CN102337101B - 用于电磁屏蔽的组合物、利用其的装置及结构制备方法 - Google Patents

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    • H01F1/0054—Coated nanoparticles, e.g. nanoparticles coated with organic surfactant

Abstract

一种用于电磁屏蔽的组合物包含载体、多根纳米金属线材及多个纳米粒子。多根纳米金属线材散布于该载体中，其中以该组合物为100重量份计，该纳米金属线材为1至95重量份。多个纳米粒子散布于该载体中，其中以该组合物为100重量份计，该纳米粒子为0.5至60重量份。

Description

用于电磁屏蔽的组合物、利用其的装置及结构制备方法
【技术领域】
本发明涉及一种用于电磁屏蔽的组合物，特别是涉及一种具有纳米线材与纳米粒子的组合物。 
【背景技术】
随着无线通讯科技的进步，无线通讯装置例如手机等被广泛地使用。由于无线通讯装置及其基地台均会产生电磁波，因此容易造成环境中充斥着电磁波。此外，许多日常使用的电子产品，例如：电脑或微波炉等，也都会产生微量的电磁波。 
根据1998年世界卫生组织所发表的报告，长期暴露在高于电磁波标准值的人，容易罹患心血管疾病、糖尿病或癌症等疾病，或容易导致生殖系统、免疫系统、神经系统等的病变，或造成孕妇流产、畸胎或不孕等。长期暴露在高于电磁波标准值的儿童易出现骨胳发育缓慢、肝脏造血功能下降、视力衰落甚至视网膜脱落等症状。由此可知，电磁波对人体的健康影响甚巨。 
目前传统遮蔽电磁波的方法是使用金属块材或金属外壳遮蔽电磁波源，但由于其重量重、不易配合所需的形状来制作，以及在长期使用下，易氧化毁损等，因而无法方便地使用在各类电子产品上。 
另一种遮蔽电磁波的方法是将金属颗粒混合于胶体或漆类中，以涂布的方式在本体上形成电磁波遮蔽层。电磁波遮蔽层质轻，并可配合各种外形来制作。但为达到一定程度的电磁波遮蔽效果，胶体或漆类中需添加高浓度的金属颗粒。高浓度的金属颗粒虽会提高屏蔽效果，但会降低混合材料的可塑性及强度，而失去易加工、重量轻及低成本的优点。此外，电磁波遮蔽层一般仅具有单一外形结构的金属颗粒，为提高屏蔽效果而增加金属颗粒的含量，通常其电磁遮蔽效率(Shielding Effectiveness；S.E.)的改善有限。 
此外，传统的电磁波遮蔽层通常需制备至250微米以上的厚度，方可具有显著的电磁波遮蔽效果。然而，制备厚的电磁波遮蔽层均匀度不佳，且会浪费较多材料。 
有鉴于传统遮蔽电磁波的方法的不足，因此有必要发展一种具高电磁波遮蔽率、成本低且容易使用等优点的电磁波遮蔽材料。 
【发明内容】
本发明的一种实施方式公开一种用于电磁屏蔽的组合物，其包含载体、多根纳米金属线材及多个纳米粒子。多根纳米金属线材散布于该载体中，其中以该组合物为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至95重量份。多个纳米粒子散布于该载体中，其中以该组合物为100重量份计，该纳米粒子为0.1重量份至60重量份。 
本发明的另一实施方式公开一种用于电磁屏蔽的组合物，其包含载体、多根纳米金属线材，以及多个纳米粒子。多根纳米金属线材散布于该载体中。该纳米金属线材的长径比大于10。该纳米金属线材为金、银、铜或前述金属的混合物或前述金属的合金或前述金属的氧化物，其中以该组合物为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至95重量份。多个纳米粒子散布于该载体中。该纳米粒子小于1000纳米。该纳米粒子为金、银、铜、铟、钯、铝、铁、钴、镍或前述金属的混合物、合金或氧化物，其中以该组合物为100重量份计，该纳米粒子为0.1重量份至60重量份。 
本发明的另一实施方式公开一种用于电磁屏蔽的组合物，其包含载体、多根纳米金属线材，以及多个纳米粒子。多根纳米金属线材散布于该载体中。该纳米金属线材的长径比大于10。该纳米金属线材为金、银、铜或前述金属的混合物、合金或氧化物。多个纳米粒子散布于该载体中。该纳米粒子小于1000纳米。该纳米粒子为金、银、铜、铟、钯、铝、铁、钴、镍或前述金属的混合物、合金或氧化物。以该组合物为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至11重量份，而该纳米粒子为0.5重量份至4重量份，如此使用于电磁屏蔽的该组合物具有大于10dB的电磁波遮蔽效率值。 
本发明的另一实施方式公开一种用于电磁屏蔽的组合物，其包含载体、多根纳米金属线材，以及多个纳米粒子。多根纳米金属线材散布于该载体中。该纳米金属线材的长径比为20到500。该纳米金属线材为金、银、铜或前述金属的混合物、合金或氧化物。多个纳米粒子散布于该载体中。该纳米粒子粒径为30到1000纳米。该纳米粒子为金、银、铜、铟、钯、铝、铁、钴、镍 或前述金属的混合物、合金或氧化物。其中以该组合物为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至3重量份，该纳米粒子占该组合物的总重量为0.5重量份至4重量份，如此使用于电磁屏蔽的该组合物具有大于10dB的电磁波遮蔽效率值。 
本发明的一种实施方式公开一种电磁屏蔽装置，其包含本体及薄膜，其中薄膜形成于该本体上，以遮蔽电磁波。薄膜包含多根纳米金属线材及多个纳米粒子，其中多根纳米金属线材与多个纳米粒子分别散布于该薄膜中，而且以该薄膜为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至95重量份；该纳米粒子为0.1重量份至60重量份。 
本发明的一种实施方式公开一种抗静电装置，其包含基板及薄膜，其中薄膜形成于该基板上。该薄膜包含多根纳米金属线材及多个纳米粒子，其中多根纳米金属线材与多个纳米粒子分别散布于该薄膜中，而且以该薄膜为100重量份，该纳米金属线材为1重量份至95重量份；该纳米粒子为0.1重量份至60重量份。 
本发明另提出一种电磁屏蔽结构的制备方法，其包含下列步骤：提供目标物；提供混合材料，该混合材料包含多根纳米金属线材，其中该纳米金属线材的长径比大于50；利用该混合材料，在该目标物的表面上形成第一薄膜；以及加热该第一薄膜至摄氏50度至摄氏250度的温度。 
【附图说明】
图1与图2显示本发明的一种实施方式的具不同四氧化三铁纳米粒子含量的薄膜的电磁波遮蔽效率值对频率的关系示意图； 
图3显示本发明的一种实施方式的多个薄膜的电磁波遮蔽效率值对频率的关系示意图，其中这些薄膜包含长径比为80的纳米银线与分别包含不同含量的四氧化三铁纳米粒子； 
图4显示本发明的一种实施方式的多个薄膜的电磁波遮蔽效率值对频率的关系示意图，其中这些薄膜以包含1.14重量份的纳米银线与分别包含不同含量的四氧化三铁纳米粒子的组合物所制成； 
图5与图6显示本发明的一种实施方式的具有高纳米银线含量的薄膜的电磁波遮蔽效率值对频率的关系示意图； 
图7显示本发明的一种实施方式的具有纳米银线与银纳米粒子薄膜的电 磁波遮蔽效率值对频率的关系示意图； 
图8显示本发明的一种实施方式的表面电阻率对纳米线材浓度的关系图； 
图9显示在使用长径比为200的纳米银线的条件下，材料的电磁波遮蔽效率值对表面电阻率的关系图； 
图10显示本发明的一种实施方式的多个薄膜的电磁波遮蔽效率值对频率的关系示意图，其中这些薄膜以包含1.14、3及10.45重量份的纳米银线的组合物所制成； 
图11显示具有不同长径比的材料，其电磁波遮蔽效率值对体积百分比的关系图； 
图12显示使用环氧树脂为载体且混入不同浓度的纳米粒子的组合物，其电磁波遮蔽效率值对频率的关系示意图； 
图13显示本发明的组合物与现有产品的电磁波遮蔽效率值对频率的关系示意图； 
图14显示本发明的一种实施方式的电磁屏蔽装置的示意图； 
图15显示本发明的一种实施方式的抗静电装置的示意图； 
图16显示本发明一实施例的电磁屏蔽结构的示意图； 
图17显示在本发明一实施例中以具有2.43重量份的银纳米线和1.45重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在频率0～1800MHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图； 
图18显示在本发明一实施例中以具有2.43重量份的银纳米线和1.45重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在频率1～18GHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图； 
图19显示以具有2.43重量份的银纳米线和1.45重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，其电磁波遮蔽效率值与加热时间的关系图； 
图20显示以具有2.43重量份的银纳米线和1.45重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，其电磁波遮蔽效率值与加热温度间的关系图； 
图21显示在本发明一实施例中以具有3.49重量份的银纳米粒子和2.18重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在频率0～1800MHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图； 
图22显示在本发明一实施例中以具有3.49重量份的银纳米粒子和2.18重 量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在频率1～18GHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图； 
图23显示在本发明一实施例中以具有2.1重量份的银纳米线和0.55重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，经不同加热时间与加热温度后，其在频率0～1800MHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图； 
图24显示在本发明一实施例中以具有1.09重量份的银纳米粒子和3.69重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在不同的加热温度下，其在频率100～1800MHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图； 
图25显示测量未具有抗电磁干扰的薄膜的硬碟所得的电磁强度与频率间的关系图； 
图26显示测量具有抗电磁干扰的薄膜的硬碟所得的电磁场强度与频率间的关系图； 
图27显示未具有抗电磁干扰的薄膜的录放影机，在水平方向上对其进行测量，所得的电磁场强度与频率间的关系图； 
图28显示具有抗电磁干扰的薄膜的硬碟，在水平方向上对其进行测量，所得的电磁场强度与频率间的关系图； 
图29显示未具有抗电磁干扰的薄膜的录放影机，在垂直方向上对其进行测量，所得的电磁场强度与频率间的关系图；及 
图30显示具有抗电磁干扰的薄膜的硬碟，在垂直方向上对其进行测量，所得的电磁场强度与频率间的关系图。 
【主要附图标记的说明】 
10    电磁屏蔽装置 
20    抗静电装置 
30    电磁屏蔽结构 
11    本体 
12    薄膜 
13    表面 
21    基板 
22    薄膜 
23    表面 
31    目标物 
32    薄膜 
33    粘胶层 
【具体实施方式】
本发明的一种实施方式公开一种用于电磁屏蔽的组合物，其包含载体、多根纳米金属线材及多个纳米/微米粒子。多根纳米金属线材分散在载体内；多个纳米/微米粒子分散在载体内；而多根纳米金属线材与多个纳米/微米粒子则彼此相混合。 
在一实施例中，以该组合物为100重量份计，多根纳米金属线材的含量为1重量份至95重量份之间，而以该组合物为100重量份计，多个纳米/微米粒子的含量为0.1重量份至60重量份，在另一实施例中，纳米/微米粒子的含量为0.3重量份至40重量份，在另一实施例中，纳米/微米粒子的含量为0.5重量份至20重量份，在另一实施例中，纳米/微米粒子的含量为0.5重量份至4重量份，在另一实施例中，纳米/微米粒子的含量为0.5重量份至2重量份。 
在一实施例中，以该组合物为100重量份计，多根纳米金属线材的含量为1重量份至95重量份之间，而以该组合物为100重量份计，多个纳米/微米粒子的含量为0.5重量份至60重量份。 
在一实施例中，多根纳米金属线材与多个纳米/微米粒子的含量比可大于0.1。 
本发明的一种实施方式公开一种固化体，其由前述的组合物固化而成。在一实施例中，前述的固化体可为在电磁屏蔽装置上的薄膜或在抗静电装置中的薄膜。纳米金属线材可形成导电结构，使固化体可实质地导电。 
根据推论，加入纳米/微米粒子可改变电磁波的光程差，因此其在该固化体内可损耗电磁波能量，所以将纳米/微米粒子混入纳米金属线材，可明显提高固化体的电磁遮蔽效率。 
本发明公开的多个纳米粒子的粒径可小于1000纳米。 
在一实施例中，纳米粒子可为导电粒子。在另一实施例中，纳米粒子可为纳米金属粒子，其材料可为金、银、铜、铟、钯、铝、铁、钴、镍或前述金属的混合物或前述金属的合金或前述金属的氧化物，其中以该组合物为100重量份计，纳米金属粒子占该组合物的总重量为0.5重量份至2重量份之 间。在又一实施例中，纳米粒子可为金包覆银纳米粒子、银包覆金纳米粒子、金包覆铜纳米粒子、铜包覆金纳米粒子、银包覆铜纳米粒子、铜包覆银纳米粒子或前述的组合。 
在一实施例中，纳米粒子可为导磁粒子，且其可包含铁磁性元素。在另一实施例中，纳米粒子可为绝缘导磁粒子，其材料可包含四氧化三铁，其中以该组合物为100重量份计，该纳米粒子可为0.5重量份至4重量份或0.5重量份至2重量份。 
在一实施例中，纳米粒子可为纳米银粒子、纳米四氧化三铁粒子或前述粒子的混合，其中以该组合物为100重量份计，该纳米粒子可为0.5重量份至4重量份或0.5重量份至2重量份。 
在一实施例中，纳米粒子的粒径可大于10纳米，或例如介于30纳米至1000纳米之间。在一实施例中，纳米粒子的粒径可介于30纳米至500纳米之间。 
组合物固化成固化体，多根纳米金属线材可均匀地分布在固化体中。在一实施例中，多根纳米金属线材可在固化体内形成网络结构，使固化体具低的表面电阻率(surface resistivity)，例如小于10欧姆/平方(Ω/sqr)。 
在另一实施例中，组合物包含少量的纳米金属线材，且当组合物固化成固化体后，多根纳米金属线材可在固化体内形成网络结构或类网络结构，其中该网络结构或类网络结构让固化体具较高的表面电阻率值，例如介于10至106欧姆/平方(Ω/sqr)之间。 
在又一实施例中，组合物包含少量的纳米金属线材，且当组合物固化成固化体后，多根纳米金属线材可在固化体内形成网络结构或类网络结构，其中该网络结构或类网络结构让固化体具较高的表面电阻率值，例如介于104至1012欧姆/平方(Ω/sqr)之间，使得该固化体可应用在抗静电的场合。 
组合物可包含具高长径比(high aspect ratio)的纳米金属线材。使用高长径比的纳米金属线材可大幅提高固化体的电磁遮蔽效率。此外，使用高长径比的纳米金属线材可进一步减少纳米金属线材的使用量。 
在一实施例中，纳米金属线材的长径比可大于10，或例如介于20至500之间，或例如介于50至300之间。 
在一实施例中，该纳米金属线材可为金、银、铜、铟、钯、铝、铁、钴、镍或前述金属的混合物、合金或氧化物。在另一实施例中，纳米金属线材可 为金包覆银纳米线材、银包覆金纳米线材、金包覆铜纳米线材、铜包覆金纳米线材、银包覆铜纳米线材、铜包覆银纳米线材或前述的组合。 
载体可包含高分子材料。高分子材料可包含热塑性塑胶，例如：压克力树脂(acrylic resins)；或者包含热固性塑胶，例如：环氧树脂。在一实施例中，载体亦可为光交联(photo-crosslinking)或热交联(thermally crosslinking polymer)高分子材料。 
使用具有金属或导磁性纳米材料的混合材料，在目标物(target)上形成薄膜，可使该目标物具电磁遮蔽效果。若对该薄膜施以光能或热能，可进一步提高薄膜的电磁遮蔽效率。由于薄膜的电磁遮蔽效率提升，因此在不减损所需的电磁波遮蔽效果的情况下，可降低薄膜的厚度。厚度降低可使薄膜更为均匀，并减少使用材料。薄膜可加热至摄氏50度至摄氏250度的温度。混合材料可包含纳米材料及载体，其中载体可为高分子材料，而纳米材料可为纳米金属线材，而该纳米金属线材的长径比可大于50。在一实施例中，载体亦可为光交联或热交联高分子材料。 
薄膜可被加热至摄氏50度至摄氏250度的温度，并维持一段时间(至少5分钟以上)，可使薄膜在频率30M至16G之间的电磁遮蔽效率提升至少5dB。在一实施例中，薄膜在摄氏60度至摄氏250度的温度，加热至少5分钟以上。在一实施例中，加热至少1小时以上。在一实施例中，薄膜在摄氏60度至摄氏200度的温度，加热5分钟至2小时。 
纳米金属线材的材料可为金、银、铜、铟、钯、铝、铁、钴或镍。纳米金属线材的材料亦可为金、银、铜、铟、钯、铝、铁、钴、镍或前述金属的混合物，或者为金、银、铜、铟、钯、铝、铁、钴、镍或前述金属的氧化物。 
在一实施例中，薄膜可另包含多个纳米粒子，其中该纳米粒子为金属纳米粒子、导磁性纳米粒子或其混合物。金属纳米粒子可为银粒子。导磁性纳米粒子可为四氧化三铁粒子。纳米粒子小于1000纳米(例如介于30纳米至1000纳米之间或介于30纳米至500纳米之间)。以该薄膜为100重量份，纳米粒子的含量可介于0.1至60重量份之间、0.3至40重量份之间、0.5至20重量份之间、0.5至4重量份之间或0.5至2重量份之间。 
目标物上可形成相叠设置的两薄膜，其中一薄膜包含纳米金属线材，而另一薄膜包含金属或导磁性纳米粒子。 
目标物可视应用而定。例如：应用于电子装置上时，目标物可为电子装 置的壳体、电子装置上的电路板或电子装置上需电磁遮蔽的部件。此外，目标物亦可为承载薄膜的基板。 
以下列举多个实例，以对本发明作更加详细的说明。 
实验例1 
以下描述的制备方法可用于调配不同纳米金属线材与纳米粒子的组合物。在每一样本中，首先，合成长径比大于20的纳米银线。纳米银线的制备方法可为激光消溶法(laser ablation method)、金属气相合成法(metal vapor synthesis method)、化学还原法(chemical reduction method)或多元醇法(polyol method)。前述的制备方法为本领域技术人员所熟知，故不再于此赘述。 
其次，将合成后的纳米银线与纳米粒子加入高分子材料内，以获得组合物。组合物可利用超声波震荡装置与行星式离心搅拌机(planetary centrifugal mixer)，将纳米银线与纳米粒子均匀分散于高分子材料中。然后，将组合物适当成形固化后，获得固化体。最后，测试固化体的电磁波遮蔽效率值。电磁波遮蔽效率值的测试可利用标准电磁波测试方法，例如：ASTM D4935-99等。通常，电磁波遮蔽效率值(S.E.)可以下列公式表示。 
S . E . = - 10 × log I out I in
其中，Iin为入射测试样品的电磁波强度；Iout为通过测试样品的电磁波强度。 
表1例示6种不同浓度的组合物。组合物(样本1至样本5)是将相同重量份的纳米银线(Ag nanowire；AgNW)但不同重量份的四氧化三铁纳米粒子(Fe3O4nano particle；Fe3O4NP)混入高分子溶液中制备而成，其中以组合物为100重量份计，纳米银线的含量为1.22重量份，而四氧化三铁纳米粒子的含量介于0～1.88重量份之间，而前述的高分子材料为ETERSOL 6515不饱和聚酯树脂(来源：长兴化学工业股份有限公司公司(ETERNAL CHEMICAL CO.，LTD)，台湾)。高分子材料包含聚甲基丙烯酸甲酯水溶液。 
若以高分子材料为100重量份计，甲基丙烯酸甲酯的含量约为45～55重量份，而水约为55～45重量份。另外，前述的纳米银线的长径比为250，而四氧化三铁纳米粒子的粒径为100纳米。样本6则仅将四氧化三铁粒子混入高分子溶液中，其中四氧化三铁纳米粒子的含量为9.09重量份。样本1～6混合均匀 后，再分别以其制备成50微米厚的薄膜，最后再测试该薄膜的电磁波遮蔽率。 
表1 
Figure BDA0000062002500000101
如图1与图2所示，从样本1～5的测试结果可发现，大致上随着四氧化三铁纳米粒子的含量增加，薄膜遮蔽电磁波的效率亦增加。四氧化三铁纳米粒子的含量在0.1～3重量份之间时，尤其是在0.5～2重量份之间时，得到良好的电磁波遮蔽效率值。 
由此可知，适量地添加导磁性粒子于混有纳米金属线材的薄膜内，可明显地改善其电磁波遮蔽效率，但是当添加过多的导磁性粒子于混有纳米金属线材的薄膜内时，结果和现有技术所推测的导磁性粒子越多效果会越好相反。因此，当四氧化三铁纳米粒子粒径为80～120纳米，而纳米银线长径比为200～300的情况下，四氧化三铁纳米粒子的含量可为0.1～3重量份或为0.5～2重量份。 
另外，从样本6的测试结果可看出，虽四氧化三铁纳米粒子为导磁粒子，但仅混有9.09重量份的四氧化三铁纳米粒子的薄膜，其几乎无电磁波遮蔽效果。若依据样本6的测试结果推论，将含量低于9.09重量份的四氧化三铁纳米粒子混入具纳米金属线材的薄膜内，理应不会改善其电磁波遮蔽效果。 
然而，本发明的实验却发现，在具有纳米金属线材的薄膜内，掺入低含量的四氧化三铁纳米粒子，却可使该薄膜具有不可预期的电磁波遮蔽效率值的改善结果。 
实验例2 
以组合物为100重量份计，表2的组合物(样本7至样本9)混入1.22重量份的纳米银线以及分别混入0～1.24重量份的四氧化三铁纳米粒子，其中纳米银线的长径比为80，而四氧化三铁纳米粒子的粒径为100纳米。混合完成后的样本7至样本9分别制作成厚度50微米的薄膜，以测试电磁波遮蔽效率值。组合物包含高分子材料，而高分子材料包含聚甲基丙烯酸甲酯水溶液。若以高分子材料为100重量份计，甲基丙烯酸甲酯的含量约为45～55重量份，而水约 为55～45重量份。 
表2 
Figure BDA0000062002500000111
参照图2与图3所示，相比于四氧化三铁粒子与纳米银线含量相近的样本1、4与5的结果，样本7至样本9制作的薄膜具较低的电磁遮蔽效率。而由图11显示的模拟的结果可推知，电磁遮蔽效率随着纳米银线的长径比的降低而降低，而样本7至样本9可能因使用长径比较低的纳米银线的缘故，而使其电磁遮蔽效率较低。 
举例而言，以样本4制作的薄膜在2～16GHz频率间的电磁遮蔽效率介于38～58dB之间，而相比地，样本8位于相同频率范围的电磁遮蔽效率则介于可接受的20～27dB之间。 
除纳米银线的长径比的影响外，与前述实验相似，以样本7至样本9所制作的薄膜，四氧化三铁纳米粒子含量越高者，其电磁遮蔽效率越高。 
再者，以样本4制作的薄膜在2～16GHz频率间的电磁遮蔽效率介于38～58dB之间。相较地，从图3可得知，即便四氧化三铁纳米粒子含量增加至1.2重量份(样本9)后，薄膜的电磁遮蔽效率仍小于35dB。由此可得知，调整薄膜内的纳米银线的长径比对薄膜的电磁遮蔽效率的影响会较调整薄膜内的纳米粒子的含量为大。一般而言，纳米银线的长径比可为10以上、80以上或100～300。 
实验例3 
以组合物为100重量份计，表3的组合物(样本10至样本13)包含1.14重量份的纳米银线以及分别包含含量在0～1.99重量份之间的四氧化三铁纳米粒子，其中纳米银线的长径比为250，而四氧化三铁纳米粒子的粒径为100纳米。混合完成后的样本10至样本13分别制作成厚度50微米的薄膜，以测试电磁波遮蔽效率值。组合物包含高分子材料，而高分子材料包含聚甲基丙烯酸甲酯水溶液。若以高分子材料为100重量份计，甲基丙烯酸甲酯的含量约为45～55重量份，而水约为55～45重量份。 
表3 
参照图2与图4所示，相比于图2中具相似四氧化三铁纳米粒子含量的薄膜的实验结果，由于样本10至样本13内具较低含量的纳米银线，因此以样本10至样本13制作的薄膜具有较低的电磁波遮蔽效率值。举例而言，比较样本4和5的结果与样本12的结果，以样本4和5制成的薄膜在7～16GHz频率间的电磁遮蔽效率介于36～58dB之间，而样本12位于相同频率范围的电磁遮蔽效率则介于较低的22～27dB的范围。 
另外，从实验例3的实验结果可看出，相比于未添加四氧化三铁纳米粒子的薄膜而言，薄膜添加1.33重量份的四氧化三铁纳米粒子后，可大幅改善薄膜的电磁遮蔽效率。相同地，当添加过多、如样本13的1.99重量份的四氧化三铁纳米粒子时，电磁遮蔽效率则会降低。 
由上述结果可得知，从图2中的样本4与样本5及图4中的样本11、样本12与样本13等样本的实验结果来看，当薄膜材料中的线材的重量份在3％以下时，若添加超过2重量份的粒子，对其电磁遮蔽率的提升影响不大。因此，当四氧化三铁纳米粒子粒径为80～120纳米，纳米银线长径比为200～300，而且薄膜材料中的线材为1.0～1.3重量份时，四氧化三铁纳米粒子的含量可为0.1～3重量份、为0.2～2重量份或为1～2重量份。 
实验例4 
以组合物为100重量份计，表4的组合物(样本14至样本17)包含3重量份的纳米银线以及分别包含含量为0～1.79重量份的四氧化三铁纳米粒子，其中纳米银线的长径比为250，而四氧化三铁纳米粒子的粒径为0.5微米。混合完成后的样本14至样本17分别制作成厚度50微米的薄膜，以测试电磁波遮蔽效率值。组合物包含高分子材料，而高分子材料包含聚甲基丙烯酸甲酯水溶液。若以高分子材料为100重量份计，甲基丙烯酸甲酯的含量约为45～55重量份，而水约为55～45重量份。 
表4 
Figure BDA0000062002500000122
Figure BDA0000062002500000131
参照图2与图5所示，相比于图2的实验，样本14至样本17内因具有较高含量的纳米银线，故以样本14至样本17制作而成的薄膜可具有更低的表面电阻率。但比较图2与图5的实验结果可发现，样本14至样本17制作而成的薄膜不因具有较低的表面电阻率而明显改善其电磁遮蔽效率。 
例如，比较样本5与样本17，以样本5制作的薄膜在频率6～16GHz之间的电磁遮蔽效率约在36～53dB之间，而以样本17制作的薄膜在相同频率范围内的电磁遮蔽效率约在较低的9～52dB的范围。由此随着线材浓度的增加，粒子在相近的浓度下增大其粒径，似乎对高频的影响越显著。 
再者，参照图5所示，比较样本14至样本16制作而成的薄膜的电磁遮蔽效率，在大部分频率范围中，电磁遮蔽效率随着四氧化三铁纳米粒子的含量增加而改进，其中相比于未添加四氧化三铁纳米粒子的薄膜而言，薄膜添加1.2重量份的四氧化三铁纳米粒子后，电磁遮蔽效率有较明显的改善。同样地，当添加更多的四氧化三铁纳米粒子，如样本17的1.79重量份的四氧化三铁纳米粒子时，电磁遮蔽效率则反而降低。因此，当四氧化三铁纳米粒子粒径为300～700纳米，纳米银线长径比为200～300，薄膜材料中的纳米线材增加至3重量份以上时，四氧化三铁纳米粒子的含量可为0.1～3重量份、为0.2～2重量份或为0.3～2重量份。 
此外，从图2与图3的实验比较可以得知，使用高长径比的纳米线材有助于薄膜的电磁遮蔽效率的提升。另外，再参照图10所示，若将薄膜材料中的纳米线材增加至3重量份以上时，无法明显提升其电磁遮蔽效率；反而，若在薄膜材料中添加不同尺寸的纳米/微米的金属或导磁粒子，则可以改变薄膜材料在高频频段上电磁波的光程差，而可有效提升遮蔽率。 
实验例5 
以组合物为100重量份计，表5的组合物(样本18至样本21)包含10.45重量份的纳米银线以及分别包含含量为0～1.87重量份的四氧化三铁纳米粒子，其中纳米银线的长径比为250，而四氧化三铁纳米粒子的粒径为30纳米。混合 完成后的样本18至样本21分别制作成厚度50微米的薄膜，以测试电磁波遮蔽效率值。组合物包含高分子材料，而高分子材料包含聚甲基丙烯酸甲酯水溶液。若以高分子材料为100重量份计，甲基丙烯酸甲酯的含量约为45～55重量份，而水约为55～45重量份。 
表5 
参照图2与图6所示，相比于图2的实验，样本18至样本21内具有较高含量的纳米银线，故以样本18至样本21制作而成的薄膜可具有更低的表面电阻率。但比较图2与图5的实验结果可发现，样本18至样本21制作而成的薄膜不因具有较低的表面电阻率而明显改善其电磁遮蔽效率。举例而言，比较样本5与样本21，以样本5制作的薄膜在频率4～16GHz之间的电磁遮蔽效率约在36～48dB之间，而样本21制作的薄膜在相同频率范围内，其电磁波效率约在较低的25～37dB的范围间。 
另外，比较样本18至样本21制作而成的薄膜的电磁遮蔽效率，电磁遮蔽效率随着四氧化三铁纳米粒子的含量增加而改进，其中相比于未添加四氧化三铁纳米粒子的薄膜而言，添加1.87重量份的四氧化三铁纳米粒子的薄膜大体上具有较佳的电磁遮蔽效率。因此，当四氧化三铁纳米粒子粒径为10～50纳米，纳米银线长径比为200～300，薄膜材料中的纳米线材增加至10.45重量份时，四氧化三铁纳米粒子的含量可为0.4～2.6重量份、为0.6～2.4重量份或介于1～2重量份之间。 
因此，从图5与图6可以得知，当银线的添加到达一定的程度(可再参照图8～10)，增加银线的添加量对于薄膜材料的电磁遮蔽效率的提升有限，反而是通过添加特定浓度下的纳米/微米粒子，会使薄膜材料对高频的遮蔽率有预期之外的提升。 
实验例6 
以组合物为100重量份计，表6的组合物(样本22至样本25)均包含1.14重量份的纳米银线以及分别包含含量为0～1.99重量份的银纳米粒子；而样本26 则仅包含7.65重量份的银纳米粒子，但未包含纳米银线，其中纳米银线的长径比为250，而银纳米粒子的粒径为100纳米。混合完成后的样本22至样本26分别制作成厚度50微米的薄膜，以测试电磁波遮蔽效率值。组合物包含高分子材料，而高分子材料包含聚甲基丙烯酸甲酯水溶液。若以高分子材料为100重量份计，甲基丙烯酸甲酯的含量约为45～55重量份，而水约为55～45重量份。 
表6 
Figure BDA0000062002500000151
参照图7所示，相比于图4的实验，样本23至样本26内具有导电的银纳米粒子，故以样本23至样本26制作而成的薄膜可具有更低的表面电阻率。但比较图4与图7的实验结果可发现，样本23至样本26制作而成的薄膜不因具有较低的表面电阻率而具较佳的电磁遮蔽效率。举例而言，比较样本12与样本24，除在频率4.8GHz所发生的共振模态(resonant mode)外，样本12在所示频段间的电磁遮蔽效率介于18至29dB之间，而样本24的电磁遮蔽效率介于19至30dB之间，两者几乎无差异。从前述实验结果可知，对薄膜的而言，添加银纳米粒子的薄膜与添加导磁粒子的薄膜，两者的电磁遮蔽效率无明显的差异。 
因此，当银纳米粒子粒径为80～120纳米，纳米银线长径比为200～300的情况下，银纳米粒子的含量可为0.5～2.5重量份或为0.7～2重量份。 
除此之外，比较样本22至样本25制作而成的薄膜的电磁遮蔽效率，薄膜中单纯加入线材的电磁遮蔽效率较薄膜中只加入粒子的效果好，电磁遮蔽效率随着银纳米粒子的含量增加而改进，而若将导磁粒子改为导电粒子时，似乎都具有一定的电磁波遮蔽率。图12显示两薄膜的电磁遮蔽效率的测试结果图，其中该两薄膜以双酚A环氧树脂BE188(来源：长春人造树酯公司(ChangChun Plastics Co.，Ltd)，台湾)为载体所制备。两薄膜分别以两组合物所制成，其中两组合物包含长径比为80且浓度为2.06重量份的纳米线材，以及包含粒径为50纳米而浓度分别为0重量份及0.65重量份的纳米粒子。经实验后发现，即便将载体的材料由压克力树脂改为双酚A环氧树脂(bisphenol A type epoxy，)BE188(来源：长春人造树酯公司(Chang Chun Plastics Co.，Ltd)，台湾)，载体中添加纳米粒子后，以其制成的薄膜的电磁遮蔽效率仍可提升。因此加入特定比例的纳米粒子所造成预期之外的效应，并不会受到使用不同的高分子材料而受影响。 
利用本发明具有纳米线材与纳米粒子的组合物所制成的薄膜具有优异的电磁波遮蔽效果。 
表7 
Figure BDA0000062002500000161
由表7与图13的结果可以得知，利用样本4制成的具有纳米结构的电磁波遮蔽材料，比使用传统金属圆形粒子的现有产品(B、C)所制成的薄膜有较佳的EMI防护效果。而且，相比于市售具有高含量粒子的相关产品，本发明的组合物A中仅需添加低含量的纳米材料，即可有更高的电磁波遮蔽值。 
参照图14所示，本发明另外公开了一种电磁屏蔽装置10。电磁屏蔽装置10包含本体11以及薄膜12，其中本体11具有表面13，而薄膜12形成于该表面13上，以提供电磁波遮蔽。薄膜12可包含多根纳米金属线材及多个纳米粒子。多根纳米金属线材与多个纳米粒子分别均匀散布于薄膜12中且彼此混合，其中以薄膜12为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至95重量份；以该薄膜12为100重量份计，该纳米粒子为0.5重量份至60重量份。本体11可为任意需要涂布薄膜12以遮蔽电磁波的对象，例如：本体11可为线材、板材、高分子膜或机壳等。 
参照图15所示，本发明另外公开了一种抗静电装置20。抗静电装置20包含基板21以及薄膜22，其中基板21具有表面23，而薄膜22形成于该表面23上，以提供电磁波遮蔽。薄膜22可包含多根纳米金属线材及多个纳米粒子。 多根纳米金属线材与多个纳米粒子分别均匀散布于薄膜22中且彼此混合，其中以该薄膜为100重量份计，该纳米金属线材占薄膜22总重量的1重量份至95重量份；该纳米粒子占薄膜22总重量的0.5重量份至60重量份。 
综上所述，在含有纳米金属线材的组合物内添加适量的导磁或金属纳米粒子，可改善以该组合物所制成的薄膜的电磁遮蔽效率。根据前述各实施例的结果，以组合物为100重量份，纳米金属线材的含量可为1重量份至95重量份、为1重量份至11重量份或为1重量份至3重量份。另外，导磁或金属纳米粒子的含量可为0.1重量份至60重量份、为0.1重量份至10重量份、为0.5重量份至10重量份或为0.5重量份至2重量份。 
此外，在含有纳米金属线材的组合物内添加大量的导磁或金属纳米粒子，其电磁遮蔽效率无明显提升。另外，在薄膜内添加绝缘导磁纳米粒子，与为了提高导电性而增加纳米金属线材或添加金属纳米颗粒的薄膜相比，其电磁遮蔽效率的改善更为明显。 
图16显示本发明一实施例的电磁屏蔽结构30的示意图。电磁屏蔽结构30包含目标物31及薄膜32。电磁屏蔽结构30的制备方法包含下列步骤：提供目标物31；以涂布或喷涂等方式，在目标物31上形成薄膜32；以及利用光照或烘箱加热薄膜32至介于摄氏50度至摄氏250度之间的温度。薄膜32的组成如表8所示。组合物被配置以供涂布或喷涂。组合物可包含纳米银线和高分子材料。在一些实施例中，组合物还包含纳米颗粒。高分子材料可包含聚氨酯(polyurethane)和水，其中以高分子材料为100重量份计，聚氨酯的含量约为45～55重量份，而水约为55～45重量份。 
表8 
Figure BDA0000062002500000171
图17显示在本发明一实施例中以具有2.43重量份的银纳米线和1.45重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在频率0～1800MHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图。图18显示在本发明一实施例中以具有2.43重量份的 银纳米线和1.45重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在频率1～18GHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图。涂布样本27于目标物上，然后再将其在摄氏80度加热5分钟，以制作成厚度50微米的薄膜。之后，测量该薄膜的电磁波遮蔽效率值。从图17与18的测量结果可得知，薄膜以摄氏80度加热5分钟后，在频率介于1至1800MHz之间，其电磁波遮蔽效率有显著的提升；其平均电磁波遮蔽效率值可高于40dB。 
图19显示以具有2.43重量份的银纳米线和1.45重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，其电磁波遮蔽效率值与加热时间的关系图。将样本27涂布在目标物上，再于摄氏80度加热5分钟，以制作出厚度30微米的薄膜。薄膜再于摄氏150度，经不同的加热时间烘烤。然后，测量经不同加热时间烘烤的薄膜的电磁波遮蔽效率值，可得到如图19所示的结果。从图19显示的结果可看出，当薄膜加热1小时以上，其电磁波遮蔽效率值可提高10dB以上。若在摄氏150度，经72小时烘烤，其电磁波遮蔽效率值更可达到40dB以上。 
图20显示以具有2.43重量份的银纳米线和1.45重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，其电磁波遮蔽效率值与加热温度间的关系图。将样本27涂布在目标物上，再于摄氏80度加热5分钟，以制作出厚度20微米的薄膜。薄膜再以固定1小时的时间，在不同的加热温度下加热。然后，测量在不同温度下加热的薄膜的电磁波遮蔽效率值，可得到如图20所示的结果。从图20显示的结果可得知，薄膜的电磁波遮蔽效率值随加热温度的增加而增加。因此，薄膜可利用调整加热温度，来获得所需的电磁波遮蔽效率值。此外，经过图20显示的温度加热的薄膜均可通过铅笔硬度B及附着度4B等的测试。 
图21显示在本发明一实施例中以具有3.49重量份的银纳米线和2.1 8重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在频率0～1800MHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图。图22显示在本发明一实施例中以具有3.49重量份的银纳米线和2.18重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，在频率1～18GHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图。涂布样本28于目标物上，然后再将于摄氏80度加热5分钟，以制作成厚度80微米的薄膜。之后，测量该薄膜的电磁波遮蔽效率值。从图21与22的测量结果可得知，薄膜于摄氏80度加热5分钟后，其电磁波遮蔽效率值可高于40dB。再者，由于混合四氧化三铁粒 子与银纳米线，因此使薄膜可产生多重散射与吸收效应，故可得到较佳的电磁波遮蔽效率。 
图23显示在本发明一实施例中以具有2.1重量份的银纳米线和0.55重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，经不同加热时间与加热温度后，其在频率0～1800MHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图。涂布样本29于目标物上，然后再将以摄氏80度加热5分钟，以制作成厚度70微米的薄膜。测量该薄膜的电磁波遮蔽效率可得如图23显示的结果。另外，将薄膜放置于烘箱中，于摄氏150度、24小时再次烘烤，接着测试其电磁波遮蔽效率，可得如图23显示的结果。比较图23显示的结果可知，薄膜若经24小时、摄氏150度的烘烤，其电磁波遮蔽效率值可提升10dB。 
图24显示在本发明一实施例中以具有1.09重量份的银纳米粒子和3.69重量份的四氧化三铁粒子的混合材料所制作的薄膜，经不同加热时间后，其在频率100～1800MHz间的电磁波遮蔽效率值的测量图。涂布样本30于目标物上，然后再将以摄氏80度加热5分钟，以制作成厚度30微米的薄膜。之后，薄膜在不同的温度下，加热1小时。然后，测量薄膜的电磁波遮蔽效率，其结果如图24所显示。从图24显示的结果可看出，加热摄氏80度以上，可使薄膜的电磁波遮蔽效率值提升超过40dB。 
再次参图16所示，电磁屏蔽结构30可包含目标物31、薄膜32和粘胶层33，薄膜32设置于目标物31上，粘胶层33设置于薄膜32上。在一实施例中，粘胶层33包含压敏粘合剂(pressure sensitive adhesive)。此外，在另一实施例中，电磁屏蔽结构30可另外包含至少第二薄膜(未图示)，其中该第二薄膜与薄膜32相叠设置，可位于粘胶层33与薄膜32之间，而且薄膜32与第二薄膜可分别具有纳米粒子与纳米金属线材。 
图25显示测量未具有抗电磁干扰的薄膜的硬碟所得的电磁强度与频率间的关系图。图26显示测量具有抗电磁干扰的薄膜(样本31)的硬碟所得的电磁场强度与频率间的关系图。图25的结果根据欧盟电磁相容性指引标准(EU-EMC Directive(2004/108/EC)EN 55022 class B)测试一硬碟而产生，其中在频率377、486及593MHz处(数字4、5、6标示处)超过标准。将样本31涂布在该硬碟上，形成厚度小于50微米的薄膜，待薄膜干燥薄膜后测试，可发现硬碟在30MHz至1.8GHz的频率范围符合欧盟电磁相容性指引标准。因此，以本发明的样本31所制作的薄膜可降低电磁干扰的产生。样本31-32使用的高 分子材料包含聚氨酯水溶液(包含45～55重量份的聚氨酯以及55～45重量份的水)。 
表9 
Figure BDA0000062002500000201
图27显示未具有抗电磁干扰的薄膜的录放影机，在水平方向上对其进行测量，所得的电磁场强度与频率间的关系图。图29显示未具有抗电磁干扰的薄膜的录放影机，在垂直方向上对其进行测量，所得的电磁场强度与频率间的关系图。图28显示具有抗电磁干扰的薄膜(样本32)的录放影机，在水平方向上对其进行测量，所得的电磁场强度与频率间的关系图。图30显示具有抗电磁干扰的薄膜(样本32)的录放影机硬碟，在垂直方向上对其进行测量，所得的电磁场强度与频率间的关系图。根据欧盟电磁相容性指引标准对未具有抗电磁干扰的薄膜的录放影机进行水平方向及垂直方向上电磁波干扰的测量，可发现分别在15个频率与17个频率上不符合标准。然而，以样本32在该录放影机上形成抗电磁干扰的薄膜(厚度小于50微米)，待薄膜干燥后测试，发现该录放影机可符合欧盟电磁相容性指引标准。因此，以本发明样本32所制作的薄膜具有大频宽的电磁遮蔽效果。 
习知电磁波的遮蔽率通常会与导电度的关系成正相关，不过，由以样本31、32所做的实验结果可知，当导电的金属材料加至某一程度时，对遮蔽率的影响有限。 
样本31和32中高分子材料，包含聚氨酯和水，其中以高分子材料为100 重量份计，聚氨酯的含量约为45～55重量份，而水约为55～45重量份。综上所述，本发明另外公开了对具有纳米材料的抗电磁干扰薄膜进行加热处理，可有效提升该薄膜的电磁波遮蔽效率值。因此，在不减弱电磁波遮蔽效果下，可降低使用薄膜的厚度。 
本发明的技术内容及技术特点已公开如上，然而本领域技术人员仍可能基于本发明的教导及公开而作种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此，本发明的保护范围应不限于实施例所公开的内容，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为所附权利要求的范围所涵盖。 

Claims (20)

1.一种用于电磁屏蔽的组合物，其包含：
载体；
多根纳米金属线材，散布于该载体中，其中以该组合物为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至11重量份，该纳米金属线材为纳米银线；以及
多个纳米粒子，散布于该载体中，其中以该组合物为100重量份计，该纳米粒子为0.13重量份至9.09重量份，该纳米粒子为纳米银粒子、纳米四氧化三铁粒子或前述粒子的混合。
2.根据权利要求1的组合物，其中该纳米粒子为0.5重量份至9.09重量份。
3.根据权利要求1的组合物，其中该纳米金属线材为1重量份至10.45重量份。
4.根据权利要求1的组合物，其中该纳米金属线材的长径比大于10。
5.根据权利要求1的组合物，其中该纳米粒子的粒径小于1000纳米。
6.根据权利要求1的组合物，其中该纳米金属线材与该纳米粒子含量比大于0.1。
7.一种用于电磁屏蔽的组合物，其包含：
载体；
多根纳米金属线材，散布于该载体中，该纳米金属线材的长径比大于10，该纳米金属线材为纳米银线，其中以该组合物为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至11重量份；以及
多个纳米粒子，散布于该载体中，该纳米粒子小于1000纳米，该纳米粒子为纳米银粒子、纳米四氧化三铁粒子或前述粒子的混合，其中该纳米粒子为0.13重量份至9.09重量份。
8.根据权利要求7的组合物，其中该纳米金属线材为1重量份至10.45重量份，该纳米粒子为0.5重量份至9.09重量份，如此使用于电磁屏蔽的该组合物具有大于10dB的电磁波遮蔽效率值。
9.根据权利要求7的组合物，其中该纳米金属线材的长径比为20到500；该纳米粒子粒径为10到1000纳米；以及该纳米金属线材为1重量份至3重量份，其中该纳米粒子占该组合物的总重量为0.5重量份至2重量份，如此使用于电磁屏蔽的该组合物具有大于10dB的电磁波遮蔽效率值。
10.一种电磁屏蔽装置，包含：
本体，具有一表面；以及
薄膜，形成于该本体的该表面上以遮蔽电磁波，该薄膜包含：
多根纳米金属线材，散布于该薄膜中，其中以该薄膜为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至11重量份，该纳米金属线材为纳米银线；及
多个纳米粒子，散布于该薄膜中，其中以该薄膜为100重量份计，该纳米粒子为0.13重量份至9.09重量份，该纳米粒子为纳米银粒子、纳米四氧化三铁粒子或前述粒子的混合。
11.根据权利要求10的电磁屏蔽装置，其中该纳米粒子为绝缘导磁粒子，且该绝缘导磁粒子为0.5重量份至2重量份。
12.根据权利要求10的电磁屏蔽装置，其中该纳米金属线材为1重量份至10.45重量份。
13.一种抗静电装置，包含：
基板；以及
薄膜，形成于该基板上，该薄膜包含：
多根纳米金属线材，散布于该薄膜中，其中以该薄膜为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至11重量份，该纳米金属线材为纳米银线；及
多个纳米粒子，散布于该薄膜中，其中以该薄膜为100重量份计，该纳米粒子为0.13重量份至9.09重量份，该纳米粒子为纳米银粒子、纳米四氧化三铁粒子或前述粒子的混合。
14.根据权利要求13的抗静电装置，其中该纳米粒子为绝缘导磁粒子，且该绝缘导磁粒子为0.5重量份至2重量份。
15.根据权利要求13的抗静电装置，其中该纳米金属线材为1重量份至10.45重量份。
16.一种电磁屏蔽结构的制备方法，其包含下列步骤：
提供目标物；
提供混合材料，该混合材料包含多根纳米金属线材和多个纳米粒子，其中该纳米金属线材的长径比大于50；该纳米金属线材为纳米银线，以及该纳米粒子为纳米银粒子、纳米四氧化三铁粒子或前述粒子的混合；
利用该混合材料，在该目标物的表面上形成第一薄膜；以及
加热该第一薄膜至摄氏50度至摄氏250度的温度；
其中以该薄膜为100重量份计，该纳米金属线材为1重量份至11重量份，该纳米粒子为0.13重量份至9.09重量份。
17.根据权利要求16的制备方法，其中该纳米粒子占该第一薄膜总重的0.1至5重量份。
18.根据权利要求16的制备方法，其中该纳米粒子小于1000纳米。
19.根据权利要求16的制备方法，其还包含第二薄膜，该第二薄膜包含多个纳米粒子，其中该第一薄膜与该第二薄膜相叠设置。
20.根据权利要求16的制备方法，其中加热该第一薄膜至摄氏50度至摄氏250度的温度使该第一薄膜在频率4GHz至16GHz之间能提升遮蔽率。
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