JP2006518543A - 基板上のナノチューブの分散成長 - Google Patents
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- H01L29/772—Field effect transistors
Abstract
Description
Claims (44)
- 基板表面を有する基板を用意し;
前記基板表面の少なくとも一部に成長促進物質を適用し;
前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露し;そして
前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露した後、前記成長促進物質からナノ構造体の分散物を形成すること;
を含んでなる、ナノ構造体の分散物を形成する方法。 - 前記基板表面が、前記基板と異なった物質を含んでなる層である、請求項1に記載の方法。
- 前記基板表面が、ケイ素、ケイ素酸化物、窒化ケイ素、アルミナ、及び石英からなる群から選択される物質を含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記成長促進物質が、金、銀、銅、鉄、モリブデン、クロム、コバルト、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、及びこれらの酸化物からなる群から選択される少なくとも一つの物質を含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記成長促進物質を適用することが、前記基板表面上に少なくとも一つの成長促進物質の領域を形成することを含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記成長促進物質を適用することが、前記基板表面上に成長促進物質の薄膜を付着することを含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露することが、rfプラズマを含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露することが、dcプラズマを使用すること含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露することが、酸素プラズマを使用すること含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露することが、フッ素、六フッ化キセノン、及び塩素からなる群から選択されるガスを使用すること含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露することが、少なくとも一部の前記成長促進物質を、基板表面上の個別の単離された成長促進物質の区域として分散する、請求項1に記載の方法。
- 前記個別の単離された成長促進物質の区域が、約1nmないし約50nm間の大きさのナノ粒子である、請求項11に記載の方法。
- 前記個別の単離された成長促進物質の区域が、前記基板表面上に概略均一に分散される、請求項11に記載の方法。
- ナノ構造体の分散物を形成することが、化学気相成長法を使用することを含んでなる、請求項1に記載の方法。
- ナノ構造体の分散物を形成することが、メタン、アセチレン、炭水化物蒸気、トルエン、及びベンゼンからなる群から選択される前駆体化学物質を使用することを含んでなる、請求項14に記載の方法。
- ナノ構造体の分散物を形成することが、ケイ素、ゲルマニウム、砒素、ガリウム、アルミニウム、リン、ホウ素、インジウム、及び錫からなる群から選択される元素を伴う前駆体化学物質を使用することを含んでなる、請求項14に記載の方法。
- 前記ナノ構造体が、ナノチューブ及びナノワイヤーからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造体が、単層カーボンナノチューブである、請求項17に記載の方法。
- 前記ナノ構造体の分散物を形成することが、概略平面であり、そして実質的に前記基板表面と接触しているナノ構造体の分散物を形成することを含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造体の分散物と電気的に接触する複数の電極を形成することを更に含んでなる、請求項1に記載の方法。
- ウェファー表面を有するシリコンウェファーを用意し;
前記ウェファー表面の少なくとも一部に成長促進物質を付着し;
前記ウェファーをプラズマに暴露し、これによって分散された成長促進物質のナノ粒子をウェファー表面上に形成し;そして
カーボンナノチューブの分布を、前記ウェファー上の分散された成長促進物質のナノ粒子から、化学気相成長を使用して形成すること;
を含んでなる、カーボンナノチューブの分布を形成するための方法。 - 前記カーボンナノチューブの分布を形成することが、概略平面であり、そして実質的にウェファー表面と接触しているカーボンナノチューブの分布を形成することを含んでなる、請求項21に記載の方法。
- 前記カーボンナノチューブ及び前記シリコンウェファー表面と電気的に接触する複数の金属電極を形成することを更に含んでなる、請求項21に記載の方法。
- 基板表面を有する基板を用意し;
前記基板表面の少なくとも一部に成長促進物質を適用し;
前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露し;
前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露した後、前記成長促進物質からナノ構造体の分散物を形成し;そして
前記ナノ構造体の分散物及び基板表面と接触する電極のアレイを形成すること;
を含んでなる、ナノ構造体デバイスのアレイを形成する方法。 - 前記ナノ構造体の分散物を形成した後、前記ナノ構造体の分散物の部分を除去することを更に含んでなる、請求項24に記載の方法。
- 前記ナノ構造体の分散物の部分を除去することが、少なくとも一つのリソグラフィーパターニング法を使用することを含んでなる、請求項25に記載の方法。
- 少なくとも一部のナノ構造体の分散物に近接した少なくとも一つのゲート電極を更に含んでなる、請求項25に記載の方法。
- 基板;
前記基板上に不連続的に配置されたナノ構造体の分散物;並びに
前記ナノ構造体の分散物及び前記基板表面と接触する電極のアレイ;
を含んでなる、ナノ構造体デバイスのアレイ。 - 前記基板が、ケイ素、ケイ素酸化物、窒化ケイ素、アルミナ、及び石英からなる群から選択される物質を含んでなる、請求項28に記載のアレイ。
- 前記ナノ構造体が、ナノチューブ及びナノワイヤーからなる群から選択される、請求項28に記載のアレイ。
- 前記ナノ構造体の分散物が、概略平面であり、そして実質的に前記基板に接触している、請求項28に記載のアレイ。
- 前記ナノ構造体の分散物が、C、Si、Ge、As、Ga、Al、B、P、In、Sn、Mo、W、V、S、Se、及びTeからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなる、請求項28に記載のアレイ。
- 前記ナノ構造体の分散物が、ナノ構造体を含有しない区域に散在するナノ構造体を含有する領域を含んでなる、請求項28に記載のアレイ。
- 前記ナノ構造体を含有する少なくとも一つの領域が、少なくとも二つの電極間の電気的伝達を与える、請求項33に記載のアレイ。
- 少なくとも一部の前記ナノ構造体の分散物に近接したゲート電極を更に含んでなる、請求項28に記載のアレイ。
- 基板;
前記基板上に不連続的に配置されたナノ構造体の分散物;
前記ナノ構造体の分散物及び前記基板表面に接触した電極のアレイ;及び
少なくとも一部の前記ナノ構造体の分散物にバイアスをかけることが可能な第1のゲート電極;
を含んでなる、ナノ構造体トランジスターのアレイ。 - 前記ナノ構造体の分散物が、ナノ構造体を含有しない区域に散在するナノ構造体を含有する領域を含んでなる、請求項36に記載のアレイ。
- 前記ナノ構造体を含有する少なくとも一つの領域が、少なくとも二つの電極間の電気的伝達を与える、請求項37に記載のアレイ。
- 前記ナノ構造体の分散物の第1の部分に第1の認識物質を更に含んでなる、請求項36に記載のアレイ。
- 前記認識物質が、標的化学物質又は生物学的種に対する向上された感受性及び選択性を与える、請求項39に記載のアレイ。
- 基板表面を有する基板を用意し;
前記基板表面の少なくとも一部に成長促進物質を適用し;
前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露し;
前記基板表面及び前記成長促進物質をプラズマに暴露した後、成長促進物質からナノ構造体の分散物を形成し;そして
前記ナノ構造体の分散物及び基板表面と接触する電極のアレイを形成し;そして
少なくとも一部の前記ナノ構造体の分散物にバイアスをかけることが可能なゲート電極を与えること;
を含んでなる、トランジスターデバイスのアレイを形成する方法。 - 前記ナノ構造体の分散物を形成した後、前記ナノ構造体の分散物の部分を除去することを更に含んでなる、請求項41に記載の方法。
- 前記ナノ構造体の分散物の部分を除去することが、少なくとも一つのリソグラフィーパターニング法を使用することを含んでなる、請求項42に記載の方法。
- 前記ナノ構造体の分散物の少なくとも一部を、認識物質で被覆することを更に含んでなる、請求項41に記載の方法。
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