JP2014212117A - ナノワイヤに基づく透明導電体 - Google Patents

ナノワイヤに基づく透明導電体 Download PDF

Info

Publication number
JP2014212117A
JP2014212117A JP2014116002A JP2014116002A JP2014212117A JP 2014212117 A JP2014212117 A JP 2014212117A JP 2014116002 A JP2014116002 A JP 2014116002A JP 2014116002 A JP2014116002 A JP 2014116002A JP 2014212117 A JP2014212117 A JP 2014212117A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
item
transparent conductor
nanowires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014116002A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6209490B2 (ja
Inventor
エス. オールデン ジョナサン
Jonathan S Alden
エス. オールデン ジョナサン
ハイシャ ダイ
Haixia Dai
ハイシャ ダイ
アール. クナップ マイケル
Michael R Knapp
アール. クナップ マイケル
シュオ ナ
Shuo Na
シュオ ナ
パクバズ ハッシュ
Pakpaz Hash
パクバズ ハッシュ
プシェニツカ フロリアン
Florian Pschenitzka
プシェニツカ フロリアン
クアン シナ
Xina Quan
クアン シナ
エー. スペイド マイケル
Michael A Spaidd
エー. スペイド マイケル
エイドリアンウィノト
Adrian Winoto
ウィノト エイドリアン
ウォルク ジェフリー
Jeffrey Wolk
ウォルク ジェフリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambrios Technologies Corp
Original Assignee
Cambrios Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=37478799&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2014212117(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Cambrios Technologies Corp filed Critical Cambrios Technologies Corp
Publication of JP2014212117A publication Critical patent/JP2014212117A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6209490B2 publication Critical patent/JP6209490B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C03C17/007Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character containing a dispersed phase, e.g. particles, fibres or flakes, in a continuous phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C03C17/008Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character comprising a mixture of materials covered by two or more of the groups C03C17/02, C03C17/06, C03C17/22 and C03C17/28
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00Inks
    • C09D11/52Electrically conductive inks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/02Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in air or gases by adding vapour phase inhibitors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/02Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by evaporation of the solvent
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054Nanosized particles
    • B22F1/0547Nanofibres or nanotubes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/44Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the composition of the continuous phase
    • C03C2217/445Organic continuous phases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/47Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
    • C03C2217/475Inorganic materials
    • C03C2217/479Metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0266Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0145Polyester, e.g. polyethylene terephthalate [PET], polyethylene naphthalate [PEN]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0154Polyimide
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0242Shape of an individual particle
    • H05K2201/026Nanotubes or nanowires
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10128Display
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • H05K3/048Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer using a lift-off resist pattern or a release layer pattern
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/762Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less

Abstract

【課題】透明導電体およびそれを製造する方法に関し、具体的には、高スループットの被覆方法の提供。
【解決手段】基板上に被覆される導電層を含む透明導電体が記載される。より具体的には、導電層は、マトリクスに埋め込まれてもよいナノワイヤーの網を備える。導電層は、任意で、透明で柔軟性を有する。それは、柔軟性および剛性の基板を含むさまざまな基板に被覆または積層可能である。所望の電気的、光学的、および機械的特性を有する透明導電体、具体的には、いかなる基板にも適応可能で、低コスト、高スループットプロセスで製造およびパターン化が可能である透明導電体を提供することを目的の1つとする。
【選択図】なし

Description

本発明は、透明導電体およびそれを製造する方法に関し、具体的には、高スループットの被覆方法に関する。
関連技術の説明
透明導電体は、高透過率の絶縁表面または基板上に被覆される導電性薄膜を言及する。透明導電体は、表面伝導率を有する一方で、合理的な光透過性を保持するように製造されてもよい。そのような表面導電性の透明導電体は、平面液晶ディスプレー、タッチパネル、エレクトロルミネセント素子、および薄膜光電池において透明電極として、帯電防止層として、ならびに電磁波遮へい層として広く使用される。
現在、ガラス膜や高分子膜などの誘電体表面に光透過性および導電性を提供するために、インジウムスズ酸化物(ITO)などの真空蒸着金属酸化物が、業界標準材料となっている。しかしながら、金属酸化物皮膜は、曲げまたはその他の物理的応力が加えられる間、脆弱で壊れ易い。また、それらは、高伝導度を達成するために、高蒸着温度および/または高アニール温度を必要とする。また、ポリカーボネートなどのプラスチック基板や有機基板のような湿気を吸収し易い基板への金属酸化物皮膜の接着に関する問題もある。したがって、金属酸化物皮膜の柔軟基板への適用は、厳密に限定される。さらに、真空蒸着は、費用のかかるプロセスであり、特殊な器具を必要とする。さらに、真空蒸着プロセスは、パターン形成および回路形成に寄与しない。これにより、一般的に、フォトリソグラフィーなどの費用のかかるパターン処理に関して必要性がある。
導電性高分子も光透過性導電体として使用されてきた。しかしながら、それらは、通常、金属化学物皮膜と比べると、より低い伝導値およびより高い光吸収性を有し(特に可視波長で)、化学的および長期的安定性が不足している。
したがって、所望の電気的、光学的、および機械的特性を有する透明導電体、具体的には、いかなる基板にも適応可能で、低コスト、高スループットプロセスで製造およびパターン化が可能である透明導電体を提供する必要性が、当技術において依然として存在する。
一実施形態において、基板と、前記基板上の導電層であって、複数のナノワイヤー、好ましくは金属ナノワイヤーを含む導電層と、を備える透明導電体が本明細書に記載される。
別の実施形態において、透明導電体は、基板と、前記基板上の導電層であって、マトリクス、具体的には光学的に透明な高分子マトリクスに埋め込まれる複数の金属ナノワイヤーを含む導電層と、を備える透明導電体が本明細書に記載される。
さらに別の実施形態において、前記透明導電体は腐食防止剤をさらに含む。
さらなる実施形態において、複数の金属ナノワイヤーを基板上に蒸着するステップであって、前記金属ナノワイヤーは、液体に分散されるステップと、前記液体を乾燥させることによって、金属ナノワイヤー網層を前記基板上に形成するステップと、を含む透明導電体を作製する方法が本明細書に説明される。
別の実施形態において、方法は、複数の金属ナノワイヤーを基板に蒸着するステップであって、前記金属ナノワイヤーは液体に分散されるステップと、前記液体を乾燥させることによって、金属ナノワイヤー網層を前記基板に形成するステップと、前記金属ナノワイヤー網層上にマトリクス材を蒸着するステップと、マトリクスを形成するために前記マトリクス材を硬化するステップであって、前記マトリクスおよびそこに埋め込まれる前記金属ナノワイヤーは導電層を形成するステップと、を含む。
さらなる実施形態において、本明細書に記載される前記方法は、リール間プロセスにおいて実行され、前記基板は、移動経路に沿ってリールを回転することによって駆動され、前記金属ナノワイヤーの蒸着は、前記移動経路に沿った第一の蒸着機構で実行され、前記マトリクス材の蒸着は、前記移動経路に沿った第二の蒸着機構で実行される。
別の実施形態において、前記導電層は、光硬化型マトリクス材を使用して、パターン化、具体的には光パターン化可能である。
別の実施形態において、柔軟性を有するドナー基板と、複数の金属ナノワイヤーが埋め込まれるマトリクスを含む導電層と、を備える積層構造が本明細書に記載される。
さらなる実施形態において、積層プロセスが説明され、そのプロセスは、前記積層構造を選択の基板に適用するステップと、前記柔軟性を有するドナー基板を除去するステップとを含む。
さらに別の実施形態において、表示装置が説明され、前記表示装置は、導電層を有する少なくとも一つの透明電極であって、前記導電層は複数の金属ナノワイヤーを含む透明電極を備える。より具体的には、前記導電層は、光学的に透明な高分子マトリクスに前記金属ナノワイヤーを備える。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
基板と、
該基板上の導電層であって、複数の金属ナノワイヤーを含む導電層と、
を備える透明導電体。
(項目2)
前記金属ナノワイヤーは、銀ナノワイヤーである、項目1に記載の透明導電体。
(項目3)
各ナノワイヤーは側面を有する、項目1に記載の透明導電体。
(項目4)
前記導電層はマトリクスを含む、項目1に記載の透明導電体。
(項目5)
前記透明導電体は表面導電性である、項目4に記載の透明導電体。
(項目6)
前記マトリクスは光学的に透明である、項目4に記載の透明導電体。
(項目7)
前記マトリクス材は、ポリウレタン、ポリアクリル酸、シリコン、ポリアクリレート、ポリシラン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリオレフィン、フッ素重合体、ポリアミド、ポリイミド、ポリノルボルネン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、あるいはその共重合体または混合物である、項目5に記載の透明導電体。
(項目8)
前記マトリクス材は無機材料である、項目5に記載の透明導電体。
(項目9)
各金属ナノワイヤーまたは前記複数の金属ナノワイヤーの一部は、前記マトリクスの表面上から突出する少なくとも一つの区分を含む、項目4に記載の透明導電体。
(項目10)
前記透明導電体の前記表面の第一の領域が導電性であり、前記透明導電体の前記表面の第二の領域が非導電性であるように、前記導電層はパターン化される、項目4に記載の透明導電体。
(項目11)
前記基板は剛性である、項目1に記載の透明導電体。
(項目12)
前記基板は、ガラス、ポリアクリレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フッ素重合体、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、シリコン、ガラス樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリノルボルネン、ポリエステル、ポリビニル、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、またはポリカーボネート、あるいはこれらの物質の共重合体または混合物または積層である、項目11に記載の透明導電体。
(項目13)
前記基板は柔軟性である、項目1に記載の透明導電体。
(項目14)
前記基板は、ポリアクリレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フッ素重合体、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、シリコン、ガラス樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリノルボルネン、ポリエステル、ポリビニル、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、またはポリカーボネート、あるいはこれらの物質の共重合体または混合物または積層である、項目13に記載の透明導電体。
(項目15)
一つ以上の反射防止層、防眩層、接着層、障壁、硬質被膜、または保護膜をさらに備える、項目1に記載の透明導電体。
(項目16)
前記導電層上に配置される反射防止層と、前記導電層と前記基板との間に配置される接着層とを備える、項目15に記載の透明導電体。
(項目17)
前記導電層上に硬質被膜と、前記導電層と前記基板との間に配置される障壁層と、前記基板下の反射防止層とを備える、項目15に記載の透明導電体。
(項目18)
前記導電層上に配置される反射防止層、防眩、および障壁層と、前記導電層と前記基板との間に配置される接着層と、前記基板下の反射防止層とを備える、項目15に記載の透明導電体。
(項目19)
一つ以上の腐食防止剤をさらに含む、項目1に記載の透明導電体。
(項目20)
前記一つ以上の腐食防止剤は一つ以上の容器に収容され、気相で放出されることができる、項目19に記載の透明導電体。
(項目21)
前記腐食防止剤は、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、ブチルベンジルトリアゾール、ジチオチアジアゾール、アルキルジチオチアジアゾールおよびアルキルチオール、2−アミノピリミジン、5,6−ジメチルベンゾイミダゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、2−メルカプトピリミジン、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、または2−メルカプトベンゾイミダゾールである、項目19に記載の透明導電体。
(項目22)
前記腐食防止剤は、ベンゾトリアゾール、ジチオチアジアゾール、またはアルキルジチオチアジアゾールである、項目20に記載の透明導電体。
(項目23)
前記腐食防止剤はHS捕捉剤である、項目19に記載の透明導電体。
(項目24)
前記腐食防止剤は、アクロレイン、グリオキサル、トリアジン、またはn-クロロコハク
酸イミドである、項目23に記載の透明導電体。
(項目25)
少なくとも50%の光透過性を有する、項目1に記載の透明導電体。
(項目26)
1×10Ω/□以下の表面抵抗率を有する、項目1に記載の透明導電体。
(項目27)
前記金属ナノワイヤーは、複数のナノワイヤー交差点を含む導電網を形成し、前記複数のナノワイヤー交差点の少なくとも一部のうちの各々における前記ナノワイヤーの少なくとも一つは、平坦な断面を有する、項目1に記載の透明導電体。
(項目28)
透明導電体を作製する方法であって、
複数の金属ナノワイヤーを基板の表面上に蒸着するステップであって、該金属ナノワイヤーは液体に分散されるステップと、
該液体を乾燥させることによって、金属ナノワイヤー網層を該基板上に形成するステップと、
を含む方法。
(項目29)
前記金属ナノワイヤーは銀ナノワイヤーである、項目28に記載の方法。
(項目30)
前記液体は、カルボキシメチルセルロース、2−ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、ポリビニルアルコール、トリプロピレングリコール、およびキサンタンゴムから選択される添加剤をさらに含む、項目28に記載の方法。
(項目31)
前記金属ナノワイヤーを蒸着する前に、前記基板の前記表面を事前処理するステップをさらに含む、項目28に記載の方法。
(項目32)
前記基板の前記表面を事前処理するステップは、少なくとも一つの前処理領域および少なくとも一つの未処理領域を生成する、項目31に記載の方法。
(項目33)
前記金属ナノワイヤー網層は、前記前処理領域上にのみ形成される、項目32に記載の方法。
(項目34)
前記表面を前処理するステップは、前記基板の前記表面上の中間層を蒸着するステップと、プラズマ処理、紫外オゾン処理、またはコロナ放電を含む、項目31に記載の方法。
(項目35)
前記金属ナノワイヤー網層を後処理するステップをさらに含む、項目28に記載の方法。(項目36)
圧力、熱、またはその組み合わせを前記金属ナノワイヤー網層に加えるステップを含む、項目35に記載の方法。
(項目37)
前記金属ナノワイヤー網層を後処理するステップは、その伝導性を高める、項目35に記載の方法。
(項目38)
前記金属ナノワイヤー網層上にマトリクス材を蒸着するステップと、
マトリクスを形成するために、前記マトリクス材を硬化するステップであって、そこに埋め込まれる前記マトリクスおよび前記金属ナノワイヤーは、導電層を形成するステップと、
をさらに含む、項目28に記載の方法。
(項目39)
前記導電層の導電表面を提供するために、前記複数の金属ナノワイヤーの一部のうちの各々の少なくとも一区分が、前記マトリクスの表面上から突出するようにするステップ、
をさらに含む、項目38に記載の方法。
(項目40)
前記マトリクス材は溶媒に分散される高分子を含む、項目38に記載の方法。
(項目41)
硬化するステップは、前記溶媒を蒸発させるステップを含む、項目38に記載の方法。
(項目42)
前記マトリクス材はプレポリマーを含む、項目38に記載の方法。
(項目43)
前記プレポリマーは光硬化型である、項目42に記載の方法。
(項目44)
前記プレポリマーは熱硬化型である、項目42に記載の方法。
(項目45)
前記マトリクス材はパターンに応じて蒸着され、前記金属ナノワイヤー網層の被覆領域および非被覆領域を提供し、前記被覆領域はパターン化マトリクスに硬化する、項目38に記載の方法。
(項目46)
前記非被覆領域における前記金属ナノワイヤーを除去するステップをさらに含む、項目45に記載の方法。
(項目47)
前記マトリクス材は、前記パターンに応じて前記基板上に印刷される、項目45に記載の方法。
(項目48)
硬化するステップは、硬化領域および非硬化領域を形成するために、パターンに応じて前記マトリクス材を選択的に硬化するステップを含む、項目38に記載の方法。
(項目49)
前記非硬化領域における前記マトリクス材および前記金属ナノワイヤーを除去するステップをさらに含む、項目48に記載の方法。
(項目50)
前記硬化領域はパターン化される導電層を形成する、項目48に記載の方法。
(項目51)
前記基板は柔軟性である、項目28に記載の方法。
(項目52)
前記基板は、移動経路に沿ってリールを回転させることによって駆動され、前記金属ナノワイヤーは、前記移動経路に沿って第一の蒸着機構で蒸着され、前記マトリクス材は、前記移動経路に沿って第二の蒸着機構で蒸着される、項目51に記載の方法。
(項目53)
前記基板はコンベヤーベルト上に配置される、項目52に記載の方法。
(項目54)
前記移動経路に沿ってパターン化機構で前記マトリクス材を硬化するステップをさらに含む、項目52に記載の方法。
(項目55)
硬化するステップは、前記マトリクス材を光照射に連続的に暴露するステップを含む、項目54に記載の方法。
(項目56)
前記光照射は、パターンに応じて前記マトリクス材に投影される、項目55に記載の方法。
(項目57)
硬化するステップは、断熱マスクを使用して、パターンに応じて前記マトリクス材層を加熱するステップを含む、項目54に記載の方法。
(項目58)
前記マトリクス材は、硬化領域および非硬化領域にパターン化される、項目54に記載の方法。
(項目59)
前記非硬化領域における前記マトリクス材および前記金属ナノワイヤーは、除去されるステップをさらに含む、項目58に記載の方法。
(項目60)
前記基板は柔軟性を有するドナー基板である、項目28に記載の方法。
(項目61)
前記柔軟性を有するドナー基板は、剥離層で被覆される、項目60に記載の方法。
(項目62)
前記柔軟性を有するドナー基板から前記導電層を剥離するステップと、前記導電層を選択の基板に適用するステップをさらに含む、項目60に記載の方法。
(項目63)
前記導電層は、前記柔軟性を有するドナー基板から剥離される前にパターン化される、項目62に記載の方法。
(項目64)
前記選択の基板は、少なくとも一つの加熱領域および少なくとも一つの非加熱領域を備え、前記導電層は、前記非加熱領域と結合するよりも、前記加熱領域をよりしっかりと結合する、項目62に記載の方法。
(項目65)
前記非加熱領域における前記導電層のみを除去するステップをさらに含む、項目64に記載の方法。
(項目66)
前記導電層は、パターンに応じて前記導電層に圧力を加えることによって前記選択の基板に適用され、前記導電層は、非加圧領域よりも加圧領域とよりしっかりと結合する、項目62に記載の方法。
(項目67)
前記非加圧領域上の前記導電層のみを除去するステップをさらに含む、項目66に記載の方法。
(項目68)
前記選択の基板は剛性である、項目62に記載の方法。
(項目69)
前記選択の基板は柔軟性である、項目62に記載の方法。
(項目70)
柔軟性を有するドナー基板と、
複数の金属ナノワイヤーに埋め込まれるマトリクスを含む導電層と、
を含む積層構造。
(項目71)
前記柔軟性を有するドナー基板と前記導電層との間に配置される剥離層であって、前記導電層から剥離可能である剥離層をさらに備える、項目70の記載の積層構造。
(項目72)
前記導電層上に配置される接着層をさらに備える、項目70に記載の積層構造。
(項目73)
前記柔軟性を有するドナー基板と前記導電層との間に配置されるオーバーコート層であって、前記導電層に接触するオーバーコート層をさらに備える、項目70に記載の積層構造。
(項目74)
前記オーバーコートは、硬質被膜、保護膜、反射防止層、防眩層、障壁層、またはその組み合わせである、項目73に記載の積層構造。
(項目75)
導電層を有する少なくとも一つの透明電極であって、該導電層は複数の金属ナノワイヤーを含む透明電極を備える、表示装置。
(項目76)
前記導電層はマトリクスをさらに備え、前記金属ナノワイヤーは該マトリクスに埋め込まれる、項目75に記載の表示装置。
(項目77)
前記金属ナノワイヤーは銀ナノワイヤーである、項目75に記載の表示装置。
(項目78)
前記マトリクスは光学的に透明な高分子である、項目76に記載の表示装置。
(項目79)
前記透明電極は腐食防止剤をさらに含む、項目75に記載の表示装置。
(項目80)
前記腐食防止剤は、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、ブチルベンジルトリアゾール、ジチオチアジアゾール、アルキルジチオチアジアゾールおよびアルキルチオール、2−アミノピリミジン、5,6−ジメチルベンゾイミダゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、2−メルカプトピリミジン、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、または2−メルカプトベンゾイミダゾールである、項目79に記載の表示装置。
(項目81)
前記腐食防止剤は、アクロレイン、グリオキサル、トリアジン、またはn−クロロコハク酸イミドである、項目79に記載の表示装置。
(項目82)
前記表示装置は、タッチスクリーン、液晶ディスプレー、またはフラットパネルディスプレイである、項目75に記載の表示装置。
図面において、同一の参照番号は、同様の要素または作用を示す。図面における要素のサイズおよび相対位置は、必ずしも一定の縮尺で描かれてはいない。例えば、さまざまな要素の形状および角度は一定の縮尺で描かれず、これらの要素のいくつかは、図面を見やすくするために、任意で拡大および配置されている。さらに、描かれる要素の特定の形状は、特定の要素の実際の形状に関するいかなる情報も伝えることを意図せず、単に、図面が認識し易いように選択されただけである。
図1は、ナノワイヤーの概略図である。 図2は、さまざまな光の波長での銀のナノ楕円体の期待光学的特性を示すグラフである。 図3は、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板上の、銀ナノワイヤー層の吸収スペクトルを示す。 図4は、ワイヤーの直径に基づく、ナノワイヤーのさまざまな抵抗性の期待値を示すグラフである。 図5は、ナノワイヤーの直径の関数として、期待される全体の抵抗性を示すグラフである。 図6は、二つの金属接触間で連結する単一の銀ナノワイヤーのSEM画像を示す。 図7は、透明導電体の生物学的鋳型として機能する糸状タンパク質網を示す。 図8は、さまざまな結合部位を介して導電性の粒子に結合されるタンパク質骨格を示す。 図9は、関連ペプチドの結合に基づく、生物学的鋳型の導電性網の形成を示す。 図10Aは、金属ナノワイヤーベースの透明導電体の実施形態を図式的に示す。 図10Bは、金属ナノワイヤーベースの透明導電体の別の実施形態を図式的に示す。 図10Cは、ナノワイヤーの一部が透明導電体の表面に露出する、金属ナノワイヤーベースの透明導電体のさらなる実施形態を図式的に示す。 図10Dは、透明導電体の表面から突出する銀ナノワイヤーのSEM画像を示す。 図10Eは、金属ナノワイヤーベースの透明導電体の別の実施形態を図式的に示す。 図11は、多層構造を有する金属ナノワイヤーベースの透明導電体のさらなる実施形態を図式的に示す。 図12は、気相制御剤(VPI)を放出するための容器を有する透明導電体の構造を示す。 図13A〜13Dは、透明導電体の作製プロセスの例を示す。 図14Aは、ウェブ被覆による透明導電体の作製プロセスの例を示す。図14Bは、ウェブ被覆による透明導電体の作製プロセスの別の例を示す。 図15Aは、透明導電体を作製するための、ウェブ被覆システムおよび流れプロセスを示す。 図15Bは、加圧の後処理後の導電層のSEM画像を示す。 図16A〜16Bは、積層プロセスの例を示す。 図17A〜17Cは、積層プロセスの別の例を示す。 図18は、導電層を光パターン化する例を示す。 図19A〜19Bは、ウェブ被覆プロセスに適切な連続的な光パターン化方法の例を示す。 図20は、パターン化される透明導電体を作製する部分的なシステムおよびプロセスを示す。 図21は、金属ナノワイヤーに基づく透明電極を備えるディスプレー装置を示す。 図22は、金属ナノワイヤーに基づく二つの透明導電体を備えるタッチスクリーン装置を示す。 図23は、調理直後の卵黄からのHSガスの一般的な放出プロファイルを示す。 図24Aは、促進HS腐食試験前と後の、導電膜の6つのサンプルの光透過性を示す。 図24Bは、促進HS腐食試験前と後の、導電膜の6つのサンプルの抵抗性を示す。 図24Cは、促進HS腐食試験前と後の、導電膜の6つのサンプルのヘイズを示す。 図25Aは、ナノワイヤーベースの透明導電膜を直接パターン化する例を示す。図25Bは、粘着テープ処理前および後のパターン化された導電膜の写真を示す。 図26A〜Fは、さまざまな倍率レベルでの、粘着テープ処理前および後のパターン化された導電膜の写真を示す。 図27A〜27Dは、溶媒処理前および後の別の例示的な導電膜の写真を示す。
特定の実施形態は、ナノワイヤーの導電層に基づく透明導電体を対象とする。具体的には、導電層は、金属ナノワイヤーの疎網を含む。さらに、導電層は、透明かつ柔軟性があり、少なくとも一つの導電性の表面を含むことができる。それは、柔軟および剛性基板をはじめとするさまざまな基板上で被覆または積層可能である。また、導電層は、マトリクス材およびナノワイヤーを含む複合構造の一部を形成することができる。マトリクス材は、一般的に、特定の化学的、機械的、および光学的特性を、複合構造に付与することができる。その他の実施形態は、導電層の作製およびパターン化の方法を説明する。
導電性ナノワイヤー
図1は、直径dで割られる長さLに相当当するアスペクト比を有するナノワイヤー2を示す。適切なナノワイヤーは、一般的に、10から100,000の範囲のアスペクト比を有する。アスペクト比が大きいと、より効果的な導電網が形成可能になると共に、高透明性のためにワイヤーの全体密度が低くなることから、透明導電体層を得るために有利になる。すなわち、高アスペクト比を有する導電性ナノワイヤーが使用される場合、導電網を達成するナノワイヤーの密度は、導電網が実質的に透明になるように十分低くなることが可能である。
層の透明性を定義する一つの方法として、吸収係数がある。層を通過する光の照度は、
I=I−ax
として定義され、
ここで、Iは、層の第一の側面上の入射光であり、Iは、層の第二の側面上の照明レベルであり、e−axは、透明度要因である。透明度要因において、aは吸収係数であり、xは層の厚さである。1に近いが1未満の透明度要因を有する層は、実質的に透明であると考えられる。
図2〜5は、導電性ナノワイヤーの光学的および電気的特徴のいくつかを示す。
図2は、さまざまな光波長での銀のナノ楕円体の光吸収の理論モデルを示す。幅と長さに応じて、銀のナノ楕円体は、400と440ナノメートルとの間の範囲の波長における光の狭帯域および700nmを越える光波長に対して高い吸光係数を示す。しかしながら、それらは、約440から約700nmの間の範囲において実質的に透明であり、可視領域に入る。
図3は、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板に蒸着される銀ナノワイヤーの層の吸収スペクトルを示す。吸収プロファイルで示されるように、PET基板上の銀ナノワイヤー層は、約440nmから700nmまでの範囲で実質的に透明であり、図2に示される理論モデルの結果と一致する。
図4および5は、金属ナノワイヤーのその直径に基づく抵抗性の理論モデルの結果を示す。ナノワイヤーの直径が大きくなると抵抗性は実質的に減少するが、より多くの光を吸収する。図4でわかるように、粒界および表面散乱に基づく抵抗性への影響は、10nm未満で大きくなる。直径が大きくなるとこれらの影響は急激に減少する。したがって、全体の抵抗性は、直径が、10nmから100nmにかけて大幅に減少する(図5も参照)。しかしながら、電気的特性におけるこの改善は、透明導電体を必要とする適用についての透明性減少とのバランスをとらなければならない。
図6は、二つのその他の電気端子6aおよび6bの間で延在して、端子6aから6bまでの電気伝導経路を提供する単一のAgナノワイヤー4を示す。「端子」という用語には、導体パッド、伝導ノード、ならびに電気的に接続され得るその他のいかなる始点および終点も含まれる。ナノワイヤーのアスペクト比、サイズ、形状、および物理的パラメーター分布は、所望の光学的かつ電気的な特性を提供するように選択される。Agナノワイヤーの一定密度を提供するこのようなワイヤーの数は、端子6aと端子6bを連結するために許容可能な電気伝導性を提供するように選択される。例えば、何百ものAgナノワイヤー4は、低抵抗の電気伝導経路を提供するために端子6aから端子6bに延出し、密度、アスペクト比、サイズ、および形状は、実質的な透明導電体を提供するために選択されることができる。よって、透明な電気伝導は、複数のAgナノワイヤーを使用して端子6aから端子6bに提供される。
理解されるように、端子6aから端子6bまでの距離は、所望の光学的特性が単一のナノワイヤーで得られないような距離であってもよい。複数の多くのナノワイヤーは、さまざまな点で相互に連結される必要があり、端子6aから端子6bまでの伝導経路を提供するようにしてもよい。本発明によれば、ナノワイヤーは、所望の光学的特性に基づいて選択される。次いで、所望の伝導経路およびその経路の全体の抵抗性を提供するナノワイヤーの数が、端子6aから端子6bまでの電気伝導層の許容可能な電気的特性を達成するように選択される。
透明層の導電率は、a)単一ナノワイヤーの伝導性、b)端子間のナノワイヤーの数、およびc)ナノワイヤーの連結性、によって主に制御される。特定のナノワイヤー密度(パーコレーション閾値とも呼ばれる)未満では、端子間の伝導性はゼロとなり、つまり連続的な電流路は、ナノワイヤーが離れすぎているために提供されなくなる。この密度を越えると、少なくとも一つの電流路が可能になる。より多くの電流路が提供されると、層の全体の抵抗性は減少する。
導電性ナノワイヤーには、高アスペクト比(例えば、10より高い)を有する、金属ナノワイヤーおよびその他の伝導性粒子が含まれる。非金属ナノワイヤーの例として、カーボンナノチューブ(CNT)、金属酸化物ナノワイヤー、導電性高分子繊維などが挙げられるがそれだけに限定されない。
本明細書で使用される際、「金属ナノワイヤー」は、元素金属、金属合金、または金属化合物(金属酸化物を含む)を含む金属ワイヤーを言及する。金属ナノワイヤーの少なくとも一つの断面寸法は、500nm未満および200nm未満、より好ましくは100nm未満である。上述のように、金属ナノワイヤーは、10を越える、好ましくは50を越える、さらに好ましくは100を越えるアスペクト比(長さ:幅)を有する。適切な金属ナノワイヤーは、銀、金、胴、ニッケル、および金めっきの銀を含むがそれだけに限定されないいかなる金属にも基づくことができる。
金属ナノワイヤーは、当技術分野で既知の方法で調製可能である。具体的には、銀ナノワイヤーは、ポリオール(例えば、エチレングリコール)およびポリ(ビニルピロリドン)の存在下で、銀塩(例えば、硝酸銀)の液相還元により合成可能である。均一サイズの銀ナノワイヤーの大量生産は、例えば、Xia,Y.et al.,Chem.Mater.(2002)、14、4736−4745およびXia,Y.et al.,Nanoletters(2003)3(7)、955−960に記載される方法に準じて調製可能である。
あるいは、金属ナノワイヤーは、鉱化可能である生物学的鋳型(または生物学的骨格)を使用して調製可能である。例えば、ウイルスおよびファージなどの生物学的物質は、金属ナノワイヤーを形成するために、鋳型として機能することができる。特定の実施形態において、生物学的鋳型は、金属または金属酸化物などの特定の種類の材料の選択的親和性を示すように設計することができる。ナノワイヤーの生物学的な作製のさらなる詳細は、参照することにより本明細書に組み込まれる、例えば、Mao,C.B.et al.,“Virus−Based Toolkit for the Directed Synthesis of Magnetic and Semiconducting Nanowires”、(2004)Science、303、213−217、Mao,C.B.et al.,“Viral Assembly of Oriented Quantum Dot Nanowires”、(2003)PNAS、vol.100,no.12、6946−6951、Mao,CB.et al.,“Viral Assembly of Oriented Quantum Dot Nanowires”、(2003)PNAS、100(12)、6946−6951、米国出願第10/976,179号、および米国仮出願第60/680,491号、に記載される。
より具体的には、導電性材料または導電体(例えば、金属ナノワイヤー)は、生物学的鋳型における導電性材料と特定の結合部位(例えば、ペプチド配列)との間の親和性に基づき、生物学的テンンプレートに直接結合することができる。
その他の実施形態において、導電性材料は、核生成過程によって形成可能で、その過程中に、前駆体は、生物学的鋳型に結合する伝導性粒子に変換され、その伝導性粒子は、連続的な導電層へとさらに成長することができる。本過程は、「鉱化」または「めっき」とも呼ばれる。例えば、金属前駆体(例えば、金属塩)は、還元剤の存在下で元素金属に変換可能である。結果として生成される元素金属は、生物学的鋳型に結合し、連続的な金属層に成長する。
その他の実施形態において、シード物質層が、生物学的物質上にまず核生成される。その後、金属前駆体は、金属に変換されて、シード物質層にめっき可能である。シード物質は、例えば、対応する金属前駆体を含む溶液から、核生成よび金属成長をもたらす物質に基づいて選択可能である。例えば、パラジウムを含むシード物質層は、CuまたはAuの鉱化をもたらすことができる。特定の例として、Cu導体を形成するための許容可能なシード物質は、パラジウム、パラジウムベースの分子、Au、またはAuベースの分子を含んでもよい。酸化物導体については、核生成物質として酸化亜鉛が使用されてもよい。シード物質の例として、Ni、Cu、Pd、Co、Pt、Ru、Ag、Co合金、またはNi合金が挙げられる。めっき可能な金属、金属合金、および金属酸化物には、Cu、Au、Ag、Ni、Pd、Co、Pt、Ru、W、Cr、Mo、Ag、Co合金(例えば、CoPt)、Ni合金、Fe合金(例えば、FePt)またはTiO,、Co、CuO、HfO、ZnO、酸化バナジウム,酸化ンジウム,酸化アルミニウム、酸化インジウムスズ、酸化ニッケル、酸化銅、酸化スズ、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化バナジウム、または酸化ジルコニウムが含まれるがそれだけに限定されない。
タンパク質、ペプチド、ファージ、バクテリア、ウイルス、および同様なものなど、さまざまないかなる生物学的物質も、金属ナノワイヤーを形成するための鋳型を提供するために使用可能である。所望の金属または導電性材料に結合する生物化学的物質を選択、生成、および設計するための技術は、米国特許番号第10/155,883および10/158,596に記載され、そのいずれもが、Cambrios Technologies Corporationの名において出願されており、参照することにより本明細書に組み込まれる。
上述のとおり、タンパク質、ペプチド、またはその他の生物学的物質などの生物学的鋳型は、選択されるシード物質または選択される導電性材料について親和性部位を有するように設計可能である。特定の物質に親和性を有するタンパク質またはペプチドは、ファージ提示法、イースト提示法、細胞表層提示法、またはその他などのタンパク質発現プロセスによって特定可能である。例えば、ファージ提示法の場合、ファージのライブラリー(例えば、M13ファージ)は、種々の異なるペプチドの配列をファージ集団に挿入することによって、形成可能である。特定の標的分子に対する高親和性を有するタンパク質は隔離可能で、そのペプチド構造は特定可能である。
具体的には、生体分子の遺伝子配列は、ファージ分子の特定のタイプにおける特定のペプチド配列の多くのコピーを提供するように制御可能である。例えば、P8タンパク質の約3000コピーは、M13ファージ分子の長さに沿って、秩序配列で配置可能である。P8タンパク質は、導電性材料の形成の核となり、導電性材料と結合可能な特定のペプチド配列を含むことによって、高伝導性の導電性ナノワイヤーを提供するように修正可能である。本技術により、有利に、生物学的鋳型分子、例えば、具体的には設計または制御されるペプチド配列を有するタンパク質を使用することによって、ナノワイヤーの形状および結晶構造を制御する能力が可能になる。そのために、ファージ構造に組み込み可能な銀、金、またはパラジウムに対して結合親和性を有するペプチドまたはタンパク質が特定されて、ファージ分子の寸法に基づく寸法でナノワイヤーを形成する。
ファージ以外の生物学的物質は、導電性ナノワイヤーの形成のための鋳型として使用可能である。例えば、長さが数十ミクロンの長鎖に自己組織化する糸状タンパク質は、代替えの鋳型として使用可能である(図7参照)。有利には、そのような鋳型のタンパク質は、ファージよりも大幅に大きいアスペクト比を有するように合成可能であり、結果として導電性ナノワイヤーのパーコレーション閾値密度が低くなる。さらに、タンパク質は、ファージ分子よりも大量に合成し易い。清浄分散剤として使用される酵素などのタンパク質の大量製造は、十分開発されている。
図8は、伝導性粒子8bと結合する多くの結合部位8aを有するタンパク質骨格8の概略図版を示す。結合部位は、Au、Ag、Cu、およびNiなどの伝導性粒子に対して親和性を有するように選択される。あるいは、結合部位8aは、Cuなどの伝導性粒子をさらに核にすることが可能なシード物質層(例えば、PdおよびAu)に対して親和性を有する。また、タンパク質骨格8は、そのような親和性を複数の結合部位8aを有するように設計可能である。それらは、最終的な導電層の伝導性を高めるために、その長さにそって頻繁および一定に間隔を空けることが好ましい。
タンパク質などの生物学的物質の長さならびにその寸法は、既知の技術を使用して容易に設計される。それは、光学的特定のために的確な寸法を有するように設計される。サイズ、形状、およびアスペクト比が選択されると、生物学的物質は、金属または金属の前駆体などの導電性材料8bに暴露可能である。
図9は、生物学的鋳型を使用して導電性ナノワイヤーを作製するさらなる実施形態を示す。タンパク質骨格8は、関連ペプチド9aおよび9bのような結合パートナーを各端に含むようにさらに設計可能である。結合パートナーは、イオン相互作用、共有結合、水素結合、疎水性相互作用、および同様なものなどのいかなる種類の結合性相互作用によっても相互に結合可能である。図8の最終配列で示されるように、関連ペプチド9aと9bとの間の相互作用によって、導電性ナノワイヤーの2−D相互連結メッシュ網への自己組織化が促進される。関連ペプチドおよびその位置は、メッシュ形成、端間連結、交差連結、および導電層のその他の所望の形状を促進する種類であってもよい。図8に示される例において、導電性材料8bは、タンパク質骨格が網を形成する前にタンパク質骨格8に既に結合している。タンパク質骨格8は、導電性材料の結合前に網を形成可能であることも理解されたい。
したがって、関連ペプチドまたはその他の結合パートナーを有する生物学的鋳型を使用することによって、ランダムなナノワイヤーで考えられ得るものよりも、より連結した導電層の形成が可能になる。ゆえに、生物学的鋳型の特定の網は、導電層の所望の秩序度を達成するように選択可能である。
鋳型に基づく合成は、特定の寸法、形態、および組成を有するナノワイヤーの作製に特に適している。ナノ材料の生物学的ベースの製造に関するさらなる利点として、導電層の高スループット、常温蒸着、および優れた適合性、生産について修正可能である溶解処理が挙げられる。
導電層および基板
例示されるように、図10Aは、基板14上に被覆される導電層12を備える透明導電体10を示す。導電層12は、複数の金属ナノワイヤー16を備える。金属ナノワイヤーは、導電網を形成する。
図10Bは、導電層12’が基板14上に形成される透明導電体10’の別の例を示す。導電層12’は、マトリクス18に埋め込まれる複数の金属ナノワイヤー16を含む。
「マトリクス」は、金属ナノワイヤーが分散または埋め込まれる固体材料を言及する。ナノワイヤーの一部は、導電網にアクセス可能にするようにマトリクス材から突出してもよい。マトリクスは、金属ナノワイヤーの宿主であり、導電層の物理的形状を提供する。マトリクスは、腐食および摩耗などの有害環境要因から金属ナノワイヤーを保護する。具体的には、マトリクスは、湿気、微量の酸、酸素、硫黄、および同様なものなどの環境における腐食要因の透過性を大幅に軽減する。
さらに、マトリクスは、有益な物理的および機械的性質を導電層に提示する。例えば、基板に接着を提供することができる。さらに、金属酸化物皮膜とは違って、金属ナノワイヤーに埋め込まれる高分子または有機マトリクスは、頑丈でかつ柔軟性がある。本明細書でさらに詳しく説明されるように、柔軟性を有するマトリクスにより、低コストで高スループットのプロセスで透明導電体を作製することが可能になる。
さらに、導電層の光学的特性は、適切なマトリクス材を選択することによって調整することができる。例えば、反射損および不要なグレアは、所望の屈折率、組成、および厚さを有するマトリクスを使用することによって軽減可能である。
一般的に、マトリクスは、光学的に透明材料である。材料の光透過性が、可視領域(400nm〜700nm)で少なくとも80%である場合、材料は、光学的に透明であえることが考えられる。別途規定のない限り、本明細書で説明される透明導電体の全ての層(基板を含む)は、好ましくは、光学的に透明である。マトリクスの光学的透明度は、屈折率(RI)、厚さ、その厚さ全体のRI一貫性、表面(界面を含む)反射、およびヘイズ(表面粗度および/または埋め込み分子によってもたらされる分散損失)を含むがそれだけに限定されない多数の要因によって、一般的に決定される。
特定の実施形態において、マトリクスは、約10nmから5μmの厚さ、約20nmから1μmの厚さ、または約50nmから200nmの厚さである。その他の実施形態において、マトリクスは、約1.3から2.5または1.35から1.8の屈折率を有する。
特定の実施形態において、マトリクスは高分子であり、高分子マトリクスとしても呼ばれる。光学的に透明な高分子は、当技術分野において既知である。適切な高分子マトリクスの例として、ポリメタクリル酸(例えば、ポリ(メタクリル酸メチル))、ポリアクリレート、およびポリアクリロニトリルなどのポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリエステル(例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート)、フェノールまたはクレゾール−ホルムアルデヒド(Novolacs(登録商標))、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフィド、ポリスルホン、ポリフェニレン、およびポリフェニルエーテルなどの高芳香性を有する高分子、ポリウレタン(PU)、エポキシ、ポリオレフィン(例えば、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、および環状オレフィン)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS)、セルロース、シリコンおよびその他のシリコン含有高分子(例えば、ポリシルセスキオキサンおよびポリシラン)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム(例えば、EPR、SBR、EPDM)、およびフッ素重合体(例えば、ポリビニリデンフルオライド、ポリテトラフルオロエチレン(TFE)、またはポリヘキサフルオロプロピレン)、フルオロ−オレフィンの共重合体、および炭化水素オレフィン(例えば、Lumiflon(登録商標))、および非晶質フルオロカーボン重合体または共重合体(例えば、旭硝子のCYTOP(登録商標)またはデュポンのTeflon(登録商標)AF)が挙げられるがそれだけに限定されない。
その他の実施形態において、マトリクスは、無機材料である。例えば、シリカ、ムライト、アルミナ、SiC、MgO−Al-SiO、Al−SiO、MgO
−Al−SiO−LiO、またはその組み合わせに基づくゾルゲルマトリクスが使用可能である。
特定の実施形態において、マトリクス自体は導電性である。例えば、マトリクスは導電性高分子である。導電性高分子は、当技術分野においてよく知られており、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリジアセチレンを含むがそれだけに限定されない。
「導電層」または「導電膜」は、透明導電体の導電性媒体を提供する金属ナノワイヤーの網層を言及する。マトリクスが存在する場合、金属ナノワイヤーの網層とマトリクスとの組み合わせも、「導電層」と呼ばれる。伝導性は、一方の金属ナノワイヤーから別の金属ナノワイヤーまでの電荷浸透によって達成されるため、十分な金属ナノワイヤーが、導電層に存在し、電気パーコレーション閾値に到達し、導電性を有するようにしなければならない。導電層の表面伝導率は、当技術分野で既知の方法で測定可能であるシート抵抗とも呼ばれるその表面抵抗率に反比例する。
同様に、マトリクスが存在する場合、マトリクスは、導電性であるために、十分な金属ナノワイヤーに充填されている。本明細書で使用される際、「閾値荷重度」は、導電層が約10Ω/スクエア以下の導電層の荷重後の、重量による金属ナノワイヤーの割合を言及する。閾値荷重度は、金属ナノワイヤーのアスペクト比、整列度、凝集度、および抵抗度などの要因によって決まる。
当技術分野に精通する者に理解されるように、マトリクスの機械的および光学的特性は、その中の分子の高荷重によって変化または影響を受ける可能性がある。有利には、金属ナノワイヤーの高アスペクト比により、銀ナノワイヤーに関して、好ましくは約0.05μg/cmから約10μg/cm、さらに好ましくは、約0.1μg/cmから約5μg/cm、およびさらに好ましくは、約0.8μg/cmから約3μg/cmの閾値表面荷重度で、マトリクスによる導電網の形成が可能になる。これらの表面荷重度は、マトリクスの機械的または光学的特性に影響を及ぼさない。これらの値は、ナノワイヤーの寸法および空間分散に大きく依存する。有利には、調整可能な伝導率(または表面抵抗率)および光透過性を有する透明導電体が、金属ナノワイヤーの荷重度を調整することによって提供可能である。
特定の実施形態において、導電層は、図10Bに示されるようにマトリクスの全層に及ぶ。有利には、金属ナノワイヤーの特定部分は、マトリクス材(例えば、高分子)のマトリクスの表面張力によりマトリクスの表面19に露出される。本特徴は、タッチスクリーン用途に特に有用である。具体的には、透明導電体は、その少なくとも一つの表面に表面伝導率を呈することができる。図10Cは、マトリクスに埋め込まれる金属ナノワイヤーの網の表面伝導率達成がいかに考えられるかを示す。図示されるように、ナノワイヤー16aなどのいくつかのナノワイヤーが、マトリクス18に全体的に「沈んで」いてもよく、一方、端16bなどのその他のナノワイヤーの端は、マトリクス18の表面19に突出してもよい。また、中間部分16cなどのナノワイヤーの中間部分は、マトリクス18の表面19上に突出してもよい。ナノワイヤーの端16bおよび中間部分16cが、マトリクス18から十分に突出する場合、透明導電体の表面は導電性になる。図10Dは、透明導電体のマトリクス上に突出するナノワイヤーの端および中間部分の輪郭を示す透明導電体の一実施形態の表面の走査型電子顕微鏡写真である。
その他の実施形態において、導電層は、図10Eに示されるように、マトリクスの一部に埋め込まれる金属ナノワイヤーによって形成される。導電層12”は、マトリクス18の一部のみを占め、マトリクス18に完全に「沈んで」いる。
「基板」または「選択の基板」は、その上に導電層が被覆または積層される材料を言及する。基板は、剛性または柔軟性を有することができる。基板は、透明または不透明であることができる。「選択の基板」という用語は、本明細書で説明される場合、一般的に、積層プロセスに関して使用される。適切な剛性基板は、例えば、ガラス、ポリカーボネート、アクリル、および同様なものを含む。適切な柔軟性を有する基板は、ポリエステル(例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート)、ポリオレフィン(例えば、直鎖、分枝、および環状ポリオレフィン)、ポリビニル(例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール、ポリスチレン、ポリアクリレート、および同様なもの)、セルロースエステルベース(例えば、三酢酸セルロース、酢酸セルロース)、リエーテルスルホンなどのポリスルホン、ポリイミド、シリコン、およびその他の従来の高分子膜を含むがそれだけに限定されない。適切な基板の追加の例は、例えば、米国特許第6,975,067号に見られる。
一般的に、導電層の光学的透明性または透明度は、光透過性およびヘイズを含むパラメーターによって定量的に規定可能である。「光透過性」は、媒体を介して透過される入射光線の割合を言及する。さまざまな実施形態において、導電層の光透過性は、少なくとも80%であり、高くても98%であることが可能である。導電層が基板上に蒸着または積層される透明導電体について、全体構造の光透過性が、わずかに低下する場合がある。接着層、反射防止層、防眩層などの性能向上層により、透明導電体の全体の光透過性がさらに低減してもよい。さまざまな実施形態において、透明導電体の光透過性は、少なくとも50%、少なくとも60%、少なくとも70%、または少なくとも80%であり、高くても少なくとも91%から92%であることが可能である。
ヘイズは、光拡散の指数である。入射光線から分散および透過中に散乱される光の量の割合を言及する。主に媒体の特性である光透過性と違って、ヘイズは、多くの場合、生産関連事項であり、一般的に、媒体の表面粗度および埋め込み分子または組成不均質性によってもたらされる。さまざまな実施形態において、透明導電体のヘイズは、10%以下、8%以下、または5%以下で、低くても2%から0.5%以下であってもよい。
性能向上層
上述のように、導電層は、マトリクスにより優れた物理的および機械的特徴を有する。これらの特徴は、透明導電体構造に追加の層を導入することによってさらに向上可能である。したがって、その他の実施形態において、反射防止層、防眩層、接着層、障壁層、および硬質被膜などの一つ以上の層を備える多層の透明導電体が記載される。
実例として、図11は、上に記載されるように、導電層12および基板14を備える多層透明半導体20を示す。多層透明導電体20は、導電層12の上に位置する第一の層22、導電層12と基板14との間に位置する第二の層24、および基板14の下に位置する第三の層26をさらに備える。別段表記の無い限り、層22、24、および26の各々は、一つ以上の反射防止層、防眩層、接着層、障壁層、硬質被膜、および保護膜であることが可能である。
層22、24、および26は、透明導電体の全体の光学的性能の向上および機械的特性の改善など、さまざまな機能の役割を果たす。これらの追加の層も、「性能向上層」と呼ばれ、一つ以上の反射防止層、防眩層、接着層、障壁層、および硬質被膜であることが可能である。特定の実施形態において、一つの性能向上層によって、多くの利益が提供される。例えば、反射防止層は、硬質被膜および/または障壁層としての役割も果たすことができる。それらの特定の特性に加え、性能向上層は、本明細書で定義されるように、光学的に透明である。
一実施形態において、層22は反射防止層であり、層24は接着層であり、層26は硬質被膜である。
別の実施形態において、層22は硬質被膜であり、層24は障壁層であり、層26は反射防止層である。
さらに別の実施形態において、層22は、反射防止層、防眩、障壁層、および硬質被膜の組み合わせであり、層24は接着層であり、層26は反射防止層である。
「反射防止層」は、透明導電体の反射面における反射損を低減可能な層を言及する。したがって、反射防止層は、透明導電体の外側に、または層の間の接触面として位置することができる。反射防止層の適切な材料は、当技術分野において既知であり、フッ素重合体混合または共重合体を含むがそれだけに限定されず、例えば、米国特許番号第5,198,267号、5,225,244号、および7,033,729号を参照すること。
その他の実施形態において、反射損は、反射防止層の厚さを制御することによって効果的に低減可能である。例えば、図11を参照すると、層22の厚さは、表面28および表面30の光反射が相殺するように制御可能である。したがって、さまざまな実施形態において、反射防止層は、約100nmまたは200nmの厚さである。
反射損は、織り目加工の表面の適切な使用によっても低減可能であり、例えば、米国特許第5820957号およびMacDiarmid Autotype社のAutoflex MARAGTMおよびMotheyeTM製品についての文献を参照すること。
「防眩層」は、反射を散乱する表面上に細かい粗さを提供することによって透明導電体の外側で不要な反射を低減する層を言及する。適切な防眩材料は、当技術分野においてよく知られており、シロキサン、ポリスチレン/PMMA混合、ラッカー(例えば、酢酸ブチル/ニトロセルロース/ワックス/アルキド樹脂)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリウレタン、ニトロセルロース、およびアクリレートを含むがそれだけに限定されず、それら全ては、コロイド状または溶融状シリカなどの光拡散材料を含んでもよい。例えば、米国特許第6,939,576号、5,750,054号、5,456,747号、5,415,815号、および5,292,784号を参照のこと。これらの材料の混合および共重合体は、防眩するための光拡散挙動を提示可能である微少の組成不均一性を有することができる。
「硬質被膜」または「耐摩耗層」は、キズおよび摩耗に対して付加的な表面保護を提供する被覆を言及する。適切な硬質被膜の例として、ポリアクリル酸、エポキシ、ポリウレタン、ポリシラン、シリコン、ポリ(シリコ−アクリル)などの合成高分子が挙げられる。一般的に、硬質被膜はコロイド状シリカも含む(例えば、米国特許第5,958,514号、7,014,918号、6,825,239号、およびそこに引用される参考文献を参照)。硬質被膜の厚さは、一般的に約1から50μmである。硬度は、当技術分野の既知の方法、例えば、スチールウール#000の被覆に、300g/cmの荷重下で2往復/秒、2cm間隔で往復50回傷を付けるなどして評価可能である(米国特許第6,905,756号参照)。硬質被膜は、当技術分野における既知の方法によって、防眩プロセスまたは反射防止処理にさらに暴露されてもよい。
「接着層」は、いずれの層の物理的、電気的、または光学的特性に影響を及ぼすことなく、二つの隣接する層(例えば、導電層および基板)を接着するいかなる光学的に透明な材料も言及する。光学的に透明な接着材料は、当技術分野においてよく知られており、アクリル樹脂、塩素化オレフィン樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体の樹脂、マイレン
酸樹脂、塩化ゴム樹脂、環化ゴム樹脂、ポリアミド樹脂、クマロンインデン樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体の樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、スチレン樹脂、ポリ
シロキサン、および同様なものを含むがそれだけに限定されない。
「障壁層」は、ガスまたは流体の透明導電体への透過を低減または防止する層を言及する。腐食した金属ナノワイヤーは、導電層の大幅な導電率低下ならびに大幅な光透過性低下をもたらす可能性があることが証明されている。障壁層は、大気の腐食性ガスが導電層に入り、マトリクス内の金属ナノワイヤーに接触しないように効果的に抑制することができる。障壁層は、当技術分野においてよく知られており、例えば、米国特許出願第2004/0253463号、米国特許第5,560,998号および4,927,689号、欧州特許第132,565号、日本国特許第57,061,025を参照を含むがそれだけに限定されない。さらに、反射防止層、防眩層、および硬質被膜のいずれも、障壁層としても役割も果たすことができる。
特定の実施形態において、多層透明導電体は、導電層上に保護膜をさらに備えてもよい(例えば、層22)。保護膜は、一般的に柔軟性を有し、柔軟性を有する基板と同一材料から形成可能である。保護膜の例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、アクリル樹脂、ポリカーボネート(PC)、ポリスチレン、トリアセテート(TAC)、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン−架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファン、ポリオレフィン、または同様なものが挙げられるがそれだけに限定されず、具体的には、その高力のため、PET、PC、PMMA、またはTACが好ましい。
腐食防止剤
その他の実施形態において、透明導電体は、上記の障壁層に加えて、またはそれの代わりに腐食防止剤を備えてもよい。異なる腐食防止剤により、異なる機序に基づいて、金属ナノワイヤーに保護が提供されてもよい。
一機序によると、腐食防止剤は、金属ナノワイヤーに容易に結合し、金属表面において保護膜を形成する。それらは、障壁形成腐食防止剤とも呼ばれる。
一実施形態において、障壁形成腐食防止剤は、芳香族トリアゾール、イミダゾール、およびチアゾールなどの特定の窒素含有および硫黄含有有機化合物を含む。これらの化合物は、金属表面上に安定複合体を形成し、金属とその環境の間に障壁を提供することが立証されている。例えば、ベンゾトリアゾール(BTA)は、銅または銅合金のための一般的な有機腐食防止剤である(スキーム1)。トリルトリアゾールおよびブチルベンジルトリアゾールなどのアルキル置換ベンゾトリアゾールも使用可能である(例えば、米国特許第5,270,364号参照)。腐食防止剤の付加的な適切な例として、2−アミノピリミジン、5,6−ジメチルベンゾイミダゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、2−メルカプトピリミジン、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、および2−メルカプトベンゾイミダゾールが挙げられるがそれだけに限定されない。
スキーム1
Figure 2014212117
別の種類の障壁形成腐食防止剤には、金属表面に特定の親和性を示す生体分子が含まれる。これらには、例えば、システイン、および合成ペプチド、ならびにEEEEなどの金属に対して親和性を有する融合ペプチド配列を有するタンパク質骨格などの小さな生体分子が含まれ、米国出願第10/654,623号、10/665,721号、10/965,227号、10/976,179号、および11/280,986号、米国仮出願第60/680,491号、60/707,675号、および60/680,491号を参照すること。
その他の障壁形成腐食防止剤には、ジチオチアジアゾール、アルキルジチオチアジアゾール、およびアルキルチオールが含まれ、アルキルは飽和C-C24直鎖状炭化水素で
ある。本種類の腐食防止剤は、金属表面で自己組織化し、単層を形成することによって(スキーム2)、金属表面を腐食から保護することができる。
スキーム2
Figure 2014212117
具体的な実施形態において、透明導電体は、腐食防止剤を含む容器を備え、腐食防止剤を気相に連続的に供給することができる。そのような除放に適した腐食防止剤には、「気相制御剤」(VPI)が含まれる。VPIは、一般的に、金属ナノワイヤーの表面上で単層を昇華および形成する揮発性固形物質である。有利には、VPIは、金属表面に放出されて、長期的に保護するために持続的に補充可能である。適切なVPIには、本明細書で記載されるように、トリアゾール、ジチオチアジアゾール、アルキルジチオチアジアゾール、およびアルキルチオールなどの障壁形成防止剤が含まれる。
図12は、タッチスクリーンに適したそのような透明導電体構造を示す。より具体的には、端封32およびスペーサー36は、二つの導電層12の間に位置する。その二つの導電層12の間の空間に、一つ以上の容器40が存在する。容器40は、その存在によって透明導電体の透過率が低下しないように、微視的であり、かつ疎に分散される。容器は、高分子マトリクスに組み込むまたは多孔質材料に浸透する腐食防止剤を含み、そこから気相に昇華され、金属ナノワイヤーの表面上に単層44を形成することができる(差し込み図参照)。
別の機序によれば、腐食防止剤は、金属ナノワイヤーとよりも、腐食要素(例えば、HS)とより容易に結合する。これらの腐食防止剤は、金属と競合して腐食要素を封鎖する「捕捉剤」または「ゲッター」として知られている。HS捕捉剤の例として、アクロレイン、グリオキサル、トリアジン、およびn−クロロコハク酸イミドを含むがそれだけに限定されない(例えば、米国公報出願第2006/0006120号参照)。
特定の実施形態において、腐食防止剤(例えば、HS捕捉剤)は、マトリクスに分散可能であるが、但し、その存在が、導電層の光学的または電気的特性に悪影響を及ぼさない場合に限る。
その他の実施形態において、金属ナノワイヤーは、基板に蒸着される前または後に、腐食防止剤で調製可能である。例えば、金属ナノワイヤーは、例えばBTAなどの障壁形成腐食防止剤で調製可能である。さらに、金属ナノワイヤーは、錆び止め溶液で処理されることもできる。金属錆び止め処理は当技術分野において既知である。HS腐食を対象とする特定の処理は、例えば、米国特許第4,083,945号および米国公報出願第2005/0148480号に記載される。
おさらにその他の実施形態において、金属ナノワイヤーは、大気中元素により腐食傾向の低い別の金属と、合金またはめっき可能である。例えば、銀ナノワイヤーは、HSによる腐食の影響を受けにくい金でめっき可能である。
特定の実施形態において、本明細書で記載される透明導電体は、シート被覆および高スループットウェブ被覆をはじめとするさまざまな被覆方法によって、作製可能である。その他の実施形態において、積層方法が使用可能である。有利には、本明細書に記載される作製プロセスは、金属酸化物皮膜の現在の作製とは対称的に、真空蒸着を必要としない。代わりに、作製プロセスは、従来の溶解処理器具を使用して実行可能である。さらに、作製プロセスは、透明導電体の直接的なパターンに適合する。
ナノワイヤー蒸着および透明導電体作製
特定の実施形態において、本明細書に記載される透明導電体を作製する方法は、複数の金属ナノワイヤーを基板上に蒸着するステップであって、その金属ナノワイヤーが流体で分散されるステップと、その流体を乾燥させて金属ナノワイヤー網層を基板上に形成ステップとを含む。
金属ナノワイヤーは、上記のように調製可能である。金属ナノワイヤーは、一般的に、蒸着しやすいように流体に分散される。本明細書で使用される際、「蒸着」および「被覆」はほぼ同じ意味で使用されることが理解されたい。金属ナノワイヤーが安定分散(「金属ナノワイヤー分散」とも呼ばれる)を形成可能ないかなる非腐食性流体も使用可能である。好ましくは、金属ナノワイヤーは、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素、または芳香族溶剤(ベンゼン、トルエン、キシレン等)において分散される。さらに好ましくは、その流体は、揮発性であり、200℃以下、150℃以下、または100℃以下の沸点を有する。
さらに、金属ナノワイヤー分散は、粘度、腐食、接着、およびナノワイヤー分散を制御するために、添加剤および結合剤を含んでもよい。適切な添加剤および結合剤の例として、カルボキシメチルセルロース(CMC)、2−ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、ヒドロキシプロピルメチルセルロース(HPMC)、メチルセルロース(MC)、ポリビニルアルコール(PVA)、トリプロピレングリコール(TPG)、およびキサンタンゴム(XG)、およびエトキシレート、アルコキシレート、エチレンオキシド、および酸化プロピレンなどの界面活性剤、およびそれらの共重合体、スルホン酸塩、硫酸塩、ジスルホン酸塩、塩、スルホコハク酸塩、リン酸エステル、およびふっ素系界面活性剤(例えば、DuPont社のZonyl(登録商標))が挙げられるがそれだけに限定されない。
一例において、ナノワイヤー分散または「インク」には、重量0.0025%から0.1%の界面活性剤(例えば、好適な範囲は、Zonyl(登録商標) FSO−100で0.0025%から0.05%である)、0.02%から4%の粘度調整剤(例えば、好適な範囲は、HPMCで0.02%から0.5%である)、94.5%から99.0%の溶媒、および0.05%から1.4%の金属ナノワイヤーが含まれる。適切な界面活性剤の代表例として、Zonyl(登録商標) FSN、Zonyl(登録商標) FSO、Zonyl(登録商標) FSH、Triton(x100、x114、x45)、Dynol(604、607)、n−Dodecyl b−D−maltoside、およびNovekが挙げられる。適切な粘度調整剤の例として、ヒドロキシプロピルメチルセルロース(HPMC)、メチルセルロース、キサンタンゴム、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースが挙げられる。適切な溶媒の例として、水およびイソプロパノールが挙げられる。
上記開示の分散密度を変更したい場合は、溶媒の割合を増加または減少可能である。しかしながら、好適な実施形態において、その他の成分の相対比率は変更しない。具体的には、粘度調整剤に対する界面活性剤の比率は、好ましくは、約80から約0.01の範囲内であり、金属ナノワイヤーに対する粘度調整剤の比率は、好ましくは、約5から約0.000625の範囲内であり、ならびにに界面活性剤対する金属ナノワイヤーの比率は、好ましくは、約560から約5の範囲内である。分散成分の比率は、使用される基板および用途の方法に応じて修正してもよい。ナノワイヤー分散の好適な粘度の範囲は、約1から100cPまでである。
任意で、基板は、ナノワイヤーのその次の蒸着を十分に受けるために、前処理されて、表面を調製することができる。表面前処理は多くの機能の役割を果たす。例えば、表面前処理によって、均一なナノワイヤー分散層の蒸着が可能になる。さらに、表面前処理によって、次の処理工程のためにナノワイヤーを基板に固定することが可能になる。さらに、前処理は、ナノワイヤーのパターン蒸着を形成するために、パターン工程と併用して実行可能である。以下により詳しくさらに説明されるように、前処理には、適切な化学またはイオン状態をナノワイヤー蒸着に提示するために、任意でパターン化される中間層の溶媒または化学薬品洗浄、加熱、蒸着に加え、プラズマ処理、紫外オゾン処理、またはコロナ放電などの表面処理がさらに含まれる。
蒸着後、流体は蒸発によって除去される。蒸発は、加熱(例えば、焼成)によって促進可能である。結果としてもたらされるナノワイヤー網層は、電気的に導電性を付与するために後処理を必要としてもよい。本後処理は、以下に記載されるように、熱、プラズマ、コロナ放電、紫外オゾン、または圧力への暴露を伴うプロセス工程であることが可能である。
特定の実施形態において、本明細書に記載される透明導電体を作製する方法は、複数の金属ナノワイヤーを基板上に蒸着するステップであって、その金属ナノワイヤーが流体で分散されるステップと、その流体を乾燥させて金属ナノワイヤー網層を基板上に形成ステップと、その金属ナノワイヤー網層にマトリクス材を被覆するステップと、マトリクスを形成するためにそのマトリクス材を硬化するステップとを含む。
「マトリクス材」は、本明細書で定義されるように、マトリクスに硬化可能な材料または材料の組み合わせを言及する。「硬化する」または「硬化」は、単量体または部分的な高分子(150単量体未満)が、重合および/または架橋して、固体高分子マトリクスを形成するプロセスを言及する。適切な重合条件は、当技術分野においてよく知られており、一例として、可視光線または紫外線、電子線、および同様なものによる単量体の加熱、単量体の照射が含まれる。さらに、溶媒除去によって同時にもたらされる高分子/溶媒系の「凝固」も、「硬化」の意味に含まれる。
特定の実施形態において、マトリクス材は、高分子を含む。光学的に透明な高分子は、当技術分野において既知である。適切な高分子マトリクスの例として、ポリメタクリル酸、ポリアクリレート、およびポリアクリロニトリルなどのポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリエステル(例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート)、フェノールまたはクレゾール-ホルムアル
デヒド(Novolacs(登録商標))、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフィド、ポリスルホン、ポリフェニレン、およびポリフェニルエーテルなどの高芳香性を有する高分子、ポリウレタン(PU)、エポキシ、ポリオレフィン、(例えば、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、および環状オレフィン)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS)、セルロース、シリコンおよびその他のシリコン含有高分子(例えば、ポリシルセスキオキサンおよびポリシラン)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム(例えば、EPR、SBR、EPDM)、およびフッ素重合体(例えば、ポリビニリデンフルオライド、ポリテトラフルオロエチレン(TFE)、またはポリヘキサフルオロプロピレン)、フルオロ−オレフィンの共重合体、および炭化水素オレフィン(例えば、Lumiflon(登録商標))、および非晶質フルオロカーボン重合体または共重合体(例えば、旭硝子のCYTOP(登録商標)またはデュポンのTeflon(登録商標)AF)が挙げられるがそれだけに限定されない。
その他の実施形態において、マトリクス材はプレポリマーを含む。「プレポリマー」は、本明細書で記載されるように、重合および/または架橋して高分子マトリクスを形成可能な、単量体の混合物またはオリゴマーまたは部分的な高分子の混合物を言及する。当技術分野に精通する者は、所望の高分子マトリクスの観点から適切な単量体または部分的な高分子を選択することについて認識している。
好適な実施形態において、プレポリマーは光硬化型であり、つまり、プレポリマーは、照射に暴露されて重合および/または架橋する。より詳しく説明されるように、光硬化型なプレポリマーに基づくマトリクスは、選択領域において照射に暴露することによってパターン化されることができる。その他の実施形態において、プレポリマーは熱硬化型であり、熱源に選択的に暴露することによってパターン化されることができる。
一般的に、マトリクス材は流体である。マトリクス材は、任意で溶媒を含んでもよい。マトリクス材を効果的に溶媒和または分散するいかなる非腐食性溶媒も使用可能である。適切な溶媒の例として、水、アルコール、ケトン、テトラヒドロフラン、炭化水素(例えば、シクロヘキサン)、または芳香族溶剤(ベンゼン、トルエン、キシレン等)が挙げられる。さらに好ましくは、溶媒は、揮発性であり、200°C以下、150°C以下、または100°C以下の沸点を有する。
特定の実施形態において、マトリクス材は、架橋剤、重合開始剤、安定剤(例えば、酸化防止剤および製品寿命長期化のための紫外線安定剤、および保存期間改善のための重合防止剤)、界面活性剤、および同様なものを含んでもよい。その他の実施形態において、マトリクス材は、腐食防止剤をさらに含んでもよい。
本明細書で述べられるように、透明導電体は、例えば、シート被覆、ウェブ被覆、印刷、および積層によって作製可能である。
(a)シート被覆
シート被覆は、いかなる基板上、具体的には剛性基板に導電層を被覆することに適している。
図13A〜13Bは、シート被覆による透明導電体の作製の実施形態を示す。金属ナノワイヤー分散(図示せず)は、基板14にまず蒸着可能である。ローラー100は、基板14の上面105で回転し、金属ナノワイヤーの分散層110を上面105上に置く(図13A)。層110は、乾燥可能になり、金属ナノワイヤー網層114が、表面105上に形成される(図13B)。
基板は、次のプロセス工程で基板に接着する均一なナノワイヤー分散層110の蒸着を可能にするために、前処理を必要としてもよい。本処理には、適切な化学またはイオン状態をナノワイヤー蒸着に提示するために、任意でパターン化される中間層の溶媒または化学薬品洗浄、加熱、蒸着に加え、プラズマ処理、紫外オゾン処理、またはコロナ放電などの表面処理がさらに含まれる。
例えば、中間層は、ナノワイヤーを固定するために、基板の表面に蒸着可能である。中間層は、基板を機能的にして修正することによって、ナノワイヤーと基板との接着を促進する。特定の実施形態において、中間層は、ナノワイヤーに蒸着する前に基板上に被覆可能である。その他の実施形態において、中間層は、ナノワイヤーと同時に蒸着可能である。
特定の実施形態において、ポリペプチドなどの多機能生体分子が、中間層として使用可能である。ポリペプチドは、ペプチド(アミド)結合によって接合されるアミノ酸(単量体)の高分子配列を言及する。ポリペプチドにおけるアミノ酸単量体は、同一または異なることができる。側鎖官能基を有するアミノ酸(例えば、アミノまたはカルボン酸基)が好ましい。適切なポリペプチドの例として、ポリ−L−リジン、ポリ−L−グルタミン酸、および同様なものが挙げられる。ポリペプチドは、ナノワイヤー蒸着前に基板上に被覆可能である。あるいは、ポリペプチドは、ナノワイヤー蒸着と同時に基板に蒸着可能である。ガラス、ポリエステル基板(例えば、ポリエチレンテレフタレート)を含む基板の多くは、ポリペプチドに対して親和性を示す。
有利には、中間層は、同一のパターンに基づきナノワイヤーの蒸着を可能にする既定のパターンで蒸着可能である。
その他の処理方法も、パターン蒸着を実行する目的で、パターン化工程と併用して実行可能である。例えば、プラズマ表面処理は、所望のパターンを有するアパーチュアマスクを介して実行可能である。したがって、基板の表面は、少なくとも一つの前処理領域および少なくとも一つの未処理領域を備える。前処理領域に蒸着されるナノワイヤーは、未処理領域に接着するよりもうまく基板に接着する。したがって、パターン蒸着は、未処理領域のナノワイヤーを、例えば、洗浄して除去することによって達成可能である。
上記の前処理は、以下の説明に準じて透明導電体を作製するその他の方法にも適用することが理解されたい。
形成されるナノワイヤー網層は、電気的に導電性を付与するために後処理をさらに必要としてもよい。本後処理は、以下にさらに詳しく説明されるように、熱、コロナ放電、紫外オゾン、または圧力への暴露を伴うプロセス工程であることが可能である。
いくつかの実施形態において、マトリクス材は、ナノワイヤー網層114上に被覆されて、マトリクス材層116を形成することができる(図13C)。図13Dに示されるように、マトリクス材層116は、図10A〜10Eのマトリクスおよび構造を得るために硬化可能である。
ブラシ、スタンプ、スプレー塗布器、スロットダイ塗布器、またはその他のいかなる適切な塗布器も、ローラー100の代わりに使用可能であることが理解されたい。さらに、以下にさらに説明されるように、正逆グラビア印刷、スロットダイ被覆、正逆ビード被覆、およびドローダウンテーブルも、ナノワイヤーを基板に蒸着するのに使用可能である。有利には、既定のパターンの陥凹を有するローラーまたはスタンプが、パターン化される金属ナノワイヤー分散層またはマトリクス材層を被覆して、パターン化される導電層を印刷する(例えば、グラビア印刷)ために使用可能である。また、導電層は、アパーチュアマスクを介してナノワイヤーまたはマトリクス製剤を基板に噴射することによって、パターン化が可能である。マトリクス材層がパターン化層に蒸着または硬化される場合、パーコレーション閾値以下にナノワイヤーの密度を落とすために、十分な数のナノワイヤーを取り除くことによって金属ナノワイヤー層に転写可能である。ナノワイヤーは、適切な溶媒で洗浄またはブラッシングすること、または粘着性または接着性のあるローラーに移行することにより除去可能である。
付加的な蒸着または被覆が実行可能であると共に、二つの連続的な被覆工程の間に乾燥または硬化可能であることがさらに理解されたい。例えば、いかなる数の性能向上層も、上記と同一の方法で被覆可能である。
(b)ウェブ被覆
ウェブ被覆は、高速(高スループット)被覆用途のために、繊維産業および製糸業において用いられてきた。それは、透明導電体作製の蒸着(被覆)プロセスと一致する。有利には、ウェブ被覆は、従来の器具を使用し、完全に自動化可能であるため、透明導電体の作製のコストを大幅に削減する。具体的には、ウェブ被覆によって、均一かつ再生可能な導電層が柔軟性を有する基板に生産される。プロセス工程は、完全に統合したラインまたは別々の動作として連続的に作動可能である。
図14Aは、膜またはウェブの形状の柔軟性を有する基板が、動作経路に沿って連続的に被覆可能である実施形態を示す。より具体的には、リール118に取付けられた基板14は、モーター(図示せず)によって引張され、移動経路120に沿って動く。基板は、直接、またはコンベヤーベルトシステム(図示せず)を介してリールに供給可能である。貯蔵タンク122は、基板14の上に位置する。貯蔵タンク122は、金属ナノワイヤー蒸着のための金属ナノワイヤー分散124を含む。貯蔵タンク122の開口部128は、金属ナノワイヤー分散132の連続的な流れを基板14に放出し、基板14の上面105上に層110を形成する。
マトリクス材が別の貯蔵タンク(図示せず)に保管され、マトリクス材が上記と同じ方法で被覆可能であることが理解されたい。
噴射装置(例えば、圧縮分散を放出する噴霧器)、ブラッシング装置、注入装置、および同様なものを含むいかなる調剤装置も、貯蔵タンクの代わりに使用可能であることがさらに理解されたい。シート被覆のように、印刷装置も、パターン化被覆を提供するために使用可能である。
図14Bは、基板の底面で被覆が実行されるウェブ被覆の代替方法を示す。図14Aに示される方法のように、基板14は移動経路120に沿って動く。被覆ローラー140は、基板の下に位置し、貯蔵タンク122に貯蔵される金属ナノワイヤー分散124に部分的に浸される。被覆ローラー140は、金属ナノワイヤー分散層110を基板14の底面144に放出する。被覆ローラー140は、移動経路120の方向または反対方向に回転することができる。マトリクス材の被覆は、同一の方法で実行可能である。
図14Aおよび14Bに記載されるプロセスにおいて、さまざまな表面処理が、各蒸着工程の前または後に適用可能であることが留意されたい。以下にさらに詳しく記載されるように、表面処理によって、形成される導電層の透明性および/または伝導性を向上することができる。適切な表面処理には、溶媒または化学薬品洗浄、プラズマ処理、コロナ放電、紫外オゾン処理、または加圧処理、およびその組み合わせなどが含まれるがそれだけに限定されない。
図15Aは、透明導電体を作製する総合的なプロセス流れを示す。図示されるように、ウェブ被覆システム146は、モーター(図示せず)によって駆動される巻き取りリール147を備える。巻き取りリール147は、移動経路150に沿って、基板14(例えば、柔軟性を有する高分子膜)を繰り出しリール148から引張する。次に、基板14は、移動経路150に沿って順次処理および被覆プロセスを受ける。リール速度、蒸着速度、マトリクス材密度、ならびに乾燥および硬化プロセスの適正は、形成される導電層の均一性および厚さを決定する要因に含まれることが、当技術分野に精通する者にとって明白であろう。
さらに、特定の実施形態において、前処理は、次の被覆プロセスのために基板を調製するために実行される。さらに具体的には、基板14は、前処理機構160で任意で表面処理され、次のナノワイヤー蒸着の効率を改善可能である。さらに、蒸着前の基板の表面処理により、後に蒸着されるナノワイヤーの均一性を向上することができる。
表面処理は、当技術分野における既知の方法によって実行可能である。例えば、プラズマ表面処理は、基板の表面の分子構造を修正するために使用可能である。アルゴン、酸素、または窒素などの気体を使用して、プラズマ表面処理は、低温で極めて反応性の高いものを生成することができる。一般的に、基板上のわずかな原子層がプロセスに含まれて、基板(例えば、高分子膜)のバルク特性が、化学反応によって変化しないようにする。多くの事例において、プラズマ表面処理によって、湿潤および接着結合の改善のための十分な表面活性化がもたらされる。実例として、酸素プラズマ処理が、150W、30秒、O流れ:62.5sccm、圧力:〜400mTorrである動作パラメーターを使用して、March PX250システムにおいて実行可能である。
その他の実施形態において、表面処理には、中間層を基板に蒸着することも含んでもよい。上述のように、中間層は、一般的に、ナノワイヤーと基板との両方に対して親和性を示す。したがって、中間層は、ナノワイヤーを固定し、ナノワイヤーが基板に接着するようにすることができる。中間層として適切な代表的な材料として、ポリペプチド(例えば、ポリ−L−リジン)を含む多機能生体分子が含まれる。
その他の例示的な表面処理には、溶媒、コロナ放電、および紫外オゾン処理による表面洗浄が含まれ、その全ては、当技術分野に精通する者に既知である。
その後、基板14は、本明細書に定義されるように、金属ナノワイヤー分散166を放出する金属ナノワイヤー蒸着機構164に進む。蒸着機構は、図14Aに記載されるような貯蔵タンク、噴霧装置、ブラッシング装置、および同様なものであることが可能である。金属ナノワイヤー分散層168は、表面105に蒸着される。あるいは、印刷装置は、金属ナノワイヤー分散の基板上のパターン化被覆を適用するために使用可能である。例えば、既定のパターンの陥凹を有するローラーまたはスタンプが使用可能である。スタンプまたはローラーは、当技術分野の既知の方法によって、金属ナノワイヤー分散に連続的に浸されることができる。
層168は、洗浄機構172において任意で洗浄可能である。その後、層168は、乾燥機構176において乾燥されて、金属ナノワイヤー網層180を形成する。
任意により、網層180は、後処理機構184において処理可能である。例えば、金属ナノワイヤーのアルゴンまたは酸素プラズマによる表面処理により、網層180の透明性および伝導性が改善可能である。実例として、ArまたはNプラズマは、300W、90秒(または45秒)、ArまたはN気体流れ:12sccm、加圧〜300mTorrの動作パラメーターを使用して、March PX250システムにおいて実行可能である。コロナ放電または紫外オゾン処理などのその他の既知の表面処理も使用されてもよい。例えば、Enerconシステムは、コロナ処理に使用可能である。
後処理の一部として、網層は、さらに加圧処理可能である。より具体的には、網層180は、網層180の表面185に圧力を加えるローラー186および187を介して供給される。単一のローラーも使用可能であることが理解されたい。
有利には、本明細書に記載の方法に準じて作製される金属ナノワイヤー網への加圧によって、導電層の伝導性を高めることができる。
具体的には、圧力は、一つ以上のローラー(例えば、円筒棒)を使用して、本明細書に記載の方法に準じて作製される導電性シートの透明導電体の片側または両側の表面に加えられてもよいが、そのローラーの一つまたは両方は、導電層の幅寸法より大きい長さ寸法を有する必要はない。単一のローラーが使用される場合、網層は、剛性基板に配置されてもよく、単一のローラーは、ローラーに圧力が加えられる間に、既知の方法を使用して導電層の露出表面で回転する。二つのローラーが使用される場合、図15Aに示されるように、網層は二つのローラー間を回転してもよい。
一実施形態において、50から10,000psiが、一つ以上のローラーによって透明導電体に加えられてもよい。100から1000psi、200から800psi、または300から500psiが加えられてもよいことも考えられる。好ましくは、圧力は、いかなるマトリクス材の適用前に透明導電体に加えられる。
導電性シートに圧力を加えるために二つ以上のローラーが使用される場合、「ニップ」ローラーまたは「ピンチ」ローラーが使用されてもよい。ニップロローラーまたはピンチローラーは、当技術分野においてよく理解されており、例えば、参照することによってその全体が本明細書に組み込まれる3M Technical Bulletinの2004年3月「Lamination Techniques for Converters of Laminating Adhesives」において説明されている。
金属ナノワイヤー網層への加圧により、上記プラズマ処理の適用前または後に、その伝導性が改善され、前のまたは次のプラズマ処理の適用するしないにかかわらず実行されてもよいことが分かった。図15Aに示されるように、ローラー186および187は、網層180の表面185で、単数回または多数回、回転してもよい。ローラーが、網層180で頻繁に回転する場合、その回転は、シートの回転表面に平行な軸に対して同一方向(例えば、移動経路150に沿って)または異なる方向(図示せず)で実行されてもよい。
図15Bは、ステンレス鋼のローラーを使用して約1000psiから約2000psiを加圧した後の、金属ナノワイヤー導電網810の一部のSEM画像である。導電網810は、交差点812a、812b、および812cなどの複数のナノワイヤー交差点を含む。図示されるように、少なくとも上側のナノワイヤー814、816、および818は、交差点812a、812b、および812cの各々において、加圧によって交差するワイヤーが相互に圧迫された、ナノワイヤー導電網の伝導性だけでなく連結性が向上する平坦な交差部分を有する。
本段階で、後処理として加熱が使用されてもよい。一般的に、透明導電体は、80℃から250℃で最大10分間のあらゆる範囲において暴露され、より好ましくは、100℃から160℃で約10秒から約2分間のあらゆる範囲において暴露される。透明導電体は、250℃より高い温度に暴露可能で、基板の種類に応じて400℃まで上げることもできる。例えば、ガラスの基板は、約350℃から400℃までの温度範囲で加熱処理可能である。しかしながら、高温(例えば、250℃より高い)による後処理は、窒素または希ガスなどの非酸化的雰囲気の存在を必要とする。
加熱は、オンラインまたはオフラインで実行可能である。例えば、オフライン処理において、透明導電体は、既定の時間、一定の温度に設定されるシート乾燥炉に配置可能である。そのような方法による透明導電体の加熱により、本明細書に記載のように作製される透明導電体の伝導性が改善可能である。例えば、本明細書で記載されるリール間プロセスを使用して作製される透明導電体は、200℃の温度で30秒間の設定でシート乾燥炉に配置された。本加熱後処理前、透明導電体の表面抵抗率は、約12kΩ/□であったが、後処理後、約58Ω/□に低下した。
別の例において、第二の同様に調製される透明導電体は、シート炉において100℃で30秒間加熱された。第二の透明導電体の抵抗率は、約19kΩ/□から約400Ω/□に低下した。透明導電体は、シート炉以外の方法を使用して加熱されてもよいことも考えられる。例えば、赤外線ランプは、透明導電体を加熱するためのインラインまたはオフライン方法として使用可能である。RF電流も、金属ナノワイヤー網を加熱するために使用されてもよい。RF電流は、マイクロ波放射またはナノワイヤー網への電気接触を介して誘導される電流により金属ナノワイヤー網に誘導されてもよい。
さらに、透明導電体に加熱と加圧との両方を適用する後処理が使用可能である。具体的には、加圧のために、透明導電体は、上記のように一つ以上のローラーを介して配置可能である。同時に加熱するために、ローラーが加熱されてもよい。ローラーによる加圧は、好ましくは、10から500psiであり、さらに好ましくは、40から200psiである。好ましくは、ローラーは、約70℃と200℃との間に加熱され、より好ましくは、約100℃と175℃との間に加熱される。加圧と併用して加熱することにより、透明導電体の伝導性を改善することができる。加圧と加熱を同時に行なうために使用されてもよい機械は、カリフォルニア州テメキュラのBanner American Products社のラミネーターである。加圧と併用した加熱は、以下に記載されるように、マトリクスまたはその他の層の蒸着および硬化前または後に実行可能である。
透明導電体の伝導性を高めるために使用可能な別の後処理技術は、本明細書で開示されるように作製される透明導電体の金属ワイヤー導電網を、金属還元剤に暴露することである。具体的には、銀ナノワイヤー導電網は、好ましくは、水素化ホウ素ナトリウムなどの銀の還元剤に、好ましくは、約10秒から約30分の、さらに好ましくは、約1分から約10分のあらゆる範囲で暴露可能である。当技術分野において通常の技術を有する者に理解されるように、そのような暴露はインラインまたはオフラインで実行可能である。
上述のように、このような処理によって、透明導電体の伝導性を高めることができる。例えば、PET基板上の、本明細書に開示されるリール間方法に準じて調製された銀ナノワイヤーの透明導電体は、2%のNaBHに1分間暴露されて、水中で洗浄されて、空気中で乾燥された。後処理前、透明導電体の抵抗率は、約134Ω/□であったが、本後処理後、透明導電体の抵抗率は、約9Ω/□になった。別の例において、ガラス基板上の銀ナノワイヤーの透明導電体は、2%のNaBHに7分間暴露されて、水中で洗浄されて、空気中で乾燥された。後処理前、透明導電体の抵抗率は、約3.3MΩ/□であったが、本後処理後、透明導電体の抵抗率は、約150Ω/□になった。水素化ホウ素ナトリウム以外の還元剤が、本後処理のために使用可能である。その他の適切な還元剤として、水素化ホウ素ナトリウムなどのその他のホウ化水素、ジメチルアミノボレン(DMAB)などのホウ素窒素化合物、および水素ガス(H)などのガス還元剤が含まれる。
その後、基板14は、本明細書で定義されるようなマトリクス材190を放出するマトリクス蒸着機構188に進む。マトリクス蒸着機構188は、図14Aに記載されるような貯蔵タンク、噴霧装置、ブラッシング装置、印刷装置、および同様なものであることが可能である。マトリクス材192の層は、網層180に蒸着される。有利には、マトリクス材は、パターン化層を形成するために、印刷装置によって蒸着可能である。
層192は、次に、硬化機構200において硬化することができる。マトリクス材が高分子/溶媒系である場合、層192は、溶媒を蒸発することによって硬化可能である。硬化プロセスは、加熱(例えば、焼成)によって促進可能である。マトリクス材が、照射硬化型プレポリマーを含む場合、層192は、照射によって硬化可能である。プレポリマーの種類によって、熱硬化(熱によって誘発される重合)も使用可能である。
任意で、マトリクス材192の層が硬化される前にパターン化工程が実行可能である。パターン化機構198は、マトリクス蒸着機構188の後かつ硬化機構200の前に配置可能である。パターン化工程は、以下にさらに詳しく説明される。
硬化プロセスは、マトリクス210に金属ナノワイヤー網層180を含む導電層204を形成する。導電層204は、後処理機構214によってさらに処理可能である。
一実施形態において、導電層204は、導電層の表面上の金属ナノワイヤーの一部を露出するために、後処理機構214において表面処理可能である。例えば、微量のマトリクスは、溶媒、プラズマ処理、コロナ放電、または紫外オゾン処理によってエッチング処理される。露出された金属ナノワイヤーは、特に、タッチスクリーン用途に有用である。
別の実施形態において、金属ナノワイヤーの一部は、硬化プロセス後、表面に露出され(図10Cおよび10Dも参照)、エッチング工程は必要ない。具体的には、マトリクス材層192の厚さおよびマトリクス形成の表面張力が適切に制御される場合、マトリクスは、金属ナノワイヤー層の上部をぬらさず、金属ナノワイヤーの一部は、導電層の表面に露出される。
導電層204および基板14は、次に、巻き取りリール147によって引張される。作製のこの流れプロセスは、「リール間」または「ロール間」プロセスとも呼ばれる。任意で、基板は、コンベヤーベルトに沿って移動することによって安定化可能である。
「リール間」プロセスににおいて、動く基板の移動経路に沿って多くの被覆工程が実行可能である。したがって、ウェブ被覆システム146は、カスタマイズ可能であり、または、必要に応じてあらゆる数の追加の被覆機構も組み込むように構成可能である。例えば、性能向上層の被覆(反射防止、接着、障壁、防眩、保護の層または膜)は、完全に流れプロセスに統合可能である。
有利には、リール間プロセスにより、高速かつ低コストで均一な透明導電体を生産可能である。具体的には、被膜プロセスの連続的な流れにより、被覆される層には立ち上がり端部がない。
(c)積層
その多用途性をよそに、「リール間」プロセスは、ガラスなどの剛性基板と適合しない。剛性基板は、シート被覆によって被覆可能であり、コンベヤーベルト上で運ばれることが可能であるが、一般的に、端部欠けおよび/または均一性の欠如が認められる。さらに、シート被覆は、スループットプロセスがより低く、生産コストを大幅に増加させる可能性がある。
したがって、柔軟性を有するドナー基板を使用することによって透明導電体を作製するための積層プロセスが本明細書に記載される。本プロセスは、剛性の基板および柔軟性の基板の両方に適合する。より具体的には、積層プロセスは、柔軟性を有するドナー基板上に導電層を被覆するステップであって、その導電層は、マトリクス内に埋め込まれる複数の金属ナノワイヤーを含むステップと、柔軟性を有するドナー基板から導電層を分離するステップと、導電層を選択の基板に移行するステップとを含む。有利には、柔軟性を有するドナー基板への被覆工程は、ドナー基板が柔軟性を有するため、リール間プロセスによって実行可能である。そうして形成された導電層は、次に、通常の積層プロセスによって剛性または柔軟性であることが可能な選択の基板に移行可能である。ナノワイヤーのみが柔軟性を有するドナー基板に蒸着される場合ならびにマトリクス材が使用されない場合、選択の基板に導電層を装着するために積層接着が使用されてもよい。
「柔軟性を有するドナー基板」は、シート、膜、および同様なものの形状である柔軟性を有する基板を言及する。柔軟性を有するドナー基板は、導電層から分離可能であるということに特に限定されない。柔軟性を有するドナー基板は、本明細書に記載されるいかなる柔軟性を有する基板であってもよい。さらに、柔軟性を有するドナー基板は、織布または不織布、紙、および同様なものであることが可能である。柔軟性を有するドナー基板は、任意により透明である必要はない。
特定の実施形態において、柔軟性を有するドナー基板は、導電層の被覆前に剥離層によって事前に被覆可能である。
「剥離層」は、ドナー基板に接着され、その上に導電層がウェブ被膜によって形成可能である薄層を言及する。剥離層により、導電層を損傷することなく、導電層からのドナー基板の取り外しが確実に容易になる。一般的に、剥離層は、低表面エネルギーを有する材料から形成され、シリコンベースの高分子、フッ素化高分子、でんぷん、および同様なものを含むがそれだけに限定されない。
図16Aは、柔軟性を有するドナー基板240、柔軟性を有するドナー基板240上に被覆される剥離層244、および剥離層244上に被覆される導電層250を備える、積層構造230の例を示す。
積層構造230は、柔軟性を有するドナー基板を使用して、図15Aに関連して記載された方法と同じように作製可能である。金属ナノワイヤーの蒸着前に、剥離層244が、柔軟性を有するドナー基板上に蒸着または被覆される。導電層250は、金属ナノワイヤーの蒸着によって形成可能であり、その後、本明細書に記載されるようにマトリクス蒸着が続く。
次に、導電層は、選択の基板に均一に移行される。具体的には、一般的にリール間被覆プロセスに適応しない剛性基板(例えば、ガラス)が、導電層に積層可能である。図16Bに示されるように、積層構造230は、導電層250の表面262を基板260に接触させることによって、基板260(例えば、ガラス)に移行される。特定の実施形態において、高分子マトリクス(例えば、PET、PU、およびポリアクリレート)は、基板260に適切に接着する。その後、図16Cに示されるように、柔軟性を有するドナー基板240は、剥離層244を導電層250から剥離することによって、除去可能である。
その他の実施形態において、接着層が、積層工程中に、導電層と基板との間のより優れた結合を提供するために使用可能である。図17Aは、柔軟性を有するドナー基板240、剥離層244、および導電層250の他に、オーバーコート274および接着層278を備える積層構造270を示す。接着層278は接着表面280を有する。
積層構造270は、ウェブ被覆システム146が、接着層およびオーバーコート膜を被覆するための追加の機構を提供するように構成されるという理解のもと、図15Aに関連して説明されたリール間プロセスにより作製可能である。接着層は、本明細書で定義されるようなもの(例えば、ポリアクリレート、ポリシロキサン)であり、感圧、熱溶解、照射硬化型、および/または熱硬化型である。オーバーコート層は、硬質被膜、反射防止層、保護膜、障壁層、および同様なものを含む性能向上層のうちの一つ以上であることができる。
図17Bにおいて、積層構造270は、接着表面280を介して基板260と結合される.その後、図17Cに示されるように、柔軟性を有するドナー基板240は、オーバーコート274から剥離層244を剥離することによって除去される。
特定の実施形態において、接着層(または接着層がない場合は導電層)と基板との結合を強化するために、積層プロセス中に熱または圧力が使用可能である。
その他の実施形態において、柔軟性を有するドナー基板および選択の基板に対する導電層の親和性の違いにより、剥離層は必要なくなる。例えば、導電層は、織物状のドナー基板よりも、ガラス基板に対して、より高い親和性を有してもよい。積層プロセスの後、織物状のドナー基板は除去可能であるが、導電層は、ガラス基板にしっかりと結合される。
特定の実施形態において、パターン化移行が積層プロセス中に可能である。例えば、基板は、既定のパターンに応じて、基板上の加熱領域および非加熱領域を提供する温度勾配によって加熱可能である。加熱領域のみが、親和性(例えば、接着)が強化されることによって導電層に積層され、パターン化された導電層を基板上に提供する。基板上の加熱領域は、例えば、加熱される基板部分の下に配置されるニクロム線ヒーターによって生成可能である。
その他の実施形態において、パターン化移行は、特定のマトリクス材または接着剤に示される感圧親和性に基づく圧力勾配によって作用可能である。例えば、パターン化される積層ローラーは、既定のパターンに応じて異なる圧力を加えるために使用可能である。パターン化される積層ローラーは、加圧領域と非加圧領域との親和性の違いを推進するために加熱も可能である。
さらにその他の実施形態において、導電層は、積層プロセス前に、既定のパターンに応じて事前に切り込み(例えば、打抜)可能である。事前に切り込まれる導電層を基板に移行した後に、既定のパターンの導電層は保持されるが、残りは、事前に切り込まれる輪郭に沿って除去される。
パターン化
上述のとおり、パターン化される導電層は、パターンに応じてプレポリマー被覆を選択的に硬化することによって形成可能である。硬化プロセスは、光分解または熱によって実行可能である。図18は、導電層が光によってパターン化される実施形態を示す。より具体的には、金属ナノワイヤーの網層114は、本明細書に記載される方法(例えば、図13A〜13D)に準じて基板14に蒸着される。基板14は、柔軟性を有するドナー基板をはじめとするいかなる基板でもよいことが理解されたい。
その後、プレポリマー被覆300は、金属ナノワイヤー114の網層に蒸着される。照射源310は、プレポリマー被覆を硬化するために光子エネルギーを提供する。マスク314は、プレポリマー被覆300と照射源310との間に配置される。暴露されると、照射に暴露される領域のみが硬化され(つまり、領域320)、非硬化領域324のプレポリマー被覆およびナノワイヤーは、適切な溶媒で洗浄またはブラッシングされること、あるいは粘着性のあるローラーでそれらを持ち上げることによって除去可能である。
光硬化型プレポリマーは、当技術分野においてよく知られている。特定の実施形態において、光硬化型プレポリマーは、例えば、鎖延長および架橋に適した水酸化物またはヒドロキシル基などの、一つ以上の二重結合または官能基を備える単量体を含む。その他の実施形態において、光硬化型プレポリマーは、例えば、架橋および鎖延長に適した水酸化物またはヒドロキシルなどの、一つ以上の二重結合または官能基を含有する部分的な高分子またはオリゴマーを含む。
二重結合を含有する単量体の例として、アルキルまたはヒドロキシルアクリレートまたはメチル、エチル、ブチル、2−エチルヘキシル、および2−ヒドロキシエチルアクリレートなどのメタクリル酸塩、イソボルニルアクリレート、メタクリル酸メチルおよびエチルメタクリル酸塩、シリコンアクリレート、アクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−置換(メタ)アクリルアミド、酢酸ビニルなどのビニルエステル、イソブチルビニルエーテル、スチレン、アルキル、およびハロスチレンなどのビニルエーテル、N−ビニルピロリドン、塩化ビニル、および塩化ビニリデンが挙げられる。
二つ以上の二重結合を含有する単量体の例として、エチレングリコール,プロピレングリコール,ネオペンチルグリコール,ヘキサメチレングリコールのジアクリレート、およびビスフェノールAのジアクリレート、ならびに4,4’−ビス(2−アクリロイルオキシエトキシ)ジフェニルプロパンリン酸トリメチロールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレートまたはテトラアクリレート、ビニルアクリレート、ジビニルベンゼン、コハク酸ジメチル、フタル酸ジアリル、リン酸トリアリル、イソシアヌル酸トリアリル、またはトリス(2−アクリロイルエチル)イソシアヌレートが挙げられる。
部分的なポリマーの例として、アクリル化エポキシ樹脂、アクリル化ポリエステル、ビニルエーテルまたはエポキシ基を含有するポリエステル、ポリウレタンおよびポリエーテル、不飽和ポリエステル樹脂が挙げられるがそれだけに限定されない。好適な実施形態において、プレポリマーはアクリルである。
任意で、重合および/または架橋反応を開始するために、光開始剤が使用可能である。光開始剤は、光子エネルギーを吸収し、鎖延長および架橋を含むラジカル重合のカスケードを開始するラジカルを生成する。光開始剤は、当技術分野においてよく知られている。適切な光開始剤の例として、オキシムエステル、フェニルケトン、オニウム塩、およびホスフィンオキシドが挙げられるがそれだけに限定されず、例えば、米国特許第6,949,678号、6,929,896号、および6,803,392号、N.Buhler&D.Bellus、“Photopolymers as a powerful tool in modern technology”Pure&Appl.Chem。、Vol.67、No.1、pp.25〜31、1995、J.Crivello in Advances in Polymer Science,Vol.62、pp.1〜48(1984)を参照のこと。好適な実施形態において、光開始剤は、Ciba IrgacureTM754である。一般的に、光開始剤を使用して、プレポリマー被覆は5分以内で硬化可能であり、より好ましくは30秒以内で硬化可能である。
その他の実施形態において、熱パターン化は、硬化されるマトリクス材の層の領域のみを熱源に暴露する断熱板(例えば、アパーチュアマスク)を使用して実行可能である。あるいは、マスクの無いアプローチにおいて、レーザーによる直接書き込み技術が、プレポリマー被覆層に加熱パターンを直接「書き込む」ために使用可能である。熱硬化型マトリクス材は、当技術分野に精通する者に知られている。例えば、マトリクス材は、エポキシ、樹脂、およびソルゲル複合材料であることが可能である。
光パターン化方法および熱パターン化方法の両方は、上記の「リール間」プロセスに適合する。例えば、光パターン化機構198は、図15Aに示されるように、ウェブ被覆システム146の一部であることが可能である。光パターン化機構198は、プレポリマー被覆の連続的な露出および硬化を可能にする多くの方法で構成可能である。
一実施形態において、図19Aに示されるように、回転円筒330は、光パターン化機構198の一部である(ウェブ被覆システム146は図示されない)。プレポリマー被覆300に被膜される基板14は、コンベヤーベルト332に沿って動く。回転円筒は、コンベヤーベルト332と同じ速度で回転する。照射源310は、回転円筒330内に配置される。回転転倒330の外側334が、パターン化され、穿孔され、または開口部338を備え、光がプレポリマー被覆300照射できるようにする。任意で、迷光を防止するための保護スリットまたはコリメータ340が、動く基板上に近接して配置可能である。
図19Bに示される関連の構成において、パターン化または穿孔の外部352を有するパターンベルト350が使用可能である。パターンベルト350は、ローラー354によって駆動され、そのローラーの一つは、モーター(図示せず)に接続される。パターンベルト350は、動くコンベヤーベルト332と同じ速度で動き、プレポリマー被覆300を開口部360を介して照射源310に連続的に暴露することができる。任意で、保護スリット340が使用可能である。
図20は、パターン化される導電層を基板上に形成するための部分的に統合されたシステム400を示す。システム400は、ウェブ被覆システム146に完全に統合されることができる。具体的には、光パターン化機構198は、図19Aに示されるものと同一である。光の暴露および硬化の後、プレポリマー被覆300は、選択的な領域で硬化され、いかなる非硬化のプレポリマーも除去するように洗浄機構370でさらに処理される。ここで硬化領域380および裸金属ナノワイヤー領域374を含む基板14は、回転粘着性ローラー384に移動する。粘着性ローラー384は、裸金属ナノワイヤー領域をに接触して、それを除去する。裸金属ナノワイヤーの除去後、基板は、非導電性領域386の間の導電性領域380で被覆される。
本明細書で記載される透明導電体は、金属酸化物皮膜などの透明導電体を現在利用するいかなる装置も含む、多種多様の装置において電極として使用可能である。適切な装置の例として、フラットパネルディスプレイ、LCD、タッチスクリーン、電磁波シールド、機能ガラス(例えば、エレクトロクロミック窓)、光電子デバイス、および同様なものなどが挙げられる。さらに、本明細書における透明導電体は、フレキシブルディスプレイおよびタッチスクリーンなどの柔軟性を有する装置において使用可能である。
一実施形態において、透明導電体は、液晶表示(LCD)装置における画素電極として使用可能である。図21は、図式的にLCD装置500を示す。バックライト504は、偏光子508および底部ガラス基板512を介して光を投影する。複数の第一の透明導電体ストリップ520は、底部ガラス基板512と第一の配向層522との間に配置される。各透明導電体ストリップ520は、データ回線524と交互に置かれる。スペーサー530は、第一の配向層522と第二の配向層532との間に提供され、配向層はその間で液晶536を挟む。複数の第二の透明導電体ストリップ540は、第二の配向層532の上に配置され、第二の透明導電体ストリップ540は、第一の透明導電体ストリップ520から直角に向けられる。第二の透明導電体ストリップ540は、不動態化層544、着色マトリクス548、上部ガラス基板550、および偏光子554でさらに被覆される。有利には、透明導電体ストリップ520および540は、底部ガラス基板、およびそれぞれの配向層への積層プロセスにおいてパターン化および移行可能である。従来使用されている金属酸化物ストリップ(ITO)とは違い、費用のかかる蒸着またはエッチングプロセスが必要ない。
さらなる実施形態において、本明細書に記載される透明導電体は、タッチスクリーンの一部を成す。タッチスクリーンは、電子表示に統合される対話型入力装置であり、スクリーンに触れることによって、ユーザーが指示を入力することが可能になる。タッチスクリーンは、任意で、光や画像が透過可能なように透明である。
図22は、一実施形態にかかるタッチスクリーン装置560を図式的に示す。装置560は、第一の導電層572で被覆または積層される第一の基板568を備える第一の透明導電体564を含み、第一の導電層572は、上部の導電表面576を有する。第二の透明導電体580は、第一の透明導電体564の上に配置され、装置560の両側で接着エンクロージャ584および584’によってそこから分離される。第二の透明導電体580は、第二の基板592に被覆または積層される第二の導電層588を含む。第二の導電層588は、上部の導電表面576と向かい合い、スペーサーの上で浮遊するする内側導電表面594を有する。
ユーザーが第二の透明導電体580に触れると、内側の導電表面594が、第一の透明導電体564の上部の導電表面576に接触し、静電場に変化をもたらす。制御器(図示せず)は、変化を感知し、実際のタッチ座標を決定し、次に情報がオペレーティングシステムに伝達される。
本実施形態によれば、内側の導電表面594および上部の導電表面576は、約10〜1000Ω/□、より好ましくは約10〜500Ω/□の範囲の表面抵抗率をそれぞれ有する。任意で、第一および第二の透明導電体は、画像を透過可能にするために高透過率(例えば、>85%)を有する。
第一および第二の基板は、本明細書に記載のさまざまな材料であることが可能である。例えば、第一の基板は、剛性(例えば、ガラスあるいはポリカーボネートまたはポリアクリレート剛性プラスチック)であることが可能で、一方、第二の基板は、柔軟性を有する膜であることが可能である。あるいは、柔軟性を有するタッチスクリーンの用途について、両基板が柔軟性のある膜(例えば、プラスチック)であることが可能である。
現在入手可能なタッチスクリーンは、一般的に、金属酸化物導電層(例えば、ITO膜)を使用している。上述のとおり、ITO膜は、脆弱であり、作製するのに費用がかかる。具体的には、ITO膜は、一般的に、高温かつ真空でガラス基板に蒸着される。反対に、本明細書に記載の透明導電体は、高スループット方法かつ低温で作製可能である。それらは、プラスチック膜などの柔軟性および耐久性を有する基板を含むさらに多様な基板も可能にする。
透明導電体の構造、その電気的および光学的特性、および作製方法が、以下の非限定の例によってさらに詳しく説明される。
例1
(銀ナノワイヤーの合成)
銀ナノワイヤーは、例えば、Y.Sun、B.Gates、B.Mayers、&Y.Xia,“Crystalline silver nanowires by soft solution processing”、Nanoletters、 (2002)、2(2)165〜168に記載される「ポリオール」方法の後、ポリビニルピロリドン(PVP)の存在下で、エチレングリコールに溶解される硫酸銀の還元によって合成された。Cambrios Technologies Corporationの名における米国仮出願第60/815,627号に記載される修正されたポリオール方法によって、従来の「ポリオール」方法よりも、さらに均一の銀ナノワイヤーがより高い収率で生産される。この出願は、参照することによってその全体が本明細書に組み込まれる。
例2
(透明導電体の調製)
5μm厚さのAutoflex EBG5ポリエチレンテレフタレート(PET)膜が、基板として使用された。PET基板は、光学的に透明の絶縁体である。PET基板の光透過性およびヘイズが表1に示される。別途記載のない限り、光透過性は、ASTM D1003における手法を使用して測定された。
銀ナノワイヤーの水分散体がまず準備された。銀ナノワイヤーは、幅が約70nmから80nmで、長さが約8μmである。銀ナノワイヤー(AgNW)の密度は、散体の約0.5%w/vであり、結果として、約0.5の光学密度をもたらした(Molecular Devices Spectra Max M2プレートリーダーで測定された)。散体は、次に、ナノワイヤーが基板に堆積可能にすることによって、PET基板上に被覆された。当技術分野に精通する者に理解されるように、狭いチャネルによって測定される流れ、ダイフロー、傾斜の流れ、および同様なものなどのその他の被覆技術が使用可能である。流体の粘度およびせん断挙動だけでなくナノワイヤー間の相互作用が、被覆されるナノワイヤーの分布および相互接続性に影響を及ぼしてもよいことがさらに理解されたい。
その後、銀ナノワイヤーの被覆層は、水分蒸発による乾燥が可能になる。「網層」とも呼ばれる裸銀ナノワイヤー膜は、PET基板(AgNW/PET)上に形成された。BYK Gardner Haze−gard Plusを使用して光透過性およびヘイズが測定された。表面抵抗率がFluke 175 True RMS Multimeterを使用して測定された。表1に結果が示される。ナノワイヤーの相互接続性および基板の面積被覆も、光学または走査顕微鏡で観察された。
マトリクス材は、ポリウレタン(PU)(Minwax Fast−Drying Polyurethane)を、メチルエチルケトン(MEK)に混合させることによって調製され、1:4(v/v)の粘性溶液を生成したマトリクス材は裸銀ナノワイヤー膜の回転被覆で被覆された。当技術分野に既知であるその他の方法、例えば、ドクターブレード、マイヤーロッド、ドローダウンまたはカーテン被覆が使用可能である。マトリクス材は、室温で約3時間硬化され、その間に、溶剤MEKが、蒸発し、マトリクス材は硬くなった。あるいは、硬化は、オーブンで、例えば50℃、2時間で発生可能である。
PET基板上(AgNW/PU/PET)に導電層を有する透明導電体は、このようにして形成された。マトリクスにおける銀ナノワイヤーの導電層は、約100nmの厚さであった。その光学的および電気的特性が測定され、その結果は表1に示される。
透明導電体は、さらにテープ試験を受けた。より具体的には、3M Scotch(登録商標)600の粘着テープがマトリクスの表面にしっかりと適用された後に除去された。いかなる緩い銀ナノワイヤーも、テープと共に除去された。テープ試験の後、透明導電体の光学的および電気的特性が測定され、その結果は表1に示される。
比較するために、マトリクスだけの膜が、上記と同一の状態下でPET基板(PU/PET)上に形成された。PU/PETの光学的特性(光透過性およびヘイズ)および電気的特性も、表1に示される。
表1に示されるように、PET(PU/PET)上のマトリクスだけの膜は、PET基板よりもわずかに高い光透過性ならびにヘイズ値を示した。どちらとも導電性ではなかった。比較すると、PET上の裸銀ナノワイヤー膜は、導電性が高く、表面抵抗率60Ω/□を示した。裸銀ナノワイヤー膜をPET上に蒸着することによって、光透過が低下し、ヘイズが増加した。しかしながら、PET上の裸銀ナノワイヤー膜は、80%以上の光透過性を有し、依然として光学的に透明であると考えられた。PET上の裸銀ナノワイヤー膜の光学的および電気的特性は、一般的に60から400Ω/□の範囲であるPET基板に形成される金属酸化物皮膜(例えば、ITO)に同等またはそれよりも優れていた。
表1にさらに示されるように、ポリウレタンマトリクスにおける銀ナノワイヤーに基づく透明導電体は、PET上の裸銀ナノワイヤー膜とほとんど同一の光透過性およびわずかに高いヘイズを示した。透明導電体の抵抗性は、裸銀ナノワイヤー膜と同じであり、マトリクス材の被覆が、銀ナノワイヤー膜を阻害しなかったことが示された。このように形成された透明導電体は、光学的に透明であり、PET基板に形成される金属酸化物皮膜(例えば、ITO)と同等または優れた抵抗率を示した。
さらに、テープ試験によって、透明導電体の抵抗性または光透過性は変更せず、ヘイズがわずかに増加しただけだった。
Figure 2014212117
例3
(促進HS腐食試験)
硫化水素(HS)などの硫化物は、既知の腐食剤である。金属ナノワイヤー(例えば、銀)の電気的特性は、大気硫化物の存在下で潜在的に影響を受ける可能性がある。有利には、透明導電体のマトリクスは、ガス透過障壁としての役割を果たす。これにより、ある程度、大気HSがマトリクス中に埋め込まれる金属ナノワイヤーに接触することを防止される。金属ナノワイヤーの長期的安定は、本明細書に記載されるマトリクスに一つ以上の腐食防止剤を混入することによってさらに得ることができる。
米国において、空気中のHSの量は、約10億分の0.11〜0.33である。このレベルで、腐食は長期間で発生すると予測される。したがって、促進HS腐食試験は、HS腐食の極端な例を提供するように意図された。
調理直後の卵黄が細かく砕かれて、ビニル袋に入れて密封された。HS計測器(Indus試行Scientifi社のGasBadge Plus−Hydrogen Sulfine Single Gas Monitor)が袋に挿入されて、卵黄からのHS放出が観測された。図23は、24時間のHSガスの一般的な放出プロファイルを示す。袋におけるHSの初期上昇以降、ガスレベルは降下し、ガスが透過性のある袋から拡散したことが示された。それにも関わらず、袋におけるHSガスレベル(ピークで7.6ppm)は、大気HSガスのレベルをはるかに越えていた。
PET上の裸銀ナノワイヤー膜は、例2に準じて調製された。膜は、ビニル袋に調理直後の卵黄と共に置かれた。膜は、二時間以内で黒くなり、銀がさびて黒色AgSが形成されたことが示される。反対に、ポリウレタンマトリクスにおける銀ナノワイヤー膜における変色は、2〜3日後まで認められず、ポリウレタンマトリクスがHSガスの透過を遅らせる障壁として役割を果たしたことが示された。
例4
(腐食防止剤の混入)
導電膜の以下のサンプルが調製された。PET基板が各サンプルに使用された。特定のサンプルにおいて、ベンゾトリアゾール、ジチオチアジアゾール、およびアクロレインを含む腐食防止剤が、導電膜の調製中に混入された。
サンプル1〜2は、本明細書に記載の方法に準じて調製された。腐食防止剤は存在しなかった。
サンプル1は、裸銀ナノワイヤーの導電膜であった。
サンプル2は、ポリウレタンマトリクスにおける銀ナノワイヤーの導電膜であった。
サンプル3〜6は、まず裸銀ナノワイヤー膜をPET基板上に形成することによって調製された(つまり、サンプル1)。その後、さまざまな腐食防止剤が、マトリクス材の被覆プロセス中に混入された。
サンプル3は、メチルエチルケトン(MEK)におけるベンゾトリアゾール(BTA)の0.1w/v%溶液を裸銀ナノワイヤー上に被覆することによって調製され、被覆後に溶剤を乾燥させ、その後MEKにおいてポリウレタンのマトリクス材(1:4)を被覆した。
サンプル4は、まず、1.5v/v%のジチオチアジアゾールをマトリクス材PU/MEK(1:4)に混入することにより調製され、その後、マトリクス材を裸銀ナノワイヤー膜に被膜した。
サンプル5は、まず、裸銀ナノワイヤー膜をMEKにおける1.5v/v%のジチオチアジアゾール溶液に浸すことによって調製され、その後、1.5v/v%のジチオチアジアゾールを有するマトリクス材PU/MEK(1:4)で被覆された。
サンプル6は、まず、1.5v/v%のアクロレインをマトリクス材PU/MEK(1:4)に混入することにより調製され、その後、マトリクス材が裸銀ナノワイヤー膜に被覆された。
サンプル1〜6の光学的および電気的特性は、例3に記載されるように促進HS処理前および後に測定された。その結果は、図24A、24B、および24Cに示される。
図24Aは、HS処理前およびHS処理後24時間のサンプル1〜6の光透過性の測定を示す。比較のため、各サンプルの光透過性の減少もグラフ化されている。HS処理前に、全てのサンプルが、光学的に透明であることを示していた(80%の光透過性を有していた)。HS処理の24時間後、全てのサンプルは、異なる度合いの銀変色により光透過性が減少した。
予想どおり、サンプル1は、光透過性が最も減少した。サンプル3および6は、マトリクスのみのサンプル(サンプル2)よりも優れた性能を示さなかった。しかしながら、サンプル4および5は、マトリクスのみのサンプルに比べて光透過性があまり減少せず、腐食防止剤のジチオチアジアゾールが、銀ナノワイヤーの腐食防止において効果的であったことを示した。
図24Bは、HS処理前およびHS処理後24時間のサンプル1〜6の抵抗性の測定を示す。比較のため、各サンプルの抵抗性の減少もグラフ化されている。図示されるように、サンプル4以外の全ての抵抗性は劇的に増加し、効果的に非導電性になったが、電気的特性における劣化開始がサンプルによっては大幅に遅れた。サンプル4は、その抵抗性がやや増加しただけであった。サンプル4およびサンプル5におけるHSの影響は、両サンプルが同一の腐食防止剤(ジチオチアジアゾール)を含んでいるにも関わらず、大幅に異なることが留意されたい。これにより、被覆プロセスによって一定の腐食防止剤の効果に影響をあたえ得るということになる。
図24Cは、HS処理前およびHS処理後24時間のサンプル1〜6のヘイズ測定を示す。比較のため、各サンプルのヘイズの変化もグラフ化されている。全てのサンプルは、ヘイズの測定において増加を示した。サンプル1および6を例外として、ヘイズは、サンプル2〜5の各々について許容範囲内(10%未満)であった。
サンプル4は、腐食HSガスへの耐性において全体的に最良の性能を有することが示された。腐食防止剤(ジチオチアジアゾール)をマトリクスに混入することによって、透明導電体は、腐食防止剤が含まれないサンプル2よりも明らかに利点を示した。
これらの促進テストにおけるHSレベルは、大気HSよりもはるかに大きいことが留意されたい。ゆえに、サンプル4と同様に調製される透明導電体は、大気HSの存在下においてさらに優れていることが予測される。
例5
(金属ナノワイヤー網層の加圧処理)
表2は、基板上の銀ナノワイヤーの網層(または「網層」)の表面に加圧する二つの試行の結果を示す。
具体的に、幅が約70nmから80nmで、長さが約8μmの銀ナノワイヤーがAutoflex EBG5 PET基板上に蒸着された。基板は、ナノワイヤーの蒸着前にアルゴンプラズマで処理された。網層は、例2に記載の方法に準じて形成された。マトリクス材は、加圧処理前に網に適用しなかった。表2に挙げられる試行は、剛性のベンチトップ上で単一のステンレ鋼のローラーを使用して実行された。処理された網層の部分は3から4インチの幅で、3から4インチの長さであった。
Figure 2014212117
加圧前に、網層は「初期値」の列に記載される抵抗を有していた(網層は、プラズマで事前処理されなかった)。表2の各列は、約340psiで網層を横断する後続する単一ロールを示す。
各試行において、網層は、5回ロールをかけられた。その後、プラズマ処理が網層に適用された。各ロール後の抵抗は、二列目(第一の試行)および三列目(第二に試行)に列挙される。第二の試行についての透過性およびヘイズにおける変化は、四列目および五列目にそれぞれ列挙される。示されるように、各試行の網層の伝導性は、その表面に加圧することによって増加したことが分かった。
表2に示されるように、ローラーによる網層への加圧により、層の光透過性が減少し、ヘイズが増加する。以下の表3に示されるように、加圧処理後の洗浄プロセスによって、網層の透過性がさらに改善し、ヘイズが減少可能になる。
Figure 2014212117
表3に示されるように、剛性基板上で単一のステンレス鋼の棒を使用して約340psiで二回ロールして網層へ加圧することにより、網層の光透過性が減少し、ヘイズが増加する。しかしながら、そのロールの後、石けんおよび水で網層を洗浄することによって、透過性が増加し、ヘイズが減少する。アルゴンプラズマ処理によって、透過性およびヘイズがさらに改善された。
ロールすることなしに石けんと水で網を洗浄することも、伝導性をある程度改善するのに効果的である。
加圧または洗浄処理の後に、マトリクス材は、例2において前述のように被覆可能である。
例6
(導電層の光パターン化)
図25Aは、ナノワイヤーベースの透明導電膜を直接パターン化する一方法を示す。本例において、銀ナノワイヤー網層(「網層」)600は、初めに、例2に記載の方法に準じてガラス基板604に形成された。二つのホルダー610が、マトリクス形成の範囲614を形作るためにガラス基板604上に置かれた。プレポリマーの混合を含む光硬化型マトリクス材618は、範囲614内の網層600上に被覆された。マスク620は、ホルダー610上に置かれた。マスク620は、約500μm幅の多くの暗線624を有するスライドガラスであった。次に、マトリクス材は、Dymax 5000ランプ下で90秒間照射された。マトリクス材は、光に暴露された領域が硬化し、暗線でマスクされた領域は液体のままであった。
図25Bに示されるように、導電膜630は上記の光パターン化後に得られた。明るい方の領域634は紫外線照射に暴露され、暗い領域638は光暴露からマスクされた。導電膜640は、粘着テープまたは粘着性ロールによって、非硬化領域644のマトリクス材およびナノワイヤーを除去する。図示されるように、非硬化領域644と硬化領域644との接触は明白であった。粘着テープ処理後、非硬化領域644におけるナノワイヤーの密度は、パーコレーション閾値を下回った。細かいプローブチップを使用する電気的な測定は、非硬化領域644が非導電性であることを示した。
図26A〜Fは、光パターン化された導電層をより高い倍率で示す。図26Aは、光硬化直後の導電膜640を示す(5x)。図26Bは、粘着テープ処理後の導電膜640を示し(5x)、その中で、硬化領域648は、非硬化領域644よりも明るく見える。さらに高い倍率で(図26Cおよび26D、20x)、非硬化領域644は、硬化領域648よりも低いナノワイヤーの密度を有することが認められた。この対比は、図26Eおよび26F(100x)においてより明白である。
粘着テープまたは粘着性ロールを使用して非硬化領域のマトリクス材およびナノワイヤー除去する代替方法として、非硬化領域を洗浄するために溶媒が使用されてもよい。図27A〜Dに示されるように、導電膜700は、上に説明されるように調製され、真ちゅうのアパーチュアマスクを介して紫外線照射に暴露された。図27Aは、エタノールで洗浄されて拭き取った後の硬化領域(導電性領域)710および非硬化領域720を示す。図27B〜Dは、増加倍率において、硬化領域710と比較した非硬化領域720のナノワイヤー密度の対比を示す。非硬化領域720において、非硬化のマトリクス材および銀ナノワイヤーのほとんどは、エタノール洗浄によって除去された。したがって、光パターン化は、既定のパターンに応じて導電性領域および非導電性領域を生成する。
例7
(光硬化型配合)
例6に記載されるマトリクス材は、アクリレート単量体(または本明細書に定義されるプレポリマー)、多官能アクリレート単量体(またはプレポリマー)、および少なくとも一つの光開始剤を混合することによって配合可能である。いかなるアクリレート単量体またはプレポリマーも使用可能であり、例えば、エポキシアクリレート、より具体的には、2−エチルヘキシルアクリレート、2−フェノキシエチルアクリレート、ラウリルアクリレート、メタクリル酸塩、および同様なものが挙げられる。いかなる多官能アクリレート単量体(またはプレポリマー)も、架橋高分子網目の形成を促進するために使用可能である。例として、リン酸トリメチロールトリアクリレート(TMPTA)、トリプロピレングリコールジアクリレート、ビスフェノール-Aジアクリレート、プロポキシ化(3)リ
ン酸トリメチロールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ−アクリレートが挙げられる。いかなる光開始剤、例えばケトンベースの開始剤も使用可能である。特定の例として、Ciba Irgacure754、Ciba Irgacure184などのフェニルケトン、α−ヒドロキシケトン、グリオキシル酸、ベンゾフェノン、α−アミノケトン、および同様なものが挙げられる。より具体的には、即硬化配合が、60%〜70%の2−エチルヘキシルアクリレート、15%〜30%のリン酸トリメチロールトリアクリレート、および約5%のCiba lrgacure754を混合することによって調合可能である。
その他の添加剤は、安定性を強化するためおよび/またはマトリクスとナノワイヤーの接着を促進するために添加可能である。例えば、有機物と無機物との結合を促進する接着促進剤(例えば、シラン)が使用可能である。シラン型の接着促進剤の例として、GE Silquest A174、GE Silquest A1100、および同様なものが挙げられる。Ciba Irgonox 1010ff、Ciba Irgonox 245、Irgonox 1035などの酸化防止剤が使用可能である。さらに、光開始剤の効果を促進するために付加的または共開始剤が使用可能である。共開始剤の例として、Sartomer CN373、CN371、CN384、CN386、および同様なものなどのいかなる種類の第3アミンアクリレートも挙げられる。Ciba lrgacure OXE01などの付加的な光開始剤がさらに添加可能である。
以下は、本例において使用されるマトリクス材として適切な四つの例示的な光硬化型配合である。
配合1
75% 2−エチルヘキシルアクリレート、
20% リン酸トリメチロールトリアクリレート(TMPTA)、
1% 接着促進剤(GE Silquest A1100)、
0.1% 酸化防止剤(Ciba Irgonox 101 Off)、および
4% 光開始剤(Ciba lrgacure 754)
配合2
73.9% 2−エチルヘキシルアクリレート、
20% リン酸トリメチロールトリアクリレート(TMPTA)、
1% 接着促進剤(GE Silquest A1100)、
0.05% 酸化防止剤(Ciba Irgonox 1010ff)、および
5% 光開始剤(Ciba Irgacure 754)
配合3
73.1% トリプロピレングリコールジアクリレート(TPGDA)
22.0% リン酸トリメチロールトリアクリレート(TMPTA)
4.9% 光開始剤(Ciba Irgacure 754)
0.03% 酸化防止剤(4−メトキシフェノール)
配合4
68% 2−エチルヘキシルアクリレート、
20% リン酸トリメチロールトリアクリレート(TMPTA)、
1% 接着促進剤(GE Silquest A1100)、
0.1% 酸化防止剤(Ciba Irgonox 1010ff)および
5% 光開始剤I(Ciba Irgacure 754)
5% 共開始剤(Sartomer CN373)
1% 光開始剤II(Ciba Irgacure OXE01)
例8
(ナノワイヤー分散)
ナノワイヤー分散またはインキは、約0.08%wt.のHPMC、約0.36%wt.の銀ナノワイヤー、約0.005%wt.のZonyl(登録商標)FSO−100、および約99.555%wt.の水を混合することによって配合された。初期工程として、HPMC原液が調合された。ナノワイヤー分散の所望の全容積の約3/8に等しい水量がビーカーに入れられ、80℃から85℃の範囲まで加熱板上で加熱された。0.5%wt.のHPMC溶液を生成するのに十分なHPMCが水に添加され、加熱板の電源が切られた。HPMCおよび水の混合液は、HPMCを分散するために撹拌された。全水量のうちの残りは、氷で冷やされ、加熱されたHPMC溶液に添加されて、高RPMで約20分間撹拌された。HPMC溶液は、40μm/70μm(絶対的/標準的)のCuno Betapureフィルターで濾され、溶解されなかったゲルおよび粒子が除去された。次に、Zonyl(登録商標)FSO−100原液が調合された。より具体的には、10gのZonyl(登録商標)FSO100が、92.61mLの水に添加され、Zonyl(登録商標)FSO100が完全に溶解するまで加熱された。最終インキ組成における約0.08%wt.のHPMC溶液を生成するのに必要なHPMC原液量が容器に入れられた。最終インキ組成における約99.555%wt.の水溶液を生成するのに必要なDI水量が添加された。溶液は約15分間撹拌されて、最終インキ組成における約0.36%Agナノワイヤー溶液を生成するのに必要な銀ナノワイヤーの量が添加された。最後に、約0.005%wt.のZonyl(登録商標)FSO−100を生成するために必要な、Zonyl(登録商標)FSO−100原液量が添加された。
本明細書で参照されるおよび/または出願データシートに列挙される上記の米国特許、米国特許公報出願、米国特許出願、外国特許、外国特許出願、および非特許出版物の全ては、参照することによってその全体が本明細書に組み込まれる。
本発明の特定の実施形態が本明細書において説明のために記載されたが、さまざまな修正が、本発明の精神と範囲を逸脱することなく加えられてもよいことが前述により理解されるだろう。したがって、本発明は、添付の請求項によって限定される以外は、限定されない。

Claims (1)

  1. 明細書中に記載の発明。
JP2014116002A 2005-08-12 2014-06-04 ナノワイヤに基づく透明導電体 Active JP6209490B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US70767505P 2005-08-12 2005-08-12
US60/707,675 2005-08-12
US79602706P 2006-04-28 2006-04-28
US60/796,027 2006-04-28
US79887806P 2006-05-08 2006-05-08
US60/798,878 2006-05-08

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012224256A Division JP6162384B2 (ja) 2005-08-12 2012-10-09 インク組成物及びそれを用いて透明導電体を作製する方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017144360A Division JP2018014329A (ja) 2005-08-12 2017-07-26 ナノワイヤーに基づく透明導電体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014212117A true JP2014212117A (ja) 2014-11-13
JP6209490B2 JP6209490B2 (ja) 2017-10-04

Family

ID=37478799

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008526300A Active JP5546763B2 (ja) 2005-08-12 2006-08-14 ナノワイヤに基づく透明導電体
JP2012224256A Active JP6162384B2 (ja) 2005-08-12 2012-10-09 インク組成物及びそれを用いて透明導電体を作製する方法
JP2014116002A Active JP6209490B2 (ja) 2005-08-12 2014-06-04 ナノワイヤに基づく透明導電体
JP2017144360A Pending JP2018014329A (ja) 2005-08-12 2017-07-26 ナノワイヤーに基づく透明導電体
JP2019161882A Active JP7032362B2 (ja) 2005-08-12 2019-09-05 ナノワイヤーに基づく透明導電体

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008526300A Active JP5546763B2 (ja) 2005-08-12 2006-08-14 ナノワイヤに基づく透明導電体
JP2012224256A Active JP6162384B2 (ja) 2005-08-12 2012-10-09 インク組成物及びそれを用いて透明導電体を作製する方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017144360A Pending JP2018014329A (ja) 2005-08-12 2017-07-26 ナノワイヤーに基づく透明導電体
JP2019161882A Active JP7032362B2 (ja) 2005-08-12 2019-09-05 ナノワイヤーに基づく透明導電体

Country Status (12)

Country Link
US (6) US8049333B2 (ja)
EP (9) EP1962348B1 (ja)
JP (5) JP5546763B2 (ja)
KR (5) KR102103541B1 (ja)
CN (2) CN102250506B (ja)
AT (1) ATE532217T1 (ja)
AU (1) AU2006279590A1 (ja)
CA (1) CA2618794A1 (ja)
HK (6) HK1172995A1 (ja)
SG (5) SG150517A1 (ja)
TW (3) TWI428937B (ja)
WO (1) WO2007022226A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020142525A (ja) * 2014-12-08 2020-09-10 日東電工株式会社 粘着剤層付き透明導電性フィルム

Families Citing this family (722)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI259913B (en) * 2004-12-30 2006-08-11 Ind Tech Res Inst Color filter and methods of making the same
US20070181179A1 (en) 2005-12-21 2007-08-09 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US7781673B2 (en) 2005-07-14 2010-08-24 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US7772485B2 (en) 2005-07-14 2010-08-10 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
TWI428937B (zh) * 2005-08-12 2014-03-01 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體
US7473912B2 (en) * 2005-11-09 2009-01-06 Yang Xiao Charles Method and apparatus for patterning micro and nano structures using a mask-less process
US8454721B2 (en) * 2006-06-21 2013-06-04 Cambrios Technologies Corporation Methods of controlling nanostructure formations and shapes
US8008424B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer
US8008421B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with silole-containing polymer
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
US7849424B2 (en) 2006-10-12 2010-12-07 Cambrios Technologies Corporation Systems, devices, and methods for controlling electrical and optical properties of transparent conductors
WO2008147431A2 (en) * 2006-10-12 2008-12-04 Cambrios Technologies Corporation Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
CN102324462B (zh) * 2006-10-12 2015-07-01 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
WO2008127313A2 (en) * 2006-11-17 2008-10-23 The Regents Of The University Of California Electrically conducting and optically transparent nanowire networks
US9348167B2 (en) 2007-03-19 2016-05-24 Via Optronics Gmbh Enhanced liquid crystal display system and methods
JP2010525397A (ja) * 2007-04-20 2010-07-22 ホワイト エレクトロニック デザインズ コーポレイション ベゼルレスの表示システム
JP6098860B2 (ja) * 2007-04-20 2017-03-22 シーエーエム ホールディング コーポレーション 複合透明導電体、及び機器
TWI480653B (zh) * 2007-04-20 2015-04-11 Cambrios Technologies Corp 高對比透明導體及形成其之方法
WO2008133999A1 (en) * 2007-04-24 2008-11-06 White Electronic Designs Corp. Interactive display system
EP1992478A1 (de) 2007-05-18 2008-11-19 LYTTRON Technology GmbH Verbundglaselement, bevorzugt Verbundsicherheitsglaselement, mit integrierter Elektrolumineszenz (EL)-Leuchtstruktur
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US8404160B2 (en) * 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US20080292979A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Zhe Ding Transparent conductive materials and coatings, methods of production and uses thereof
JP2008290354A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Panasonic Corp 導電シート及びその製造方法
WO2008150867A2 (en) * 2007-05-29 2008-12-11 Innova Materials, Llc Surfaces having particles and related methods
US8593714B2 (en) * 2008-05-19 2013-11-26 Ajjer, Llc Composite electrode and electrolytes comprising nanoparticles and resulting devices
DE102007027998A1 (de) * 2007-06-14 2008-12-18 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Heißprägen von Leiterbahnen auf Photovoltaik-Silizium-Wafer
US8115984B2 (en) * 2007-06-18 2012-02-14 Ajjer Llc Laminated electrochromic devices and processes for forming the same
FI20075482L (fi) 2007-06-25 2008-12-26 Canatu Oy Kuituverkostot sekä menetelmä ja laite kuituverkostojen jatkuvasti tai erinä tapahtuvaan tuotantoon
EP2009950A1 (de) * 2007-06-28 2008-12-31 Lyttron Technologies GmbH Elektrostatischer Folienschallwandler und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007030108A1 (de) 2007-06-28 2009-01-02 Lyttron Technology Gmbh Anorganisches Dickfilm-AC Elektrolumineszenzelement mit zumindest zwei Einspeisungen und Herstellverfahren und Anwendung
EP2174360A4 (en) 2007-06-29 2013-12-11 Artificial Muscle Inc CONVERTER WITH ELECTROACTIVE POLYMER FOR SENSOR REVIEW APPLICATIONS
WO2009006512A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Donnelly Corporation Infrared curing process for touch panel manufacturing
US7709298B2 (en) * 2007-07-18 2010-05-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Selectively altering a predetermined portion or an external member in contact with the predetermined portion
US8199118B2 (en) 2007-08-14 2012-06-12 Tyco Electronics Corporation Touchscreen using both carbon nanoparticles and metal nanoparticles
US8212792B2 (en) * 2007-08-14 2012-07-03 Tyco Electronics Corporation Touchscreen using oriented microscopic linear conductive elements
TW200921585A (en) 2007-08-27 2009-05-16 Lyttron Technology Gmbh Distinguishing signs with electroluminescent effect, and process for their production
US20090056589A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Honeywell International, Inc. Transparent conductors having stretched transparent conductive coatings and methods for fabricating the same
KR20090023803A (ko) * 2007-09-03 2009-03-06 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
TW200923971A (en) * 2007-09-12 2009-06-01 Kuraray Co Conductive films, conductive parts and manufacturing methods thereof
JP5221088B2 (ja) * 2007-09-12 2013-06-26 株式会社クラレ 透明導電膜およびその製造方法
US20090087629A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Everaerts Albert I Indium-tin-oxide compatible optically clear adhesive
US8587559B2 (en) * 2007-09-28 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Multipoint nanostructure-film touch screen
JP2009084640A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Achilles Corp ワイヤー状金属微粒子含有組成物および導電性半透明フィルム
KR101435196B1 (ko) * 2007-10-11 2014-08-28 삼성전자주식회사 폴리프탈레이트계 고분자를 이용한 전기변색 소자 및 그제조방법
JP2009108407A (ja) * 2007-10-12 2009-05-21 Fujifilm Corp 屈曲棒状金属粒子及びその製造方法、並びに屈曲棒状金属粒子含有組成物、及び導電性材料
CN101458608B (zh) 2007-12-14 2011-09-28 清华大学 触摸屏的制备方法
CN101419519B (zh) 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101458604B (zh) 2007-12-12 2012-03-28 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101419518B (zh) 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101458609B (zh) 2007-12-14 2011-11-09 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458596B (zh) 2007-12-12 2011-06-08 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
CN101655720B (zh) 2008-08-22 2012-07-18 清华大学 个人数字助理
CN101458602B (zh) 2007-12-12 2011-12-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458595B (zh) 2007-12-12 2011-06-08 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458599B (zh) 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101656769B (zh) 2008-08-22 2012-10-10 清华大学 移动电话
CN101458603B (zh) 2007-12-12 2011-06-08 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
CN101458605B (zh) 2007-12-12 2011-03-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 触摸屏及显示装置
CN101458600B (zh) 2007-12-14 2011-11-30 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458594B (zh) 2007-12-12 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101470559B (zh) 2007-12-27 2012-11-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101470560B (zh) 2007-12-27 2012-01-25 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464763B (zh) 2007-12-21 2010-09-29 清华大学 触摸屏的制备方法
CN101458606B (zh) 2007-12-12 2012-06-20 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101458598B (zh) 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101470558B (zh) 2007-12-27 2012-11-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458597B (zh) 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101470566B (zh) 2007-12-27 2011-06-08 清华大学 触摸式控制装置
CN101458593B (zh) 2007-12-12 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
JP5212377B2 (ja) * 2007-11-07 2013-06-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極及び透明電極の製造方法
JP5570094B2 (ja) 2007-11-12 2014-08-13 コニカミノルタ株式会社 金属ナノワイヤ、金属ナノワイヤの製造方法及び金属ナノワイヤを含む透明導電体
JP5472889B2 (ja) 2007-11-26 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 金属ナノワイヤ、及び金属ナノワイヤを含む透明導電体
CN101458975B (zh) 2007-12-12 2012-05-16 清华大学 电子元件
DE102007059726B4 (de) * 2007-12-12 2010-01-07 Excor Korrosionsforschung Gmbh Dampfphasen-Korrosionsinhibitoren, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
JP5651910B2 (ja) * 2007-12-13 2015-01-14 コニカミノルタ株式会社 透明導電膜、及び透明導電膜の製造方法
CN101458601B (zh) 2007-12-14 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464757A (zh) 2007-12-21 2009-06-24 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458607B (zh) 2007-12-14 2010-12-29 清华大学 触摸屏及显示装置
KR101586619B1 (ko) 2007-12-20 2016-01-21 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 충전제 재료를 포함하는 투명한 전도성 코팅
CN101464764B (zh) 2007-12-21 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101470565B (zh) 2007-12-27 2011-08-24 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464765B (zh) 2007-12-21 2011-01-05 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 触摸屏及显示装置
CN101464766B (zh) 2007-12-21 2011-11-30 清华大学 触摸屏及显示装置
US8574393B2 (en) 2007-12-21 2013-11-05 Tsinghua University Method for making touch panel
US7727578B2 (en) * 2007-12-27 2010-06-01 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US9367132B2 (en) 2008-01-04 2016-06-14 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8970403B2 (en) 2008-01-04 2015-03-03 Tactus Technology, Inc. Method for actuating a tactile interface layer
US9612659B2 (en) 2008-01-04 2017-04-04 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8922502B2 (en) 2008-01-04 2014-12-30 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9063627B2 (en) 2008-01-04 2015-06-23 Tactus Technology, Inc. User interface and methods
US8553005B2 (en) 2008-01-04 2013-10-08 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8179377B2 (en) * 2009-01-05 2012-05-15 Tactus Technology User interface system
US8179375B2 (en) * 2008-01-04 2012-05-15 Tactus Technology User interface system and method
US8947383B2 (en) 2008-01-04 2015-02-03 Tactus Technology, Inc. User interface system and method
US8922503B2 (en) 2008-01-04 2014-12-30 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9052790B2 (en) 2008-01-04 2015-06-09 Tactus Technology, Inc. User interface and methods
US8243038B2 (en) * 2009-07-03 2012-08-14 Tactus Technologies Method for adjusting the user interface of a device
US9720501B2 (en) 2008-01-04 2017-08-01 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9128525B2 (en) 2008-01-04 2015-09-08 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8456438B2 (en) 2008-01-04 2013-06-04 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9552065B2 (en) 2008-01-04 2017-01-24 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8922510B2 (en) 2008-01-04 2014-12-30 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9274612B2 (en) 2008-01-04 2016-03-01 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9760172B2 (en) 2008-01-04 2017-09-12 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9423875B2 (en) 2008-01-04 2016-08-23 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface with exhibiting optical dispersion characteristics
US8547339B2 (en) 2008-01-04 2013-10-01 Tactus Technology, Inc. System and methods for raised touch screens
US9557915B2 (en) 2008-01-04 2017-01-31 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9372565B2 (en) 2008-01-04 2016-06-21 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8154527B2 (en) * 2008-01-04 2012-04-10 Tactus Technology User interface system
US8570295B2 (en) 2008-01-04 2013-10-29 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9588683B2 (en) 2008-01-04 2017-03-07 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9298261B2 (en) 2008-01-04 2016-03-29 Tactus Technology, Inc. Method for actuating a tactile interface layer
US7960027B2 (en) 2008-01-28 2011-06-14 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US7642463B2 (en) * 2008-01-28 2010-01-05 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US20090191389A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Honeywell International, Inc. Transparent conductors that exhibit minimal scattering, methods for fabricating the same, and display devices comprising the same
JP2009181856A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Sumitomo Chemical Co Ltd 透明導電膜付き透明板および有機エレクトロルミネッセンス素子
US8988756B2 (en) * 2008-01-31 2015-03-24 Ajjer, Llc Conductive busbars and sealants for chromogenic devices
US7922787B2 (en) * 2008-02-02 2011-04-12 Seashell Technology, Llc Methods for the production of silver nanowires
US20090211633A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Konarka Technologies Inc. Tandem Photovoltaic Cells
SG188159A1 (en) * 2008-02-26 2013-03-28 Cambrios Technologies Corp Methods and compositions for ink jet deposition of conductive features
JP2009205924A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Kuraray Co Ltd 透明導電膜、透明導電部材、銀ナノワイヤ分散液および透明導電膜の製造方法
JP5370151B2 (ja) * 2008-02-29 2013-12-18 東レ株式会社 透明導電膜付き基材とその製造方法、およびそれを用いたタッチパネル
US8506849B2 (en) 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
JP5111170B2 (ja) * 2008-03-10 2012-12-26 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体
JPWO2009113342A1 (ja) * 2008-03-14 2011-07-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 色素増感型太陽電池
JP5401814B2 (ja) * 2008-03-22 2014-01-29 コニカミノルタ株式会社 透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルム
JP5203769B2 (ja) * 2008-03-31 2013-06-05 富士フイルム株式会社 銀ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体
JP2009277466A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電性フィルム及びその製造方法
US20090286383A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Applied Nanotech Holdings, Inc. Treatment of whiskers
US9730333B2 (en) * 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
US8603285B1 (en) * 2008-05-29 2013-12-10 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Mirror support
CN102224596B (zh) * 2008-06-09 2015-06-17 三星电子株式会社 用于制造透明导体的改进cnt/顶涂层方法
JP2009299162A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Fujifilm Corp 銀ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体
US20100000762A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic pastes and inks
US8130438B2 (en) * 2008-07-03 2012-03-06 Ajjer Llc Metal coatings, conductive nanoparticles and applications of the same
US8237677B2 (en) 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Liquid crystal display screen
EP2321841A2 (en) * 2008-07-08 2011-05-18 Chan Albert Tu Method and system for producing a solar cell using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition
US8390580B2 (en) 2008-07-09 2013-03-05 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
US8198796B2 (en) * 2008-07-25 2012-06-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Transparent electrode and production method of same
FR2934705B1 (fr) * 2008-07-29 2015-10-02 Univ Toulouse 3 Paul Sabatier Materiau solide composite electriquement conducteur et procede d'obtention d'un tel materiau
US10086079B2 (en) 2008-08-11 2018-10-02 Fibralign Corporation Biocomposites and methods of making the same
WO2010018733A1 (ja) * 2008-08-11 2010-02-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法
JP5397377B2 (ja) * 2008-08-11 2014-01-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極の製造方法
US20100040842A1 (en) * 2008-08-12 2010-02-18 3M Innovative Properties Company Adhesives compatible with corrosion sensitive layers
US8163205B2 (en) * 2008-08-12 2012-04-24 The Boeing Company Durable transparent conductors on polymeric substrates
US20110281070A1 (en) * 2008-08-21 2011-11-17 Innova Dynamics, Inc. Structures with surface-embedded additives and related manufacturing methods
CA2734864A1 (en) * 2008-08-21 2010-02-25 Innova Dynamics, Inc. Enhanced surfaces, coatings, and related methods
CN102645840B (zh) * 2008-08-22 2015-01-14 日立化成株式会社 导电图形的形成方法以及导电膜基板
JP5254711B2 (ja) * 2008-09-01 2013-08-07 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法
ES2448765T3 (es) 2008-09-02 2014-03-17 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Películas finas de nanohilos metálicos
US8865251B2 (en) * 2008-09-12 2014-10-21 Lg Chem, Ltd. Metal nanobelt and method of manufacturing the same, and conductive ink composition and conductive film comprising the same
FR2936241B1 (fr) * 2008-09-24 2011-07-15 Saint Gobain Electrode avant pour cellule solaire avec revetement antireflet.
JP5189449B2 (ja) * 2008-09-30 2013-04-24 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物、及び透明導電体
JP5306760B2 (ja) * 2008-09-30 2013-10-02 富士フイルム株式会社 透明導電体、タッチパネル、及び太陽電池パネル
JP2010087105A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 太陽電池
WO2010042951A2 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 Nano Terra Inc. Anti-reflective coatings comprising ordered layers of nanowires and methods of making and using the same
US8546684B2 (en) * 2008-10-15 2013-10-01 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic photoelectric conversion element and organic photoelectric conversion element manufacturing method
JP2010102969A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明光通信システム用の送信装置
US20100101830A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Magnetic nanoparticles for tco replacement
US20100101832A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Compound magnetic nanowires for tco replacement
US20100101829A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Steven Verhaverbeke Magnetic nanowires for tco replacement
US20110180133A1 (en) * 2008-10-24 2011-07-28 Applied Materials, Inc. Enhanced Silicon-TCO Interface in Thin Film Silicon Solar Cells Using Nickel Nanowires
JP2010121040A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Panasonic Electric Works Co Ltd 透明導電被膜形成用コーティング剤組成物及び被塗装物品
CN101754585B (zh) * 2008-11-27 2011-09-21 富葵精密组件(深圳)有限公司 导电线路的制作方法
TWI437106B (zh) * 2008-12-03 2014-05-11 Tatung Co 磁性奈米一維金屬線及其製作方法
US8398901B2 (en) * 2008-12-11 2013-03-19 Fpinnovations Method for producing iridescent solid nanocrystalline cellulose films incorporating patterns
JP5314410B2 (ja) * 2008-12-17 2013-10-16 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101559999B1 (ko) * 2008-12-29 2015-10-13 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
US8243426B2 (en) * 2008-12-31 2012-08-14 Apple Inc. Reducing optical effects in a display
US9588684B2 (en) 2009-01-05 2017-03-07 Tactus Technology, Inc. Tactile interface for a computing device
WO2010078596A1 (en) * 2009-01-05 2010-07-08 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8323744B2 (en) * 2009-01-09 2012-12-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Systems, methods, devices and arrangements for nanowire meshes
JP5429192B2 (ja) 2009-01-16 2014-02-26 コニカミノルタ株式会社 パターン電極の製造方法及びパターン電極
JP5533669B2 (ja) * 2009-01-19 2014-06-25 コニカミノルタ株式会社 透明電極、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5249075B2 (ja) * 2009-02-13 2013-07-31 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5203996B2 (ja) * 2009-02-13 2013-06-05 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5216623B2 (ja) * 2009-02-13 2013-06-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5410774B2 (ja) * 2009-02-16 2014-02-05 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5396916B2 (ja) * 2009-03-03 2014-01-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法、透明電極および有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI492303B (zh) 2009-03-27 2015-07-11 Applied Nanotech Holdings Inc 增進光及/或雷射燒結之緩衝層
DE102009014757A1 (de) * 2009-03-27 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektrische Funktionsschicht, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
JP5584991B2 (ja) * 2009-04-02 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
US20100259823A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 General Electric Company Nanostructured anti-reflection coatings and associated methods and devices
EP2239793A1 (de) 2009-04-11 2010-10-13 Bayer MaterialScience AG Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung
JP2010250110A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Fujifilm Corp 感光性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
US8029700B2 (en) * 2009-04-30 2011-10-04 Chung-Shan Institute of Science and Technology Armaments Bureau, Ministry of National Defense Compound of silver nanowire with polymer and compound of metal nanostructure with polymer
EP2430639A1 (en) * 2009-05-05 2012-03-21 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
US20110024159A1 (en) * 2009-05-05 2011-02-03 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
JP5609008B2 (ja) * 2009-05-12 2014-10-22 コニカミノルタ株式会社 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法及び電子デバイス用透明電極
WO2010131241A2 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Yevgeni Preezant Improved photo-voltaic cell structure
GB0908300D0 (en) * 2009-05-14 2009-06-24 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester films
FR2946177B1 (fr) * 2009-05-27 2011-05-27 Arkema France Procede de fabrication de fibres composites conductrices a haute teneur en nanotubes.
JP2011018636A (ja) * 2009-06-09 2011-01-27 Fujifilm Corp 導電性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
CN101924816B (zh) 2009-06-12 2013-03-20 清华大学 柔性手机
JP5472299B2 (ja) * 2009-06-24 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 透明電極、該透明電極に用いられる導電性繊維の精製方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4737348B2 (ja) * 2009-06-30 2011-07-27 Dic株式会社 透明導電層パターンの形成方法
CN102483675B (zh) 2009-07-03 2015-09-09 泰克图斯科技公司 用户界面增强系统
CN102470570B (zh) * 2009-07-15 2017-03-29 阿克伦大学 多功能性导电性/透明的/挠性膜的制造
US8422197B2 (en) * 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure
US20120107600A1 (en) 2009-07-17 2012-05-03 Chaofeng Zou Transparent conductive film comprising cellulose esters
KR20120050431A (ko) * 2009-07-17 2012-05-18 케어스트림 헬스 인코포레이티드 수용성 결합제를 포함하는 투명 전도성 필름
JP2011034711A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102009028118A1 (de) * 2009-07-30 2011-02-03 Schott Ag Photovoltaikmodul mit verbesserter Korrosionsbeständkigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
CN101989136B (zh) 2009-08-07 2012-12-19 清华大学 触摸屏及显示装置
TWI399675B (zh) * 2009-08-17 2013-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 觸摸屏及顯示裝置
TW201132990A (en) * 2009-08-24 2011-10-01 Cambrios Technologies Corp Contact resistance measurement for resistance linearity in nanostructure thin films
JP2013502515A (ja) * 2009-08-24 2013-01-24 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 金属ナノ構造体から作られる透明導電体におけるヘーズの改善のための金属ナノ構造体の精製
US8512438B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-20 Cambrios Technologies Corporation Methods for controlling metal nanostructures morphology
US20110102795A1 (en) * 2009-08-25 2011-05-05 Huisheng Peng Carbon nanotube/polydiacetylene composites
JP5391932B2 (ja) * 2009-08-31 2014-01-15 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
FI127197B (fi) * 2009-09-04 2018-01-31 Canatu Oy Kosketusnäyttö ja menetelmä kosketusnäytön valmistamiseksi
JP2011060686A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Konica Minolta Holdings Inc パターン電極の製造方法及びパターン電極
TWI420540B (zh) 2009-09-14 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 藉由光能或熱能成形之導電材料、導電材料之製備方法以及導電組合物
JP2011065944A (ja) 2009-09-18 2011-03-31 Fujifilm Corp 導電膜形成用感光材料、導電性材料、表示素子及び太陽電池
WO2011041232A1 (en) * 2009-09-29 2011-04-07 Plextronics, Inc. Organic electronic devices, compositions, and methods
JP5561714B2 (ja) * 2009-10-13 2014-07-30 日本写真印刷株式会社 ディスプレイ電極用透明導電膜
JP2011090879A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Fujifilm Corp 透明導電体の製造方法
JP2011090878A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Fujifilm Corp 透明導電体の製造方法
JP5567313B2 (ja) * 2009-10-29 2014-08-06 日本写真印刷株式会社 立体形状導電性成形品及びその製造方法
US20120231248A1 (en) 2009-11-11 2012-09-13 Toray Industries, Inc. Conductive laminate and method of producing the same
CN102063213B (zh) * 2009-11-18 2013-04-24 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
WO2011063089A2 (en) 2009-11-20 2011-05-26 3M Innovative Properties Company Surface-modified adhesives
US8432598B2 (en) * 2009-11-25 2013-04-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent conductor structure
CN102834923B (zh) * 2009-12-04 2017-05-10 凯姆控股有限公司 具有提高的雾度的基于纳米结构的透明导体以及包含所述透明导体的装置
SG181565A1 (en) * 2009-12-07 2012-07-30 Univ Duke Compositions and methods for growing copper nanowires
CN102087884A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 中国科学院福建物质结构研究所 基于有机聚合物和银纳米线的柔性透明导电薄膜及其制备方法
CN102087886A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 中国科学院福建物质结构研究所 基于银纳米线的透明导电薄膜及其制备方法
CN102097502A (zh) * 2009-12-09 2011-06-15 英属开曼群岛商精曜有限公司 薄膜太阳能电池及其制作方法
US8664518B2 (en) * 2009-12-11 2014-03-04 Konica Minolta Holdngs, Inc. Organic photoelectric conversion element and producing method of the same
JP5245128B2 (ja) * 2009-12-21 2013-07-24 コニカミノルタ株式会社 有機電子素子及びその製造方法
KR101130235B1 (ko) * 2009-12-21 2012-03-26 (주)켐스 투명도전막 및 그 제조방법
WO2011078170A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 富士フイルム株式会社 導電性組成物、並びに、それを用いた透明導電体、タッチパネル及び太陽電池
US20120295071A1 (en) * 2009-12-28 2012-11-22 Toray Industries, Inc. Conductive laminated body and touch panel using the same
US9239623B2 (en) 2010-01-05 2016-01-19 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
CN105219154B (zh) 2010-01-15 2019-03-08 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 低雾度透明导体
SG10201500798UA (en) * 2010-02-05 2015-03-30 Cambrios Technologies Corp Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same
US8619035B2 (en) 2010-02-10 2013-12-31 Tactus Technology, Inc. Method for assisting user input to a device
SG183399A1 (en) * 2010-02-24 2012-09-27 Cambrios Technologies Corp Nanowire-based transparent conductors and methods of patterning same
JP5569144B2 (ja) * 2010-02-24 2014-08-13 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電膜の形成方法及び導電パターンの形成方法
JP2011175890A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Toray Ind Inc 導電性フィルム
JP2013521615A (ja) 2010-03-05 2013-06-10 ケアストリーム ヘルス インク 透明導電性膜、物品、および方法
JP5567871B2 (ja) * 2010-03-19 2014-08-06 パナソニック株式会社 透明導電膜付き基材及びその製造方法
WO2011115603A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Carestream Health, Inc. Anti-corrosion agents for transparent conductive film
JP5718449B2 (ja) 2010-03-23 2015-05-13 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 金属ナノワイヤを有する透明導体のエッチングパターン形成
JP5600457B2 (ja) * 2010-03-26 2014-10-01 パナソニック株式会社 透明導電膜付き基材
US20110256383A1 (en) * 2010-04-01 2011-10-20 Bayer Materialscience Ag Polymer material comprising a polymer and silver nanoparticles dispersed herein
WO2011125537A1 (ja) 2010-04-05 2011-10-13 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極及びそれを用いた有機電子素子
JP5570279B2 (ja) * 2010-04-06 2014-08-13 富士フイルム株式会社 熱線遮蔽材
JP5606769B2 (ja) * 2010-04-09 2014-10-15 富士フイルム株式会社 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び集積型太陽電池
KR20130136905A (ko) 2010-04-19 2013-12-13 택투스 테크놀로지, 아이엔씨. 사용자 인터페이스 시스템
CN101870454B (zh) * 2010-05-19 2012-11-07 青岛大学 一种导电聚合物交叉纳米线器件的组装制备方法
CN102270524A (zh) * 2010-05-21 2011-12-07 中国科学院福建物质结构研究所 基于热塑性透明聚合物的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法
CN102337101B (zh) * 2010-07-16 2014-06-11 财团法人工业技术研究院 用于电磁屏蔽的组合物、利用其的装置及结构制备方法
EP2580647A1 (en) 2010-06-11 2013-04-17 3M Innovative Properties Company Positional touch sensor with force measurement
JP5792523B2 (ja) 2010-06-18 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の作製方法
CN102298459A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 东莞万士达液晶显示器有限公司 触控面板
DE102010017706B4 (de) * 2010-07-02 2012-05-24 Rent-A-Scientist Gmbh Verfahren zur Herstellung von Silber-Nanodrähten
CN103080876A (zh) * 2010-07-05 2013-05-01 Dic株式会社 带透明导电层的基体及其制造方法、以及触控面板用透明导电膜层叠体、触控面板
US10065046B2 (en) 2010-07-15 2018-09-04 Fibralign Corporation Conductive biopolymer implant for enhancing tissue repair and regeneration using electromagnetic fields
US10306758B2 (en) * 2010-07-16 2019-05-28 Atmel Corporation Enhanced conductors
US8269214B2 (en) * 2010-07-29 2012-09-18 General Electric Company Organic light emitting device with outcoupling layer for improved light extraction
EP2598942A4 (en) * 2010-07-30 2014-07-23 Univ Leland Stanford Junior CONDUCTIVE FILMS
CN103155174B (zh) * 2010-08-07 2017-06-23 宸鸿科技控股有限公司 具有表面嵌入的添加剂的装置组件和相关的制造方法
TW201234617A (en) * 2010-08-16 2012-08-16 Fujifilm Corp Conductive material, touch panel, and solar cell
WO2012034110A2 (en) 2010-09-10 2012-03-15 Fibralign Corp. Biodegradable multilayer constructs
CN101954740A (zh) * 2010-09-16 2011-01-26 上海华特汽车配件有限公司 低密度聚乙烯膜与聚氨酯芯材的粘接方法
JP2012064738A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置
CN103109391B (zh) * 2010-09-24 2016-07-20 加利福尼亚大学董事会 纳米线-聚合物复合材料电极
KR20140043697A (ko) 2010-10-20 2014-04-10 택투스 테크놀로지, 아이엔씨. 사용자 인터페이스 시스템 및 방법
WO2012054780A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Tactus Technology User interface system
US20120097059A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Cambrios Technologies Corporation Nanowire ink compositions and printing of same
KR101283452B1 (ko) * 2010-10-29 2013-07-15 도레이첨단소재 주식회사 터치스크린 패널용 반사방지 필름,산화방지 필름 및 이를 이용한 터치스크린 패널
CN102455832A (zh) * 2010-11-02 2012-05-16 高丰有限公司 电容式触控结构
US20120104374A1 (en) * 2010-11-03 2012-05-03 Cambrios Technologies Corporation Coating compositions for forming nanocomposite films
GB201019212D0 (en) 2010-11-12 2010-12-29 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film
US20120127117A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Fu-Tien Ku Capacitive touchscreen structure
MX2013006344A (es) * 2010-12-07 2014-03-12 Rhodia Operations Nanoestructuras electricamente conductivas, metodo para hacer tales nanoestructuras, peliculas de polimero electricamente conductivas que contienen tales nanoestructuras y dispositivos electronicos que contienen tales peliculas.
US20140021400A1 (en) 2010-12-15 2014-01-23 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
US8763525B2 (en) * 2010-12-15 2014-07-01 Carestream Health, Inc. Gravure printing of transparent conductive films containing networks of metal nanoparticles
KR20140026331A (ko) 2010-12-17 2014-03-05 세이코 피엠씨 가부시키가이샤 은 나노와이어의 제조방법 및 은 나노와이어 성장 제어제
JP5568459B2 (ja) * 2010-12-27 2014-08-06 東海ゴム工業株式会社 導電膜およびその製造方法、ならびに導電膜を用いたトランスデューサ、フレキシブル配線板、および電磁波シールド
US20120193656A1 (en) * 2010-12-29 2012-08-02 Au Optronics Corporation Display device structure and manufacturing method thereof
CN102184928A (zh) * 2010-12-29 2011-09-14 友达光电股份有限公司 显示元件及其制造方法
JP2013016455A (ja) * 2011-01-13 2013-01-24 Jnc Corp 透明導電膜の形成に用いられる塗膜形成用組成物
US8932898B2 (en) 2011-01-14 2015-01-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univerity Deposition and post-processing techniques for transparent conductive films
KR101795419B1 (ko) 2011-01-26 2017-11-13 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
KR101217733B1 (ko) * 2011-02-09 2013-01-02 박준영 터치 패널용 패드와 기판의 결합 방법 및 이에 의해 제조되는 결합체
WO2012105790A2 (ko) * 2011-02-01 2012-08-09 주식회사 티메이 터치 패널용 패드와 기판의 결합 방법 및 이에 의해 제조되는 결합체
KR20120092019A (ko) * 2011-02-09 2012-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR101885376B1 (ko) * 2011-02-11 2018-08-06 한국과학기술원 은 나노 와이어를 이용한 투명전극 및 그 제조 방법
JP4893867B1 (ja) 2011-02-23 2012-03-07 ソニー株式会社 透明導電膜、分散液、情報入力装置、および電子機器
CN102173133A (zh) * 2011-02-28 2011-09-07 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种包含金属纳米结构导电层的复合功能夹层玻璃
US10494720B2 (en) 2011-02-28 2019-12-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
CN103443145B (zh) * 2011-02-28 2016-06-15 山阳色素株式会社 喷墨油墨用共聚物、使用其的喷墨油墨用颜料分散体和喷墨油墨
EP2681745B1 (en) * 2011-02-28 2020-05-20 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
KR20140008416A (ko) 2011-03-01 2014-01-21 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 변형가능한 중합체 장치 및 필름을 제조하기 위한 자동화 제조 방법
JP2012185933A (ja) * 2011-03-03 2012-09-27 Panasonic Corp 透明導電膜付基材、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101272625B1 (ko) * 2011-03-03 2013-06-10 박준영 터치 패널용 패드와 기판의 결합체
KR20140020957A (ko) * 2011-03-04 2014-02-19 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 금속 나노구조체-기반 투명 전도체의 일함수를 조절하는 방법
JP5679565B2 (ja) 2011-03-10 2015-03-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102214499B (zh) * 2011-03-21 2012-11-21 明基材料有限公司 含纳米银线的软性透明导电膜及其制造方法
US9195058B2 (en) 2011-03-22 2015-11-24 Parker-Hannifin Corporation Electroactive polymer actuator lenticular system
US8475560B2 (en) 2011-03-24 2013-07-02 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method for producing silver nanofilaments
US20140008115A1 (en) 2011-03-28 2014-01-09 Toray Advanced Film Co., Ltd. Conductive laminate and touch panel
JP2013137982A (ja) * 2011-04-14 2013-07-11 Fujifilm Corp 導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
KR101927562B1 (ko) 2011-04-15 2018-12-10 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 전자 디스플레이를 위한 투명 전극
CN102208547B (zh) * 2011-04-18 2013-11-20 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102208542B (zh) * 2011-04-18 2013-01-30 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
JP2012238579A (ja) * 2011-04-28 2012-12-06 Fujifilm Corp 導電性部材、その製造方法、タッチパネル及び太陽電池
WO2012147956A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 富士フイルム株式会社 導電性部材、その製造方法、タッチパネル及び太陽電池
JP5868771B2 (ja) * 2011-04-28 2016-02-24 富士フイルム株式会社 導電性部材、その製造方法、タッチパネル及び太陽電池
JP5691811B2 (ja) * 2011-05-09 2015-04-01 コニカミノルタ株式会社 フィルムミラー、太陽光反射用ミラー及び太陽熱発電用反射装置
US20120301705A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Eckert Karissa L Nanowire coatings, films, and articles
US9175183B2 (en) 2011-05-23 2015-11-03 Carestream Health, Inc. Transparent conductive films, methods, and articles
US8974900B2 (en) * 2011-05-23 2015-03-10 Carestream Health, Inc. Transparent conductive film with hardcoat layer
CN102819341B (zh) * 2011-06-09 2016-02-24 天津富纳源创科技有限公司 触摸屏面板的制备方法
US9573163B2 (en) * 2011-07-01 2017-02-21 Cam Holding Corporation Anisotropy reduction in coating of conductive films
KR101305826B1 (ko) * 2011-07-12 2013-09-06 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
KR101305705B1 (ko) * 2011-07-12 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 전극 제조 방법
FR2978066B1 (fr) * 2011-07-22 2016-01-15 Commissariat Energie Atomique Procede de fonctionnalisation de nanofils metalliques et de fabrication d'electrodes
WO2013019993A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Dopant injection layers
JP2014529642A (ja) * 2011-08-12 2014-11-13 スリーエム イノベイティブプロパティズカンパニー 光学的に透明な導電性接着剤及びそれから製造される物品
KR101313728B1 (ko) * 2011-08-19 2013-10-01 박준영 터치 패널용 패드 및 그 제조 방법
JP5813875B2 (ja) 2011-08-24 2015-11-17 イノバ ダイナミックス, インコーポレイテッド パターン化された透明導体および関連する製造方法
JP5628768B2 (ja) * 2011-09-07 2014-11-19 富士フイルム株式会社 紐状フィラー含有塗布物の製造方法
JP2013073828A (ja) 2011-09-28 2013-04-22 Fujifilm Corp 導電性組成物、その製造方法、導電性部材、並びに、タッチパネル及び太陽電池
JP5888976B2 (ja) 2011-09-28 2016-03-22 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材およびその製造方法、タッチパネル並びに太陽電池
EP2761360A4 (en) * 2011-09-30 2015-06-10 3M Innovative Properties Co ELECTRONICALLY SWITCHED PRIVACY FILMS AND DISPLAY DEVICE THEREFOR
US9052587B2 (en) 2011-10-03 2015-06-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor
KR101334601B1 (ko) 2011-10-11 2013-11-29 한국과학기술연구원 고직선성의 금속 나노선, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 투명 전도막
EP3550629A3 (en) 2011-10-13 2019-12-25 Cambrios Film Solutions Corporation Opto-electrical devices incorporating metal nanowires
KR101336321B1 (ko) * 2011-11-02 2013-12-03 한국과학기술원 고분자 보호막 및 은 나노 와이어 네트워크를 포함하는 투명 전극 및 그 제조방법
US9568646B2 (en) 2011-11-04 2017-02-14 Cam Holding Corporation Methods for reducing diffuse reflection of nanostructure-based transparent conductive films and touch panels made of the same
SG11201401965SA (en) * 2011-11-04 2014-09-26 Cambrios Technologies Corp Methods for reducing diffuse reflection of nanostructure-based transparent conductive films and touch panels made of the same
US9398688B2 (en) * 2011-11-29 2016-07-19 Toray Industries, Inc. Electroconductive stack body and display body employing the same
CN102522145B (zh) * 2011-12-02 2013-08-28 浙江科创新材料科技有限公司 一种纳米银透明电极材料及其制备方法
CN104040641A (zh) * 2011-12-07 2014-09-10 杜克大学 铜镍合金纳米导线的合成及其在透明导电膜中的应用
WO2013094832A1 (ko) 2011-12-21 2013-06-27 제일모직 주식회사 도전성 필름용 조성물, 이로부터 형성된 도전성 필름 및 이를 포함하는 광학 표시 장치
CN102527621B (zh) * 2011-12-27 2014-07-09 浙江科创新材料科技有限公司 一种雾度可调柔性透明导电薄膜的制备方法
DE102012001220A1 (de) * 2012-01-21 2013-07-25 Amphenol-Tuchel Electronics Gmbh Verbindungsanordnung
KR102021630B1 (ko) 2012-02-03 2019-09-16 키모토 컴파니 리미티드 투명 도전막 부착 기재 및 터치 패널
JP6199034B2 (ja) 2012-02-16 2017-09-20 大倉工業株式会社 透明導電基材の製造方法および透明導電基材
FR2987122B1 (fr) * 2012-02-16 2014-03-21 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage et son procede de fabrication
WO2013128458A1 (en) 2012-03-01 2013-09-06 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Conductive nanowire films
CN104145312B (zh) * 2012-03-06 2017-08-15 迪睿合电子材料有限公司 透明导电膜、导电性元件、组合物、有色自组织材料、输入装置、显示装置和电子设备
KR101991676B1 (ko) * 2012-03-08 2019-06-21 주식회사 동진쎄미켐 투명 전극 형성용 전도성 잉크 조성물
JP6360276B2 (ja) * 2012-03-08 2018-07-18 東京エレクトロン株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体製造装置
JP5587522B2 (ja) 2012-03-09 2014-09-10 昭和電工株式会社 透明導電パターンの製造方法
DE102012102319A1 (de) 2012-03-20 2013-09-26 Rent A Scientist Gmbh Nichtlineare Nanodrähte
US9441117B2 (en) * 2012-03-20 2016-09-13 Basf Se Mixtures, methods and compositions pertaining to conductive materials
WO2013142552A1 (en) 2012-03-21 2013-09-26 Bayer Materialscience Ag Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices
JP6098143B2 (ja) * 2012-03-23 2017-03-22 株式会社リコー エレクトロクロミック表示装置及びエレクトロクロミック表示装置の製造方法
JP5832943B2 (ja) 2012-03-23 2015-12-16 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
JP5865851B2 (ja) 2012-03-23 2016-02-17 富士フイルム株式会社 導電性部材の製造方法、導電性部材、それを用いたタッチパネル
JP5952119B2 (ja) * 2012-03-23 2016-07-13 富士フイルム株式会社 導電性部材およびその製造方法
JP5788923B2 (ja) 2012-03-23 2015-10-07 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
US9490048B2 (en) 2012-03-29 2016-11-08 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
US10483104B2 (en) * 2012-03-30 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for producing stacked electrode and method for producing photoelectric conversion device
WO2013151052A1 (ja) * 2012-04-04 2013-10-10 日立化成株式会社 導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
CN102616033A (zh) * 2012-04-13 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种快速制备高透光性导电图案的方法
KR101570398B1 (ko) * 2012-04-26 2015-11-19 오사카 유니버시티 투명 도전성 잉크 및 투명 도전 패턴형성방법
US9711263B2 (en) 2012-05-18 2017-07-18 3M Innovative Properties Company Corona patterning of overcoated nanowire transparent conducting coatings
WO2013173845A1 (en) 2012-05-18 2013-11-21 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Multilayer light-emitting electrochemical cell device structures
TWI483271B (zh) * 2012-05-29 2015-05-01 Shih Hua Technology Ltd 觸控面板
US20130319729A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Nuovo Film Inc. Low Haze Transparent Conductive Electrodes and Method of Making the Same
CN103258596B (zh) * 2013-04-27 2016-12-28 苏州诺菲纳米科技有限公司 导电薄膜的消影方法
WO2013192143A1 (en) 2012-06-18 2013-12-27 Bayer Intellectual Property Gmbh Stretch frame for stretching process
US10029916B2 (en) 2012-06-22 2018-07-24 C3Nano Inc. Metal nanowire networks and transparent conductive material
US9920207B2 (en) 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
WO2014011578A1 (en) 2012-07-09 2014-01-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photosintering of micron-sized copper particles
US20160055937A1 (en) * 2012-07-11 2016-02-25 Konica Minolta, Inc. Transparent electrode for touch panel, touch panel, and display device
KR101462864B1 (ko) * 2012-07-18 2014-11-19 성균관대학교산학협력단 유연한 전도성 필름 및 그 제조 방법
WO2014015284A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 The Regents Of The University Of California High efficiency organic light emitting devices
KR102032186B1 (ko) 2012-07-24 2019-10-15 주식회사 다이셀 도전성 섬유 피복 입자, 및 경화성 조성물 및 그의 경화물
KR101975536B1 (ko) 2012-07-30 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 스크린 패널
US9040114B2 (en) 2012-08-29 2015-05-26 Rohm And Haas Electronic Material Llc Method of manufacturing silver miniwire films
CN103677366B (zh) 2012-09-20 2018-01-16 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板模块、触控装置及其制作方法
CN102888139A (zh) * 2012-09-21 2013-01-23 史昊东 汽车零件表面防腐保护剂及防腐方法
CN102888138A (zh) * 2012-09-21 2013-01-23 史昊东 汽车零件表面低温防腐保护剂
US9405417B2 (en) 2012-09-24 2016-08-02 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface and methods
WO2014047656A2 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface and methods
CN104797363B (zh) 2012-09-27 2018-09-07 罗地亚经营管理公司 制造银纳米结构的方法和可用于此方法的共聚物
US9099222B2 (en) 2012-10-10 2015-08-04 Carestream Health, Inc. Patterned films and methods
KR20140046923A (ko) * 2012-10-11 2014-04-21 제일모직주식회사 투명 도전체, 이를 제조하기 위한 조성물 및 이를 포함하는 광학표시 장치
CN103730206B (zh) * 2012-10-12 2016-12-21 纳米及先进材料研发院有限公司 制备透明的基于纳米材料的导电膜的方法
US9050775B2 (en) 2012-10-12 2015-06-09 Nano And Advanced Materials Institute Limited Methods of fabricating transparent and nanomaterial-based conductive film
US9590193B2 (en) 2012-10-24 2017-03-07 Parker-Hannifin Corporation Polymer diode
KR102017155B1 (ko) 2012-11-01 2019-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린 패널 및 그의 제조방법
WO2014073597A1 (ja) * 2012-11-08 2014-05-15 アルプス電気株式会社 導電体及びその製造方法
TWI525643B (zh) * 2012-11-09 2016-03-11 財團法人工業技術研究院 導電油墨組成物及透明導電薄膜
KR101442681B1 (ko) * 2012-11-09 2014-09-24 엔젯 주식회사 전도성 나노 잉크 조성물, 이를 이용한 전극선 및 투명전극
US9295153B2 (en) 2012-11-14 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of manufacturing a patterned transparent conductor
KR101468690B1 (ko) * 2012-11-19 2014-12-04 엔젯 주식회사 고점도 전도성 나노 잉크 조성물로 이루어진 전극선을 포함하는 투명전극 및 이를 이용한 터치센서, 투명히터 및 전자파 차폐제
KR101341102B1 (ko) * 2012-11-29 2013-12-12 한국표준과학연구원 수직 정렬 나노선을 포함하는 이방성 투명 전기전도성 가요성 박막 구조체 및 그 제조 방법
US9247641B2 (en) 2012-11-29 2016-01-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Substrate with transparent conductive layer and organic electroluminescence device
KR102085964B1 (ko) 2012-11-30 2020-03-09 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법
US8957322B2 (en) 2012-12-07 2015-02-17 Cambrios Technologies Corporation Conductive films having low-visibility patterns and methods of producing the same
BR112015013033A2 (pt) 2012-12-07 2017-07-11 3M Innovative Properties Co método de fabricação de condutores transparentes sobre substrato
KR101726908B1 (ko) * 2012-12-12 2017-04-13 제일모직주식회사 투과도 및 투명도가 우수한 투명전극
US20140170427A1 (en) 2012-12-13 2014-06-19 Carestream Health, Inc. Anticorrosion agents for transparent conductive film
US20140170407A1 (en) * 2012-12-13 2014-06-19 Carestream Health, Inc. Anticorrosion agents for transparent conductive film
US20140186587A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 Cheil Industries Inc. Transparent conductor and apparatus including the same
KR101737156B1 (ko) * 2012-12-27 2017-05-17 제일모직주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 장치
US20140199555A1 (en) 2013-01-15 2014-07-17 Carestream Health, Inc. Anticorrosion agents for transparent conductive film
KR102056928B1 (ko) 2013-01-16 2019-12-18 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린 패널 및 그의 제조방법
US20140205845A1 (en) 2013-01-18 2014-07-24 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for transparent conductive films
KR102148154B1 (ko) * 2013-01-22 2020-08-26 주식회사 동진쎄미켐 투명 전도성 막 코팅 조성물, 투명 전도성 막 및 투명 전도성 막의 제조 방법
TW201435924A (zh) 2013-01-22 2014-09-16 Cambrios Technologies Corp 於靜電放電(esd)保護具有高熱穩定性之奈米結構透明導體
US10971277B2 (en) 2013-02-15 2021-04-06 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
US10720257B2 (en) * 2013-02-15 2020-07-21 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
WO2014127297A1 (en) 2013-02-15 2014-08-21 Cambrios Technologies Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
CN105283927B (zh) 2013-02-20 2018-02-13 国立大学法人东京工业大学 导电性纳米线网络及使用该网络的导电性基板和透明电极及其制备方法
US10020807B2 (en) 2013-02-26 2018-07-10 C3Nano Inc. Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks
KR102070207B1 (ko) 2013-03-05 2020-01-28 엘지전자 주식회사 전도성 필름 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 전자 장치
US20140255707A1 (en) 2013-03-06 2014-09-11 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for silver nanowire based transparent conductive films
US9343195B2 (en) 2013-03-07 2016-05-17 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for silver nanowire based transparent conductive films
US8957315B2 (en) 2013-03-11 2015-02-17 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for silver nanowire based transparent conductive films
US8957318B2 (en) 2013-03-13 2015-02-17 Carestream Health, Inc. Stabilization agents for silver nanowire based transparent conductive films
TW201441144A (zh) 2013-03-13 2014-11-01 Cambrios Technologies Corp 減少以奈米結構為主之透明導電膜之漫反射之方法及由其製備之觸控面板
US20140262453A1 (en) * 2013-03-16 2014-09-18 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes and their structure design, and method of making the same
KR101589546B1 (ko) * 2013-12-26 2016-01-29 전자부품연구원 시인성이 개선된 투명 전도막 및 이의 제조방법
JP5450863B2 (ja) * 2013-03-27 2014-03-26 富士フイルム株式会社 導電層形成用分散物及び透明導電体
EP2980681A4 (en) 2013-03-29 2016-11-02 Showa Denko Kk METHOD FOR PRODUCING A TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE AND TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE
JP2014199837A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 東洋インキScホールディングス株式会社 熱電変換材料、熱電変換素子用組成物、熱電変換膜およびそれらを用いた熱電変換素子
JP6356453B2 (ja) * 2013-03-29 2018-07-11 昭和電工株式会社 透明導電パターン形成用基板、透明導電パターン形成基板及び透明導電パターン形成基板の製造方法
US20150014025A1 (en) 2013-04-05 2015-01-15 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising merged metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
US9368248B2 (en) 2013-04-05 2016-06-14 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
JP2015034279A (ja) * 2013-04-10 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 透明導電膜形成用インク組成物、透明導電膜、透明電極の製造方法、及び画像表示装置
WO2014175163A1 (ja) 2013-04-26 2014-10-30 昭和電工株式会社 導電パターンの製造方法及び導電パターン形成基板
JP2014224199A (ja) * 2013-05-16 2014-12-04 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀ナノワイヤインクの製造方法および銀ナノワイヤインク
JP6129769B2 (ja) 2013-05-24 2017-05-17 富士フイルム株式会社 タッチパネル用透明導電膜、透明導電膜の製造方法、タッチパネル及び表示装置
CN105246940B (zh) 2013-05-28 2018-09-04 株式会社大赛璐 光半导体密封用固化性组合物
US9318230B2 (en) 2013-05-31 2016-04-19 Basf Corporation Nanostructure dispersions and transparent conductors
US9448666B2 (en) 2013-06-08 2016-09-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Dark film lamination for a touch sensor
WO2014204206A1 (en) 2013-06-20 2014-12-24 Lg Electronics Inc. Conductive film and touch panel including the same
US9557813B2 (en) 2013-06-28 2017-01-31 Tactus Technology, Inc. Method for reducing perceived optical distortion
JP2015018624A (ja) * 2013-07-09 2015-01-29 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよび透明導電性フィルムの製造方法
KR20160040457A (ko) 2013-07-31 2016-04-14 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 마이크로- 또는 나노 구조 전도층을 가지는 물질의 제조방법
KR20150015314A (ko) * 2013-07-31 2015-02-10 제일모직주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 광학표시장치
SG11201600591VA (en) 2013-07-31 2016-02-26 3M Innovative Properties Co Bonding electronic components to patterned nanowire transparent conductors
JP2015032437A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
JP6022424B2 (ja) * 2013-08-01 2016-11-09 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
JP6132699B2 (ja) * 2013-08-01 2017-05-24 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
JP2015032438A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
JP6563811B2 (ja) 2013-08-22 2019-08-21 昭和電工株式会社 透明電極及びその製造方法
JP6457528B2 (ja) 2013-08-28 2019-01-23 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 以降の処理工程中における、正確な位置合わせのための、基準マークを備える電子アセンブリ
JP6206028B2 (ja) * 2013-09-19 2017-10-04 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
JP6516731B2 (ja) 2013-09-24 2019-05-22 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 熱分解有機層およびそれによって製造される導電性プリプレグ
US9759846B2 (en) 2013-09-27 2017-09-12 Cam Holding Corporation Silver nanostructure-based optical stacks and touch sensors with UV protection
KR20150034993A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 주식회사 동진쎄미켐 금속 나노와이어를 함유하는 전도성 코팅 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 형성방법
US10362685B2 (en) 2013-09-30 2019-07-23 3M Innovative Properties Company Protective coating for printed conductive pattern on patterned nanowire transparent conductors
US9280225B2 (en) 2013-09-30 2016-03-08 J Touch Corporation Electrode structure for touchscreen
US10353293B2 (en) 2013-10-03 2019-07-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive conductive film, conductive pattern formation method using same, and conductive pattern substrate
FR3011973B1 (fr) 2013-10-10 2016-01-01 Commissariat Energie Atomique Materiau multicouches comprenant des nanofils metalliques et un polymere non conducteur electriquement
DE102013111267B4 (de) * 2013-10-11 2019-10-24 Schott Ag Kochfeld mit einem transparenten elektrischen Leiter und Verfahren zur Herstellung
US10115495B2 (en) 2013-10-17 2018-10-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor and optical display including the same
CN104571660A (zh) * 2013-10-22 2015-04-29 杰圣科技股份有限公司 触控结构及其制造方法
US9754698B2 (en) * 2013-10-24 2017-09-05 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
CN103594195A (zh) * 2013-10-28 2014-02-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种金属纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法
US9455421B2 (en) 2013-11-21 2016-09-27 Atom Nanoelectronics, Inc. Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays
US11274223B2 (en) * 2013-11-22 2022-03-15 C3 Nano, Inc. Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches
CN105593309A (zh) * 2013-12-02 2016-05-18 住友理工株式会社 导电性材料和使用其的转换器
US9674947B2 (en) * 2013-12-04 2017-06-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
TWI512804B (zh) * 2013-12-12 2015-12-11 Ind Tech Res Inst 電極結構及其製作方法、使用此電極結構的觸控元件及觸控顯示器
JP2015114919A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 Jsr株式会社 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びに表示装置
CN105980497A (zh) 2013-12-17 2016-09-28 日产化学工业株式会社 透明导电膜用保护膜形成组合物
WO2015090395A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Transparente nanodrahtelektrode mit funktionaler organischer schicht
DE102013226998B4 (de) 2013-12-20 2015-08-06 Technische Universität Dresden Verfahren zur Herstellung einer Nanodrahtelektrode für optoelektronische Bauelemente sowie deren Verwendung
US9925616B2 (en) * 2013-12-23 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Method for fusing nanowire junctions in conductive films
JP2015125170A (ja) * 2013-12-25 2015-07-06 アキレス株式会社 調光フィルム用の透明電極基材
KR101581664B1 (ko) 2013-12-30 2015-12-31 한국세라믹기술원 금속산화물이 코팅된 금속 나노와이어를 포함하는 투명전도막의 제조방법
TWI500048B (zh) 2013-12-30 2015-09-11 Ind Tech Res Inst 透明導電膜組合物及透明導電膜
KR20150077765A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 주식회사 동진쎄미켐 표면처리를 통한 금속 나노와이어 기반 투명 전도성 막의 패터닝 방법
WO2015104594A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-16 Cima Nanotech Israel Ltd. Electrically conductive adhesive tapes
KR101787997B1 (ko) 2014-01-14 2017-10-20 한국기계연구원 전극 패턴의 제조방법
JP6291587B2 (ja) * 2014-01-22 2018-03-14 ヌォーヴォ フィルム インコーポレイテッドNuovo Film Inc. 溶解した金属ナノワイヤを含む透明導電電極の製造方法
CN104145314B (zh) 2014-01-22 2017-09-08 苏州诺菲纳米科技有限公司 带有融合金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及其制造方法
KR20150087753A (ko) * 2014-01-22 2015-07-30 제일모직주식회사 투명 도전체의 제조방법, 이에 사용되는 프레싱 롤, 이로부터 제조된 투명 도전체 및 이를 포함하는 표시장치
JPWO2015114786A1 (ja) * 2014-01-30 2017-03-23 パイオニアOledライティングデバイス株式会社 発光装置
KR102158541B1 (ko) * 2014-01-31 2020-09-23 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 금속 나노구조 재결합 층을 포함하는 탠덤 유기 광발전 디바이스들
KR101440396B1 (ko) 2014-02-20 2014-09-18 주식회사 인포비온 전도성 나노 와이어를 이용한 투명 도전막의 제조 방법
KR101665173B1 (ko) * 2014-03-05 2016-10-11 제일모직주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 광학표시장치
JP6547736B2 (ja) * 2014-03-14 2019-07-24 日立化成株式会社 感光性導電フィルム
US9207824B2 (en) 2014-03-25 2015-12-08 Hailiang Wang Systems and methods for touch sensors on polymer lenses
FR3019187B1 (fr) * 2014-03-27 2016-04-15 Univ Toulouse 3 Paul Sabatier Procede de preparation d'une piece composite electriquement conductrice en surface et applications
US20150287494A1 (en) 2014-04-08 2015-10-08 Carestream Health, Inc. Nitrogen-containing compounds as additives for transparent conductive films
KR101586902B1 (ko) 2014-04-09 2016-01-19 인트리 주식회사 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체 및 그 제조방법
US11343911B1 (en) 2014-04-11 2022-05-24 C3 Nano, Inc. Formable transparent conductive films with metal nanowires
US9965113B2 (en) 2014-04-14 2018-05-08 Lg Innotek Co., Ltd. Touch window
KR101635848B1 (ko) * 2014-04-14 2016-07-05 한국세라믹기술원 탄소 비결합성 금속 나노입자가 함유된 잉크 기제 제조 방법 및 금속 나노입자가 분산된 잉크
US10133422B2 (en) 2014-04-14 2018-11-20 Lg Innotek Co., Ltd. Curved touched window for an organic light emitting device
US9958999B2 (en) 2014-04-17 2018-05-01 3M Innovative Properties Company Capacitive touch sensor with Z-shaped electrode pattern
JP6616287B2 (ja) * 2014-04-21 2019-12-04 ユニチカ株式会社 強磁性金属ナノワイヤー分散液およびその製造方法
KR101606338B1 (ko) * 2014-04-22 2016-03-24 인트리 주식회사 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체를 제조하기 위한 포토마스크 및 그 제조방법
US20170044394A1 (en) * 2014-04-22 2017-02-16 Sabic Global Technologies B.V. Ultraviolet curable transfer coating for applying nanometer sized metal particles to polymer surface
CN103996453B (zh) * 2014-04-30 2018-06-12 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高透过率纳米金属透明导电膜的制造方法
CN104064282B (zh) * 2014-04-30 2017-10-31 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高透过率硬质纳米金属透明导电膜的制造方法
CN103996456B (zh) * 2014-04-30 2017-11-14 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高耐磨纳米金属透明导电膜的制造方法
CN104112544A (zh) * 2014-05-14 2014-10-22 中国科学院合肥物质科学研究院 一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法
CN104053256B (zh) * 2014-05-14 2016-01-20 中国科学院合肥物质科学研究院 基于银纳米线透明导电薄膜的加热器及其制备方法
CN103996457B (zh) * 2014-05-29 2018-11-20 京东方科技集团股份有限公司 银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN104020888A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
CN104020887A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
CN104020882A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
JP2016066590A (ja) * 2014-06-09 2016-04-28 日立化成株式会社 導電フィルム、感光性導電フィルム、導電膜の形成方法、導電パターンの形成方法及び導電膜基材
CN105204674B (zh) * 2014-06-12 2019-01-22 宸鸿科技(厦门)有限公司 一种触控显示模组
CN106687531A (zh) * 2014-06-19 2017-05-17 英克伦股份有限公司 硅氧烷聚合物组成物的制造方法
CN105224118A (zh) * 2014-06-24 2016-01-06 深圳市比亚迪电子部品件有限公司 触摸屏中玻璃传感器的制作方法、玻璃传感器和触摸屏
EP2960310B1 (en) 2014-06-27 2016-08-17 Henkel AG & Co. KGaA Conductive transparent coating for rigid and flexible substrates
KR102356158B1 (ko) * 2014-06-30 2022-02-03 엘지디스플레이 주식회사 투명도전막의 제조방법 및 투명도전막을 포함하는 표시장치
CN105225727B (zh) * 2014-06-30 2017-06-09 乐金显示有限公司 透明导电层、用于制造其的方法及包括其的显示装置
WO2016006024A1 (ja) * 2014-07-07 2016-01-14 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電フィルムセット及びそれを用いた表面保護フィルム及び導電パターン付き基材フィルムの製造方法、導電パターン付き基材フィルムの製造方法
KR102287289B1 (ko) * 2014-07-08 2021-08-06 주식회사 동진쎄미켐 투명 전극 복합체
US9801287B2 (en) 2014-07-09 2017-10-24 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
US9183968B1 (en) 2014-07-31 2015-11-10 C3Nano Inc. Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks
US10227465B2 (en) 2014-08-07 2019-03-12 Sabic Global Technologies B.V. Conductive multilayer sheet for thermal forming applications
JP6333780B2 (ja) * 2014-08-12 2018-05-30 富士フイルム株式会社 転写フィルム、転写フィルムの製造方法、積層体、積層体の製造方法、静電容量型入力装置、及び、画像表示装置
KR102243747B1 (ko) * 2014-08-13 2021-04-23 주식회사 동진쎄미켐 투명 전극의 형성 방법과, 투명 전극 적층체
US20170233588A1 (en) * 2014-08-15 2017-08-17 Basf Se Composition comprising silver nanowires and dispersed polymer beads for the preparation of electroconductive transparent layers
JP6832850B2 (ja) 2014-08-15 2021-02-24 ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアBasf Se 導電性透明層の製造のための銀ナノワイヤーおよび結晶性セルロースの繊維を含む組成物
JP6710685B2 (ja) * 2014-08-15 2020-06-17 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 導電性透明層の製造のための銀ナノワイヤーおよびスチレン/(メタ)アクリル酸コポリマーを含む組成物
US20160060492A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-03 3M Innovative Properties Company Protection of new electro-conductors based on nano-sized metals using direct bonding with optically clear adhesives
CN104299722B (zh) * 2014-09-05 2017-06-09 中国科学院合肥物质科学研究院 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法
CN104299721B (zh) * 2014-09-05 2018-01-23 中国科学院合肥物质科学研究院 一种通过清洗处理提高金属纳米线透明导电薄膜光学性质的方法
CN104299723A (zh) * 2014-09-05 2015-01-21 中国科学院合肥物质科学研究院 一种高性能金属纳米线透明导电薄膜的制备方法
CN104238855B (zh) * 2014-09-17 2017-07-07 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏
CN104238857B (zh) * 2014-09-17 2017-12-12 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏
CN104238860B (zh) * 2014-09-17 2017-10-27 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏
CN104238856B (zh) * 2014-09-17 2017-10-27 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏及其采用的滤光模块
CN104267860A (zh) * 2014-09-17 2015-01-07 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示屏
US10201082B2 (en) 2014-09-22 2019-02-05 Basf Se Transparent conductive layer, a film comprising the layer, and a process for its production
US20160096967A1 (en) 2014-10-03 2016-04-07 C3Nano Inc. Property enhancing fillers for transparent coatings and transparent conductive films
US11111396B2 (en) 2014-10-17 2021-09-07 C3 Nano, Inc. Transparent films with control of light hue using nanoscale colorants
KR101687992B1 (ko) 2014-11-18 2016-12-20 인트리 주식회사 나노섬유 패턴을 구비한 광투과성 도전체를 제조하기 위한 포토마스크 및 그 제조방법
BR112017011030A2 (pt) * 2014-11-25 2018-02-14 Ppg Ind Ohio Inc composição sol-gel formadora de película curável, artigo revestido e método para formar um revestimento anti-brilho sobre um substrato
WO2016093120A1 (ja) * 2014-12-08 2016-06-16 日東電工株式会社 粘着剤層付き透明導電性フィルム
CN105702875B (zh) 2014-12-11 2018-04-27 财团法人工业技术研究院 发光元件、电极结构与其制作方法
TWI553933B (zh) * 2014-12-11 2016-10-11 財團法人工業技術研究院 發光元件、電極結構與其製作方法
CN104485345A (zh) * 2014-12-15 2015-04-01 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极结构、其制作方法及柔性显示基板
KR101739726B1 (ko) 2014-12-19 2017-05-25 인트리 주식회사 나노섬유 패턴을 구비한 광투과성 도전체의 제조방법
KR101696300B1 (ko) * 2014-12-23 2017-01-16 전자부품연구원 전극 및 그의 제조방법
KR102375891B1 (ko) * 2014-12-24 2022-03-16 삼성전자주식회사 투명전극 및 이를 포함하는 전자 소자
CN104525966B (zh) * 2015-01-14 2016-10-26 河南大学 一种黄原胶-银纳米复合材料及其制备方法
US9607726B2 (en) * 2015-01-30 2017-03-28 Xerox Corporation Composition comprising silver nanowires
US9947430B2 (en) 2015-01-30 2018-04-17 Xerox Corporation Transparent conductive film comprising silver nanowires
KR102347960B1 (ko) * 2015-02-03 2022-01-05 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
KR101700686B1 (ko) * 2015-02-11 2017-01-31 빌리브마이크론(주) 실시간 위치 추적 시스템 및 방법
CN104681208B (zh) * 2015-03-18 2016-08-24 合肥工业大学 一种提高纳米银薄膜导电性的方法
US10747372B2 (en) 2015-03-25 2020-08-18 Hailiang Wang Systems and high throughput methods for touch sensors
CN114311899B (zh) 2015-04-06 2023-10-24 大日本印刷株式会社 导电性层叠体、触控面板和导电性层叠体的制造方法
KR20170134531A (ko) * 2015-04-06 2017-12-06 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 도전성 적층체, 터치 패널 및 도전성 적층체의 제조 방법
WO2016162192A1 (en) 2015-04-09 2016-10-13 Basf Se Composition comprising silver nanowires in an alcohol/water mixture and dispersed styrene/(meth)acrylic copolymers for the preparation of electroconductive transparent layers
FR3034683B1 (fr) * 2015-04-10 2017-05-05 Poly-Ink Suspension stable de nanofils d'argent et son procede de fabrication
KR20170141663A (ko) 2015-04-16 2017-12-26 바스프 에스이 패터닝된 투명 전도성 필름 및 이러한 패터닝된 투명 전도성 필름의 제조 방법
WO2016166190A1 (en) 2015-04-16 2016-10-20 Basf Se Process for producing a patterned transparent conductive film and a transparent conductive film
DE102015105831A1 (de) 2015-04-16 2016-10-20 Rent-A-Scientist Gmbh Metallnanopartikelhaltige, disperse Formulierung
JP6042486B1 (ja) 2015-05-29 2016-12-14 日本写真印刷株式会社 タッチセンサの製造方法及びタッチセンサ
CN104952551B (zh) * 2015-06-16 2017-10-24 北京石油化工学院 一种柔性衬底纳米银线透明导电薄膜的制备方法
CN104916351B (zh) * 2015-06-23 2017-03-08 广州聚达光电有限公司 一种柔性透明导电薄膜及其制备方法
CN107835974B (zh) * 2015-06-30 2021-07-16 3M创新有限公司 包括通孔的电子设备以及形成此类电子设备的方法
US10829605B2 (en) 2015-07-02 2020-11-10 Sabic Global Technologies B.V. Process and material for growth of adsorbed compound via nanoscale-controlled resistive heating and uses thereof
KR102433790B1 (ko) * 2015-07-07 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 전극, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US10372246B2 (en) 2015-07-16 2019-08-06 Hailiang Wang Transferable nanocomposites for touch sensors
US10294422B2 (en) 2015-07-16 2019-05-21 Hailiang Wang Etching compositions for transparent conductive layers comprising silver nanowires
KR20170016591A (ko) * 2015-08-04 2017-02-14 인천대학교 산학협력단 투명 전극 및 그 제조방법
KR20170018718A (ko) * 2015-08-10 2017-02-20 삼성전자주식회사 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법
WO2017034870A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 3M Innovative Properties Company Transparent conductors including metal traces and methods of making same
CN105070510B (zh) * 2015-08-26 2017-07-11 长江大学 柔性染料敏化太阳电池及其制备方法
US10271385B2 (en) 2015-08-26 2019-04-23 Husnu Emrah Unalan Metal nanowire decorated heatable fabrics
DE102015115004A1 (de) * 2015-09-07 2017-03-09 Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh Verfahren zur Herstellung von strukturierten Oberflächen
WO2017048754A1 (en) * 2015-09-14 2017-03-23 President And Fellows Of Harvard College Methods and apparatus for modulating light using a deformable soft dielectric
DE112016004241T5 (de) * 2015-09-18 2018-07-19 Sony Corporation Leitfähiges element, herstellungsverfahren für dasselbe, eingabevorrichtung und elektronische einrichtung
JP6553471B2 (ja) * 2015-09-29 2019-07-31 住友化学株式会社 電極付き基板の製造方法
US10090078B2 (en) 2015-10-07 2018-10-02 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Nanocomposite films and methods of preparation thereof
CN105153814B (zh) * 2015-10-09 2018-07-17 重庆文理学院 一种水基银纳米线墨水的配制方法
CN105118546B (zh) * 2015-10-09 2017-06-16 重庆文理学院 一种新型氧化物保护的银纳米线透明导电薄膜
CN108353503B (zh) * 2015-10-26 2021-02-19 韩国机械研究院 一种使用强脉冲光烧结的图案形成装置以及方法
KR101773148B1 (ko) * 2015-11-10 2017-08-30 한국기계연구원 전도성 금속 잉크로 코팅된 기판에 광을 조사하여 전도성 패턴을 형성하는 시스템
KR101862760B1 (ko) * 2015-10-28 2018-05-31 덕산하이메탈(주) 투광성 기판의 제조방법 및 이를 통해 제조된 투광성 기판
KR101823358B1 (ko) * 2015-10-28 2018-01-31 덕산하이메탈(주) 투광성 기판의 제조방법 및 이를 통해 제조된 투광성 기판
CN105405984B (zh) * 2015-11-02 2018-05-25 固安翌光科技有限公司 一种电极及其制备方法与应用
TWI603343B (zh) * 2015-11-09 2017-10-21 大葉大學 銀奈米線及銀奈米薄膜的製備方法
US10088931B2 (en) * 2015-11-16 2018-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Silver nanowires, production methods thereof, conductors and electronic devices including the same
US9801284B2 (en) 2015-11-18 2017-10-24 Dow Global Technologies Llc Method of manufacturing a patterned conductor
US10957868B2 (en) 2015-12-01 2021-03-23 Atom H2O, Llc Electron injection based vertical light emitting transistors and methods of making
CN105273471B (zh) * 2015-12-07 2018-07-06 苏州艾达仕电子科技有限公司 水溶性纳米银导电涂料
KR20170067204A (ko) 2015-12-07 2017-06-16 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노선 전극의 제조 방법
CN109206965A (zh) * 2015-12-07 2019-01-15 叶旭东 用于电子产品的导电涂料
US10147512B2 (en) 2015-12-09 2018-12-04 C3Nano Inc. Methods for synthesizing silver nanoplates and noble metal coated silver nanoplates and their use in transparent films for control of light hue
US10515736B2 (en) * 2015-12-15 2019-12-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanostructured conducting films with a heterogeneous dopant distribution and methods of making and use thereof
ES2625024B1 (es) * 2015-12-18 2018-05-10 Consejo Superior De Investigaciones Cientificas Material que comprende tectómeros de oligoglicina y nanohilos
KR101683680B1 (ko) * 2015-12-29 2016-12-09 주식회사 하이딥 압력 검출을 위한 전극시트 및 이를 포함하는 압력 검출 모듈
US10541374B2 (en) * 2016-01-04 2020-01-21 Carbon Nanotube Technologies, Llc Electronically pure single chirality semiconducting single-walled carbon nanotube for large scale electronic devices
TW201728699A (zh) 2016-01-29 2017-08-16 西克帕控股有限公司 凹刻印刷磁電機可讀取的氧化乾燥油墨
JP6723343B2 (ja) * 2016-03-11 2020-07-15 昭和電工株式会社 金属ナノワイヤインク、透明導電基板及び透明帯電防止用基板
JP6143909B1 (ja) * 2016-03-29 2017-06-07 株式会社フジクラ 配線体、配線基板、タッチセンサ、及び配線体の製造方法
KR101685069B1 (ko) * 2016-04-01 2016-12-09 금오공과대학교 산학협력단 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
TWI625226B (zh) * 2016-04-01 2018-06-01 律勝科技股份有限公司 可撓性透明聚醯亞胺積層板及其製造方法
JP2019517053A (ja) 2016-04-05 2019-06-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 金属相互連結部への向上した接着性を有するナノワイヤ接触パッド
WO2017175215A1 (en) 2016-04-07 2017-10-12 Technology Innovation Momentum Fund (Israel) Limited Partnership Printing of nanowire films
US10354773B2 (en) 2016-04-08 2019-07-16 Duke University Noble metal-coated nanostructures and related methods
US10747040B2 (en) 2016-05-25 2020-08-18 3M Innovation Properties Company Substrate for touch sensor
JPWO2017208925A1 (ja) 2016-05-31 2019-03-28 昭和電工株式会社 透明導電パターンの形成方法
CN109074919B (zh) 2016-05-31 2021-04-30 昭和电工株式会社 透明导电图案的形成方法
US10249409B2 (en) * 2016-06-21 2019-04-02 Schlumberger Technology Corporation Coated conductors
WO2018003759A1 (ja) 2016-06-27 2018-01-04 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀ナノワイヤインクおよびその製造方法並びに導電膜
CN107562251B (zh) * 2016-06-30 2020-09-15 宁波科廷光电科技有限公司 用于触摸传感器的可转移纳米复合材料
KR20180012098A (ko) * 2016-07-26 2018-02-05 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN106046943A (zh) * 2016-07-26 2016-10-26 珠海纳金科技有限公司 一种用于喷墨打印的导电油墨及其制备方法
WO2018019813A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Basf Se Transparent electroconductive layer and ink for production thereof
WO2018019820A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Basf Se Transparent electroconductive layer having a protective coating
CN106297967B (zh) 2016-08-26 2018-01-16 京东方科技集团股份有限公司 柔性导电薄膜及其制备方法、柔性触摸屏及显示面板
KR102601451B1 (ko) 2016-09-30 2023-11-13 엘지디스플레이 주식회사 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자, 액정표시장치 및 유기발광표시장치
KR102405829B1 (ko) 2016-09-30 2022-06-07 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 도전성 필름, 터치 패널 및 화상 표시 장치
US11773275B2 (en) * 2016-10-14 2023-10-03 C3 Nano, Inc. Stabilized sparse metal conductive films and solutions for delivery of stabilizing compounds
EP3545461A4 (en) * 2016-11-24 2020-07-22 Boe Technology Group Co. Ltd. SOFT TOUCH PANEL, SOFT DISPLAY PANEL, AND SOFT DISPLAY APPARATUS, AS WELL AS THEIR MANUFACTURING PROCESSES
JP6859083B2 (ja) 2016-11-28 2021-04-14 昭和電工株式会社 導電性フィルム、及び導電性フィルムの製造方法
CN109923622B (zh) * 2016-12-01 2020-06-19 昭和电工株式会社 透明导电基板和其制造方法
WO2018104108A1 (en) 2016-12-07 2018-06-14 Basf Se Composites comprising layers of nanoobjects and coating, preferably clear coating
KR20190086530A (ko) 2016-12-20 2019-07-22 세이코 피엠씨 가부시키가이샤 내후성 향상제, 금속 나노 와이어층 피복용 수지 조성물 및 금속 나노 와이어 함유 적층체
CN110214379A (zh) * 2016-12-23 2019-09-06 沙特基础工业全球技术公司 导电性共聚酯碳酸酯基材料
WO2018122745A1 (en) 2016-12-29 2018-07-05 3M Innovative Properties Company Methods for preparing electrically conductive patterns and articles containing electrically conductive patterns
KR102025580B1 (ko) * 2017-01-16 2019-09-26 쇼와 덴코 가부시키가이샤 투명 도전 필름 및 투명 도전 패턴의 제조 방법
JP2018141239A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀ナノワイヤインク
EP3594298A4 (en) 2017-03-07 2020-12-16 DOWA Electronics Materials Co., Ltd. PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SILVER NANOWIRE INK, SILVER NANOWIRE INK AND TRANSPARENT CONDUCTIVE COATING FILM
DE102017104922A1 (de) 2017-03-08 2018-09-13 Olav Birlem Verbindung von elektrischen Leitern
CN108630708A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
WO2018172269A1 (en) 2017-03-21 2018-09-27 Basf Se Electrically conductive film comprising nanoobjects
CN108621753A (zh) 2017-03-24 2018-10-09 凯姆控股有限公司 平面加热结构
US10847757B2 (en) 2017-05-04 2020-11-24 Carbon Nanotube Technologies, Llc Carbon enabled vertical organic light emitting transistors
US10665796B2 (en) 2017-05-08 2020-05-26 Carbon Nanotube Technologies, Llc Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof
US10978640B2 (en) 2017-05-08 2021-04-13 Atom H2O, Llc Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof
CN107217306B (zh) * 2017-05-19 2023-07-07 湖州三峰能源科技有限公司 多晶硅片酸制绒优化剂的化学组合物及其应用
KR102371678B1 (ko) * 2017-06-12 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노선 전극 및 이의 제조 방법
CN107331445A (zh) * 2017-07-11 2017-11-07 湖南大学 一种改性银纳米线透明导电膜及提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法
CN110720129B (zh) 2017-08-02 2022-06-03 昭和电工株式会社 导电膜的制造方法、导电膜和金属纳米线墨
KR102005262B1 (ko) * 2017-08-21 2019-07-31 금오공과대학교 산학협력단 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
JP6399175B2 (ja) * 2017-09-07 2018-10-03 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
CN107630360B (zh) * 2017-09-30 2020-05-19 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种双功能导电纤维及其制备方法和应用
JP7181614B2 (ja) * 2017-10-13 2022-12-01 ユニチカ株式会社 ニッケルナノワイヤーを含有するペースト
JP7097959B2 (ja) 2017-10-27 2022-07-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可撓性カバーレンズフィルム
CN109817381B (zh) * 2017-11-21 2020-05-29 北京赛特超润界面科技有限公司 一种铜网格复合离子液体凝胶柔性透明电极的制备方法
JP7253550B2 (ja) 2017-11-30 2023-04-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 自己支持型3層積層体を含む基板
TWI653643B (zh) 2017-12-04 2019-03-11 富元精密科技股份有限公司 透明導電體結構及其製造方法
US10714230B2 (en) 2017-12-06 2020-07-14 C3Nano Inc. Thin and uniform silver nanowires, method of synthesis and transparent conductive films formed from the nanowires
WO2019147616A1 (en) * 2018-01-24 2019-08-01 Nano-C, Inc. Methods for manufacturing of heterogeneous rigid rod networks
US20190235339A1 (en) * 2018-01-29 2019-08-01 Polyceed Inc. Electrochromic device structures with conductive nanoparticles
CN110221718B (zh) * 2018-03-02 2023-07-04 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板的直接图案化方法及其触控面板
CN110221731B (zh) * 2018-03-02 2023-03-28 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板的直接图案化方法及其触控面板
US20190280052A1 (en) * 2018-03-12 2019-09-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for manufacturing a touch-control panel and oled touch-control apparauts
WO2019176078A1 (ja) 2018-03-16 2019-09-19 株式会社 東芝 透明電極の製造方法および製造装置
US20210017410A1 (en) * 2018-03-30 2021-01-21 Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd. Curable composition for inkjet, cured product of same, and electronic component comprising said cured product
CN111770972B (zh) 2018-04-12 2022-07-01 昭和电工株式会社 银纳米线墨和透明导电膜
FI128433B (en) * 2018-05-09 2020-05-15 Canatu Oy An electrically conductive multilayer film comprising a coating layer
US11579339B2 (en) 2018-05-10 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Replaceable cover lens for flexible display
JP2019206738A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀ナノワイヤインクおよび透明導電膜の製造方法並びに透明導電膜
CN108549503B (zh) 2018-06-30 2020-11-20 云谷(固安)科技有限公司 触控面板及其制作方法、显示装置
CN108598288A (zh) * 2018-07-10 2018-09-28 上海大学 一种复合多功能oled电极及其制备方法
CN108962503A (zh) * 2018-07-31 2018-12-07 佛山科学技术学院 一种超高稳定性环氧封装银纳米线柔性透明电极的制法及其应用
WO2020038641A1 (en) 2018-08-20 2020-02-27 Basf Se Transparent electroconductive films and ink for production thereof
US11106107B2 (en) * 2018-09-09 2021-08-31 Zhejiang Jingyi New Material Technology Co., Ltd Ultra-flexible and robust silver nanowire films for controlling light transmission and method of making the same
US11823808B2 (en) * 2018-09-19 2023-11-21 University Of Massachusetts Conductive composite materials fabricated with protein nanowires
CN109402635B (zh) * 2018-10-30 2021-02-09 苏州诺菲纳米科技有限公司 透明导电电极的制备方法
TWI809236B (zh) * 2018-12-27 2023-07-21 英屬維爾京群島商天材創新材料科技股份有限公司 銀奈米線透明導電薄膜
US11910525B2 (en) 2019-01-28 2024-02-20 C3 Nano, Inc. Thin flexible structures with surfaces with transparent conductive films and processes for forming the structures
KR102176012B1 (ko) * 2019-03-20 2020-11-09 한국과학기술연구원 투명 유연 전극/전자파 차폐 필름 및 이의 제조방법
TWI824134B (zh) * 2019-04-03 2023-12-01 英屬維爾京群島商天材創新材料科技股份有限公司 導電性膜
KR20220007602A (ko) * 2019-04-03 2022-01-18 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 전도성 필름 형성
JP2022528108A (ja) * 2019-04-03 2022-06-08 カンブリオス フィルム ソリューションズ コーポレーション ナノワイヤインクの性能とナノワイヤ寸法との相関
JP2020187188A (ja) * 2019-05-10 2020-11-19 株式会社ニコン・エシロール 眼鏡レンズ
JP7404407B2 (ja) 2019-06-26 2023-12-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 折り畳み式ディスプレイ用の可撓性多層カバーレンズ積層体
CN110400775A (zh) * 2019-07-10 2019-11-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板和柔性显示装置
US20220244644A1 (en) 2019-07-16 2022-08-04 Agfa-Gevaert Nv A Method of Manufacturing a Transparent Conductive Film
US20210071308A1 (en) * 2019-09-09 2021-03-11 University Of North Texas Selective surface finishing for corrosion inhibition via chemical vapor deposition
WO2021065829A1 (ja) 2019-10-02 2021-04-08 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
CN114467156A (zh) 2019-10-02 2022-05-10 日东电工株式会社 透明导电性膜的制造方法
JPWO2021065827A1 (ja) 2019-10-02 2021-04-08
CN113903502A (zh) * 2019-11-14 2022-01-07 宸盛光电有限公司 具自组装保护层的导电结构及自组装涂层组合物
WO2021094901A1 (en) 2019-11-15 2021-05-20 3M Innovative Properties Company Expandable microsphere, markable article, marked article, and method of making the same
US11842828B2 (en) 2019-11-18 2023-12-12 C3 Nano, Inc. Coatings and processing of transparent conductive films for stabilization of sparse metal conductive layers
KR102280104B1 (ko) * 2019-11-29 2021-07-20 부산대학교 산학협력단 M13 박테리오파지를 기반으로 하는 은 나노와이어의 제조방법
AU2020419333A1 (en) 2020-01-03 2022-07-21 Nanotech Energy, Inc. Electromagnetic interference shielding materials, devices, and methods of manufacture thereof
EP3858924B1 (de) * 2020-01-29 2022-08-31 Nordwest-Chemie GmbH Elektrisch leitfähiger laserbarer lack, verfahren zu dessen herstellung sowie verwendung des lackes zur herstellung eines touch-bedienelementes
JP2021136085A (ja) 2020-02-25 2021-09-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
CN113650373B (zh) * 2020-05-12 2023-09-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触控层及其制备方法,以及触控装置
CN115699219A (zh) 2020-05-22 2023-02-03 日东电工株式会社 导电性膜
JP2021184344A (ja) 2020-05-22 2021-12-02 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
CN113936844B (zh) * 2020-07-13 2023-02-03 华为技术有限公司 透明导电电极及其制备方法、电子器件
JP7458926B2 (ja) 2020-07-28 2024-04-01 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
CN111880686A (zh) * 2020-07-31 2020-11-03 淄博松柏电子科技有限公司 电极组件制作方法、电极组件及超轻薄金属线触控面板
CN112968081A (zh) * 2020-08-18 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种红光led芯片及制备方法、显示面板
JP2022042664A (ja) 2020-09-03 2022-03-15 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
CN112210294B (zh) * 2020-09-22 2021-11-23 广东极客亮技术有限公司 碳化硅防霉防白蚁涂料、防白蚁木材及制备方法
CN114250013A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 宸鸿科技(厦门)有限公司 可喷涂导电油墨与导电元件
JP2022073593A (ja) 2020-11-02 2022-05-17 日東電工株式会社 導電性光学積層体
EP4244462A1 (en) * 2020-11-11 2023-09-20 Baker Hughes Oilfield Operations, LLC Advanced insulation and jacketing for downhole power and motor lead cables
CN114496352A (zh) * 2020-11-12 2022-05-13 天材创新材料科技(厦门)有限公司 纳米银线保护层结构及其制备方法
EP4269098A1 (en) * 2020-12-24 2023-11-01 Resonac Corporation Transparent electroconductive film laminate
JP2022108459A (ja) 2021-01-13 2022-07-26 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2022108460A (ja) 2021-01-13 2022-07-26 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
US20240101850A1 (en) * 2021-01-27 2024-03-28 The Research Foundation For The State University Of New York Printed conformal high temperature electronics using copper nanoink
CN112967846B (zh) * 2021-02-01 2023-06-02 苏州星烁纳米科技有限公司 一种薄膜及其制备方法
JP2022122545A (ja) 2021-02-10 2022-08-23 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2022143835A (ja) 2021-03-18 2022-10-03 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2022143836A (ja) 2021-03-18 2022-10-03 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
CN113156722A (zh) * 2021-04-02 2021-07-23 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制备方法
US20220365615A1 (en) * 2021-05-13 2022-11-17 Cambrios Film Solutions Corporation On-cell touch display and preparing method thereof
TWI767738B (zh) * 2021-06-03 2022-06-11 位速科技股份有限公司 導電油墨樹脂組成物、透明導電膜以及透明導電基板結構及其製作方法
CN113393975B (zh) * 2021-06-09 2022-11-04 哈尔滨工业大学 一种表面改性的银纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法
CN113540357B (zh) * 2021-06-21 2024-02-23 南京邮电大学 一种柔性有机太阳能电池及其制备方法
US11703966B2 (en) 2021-08-18 2023-07-18 Tpk Advanced Solutions Inc. Touch display module
CN113793718B (zh) * 2021-08-23 2024-01-09 湖南兴威新材料有限公司 一种薄膜电极及其制备方法和应用
CN113764137B (zh) * 2021-08-25 2024-01-09 湖南兴威新材料有限公司 纳米银线导电膜的制备方法、纳米银线导电膜及其应用
JP2023066744A (ja) * 2021-10-29 2023-05-16 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
WO2023140011A1 (ja) * 2022-01-21 2023-07-27 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤの製造方法、金属ナノワイヤ、分散液および導電膜
JP2023127683A (ja) 2022-03-02 2023-09-14 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
JP2023183132A (ja) 2022-06-15 2023-12-27 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2023183138A (ja) 2022-06-15 2023-12-27 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
CN115572515B (zh) * 2022-10-07 2024-02-06 江苏中新瑞光学材料有限公司 一种电致变色涂料以及基于其的电致变色薄膜
US11961637B1 (en) 2022-12-07 2024-04-16 Tpk Advanced Solutions Inc. Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06107834A (ja) * 1992-09-28 1994-04-19 Dainippon Printing Co Ltd 易接着コーティング芳香族ポリアミド樹脂基材及びその製造方法
JP2001093414A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Asahi Glass Co Ltd 導電膜形成用塗布液およびその用途
JP2001305714A (ja) * 2000-04-25 2001-11-02 Hitachi Ltd 電子装置の製造方法、パターン形成方法、及びそれに用いるマスク
JP2003098670A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2003142252A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Harison Toshiba Lighting Corp 管状発光装置
JP2004140283A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Nisshinbo Ind Inc ディスプレイ用薄型電磁波シールド積層体及びその製造方法
JP2004188953A (ja) * 2002-10-17 2004-07-08 Shin Etsu Polymer Co Ltd プラズマディスプレー用機能性透明パネルの製造方法
JP2004196923A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Mitsubishi Materials Corp 金属ナノワイヤー含有組成物および電磁波遮蔽フィルター
JP2004230690A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
WO2004097466A1 (ja) * 2003-04-28 2004-11-11 Takiron Co. Ltd. 電磁波シールド性光拡散シート
JP2005530005A (ja) * 2002-06-13 2005-10-06 ナノパウダーズ インダストリーズ リミテッド 導電性及び透明性を有するナノ被覆物及びナノインクの製造方法、並びにこの製造方法により製造されるナノ粉末被覆物及びインク
JP2006127929A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Mitsubishi Chemicals Corp 透明導電膜付き基板、塗布液及びその製造方法
JP2006171336A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
JP2006272876A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Takiron Co Ltd 導電体
JP2007112133A (ja) * 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体

Family Cites Families (283)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US707675A (en) * 1901-12-12 1902-08-26 Eliza A Colburn Circular sawing machine.
US796027A (en) * 1905-03-11 1905-08-01 Louis Wittbold Watering system and nozzle for greenhouses.
US798027A (en) * 1905-04-20 1905-08-22 Charles A Ernst Process of manufacturing filaments from viscose.
US2289301A (en) * 1939-01-26 1942-07-07 Alfred W Barber Phase inversion circuit
US2426318A (en) * 1945-11-15 1947-08-26 Stanolind Oil & Gas Co Inhibiting corrosion
US3167429A (en) * 1961-05-26 1965-01-26 Levy Marilyn Monobaths containing sodium polyacrylate and polyvinyl-pyrrolidone
US3552969A (en) * 1967-09-25 1971-01-05 Eastman Kodak Co Photographic compositions and processes
JPS5761025B2 (ja) 1974-01-16 1982-12-22 Toa Gosei Chem Ind
US4083945A (en) 1977-01-10 1978-04-11 Union Oil Company Of California Process for the treatment of hydrogen sulfide gas streams
JPS5761025A (en) 1980-09-30 1982-04-13 Kuraray Co Ltd Production of laminate having excelent dew condensation resistance and gas barrier property
DE3216125A1 (de) 1982-04-30 1983-11-10 Cassella Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von schwefelfarbstoffen der phthalocyanin-reihe
DE3368092D1 (en) * 1982-07-30 1987-01-15 Mishima Paper Co Ltd Conductive film for packaging
FR2537898A1 (fr) * 1982-12-21 1984-06-22 Univ Paris Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede
EP0132565B2 (en) 1983-08-01 1998-11-25 AlliedSignal Inc. Oriented film laminates of polyamides and ethylene vinyl alcohol
US4716081A (en) * 1985-07-19 1987-12-29 Ercon, Inc. Conductive compositions and conductive powders for use therein
US4780371A (en) 1986-02-24 1988-10-25 International Business Machines Corporation Electrically conductive composition and use thereof
GB8617535D0 (en) 1986-07-17 1986-08-28 Du Pont Canada Gas barrier structures
JPS63229061A (ja) * 1987-03-18 1988-09-22 テルモ株式会社 膜型人工肺とその製造方法
DE3870012D1 (de) * 1987-04-03 1992-05-21 Ciba Geigy Ag Antistatische und elektrisch leitende polymere und formmassen.
JP2553872B2 (ja) * 1987-07-21 1996-11-13 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US5292784A (en) 1989-05-23 1994-03-08 Ganns Financial Group, Inc., Dba Glare Tech Industries Incorporated Anti-glare coating for reflective-transmissive surfaces and method
US5063125A (en) * 1989-12-29 1991-11-05 Xerox Corporation Electrically conductive layer for electrical devices
US5716663A (en) * 1990-02-09 1998-02-10 Toranaga Technologies Multilayer printed circuit
CA2038785C (en) 1990-03-27 1998-09-29 Atsushi Oyamatsu Magneto-optical recording medium
US5225244A (en) * 1990-12-17 1993-07-06 Allied-Signal Inc. Polymeric anti-reflection coatings and coated articles
US5165965A (en) * 1990-12-28 1992-11-24 Reynolds Metals Company Method for providing predistored images on shrinkable film
US5165985A (en) * 1991-06-28 1992-11-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a flexible, transparent film for electrostatic shielding
JPH05194856A (ja) 1991-09-05 1993-08-03 Otsuka Chem Co Ltd 導電性エラストマー組成物
US5198267A (en) 1991-09-20 1993-03-30 Allied-Signal Inc. Fluoropolymer blend anti-reflection coatings and coated articles
US5270364A (en) 1991-09-24 1993-12-14 Chomerics, Inc. Corrosion resistant metallic fillers and compositions containing same
US5456747A (en) 1991-12-16 1995-10-10 Ibbotson; Peter G. Anti glare and/or reflection formulation
EP0554220A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-04 Ciba-Geigy Ag Charge-Transfer Komplexe mit Ferrocenen, deren Herstellung und deren Verwendung
JP3059829B2 (ja) 1992-06-16 2000-07-04 株式会社海水化学研究所 導電性フィラー、その製造方法およびその使用
ATE145420T1 (de) * 1992-07-15 1996-12-15 Ciba Geigy Ag Beschichtetes material, dessen herstellung und verwendung
EP0588759A1 (de) * 1992-08-20 1994-03-23 Ciba-Geigy Ag Dithiopentacenderivate, deren Herstellung und deren Verwendung als Elektronenakzeptoren in Charge-Transfer Komplexen
JPH06162818A (ja) 1992-11-18 1994-06-10 Ajinomoto Co Inc 活性エネルギー線硬化型導電性組成物
CN1091553A (zh) * 1992-11-20 1994-08-31 国家标准公司 电池电极的基质及其制造方法
JPH06215631A (ja) 1993-01-19 1994-08-05 Ajinomoto Co Inc 繊維状導電性物質及びこれを含有する導電性樹脂組成物
KR100214428B1 (ko) 1993-06-30 1999-08-02 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 적외선차단재와 그것에 사용하는 적외선차단분말
US5415815A (en) 1993-07-14 1995-05-16 Bruno; Art Film for glare reduction
US5460701A (en) * 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
JPH0794036A (ja) 1993-07-27 1995-04-07 Fujimori Kogyo Kk フラットケーブル用電磁波遮蔽性組成物およびそれを用いたフイルム
EP0653763A1 (en) 1993-11-17 1995-05-17 SOPHIA SYSTEMS Co., Ltd. Ultraviolet hardenable, solventless conductive polymeric material
WO1995019567A1 (en) * 1994-01-13 1995-07-20 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Synthetic receptors, libraries and uses thereof
US5951918A (en) * 1995-02-08 1999-09-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composite electroconductive powder, electroconductive paste, process for producing electroconductive paste, electric circuit and process for producing electric circuit
US5565143A (en) 1995-05-05 1996-10-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water-based silver-silver chloride compositions
KR970073821A (ko) 1995-09-27 1997-12-10 아키모토 유미 다공질 소결금속판의 제조방법 및 제조장치
JPH09115334A (ja) * 1995-10-23 1997-05-02 Mitsubishi Materiais Corp 透明導電膜および膜形成用組成物
US5759230A (en) * 1995-11-30 1998-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nanostructured metallic powders and films via an alcoholic solvent process
KR970052197A (ko) * 1995-12-05 1997-07-29 문정환 금속배선 형성방법
US5897945A (en) * 1996-02-26 1999-04-27 President And Fellows Of Harvard College Metal oxide nanorods
IT1282387B1 (it) * 1996-04-30 1998-03-20 Videocolor Spa Rivestimento antistatico,antiabbagliante,per una superficie a riflessione-trasmissione
US5820957A (en) 1996-05-06 1998-10-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anti-reflective films and methods
JPH09324324A (ja) 1996-06-07 1997-12-16 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維及びその製法並びに該繊維を用いた導電性塗料
JPH1017325A (ja) 1996-07-03 1998-01-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウム粉末及びその製造方法
JPH1046382A (ja) 1996-07-26 1998-02-17 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維の製造方法及び該繊維を用いた導電性塗料
US6977025B2 (en) * 1996-08-01 2005-12-20 Loctite (R&D) Limited Method of forming a monolayer of particles having at least two different sizes, and products formed thereby
US6933331B2 (en) * 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US6344271B1 (en) * 1998-11-06 2002-02-05 Nanoenergy Corporation Materials and products using nanostructured non-stoichiometric substances
US5952040A (en) * 1996-10-11 1999-09-14 Nanomaterials Research Corporation Passive electronic components from nano-precision engineered materials
US6202471B1 (en) * 1997-10-10 2001-03-20 Nanomaterials Research Corporation Low-cost multilaminate sensors
US5905000A (en) * 1996-09-03 1999-05-18 Nanomaterials Research Corporation Nanostructured ion conducting solid electrolytes
US5851507A (en) * 1996-09-03 1998-12-22 Nanomaterials Research Corporation Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders
US5788738A (en) * 1996-09-03 1998-08-04 Nanomaterials Research Corporation Method of producing nanoscale powders by quenching of vapors
US5719016A (en) * 1996-11-12 1998-02-17 Eastman Kodak Company Imaging elements comprising an electrically conductive layer containing acicular metal-containing particles
US5731119A (en) * 1996-11-12 1998-03-24 Eastman Kodak Company Imaging element comprising an electrically conductive layer containing acicular metal oxide particles and a transparent magnetic recording layer
JP3398587B2 (ja) 1996-12-10 2003-04-21 タキロン株式会社 成形可能な制電性樹脂成形品
US6379745B1 (en) * 1997-02-20 2002-04-30 Parelec, Inc. Low temperature method and compositions for producing electrical conductors
US6001163A (en) 1997-04-17 1999-12-14 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate
US6045925A (en) 1997-08-05 2000-04-04 Kansas State University Research Foundation Encapsulated nanometer magnetic particles
TW505685B (en) * 1997-09-05 2002-10-11 Mitsubishi Materials Corp Transparent conductive film and composition for forming same
US6514453B2 (en) * 1997-10-21 2003-02-04 Nanoproducts Corporation Thermal sensors prepared from nanostructureed powders
JP2972702B2 (ja) * 1998-03-17 1999-11-08 静岡日本電気株式会社 ペン入力型携帯情報端末機
JPH11340322A (ja) * 1998-05-21 1999-12-10 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
US5867945A (en) * 1998-06-04 1999-02-09 Scafidi; Stephen J. Self-cleaning gutter
KR20000003597A (ko) * 1998-06-29 2000-01-15 김영환 반도체소자의 제조방법
US6416818B1 (en) * 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
US6294401B1 (en) * 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US7098163B2 (en) * 1998-08-27 2006-08-29 Cabot Corporation Method of producing membrane electrode assemblies for use in proton exchange membrane and direct methanol fuel cells
US6241451B1 (en) 1998-09-08 2001-06-05 Knight Manufacturing Corp. Distributor apparatus for spreading materials
US6541539B1 (en) * 1998-11-04 2003-04-01 President And Fellows Of Harvard College Hierarchically ordered porous oxides
US6855202B2 (en) * 2001-11-30 2005-02-15 The Regents Of The University Of California Shaped nanocrystal particles and methods for making the same
US6274412B1 (en) * 1998-12-21 2001-08-14 Parelec, Inc. Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
US6265466B1 (en) * 1999-02-12 2001-07-24 Eikos, Inc. Electromagnetic shielding composite comprising nanotubes
TWI257410B (en) * 1999-03-25 2006-07-01 Shinetsu Chemical Co Conductive silicone rubber composition and low-resistance connector
AU761949B2 (en) * 1999-04-13 2003-06-12 Hisamitsu Pharmaceutical Co. Inc. Iontophoresis device
JP3909791B2 (ja) 1999-04-19 2007-04-25 共同印刷株式会社 透明導電膜の転写方法
US6342097B1 (en) 1999-04-23 2002-01-29 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate with a matched refractive index and controlled tintability
US6881604B2 (en) 1999-05-25 2005-04-19 Forskarpatent I Uppsala Ab Method for manufacturing nanostructured thin film electrodes
AU6203400A (en) * 1999-06-30 2001-01-31 Penn State Research Foundation, The Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration
EP1194960B1 (en) * 1999-07-02 2010-09-15 President and Fellows of Harvard College Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture
ATE459488T1 (de) * 1999-09-28 2010-03-15 Kyodo Printing Co Ltd Übertragungskörper und verwendungsverfahren
JP4467163B2 (ja) 1999-09-28 2010-05-26 共同印刷株式会社 転写体およびそれを用いた透明導電層の形成方法
US6741019B1 (en) * 1999-10-18 2004-05-25 Agere Systems, Inc. Article comprising aligned nanowires
EP1230276B1 (en) 1999-10-20 2005-12-14 Ciba SC Holding AG Photoinitiator formulations
JP2002083518A (ja) * 1999-11-25 2002-03-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材とその製造方法並びにこの透明導電性基材が適用された表示装置、および透明導電層形成用塗液とその製造方法
JP2001155542A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性組成物、転写用導電性フィルム、およびパターン化された導電層の形成方法
NL1016815C2 (nl) 1999-12-15 2002-05-14 Ciba Sc Holding Ag Oximester-fotoinitiatoren.
WO2001044132A1 (fr) 1999-12-17 2001-06-21 Asahi Glass Company, Limited Composition de dispersion de particules ultrafines, composition de couche de liaison intercouche pour verre feuillete, couche de liaison intercouche, et verre feuillete
JP2001205600A (ja) 2000-01-27 2001-07-31 Canon Inc 微細構造体及びその製造方法
JP2004502554A (ja) 2000-03-22 2004-01-29 ユニバーシティー オブ マサチューセッツ ナノシリンダー・アレイ
US6436180B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-20 Hewlett-Packard Company Color ink composition for graphic art ink jet image printers
FR2807052B1 (fr) 2000-04-03 2003-08-15 Clariant France Sa Compositions silico-acryliques, leur procede de preparation et leur utilisation
JP4588834B2 (ja) * 2000-04-06 2010-12-01 パナソニック電工株式会社 リン含有エポキシ樹脂組成物及び、該リン含有エポキシ樹脂を用いる難燃性の樹脂シート、樹脂付き金属箔、プリプレグ及び積層板、多層板
US6773823B2 (en) 2000-04-07 2004-08-10 University Of New Orleans Research And Technology Foundation, Inc. Sequential synthesis of core-shell nanoparticles using reverse micelles
JP2001291431A (ja) 2000-04-10 2001-10-19 Jsr Corp 異方導電性シート用組成物、異方導電性シート、その製造方法および異方導電性シートを用いた接点構造
WO2001087193A1 (en) * 2000-05-16 2001-11-22 Rensselaer Polytechnic Institute Electrically conducting nanocomposite materials for biomedical applications
JP4077596B2 (ja) 2000-05-31 2008-04-16 中島工業株式会社 低反射層を有する転写材及びこれを用いた成型品の製造方法
US6908295B2 (en) * 2000-06-16 2005-06-21 Avery Dennison Corporation Process and apparatus for embossing precise microstructures and embossing tool for making same
ATE320318T1 (de) 2000-06-30 2006-04-15 Ngimat Co Verfahren zur abscheidung von materialien
JP4788852B2 (ja) * 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
JP4759215B2 (ja) * 2000-08-15 2011-08-31 ハマヘッド デザイン アンド ディベラップメント、インコーポレイテッド 胃アクセス・ポート
EP1325089A2 (de) * 2000-09-25 2003-07-09 Chemetall GmbH Verfahren zur vorbehandlung und beschichtung von metallischen oberflächen vor der umformung mit einem lackähnlichen überzug und verwendung der derart beschichteten substrate
GB0025016D0 (en) * 2000-10-12 2000-11-29 Micromass Ltd Method nad apparatus for mass spectrometry
US6537667B2 (en) 2000-11-21 2003-03-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Electro-conductive oxide particle and process for its production
ATE394707T1 (de) 2000-12-04 2008-05-15 Ciba Holding Inc Oniumsalze und ihre verwendung als latente säuren
KR100815038B1 (ko) * 2000-12-12 2008-03-18 코니카 미놀타 홀딩스 가부시키가이샤 박막 형성 방법, 박막을 갖는 물품, 광학 필름, 유전체피복 전극 및 플라즈마 방전 처리 장치
US6744425B2 (en) * 2000-12-26 2004-06-01 Bridgestone Corporation Transparent electroconductive film
US6444495B1 (en) * 2001-01-11 2002-09-03 Honeywell International, Inc. Dielectric films for narrow gap-fill applications
CN1219299C (zh) 2001-01-24 2005-09-14 化研科技株式会社 导电粉以及导电性组合物
JP3560333B2 (ja) 2001-03-08 2004-09-02 独立行政法人 科学技術振興機構 金属ナノワイヤー及びその製造方法
CN1543399B (zh) 2001-03-26 2011-02-23 艾考斯公司 含碳纳米管的涂层
TW554388B (en) * 2001-03-30 2003-09-21 Univ California Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
US6583201B2 (en) * 2001-04-25 2003-06-24 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Conductive materials with electrical stability for use in electronics devices
JP3857070B2 (ja) * 2001-04-25 2006-12-13 アルプス電気株式会社 導電性樹脂組成物及びこれを用いた接点基板
JP2002322558A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Konica Corp 薄膜形成方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置
JP2002347033A (ja) 2001-05-24 2002-12-04 Bridgestone Corp タイヤ加硫成形用金型
US7147687B2 (en) 2001-05-25 2006-12-12 Nanosphere, Inc. Non-alloying core shell nanoparticles
US7238472B2 (en) 2001-05-25 2007-07-03 Nanosphere, Inc. Non-alloying core shell nanoparticles
US6697881B2 (en) * 2001-05-29 2004-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for efficient format, read, write, and initial copy processing involving sparse logical units
US20030148380A1 (en) 2001-06-05 2003-08-07 Belcher Angela M. Molecular recognition of materials
US20050164515A9 (en) 2001-06-05 2005-07-28 Belcher Angela M. Biological control of nanoparticle nucleation, shape and crystal phase
US6835591B2 (en) * 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6706402B2 (en) * 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6934001B2 (en) * 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
KR100438408B1 (ko) 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
EP1428657A4 (en) 2001-09-18 2005-04-13 Tokuyama Corp GAS BARRIER FILM, GAS BARRIER COATING AGENT AND METHOD OF MANUFACTURE
IL161622A0 (en) 2001-11-01 2004-09-27 Yissum Res Dev Co Ink jet inks containing metal nanoparticles
EP1455562A4 (en) * 2001-11-20 2008-05-07 Bridgestone Corp LIGHT-EMITTING WINDOW-WINDING MATERIAL AND ELECTROMAGNETIC WAVE PROTECTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH MATERIAL
WO2003068674A1 (fr) * 2002-02-15 2003-08-21 Japan Science And Technology Agency Structure de fils nanometriques en metal noble et leur procede de production
CN1440997B (zh) * 2002-02-25 2011-06-29 三菱麻铁里亚尔株式会社 含有金属纳米棒的组合物、涂膜、高分子薄膜、光学滤光片
JP4556204B2 (ja) 2003-02-06 2010-10-06 三菱マテリアル株式会社 金属ナノ繊維含有組成物およびその用途
EP1339082A1 (en) * 2002-02-25 2003-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Impact-resistant film for flat display panel, and flat display panel
CN1441014A (zh) * 2002-02-27 2003-09-10 海尔科化工程塑料国家工程研究中心股份有限公司 一种环保型纳米导电涂料组合物及其制备方法
JP4415526B2 (ja) 2002-02-28 2010-02-17 凸版印刷株式会社 導電膜および導電膜の製造方法
JP4479161B2 (ja) * 2002-03-25 2010-06-09 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜とこの透明導電膜形成用塗布液および透明導電性積層構造体と表示装置
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6946410B2 (en) 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
US20030189202A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Jun Li Nanowire devices and methods of fabrication
EP1361619A3 (en) * 2002-05-09 2007-08-15 Konica Corporation Organic thin-film transistor, organic thin-film transistor sheet and manufacturing method thereof
WO2004034421A2 (en) 2002-05-10 2004-04-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for electric field assisted deposition of films of nanoparticles
US20040036993A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Tin Hla Ngwe Transparent heat mirror for solar and heat gain and methods of making
CN100341629C (zh) * 2002-05-21 2007-10-10 艾考斯公司 使碳纳米管涂层形成图案的方法和碳纳米管布线
JP2004058049A (ja) 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 膜形成方法
EP1369933A3 (en) 2002-06-07 2008-05-28 FUJIFILM Corporation Film forming method
US7566360B2 (en) 2002-06-13 2009-07-28 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
JP2006518543A (ja) * 2002-06-21 2006-08-10 ナノミックス・インコーポレーテッド 基板上のナノチューブの分散成長
EP1558312B1 (en) * 2002-06-28 2017-08-09 The Research Foundation of the State University of New York Therapeutic agent delivery device and method
AU2003237578A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-23 Nanopowders Industries Ltd. Low sintering temperatures conductive nano-inks and a method for producing the same
JP3842177B2 (ja) 2002-07-03 2006-11-08 独立行政法人科学技術振興機構 貴金属ナノチューブ及びその製造方法
JP2004035962A (ja) 2002-07-04 2004-02-05 Toyota Motor Corp 金属ナノチューブの製造法
JP2004055298A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置
AU2003249324A1 (en) * 2002-07-19 2004-02-09 University Of Florida Transparent electrodes from single wall carbon nanotubes
JP4134313B2 (ja) 2002-07-24 2008-08-20 Dowaエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
US6818291B2 (en) 2002-08-17 2004-11-16 3M Innovative Properties Company Durable transparent EMI shielding film
JP4266732B2 (ja) 2002-08-30 2009-05-20 キヤノン株式会社 積層型回折光学素子
CA2498194A1 (en) 2002-09-04 2004-04-29 Board Of Regents, University Of Texas System Composition, method and use of bi-functional biomaterials
KR20040021758A (ko) * 2002-09-04 2004-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
JP4134314B2 (ja) 2002-09-13 2008-08-20 Dowaエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
US20050064508A1 (en) 2003-09-22 2005-03-24 Semzyme Peptide mediated synthesis of metallic and magnetic materials
EP1546283B1 (en) * 2002-09-24 2012-06-20 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
JP4139663B2 (ja) 2002-09-27 2008-08-27 ハリマ化成株式会社 ナノ粒子の超臨界流体中分散液を用いる微細配線パターンの形成方法
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7560160B2 (en) * 2002-11-25 2009-07-14 Materials Modification, Inc. Multifunctional particulate material, fluid, and composition
US6949931B2 (en) * 2002-11-26 2005-09-27 Honeywell International Inc. Nanotube sensor
JP2004182812A (ja) 2002-12-02 2004-07-02 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 導電性塗料及びそれを用いた導電性塗膜の形成方法
JP3972093B2 (ja) 2002-12-04 2007-09-05 独立行政法人物質・材料研究機構 β−Ga2O3ナノウイスカーとその製造方法
US7585349B2 (en) * 2002-12-09 2009-09-08 The University Of Washington Methods of nanostructure formation and shape selection
GB0229191D0 (en) * 2002-12-14 2003-01-22 Plastic Logic Ltd Embossing of polymer devices
JP2004196912A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Toyobo Co Ltd 導電性塗料
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
JP2004196981A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Toyobo Co Ltd 表面導電性樹脂成形体
KR100502821B1 (ko) * 2002-12-26 2005-07-22 이호영 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원
US20060257638A1 (en) * 2003-01-30 2006-11-16 Glatkowski Paul J Articles with dispersed conductive coatings
JP4471346B2 (ja) 2003-01-31 2010-06-02 タキロン株式会社 電磁波シールド体
JP2004253588A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Toyo Kohan Co Ltd 複合材及びその製造方法
JP2004253326A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toyobo Co Ltd 導電性フイルム
JP2004256702A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Toyobo Co Ltd 導電性塗料
US7029514B1 (en) * 2003-03-17 2006-04-18 University Of Rochester Core-shell magnetic nanoparticles and nanocomposite materials formed therefrom
US6916842B2 (en) * 2003-03-24 2005-07-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production of 5-methyl-n-(methyl aryl)-2-pyrrolidone, 5-methyl-n-(methyl cycloalkyl)-2-pyrrolidone and 5-methyl-n-alkyl-2-pyrrolidone by reductive amination of levulinic acid esters with cyano compounds
US6936761B2 (en) * 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
JP4655472B2 (ja) 2003-11-27 2011-03-23 日油株式会社 インジウム−スズ酸化物薄膜形成用塗布液
JP4541752B2 (ja) * 2003-04-28 2010-09-08 タキロン株式会社 電磁波シールド性光拡散シート
CN1245625C (zh) * 2003-04-30 2006-03-15 陕西西大北美基因股份有限公司 一种核/壳型超顺磁性复合微粒及其制备方法与应用
TWI250202B (en) * 2003-05-13 2006-03-01 Eternal Chemical Co Ltd Process and slurry for chemical mechanical polishing
JP4636454B2 (ja) 2003-05-13 2011-02-23 三菱マテリアル株式会社 金属ナノロッドの製造方法と用途
US7033416B2 (en) * 2003-05-22 2006-04-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low temperature synthesis of metallic nanoparticles
US7507436B2 (en) * 2003-07-04 2009-03-24 Nitto Denko Corporation Electroconductive cellulose-based film, a method of producing the same, an anti-reflection film, an optical element, and an image display
CA2532991A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-24 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
CN102019434A (zh) 2003-09-05 2011-04-20 三菱麻铁里亚尔株式会社 金属微粒的制造方法及含有该微粒的组合物
US7062848B2 (en) * 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7067328B2 (en) * 2003-09-25 2006-06-27 Nanosys, Inc. Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures
JP2005100893A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sekisui Plastics Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
US7618704B2 (en) * 2003-09-29 2009-11-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spin-printing of electronic and display components
JP2005126664A (ja) 2003-09-30 2005-05-19 Mitsuboshi Belting Ltd 薄膜形成用処理剤および薄膜形成方法
JP2005103723A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 金属ナノワイヤーの単結晶化方法及び装置
US6982206B1 (en) * 2003-10-02 2006-01-03 Lsi Logic Corporation Mechanism for improving the structural integrity of low-k films
JP2007517500A (ja) 2003-10-15 2007-07-05 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 電子、光学、磁性、半導体、および生物工学用途の足場としての多機能生体物質
KR100570206B1 (ko) 2003-10-15 2006-04-12 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물
WO2005040460A1 (ja) 2003-10-24 2005-05-06 Kyoto University 金属ナノチューブ製造装置および金属ナノチューブの製造方法
JP2005165173A (ja) 2003-12-05 2005-06-23 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料による画像形成方法
US6896739B1 (en) 2003-12-03 2005-05-24 For Your Ease Only, Inc. Anti-tarnish aqueous treatment
US7048806B2 (en) * 2003-12-16 2006-05-23 The Clorox Company Cleaning substrates having low soil redeposition
JP2005181392A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Canon Inc 光学系
TWI243004B (en) 2003-12-31 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Method for manufacturing low-temperature highly conductive layer and its structure
US7923109B2 (en) 2004-01-05 2011-04-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Inorganic nanowires
US20050165120A1 (en) * 2004-01-22 2005-07-28 Ashavani Kumar Process for phase transfer of hydrophobic nanoparticles
US20050173680A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 Haixin Yang Ink jet printable thick film ink compositions and processes
JP2005239481A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nagoya Institute Of Technology 金属内包カーボンナノチューブ凝集体、その製造方法、金属内包カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤおよびその製造方法
JP2005277405A (ja) 2004-02-27 2005-10-06 Takiron Co Ltd 画像表示装置用透光性ノイズ防止成形体
US20050196707A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Eastman Kodak Company Patterned conductive coatings
US20050220882A1 (en) * 2004-03-04 2005-10-06 Wilson Pritchard Materials for medical implants and occlusive devices
US7211135B2 (en) 2004-03-16 2007-05-01 Nanogate Coating Systems Gmbh Writable and printable colloidal gold solution
JP2005311330A (ja) 2004-03-22 2005-11-04 Takiron Co Ltd 電波吸収体
JP2005281357A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
US20050222333A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Che-Hsiung Hsu Aqueous electrically doped conductive polymers and polymeric acid colloids
JP2005335054A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Japan Science & Technology Agency 金属ナノワイヤー及びその製造方法
JP4491776B2 (ja) 2004-04-28 2010-06-30 三菱マテリアル株式会社 導電性ペースト等の製造方法
JP4524745B2 (ja) 2004-04-28 2010-08-18 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有導電性材料およびその用途
JP2006049843A (ja) 2004-06-29 2006-02-16 Takiron Co Ltd 画像表示装置用制電性成形体
JP2006019178A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd アルカリ乾電池
US7255796B2 (en) 2004-07-08 2007-08-14 General Electric Company Method of preventing hydrogen sulfide odor generation in an aqueous medium
WO2006006462A1 (ja) 2004-07-08 2006-01-19 Mitsubishi Materials Corporation 金属微粒子の製造方法、およびそれにより製造された金属微粒子、並びにそれを含有してなる組成物、光吸収材、応用品
JP2006035773A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 粘接着性導電成形体
JP2006035771A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 導電層転写シート
JP4257429B2 (ja) 2004-09-13 2009-04-22 国立大学法人東北大学 原子の拡散を制御することによる金属ナノワイヤの製造方法およびこの方法により製造する金属ナノワイヤ
US20060068025A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Eastman Kodak Company Silver microribbon composition and method of making
JP4372654B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
JP4372653B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US7270694B2 (en) 2004-10-05 2007-09-18 Xerox Corporation Stabilized silver nanoparticles and their use
JP2006111675A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Mitsubishi Materials Corp 金属ナノロッド配向組成物およびその用途
JP2006133528A (ja) 2004-11-05 2006-05-25 Takiron Co Ltd 制電性光拡散シート
EP1818722A4 (en) * 2004-12-03 2010-02-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd CHEMICALLY AMPLIFIED PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING JUNCTION TERMINAL
JP4665499B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-06 三菱マテリアル株式会社 金属微粒子とその製造方法とその含有組成物ならびにその用途
US7575621B2 (en) * 2005-01-14 2009-08-18 Cabot Corporation Separation of metal nanoparticles
JP4821951B2 (ja) 2005-02-23 2011-11-24 三菱マテリアル株式会社 ワイヤー状の金微粒子と、その製造方法および含有組成物ならびに用途
JP2006239790A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Tohoku Univ 金属ナノワイヤ作製法および金属ナノワイヤ
US7489432B2 (en) * 2005-03-25 2009-02-10 Ricoh Company, Ltd. Electrochromic display device and display apparatus
US7745498B2 (en) * 2005-04-13 2010-06-29 Nanosys, Inc. Nanowire dispersion compositions and uses thereof
JP2006310353A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Takiron Co Ltd 電波吸収体
US7902639B2 (en) 2005-05-13 2011-03-08 Siluria Technologies, Inc. Printable electric circuits, electronic components and method of forming the same
TWI428937B (zh) 2005-08-12 2014-03-01 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體
JP4974332B2 (ja) 2005-09-07 2012-07-11 一般財団法人電力中央研究所 ナノ構造体およびその製造方法
US7341944B2 (en) 2005-09-15 2008-03-11 Honda Motor Co., Ltd Methods for synthesis of metal nanowires
JP2007091859A (ja) 2005-09-28 2007-04-12 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2007105822A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 National Institute For Materials Science 原子スケール金属ワイヤもしくは金属ナノクラスター、およびこれらの製造方法
WO2007045616A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-26 Cinvention Ag Thermoset particles and methods for production thereof
US7399565B2 (en) * 2005-10-24 2008-07-15 Xerox Corporation Imaging member having undercoat layer comprising porphine additive
US20080003130A1 (en) * 2006-02-01 2008-01-03 University Of Washington Methods for production of silver nanostructures
US8454721B2 (en) 2006-06-21 2013-06-04 Cambrios Technologies Corporation Methods of controlling nanostructure formations and shapes
US8481161B2 (en) * 2006-06-28 2013-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Functionalized metal nanoparticle and method for formation of conductive pattern using the same
WO2008147431A2 (en) * 2006-10-12 2008-12-04 Cambrios Technologies Corporation Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
CN102324462B (zh) * 2006-10-12 2015-07-01 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
US7849424B2 (en) 2006-10-12 2010-12-07 Cambrios Technologies Corporation Systems, devices, and methods for controlling electrical and optical properties of transparent conductors
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
CN200982601Y (zh) * 2006-12-08 2007-11-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 指示灯固定架
US20080229612A1 (en) 2007-03-22 2008-09-25 Poshpeds Incorporated Human wearable laminar structure, insole made therefrom and methods for their manufacture
TWI480653B (zh) 2007-04-20 2015-04-11 Cambrios Technologies Corp 高對比透明導體及形成其之方法
JP6098860B2 (ja) 2007-04-20 2017-03-22 シーエーエム ホールディング コーポレーション 複合透明導電体、及び機器
US20090035707A1 (en) 2007-08-01 2009-02-05 Yubing Wang Rheology-controlled conductive materials, methods of production and uses thereof
SG188159A1 (en) 2008-02-26 2013-03-28 Cambrios Technologies Corp Methods and compositions for ink jet deposition of conductive features
JP5203769B2 (ja) 2008-03-31 2013-06-05 富士フイルム株式会社 銀ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体
US8382878B2 (en) * 2008-08-07 2013-02-26 Xerox Corporation Silver nanoparticle process
EP2430639A1 (en) 2009-05-05 2012-03-21 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
US20110024159A1 (en) * 2009-05-05 2011-02-03 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
TW201132990A (en) * 2009-08-24 2011-10-01 Cambrios Technologies Corp Contact resistance measurement for resistance linearity in nanostructure thin films
JP2013502515A (ja) * 2009-08-24 2013-01-24 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 金属ナノ構造体から作られる透明導電体におけるヘーズの改善のための金属ナノ構造体の精製
US8512438B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-20 Cambrios Technologies Corporation Methods for controlling metal nanostructures morphology
CN102834923B (zh) * 2009-12-04 2017-05-10 凯姆控股有限公司 具有提高的雾度的基于纳米结构的透明导体以及包含所述透明导体的装置
CN105219154B (zh) 2010-01-15 2019-03-08 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 低雾度透明导体
SG10201500798UA (en) 2010-02-05 2015-03-30 Cambrios Technologies Corp Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06107834A (ja) * 1992-09-28 1994-04-19 Dainippon Printing Co Ltd 易接着コーティング芳香族ポリアミド樹脂基材及びその製造方法
JP2001093414A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Asahi Glass Co Ltd 導電膜形成用塗布液およびその用途
JP2001305714A (ja) * 2000-04-25 2001-11-02 Hitachi Ltd 電子装置の製造方法、パターン形成方法、及びそれに用いるマスク
JP2003098670A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2003142252A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Harison Toshiba Lighting Corp 管状発光装置
JP2005530005A (ja) * 2002-06-13 2005-10-06 ナノパウダーズ インダストリーズ リミテッド 導電性及び透明性を有するナノ被覆物及びナノインクの製造方法、並びにこの製造方法により製造されるナノ粉末被覆物及びインク
JP2004188953A (ja) * 2002-10-17 2004-07-08 Shin Etsu Polymer Co Ltd プラズマディスプレー用機能性透明パネルの製造方法
JP2004140283A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Nisshinbo Ind Inc ディスプレイ用薄型電磁波シールド積層体及びその製造方法
JP2004196923A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Mitsubishi Materials Corp 金属ナノワイヤー含有組成物および電磁波遮蔽フィルター
JP2004230690A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
JP2007112133A (ja) * 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
WO2004097466A1 (ja) * 2003-04-28 2004-11-11 Takiron Co. Ltd. 電磁波シールド性光拡散シート
JP2006127929A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Mitsubishi Chemicals Corp 透明導電膜付き基板、塗布液及びその製造方法
JP2006171336A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
JP2006272876A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Takiron Co Ltd 導電体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020142525A (ja) * 2014-12-08 2020-09-10 日東電工株式会社 粘着剤層付き透明導電性フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
HK1162081A1 (en) 2012-08-17
SG150516A1 (en) 2009-03-30
EP2363891A3 (en) 2011-10-05
CA2618794A1 (en) 2007-02-22
EP1962348A2 (en) 2008-08-27
US20080283799A1 (en) 2008-11-20
KR20130092639A (ko) 2013-08-20
JP6209490B2 (ja) 2017-10-04
ATE532217T1 (de) 2011-11-15
CN102250506B (zh) 2014-07-09
US9899123B2 (en) 2018-02-20
KR101333012B1 (ko) 2013-12-02
EP1962348A3 (en) 2010-04-14
EP2922099B1 (en) 2019-01-02
EP1962349A2 (en) 2008-08-27
JP7032362B2 (ja) 2022-03-08
HK1122903A1 (en) 2009-07-31
HK1172995A1 (en) 2013-05-03
KR102103541B1 (ko) 2020-04-23
JP2018014329A (ja) 2018-01-25
TW200729241A (en) 2007-08-01
EP2922099A1 (en) 2015-09-23
WO2007022226A2 (en) 2007-02-22
US8618531B2 (en) 2013-12-31
JP5546763B2 (ja) 2014-07-09
KR20120128155A (ko) 2012-11-26
EP2363891A2 (en) 2011-09-07
CN102250506A (zh) 2011-11-23
US20080286447A1 (en) 2008-11-20
SG183720A1 (en) 2012-09-27
KR20130010502A (ko) 2013-01-28
TWI428937B (zh) 2014-03-01
CN101292362A (zh) 2008-10-22
EP1965438A3 (en) 2009-05-13
SG150517A1 (en) 2009-03-30
HK1115936A1 (en) 2008-12-12
TWI604466B (zh) 2017-11-01
EP1962348B1 (en) 2013-03-06
EP2477230B1 (en) 2015-02-25
WO2007022226A3 (en) 2007-06-21
KR20150073222A (ko) 2015-06-30
EP2477230A3 (en) 2012-09-05
EP1962349A3 (en) 2010-04-07
EP2251389B1 (en) 2012-08-08
KR20080066658A (ko) 2008-07-16
EP3473681A1 (en) 2019-04-24
US20200161017A1 (en) 2020-05-21
EP2251389B8 (en) 2012-09-19
SG150515A1 (en) 2009-03-30
JP2013151644A (ja) 2013-08-08
EP1922759B8 (en) 2012-09-05
US8049333B2 (en) 2011-11-01
US11328834B2 (en) 2022-05-10
JP6162384B2 (ja) 2017-07-12
HK1121863A1 (en) 2009-04-30
EP2363891B1 (en) 2015-02-25
JP2020017528A (ja) 2020-01-30
TWI544501B (zh) 2016-08-01
EP1922759A2 (en) 2008-05-21
EP2477230A2 (en) 2012-07-18
US20180218802A1 (en) 2018-08-02
EP2251389A1 (en) 2010-11-17
US20110285019A1 (en) 2011-11-24
HK1150847A1 (en) 2012-01-13
SG150514A1 (en) 2009-03-30
JP2009505358A (ja) 2009-02-05
TW201628021A (zh) 2016-08-01
KR101456844B1 (ko) 2014-11-04
US10580549B2 (en) 2020-03-03
EP3473681B1 (en) 2020-10-07
US20070074316A1 (en) 2007-03-29
TW201413753A (zh) 2014-04-01
EP1922759B1 (en) 2012-08-01
EP1965438A2 (en) 2008-09-03
CN101292362B (zh) 2011-06-08
AU2006279590A1 (en) 2007-02-22
US8865027B2 (en) 2014-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6209490B2 (ja) ナノワイヤに基づく透明導電体
EP1947701A2 (en) Nanowires-based transparent conductors

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150623

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150922

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160517

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160817

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20160830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161004

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161101

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20170203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170227

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170726

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170822

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170911

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6209490

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250