CN104538560A - 一种电极基板及其制程方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电极基板，应用于有机电致发光器件，包括：基板；形成于所述基板之上的电极层；形成于所述电极层之上的、作为辅助电极层的金属Cu层；形成于所述辅助电极层之上的、作为保护层的金属Cr层。金属Cu的电阻率低，可降低电极基板的表面电阻，从而降低发光器件的功率消耗；以Cr为保护层可避免Cu层在制程中受到刻蚀液腐蚀而损坏。本发明还公开了一种上述电极基板的制程方法，包括：将经过制程图样化处理的电极基板置于第一刻蚀液中刻蚀保护层Cr层；置于第二刻蚀液中刻蚀辅助电极层Cu层；对电极层制程。金属Cu比Cr活泼，采用分步刻蚀的方法，可实现对所述电极基板的制程，以避免出现金属脱落和侧蚀的不良现象。

Description

一种电极基板及其制程方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别是涉及一种电极基板及其制程方法。
背景技术
有机电致发光器件是一种利用有机发光材料制成的、用电源驱动的薄膜发光器件。有机电致发光器件的结构为：在基板衬底上，以ITO导电层为阳极，在阳极和阴极之间形成发光薄膜，通过在阳极和阴极间加驱动电压，向发光层中注入载流子，以激发薄膜中发光分子而产生发光。
在有机电致发光器件的电极结构中，为降低发光器件的电阻以提高发光器件的发光亮度，会在作为阳极的ITO导电层上加辅助电极；同时，为避免辅助电极在制程中被氧化或被刻蚀液腐蚀而破坏，会在辅助电极层上加保护层，一般选择化学性质较稳定的惰性金属作为保护层。目前，行业内大部分采用铝作为辅助电极，以金属钼作为保护层。
但是，以铝为辅助电极、以钼为保护层的有机电致发光器件的表面电阻依然较大，导致器件的功率消耗依然较大。
发明内容
本发明提供一种电极基板，应用于有机电致发光器件，具有较低的表面电阻，在一定程度上克服了现有的有机电致发光器件所采用的电极基板的电阻较大导致器件功率消耗大的缺点。本发明还提供一种上述电极基板的制程方法。
本发明所提供的一种电极基板，包括：
基板；
形成于所述基板之上的电极层；
形成于所述电极层之上的、作为辅助电极层的金属Cu层；
形成于所述辅助电极层之上的、作为保护层的金属Cr层。
可选地，所述基板为玻璃基板。
可选地，所述电极层为氧化铟锡导电层。
可选地，所述氧化铟锡导电层的厚度为1500±100埃。
可选地，所述铜层的厚度范围为3000-3500埃。
可选地，所述铬层的厚度范围为300-500埃。
本发明所提供的一种电极基板，应用于有机电致发光器件，包括：基板；形成于所述基板之上的电极层；形成于所述电极层之上的、作为辅助电极层的金属Cu层；形成于所述辅助电极层之上的、作为保护层的金属Cr层。金属Cu的电阻率低，具有较好的导电性，所以以金属Cu作为辅助电极可降低电极基板的表面电阻，从而降低发光器件的功率消耗。以金属Cr层作为保护层，金属Cr为惰性金属，具有抗氧化性和耐腐蚀性，并且与金属Cu的附着性较好，能够较好地保护Cu层，有效避免Cu层在制程中受到刻蚀液腐蚀而损坏。
本发明还提供一种电极基板的制程方法，包括：
将经过制程图样化处理的电极基板置于第一刻蚀液中刻蚀保护层Cr层；
置于第二刻蚀液中刻蚀辅助电极层Cu层；
对电极层制程。
可选地，所述第一刻蚀液中包含强氧化性化合物和碱性化合物。
可选地，所述第一刻蚀液的成份包括：H2O、NaOH和KMnO4。
可选地，在所述第一刻蚀液中刻蚀时间为75s-85s。
可选地，所述第二刻蚀液中包含酸性化合物。
可选地，所述第二刻蚀液的成份包括：H2O、CH3COOH和H2O2。
可选地，所述第二刻蚀液的成份包括：H2O、H3PO4和Na2S2O8。。
本发明所提供的一种上述电极基板的制程方法，将经过制程图样化处理的电极基板先置于第一刻蚀液中刻蚀保护层Cr层，刻蚀完成后将其置于第二刻蚀液中刻蚀辅助电极层Cu层，最后对电极基板的电极层制程。金属Cu与金属Cr的活泼性不同，如果采用传统的对辅助电极层和保护层一步刻蚀的方法，由于Cu比Cr活泼，将电极基板置于刻蚀液中刻蚀液与Cu反应较快，就会出现电极金属脱落和侧蚀的不良现象，导致无法完成制程。本发明所述的制程方法，对保护层Cr层和辅助电极Cu层采用分步刻蚀的方法，将电极基板先置于第一刻蚀液中刻蚀保护层Cr层，刻蚀完成后再将其置于第二刻蚀液中刻蚀辅助电极层Cu层，最后对电极基板的电极层制程，从而完成对所述电极基板的制程。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种电极基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种电极基板的制程方法的流程图；
图3为采用本发明实施例提供的一种制程方法制程后电极基板的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种电极基板，应用于有机电致发光器件，具有较低的表面电阻，在一定程度上克服了现有的有机电致发光器件所采用的电极基板的电阻较大导致器件功率消耗大的缺点。本发明还提供一种上述电极基板的制程方法。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
参见图1，本发明实施例提供的一种电极基板，具体为用于有机电致发光器件的电极基板，包括：基板10；形成于所述基板之上的电极层11；形成于所述电极层之上的、作为辅助电极层的金属Cu层12；形成于所述辅助电极层之上的、作为保护层的金属Cr层13。
金属Cu的电阻率低，具有较好的导电性，所以以金属Cu作为辅助电极可降低发光器件的电极基板的表面电阻，以降低发光器件的功率消耗，提高发光器件的发光亮度。并且，与采用具有低电阻率的银或银合金等作为电极辅助材料相比，金属Cu的成本更低，使器件的生产成本降低。同时金属Cu对电极的附着性较好。
以金属Cr层作为保护层，金属Cr为惰性金属，化学性质比较稳定，具有抗氧化性和耐腐蚀性，并且对金属Cu的附着性较好，能够较好地保护辅助电极Cu层，有效避免Cu层受氧气和水份的影响而被氧化，或在制程中受到刻蚀液腐蚀而损坏。
本实施例中，所述基板10为玻璃基板，可以是钠钙基或硅硼基玻璃。形成于所述基板上的电极层作为有机电致发光器件的阳极，具体为氧化铟锡(ITO)导电层。所述氧化铟锡(ITO)导电层的厚度为1500±100埃，采用磁控溅射的方法形成于所述基板上。
本实施例中，作为辅助电极层的Cu层的厚度范围为3000-3500埃，作为保护层的Cr层的厚度范围为300-500埃，Cu层和Cr层均采用磁控溅射的方法形成。
所述电极基板的制作过程具体为：先将玻璃基板清洗干净，然后在清洗干净的玻璃基板上依次溅射形成ITO电极层、辅助电极Cu层以及保护层Cr层。
参见图2，本发明实施例提供的一种对上述电极基板的制程方法，包括：
步骤20：将经过制程图样化处理的电极基板置于第一刻蚀液中刻蚀保护层Cr层。
步骤21：置于第二刻蚀液中刻蚀辅助电极层Cu层。
步骤22：对电极层制程。
上述电极基板中金属Cu与金属Cr的活泼性不同，如果采用传统的对辅助电极层和保护层一步刻蚀的方法，由于Cu比Cr活泼，将电极基板置于刻蚀液中刻蚀液与Cu反应较快，就会出现电极金属脱落和侧蚀的不良现象，导致无法完成制程。本实施例所述的制程方法，对保护层Cr层和辅助电极Cu层采用分步刻蚀的方法，将电极基板先置于第一刻蚀液中刻蚀保护层Cr层，刻蚀完成后再将其置于第二刻蚀液中刻蚀辅助电极层Cu层，最后对电极基板的电极层制程，从而完成对所述电极基板的制程。
本实施例所述的制程方法，用于有机电致发光器件的电极基板的制程，其中所述的制程图样化处理包括一系列的黄光区制程，包括涂光刻胶、热板预烘、曝光、显影和主烘。以形成电极基板走线图样。
本实施例中，所述第一刻蚀液中包含强氧化性化合物和碱性化合物。所述制程方法对辅助电极层和保护层分步刻蚀，在置于第一刻蚀液中刻蚀保护层Cr层时不能损坏辅助电极层Cu层，所以选择第一刻蚀液为强氧化性化合物和碱性化合物形成的刻蚀液。碱性化合物使第一刻蚀液为碱性溶液，其中的强氧化性化合物能够刻蚀Cr层，而在此碱性溶液中Cu不易发生氧化还原反应，所以第一刻蚀液能够实现刻蚀保护层Cr层而不损坏辅助电极层Cu层。
具体地，所述第一刻蚀液的成份包括H2O、NaOH和KMnO4。其中KMnO4为强氧化性化合物，能够刻蚀保护层Cr层而不破坏Cu层。常温环境下，所述电极基板在第一刻蚀液中的刻蚀时间为80s左右，时间范围为75s-85s。
本实施例中，所述第二刻蚀液中包含酸性化合物，Cu在酸性化合物形成的酸性溶液中发生氧化还原反应，从而实现刻蚀。所述第二刻蚀液的成份配制有以下两种选择：
第二刻蚀液可以是H2O、CH3COOH和H2O2形成的刻蚀液，以CH3COOH为刻蚀液中的酸性化合物。常温环境下，所述电极基板在第二刻蚀液中的刻蚀时间为70s左右，时间范围为65s-75s。
第二刻蚀液的成份还可以是H2O、H3PO4和Na2S2O8，是以H3PO4为刻蚀液中的酸性化合物。常温环境下在第二刻蚀液中刻蚀时间为80s左右，时间范围为75s-85s。
采用以上所述制程方法，所述电极基板的具体制程过程如下：
1将形成电极层、辅助电极层及保护层的电极基板清洗干净。
2将电极基板置于如上所述的第一刻蚀液中，常温环境下刻蚀80s左右。
3从第一刻蚀液中取出，使用DI水冲洗干净，将其置于如上所述的第二刻蚀液中刻蚀。
4刻蚀完成后取出，将电极基板清洗干净，进入电极层ITO导电层制程，刻蚀ITO导电层，最终形成阳极以及辅助电极走线，如图3所示为制程完成后电极基板的结构示意图。
以上对本发明所提供的一种电极基板及其制程方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (13)

1.一种电极基板，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板之上的电极层；
形成于所述电极层之上的、作为辅助电极层的金属Cu层；
形成于所述辅助电极层之上的、作为保护层的金属Cr层。
2.如权利要求1所述的电极基板，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的电极基板，其特征在于，所述电极层为氧化铟锡导电层。
4.如权利要求3所述的电极基板，其特征在于，所述氧化铟锡导电层的厚度为1500±100埃。
5.如权利要求3所述的电极基板，其特征在于，所述铜层的厚度范围为3000-3500埃。
6.如权利要求3所述的电极基板，其特征在于，所述铬层的厚度范围为300-500埃。
7.一种电极基板的制程方法，其特征在于，包括：
将经过制程图样化处理的电极基板置于第一刻蚀液中刻蚀保护层Cr层；
置于第二刻蚀液中刻蚀辅助电极层Cu层；
对电极层制程。
8.如权利要求7所述的制程方法，其特征在于，所述第一刻蚀液中包含强氧化性化合物和碱性化合物。
9.如权利要求7所述的制程方法，其特征在于，所述第一刻蚀液的成份包括：H2O、NaOH和KMnO4。
10.如权利要求9所述的制程方法，其特征在于，在所述第一刻蚀液中刻蚀时间为75s-85s。
11.如权利要求7所述的制程方法，其特征在于，所述第二刻蚀液中包含酸性化合物。
12.如权利要求11所述的制程方法，其特征在于，所述第二刻蚀液的成份包括：H2O、CH3COOH和H2O2。
13.如权利要求11所述的制程方法，其特征在于，所述第二刻蚀液的成份包括：H2O、H3PO4和Na2S2O8。
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