JP5718449B2 - 金属ナノワイヤを有する透明導体のエッチングパターン形成 - Google Patents
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Description
本出願は、2010年3月23日に出願された米国仮特許出願第61/316,770号および2010年10月8日に出願された米国仮特許出願第61/391,564号の利益を、米国特許法§119(e)の下、主張する。これらの出願は、その全体が本明細書において参照として援用される。
透明導体とは、高透過率の表面または基板上に被膜形成された導電性の薄膜をいう。透明導体は、表面導電性を有するが、妥当な光学的透明性が維持されるように製造され得る。かかる表面導電性の透明導体は、フラット液晶ディスプレイ、タッチパネル、エレクトロルミネッセントデバイス、および薄膜光電池における透明電極として、静電気防止層として、および電磁波遮蔽層として広く使用されている。
基板上に被膜形成された導電層を含むパターン形成された透明導体を記載する。より詳しくは、該透明導体は、エッチング液配合物で導電層にスクリーン印刷することによりパターン形成され得る。したがって、一実施形態は、(1)複数の相互結合された金属ナノワイヤを含む透明導体を準備すること;(2)酸性エッチング液で該透明導体に、パターンに従ってスクリーン印刷すること;および(3)該パターンに従ってエッチングすることによりパターン形成された透明導体を準備することを含み、該パターンには、エッチングされる領域とエッチングされない領域が画定されている、透明導体にパターン形成するための方法に関する。
本発明はまた、以下の項目を提供する。
(項目1)
複数の相互結合された金属ナノワイヤを含む透明導体を準備すること;
酸性エッチング液で前記透明導体に、パターンに従ってスクリーン印刷すること;および
前記パターンに従ってエッチングすることによりパターン形成された透明導体を準備すること
を含み、
前記パターンには、エッチングされる領域とエッチングされない領域が画定されている、方法。
(項目2)
前記エッチングされた領域が非導電性である、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記エッチングされた領域が第1の抵抗率を有し、前記エッチングされていない領域が第2の抵抗率を有し、前記第1の抵抗率は前記第2の抵抗率よりも高い、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記エッチングされた領域が第1の透過率および第1のヘイズを有し、前記エッチングされていない領域が第2の透過率および第2のヘイズ抵抗率を有し、前記エッチングされた領域は前記エッチングされていない領域よりも導電性が低く、前記第2の抵抗率に対する前記第1の抵抗率の比率は少なくとも1000であり;前記第1の透過率は前記第2の透過率と差が5%未満である、項目3に記載の方法。
(項目5)
前記第1のヘイズは前記第2のヘイズと差が0.5%未満である、項目4に記載の方法。
(項目6)
前記透明導体が、前記相互結合された金属ナノワイヤを包埋するバインダーをさらに含む、項目1〜5のいずれか1項に記載の方法。
(項目7)
前記酸性エッチング液が5,000〜150,000cPの範囲の粘度を有する、項目1〜6のいずれか1項に記載の方法。
(項目8)
前記酸性エッチング液が極性溶媒、1種類以上の酸および耐酸性ポリマーを含む、項目1〜7のいずれか1項に記載の方法。
(項目9)
前記酸がHCl、HNO 3 、HOACまたはH 3 PO 4 である、項目8に記載の方法。
(項目10)
前記酸性エッチング液がHClとHNO 3 とを含む、項目8に記載の方法。
(項目11)
前記酸性エッチング液が、金属ハロゲン化物をさらに含む、項目8〜10のいずれか1項に記載の方法。
(項目12)
前記金属ハロゲン化物がFeCl 3 またはCuCl 2 である、項目11に記載の方法。
(項目13)
前記耐酸性ポリマーがポリアミドまたはポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)である、項目8〜12のいずれか1項に記載の方法。
(項目14)
前記耐酸性ポリマーが酸性エッチング液の総重量の少なくとも約5%である、項目13に記載の方法。
(項目15)
前記パターン形成された透明導体をアニーリングすることをさらに含む、項目1〜14のいずれか1項に記載の方法。
(項目16)
前記パターン形成された透明導体をアルカリ性溶液で洗浄することをさらに含む、項目1〜15のいずれか1項に記載の方法。
(項目17)
1種類以上の酸;
耐酸性ポリマー;および
極性溶媒
を含み、5,000〜150,000cPの範囲の粘度を有する、
スクリーン印刷可能なエッチング液配合物。
(項目18)
前記酸が、HCl、HNO 3 、HOACおよびH 3 PO 4 からなる群より選択される、項目17に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。
(項目19)
HClおよびHNO 3 を含む、項目18に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。
(項目20)
金属ハロゲン化物をさらに含む、項目17〜19のいずれか1項に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。
(項目21)
前記金属ハロゲン化物がFeCl 3 またはCuCl 2 である、項目20に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。
(項目22)
前記耐酸性ポリマーがポリアミドまたはポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)である、項目17〜21のいずれか1項に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。
(項目23)
前記極性溶媒が水である、項目17〜22のいずれか1項に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。
図面において、類似した要素または作用は同一の参照番号で特定している。図面中の要素の大きさおよび相対位置は必ずしも一定の縮尺での図示でない。例えば、種々の要素の形状および角度は一定の縮尺での図示ではなく、このような要素の一部は、図面の見易さを改善するために自由裁量で拡大し、配置している。さらに、図示した要素の特定の形状は、特定の要素の実際の形状に関する情報の伝達をなんら意図するものではなく、単に、図面での認識の容易さのために選択したものである。
一部の特定の実施形態に、金属ナノワイヤの疎ネットワークを含むものであり得るナノ構造透明導体のパターン形成方法を記載する。
本明細書で用いる場合、「導電性ナノ構造体」または「ナノ構造体」は、一般的に、少なくとも1つの寸法(すなわち、幅または直径)が500nm未満、より典型的には100nm未満または50nm未満である電気伝導性のナノサイズの構造体をいう。種々の実施形態において、ナノ構造体の幅または直径は、10〜40nm、20〜40nm、5〜20nm、10〜30nm、40〜60nm、50〜70nmの範囲である。
一実例として、図1に、基板14上に被膜形成された導電層12を備える透明導体10を示す。導電層12は複数の金属ナノワイヤ16を備えている。金属ナノワイヤ16は導電性ネットワークを形成している。
一部の特定の実施形態では、したがって、複数の金属ナノワイヤを基板上に成膜すること(該金属ナノワイヤは流動体中に分散している);および該流動体を乾固させることにより該基板上に金属ナノワイヤネットワーク層を形成することを含む、透明導体の製作方法を本明細書において記載する。
導電層は、エッチングすることでパターン形成され得る。マスクされていない領域の導電層部分を溶解および除去するため、導電層の組成に応じて種々のエッチング液(“etching solution”または“etchant”)が使用され得る。エッチング液は、パターン形成させる透明導体に任意の既知の方法で、例えば、所定のパターン形成マスクを用いて、またはエッチング液を所定のパターンでスクリーン印刷することで適用され得る。
表1
本明細書に開示した任意のエッチング液配合物を適用する一つの方法は、スクリーン印刷によるものである。当業者には理解されるように、スクリーン印刷は、被膜形成溶液(または「インク」)を基板に適用する方法であり、基板には、メッシュまたはスクリーンが使用され、ステンシルを保持しており、ステンシルは、一般的に、インクがスクリーン中を通って基板まで送られることを阻止する1つ以上の造形部(feature)を含むものである。インクは、ローラー、スキージまたはスクリーンの表面を横断する他のかかるデバイスによってスクリーン中を推し進められ、それによって、インクが、ステンシルのインク阻止造形部に対応する領域を除き基板上に分布する。種々の実施形態では、インクのように、エッチング液配合物が、エッチング対象の基板(例えば、透明導体)上にスクリーン印刷され得る。したがって、一実施形態では、(1)複数の相互結合された金属ナノワイヤを含む透明導体を準備すること、(2)酸性エッチング液で該透明導体に、パターンに従ってスクリーン印刷すること;および(3)該パターンに従ってエッチングすることによりパターン形成された透明導体を準備することを含み、該パターンには、エッチングされる領域とエッチングされない領域が画定されている、方法を提供する。
本明細書に開示したエッチング液のいずれも、本開示に従ってスクリーン印刷可能なエッチング液に配合され得る。一般的には、限定されないが、本開示によるスクリーン印刷可能なエッチング液は、極性溶媒(例えば、水またはアルコール)、1種類以上の酸を含むものであり得、また、任意選択で1種類以上の金属ハロゲン化物(例えば、金属塩化物)、1種類以上の界面活性剤および1種類以上のポリマーが含まれていてもよい。
銀ナノワイヤの合成
銀ナノワイヤを、例えば、Y.Sun,B.Gates,B.Mayers,& Y.Xia,“Crystalline silver nanowires by soft solution processing”,Nanoletters,(2002),2(2)165−168に記載された「ポリオール」法に従い、ポリ(ビニルピロリドン)(PVP)の存在下で、エチレングリコールに溶解させた硝酸銀の還元によって合成した。米国特許出願第11/766,552号(Cambrios Technologies Corporation名義)に記載された改良ポリオール法では、より均一な銀ナノワイヤが、慣用的な「ポリオール」法よりも高い収率で作製される。この出願は、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。
透明導体の調製
Autoflex EBG5ポリエチレンテレフタレート(PET)膜(5μm厚)を基板として使用した。このPET基板は光学的にクリアな絶縁体である。このPET基板の光透過率およびヘイズを表2に示す。特に別の記載のない限り、光透過率はASTM D1003の方法論を用いて測定した。
表2
酸エッチング(1)
導電性の銀ナノワイヤ層を、まずPET基板上に形成した。UV硬化性アクリレートを、ナノワイヤ層上にパターンに従って成膜させた。マトリックスを乾固させ、部分硬化させた。マトリックスは典型的には約50nm〜300nmの厚みであった。表面導電性が、マトリックスによって保護された領域内で、ならびにマトリックスによって保護されていない領域内でも検出された。
酸エッチング(2)
10ppmのKMnO4を使用したこと以外は実施例3に記載のようにして、透明導体シートを調製し、パターン形成した。保護されていないナノワイヤは、30秒間のエッチングの間にエッチングによって除去され、約1分間のエッチング後、良好に画定されたパターンが形成された。また、マトリックスが存在しているエリアは、エッチングされなかったか、またはエッチング液による支障はなかった。実施例9と同様、保護されたエリアは、エッチング後も表面導電性のままであった。パターン形成された表面の導電性領域と非導電性領域間の界面では、ナノワイヤは実際に切断されており、このような切断されたナノワイヤの一部(これは、エッチング前は、非導電性領域内に延在していた)は、エッチングによって除去される。このように、切断されたワイヤの残留部分は、エッチング前のワイヤの元の長さよりも短くなっている。
表面の前処理
透明導体試験片に、ウェットエッチングプロセスによってパターン形成した。エッチングの前に、透明導体にパターン(物理的マスクまたはフォトレジストマスク)に従ってマスクし、マスクされていない領域を表面処理した。未処理の試験片と比べて、表面処理した透明導体は、ずっと高い速度でエッチングされた。
透明導体試験片を、まず、所望の透明性および導電性を有する基板(例えば、ポリカーボネート、ガラスまたはPET)上に、スピンコーティング(または他の成膜方法)によって銀ナノワイヤ膜を形成することにより調製した。続いて、銀ナノワイヤ膜に、Addison Clear Wave AC YC−5619ハードコートで被膜形成した(スピンコーティングによる)。このハードコート材料を焼成し、完全にUV硬化させた。
物理的マスクの代わりに、フォトレジスト材料を銀ナノワイヤ膜(ハードコートを有する)上にスピンコーティングしてもよい。所望のパターンに従ってUV光に曝露すると、フォトレジスト材料は硬化してマスクになる。上記のプロセス後、透明導体試験片は表面処理され、エッチングされ得る。
示されるように、それぞれ酸素プラズマおよびUVオゾンで前処理した試験片1および2は、10秒間のエッチングの間に非導電性(無限大の抵抗率)となった。比較すると、未処理の試験片3は、6分間のエッチング後も導電性のままであった。
低視感度パターン形成
HPMC、銀ナノワイヤおよび水の懸濁液を調製した。この懸濁液をガラス基板上にスピンコーティングし、HPMCマトリックス中に銀ナノワイヤの導電性薄膜を形成した。導電層は光学的にクリアであり、光透過率(T%)は約88.1%およびヘイズ(H%)は約2.85%であった。また、導電層は高度に表面導電性でもあり、表面抵抗率は約25Ω/□である。
HPMC、銀ナノワイヤおよび水の懸濁液を調製した。この懸濁液をガラス基板上にスピンコーティングし、HPMCマトリックス中に銀ナノワイヤの導電性薄膜を形成した。導電層は光学的にクリアであり、光透過率(T%)は約89.1%、およびヘイズ(H%)は約3.02%、および表面抵抗率は約45Ω/□であった。
表3
また、処理領域の抵抗率の変化は、改変された抵抗率を有する領域を処理するために使用される化学薬品によっても制御され得る。透明な導電性試験片を、実施例7で上記したようにして調製した。試験片の一領域を、Pd(AcO)2とACN(1mg/mL)の溶液中に種々の時間量で浸漬した。次いで、試験片をACNで2回すすぎ、窒素雰囲気中で乾燥させた。以下の表4は、試験片を該溶液にに曝露した時間量の関数としての光学的特徴(透明性およびヘイズ)ならびに抵抗率の変化を示す。
表4
フォトレジストでのパターン形成法
0.2%のHPMC、250ppmのTritonX 100および銀ナノワイヤからなる銀ナノワイヤ分散体を調製した。この分散体を基板上にスピンコーティングし、180℃で90秒間焼成した。次いで、このナノワイヤ膜にAZ−3330Fフォトレジストをスピンコーティングし、2.5μmの透明な導電性膜を作製した。次いで、この透明導体を110℃で60秒間焼成した。フォトマスクをフォトレジスト層の一部に接触させて配置し、透明導体を光に20秒間、12mW/cm2で曝露した。次いで、導体を110℃で60秒間焼成した。
塩化銅エッチング液による低視感度パターン形成
エッチング液溶液を、240gのCuCl2・2H2Oを180gの濃HCl(37%w/w)および580gの水と混合することにより調製した。CuCl2の終濃度は約19%、HClは6.8%とした。
低視感度パターン形成−加熱によるエッチング
実施例11は、部分エッチングする工程と、その後の加熱する工程とを組み合わせることによる、導電性膜における低視感度パターンの作出を示す。本明細書において論考しているように、加熱により、エッチングされた領域がさらに非導電性または低導電性となることによってエッチングが完結する。
表5
表6
表7
表8
スクリーン印刷可能なエッチング液配合物を、ナノワイヤの導電性ネットワークで形成された導電性膜のエッチングにおける有効性について試験した。2インチ×2インチのナノワイヤ導電性膜の試験片を、本明細書の実施例2に記載のようにして調製した。表9に示したエッチング液配合物を調製し、図4に示す導電性膜試験片30の中心を横断するライン20状に配置した。表9の第3列に示したAlエッチング液は、50%〜70%のリン酸、3%〜10%の酢酸および1%〜5%の硝酸を含むものとした。エッチング液を膜試験片上に、表9に示した焼成温度と時間で保持し、次いで、DI水を用いてすすいで除去した。エッチング液を膜に適用する前、各試験片のシート抵抗を、エッチング液を適用したラインに沿ってDelcom抵抗測定器を用いて測定した。エッチング液の除去後、この同じシート抵抗が測定された。エッチングの前と後でのこのシート抵抗の変化から、エッチング液のラインに沿って電気的絶縁が達成されたかどうかを判定した。抵抗の測定値の結果を以下の表9に示す。さらに、表9に、エッチング液のリフローが観察されたかどうかを示す。
22%のVestosint 2070と、50%〜70%のリン酸、3%〜10%の酢酸および1%〜5%の硝酸を含む78%のアルミニウムエッチング液(“Al Etchant Type A”でTransene Company,Inc.により販売)とを有するエッチング液を、本明細書の実施例2に記載のようにして調製した2インチ×2インチの導電性膜試験片上にスクリーン印刷した。図5に示すように、エッチング液を交差ライン40のパターンに印刷し、4つのエッチングされない正方形部50を形成した。試験片を50℃の炉内で15分間焼成し、次いで、DI水を用いてすすいでエッチング液を試験片から除去した。エッチングの前は、該正方形部は有限な抵抗が測定可能であった。エッチング後に、該正方形部は互いに電気的に絶縁された。
金属ナノワイヤの成膜のための典型的なインク組成物は、重量基準で、0.0025%〜0.1%の界面活性剤(例えば、好ましい範囲はZONYL(登録商標)FSO−100で0.0025%〜0.05%である)、0.02%〜4%の粘度調整剤(例えば、好ましい範囲はヒドロキシプロピルメチルセルロース(HPMC)で0.02%〜0.5%である)、94.5%〜99.0%の溶媒および0.05%〜1.4%の金属ナノワイヤを含むものである。好適な界面活性剤の代表例としては、ZONYL(登録商標)FSN、ZONYL(登録商標)FSO、ZONYL(登録商標)FSA、ZONYL(登録商標)FSH、Triton(x100、x114、x45)、TERGITOL(登録商標)、DYNOL(登録商標)(604、607)、n−ドデシルβ−D−マルトシド、およびNOVEC(登録商標)が挙げられる。好適な粘度調整剤の例としては、ヒドロキシプロピルメチルセルロース(HPMC)、メチルセルロース、キサンタンガム、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、およびヒドロキシエチルセルロースが挙げられる。好適な溶媒の例としては、水およびイソプロパノールが挙げられる。
Claims (14)
- 透明導体上に低視感度パターンを形成する方法であって、
複数の相互結合された金属ナノワイヤを含む前記透明導体を準備すること;
酸性エッチング液を、前記透明導体に、パターンに従ってスクリーン印刷すること;
前記酸性エッチング液によって、前記金属ナノワイヤを部分エッチングし、それによって部分エッチングされた透明導体を準備すること;および
前記部分エッチングされた透明導体を加熱し、それによって前記エッチングされた領域が第1の抵抗率を有し、前記エッチングされていない領域が第2の抵抗率を有し、前記第1の抵抗率は前記第2の抵抗率よりも高いこと、
を含み、
前記パターンには、エッチングされる領域とエッチングされない領域が画定されている、方法。 - 前記エッチングされた領域が非導電性である、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチングされた領域が第1の透過率および第1のヘイズを有し、前記エッチングされていない領域が第2の透過率および第2のヘイズを有し、前記エッチングされた領域は前記エッチングされていない領域よりも導電性が低く、前記第2の抵抗率に対する前記第1の抵抗率の比率は少なくとも1000であり;前記第1の透過率は前記第2の透過率と差が5%未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のヘイズは前記第2のヘイズと差が0.5%未満である、請求項3に記載の方法。
- 前記透明導体が、前記相互結合された金属ナノワイヤを包埋するバインダーをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記酸性エッチング液が5,000〜150,000cPの範囲の粘度を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記酸性エッチング液が極性溶媒、1種類以上の酸および耐酸性ポリマーを含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記酸がHCl、HNO3、HOACまたはH3PO4である、請求項7に記載の方法。
- 前記酸性エッチング液がHClとHNO3とを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記酸性エッチング液が、金属ハロゲン化物をさらに含む、請求項7〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記金属ハロゲン化物がFeCl3またはCuCl2である、請求項10に記載の方法。
- 前記耐酸性ポリマーがポリアミドまたはポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)である、請求項7〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記耐酸性ポリマーが酸性エッチング液の総重量の少なくとも約5%である、請求項12に記載の方法。
- 前記パターン形成された透明導体をアルカリ性溶液で洗浄することをさらに含む、請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法。
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EP2587564A1 (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-01 | Merck Patent GmbH | Selective etching of a matrix comprising silver nanowires or carbon nanotubes |
SG11201401965SA (en) * | 2011-11-04 | 2014-09-26 | Cambrios Technologies Corp | Methods for reducing diffuse reflection of nanostructure-based transparent conductive films and touch panels made of the same |
CN102516894B (zh) * | 2011-11-10 | 2015-07-29 | 郑州中原应用技术研究开发有限公司 | 一种汽车内后视镜镜座专用结构胶片及其制备方法 |
KR101305710B1 (ko) * | 2011-12-21 | 2013-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법 |
CN104508758B (zh) | 2012-03-01 | 2018-08-07 | 雷蒙特亚特特拉维夫大学有限公司 | 导电纳米线膜 |
US10037831B2 (en) * | 2012-04-12 | 2018-07-31 | Sol Voltaics Ab | Methods of nanowire functionalization, dispersion and attachment |
US10029916B2 (en) | 2012-06-22 | 2018-07-24 | C3Nano Inc. | Metal nanowire networks and transparent conductive material |
US9920207B2 (en) | 2012-06-22 | 2018-03-20 | C3Nano Inc. | Metal nanostructured networks and transparent conductive material |
TWI460121B (zh) * | 2012-07-27 | 2014-11-11 | Univ Nat Taiwan Science Tech | 圖形化矽奈米線陣列及矽微結構之製作方法 |
US8957322B2 (en) | 2012-12-07 | 2015-02-17 | Cambrios Technologies Corporation | Conductive films having low-visibility patterns and methods of producing the same |
TWI631580B (zh) | 2013-02-20 | 2018-08-01 | 國立大學法人東京工業大學 | 具有]導電性奈米線網絡之導電性基板,及其製造方法 |
US10100393B2 (en) * | 2013-02-21 | 2018-10-16 | Nlight, Inc. | Laser patterning of multi-layer structures |
US8709194B1 (en) * | 2013-02-25 | 2014-04-29 | Eastman Kodak Company | Assembling an electrode device |
US10020807B2 (en) * | 2013-02-26 | 2018-07-10 | C3Nano Inc. | Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks |
CN104620168B (zh) * | 2013-04-05 | 2018-07-17 | 苏州诺菲纳米科技有限公司 | 带有融合金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及其制造方法 |
TW201441345A (zh) * | 2013-04-16 | 2014-11-01 | Polychem Uv Eb Internat Corp | 一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑組成及其構造與導電線路圖案化製程 |
JP2015018624A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよび透明導電性フィルムの製造方法 |
TW201514802A (zh) * | 2013-07-16 | 2015-04-16 | Lg Innotek Co Ltd | 觸控螢幕以及包含其之觸控裝置 |
KR102008795B1 (ko) * | 2013-07-29 | 2019-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 윈도우 |
WO2015017143A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | 3M Innovative Properties Company | Bonding electronic components to patterned nanowire transparent conductors |
EP3032383B1 (en) * | 2013-08-05 | 2018-04-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Light-transmitting conductive member and patterning method thereof |
TWI518756B (zh) | 2013-08-16 | 2016-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 圖案化的導電薄膜及其製造方法與應用 |
KR101482780B1 (ko) * | 2013-08-29 | 2015-01-15 | (주)탑나노시스 | 전도성 나노와이어필름 제조 방법 및 상기 제조방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 터치패널 |
US20150069011A1 (en) | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Carestream Health, Inc. | Wet etching patterning compositions and methods |
DE102013110666B4 (de) | 2013-09-26 | 2023-05-17 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
KR102275704B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널 및 그 제조 방법 |
JP2016539467A (ja) * | 2013-11-08 | 2016-12-15 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 銀ナノ材料を含む透明な伝導性マトリクスの構築方法 |
US11274223B2 (en) | 2013-11-22 | 2022-03-15 | C3 Nano, Inc. | Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches |
JP2015114919A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | Jsr株式会社 | 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びに表示装置 |
US11343911B1 (en) | 2014-04-11 | 2022-05-24 | C3 Nano, Inc. | Formable transparent conductive films with metal nanowires |
WO2015163824A1 (en) * | 2014-04-24 | 2015-10-29 | Nanyang Technological University | Method for forming a transparent conducting polymeric film and its use as a transparent electrode |
US20150322221A1 (en) | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Carestream Health, Inc. | Patterned films and methods |
US10069271B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-09-04 | Nlight, Inc. | Scalable high power fiber laser |
CN104091761B (zh) * | 2014-06-30 | 2017-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置 |
US9183968B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-11-10 | C3Nano Inc. | Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks |
KR102242161B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2021-04-20 | 주식회사 아모그린텍 | 터치 스크린 패널용 터치 센서 및 그 제조방법 |
US10768433B2 (en) | 2015-09-24 | 2020-09-08 | Nlight, Inc. | Beam parameter product (bpp) control by varying fiber-to-fiber angle |
US9447504B1 (en) * | 2015-09-28 | 2016-09-20 | Xerox Corporation | Method of etching using inkjet printing |
WO2017091505A1 (en) | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Nlight, Inc. | Fine-scale temporal control for laser material processing |
EP3184669B1 (en) * | 2015-12-23 | 2018-07-18 | ATOTECH Deutschland GmbH | Etching solution for copper and copper alloy surfaces |
WO2017175215A1 (en) | 2016-04-07 | 2017-10-12 | Technology Innovation Momentum Fund (Israel) Limited Partnership | Printing of nanowire films |
US10730785B2 (en) | 2016-09-29 | 2020-08-04 | Nlight, Inc. | Optical fiber bending mechanisms |
US10663767B2 (en) | 2016-09-29 | 2020-05-26 | Nlight, Inc. | Adjustable beam characteristics |
CN106304626A (zh) * | 2016-10-25 | 2017-01-04 | 苏州汉纳材料科技有限公司 | 一种非金属柔性线路板及其制作方法 |
US20190357360A1 (en) | 2016-12-29 | 2019-11-21 | 3M Innovative Properties Company | Methods for Preparing Electrically Conductive Patterns and Articles Containing Electrically Conductive Patterns |
EP3714483A1 (en) * | 2017-11-22 | 2020-09-30 | PPG Industries Ohio, Inc. | Patterning paste |
KR102147466B1 (ko) * | 2018-05-18 | 2020-08-25 | 주식회사 에스지플렉시오 | 전도성 잉크 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조방법 |
EP3850123B1 (en) * | 2018-09-12 | 2024-01-03 | FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. | Etching compositions |
JP7444078B2 (ja) | 2019-02-01 | 2024-03-06 | 日本ゼオン株式会社 | 導電膜およびその製造方法、電極、並びに、太陽電池 |
WO2020205906A1 (en) * | 2019-04-03 | 2020-10-08 | Cambrios Film Solutions Corporation | Electrically conductive film |
EP3890457A1 (en) * | 2020-03-30 | 2021-10-06 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Anisotropic etching using photosensitive compound |
CN114959707A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-08-30 | 重庆赛宝工业技术研究院有限公司 | 一种刻蚀液及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4448637A (en) * | 1981-12-28 | 1984-05-15 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Etching method of conductive film |
US5391235A (en) * | 1992-03-31 | 1995-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method of manufacturing the same |
US5688366A (en) * | 1994-04-28 | 1997-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor |
US6975067B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
US7404252B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-07-29 | International Business Machines Corporation | Method for fastening two coplanar edges without a weld |
DE102005007743A1 (de) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Merck Patent Gmbh | Druckfähiges Medium zur Ätzung von Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten |
CN101098833A (zh) * | 2005-01-11 | 2008-01-02 | 默克专利股份有限公司 | 用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 |
US8367551B2 (en) | 2005-03-25 | 2013-02-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Spin-printing of etchants and modifiers |
DE102005031469A1 (de) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Merck Patent Gmbh | Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
SG150514A1 (en) | 2005-08-12 | 2009-03-30 | Cambrios Technologies Corp | Nanowires-based transparent conductors |
TWI397446B (zh) | 2006-06-21 | 2013-06-01 | Cambrios Technologies Corp | 控制奈米結構形成及形狀之方法 |
WO2008147431A2 (en) | 2006-10-12 | 2008-12-04 | Cambrios Technologies Corporation | Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires |
TWI397925B (zh) | 2006-10-12 | 2013-06-01 | Cambrios Technologies Corp | 用於控制透明導體之電氣和光學性質之系統、裝置及方法 |
EP2082436B1 (en) * | 2006-10-12 | 2019-08-28 | Cambrios Film Solutions Corporation | Nanowire-based transparent conductors and method of making them |
US8018568B2 (en) | 2006-10-12 | 2011-09-13 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowire-based transparent conductors and applications thereof |
CN101971354B (zh) | 2007-04-20 | 2012-12-26 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 高对比度的透明导体及其形成方法 |
KR101456838B1 (ko) | 2007-04-20 | 2014-11-04 | 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 | 복합 투명 도전체 및 그 제조 방법 |
FR2918981B1 (fr) | 2007-07-20 | 2009-09-04 | Saint Gobain | Procede de texturation de surface d'un substrat a fonction verriere, produit verrier a surface texturee. |
MY152247A (en) * | 2007-12-21 | 2014-09-15 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent |
WO2009108306A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Cambrios Technologies Corporation | Method and composition for screen printing of conductive features |
JP5259368B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2013-08-07 | 日本写真印刷株式会社 | 導電性ナノファイバーシート及びその製造方法 |
US20110024159A1 (en) | 2009-05-05 | 2011-02-03 | Cambrios Technologies Corporation | Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures |
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