KR101328765B1 - 나노파우더 패턴형성방법 - Google Patents

나노파우더 패턴형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명을 이루기 위한 수단으로 나노패턴 형성방법은 기판 상에 자기조립 단분자층을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 나노파우더를 갖는 혼합용액을 분산시키는 단계; 상기 기판 배면에 전자석 스캔장치로 자성이 제공된 영역으로 상기 혼합용액를 모으는 단계; 및 상기 기판을 베이킹시켜 상기 혼합용액을 증발시켜 나노패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
따라서, 발명의 나노패턴 형성방법은 기판 상에 분산되는 혼합용액에 자성의 세기를 조절하여 원하는 폭과 크기의 나노패턴을 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 나노패턴 형성방법은 자성의 세기를 조절하여 나노패턴을 형성하기 때문에 기판사이즈에 상관 없이 적용할 수 있는 효과가 있다.

Description

나노파우더 패턴형성방법{NANO POWDER PATTERNING METHOD}
도 1a 내지 도 1c는 종래의 잉크젯방법을 이용하여 패턴을 형성하는 공정도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 나노패턴 형성공정을 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 나노패턴을 형성하기 위한 전자석 스캔장치의 다른 실시예를 도시한 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 30 : 포토패턴
100 : 나노패턴 110 : 혼합용액
130 : 분산용액 150 : 나노파우더
200 : 전자석 스캔장치 210 : 팁
본 발명은 나노패턴 형성방법에 관한 것이다.
반도체 제품들이 소형화, 고집적화됨에 따라 새로운 기능을 향상시키기 위해 형상(pattern)을 형성하는 패터닝 기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 종래에 패터 닝을 위한 전사법(Lithgraphy)은 반도체 제조의 핵심기술로 발전해 왔으며, 현재는 패턴을 마이크로(micron) 크기보다 작은 나노(nano)크기의 패턴구조를 경제적이면서 간단한 공정으로 구현할 수 있는 방법들이 제시되고 있다.
현재의 높은 집적도를 갖는 나노 패터닝 기술은 장치나 공정에서 기술 비용이 크다. 또한, 종래의 감광제로써 이용하는 고분자 소재는 미세패턴을 제조하기 위해서 물리적 한계에 도달했다.
그래서 이전의 광전사법과는 다른 새로운 개념의 나노패터닝 기법들이 제안되고 있다.
나노패턴 형성방법을 간략히 소개하면, 빛이나 큰 에너지의 입자를 사용하지 않고 유연한 고분자 스탬프에 유기물을 묻혀 반복적으로 형상(Pattern)이나 구조물을 제조하는 기술인 소프트 리소그래피, 미세한 노즐을 통해 나노파우더가 혼합된 분산용액을 기판 상에 분산시켜 나노패턴을 형성하는 잉크젯방법 등이 대표적인 예이다.
이러한 종래의 상기 소프트리소그래피방법, 잉크젯방법 등은 배열하고자 하는 패턴의 크기와 간격 형성 등이 용이하지 않은 점과 대면적에 적용이 어렵다는 단점이 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 잉크젯방법을 이용하여 패턴을 형성하는 공정도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(510)의 표면에 표면처리를 하게 된다. 상기 표면처리는 혼합용액(610)에 친수영역(A')과 소수영역(B')의 성격을 갖도록 표면처 리를 한다.
상기 표면처리된 기판(510)면에 혼합용액(610)을 잉크젯장치를 통해서 분산시키게 된다. 상기 잉크젯 장치는 노즐(690)을 구비하며 상기 노즐(690)의 분사구를 통해 상기 혼합용액(610)을 기판(510) 상으로 분산시키게 된다.
여기서 상기 기판(510)의 A'는 혼합용액(610)에 대해서 친수의 성격을 갖는 영역이고, B'는 혼합용액(610)에 소수의 성격을 갖는 영역이다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 혼합용액(610)은 상기 기판(510)에 표면처리된 친수영역 A'과 소수영역 B'에 의해서 상기 A'의 친수영역에 배치할 수 있게 된다. 상기 친수영역(A')은 원하는 크기의 나노패턴의 사이즈(d)와 동일한 것으로 간주한다.
상기 혼합용액(610)은 액상의 분산용액(630)과 나노파우더(650)를 혼합시켜 형성할 수 있다.
상기 혼합용액(610)은 상기 분산용액(630)에 상기 나노파우더(650)가 분산되어 있기 때문에 상기 기판(510)의 표면과 소정의 접촉각을 이루어 접촉하게 된다. 그런데 친/소수영역의 경계영역 즉, 상기 계면영역(S')에서 상기 접촉각(w)이 크게 형성된다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 기판(510)을 열처리하여 상기 혼합용액(610)의 액상의 분산용액(630)을 증발시키게 된다. 상기 기판(510)의 A'영역에 위치한 분산용액(630)은 증발되고, 상기 분산용액(630)에 분산되어 있던 나노파우더(650)는 기판(510) 면에 적층되어 소정의 형상을 갖는 나노패턴(600)을 형성하게 된다.
그런데 상기 나노패턴(600)은 각이 크게 형성된 상기 접촉각으로 인해 원하는 크기의 패턴보다 크게 형성될 수 있다. 다시 말해 소정의 접촉각으로 형성된 혼합용액(610)을 증발시켜 나노패턴(600)을 형성하게 되면, 상기 접촉각(w)으로 인해 형성하고자 하는 나노패턴(600)의 크기가 크게 형성되는 불량패턴(d')이 발생할 수 있다.
또한 상기 노즐(690)의 분사구의 크기가 나노크기의 패턴을 형성하기 위해서 나노크기에 대응하는 분사구의 사이즈를 형성해야 되는데 상기 노즐의 분사구를 나노크기로 형성하기 어려운 문제가 있다.
이에 따라 상기 분사구로 분사시켜 형성되는 나노패턴(600)은 원하는 패턴의 형상(즉, 크기, CD(critical dimension))보다 크게 형성될 수 있다.
게다가 상기 잉크젯방법은 나노패턴(600) 간의 이격거리에 제약이 있다. 즉, 나노패턴(600)들 간의 이격간격이 좁으면 상기 나노패턴(600)들 간에 연결되어 불량패턴이 형성될 수 있다.
그리고 상기 노즐(690)의 분사구가 작아질 수록 상기 노즐(690)의 분사구가 막히는 경우가 발생할 수 있고, 상기 노즐(690)을 자주 교체해야 되는 문제점이 발생하게 된다.
이와 같이, 고가의 노즐(690)을 자주 교체하게 되면 나노패턴(600)의 제작비용이 증가하게 되고 교체하면서 작업 지연이 되어 생산성에 악영향을 미치게 된다.
본 발명은 기판 상에 분산되는 혼합용액에 자성을 제공하여 원하는 폭과 크기의 형성할 수 있는 나노패턴 형성공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 대면적 기판에 적용할 수 있는 나노패턴 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로 본 발명의 나노패턴 형성방법은 기판 상에 자기조립 단분자층을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 나노파우더를 갖는 혼합용액을 분산시키는 단계; 상기 기판 배면에 전자석 스캔장치로 자성이 제공된 영역으로 상기 혼합용액를 모으는 단계; 및 상기 기판을 베이킹시켜 상기 혼합용액을 증발시켜 나노패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 나노패턴 형성방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 나노파우더, 전자석 스캔장치, 혼합용액의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 나노파우더, 전자석 스캔장치, 혼합용액 및 기타 구조물들이 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 나노파우더, 전자석 스캔장치, 혼합용액 및 기타 구조물들이 직접 나노파우더, 전자석 스캔장치, 혼합용액 및 기타 구 조물들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 나노파우더, 전자석 스캔장치, 혼합용액 및 기타 구조물들이 기판 상에 추가로 형성될 수 있다.
본 발명은 혼합용액으로 나노패턴을 형성하는 방법을 실시예로 설명한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 나노패턴 형성공정을 도시한 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 자기조립 단분자층(SAM; Self Align Monolayer)을 형성하여 혼합용액(참조 도 2b의 110)에 친수성을 갖는 친수영역(A)과 혼합용액(110)에 소수성질을 갖는 소수영역(B)을 형성한다.
상기 자기조립 단분자층을 형성하는 방법은 포토레지스트를 상기 기판(10) 상에 형성하고, 자외선과 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트 패턴(30)을 형성한다. 그리고 추후에 분산시키는 혼합용액(110)과 친수성질을 갖을 수 있는 용액(이하, 친수용액)을 상기 기판(10)에 딥핑해준다.
여기서 상기 포토레지스트 패턴(30)이 형성된 영역과 상기 기판(10) 면이 노출된 영역은 상기 친수용액에 반응하게 된다. 그리고 상기 포토레지스트 패턴(30)을 스트립하게 되면, 상기 노출된 기판(10)면은 친수영역(A)이 되고, 상기 포토레지스트 패턴(30)이 스트립된 영역은 상기 친수영역(A)에 상대적으로 소수영역(B)이 된다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 친수영역(A)과 소수영역(B)을 구비한 기판 (10)상에 나노파우더(150)를 분산시킨 혼합용액(110)을 분산시킨다.
상기 혼합용액(110)은 스포이드(190) 등 용액을 분산시킬 수 있는 저가의 장치를 이용하여 상기 기판(10) 상에 분산시킬 수 있다.
상기 혼합용액(110)은 나노파우더(150)와, 상기 나노파우더(150)를 분산시킬 수 있는 분산용액(130)에 분산시켜 형성할 수 있다. 상기 나노파우더(150)는 구형상의 나노파티클 또는 와이어 형상의 나노와이어일 수 있다. 여기서는 구형상의 나노파티클을 실시예로 설명한다.
상기 나노파우더는 추후에 실시되는 전자석스캔 공정에서 자성에 반응하기 위해서 자성재료인 것이 바람직하다.
상기 나노파티클 및 나노와이어는 입자 크기가 작아 표면에너지가 높은 상태로 존재하게 된다. 따라서 상기 나노파우더(150)는 상온에서도 서로 결합하려는 특성을 갖는다. 그래서 상기 나노파우더(150)는 서로가 결합하는 것을 방지하기 위해 분산용액(130) 등에 용해시켜 보관 및 사용을 하게 하게 된다.
그리고 상기 나노파우더(150)를 소정의 형상을 갖는 형상으로 형성하기 위해서 파우더 상태보다는 용액상태로 보관하는 것이 형상을 형성하는 공정 등에서 사용이 용이해진다.
상기 기판(10)에는 상기 혼합용액(110)에 친수성을 갖는 자기조립 단분자층이 형성되어 상기 혼합용액(110)은 상기 친수영역(A)으로 모이게 할 수 있다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)은 상기 친수영역(A)과 상기 소수영역(B)의 경계(S, 계면영역)가 형성되어 있다. 상기 혼합용액(110)은 친수영역(A)에 모이게 된다.
여기서 상기 혼합용액(110)은 친수영역에 모여 있지만 용액상태의 상기 혼합용액(110)은 상기 경계영역(S)에서 소정의 각을 갖는 접촉각으로 형성되며, 표면장 력 때문에 상기 기판(10) 면을 따라 번져 나가려고 한다.
그래서 상기 혼합용액을 가이드하는 전자석스캔공정을 실시하게 된다. 상기 전자석스캔 공정은 상기 기판(10)의 배면에 전자석 스캔장치(200)를 마련한다. 상기 전자석 스캔장치(200)는 자성을 이용하여 상기 혼합용액(110)이 상기 계면영역(S)에서 번지려는 힘을 최소화시켜 상기 혼합용액(110)을 상기 친수영역(A)범위로 모아준다.
상기 전자석 스캔장치(200)는 자성이 발생되는 미세한 팁(210. Tip)이 형성되어 있다. 상기 팁(210)에서 자성을 발생시켜 상기 혼합용액(110)을 친수영역(A) 범위로 모아준다.
상기 전자석 스캔장치(200)는 상기 팁(210)에서 발생되는 자성의 세기를 조절할 수 있다. 즉, 상기 전자석 스캔장치(200)는 상기 친수영역(A)의 범위(크기) 등에 대응되는 자성의 세기를 조절할 수 있다.
따라서 상기 계면영역에서 소수영역으로 번지려는 혼합용액(110)을 제어하여 원하는 형상의 패턴을 신뢰성있게 형성할 수 있게 된다.
상기 전자석 스캔장치(200)는 상기 친수영역(A)에 형성된 혼합용액(110)을 따라 이동하면서 상기 혼합용액(110)을 상기 친수영역(A) 범위로 가이드 해줄 수 있다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 전자석 스캔장치(200)로 자성 세기를 제어하여 친수영역(A) 범위로 상기 혼합용액(110)을 모으게 된다.
상기 혼합용액(110)의 분산용액(130)을 증발시키는 베이킹(baking)공정을 실 시하게 된다. 상기 베이킹공정은 상기 분산용액(130)을 증발시키고 상기 혼합용액(110)에 용해되어 있던 나노파우더(150)를 남겨 나노패턴(100)을 형성할 수 있게 된다.
상기 전자석 스캔장치(200)에서 발생되는 자성의 세기를 조절하여 패턴의 두께, 폭 등이 제어가 가능하기 때문에 상기 나노패턴(100)은 신뢰성 있는 패턴의 폭과 크기로 형성될 수 있다.
또한 상기 전자석 스캔장치(200)를 통해서 상기 기판(10)의 크기에 상관없이 상기 나노패턴(100)을 용이하게 형성할 수 있게 된다.
상기 나노패턴(100)은 스위칭 역할을 하는 박막트랜지스터, 또는 상기 박막트랜지스터에 연결된 다수의 라인 및 전극 등이 될 수 있다. 상기 박막트랜지스터, 전극, 라인 등은 일정한 간격을 갖는 패턴이 아니기 때문에 상기 나노패턴을 형성하는데 어려울 수 있으나, 본 발명은 상기 전자석 스캔장치(200)를 통해 자성의 세기를 조절하여 나노패턴(100) 간의 이격 간격에 영향을 받지 않고 상기 나노패턴(100)을 용이하게 형성할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명에 따른 나노패턴을 형성하기 위한 전자석 스캔장치의 다른 실시예를 도시한 도면이다. 여기서 나노패턴을 형성하는 공정은 도 2a 내지 도 2d를 인용하여 설명한다.
상기 혼합용액(110)으로 나노패턴(100)으로 형성하기 위해서 전자석 스캔장치(200)의 팁(210)에서 자성을 발생시킨다. 여기서 자성의 세기를 조절하여 다양한 나노패턴(100)의 형상(크기, 폭 등)을 형성할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 기판(10)에 나노패턴(100)을 형성하기 위해서 혼합용액(110)을 원하는 패턴형상에 대응시켜 분산시키게 된다.
상기 전자석 스캔장치(200)를 이용하여 상기 혼합용액(110)을 친수영역으로 모으게 된다. 상기 전자석 스캔장치(200)는 다수의 팁(210)을 마련하여 다수의 친수영역에 자성을 제공할 수 있다.
이와 같이, 상기 전자석 스캔장치(200)는 상기 기판(10) 전면에 자성을 한번에 형성시켜 상기 혼합용액(110)을 친수영역 범위로 이동시킬 수 있다.
따라서 자성을 이용하는 상기 전자석 스캔장치에서 자성의 세기를 조절하여 간소하면서 저가의 공정으로 나노패턴을 형성할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 나노패턴 형성방법은 기판 상에 분산되는 혼합용액에 자성의 세기를 조절하여 원하는 폭과 크기의 나노패턴을 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 나노패턴 형성방법은 자성의 세기를 조절하여 나노패턴을 형성하기 때문에 기판사이즈에 상관 없이 적용할 수 있는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능할 것이다.

Claims (8)

  1. 기판 상에 상기 기판의 일부를 노출하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 기판에 친수용액을 딥핑하여, 상기 기판의 노출된 영역을 친수영역으로 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 스트립하여, 상기 기판의 상기 포토레지스트 패턴이 형성되었던 영역을 소수영역으로 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 나노파우더를 포함하는 혼합용액을 분산시켜, 상기 기판의 상기 친수영역 상에 혼합용액을 형성하는 단계;
    상기 기판의 배면을 전자석 스캔장치의 자성을 이용하여 스캔하여, 상기 친수영역과 상기 소수영역의 경계에 형성된 상기 혼합용액을 상기 친수영역 내로 모으는 단계; 및
    상기 혼합용액을 베이킹 공정을 통해 증발시켜 상기 기판 상에 나노패턴을 형성하는 단계를 포함하는 나노패턴 형성방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 나노파우더는 나노와이어 또는 나노파티클을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전자석 스캔장치는 자성을 형성시킬 수 있는 팁을 갖는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전자석 스캔장치는 자성의 강도를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 전자석 스캔장치는 상기 기판의 상기 친수영역 상에 형성된 혼합영역을 따라 이동하면서 상기 혼합용액을 상기 친수영역 내로 모으는 것을 특징로 하는 나노패턴 형성방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 전자석 스캔장치는 다수의 팁을 포함하여 상기 기판의 다수의 친수영역에 한번에 자성을 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 나노파우더는 자성에 반응하는 자성재료인 것을 특징으로 나노패턴 형성방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20060134716A (ko) * 2005-06-23 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법

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