TW201441345A - 一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑組成及其構造與導電線路圖案化製程 - Google Patents
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Abstract
本發明主要係有關一種含有強氧化物前驅物(Precursor)的水性蝕刻劑組成及其構造與導電線路圖案化(Patterning)製程，其中，該強氧化物前驅化學組成結構中含有氯，藉由光輻射反應、乾燥脫水反應、或熱分解反應其中之一方式產生以下至少一種的強氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2-、ClO3-、HClO3、HClO4來大幅度提高導電基材的部分區域之電氣阻抗，藉此形成特定氧化區域之導電線路圖案化技術，應用於一設有導電基材構造之電子裝置，該導電基材構造主要係包含一圖案化(Patterned)的導電基材，其中，該形成圖案化的導電基材係利用前述的水性蝕刻劑於導電層上不需導電的區域產生氧化蝕刻作用並形成所需的導電線路。所形成的圖案化導電基材可應用於包括印刷電子(Printed Electronics)、感應器(Sensor)、顯示器(Display)、有機發光二極體(OLED)、觸控面板(Touch Panel)、電子線路板(Electronic Circuit Board)、電極(Electrode)、冷光片(EL)、天線(Antenna)、太陽能電池(Solar Cell)。
Description
本發明涉及一種含有強氧化物前驅物(Precursor)的水性蝕刻劑組成，構造與製程，尤指一種應用於導電基材構造並藉此形成特定氧化區域圖案化(Patterning)之技術，其所形成的導電線路圖案化導電基材的應用包括印刷電子(Printed Electronics)、感應器(Sensor)、顯示器(Display)、有機發光二極體(OLED)、觸控面板(Touch Panel)、電子線路板(Electronic Circuit Board)、電極(Electrode)、冷光片(EL)、天線(Antenna)、太陽能電池(Solar Cell)。
昔用蝕刻劑多直接使用強氧化物對導電膜進行化學蝕刻以形成所需之圖案化(Patterning)導電圖形，其缺點是不安定、產出物的品質不易控制、且易於腐蝕或導致損壞治具。另外，亦有利用高能量的荷電粒子束來形成導電圖形，或使用製程較多的曝光顯影的製程方式。習用導電基材的導電線路圖案化技術例如：一美國專利US7,704,677 B2(Samsung Mobile Display Co.,Ltd.)揭露一種使用荷電粒子束(Charged Particle Beam)透過光罩(Shadow Mask)照射導電高分子層，使所照射之導電高分子層區域形不導電區，而未照射到荷電粒子束的的區域則形成導電區，藉此形成所需之導電線路，此一方法使用到非常昂貴的荷電粒子束加速器(Charge Particle Beam Accelerator)。另一美國專利US 8,252,386 B2(Samsung Electronics Co.,Ltd.)則
揭露一種形成導電高分子膜的方法，係混合一感光樹脂(Photosensitive Polymer Resin)與一種氧化劑(oxidant)的混合物，其係塗佈於一透明底材上，再利用氣相聚合Vapor-Phase Polymerization(VPP)的方式，在其透明底材上的氧化劑混合物表面形成導電膜，然後使用UV光照射含有感光性壓克力聚脂(Polyester Acrylate)或壓克力環氧樹脂(Epoxy Acylate)的感光聚合物以形成導電線路。此外，另一美國發明專利5,976,284(Secretary of the Navy of the US,Geo-Centers,Inc.)則揭露一種利用光阻劑(Photoresist)以曝光顯影方式在導電高分子特定區域的表面形成一遮蔽層，再使用強氧化劑提高露出的導電高分子部分的電阻或移除露出的導電高分子，然後再以除去遮蔽層的方式，使底材上形成所需之導電高分子圖形。另一美國發明專利6,340,496(Agfa-Gevaert)則揭露一種含有ClO-、BrO-、MnO4 -、Cr2O7-、S2O8-、H2O2氧化物的印刷溶液來提高底材上導電高分子的電氣阻抗。前述昔用技術均係直接使用具高腐蝕性或氧化性的強氧化物、昂貴複雜的製程來形成圖案化的導電圖形。相較於現有技術，本發明具有高穩定性、容易控制氧化程度、高儲存安定性、蝕刻劑不易侵蝕製造設備、生產設備成本低、製程簡化、生產成本低等優點。緣此，申請人有鑑於此，乃秉持從事該項業務多年之經驗，遂研發出「一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑組成及其構造與導電線路圖案化製程」，藉此將可有效控制品質，祈使減少損耗，降低製造成本，進而大幅提高生產效率。
本發明主要目的在於提供一種含有強氧化物前驅物(Precursor)的水性蝕刻劑，該強氧化物前驅物化學組成結構中含有氯，且其
化學分解物包括以下至少一種的強氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、HClO4，其中，該水性蝕刻劑為ph值大於7.0，其強氧化物前驅物含量為10%以下，且為穩定態二氧化氯水溶液(Stabilized Chlorine Dioxide Solution)，其中該水性蝕刻劑為鹼性，含有碳酸鹽，至少包括碳酸鈉與碳酸氫鈉其中之一，此外，該水性蝕刻劑含有水溶性樹脂或增粘劑其中之一，又該水溶性樹脂或增粘劑至少包括聚乙烯醇(PVA)、水溶性纖維素(CMC)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone,PVP)與矽酸鹽(Fumed Silica)其中之一。前述強氧化物係藉由光輻射反應、乾燥脫水反應、或熱分解反應其中之一方式，或前述方式一種以上之組合所產生，主要係應用於導電基材構造所需之蝕刻製程，藉此形成特定氧化區域圖案化(Patterning)之技術。
本發明次一目的係提供一種設有導電基材之電子裝置，該電子裝置含有一使用強氧化物前驅物(Precursor)的水性蝕刻劑所製成的圖案化(Patterned)導電線路，該導電線路係設於一底材表面、且該導電線路係由一含有導電高分子所構成，其亦可為透明導電金屬氧化物，其中，導電基材係藉由含有強氧化物前驅物的蝕刻劑層覆蓋於含有共軛本質性導電的透明導電高分子、透明導電金屬氧化物或含奈米銀線(Silver Nanowires)所構成的導電層預定需要氧化處理的特定區域，藉此使附著於底材表面導電層不需導電的非導電區產生氧化蝕刻作用形成非導電區，於非導電區以外形成所需的導電線路；其中，該導電基材表面所形成的非導電區的電氣阻抗為導電線路的100倍以上。該導電層至少包括ITO、ZnO、ZnOAl或含奈米銀線(Silver Nanowires)之透明導電層其中之一，或為含共軛本質性導電高分子的透明導電層，其至少包括PEDOT/PSS、Polyaniline(PANI)與Polypyrrole
(PPy)其中之一。
本發明另一目的在於提供一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑對導電層進行導電線路圖案化的製程，包括：將一含有導電高分子的導電層覆蓋於一底材表面，底材可為塑膠膜，如透明的PET膜、PI膜等塑膠材質，或是玻璃、陶瓷等無機材料；在預定需要進行氧化處理的導電層表面上的預定(Predetermined)區域上覆蓋一層由前述水性蝕刻劑所構成的蝕刻劑層；利用乾燥、加熱或輻射光照射的其中之一方式，或前述方式一種以上之組合所產生，使強氧化物前驅物產生強氧化物，藉此氧化所接觸的導電層來大幅度提高其電氣阻抗至原始電氣阻抗值的100倍以上至完全不導電，於導電層的預定不需導電的區域形成非導電區，並於非導電區以外形成所需的導電區；並可進一步使用水或PH值低於7的酸性水溶液或有機溶劑等清除液，將留在非導電區表面的反應後之水性蝕刻劑殘留物予以去除。
此外，前述利用輻射光照射使強氧化物前驅物產生強氧化物來氧化所接觸的導電層以進行蝕刻的方式，亦可於導電層表面上覆蓋一層由前述水性蝕刻劑所構成的蝕刻劑層，且該蝕刻劑層係大於光罩(Photo Mask)照射範圍，再透過光罩來進行照射特定不需導電的區域表面的蝕刻劑層，藉由光罩預設圖案化所需氧化之透光區與不需氧化之非透光區，使未照射到輻射光的區域形成導電線路。
前述光輻射波長包括200~800 nm內的任一波長，使受輻射光照射的水性蝕刻層產生前述強氧化物，藉此對導電層上預定不需導電的區
域進行蝕刻以形成高電阻或完全不導電區域的非導電區，並於非導電區以外的區域形成所需的導電線路，其中，非導電區的電氣阻抗為導電區域的電氣阻抗100倍以上至完全不導電，可再進一步使用水或PH值低於7的酸性水溶液或有機溶劑等清除液將留在導電線路表面與非導電區表面的未反應之水性蝕刻劑與其反應後的殘留物予以去除。
前述水性蝕刻劑披覆於導電層的方法包括：網版印刷(Screen Printing)、轉印(Transfer Printing)、凹版印刷(Gravure)、凸版印刷(Letterpress)、噴墨(Inkjet)、浸泡(Dipping)、旋轉塗佈法(Spin Coating)、噴塗(Spray)法、逗號塗佈法(Comma Coating)、線棒塗佈法(RDS Coating)、平版印刷(Lithography)、狹縫式塗佈法(Die Coating)、簾幕式塗佈法(Curtain Coating)與滾筒塗佈法(Roller Coating)其中之一。
本發明相較於傳統昂貴的黃光曝光顯影蝕刻製程，可大幅省略光阻劑與其清除光阻劑等材料製程，進而提高生產效率與降低生產成本。
以下進一步說明本發明之具體實施方式。
1‧‧‧導電基材
2‧‧‧電子裝置
21‧‧‧感應器
10‧‧‧底材
20‧‧‧導電層
30‧‧‧蝕刻劑層
201‧‧‧非導電區
202‧‧‧導電線路
40‧‧‧清除液
50‧‧‧光罩
501‧‧‧透光區
502‧‧‧非透光區
第一圖係本發明應用於電子裝置之構造示意圖。
第二圖係本發明製程實施例示意圖。
第三圖係本發明另一製程實施例示意圖。
本發明係一種含有強氧化物前驅物(Precursor)的水性蝕刻劑，該強氧化物前驅化學組成結構中含有氯，且其化學分解物包括以下至少一種的強氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、
HClO4，其中，該水性蝕刻劑為ph值大於7.0，以ph值8~11為佳，其強氧化物前驅物的潛在強氧化物含量為水性蝕刻劑總量的10%以下，且為穩定態二氧化氯水溶液(Stabilized Chlorine Dioxide Solution)溶液，該水性蝕刻劑為鹼性，含有鹼性的碳酸鹽，至少包括碳酸鈉與碳酸氫鈉其中之一，此外，該水性蝕刻劑亦可進一步含有水溶性樹脂或增粘劑其中之一，又該水溶性樹脂或增粘劑至少包括聚乙烯醇(PVA)、水溶性纖維素(CMC)、PVP(Polyvinylpyrrolidone)或煙狀矽酸鹽(Fumed Silica)其中之一。前述強氧化物係藉由光輻射分解反應、乾燥脫水分解反應、或加熱分解反應其中之一產生或前述一種以上反應之組合而產生，主要係應用於導電基材1構造所需之蝕刻技術，藉此形成特定氧化區域圖案化(Patterning)之導電線路。
如第一、二及三圖所示，本發明主要係包含一底材10，其中，該底材可為塑膠膜，如透明的PET膜、PI膜等塑膠材質，或是玻璃、陶瓷等無機材料、一含有透明導電高分子、透明導電金屬氧化物或含奈米銀線所構成的導電線路202，並覆蓋於該底材10表面，當含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑產生的強氧化物包括至少HClO3或是HClO4的強酸性氧化物時，該導電層20可為金屬氧化物之透明導電層，至少包括ITO、ZnO、ZnOAl其中之一。
前述導電高分子的導電層20為含有共軛本質性導電高分子透明導電層時，其至少包括PEDOT/PSS、Polyaniline(PANI)與Polypyrrole(PPy)其中之一。該導電層20表面進一步覆蓋有一含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑的蝕刻劑層30，其中該強氧化物前驅物的化學組成結構中含有氯，且其化學分解物包括以下至少一種的強氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、
ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、HClO4。
前述蝕刻劑層30係覆蓋於含有共軛本質性導電的導電高分子所構成的導電層20預定需要氧化處理的特定區域，藉此使附著於底材10表面導電層20不需導電的非導電區201產生氧化蝕刻作用並於非導電區201以外形成一圖案化(Patterned)的導電線路202以進一步構成導電基材1，其中，預定不需導電的非導電區201的電氣阻抗為導電區域(即導電線路202)的100倍以上至完全不導電。
如第一圖所示，前述導電基材1可應用於具備感應器21(Sensor)功能之電子裝置2，以電氣連接由強氧化物前驅物(Precursor)的水性蝕刻劑所形成的導電基材1；此外，前述導電基材1亦可應用於包括印刷電子(Printed Electronics)、感應器(Sensor)、顯示器(Display)、有機發光二極體(OLED)、觸控面板(Touch Panel)、電子線路板(Electronic Circuit Board)、電極(Electrode)、冷光片(EL)、天線(Antenna)、太陽能電池(Solar Cell)等不同功能之電子裝置。
如第二圖本發明製程實施例圖所示，前述利用強氧化物的含氯強氧化物前驅物的水性蝕刻劑對導電層進行圖案化的具體製程包括：將一含有共軛本質性導電的導電高分子所構成的導電層20覆蓋於該底材10表面；在預定需要進行氧化處理的導電層20表面上的特定(Predetermined)區域上覆蓋一層由前述水性蝕刻劑所構成的蝕刻劑層30；利用乾燥、加熱或輻射光照射的其中之一方式，或前述方式一種以上方式之組合，使強氧化物前驅物產生強氧化物，藉此氧化所接觸
的導電層20以進行蝕刻，使此部分的導電層的電氣阻抗增加超過原始電氣阻抗值的100倍以上至完全不導電，並於導電層20的預定不需導電的區域形成非導電區201，並於非導電區201以外形成所需的導電線路202；最後再使用水或PH值低於7的酸性水溶液或有機溶劑等其中之一的清除液40，將留在導電層20表面的未反應的由水性蝕刻劑構成的蝕刻劑層30與其反應後的殘留物予以去除。
如第三圖所示，前述利用輻射光照射使強氧化物前驅物產生強氧化物來氧化所接觸的導電層20以進行蝕刻的方式，可進一步透過光罩(Photo Mask)50進行照射，藉由光罩50預設之圖案化所需氧化的透光區501，與不需氧化的非透光區502，達成輻射光經由光罩50的透光區501照射蝕刻劑層30，使受輻射光照射到的蝕刻劑層30之強氧化物前驅物產生強氧化物，藉此氧化所接觸的導電層20進行蝕刻以形成非導電區201，而未照射到輻射光且受到非透光區502遮蔽的區域則形成導電線路202。前述輻射光波長包括200~800 nrm內的任一波長。
前述將水性蝕刻劑披覆於導電層的方法包括：網版印刷(Screen Printing)、轉印(Transfer Printing)、凹版印刷(Gravure)、凸版印刷(Letterpress)、噴墨(Inkjet)、浸泡(Dipping)、旋轉塗佈法(spin coating)、噴塗(spray)法、逗號塗佈法(Comma Coating)、線棒塗佈法(RDS Coating)、平版印刷(Lithography)、狹縫式塗佈法(Die Coating)、簾幕式塗佈法(Curtain Coating)與滾筒塗佈法(Roller Coating)其中之一。
如前所述，本發明實施例之一係應用於強氧化物前驅物的水性蝕刻劑的化學組成，其中，該蝕刻劑為鹼性，含有碳酸鹽，至少包括碳
酸鈉與碳酸氫鈉其中之一；例如將20g，5%二氧化氯濃度的安定化二氧化氯前驅物的鹼性水溶液(Aqueous Stabilized Chlorine Dioxide)加入80g固含量10~30%的水溶性樹脂或增粘劑，例如聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone,PVP)或0.3~5%的增稠劑、水溶性纖維素(CMC)、白煙狀矽酸鹽(Fumed Silica)等，將其調整成適合不同印刷方式的粘度特性，另外，若需要較低粘度的蝕刻劑，提供如旋轉塗佈方式(Spin Coating Method)或噴墨(Inkjet)方式使用，則水溶性樹脂、增粘劑、增稠劑、白煙狀矽酸鹽(Fumed Silica)等可減量或完全不添加，另外，蝕刻劑亦可依不同的印刷方法需要，加入約0.2~5%的潤濕劑、消泡劑、搖變劑或平整劑等助劑以提高印刷與塗佈的品質。依據前述化學組成以及製程所構成之導電基材1可應用於各種不同功能之電子裝置，例如圖一所示具備感應器21(Sensor)功能之電子裝置。
本發明實施例之二係應用於使用含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑的製程，其中，該蝕刻劑為鹼性，含有碳酸鹽，至少包括碳酸鈉與碳酸氫鈉其中之一；本實施例係將前述含有二氧化氯前驅物的鹼性蝕刻劑藉由印刷方式，例如網版印刷方式(Screen Printing Method)，將蝕刻劑覆蓋於一PEDOT/PSS透明導電高分子膜(原始電氣阻抗為90 ohm/sq.)的表面上之預定不需要導電的特定區域上，再利用空氣乾燥(乾燥脫水分解反應，Dry-Phase)方式或加熱方式或前述一種以上方式之組合，使二氧化氯前驅物產生至少一種具有強氧化性的Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、HClO4，來氧化蝕刻劑所接觸之需要進行氧化的區域以形成非導電區201，使此區域的透明導電高分子膜降低其導電性，電阻大幅度提高一千
萬倍至一億倍以上，至約10 x E+9~+10 ohm/sq.以上或至完全不導電，而未覆蓋蝕刻劑的特定區域的導電膜形成導電線路202，另外，可再進一步利用水或低於PH值7.0的酸性溶液或有機溶劑等清除液40，將非導電區201表面上的蝕刻劑層殘留物除去。
本發明實施例之三係應用含有過氧化物前驅物的水性蝕刻劑的輻射光圖案化(Patterning)製程，在導電層上方設置一光罩，且於導電層表面覆蓋一層大於光罩照射範圍的水性蝕刻劑，其中，水性蝕刻劑為鹼性，含有強氧化物前驅物且其化學結構中含有氯，再利用前述含有二氧化氯前驅物的鹼性蝕刻劑，以旋轉塗佈(Spin Coating Method)方式，將蝕刻劑覆蓋於一PEDOT/PSS透明導電高分子膜(原始電氣阻抗為90 ohm/sq.)的表面，再利用輻射光透過光罩(Photo Mask)50的方式來照射蝕刻劑，使經由光罩50透光區501照射到輻射光的二氧化氯前驅物產生至少一種具有強氧化性的Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、HClO4，藉此氧化蝕刻劑所接觸之需要進行氧化的區域以形成非導電區201，使此區域的導電高分子降低其導電性，俾使電阻大幅度提高一千萬倍至一億倍以上，至約10 x E+9~+10 ohm/sq.以上或至完全不導電，而受非透光區502遮蔽且未照射到輻射光的區域則形成導電線路202，另外，可再進一步利用水或低於PH值7.0的酸性溶液或有機溶劑等其中之一的清除液40，將底材10表面未反應與已反應的蝕刻劑層30除去，相較於傳統昂貴的黃光曝光顯影蝕刻製程，可大幅省略光阻劑與其清除光阻劑等材料製程，進而提高生產效率與降低生產成本。
以上之實施說明及圖式所示，係本創作較佳實施例
之一者，並非以此侷限本創作，是以，舉凡與本創作之構造、裝置、特徵等近似或相雷同者，均應屬本創作之創設目的及申請專利範圍之內，僅此聲明。
1‧‧‧導電基材
2‧‧‧電子裝置
10‧‧‧底材
202‧‧‧導電線路
21‧‧‧感應器
Claims (17)
- 一種應用於導電基材的導電線路圖案化且含有強氧化物前驅物(Precursor)的水性蝕刻劑，其中，強氧化物前驅物的化學組成結構中含有氯，且其化學產出物包括以下至少一種的強氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、HClO4。
- 一種設有導電基材的電子裝置，包含：一底材；一圖案化(Patterned)具感應器功能之導電線路設於前述底材表面且與電子裝置內所設電路電氣連接，該導電線路係由一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑所形成，其中，強氧化物前驅物的化學組成結構中含有氯，且其化學產出物包括以下至少一種的強氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、HClO4。
- 一種利用含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑對導電層進行導電線路圖案化的製程，其製程包括：將一含有本質性導電的共軛導電高分子所構成的透明導電層覆蓋於一底材表面；在預定需要進行氧化處理的導電層表面上的預定區域，覆蓋一層含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑，其中，強氧化物前驅物的化學組成結構中含有氯，且其化學產出物包括以下至少一種的強氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、HClO4；利用乾燥、加熱、輻射光照射或前述組合的其中之一方式，使強氧化物前驅物產生前述強氧化物，藉此對導電層的預定不需導電的區域進行蝕 刻以形成高電阻或完全不導電區域，即非導電區，該非導電區以外的區域即形成所需的導電線路，其中，非導電區的電氣阻抗為導電線路的電氣阻抗100倍以上至完全不導電。
- 一種利用含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑對導電層進行導電線路圖案化的製程，其製程包括：將一含有本質性導電的共軛導電高分子的透明導電層覆蓋於一底材表面；在導電層上方設置一光罩，且於導電層表面覆蓋一層大於光罩照射範圍的含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑，其中，強氧化物前驅物的化學組成結構中含有氯，且其化學產出物包括以下至少一種的強氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2 -、ClO3 -、HClO3、HClO4；透過前述光罩照射輻射光於預定不需導電的區域且覆蓋有水性蝕刻劑之導電層，使受輻射光照射的水性蝕刻劑產生前述強氧化物，藉此對預定不需導電的導電層進行蝕刻以形成高電阻或完全不導電的非導電區，並於此非導電區以外區域形成所需的導電線路，其中，非導電區的電氣阻抗為導電線路的電氣阻抗100倍以上至完全不導電；使用水、PH值低於7的酸性水溶液、有機溶劑其中之一的清除液，將留在導電線路表面與非導電區表面的未反應之水性蝕刻劑與其反應後的殘留物予以去除。
- 如申請範圍第1項至第2項其中之任一項所述之一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑，其中，該強氧化物係藉由光輻射分解反應、乾燥脫水分解反應、或加熱分解反應其中之一的方式產生，或前述一種以上方式 之組合產生。
- 如申請範圍第3項所述之一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑對導電層進行導電線路圖案化的製程，其中，導電層表面形成所需的導電線路後，使用水、PH值低於7的酸性水溶液、有機溶劑其中之一的清除液，將留在非導電區表面的水性蝕刻劑殘留物予以去除。
- 如申請範圍第1項至第4項其中之任一項所述之一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑，其中，強氧化物前驅物為穩定態二氧化氯水溶液(Stabilized Chlorine Dioxide Solution)。
- 如申請範圍第7項所述之一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑，其中，該水性蝕刻劑為鹼性，其ph值大於7.0。
- 如申請範圍第8項所述之一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑，其中，該水性蝕刻劑含有碳酸鹽，至少包括碳酸鈉與碳酸氫鈉其中之一。
- 如申請範圍第1項至第4項其中之任一項所述之一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑，其中，水性蝕刻劑含有水溶性樹脂或增粘劑其中之一，又該水溶性樹脂或增粘劑至少包括聚乙烯醇(PVA)、水溶性纖維素(CMC)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或煙狀矽酸鹽(Fumed Silica)其中之一。
- 如申請範圍第3項至第4項其中之任一項所述之一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑對導電層進行導電線路圖案化的製程，其中，該輻射光的波長包括200~800 nm內的任一波長。
- 如申請範圍第項7項所述之一種含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑，其中，二氧化氯前驅物的潛在二氧化氯含量為水性蝕刻劑總重量的10%以下。
- 如申請範圍第3項至第4項其中之任一項一種利用含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑對導電層進行導電線路圖案化的製程，其中，將水性蝕刻劑披覆於導電層的方法包括：網版印刷(Screen Printing)、轉印(Transfer Printing)、凹版印刷(Gravure)、凸版印刷(Letterpress)、噴墨(Inkjet)、浸泡(Dipping)、旋轉塗佈法(Spin Coating)、噴塗(Spray)法、逗號塗佈法(Comma Coating)、線棒塗佈法(RDS Coating)、平版印刷(Lithography)、狹縫式塗佈法(Die Coating)、簾幕式塗佈法(Curtain Coating)與滾筒塗佈法(Roller Coating)其中之一。
- 如申請範圍第3項至第4項的其中之任一項所述之一種利用含有強氧化物前驅物的水性蝕刻劑對導電層進行導電線路圖案化的製程，其中，該導電層可為含奈米銀線(Silver Nanowires)之透明導電層，而當水性蝕刻劑產生的強氧化物包括至少HClO3或是HClO4時，該導電層可為透明導電金屬氧化物，其至少包括ITO，ZnO，ZnOAl其中之一。
- 如申請範圍第2項所述之一種設有導電基材的電子裝置，其中，導電線路係由一含有本質性導電的共軛導電高分子或含有奈米銀線所構成。
- 如申請範圍第1項至第4項其中之任一項所述之導電線路係含有共軛本質性導電高分子，至少包括PEDOT/PSS、Polyaniline(PANI)與Polypyrrole(PPy)其中之一。
- 如申請範圍第1項至第4項其中之任一項所述之導電線路係應用於包括印刷電子、感應器、顯示器、有機發光二極體、觸控面板、電子線路板、電極、冷光片、天線、太陽能電池其中之一。
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