WO2010018733A1 - 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法 - Google Patents
透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2010018733A1 WO2010018733A1 PCT/JP2009/062875 JP2009062875W WO2010018733A1 WO 2010018733 A1 WO2010018733 A1 WO 2010018733A1 JP 2009062875 W JP2009062875 W JP 2009062875W WO 2010018733 A1 WO2010018733 A1 WO 2010018733A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- metal
- transparent electrode
- conductive polymer
- metal mesh
- layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 115
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 25
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 108010061414 Hepatocyte Nuclear Factor 1-beta Proteins 0.000 description 9
- 102100022123 Hepatocyte nuclear factor 1-beta Human genes 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 108010048992 Transcription Factor 4 Proteins 0.000 description 6
- 102100023489 Transcription factor 4 Human genes 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 102100034798 CCAAT/enhancer-binding protein beta Human genes 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 108010020382 Hepatocyte Nuclear Factor 1-alpha Proteins 0.000 description 4
- 102100022057 Hepatocyte nuclear factor 1-alpha Human genes 0.000 description 4
- 101000945963 Homo sapiens CCAAT/enhancer-binding protein beta Proteins 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000835023 Homo sapiens Transcription factor A, mitochondrial Proteins 0.000 description 3
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108050005285 Transcription factor 7-like 1 Proteins 0.000 description 3
- 102100026155 Transcription factor A, mitochondrial Human genes 0.000 description 3
- 102100038313 Transcription factor E2-alpha Human genes 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 108010023606 Zinc Finger E-box-Binding Homeobox 1 Proteins 0.000 description 3
- 102100026457 Zinc finger E-box-binding homeobox 1 Human genes 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 102100030498 Intron Large complex component GCFC2 Human genes 0.000 description 2
- 101710127702 Intron Large complex component GCFC2 Proteins 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100030627 Transcription factor 7 Human genes 0.000 description 2
- 108050005484 Transcription factor 7 Proteins 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-diol Chemical compound OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 125000003375 sulfoxide group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBDAFARLDLCWAT-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydropyran-6-one Chemical compound O=C1OCCC=C1 QBDAFARLDLCWAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-phenylphenyl)-n,n-bis[4-(4-phenylphenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 229910016292 BiF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015284 MoF Inorganic materials 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019800 NbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002377 Polythiazyl Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzoquinoline Natural products C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N dimethylethyleneglycol Natural products CC(C)(O)CO BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- CJMZLCRLBNZJQR-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-amino-4-(4-fluorophenyl)thiophene-3-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C1=C(N)SC=C1C1=CC=C(F)C=C1 CJMZLCRLBNZJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQXKXGWGFRWILX-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dinitrate Chemical compound O=N(=O)OCCON(=O)=O UQXKXGWGFRWILX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- QCTJRYGLPAFRMS-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound OC(=O)C=C.NC1=NC(N)=NC(N)=N1 QCTJRYGLPAFRMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229920006352 transparent thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
Definitions
- the present invention relates to a transparent electrode having excellent conductivity and transparency and high smoothness, a method for producing the same, and an organic electroluminescence device using the transparent electrode.
- the transparent electrode is an essential constituent technology.
- transparent electrodes are an indispensable technical element in touch panels, mobile phones, electronic paper, various solar cells, and various electroluminescence light control elements.
- various metal thin films such as Au, Ag, Pt, Cu, indium oxide doped with tin or zinc (ITO, IZO), zinc oxide doped with aluminum or gallium (AZO, GZO), fluorine, Metal oxide thin films such as tin oxide (FTO, ATO) doped with antimony, conductive nitride thin films such as TiN, ZrN, and HfN, and conductive boride thin films such as LaB 6 are known and combinations thereof.
- Various electrodes such as Bi 2 O 3 / Au / Bi 2 O 3 and TiO 2 / Ag / TiO 2 are also known.
- transparent electrodes using CNTs (carbon nanotubes) and conductive polymers have also been proposed (see, for example, Non-Patent Document 1).
- the metal thin film, nitride thin film, boron thin film and conductive polymer thin film described above cannot have both light transmission properties and conductive properties, special technical fields such as electromagnetic shielding and the like are relatively high. It was used only in the touch panel field where resistance values are allowed.
- ITO is widely used as a transparent electrode for various optoelectronics because it has a good balance between light transmittance and conductivity and it is easy to form an electrode fine pattern by wet etching using an acid solution.
- the above oxide conductor represented by ITO or the like forms a transparent conductive film on the surface of the substrate by a vacuum process such as sputtering or a liquid phase method such as sol-gel.
- a vacuum process such as sputtering
- a liquid phase method such as sol-gel.
- expensive equipment is required.
- high temperature treatment at 500 ° C. or higher is necessary to obtain high conductivity.
- transparent electrodes include transparent electrodes in which a mesh structure is formed by a metal pattern typified by an electromagnetic wave shielding film of a plasma display (see, for example, Patent Documents 1 and 2), and a fine mesh using metal nanowires
- the transparent electrode which consists of is disclosed (for example, refer patent document 3).
- a metal mesh using silver both good conductivity and transparency can be achieved due to the inherent high conductivity of silver.
- the metal mesh portion has high conductivity, there is a defect that the portion that transmits light does not have conductivity because of the mesh structure.
- a transparent electrode with a smooth surface is required for an electrode for an organic electroluminescence element.
- an ultra-thin film of an organic compound is formed on the electrode, so that an excellent surface smoothness is required for the transparent electrode.
- the organic electroluminescence element when the surface height difference (surface unevenness) of the anode is large, the electric field concentrates on the protrusion (protrusion) and the EL element is destroyed, or the protrusion is short-circuited with the cathode, Non-light emitting points (points that do not emit light on the surface of the electroluminescence element) may occur.
- the film thickness of the organic compound at the electrode pattern edge portion becomes thin, and current leakage is likely to occur therefrom.
- the durability of the organic electroluminescence element is remarkably lowered. Therefore, excellent smoothness is required for the transparent electrode as the anode.
- Patent Document 4 describes an inorganic electroluminescent element using a transparent conductive sheet in which ITO is coated on a metal fine wire mesh pattern.
- organic matter that requires higher smoothness than an inorganic electroluminescent element is described. No mention is made of electroluminescence elements.
- Patent Document 5 describes a method for producing a flexible resin film with an electrode layer comprising a step of peeling both an ultraviolet curable resin layer and an electrode layer from a temporary support plate.
- the arithmetic average roughness Ra serving as an index is not mentioned at all, and the formation of the electrode layer is limited to the vacuum deposition method or the sputtering method, which has the disadvantage that the manufacturing cost and equipment are expensive.
- the object of the present invention has been made in view of the above circumstances, and simply provides a transparent electrode having excellent conductivity and transparency and high smoothness, a method for producing the same, and an organic electroluminescence device using the transparent electrode. There is to do.
- a transparent electrode having a patterned metal mesh portion and a non-pattern portion on a transparent support, the metal mesh portion containing metal nanowires and a conductive polymer, or metal nanowires and a metal oxide,
- the pattern portion contains a conductive polymer or a metal oxide, and the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the metal mesh portion is 5 nm or less and the maximum height Rz is 50 nm or less.
- the metal mesh portion and the non-pattern A transparent electrode characterized in that the maximum height difference of the part is 50 nm or less.
- An organic electroluminescence device comprising the transparent electrode as described in 1 above.
- the non-patterned portion contains a conductive polymer or a metal oxide, and the metal mesh portion and the non-patterned portion previously formed on the first support are placed on the second support via an adhesive layer.
- a method for producing a transparent electrode comprising: peeling off the first support after bonding.
- a transparent electrode having excellent conductivity and transparency and high smoothness, a method for producing the same, and an organic electroluminescence device using the transparent electrode can be easily provided.
- FIG. 1 shows an adhesive layer (not shown) of a metal mesh part containing a patterned metal nanowire 2 and a non-pattern part containing a conductive polymer or metal oxide 3 on a first support 1. It is sectional drawing before transcribe
- FIG. 2 shows a structure in which a metal mesh portion containing a patterned metal nanowire 2 and a non-pattern portion containing a conductive polymer or metal oxide 3 are formed on the first support 1 through an adhesive layer 4. It is sectional drawing of the transparent electrode 20 produced by peeling the 1st support body 1 after transcribe
- FIG. 3 is a view of the transparent electrode 20 having a metal mesh portion containing the patterned metal nanowire 2 and a non-pattern portion containing the conductive polymer or metal oxide 3 as seen from the electrode surface side.
- a plastic film, a plastic plate, glass or the like can be used as the transparent support.
- polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate
- polyolefins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene and EVA
- polyvinyl chloride and polychlorinated chloride.
- vinyl resins such as vinylidene, polyether ether ketone (PEEK), polysulfone (PSF), polyether sulfone (PES), polycarbonate (PC), polyamide, polyimide, acrylic resin, triacetyl cellulose (TAC), etc. Can do.
- a material having excellent surface smoothness is used for the first support in order to smooth the peeled surface of the peeled metal mesh portion and the non-patterned portion.
- the smoothness (unevenness) of the surface of the first support is preferably such that the arithmetic average roughness Ra is 5 nm or less and the maximum height Rz is 50 nm or less, Ra is 2 nm or less, and Rz is 30 nm or less. More preferably, Ra is 1 nm or less, and Rz is 20 nm or less.
- the surface of the first support may be smoothed by applying an undercoat layer such as a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, an electron beam curable resin, or a radiation curable resin, or by machining such as polishing. It can be smooth.
- a release layer may be formed to facilitate peeling, and as a release layer forming material, a polymer or wax that forms a known release layer can be appropriately selected and used. For example, paraffin wax, acrylic , Urethane, silicon, melamine, urea, urea-melamine, cellulose, benzoguanamine, and other resins and surfactants were dissolved in an organic solvent or water mainly composed of these or a mixture thereof.
- the paint is applied onto the support by ordinary printing methods such as gravure printing, screen printing, offset printing, etc., and dried (thermosetting resin, ultraviolet curable resin, electron beam curable resin, radiation curable resin, etc.)
- the curable coating film include those formed by curing.
- the thickness of the release layer is not particularly limited, and is suitably selected from the range of about 0.1 to 3 ⁇ m.
- Ra and Rz representing the smoothness (unevenness) of the surface of the first support means
- Ra and Rz can be measured by using a commercially available atomic force microscope (AFM), for example, by the following method.
- AFM atomic force microscope
- an SPI 3800N probe station and SPA400 multifunctional unit manufactured by Seiko Instruments Inc. as the AFM set the sample cut to a size of about 1 cm square on a horizontal sample stage on the piezo scanner, and place the cantilever on the sample surface.
- scanning is performed in the XY direction, and the unevenness of the sample at that time is captured by the displacement of the piezo in the Z direction.
- a piezo scanner that can scan XY 150 ⁇ m and Z 5 ⁇ m is used.
- the cantilever is a silicon cantilever SI-DF20 manufactured by Seiko Instruments Inc., which has a resonance frequency of 120 to 150 kHz and a spring constant of 12 to 20 N / m, and is measured in a DFM mode (Dynamic Force Mode). A measurement area of 80 ⁇ 80 ⁇ m is measured at a scanning frequency of 0.1 Hz.
- the second support is preferably provided with a gas barrier layer for the purpose of blocking oxygen and moisture in the atmosphere.
- a gas barrier layer for the purpose of blocking oxygen and moisture in the atmosphere.
- metal oxides such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum nitride, and aluminum oxide, and metal nitrides can be used. These materials have an oxygen barrier function in addition to a water vapor barrier function.
- silicon nitride and silicon oxynitride having favorable barrier properties, solvent resistance, and transparency are preferable.
- the barrier layer may have a multilayer structure as necessary.
- a resistance heating vapor deposition method As a method for forming the gas barrier layer, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used depending on the material.
- each inorganic layer constituting the gas barrier layer is not particularly limited, but typically it is preferably in the range of 5 to 500 nm per layer, more preferably 10 to 200 nm per layer.
- the gas barrier layer is provided on at least one surface of the second support, and is preferably provided on the adhesive layer adhesion side, and more preferably on both surfaces.
- a metal nanowire refers to a linear structure having a diameter from the atomic scale to the nm size, which contains a metal element as a main component.
- the metal nanowire used in the present invention preferably has an average length of 3 ⁇ m or more, more preferably 3 to 500 ⁇ m, particularly 3 to 300 ⁇ m in order to form a long conductive path with one metal nanowire. It is preferable.
- the relative standard deviation of the length is preferably 40% or less.
- an average diameter is small from a transparency viewpoint, On the other hand, the larger one is preferable from an electroconductive viewpoint.
- the average diameter of the metal nanowire is preferably 10 to 300 nm, and more preferably 30 to 200 nm.
- the relative standard deviation of the diameter is preferably 20% or less.
- a metal composition of the metal nanowire which concerns on this invention, although it can comprise from the 1 type or several metal of a noble metal element and a base metal element, noble metals (for example, gold, platinum, silver, palladium, rhodium, (Iridium, ruthenium, osmium, etc.) and at least one metal belonging to the group consisting of iron, cobalt, copper, and tin is preferable, and at least silver is more preferable from the viewpoint of conductivity. In order to achieve both conductivity and stability (sulfurization and oxidation resistance of metal nanowires and migration resistance), it is also preferable to include silver and at least one metal belonging to a noble metal other than silver. When the metal nanowire according to the present invention includes two or more kinds of metal elements, for example, the metal composition may be different between the inside and the surface of the metal nanowire, or the entire metal nanowire has the same metal composition. May be.
- the means for producing the metal nanowire there are no particular limitations on the means for producing the metal nanowire, and for example, known means such as a liquid phase method and a gas phase method can be used. Moreover, there is no restriction
- the conductive polymer used in the present invention is not particularly limited, and polypyrrole, polyindole, polycarbazole, polythiophene (including basic polythiophene, the same shall apply hereinafter), polyaniline, polyacetylene, polyfuran, and polyparaphenylene.
- Chain conductive polymers such as vinylene, polyazulene, polyparaphenylene, polyparaphenylene sulfide, polyisothianaphthene, and polythiazyl, and polyacene conductive polymers can also be used.
- PEDOT polyethylene dioxythiophene
- polyaniline are preferable from the viewpoints of conductivity and transparency.
- the long-chain sulfonic acid is preferable.
- Examples of the long chain sulfonic acid include dinonyl naphthalene disulfonic acid, dinonyl naphthalene sulfonic acid, and dodecylbenzene sulfonic acid.
- Examples of the halogen include Cl 2 , Br 2 , I 2 , ICl 3 , IBr, IF 5 and the like.
- Examples of the Lewis acid include PF 5 , AsF 5 , SbF 5 , BF 3 , BCl 3 , BBr 3 , SO 3 , GaCl 3 and the like.
- Examples of the protonic acid include HF, HCl, HNO 3 , H 2 SO 4 , HBF 4 , HClO 4 , FSO 3 H, ClSO 3 H, CF 3 SO 3 H, and the like.
- the transition metal halide NbF 5, TaF 5, MoF 5, WF 5, RuF 5, BiF 5, TiCl 4, ZrCl 4, MoCl 5, MoCl 3, WCl 5, FeCl 3, TeCl 4, SnCl 4, SeCl 4 , FeBr 3 , SnI 5 and the like.
- the transition metal compound AgClO 4, AgBF 4, La (NO 3) 3, Sm (NO 3) 3 and the like.
- Examples of the alkali metal include Li, Na, K, Rb, and Cs.
- Examples of the alkaline earth metal include Be, Mg, Ca, Sc, and Ba.
- the dopant for the conductive polymer may be introduced into fullerenes such as hydrogenated fullerene, hydroxylated fullerene, and sulfonated fullerene. It is preferable that 0.001 mass part or more of the said dopant is contained with respect to 100 mass parts of conductive polymers. Furthermore, it is more preferable that 0.5 mass part or more is contained.
- the transparent conductive composition of the present embodiment includes a long-chain sulfonic acid, a polymer of long-chain sulfonic acid (for example, polystyrene sulfonic acid), halogen, Lewis acid, proton acid, transition metal halide, transition metal compound, Both at least one dopant selected from the group consisting of alkali metals, alkaline earth metals, MClO 4 , R 4 N + , and R 4 P + and fullerenes may be included.
- a dopant selected from the group consisting of alkali metals, alkaline earth metals, MClO 4 , R 4 N + , and R 4 P + and fullerenes may be included.
- the conductive polymer used in the present invention is 2nd.
- a water-soluble organic compound may be contained as a dopant.
- an oxygen containing compound is mentioned suitably.
- the oxygen-containing compound is not particularly limited as long as it contains oxygen, and examples thereof include a hydroxyl group-containing compound, a carbonyl group-containing compound, an ether group-containing compound, and a sulfoxide group-containing compound.
- the hydroxyl group-containing compound include ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, trimethylene glycol, 1,4-butanediol, glycerin and the like.
- ethylene glycol and diethylene glycol are preferable.
- the carbonyl group-containing compound include isophorone, propylene carbonate, cyclohexanone, ⁇ -butyrolactone, and the like.
- the ether group-containing compound include diethylene glycol monoethyl ether.
- the sulfoxide group-containing compound include dimethyl sulfoxide. These may be used alone or in combination of two or more, but it is particularly preferable to use at least one selected from dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, and diethylene glycol.
- the 2nd In the conductive polymer used in the present invention, the 2nd.
- the content of the dopant is preferably 0.001 part by mass or more, more preferably 0.01 to 50 parts by mass, and particularly preferably 0.01 to 10 parts by mass.
- the metal oxide used in the present invention is not particularly limited, but fine particles such as indium oxide, zinc oxide, cadmium oxide, gallium oxide, antimony oxide, aluminum oxide, or other metal elements are added to these oxides. Fine particles such as tin-added indium oxide (ITO), antimony-added tin oxide (ATO), zinc-added indium oxide (IZO), aluminum-added zinc oxide (AZO), and gallium-added zinc oxide (GZO) are preferably used.
- ITO tin-added indium oxide
- ATO antimony-added tin oxide
- IZO zinc-added indium oxide
- AZO aluminum-added zinc oxide
- GZO gallium-added zinc oxide
- those that constitute a transparent conductive film include tin-added indium oxide (ITO), antimony-added tin oxide (ATO), zinc-added indium oxide (IZO), and aluminum-added zinc oxide (AZO). Further, gallium-doped zinc oxide (GZO), indium oxide (In 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), and the like are preferable.
- the average particle diameter of the metal oxide is preferably 1 to 100 nm, particularly preferably 3 to 50 nm.
- the average particle size of the metal oxide was the BET particle size calculated by the following formula.
- BET particle size (nm) 6 / ( ⁇ ⁇ specific surface area) ⁇ 10 9
- ⁇ is the true specific gravity of the transparent conductive fine particles.
- the metal oxide is ITO (tin-containing indium oxide)
- ⁇ 7.13 ⁇ 10 9 (g / m 3 ).
- the specific surface area can be determined by the BET method (one point method).
- the patterned metal mesh part in the present invention is characterized by containing a metal nanowire and a conductive polymer, or a metal nanowire and a metal oxide. Either one or both of the conductive polymer and the metal oxide contained in the metal mesh portion in the present invention may be used.
- the non-pattern part in this invention contains a conductive polymer or a metal oxide, and does not contain metal nanowire.
- the conductive polymer or metal oxide contained in the non-pattern part in the present invention may be either one or both.
- the method for forming a layer containing metal nanowires, conductive polymers, and metal oxides in the present invention is a method of forming a film by applying and drying a dispersion containing metal nanowires and a dispersion containing conductive polymers or metal oxides.
- a liquid phase film forming method roll coating method, bar coating method, dip coating method, spin coating method, casting method, die coating method, blade coating method, bar coating method, gravure coating method, curtain coating , Spray coating, doctor coating, etc., letterpress (letter) printing, stencil (screen) printing, lithographic (offset) printing, intaglio (gravure) printing, spray printing, inkjet printing It is preferable to use a printing method such as
- the dispersion containing the metal nanowires is applied to the first support and dried, and then the dispersion containing the conductive polymer or the metal oxide is applied and dried.
- Molecules or metal nanowires and metal oxides are preferably present on the electrode surface and in the vicinity of the electrode surface in the conductive layer.
- the dispersion containing metal nanowires and the dispersion containing a conductive polymer or metal oxide used in the present invention may contain a transparent binder material or additive.
- the transparent binder material can be selected from a wide range of natural polymer resins or synthetic polymer resins.
- transparent thermoplastic resins eg, polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polymethyl methacrylate, nitrocellulose, chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, vinylidene fluoride), heat / light / electron beam
- a transparent curable resin that is cured by radiation for example, melamine acrylate, urethane acrylate, epoxy resin, polyimide resin, silicon resin such as acrylic-modified silicate
- the additive include plasticizers, stabilizers such as antioxidants and sulfurization inhibitors, surfactants, dissolution accelerators, polymerization inhibitors, and colorants such as dyes and pigments.
- solvents for example, organic solvents such as water, alcohols, glycols, cellosolves, ketones, esters, ethers, amides, hydrocarbons, etc.
- organic solvents such as water, alcohols, glycols, cellosolves, ketones, esters, ethers, amides, hydrocarbons, etc.
- a metal nanowire dispersion is first applied on a support and dried to form a metal nanowire layer, and then a photo resist that is patterned by chemical etching using a photoresist. After patterning the metal nanowire layer using a lithography method, a dispersion containing a conductive polymer or a metal oxide is applied onto a support and dried to pattern the metal mesh portion.
- the metal nanowire layer pattern may be formed by peeling off the non-patterned portion using a lift-off resist, or on the support using the printing method.
- a desired metal nanowire layer pattern may be formed on the substrate, and after the metal nanowire layer is formed on the support, the metal nanowire layer pattern portion is masked and the non-pattern portion is wiped off. May be removed.
- a metal nanowire layer patterned by the above method is formed on a support, and a dispersion containing a conductive polymer or metal oxide is applied onto the support and dried, so that the metal mesh portion and the non-pattern portion are formed. Can be formed.
- the adhesive constituting the adhesive layer used in the present invention is not particularly limited as long as it is transparent in the visible region (that is, has sufficient transmittance).
- a curable resin or a thermoplastic resin may be used.
- the curable resins include thermosetting resins, ultraviolet curable resins, and electron beam curable resins.
- the equipment for resin curing is simple and excellent in workability. Therefore, an ultraviolet curable resin is preferable.
- the adhesive layer is preferably an acrylic polymer or an epoxy polymer from the viewpoint of transparency.
- the adhesive layer may be provided on the metal mesh portion pattern portion and the non-pattern portion formed on the first support, or may be provided on the second support, and the metal mesh portion pattern portion. Then, after the non-pattern part is bonded to the adhesive layer side and buried, a curing process is performed.
- the bonding method is not particularly limited and can be performed by a sheet press, a roll press, or the like, but is preferably performed using a roll press machine.
- the roll press is a method in which a film to be bonded is sandwiched between the rolls, and the rolls are rotated.
- the roll press is uniformly pressed and has better productivity than the sheet press.
- the transparent electrode of the present invention can be obtained by peeling off the first support after the adhesion and curing treatment by the above method.
- the adhesive layer and the first support are made of a conductive polymer or metal oxide. Since it is completely separated, the first support can be easily peeled off, and the presence of a conductive polymer or metal oxide on the whole peeled surface prevents charging at the time of peeling. It is possible to suppress adhesion of dust that causes current leakage in the organic electroluminescence element.
- the arithmetic mean roughness Ra of the metal mesh portion in the transparent electrode of the present invention is 5 nm or less, the maximum height Rz is 50 nm or less, Ra is 2 nm or less, and Rz is preferably 30 nm or less, more preferably Ra. Is 1 nm or less, and Rz is 20 nm or less.
- the arithmetic average roughness Ra and the maximum height Rz of the metal mesh portion can be measured in the same manner as the arithmetic average roughness Ra and the maximum height Rz of the surface of the support described above.
- the maximum height difference between the pattern portion and the non-pattern portion of the metal mesh portion in the transparent electrode of the present invention is 50 nm or less, and preferably 30 nm or less.
- the total light transmittance of the pattern portion of the metal mesh portion in the transparent electrode of the present invention is preferably 60% or more, preferably 70% or more, and particularly preferably 80% or more.
- the total light transmittance can be measured according to a known method using a spectrophotometer or the like.
- the electric resistance value of the pattern portion of the metal mesh portion in the transparent electrode of the present invention is preferably 10 3 ⁇ / ⁇ or less, more preferably 10 2 ⁇ / ⁇ or less, and more preferably 10 ⁇ / ⁇ as the surface specific resistance.
- ⁇ is particularly preferably below.
- the surface specific resistance can be measured based on, for example, JIS K6911, ASTM D257, etc., and can be easily measured using a commercially available surface resistivity meter.
- the surface specific resistance only needs to satisfy the surface specific resistance in the state of the metal nanowire alone, and the metal nanowire functions as a bus electrode. Therefore, even if the surface specific resistance of the conductive polymer or metal oxide is high, the metal mesh The conductivity of the partial pattern portion can be made uniform.
- the surface resistivity of the conductive polymer or metal oxide in the pattern part of the metal mesh part and the non-pattern part does not affect the current leakage between the pattern parts of the metal mesh part, and the conductivity of the pattern part of the metal mesh part Is preferably 10 4 ⁇ / ⁇ or more and 10 9 ⁇ / ⁇ or less, more preferably 10 6 ⁇ / ⁇ or more and 10 9 ⁇ / ⁇ or less.
- An anchor coat or a hard coat can be applied to the transparent electrode of the present invention. Moreover, you may install the conductive layer containing a conductive polymer or a metal oxide further as needed.
- the transparent electrode of the present invention can be used for transparent electrodes such as LCDs, electroluminescent elements, plasma displays, electrochromic displays, solar cells, touch panels, electronic papers, electromagnetic shielding materials, etc., but has excellent conductivity and transparency. In addition, since it has high smoothness, it is preferably used for an organic electroluminescence element.
- the organic electroluminescent element in the present invention has the transparent electrode of the present invention.
- the organic electroluminescence device in the present invention uses the transparent electrode of the present invention as an anode, and the organic light emitting layer and the cathode may be any material or configuration generally used in organic electroluminescence devices. it can.
- the element configuration of the organic electroluminescence element is anode / organic light emitting layer / cathode, anode / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / cathode, anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport.
- Examples of various configurations such as layer / cathode, anode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, anode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode, etc. Can do.
- the organic light emitting layer is produced by a known method using the above materials and the like, and examples thereof include vapor deposition, coating, and transfer.
- the thickness of the organic light emitting layer is preferably 0.5 to 500 nm, particularly preferably 0.5 to 200 nm.
- the organic electroluminescence element in the present invention can be used for a self-luminous display, a backlight for liquid crystal, illumination and the like. Since the organic electroluminescence element of the present invention can emit light uniformly and without unevenness, it is preferably used for lighting purposes.
- Example 1 Preparation of transparent electrode >> [Preparation of transparent electrode TCF-1; comparative example] An ITO film was deposited on a polyethylene terephthalate film support having a thickness of 100 ⁇ m with an average film thickness of 150 nm, then cut into 50 mm ⁇ 50 mm square, and a striped transparent pattern electrode TCF-1 having a conductive layer pattern width of 10 mm was formed by photolithography. Produced.
- the reaction solution containing the core particles after the ripening was kept at 170 ° C. while stirring, 1000 ml of an ethylene glycol solution of silver nitrate (silver nitrate concentration: 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 mol / L), and ethylene glycol of polyvinylpyrrolidone. 1000 ml of a solution (vinyl pyrrolidone concentration conversion: 5.0 ⁇ 10 ⁇ 1 mol / L) was added at a constant flow rate for 100 minutes using a double jet method.
- the reaction solution was sampled every 20 minutes in the particle growth process and confirmed with an electron microscope, the silver nanoparticles formed in the nucleation process grew mainly in the long axis direction of the nanowires over time. No new core particles were observed in the grain growth process.
- the reaction solution was cooled to room temperature, filtered using a filter, and the silver nanowires separated by filtration were redispersed in ethanol. Filtration of silver nanowires with a filter and redispersion in ethanol were repeated 5 times, and finally an ethanol dispersion of silver nanowires was prepared to produce silver nanowires.
- a small amount of the obtained dispersion was collected and confirmed with an electron microscope, and it was confirmed that silver nanowires having an average diameter of 85 nm and an average length of 7.4 ⁇ m were formed.
- transparent electrode TCF-3 (Preparation of transparent electrode TCF-3; comparative example]
- a transparent electrode TCF-3 was prepared in the same manner as TCF-2 except that a solution obtained by adding 5% of dimethyl sulfoxide to the solution was applied so that the dry film thickness was 100 nm.
- Crimping was performed so that the adhesive layer of the produced adhesive film and the electrode pattern side of the transparent electrode TCF-2 face each other. Next, ultraviolet rays were irradiated from the adhesive film side to cure the ultraviolet curable resin, and the adhesive film and the transparent electrode TCF-2 were joined.
- the joined adhesive film and the transparent electrode TCF-2 were peeled off from the polyethylene terephthalate film support on the transparent electrode TCF-2 side to produce a transparent electrode TCF-4.
- TCF-5 Preparation of transparent electrode TCF-5; comparative example
- a transparent electrode TCF-5 was produced in the same manner as TCF-4 except that the transparent electrode to be pressure-bonded to the adhesive layer of the adhesive film was changed to TCF-3.
- Transparent Electrode TCF-7 Present Invention
- an ITO dispersion (trade name; EI) manufactured by Gemco Co., Ltd. with a dry film thickness of 100 nm was used.
- a transparent electrode TCF-7 was produced in the same manner as TCF-6 except that the coating was performed as described above.
- the silver nanowire dispersion liquid whose viscosity was adjusted was subjected to gravure printing (K printing) using a plate in which a striped pattern with a width of 10 mm was formed on a 100 ⁇ m-thick smooth polyethylene terephthalate film support subjected to corona discharge treatment.
- K printing gravure printing
- Proofer Matsuo Sangyo Co., Ltd.
- the number of printings was adjusted so that the amount of silver nanowires was 0.05 g / m 2 .
- the silver nanowire dispersion liquid whose viscosity was adjusted was mounted on an inkjet printer MJ-800C (manufactured by Seiko Epson Corporation), and was subjected to corona discharge treatment. A pattern was formed. The printing density and the number of printings were adjusted so that the basis weight of the silver nanowires was 0.05 g / m 2 .
- the surface specific resistance of the conductive layer pattern portion was measured by a four-terminal method using a resistivity meter Loresta GP manufactured by Dia Instruments.
- the surface shape is determined by measuring the surface of the electrode with an atomic force microscope (AFM), the arithmetic mean roughness Ra and the maximum height Rz of the pattern part surface of the metal mesh part, the pattern part and the non-pattern part of the metal mesh part of the transparent electrode The maximum height difference was calculated.
- AFM atomic force microscope
- the arithmetic average roughness Ra and the maximum height Rz of the pattern part surface of the metal mesh part are values according to the surface roughness specified in JIS B601 (2001), and in the present invention, Ra and Rz are measured for measurement. Using an atomic force microscope (Atomic Force Microscopy: AFM), the following method was used.
- an SPI 3800N probe station and SPA400 multifunctional unit manufactured by Seiko Instruments Inc. as the AFM set the sample cut to a size of about 1 cm square on a horizontal sample stage on the piezo scanner, and place the cantilever on the sample surface.
- scanning was performed in the XY direction, and the unevenness of the sample at that time was captured by the displacement of the piezo in the Z direction.
- a piezo scanner that can scan XY 150 ⁇ m and Z 5 ⁇ m was used.
- the cantilever was a silicon cantilever SI-DF20 manufactured by Seiko Instruments Inc., which had a resonance frequency of 132 kHz and a spring constant of 15 N / m, and was measured in the DFM mode (Dynamic Force Mode). A measurement area of 80 ⁇ 80 ⁇ m was measured at a scanning frequency of 0.1 Hz.
- the arithmetic average roughness Ra and the maximum height Rz on the coated surface side of the support before applying the conductive layer are each 0.6 nm. 18 nm.
- Table 1 shows the results of measurement and evaluation.
- Table 1 shows that the transparent electrode of the present invention is excellent in conductivity (surface specific resistance) and transparency (transmittance) and high in smoothness (surface shape).
- Example 2 Production of organic electroluminescence element >> Using the transparent electrodes TCF-1 to 9 produced in Example 1 as the first electrode (anode), organic electroluminescent elements OLED-1 to OLED-1 to 9 were produced in the following procedure.
- the host material polyvinylcarbazole (PVK) is 1% red dopant material Btp 2 Ir (acac), 2 % green dopant material Ir (ppy) 3 ,
- a coating solution for forming a light emitting layer in which blue dopant material FIr (pic) is mixed to 3% and dissolved in 1,2-dichloroethane so that the total solid concentration of PVK and the three dopants is 1%. was applied with a spin coater and then dried at 100 ° C. for 10 minutes to form a light emitting layer having a thickness of 60 nm.
- LiF was deposited as an electron transport layer forming material under a vacuum of 5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa to form an electron transport layer having a thickness of 0.5 nm.
- Second electrode On the formed electron transport layer, Al is formed as a second electrode (cathode) forming material under a vacuum of 5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa in a stripe shape having a width of 10 mm so as to be orthogonal to the metal mesh portion of the first electrode. Then, a second electrode having a thickness of 100 nm was formed.
- Rectification ratio current value when + 3V is applied / current value when -3V is applied Table 2 shows the evaluation results.
- the transparent electrode of the present invention having excellent conductivity and transparency and high smoothness is used as the electrode of the organic electroluminescence element, the organic electroluminescence element has little emission luminance unevenness and current leakage. I understand that.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
本発明は、導電性、透明性に優れ、平滑性が高い透明電極、その製造方法及び該透明電極を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。この透明電極は、透明支持体上に、パターン化された金属メッシュ部及び非パターン部を有する透明電極であって、該金属メッシュ部は金属ナノワイヤと導電性高分子、または金属ナノワイヤと金属酸化物を含有し、該非パターン部は導電性高分子または金属酸化物を含有し、かつ、該金属メッシュ部の表面の算術平均粗さRaが5nm以下、最大高さRzが50nm以下であり、該金属メッシュ部と該非パターン部の最大高低差が50nm以下であることを特徴とする。
Description
本発明は、導電性、透明性に優れ、平滑性が高い透明電極、その製造方法及び該透明電極を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
近年、薄型TV需要の高まりに伴い、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッション等、各種方式のディスプレイ技術が開発されている。これら表示方式の異なるいずれのディスプレイにおいても、透明電極は必須の構成技術となっている。また、テレビ以外でもタッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子においても、透明電極は欠くことのできない技術要素となっている。
従来、透明電極として、Au、Ag、Pt、Cu等の各種金属薄膜や、錫や亜鉛をドープした酸化インジウム(ITO、IZO)、アルミニウムやガリウムをドープした酸化亜鉛(AZO、GZO)、フッ素やアンチモンをドープした酸化錫(FTO、ATO)等の金属酸化物薄膜、TiN、ZrN、HfN等の導電性窒化物薄膜、LaB6等の導電性ホウ素化物薄膜が知られており、またこれらを組み合わせたBi2O3/Au/Bi2O3、TiO2/Ag/TiO2等の各種電極も知られている。無機物以外にも、CNT(カーボンナノチューブ)や導電性高分子を使用した透明電極も提案されている(例えば、非特許文献1参照)。
しかしながら、上述した金属薄膜、窒化物薄膜、ホウ素物薄膜及び導電性高分子薄膜は、光透過性と導電性の特性が両立し得ないため、電磁波シールド等の特殊な技術分野や、比較的高い抵抗値でも許容されるようなタッチパネル分野においてのみ使用されていた。
一方、金属酸化物薄膜は光透過性と導電性との両立が可能で耐久性にも優れるため、透明電極の主流となりつつある。特にITOは光透過性と導電性とのバランスがよく、酸溶液を用いたウェットエッチングによる電極微細パターン形成が容易であることから、各種オプトエレクトロニクス用の透明電極として多用されている。しかしながら、上記のITO等に代表される酸化物導電体は、スパッタリング法等の真空プロセスやゾル-ゲル法等の液相法により基体表面に透明導電膜を形成する。スパッタリング法等の真空プロセスで透明導電膜を形成するには、高価な設備が必要である。一方、液相法では、高い導電性を得るためには500℃以上の高温処理が必要である。
それ以外の透明電極としては、プラズマディスプレイの電磁波シールド膜に代表される金属パターンによりメッシュ構造を形成した透明電極が挙げられ、(例えば、特許文献1、2参照)また金属ナノワイヤを用いた微細メッシュからなる透明電極が開示されている(例えば、特許文献3参照)。特に銀を用いた金属メッシュでは、銀本来の高い導電率により良好な導電性と透明性を両立することができる。
しかし、金属メッシュ部には高い導電性を有しているが、メッシュ構造であるが故に光を透過する部分には導電性を有していないという欠点がある。
さらに有機エレクトロルミネッセンス素子用の電極には、表面が平滑な透明電極が必要とされている。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子用の電極の場合、その上に有機化合物の超薄膜を形成するため、透明電極には優れた表面平滑性が要求される。有機エレクトロルミネッセンス素子では、陽極の表面高低差(表面凹凸)が大きいと、その凸部(突起)に電界が集中してEL素子が破壊されたり、該凸部が陰極と短絡したりして、非発光点(エレクトロルミネッセンス素子表面上で発光しない点)が発生することがある。またパターン化された電極においては、電極パターンエッジ部での有機化合物の膜厚が薄くなり、そこから電流リークが発生し易い。これらの現象が起こると、有機エレクトロルミネッセンス素子の耐久性が著しく低下するので、陽極である透明電極には優れた平滑性が求められている。
特許文献4には、金属細線メッシュパターンの上にITOを塗布した透明導電性シートを用いた無機エレクトロルミネッセンス素子について記載されているが、無機エレクトロルミネッセンス素子よりもさらに高い平滑性が要求される有機エレクトロルミネッセンス素子については、一切触れられていない。
特許文献5には、紫外線硬化性の樹脂層と電極層を共に仮支持板より引き剥がす工程からなる電極層付き可撓性樹脂フィルムの製造方法について記載されているが、面全体の平滑性の指標となる算術平均粗さRaには何ら触れられておらず、また電極層形成は真空蒸着法やスパッタ法に限定されており、製造コストや設備が高価になる欠点がある。
「透明導電膜の技術」第80頁(オーム社出版局)
本発明の目的は、前記事情に鑑みてなされたものであり、導電性、透明性に優れ、平滑性が高い透明電極、その製造方法及び該透明電極を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を簡便に提供することにある。
本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。
1.透明支持体上に、パターン化された金属メッシュ部及び非パターン部を有する透明電極であって、該金属メッシュ部は金属ナノワイヤと導電性高分子、または金属ナノワイヤと金属酸化物を含有し、該非パターン部は導電性高分子または金属酸化物を含有し、かつ、該金属メッシュ部の表面の算術平均粗さRaが5nm以下、最大高さRzが50nm以下であり、該金属メッシュ部と該非パターン部の最大高低差が50nm以下であることを特徴とする透明電極。
2.前記1に記載の透明電極を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
3.透明支持体上に、パターン化された金属メッシュ部及び非パターン部を有する透明電極の製造方法であって、該金属メッシュ部は金属ナノワイヤと導電性高分子、または金属ナノワイヤと金属酸化物を含有し、該非パターン部は導電性高分子または金属酸化物を含有し、予め第一の支持体上に形成した該金属メッシュ部及び非パターン部を、接着層を介して第二の支持体上に接着した後に、第一の支持体を剥離することを特徴とする透明電極の製造方法。
4.前記金属ナノワイヤ、導電性高分子、金属酸化物を含む層が、液相成膜法により形成されることを特徴とする前記3に記載の透明電極の製造方法。
本発明によれば、導電性、透明性に優れ、平滑性が高い透明電極、その製造方法及び該透明電極を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を簡便に提供することができる。
以下、本発明について図により説明をする。
図1は、第一の支持体1上にパターン化された金属ナノワイヤ2を含有する金属メッシュ部及び導電性高分子または金属酸化物3を含有する非パターン部を、接着層(非表示)を介して第二の支持体(非表示)に転写する前の断面図である。
図2は、第一の支持体1上にパターン化された金属ナノワイヤ2を含有する金属メッシュ部及び導電性高分子または金属酸化物3を含有する非パターン部を、接着層4を介して第二の支持体10に転写した後、第一の支持体1を剥離して作製した透明電極20の断面図である。
図3は、パターン化された金属ナノワイヤ2を含有する金属メッシュ部及び導電性高分子または金属酸化物3を含有する非パターン部を有する透明電極20を電極表面側から見た図である。
以下、本発明とその構成要素等について詳細な説明をする。
〔支持体〕
本発明では、透明支持体として、プラスチックフィルム、プラスチック板、ガラス等を用いることができる。
本発明では、透明支持体として、プラスチックフィルム、プラスチック板、ガラス等を用いることができる。
プラスチックフィルム及びプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン、EVA等のポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリサルホン(PSF)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリカーボネート(PC)、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース(TAC)等を用いることができる。
本発明の透明電極の製造方法において、第一の支持体には、剥離した金属メッシュ部と非パターン部の剥離面を平滑にするため、表面の平滑性に優れているものが用いられる。第一の支持体の表面の平滑性(凹凸)は、算術平均粗さRaが5nm以下、かつ最大高さRzが50nm以下であることが好ましく、Raが2nm以下、かつRzが30nm以下であることがより好ましく、さらに好ましくはRaが1nm以下、かつRzが20nm以下である。
第一の支持体の表面は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等の下塗り層を付与して平滑化してもよいし、研磨等の機械加工によって平滑にすることもできる。また剥離を容易にするために離型層を形成してもよく、離型層の形成材は、公知の離型層を形成するポリマーやワックス等を適宜選択使用でき、例えばパラフィンワックス、アクリル系、ウレタン系、シリコン系、メラミン系、尿素系、尿素-メラミン系、セルロース系、ベンゾグアナミン系等の樹脂及び界面活性剤を、単独またはこれらの混合物を主成分とした有機溶剤もしくは水に溶解させた塗料をグラビア印刷法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法等の通常の印刷法で前記支持体上に塗布、乾燥(熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等硬化性塗膜には硬化)させて形成したものが挙げられる。離型層の厚さとしては特に制限はなく、0.1~3μm程度の範囲から適宜採用される。
ここで、第一の支持体の表面の平滑性(凹凸)を表すRaとRzとは、Ra=算術平均粗さとRz=最大高さ(表面の山頂部と谷底部との高低差)を意味し、JIS B601(2001)に規定される表面粗さに準ずる値である。本発明においてRaとRzの測定には、市販の原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscopy:AFM)を用いることができ、例えば、以下の方法で測定できる。
AFMとして、セイコーインスツルメンツ社製SPI3800Nプローブステーション及びSPA400多機能型ユニットを使用し、約1cm角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、XY方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をZ方向のピエゾの変位で捉える。ピエゾスキャナーは、XY150μm、Z5μmが走査可能なものを使用する。カンチレバーは、セイコーインスツルメンツ社製シリコンカンチレバーSI-DF20で、共振周波数120~150kHz、バネ定数12~20N/mのものを用い、DFMモード(Dynamic Force Mode)で測定する。測定領域80×80μmを、走査周波数0.1Hzで測定する。
本発明の透明電極の製造方法において、第二の支持体は、大気中の酸素、水分を遮断する目的でガスバリア層を設けるのが好ましい。ガスバリア層の形成材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物、金属窒化物が使用できる。これらの材料は、水蒸気バリア機能のほかに酸素バリア機能も有する。特にバリア性、耐溶剤性、透明性が良好な窒化シリコン、酸化窒化シリコンが好ましい。また、バリア層は必要に応じて多層構成とすることも可能である。ガスバリア層の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。
前記ガスバリア層を構成する各無機層の厚みに関しては特に限定されないが、典型的には1層当たり5~500nmの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは1層当たり10~200nmである。
ガスバリア層は第二の支持体の少なくとも一方の面に設けられ、接着層接着側に設けられるのが好ましく、両面に設けられるのがより好ましい。
〔金属ナノワイヤ〕
一般に、金属ナノワイヤとは、金属元素を主要な構成要素とする、原子スケールからnmサイズの直径を有する線状構造体のことをいう。
一般に、金属ナノワイヤとは、金属元素を主要な構成要素とする、原子スケールからnmサイズの直径を有する線状構造体のことをいう。
本発明に用いられる金属ナノワイヤとしては、1つの金属ナノワイヤで長い導電パスを形成するために、平均長さが3μm以上であることが好ましく、さらには3~500μmが好ましく、特に3~300μmであることが好ましい。併せて、長さの相対標準偏差は40%以下であることが好ましい。また、平均直径は、透明性の観点からは小さいことが好ましく、一方で、導電性の観点からは大きい方が好ましい。本発明においては、金属ナノワイヤの平均直径として10~300nmが好ましく、30~200nmであることがより好ましい。併せて、直径の相対標準偏差は20%以下であることが好ましい。
本発明に係る金属ナノワイヤの金属組成としては特に制限はなく、貴金属元素や卑金属元素の1種または複数の金属から構成することができるが、貴金属(例えば、金、白金、銀、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム等)及び鉄、コバルト、銅、錫からなる群に属する少なくとも1種の金属を含むことが好ましく、導電性の観点から少なくとも銀を含むことがより好ましい。また、導電性と安定性(金属ナノワイヤの硫化や酸化耐性、及びマイグレーション耐性)を両立するために、銀と、銀を除く貴金属に属する少なくとも1種の金属を含むことも好ましい。本発明に係る金属ナノワイヤが2種類以上の金属元素を含む場合には、例えば、金属ナノワイヤの表面と内部で金属組成が異なっていてもよいし、金属ナノワイヤ全体が同一の金属組成を有していてもよい。
本発明において金属ナノワイヤの製造手段には特に制限はなく、例えば、液相法や気相法等の公知の手段を用いることができる。また、具体的な製造方法にも特に制限はなく、公知の製造方法を用いることができる。例えば、Agナノワイヤの製造方法としては、Adv.Mater.,2002,14,833~837;Chem.Mater.,2002,14,4736~4745等、Auナノワイヤの製造方法としては特開2006-233252号公報等、Cuナノワイヤの製造方法としては特開2002-266007号公報等、Coナノワイヤの製造方法としては特開2004-149871号公報等を参考にすることができる。特に、上述した、Adv.Mater.及びChem.Mater.で報告されたAgナノワイヤの製造方法は、水系で簡便にAgナノワイヤを製造することができ、また銀の導電率は金属中で最大であることから、本発明に係る金属ナノワイヤの製造方法として好ましく適用することができる。
〔導電性高分子〕
本発明に用いられる導電性高分子としては、特に限定されず、ポリピロール、ポリインドール、ポリカルバゾール、ポリチオフェン(基本のポリチオフェンを含む、以下同様)系、ポリアニリン系、ポリアセチレン系、ポリフラン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリアズレン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンサルファイド系、ポリイソチアナフテン系、ポリチアジル等の鎖状導電性ポリマーや、ポリアセン系導電性ポリマーも利用することができる。中でも、導電性、透明性等の観点からポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)やポリアニリン系が好ましい。
本発明に用いられる導電性高分子としては、特に限定されず、ポリピロール、ポリインドール、ポリカルバゾール、ポリチオフェン(基本のポリチオフェンを含む、以下同様)系、ポリアニリン系、ポリアセチレン系、ポリフラン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリアズレン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンサルファイド系、ポリイソチアナフテン系、ポリチアジル等の鎖状導電性ポリマーや、ポリアセン系導電性ポリマーも利用することができる。中でも、導電性、透明性等の観点からポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)やポリアニリン系が好ましい。
また、本発明においては、上記導電性高分子の導電性をより高めるために、ドーピング処理を施すことが好ましい。導電性高分子に対するドーパントとしては、例えば、炭素数が6~30の炭化水素基を有するスルホン酸(以下「長鎖スルホン酸」ともいう。)あるいはその重合体(例えば、ポリスチレンスルホン酸)、ハロゲン、ルイス酸、プロトン酸、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、MClO4(M=Li+、Na+)、R4N+(R=CH3、C4H9、C6H5)、またはR4P+(R=CH3、C4H9、C6H5)からなる群から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。中でも、上記長鎖スルホン酸が好ましい。
長鎖スルホン酸としては、ジノニルナフタレンジスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。ハロゲンとしては、Cl2、Br2、I2、ICl3、IBr、IF5等が挙げられる。ルイス酸としては、PF5、AsF5、SbF5、BF3、BCl3、BBr3、SO3、GaCl3等が挙げられる。プロトン酸としては、HF、HCl、HNO3、H2SO4、HBF4、HClO4、FSO3H、ClSO3H、CF3SO3H等が挙げられる。遷移金属ハロゲン化物としては、NbF5、TaF5、MoF5、WF5、RuF5、BiF5、TiCl4、ZrCl4、MoCl5、MoCl3、WCl5、FeCl3、TeCl4、SnCl4、SeCl4、FeBr3、SnI5等が挙げられる。遷移金属化合物としては、AgClO4、AgBF4、La(NO3)3、Sm(NO3)3等が挙げられる。アルカリ金属としては、Li、Na、K、Rb、Cs等が挙げられる。アルカリ土類金属としては、Be、Mg、Ca、Sc、Ba等が挙げられる。
また、導電性高分子に対するドーパントは、水素化フラーレン、水酸化フラーレン、スルホン酸化フラーレン等のフラーレン類に導入されていてもよい。上記ドーパントは、導電性高分子100質量部に対して、0.001質量部以上含まれていることが好ましい。さらには、0.5質量部以上含まれていることがより好ましい。なお、本実施形態の透明導電性組成物は、長鎖スルホン酸、長鎖スルホン酸の重合体(例えば、ポリスチレンスルホン酸)、ハロゲン、ルイス酸、プロトン酸、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、MClO4、R4N+、及びR4P+からなる群から選ばれる少なくとも1種のドーパントと、フラーレン類との双方を含んでいてもよい。
本発明に用いられる導電性高分子は、2nd.ドーパントとして水溶性有機化合物を含有してもよい。本発明で用いることができる水溶性有機化合物には特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、酸素含有化合物が好適に挙げられる。前記酸素含有化合物としては、酸素を含有する限り特に制限はなく、例えば、水酸基含有化合物、カルボニル基含有化合物、エーテル基含有化合物、スルホキシド基含有化合物等が挙げられる。前記水酸基含有化合物としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、1,4-ブタンジオール、グリセリン等が挙げられ、これらの中でも、エチレングリコール、ジエチレングリコールが好ましい。前記カルボニル基含有化合物としては、例えば、イソホロン、プロピレンカーボネート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン等が挙げられる。前記エーテル基含有化合物としては、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。前記スルホキシド基含有化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよいが、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、ジエチレングリコールから選ばれる少なくとも1種を用いることが特に好ましい。
本発明に用いられる導電性高分子において、導電性高分子100質量部に対する上記2nd.ドーパントの含有量は0.001質量部以上が好ましく、0.01~50質量がより好ましく、0.01~10質量部が特に好ましい。
〔金属酸化物〕
本発明に用いられる金属酸化物としては、特に限定されないが、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化ガリウム、酸化アンチモン、酸化アルミニウム等の微粒子、あるいは、これら酸化物に他の金属元素を添加したスズ添加酸化インジウム(ITO)、アンチモン添加酸化スズ(ATO)、亜鉛添加酸化インジウム(IZO)、アルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)、ガリウム添加酸化亜鉛(GZO)等の微粒子が好適に用いられる。
本発明に用いられる金属酸化物としては、特に限定されないが、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化ガリウム、酸化アンチモン、酸化アルミニウム等の微粒子、あるいは、これら酸化物に他の金属元素を添加したスズ添加酸化インジウム(ITO)、アンチモン添加酸化スズ(ATO)、亜鉛添加酸化インジウム(IZO)、アルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)、ガリウム添加酸化亜鉛(GZO)等の微粒子が好適に用いられる。
これらの金属酸化物のうち、特に透明導電膜を構成するものとしては、スズ添加酸化インジウム(ITO)、アンチモン添加酸化スズ(ATO)、亜鉛添加酸化インジウム(IZO)、アルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)、ガリウム添加酸化亜鉛(GZO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化亜鉛(ZnO)等が好適である。
金属酸化物の平均粒径として1~100nmであることが好ましく、3~50nmであることが特に好ましい。金属酸化物の平均粒径は、下記式により計算したBET粒径を用いた。
BET粒径(nm)=6/(ρ×比表面積)×109
但し、ρは透明導電性微粒子の真比重であり、例えば、金属酸化物がITO(錫含有酸化インジウム)である場合には、ρ=7.13×109(g/m3)となる。また、比表面積は、BET法(一点法)により求めることができる。
但し、ρは透明導電性微粒子の真比重であり、例えば、金属酸化物がITO(錫含有酸化インジウム)である場合には、ρ=7.13×109(g/m3)となる。また、比表面積は、BET法(一点法)により求めることができる。
〔金属メッシュ部及び非パターン部〕
本発明におけるパターン化された金属メッシュ部は、金属ナノワイヤと導電性高分子、または金属ナノワイヤと金属酸化物を含有することを特徴とする。本発明における金属メッシュ部に含有される導電性高分子または金属酸化物は、どちらか一方だけでもよいし、両方であってもよい。また本発明における非パターン部は、導電性高分子または金属酸化物を含有し、金属ナノワイヤは含有しないことを特徴とする。本発明における非パターン部に含有される導電性高分子または金属酸化物は、どちらか一方だけでもよいし、両方であってもよい。導電部の金属ナノワイヤを相互に接触してメッシュ状にした金属メッシュ部を得るには、下記の液相成膜法を用いれば容易に得ることができる。
本発明におけるパターン化された金属メッシュ部は、金属ナノワイヤと導電性高分子、または金属ナノワイヤと金属酸化物を含有することを特徴とする。本発明における金属メッシュ部に含有される導電性高分子または金属酸化物は、どちらか一方だけでもよいし、両方であってもよい。また本発明における非パターン部は、導電性高分子または金属酸化物を含有し、金属ナノワイヤは含有しないことを特徴とする。本発明における非パターン部に含有される導電性高分子または金属酸化物は、どちらか一方だけでもよいし、両方であってもよい。導電部の金属ナノワイヤを相互に接触してメッシュ状にした金属メッシュ部を得るには、下記の液相成膜法を用いれば容易に得ることができる。
本発明における金属ナノワイヤ、導電性高分子、金属酸化物を含む層の形成方法は、金属ナノワイヤを含む分散液と、導電性高分子または金属酸化物を含む分散液を塗布、乾燥して膜形成する液相成膜法であれば特に制限はなく、ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法等の塗布法や、凸版(活版)印刷法、孔版(スクリーン)印刷法、平版(オフセット)印刷法、凹版(グラビア)印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法を用いることが好ましい。
本発明においては、第一の支持体上に金属ナノワイヤを含む分散液を塗布、乾燥した後に、導電性高分子または金属酸化物を含む分散液を塗布、乾燥して、金属ナノワイヤと導電性高分子、または金属ナノワイヤと金属酸化物を、該導電層中の電極表面及び電極表面近傍に存在させるのが好ましい。これにより、金属ナノワイヤ同士の接触点数が増大して導電性が向上し、さらにメッシュ状に形成された金属ナノワイヤの隙間に導電性高分子または金属酸化物が入り込むことで、金属ナノワイヤ及び金属ナノワイヤ間隙部の導電性を均一化することができる。
本発明に用いられる金属ナノワイヤを含む分散液と、導電性高分子または金属酸化物を含む分散液には、透明なバインダー材料や添加剤を含んでいてもよい。透明なバインダー材料としては、天然高分子樹脂または合成高分子樹脂から広く選択して使用することができる。例えば、透明な熱可塑性樹脂(例えば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フッ化ビニリデン)や、熱・光・電子線・放射線で硬化する透明硬化性樹脂(例えば、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル変性シリケート等のシリコン樹脂)を使用することができる。添加剤としては、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤等の安定剤、界面活性剤、溶解促進剤、重合禁止剤、染料や顔料等の着色剤等が挙げられる。さらに、塗布性等の作業性を高める観点から、溶媒(例えば、水や、アルコール類、グリコール類、セロソルブ類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、炭化水素類等の有機溶媒)を含んでいてもよい。
〔パターン化〕
本発明における金属メッシュ部をパターン化する方法としては、支持体上にまず金属ナノワイヤ分散液を塗布、乾燥して金属ナノワイヤ層を形成した後、フォトレジストを用いて、ケミカルエッチングによりパターニングを施すフォトリソグラフィー方式を用いて金属ナノワイヤ層をパターン化した後、導電性高分子または金属酸化物を含む分散液を支持体上に塗布、乾燥して金属メッシュ部をパターン化することができる。他に金属ナノワイヤ層をパターン化する方法としては、リフトオフ用レジストを用いて非パターン部となる部分を剥離して金属ナノワイヤ層パターンを形成してもよいし、前記印刷法を用いて支持体上に所望の金属ナノワイヤ層パターンを形成してもよく、支持体上に金属ナノワイヤ層を形成した後に、金属ナノワイヤ層パターン部となる部分にマスキングを施し非パターン部となる部分を拭き取る等して物理的に除去してもよい。
本発明における金属メッシュ部をパターン化する方法としては、支持体上にまず金属ナノワイヤ分散液を塗布、乾燥して金属ナノワイヤ層を形成した後、フォトレジストを用いて、ケミカルエッチングによりパターニングを施すフォトリソグラフィー方式を用いて金属ナノワイヤ層をパターン化した後、導電性高分子または金属酸化物を含む分散液を支持体上に塗布、乾燥して金属メッシュ部をパターン化することができる。他に金属ナノワイヤ層をパターン化する方法としては、リフトオフ用レジストを用いて非パターン部となる部分を剥離して金属ナノワイヤ層パターンを形成してもよいし、前記印刷法を用いて支持体上に所望の金属ナノワイヤ層パターンを形成してもよく、支持体上に金属ナノワイヤ層を形成した後に、金属ナノワイヤ層パターン部となる部分にマスキングを施し非パターン部となる部分を拭き取る等して物理的に除去してもよい。
上記方法でパターン化された金属ナノワイヤ層を支持体上に形成し、導電性高分子または金属酸化物を含む分散液を支持体上に塗布、乾燥することで、金属メッシュ部と非パターン部を形成することができる。
〔接着層〕
本発明に用いられる接着層を構成する接着剤としては、可視領域で透明であれば(すなわち、十分な透過率を有すれば)特に限定されない。透明であれば、硬化型樹脂でもよいし、熱可塑性樹脂でもよい。硬化型樹脂としては、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂等が挙げられるが、これらの硬化型樹脂のうちでは、樹脂硬化のための設備が簡易で作業性に優れることから、紫外線硬化型樹脂が好ましい。接着剤層は、透明性の観点からは、アクリル系重合体またはエポキシ系重合体が好ましい。本発明では接着層は、第一の支持体に形成された金属メッシュ部パターン部及び非パターン部上に設けてもよいし、第二の支持体上に設けてもよく、金属メッシュ部パターン部及び非パターン部を接着層側に接着して埋没させた後、硬化処理を行う。
本発明に用いられる接着層を構成する接着剤としては、可視領域で透明であれば(すなわち、十分な透過率を有すれば)特に限定されない。透明であれば、硬化型樹脂でもよいし、熱可塑性樹脂でもよい。硬化型樹脂としては、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂等が挙げられるが、これらの硬化型樹脂のうちでは、樹脂硬化のための設備が簡易で作業性に優れることから、紫外線硬化型樹脂が好ましい。接着剤層は、透明性の観点からは、アクリル系重合体またはエポキシ系重合体が好ましい。本発明では接着層は、第一の支持体に形成された金属メッシュ部パターン部及び非パターン部上に設けてもよいし、第二の支持体上に設けてもよく、金属メッシュ部パターン部及び非パターン部を接着層側に接着して埋没させた後、硬化処理を行う。
接着方法は特に限定されることなく、シートプレス、ロールプレス等により行うことができるが、ロールプレス機を用いて行うことが好ましい。ロールプレスは、ロールとロールの間に接着すべきフィルムを挟んで圧着し、ロールを回転させる方法である。ロールプレスは均一に圧力がかけられ、シートプレスよりも生産性がよく好適である。
上記方法で接着、硬化処理を行った後、第一の支持体を剥離することにより本発明の透明電極が得られるが、接着層と第一の支持体は導電性高分子または金属酸化物で完全に分離されているので、第一の支持体は容易に剥離することができ、また剥離面全面に導電性高分子または金属酸化物が存在することで、剥離時の帯電を防止し、特に有機エレクトロルミネッセンス素子における電流リークの原因となるゴミの付着を抑えることができる。
〔透明電極〕
本発明の透明電極における金属メッシュ部の算術平均粗さRaは5nm以下、かつ最大高さRzが50nm以下であり、Raが2nm以下、かつRzが30nm以下であることが好ましく、より好ましくはRaが1nm以下、かつRzが20nm以下である。なお、金属メッシュ部の算術平均粗さRaと最大高さRzは、先述の支持体の表面の算術平均粗さRaと最大高さRzと同様にして測定することができる。
本発明の透明電極における金属メッシュ部の算術平均粗さRaは5nm以下、かつ最大高さRzが50nm以下であり、Raが2nm以下、かつRzが30nm以下であることが好ましく、より好ましくはRaが1nm以下、かつRzが20nm以下である。なお、金属メッシュ部の算術平均粗さRaと最大高さRzは、先述の支持体の表面の算術平均粗さRaと最大高さRzと同様にして測定することができる。
本発明の透明電極における金属メッシュ部のパターン部と非パターン部の最大高低差は、50nm以下であり、30nm以下であることが好ましい。
本発明の透明電極における金属メッシュ部のパターン部の全光線透過率は、60%以上、好ましくは70%以上、特に好ましくは80%以上であることが望ましい。全光透過率は、分光光度計等を用いた公知の方法に従って測定することができる。
本発明の透明電極における金属メッシュ部のパターン部の電気抵抗値としては、表面比抵抗として103Ω/□以下であることが好ましく、102Ω/□以下であることがより好ましく、10Ω/□以下であることが特に好ましい。表面比抵抗は、例えば、JIS K6911、ASTM D257、等に準拠して測定することができ、また市販の表面抵抗率計を用いて簡便に測定することができる。表面比抵抗は、金属ナノワイヤ単独の状態で前記表面比抵抗を満たしていればよく、金属ナノワイヤがバス電極として機能するため、導電性高分子または金属酸化物の表面比抵抗が高くても金属メッシュ部パターン部の導電性を均一化することができる。金属メッシュ部のパターン部と非パターン部の導電性高分子または金属酸化物の表面比抵抗としては、金属メッシュ部のパターン部間の電流リークに影響なく、かつ金属メッシュ部のパターン部の導電性が均一化可能な、104Ω/□以上109Ω/□以下であることが好ましく、より好ましくは106Ω/□以上109Ω/□以下である。
本発明の透明電極には、アンカーコートやハードコート等を付与することもできる。また必要に応じて、さらに導電性高分子または金属酸化物を含有する導電層を設置してもよい。
本発明の透明電極は、LCD、エレクトロルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル等の透明電極、電子ペーパーならびに電磁波遮蔽材等に用いることができるが、導電性、透明性に優れ、また平滑性も高いため、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いるのが好ましい。
〔有機エレクトロルミネッセンス素子〕
本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子は、本発明の透明電極を有することを特徴とする。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子は、本発明の透明電極を陽極として用い、有機発光層、陰極については有機エレクトロルミネッセンス素子に一般的に使われている材料、構成等の任意のものを用いることができる。
本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子は、本発明の透明電極を有することを特徴とする。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子は、本発明の透明電極を陽極として用い、有機発光層、陰極については有機エレクトロルミネッセンス素子に一般的に使われている材料、構成等の任意のものを用いることができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構成としては、陽極/有機発光層/陰極、陽極/ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極、陽極/ホール注入層/ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極、陽極/ホール注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、陽極/ホール注入層/有機発光層/電子注入層/陰極、等の各種の構成のものを挙げることができる。
また、本発明において有機発光層に使用できる発光材料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8-ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4-メチル-8-キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5-フェニル-8-キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ-(p-ターフェニル-4-イル)アミン、1-アリール-2,5-ジ(2-チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチルベンゼン誘導体、ジスチルアリーレン誘導体、及び各種蛍光色素及び希土類金属錯体、燐光発光材料等があるが、これらに限定されるものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を90~99.5質量部、ドーピング材料を0.5~10質量部含むようにすることも好ましい。有機発光層は上記の材料等を用いて公知の方法によって作製されるものであり、蒸着、塗布、転写等の方法が挙げられる。この有機発光層の厚みは0.5~500nmが好ましく、特に、0.5~200nmが好ましい。
本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子は、自発光型ディスプレイ、液晶用バックライト、照明等に用いることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、均一にムラなく発光させることができるため、照明用途で用いることが好ましい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。なお、実施例において「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量%」を表す。
実施例1
《透明電極の作製》
〔透明電極TCF-1の作製;比較例〕
厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に、ITOを平均膜厚150nmで蒸着した後、50mm×50mm角に裁断し、フォトリソグラフィー法により導電層パターン幅10mmのストライプ状透明パターン電極TCF-1を作製した。
《透明電極の作製》
〔透明電極TCF-1の作製;比較例〕
厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に、ITOを平均膜厚150nmで蒸着した後、50mm×50mm角に裁断し、フォトリソグラフィー法により導電層パターン幅10mmのストライプ状透明パターン電極TCF-1を作製した。
〔透明電極TCF-2の作製;比較例〕
非特許文献4(Adv.Mater.,2002,14,833~837)に記載の方法を参考に、下記の方法で銀ナノワイヤを作製した。
非特許文献4(Adv.Mater.,2002,14,833~837)に記載の方法を参考に、下記の方法で銀ナノワイヤを作製した。
(核形成工程)
反応容器内で170℃に保持したEG液1000mlを攪拌しながら、硝酸銀のエチレングリコール溶液(硝酸銀濃度:1.5×10-4モル/L)100mlを一定の流量で10秒間で添加した。その後、170℃で10分間熟成を施し、銀の核粒子を形成した。熟成終了後の反応液は、銀ナノ粒子の表面プラズモン吸収に由来した黄色を呈しており、銀イオンが還元されて、銀ナノ粒子が形成されたことが確認された。
反応容器内で170℃に保持したEG液1000mlを攪拌しながら、硝酸銀のエチレングリコール溶液(硝酸銀濃度:1.5×10-4モル/L)100mlを一定の流量で10秒間で添加した。その後、170℃で10分間熟成を施し、銀の核粒子を形成した。熟成終了後の反応液は、銀ナノ粒子の表面プラズモン吸収に由来した黄色を呈しており、銀イオンが還元されて、銀ナノ粒子が形成されたことが確認された。
(粒子成長工程)
上記の熟成を終了した核粒子を含む反応液を攪拌しながら170℃に保持し、硝酸銀のエチレングリコール溶液(硝酸銀濃度:1.0×10-1モル/L)1000mlと、ポリビニルピロリドンのエチレングリコール溶液(ビニルピロリドン濃度換算:5.0×10-1モル/L)1000mlを、ダブルジェット法を用いて一定の流量で100分間で添加した。粒子成長工程において20分毎に反応液を採取して電子顕微鏡で確認したところ、核形成工程で形成された銀ナノ粒子が時間経過に伴って、主にナノワイヤの長軸方向に成長しており、粒子成長工程における新たな核粒子の生成は認められなかった。
上記の熟成を終了した核粒子を含む反応液を攪拌しながら170℃に保持し、硝酸銀のエチレングリコール溶液(硝酸銀濃度:1.0×10-1モル/L)1000mlと、ポリビニルピロリドンのエチレングリコール溶液(ビニルピロリドン濃度換算:5.0×10-1モル/L)1000mlを、ダブルジェット法を用いて一定の流量で100分間で添加した。粒子成長工程において20分毎に反応液を採取して電子顕微鏡で確認したところ、核形成工程で形成された銀ナノ粒子が時間経過に伴って、主にナノワイヤの長軸方向に成長しており、粒子成長工程における新たな核粒子の生成は認められなかった。
(水洗工程)
粒子成長工程終了後、反応液を室温まで冷却した後、フィルターを用いて濾過し、濾別された銀ナノワイヤをエタノール中に再分散した。フィルターによる銀ナノワイヤの濾過とエタノール中への再分散を5回繰り返し、最終的に銀ナノワイヤのエタノール分散液を調製して、銀ナノワイヤを作製した。
粒子成長工程終了後、反応液を室温まで冷却した後、フィルターを用いて濾過し、濾別された銀ナノワイヤをエタノール中に再分散した。フィルターによる銀ナノワイヤの濾過とエタノール中への再分散を5回繰り返し、最終的に銀ナノワイヤのエタノール分散液を調製して、銀ナノワイヤを作製した。
得られた分散液を微量採取し、電子顕微鏡で確認したところ、平均直径85nm、平均長さ7.4μmの銀ナノワイヤが形成されたことが確認できた。
作製した銀ナノワイヤの分散液を、平滑加工を施した厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に、銀ナノワイヤの目付け量が0.05g/m2となるように、銀ナノワイヤの分散液をスピンコーターを用いて塗布し乾燥した。続いて、銀ナノワイヤの塗布層にカレンダー処理を施した後、50mm×50mm角に裁断し、フォトリソグラフィー法により電極パターン幅10mmのストライプ状透明パターン電極TCF-2を作製した。
〔透明電極TCF-3の作製;比較例〕
透明電極TCF-2において、銀ナノワイヤの塗布層にカレンダー処理を施した後、PEDOT:PSS(ポリスチレンスルホン酸)=1:2.5の分散液であるBaytron PH510(H.C.Starck社製)にジメチルスルホキシドを5%添加した液を、乾燥膜厚が100nmとなるように塗布する以外はTCF-2と同様にして、透明電極TCF-3を作製した。
透明電極TCF-2において、銀ナノワイヤの塗布層にカレンダー処理を施した後、PEDOT:PSS(ポリスチレンスルホン酸)=1:2.5の分散液であるBaytron PH510(H.C.Starck社製)にジメチルスルホキシドを5%添加した液を、乾燥膜厚が100nmとなるように塗布する以外はTCF-2と同様にして、透明電極TCF-3を作製した。
〔透明電極TCF-4の作製;比較例〕
(接着フィルムの作製)
厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム支持体の片面側に易接着加工を施し、易接着面上に接着層として紫外線硬化性樹脂(UVPOTミディアム0、帝国インキ(株)製)を3μmの厚みに塗布して、接着フィルムを作製した。
(接着フィルムの作製)
厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム支持体の片面側に易接着加工を施し、易接着面上に接着層として紫外線硬化性樹脂(UVPOTミディアム0、帝国インキ(株)製)を3μmの厚みに塗布して、接着フィルムを作製した。
作製した接着フィルムの接着層と、透明電極TCF-2の電極パターン側とが対面するように圧着した。次いで接着フィルムの側から紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させ、接着フィルムと透明電極TCF-2とを接合した。
接合した接着フィルムと透明電極TCF-2を、透明電極TCF-2側のポリエチレンテレフタレートフィルム支持体を剥離して、透明電極TCF-4を作製した。
〔透明電極TCF-5の作製;比較例〕
接着フィルムの接着層に圧着する透明電極を、TCF-3に変更する以外はTCF-4と同様にして、透明電極TCF-5を作製した。
接着フィルムの接着層に圧着する透明電極を、TCF-3に変更する以外はTCF-4と同様にして、透明電極TCF-5を作製した。
〔透明電極TCF-6の作製;本発明〕
透明電極TCF-5において、Baytron PH510ジメチルスルホキシド5%の塗布を、銀ナノワイヤの塗布層をフォトリソグラフィー法により電極パターンを形成した後に行う以外はTCF-5と同様にして、透明電極TCF-6を作製した。
透明電極TCF-5において、Baytron PH510ジメチルスルホキシド5%の塗布を、銀ナノワイヤの塗布層をフォトリソグラフィー法により電極パターンを形成した後に行う以外はTCF-5と同様にして、透明電極TCF-6を作製した。
〔透明電極TCF-7の作製;本発明〕
透明電極TCF-6において、フォトリソグラフィー法により電極パターンを形成した後、Baytron PH510ジメチルスルホキシド5%添加液の代わりに、株式会社ジェムコ製ITO分散液(商品名;EI)を乾燥膜厚が100nmとなるように塗布する以外はTCF-6と同様にして、透明電極TCF-7を作製した。
透明電極TCF-6において、フォトリソグラフィー法により電極パターンを形成した後、Baytron PH510ジメチルスルホキシド5%添加液の代わりに、株式会社ジェムコ製ITO分散液(商品名;EI)を乾燥膜厚が100nmとなるように塗布する以外はTCF-6と同様にして、透明電極TCF-7を作製した。
〔透明電極TCF-8の作製;本発明〕
透明電極TCF-2において、銀ナノワイヤの作製において、水洗工程でエタノールへの再分散を水に代えた以外は同様の操作を行った。さらに、カルボキシメチルセルロースを添加し、粘度が30cP(30mPa・s)となるように調整し、銀ナノワイヤ分散液を作製した。
透明電極TCF-2において、銀ナノワイヤの作製において、水洗工程でエタノールへの再分散を水に代えた以外は同様の操作を行った。さらに、カルボキシメチルセルロースを添加し、粘度が30cP(30mPa・s)となるように調整し、銀ナノワイヤ分散液を作製した。
次いで、粘度調整した銀ナノワイヤ分散液を、コロナ放電処理を施した厚さ100μmの平滑加工済みポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に、10mm幅のストライプ状パターンを形成した版を用い、グラビア印刷(Kプリンティングプルーファー:松尾産業株式会社製)を行った。なお、銀ナノワイヤの目付け量が0.05g/m2となるように印刷回数を調整した。
次いで、ドクターブレードを用いて、Baytron PH510ジメチルスルホキシド5%添加液を、乾燥膜厚が100nmとなるように塗布した。
これを用いて、透明電極TCF-4と同様の操作を行い、透明電極TCF-8を作製した。
〔透明電極TCF-9の作製;本発明〕
透明電極TCF-8の作製で用いた銀ナノワイヤ分散液及びBaytron PH510ジメチルスルホキシド5%添加液において、カルボキシメチルセルロースをグリセリンに代え、粘度を15cP(15mPa・s)に調整した。
透明電極TCF-8の作製で用いた銀ナノワイヤ分散液及びBaytron PH510ジメチルスルホキシド5%添加液において、カルボキシメチルセルロースをグリセリンに代え、粘度を15cP(15mPa・s)に調整した。
次いで、粘度調整した銀ナノワイヤ分散液をインクジェットプリンターMJ-800C(セイコーエプソン社製)に装着し、コロナ放電処理を施した厚さ100μmの平滑加工済みポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に10mm幅のストライプ状パターンを形成した。なお、銀ナノワイヤの目付け量が0.05g/m2となるように印刷濃度、印刷回数を調整した。
次いで、ドクターブレードを用いて、Baytron PH510ジメチルスルホキシド5%添加液を、乾燥膜厚が100nmとなるように塗布した。
これを用いて、透明電極TCF-4と同様の操作を行い、透明電極TCF-9を作製した。
《透明電極の測定及び評価》
下記方法で、透明電極TCF-1~9の透過率、表面比抵抗測定及び表面形状について評価した。
下記方法で、透明電極TCF-1~9の透過率、表面比抵抗測定及び表面形状について評価した。
(透過率)
透過率は、東京電色社製AUTOMATICHAZEMETER(MODEL TC-HIIIDP)を用いて、導電層パターン部の全光線透過率を測定した。
透過率は、東京電色社製AUTOMATICHAZEMETER(MODEL TC-HIIIDP)を用いて、導電層パターン部の全光線透過率を測定した。
(表面比抵抗)
表面比抵抗は、ダイアインスツルメンツ製抵抗率計ロレスタGPを用いて導電層パターン部の表面比抵抗を四端子法で測定した。
表面比抵抗は、ダイアインスツルメンツ製抵抗率計ロレスタGPを用いて導電層パターン部の表面比抵抗を四端子法で測定した。
(表面形状)
表面形状は、電極表面を原子間力顕微鏡(AFM)で測定し、金属メッシュ部のパターン部表面の算術平均粗さRa及び最大高さRz、透明電極の金属メッシュ部のパターン部と非パターン部の最大高低差を求めた。
表面形状は、電極表面を原子間力顕微鏡(AFM)で測定し、金属メッシュ部のパターン部表面の算術平均粗さRa及び最大高さRz、透明電極の金属メッシュ部のパターン部と非パターン部の最大高低差を求めた。
金属メッシュ部のパターン部表面の算術平均粗さRa及び最大高さRzは、JIS B601(2001)に規定される表面粗さに準ずる値であり、本発明においてRaとRzの測定には、市販の原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscopy:AFM)を用い、以下の方法で測定した。
AFMとして、セイコーインスツルメンツ社製SPI3800Nプローブステーション及びSPA400多機能型ユニットを使用し、約1cm角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、XY方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をZ方向のピエゾの変位で捉えた。ピエゾスキャナーは、XY150μm、Z5μmが走査可能なものを使用した。カンチレバーは、セイコーインスツルメンツ社製シリコンカンチレバーSI-DF20で、共振周波数132kHz、バネ定数15N/mのものを用い、DFMモード(Dynamic Force Mode)で測定した。測定領域80×80μmを、走査周波数0.1Hzで測定した。
なお、透明電極TCF-4~6で導電層塗布に用いたフィルム支持体において、導電層を塗布する前の支持体の塗布面側の算術平均粗さRa及び最大高さRzはそれぞれ0.6nm、18nmであった。
測定及び評価の結果を表1に示す。
表1より、本発明の透明電極は、導電性(表面比抵抗)、透明性(透過率)に優れ、平滑性(表面形状)が高いことが分かる。
実施例2
《有機エレクトロルミネッセンス素子の作製》
実施例1で作製した透明電極TCF-1~9を第1電極(陽極)に用いて、以下の手順でそれぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子OLED-1~9を作製した。
《有機エレクトロルミネッセンス素子の作製》
実施例1で作製した透明電極TCF-1~9を第1電極(陽極)に用いて、以下の手順でそれぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子OLED-1~9を作製した。
(正孔輸送層の形成)
第1電極上に、1,2-ジクロロエタン中に1%となるように正孔輸送材料の4,4′-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)を溶解させた正孔輸送層形成用塗布液をスピンコート装置で塗布した後、80℃、60分間乾燥して、厚さ40nmの正孔輸送層を形成した。
第1電極上に、1,2-ジクロロエタン中に1%となるように正孔輸送材料の4,4′-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)を溶解させた正孔輸送層形成用塗布液をスピンコート装置で塗布した後、80℃、60分間乾燥して、厚さ40nmの正孔輸送層を形成した。
(発光層の形成)
正孔輸送層が形成された各フィルム上に、ホスト材のポリビニルカルバゾール(PVK)に対して、赤ドーパント材Btp2Ir(acac)が1%、緑ドーパント材Ir(ppy)3が2%、青ドーパント材FIr(pic)が3%になるように混合し、PVKと3種ドーパントの全固形分濃度が1%となるように1,2-ジクロロエタン中に溶解させた発光層形成用塗布液をスピンコート装置で塗布した後、100℃、10分間乾燥して、厚さ60nmの発光層を形成した。
正孔輸送層が形成された各フィルム上に、ホスト材のポリビニルカルバゾール(PVK)に対して、赤ドーパント材Btp2Ir(acac)が1%、緑ドーパント材Ir(ppy)3が2%、青ドーパント材FIr(pic)が3%になるように混合し、PVKと3種ドーパントの全固形分濃度が1%となるように1,2-ジクロロエタン中に溶解させた発光層形成用塗布液をスピンコート装置で塗布した後、100℃、10分間乾燥して、厚さ60nmの発光層を形成した。
(電子輸送層の形成)
形成した発光層上に、電子輸送層形成用材料としてLiFを5×10-4Paの真空下にて蒸着し、厚さ0.5nmの電子輸送層を形成した。
形成した発光層上に、電子輸送層形成用材料としてLiFを5×10-4Paの真空下にて蒸着し、厚さ0.5nmの電子輸送層を形成した。
(第2電極の形成)
形成した電子輸送層の上に、第2電極(陰極)形成用材料としてAlを5×10-4Paの真空下にて、幅10mmのストライプ状に第1電極の金属メッシュ部と直交するようにマスク蒸着し、厚さ100nmの第2電極を形成した。
形成した電子輸送層の上に、第2電極(陰極)形成用材料としてAlを5×10-4Paの真空下にて、幅10mmのストライプ状に第1電極の金属メッシュ部と直交するようにマスク蒸着し、厚さ100nmの第2電極を形成した。
(封止膜の形成)
形成した電子輸送層の上に、ポリエチレンテレフタレートを基材とし、Al2O3を厚さ300nmで蒸着した可撓性封止部材を使用した。第1電極及び第2電極の外部取り出し端子が形成できるように端部を除き、第2電極の周囲に接着剤を塗り、可撓性封止部材を貼合した後、熱処理で接着剤を硬化させた。
形成した電子輸送層の上に、ポリエチレンテレフタレートを基材とし、Al2O3を厚さ300nmで蒸着した可撓性封止部材を使用した。第1電極及び第2電極の外部取り出し端子が形成できるように端部を除き、第2電極の周囲に接着剤を塗り、可撓性封止部材を貼合した後、熱処理で接着剤を硬化させた。
《有機エレクトロルミネッセンス素子の評価》
下記方法で、有機エレクトロルミネッセンス素子OLED-1~9の発光輝度ムラ及び整流比について評価した。
下記方法で、有機エレクトロルミネッセンス素子OLED-1~9の発光輝度ムラ及び整流比について評価した。
(発光輝度ムラ)
KEITHLEY製ソースメジャーユニット2400型を用いて、作製した有機エレクトロルミネッセンス素子OLED-1~9に直流電圧を印加し発光させた。200cd/m2で発光させた各有機エレクトロルミネッセンス素子について、点灯時の発光面全体の発光ムラを、目視観察により下記基準で評価した。
KEITHLEY製ソースメジャーユニット2400型を用いて、作製した有機エレクトロルミネッセンス素子OLED-1~9に直流電圧を印加し発光させた。200cd/m2で発光させた各有機エレクトロルミネッセンス素子について、点灯時の発光面全体の発光ムラを、目視観察により下記基準で評価した。
◎:90%以上が均一に発光している
○:80%以上が均一に発光している
△:70%以上が均一に発光している
×:70%未満しか発光していない
××:全く発光せず
(整流比)
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子OLED-1~9に、+3V/-3Vの電圧を印加した時の電流値を測定し、下記の計算式により整流比を求めた。
○:80%以上が均一に発光している
△:70%以上が均一に発光している
×:70%未満しか発光していない
××:全く発光せず
(整流比)
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子OLED-1~9に、+3V/-3Vの電圧を印加した時の電流値を測定し、下記の計算式により整流比を求めた。
整流比=+3V印加時の電流値/-3V印加時の電流値
上記評価結果を表2に示す。
上記評価結果を表2に示す。
表2より明らかなように、導電性、透明性に優れ、平滑性が高い本発明の透明電極を有機エレクトロルミネッセンス素子の電極として使用した場合、有機エレクトロルミネッセンス素子は発光輝度ムラや電流リークが少ないことが分かる。
1 第一の支持体
2 金属ナノワイヤ
3 導電性高分子または金属酸化物
4 接着層
10 第二の支持体
20 透明電極
2 金属ナノワイヤ
3 導電性高分子または金属酸化物
4 接着層
10 第二の支持体
20 透明電極
Claims (4)
- 透明支持体上に、パターン化された金属メッシュ部及び非パターン部を有する透明電極であって、該金属メッシュ部は金属ナノワイヤと導電性高分子、または金属ナノワイヤと金属酸化物を含有し、該非パターン部は導電性高分子または金属酸化物を含有し、かつ、該金属メッシュ部の表面の算術平均粗さRaが5nm以下、最大高さRzが50nm以下であり、該金属メッシュ部と該非パターン部の最大高低差が50nm以下であることを特徴とする透明電極。
- 請求項1に記載の透明電極を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 透明支持体上に、パターン化された金属メッシュ部及び非パターン部を有する透明電極の製造方法であって、該金属メッシュ部は金属ナノワイヤと導電性高分子、または金属ナノワイヤと金属酸化物を含有し、該非パターン部は導電性高分子または金属酸化物を含有し、予め第一の支持体上に形成した該金属メッシュ部及び非パターン部を、接着層を介して第二の支持体上に接着した後に、第一の支持体を剥離することを特徴とする透明電極の製造方法。
- 前記金属ナノワイヤ、導電性高分子、金属酸化物を含む層が、液相成膜法により形成されることを特徴とする請求項3に記載の透明電極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010524696A JP5397376B2 (ja) | 2008-08-11 | 2009-07-16 | 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008206808 | 2008-08-11 | ||
JP2008-206808 | 2008-08-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2010018733A1 true WO2010018733A1 (ja) | 2010-02-18 |
Family
ID=41668879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/062875 WO2010018733A1 (ja) | 2008-08-11 | 2009-07-16 | 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5397376B2 (ja) |
WO (1) | WO2010018733A1 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105148A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電膜、および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2011222298A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び集積型太陽電池 |
JP2012027888A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | タッチパネル用透明導電膜及びその製造方法 |
JP2013058195A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tpk Touch Solutions (Xiamen) Inc | タッチ感知電極及びタッチパネル |
WO2013122365A1 (ko) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 주식회사 잉크테크 | 레이저 에칭을 이용한 패턴 형성 방법 |
CN103608944A (zh) * | 2011-03-29 | 2014-02-26 | 株式会社Lg化学 | 有机电子器件用基板 |
JP2014089750A (ja) * | 2010-12-06 | 2014-05-15 | Sakamoto Jun | タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法 |
JP2015082425A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | パイオニア株式会社 | 発光装置及び基板 |
WO2015075876A1 (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | デクセリアルズ株式会社 | 透明導電体及び透明導電体の製造方法 |
CN105280840A (zh) * | 2014-07-09 | 2016-01-27 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性透明电极及其制备方法 |
JP5880444B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2016-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | 透明面電極、有機エレクトロニクス素子及び透明面電極の製造方法 |
WO2016148435A1 (ko) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | 고려대학교 산학협력단 | 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 투명 전극 |
JP2016530622A (ja) * | 2013-07-31 | 2016-09-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電子的構成要素とパターン化ナノワイヤ透明伝導体との接合 |
JP2017514164A (ja) * | 2014-04-22 | 2017-06-01 | イントリー株式会社Intree Co., Ltd. | ナノ構造のパターンを備えた光透過性導電体を製造するためのフォトマスク及びその製造方法 |
US9750131B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-08-29 | Lg Chem, Ltd. | Transparent conductive laminate, transparent electrode including transparent conductive laminate, and method for manufacturing transparent conductive laminate |
CN109285960A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 电子科技大学中山学院 | 一种基于铜纳米线/双层聚合物的oled透明阳极及制备方法 |
US11090902B2 (en) | 2015-03-30 | 2021-08-17 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive layer, pressure-sensitive adhesive-layer—attached polarizing film, and image display device |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101911603B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2018-10-24 | 고려대학교 산학협력단 | 메탈 메쉬 투명전극 |
WO2019138863A1 (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-18 | 東洋アルミニウム株式会社 | 有機デバイス用電極基板材料 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008075771A1 (ja) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Fujifilm Corporation | 導電膜およびその製造方法 |
WO2009054273A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
WO2009060717A1 (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明電極及び透明電極の製造方法 |
WO2009063744A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 金属ナノワイヤの製造方法、金属ナノワイヤ及び透明導電体 |
JP2009205924A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kuraray Co Ltd | 透明導電膜、透明導電部材、銀ナノワイヤ分散液および透明導電膜の製造方法 |
JP2009231029A (ja) * | 2008-03-22 | 2009-10-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルム |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI604466B (zh) * | 2005-08-12 | 2017-11-01 | 凱姆控股有限公司 | 以奈米線爲主之透明導體 |
WO2008038764A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Fujifilm Corporation | Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode |
-
2009
- 2009-07-16 WO PCT/JP2009/062875 patent/WO2010018733A1/ja active Application Filing
- 2009-07-16 JP JP2010524696A patent/JP5397376B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008075771A1 (ja) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Fujifilm Corporation | 導電膜およびその製造方法 |
WO2009054273A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
WO2009060717A1 (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明電極及び透明電極の製造方法 |
WO2009063744A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 金属ナノワイヤの製造方法、金属ナノワイヤ及び透明導電体 |
JP2009205924A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kuraray Co Ltd | 透明導電膜、透明導電部材、銀ナノワイヤ分散液および透明導電膜の製造方法 |
JP2009231029A (ja) * | 2008-03-22 | 2009-10-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルム |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105148A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明導電膜、および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5660121B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2015-01-28 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電膜、および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2011222298A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び集積型太陽電池 |
JP2012027888A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | タッチパネル用透明導電膜及びその製造方法 |
JP2014089750A (ja) * | 2010-12-06 | 2014-05-15 | Sakamoto Jun | タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法 |
JP5880444B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2016-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | 透明面電極、有機エレクトロニクス素子及び透明面電極の製造方法 |
US9537097B2 (en) | 2011-03-29 | 2017-01-03 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
US9537098B2 (en) | 2011-03-29 | 2017-01-03 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
CN103608944A (zh) * | 2011-03-29 | 2014-02-26 | 株式会社Lg化学 | 有机电子器件用基板 |
JP2014514700A (ja) * | 2011-03-29 | 2014-06-19 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機電子素子用基板 |
CN103608944B (zh) * | 2011-03-29 | 2017-09-22 | 乐金显示有限公司 | 有机电子器件用基板 |
JP2013058195A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tpk Touch Solutions (Xiamen) Inc | タッチ感知電極及びタッチパネル |
WO2013122365A1 (ko) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 주식회사 잉크테크 | 레이저 에칭을 이용한 패턴 형성 방법 |
JP2016530622A (ja) * | 2013-07-31 | 2016-09-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電子的構成要素とパターン化ナノワイヤ透明伝導体との接合 |
US9750131B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-08-29 | Lg Chem, Ltd. | Transparent conductive laminate, transparent electrode including transparent conductive laminate, and method for manufacturing transparent conductive laminate |
JP2015082425A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | パイオニア株式会社 | 発光装置及び基板 |
WO2015075876A1 (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | デクセリアルズ株式会社 | 透明導電体及び透明導電体の製造方法 |
JP2017514164A (ja) * | 2014-04-22 | 2017-06-01 | イントリー株式会社Intree Co., Ltd. | ナノ構造のパターンを備えた光透過性導電体を製造するためのフォトマスク及びその製造方法 |
CN105280840A (zh) * | 2014-07-09 | 2016-01-27 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性透明电极及其制备方法 |
WO2016148435A1 (ko) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | 고려대학교 산학협력단 | 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 투명 전극 |
US11090902B2 (en) | 2015-03-30 | 2021-08-17 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive layer, pressure-sensitive adhesive-layer—attached polarizing film, and image display device |
CN109285960A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 电子科技大学中山学院 | 一种基于铜纳米线/双层聚合物的oled透明阳极及制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5397376B2 (ja) | 2014-01-22 |
JPWO2010018733A1 (ja) | 2012-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5397376B2 (ja) | 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法 | |
JP5397377B2 (ja) | 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法 | |
JP5533669B2 (ja) | 透明電極、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5454476B2 (ja) | 透明電極および透明電極の製造方法 | |
JP5396916B2 (ja) | 透明電極の製造方法、透明電極および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5332252B2 (ja) | 透明導電性フィルム、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明導電性フィルムの製造方法 | |
US8795462B2 (en) | Transparent conductive coating with filler material | |
JP5212377B2 (ja) | 透明電極及び透明電極の製造方法 | |
JP5190758B2 (ja) | 透明導電層付フィルムとフレキシブル機能性素子、フレキシブル分散型エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びにそれを用いた電子デバイス | |
KR102066075B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이용 기판 및 그 제조방법 | |
JP2010073322A (ja) | 透明電極とその製造方法及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US8304984B2 (en) | Organic electroluminescent element | |
WO2011162080A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2009059666A (ja) | 透明導電層付フィルムとフレキシブル機能性素子、およびそれらの製造方法 | |
KR102522012B1 (ko) | 전도성 소자 및 이를 포함하는 전자 소자 | |
JP2010244746A (ja) | 透明電極、透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2009252437A (ja) | 透明導電性フィルム | |
Ohsawa et al. | Bending reliability of transparent electrode of printed invisible silver-grid/PEDOT: PSS on flexible epoxy film substrate for powder electroluminescent device | |
WO2013061967A1 (ja) | 透明導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2011065213A1 (ja) | 分散液、透明電極、および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5333142B2 (ja) | パターン電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、およびパターン電極の製造方法 | |
JP2010118165A (ja) | 透明電極とその製造方法及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2021007074A (ja) | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2011065765A (ja) | 透明電極とそれを用いた有機電子デバイス | |
Kim et al. | Optimal structure of color-conversion layer for white organic light-emitting diode on silver-nanowire anode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 09806628 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2010524696 Country of ref document: JP |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 09806628 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |