TWI604466B - 以奈米線爲主之透明導體 - Google Patents

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TWI604466B
TWI604466B TW105112855A TW105112855A TWI604466B TW I604466 B TWI604466 B TW I604466B TW 105112855 A TW105112855 A TW 105112855A TW 105112855 A TW105112855 A TW 105112855A TW I604466 B TWI604466 B TW I604466B
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Description

以奈米線為主之透明導體
本發明係關於透明導體及其製造方法，尤其係關於高產量塗覆方法。
透明導體係指塗覆於高透射率絕緣表面或基板上之薄導電膜。可將透明導體製造成具有表面導電性同時維持合理的光學透明度。該等表面導電透明導體廣泛用作平面液晶顯示器、觸控面板、電致發光裝置及薄膜光電電池中電源之透明電極，用作抗靜電層及用作電磁波屏蔽層。
當前，諸如氧化銦錫(ITO)之真空沈積金屬氧化物為用以向諸如玻璃及聚合膜之介電表面提供光學透明導電性的工業標準材料。然而，金屬氧化物膜在彎曲或其他物理應力期間易碎且易受損。其亦需要高沈積溫度及/或高退火溫度以達成高導電率水平。亦可存在關於金屬氧化物膜與諸如塑膠及有機基板(例如聚碳酸酯)之易吸濕基板之黏著問題。因此嚴格限制將金屬氧化物膜塗覆於可撓性基板上。此外，真空沈積為高成本方法且需要專用設備。此外，真空沈積製程不益於形成圖案及電路。此通常導致需要諸如光微影之昂貴的圖案化製程。
導電聚合物亦已用作光學透明電導體。然而，與金屬氧化物膜相比，其一般具有較低電導率值及較高光學吸收(尤其在可見波長 下)，且遭受缺乏化學及長期穩定性。
因此，此項技術中仍需要提供具有所要電學、光學及機械特性之透明導體，尤其為可適應任何基板且可以低成本高產量方法製造及圖案化之透明導體。
在一實施例中，本文描述一透明導體，其包含：一基板；及一在該基板上之導電層，該導電層包括複數個奈米線，較佳為金屬奈米線。
在另一實施例中，一透明導體包含一基板；及一在該基板上之導電層，該導電層包括嵌入一基質中之複數個金屬奈米線，詳言之為光學清晰聚合基質。
在又一實施例中，該透明導體進一步包含一腐蝕抑制劑。
在另一實施例中，本文描述一種製造一透明導體之方法，其包含：將複數個金屬奈米線沈積於一基板上，該等金屬奈米線分散於一流體中；及藉由使該液體乾燥而在該基板上形成一金屬奈米線網路層。
在另一實施例中，一種方法包含：將複數個金屬奈米線沈積於一基板上，該等金屬奈米線分散於一流體中；及藉由使該液體乾燥而在該基板上形成一金屬奈米線網路層；將一基質材料沈積於該金屬奈米線網路層上；及使該基質材料固化以形成一基質，該基質及嵌入其中之該等金屬奈米線形成一導電層。
在另一實施例中，本文所述之方法可以捲軸式方法進行，其中該基板由一旋轉捲軸沿一行進路徑而驅動，且該等金屬奈米線之沈積沿該行進路徑在一第一沈積台處進行，及該基質材料之沈積沿該行進路徑在一第二沈積台處進行。
在另一實施例中，該導電層可經圖案化，詳言之藉由使用光固 化基質材料進行光圖案化。
在另一實施例中，本文描述一層壓結構，其包含：一可撓性供體基板；及一包括一嵌有複數個金屬奈米線之基質之導電層。
在另一實施例中，本文描述一種層壓製程，該製程包含：將該層壓結構施加於一選擇基板，及移除該可撓性供體基板。
在又一實施例中，本文描述一顯示裝置，該顯示裝置包含具有一導電層之至少一個透明電極，該導電層包括複數個金屬奈米線。詳言之，該導電層包含於一光學清晰聚合基質中之金屬奈米線。
某些實施例係針對於以一奈米線導電層為主之透明導體。詳言之，該導電層包括一金屬奈米線稀疏網路。此外，該導電層為透明、可撓性的且可包括至少一個導電表面。其可塗覆或層壓於多種基板上，包括可撓性及剛性基板。該導電層亦可形成一包括基質材料及奈米線之複合結構之部分。該基質材料通常可賦予該複合結構某些化學、機械及光學特性。其他實施例描述製造該導電層及使其圖案化之方法。
導電奈米線
圖1說明縱橫比等於長度L1除以直徑d1之奈米線2。合適奈米線之縱橫比通常介於10至100,000範圍內。較大縱橫比可有利於獲得一透明導體層，因為其使得能夠形成較有效導電網路同時允許較低之線總密度以達成高透明度。換言之，當使用具有高縱橫比之奈米線時，導電網路達成之奈米線之密度可足夠低以使得該導電網路大體上透明。
一種用以界定一層對光之透明度之方法為藉由其吸收係數。通過層之光之照明可界定為：I=Io e-ax
其中Io為該層之一第一側上之入射光，I為該層之一第二側上呈 現之照明水平，及e-ax為透明因子。在該透明因子中，a為吸收係數及x為層之厚度。透明因子接近1但小於1之層可視為大體上透明。
如現將在圖2-5中說明，在不同光波長下，層可具有不同透明因子。
圖2展示金屬奈米線在多種光波長下之光學特性。在屬於可見光譜範圍內之約400nm至640nm之間的波長下，金屬奈米線可為透明的。650nm波長以上，奈米線視諸如該奈米線之組成、其截面直徑及其他因素之因素而產生散射。
圖3展示在多種光波長下銀奈米橢球之消光截面。銀奈米橢球對波長介於400與440奈米之間之窄帶光及對波長700nm以上之光展示高消光係數。然而，其在屬於可見範圍內介於約440與約700nm之間大體上透明。
圖4及5展示基於金屬奈米線之直徑使其電阻率理論模型化之結果。對於較大直徑之奈米線，儘管其將吸收較多光，但電阻率大體上降低。如在圖4中可見，在直徑小於10nm之處，基於晶界及表面散射之對電阻率的效應較高。隨著直徑增加，此等效應急劇下降。因此，對於直徑自10nm增加至100nm以上，總電阻率大大降低(亦參見圖5)。然而，此電學特性之改良與必須與需要透明導體之應用的降低透明度保持平衡。
圖6展示單一Ag奈米線4，其在其他兩個端子6a與6b之間延伸以提供自端子6a至端子6b之導電路徑。術語"端子"包括接觸墊、導電節點及可電性連接之任何其他起始點及終止點。選擇Ag奈米線之縱橫比、大小及形狀以提供所要光學及電學特性。選擇將提供Ag奈米線之給定密度之該等線的數目以提供將端子6a耦接至端子6b之可接受之導電特性。舉例而言，數百個Ag奈米線4可自端子6a延伸至端子6b以提供低電阻導電路徑，且可選擇濃度、縱橫比、大小及形狀以提供大 體上透明之導體。因此，使用複數個Ag奈米線自端子6a至端子6b提供透明導電。
如可瞭解，端子6a至端子6b之距離可使得該等所要光學特性並非藉由單一奈米線獲得。複數個多種奈米線可需要在不同點處彼此連接以提供自端子6a至端子6b之導電路徑。根據本發明，基於所要光學特性選擇奈米線。隨後，選擇提供所要導電路徑及彼路徑上之總電阻之奈米線數目以達成自端子6a至端子6b之導電層可接受之電學特性。
透明層之電導率主要由以下因素控制：a)單一奈米線之電導率，b)端子之間奈米線之數目，及c)該等奈米線之間的連通性。某一奈米線濃度(亦稱為滲透臨限值)以下，由於該等奈米線間隔太遠，因此端子之間的電導率為零，意即未提供連續電流路徑。此濃度以上，存在至少一個可用電流路徑。隨著提供更多電流路徑，該層之總電阻將降低。
導電奈米線包括金屬奈米線及其他具有高縱橫比(意即高於10)之導電粒子。非金屬奈米線之實例包括(但不限於)碳奈米管(CNT)、金屬氧化物奈米線、導電聚合物纖維及其類似物。
如本文所用之"金屬奈米線"係指包含元素金屬、金屬合金或金屬化合物(包括金屬氧化物)之金屬線。金屬奈米線之至少一個截面尺寸小於500nm，且較佳小於100nm，且更佳小於50nm。如上文所說明，金屬奈米線之縱橫比(長度：寬度)大於10，較佳大於50，且更佳大於100。合適金屬奈米線可以任何金屬為主，包括(但不限於)銀、金、銅、鎳及鍍金銀。
金屬奈米線可藉由此項技術中已知之方法製備。詳言之，銀奈米線可藉由銀鹽(例如硝酸銀)在多元醇(例如乙二醇)及聚(乙烯吡咯啶酮)存在下進行溶液相還原而合成。大規模生產均一大小之銀奈米線可根據例如Xia,Y.等人之Chem.Mater.(2002),14,4736-4745及Xia,Y. 等人之Nanoletters(2003)3(7),955-960中所述之方法來製備。
或者，金屬奈米線可使用可礦化之生物模板(或生物骨架)製備。舉例而言，諸如病毒及噬菌體之生物材料可充當產生金屬奈米線之模板。在某些實施例中，該等生物模板可經設計以展示對諸如金屬或金屬氧化物之特定類型材料之選擇性親和力。生物製造奈米線之較詳細描述可發現於例如Mao,C.B.等人之"Virus-Based Toolkit for the Directed Synthesis of Magnetic and Semiconducting Nanowires",(2004)Science,303,213-217；Mao,C.B.等人之"Viral Assembly of Oriented Quantum Dot Nanowires",(2003)PNAS，第100卷，第12號，6946-6951；Mao,C.B.等人之"Viral Assembly of Oriented Quantum Dot Nanowires",(2003)PNAS,100(12),6946-6951；美國申請案第10/976,179號及美國臨時申請案第60/680,491號中，該等文獻之全文以引用的方式併入本文中。
更特定言之，導電材料或導體(例如，金屬奈米線)可基於該導電材料與生物模板上之某些結合位點(例如，肽序列)之間的親和力而直接結合至生物模板。
在其他實施例中，導電材料可藉由成核方法產生，其間將前驅物轉化成結合至生物模板之導電粒子，該等導電粒子能夠進一步生長至連續導電層中。此方法亦稱為"礦化"或"電鍍"。舉例而言，可在還原劑存在下，將金屬前驅物(例如，金屬鹽)轉化成元素金屬。所得元素金屬結合至該等生物模板且生長至連續金屬層中。
在其他實施例中，最初使晶種材料層成核至生物材料上。其後，可將金屬前驅物轉化成金屬且將其電鍍於該晶種材料層上。例如可基於引起成核且使含有相應金屬前驅物之溶液長出金屬之材料來選擇晶種材料。為達成說明之目的，含有鈀之晶種材料層可致使Cu或Au礦化。作為一特定實例，為產生Cu導體，可接受之晶種材料可含 有鈀、以鈀為主之分子、Au或以Au為主之分子。對於氧化物導體，氧化鋅可用作成核材料。晶種材料之實例包括Ni、Cu、Pd、Co、Pt、Ru、Ag、Co合金或Ni合金。可經電鍍之金屬、金屬合金及金屬氧化物包括(但不限於)Cu、Au、Ag、Ni、Pd、Co、Pt、Ru、W、Cr、Mo、Ag、Co合金(例如，CoPt)、Ni合金、Fe合金(例如，FePt)或TiO2、Co3O4、Cu2O、HfO2、ZnO、氧化釩、氧化銦、氧化鋁、氧化銦錫、氧化鎳、氧化銅、氧化錫、氧化鉭、氧化鈮、氧化釩或氧化鋯。
任何大量不同生物材料可用以提供產生金屬奈米線之模板，包括蛋白質、肽、噬菌體、細菌、病毒及其類似物。選擇、形成及設計將耦合至所要金屬或導電材料之生物材料之技術描述於美國申請案第10/155,883號及第10/158,596號中；該等兩個申請案均在Cambrios Technologies Corporation名下且以引用的方式併入本文中。
如上文所說明，諸如蛋白質、肽或其他生物材料之生物模板可經設計具有對選定晶種材料或選定導電材料之親和力位點。對特定材料具有親和力之蛋白質或肽可藉由諸如噬菌體展示、酵母展示、細胞表面展示或其他之蛋白質發現方法來識別。例如在噬菌體展示狀況下，噬菌體(例如，M13噬菌體)庫可藉由將廣泛種類之不同肽序列插入噬菌體群中而建立。可分離對特定標靶分子具有高親和力之蛋白質且可識別其肽結構。
詳言之，可控制生物分子之遺傳序列以提供在某些類型之噬菌體粒子中之大量特定肽序列複製體。舉例而言，約3000個P8蛋白質複製體可以沿M13噬菌體粒子長度之有序陣列排列。該等P8蛋白質可經改質以包括可使導電材料之成核形成或結合導電材料之特定肽序列，藉此提供高電導率之導電奈米線。有利的是，此技術允許藉由使用(例如)具有經特定設計或控制之肽序列之蛋白質的生物模板分子來控 制奈米線之幾何形狀及結晶結構的能力。為此，已識別對銀、金或鈀具有結合親和力之肽或蛋白質，其可併入噬菌體結構中以產生具有基於該等噬菌體粒子之尺寸的尺寸之奈米線。
除噬菌體以外之生物材料可用作形成導電奈米線之模板。舉例而言，自組裝為長度為數十微米之長股之絲狀蛋白質可用作替代模板(參見，圖7)。有利的是，該模板蛋白質可合成為具有較噬菌體更大之縱橫比，其導致導電奈米線之較低滲透性臨限值濃度。此外，蛋白質較噬菌體粒子更易於大量合成。充分開發大規模生產之諸如用作清潔添加劑之酶的蛋白質。
圖8展示具有與導電粒子8b耦合之大量結合位點8a之蛋白質骨架8的示意形式。選擇該等結合位點以對諸如Au、Ag、Cu及Ni之導電粒子具有親和力。或者，結合位點8a對可進一步使諸如Cu及其類似物之導電粒子成核之晶種材料層(例如，Pd及Au)具有親和力。蛋白質骨架8亦可經設計成具有複數個具有該親和力之結合位點8a。較佳使其沿其長度以頻繁及規則間隔隔開以增加末端導電層之電導率。
諸如蛋白質之生物材料之長度以及其直徑易於使用已知技術設計。其經設計以具有光學特性之正確尺寸。一旦已選擇大小、形狀及縱橫比，即可使該生物材料暴露於導電材料8b，諸如金屬或該金屬之前驅物。
圖9說明使用生物模板製造導電奈米線之另一實施例。蛋白質骨架8可進一步經設計以在各自末端包括諸如相關肽9a及9b之結合搭配物。結合搭配物可藉由(例如)包括離子相互作用、共價結合、氫結合、疏水性相互作用等之任何類型之聯合相互作用而彼此耦合。相關肽9a與9b之間的相互作用促使導電奈米線自組裝為2-D互連之網狀網路，如圖8中最後序列中所展示。相關肽及其位置可具有促使形成該導電層之網格、端對端連接、交叉連接及其他所要形狀之類型。在圖 8中所展示之實例中，在蛋白質骨架形成網路之前，導電材料8b已結合至蛋白質骨架8。應瞭解，蛋白質骨架8亦可在導電材料結合之前形成網路。
因此，與使用無規奈米線將可能產生之情況相比，使用具有相關肽或其他結合搭配物之生物模板允許形成高度連接網路之導電層。因此可選擇生物模板之特定網路以達成導電層中所要之有序度。
基於模板之合成尤其適於製造特定尺寸、形態及組合物之奈米線。基於生物學之製造奈米材料之其他優勢包括：可經改良以達成高產量之溶液處理、周圍溫度沈積、優良保形性及生產導電層。
導電層及基板
作為一說明性實例，圖10A展示一包含塗覆於一基板14上之導電層12之透明導體10。該導電層12包含複數個金屬奈米線16。該等金屬奈米線形成一導電網路。
圖10B展示一透明導體10'之另一實例，其中一導電層12'形成於基板14上。導電層12'包括嵌入一基質18中之複數個金屬奈米線16。
例如"基質"係指金屬奈米線分散或嵌入其中之固態材料。奈米線之部分可自該基質材料突出以使得能夠進入導電網路。基質為金屬奈米線之宿主且提供導電層之實體形態。基質保護金屬奈米線不受諸如腐蝕及磨損之不利環境因子之損害。詳言之，基質顯著降低環境中諸如水分、微量酸、氧、硫及其類似物之腐蝕元素之滲透性。
此外，基質為導電層提供有利的實體及機械特性。舉例而言，其可提供與基板之黏著。此外，不同於金屬氧化物膜，嵌有金屬奈米線之聚合或有機基質可為堅固的及可撓性的。如本文將較詳細討論，可撓性基質可能以低成本高產量方法來製造透明導體。
此外，導電層之光學特性可藉由選擇適當基質材料而修整。舉例而言，反射損失及無用眩光可藉由使用所要折射率、組合物及厚度 之基質來有效減少。
基質通常為光學清晰材料。若材料在可見區(400nm-700nm)內之透光率為至少80%，則該材料視為光學清晰。除非另外規定，本文所述之透明導體中之所有層(包括基板)較佳為光學清晰的。該基質之光學清晰度通常由多種因素決定，包括(但不限於)：折射率(RI)、厚度、RI在整個厚度中之一致性、表面(包括界面)反射及混濁度(由表面粗糙度及/或所嵌粒子所致之反射損失)。
在某些實施例中，基質為約10nm至5μm厚、約20nm至1μm厚或約50nm至200nm厚。在其他實施例中，基質之折射率為約1.3至2.5或約1.35至1.8。
在某些實施例中，基質為聚合物，其亦稱為聚合基質。光學清晰聚合物為此項技術中所已知。合適聚合基質之實例包括(但不限於)：聚丙烯酸系樹脂，諸如聚甲基丙烯酸酯(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯))、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈；聚乙烯醇；聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)；具有高芳香度之聚合物，諸如酚醛樹脂或甲酚-甲醛(Novolacs®)、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚硫化物、聚碸、聚伸苯基及聚苯基醚；聚胺基甲酸酯(PU)；環氧樹脂；聚烯烴(例如聚丙烯、聚甲基戊烯及環烯烴)；纖維素；聚矽氧及其他含矽聚合物(例如聚倍半氧矽烷及聚矽烷)；聚氯乙烯(PVC)；聚乙酸酯；聚降冰片烯；合成橡膠(例如，EPR、SBR、EPDM)；及含氟聚合物(例如，聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯)；氟-烯烴與烴烯烴之共聚物(例如，Lumiflon®)；及非晶形氟碳聚合物或共聚物(例如，Asahi Glass Co.之CYTOP®或Du Pont之Teflon® AF)。
在其他實施例中，基質為無機材料。舉例而言，可使用以二氧 化矽、富鋁紅柱石、氧化鋁、SiC、碳纖維、MgO-Al2O3-SiO2、Al2O3-SiO2或MgO-Al2O3-SiO2-Li2O為主之溶膠-凝膠基質。
在某些實施例中，基質本身為導電性。舉例而言，該基質可為導電聚合物。導電聚合物為此項技術中所熟知，包括(但不限於)聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)(PeDOT)、聚苯胺、聚噻吩及聚二乙炔。
"導電層"或"導電膜"係指提供透明導體之導電介質之金屬奈米線網路層。當存在基質時，金屬奈米線之網路層與該基質之組合亦稱為"導電層"。由於導電性係藉由電荷自一個金屬奈米線滲透至另一金屬奈米線而達成，因此導電層中必須存在足夠金屬奈米線以達到電滲透臨限值且變成導電性。導電層之表面電導率與其表面電阻率成反比，表面電阻率有時亦稱為薄片電阻，其可藉由此項技術中已知之方法量測。
同樣，當存在基質時，該基質必須充填有足夠金屬奈米線以變成導電性。如本文所用之"臨限負載水平"係指導電層負載之後，此時該導電層之表面電阻率不大於約106Ω/平方(或Ω/□)之金屬奈米線之重量百分比。該臨限負載水平視諸如該等金屬奈米線之縱橫比、對準度及電阻率之因素而定。
如熟習此項技術者所瞭解，基質之機械及光學特性可能由其中任何粒子之高負載而改變或折衷。有利的是，金屬奈米線之高縱橫比允許經由銀奈米線之臨限負載水平為約35重量%之基質形成導電網路。此負載水平並不影響該基質之機械或光學特性。
在多種實施例中，金屬奈米線可以臨限負載水平以上之水平負載而不會不利地影響該基質之機械或光學特性。舉例而言，銀奈米線通常可以小於約60重量%負載，較通常為小於約40重量%，且更通常為小於約20重量%，且甚至更通常為小於約10重量%。此等值完全視奈米線之尺寸及空間散佈而定。有利的是，可藉由調整金屬奈米線之 負載水平而提供可調導電率(或表面電阻率)及光學透明度之透明導體。
在某些實施例中，如圖10B中所展示，導電層跨越基質之整個厚度。有利的是，由於基質材料(例如聚合物)之表面張力，金屬奈米線之某部分暴露於該基質之表面19上。此特徵尤其適用於觸控式螢幕應用。詳言之，透明導體可在其至少一個表面上顯示表面導電性。圖10C說明如何咸信嵌入基質中之金屬奈米線網路達成表面導電性。如所展示，當諸如奈米線16a之某些奈米線可完全"浸沒"於基質18中時，其他奈米線之末端(諸如末端16b)突出於基質18之表面19之上。又，奈米線之中間段之一部分(諸如中間段16c)可突出於基質18之表面19之上。若足夠奈米線末端16b及中間段16c突出於基質18之上，則該透明導體之表面變成導電性。圖10D為透明導體之一實施例之表面的掃描電子顯微圖，其展示透明導體中突出於基質之上的奈米線之末端及中間段的輪廓。
在其他實施例中，如圖10E中所展示，導電層由嵌入一部分基質中之金屬奈米線形成。導電層12"僅佔據基質18之一部分且完全"浸沒"於基質18中。
"基板"或"選擇基板"係指將導電層塗覆或層壓其上之材料。該基板可為剛性或可撓性的。基板可為清晰或不透明的。如本文將討論，術語"選擇基板"通常與層壓製程結合使用。合適剛性基板包括(例如)玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂及其類似物。合適可撓性基板包括(但不限於)：聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)、聚烯烴(例如直鏈、支鏈及環狀聚烯烴)、聚乙烯(例如聚氯乙烯、聚氯亞乙烯、聚乙烯縮醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯及其類似物)、纖維素酯基(例如，三乙酸纖維素、乙酸纖維素)、諸如聚醚碸之聚碸、聚醯亞胺、聚矽氧及其他習知聚合膜。合適基板之額外實例例 如可發現於美國專利第6,975,067號中。
透明導體之光學透明度或清晰度通常可由包括透光率及混濁度之參數來定量性界定。"透光率"係指透射穿過介質之入射光之百分比。在多種實施例中，透明導體之透光率為至少50%、至少60%、至少70%或至少80%且可高達至少91%至92%。混濁度為光擴散指數。其係指在透射期間與入射光分離且散射之光之數量百分比。不同於主要為介質之性質之透光率，混濁度通常與產品有關且通常由表面粗糙度及介質中所嵌粒子或組成不均勻性所致。在多種實施例中，透明導體之混濁度不大於10%、不大於8%或不大於5%且可低至不大於2%至0.5%。
效能增強層
如上文所說明，由於基質，導電層具有優良實體及機械特徵。此等特徵可藉由將額外層引入透明導體結構中而進一步增強。因此，在其他實施例中，描述多層透明導體，其包含一或多個層，諸如抗反射層、抗眩光層、黏接層、障壁層及硬塗層。
作為一說明性實例，圖11展示包含一導電層12及一基板14之多層透明導體20，如上文所述。該多層透明導體20進一步包含一位於導電層12之上之第一層22、一位於導電層12與基板14之間的第二層24及一位於基板14下方之第三層26。除非另外規定，層22、24及26中每一者可為一或多個抗反射層、抗眩光層、黏接層、障壁層、硬塗層及保護膜。
層22、24及26具有多種功能，諸如增強總光學效能且改良透明導體之機械特性。此等額外層(亦稱為"效能增強層")可為一或多個抗反射層、抗眩光層、黏接層、障壁層及硬塗層。在某些實施例中，一效能增強層提供多個益處。舉例而言，抗反射層亦可充當硬塗層及/或障壁層。除其特定特性以外，該等效能增強層為如本文所界定之光 學清晰的。
在一實施例中，層22為抗反射層，層24為黏接層，及層26為硬塗層。
在另一實施例中，層22為硬塗層，層24為障壁層，及層26為抗反射層。
在又一實施例中，層22為抗反射層、抗眩光層、障壁層及硬塗層之組合，層24為黏接層，及層26為抗反射層。
"抗反射層"係指可減少透明導體之反射表面上之反射損失的層。因此抗反射層可位於該透明導體之外表面上，或作為層間之界面。適用作抗反射層之材料為此項技術中所熟知，包括(但不限於)：含氟聚合物、含氟聚合物摻合物或共聚物，例如參見美國專利第5,198,267號、第5,225,244號及第7,033,729號。
在其他實施例中，反射損失可藉由控制抗反射層之厚度而有效減少。舉例而言，參看圖11，可控制層22之厚度以使得表面30之光反射相互抵消。因此，在多種實施例中，抗反射層為約100nm厚或200nm厚。
反射損失亦可藉由適當使用紋理表面而減少，例如參見美國專利第5,820,957號及關於來自MacDiarmid Autotype之MARAGTM及MotheyeTM產物之文獻，http：//www.autotype.com/AADocume.nsf/0/37099D0F8C31DABB80256E8D0037D089/$File/Autoflex %20MARAG.pdf。
"抗眩光層"係指可藉由在表面上提供精細粗糙度以使反射散射而減少透明導體之外表面上之不當反射的層。合適抗眩光材料為此項技術中所熟知，包括(但不限於)矽氧烷、聚苯乙烯/PMMA摻合物、漆(例如，乙酸丁酯/硝化纖維素/蠟/醇酸樹脂)、聚噻吩、聚吡咯、聚胺基甲酸酯、硝化纖維素及丙烯酸酯，其中所有均可包含諸如膠狀或煅 製二氧化矽之光漫射材料。例如參見美國專利第6,939,576號、第5,750,054號、第5,456,747號、第5,415,815號及第5,292,784號。此等材料之摻合物及共聚物可具有微尺度之組成不均勻性，其亦可展示光漫射行為以減少眩光。
"硬塗層"或"抗磨損層"係指提供對刮擦及磨損之額外表面保護之塗層。合適硬塗層之實例包括合成聚合物，諸如聚丙烯酸酯、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、聚矽烷、聚矽氧、聚(矽-丙烯酸)等等。硬塗層通常亦包含膠狀二氧化矽。(例如參見美國專利第5,958,514號、第7,014,918號、第6,825,239號及其中所引用之參考文獻)。硬塗層之厚度通常為約1至50μm。硬度可藉由此項技術中已知之方法而評估，諸如藉由用鋼棉#000在300g/cm2之負載下，在2cm之距離內以2次往復/秒往復50次刮擦該塗層(例如參見美國專利第6,905,756號)。硬塗層可進一步藉由此項技術中已知之方法經受抗眩光製程或抗反射處理。
"黏接層"係指將兩相鄰層(例如導電層與基板)結合在一起而不影響任一層之實體、電學或光學特性之任何光學清晰材料。光學清晰黏接材料為此項技術中所熟知，包括(但不限於)：丙烯酸樹脂、氯化烯烴樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、順丁烯二酸樹脂、氯化橡膠樹脂、環化橡膠樹脂、聚醯胺樹脂、香豆酮茚樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、聚酯樹脂、胺基樹脂、苯乙烯樹脂、聚矽氧烷及其類似物。
"障壁層"係指減少或防止氣體或流體滲入透明導體中之層。已展示經腐蝕之金屬奈米線可致使導電層之電導率以及透光率顯著降低。障壁層可有效抑制大氣腐蝕性氣體進入導電層且接觸基質中之金屬奈米線。障壁層為此項技術中所熟知，包括(但不限於)：例如參見美國專利申請案第2004/0253463號、美國專利第5,560,998號及第4,927,689號、歐洲專利第132,565號及日本專利第57,061,025號。此外，抗反射 層、抗眩光層及硬塗層中任何者亦可充當障壁層。
在某些實施例中，多層透明導體可進一步包含在導電層上之保護膜(例如層22)。該保護膜通常為可撓性的且可由與可撓性基板相同之材料製成。保護膜之實例包括(但不限於)：聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯、三乙酸酯(TAC)、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚氯亞乙烯、聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇縮丁醛、金屬離子交聯之乙烯-甲基丙烯酸共聚物、聚胺基甲酸酯、塞璐芬(cellophane)、聚烯烴或其類似物；尤其較佳為PET、PC、PMMA或TAC(由於其高強度)。
腐蝕抑制劑
在其他實施例中，透明導體可除上文所述之障壁層以外或替代其包含腐蝕抑制劑。不同腐蝕抑制劑可基於不同機制提供對金屬奈米線之保護。
根據一機制，腐蝕抑制劑易於結合至金屬奈米線，從而在金屬表面上形成保護膜。其亦稱為形成障壁之腐蝕抑制劑。
在一實施例中，該形成障壁之腐蝕抑制劑包括某些含氮及含硫有機化合物，諸如芳族三唑、咪唑及噻唑。已證明此等化合物在金屬表面上形成穩定錯合物以在該金屬與其環境之間提供障壁。舉例而言，苯幷三唑(BTA)為銅或銅合金之通用有機腐蝕抑制劑(流程1)。亦可使用經烷基取代之苯幷三唑，諸如甲苯三唑及丁基苄基三唑。(例如參見美國專利第5,270,364號)。腐蝕抑制劑之額外合適實例包括(但不限於)：2-胺基嘧啶、5,6-二甲基苯幷咪唑、2-胺基-5-巰基-1,3,4-噻二唑、2-巰基嘧啶、2-巰基苯幷噁唑、2-巰基苯幷噻唑及2-巰基苯幷咪唑。
另一種形成障壁之腐蝕抑制劑包括展示與金屬表面之特定親和力之生物分子。此等包括例如半胱胺酸之小生物分子及具有對金屬有親和力之稠合肽序列(例如EEEE)之合成肽及蛋白質骨架；例如參見美國申請案第10/654,623號、第10/665,721號、第10/965,227號、第10/976,179號及第11/280,986號，美國臨時申請案第60/680,491號、第60/707,675號及第60/680,491號。
其他形成障壁之腐蝕抑制劑包括二硫代噻二唑、烷基二硫代噻二唑及烷基硫醇，其中烷基為飽和C6-C24直烴鏈。此類型之腐蝕抑制劑可在金屬表面自組裝以形成單層(流程2)，藉此保護該金屬表面不受腐蝕。
在一特定實施例中，透明導體可包含含有腐蝕抑制劑之儲集器，從而提供氣相腐蝕抑制劑之連續供應。適於該持續輸送之腐蝕抑 制劑包括"氣相抑制劑"(VPI)。VPI通常為揮發性固體材料，其昇華且在金屬奈米線之表面上形成單層。有利的是，VPI可以持續方式輸送至金屬表面且補充以達成持久保護。合適VPI包括如本文所述之形成障壁之抑制劑，諸如三唑、二硫代噻二唑、烷基二硫代噻二唑及烷基硫醇。
圖12說明適於觸控式螢幕之該透明導體結構。更特定言之，邊緣封件32及間隔器36位於兩導電層12之間。在該等兩導電層12之間的空間內，存在一或多個儲集器40。儲集器40為微觀的且稀疏分佈，使得其存在並不致使透明導體之透射率降低。該儲集器含有可併入聚合基質中或浸漬於多孔材料中之腐蝕抑制劑，腐蝕抑制劑可自該聚合基質或多孔材料昇華成氣相以在該等金屬奈米線之表面上形成單層44(參見插圖)。
根據另一機制，與金屬奈米線結合相比較，腐蝕抑制劑更易於與腐蝕性元素(例如H2S)結合。此等腐蝕抑制劑稱為"淨化劑"或"吸氣劑"，其與金屬競爭且錯隔腐蝕性元素。H2S淨化劑之實例包括(但不限於)：丙烯醛、乙二醛、三嗪及正氯琥珀醯亞胺。(例如參見公開之美國申請案第2006/0006120號)。
在某些實施例中，腐蝕抑制劑(例如H2S淨化劑)可分散於基質中，限制條件為其存在並非不利地影響導電層之光學或電學特性。
在其他實施例中，金屬奈米線可在沈積於基板上之前或之後用腐蝕抑制劑前處理。舉例而言，該等金屬奈米線可用(例如)BTA之形成障壁之腐蝕抑制劑預塗覆。此外，金屬奈米線亦可用防銹溶液處理。金屬防銹處理為此項技術中已知。以H2S腐蝕為標的之特定處理描述於(例如)美國專利第4,083,945號及美國公開申請案第2005/0148480號中。
在其他實施例中，金屬奈米線可與另一較不易受大氣元素腐蝕 之金屬形成合金或鍍有該金屬。舉例而言，銀奈米線可鍍有較不易受H2S腐蝕之金。
在某些實施例中，本文所述之透明導體可藉由包括薄片塗覆及高產量捲繞塗覆之多種塗覆方法製造。在其他實施例中，可使用層壓方法。有利的是，本文所述之製造過程不需要真空沈積，此與當前製造金屬氧化物膜相反。或者，該等製造過程可使用習知溶液處理設備而進行。此外，該等製造過程與直接使透明導體圖案化相容。
在某些實施例中，因此本文描述一種製造透明導體之方法，其包含：將複數個金屬奈米線沈積於一基板上，該等金屬奈米線分散於一流體中；及藉由使該流體乾燥而在該基板上形成一金屬奈米線網路層。
該等金屬奈米線可藉由如上文所述之方法製備。金屬奈米線通常分散於液體中以使沈積容易。應瞭解，如本文所用之"沈積"及"塗覆"係可互換使用。可使用金屬奈米線可於其中形成穩定分散液(亦稱為"金屬奈米線分散液")之任何非腐蝕性液體。金屬奈米線較佳分散於水、醇、酮、醚、烴或芳族溶劑(苯、甲苯、二甲苯等等)中。該液體更佳為揮發性液體，其沸點不高於200℃、不高於150℃或不高於100℃。
此外，該金屬奈米線分散液可含有添加劑及黏合劑以控制黏度、腐蝕、黏著及奈米線分散。合適添加劑及黏合劑之實例包括(但不限於)羧甲基纖維素(CMC)、2-羥乙基纖維素(HEC)、羥基丙基甲基纖維素(HPMC)、甲基纖維素(MC)、聚乙烯醇(PVA)、三伸丙二醇(TPG)及三仙膠(XG；xanthan gum)及界面活性劑(諸如乙氧化物、烷氧化物、環氧乙烷及環氧丙烷及其共聚物、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸鹽、磺基琥珀酸酯、磷酸酯及含氟界面活性劑(例如Aldrich之Zonyl®)。
在一實例中，奈米線分散液或"墨水"包括0.0025%至0.1%之界面活性劑(例如，Zonyl® FSO-100之較佳範圍為0.0025%至0.05%)、0.02%至4%之黏度改質劑(例如，HPMC之較佳範圍為0.02%至0.5%)、94.5%至99.0%之溶劑及0.05%至1.4%之金屬奈米線。合適界面活性劑之代表性實例包括Zonyl® FSN、Zonyl® FSO、Zonyl® FSH、Triton(x100、x114、x45)、dynol(604、607)、正十二烷基b-D-麥芽糖苷及諾維克(novek)。合適黏度改質劑之實例包括羥基丙基甲基纖維素(HPMC)、甲基纖維素、三仙膠、聚乙烯醇、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素。合適溶劑之實例包括水及異丙醇。
若需要自上文所揭示之濃度改變分散液之濃度，則可增加或減少溶劑之百分比。然而，在較佳實施例中，其他成份之相對比可保持相同。詳言之，界面活性劑與黏度改質劑之比率較佳在約80至0.01範圍內；黏度改質劑與金屬奈米線之比率較佳在約5至0.000625範圍內；且金屬奈米線與界面活性劑之比率較佳在約560至5範圍內。分散液之組份比率可視所用基板及塗覆方法而修改。奈米線分散液之較佳黏度範圍介於約1與100cP之間。
視情況，基板可經前處理以製備用以較佳接受奈米線後續沈積之表面。表面前處理具有多重功能。舉例而言，其使得能夠沈積均一奈米線分散液層。此外，其可將該等奈米線固定於基板上用於後續處理步驟。如下文將進一步較詳細討論，前處理包括溶劑或化學洗滌、加熱、沈積視情況經圖案化之中間層以呈予奈米線分散液適當化學或離子態，以及包括進一步諸如電漿處理、UV-臭氧處理或電暈放電之表面處理。
沈積之後，藉由蒸發移除液體。可藉由加熱(例如烘焙)加速蒸發。所得奈米線網路層可需要後處理以使其導電。此後處理可為如下文所述包括經受熱、電漿、電暈放電、UV-臭氧或壓力之過程步驟。
在某些實施例中，因此本文描述一種製造透明導體之方法，其包含：將複數個金屬奈米線沈積於一基板上，該等金屬奈米線分散於一流體中；藉由使該流體乾燥而在該基板上形成一金屬奈米線網路層；將一基質材料塗覆於該金屬奈米線網路層上；及使該基質材料固化以形成一基質。
"基質材料"係指可固化至如本文所界定之基質的材料或材料混合物。"固化"係指單體或部分聚合物(少於150個單體)聚合及/或交聯以便形成一固體聚合基質之過程。合適聚合條件為此項技術中所熟知且包括(例如)加熱該單體，用可見光或紫外(UV)光、電子束及其類似物照射該單體。此外，同時由溶劑移除所致之聚合物/溶劑系統之"凝固"亦在"固化"之含義範圍內。
在某些實施例中，基質材料包含聚合物。光學清晰聚合物為此項技術中所已知。合適聚合基質之實例包括(但不限於)：聚丙烯酸系樹脂，諸如聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈；聚乙烯醇；聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)；具有高芳香度之聚合物，諸如酚醛樹脂或甲酚-甲醛(Novolacs®)、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚硫化物、聚碸、聚伸苯基及聚苯基醚；聚胺基甲酸酯(PU)；環氧樹脂；聚烯烴(例如聚丙烯、聚甲基戊烯及環烯烴)；纖維素；聚矽氧及其他含矽聚合物(例如聚倍半氧矽烷及聚矽烷)；聚氯乙烯(PVC)；聚乙酸酯；聚降冰片烯；合成橡膠(例如，EPR、SBR、EPDM)；及含氟聚合物(例如，聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯)；氟-烯烴與烴烯烴之共聚物(例如，Lumiflon®)；及非晶形氟碳聚合物或共聚物(例如，Asahi Glass Co.之CYTOP®或Du Pont之Teflon® AF)。
在其他實施例中，基質材料包含預聚物。"預聚物"係指可聚合及 /或交聯以形成如本文所述之聚合基質的單體混合物或寡聚物或部分聚合物之混合物。根據所要聚合基質選擇合適單體或部分聚合物在熟習此項技術者之知識範圍內。
在一較佳實施例中，預聚物為光固化的，意即該預聚物曝露於照射之後進行聚合及/或交聯。如將較詳細描述，以光固化預聚物為主之基質可藉由在選擇性區域內曝露照射而圖案化。在其他實施例中，該預聚物為熱固化的，其可藉由選擇性曝露於熱源中而圖案化。
基質材料通常為液體。該基質材料視情況可包含溶劑。可使用可有效使基質材料溶劑化或分散之任何非腐蝕性溶劑。合適溶劑之實例包括水、醇、酮、四氫呋喃、烴(例如環己烷)或芳族溶劑(苯、甲苯、二甲苯等等)。溶劑更佳為揮發性溶劑，其沸點不高於200℃、不高於150℃或不高於100℃。
在某些實施例中，基質材料可包含交聯劑、聚合抑制劑、穩定劑(例如包括抗氧化劑、UV穩定劑以達成較長保存期限)、界面活性劑及其類似物。在其他實施例中，基質材料可進一步包含腐蝕抑制劑。
如本文所說明，透明導體可(例如)藉由薄片塗覆、捲繞塗覆、印刷及層壓而製造。
薄片塗覆
薄片塗覆適於將導電層塗覆於任何基板上，尤其為剛性基板上。
圖13A-13B展示藉由薄片塗覆製造透明導體之一實施例。將捲筒100預浸漬於金屬奈米線分散液中(未展示)。捲筒100可在基板14之整個上表面105上滾軋，從而將金屬奈米線分散液層110留於上表面105上(圖13A)。使層110乾燥且在上表面105上形成一金屬奈米線網路層114(圖13B)。
該基板可需要前處理以使得能夠沈積黏附於該基板之均一金屬 奈米線分散液層110用於後續處理步驟。此處理可包括溶劑或化學洗滌、加熱、沈積視情況經圖案化之中間層以呈予該奈米線分散液適當化學或離子態，以及可包括諸如電漿處理、UV-臭氧處理或電暈放電之進一步表面處理。
舉例而言，中間層可沈積於基板之表面上以固定奈米線。該中間層使該表面功能化且使其改質以使奈米線容易結合至基板。在某些實施例中，中間層可在沈積奈米線之前塗覆於基板上。在其他實施例中，中間層可與奈米線共同沈積。
在某些實施例中，諸如多肽之多功能性生物分子可用作中間層。多肽係指由肽(醯胺)鍵接合之聚合序列之胺基酸(單體)。多肽中之胺基酸單體可相同或不同。具有側鏈官能基(例如胺基或羧酸基)之胺基酸為較佳的。因此合適多肽之實例包括聚-L-離胺酸、聚-L-麩胺酸及其類似物。多肽可在奈米線沈積之前塗覆於基板上。或者，多肽可與奈米線分散液共同沈積於基板上。包括玻璃、聚酯基板(例如聚對苯二甲酸乙二酯)之許多基板展示對多肽之親和力。
有利的是，中間層可以預定圖案沈積，其使得能夠根據相同圖案沈積奈米線。
所形成之奈米線網路層可進一步需要後處理以使其導電。此後處理可為包括如將在下文較詳細描述之經受熱、電漿、電暈放電、UV臭氧或壓力之過程步驟。
在一些實施例中，捲筒100可浸漬於基質材料中且越過網路層114滾軋以形成基質材料層116(圖13C)。如圖13D中所展示，使該基質材料層116固化以獲得基質且可獲得圖10A-10E之結構。
應瞭解刷子、壓印器、噴霧施料器、槽模施料器或任何其他合適施料器可用於替代捲筒100。有利的是，具有預定圖案之凹槽之捲筒或壓印器可用於塗覆經圖案化之金屬奈米線分散液層或基質材料 層，因此印刷經圖案化之導電層(例如凹板印刷)。導電層亦可藉由將奈米線或基質調配物經由孔罩噴於基板上而圖案化。若基質材料層沈積或固化於圖案化層中，則該圖案可藉由移除足夠數目之金屬奈米線以將奈米線濃度降至滲透臨限值以下而轉移至金屬奈米線層中。奈米線可藉由用合適溶劑將其洗去或刷去或藉由將其轉移至黏性或黏著性捲筒而移除。
進一步應瞭解可進行額外沈積或塗覆，同時允許在兩連續塗覆步驟之間進行乾燥或固化。舉例而言，可以與上文所述之相同方式塗覆任何數目之效能增強層。
捲繞塗覆
捲繞塗覆已在紡織品及紙工業中用於高速(高產量)塗覆應用。其與用於透明導體製造之沈積(塗覆)製程相容。有利的是，捲繞塗覆使用習知設備且可完全自動化，此顯著降低製造透明導體之成本。詳言之，捲繞塗覆在可撓性基板上產生均一及可再生導電層。過程步驟可在充分整合之線路上進行或作為獨立操作連續進行。
圖14A展示一實施例，其中以膜或網形式之可撓性基板可沿移動路徑連續塗覆。更特定言之，安裝於捲軸118上之基板14藉由馬達(未展示)拉引且沿行進路徑120移動。基板可直接或經由傳送帶系統(未展示)饋入捲軸中。儲存槽122位於基板14上方。儲存槽122含有用於金屬奈米線沈積之金屬奈米線分散液124。儲存槽122中之孔128將金屬奈米線分散液之連續流132輸送於基板14上以在基板14之上表面105上形成層110。
應瞭解，基質材料儲存於另一儲存槽(未展示)中，且該基質材料可以與上文所述相同之方式塗覆。
應進一步瞭解可使用任何分配裝置替代該儲存槽，包括噴霧裝置(例如輸送加壓分散液之霧化器)、刷塗裝置、澆注裝置及其類似 物。類似於薄片塗覆，亦可使用印刷裝置以提供圖案化塗層。
圖14B展示捲繞塗覆之一替代方法，其中在基板之下表面上進行塗覆。類似於圖14A中所說明之方法，基板14沿行進路徑120移動。塗覆捲筒140位於該基板下方且部分浸沒於儲存槽122中所儲存之金屬奈米線分散液124中。塗覆捲筒140將金屬奈米線分散液層110輸送至基板14之下表面144上。基質材料之塗覆可以相同方式進行。
在圖14A及14B中所述之過程中，應注意在每一沈積步驟之前或之後可應用多種表面處理。如下文中將較詳細描述，表面處理可增強所形成導電層之透明度及/或電導率。合適表面處理包括(但不限於)溶劑或化學洗滌、電漿處理、電暈放電、UV/臭氧處理、壓力處理及其組合。
圖15A展示用於製造透明導體之全面流程。如所展示，捲繞塗覆系統146包括一由馬達(未展示)驅動之捲取軸147。捲取軸147將基板14(例如，可撓性聚合物膜)自供應捲軸148沿行進路徑150拉引。隨後基板14沿行進路徑150經受相繼處理及塗覆製程。熟習此項技術者將顯而易見，捲軸速度、沈積速度、基質材料之濃度及乾燥及固化製程之充分性為決定所形成導電層之均一性及厚度之因素。
此外，在某些實施例中，進行前處理以製備用於後續塗覆製程之基板。更特定言之，基板14視情況可在前處理台160處經表面處理以改良後續奈米線沈積之功效。此外，在沈積之前對基板進行表面處理可增強稍後所沈積之奈米線之均一度。
表面處理可藉由此項技術中已知之方法進行。舉例而言，可使用電漿表面處理以改質基板表面之分子結構。使用諸如氬、氧或氮之氣體，電漿表面處理可在低溫下產生高度反應性之物質。該製程中通常涉及表面上之僅一些原子層，因此就化學性質而言，該基板(例如聚合物膜)之整體特性保持不變。在多種情況下，電漿表面處理提供 充分表面活化用於增強之濕潤及黏著性結合。作為一說明性實例，氧電漿處理可在March PX250系統中使用以下操作參數進行：150W,30sec,O2流速：62.5sccm，壓力：約400毫托。
在其他實施例中，表面處理可包括將中間層沈積於基板上。如上文所說明，中間層通常對奈米線與基板均展示親和力。因此，中間層能夠固定奈米線且使得該等奈米線黏附於基板。適用作該中間層之代表性材料包括多功能生物分子，包括多肽(例如，聚-L-離胺酸)。
其他例示性表面處理包括用溶劑進行表面洗滌、電暈放電及UV/臭氧處理，所有均為熟習此項技術者已知。
其後，基板14繼續向金屬奈米線沈積台164行進，其輸送如本文所界定之金屬奈米線分散液166。該沈積台可為如圖14A中所述之儲存槽、噴霧裝置、刷塗裝置及其類似物。金屬奈米線分散液層168沈積於上表面105上。或者，可使用印刷裝置以將圖案化金屬奈米線分散液塗層塗覆於基板上。舉例而言，可使用具有預定圖案凹槽之壓印器或捲筒。該壓印器或捲筒可藉由此項技術中已知之方法連續浸漬於金屬奈米線分散液中。
層168視情況可在漂洗台172處漂洗。其後，層168在乾燥台176處乾燥以形成金屬奈米線網路層180。
視情況，網路層180可在後處理台184處處理。舉例而言，以氬或氧電漿對金屬奈米線進行表面處理可改良網路層180之透明度及電導率。作為一說明性實例，Ar或N2電漿可在March PX250系統中使用以下操作參數進行：300W,90sec(或45sec)，Ar或N2氣體流速：12sccm，壓力：約300毫托。亦可使用其他已知表面處理，例如電暈放電或UV/臭氧處理。舉例而言，Enercon系統可用作空氣中之電暈處理器，在7kW下歷時70"。
作為後處理之一部分，網路層可進一步經壓力處理。更特定言 之，網路層180經由向網路層180之表面185施加壓力的捲筒186及187饋入。應瞭解亦可使用單一捲筒。
有利的是，向根據本文所述之方法製造之金屬奈米線網路層施加壓力可增加導電層之電導率。
詳言之，可藉由使用一或多個捲筒(例如，圓柱形桿)向根據本文所述之方法製造之導電薄片透明導體的一或兩個表面施加壓力，其中一或兩個捲筒之長度尺寸可(但並非必需)大於導電層之寬度尺寸。若使用單一捲筒，則網路層可置放於剛性表面上且當向該單一捲筒施加壓力時，該捲筒使用已知方法在該導電層之整個暴露表面上滾軋。若使用兩個捲筒，則網路層可如圖15A所展示在兩個捲筒之間被滾軋。
在一實施例中，可藉由一或多個捲筒向透明導體施加50至3400psi。亦認為可施加100至1000psi、200至800psi或300至500psi。較佳在塗覆任何基質材料之前向透明導體施加壓力。
若使用兩個或兩個以上捲筒嚮導電薄片施加壓力，則可使用"夾持"或"夾緊"捲筒。夾持或夾緊捲筒為此項技術中所充分瞭解且(例如)討論於2004年3月，3M Technical Bulletin "Lamination Techniques for Converters of Laminating Adhesives"中，該文獻以全文引用的方式併入本文中。
確定在應用如上文所討論之電漿處理之前或之後向金屬奈米線網路層施加壓力改良其電導率，且其可與或不與先前或後續電漿處理一起進行。如圖15A中所展示，捲筒186及187可在網路層180之整個表面185上滾軋單次或多次。若該等捲筒在網路層180上滾軋多次，則滾軋可在相對於平行於薄片之受軋表面之軸的相同方向(例如沿行進路徑150)或不同方向(未展示)上進行。
圖15B為使用不銹鋼捲筒施加約300psi至約500psi之後金屬奈米線導電網路810之一部分的SEM影像。導電網路810包括複數個奈米線 交叉點，諸如交叉點812a、812b及812c。如圖所示，在每一交叉點812a、812b及812c處至少頂部奈米線814、816及818具有平整截面，其中交叉線已藉由施加壓力而壓入彼此中，藉此增強奈米線導電網路之連接性以及電導率。
此時亦可施加熱用作後處理。詳言之，透明導體暴露於80℃至250℃歷時長達10min，且更佳暴露於100℃至160℃歷時約10秒至2分鐘。此加熱可在線或離線進行。舉例而言，在離線處理中，透明導體可置放於設定在給定溫度下之薄片乾燥烘箱中歷時預定時間量。以該方式加熱透明導體可改良如本文所述製造之透明導體之電導率。舉例而言，將使用如本文所述之捲軸式方法製造之透明導體置放於設定在200℃溫度下之薄片乾燥烘箱中歷時30秒。在此熱後處理之前，該透明導體之表面電阻率為約12K Ω/□，其在該後處理之後降至約58Ω/□。
在另一實例中，將類似製備之第二透明導體於薄片烘箱中100℃下加熱30秒。該第二透明導體之電阻率自約19K Ω/□降至約400Ω/□。亦認為透明導體可使用除薄片烘箱以外之方法加熱。舉例而言，紅外燈可用作加熱透明導體之在線或離線方法。
此外，可使用向透明導體施加熱與壓力之後處理。詳言之，透明導體可經由如上文所述之一或多個捲筒置放以施加壓力。可加熱該等捲筒以同時施加熱。由捲筒施加之壓力較佳為10至500psi且更佳為40至100psi。較佳將捲筒加熱至約70℃與200℃之間，且更佳至約100℃與175℃之間。該組合施加熱與壓力可改良透明導體之電導率。可用於同時施加適當壓力及熱之機器為諸如由Darlington銷售之層壓機。組合施加熱與壓力可在如下文所述之沈積及固化基質或其他層之前或之後進行。
可用於增加透明導體之電導率之另一後處理技術為將如本文所 揭示製造之透明導體之金屬線導電網路暴露於金屬還原劑中。詳言之，銀奈米線導電網路較佳可暴露於諸如硼氫化鈉之銀還原劑中歷時較佳約10秒至約30分鐘，且更佳約1分鐘至約10分鐘。如一般熟習此項技術者將瞭解，可在線或離線進行該暴露。
如上文所說明，該處理可增加透明導體之電導率。舉例而言，將在PET基板上且根據本文所揭示之捲軸式方法製備之銀奈米線之透明導體暴露於2% NaBH4中歷時1分鐘，隨後將其在水中漂洗且在空氣中乾燥。在此後處理之前，該透明導體之電阻率為約134Ω/□，且此後處理之後，該透明導體之電阻率為約9Ω/□。在另一實例中，將玻璃基板上之銀奈米線之透明導體暴露於2% NaBH4中歷時7分鐘，在水中漂洗且空氣乾燥。在此後處理之前，該透明導體之電阻率為約3.3MΩ/□且此後處理之後，該透明導體之電阻率為約150Ω/□。除硼氫化鈉以外之還原劑可用於此後處理。其他合適還原劑包括其他硼氫化物，諸如硼氫化鈉；硼氮化合物，諸如二甲基胺基硼烷(DMAB)；及氣體還原劑，諸如氫氣(H2)。
其後，基板14繼續向基質沈積台188行進，其輸送如本文所界定之基質材料190。基質沈積台188可為如圖14A中所述之儲存槽、噴霧裝置、刷塗裝置、印刷裝置及其類似物。因此基質材料層192沈積於網路層180上。有利的是，該基質材料可藉由印刷裝置沈積以形成圖案化層。
隨後使層192在固化台200上固化。其中該基質材料為聚合物/溶劑系統，層192可藉由使溶劑蒸發而固化。該固化製程可藉由加熱(例如，烘焙)而加速。當該基質材料包含輻射固化預聚物時，層192可藉由照射而固化。視該預聚物之類型而定，亦可使用熱固化(熱誘發之聚合)。
視情況，圖案化步驟可在基質材料層192固化之前進行。圖案化 台198可位於基質沈積台188之後且在固化台200之前。下文將較詳細討論該圖案化步驟。
固化製程形成包含基質210中之金屬奈米線網路層180之導電層204。導電層204可在後處理台214處進一步處理。
在一個實施例中，導電層204可在後處理台214處經表面處理以將金屬奈米線之一部分暴露於導電層之表面上。舉例而言，可藉由溶劑、電漿處理、電暈放電或UV/臭氧處理來蝕刻微量基質。經暴露之金屬奈米線尤其適用於觸控式螢幕應用。
在另一實施例中，固化製程之後金屬奈米線之一部分暴露於導電層204之表面上(亦參見圖10C及10D)，且不需要蝕刻步驟。詳言之，當適當控制基質材料層192之厚度及基質調配物之表面張力時，基質將不濕潤金屬奈米線網路之頂部且金屬奈米線之一部分將暴露於導電層之表面上。
隨後，導電層204及基板14藉由捲取軸147拉出。此製造流程亦稱為"捲軸式"或"捲筒式"方法。視情況，基板可藉由沿傳送帶行進而穩定。
在"捲軸式"方法中，沿移動基板之行進路徑可進行多個塗覆步驟。因此捲繞塗覆系統146可按需定製或另外調適以併入任何數目之額外塗覆台。舉例而言，效能增強層(抗反射、黏接、障壁、抗眩光、保護層或膜)之塗覆可完全整合至該流程中。
有利的是，捲軸式方法能夠以高速及低成本生產均一透明導體。詳言之，由於塗覆製程之連續流程，所塗覆之層不具有後邊緣。
層壓
儘管"捲軸式"方法具有通用性，但其與諸如玻璃之剛性基板不相容。儘管剛性基板可藉由薄片塗覆而塗覆且可可能在傳送帶上運載，但其通常遭受邊緣缺陷及/或缺乏均一性。此外，薄片塗覆為可顯著 增加生產成本之低產量方法。
因此，本文描述一種藉由使用可撓性供體基板製造透明導體之層壓製程。此製程與剛性基板與可撓性基板相容。更特定言之，該層壓製程包含：將一導電層塗覆於一可撓性供體基板上，該導電層包括可嵌入一基質中之複數個金屬奈米線；將該導電層與該可撓性供體基板分離；及將該導電層轉移至一選擇基板。有利的是，由於供體基板為可撓性，因此塗覆至可撓性供體基板上之步驟可藉由捲軸式方法進行。隨後可經由標準層壓製程將其中所形成之導電層轉移至可為剛性或可撓性之選擇基板。若僅將奈米線沈積於可撓性供體基板上且未使用基質材料，則可使用層壓黏接劑以將該導電層附著至該選擇基板。
"可撓性供體基板"係指薄片、膜、網及其類似物形式之可撓性基板。只要可撓性供體基板可與導電層分離，則其不特定受限。可撓性供體基板可為如本文所述之任何可撓性基板。此外，可撓性供體基板可為編織或非編織紡織品、紙及其類似物。可撓性供體基板不必為光學清晰的。
在某些實施例中，可撓性供體基板可在塗覆導電層之前用釋離層預塗覆。"釋離層"係指黏附至供體基板之薄層，且在該薄層之上可藉由捲繞塗覆形成導電層。釋離層必須允許易於將供體基板自導電層移除而不損害導電層。釋離層通常由具有低表面能之材料形成，包括(但不限於)：以矽為主之聚合物、氟化聚合物、澱粉及其類似物。
圖16A說明層壓結構230之一實例，其包含一可撓性供體基板240、一塗覆於可撓性供體基板240上之釋離層244及一塗覆於該釋離層244上之導電層250。
層壓結構230可以結合圖15A所述之相同方式使用可撓性供體基板來製造。在金屬奈米線沈積之前，將釋離層244沈積或塗覆於可撓性供體基板上。如本文所述，導電層250可藉由金屬奈米線沈積隨後 基質沈積而形成。
隨後將導電層均一轉移至選擇基板上。詳言之，通常不適用於捲軸式塗覆方法之剛性基板(例如，玻璃)可與導電層一起層壓。如圖16B中所展示，藉由使導電層250之表面262與基板260接觸而將層壓結構230轉移至基板260(例如，玻璃)。在某些實施例中，聚合基質(例如PET、PU、聚丙烯酸酯)提供與基板260之充分黏著。其後，如圖16C中所展示，可撓性供體基板240可藉由將釋離層244與導電層250分離而移除。
在其他實施例中，黏接層可用以在層壓步驟期間提供導電層與基板之間的較佳結合。圖17A展示層壓結構270，其除包含可撓性供體基板240、釋離層244及導電層250以外，包含一面塗層274及一黏接層278。黏接層278具有一黏接表面280。
層壓結構270可藉由結合圖15A所述之捲軸式方法製造，此條件下，捲繞塗覆系統146經調適以提供用於塗覆黏接層及面塗層之額外台。該黏接層如本文所界定(例如聚丙烯酸酯、聚矽氧烷)，且可為壓敏性、熱融性、輻射固化性及/或熱固化性。面塗層可為效能增強層中之一或多者，包括硬塗層、抗反射層、保護膜、障壁層及其類似物。
圖17B中，層壓結構270經由黏接表面280與基板260結合。其後，如圖17C中所展示，可撓性供體基板240藉由將釋離層244與面塗層274分離而移除。
在某些實施例中，在層壓製程期間可使用熱或壓力以增強黏接層(或不存在黏接層情況下為導電層)與基板之間的結合。
在其他實施例中，由於導電層相對於可撓性供體基板與選擇基板之親和力差異，釋離層並非必需的。舉例而言，導電層與玻璃之親和力可較與紡織品供體基板之親和力更高。層壓製程之後，可移除紡 織品供體基板而導電層與玻璃基板牢固結合。
在某些實施例中，在層壓製程期間可能進行圖案化轉移。舉例而言，基板可藉由熱梯度加熱，此根據預定圖案在基板上提供受熱區域及未受熱區域。僅該等受熱區域由於增強之親和力(例如黏著力)而將與導電層一起層壓，因此在基板上提供圖案化導電層。基板上之受熱區域可(例如)藉由位於待加熱基板區域下方之鎳鉻合金線加熱器而產生。
在其他實施例中，圖案化轉移可藉由基於由某些基質材料或黏接劑所顯示之壓敏性親和力之壓力梯度而實現。舉例而言，圖案化層壓捲筒可用以根據預定圖案施加不同壓力。該圖案化層壓捲筒亦可經加熱以增進加壓區域與未加壓區域之間的親和力差異。
在其他實施例中，在層壓製程之前，可根據預定圖案對導電層進行預切割(例如模切割)。在將預切割之導電層轉移至基板之後，保留預定圖案之導電層而沿預切割輪廓移除其餘部分。
圖案化
如上文所說明，圖案化導電層可藉由根據圖案選擇性固化預聚物塗層而形成。該固化製程可光解式或熱式進行。圖18說明導電層經光圖案化之實施例。更特定言之，根據本文所述之方法(例如，圖13A-13D)將金屬奈米線網路層114沈積於基板14上。應瞭解基板14可為任何基板，包括可撓性供體基板。
其後，將預聚物塗層300沈積於金屬奈米線網路層114上。照射源310提供用於固化預聚物塗層之光子能。遮罩314位於預聚物塗層300與照射源310之間。曝露之後，僅曝露於照射中之區域(意即，區域320)固化；可藉由用合適溶劑洗滌或刷洗或藉由用黏性捲筒將其除去而移除未固化區域324中之預聚物塗層及奈米線。
光固化預聚物為此項技術中所熟知。在某些實施例中，光固化 預聚物包括包含適於鏈延長及交聯之一或多個雙鍵或官能基(例如，氫化物或羥基)之單體。在其他實施例中，光固化預聚物包含含有適於交聯或鏈延長之一或多個雙鍵或官能基(例如，氫化物或羥基)之部分聚合物或寡聚物。
含有一個雙鍵之單體之實例為丙烯酸/甲基丙烯酸烷基/羥烷基酯，諸如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯及丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸甲酯及甲基丙烯酸乙酯、聚矽氧丙烯酸酯、丙烯腈、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-取代之(甲基)丙烯醯胺、諸如乙酸乙烯酯之乙烯酯、諸如異丁基乙烯醚之乙烯醚、苯乙烯、烷基苯乙烯及鹵苯乙烯、N-乙烯基吡咯啶酮、氯乙烯及氯亞乙烯。
含有兩個或兩個以上雙鍵之單體之實例為乙二醇、丙二醇、新戊二醇、己二醇之二丙烯酸酯及雙酚A之二丙烯酸酯，及4,4'-雙(2-丙烯醯氧基乙氧基)二苯基丙烷、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、異戊四醇三丙烯酸酯或異戊四醇四丙烯酸酯、丙烯酸乙烯酯、二乙烯苯、琥珀酸二乙烯酯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、磷酸三烯丙酯、異三聚氰酸三烯丙酯或三(2-丙烯醯基乙基)異三聚氰酸酯。
部分聚合物之實例包括(但不限於)丙烯酸化環氧樹脂、丙烯酸化聚酯、含有乙烯醚或環氧基之聚酯、聚胺基甲酸酯及聚醚、不飽和聚酯樹脂。在一較佳實施例中，預聚物為丙烯酸樹脂。
視情況，光引發劑可用以引發聚合及/或交聯反應。該光引發劑吸收光子能且產生引發包括鏈延長及交聯之自由基聚合之級聯的自由基。光引發劑為此項技術中所熟知。合適光引發劑之實例包括(但不限於)肟酯、苯基酮、鎓鹽及氧化膦，例如參見美國專利第6,949,678號、第6,929,896號及第6,803,392號；N.Buhler及D.Bellus,"Photopolymers as a powerful tool in modern technology",Pure & Appl. Chem.，第67卷，第1號，第25-31頁，1995；J.Crivello in Advances in Polymer Science，第62卷，第1-48頁(1984)。在一較佳實施例中，光引發劑為Ciba IrgacureTM 754。藉由使用光引發劑，預聚物塗層通常可在5分鐘內固化，更佳在30秒內固化。
在其他實施例中，熱圖案化可使用絕緣熱遮罩(例如，孔罩)進行，其僅將待固化之基質材料層區域曝露於熱源。或者，在無遮罩之方法中，雷射直接書寫技術可用以將加熱圖案直接"書寫"在預聚物塗層上。熱固化基質材料為熟習此項技術者已知。舉例而言，基質材料可為環氧樹脂、樹脂及溶膠-凝膠複合材料。
光圖案化方法與熱圖案化方法均與上文所述之"捲軸式"方法相容。舉例而言，如圖15A中所展示，光圖案化台198可為捲繞塗覆系統146之一部分。光圖案化台198可以大量方式配置以允許連續曝露及固化預聚物塗層。
在一實施例中，如圖19A中所展示，旋轉圓筒330為光圖案化台198之部分(未展示捲繞塗覆系統146)。用預聚物塗層300塗覆之基板14隨傳送帶332一起移動。該旋轉圓筒以與傳送帶332相同之速度旋轉。照射源310位於旋轉圓筒330內。旋轉圓筒330之外部334經圖案化、穿孔或另外具備開口338以允許光照射預聚物塗層300。視情況，用於阻止任何雜散光之防護狹縫或視準儀340可緊密位於移動基板上方。
在一相關配置中，如圖19B所展示，可使用具有經圖案化或穿孔外部352之圖案化帶350。圖案化帶350由捲筒354驅動，捲筒354中之一者連接至馬達(未展示)。圖案化帶350以與移動傳送帶332相同之速度移動，從而允許經由開口360將預聚物塗層300持續曝露於照射源310。視情況，可使用防護狹縫340。
圖20展示用於在基板上形成圖案化導電層之部分整合系統400。 系統400可完全整合至捲繞塗覆系統146中。詳言之，光圖案化台198與圖19A中所展示之光圖案化台相同。光曝露及固化之後，預聚物塗層300在選擇性區域固化且將在洗滌台370處經進一步處理以移除任何未固化之預聚物。現包含固化區域380及裸金屬奈米線區域374之基板14向旋轉黏性捲筒384移動。黏性捲筒384接觸且移除裸金屬奈米線區域374。移除該等裸金屬奈米線之後，基板經塗覆而在非導電區域386中具有導電區域380。
如本文所述之透明導體可在包括當前利用諸如金屬氧化物膜之透明導體之任何裝置的廣泛種類裝置中用作電極。合適裝置之實例包括平板顯示器、LCD、觸控式螢幕、電磁屏蔽、功能性玻璃(例如，用於電鉻窗)、光電裝置及其類似物。此外，本文之透明導體可用於可撓性裝置中，諸如可撓性顯示器及觸控式螢幕。
在一實施例中，透明導體可在液晶顯示(LCD)裝置中用作像素電極。圖21示意性展示LCD裝置500。背光504經由偏光器508及底部玻璃基板512投射光。複數個第一透明導體條520位於底部玻璃基板512與第一對準層522之間。每一透明導體條520與資料線524交替。間隔器530提供於第一對準層522與第二對準層532之間，該等對準層將液晶536夾入其間。複數個第二透明導體條540位於第二對準層532上，第二透明導體條540與第一透明導體條520成直角定向。第二透明導體條540進一步經鈍化層544、有色基質548、頂部玻璃基板550及偏光器554塗覆。有利的是，透明導體條520及540可經圖案化且在層壓製程中分別轉移至底部玻璃基板及對準層上。不同於習知使用之金屬氧化物條(ITO)，不需要高成本沈積或蝕刻製程。
在另一實施例中，本文所述之透明導體形成觸控式螢幕之部分。觸控式螢幕為整合至電子顯示器上之交互式輸入裝置，其允許使用者藉由觸摸螢幕而輸入指令。觸控式螢幕為光學清晰的以允許光及 影像透過。
圖22示意性展示根據一實施例之觸控式螢幕裝置560。裝置560包括一包含一經第一導電層572塗覆或與其一起層壓之第一基板568的第一透明導體564，該第一導電層572具有一頂部導電表面576。第二透明導體580位於第一透明導體564上方且藉由裝置560各自端之黏接外殼584及584'而與其分離。第二透明導體580包括一塗覆或層壓於一第二基板592上之第二導電層588。第二導電層588具有一朝向頂部導電表面576之內部導電表面594且懸掛於間隔器596上方。
當使用者觸摸第二透明導體580時，內部導電表面594接觸第一透明導體564之頂部導電表面576且致使靜電場產生變化。控制器(未展示)感應該變化且解析實際觸摸座標，隨後將其資訊傳遞至操作系統。
根據此實施例，內部導電表面594及頂部導電表面576各自之表面電阻率在約50-500Ω/□範圍內。在光學上，第一及第二透明導體具有高透射率(例如，>85%)以允許影像透過。
第一及第二基板可為如本文所述之多種材料。舉例而言，該第一基板可為剛性的(例如玻璃)，而該第二基板可為可撓性膜。或者，對於可撓性觸控式螢幕應用，兩基板均可為可撓性膜(例如塑膠)。
當前可用之觸控式螢幕通常使用金屬氧化物導電層(例如，ITO膜)。如上文所說明，ITO膜易碎且製造成本高。詳言之，ITO膜通常在高溫下及真空中沈積於玻璃基板上。相反，本文所述之透明導體可藉由高產量方法且在低溫下製造。其亦允許包括可撓性及耐用基板之較多不同基板，諸如塑膠膜。
由以下非限制性實例較詳細說明透明導體結構、其電學及光學特性及製造方法。
實例 實例1 銀奈米線之合成
銀奈米線藉由按照(例如)Y.Sun、B.Gates、B.Mayers及Y.Xia,"Crystalline silver nanowires by soft solution processing",Nanoletters,(2002),2(2)165-168中所述之"多元醇"方法藉由在聚(乙烯吡咯啶酮)(PVP)存在下還原溶解於乙二醇中之硝酸銀來合成。Cambrios Technologies Corporation名下之美國臨時申請案第60/815,627號中所述之經改良之多元醇方法獲得均一生產銀奈米線。此申請案以全文引用的方式併入本文中。
實例2 透明導體之製備
5μm厚之Autoflex EBG5聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜用作基板。該PET基板為光學清晰絕緣體。表1中展示PET基板之透光率及混濁度。除非另外規定，使用ASTM D1003中之方法量測透光率。
首先製備銀奈米線之水性分散液。該等銀奈米線之寬度為約70nm至80nm且長度為8μm左右。銀奈米線(AgNW)之濃度為分散液之約0.5% w/v，得到約2之光學密度(經由Molecular Devices Spectra Max M2板判讀取器量測)。隨後藉由使奈米線沉降至基板上而將該分散液塗覆於PET基板上。如熟習此項技術者所瞭解，可使用其他塗覆技術，例如由窄通道計量之流、模流、斜面上之流及其類似技術。進一步應瞭解流體之黏度及剪切行為以及奈米線之間的相互作用可影響所塗覆奈米線之分佈及互連性。
其後，藉由水蒸發使所塗覆之銀奈米線層乾燥。在PET基板上形成裸銀奈米線膜(亦稱為"網路層")(AgNW/PET)。使用BYK Gardner Haze-gard Plus量測透光率及混濁度。使用Fluke 175 True RMS萬用表量測表面電阻率。表1中展示結果。亦可在光學或掃描電子顯微鏡下 觀察奈米線之互連性及基板之覆蓋區域。
基質材料藉由將聚胺基甲酸酯(PU)(Minwax快乾型聚胺基甲酸酯)混合於甲基乙基酮(MEK)中以形成1：4(v/v)黏性溶液來製備。藉由此項技術中已知之方法(例如簾幕式塗覆)將該基質材料塗覆於裸銀奈米線膜上。在室溫下使基質材料固化約3小時，其間蒸發溶劑MEK且使基質材料硬化。或者，固化可在烘箱中(例如)在50℃之溫度下歷時約2小時進行。
因此形成具有在PET基板上之導電層之透明導體(AgNW/PU/PET)。基質中之銀奈米線之導電層為約100nm厚。量測其光學及電學特性且表1中展示結果。
使透明導體進一步經受帶測試。更特定言之，將3M Scotch® 600膠帶牢固施加於基質表面上且隨後將其移除。將任何鬆散銀奈米線連同該帶一起移除。帶測試之後，量測該透明導體之光學及電學特性且表1中展示結果。
經由比較，在與上文所述之相同條件下在PET基板上形成僅基質膜(PU/PET)。表1中亦提供PU/PET之光學特性(透光率及混濁度)及電學特性。
如表1中所展示，PET上之僅基質膜(PU/PET)之透光率以及混濁度略高於PET基板。兩者均不導電。藉由比較，PET上之裸銀奈米線膜高度導電，暫存60Ω/□之表面電阻率。在PET上沈積裸銀奈米線膜降低透光率且增加混濁度。然而，由於透光率大於80%，因此PET上之裸銀奈米線膜仍視為光學清晰的。PET上之裸銀奈米線膜之光學及電學特性優於PET基板上所形成之金屬氧化物膜(例如ITO)或與其相當，其通常介於60至400Ω/□之範圍內。
如表1中進一步展示，以聚胺基甲酸酯基質中之銀奈米線為主之透明導體的透光率與PET上之裸銀奈米線膜幾乎相同，且混濁度較其 略高。透明導體之電阻率與裸銀奈米線膜保持相同，從而指示基質材料之塗覆並不干擾銀奈米線膜。由此所形成之透明導體為光學清晰的，且其表面電阻率優於PET基板上所形成之金屬氧化物膜(例如ITO)或與其相當。
此外，帶測試並不改變透明導體之電阻率或透光率，且僅略增加混濁度。
實例3 加速H2S腐蝕測試
諸如硫化氫(H2S)之硫化物為已知之腐蝕劑。在大氣硫化物之存在下，金屬奈米線(例如銀)之電學特性可潛在受影響。有利的是，透明導體之基質充當氣體滲透障壁。此在某種程度上防止大氣H2S接觸嵌入基質中之金屬奈米線。如本文所述，金屬奈米線之長期穩定性另外可藉由將一或多種腐蝕抑制劑併入基質中而獲得。
在美國，空氣中之H2S量為每十億份約0.11-0.33份(ppb)。此含量上，預期腐蝕發生達持久時期。因此，設計加速H2S腐蝕測試以提供H2S腐蝕之極端狀況。
將剛煮熟之蛋黃搗碎且密封於塑膠袋中。將H2S計(Industrial Scientific,GasBadge Plus-硫化氫專用氣體監測儀)插入該袋中以監測H2S自蛋黃之釋放。圖23展示歷時24小時H2S氣體之典型釋放分佈圖。袋中H2S初始增長之後，氣體含量下降，從而指示該氣體已擴散至可滲透袋之外。然而，袋中H2S氣體之含量(峰值為7.6ppm)大大超 過大氣H2S氣體含量。
根據實例2製備PET上之裸銀奈米線膜。將該膜置放於一裝有剛煮熟蛋黃之塑膠袋中。該膜在兩小時內開始變黑，從而指示銀已經銹蝕且形成黑色Ag2S。相反，直至2-3天後才觀察到聚胺基甲酸酯基質中之銀奈米線膜之顏色變化，從而指示該聚胺基甲酸酯基質充當減緩H2S氣體滲透之障壁。
實例4 併入腐蝕抑制劑
製備以下導電膜樣品。對於每一樣品使用PET基板。在某些樣品中，在製備該等導電膜期間併入腐蝕抑制劑，包括苯幷三唑、二硫代噻二唑及丙烯醛。
根據實例2中所述之方法製備樣品1-2。不存在腐蝕抑制劑。
樣品1為裸銀奈米線之導電膜。
樣品2為聚胺基甲酸酯基質中之銀奈米線之導電膜。
樣品3-6藉由首先在PET基板上形成裸銀奈米線膜(意即樣品1)而製備。其後，在基質材料之塗覆製程期間併入多種腐蝕抑制劑。
樣品3藉由將苯幷三唑(BTA)於甲基乙基酮(MEK)中之0.1w/v%溶液塗覆於裸銀奈米線膜上，隨後塗覆聚胺基甲酸酯(PU)於MEK(1：4)中之基質材料而製備。
樣品4藉由首先將1.5v/v%之二硫代噻二唑併入基質材料PU/MEK(1：4)中，隨後將該基質材料塗覆於裸銀奈米線膜上而製備。
樣品5藉由首先將裸銀奈米線膜浸漬於二硫代噻二唑於MEK中之1.5v/v%溶液中，隨後塗覆具有1.5v/v%二硫代噻二唑之基質材料PU/MEK(1：4)而製備。
樣品6藉由首先將1.5v/v%之丙烯醛併入基質材料PU/MEK(1：4)中，隨後將該基質材料塗覆於裸銀奈米線膜上而製備。
如實例3中所述，在加速H2S處理前後量測樣品1-6之光學及電學特性。圖24A、24B及24C中展示結果。
圖24A展示H2S處理前及H2S處理後24小時樣品1-6之透光率量值。為達成比較之目的，亦將每一樣品之透光率減少量繪入圖表中。在H2S處理之前，展示所有樣品為光學清晰的(透光率高於80%)。H2S處理24小時後，由於不同程度之銀銹蝕，所有樣品均遭受透光率減少。
如所預期，樣品1之透光率減少最多。樣品3及6表現得與僅基質樣品(樣品2)差不多。然而，與僅基質樣品相比，樣品4及5之透光率降低較少，從而指示腐蝕抑制劑二硫代噻二唑有效防止銀奈米線受腐蝕。
圖24B展示H2S處理前及H2S處理後24小時樣品1-6之電阻量測值。為達成比較之目的，亦將每一樣品之電阻增加量繪入圖表中。如所展示，儘管對於一些樣品而言電學特性降級之開始顯著延遲，但除樣品4以外所有樣品均遭受電阻顯著增加且有效變成非導電性。樣品4之電阻僅適度增加。注意儘管樣品4及樣品5具有相同腐蝕抑制劑(二硫代噻二唑)，但H2S對兩樣品之影響明顯不同。此意味塗覆製程可影響給定腐蝕抑制劑之有效性。
圖24C展示H2S處理前及H2S處理後24小時樣品1-6之混濁量測值。為達成比較之目的，亦將每一樣品之混濁度變化繪入圖表中。所有樣品均展示混濁量測值增加。除樣品1及6以外，樣品2-5中每一者之混濁度均在可接受範圍內(小於10%)。
展示樣品4具有耐腐蝕性H2S氣體之最佳總效能。藉由將腐蝕抑制劑(二硫代噻二唑)併入基質中，透明導體展示優於不存在腐蝕抑制劑之樣品2的明顯優勢。
注意此等加速測試中之H2S含量遠大於大氣H2S。因此，預期類 似於樣品4製備之透明導體在大氣H2S之存在的情況下甚至將更佳。
實例5 金屬奈米線網路層之壓力處理
表2說明向基板上之銀奈米線網路層(或"網路層")之表面施加壓力之兩個試驗的結果。
特定言之，將寬度為70nm至80nm左右且長度為8μm左右之銀奈米線沈積於Autoflex EBG5 PET基板上。在沈積奈米線之前用氬電漿處理該基板。根據實例2中所述之方法形成網路層。壓力處理之前未將基質材料塗覆於該等網路。在剛性台頂面上使用單一不銹鋼捲筒進行表2中所列之試驗。所處理之網路層區域為3至4吋寬且3至4吋長。
在施加任何壓力之前，網路層具有"原始"列中所指示之電阻(該等網路層未用電漿前處理)。表2之每一列指示以約340psi在該整個網路層上相繼進行單一滾軋。
每一試驗中，將網路層滾軋5次。其後，向該網路層應用電漿處理。每次滾軋之後之電阻如第二(第一試驗)行及第三(第二試驗)行中所列。第二試驗之透射率及混濁度變化分別如第四及第五行中所列。如所展示，確定每一試驗之網路層之電導率藉由向其表面施加壓力而 增加。
如上文表2中所展示，藉由捲筒向網路層施加壓力可減少該層之透光率且增加混濁度。如下文表3中所展示，壓力處理之後的洗滌製程可改良網路層之透射率且減少其混濁度。
如表3中所展示，藉由在剛性表面上用單一不銹鋼桿以約340psi兩次滾軋而向網路層施加壓力減少網路層之透光率且增加其混濁度。然而，滾軋之後用肥皂及水洗滌該網路層增加透射率且減少混濁度。氬電漿處理進一步改良透射率及混濁度。
壓力處理之後，可如實例2中先前所述塗覆基質材料。
實例6 導電層之光圖案化
圖25A說明一種直接使以奈米線為主之透明導體膜圖案化之方法。在此實例中，最初根據實例2中所述之方法在玻璃基板604上形成銀奈米線網路層("網路層")600。將兩個固持器610置放於玻璃基板604上以界定用於形成基質之區域614。在區域614內之網路層600上塗覆包含預聚物混合物之光固化基質材料618。將遮罩620置放於固持器610上。遮罩620為具有大量約500μm寬之黑線624之玻璃載片。隨後將基質材料在Dymax 5000燈下照射90秒。該基質材料在曝露於光之區域中固化且在由黑線遮蔽之區域中保持液態。
如圖25B中所展示，在上文所述之光圖案化之後獲得導電膜 630。較亮區域634係經曝露於UV照射且暗區域638係經遮蔽不受光曝露。使導電膜640進一步經受膠帶或黏性捲筒處理以移除未固化區域644中之基質材料及奈米線。如所展示，未固化區域644與固化區域648之間的對比明顯。膠帶處理之後，奈米線之濃度下降至未固化區域644中之滲透臨限值以下。使用精細探針尖端進行電學量測展示未固化區域644為非導電性。
圖26A-F展示較高放大倍率下之光圖案化導電層。圖26A展示在光固化之後立即得到的導電膜640(5×)。圖26B展示膠帶處理之後的導電膜640(5×)，其中固化區域648看似較未固化區域644更亮。在更高放大倍率下(圖26C及26D,20×)，可觀察到未固化區域644之奈米線濃度低於固化區域648。此對比在圖26E及26F(100×)中更明顯。
以下為適用作此實例中所用之基質材料之三種光固化調配物：
調配物1
75%丙烯酸2-乙基己酯；20%三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)；1%增黏劑(GE Silquest A1100)；0.1%抗氧化劑(Ciba Irgonox 1010ff)及4%光引發劑(Ciba Irgacure 754)
調配物2
73.9%丙烯酸2-乙基己酯；20%三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)；1%增黏劑(GE Silquest A1100)；0.05%抗氧化劑(Ciba Irgonox 1010ff)及5%光引發劑(Ciba Irgacure 754)
調配物3
73.1%三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)
22.0%三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)
4.9%光引發劑(Ciba Irgacure 754)
0.03%抗氧化劑(4-甲氧基酚)
作為使用膠帶或黏性捲筒移除未固化區域中之基質材料及奈米線之替代法，可使用溶劑以洗滌未固化區域。如圖27A-D中所展示，如上文所述製備導電膜700且將其經由黃銅孔罩曝露於UV照射。圖27A展示用乙醇洗滌及擦拭之後的固化區域(導電區域)710及未固化區域720。圖27B-D以漸增放大倍率說明未固化區域720中與固化區域710中奈米線濃度之對比。在未固化區域720中，已藉由乙醇洗滌移除多數未固化基質材料及銀奈米線。因此，光圖案化根據預定圖案產生導電區域及非導電區域。
本說明書中所參考及/或申請案資料表(包括但不限於[插入列表])中所列之上述美國專利、美國專利申請公開案、美國專利申請案、外國專利、外國專利申請案及非專利公開案均以全文引用的方式併入本文中。
經由前述，應瞭解儘管為達成說明之目的，本文已描述本發明之特定實施例，但可在不偏離本發明之精神及範疇之情況下進行多種 修改。因此，本發明僅受限於所附申請專利範圍。
2‧‧‧奈米線
4‧‧‧Ag奈米線
6a‧‧‧端子
6b‧‧‧端子
8‧‧‧蛋白質骨架
8a‧‧‧結合位點
8b‧‧‧導電粒子/導電材料
9a‧‧‧相關肽
9b‧‧‧相關肽
10‧‧‧透明導體
10'‧‧‧透明導體
12‧‧‧導電層
12'‧‧‧導電層
12"‧‧‧導電層
14‧‧‧基板
16‧‧‧金屬奈米線
16a‧‧‧奈米線
16b‧‧‧奈米線末端
16c‧‧‧奈米線中間段
18‧‧‧基質
19‧‧‧表面
20‧‧‧多層透明導體
22‧‧‧層
24‧‧‧層
26‧‧‧層
30‧‧‧表面
32‧‧‧邊緣封件
36‧‧‧間隔器
40‧‧‧儲集器
44‧‧‧單層
100‧‧‧捲筒
105‧‧‧上表面
110‧‧‧金屬奈米線分散液層
114‧‧‧金屬奈米線網路層
116‧‧‧基質材料層
118‧‧‧捲軸
120‧‧‧行進路徑
122‧‧‧儲存槽
124‧‧‧金屬奈米線分散液
128‧‧‧孔
132‧‧‧金屬奈米線分散液之連續流
140‧‧‧塗覆捲筒
144‧‧‧下表面
146‧‧‧捲繞塗覆系統
147‧‧‧捲取軸
148‧‧‧供應捲軸
150‧‧‧行進路徑
160‧‧‧前處理台
164‧‧‧金屬奈米線沈積台
166‧‧‧金屬奈米線分散液
168‧‧‧金屬奈米線分散液層
172‧‧‧漂洗台
176‧‧‧乾燥台
180‧‧‧金屬奈米線網路層
184‧‧‧後處理台
185‧‧‧表面
186‧‧‧捲筒
187‧‧‧捲筒
188‧‧‧基質沈積台
190‧‧‧基質材料
192‧‧‧基質材料層
198‧‧‧圖案化台
200‧‧‧固化台
204‧‧‧導電層
210‧‧‧基質
214‧‧‧後處理台
230‧‧‧層壓結構
240‧‧‧可撓性供體基板
244‧‧‧釋離層
250‧‧‧導電層
260‧‧‧基板
262‧‧‧表面
270‧‧‧層壓結構
274‧‧‧面塗層
278‧‧‧黏接層
280‧‧‧黏接表面
300‧‧‧預聚物塗層
310‧‧‧照射源
314‧‧‧遮罩
320‧‧‧區域
324‧‧‧未固化區域
330‧‧‧旋轉圓筒
332‧‧‧傳送帶
334‧‧‧外部
338‧‧‧開口
340‧‧‧防護狹縫/視準儀
350‧‧‧圖案化帶
352‧‧‧外部
354‧‧‧捲筒
360‧‧‧開口
370‧‧‧洗滌台
374‧‧‧裸金屬奈米線區域
380‧‧‧固化區域/導電區域
384‧‧‧黏性捲筒
386‧‧‧非導電區域
400‧‧‧系統
500‧‧‧LCD裝置
504‧‧‧背光
508‧‧‧偏光器
512‧‧‧底部玻璃基板
520‧‧‧第一透明導體條
522‧‧‧第一對準層
524‧‧‧資料線
530‧‧‧間隔器
532‧‧‧第二對準層
536‧‧‧液晶
540‧‧‧第二透明導體條
544‧‧‧鈍化層
548‧‧‧有色基質
550‧‧‧頂部玻璃基板
554‧‧‧偏光器
560‧‧‧觸控式螢幕裝置
564‧‧‧第一透明導體
568‧‧‧第一基板
572‧‧‧第一導電層
576‧‧‧頂部導電表面
580‧‧‧第二透明導體
584‧‧‧黏接外殼
584'‧‧‧黏接外殼
588‧‧‧第二導電層
592‧‧‧第二基板
594‧‧‧內部導電表面
596‧‧‧間隔器
600‧‧‧銀奈米線網路層
604‧‧‧玻璃基板
610‧‧‧固持器
614‧‧‧區域
618‧‧‧光固化基質材料
620‧‧‧遮罩
624‧‧‧黑線
630‧‧‧導電膜
634‧‧‧較亮區域
638‧‧‧暗區域
640‧‧‧導電膜
644‧‧‧未固化區域
648‧‧‧固化區域
700‧‧‧導電膜
710‧‧‧固化區域/導電區域
720‧‧‧未固化區域
810‧‧‧金屬奈米線導電網路
812a‧‧‧交叉點
812b‧‧‧交叉點
812c‧‧‧交叉點
814‧‧‧頂部奈米線
816‧‧‧頂部奈米線
818‧‧‧頂部奈米線
d1‧‧‧直徑
L1‧‧‧長度
圖1為奈米線之示意圖。
圖2為說明金屬奈米線之光吸收分佈之圖表。
圖3為說明多種光波長下銀奈米橢球之預期光學特性之圖表。
圖4為說明基於線直徑的奈米線之多種電阻率特性之預期值的圖表。
圖5為說明作為奈米線直徑之函數的預期總電阻率之圖表。
圖6展示連接於兩金屬接點之間的單一銀奈米線的SEM影像。
圖7說明充當透明導體之生物模板之絲狀蛋白質的網路。
圖8說明經由多種結合位點耦合至導電粒子之蛋白質骨架。
圖9說明基於相關肽耦合之生物模板之導電網路之形成。
圖10A示意性說明以金屬奈米線為主之透明導體之實施例。
圖10B示意性說明以金屬奈米線為主之透明導體之另一實施例。
圖10C示意性展示以金屬奈米線為主之透明導體之又一實施例，其中部分奈米線暴露於該透明導體之表面上。
圖10D展示突出透明導體之表面外之銀奈米線的SEM影像。
圖10E示意性說明以金屬奈米線為主之透明導體之另一實施例。
圖11示意性說明以金屬奈米線為主具有多層結構之透明導體之又一實施例。
圖12展示具有用於輸送氣相抑制劑(VPI)之儲集器之透明導體結構。
圖13A-13D展示藉由薄片塗覆製造透明導體過程之實例。
圖14A展示藉由捲繞塗覆製造透明導體過程之實例。
圖14B展示藉由捲繞塗覆製造透明導體過程之另一實例。
圖15A展示用於製造透明導體之捲繞塗覆系統及流程。
圖15B展示施加壓力之後處理後導電層之SEM影像。
圖16A-16C展示層壓製程之一實例。
圖17A-17C展示層壓製程之另一實例。
圖18展示使導電層光圖案化之一實例。
圖19A-19B展示適於捲繞塗覆製程之連續光圖案化方法之一實例。
圖20展示製造圖案化透明導體之部分系統及過程。
圖21展示包含以金屬奈米線為主之透明電極之顯示裝置。
圖22展示包含以金屬奈米線為主之兩個透明導體之觸控式螢幕 裝置。
圖23展示H2S氣體自剛煮熟蛋黃之典型釋放分佈圖。
圖24A展示加速H2S腐蝕測試前後六個導電膜樣品之透光率。
圖24B展示加速H2S腐蝕測試前後六個導電膜樣品之電阻。
圖24C展示加速H2S腐蝕測試前後六個導電膜樣品之混濁度。
圖25A展示直接使以奈米線為主之透明導電膜圖案化之一實例。
圖25B展示膠帶處理前後圖案化導電膜之照片。
圖26A-26F展示不同放大倍率程度下膠帶處理前後圖案化導電膜之照片。
圖27A-27D展示溶劑處理前後另一例示性導電膜之照片。
10‧‧‧透明導體
12‧‧‧導電層
14‧‧‧基板
16‧‧‧金屬奈米線

Claims (28)

  1. 一種製造透明導體之方法，其包含：將複數個金屬奈米線沈積於基板之表面上，該等金屬奈米線係分散於流體中；藉由使該液體乾燥而在該基板上形成金屬奈米線網路層；將基質材料沈積於該金屬奈米線網路層上；使該基質材料固化以形成基質，該基質及嵌入其中之該等金屬奈米線形成導電層；及層壓該導電層，其中，該基板係可撓性供體基板。
  2. 如請求項1之方法，其中該可撓性供體基板係經釋離層塗覆。
  3. 如請求項1或2之方法，其進一步包含自該可撓性供體基板分離該導電層；及施加該導電層轉移至選擇基板。
  4. 如請求項3之方法，其中在自該可撓性供體基板分離之前，該導電層係經圖案化。
  5. 如請求項1之方法，其中該層壓該導電層係利用一或多個捲筒對該導電層施加壓力。
  6. 如請求項5之方法，其中該層壓該導電層係利用所述的一或多個捲筒對該導電層施加約300psi至約500psi的壓力。
  7. 如請求項1之方法，其中該層壓該導電層係利用一或多個捲筒同時對該導電層施加壓力及熱。
  8. 如請求項7之方法，其中所述的一或多個捲筒加熱至約70℃與約200℃之間，並利用加熱後的所述的一或多個捲筒對該導電層施加約10psi至約500psi的壓力。
  9. 如請求項1之方法，更包含將該金屬奈米線網路層暴露於一金屬 還原劑中之步驟。
  10. 如請求項9之方法，其中該金屬奈米線網路層為一銀奈米線網路層，所述的將該金屬奈米線網路層暴露於一金屬還原劑中之步驟包含將該銀奈米線網路層暴露於一銀還原劑中之步驟。
  11. 如請求項1之方法，更包含以肥皂及水洗滌該金屬奈米線網路層之步驟。
  12. 如請求項1之方法，更包含以氬電漿處理該金屬奈米線網路層之步驟。
  13. 如請求項1之方法，其中該基質材料包含預聚物。
  14. 如請求項13之方法，其中該預聚物係可光固化的。
  15. 如請求項1之方法，其中該基質材料包含交聯劑、聚合抑制劑、UV穩定劑或界面活性劑。
  16. 如請求項1之方法，其中該基質材料係可根據圖案沈積，以提供經該金屬奈米線網路層塗覆之區域及未經該金屬奈米線網路層塗覆之區域，該經塗覆之區域固化為圖案化基質。
  17. 如請求項1之方法，其中該固化包含選擇性固化，根據圖案，該基質材料形成一固化區域及一未固化區域，其中更包含移除位於該未固化區域中之該基質材料及該等金屬奈米線。
  18. 如請求項1之方法，其中該固化包含選擇性固化，根據圖案，該基質材料形成一固化區域及一未固化區域，其中更包含移除位於該未固化區域中之該等金屬奈米線，使位於該未固化區域中之該等金屬奈米線的濃度低於一滲透臨限值，使該未固化區域為非導電性。
  19. 一種層壓結構，其包含：基板；及包含嵌有金屬奈米線網路層之基質且經層壓於基板上之導電 層，其中，該基板係可撓性供體基板。
  20. 如請求項19之層壓結構，其進一步包含位於該可撓性供體基板與該導電層之間之釋離層，該釋離層可自該導電層分離。
  21. 如請求項19之層壓結構，其進一步包含位於該導電層之上之黏接層。
  22. 如請求項19之層壓結構，其進一步包含位於該可撓性供體基板與該導電層之間之面塗層，該面塗層係與該導電層接觸。
  23. 如請求項22之層壓結構，其中該面塗層係硬塗層、保護膜、抗反射層、抗眩光層、障壁層、或其等之組合。
  24. 如請求項19之層壓結構，其中該基質係聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚噻吩、聚二乙炔、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸系樹脂、聚矽氧、聚丙烯酸酯、聚矽烷、聚酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯，聚烯烴、含氟聚合物、聚醯胺、聚醯亞胺、聚降冰片烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、或彼等之共聚物或共混物。
  25. 如請求項24之層壓結構，其中該基質係選自聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚噻吩、及聚二乙炔之導電聚合物。
  26. 如請求項19之層壓結構，其中該基質包含交聯劑、聚合抑制劑、UV穩定劑或界面活性劑。
  27. 如請求項19之層壓結構，其中該導電層的透光率為至少50%。
  28. 如請求項19之層壓結構，其中該導電層的透光率為至少80%。
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EP (9) EP2477230B1 (zh)
JP (5) JP5546763B2 (zh)
KR (5) KR102103541B1 (zh)
CN (2) CN102250506B (zh)
AT (1) ATE532217T1 (zh)
AU (1) AU2006279590A1 (zh)
CA (1) CA2618794A1 (zh)
HK (6) HK1115936A1 (zh)
SG (5) SG150516A1 (zh)
TW (3) TWI544501B (zh)
WO (1) WO2007022226A2 (zh)

Families Citing this family (730)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI259913B (en) * 2004-12-30 2006-08-11 Ind Tech Res Inst Color filter and methods of making the same
US7781673B2 (en) 2005-07-14 2010-08-24 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US20070181179A1 (en) 2005-12-21 2007-08-09 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US7772485B2 (en) 2005-07-14 2010-08-10 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
JP5546763B2 (ja) 2005-08-12 2014-07-09 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤに基づく透明導電体
US7473912B2 (en) * 2005-11-09 2009-01-06 Yang Xiao Charles Method and apparatus for patterning micro and nano structures using a mask-less process
US8454721B2 (en) * 2006-06-21 2013-06-04 Cambrios Technologies Corporation Methods of controlling nanostructure formations and shapes
US8008424B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer
US8008421B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with silole-containing polymer
TWI397925B (zh) * 2006-10-12 2013-06-01 Cambrios Technologies Corp 用於控制透明導體之電氣和光學性質之系統、裝置及方法
TW200837403A (en) * 2006-10-12 2008-09-16 Cambrios Technologies Corp Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
TWI426531B (zh) 2006-10-12 2014-02-11 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體及其應用
US8018568B2 (en) * 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
WO2008127313A2 (en) * 2006-11-17 2008-10-23 The Regents Of The University Of California Electrically conducting and optically transparent nanowire networks
US9348167B2 (en) 2007-03-19 2016-05-24 Via Optronics Gmbh Enhanced liquid crystal display system and methods
WO2009017852A2 (en) * 2007-04-20 2009-02-05 Cambrios Technologies Corporation High contrast transparent conductors and methods of forming the same
TWI444942B (zh) * 2007-04-20 2014-07-11 Via Optronics Gmbh 無框架顯示系統以及建構其之方法
EP2147466B9 (en) 2007-04-20 2014-07-16 Cambrios Technologies Corporation Composite transparent conductors
TW200912720A (en) * 2007-04-24 2009-03-16 White Electronics Designs Corp Interactive display system
EP1992478A1 (de) 2007-05-18 2008-11-19 LYTTRON Technology GmbH Verbundglaselement, bevorzugt Verbundsicherheitsglaselement, mit integrierter Elektrolumineszenz (EL)-Leuchtstruktur
US8404160B2 (en) * 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US20080292979A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Zhe Ding Transparent conductive materials and coatings, methods of production and uses thereof
JP2008290354A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Panasonic Corp 導電シート及びその製造方法
AU2008260162B2 (en) * 2007-05-29 2013-06-20 Tpk Holding Co., Ltd. Surfaces having particles and related methods
US8593714B2 (en) * 2008-05-19 2013-11-26 Ajjer, Llc Composite electrode and electrolytes comprising nanoparticles and resulting devices
DE102007027998A1 (de) * 2007-06-14 2008-12-18 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Heißprägen von Leiterbahnen auf Photovoltaik-Silizium-Wafer
US8115984B2 (en) * 2007-06-18 2012-02-14 Ajjer Llc Laminated electrochromic devices and processes for forming the same
FI20075482L (fi) 2007-06-25 2008-12-26 Canatu Oy Kuituverkostot sekä menetelmä ja laite kuituverkostojen jatkuvasti tai erinä tapahtuvaan tuotantoon
EP2009950A1 (de) * 2007-06-28 2008-12-31 Lyttron Technologies GmbH Elektrostatischer Folienschallwandler und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007030108A1 (de) 2007-06-28 2009-01-02 Lyttron Technology Gmbh Anorganisches Dickfilm-AC Elektrolumineszenzelement mit zumindest zwei Einspeisungen und Herstellverfahren und Anwendung
WO2009006318A1 (en) 2007-06-29 2009-01-08 Artificial Muscle, Inc. Electroactive polymer transducers for sensory feedback applications
US8609201B2 (en) * 2007-07-03 2013-12-17 Tpk Touch Solutions Inc. Infrared curing process for touch panel manufacturing
US7709298B2 (en) * 2007-07-18 2010-05-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Selectively altering a predetermined portion or an external member in contact with the predetermined portion
US8199118B2 (en) * 2007-08-14 2012-06-12 Tyco Electronics Corporation Touchscreen using both carbon nanoparticles and metal nanoparticles
US8212792B2 (en) * 2007-08-14 2012-07-03 Tyco Electronics Corporation Touchscreen using oriented microscopic linear conductive elements
US20100299978A1 (en) 2007-08-27 2010-12-02 Bayer Materialscience Ag Marking having electroluminescent lighting effect, method for the production thereof
US20090056589A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Honeywell International, Inc. Transparent conductors having stretched transparent conductive coatings and methods for fabricating the same
KR20090023803A (ko) * 2007-09-03 2009-03-06 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
JPWO2009035059A1 (ja) * 2007-09-12 2010-12-24 株式会社クラレ 導電膜、導電部材および導電膜の製造方法
JP5221088B2 (ja) * 2007-09-12 2013-06-26 株式会社クラレ 透明導電膜およびその製造方法
US8587559B2 (en) * 2007-09-28 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Multipoint nanostructure-film touch screen
JP2009084640A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Achilles Corp ワイヤー状金属微粒子含有組成物および導電性半透明フィルム
US20090087629A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Everaerts Albert I Indium-tin-oxide compatible optically clear adhesive
KR101435196B1 (ko) * 2007-10-11 2014-08-28 삼성전자주식회사 폴리프탈레이트계 고분자를 이용한 전기변색 소자 및 그제조방법
JP2009108407A (ja) * 2007-10-12 2009-05-21 Fujifilm Corp 屈曲棒状金属粒子及びその製造方法、並びに屈曲棒状金属粒子含有組成物、及び導電性材料
CN101419518B (zh) 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101458595B (zh) 2007-12-12 2011-06-08 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101656769B (zh) 2008-08-22 2012-10-10 清华大学 移动电话
CN101464763B (zh) 2007-12-21 2010-09-29 清华大学 触摸屏的制备方法
CN101458606B (zh) 2007-12-12 2012-06-20 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101458598B (zh) 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458604B (zh) 2007-12-12 2012-03-28 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458609B (zh) 2007-12-14 2011-11-09 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458602B (zh) 2007-12-12 2011-12-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458608B (zh) 2007-12-14 2011-09-28 清华大学 触摸屏的制备方法
CN101458596B (zh) 2007-12-12 2011-06-08 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
CN101419519B (zh) 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101470566B (zh) 2007-12-27 2011-06-08 清华大学 触摸式控制装置
CN101458594B (zh) 2007-12-12 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101470559B (zh) 2007-12-27 2012-11-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458599B (zh) 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101458600B (zh) 2007-12-14 2011-11-30 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458597B (zh) 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101470560B (zh) 2007-12-27 2012-01-25 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458605B (zh) 2007-12-12 2011-03-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 触摸屏及显示装置
CN101458593B (zh) 2007-12-12 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101470558B (zh) 2007-12-27 2012-11-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458603B (zh) 2007-12-12 2011-06-08 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
CN101655720B (zh) 2008-08-22 2012-07-18 清华大学 个人数字助理
JP5212377B2 (ja) * 2007-11-07 2013-06-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極及び透明電極の製造方法
JP5570094B2 (ja) 2007-11-12 2014-08-13 コニカミノルタ株式会社 金属ナノワイヤ、金属ナノワイヤの製造方法及び金属ナノワイヤを含む透明導電体
JP5472889B2 (ja) 2007-11-26 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 金属ナノワイヤ、及び金属ナノワイヤを含む透明導電体
CN101458975B (zh) 2007-12-12 2012-05-16 清华大学 电子元件
DE102007059726B4 (de) * 2007-12-12 2010-01-07 Excor Korrosionsforschung Gmbh Dampfphasen-Korrosionsinhibitoren, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
JP5651910B2 (ja) * 2007-12-13 2015-01-14 コニカミノルタ株式会社 透明導電膜、及び透明導電膜の製造方法
CN101458601B (zh) 2007-12-14 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458607B (zh) 2007-12-14 2010-12-29 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464757A (zh) 2007-12-21 2009-06-24 清华大学 触摸屏及显示装置
KR101234881B1 (ko) 2007-12-20 2013-02-20 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 나노입자로 형성된 투명한 전극을 갖는 광전지 소자
US8574393B2 (en) 2007-12-21 2013-11-05 Tsinghua University Method for making touch panel
CN101464765B (zh) 2007-12-21 2011-01-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 触摸屏及显示装置
CN101470565B (zh) 2007-12-27 2011-08-24 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464764B (zh) 2007-12-21 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464766B (zh) 2007-12-21 2011-11-30 清华大学 触摸屏及显示装置
US7727578B2 (en) 2007-12-27 2010-06-01 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US9760172B2 (en) 2008-01-04 2017-09-12 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9612659B2 (en) 2008-01-04 2017-04-04 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8456438B2 (en) 2008-01-04 2013-06-04 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8922510B2 (en) 2008-01-04 2014-12-30 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9274612B2 (en) 2008-01-04 2016-03-01 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8547339B2 (en) 2008-01-04 2013-10-01 Tactus Technology, Inc. System and methods for raised touch screens
US8243038B2 (en) * 2009-07-03 2012-08-14 Tactus Technologies Method for adjusting the user interface of a device
US8704790B2 (en) 2010-10-20 2014-04-22 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8947383B2 (en) 2008-01-04 2015-02-03 Tactus Technology, Inc. User interface system and method
US8154527B2 (en) 2008-01-04 2012-04-10 Tactus Technology User interface system
US9423875B2 (en) 2008-01-04 2016-08-23 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface with exhibiting optical dispersion characteristics
US9128525B2 (en) 2008-01-04 2015-09-08 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9588683B2 (en) 2008-01-04 2017-03-07 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9013417B2 (en) 2008-01-04 2015-04-21 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9552065B2 (en) 2008-01-04 2017-01-24 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8570295B2 (en) 2008-01-04 2013-10-29 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9557915B2 (en) 2008-01-04 2017-01-31 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8179377B2 (en) * 2009-01-05 2012-05-15 Tactus Technology User interface system
US8179375B2 (en) * 2008-01-04 2012-05-15 Tactus Technology User interface system and method
US9430074B2 (en) 2008-01-04 2016-08-30 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9052790B2 (en) 2008-01-04 2015-06-09 Tactus Technology, Inc. User interface and methods
US8587541B2 (en) 2010-04-19 2013-11-19 Tactus Technology, Inc. Method for actuating a tactile interface layer
US9720501B2 (en) 2008-01-04 2017-08-01 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8553005B2 (en) 2008-01-04 2013-10-08 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9298261B2 (en) 2008-01-04 2016-03-29 Tactus Technology, Inc. Method for actuating a tactile interface layer
US9063627B2 (en) 2008-01-04 2015-06-23 Tactus Technology, Inc. User interface and methods
US7960027B2 (en) * 2008-01-28 2011-06-14 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US7642463B2 (en) * 2008-01-28 2010-01-05 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US20090191389A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Honeywell International, Inc. Transparent conductors that exhibit minimal scattering, methods for fabricating the same, and display devices comprising the same
US8988756B2 (en) * 2008-01-31 2015-03-24 Ajjer, Llc Conductive busbars and sealants for chromogenic devices
JP2009181856A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Sumitomo Chemical Co Ltd 透明導電膜付き透明板および有機エレクトロルミネッセンス素子
US7922787B2 (en) * 2008-02-02 2011-04-12 Seashell Technology, Llc Methods for the production of silver nanowires
WO2009137141A2 (en) * 2008-02-21 2009-11-12 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
JP2011515510A (ja) * 2008-02-26 2011-05-19 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 導電性特徴をスクリーン印刷するための方法および組成物
JP2009205924A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Kuraray Co Ltd 透明導電膜、透明導電部材、銀ナノワイヤ分散液および透明導電膜の製造方法
JP5370151B2 (ja) 2008-02-29 2013-12-18 東レ株式会社 透明導電膜付き基材とその製造方法、およびそれを用いたタッチパネル
US8506849B2 (en) 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
JP5111170B2 (ja) * 2008-03-10 2012-12-26 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体
JPWO2009113342A1 (ja) * 2008-03-14 2011-07-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 色素増感型太陽電池
JP5401814B2 (ja) * 2008-03-22 2014-01-29 コニカミノルタ株式会社 透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルム
JP5203769B2 (ja) * 2008-03-31 2013-06-05 富士フイルム株式会社 銀ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体
JP2009277466A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電性フィルム及びその製造方法
US9730333B2 (en) * 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
US20090286383A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Applied Nanotech Holdings, Inc. Treatment of whiskers
US8603285B1 (en) * 2008-05-29 2013-12-10 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Mirror support
KR101703845B1 (ko) * 2008-06-09 2017-02-07 삼성전자주식회사 이식 도전체 제조를 위한 향상된 ｃｎｔ／탑코팅 프로세스
JP2009299162A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Fujifilm Corp 銀ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体
US20100000762A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic pastes and inks
US8130438B2 (en) * 2008-07-03 2012-03-06 Ajjer Llc Metal coatings, conductive nanoparticles and applications of the same
US8237677B2 (en) 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Liquid crystal display screen
US20100009489A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Chan Albert Tu Method and system for producing a solar cell using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition
US8390580B2 (en) 2008-07-09 2013-03-05 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
US8198796B2 (en) * 2008-07-25 2012-06-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Transparent electrode and production method of same
FR2934705B1 (fr) * 2008-07-29 2015-10-02 Univ Toulouse 3 Paul Sabatier Materiau solide composite electriquement conducteur et procede d'obtention d'un tel materiau
US10086079B2 (en) 2008-08-11 2018-10-02 Fibralign Corporation Biocomposites and methods of making the same
WO2010018734A1 (ja) * 2008-08-11 2010-02-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法
JP5397376B2 (ja) * 2008-08-11 2014-01-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法
EP2315663B1 (en) * 2008-08-12 2020-09-23 3M Innovative Properties Company Adhesives compatible with corrosion sensitive layers
US8163205B2 (en) * 2008-08-12 2012-04-24 The Boeing Company Durable transparent conductors on polymeric substrates
WO2010022353A1 (en) * 2008-08-21 2010-02-25 Innova Meterials, Llc Enhanced surfaces, coatings, and related methods
CN102789131A (zh) * 2008-08-22 2012-11-21 日立化成工业株式会社 感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板
JP5254711B2 (ja) * 2008-09-01 2013-08-07 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法
WO2010026571A2 (en) * 2008-09-02 2010-03-11 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Metal nanowire thin-films
JP5564508B2 (ja) * 2008-09-12 2014-07-30 エルジー・ケム・リミテッド 金属ナノベルト、その製造方法、それを含む導電性インク組成物および導電性フィルム
FR2936241B1 (fr) * 2008-09-24 2011-07-15 Saint Gobain Electrode avant pour cellule solaire avec revetement antireflet.
JP5189449B2 (ja) * 2008-09-30 2013-04-24 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物、及び透明導電体
JP2010087105A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 太陽電池
JP5306760B2 (ja) * 2008-09-30 2013-10-02 富士フイルム株式会社 透明導電体、タッチパネル、及び太陽電池パネル
US8574710B2 (en) * 2008-10-10 2013-11-05 Nano Terra Inc. Anti-reflective coatings comprising ordered layers of nanowires and methods of making and using the same
JP5299432B2 (ja) * 2008-10-15 2013-09-25 コニカミノルタ株式会社 有機光電変換素子及び有機光電変換素子の製造方法
JP2010102969A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明光通信システム用の送信装置
US20100101832A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Compound magnetic nanowires for tco replacement
US20100101829A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Steven Verhaverbeke Magnetic nanowires for tco replacement
US20110180133A1 (en) * 2008-10-24 2011-07-28 Applied Materials, Inc. Enhanced Silicon-TCO Interface in Thin Film Silicon Solar Cells Using Nickel Nanowires
US20100101830A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Magnetic nanoparticles for tco replacement
JP2010121040A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Panasonic Electric Works Co Ltd 透明導電被膜形成用コーティング剤組成物及び被塗装物品
CN101754585B (zh) * 2008-11-27 2011-09-21 富葵精密组件(深圳)有限公司 导电线路的制作方法
TWI437106B (zh) * 2008-12-03 2014-05-11 Tatung Co 磁性奈米一維金屬線及其製作方法
US8398901B2 (en) * 2008-12-11 2013-03-19 Fpinnovations Method for producing iridescent solid nanocrystalline cellulose films incorporating patterns
JP5314410B2 (ja) * 2008-12-17 2013-10-16 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101559999B1 (ko) * 2008-12-29 2015-10-13 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
US8243426B2 (en) * 2008-12-31 2012-08-14 Apple Inc. Reducing optical effects in a display
WO2010078596A1 (en) * 2009-01-05 2010-07-08 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9588684B2 (en) 2009-01-05 2017-03-07 Tactus Technology, Inc. Tactile interface for a computing device
US8323744B2 (en) * 2009-01-09 2012-12-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Systems, methods, devices and arrangements for nanowire meshes
US8642118B2 (en) 2009-01-16 2014-02-04 Konica Minolta Holdings, Inc. Pattern electrode manufacturing method and pattern electrode
JP5533669B2 (ja) * 2009-01-19 2014-06-25 コニカミノルタ株式会社 透明電極、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5249075B2 (ja) * 2009-02-13 2013-07-31 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5203996B2 (ja) * 2009-02-13 2013-06-05 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5216623B2 (ja) * 2009-02-13 2013-06-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5410774B2 (ja) * 2009-02-16 2014-02-05 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5396916B2 (ja) * 2009-03-03 2014-01-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法、透明電極および有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102365713B (zh) 2009-03-27 2015-11-25 应用纳米技术控股股份有限公司 增强光和/或激光烧结的缓冲层
DE102009014757A1 (de) * 2009-03-27 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektrische Funktionsschicht, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
JP5584991B2 (ja) * 2009-04-02 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
US20100259823A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 General Electric Company Nanostructured anti-reflection coatings and associated methods and devices
EP2239793A1 (de) 2009-04-11 2010-10-13 Bayer MaterialScience AG Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung
JP2010250110A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Fujifilm Corp 感光性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
US8029700B2 (en) * 2009-04-30 2011-10-04 Chung-Shan Institute of Science and Technology Armaments Bureau, Ministry of National Defense Compound of silver nanowire with polymer and compound of metal nanostructure with polymer
US20110024159A1 (en) * 2009-05-05 2011-02-03 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
EP2430639A1 (en) * 2009-05-05 2012-03-21 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
JP5609008B2 (ja) * 2009-05-12 2014-10-22 コニカミノルタ株式会社 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法及び電子デバイス用透明電極
WO2010131241A2 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Yevgeni Preezant Improved photo-voltaic cell structure
GB0908300D0 (en) * 2009-05-14 2009-06-24 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester films
FR2946177B1 (fr) * 2009-05-27 2011-05-27 Arkema France Procede de fabrication de fibres composites conductrices a haute teneur en nanotubes.
JP2011018636A (ja) * 2009-06-09 2011-01-27 Fujifilm Corp 導電性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
CN101924816B (zh) 2009-06-12 2013-03-20 清华大学 柔性手机
JP5472299B2 (ja) * 2009-06-24 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 透明電極、該透明電極に用いられる導電性繊維の精製方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011001961A1 (ja) 2009-06-30 2011-01-06 Dic株式会社 透明導電層パターンの形成方法
EP2449452B1 (en) 2009-07-03 2016-02-10 Tactus Technology User interface enhancement system
EP2454069B1 (en) * 2009-07-15 2017-08-23 The University of Akron Manufacturing of multifunctional electrically conductive/transparent/flexible films
US8422197B2 (en) * 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure
US20120107600A1 (en) * 2009-07-17 2012-05-03 Chaofeng Zou Transparent conductive film comprising cellulose esters
WO2011008227A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Carestream Health, Inc Transparent conductive film comprising water soluble binders
JP2011034711A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102009028118A1 (de) * 2009-07-30 2011-02-03 Schott Ag Photovoltaikmodul mit verbesserter Korrosionsbeständkigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
CN101989136B (zh) 2009-08-07 2012-12-19 清华大学 触摸屏及显示装置
TWI399675B (zh) * 2009-08-17 2013-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 觸摸屏及顯示裝置
EP2470610A1 (en) * 2009-08-24 2012-07-04 Cambrios Technologies Corporation Purification of metal nanostructures for improved haze in transparent conductors made from the same
US20110042126A1 (en) * 2009-08-24 2011-02-24 Cambrios Technologies Corporation Contact resistance measurement for resistance linearity in nanostructure thin films
JP2013503260A (ja) * 2009-08-25 2013-01-31 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 金属ナノワイヤの形態を制御する方法
US20110102795A1 (en) * 2009-08-25 2011-05-05 Huisheng Peng Carbon nanotube/polydiacetylene composites
JP5391932B2 (ja) * 2009-08-31 2014-01-15 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
FI127197B (fi) 2009-09-04 2018-01-31 Canatu Oy Kosketusnäyttö ja menetelmä kosketusnäytön valmistamiseksi
TWI420540B (zh) 2009-09-14 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 藉由光能或熱能成形之導電材料、導電材料之製備方法以及導電組合物
JP2011060686A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Konica Minolta Holdings Inc パターン電極の製造方法及びパターン電極
JP2011065944A (ja) 2009-09-18 2011-03-31 Fujifilm Corp 導電膜形成用感光材料、導電性材料、表示素子及び太陽電池
CN107104186B (zh) * 2009-09-29 2020-06-30 索尔维美国有限公司 有机电子器件、组合物和方法
JP5561714B2 (ja) * 2009-10-13 2014-07-30 日本写真印刷株式会社 ディスプレイ電極用透明導電膜
JP2011090878A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Fujifilm Corp 透明導電体の製造方法
JP2011090879A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Fujifilm Corp 透明導電体の製造方法
JP5567313B2 (ja) * 2009-10-29 2014-08-06 日本写真印刷株式会社 立体形状導電性成形品及びその製造方法
US20120231248A1 (en) 2009-11-11 2012-09-13 Toray Industries, Inc. Conductive laminate and method of producing the same
CN102063213B (zh) * 2009-11-18 2013-04-24 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
WO2011063089A2 (en) 2009-11-20 2011-05-26 3M Innovative Properties Company Surface-modified adhesives
US8432598B2 (en) * 2009-11-25 2013-04-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent conductor structure
US9586816B2 (en) * 2009-12-04 2017-03-07 Cam Holding Corporation Nanostructure-based transparent conductors having increased haze and devices comprising the same
WO2011071885A2 (en) * 2009-12-07 2011-06-16 Duke University Compositions and methods for growing copper nanowires
CN102087884A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 中国科学院福建物质结构研究所 基于有机聚合物和银纳米线的柔性透明导电薄膜及其制备方法
CN102087886A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 中国科学院福建物质结构研究所 基于银纳米线的透明导电薄膜及其制备方法
CN102097502A (zh) * 2009-12-09 2011-06-15 英属开曼群岛商精曜有限公司 薄膜太阳能电池及其制作方法
US8664518B2 (en) * 2009-12-11 2014-03-04 Konica Minolta Holdngs, Inc. Organic photoelectric conversion element and producing method of the same
JP5245128B2 (ja) * 2009-12-21 2013-07-24 コニカミノルタ株式会社 有機電子素子及びその製造方法
WO2011087816A1 (en) 2009-12-21 2011-07-21 Tactus Technology User interface system
KR101130235B1 (ko) * 2009-12-21 2012-03-26 (주)켐스 투명도전막 및 그 제조방법
CN102782617B (zh) 2009-12-21 2015-10-07 泰克图斯科技公司 用户接口系统
WO2011078170A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 富士フイルム株式会社 導電性組成物、並びに、それを用いた透明導電体、タッチパネル及び太陽電池
JP5729298B2 (ja) * 2009-12-28 2015-06-03 東レ株式会社 導電積層体およびそれを用いてなるタッチパネル
US9239623B2 (en) 2010-01-05 2016-01-19 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
EP2524380B1 (en) * 2010-01-15 2021-06-23 Cambrios Film Solutions Corporation Low-haze transparent conductors
JP2013518974A (ja) * 2010-02-05 2013-05-23 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 感光性インク組成物および透明導体ならびにこれらの使用方法
US8619035B2 (en) 2010-02-10 2013-12-31 Tactus Technology, Inc. Method for assisting user input to a device
JP5569144B2 (ja) * 2010-02-24 2014-08-13 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電膜の形成方法及び導電パターンの形成方法
SG183399A1 (en) * 2010-02-24 2012-09-27 Cambrios Technologies Corp Nanowire-based transparent conductors and methods of patterning same
JP2011175890A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Toray Ind Inc 導電性フィルム
KR20130010471A (ko) * 2010-02-27 2013-01-28 이노바 다이나믹스, 인코포레이티드 표면 임베디드 첨가물을 갖는 구조 및 관련 제조 방법
CN102782772A (zh) 2010-03-05 2012-11-14 卡尔斯特里姆保健公司 透明导电膜、制品及方法
WO2011112984A1 (en) 2010-03-11 2011-09-15 Tactus Technology User interface system
EP2547735B1 (en) * 2010-03-19 2016-03-16 Carestream Health, Inc. Anti-corrosion agents for transparent conductive film
JP5567871B2 (ja) * 2010-03-19 2014-08-06 パナソニック株式会社 透明導電膜付き基材及びその製造方法
TWI549900B (zh) 2010-03-23 2016-09-21 坎畢歐科技公司 奈米結構透明導體之圖案化蝕刻
JP5600457B2 (ja) * 2010-03-26 2014-10-01 パナソニック株式会社 透明導電膜付き基材
US20110256383A1 (en) * 2010-04-01 2011-10-20 Bayer Materialscience Ag Polymer material comprising a polymer and silver nanoparticles dispersed herein
WO2011125537A1 (ja) * 2010-04-05 2011-10-13 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極及びそれを用いた有機電子素子
JP5570279B2 (ja) * 2010-04-06 2014-08-13 富士フイルム株式会社 熱線遮蔽材
JP5606769B2 (ja) * 2010-04-09 2014-10-15 富士フイルム株式会社 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び集積型太陽電池
CN101870454B (zh) * 2010-05-19 2012-11-07 青岛大学 一种导电聚合物交叉纳米线器件的组装制备方法
CN102270524A (zh) * 2010-05-21 2011-12-07 中国科学院福建物质结构研究所 基于热塑性透明聚合物的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法
CN102337101B (zh) * 2010-07-16 2014-06-11 财团法人工业技术研究院 用于电磁屏蔽的组合物、利用其的装置及结构制备方法
US9904393B2 (en) * 2010-06-11 2018-02-27 3M Innovative Properties Company Positional touch sensor with force measurement
JP5792523B2 (ja) * 2010-06-18 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の作製方法
CN102298459A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 东莞万士达液晶显示器有限公司 触控面板
DE102010017706B4 (de) * 2010-07-02 2012-05-24 Rent-A-Scientist Gmbh Verfahren zur Herstellung von Silber-Nanodrähten
KR20130100950A (ko) * 2010-07-05 2013-09-12 디아이씨 가부시끼가이샤 투명 도전층 부착 기체 및 그의 제조 방법, 및 터치 패널용 투명 도전막 적층체, 터치 패널
US10065046B2 (en) 2010-07-15 2018-09-04 Fibralign Corporation Conductive biopolymer implant for enhancing tissue repair and regeneration using electromagnetic fields
US10306758B2 (en) * 2010-07-16 2019-05-28 Atmel Corporation Enhanced conductors
US8269214B2 (en) * 2010-07-29 2012-09-18 General Electric Company Organic light emitting device with outcoupling layer for improved light extraction
EP2598942A4 (en) * 2010-07-30 2014-07-23 Univ Leland Stanford Junior CONDUCTIVE FILMS
AU2011289620C1 (en) * 2010-08-07 2014-08-21 Tpk Holding Co., Ltd. Device components with surface-embedded additives and related manufacturing methods
WO2012023553A1 (ja) * 2010-08-16 2012-02-23 富士フイルム株式会社 導電材料、タッチパネル、及び太陽電池
WO2012034110A2 (en) 2010-09-10 2012-03-15 Fibralign Corp. Biodegradable multilayer constructs
CN101954740A (zh) * 2010-09-16 2011-01-26 上海华特汽车配件有限公司 低密度聚乙烯膜与聚氨酯芯材的粘接方法
JP2012064738A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置
WO2012040637A2 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 The Regents Of The University Of California Nanowire-polymer composite electrodes
WO2012054781A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Tactus Technology User interface system and method
KR20130132800A (ko) * 2010-10-22 2013-12-05 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 나노와이어 잉크 조성물 및 이의 인쇄
KR101283452B1 (ko) * 2010-10-29 2013-07-15 도레이첨단소재 주식회사 터치스크린 패널용 반사방지 필름,산화방지 필름 및 이를 이용한 터치스크린 패널
CN102455832A (zh) * 2010-11-02 2012-05-16 高丰有限公司 电容式触控结构
US20120104374A1 (en) * 2010-11-03 2012-05-03 Cambrios Technologies Corporation Coating compositions for forming nanocomposite films
GB201019212D0 (en) * 2010-11-12 2010-12-29 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film
US20120127117A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Fu-Tien Ku Capacitive touchscreen structure
JP2014505963A (ja) * 2010-12-07 2014-03-06 ロディア オペレーションズ 導電性ナノ構造、そのようなナノ構造を作製するための方法、そのようなナノ構造を含有する導電性ポリマーフィルム、およびそのようなフィルムを含有する電子デバイス
US8763525B2 (en) * 2010-12-15 2014-07-01 Carestream Health, Inc. Gravure printing of transparent conductive films containing networks of metal nanoparticles
WO2012083082A1 (en) 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
US9630250B2 (en) 2010-12-17 2017-04-25 Seiko Pmc Corporation Process for producing silver nanowires and agent for controlling growth of silver nanowires
JP5568459B2 (ja) * 2010-12-27 2014-08-06 東海ゴム工業株式会社 導電膜およびその製造方法、ならびに導電膜を用いたトランスデューサ、フレキシブル配線板、および電磁波シールド
CN102184928A (zh) * 2010-12-29 2011-09-14 友达光电股份有限公司 显示元件及其制造方法
US20120193656A1 (en) * 2010-12-29 2012-08-02 Au Optronics Corporation Display device structure and manufacturing method thereof
JP2013016455A (ja) * 2011-01-13 2013-01-24 Jnc Corp 透明導電膜の形成に用いられる塗膜形成用組成物
US8932898B2 (en) 2011-01-14 2015-01-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univerity Deposition and post-processing techniques for transparent conductive films
KR101795419B1 (ko) 2011-01-26 2017-11-13 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
KR101217733B1 (ko) * 2011-02-09 2013-01-02 박준영 터치 패널용 패드와 기판의 결합 방법 및 이에 의해 제조되는 결합체
WO2012105790A2 (ko) * 2011-02-01 2012-08-09 주식회사 티메이 터치 패널용 패드와 기판의 결합 방법 및 이에 의해 제조되는 결합체
KR20120092019A (ko) * 2011-02-09 2012-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR101885376B1 (ko) * 2011-02-11 2018-08-06 한국과학기술원 은 나노 와이어를 이용한 투명전극 및 그 제조 방법
JP4893867B1 (ja) 2011-02-23 2012-03-07 ソニー株式会社 透明導電膜、分散液、情報入力装置、および電子機器
CN102173133A (zh) * 2011-02-28 2011-09-07 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种包含金属纳米结构导电层的复合功能夹层玻璃
JP6123671B2 (ja) * 2011-02-28 2017-05-10 山陽色素株式会社 インクジェットインク用共重合体、並びにそれを用いたインクジェットインク用顔料分散体及びインクジェットインク
US10494720B2 (en) 2011-02-28 2019-12-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
WO2012118582A1 (en) 2011-02-28 2012-09-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
WO2012118916A2 (en) 2011-03-01 2012-09-07 Bayer Materialscience Ag Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films
JP2012185933A (ja) * 2011-03-03 2012-09-27 Panasonic Corp 透明導電膜付基材、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101272625B1 (ko) * 2011-03-03 2013-06-10 박준영 터치 패널용 패드와 기판의 결합체
JP2014511551A (ja) * 2011-03-04 2014-05-15 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 金属ナノ構造を基にした透明な導体の仕事関数を調整する方法
JP5679565B2 (ja) 2011-03-10 2015-03-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102214499B (zh) * 2011-03-21 2012-11-21 明基材料有限公司 含纳米银线的软性透明导电膜及其制造方法
WO2012129357A2 (en) 2011-03-22 2012-09-27 Bayer Materialscience Ag Electroactive polymer actuator lenticular system
US8475560B2 (en) 2011-03-24 2013-07-02 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method for producing silver nanofilaments
KR20140009461A (ko) 2011-03-28 2014-01-22 도레이 카부시키가이샤 도전 적층체 및 터치 패널
JP2013137982A (ja) * 2011-04-14 2013-07-11 Fujifilm Corp 導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
WO2012145157A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-26 3M Innovative Properties Company Transparent electrode for electronic displays
CN102208542B (zh) * 2011-04-18 2013-01-30 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102208547B (zh) * 2011-04-18 2013-11-20 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
JP2012238579A (ja) * 2011-04-28 2012-12-06 Fujifilm Corp 導電性部材、その製造方法、タッチパネル及び太陽電池
JP5868771B2 (ja) * 2011-04-28 2016-02-24 富士フイルム株式会社 導電性部材、その製造方法、タッチパネル及び太陽電池
KR101675627B1 (ko) * 2011-04-28 2016-11-11 후지필름 가부시키가이샤 도전성 부재, 그 제조 방법, 터치 패널 및 태양 전지
JP5691811B2 (ja) * 2011-05-09 2015-04-01 コニカミノルタ株式会社 フィルムミラー、太陽光反射用ミラー及び太陽熱発電用反射装置
US8974900B2 (en) * 2011-05-23 2015-03-10 Carestream Health, Inc. Transparent conductive film with hardcoat layer
US20120301705A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Eckert Karissa L Nanowire coatings, films, and articles
US9175183B2 (en) * 2011-05-23 2015-11-03 Carestream Health, Inc. Transparent conductive films, methods, and articles
CN102819341B (zh) * 2011-06-09 2016-02-24 天津富纳源创科技有限公司 触摸屏面板的制备方法
US9573163B2 (en) * 2011-07-01 2017-02-21 Cam Holding Corporation Anisotropy reduction in coating of conductive films
KR101305705B1 (ko) 2011-07-12 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 전극 제조 방법
KR101305826B1 (ko) * 2011-07-12 2013-09-06 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
FR2978066B1 (fr) * 2011-07-22 2016-01-15 Commissariat Energie Atomique Procede de fonctionnalisation de nanofils metalliques et de fabrication d'electrodes
WO2013019993A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Dopant injection layers
CN103732709A (zh) * 2011-08-12 2014-04-16 3M创新有限公司 光学透明的导电粘合剂及由其制得的制品
KR101313728B1 (ko) * 2011-08-19 2013-10-01 박준영 터치 패널용 패드 및 그 제조 방법
JP5813875B2 (ja) * 2011-08-24 2015-11-17 イノバ ダイナミックス， インコーポレイテッド パターン化された透明導体および関連する製造方法
JP5628768B2 (ja) * 2011-09-07 2014-11-19 富士フイルム株式会社 紐状フィラー含有塗布物の製造方法
JP2013073828A (ja) 2011-09-28 2013-04-22 Fujifilm Corp 導電性組成物、その製造方法、導電性部材、並びに、タッチパネル及び太陽電池
JP5888976B2 (ja) 2011-09-28 2016-03-22 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材およびその製造方法、タッチパネル並びに太陽電池
WO2013048847A2 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 3M Innovative Properties Company Electronically switchable privacy film and display device having same
CN103210350B (zh) 2011-10-03 2019-06-18 日立化成株式会社 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器
KR101334601B1 (ko) 2011-10-11 2013-11-29 한국과학기술연구원 고직선성의 금속 나노선, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 투명 전도막
KR20190092492A (ko) 2011-10-13 2019-08-07 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 금속 나노와이어들을 통합한 전극을 갖는 광전기 디바이스들
KR101336321B1 (ko) * 2011-11-02 2013-12-03 한국과학기술원 고분자 보호막 및 은 나노 와이어 네트워크를 포함하는 투명 전극 및 그 제조방법
CN108594338B (zh) * 2011-11-04 2019-11-26 凯姆控股有限公司 基于纳米结构的光学堆及具有该光学堆的显示器
US9568646B2 (en) 2011-11-04 2017-02-14 Cam Holding Corporation Methods for reducing diffuse reflection of nanostructure-based transparent conductive films and touch panels made of the same
US9398688B2 (en) 2011-11-29 2016-07-19 Toray Industries, Inc. Electroconductive stack body and display body employing the same
CN102522145B (zh) * 2011-12-02 2013-08-28 浙江科创新材料科技有限公司 一种纳米银透明电极材料及其制备方法
WO2013086139A1 (en) * 2011-12-07 2013-06-13 Duke University Synthesis of cupronickel nanowires and their application in transparent conducting films
CN104115235B (zh) * 2011-12-21 2017-11-24 第一毛织株式会社 导电膜组合物、使用它制造的导电膜和包含该导电膜组合物的光学显示设备
CN102527621B (zh) * 2011-12-27 2014-07-09 浙江科创新材料科技有限公司 一种雾度可调柔性透明导电薄膜的制备方法
DE102012001220A1 (de) * 2012-01-21 2013-07-25 Amphenol-Tuchel Electronics Gmbh Verbindungsanordnung
JP6087298B2 (ja) 2012-02-03 2017-03-01 株式会社きもと 透明導電膜付き基材及びタッチパネル
FR2987122B1 (fr) * 2012-02-16 2014-03-21 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage et son procede de fabrication
WO2013121556A1 (ja) * 2012-02-16 2013-08-22 大倉工業株式会社 透明導電基材の製造方法および透明導電基材
US9373515B2 (en) 2012-03-01 2016-06-21 Ramot At Tel-Aviv University Ltd Conductive nanowire films
WO2013133285A1 (ja) * 2012-03-06 2013-09-12 デクセリアルズ株式会社 透明導電膜、導電性素子、組成物、有色自己組織化材料、入力装置、表示装置および電子機器
JP6360276B2 (ja) * 2012-03-08 2018-07-18 東京エレクトロン株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体製造装置
KR101991676B1 (ko) * 2012-03-08 2019-06-21 주식회사 동진쎄미켐 투명 전극 형성용 전도성 잉크 조성물
US20150030783A1 (en) 2012-03-09 2015-01-29 Osaka University Method for manufacturing transparent conductive pattern
DE102012102319A1 (de) 2012-03-20 2013-09-26 Rent A Scientist Gmbh Nichtlineare Nanodrähte
US9441117B2 (en) 2012-03-20 2016-09-13 Basf Se Mixtures, methods and compositions pertaining to conductive materials
EP2828901B1 (en) 2012-03-21 2017-01-04 Parker Hannifin Corporation Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices
JP5788923B2 (ja) 2012-03-23 2015-10-07 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
JP5832943B2 (ja) 2012-03-23 2015-12-16 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
JP6098143B2 (ja) * 2012-03-23 2017-03-22 株式会社リコー エレクトロクロミック表示装置及びエレクトロクロミック表示装置の製造方法
JP5952119B2 (ja) * 2012-03-23 2016-07-13 富士フイルム株式会社 導電性部材およびその製造方法
JP5865851B2 (ja) 2012-03-23 2016-02-17 富士フイルム株式会社 導電性部材の製造方法、導電性部材、それを用いたタッチパネル
US9490048B2 (en) * 2012-03-29 2016-11-08 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
US10483104B2 (en) * 2012-03-30 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for producing stacked electrode and method for producing photoelectric conversion device
KR101751588B1 (ko) * 2012-04-04 2017-06-27 히타치가세이가부시끼가이샤 도전 패턴의 형성 방법 및 도전 패턴 기판
CN102616033A (zh) * 2012-04-13 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种快速制备高透光性导电图案的方法
JP5706998B2 (ja) * 2012-04-26 2015-04-22 国立大学法人大阪大学 透明導電性インク及び透明導電パターン形成方法
WO2013173070A1 (en) 2012-05-18 2013-11-21 3M Innovative Properties Company Corona patterning of overcoated nanowire transparent conducting coatings
US9761824B2 (en) 2012-05-18 2017-09-12 Sumitomo Chemical Company Limited Multilayer light-emitting electrochemical cell device structures
TWI483271B (zh) * 2012-05-29 2015-05-01 Shih Hua Technology Ltd 觸控面板
US9655252B2 (en) 2012-06-01 2017-05-16 Suzhou Nuofei Nano Science And Technology Co., Ltd. Low haze transparent conductive electrodes and method of making the same
CN103258596B (zh) * 2013-04-27 2016-12-28 苏州诺菲纳米科技有限公司 导电薄膜的消影方法
KR20150031285A (ko) 2012-06-18 2015-03-23 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 연신 공정을 위한 연신 프레임
US10029916B2 (en) 2012-06-22 2018-07-24 C3Nano Inc. Metal nanowire networks and transparent conductive material
US9920207B2 (en) 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
WO2014011578A1 (en) 2012-07-09 2014-01-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photosintering of micron-sized copper particles
JP6065909B2 (ja) * 2012-07-11 2017-01-25 コニカミノルタ株式会社 タッチパネル用透明電極、タッチパネル、および表示装置
KR101462864B1 (ko) * 2012-07-18 2014-11-19 성균관대학교산학협력단 유연한 전도성 필름 및 그 제조 방법
WO2014015284A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 The Regents Of The University Of California High efficiency organic light emitting devices
US10839977B2 (en) 2012-07-24 2020-11-17 Daicel Corporation Conductive fiber-coated particle, curable composition and cured article derived from curable composition
KR101975536B1 (ko) 2012-07-30 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 스크린 패널
US9040114B2 (en) 2012-08-29 2015-05-26 Rohm And Haas Electronic Material Llc Method of manufacturing silver miniwire films
CN103677366B (zh) 2012-09-20 2018-01-16 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板模块、触控装置及其制作方法
CN102888138A (zh) * 2012-09-21 2013-01-23 史昊东 汽车零件表面低温防腐保护剂
CN102888139A (zh) * 2012-09-21 2013-01-23 史昊东 汽车零件表面防腐保护剂及防腐方法
US9405417B2 (en) 2012-09-24 2016-08-02 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface and methods
CN104662497A (zh) 2012-09-24 2015-05-27 泰克图斯科技公司 动态触觉界面和方法
CN104797363B (zh) 2012-09-27 2018-09-07 罗地亚经营管理公司 制造银纳米结构的方法和可用于此方法的共聚物
US9099222B2 (en) 2012-10-10 2015-08-04 Carestream Health, Inc. Patterned films and methods
KR20140046923A (ko) * 2012-10-11 2014-04-21 제일모직주식회사 투명 도전체, 이를 제조하기 위한 조성물 및 이를 포함하는 광학표시 장치
CN103730206B (zh) * 2012-10-12 2016-12-21 纳米及先进材料研发院有限公司 制备透明的基于纳米材料的导电膜的方法
US9050775B2 (en) 2012-10-12 2015-06-09 Nano And Advanced Materials Institute Limited Methods of fabricating transparent and nanomaterial-based conductive film
US9590193B2 (en) 2012-10-24 2017-03-07 Parker-Hannifin Corporation Polymer diode
KR102017155B1 (ko) 2012-11-01 2019-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린 패널 및 그의 제조방법
JP5993028B2 (ja) * 2012-11-08 2016-09-14 アルプス電気株式会社 導電体及びその製造方法
KR101442681B1 (ko) * 2012-11-09 2014-09-24 엔젯 주식회사 전도성 나노 잉크 조성물, 이를 이용한 전극선 및 투명전극
TWI525643B (zh) * 2012-11-09 2016-03-11 財團法人工業技術研究院 導電油墨組成物及透明導電薄膜
US9295153B2 (en) 2012-11-14 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of manufacturing a patterned transparent conductor
KR101468690B1 (ko) * 2012-11-19 2014-12-04 엔젯 주식회사 고점도 전도성 나노 잉크 조성물로 이루어진 전극선을 포함하는 투명전극 및 이를 이용한 터치센서, 투명히터 및 전자파 차폐제
KR101341102B1 (ko) * 2012-11-29 2013-12-12 한국표준과학연구원 수직 정렬 나노선을 포함하는 이방성 투명 전기전도성 가요성 박막 구조체 및 그 제조 방법
CN104094671B (zh) * 2012-11-29 2017-04-05 松下知识产权经营株式会社 带有透明导电层的基材以及有机电致发光元件
KR102085964B1 (ko) 2012-11-30 2020-03-09 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법
CN104838342B (zh) 2012-12-07 2018-03-13 3M创新有限公司 在基板上制作透明导体的方法
US8957322B2 (en) 2012-12-07 2015-02-17 Cambrios Technologies Corporation Conductive films having low-visibility patterns and methods of producing the same
KR101726908B1 (ko) * 2012-12-12 2017-04-13 제일모직주식회사 투과도 및 투명도가 우수한 투명전극
US20140170427A1 (en) 2012-12-13 2014-06-19 Carestream Health, Inc. Anticorrosion agents for transparent conductive film
US20140170407A1 (en) * 2012-12-13 2014-06-19 Carestream Health, Inc. Anticorrosion agents for transparent conductive film
US20140186587A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 Cheil Industries Inc. Transparent conductor and apparatus including the same
KR101737156B1 (ko) * 2012-12-27 2017-05-17 제일모직주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 장치
US20140199555A1 (en) * 2013-01-15 2014-07-17 Carestream Health, Inc. Anticorrosion agents for transparent conductive film
KR102056928B1 (ko) 2013-01-16 2019-12-18 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린 패널 및 그의 제조방법
US20140205845A1 (en) 2013-01-18 2014-07-24 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for transparent conductive films
KR102148154B1 (ko) * 2013-01-22 2020-08-26 주식회사 동진쎄미켐 투명 전도성 막 코팅 조성물, 투명 전도성 막 및 투명 전도성 막의 제조 방법
WO2014116738A1 (en) 2013-01-22 2014-07-31 Cambrios Technologies Corporation Nanostructure transparent conductors having high thermal stability for esd protection
US10971277B2 (en) * 2013-02-15 2021-04-06 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
US10720257B2 (en) * 2013-02-15 2020-07-21 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
EP2956807B1 (en) * 2013-02-15 2021-11-03 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
WO2014129504A1 (ja) 2013-02-20 2014-08-28 国立大学法人東京工業大学 導電性ナノワイヤーネットワーク並びにこれを利用した導電性基板及び透明電極、並びにそれらの製造方法
US10020807B2 (en) 2013-02-26 2018-07-10 C3Nano Inc. Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks
KR102070207B1 (ko) 2013-03-05 2020-01-28 엘지전자 주식회사 전도성 필름 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 전자 장치
US20140255707A1 (en) 2013-03-06 2014-09-11 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for silver nanowire based transparent conductive films
US9343195B2 (en) 2013-03-07 2016-05-17 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for silver nanowire based transparent conductive films
US8957315B2 (en) 2013-03-11 2015-02-17 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for silver nanowire based transparent conductive films
TW201441144A (zh) 2013-03-13 2014-11-01 Cambrios Technologies Corp 減少以奈米結構為主之透明導電膜之漫反射之方法及由其製備之觸控面板
US8957318B2 (en) 2013-03-13 2015-02-17 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for silver nanowire based transparent conductive films
US20140262453A1 (en) * 2013-03-16 2014-09-18 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes and their structure design, and method of making the same
KR101589546B1 (ko) * 2013-12-26 2016-01-29 전자부품연구원 시인성이 개선된 투명 전도막 및 이의 제조방법
JP5450863B2 (ja) * 2013-03-27 2014-03-26 富士フイルム株式会社 導電層形成用分散物及び透明導電体
JP2014199837A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 熱電変換材料、熱電変換素子用組成物、熱電変換膜およびそれらを用いた熱電変換素子
CN105051657A (zh) 2013-03-29 2015-11-11 昭和电工株式会社 透明导电基板的制造方法和透明导电基板
JP6356453B2 (ja) * 2013-03-29 2018-07-11 昭和電工株式会社 透明導電パターン形成用基板、透明導電パターン形成基板及び透明導電パターン形成基板の製造方法
US9368248B2 (en) 2013-04-05 2016-06-14 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
CN104521005B (zh) 2013-04-05 2016-08-24 苏州诺菲纳米科技有限公司 带有融合金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及其制造方法
JP2015034279A (ja) * 2013-04-10 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 透明導電膜形成用インク組成物、透明導電膜、透明電極の製造方法、及び画像表示装置
US10470301B2 (en) 2013-04-26 2019-11-05 Showa Denko K.K. Method for manufacturing conductive pattern and conductive pattern formed substrate
JP2014224199A (ja) * 2013-05-16 2014-12-04 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀ナノワイヤインクの製造方法および銀ナノワイヤインク
JP6129769B2 (ja) 2013-05-24 2017-05-17 富士フイルム株式会社 タッチパネル用透明導電膜、透明導電膜の製造方法、タッチパネル及び表示装置
KR101763058B1 (ko) 2013-05-28 2017-07-28 주식회사 다이셀 광반도체 밀봉용 경화성 조성물
US9318230B2 (en) 2013-05-31 2016-04-19 Basf Corporation Nanostructure dispersions and transparent conductors
US9448666B2 (en) 2013-06-08 2016-09-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Dark film lamination for a touch sensor
WO2014204206A1 (en) 2013-06-20 2014-12-24 Lg Electronics Inc. Conductive film and touch panel including the same
US9557813B2 (en) 2013-06-28 2017-01-31 Tactus Technology, Inc. Method for reducing perceived optical distortion
JP2015018624A (ja) * 2013-07-09 2015-01-29 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよび透明導電性フィルムの製造方法
KR20150015314A (ko) 2013-07-31 2015-02-10 제일모직주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 광학표시장치
JP6426737B2 (ja) 2013-07-31 2018-11-21 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 電子的構成要素とパターン化ナノワイヤ透明伝導体との接合
CN105247697A (zh) 2013-07-31 2016-01-13 沙特基础工业全球技术公司 用于制造具有微米或纳米结构导电层的材料的方法
JP2015032437A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
JP6022424B2 (ja) * 2013-08-01 2016-11-09 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
JP2015032438A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
JP6132699B2 (ja) * 2013-08-01 2017-05-24 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
US9854670B2 (en) 2013-08-22 2017-12-26 Showa Denko K.K. Transparent electrode and method for producing same
SG11201601075PA (en) 2013-08-28 2016-03-30 3M Innovative Properties Co Electronic assembly with fiducial marks for precision registration during subsequent processing steps
JP6206028B2 (ja) * 2013-09-19 2017-10-04 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
JP6516731B2 (ja) 2013-09-24 2019-05-22 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 熱分解有機層およびそれによって製造される導電性プリプレグ
KR20150034993A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 주식회사 동진쎄미켐 금속 나노와이어를 함유하는 전도성 코팅 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 형성방법
US9759846B2 (en) 2013-09-27 2017-09-12 Cam Holding Corporation Silver nanostructure-based optical stacks and touch sensors with UV protection
US10362685B2 (en) 2013-09-30 2019-07-23 3M Innovative Properties Company Protective coating for printed conductive pattern on patterned nanowire transparent conductors
US9280225B2 (en) 2013-09-30 2016-03-08 J Touch Corporation Electrode structure for touchscreen
WO2015049939A1 (ja) 2013-10-03 2015-04-09 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、これを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
FR3011973B1 (fr) 2013-10-10 2016-01-01 Commissariat Energie Atomique Materiau multicouches comprenant des nanofils metalliques et un polymere non conducteur electriquement
DE102013111267B4 (de) 2013-10-11 2019-10-24 Schott Ag Kochfeld mit einem transparenten elektrischen Leiter und Verfahren zur Herstellung
US10115495B2 (en) 2013-10-17 2018-10-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor and optical display including the same
CN104571660A (zh) * 2013-10-22 2015-04-29 杰圣科技股份有限公司 触控结构及其制造方法
US9754698B2 (en) * 2013-10-24 2017-09-05 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
CN103594195A (zh) * 2013-10-28 2014-02-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种金属纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法
WO2015077629A1 (en) 2013-11-21 2015-05-28 Atom Nanoelectronics, Inc. Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays
US11274223B2 (en) * 2013-11-22 2022-03-15 C3 Nano, Inc. Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches
EP3056547B1 (en) * 2013-12-02 2017-12-27 Sumitomo Riko Company Limited Conductive material and transducer using same
US9674947B2 (en) * 2013-12-04 2017-06-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
TWI512804B (zh) * 2013-12-12 2015-12-11 Ind Tech Res Inst 電極結構及其製作方法、使用此電極結構的觸控元件及觸控顯示器
JP2015114919A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 Jsr株式会社 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びに表示装置
EP3085750A4 (en) 2013-12-17 2017-07-26 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming protective film for transparent conductive film
EP3084776B1 (de) 2013-12-19 2018-06-20 Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der Angewand Transparente nanodrahtelektrode mit funktionaler organischer schicht
DE102013226998B4 (de) 2013-12-20 2015-08-06 Technische Universität Dresden Verfahren zur Herstellung einer Nanodrahtelektrode für optoelektronische Bauelemente sowie deren Verwendung
US9925616B2 (en) 2013-12-23 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Method for fusing nanowire junctions in conductive films
JP2015125170A (ja) * 2013-12-25 2015-07-06 アキレス株式会社 調光フィルム用の透明電極基材
KR20150077765A (ko) 2013-12-30 2015-07-08 주식회사 동진쎄미켐 표면처리를 통한 금속 나노와이어 기반 투명 전도성 막의 패터닝 방법
TWI500048B (zh) 2013-12-30 2015-09-11 Ind Tech Res Inst 透明導電膜組合物及透明導電膜
KR101581664B1 (ko) 2013-12-30 2015-12-31 한국세라믹기술원 금속산화물이 코팅된 금속 나노와이어를 포함하는 투명전도막의 제조방법
JP2017505362A (ja) * 2014-01-08 2017-02-16 シーマ ナノテック イスラエル リミテッド 導電性接着テープ
KR101787997B1 (ko) 2014-01-14 2017-10-20 한국기계연구원 전극 패턴의 제조방법
CN104145314B (zh) 2014-01-22 2017-09-08 苏州诺菲纳米科技有限公司 带有融合金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及其制造方法
KR20150087753A (ko) * 2014-01-22 2015-07-30 제일모직주식회사 투명 도전체의 제조방법, 이에 사용되는 프레싱 롤, 이로부터 제조된 투명 도전체 및 이를 포함하는 표시장치
US20150208498A1 (en) * 2014-01-22 2015-07-23 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising merged metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
WO2015114786A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 パイオニアＯｌｅｄライティングデバイス株式会社 発光装置
EP3100304A1 (en) * 2014-01-31 2016-12-07 Champ Great Int'l Corporation Tandem organic photovoltaic devices that include a metallic nanostructure recombination layer
KR101440396B1 (ko) * 2014-02-20 2014-09-18 주식회사 인포비온 전도성 나노 와이어를 이용한 투명 도전막의 제조 방법
KR101665173B1 (ko) * 2014-03-05 2016-10-11 제일모직주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 광학표시장치
WO2015137278A1 (ja) * 2014-03-14 2015-09-17 日立化成株式会社 感光性導電フィルム
US9207824B2 (en) 2014-03-25 2015-12-08 Hailiang Wang Systems and methods for touch sensors on polymer lenses
FR3019187B1 (fr) * 2014-03-27 2016-04-15 Univ Toulouse 3 Paul Sabatier Procede de preparation d'une piece composite electriquement conductrice en surface et applications
US20150287494A1 (en) 2014-04-08 2015-10-08 Carestream Health, Inc. Nitrogen-containing compounds as additives for transparent conductive films
KR101586902B1 (ko) 2014-04-09 2016-01-19 인트리 주식회사 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체 및 그 제조방법
US11343911B1 (en) 2014-04-11 2022-05-24 C3 Nano, Inc. Formable transparent conductive films with metal nanowires
KR101635848B1 (ko) * 2014-04-14 2016-07-05 한국세라믹기술원 탄소 비결합성 금속 나노입자가 함유된 잉크 기제 제조 방법 및 금속 나노입자가 분산된 잉크
US10133422B2 (en) 2014-04-14 2018-11-20 Lg Innotek Co., Ltd. Curved touched window for an organic light emitting device
US9965113B2 (en) 2014-04-14 2018-05-08 Lg Innotek Co., Ltd. Touch window
US9958999B2 (en) 2014-04-17 2018-05-01 3M Innovative Properties Company Capacitive touch sensor with Z-shaped electrode pattern
JP6616287B2 (ja) 2014-04-21 2019-12-04 ユニチカ株式会社 強磁性金属ナノワイヤー分散液およびその製造方法
JP6526714B2 (ja) * 2014-04-22 2019-06-05 サビック グローバル テクノロジーズ ベスローテン フェンノートシャップ ナノメートルサイズの金属粒子をポリマー表面に塗布するための紫外線硬化性転写コーティング
KR101606338B1 (ko) * 2014-04-22 2016-03-24 인트리 주식회사 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체를 제조하기 위한 포토마스크 및 그 제조방법
CN104064282B (zh) * 2014-04-30 2017-10-31 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高透过率硬质纳米金属透明导电膜的制造方法
CN103996453B (zh) * 2014-04-30 2018-06-12 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高透过率纳米金属透明导电膜的制造方法
CN103996456B (zh) * 2014-04-30 2017-11-14 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高耐磨纳米金属透明导电膜的制造方法
CN104112544A (zh) * 2014-05-14 2014-10-22 中国科学院合肥物质科学研究院 一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法
CN104053256B (zh) * 2014-05-14 2016-01-20 中国科学院合肥物质科学研究院 基于银纳米线透明导电薄膜的加热器及其制备方法
CN103996457B (zh) * 2014-05-29 2018-11-20 京东方科技集团股份有限公司 银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN104020882A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
CN104020888A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
CN104020887A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
JP2016066590A (ja) * 2014-06-09 2016-04-28 日立化成株式会社 導電フィルム、感光性導電フィルム、導電膜の形成方法、導電パターンの形成方法及び導電膜基材
CN105204674B (zh) * 2014-06-12 2019-01-22 宸鸿科技(厦门)有限公司 一种触控显示模组
WO2015193558A1 (en) * 2014-06-19 2015-12-23 Inkron Oy A method of making a siloxane polymer composition
CN105224118A (zh) * 2014-06-24 2016-01-06 深圳市比亚迪电子部品件有限公司 触摸屏中玻璃传感器的制作方法、玻璃传感器和触摸屏
PL2960310T3 (pl) 2014-06-27 2017-02-28 Henkel Ag & Co. Kgaa Przezroczysta powłoka przewodząca do sztywnych i elastycznych podłoży
KR102356158B1 (ko) * 2014-06-30 2022-02-03 엘지디스플레이 주식회사 투명도전막의 제조방법 및 투명도전막을 포함하는 표시장치
CN105225727B (zh) * 2014-06-30 2017-06-09 乐金显示有限公司 透明导电层、用于制造其的方法及包括其的显示装置
WO2016006024A1 (ja) * 2014-07-07 2016-01-14 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電フィルムセット及びそれを用いた表面保護フィルム及び導電パターン付き基材フィルムの製造方法、導電パターン付き基材フィルムの製造方法
KR102287289B1 (ko) * 2014-07-08 2021-08-06 주식회사 동진쎄미켐 투명 전극 복합체
US9801287B2 (en) 2014-07-09 2017-10-24 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
US9183968B1 (en) 2014-07-31 2015-11-10 C3Nano Inc. Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks
KR20170041809A (ko) 2014-08-07 2017-04-17 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 열성형 어플리케이션용 도전성 다층 시트
JP6333780B2 (ja) 2014-08-12 2018-05-30 富士フイルム株式会社 転写フィルム、転写フィルムの製造方法、積層体、積層体の製造方法、静電容量型入力装置、及び、画像表示装置
KR102243747B1 (ko) * 2014-08-13 2021-04-23 주식회사 동진쎄미켐 투명 전극의 형성 방법과, 투명 전극 적층체
SG11201701081WA (en) 2014-08-15 2017-03-30 Basf Se Composition comprising silver nanowires and styrene/(meth)acrylic copolymers for the preparation of electroconductive transparent layers
EP3460011B1 (en) 2014-08-15 2020-04-22 Basf Se Composition comprising silver nanowires and dispersed polymer beads for the preparation of electroconductive transparent layers
WO2016023904A1 (en) 2014-08-15 2016-02-18 Basf Se Composition comprising silver nanowires and fibers of crystalline cellulose for the preparation of electroconductive transparent layers
US20160060492A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-03 3M Innovative Properties Company Protection of new electro-conductors based on nano-sized metals using direct bonding with optically clear adhesives
CN104299723A (zh) * 2014-09-05 2015-01-21 中国科学院合肥物质科学研究院 一种高性能金属纳米线透明导电薄膜的制备方法
CN104299721B (zh) * 2014-09-05 2018-01-23 中国科学院合肥物质科学研究院 一种通过清洗处理提高金属纳米线透明导电薄膜光学性质的方法
CN104299722B (zh) * 2014-09-05 2017-06-09 中国科学院合肥物质科学研究院 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法
CN104238860B (zh) * 2014-09-17 2017-10-27 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏
CN104238856B (zh) * 2014-09-17 2017-10-27 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏及其采用的滤光模块
CN104238855B (zh) * 2014-09-17 2017-07-07 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏
CN104238857B (zh) * 2014-09-17 2017-12-12 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏
CN104267860A (zh) * 2014-09-17 2015-01-07 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏
SG11201702198QA (en) * 2014-09-22 2017-04-27 Basf Se Transparent conductive layer, a film comprising the layer, and a process for its production
US20160096967A1 (en) * 2014-10-03 2016-04-07 C3Nano Inc. Property enhancing fillers for transparent coatings and transparent conductive films
US11111396B2 (en) * 2014-10-17 2021-09-07 C3 Nano, Inc. Transparent films with control of light hue using nanoscale colorants
KR101687992B1 (ko) 2014-11-18 2016-12-20 인트리 주식회사 나노섬유 패턴을 구비한 광투과성 도전체를 제조하기 위한 포토마스크 및 그 제조방법
PL3224216T3 (pl) * 2014-11-25 2022-03-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Utwardzalne kompozycje zol-żel tworzące powłokę oraz wytworzone z nich wyroby z powłoką antyodblaskową
JP6890920B2 (ja) * 2014-12-08 2021-06-18 日東電工株式会社 粘着剤層付き透明導電性フィルム
WO2016093120A1 (ja) * 2014-12-08 2016-06-16 日東電工株式会社 粘着剤層付き透明導電性フィルム
TWI553933B (zh) * 2014-12-11 2016-10-11 財團法人工業技術研究院 發光元件、電極結構與其製作方法
CN105702875B (zh) 2014-12-11 2018-04-27 财团法人工业技术研究院 发光元件、电极结构与其制作方法
CN104485345A (zh) * 2014-12-15 2015-04-01 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极结构、其制作方法及柔性显示基板
KR101739726B1 (ko) 2014-12-19 2017-05-25 인트리 주식회사 나노섬유 패턴을 구비한 광투과성 도전체의 제조방법
KR101696300B1 (ko) * 2014-12-23 2017-01-16 전자부품연구원 전극 및 그의 제조방법
KR102375891B1 (ko) * 2014-12-24 2022-03-16 삼성전자주식회사 투명전극 및 이를 포함하는 전자 소자
CN104525966B (zh) * 2015-01-14 2016-10-26 河南大学 一种黄原胶-银纳米复合材料及其制备方法
US9947430B2 (en) 2015-01-30 2018-04-17 Xerox Corporation Transparent conductive film comprising silver nanowires
US9607726B2 (en) * 2015-01-30 2017-03-28 Xerox Corporation Composition comprising silver nanowires
KR102347960B1 (ko) 2015-02-03 2022-01-05 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
KR101700686B1 (ko) * 2015-02-11 2017-01-31 빌리브마이크론(주) 실시간 위치 추적 시스템 및 방법
CN104681208B (zh) * 2015-03-18 2016-08-24 合肥工业大学 一种提高纳米银薄膜导电性的方法
US10747372B2 (en) 2015-03-25 2020-08-18 Hailiang Wang Systems and high throughput methods for touch sensors
US11247444B2 (en) 2015-04-06 2022-02-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroconductive layered product, touch panel, and process for producing electroconductive layered product
KR102681839B1 (ko) * 2015-04-06 2024-07-04 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 도전성 적층체, 터치 패널 및 도전성 적층체의 제조 방법
KR20170135909A (ko) 2015-04-09 2017-12-08 바스프 에스이 전기 전도성 투명층의 제조를 위한 알코올/물 혼합물 중의 은 나노와이어 및 분산된 스티렌/(메트)아크릴 공중합체를 포함하는 조성물
FR3034683B1 (fr) * 2015-04-10 2017-05-05 Poly-Ink Suspension stable de nanofils d'argent et son procede de fabrication
JP2018517237A (ja) 2015-04-16 2018-06-28 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ パターニングされた透明導電膜及び透明導電膜の製造方法
US10902970B2 (en) 2015-04-16 2021-01-26 Basf Se Patterned transparent conductive film and process for producing such a patterned transparent conductive film
DE102015105831A1 (de) 2015-04-16 2016-10-20 Rent-A-Scientist Gmbh Metallnanopartikelhaltige, disperse Formulierung
JP6042486B1 (ja) 2015-05-29 2016-12-14 日本写真印刷株式会社 タッチセンサの製造方法及びタッチセンサ
JP6090891B1 (ja) 2015-06-01 2017-03-08 株式会社片岡製作所 細胞処理方法、レーザ加工機、細胞培養容器
CN104952551B (zh) * 2015-06-16 2017-10-24 北京石油化工学院 一种柔性衬底纳米银线透明导电薄膜的制备方法
CN104916351B (zh) * 2015-06-23 2017-03-08 广州聚达光电有限公司 一种柔性透明导电薄膜及其制备方法
US11284521B2 (en) * 2015-06-30 2022-03-22 3M Innovative Properties, Company Electronic devices comprising a via and methods of forming such electronic devices
US10829605B2 (en) 2015-07-02 2020-11-10 Sabic Global Technologies B.V. Process and material for growth of adsorbed compound via nanoscale-controlled resistive heating and uses thereof
KR102433790B1 (ko) 2015-07-07 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 전극, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US10294422B2 (en) 2015-07-16 2019-05-21 Hailiang Wang Etching compositions for transparent conductive layers comprising silver nanowires
US10372246B2 (en) 2015-07-16 2019-08-06 Hailiang Wang Transferable nanocomposites for touch sensors
KR20170016591A (ko) * 2015-08-04 2017-02-14 인천대학교 산학협력단 투명 전극 및 그 제조방법
KR20170018718A (ko) * 2015-08-10 2017-02-20 삼성전자주식회사 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법
CN208488734U (zh) * 2015-08-21 2019-02-12 3M创新有限公司 包括金属迹线的透明导体
WO2017034497A1 (en) 2015-08-26 2017-03-02 Husnu Emrah Unalan Metal nanowire decorated h eatable fabrics
CN105070510B (zh) * 2015-08-26 2017-07-11 长江大学 柔性染料敏化太阳电池及其制备方法
DE102015115004A1 (de) 2015-09-07 2017-03-09 Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh Verfahren zur Herstellung von strukturierten Oberflächen
EP3371638A4 (en) * 2015-09-14 2019-09-04 President and Fellows of Harvard College METHOD AND DEVICE FOR LIGHT MODULATION WITH A DEVELOPABLE SOFT DIELECTRIC
KR20180057613A (ko) * 2015-09-18 2018-05-30 소니 주식회사 도전성 소자 및 그의 제조 방법, 입력 장치, 그리고 전자 기기
JP6553471B2 (ja) * 2015-09-29 2019-07-31 住友化学株式会社 電極付き基板の製造方法
US10090078B2 (en) 2015-10-07 2018-10-02 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Nanocomposite films and methods of preparation thereof
CN105118546B (zh) * 2015-10-09 2017-06-16 重庆文理学院 一种新型氧化物保护的银纳米线透明导电薄膜
CN105153814B (zh) * 2015-10-09 2018-07-17 重庆文理学院 一种水基银纳米线墨水的配制方法
CN108353503B (zh) * 2015-10-26 2021-02-19 韩国机械研究院 一种使用强脉冲光烧结的图案形成装置以及方法
KR101773148B1 (ko) * 2015-11-10 2017-08-30 한국기계연구원 전도성 금속 잉크로 코팅된 기판에 광을 조사하여 전도성 패턴을 형성하는 시스템
KR101823358B1 (ko) * 2015-10-28 2018-01-31 덕산하이메탈(주) 투광성 기판의 제조방법 및 이를 통해 제조된 투광성 기판
KR101862760B1 (ko) * 2015-10-28 2018-05-31 덕산하이메탈(주) 투광성 기판의 제조방법 및 이를 통해 제조된 투광성 기판
CN105405984B (zh) * 2015-11-02 2018-05-25 固安翌光科技有限公司 一种电极及其制备方法与应用
TWI603343B (zh) * 2015-11-09 2017-10-21 大葉大學 銀奈米線及銀奈米薄膜的製備方法
US10088931B2 (en) * 2015-11-16 2018-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Silver nanowires, production methods thereof, conductors and electronic devices including the same
US9801284B2 (en) 2015-11-18 2017-10-24 Dow Global Technologies Llc Method of manufacturing a patterned conductor
WO2017096058A1 (en) 2015-12-01 2017-06-08 LUAN, Xinning Electron injection based vertical light emitting transistors and methods of making
CN109251636B (zh) * 2015-12-07 2021-04-02 苏州艾达仕电子科技有限公司 高透光率水性导电涂料的制备工艺
CN105273471B (zh) * 2015-12-07 2018-07-06 苏州艾达仕电子科技有限公司 水溶性纳米银导电涂料
KR20170067204A (ko) 2015-12-07 2017-06-16 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노선 전극의 제조 방법
US10147512B2 (en) 2015-12-09 2018-12-04 C3Nano Inc. Methods for synthesizing silver nanoplates and noble metal coated silver nanoplates and their use in transparent films for control of light hue
WO2017106160A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-22 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanostructured conducting films with a heterogeneous dopant distribution and methods of making and use thereof
ES2625024B1 (es) * 2015-12-18 2018-05-10 Consejo Superior De Investigaciones Cientificas Material que comprende tectómeros de oligoglicina y nanohilos
KR101683680B1 (ko) * 2015-12-29 2016-12-09 주식회사 하이딥 압력 검출을 위한 전극시트 및 이를 포함하는 압력 검출 모듈
US10541374B2 (en) * 2016-01-04 2020-01-21 Carbon Nanotube Technologies, Llc Electronically pure single chirality semiconducting single-walled carbon nanotube for large scale electronic devices
TW201728699A (zh) * 2016-01-29 2017-08-16 西克帕控股有限公司 凹刻印刷磁電機可讀取的氧化乾燥油墨
KR102119432B1 (ko) 2016-03-11 2020-06-05 쇼와 덴코 가부시키가이샤 금속 나노와이어 잉크, 투명 도전 기판 및 투명 대전 방지용 기판
JP6143909B1 (ja) * 2016-03-29 2017-06-07 株式会社フジクラ 配線体、配線基板、タッチセンサ、及び配線体の製造方法
KR101685069B1 (ko) * 2016-04-01 2016-12-09 금오공과대학교 산학협력단 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
TWI625226B (zh) * 2016-04-01 2018-06-01 律勝科技股份有限公司 可撓性透明聚醯亞胺積層板及其製造方法
US20190114003A1 (en) 2016-04-05 2019-04-18 3M Innovative Properties Company Nanowire contact pads with enhanced adhesion to metal interconnects
US11240917B2 (en) 2016-04-07 2022-02-01 Technology Innovation Momentum Fund (Israel) Limited Partnership Printing of nanowire films
US10354773B2 (en) 2016-04-08 2019-07-16 Duke University Noble metal-coated nanostructures and related methods
JP6960416B2 (ja) 2016-05-25 2021-11-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー タッチセンサのための基板
KR102188996B1 (ko) 2016-05-31 2020-12-09 쇼와 덴코 가부시키가이샤 투명 도전 패턴의 형성 방법
WO2017208924A1 (ja) 2016-05-31 2017-12-07 昭和電工株式会社 透明導電パターンの形成方法
US10249409B2 (en) * 2016-06-21 2019-04-02 Schlumberger Technology Corporation Coated conductors
US20190352529A1 (en) 2016-06-27 2019-11-21 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Silver nanowire ink, method for producing same, and conductive film
CN107562251B (zh) * 2016-06-30 2020-09-15 宁波科廷光电科技有限公司 用于触摸传感器的可转移纳米复合材料
KR20180012098A (ko) * 2016-07-26 2018-02-05 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN106046943A (zh) * 2016-07-26 2016-10-26 珠海纳金科技有限公司 一种用于喷墨打印的导电油墨及其制备方法
WO2018019813A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Basf Se Transparent electroconductive layer and ink for production thereof
WO2018019820A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Basf Se Transparent electroconductive layer having a protective coating
CN106297967B (zh) 2016-08-26 2018-01-16 京东方科技集团股份有限公司 柔性导电薄膜及其制备方法、柔性触摸屏及显示面板
KR102601451B1 (ko) 2016-09-30 2023-11-13 엘지디스플레이 주식회사 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자, 액정표시장치 및 유기발광표시장치
WO2018062517A1 (ja) 2016-09-30 2018-04-05 大日本印刷株式会社 導電性フィルム、タッチパネル、および画像表示装置
US11773275B2 (en) 2016-10-14 2023-10-03 C3 Nano, Inc. Stabilized sparse metal conductive films and solutions for delivery of stabilizing compounds
WO2018094639A1 (en) * 2016-11-24 2018-05-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible touch panel, flexible display panel and flexible display apparatus, and fabricating method thereof
JP6859083B2 (ja) 2016-11-28 2021-04-14 昭和電工株式会社 導電性フィルム、及び導電性フィルムの製造方法
CN109923622B (zh) * 2016-12-01 2020-06-19 昭和电工株式会社 透明导电基板和其制造方法
WO2018104108A1 (en) 2016-12-07 2018-06-14 Basf Se Composites comprising layers of nanoobjects and coating, preferably clear coating
KR20190086530A (ko) 2016-12-20 2019-07-22 세이코 피엠씨 가부시키가이샤 내후성 향상제, 금속 나노 와이어층 피복용 수지 조성물 및 금속 나노 와이어 함유 적층체
KR102105855B1 (ko) * 2016-12-23 2020-05-06 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 전기 전도성 코폴리에스테르카보네이트-기반 물질
US20190357360A1 (en) 2016-12-29 2019-11-21 3M Innovative Properties Company Methods for Preparing Electrically Conductive Patterns and Articles Containing Electrically Conductive Patterns
WO2018131702A1 (ja) 2017-01-16 2018-07-19 昭和電工株式会社 透明導電フィルム及び透明導電パターンの製造方法
JP2018141239A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀ナノワイヤインク
KR20190128670A (ko) 2017-03-07 2019-11-18 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 은 나노와이어 잉크의 제조 방법 및 은 나노와이어 잉크 및 투명 도전 도막
DE102017104922A1 (de) 2017-03-08 2018-09-13 Olav Birlem Verbindung von elektrischen Leitern
CN108630708A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
WO2018172269A1 (en) 2017-03-21 2018-09-27 Basf Se Electrically conductive film comprising nanoobjects
CN108621753A (zh) 2017-03-24 2018-10-09 凯姆控股有限公司 平面加热结构
US10847757B2 (en) 2017-05-04 2020-11-24 Carbon Nanotube Technologies, Llc Carbon enabled vertical organic light emitting transistors
US10665796B2 (en) 2017-05-08 2020-05-26 Carbon Nanotube Technologies, Llc Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof
US10978640B2 (en) 2017-05-08 2021-04-13 Atom H2O, Llc Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof
CN107217306B (zh) * 2017-05-19 2023-07-07 湖州三峰能源科技有限公司 多晶硅片酸制绒优化剂的化学组合物及其应用
KR102371678B1 (ko) * 2017-06-12 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노선 전극 및 이의 제조 방법
CN107331445A (zh) * 2017-07-11 2017-11-07 湖南大学 一种改性银纳米线透明导电膜及提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法
JP7300991B2 (ja) 2017-08-02 2023-06-30 株式会社レゾナック 導電フィルムの製造方法、導電フィルム及び金属ナノワイヤインク
KR102005262B1 (ko) * 2017-08-21 2019-07-31 금오공과대학교 산학협력단 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
JP6399175B2 (ja) * 2017-09-07 2018-10-03 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
CN107630360B (zh) * 2017-09-30 2020-05-19 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种双功能导电纤维及其制备方法和应用
JP7181614B2 (ja) * 2017-10-13 2022-12-01 ユニチカ株式会社 ニッケルナノワイヤーを含有するペースト
US10985344B2 (en) 2017-10-27 2021-04-20 Applied Materials, Inc. Flexible cover lens films
CN109817381B (zh) * 2017-11-21 2020-05-29 北京赛特超润界面科技有限公司 一种铜网格复合离子液体凝胶柔性透明电极的制备方法
CN111417519A (zh) 2017-11-30 2020-07-14 3M创新有限公司 包括自支承三层叠堆的基底
TWI653643B (zh) 2017-12-04 2019-03-11 富元精密科技股份有限公司 透明導電體結構及其製造方法
US10714230B2 (en) 2017-12-06 2020-07-14 C3Nano Inc. Thin and uniform silver nanowires, method of synthesis and transparent conductive films formed from the nanowires
WO2019147616A1 (en) * 2018-01-24 2019-08-01 Nano-C, Inc. Methods for manufacturing of heterogeneous rigid rod networks
US20190235339A1 (en) * 2018-01-29 2019-08-01 Polyceed Inc. Electrochromic device structures with conductive nanoparticles
CN110221731B (zh) * 2018-03-02 2023-03-28 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板的直接图案化方法及其触控面板
CN110221718B (zh) 2018-03-02 2023-07-04 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板的直接图案化方法及其触控面板
US20190280052A1 (en) * 2018-03-12 2019-09-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for manufacturing a touch-control panel and oled touch-control apparauts
JP6778829B2 (ja) 2018-03-16 2020-11-04 株式会社東芝 電極の製造方法および製造装置
JP7300596B2 (ja) * 2018-03-30 2023-06-30 太陽ホールディングス株式会社 インクジェット用硬化性組成物、その硬化物、及びその硬化物を有する電子部品
JP7290151B2 (ja) 2018-04-12 2023-06-13 株式会社レゾナック 銀ナノワイヤインク及び透明導電フィルム
FI128433B (en) * 2018-05-09 2020-05-15 Canatu Oy An electrically conductive multilayer film comprising a coating layer
KR20200142594A (ko) 2018-05-10 2020-12-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플렉서블 디스플레이를 위한 교체가능한 커버 렌즈
JP2019206738A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀ナノワイヤインクおよび透明導電膜の製造方法並びに透明導電膜
CN108549503B (zh) * 2018-06-30 2020-11-20 云谷（固安）科技有限公司 触控面板及其制作方法、显示装置
CN108598288A (zh) * 2018-07-10 2018-09-28 上海大学 一种复合多功能oled电极及其制备方法
CN108962503A (zh) * 2018-07-31 2018-12-07 佛山科学技术学院 一种超高稳定性环氧封装银纳米线柔性透明电极的制法及其应用
CN112601835A (zh) 2018-08-14 2021-04-02 应用材料公司 用于柔性覆盖透镜的多层湿法-干法硬涂层
WO2020038641A1 (en) 2018-08-20 2020-02-27 Basf Se Transparent electroconductive films and ink for production thereof
US11106107B2 (en) * 2018-09-09 2021-08-31 Zhejiang Jingyi New Material Technology Co., Ltd Ultra-flexible and robust silver nanowire films for controlling light transmission and method of making the same
US11823808B2 (en) * 2018-09-19 2023-11-21 University Of Massachusetts Conductive composite materials fabricated with protein nanowires
CN109402635B (zh) * 2018-10-30 2021-02-09 苏州诺菲纳米科技有限公司 透明导电电极的制备方法
US20220020508A1 (en) * 2018-12-27 2022-01-20 Cambrios Film Solutions Corporation Silver nanowire transparent conductive films
US11910525B2 (en) 2019-01-28 2024-02-20 C3 Nano, Inc. Thin flexible structures with surfaces with transparent conductive films and processes for forming the structures
KR102176012B1 (ko) * 2019-03-20 2020-11-09 한국과학기술연구원 투명 유연 전극/전자파 차폐 필름 및 이의 제조방법
CN113439106A (zh) * 2019-04-03 2021-09-24 英属维京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 导电膜的形成
TWI824134B (zh) * 2019-04-03 2023-12-01 英屬維爾京群島商天材創新材料科技股份有限公司 導電性膜
JP2022528108A (ja) * 2019-04-03 2022-06-08 カンブリオス フィルム ソリューションズ コーポレーション ナノワイヤインクの性能とナノワイヤ寸法との相関
JP2020187188A (ja) * 2019-05-10 2020-11-19 株式会社ニコン・エシロール 眼鏡レンズ
CN118522220A (zh) 2019-06-26 2024-08-20 应用材料公司 可折叠显示器的柔性多层覆盖透镜堆叠
CN110400775A (zh) * 2019-07-10 2019-11-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板和柔性显示装置
EP3999910A1 (en) 2019-07-16 2022-05-25 Agfa-Gevaert N.V. A method of manufacturing a transparent conductive film
US20210071308A1 (en) * 2019-09-09 2021-03-11 University Of North Texas Selective surface finishing for corrosion inhibition via chemical vapor deposition
JPWO2021065828A1 (zh) 2019-10-02 2021-04-08
KR20220072836A (ko) 2019-10-02 2022-06-02 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 도전성 필름의 제조 방법
KR20220070223A (ko) 2019-10-02 2022-05-30 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 도전성 필름의 제조 방법
CN113903502A (zh) * 2019-11-14 2022-01-07 宸盛光电有限公司 具自组装保护层的导电结构及自组装涂层组合物
WO2021094901A1 (en) 2019-11-15 2021-05-20 3M Innovative Properties Company Expandable microsphere, markable article, marked article, and method of making the same
WO2021101885A1 (en) 2019-11-18 2021-05-27 C3Nano Inc. Coatings and processing of transparent conductive films for stabilization of sparse metal conductive layers
KR102280104B1 (ko) * 2019-11-29 2021-07-20 부산대학교 산학협력단 M13 박테리오파지를 기반으로 하는 은 나노와이어의 제조방법
KR20220151607A (ko) * 2020-01-03 2022-11-15 나노테크 에너지, 인크. 전자기 간섭 차폐 물질, 디바이스, 및 이의 제조 방법
EP3858924B1 (de) * 2020-01-29 2022-08-31 Nordwest-Chemie GmbH Elektrisch leitfähiger laserbarer lack, verfahren zu dessen herstellung sowie verwendung des lackes zur herstellung eines touch-bedienelementes
JP2021136085A (ja) 2020-02-25 2021-09-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
US11982637B2 (en) 2020-04-22 2024-05-14 University Of Massachusetts Sensors comprising electrically-conductive protein nanowires
CN113650373B (zh) * 2020-05-12 2023-09-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触控层及其制备方法，以及触控装置
JP2021184344A (ja) 2020-05-22 2021-12-02 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
WO2021235431A1 (ja) 2020-05-22 2021-11-25 日東電工株式会社 導電性フィルム
CN113936844B (zh) * 2020-07-13 2023-02-03 华为技术有限公司 透明导电电极及其制备方法、电子器件
JP7458926B2 (ja) 2020-07-28 2024-04-01 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
CN111880686A (zh) * 2020-07-31 2020-11-03 淄博松柏电子科技有限公司 电极组件制作方法、电极组件及超轻薄金属线触控面板
CN112968081A (zh) * 2020-08-18 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种红光led芯片及制备方法、显示面板
JP2022042664A (ja) 2020-09-03 2022-03-15 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
CN114250013A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 宸鸿科技(厦门)有限公司 可喷涂导电油墨与导电元件
CN112210294B (zh) * 2020-09-22 2021-11-23 广东极客亮技术有限公司 碳化硅防霉防白蚁涂料、防白蚁木材及制备方法
JP2022073593A (ja) 2020-11-02 2022-05-17 日東電工株式会社 導電性光学積層体
CA3197784A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-19 Amiya R. TRIPATHY Advanced insulation and jacketing for downhole power and motor lead cables
CN114496352A (zh) * 2020-11-12 2022-05-13 天材创新材料科技(厦门)有限公司 纳米银线保护层结构及其制备方法
EP4269098A1 (en) * 2020-12-24 2023-11-01 Resonac Corporation Transparent electroconductive film laminate
JP7554122B2 (ja) 2021-01-13 2024-09-19 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2022108460A (ja) 2021-01-13 2022-07-26 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
WO2022165086A1 (en) * 2021-01-27 2022-08-04 The Research Foundation For The State University Of New York Printed conformal high temperature electronics using copper nanoink
CN112967846B (zh) * 2021-02-01 2023-06-02 苏州星烁纳米科技有限公司 一种薄膜及其制备方法
JP2022122545A (ja) 2021-02-10 2022-08-23 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP7485629B2 (ja) 2021-03-18 2024-05-16 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2022143836A (ja) 2021-03-18 2022-10-03 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
CN113156722A (zh) * 2021-04-02 2021-07-23 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制备方法
US20220365615A1 (en) * 2021-05-13 2022-11-17 Cambrios Film Solutions Corporation On-cell touch display and preparing method thereof
TWI767738B (zh) * 2021-06-03 2022-06-11 位速科技股份有限公司 導電油墨樹脂組成物、透明導電膜以及透明導電基板結構及其製作方法
CN113393975B (zh) * 2021-06-09 2022-11-04 哈尔滨工业大学 一种表面改性的银纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法
CN113540357B (zh) * 2021-06-21 2024-02-23 南京邮电大学 一种柔性有机太阳能电池及其制备方法
US11703966B2 (en) 2021-08-18 2023-07-18 Tpk Advanced Solutions Inc. Touch display module
CN113793718B (zh) * 2021-08-23 2024-01-09 湖南兴威新材料有限公司 一种薄膜电极及其制备方法和应用
CN113764137B (zh) * 2021-08-25 2024-01-09 湖南兴威新材料有限公司 纳米银线导电膜的制备方法、纳米银线导电膜及其应用
JP2023066744A (ja) 2021-10-29 2023-05-16 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2023089701A (ja) 2021-12-16 2023-06-28 日東電工株式会社 センサー積層体
WO2023140011A1 (ja) * 2022-01-21 2023-07-27 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤの製造方法、金属ナノワイヤ、分散液および導電膜
JP2023127683A (ja) 2022-03-02 2023-09-14 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
JP2023183132A (ja) 2022-06-15 2023-12-27 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2023183138A (ja) 2022-06-15 2023-12-27 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
CN115572515B (zh) * 2022-10-07 2024-02-06 江苏中新瑞光学材料有限公司 一种电致变色涂料以及基于其的电致变色薄膜
JP2024065412A (ja) 2022-10-31 2024-05-15 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
CN117998262A (zh) * 2022-11-04 2024-05-07 华为技术有限公司 制造扬声器振膜的方法、扬声器和电子设备
US11961637B1 (en) 2022-12-07 2024-04-16 Tpk Advanced Solutions Inc. Stretchable composite electrode and fabricating method thereof
CN117812815A (zh) * 2024-01-17 2024-04-02 南京罗朗微太电子科技有限公司 一种高透光率低损耗介质基材与器件结构及其加工方法

Family Cites Families (298)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US707675A (en) 1901-12-12 1902-08-26 Eliza A Colburn Circular sawing machine.
US796027A (en) 1905-03-11 1905-08-01 Louis Wittbold Watering system and nozzle for greenhouses.
US798027A (en) 1905-04-20 1905-08-22 Charles A Ernst Process of manufacturing filaments from viscose.
US2289301A (en) * 1939-01-26 1942-07-07 Alfred W Barber Phase inversion circuit
US2426318A (en) * 1945-11-15 1947-08-26 Stanolind Oil & Gas Co Inhibiting corrosion
US3167429A (en) 1961-05-26 1965-01-26 Levy Marilyn Monobaths containing sodium polyacrylate and polyvinyl-pyrrolidone
US3552969A (en) 1967-09-25 1971-01-05 Eastman Kodak Co Photographic compositions and processes
JPS5761025B2 (zh) 1974-01-16 1982-12-22 Toa Gosei Chem Ind
US4083945A (en) 1977-01-10 1978-04-11 Union Oil Company Of California Process for the treatment of hydrogen sulfide gas streams
JPS5761025A (en) 1980-09-30 1982-04-13 Kuraray Co Ltd Production of laminate having excelent dew condensation resistance and gas barrier property
DE3216125A1 (de) 1982-04-30 1983-11-10 Cassella Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von schwefelfarbstoffen der phthalocyanin-reihe
DE3368092D1 (en) 1982-07-30 1987-01-15 Mishima Paper Co Ltd Conductive film for packaging
FR2537898A1 (fr) * 1982-12-21 1984-06-22 Univ Paris Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede
DE3479793D1 (en) 1983-08-01 1989-10-26 Allied Signal Inc Oriented film laminates of polyamides and ethylene vinyl alcohol
US4716081A (en) * 1985-07-19 1987-12-29 Ercon, Inc. Conductive compositions and conductive powders for use therein
US4780371A (en) 1986-02-24 1988-10-25 International Business Machines Corporation Electrically conductive composition and use thereof
GB8617535D0 (en) 1986-07-17 1986-08-28 Du Pont Canada Gas barrier structures
JPS63229061A (ja) 1987-03-18 1988-09-22 テルモ株式会社 膜型人工肺とその製造方法
DE3870012D1 (de) * 1987-04-03 1992-05-21 Ciba Geigy Ag Antistatische und elektrisch leitende polymere und formmassen.
JP2553872B2 (ja) * 1987-07-21 1996-11-13 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US5292784A (en) 1989-05-23 1994-03-08 Ganns Financial Group, Inc., Dba Glare Tech Industries Incorporated Anti-glare coating for reflective-transmissive surfaces and method
US5063125A (en) * 1989-12-29 1991-11-05 Xerox Corporation Electrically conductive layer for electrical devices
US5716663A (en) * 1990-02-09 1998-02-10 Toranaga Technologies Multilayer printed circuit
CA2038785C (en) 1990-03-27 1998-09-29 Atsushi Oyamatsu Magneto-optical recording medium
US5225244A (en) 1990-12-17 1993-07-06 Allied-Signal Inc. Polymeric anti-reflection coatings and coated articles
US5165965A (en) * 1990-12-28 1992-11-24 Reynolds Metals Company Method for providing predistored images on shrinkable film
US5165985A (en) * 1991-06-28 1992-11-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a flexible, transparent film for electrostatic shielding
JPH05194856A (ja) 1991-09-05 1993-08-03 Otsuka Chem Co Ltd 導電性エラストマー組成物
US5198267A (en) 1991-09-20 1993-03-30 Allied-Signal Inc. Fluoropolymer blend anti-reflection coatings and coated articles
US5270364A (en) 1991-09-24 1993-12-14 Chomerics, Inc. Corrosion resistant metallic fillers and compositions containing same
EP0617724B1 (en) 1991-12-16 1998-08-12 IBBOTSON, Peter, Graham Antiglare and/or reflection formulation
EP0554220A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-04 Ciba-Geigy Ag Charge-Transfer Komplexe mit Ferrocenen, deren Herstellung und deren Verwendung
JP3059829B2 (ja) 1992-06-16 2000-07-04 株式会社海水化学研究所 導電性フィラー、その製造方法およびその使用
EP0583220B1 (de) * 1992-07-15 1996-11-20 Ciba-Geigy Ag Beschichtetes Material, dessen Herstellung und Verwendung
EP0588759A1 (de) * 1992-08-20 1994-03-23 Ciba-Geigy Ag Dithiopentacenderivate, deren Herstellung und deren Verwendung als Elektronenakzeptoren in Charge-Transfer Komplexen
JPH06107834A (ja) * 1992-09-28 1994-04-19 Dainippon Printing Co Ltd 易接着コーティング芳香族ポリアミド樹脂基材及びその製造方法
JPH06162818A (ja) 1992-11-18 1994-06-10 Ajinomoto Co Inc 活性エネルギー線硬化型導電性組成物
CN1091553A (zh) * 1992-11-20 1994-08-31 国家标准公司 电池电极的基质及其制造方法
JPH06215631A (ja) 1993-01-19 1994-08-05 Ajinomoto Co Inc 繊維状導電性物質及びこれを含有する導電性樹脂組成物
KR100214428B1 (ko) 1993-06-30 1999-08-02 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 적외선차단재와 그것에 사용하는 적외선차단분말
US5415815A (en) 1993-07-14 1995-05-16 Bruno; Art Film for glare reduction
JPH0794036A (ja) 1993-07-27 1995-04-07 Fujimori Kogyo Kk フラットケーブル用電磁波遮蔽性組成物およびそれを用いたフイルム
US5460701A (en) * 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
EP0653763A1 (en) * 1993-11-17 1995-05-17 SOPHIA SYSTEMS Co., Ltd. Ultraviolet hardenable, solventless conductive polymeric material
WO1995019567A1 (en) * 1994-01-13 1995-07-20 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Synthetic receptors, libraries and uses thereof
WO1996024938A1 (fr) * 1995-02-08 1996-08-15 Hitachi Chemical Co., Ltd. Poudre composite conductrice, pate conductrice, procede de production de cette pate, circuit electrique et son procede de fabrication
US5565143A (en) 1995-05-05 1996-10-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water-based silver-silver chloride compositions
KR970073821A (ko) * 1995-09-27 1997-12-10 아키모토 유미 다공질 소결금속판의 제조방법 및 제조장치
JPH09115334A (ja) 1995-10-23 1997-05-02 Mitsubishi Materiais Corp 透明導電膜および膜形成用組成物
US5759230A (en) * 1995-11-30 1998-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nanostructured metallic powders and films via an alcoholic solvent process
KR970052197A (ko) * 1995-12-05 1997-07-29 문정환 금속배선 형성방법
US5897945A (en) * 1996-02-26 1999-04-27 President And Fellows Of Harvard College Metal oxide nanorods
IT1282387B1 (it) * 1996-04-30 1998-03-20 Videocolor Spa Rivestimento antistatico,antiabbagliante,per una superficie a riflessione-trasmissione
US5820957A (en) 1996-05-06 1998-10-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anti-reflective films and methods
JPH09324324A (ja) 1996-06-07 1997-12-16 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維及びその製法並びに該繊維を用いた導電性塗料
JPH1017325A (ja) 1996-07-03 1998-01-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウム粉末及びその製造方法
JPH1046382A (ja) 1996-07-26 1998-02-17 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維の製造方法及び該繊維を用いた導電性塗料
US6977025B2 (en) * 1996-08-01 2005-12-20 Loctite (R&D) Limited Method of forming a monolayer of particles having at least two different sizes, and products formed thereby
US5851507A (en) * 1996-09-03 1998-12-22 Nanomaterials Research Corporation Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders
US6933331B2 (en) * 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US6202471B1 (en) * 1997-10-10 2001-03-20 Nanomaterials Research Corporation Low-cost multilaminate sensors
US5952040A (en) * 1996-10-11 1999-09-14 Nanomaterials Research Corporation Passive electronic components from nano-precision engineered materials
US6344271B1 (en) * 1998-11-06 2002-02-05 Nanoenergy Corporation Materials and products using nanostructured non-stoichiometric substances
US5788738A (en) * 1996-09-03 1998-08-04 Nanomaterials Research Corporation Method of producing nanoscale powders by quenching of vapors
US5905000A (en) * 1996-09-03 1999-05-18 Nanomaterials Research Corporation Nanostructured ion conducting solid electrolytes
US5719016A (en) * 1996-11-12 1998-02-17 Eastman Kodak Company Imaging elements comprising an electrically conductive layer containing acicular metal-containing particles
US5731119A (en) * 1996-11-12 1998-03-24 Eastman Kodak Company Imaging element comprising an electrically conductive layer containing acicular metal oxide particles and a transparent magnetic recording layer
JP3398587B2 (ja) 1996-12-10 2003-04-21 タキロン株式会社 成形可能な制電性樹脂成形品
US6379745B1 (en) * 1997-02-20 2002-04-30 Parelec, Inc. Low temperature method and compositions for producing electrical conductors
US6001163A (en) 1997-04-17 1999-12-14 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate
US6045925A (en) 1997-08-05 2000-04-04 Kansas State University Research Foundation Encapsulated nanometer magnetic particles
TW505685B (en) * 1997-09-05 2002-10-11 Mitsubishi Materials Corp Transparent conductive film and composition for forming same
US6514453B2 (en) * 1997-10-21 2003-02-04 Nanoproducts Corporation Thermal sensors prepared from nanostructureed powders
JP2972702B2 (ja) * 1998-03-17 1999-11-08 静岡日本電気株式会社 ペン入力型携帯情報端末機
JPH11340322A (ja) * 1998-05-21 1999-12-10 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
US5867945A (en) 1998-06-04 1999-02-09 Scafidi; Stephen J. Self-cleaning gutter
KR20000003597A (ko) * 1998-06-29 2000-01-15 김영환 반도체소자의 제조방법
US6416818B1 (en) * 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
US6294401B1 (en) * 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US7098163B2 (en) * 1998-08-27 2006-08-29 Cabot Corporation Method of producing membrane electrode assemblies for use in proton exchange membrane and direct methanol fuel cells
US6241451B1 (en) 1998-09-08 2001-06-05 Knight Manufacturing Corp. Distributor apparatus for spreading materials
US6541539B1 (en) * 1998-11-04 2003-04-01 President And Fellows Of Harvard College Hierarchically ordered porous oxides
US6855202B2 (en) * 2001-11-30 2005-02-15 The Regents Of The University Of California Shaped nanocrystal particles and methods for making the same
US6274412B1 (en) * 1998-12-21 2001-08-14 Parelec, Inc. Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
US6265466B1 (en) * 1999-02-12 2001-07-24 Eikos, Inc. Electromagnetic shielding composite comprising nanotubes
TWI257410B (en) 1999-03-25 2006-07-01 Shinetsu Chemical Co Conductive silicone rubber composition and low-resistance connector
JP4410421B2 (ja) 1999-04-13 2010-02-03 久光製薬株式会社 イオントフォレーシスデバイス
JP3909791B2 (ja) * 1999-04-19 2007-04-25 共同印刷株式会社 透明導電膜の転写方法
US6342097B1 (en) 1999-04-23 2002-01-29 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate with a matched refractive index and controlled tintability
US6881604B2 (en) 1999-05-25 2005-04-19 Forskarpatent I Uppsala Ab Method for manufacturing nanostructured thin film electrodes
WO2001001475A1 (en) * 1999-06-30 2001-01-04 The Penn State Research Foundation Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration
JP2003504857A (ja) * 1999-07-02 2003-02-04 プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ ナノスコピックワイヤを用いる装置、アレイおよびその製造方法
JP3882419B2 (ja) 1999-09-20 2007-02-14 旭硝子株式会社 導電膜形成用塗布液およびその用途
JP4467163B2 (ja) 1999-09-28 2010-05-26 共同印刷株式会社 転写体およびそれを用いた透明導電層の形成方法
ATE459488T1 (de) 1999-09-28 2010-03-15 Kyodo Printing Co Ltd Übertragungskörper und verwendungsverfahren
US6741019B1 (en) 1999-10-18 2004-05-25 Agere Systems, Inc. Article comprising aligned nanowires
CZ297808B6 (cs) 1999-10-20 2007-04-04 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Fotoiniciacní prostredky, zpusob jejich prípravy a jejich pouzití
JP2002083518A (ja) * 1999-11-25 2002-03-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材とその製造方法並びにこの透明導電性基材が適用された表示装置、および透明導電層形成用塗液とその製造方法
JP2001155542A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性組成物、転写用導電性フィルム、およびパターン化された導電層の形成方法
NL1016815C2 (nl) 1999-12-15 2002-05-14 Ciba Sc Holding Ag Oximester-fotoinitiatoren.
WO2001044132A1 (fr) 1999-12-17 2001-06-21 Asahi Glass Company, Limited Composition de dispersion de particules ultrafines, composition de couche de liaison intercouche pour verre feuillete, couche de liaison intercouche, et verre feuillete
JP2001205600A (ja) 2000-01-27 2001-07-31 Canon Inc 微細構造体及びその製造方法
AU2001249323A1 (en) 2000-03-22 2001-10-03 University Of Massachusetts Nanocylinder arrays
US6436180B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-20 Hewlett-Packard Company Color ink composition for graphic art ink jet image printers
FR2807052B1 (fr) 2000-04-03 2003-08-15 Clariant France Sa Compositions silico-acryliques, leur procede de preparation et leur utilisation
JP4588834B2 (ja) * 2000-04-06 2010-12-01 パナソニック電工株式会社 リン含有エポキシ樹脂組成物及び、該リン含有エポキシ樹脂を用いる難燃性の樹脂シート、樹脂付き金属箔、プリプレグ及び積層板、多層板
US6773823B2 (en) 2000-04-07 2004-08-10 University Of New Orleans Research And Technology Foundation, Inc. Sequential synthesis of core-shell nanoparticles using reverse micelles
JP2001291431A (ja) 2000-04-10 2001-10-19 Jsr Corp 異方導電性シート用組成物、異方導電性シート、その製造方法および異方導電性シートを用いた接点構造
JP3749083B2 (ja) * 2000-04-25 2006-02-22 株式会社ルネサステクノロジ 電子装置の製造方法
EP1289453A1 (en) * 2000-05-16 2003-03-12 Rensselaer Polytechnic Institute Electrically conducting nanocomposite materials for biomedical applications
JP4077596B2 (ja) 2000-05-31 2008-04-16 中島工業株式会社 低反射層を有する転写材及びこれを用いた成型品の製造方法
US6908295B2 (en) * 2000-06-16 2005-06-21 Avery Dennison Corporation Process and apparatus for embossing precise microstructures and embossing tool for making same
ATE337173T1 (de) 2000-06-30 2006-09-15 Ngimat Co Verfahren zum kunststoffbeschichten
JP4788852B2 (ja) * 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
US6872189B2 (en) * 2000-08-15 2005-03-29 Hammerhead Design And Development, Inc. Gastric access port
WO2002024344A2 (de) * 2000-09-25 2002-03-28 Chemetall Gmbh Verfahren zur vorbehandlung und beschichtung von metallischen oberflächen vor der umformung mit einem lackähnlichen überzug und verwendung der derart beschichteten substrate
GB0025016D0 (en) * 2000-10-12 2000-11-29 Micromass Ltd Method nad apparatus for mass spectrometry
US6537667B2 (en) 2000-11-21 2003-03-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Electro-conductive oxide particle and process for its production
WO2002046507A2 (en) 2000-12-04 2002-06-13 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Onium salts and the use therof as latent acids
WO2002048428A1 (en) * 2000-12-12 2002-06-20 Konica Corporation Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor
US6744425B2 (en) * 2000-12-26 2004-06-01 Bridgestone Corporation Transparent electroconductive film
US6444495B1 (en) * 2001-01-11 2002-09-03 Honeywell International, Inc. Dielectric films for narrow gap-fill applications
CN1219299C (zh) 2001-01-24 2005-09-14 化研科技株式会社 导电粉以及导电性组合物
JP3560333B2 (ja) 2001-03-08 2004-09-02 独立行政法人 科学技術振興機構 金属ナノワイヤー及びその製造方法
WO2002076724A1 (en) 2001-03-26 2002-10-03 Eikos, Inc. Coatings containing carbon nanotubes
KR20040000418A (ko) * 2001-03-30 2004-01-03 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터제조되는 디바이스
JP2002322558A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Konica Corp 薄膜形成方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置
JP3857070B2 (ja) * 2001-04-25 2006-12-13 アルプス電気株式会社 導電性樹脂組成物及びこれを用いた接点基板
US6583201B2 (en) 2001-04-25 2003-06-24 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Conductive materials with electrical stability for use in electronics devices
JP2002347033A (ja) 2001-05-24 2002-12-04 Bridgestone Corp タイヤ加硫成形用金型
AU2002239726A1 (en) 2001-05-25 2002-12-09 Northwestern University Non-alloying core shell nanoparticles
US7147687B2 (en) 2001-05-25 2006-12-12 Nanosphere, Inc. Non-alloying core shell nanoparticles
US6697881B2 (en) * 2001-05-29 2004-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for efficient format, read, write, and initial copy processing involving sparse logical units
US20030148380A1 (en) 2001-06-05 2003-08-07 Belcher Angela M. Molecular recognition of materials
US20050164515A9 (en) 2001-06-05 2005-07-28 Belcher Angela M. Biological control of nanoparticle nucleation, shape and crystal phase
US6835591B2 (en) * 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6706402B2 (en) * 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6934001B2 (en) * 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
KR100438408B1 (ko) 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
KR20040037065A (ko) 2001-09-18 2004-05-04 가부시끼가이샤 도꾸야마 가스 배리어성 필름, 가스 배리어 코팅제 및 그들의 제조방법
JP4739613B2 (ja) * 2001-09-20 2011-08-03 富士通株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2003142252A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Harison Toshiba Lighting Corp 管状発光装置
AU2002363192A1 (en) 2001-11-01 2003-05-12 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ink-jet inks containing metal nanoparticles
JPWO2003045125A1 (ja) * 2001-11-20 2005-04-07 株式会社ブリヂストン 電磁波シールド性光透過窓材及びその製造方法
WO2003068674A1 (fr) * 2002-02-15 2003-08-21 Japan Science And Technology Agency Structure de fils nanometriques en metal noble et leur procede de production
EP1339082A1 (en) * 2002-02-25 2003-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Impact-resistant film for flat display panel, and flat display panel
TWI313702B (en) * 2002-02-25 2009-08-21 Mitsubishi Materials Corp Composition, coating film, polymer film and optical filter comprising metal nanorods
JP4556204B2 (ja) 2003-02-06 2010-10-06 三菱マテリアル株式会社 金属ナノ繊維含有組成物およびその用途
CN1441014A (zh) * 2002-02-27 2003-09-10 海尔科化工程塑料国家工程研究中心股份有限公司 一种环保型纳米导电涂料组合物及其制备方法
JP4415526B2 (ja) 2002-02-28 2010-02-17 凸版印刷株式会社 導電膜および導電膜の製造方法
JP4479161B2 (ja) 2002-03-25 2010-06-09 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜とこの透明導電膜形成用塗布液および透明導電性積層構造体と表示装置
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US20030189202A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Jun Li Nanowire devices and methods of fabrication
US6946410B2 (en) * 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
EP1361619A3 (en) 2002-05-09 2007-08-15 Konica Corporation Organic thin-film transistor, organic thin-film transistor sheet and manufacturing method thereof
WO2004034421A2 (en) 2002-05-10 2004-04-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for electric field assisted deposition of films of nanoparticles
US20040036993A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Tin Hla Ngwe Transparent heat mirror for solar and heat gain and methods of making
EP1513621A4 (en) 2002-05-21 2005-07-06 Eikos Inc METHOD FOR CONFIGURING COATING OF CARBON NANOTUBES AND WIRING OF CARBON NANOTUBES
JP2004058049A (ja) 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 膜形成方法
EP1369933A3 (en) 2002-06-07 2008-05-28 FUJIFILM Corporation Film forming method
US7566360B2 (en) 2002-06-13 2009-07-28 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
KR101321255B1 (ko) 2002-06-13 2013-10-28 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 전도성 투명 나노-코팅 및 나노-잉크를 제조하는 방법과 이에 의하여 제조된 나노-분말 코팅 및 잉크
EP1560958A4 (en) * 2002-06-21 2006-05-10 Nanomix Inc DISPERSES BREEDING NANOTONES ON A SUBSTRATE
MXPA05000223A (es) * 2002-06-28 2005-07-15 Univ New York State Res Found Dispositivo y metodo para suministrar un agente terapeutico.
JP3842177B2 (ja) 2002-07-03 2006-11-08 独立行政法人科学技術振興機構 貴金属ナノチューブ及びその製造方法
KR20060012545A (ko) 2002-07-03 2006-02-08 나노파우더스 인더스트리어스 리미티드. 저온 소결처리한 전도성 나노 잉크 및 이것의 제조 방법
JP2004035962A (ja) 2002-07-04 2004-02-05 Toyota Motor Corp 金属ナノチューブの製造法
JP2004055298A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置
AU2003249324A1 (en) * 2002-07-19 2004-02-09 University Of Florida Transparent electrodes from single wall carbon nanotubes
JP4134313B2 (ja) 2002-07-24 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
US6818291B2 (en) 2002-08-17 2004-11-16 3M Innovative Properties Company Durable transparent EMI shielding film
JP4266732B2 (ja) 2002-08-30 2009-05-20 キヤノン株式会社 積層型回折光学素子
KR20040021758A (ko) 2002-09-04 2004-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
US7598344B2 (en) 2002-09-04 2009-10-06 Board Of Regents, The University Of Texas System Composition, method and use of bi-functional biomaterials
JP4134314B2 (ja) 2002-09-13 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
US20050064508A1 (en) 2003-09-22 2005-03-24 Semzyme Peptide mediated synthesis of metallic and magnetic materials
KR101021749B1 (ko) * 2002-09-24 2011-03-15 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법
JP4139663B2 (ja) 2002-09-27 2008-08-27 ハリマ化成株式会社 ナノ粒子の超臨界流体中分散液を用いる微細配線パターンの形成方法
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
JP2004188953A (ja) * 2002-10-17 2004-07-08 Shin Etsu Polymer Co Ltd プラズマディスプレー用機能性透明パネルの製造方法
JP2004140283A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Nisshinbo Ind Inc ディスプレイ用薄型電磁波シールド積層体及びその製造方法
US7560160B2 (en) * 2002-11-25 2009-07-14 Materials Modification, Inc. Multifunctional particulate material, fluid, and composition
US6949931B2 (en) * 2002-11-26 2005-09-27 Honeywell International Inc. Nanotube sensor
JP2004182812A (ja) 2002-12-02 2004-07-02 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 導電性塗料及びそれを用いた導電性塗膜の形成方法
JP3972093B2 (ja) 2002-12-04 2007-09-05 独立行政法人物質・材料研究機構 β−Ｇａ２Ｏ３ナノウイスカーとその製造方法
US7585349B2 (en) 2002-12-09 2009-09-08 The University Of Washington Methods of nanostructure formation and shape selection
GB0229191D0 (en) * 2002-12-14 2003-01-22 Plastic Logic Ltd Embossing of polymer devices
JP4341005B2 (ja) * 2002-12-17 2009-10-07 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物および電磁波遮蔽フィルター
JP2004196912A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Toyobo Co Ltd 導電性塗料
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
JP2004196981A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Toyobo Co Ltd 表面導電性樹脂成形体
KR100502821B1 (ko) * 2002-12-26 2005-07-22 이호영 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원
JP2004230690A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
US20060257638A1 (en) * 2003-01-30 2006-11-16 Glatkowski Paul J Articles with dispersed conductive coatings
JP2007112133A (ja) 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
JP4471346B2 (ja) 2003-01-31 2010-06-02 タキロン株式会社 電磁波シールド体
JP2004253588A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Toyo Kohan Co Ltd 複合材及びその製造方法
JP2004253326A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toyobo Co Ltd 導電性フイルム
JP2004256702A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Toyobo Co Ltd 導電性塗料
WO2004083290A2 (en) * 2003-03-17 2004-09-30 University Of Rochester Core-shell magnetic nanoparticles and nanocomposite materials formed therefrom
US6916842B2 (en) * 2003-03-24 2005-07-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production of 5-methyl-n-(methyl aryl)-2-pyrrolidone, 5-methyl-n-(methyl cycloalkyl)-2-pyrrolidone and 5-methyl-n-alkyl-2-pyrrolidone by reductive amination of levulinic acid esters with cyano compounds
US6936761B2 (en) * 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
JP4655472B2 (ja) 2003-11-27 2011-03-23 日油株式会社 インジウム−スズ酸化物薄膜形成用塗布液
JP4541752B2 (ja) * 2003-04-28 2010-09-08 タキロン株式会社 電磁波シールド性光拡散シート
TW200503611A (en) * 2003-04-28 2005-01-16 Takiron Co Electromagnetic wave shielding light diffusion sheet
CN1245625C (zh) 2003-04-30 2006-03-15 陕西西大北美基因股份有限公司 一种核/壳型超顺磁性复合微粒及其制备方法与应用
TWI250202B (en) * 2003-05-13 2006-03-01 Eternal Chemical Co Ltd Process and slurry for chemical mechanical polishing
JP4636454B2 (ja) 2003-05-13 2011-02-23 三菱マテリアル株式会社 金属ナノロッドの製造方法と用途
US7033416B2 (en) * 2003-05-22 2006-04-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low temperature synthesis of metallic nanoparticles
CN100395283C (zh) * 2003-07-04 2008-06-18 日东电工株式会社 导电纤维素基薄膜
WO2005017962A2 (en) 2003-08-04 2005-02-24 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
WO2005023466A1 (ja) 2003-09-05 2005-03-17 Mitsubishi Materials Corporation 金属微粒子、それを含む組成物、および金属微粒子の製造方法
US7062848B2 (en) * 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7067328B2 (en) * 2003-09-25 2006-06-27 Nanosys, Inc. Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures
JP2005100893A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sekisui Plastics Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
US7618704B2 (en) * 2003-09-29 2009-11-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spin-printing of electronic and display components
JP2005126664A (ja) 2003-09-30 2005-05-19 Mitsuboshi Belting Ltd 薄膜形成用処理剤および薄膜形成方法
JP2005103723A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 金属ナノワイヤーの単結晶化方法及び装置
US6982206B1 (en) * 2003-10-02 2006-01-03 Lsi Logic Corporation Mechanism for improving the structural integrity of low-k films
CN101300026A (zh) 2003-10-15 2008-11-05 得克萨斯系统大学评议会 电子、光、磁、半导体和生物技术应用中作为支架的多功能生物材料
KR100570206B1 (ko) 2003-10-15 2006-04-12 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물
US8007650B2 (en) 2003-10-24 2011-08-30 Yasuhiro Fukunaka Apparatus for manufacturing metal nanotube and process for manufacturing metal nanotube
JP2005165173A (ja) 2003-12-05 2005-06-23 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料による画像形成方法
US6896739B1 (en) 2003-12-03 2005-05-24 For Your Ease Only, Inc. Anti-tarnish aqueous treatment
US7048806B2 (en) 2003-12-16 2006-05-23 The Clorox Company Cleaning substrates having low soil redeposition
JP2005181392A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Canon Inc 光学系
TWI243004B (en) 2003-12-31 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Method for manufacturing low-temperature highly conductive layer and its structure
US7923109B2 (en) 2004-01-05 2011-04-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Inorganic nanowires
US20050165120A1 (en) * 2004-01-22 2005-07-28 Ashavani Kumar Process for phase transfer of hydrophobic nanoparticles
US20050173680A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 Haixin Yang Ink jet printable thick film ink compositions and processes
JP2005239481A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nagoya Institute Of Technology 金属内包カーボンナノチューブ凝集体、その製造方法、金属内包カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤおよびその製造方法
JP2005277405A (ja) 2004-02-27 2005-10-06 Takiron Co Ltd 画像表示装置用透光性ノイズ防止成形体
US20050196707A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Eastman Kodak Company Patterned conductive coatings
US20050220882A1 (en) 2004-03-04 2005-10-06 Wilson Pritchard Materials for medical implants and occlusive devices
US7211135B2 (en) 2004-03-16 2007-05-01 Nanogate Coating Systems Gmbh Writable and printable colloidal gold solution
JP2005311330A (ja) 2004-03-22 2005-11-04 Takiron Co Ltd 電波吸収体
JP2005281357A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
US20050222333A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Che-Hsiung Hsu Aqueous electrically doped conductive polymers and polymeric acid colloids
JP2005335054A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Japan Science & Technology Agency 金属ナノワイヤー及びその製造方法
JP4524745B2 (ja) 2004-04-28 2010-08-18 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有導電性材料およびその用途
JP4491776B2 (ja) 2004-04-28 2010-06-30 三菱マテリアル株式会社 導電性ペースト等の製造方法
JP2006049843A (ja) 2004-06-29 2006-02-16 Takiron Co Ltd 画像表示装置用制電性成形体
JP2006019178A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd アルカリ乾電池
US7527668B2 (en) 2004-07-08 2009-05-05 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing metal fine particles, metal fine particles manufactured thereby, and composition, light absorbing material and applied products containing the same
US7255796B2 (en) 2004-07-08 2007-08-14 General Electric Company Method of preventing hydrogen sulfide odor generation in an aqueous medium
JP2006035773A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 粘接着性導電成形体
JP2006035771A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 導電層転写シート
JP4257429B2 (ja) 2004-09-13 2009-04-22 国立大学法人東北大学 原子の拡散を制御することによる金属ナノワイヤの製造方法およびこの方法により製造する金属ナノワイヤ
US20060068025A1 (en) 2004-09-29 2006-03-30 Eastman Kodak Company Silver microribbon composition and method of making
JP4372653B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
JP4372654B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US7270694B2 (en) 2004-10-05 2007-09-18 Xerox Corporation Stabilized silver nanoparticles and their use
JP2006111675A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Mitsubishi Materials Corp 金属ナノロッド配向組成物およびその用途
JP2006127929A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Mitsubishi Chemicals Corp 透明導電膜付き基板、塗布液及びその製造方法
JP2006133528A (ja) 2004-11-05 2006-05-25 Takiron Co Ltd 制電性光拡散シート
EP2202579A3 (en) * 2004-12-03 2010-10-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified photoresist composition, photoresist laminated product, manufacturing method for photoresist composition, manufacturing method for photoresist pattern, and manufacturing method for connection element
JP4665499B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-06 三菱マテリアル株式会社 金属微粒子とその製造方法とその含有組成物ならびにその用途
JP2006171336A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
US7749299B2 (en) 2005-01-14 2010-07-06 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles
JP4821951B2 (ja) 2005-02-23 2011-11-24 三菱マテリアル株式会社 ワイヤー状の金微粒子と、その製造方法および含有組成物ならびに用途
JP2006239790A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Tohoku Univ 金属ナノワイヤ作製法および金属ナノワイヤ
US7489432B2 (en) * 2005-03-25 2009-02-10 Ricoh Company, Ltd. Electrochromic display device and display apparatus
JP2006272876A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Takiron Co Ltd 導電体
WO2006113207A2 (en) 2005-04-13 2006-10-26 Nanosys, Inc. Nanowire dispersion compositions and uses thereof
JP2006310353A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Takiron Co Ltd 電波吸収体
US7902639B2 (en) 2005-05-13 2011-03-08 Siluria Technologies, Inc. Printable electric circuits, electronic components and method of forming the same
JP5546763B2 (ja) 2005-08-12 2014-07-09 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤに基づく透明導電体
JP4974332B2 (ja) 2005-09-07 2012-07-11 一般財団法人電力中央研究所 ナノ構造体およびその製造方法
US7341944B2 (en) 2005-09-15 2008-03-11 Honda Motor Co., Ltd Methods for synthesis of metal nanowires
JP2007091859A (ja) 2005-09-28 2007-04-12 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2007105822A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 National Institute For Materials Science 原子スケール金属ワイヤもしくは金属ナノクラスター、およびこれらの製造方法
AU2006303324A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-26 Cinvention Ag Thermoset particles and methods for production thereof
US7399565B2 (en) * 2005-10-24 2008-07-15 Xerox Corporation Imaging member having undercoat layer comprising porphine additive
US20080003130A1 (en) 2006-02-01 2008-01-03 University Of Washington Methods for production of silver nanostructures
US8454721B2 (en) 2006-06-21 2013-06-04 Cambrios Technologies Corporation Methods of controlling nanostructure formations and shapes
US8481161B2 (en) 2006-06-28 2013-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Functionalized metal nanoparticle and method for formation of conductive pattern using the same
TWI426531B (zh) 2006-10-12 2014-02-11 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體及其應用
TWI397925B (zh) 2006-10-12 2013-06-01 Cambrios Technologies Corp 用於控制透明導體之電氣和光學性質之系統、裝置及方法
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
TW200837403A (en) 2006-10-12 2008-09-16 Cambrios Technologies Corp Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
CN200982601Y (zh) * 2006-12-08 2007-11-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 指示灯固定架
US20080229612A1 (en) 2007-03-22 2008-09-25 Poshpeds Incorporated Human wearable laminar structure, insole made therefrom and methods for their manufacture
EP2147466B9 (en) 2007-04-20 2014-07-16 Cambrios Technologies Corporation Composite transparent conductors
WO2009017852A2 (en) 2007-04-20 2009-02-05 Cambrios Technologies Corporation High contrast transparent conductors and methods of forming the same
US20090035707A1 (en) 2007-08-01 2009-02-05 Yubing Wang Rheology-controlled conductive materials, methods of production and uses thereof
JP2011515510A (ja) 2008-02-26 2011-05-19 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 導電性特徴をスクリーン印刷するための方法および組成物
JP5203769B2 (ja) 2008-03-31 2013-06-05 富士フイルム株式会社 銀ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体
US8382878B2 (en) 2008-08-07 2013-02-26 Xerox Corporation Silver nanoparticle process
US20110024159A1 (en) 2009-05-05 2011-02-03 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
EP2430639A1 (en) 2009-05-05 2012-03-21 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
US20110042126A1 (en) 2009-08-24 2011-02-24 Cambrios Technologies Corporation Contact resistance measurement for resistance linearity in nanostructure thin films
EP2470610A1 (en) 2009-08-24 2012-07-04 Cambrios Technologies Corporation Purification of metal nanostructures for improved haze in transparent conductors made from the same
JP2013503260A (ja) 2009-08-25 2013-01-31 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 金属ナノワイヤの形態を制御する方法
US9586816B2 (en) 2009-12-04 2017-03-07 Cam Holding Corporation Nanostructure-based transparent conductors having increased haze and devices comprising the same
EP2524380B1 (en) 2010-01-15 2021-06-23 Cambrios Film Solutions Corporation Low-haze transparent conductors
JP2013518974A (ja) 2010-02-05 2013-05-23 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 感光性インク組成物および透明導体ならびにこれらの使用方法

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