴とする、請求項１０及び１１のいずれかに記載の基材（１）。
13. 前記導電性充填材料の層は、少なくともその最も外側の部分において、ポリマー結合剤中にある導電性金属酸化物（単数又は複数）のナノ粒子をベースとする層で構成されており、そして前記導電性コーティングは、ポリ（アセチレン）、ポリチオフェンの群のうちの少なくとも１つに由来する１種以上のポリマーの、その表面が平滑な電極表面であって、前記結合剤と相容性であるか又は同一の本質的にポリマーである導電性層、特にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（ピロール）、ポリ（アニリン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）及びポリ（ｐ−フェニレンビニレン）をベースとする層を含むか、又はそれで構成されていることを特徴とする、請求項１０及び１１のいずれかに記載の基材（１）。
14. 前記充填材料が前記コーティング（２２）の材料で作られ、そのためストランド間の前記コーティングの厚みがストランドの高さよりも少なくとも１．５倍大きいことを特徴とする、請求項１〜１１の一つに記載の基材（１）。
15. 前記導電性充填材料が５５０ｎｍで１．６５以上の屈折率を有する高屈折率導電性充填材料であること、及びストランド間の距離Ｂが好ましくは５０μｍ以下でありストランドが好ましくは金属をベースとし、特に銀又はアルミニウムをベースとしていることを特徴とする、請求項１〜１４の一つに記載の基材（１）。
16. 前記導電性充填材料が光拡散性である（２３’）ことを特徴とする、請求項１〜１５の一つに記載の基材（１）。
17. 前記導電性ネットワーク（２１０’）が部分的に、好ましくはガラス基材の、エッチングネットワーク（１１０）内にあることを特徴とする、請求項１〜１６の一つに記載の基材（１）。
18. 前記導電性ネットワーク（２１、２１’、２１０’）が、銀、アルミニウム、銅、パラジウム、クロム、白金又は金から選択された純粋金属材料をベースとする層、又はＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎから選択された少なくとも１種のその他の材料と組み合わされた又はそれをドープされた前記材料をベースとした層を含むことを特徴とする、請求項１〜１７の一つに記載の基材（１）。
19. 前記導電性ネットワーク（２１、２１’、２１０’）が、特にニッケル、クロム、モリブデン及びそれらの混合物などの金属から又は透明な導電性酸化物から選択され、好ましくは１０ｎｍ以上の厚みを有する、防食用の導電性の上層を含むことを特徴とする、請求項１〜１８の一つに記載の基材（１）。
20. 前記基材がガラス基材であることを特徴とする、請求項１〜１９の一つに記載の基材（１）。
21. 電極（２、２’、２”、２０’）の外表面に直接被着された有機発光システム（３）を含むことを特徴とする、請求項１〜２０の一つに記載の基材（１）。
22. 複合電極（２、２’、２”、２０’）が下部電極として知られるもの、すなわち基材に最も近い電極を形成している、請求項１〜２１のいずれか一つに記載の基材（１）を取り入れてなる有機発光デバイス（１００、２００、３００、４００）。
23. １つ以上の透明な及び／又は反射性の発光表面を形成し、特に照明用、装飾用又は建築用システム、又は例えば図形、ロゴ又は英数字標示タイプの、表示用ディスプレイパネルを形成しており、当該システムが、均一な光を発生し、又は特にガラス基材内の導波光の抽出により差別化される、差別化発光ゾーンを作り出すことを特徴とする、請求項２２に記載の有機発光デバイス（１００、２００、３００、４００）。
24. ・屋外発光グレージング、屋内発光間仕切り、又は発光グレージングドア（又はドアの一部）、特にスライドドアなどの、建物用であるか、
    ・陸上、水上又は航空輸送手段の発光ルーフ、発光サイドウインドウ（又はウインドウの一部）、内部発光間仕切りなどの、輸送手段用であるか、
    ・バス待合所パネル、陳列台の壁、宝石展示又はショーウインドウ、温室の壁、又は照明タイルなどの、都市又は業務向けの備品用であるか、
    ・棚又はキャビネット構成部品、キャビネットの正面部品、照明タイル、天井、照明冷蔵庫棚、水槽の壁などの、室内備品用であるか、
    ・電子機器、特にディスプレイ画面、任意選択的にはダブルスクリーンのバックライト用、例えばテレビ又はコンピュータのスクリーン、タッチスクリーンなどの、バックライト用であるか、又は
    ・照明ミラー、特に浴室の壁又はキッチンカウンターを照らすため、又は天井のためのもの、
    であることを特徴とする、請求項２２と２３の一つに記載の有機発光デバイス（１００、２００、３００、４００）。
25. 請求項１〜２１の一つに記載の前記基材上の前記複合電極を製造するための方法であって、
    ・導体のネットワーク配置を直接形成する第１の工程であって、次の被着、すなわち、
    ・スタンプパッドを用いてのネットワークの導電性材料の被着、
    ・基材上への導電性インクジェット印刷による被着、
    のうちの少なくとも１つを含む第１の工程、
    ・液体ルートによる導電性コーティングの被着を含む第２の工程、
    を含むことを特徴とする、基材上の複合電極製造方法。
26. 請求項１〜２１の一つに記載の基材上の前記複合電極（２、２’、２”、２０’）を製造するための方法であって、
    ・導体のネットワーク配置を直接形成する第１の工程であって、開口部の深さの一部分が充填されるまで、ネットワークとして自己組織化した開口部をもつ、マスクとして知られる基材上の１つの層を通してネットワークの導電性材料を少なくとも１回被着することを含む第１の工程、
    ・任意選択的に、第１の工程の前に、マスクの開口部を通し基材をエッチングしてネットワークを基材に部分的に固定させること、
    ・マスクの除去、及び
    ・液体ルートによる導電性コーティングの被着を含む第２の工程、
    を含むことを特徴とする、基材上の複合電極製造方法。
27. マスク上へのそして任意選択的には下にあるエッチングネットワーク上への部分的な、ネットワークの導電性材料の被着が、非選択的被着、好ましくは真空被着、特に蒸発による被着、又は液体ルートによる被着、特に印刷による、導電性インクでのブレードコーティングよる、ディップコーティングによる、スプレーコーティングによる被着を含み、任意選択的に当該被着を、金、銀、銅などの金属による電解再充填により及び／又は防食用上層により完成することを特徴とする、請求項２５と２６のいずれかに記載の複合電極（２、２’、２”、２０’）製造方法。
28. 前記マスクの形成工程であって、
    ・マスキング層として知られるものの基材上への被着、
    ・前記マスクを形成するネットワーク開口部が得られるまで、マスキング層を硬化させ又は液体マスキング層を乾燥させること、
    を含むマスク形成工程を含むことを特徴とする、請求項２６と２７のいずれかに記載の複合電極（２、２’、２”、２０’）製造方法。
29. 前記マスキング層が、溶媒中に安定化されて分散されたコロイド粒子の溶液、特にアクリル系コポリマーをベースとするコロイドの水溶液であることを特徴とする、請求項２８に記載の複合電極（２、２’、２”、２０’）製造方法。
30. 前記第２の工程の前に、
    ・ストランド間の間隙を、前記高屈折率材料又は前記拡散性材料の導電性充填材料のうちの少なくとも１つで、好ましくは液体ルートにより、充填する工程、
    ・当該充填に先立ち、任意選択的に存在するマスクを前記導電性ネットワークが現れるまで除去する工程、
    を含むことを特徴とする、請求項２５〜２９の一つに記載の複合電極（２、２’、２”、２０’）製造方法。
31. 第２の工程の間に、ストランド間の間隙を導電性コーティングで、好ましくはスクリーン印刷、ディップコーティング又はスプレーコーティングにより、実質的に完全に充填することを特徴とする、請求項２５〜３０の一つに記載の複合電極（２）製造方法。
32. 前記充填のために、大概は結合剤を含んでいない導電性（ナノ）粒子、特に導電性酸化物の（ナノ）粒子の分散液を被着させ、そして次に、（ナノ）粒子の導電性結合剤、特に、好ましくは前記（ナノ）粒子と同じ化学的性質をもつ導電性酸化物のゾル−ゲルを被着させ、当該結合剤が前記（ナノ）粒子の層に浸透して当該（ナノ）粒子を被覆する導電性コーティングを形成することを特徴とする、請求項２５〜３１の一つに記載の複合電極（２）製造方法。

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