JP6356453B2 - 透明導電パターン形成用基板、透明導電パターン形成基板及び透明導電パターン形成基板の製造方法 - Google Patents
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Description
ポリビニルピロリドンK−90((株)日本触媒社製)(0.049g)、AgNO3(0.052g)およびFeCl3(0.04mg)を、エチレングリコール(12.5mlに溶解し、150℃で1時間加熱反応した。得られた析出物を遠心分離により単離し、析出物を乾燥して目的の銀ナノワイヤを得た。図3(a)、(b)に、得られた銀ナノワイヤのSEM像を示す。使用したSEMは、日立ハイテク株式会社製 FE−SEM S−5200である。
20cm角で0.7mm厚のガラス板(日本電気硝子(株)製OA−10GF、事前に0.1NNaOHアルカリ液で浸漬処理後、純水洗浄したもの)に、シクロオレフィンポリマーであるゼオノア1020R(日本ゼオン(株)製)をキシレンに5質量%で溶解したものを、バーコーターで5μm厚で塗布し、150℃の高温槽で2時間乾燥した(実施例1)。
上記銀ナノワイヤをエタノールに分散し(0.25質量%)、この溶液を前記樹脂をコーティングした20cm角のガラス基板及び前記樹脂をコーティングしない20cm角のガラス基板上にドロップコートにより3滴塗布し、6時間風乾することにより、上記銀ナノワイヤをガラス基板上に堆積した。
表1の実施例1〜4及び比較例1、2の条件でパルス光を照射する前後の銀ナノワイヤの堆積層について、三菱化学株式会社製LORESTA−GP MCP−T610 4探針法表面抵抗率、体積抵抗率測定装置を使用して表面抵抗値を測定した。なお、TgはJIS K7121に準じて補外ガラス転移開始温度を求めた。
使用テープ:寺岡製作所製 No.650S #25 25mm幅
試験方法:上記テープを50mmの長さで切り出し、幅25mm、長さが25mmになるように透明導電パターンに接着させ、残りのテープ部分(剥がししろ)より粘着テープを剥離した。剥離後、テープが被着していた堆積層形成部分で、前記LORESTAを用いて表面抵抗を測定した。
以下のようにベースフィルム(基板)、コーティング層(耐熱層)、接着層(透明樹脂層)の3層構造からなる透明導電パターン形成用基板を作製した。
KAYARAD UX−5000(5官能ウレタンアクリレート、日本化薬(株)製)40質量部、KAYARAD DPHA(ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物、日本化薬(株)製)60質量部、Irgacure184(1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、チバジャパン(株)製)2質量部を混合して、コーティング液とした。
熱機械測定(TMA)により測定した。エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製TMA/SS6100熱機械的分析装置を使用し、温度範囲−10〜300℃、昇温速度5℃/分、荷重20.0mNの条件で9×9×3mmの試験片を用いて測定を行った。得られた膨張曲線における転移に基づく変曲点前後の直線領域で各々引いた2本の直線の外挿線の交点の温度をガラス転移温度とした。
上記銀ナノワイヤをエタノールに分散し(0.25質量%)、この分散液をベースフィルムであるルミラー125T60上にコーティング層を塗布して形成した2層(耐熱層/ベースフィルム)基板(比較例3)、及びコーティング層、接着層を順次塗布して形成した3層(接着層/耐熱層/ベースフィルム)基板(実施例5)の接着層上にドロップコートにより3滴塗布し、6時間風乾することにより、上記銀ナノワイヤを各基板上に堆積した。また、上記分散液をベースフィルムであるルミラー125T60上に直接堆積した(比較例4)。堆積した銀ナノワイヤに対して、実施例1〜4、比較例1、2と同様にパルス光を照射して透明導電パターンを作製した。
Claims (6)
- 金属ナノワイヤを含む透明導電パターンが形成された基板を製造するための透明導電パターン形成用基板であって、表面にTgが200℃以下の非晶性の熱可塑性樹脂またはTgが200℃以下の硬化性樹脂プレポリマーで光照射により三次元架橋構造となる硬化性樹脂よりなる透明樹脂層が形成されており、前記透明樹脂層が環状ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂、エチレンビニルアルコール共重合樹脂のいずれかにより構成されていることを特徴とする透明導電パターン形成用基板。
- 上記基板がガラス、ポリイミド、結晶性を有し融点が200℃以上の熱可塑性樹脂またはTgが200℃以上の熱硬化性樹脂により構成されている請求項1に記載の透明導電パターン形成用基板。
- 基板表面に形成され、Tgが200℃以下の非晶性の熱可塑性樹脂または、光焼成前には三次元架橋していない硬化性樹脂プレポリマーが光照射により三次元架橋された硬化性樹脂よりなる透明樹脂層と、
前記透明樹脂層上に所定のパターン形状で堆積され、かつ外周で接合された交差部を有する金属ナノワイヤを含む透明導電パターンと、
を備え、前記透明樹脂層が環状ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂、エチレンビニルアルコール共重合樹脂のいずれかにより構成されている透明導電パターン形成基板。 - 上記基板がガラス、ポリイミド、結晶性を有し融点が200℃以上の熱可塑性樹脂またはTgが200℃以上の熱硬化性樹脂により構成されている請求項3に記載の透明導電パターン形成基板。
- 基板表面にTgが200℃以下の非晶性の熱可塑性樹脂または光焼成前には三次元架橋していない硬化性樹脂プレポリマーよりなる透明樹脂層を形成し、
前記透明樹脂層上に金属ナノワイヤを所定のパターン形状に堆積し、
前記堆積された金属ナノワイヤに、パルス幅が20マイクロ秒から50ミリ秒であるパルス光を照射して前記金属ナノワイヤの外周交差部を接合し、前記透明樹脂層が環状ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂、エチレンビニルアルコール共重合樹脂のいずれかにより構成されていることを特徴とする透明導電パターン形成基板の製造方法。 - 前記パルス光をフラッシュランプを備える光源から照射する請求項5に記載の透明導電パターン形成基板の製造方法。
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