CN112967846B - 一种薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜的制备方法,包括步骤:S1、提供第一基板;S2、在所述第一基板上形成功能层,所述功能层包括纳米材料层、可溶性材料层,所述纳米材料层包括第一部分纳米材料、第二部分纳米材料,所述第一部分纳米材料埋入所述可溶性材料层中,所述第二部分纳米材料位于所述可溶性材料层外;S3、在所述第二部分纳米材料上形成粘合层,使所述第二部分纳米材料埋入所述粘合层;S5、将所述可溶性材料层溶解于洗脱溶剂,以获得薄膜。本申请可通过简单方法获得厚度可调的裸露在粘合层外的纳米材料层,制备工艺高效简单。

Description

一种薄膜及其制备方法
技术领域
本申请属于薄膜材料领域,特别涉及一种薄膜及其制备方法。
背景技术
随着光电行业的发展,透明导电薄膜得到了越来越广泛的应用。1907年Badeker首次报道半透明导电CdO材料,直到第二次世界大战,透明导电薄膜(transparentconductive film,TCF)材料才得到足够的重视和应用。现在,TCF材料(例如ITO(indiumtin oxide))、TFO(fluorine-doped tin oxide))已经广泛地应用在平板显示、节能玻璃和太阳能电池中。从物理角度看,物质的透光性和导电性是一对基本矛盾。一种材料要具备良好的导电性,必须同时有较高的载流子浓度和较高的载流子迁移率,然而较高浓度的载流子会吸收光子,提高了材料对光的吸收率从而降低了其透射率。从CdO到ITO,以及AZO(Al-doped ZnO);从金属薄膜到聚合物薄膜;从单一组分到多元材料;对透明导电薄膜的研究一直围绕这一矛盾展开。金属氧化物,特别是ITO,在可见光区具有较高的光透过率和较低的电阻率,在过去50年来一直是透明导电电极研究和应用的热点。然而金属氧化物本身导电性有限,且质脆易碎,不易变形等缺陷,同时原料资源日益稀缺,价格昂贵,已经无法满足现代光电子器件的发展的需求。
近年来用于制作透明导电薄膜的导电材料主要有:纳米线、金属纳米颗粒、导电高分子聚合物、石墨烯、碳纳米管等。其中采用纳米线导电填料制作的透明导电薄膜具有优异的导电性能和透光率,在经过多次弯折后仍然能够保持较低的表面电阻值。因此纳米线称为最具有潜力替代ITO用于制作透明导电薄膜的导电材料,受到国内外广泛的关注。
然而,采用卷对卷的方式在PET等基底上涂布纳米线,由于纳米线通过线与线的搭接进行导电,纳米线膜的粗糙度通常大于40nm,用其替代ITO用于电致发光器件时,会造成漏电甚至短路。另一种技术中,采用转印的方式,在光滑的基底上涂布纳米线,干燥后,在其上面涂布树脂,固化剥离树脂得到导电膜。该方法可显著降低粗糙度,但由于树脂完全包覆了纳米线,纳米线的导电性会降低。
以上两种工艺均存在一定的局限性。如何低成本地制备具有高透明、低表面电阻、低表面粗糙度等优异性能的薄膜,成为其在光电领域,例如触摸显示、电致发光二极管等行业大规模应用的关键问题。
发明内容
针对上述技术问题,本申请提供一种薄膜的制备方法,包括步骤:
S1、提供第一基板;
S2、在所述第一基板上形成功能层,所述功能层包括纳米材料层、可溶性材料层,所述纳米材料层包括第一部分纳米材料、第二部分纳米材料,所述第一部分纳米材料埋入所述可溶性材料层中,所述第二部分纳米材料位于所述可溶性材料层外;
S3、在所述第二部分纳米材料上形成粘合层,使所述第二纳米材料埋入所述粘合层;
S5、将所述可溶性材料层溶解于所述洗脱溶剂,以获得薄膜。
进一步地,所述S2包括步骤:
S211、在所述第一基板上形成纳米材料层;
S212、在所述纳米材料层上涂覆可溶性材料涂布液,使所述可溶性材料涂布液进入所述纳米材料层中,以形成可溶性材料层,其中所述纳米材料层的厚度大于所述可溶性材料层的厚度。
进一步地,所述S2包括步骤:
S221、在所述第一基板上形成可溶性材料层;
S222、在所述可溶性材料层上形成纳米材料层,将部分所述第一部分纳米材料埋入所述可溶性材料层中。
进一步地,所述S222包括步骤:
S2221、在所述可溶性材料层上形成纳米材料层;
S2222、对所述纳米材料层进行热压,使所述第一部分纳米材料进入可溶性材料层中。
进一步地,在S3和S5之间还包括步骤:S4、在所述粘合层上形成第二基板。
进一步地,所述可溶性材料层的厚度大于0,且不大于200nm。
进一步地,所述粘合层的材料包括光固化树脂和/或热固化树脂。
进一步地,所述纳米材料层中纳米材料包括纳米粒子、纳米线、纳米棒、纳米管中的至少一种。
进一步地,所述可溶性材料层的材料包括聚丙烯酸树脂,羧甲基纤维素、甲基纤维素、乙基纤维素、羟乙基纤维素,聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚马来酸酐、聚季胺盐、聚乙二醇中的至少一种。
本申请还提供一种薄膜,由上述的薄膜的制备方法制备而得。
有益效果:
1、本申请薄膜的制备方法可使在粘合层外的第一部分纳米材料的厚度可控,可以根据实际需要设置可溶性材料层的厚度,当将可溶性材料层溶解后,即可得到裸露在粘合层外合适厚度的纳米材料层。
2、本申请薄膜在作为透明导电膜时,可以有效降低接触电阻,改善透光性,所得的薄膜性能优异;
3、本申请薄膜中的可溶性材料层可以降低膜面的粗糙度,适于在其上制备相关功能层,待功能层制备好后,即可将可溶性材料层去除,这样既不会影响工艺对粗糙度的要求,也不会降低纳米材料层的性能,制备工艺简单高效,适合大规模量产。
附图说明
图1是本申请一实施方式中薄膜的制备工艺流程图;
图2是本申请第一具体实施方式中薄膜的制备示意图;
图3是本申请第二具体实施方式中薄膜的制备示意图;
图4是本申请第三具体实施方式中薄膜的制备示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式,对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是,所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式,而不是全部实施方式。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的且不意图为限制性的。如果未另外定义,说明书中的所有术语(包括技术和科学术语)可如本领域技术人员通常理解的那样定义。常用字典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开内容中的含义一致的含义,并且不可以理想方式或者过宽地解释,除非清楚地定义。此外,除非明确地相反描述,措辞“包括”和措辞“包含”当用于本说明书中时表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、要素、和/或组分,但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、要素、组分、和/或其集合。因此,以上措辞将被理解为意味着包括所陈述的要素,但不排除任何其它要素。
将理解,尽管术语第一、第二、第三等可在本文中用于描述各种元件、组分、区域、层和/或部分,但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组分、区域、层或部分区别于另外的元件、组分、区域、层或部分。因而,在不背离本实施方式的教导的情况下,下面讨论的第一元件、组分、区域、层或部分可称为第二元件、组分、区域、层或部分。
定义
以下定义适用于关于本发明一些实施方式描述的一些方面,这些定义同样可以在本文得到扩展。
除非上下文另做清楚规定,否则如本文使用的,单数形式“一个”和“所述”包括多个指代物。除非上下文另做清楚规定,否则提到一个对象可包括多个对象。
如本文使用的,术语“邻近”是指接近或邻接。邻近的对象可彼此间隔开,或者可彼此实际或直接接触。在一些情况中,邻近的对象可彼此连接,或者可彼此整体的形成。
如本文使用的,术语“连接”、是指操作性耦接或链接。链接的对象可彼此直接耦接,或者可经由另一组对象彼此间接地耦接。
如本文使用的,相对性术语,例如“里边”、“内部”、“外面”、“外部”、“顶部”、“底部”、“正面”、“背面”、“后面”、“上部”、“下部”、“垂直”、“横向”、“在……之上”及“在……之下”是指例如根据附图,一组对象先对彼此的取向,但在制造或使用期间不要求这些对象的特定取向。
如本文使用的,术语“纳米范围”或“nm范围”是指约1nm至约1μm的尺寸范围。
如本文使用的,术语“纵横比”是指对象的最大尺寸或范围与所述对象的其余尺寸或范围的平均值的比,其中所述其余尺寸相对彼此且相对最大尺寸正交。在一些情况中,对象的其余尺寸可基本上相同,并且所述其余尺寸的平均值可基本上对应于所述其余尺寸中的任一项。例如,圆柱体的纵横比是指圆柱体的长度与圆柱体截面直径的比。
如本文使用的,术语“纳米级”对象是指具有至少一个在纳米范围内的尺寸的对象。纳米级对象可具有任何的各种各样的形状,并且可由各种各样的材料形成。纳米级对象的实例包括纳米线、纳米管、纳米片、纳米颗粒以及其他纳米结构。
如本文使用的,术语“纳米线”是指细长的纳米级对象,其基本上是实心的。一般的,纳米线具有纳米范围内的横向尺寸(例如,以直径、宽度、或表示跨正交方向的平均值的宽度或直径形式的截面尺寸)。
如图1所示,为本申请一实施方式中薄膜的制备工艺流程图,包括如下步骤:
S1、提供第一基板;
第一基板用于依托其上的功能层,并在其后步骤中被脱除,可以为刚性基板或者为在不溶解于后续洗脱溶剂中的柔性基板,其中刚性基板包括但不限于玻璃、硅片、金属中的至少一种,柔性基板包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚酰亚胺中的至少一种。
S2、在所述第一基板上形成功能层,所述功能层包括纳米材料层、可溶性材料层,所述纳米材料层包括第一部分纳米材料、第二部分纳米材料,所述第一部分纳米材料埋入所述可溶性材料层中,所述第二部分纳米材料位于所述可溶性材料层外;
功能层中的纳米材料层与可溶性材料层之间在第一基板厚度方向上的投影交叠,纳米材料层中的第一部分纳米材料位于可溶性材料层中,第二部分纳米材料位于可溶性材料层之外,可以根据可溶性材料层的厚度调控第一部分纳米材料的厚度,从而得到性能优异的薄膜。
可以理解的是,本申请所说的第一部分纳米材料埋入可溶性材料层是指第一部分纳米材料完全进入可溶性材料层中。
S3、在所述第二部分纳米材料上形成粘合层,使所述第二部分纳米材料埋入所述粘合层;
粘合层用于粘接第二部分纳米材料层,并最终成为薄膜的一部分。粘合层优选为透明形式膜层,使薄膜的透光率为50.0~99.9%。薄膜可以使用在透明显示场景的电子设备中,以观看到电子设备另一侧的图像,例如可以作为展示橱窗上的设备的电极设备,既美观大方又实用。
S5、将所述可溶性材料层溶解于洗脱溶剂,以获得薄膜。
本申请中可以将第一基板、功能层叠层结构放入洗脱溶剂中,也可以仅将功能层放入洗脱溶剂,还可以采用洗脱溶剂冲刷功能层,洗脱溶剂可以是可溶性材料的良溶剂,功能层接触洗脱溶剂后,其中的可溶性材料溶解于洗脱溶剂中;洗脱溶剂也可以与可溶性材料反应,功能层接触洗脱溶剂后可溶性材料将与洗脱溶剂发生反应从而使可溶性材料从功能层中脱除。
在本申请的第一个具体实施方式中,S2包括步骤:
S211、在所述第一基板上形成纳米材料层;
通过在第一基板上涂覆纳米材料涂布液,经过干燥,获得纳米材料层。
S212、在所述纳米材料层上涂覆可溶性材料涂布液,使所述可溶性材料涂布液进入所述纳米材料层中,以形成可溶性材料层,其中所述纳米材料层厚度大于所述可溶性材料层。
纳米材料层中纳米材料之间存在孔隙,可溶性材料涂布液可流入并填充这些孔隙,从而形成的可溶性材料层位于纳米材料层中,即纳米材料层厚度大于可溶性材料层。而本申请中第一部分纳米材料厚度与可溶性材料层厚度大致相同,即第一部分纳米材料厚度约等于可溶性材料层的厚度,从而更好的根据可溶性材料层控制第一部分纳米材料的露出厚度,提高薄膜的适用范围。
具体地,图2示出了一种薄膜的制备工艺流程,分别按照S1、S211、S212、S3、S5的顺序制备出薄膜。
在本申请的第二个具体实施方式中,S2包括步骤:
S221、在所述第一基板上形成可溶性材料层;
本申请方式的可溶性材料层的形成方式包括但不限于喷墨打印、喷涂、旋涂、印刷、刮涂、浸渍提拉、浸泡、滚涂或狭缝涂布等。
S222、在所述可溶性材料层上形成纳米材料层,将所述第一部分纳米材料埋入所述可溶性材料层中。
第一部分纳米材料埋入所述可溶性材料层中,第二部分纳米材料在可溶性材料层上,以连接粘合层。
具体地,图3示出了一种薄膜的制备工艺流程,分别按照S1、S221、S212、S3、S5的顺序制备薄膜。
进一步优选实施方式中,S222包括步骤:
S2221、在所述可溶性材料层上形成纳米材料层;
在可溶性材料层上涂覆纳米材料涂布液,干燥所述纳米材料涂布液,以得到纳米材料层,
纳米材料涂布液包括纳米材料、分散溶剂,涂布方法采用现有技术中的常规的涂布方式。
S2222、对所述纳米材料层进行热压,使所述第一部分纳米材料进入可溶性材料层中。
通过热压方式使第一部分纳米材料压入可溶性材料层中,热压方式使第一部分纳米材料更均匀地压入可溶性材料层中。热压温度优选为60~200℃,压力优选为0.1~1MPa,时间优选为30~300s,使得可溶性材料层表面无裂痕,将第一部分纳米材料均匀压入可溶性材料层中。
在本申请的第三个具体实施方式中,在S3和S5之间还包括步骤:S4、在所述粘合层上形成第二基板。第二基板可用于作为后续使用该薄膜作为器件中的部分元件时的制备基板,也可以作为薄膜中的粘合剂以及粘合剂中的纳米材料层的保护层。
具体地,图4示出了一种薄膜的制备工艺流程,分别按照S1、S211、S212、S3、S4、S5的顺序制备薄膜。
在本申请的第四个具体实施方式中,可溶性材料层的厚度为5~200nm,可溶性材料层的厚度为薄膜中纳米材料的漏出厚度,该厚度下薄膜中的纳米材料稳定性好,不易脱落,且能充分发挥纳米材料的性能。
在本申请的第五个具体实施方式中,粘合层的材料包括光固化剂和/或热固化剂,通过加热方式或者光照方式,方便对粘合层进行固化处理,并使粘合层更好粘附位于可溶性材料层外的第二部分纳米材料,粘合层材料包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酯树脂、有机硅树脂、聚氨酯、聚酰亚胺树脂及其改性树脂中的至少一种。
在本申请的第六个具体实施方式中,纳米材料层的材料包括纳米粒子、纳米线、纳米棒、纳米管中的至少一种,纳米材料层中纳米材料的尺寸为20~10000nm的纳米粒子或径向宽度为10~100nm的纳米线、纳米棒、纳米管中的至少一种,纳米材料中某一尺寸落入该范围即属于本申请的保护范围,该尺寸下的薄膜中纳米材料的稳定性较高,不易脱落,而纳米材料性能优异。
优选实施方式中,纳米粒子包括金属纳米粒子,如纳米银、纳米金、纳米铜;无机碳材料,如炭黑粒子中的至少一种。通过将部分纳米粒子包覆于可溶性材料层中,降低纳米粒子膜的粗糙度,便于之上再制备其他功能层。
优选实施方式中,纳米线包括金属纳米线,如银纳米线、铜纳米线、金纳米线,当将可溶性材料层溶解后,在粘合层外露出的纳米线的长度合适,例如作为防静电结构时,该长度纳米线可更好释放静电。优选的,纳米线为金属纳米线。金属纳米线的直径范围在1~100nm,优选的,金属纳米线的直径范围在20~60nm。在本申请一实施方式中,金属纳米线的长度范围为10nm~100μm。优选的,金属纳米线的长度范围为1μm~100μm。在本申请一实施方式中,金属纳米线的纵横比范围为10~10000。优选的,金属纳米线的纵横比为1000~5000。
优选实施方式中,纳米棒包括导电高分子纳米棒、金属纳米棒、碳纳米棒、金属氧化物纳米棒中的至少一种,通过本申请的薄膜制备方式,可以得到纳米棒性能优异的薄膜,纳米棒的直径优选为50~500nm,长度优选为1~10μm。
优选实施方式中,纳米管包括金属纳米管、碳纳米管中的至少一种,通过本申请的薄膜制备方式,可以得到纳米管性能优异的薄膜,纳米管的直径优选为2~100nm,长度优选为0.1~50μm。
本申请的纳米材料涂布液中纳米材料浓度为0.2~20wt%,溶剂包括甲乙酮、丙酮、甲基异丁基酮、乙酰丙酮、乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸异丙酯、乙酸丁酯、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、二丙酮醇、甲苯、二甲苯中的至少一种,从而使纳米材料涂布液涂布均匀,溶剂在纳米材料涂布液干燥成膜过程中挥发出去。
在本申请的第七个具体实施方式中,可溶性材料层的材料包括聚丙烯酸树脂,羧甲基纤维素、甲基纤维素、乙基纤维素、羟乙基纤维素,聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚马来酸酐、聚季胺盐、聚乙二醇中的至少一种,可溶性材料层为这些可溶解的聚合物、小分子、树脂时,易于从粘合层上洗脱除去,获得的纳米材料层露出的第一部分纳米材料厚度合适。
本申请的洗脱溶剂包括水、乙醇、丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇甲醚、乙二醇甲醚醋酸酯、甲苯、二甲苯、氯苯、四氢呋喃中的至少一种,可根据可溶性材料的不同而选择不同洗脱溶剂,例如当可溶性材料为水溶性材料时,洗脱溶剂可以为水、乙醇等;当可溶性材料为油溶性材料时,洗脱溶剂可以为丙酮、甲苯、乙二醇甲醚醋酸酯等,以更好更快溶解可溶性材料。
本申请的可溶性材料涂布液中可溶性材料浓度为0.2~10wt%,分散溶剂包括水、乙醇、丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇甲醚、乙二醇甲醚醋酸酯、甲苯、二甲苯、氯苯、四氢呋喃中的至少一种,可获得厚度均匀的可溶性材料层,分散溶剂在可溶性材料涂布液干燥成膜过程中挥发去除。
本申请还提供一种薄膜,由上述薄膜制备方法制备而得,本申请的薄膜包括粘合层以及部分埋入粘合层的纳米材料层,本申请的薄膜可以单独使用作为防静电薄膜,也可以将其作为电子产品的一个部件使用。本申请的薄膜可有效提高产品的电学性能和光学性能。
以下将更详细地描述根据本申请的一些示例性实施方式的薄膜的制备方法;然而,本申请的示例性实施方式不限于此。
实施例1
(1)在PET基膜上,用10μm线棒涂布银纳米线,银纳米线直径30μm,长度约30μm,浓度为5mg/mL的乙醇溶液,PET导电膜方阻为12Ω/squ。
(2)100℃干燥10min。
(3)在银纳米线上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的乙二醇甲醚溶液(1wt%),厚度在40nm,120℃干燥10min。
(4)用100μm线棒涂布NOA 63光固化树脂,并进行紫外光固化。
(5)将其浸泡在丙酮中,浸泡1min,NOA63连同银纳米线自动从PET上脱除。
(6)将脱除的导电膜浸泡在热的丙酮中,浸泡2min,得到银线裸露35nm的导电膜。
实施例2
(1)在PET基膜上,用10μm线棒涂布银纳米线,银纳米线直径50μm,长度约30μm,浓度为5mg/mL的乙醇溶液,PET导电膜方阻为23Ω/squ。
(2)100℃干燥10min。
(3)在银纳米线上旋涂聚乙烯醇的乙醇溶液(1wt%),厚度在50nm,120℃干燥10min。
(4)用100μm线棒涂布NOA 63光固化树脂,并进行紫外光固化。
(5)将其浸泡在乙醇中,浸泡1min,NOA63连同银纳米线自动从PET上脱除。
(6)将脱除的导电膜浸泡在热的乙醇中,浸泡2min,得到银线裸露48nm的导电膜。
实施例3
(1)在PET基膜上,用10μm线棒涂布银纳米线,银纳米线直径30μm,长度约30μm,浓度为5mg/mL的乙醇溶液,PET导电膜方阻为12Ω/squ。
(2)100℃干燥10min。
(3)在银纳米线上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的乙二醇甲醚溶液(0.3wt%),厚度在10nm,120℃干燥10min。
(4)用100μm线棒涂布NOA 63光固化树脂,并进行紫外光固化。
(5)将其浸泡在丙酮中,浸泡1min,NOA63连同银纳米线自动从PET上脱除。
(6)将脱除的导电膜浸泡在热的丙酮中,浸泡2min,得到银线裸露9nm的导电膜。
实施例4
(1)在玻璃上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的乙二醇甲醚溶液(0.6wt%),厚度在30nm,120℃干燥10min。
(2)用10μm线棒涂布银纳米线,银纳米线直径30μm,长度约30μm,浓度为5mg/mL的乙醇溶液,方阻为12Ω/squ。
(3)100℃干燥10min。
(4)用真空热压机,在0.6MPa压力作用下,于150℃热压120s。
(5)用100μm线棒涂布NOA 63光固化树脂,并进行紫外光固化。
(6)将其浸泡在丙酮中,浸泡1min,固化后的树脂连同银纳米线自动从PET基膜上脱除。
(7)将脱除的导电膜浸泡在热的丙酮中,浸泡2min,得到银线裸露28nm的导电膜。
对比例1
(1)在PET基膜上,用10μm线棒涂布银纳米线,银纳米线直径30μm,长度约30μm,浓度为5mg/mL的乙醇溶液,PET导电膜方阻为12Ω/squ。
(2)100℃干燥10min。
(3)用100μm线棒涂布NOA 63光固化树脂,并进行紫外光固化。
(4)撕除PET膜,得到导电膜。
实施例5
(1)在PET基膜上,用10μm线棒涂布碳纳米管,碳纳米管直径1~2μm,长度约1~2μm,浓度为0.15wt%的水溶液,PET导电膜方阻为110Ω/squ。
(2)100℃干燥10min。
(3)在碳纳米管上旋涂聚乙烯醇的乙醇溶液(0.1wt%),厚度在3nm,120℃干燥10min。
(4)用100μm线棒涂布NOA 63光固化树脂,并进行紫外光固化。
(5)将其浸泡在乙醇中,浸泡1min,NOA63连同银纳米线自动从PET上脱除。
(6)将脱除的导电膜浸泡在热的乙醇中,浸泡2min,得到银线裸露2nm的导电膜。
实施例6
(1)在玻璃上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的乙二醇甲醚溶液(0.6wt%),厚度在30nm,120℃干燥10min。
(2)在PMMA上旋涂纳米银颗粒的乙醇溶液(纳米银颗粒粒径50nm,浓度20wt%),膜厚90nm。
(3)100℃干燥20min。
(4)用真空热压机,在0.6MPa压力的作用下,于150℃热压120s。
(5)用100μm线棒涂布NOA 63光固化树脂,并进行紫外光固化。
(6)将其浸泡在丙酮中,浸泡1min,固化后的树脂连同纳米银自动从PET基膜上脱除。
(7)将脱除的导电膜浸泡在热的丙酮中,浸泡2min,得到纳米银颗粒裸露23nm的导电膜。
对实施例1~6、对比例1制备得到的导电膜进行性能测试,具体测试结果见表1。
表1实施例1-6、对比例1制备得到的导电膜的性能检测结果
Figure SMS_1
通过表1中的检测数据可知,相较于对比例1,本发明实施例1-4制备得到的导电膜的纳米银线露出厚度较大,纳米材料层所在表面的方阻小,透光率、雾度变化不大,实施例5的导电膜的碳纳米管、实施例6的导电膜的纳米颗粒露出厚度合适,综合性能好,极大简化导电膜的制备工艺,提高产品良率,降低生产成本。
尽管发明人已经对本申请的技术方案做了较详细的阐述和列举,应当理解,对于本领域技术人员来说,对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的,都不能脱离本申请精神的实质,本申请中出现的术语用于对本申请技术方案的阐述和理解,并不能构成对本申请的限制。

Claims (7)

1.一种薄膜的制备方法,其特征在于,包括步骤:
S1、提供第一基板;
S2、在所述第一基板上形成功能层,所述功能层包括纳米材料层、可溶性材料层,所述纳米材料层包括第一部分纳米材料、第二部分纳米材料,所述第一部分纳米材料埋入所述可溶性材料层中,所述第二部分纳米材料位于所述可溶性材料层外;
S3、在所述第二部分纳米材料上形成粘合层,使所述第二部分纳米材料埋入所述粘合层;
S5、将所述可溶性材料层溶解于洗脱溶剂,以获得薄膜;
其中,所述S2包括步骤:
S221、在所述第一基板上形成可溶性材料层;
S222、在所述可溶性材料层上形成纳米材料层,对所述纳米材料层进行热压,将所述第一部分纳米材料埋入所述可溶性材料层中,所述可溶性材料层为聚甲基丙烯酸甲酯层,所述可溶性材料层的厚度为薄膜中的所述第一部分纳米材料的露出厚度。
2.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法,其特征在于,在S3和S5之间还包括步骤:S4、在所述粘合层上形成第二基板。
3.根据权利要求1-2任一所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述可溶性材料层的厚度大于0,且不大于200nm。
4.根据权利要求1-2任一所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述粘合层的材料包括光固化树脂和/或热固化树脂。
5.根据权利要求1-2任一所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述纳米材料层中的纳米材料包括纳米粒子、纳米线、纳米棒、纳米管中的至少一种。
6.根据权利要求1-2任一所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述可溶性材料层的材料包括聚丙烯酸树脂、羧甲基纤维素、甲基纤维素、乙基纤维素、羟乙基纤维素、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚马来酸酐、聚季胺盐、聚乙二醇中的至少一种。
7.一种薄膜,其特征在于,由权利要求1-6任一所述的薄膜的制备方法制备而得。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102250506B (zh) * 2005-08-12 2014-07-09 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体
WO2010106899A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明導電膜及び透明導電膜の製造方法
CN102087884A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 中国科学院福建物质结构研究所 基于有机聚合物和银纳米线的柔性透明导电薄膜及其制备方法
CN102522145B (zh) * 2011-12-02 2013-08-28 浙江科创新材料科技有限公司 一种纳米银透明电极材料及其制备方法
AU2015299748A1 (en) * 2014-08-07 2017-03-09 Flinders Partners Pty Ltd Transparent electrode materials and methods for forming same
CN104217788A (zh) * 2014-08-26 2014-12-17 南京邮电大学 一种基于银纳米线的透明导电薄膜及其制备方法
JP6356114B2 (ja) * 2015-11-26 2018-07-11 デクセリアルズ株式会社 透明導電膜の製造方法
TWI809236B (zh) * 2018-12-27 2023-07-21 英屬維爾京群島商天材創新材料科技股份有限公司 銀奈米線透明導電薄膜

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