JP2001093414A - 導電膜形成用塗布液およびその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】塗布液の状態で分散安定性に優れ、低温熱処理
により、導電性および耐候性に優れた高性能な導電膜を
形成できる塗布液の提供。 【解決手段】金属イオンと、セルロース誘導体（例えば
ヒドロキシプロピルセルロース）からなる水溶性樹脂と
を含む液に、還元剤を添加して金属微粒子を還元析出さ
せるとともに、加熱により水溶性樹脂をゲル化させるこ
とによって金属微粒子を分散させた塗布液。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電膜形成用塗布
液、特に、ブラウン管パネル等のガラス基体表面におい
て、電磁波シールド性能等を発揮し得る、優れた導電性
を有する導電膜を形成することが可能な、導電膜形成用
塗布液に関する。本発明は、さらに、かかる導電膜形成
用塗布液を用いて形成した導電膜、および、かかる導電
膜を用いた低反射導電膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】ブラウン管は高電圧で作動するために、
起動時または終了時にブラウン管表面に静電気が誘発さ
れる。静電気は、該表面に埃が付着する、表示画像のコ
ントラスト低下を引き起こす、直接手指が触れた際に軽
い電気ショックによる不快感を与える、などの不具合を
生じさせる。

【０００３】従来、この現象を防止するために、ブラウ
ン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがされ、例
えば、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱し、
ＣＶＤ法により酸化スズおよび酸化インジウム等の導電
性酸化物層をパネル表面に設ける方法（特開昭６３−７
６２４７）等が提案されてきた。

【０００４】しかし、この方法では装置コストがかかる
ことに加え、ブラウン管表面を高温に加熱するためにブ
ラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度が低下
したりする問題があった。また、上記導電層に用いる材
料としては酸化スズが一般的であるが、低温処理では、
充分な導電性を有する高性能な膜が得にくい欠点があっ
た。

【０００５】また、近年、電磁波ノイズによる電子機器
への電波障害が社会問題となり、それらを防止するため
に規格の作成や規制が行われている。電磁波ノイズ問題
に対する解決策としては、導電性被膜をブラウン管表面
に設け、該導電性被膜に当たった電磁波を、被膜内に誘
導される渦電流の作用で反射することによって、電磁波
シールドを行うことが知られている。

【０００６】しかし、このような性能を発揮するために
は、導電性被膜が、高い電界強度に耐え得る程の優れた
導電性を有している必要があるが、それほどの良導電性
の膜を得ることはさらに困難であった。

【０００７】一方、導電膜の製造方法に関し、例えば、
基体に金属塩と還元剤との混合液を塗布して導電膜を形
成する（特開平６−３１００５８）ことが提案されてい
るが、この方法では金属塩溶液の安定性に乏しいため
に、該溶液と還元剤との混合後、直ちに混合液を基体に
塗布する必要があり、また、溶液自体の成膜性が乏しい
ために得られる膜の外観が悪いという欠点があった。

【０００８】一般に金属、特に貴金属コロイドの調製方
法としては、還元剤を用いて希薄溶液中で貴金属微粒子
を還元析出させる方法が知られている。このとき、還元
析出した金属微粒子は、保護コロイドとよばれる無機イ
オン、有機酸、高分子樹脂等により安定化され、液中で
凝集沈殿せず、分散状態を維持できる。

【０００９】しかし、このままでは、保護コロイドの効
果が強く、充分な導電性を有する導電膜が得られにくい
ため、還元析出時に生成した副生成イオンおよび過剰な
保護コロイドを脱塩処理等の方法で除去することが必要
である。保護コロイドとして、クエン酸イオン、ギ酸等
を用いた場合は、脱塩処理等により、過剰分を除去でき
るが、ゾルの安定性が損なわれ、分散安定性に優れた導
電膜形成用塗布液の実現は困難であった。

【００１０】また、保護コロイドとしての作用が知られ
ている高分子樹脂としては、ポリアクリル酸、ポリアク
リロニトリル鹸化物、ポリスチレンスルホン酸等のイオ
ン性解離基を有するものや、ポリビニルアルコール、ポ
リ酢酸ビニル鹸化物、ポリヒドロキシエチルメタクリレ
ート等の水酸基を有するもの、ポリビニルピロリドン等
の分子内に電子対供与原子（Ｎ原子）を有するもの、デ
ンプン、ゼラチン等の天然高分子などがある。

【００１１】しかし、この内、イオン性解離基や水酸基
を有する高分子は、金属イオンとの共存下では、イオン
性解離基や水酸基などの極性基が金属イオンを介してポ
リマー分子間の架橋点となり、ゲルを形成するため、金
属イオンとの共存下では充分な保護コロイドの効果を発
現しない。分子内に電子対供与原子（Ｎ原子）を有する
ものは、金属微粒子に吸着しやすいが、保護コロイドと
しての効果が強すぎ、金属微粒子が単分散状態に近づく
ため、充分な導電性を有する膜を形成しにくい。また、
天然高分子は溶液を冷却した場合、水素結合により架橋
を形成しゲル化しやすいため、保護コロイドとしての制
御が難しい。

【００１２】このように、従来保護コロイドとして知ら
れている高分子樹脂では、導電膜形成用塗布液の金属微
粒子に対する保護コロイドとしては不適切であり、塗布
液の状態で分散安定性に優れ、高い導電性を有する導電
膜を形成できる導電膜形成用塗布液は得られていない。

【００１３】一方、また、導電膜を形成するために、金
属塩と導電性酸化物微粒子とを含有する液、または金属
塩と金属で表面が被覆された微粒子を含有する液（特開
平７−２５８８６２）が提案されている。しかし、前記
の導電性酸化物微粒子は導電性が金属単体の場合よりも
劣り、また、金属で表面が被覆された微粒子も金属と非
金属微粒子との界面で接触抵抗が生じ、結果として得ら
れる膜の導電性は充分ではなかった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術が
有する問題点を解決し、塗布液の状態で金属微粒子の分
散安定性に優れており、ブラウン管フェイス面等のガラ
ス基体表面上に、低温熱処理により、耐候性、外観に優
れ、電磁波シールド性能も発揮しうる高い導電性を有す
る導電膜を形成できる導電膜形成用塗布液の提供を目的
とする。

【００１５】本発明は、さらに、かかる導電膜形成用塗
布液を用いて形成した導電膜、および、かかる導電膜を
用いた導電性と反射防止効果に優れた低反射導電膜の提
供を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の導電膜形成用塗
布液（以下、単に塗布液という）は、金属微粒子が分散
したゾルからなり、該ゾル中の金属微粒子が鎖状連鎖構
造をなし、かつ分散していることを特徴とする。

【００１７】図１に本発明の塗布液の一例の透過型電子
顕微鏡（ＴＥＭ）写真を示す。本発明の塗布液は、例え
ば以下のようにして得られる。すなわち、金属イオン
と、セルロース誘導体からなる水溶性樹脂と、水とを含
む液に、還元剤を添加することにより金属微粒子を還元
析出させ、加熱により前記水溶性樹脂をゲル化させるこ
とによって前記金属微粒子を分散させて本発明の塗布液
が得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】金属微粒子は、特に限定されない
が、導電性、化学的実用性、耐久性等の理由からＡｇ、
Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｃｕおよ
びＮｉからなる群から選ばれた１種以上であることが好
ましい。２種以上、すなわち、合金金属の例としては、
Ａｕ−Ｐｄ、Ｒｕ−Ｒｅ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄなど
が挙げられる。金属微粒子は、金属イオンと、セルロー
ス誘導体からなる水溶性樹脂とを含む液に、還元剤を添
加して還元析出させることにより得られる。

【００１９】金属イオンの還元剤としては、特に限定さ
れず、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウ
ム、水素化ナトリウム、水素化リチウムなどの水素化物
や、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、ギ酸、シュウ酸、
ホスフィン酸ナトリウムなどが好ましく用いられる。還
元剤は、後述するように、金属微粒子が水溶性樹脂のゲ
ル化によって分散した後に、限外濾過等の脱塩濃縮処理
により除去されることが好ましい。

【００２０】金属微粒子は平均一次粒径が１００ｎｍ以
下であることが好ましい。金属微粒子の平均一次粒径が
１００ｎｍ超では、形成される膜において可視光の散乱
が生じて、膜の透明性が著しく低下するとともに、塗布
液中での金属微粒子の分散均一性および分散安定性が著
しく損なわれる。金属微粒子の平均一次粒径は、塗布液
中での分散安定性や、液を塗布して形成した膜の導電特
性などから、５〜３０ｎｍであることが特に好ましく、
１０〜２０ｎｍであることがさらに好ましい。

【００２１】金属微粒子の濃度は、塗布液全重量に対し
て０．０１〜５重量％とするのが好ましい。金属微粒子
濃度が５重量％超では、形成される膜の透明性が著しく
低下し、金属微粒子濃度が０．０１重量％未満では、形
成される膜の抵抗が上昇する。０．０５〜２重量％とす
るのが特に好ましい。

【００２２】還元剤によって還元析出した金属微粒子
は、加熱により、水溶性樹脂をゲル化させることによっ
て分散される。水溶性樹脂は、セルロース誘導体からな
る。水溶性樹脂がゲル化し、溶液の粘性率が急上昇する
温度（ゲル化点）は、溶液の組成等により変化するが、
実際の作業上、３５℃以上が好ましい。３５℃未満であ
ると塗布液の調製に冷却等の操作が必要となる。

【００２３】また、水溶性樹脂の平均分子量（ゲルパー
ミエーションクロマトグラフ分析による平均分子量）
は、５０００〜５００００００であることが好ましい。
平均分子量が５０００未満では、水溶性樹脂による保護
コロイド効果が小さくなるため、液中での金属微粒子の
安定性が劣り、凝集が経時的に進行しやすくなる。ま
た、平均分子量が５００００００超では、形成した膜中
での金属微粒子間の距離が広がり、膜の導電性が低下す
る。金属微粒子が塗布液中で連鎖構造を維持し、きわめ
て安定して分散することが可能で、かつ形成される膜が
良好な導電性を発現することから、平均分子量は、１０
０００〜１０００００であることが特に好ましい。

【００２４】水溶性樹脂の例としては、カルボキシメチ
ルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、
ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセル
ロース、エチルヒドロキシエチルセルロースおよびヒド
ロキシプロピルメチルセルロースからなる群から選ばれ
た１種以上が挙げられる。

【００２５】水溶性樹脂の含有量は、金属微粒子に対し
て０．５〜１００重量％であることが好ましい。０．５
重量％未満では、水溶性樹脂による保護コロイド効果が
低く、経時的に金属微粒子の凝集が進行し、形成される
膜の可視光の散乱が増大し、膜の透明性が低下するう
え、金属微粒子の液中での沈降も生じる。１００重量％
超では、液の分散性は良好であるが、成膜した導電膜中
に残存する水溶性樹脂が多く、金属微粒子間の接触が悪
化し、形成される膜の導電連鎖性が欠如し、膜の導電性
が低下する。

【００２６】本発明の塗布液においては、溶媒として水
を用いるが、形成する導電膜の外観を整えるために、液
の表面張力や粘性率等を制御するための溶媒を適宜使用
できる。かかる溶媒としては、各種の有機溶媒が挙げら
れる。有機溶媒の例としては、メタノール、エタノー
ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノ
ール、イソブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ
−ブタノール等のアルコール類、エチレングリコール等
の多価アルコール類、エチルセロソルブ、メチルセロソ
ルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールメチル
エーテル等のエーテル類、２，４−ペンタンジオン、ジ
アセトンアルコール等のケトン類、乳酸エチル、乳酸メ
チル等のエステル類、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド
類、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄化合物
が挙げられる。

【００２７】本発明の塗布液には、形成される導電膜の
透過率等の物性を変えるために、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚ
ｎ、Ｇａ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｓｉ、ＴｉおよびＺｒからなる
群から選ばれた１種以上の元素の化合物（特に酸化物の
微粒子）を、添加剤として添加できる。

【００２８】例えば、ＳｎをドープしたＩｎ₂Ｏ₃やＳｂ
をドープしたＳｎＯ₂は、形成される導電膜の抵抗を上
昇させずに透過率を制御できるため、添加剤として好適
に用いられる。また、ＳｉＯ₂（特にケイ酸エチル等を
加水分解して得られるＳｉＯ₂ゾル）は、塗布液の濡れ
性が向上するため、添加剤として好適である。ＴｉＯ₂
も、塗布液の濡れ性および形成される導電膜の色調を制
御できるため、添加剤として好適である。

【００２９】添加剤は、微粒子またはアルコキシドの加
水分解物の形態で本発明の塗布液に添加してもよく、ま
た、超音波分散機やサンドミル等の分散機により分散し
た液として添加してもよい。さらに塗布液の基体への濡
れ性を向上させるために、本発明の塗布液に種々の界面
活性剤を添加してもよい。

【００３０】本発明の塗布液は、それ自体で基体上への
塗布液として使用できる。本発明の塗布液の溶媒とし
て、低沸点溶媒を用いた場合には、室温下での乾燥でも
導電膜を形成できる。溶媒として、沸点が１００〜２５
０℃にある中〜高沸点溶媒を用いた場合には、室温乾燥
しても溶媒が塗膜中に残留するため、加熱処理を行うこ
とが好ましい。加熱温度の上限は、導電膜が形成される
基体として用いられるガラス、プラスチック等の軟化点
によって決定される。基体がガラスである場合、好まし
い加熱温度範囲は１００〜５００℃程度である。

【００３１】本発明の塗布液を基体上に塗布し、必要に
応じて乾燥、加熱等を行って導電膜が形成される。かか
る導電膜を形成する基体がブラウン管パネル等であっ
て、低反射性能を付与したい場合においては、導電膜上
に低屈折率膜を形成することで、光の干渉作用を利用し
た低反射導電膜を形成できる。例えば、基体がガラス
（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、本発明の塗布液を用い
て形成した導電膜の上に、導電膜の屈折率の約（１／
１．２３）の屈折率の低屈折率膜を形成することによ
り、膜の反射率を最も低減できる。膜の反射率の低減に
は、可視光領域（特に５５５ｎｍ）の反射率を低減する
ことが好ましいが、実用上は反射外観等を考慮し、適宜
決定することが好ましい。

【００３２】このような２層からなる低反射導電膜にお
ける低屈折率膜としては、形成される膜の硬度等の点か
ら、ケイ素化合物を含有する塗布液を用いて形成するこ
とが好ましい。さらに、屈折率を低減するため、低屈折
率膜形成用の塗布液にＭｇＦ ₂微粒子等を添加してもよ
い。

【００３３】低屈折率膜形成用の塗布液に含有されるケ
イ素化合物としては、Ｓｉアルコキシド等の種々のもの
が使用でき、例えば、Ｓｉ（ＯＲ）_y・Ｒ’_4-y（ｙは３
または４であり、Ｒ、Ｒ’はアルキル基を示す）で示さ
れるＳｉアルコキシドまたはその加水分解物が挙げられ
る。Ｓｉアルコキシドの具体例としては、シリコンエト
キシド、シリコンメトキシド、シリコンイソプロポキシ
ド、シリコンブトキシドなどが挙げられる。

【００３４】Ｓｉアルコキシドは、アルコール、エステ
ル、エーテル等に溶解しても使用でき、Ｓｉアルコキシ
ド溶液に塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、ギ酸、マレイン酸、
フッ酸、またはアンモニア水溶液を添加してＳｉアルコ
キシドを加水分解しても使用できる。また、低屈折率膜
形成用の塗布液において、Ｓｉアルコキシドの含有割合
は、液の保存安定性の観点から、溶媒に対して３０重量
％（固形分換算）以下であることが好ましい。

【００３５】また、低屈折率膜形成用の塗布液には、形
成される膜の強度向上のために、バインダーとして、Ｚ
ｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ等のアルコキシドや、これらの加
水分解物を添加して、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＳｎＯ₂およ
びＡｌ₂Ｏ₃のうち１種、または２種以上の複合物を低屈
折率膜中に含有させることができる。さらに低屈折率膜
形成用の塗布液の、導電膜や基体に対する濡れ性を向上
させるために、この低屈折率膜形成用の塗布液に界面活
性剤を添加してもよい。添加される界面活性剤として
は、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムやアル
キルエーテル硫酸エステル等が挙げられる。

【００３６】本発明の塗布液は、多層の反射防止膜の製
造にも利用できる。多層の反射防止膜の構成としては、
反射防止をしたい光の波長をλとして、基体側より、高
屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／２−λ／４、また
はλ／４−λ／４で形成した２層の反射防止膜、基体側
より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ
／４−λ／２−λ／４で形成した３層の反射防止膜、基
体側より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率層−低屈折
率層を光学厚みλ／２−λ／２−λ／２−λ／４で形成
した４層の反射防止膜等が典型的な例として知られてい
る。本発明の塗布液は、これらの多層の反射防止膜にお
ける中屈折率層または高屈折率層の形成に使用でき、低
屈折率膜形成用の塗布液は低屈折率層の形成に使用でき
る。

【００３７】本発明の塗布液が塗布される基体として
は、特に限定されず、ブラウン管パネル、複写機用ガラ
ス板、計算機用パネル、クリーンルーム用ガラス、ＣＲ
ＴまたはＬＣＤ等の表示装置前面板等の各種ガラス、プ
ラスチック等が挙げられる。

【００３８】塗布液の基体上への塗布方法としては、ス
ピンコート、ディップコート、スプレーコート等の方法
が好適に使用できる。また、スプレーコート法を用いて
表面に凹凸を形成し、形成される膜に防眩効果を付与し
てもよく、また、その上にシリカ被膜等のハードコート
層を設けてもよい。または、本発明の塗布液をスピンコ
ート法またはスプレーコート法で形成し、その上に低屈
折率膜形成用の塗布液をスプレーコートして、表面に凹
凸を有する低屈折率膜（例えばシリカ膜）のノングレア
コート層を設けてもよい。

【００３９】本発明の塗布液と低屈折率膜形成用塗布液
の基体に対する塗布量（膜厚）は、被塗布基体の種類、
被塗布基体の使用目的等によって変わるので、一概には
規定できないが、塗布量は、硬化後の膜の厚みが約５〜
１５０ｎｍとなる範囲が好適である。５ｎｍ未満では、
導電膜の導電性が不充分であり、また２層または多層の
膜を形成した場合の低反射性確保等の点で不充分であ
る。１５０ｎｍ超では導電膜の透過率が不充分であり、
また２層または多層の膜を形成した場合の低反射性確保
等の点で不充分である。

【００４０】また、低屈折率膜形成用塗布液の塗布量は
硬化後の膜の厚みが約５〜１５０ｎｍとなる範囲が好適
である。５ｎｍ未満では、膜強度が不充分であり、また
２層または多層の膜を形成した場合の低反射性確保等の
点で不充分である。１５０ｎｍ超では、膜の外観および
低反射性等の点で好ましくない。なお、上述した導電膜
および低屈折率膜の上下には、他の膜を介在させて多層
構造の低反射導電膜とすることもできる。

【００４１】本発明の塗布液により得られる導電膜（低
屈折率膜が形成されている場合は低屈折率膜の表面）の
表面抵抗（シート抵抗）は、１０×１０³Ω／□以下、
特に５×１０³Ω／□以下が好ましい。

【００４２】

【作用】一般に酸化物超微粒子は表面に水酸基を有する
ため、水素結合に起因する鎖状連鎖構造を液中で形成し
うると考えられるが、金属微粒子の場合、連鎖の起源で
ある表面の水酸基が存在しないため、連鎖構造が形成さ
れ難く、ゾルの分散性と塗膜の導電性の２点を両立させ
ることは難しい。

【００４３】本発明においては、室温付近では水に溶解
し、加熱によりゲル化し、保護コロイド効果が発現す
る、セルロース誘導体からなる水溶性樹脂を、金属微粒
子の分散安定剤として使用することにより、分散安定
性、および導電性に優れた導電膜形成用塗布液が得られ
る。

【００４４】金属微粒子が分散したゾルの安定性の観点
からは、ゾルは金属微粒子単独で分散状態を維持してい
ることが好ましいが、形成する膜の導電性の観点から
は、金属微粒子同士が連鎖構造を有することが必要であ
る。本発明の塗布液は、ゾル中の金属微粒子が鎖状連鎖
構造をなし、かつ分散している。

【００４５】本発明の塗布液に用いられる水溶性樹脂で
ある、セルロース誘導体は、室温付近の水中で、分子構
造内の水和性部位は通常の水和を生じ疎水性部位は疎水
性水和を生じ溶解しているものであるが、溶液の温度を
上げることにより、疎水性部位近傍の水の構造性が、熱
の影響で乱され、疎水性部位の水和がこわれ、分子とし
てミセルを形成するものと推察される。このミセルがゲ
ル化の主因であると考えられる。このゲル化は温度に起
因するため、温度制御のみで、分散安定性、および導電
性に優れた塗布液を実現できる。

【００４６】本発明の塗布液における金属微粒子の鎖状
連鎖構造は、形成された導電膜においても保たれる傾向
があることが、膜をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察す
ることにより判明している。導電膜においても、金属微
粒子の鎖状連鎖構造によって、導電性が確保されている
と考えられる。

【００４７】

【実施例】以下の例において得られたゾル中の粒子の平
均一次粒径は透過型電子顕微鏡によって測定した。 ［例１］ 「Ａｇ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌ（リットル）に硝酸銀（Ａｇ６３．５重量％）を０．
７８ｇ、メチルセルロース（平均分子量１０００００）
を０．１ｇ溶解した。これに水酸化ナトリウム水溶液
（１．１２重量％濃度）５０ｇおよびホルムアルデヒド
水溶液（３６重量％濃度）５ｇの混合物を添加し撹拌し
た。添加直後にＡｇ微粒子が生成した。その後、溶液を
５０℃に加温して１時間撹拌し、さらに限外濾過により
脱塩濃縮処理を行い、Ａｇ固形分換算で１．２重量％の
Ａｇゾル液４０ｇを得た。この分散液のＡｇ微粒子の平
均粒径は１２ｎｍであった（Ａ１液とする）。

【００４８】「Ｐｄ微粒子分散液の調製」ガラス容器内
で、蒸留水１Ｌに塩化パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ６０．
０重量％）を０．８３ｇ、エチルセルロース（平均分子
量５００００）を０．１ｇ溶解した。これに水酸化リチ
ウム水溶液（１．１２重量％濃度）７０ｇおよびホルム
アルデヒド水溶液（３６重量％濃度）８ｇの混合物を添
加し撹拌した。その後、溶液を６０℃に加温し、１時間
撹拌し、さらに限外濾過により脱塩濃縮処理を行い、Ｐ
ｄ固形分換算で１．３重量％のＰｄゾル液３８ｇを得
た。この分散液のＰｄ微粒子の平均粒径は１５ｎｍであ
った（Ｂ１液とする）。

【００４９】「導電膜用コート液の調製」（Ａ１液）と
（Ｂ１液）をＡｇ：Ｐｄ＝４：６（重量比）となるよう
に混合し、エタノールおよび水で希釈し、エタノールが
８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、メチルセル
ロースとエチルセルロースの合計が０．０７重量％、
（メチルセルロース＋エチルセルロース）／（Ａｇ＋Ｐ
ｄ）が２０重量％となるように調整した（Ｃ１液とす
る）。

【００５０】「ケイ素化合物含有液の調製」シリコンエ
トキシド５０ｇをエタノール２００ｇに溶解し、撹拌下
で濃硝酸１．５ｇと純水３３ｇとの混合溶液を滴下し、
室温で２時間撹拌してＳｉＯ₂濃度４．９重量％の液を
得た（Ｄ１液とする）。このＤ１液を、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル／イソプロパノール／ジアセ
トンアルコール＝５０：４０：１０（重量比）の混合溶
媒でＳｉＯ₂固形分が０．７０重量％となるように希釈
した（Ｅ１液とする）。

【００５１】「塗布および硬化」Ｃ１液２０ｇを、表面
温度４５℃に加温した１４インチブラウン管パネル表面
にスピンコート法で、硬化時の膜厚が４０ｎｍになるよ
うに１００ｒｐｍ、６０秒間の条件で塗布した後、Ｅ１
液２０ｇをＣ１液の塗布時と同一のスピンコート条件で
硬化時の膜厚が６０ｎｍになる塗布量で塗布した後、１
６０℃で３０分間加熱し、低反射導電膜を得た。

【００５２】［例２］ 「Ａｕ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌに塩化金酸（Ａｕ４８．０重量％）を１．０４ｇ、ヒ
ドロキシプロピルセルロース（平均分子量２５０００）
を０．１ｇ溶解した。これに水酸化カリウム水溶液
（１．１２重量％濃度）９５ｇおよびホルムアルデヒド
水溶液（３６重量％濃度）１５ｇの混合物を添加し撹拌
した。添加直後にＡｕ微粒子が生成した。その後、溶液
を４０℃に加温し、１時間撹拌し、さらに限外濾過によ
り脱塩濃縮処理を行い、Ａｕ固形分換算で１．２重量％
のＡｕゾル液４０ｇを得た。この分散液のＡｕ微粒子の
平均粒径は１０ｎｍであった（Ｆ１液とする）。

【００５３】Ｆ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
ヒドロキシプロピルセルロースが０．０７重量％、ヒド
ロキシプロピルセルロース／Ａｕが２０重量％となるよ
うに調整した（Ｆ２液とする）。例１におけるＣ１液の
かわりにＦ２液を使用したこと以外は例１と同様にして
低反射導電膜を得た。

【００５４】［例３］ 「Ｒｕ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌに塩化ルテニウム水和物（Ｒｕ４０．０重量％）を
１．２５ｇ、カルボキシメチルセルロース（平均分子量
６００００）を０．１ｇ溶解した。これに水素化ホウ素
ナトリウム水溶液（１０重量％濃度）２０ｇを添加し撹
拌した。添加直後にＲｕ微粒子が生成した。その後、溶
液を４０℃に加温し、１時間撹拌し、さらに限外濾過に
より脱塩濃縮処理を行い、Ｒｕ固形分換算で１．５重量
％のＲｕゾル液３１ｇを得た。この分散液のＲｕ微粒子
の平均粒径は１０ｎｍであった（Ｇ１液とする）。

【００５５】Ｇ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
カルボキシメチルセルロースが０．０７重量％、カルボ
キシメチルセルロース／Ｒｕが２０重量％となるように
調整した（Ｇ２液とする）。例１におけるＣ１液のかわ
りにＧ２液を使用したこと以外は例１と同様にして低反
射導電膜を得た。

【００５６】［例４］ 「Ｐｔ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌにヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸水和物（Ｐｔ４０．０
重量％）を１．２５ｇ、エチルヒドロキシエチルセルロ
ース（平均分子量１０００００）を０．１ｇ溶解した。
これに水酸化ナトリウム水溶液（１．１２重量％濃度）
５０ｇおよびホルムアルデヒド水溶液（３６重量％濃
度）５ｇの混合物を添加し撹拌した。添加直後にＰｔ微
粒子が生成した。その後、溶液を５０℃に加温し、１時
間撹拌し、さらに限外濾過により脱塩濃縮処理を行い、
Ｐｔ固形分換算で１．０重量％のＰｔゾル液４５ｇを得
た。この分散液のＰｔ微粒子の平均粒径は１２ｎｍであ
った（Ｈ１液とする）。

【００５７】Ｈ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
エチルヒドロキシエチルセルロースが０．０７重量％、
エチルヒドロキシエチルセルロース／Ｐｔが２０重量％
となるように調整した（Ｈ２液とする）。例１における
Ｃ１液のかわりにＨ２液を使用したこと以外は例１と同
様にして低反射導電膜を得た。

【００５８】［例５］ 「Ｉｒ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌにヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸水和物（Ｉｒ３
８．０重量％）を１．３２ｇ、ヒドロキシプロピルメチ
ルセルロース（平均分子量６００００）を０．１ｇ溶解
した。これに水酸化ナトリウム水溶液（１．１２重量％
濃度）８０ｇおよびホルムアルデヒド水溶液（３６重量
％濃度）１５ｇの混合物を添加し撹拌した。添加直後に
Ｉｒ微粒子が生成した。その後、溶液を４５℃に加温
し、１時間撹拌し、さらに限外濾過により脱塩濃縮処理
を行い、Ｉｒ固形分換算で１．０重量％のＩｒゾル液４
５ｇを得た。この分散液のＩｒ微粒子の平均粒径は１２
ｎｍであった（Ｊ１液とする）。

【００５９】Ｊ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
ヒドロキシプロピルメチルセルロースが０．０７重量
％、ヒドロキシプロピルメチルセルロース／Ｉｒが２０
重量％となるように調整した（Ｊ２液とする）。例１に
おけるＣ１液のかわりにＪ２液を使用したこと以外は例
１と同様にして低反射導電膜を得た。

【００６０】［例６］ 「Ｒｅ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌに過レニウム酸水溶液（Ｒｅ３８．０重量％）を１．
３２ｇ、ヒドロキシプロピルセルロース（平均分子量６
００００）を０．１ｇ溶解した。これに水酸化カリウム
水溶液（１．１２重量％濃度）９５ｇおよびホルムアル
デヒド水溶液（３６重量％濃度）１５ｇの混合物を添加
し撹拌した。添加直後にＲｅ微粒子が生成した。その
後、溶液を４５℃に加温し、１時間撹拌し、さらに限外
濾過により脱塩濃縮処理を行い、Ｒｅ固形分換算で１．
０重量％のＲｅゾル液４５ｇを得た。この分散液のＲｅ
微粒子の平均粒径は１６ｎｍであった（Ｋ１液とす
る）。

【００６１】Ｋ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３７重量％、
ヒドロキシプロピルセルロースが０．０７重量％、ヒド
ロキシプロピルセルロース／Ｒｅが２重量％となるよう
に調整した（Ｋ２液とする）。例１におけるＣ１液のか
わりにＫ２液を使用したこと以外は例１と同様にして低
反射導電膜を得た。

【００６２】［例７］ 「Ｒｈ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌに塩化ロジウム（ＩＩＩ）水和物（Ｒｈ４０．０重量
％）を１．２５ｇ、エチルセルロース（平均分子量４０
０００）を０．１ｇ溶解した。これに水酸化カリウム水
溶液（１．１２重量％濃度）９５ｇおよびホルムアルデ
ヒド水溶液（３６重量％濃度）１５ｇの混合物を添加し
撹拌した。添加直後にＲｈ微粒子が生成した。その後、
溶液を４５℃に加温し、１時間撹拌し、さらに限外濾過
により脱塩濃縮処理を行い、Ｒｈ固形分換算で１．２重
量％のＲｈゾル液４０ｇを得た。この分散液のＲｈ微粒
子の平均粒径は１８ｎｍであった（Ｌ１液とする）。

【００６３】Ｌ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
エチルセルロースが０．０７重量％、エチルセルロース
／Ｒｈが２０重量％となるように調整した（Ｌ２液とす
る）。例１におけるＣ１液のかわりにＬ２液を使用した
こと以外は例１と同様にして低反射導電膜を得た。

【００６４】［例８］ 「Ｃｕ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌに塩化第二銅（ＩＩ）二水和物（Ｃｕ３７．３重量
％）を１．３５ｇ、ヒドロキシプロピルセルロース（平
均分子量２５０００）を０．１ｇ溶解した。これに水素
化ホウ素ナトリウム水溶液（１０重量％濃度）２０ｇを
添加し撹拌した。添加直後にＣｕ微粒子が生成した。そ
の後、溶液を４０℃に加温し、１時間撹拌し、さらに限
外濾過により脱塩濃縮処理を行い、Ｃｕ固形分換算で
１．５重量％のＣｕゾル液３１ｇを得た。この分散液の
Ｃｕ微粒子の平均粒径は１８ｎｍであった（Ｍ１液とす
る）。

【００６５】（Ｆ１液）と（Ｍ１液）をＡｕ：Ｃｕ＝
７：３（重量比）となるように混合し、エタノールおよ
び水で希釈し、エタノールが８０重量％、金属微粒子が
０．３５重量％、ヒドロキシプロピルセルロースが０．
０７重量％、ヒドロキシプロピルセルロース／（Ｃｕ＋
Ａｕ）が２０重量％となるように調整した（Ｍ２液とす
る）。例１におけるＣ１液のかわりにＭ２液を使用した
こと以外は例１と同様にして低反射導電膜を得た。

【００６６】［例９］ 「Ｎｉ微粒子分散液の調製」ガラス容器内で、蒸留水１
Ｌに塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物（Ｎｉ２４．７重量
％）を２．０ｇ、メチルセルロース（平均分子量６００
００）を０．１ｇ溶解した。これに水素化ホウ素ナトリ
ウム水溶液（１０重量％濃度）３０ｇを添加し撹拌し
た。添加直後にＮｉ微粒子が生成した。その後、溶液を
４５℃に加温し、１時間撹拌し、さらに限外濾過により
脱塩濃縮処理を行い、Ｎｉ固形分換算で１．５重量％の
Ｎｉゾル液３１ｇを得た。この分散液のＮｉ微粒子の平
均粒径は１８ｎｍであった（Ｎ１液とする）。

【００６７】（Ｆ１液）と（Ｎ１液）をＡｕ：Ｎｉ＝
８：２（重量比）となるように混合し、エタノールおよ
び水で希釈し、エタノールが８０重量％、金属微粒子が
０．３５重量％、ヒドロキシプロピルセルロースとメチ
ルセルロースの合計が０．０７重量％、（ヒドロキシプ
ロピルセルロース＋メチルセルロース）／（Ａｕ＋Ｎ
ｉ）が２０重量％となるように調整した（Ｎ２液とす
る）。例１におけるＣ１液のかわりにＮ２液を使用した
こと以外は例１と同様にして低反射導電膜を得た。

【００６８】［例１０］ 「Ｒｕ−Ｒｅ合金微粒子分散液の調製」ガラス容器内
で、蒸留水２Ｌに過レニウム酸水溶液（Ｒｅ３８．０重
量％）を１．３２ｇ、塩化ルテニウム水和物（Ｒｕ４
０．０重量％）を１．２５ｇ、エチルセルロース（平均
分子量５００００）を０．２ｇ溶解した。これに水酸化
カリウム水溶液（１．１２重量％濃度）１８０ｇおよび
ホルムアルデヒド水溶液（３６重量％濃度）２５ｇの混
合物を添加し撹拌した。添加直後にＲｅ−Ｒｕ微粒子が
生成した。その後、溶液を４５℃に加温し、１時間撹拌
し、さらに限外濾過により脱塩濃縮処理を行い、Ｒｅ−
Ｒｕ固形分換算で１．２重量％のＲｅ−Ｒｕゾル液７５
ｇを得た。この分散液のＲｅ−Ｒｕ微粒子の平均粒径は
１９ｎｍであった（Ｐ１液とする）。

【００６９】Ｐ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
エチルセルロースの合計が０．０７重量％、エチルセル
ロース／（Ｒｅ＋Ｒｕ）が２０重量％となるように調整
した（Ｐ２液とする）。例１におけるＣ１液のかわりに
Ｐ２液を使用したこと以外は例１と同様にして低反射導
電膜を得た。

【００７０】［例１１］ 「Ａｕ−Ｐｄ合金微粒子分散液の調製」ガラス容器内
で、蒸留水２Ｌに、塩化金酸（Ａｕ４８．０重量％）を
１．６６ｇ、硝酸パラジウム水溶液（Ｐｄ５重量％）を
４．０ｇ、ヒドロキシプロピルセルロース（平均分子量
２５０００）を０．２ｇ溶解した。これに水酸化カリウ
ム水溶液（１．１２重量％濃度）１８０ｇおよびホルム
アルデヒド水溶液（３６重量％濃度）３０ｇの混合物を
添加し撹拌した。添加直後にＡｕ−Ｐｄ微粒子が生成し
た。その後、陽イオン交換樹脂、陰イオン交換樹脂によ
り脱塩を行った後、溶液を４２℃に加温し、１時間撹拌
し、限外濾過により濃縮処理を行い、Ａｕ−Ｐｄ固形分
換算で１．２重量％のＡｕ−Ｐｄゾル液８０ｇを得た。
この分散液のＡｕ−Ｐｄ微粒子の平均粒径は１０ｎｍで
あった（Ｑ１液とする）。

【００７１】Ｑ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
ヒドロキシプロピルセルロースが０．０７重量％、ヒド
ロキシプロピルセルロース／（Ａｕ＋Ｐｄ）が２０重量
％となるように調整した（Ｑ２液とする）。例１におけ
るＣ１液のかわりにＱ２液を使用したこと以外は例１と
同様にして低反射導電膜を得た。

【００７２】Ｑ２液の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真
を図１に示す。図において黒く見える部分が金属微粒子
の連なったものである。図１より、本例の塗布液におい
ては、Ａｕ−Ｐｄ微粒子の大半が、粒子相互間に空隙な
く、２個以上結合しており、かつ鎖状連鎖構造を形成し
て分散していることがわかる。

【００７３】［例１２］（比較例） ガラス容器内で、蒸留水１Ｌに塩化金酸（Ａｕ４８．０
重量％）を１．０４ｇ、ポリビニルピロリドン（平均分
子量４００００）を０．１ｇ溶解した。これに水酸化カ
リウム水溶液（１．１２重量％濃度）９５ｇおよびホル
ムアルデヒド水溶液（３６重量％濃度）１５ｇの混合物
を添加し撹拌した。添加直後にＡｕ微粒子が生成した。
その後、溶液を４０℃に加温し、１時間撹拌し、さらに
限外濾過により脱塩濃縮処理を行い、Ａｕ固形分換算で
１．２重量％のＡｕゾル液４０ｇを得た。この分散液の
Ａｕ微粒子の平均粒径は１９ｎｍであった（Ｒ１液とす
る）。

【００７４】Ｒ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
ポリビニルピロリドンが０．０７重量％、ポリビニルピ
ロリドン／Ａｕが２０重量％となるように調整した（Ｒ
２液）。例１におけるＣ１液のかわりにＲ２液を使用し
たこと以外は例１と同様にして低反射導電膜を得た。

【００７５】［例１３］（比較例） ＩＴＯ粒子（酸化インジウムと酸化錫の総量に対して酸
化錫を８重量％含む酸化インジウム粒子）をｐＨ２の酸
性水溶液に添加し、サンドミルで１時間粉砕解膠を行っ
た。この液を限外濾過により脱塩濃縮処理を行い、ＩＴ
Ｏ粒子固形分換算で１．２重量％のＩＴＯゾル液８０ｇ
を得た。この分散液のＩＴＯ微粒子の平均粒径は４８ｎ
ｍであった（Ｓ１液とする）。

【００７６】Ｓ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．９５重量％と
なるように調整した（Ｓ２液とする）。例１におけるＣ
１液のかわりにＳ２液を使用したこと以外は例１と同様
にして低反射導電膜を得た。

【００７７】［例１４］（比較例） ヒドロキシプロピルセルロース０．２ｇのかわりにポリ
アクリル酸（平均分子量５０００）０．２ｇを用いたこ
と以外は、例１１と同様にして、Ａｕ−Ｐｄ固形分換算
で１．２重量％のＡｕ−Ｐｄゾル液８０ｇを得た。この
分散液のＡｕ−Ｐｄ微粒子の平均粒径は１０ｎｍであっ
た（Ｔ１液とする）。

【００７８】Ｔ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
ポリアクリル酸が０．０７重量％、ポリアクリル酸／
（Ａｕ＋Ｐｄ）が２０重量％となるように調整した（Ｔ
２液とする）。例１におけるＣ１液のかわりにＴ２液を
使用したこと以外は例１と同様にして低反射導電膜を得
た。

【００７９】Ｔ２液のＴＥＭ写真を図２に示す。図にお
いて黒く見える部分が金属微粒子が凝集したものであ
る。図２より、本例の塗布液においては、Ａｕ−Ｐｄ微
粒子の大半が、凝集して大きな塊を形成しており、分散
安定性に欠けることがわかる。

【００８０】［例１５］（比較例） ヒドロキシプロピルセルロース０．２ｇのかわりにポリ
ビニルアルコール（鹸化度８１．５、平均分子量５００
００）０．２ｇを用いたこと以外は、例１１と同様にし
て、Ａｕ−Ｐｄ固形分換算で１．２重量％のＡｕ−Ｐｄ
ゾル液８０ｇを得た。この分散液のＡｕ−Ｐｄ微粒子の
平均粒径は１０ｎｍであった（Ｕ１液とする）。

【００８１】Ｕ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３０重量％、
ポリビニルアルコールが０．０６重量％、ポリビニルア
ルコール／（Ａｕ＋Ｐｄ）が２０重量％となるように調
整した（Ｕ２液とする）。例１におけるＣ１液のかわり
にＵ２液を使用したこと以外は例１と同様にして低反射
導電膜を得た。

【００８２】Ｕ２液のＴＥＭ写真を図３に示す。図にお
いて黒く見える部分が金属微粒子である。図３より、本
例の塗布液においては、Ａｕ−Ｐｄ微粒子の大半が、他
の粒子から離れて、粒子単独で分散していることがわか
る。

【００８３】［例１６］（比較例） ヒドロキシプロピルセルロース０．２ｇのかわりにポリ
ビニルピロリドン（平均分子量４００００）０．２ｇを
用いたこと以外は、例１１と同様にして、Ａｕ−Ｐｄ固
形分換算で１．２重量％のＡｕ−Ｐｄゾル液８０ｇを得
た。この分散液のＡｕ−Ｐｄ微粒子の平均粒径は１０ｎ
ｍであった（Ｖ１液とする）。

【００８４】Ｖ１液をエタノールおよび水で希釈し、エ
タノールが８０重量％、金属微粒子が０．３５重量％、
ポリビニルピロリドンが０．０７重量％、ポリビニルピ
ロリドン／（Ａｕ＋Ｐｄ）が２０重量％となるように調
整した（Ｖ２液とする）。例１におけるＣ１液のかわり
にＴ２液を使用したこと以外は例１と同様にして低反射
導電膜を得た。

【００８５】Ｖ２液のＴＥＭ写真を図４に示す。図にお
いて黒く見える部分が金属微粒子である。図４より、本
比較例の塗布液においては、Ａｕ−Ｐｄ微粒子は、接近
してはいるが、互いに空隙をあけて分散していることが
わかる。

【００８６】［評価結果］例１〜１６で得られた各低反
射導電膜の物性を以下の方法で測定した結果を表１に示
す。なお、表１において４Ｅ２は４×１０²を意味し、
他も同様である。 （１）導電性：ローレスタ抵抗測定器（三菱油化製）に
より膜表面の表面抵抗（Ω／□）を測定した。測定に際
しては低屈折率膜であるシリカ膜表面で表面抵抗を測定
した。 （２）透過率：日立製作所製スペクトロフォトメータＵ
−３５００により３８０〜７８０ｎｍでの視感透過率
（％）を測定した。 （３）反射率：ＧＡＭＭＡ分光反射率スペクトル測定器
により膜の４００〜７００ｎｍでの視感反射率（％）を
測定した。

【００８７】（４）耐擦傷性：１ｋｇ荷重下で消しゴム
（ライオン社製５０−５０）で膜表面を５０回往復後、
その表面の傷の付き具合を目視で判断した。評価基準
は、傷が全く付かない場合を○、傷が多少付く場合を△
とした。 （５）耐候性：センエンジニアリング社製ＰＨＯＴＯＤ
ＲＹＣＬＥＡＲＥ ＰＬ７−２００により２５４ｎｍを
主波長とする紫外線を２０時間照射した後での膜の導電
性を測定した。 （６）耐薬品性：１０重量％濃度の塩酸水溶液に膜を７
２時間浸漬した後の膜の導電性を測定した。

【００８８】

【表１】

【００８９】

【発明の効果】本発明によれば、塗布液の状態で分散安
定性に優れており、ブラウン管フェイス面等のガラス基
体上に、低温熱処理により、耐候性、および外観に優
れ、電磁波シールド性能も発揮しうる高い導電性を有す
る導電膜を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】例１１の塗布液の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）
写真。

【図２】例１４の塗布液のＴＥＭ写真。

【図３】例１５の塗布液のＴＥＭ写真。

【図４】例１６の塗布液のＴＥＭ写真。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 29/88 Ｈ０１Ｊ 29/88 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｖ (72)発明者 猪熊 久夫 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4D075 CA22 DA06 DB13 DC21 EA06 EB07 EC10 4K017 AA03 AA08 BA02 BA03 BA05 DA01 EJ01 FB07 FB11 5C028 AA02 AA05 AA10 5C032 AA01 DD02 DE01 DF01 DF04 DF07 DG01 DG02 DG06 5E321 BB21 BB57 GG05 GH01

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属イオンと、セルロース誘導体からなる
   水溶性樹脂と、水とを含む液に、還元剤を添加すること
   により金属微粒子を還元析出させ、加熱により前記水溶
   性樹脂をゲル化させることによって前記金属微粒子を分
   散させて得られる導電膜形成用塗布液。
2. 【請求項２】金属微粒子が、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｕ、
   Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、ＣｕおよびＮｉからなる群か
   ら選ばれた１種以上である請求項１に記載の導電膜形成
   用塗布液。
3. 【請求項３】金属微粒子の濃度が、塗布液全重量に対し
   て０．０１〜５重量％である請求項１または２に記載の
   導電膜形成用塗布液。
4. 【請求項４】水溶性樹脂が、カルボキシメチルセルロー
   ス、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシ
   エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、エ
   チルヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロ
   ピルメチルセルロースからなる群から選ばれた１種以上
   である請求項１〜３いずれか１項に記載の導電膜形成用
   塗布液。
5. 【請求項５】水溶性樹脂の平均分子量が５０００〜５０
   ０００００である請求項１〜４いずれか１項に記載の導
   電膜形成用塗布液。
6. 【請求項６】水溶性樹脂の含有量が、金属微粒子に対し
   て０．５〜１００重量％である請求項１〜５いずれか１
   項に記載の導電膜形成用塗布液。
7. 【請求項７】請求項１〜６いずれか１項に記載の導電膜
   形成用塗布液を基体上に塗布することにより形成された
   導電膜。
8. 【請求項８】請求項７に記載の導電膜の上に、該導電膜
   よりも屈折率が低い膜が形成されてなる低反射導電膜。
9. 【請求項９】ガラス基体上に、請求項７に記載の導電
   膜、または請求項８に記載の低反射導電膜が形成された
   ガラス物品。