JP3473272B2 - 導電膜形成用塗布液および導電膜 - Google Patents

導電膜形成用塗布液および導電膜

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JP3473272B2
JP3473272B2 JP14751496A JP14751496A JP3473272B2 JP 3473272 B2 JP3473272 B2 JP 3473272B2 JP 14751496 A JP14751496 A JP 14751496A JP 14751496 A JP14751496 A JP 14751496A JP 3473272 B2 JP3473272 B2 JP 3473272B2
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cathode ray
ray tube
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健二 石関
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真奈美 廣谷
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はブラウン管パネルな
どのガラス基体表面に導電膜を形成するための導電膜形
成用塗布液、該塗布液からなる導電膜および低反射導電
膜を有する物品に関する。
【0002】
【従来の技術】ブラウン管は高電圧で作動するために起
動時または終了時に該表面に静電気が誘発される。この
静電気によりブラウン管表面に埃が付着し、コントラス
ト低下を引き起こしたり、直接触れた際に軽い電気ショ
ックによる不快感を生じたりすることが多い。
【0003】従来より、上述の現象を防止するためにブ
ラウン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがなさ
れている。例えば特開昭63−76247号公報記載の
とおり、ブラウン管パネル表面を350℃程度に加熱
し、CVD法により酸化スズおよび酸化インジウムなど
の導電性酸化物層を設ける方法が採用されてきた。
【0004】しかし、この方法では装置コストがかかる
うえ、ブラウン管表面を高温に加熱するために、ブラウ
ン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度が低下する
などの問題があった。また、導電層に用いる材料として
は酸化スズが最も一般的であるが、この場合低温処理で
は高性能な膜が得にくい欠点があった。
【0005】また、近年、電磁波の遮蔽も求められてい
る。導電性塗膜をブラウン管表面に介在させることによ
り、導電性塗膜に電磁波が当たり、塗膜内に渦電流を誘
導して、この作用で電磁波を反射する。しかし、このた
めには高い電界強度に耐えうる良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることはさらに困難で
あった。
【0006】一方、導電膜の製造に関して特開平6−3
10058号公報記載の方法があるが、この方法では、
金属塩と還元剤の混合液を塗布して膜を形成するため
に、金属導電膜はガラス面にメッキされた状態となり、
膜の強度が著しく弱く、かつ導電膜を洗浄し副生成塩を
除去する工程が必要となる問題があった。
【0007】また、陰極線管の全面パネルに帯電防止膜
を形成する方法として特開昭63−160140号公報
に金属粒子を少量添加し帯電防止膜を形成する方法が記
載されているが、この方法の場合には、形成される帯電
防止膜の膜表面抵抗値が10Ω/□のオーダー以上で
あり、帯電防止機能は発揮するが、電磁波を遮蔽するに
は導電性が不足する問題がある。
【0008】また、導電膜および低反射膜のコーティン
グ法による形成は、従来より光学機器のみならず、民生
用機器、特にテレビ、コンピュータ端末の陰極線管(C
RT)に関して数多く検討されてきた。従来の成膜方法
は、例えば特開昭61−118931号公報記載のよう
に、ブラウン管表面に防眩効果を持たせるために表面に
微細な凹凸を有するSiOを層付着させたり、フッ酸
により表面をエッチングして表面に凹凸を設けるなどの
方法が採られてきた。
【0009】しかし、これらの方法は、外部光を散乱さ
せるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設け
る方法でないために、反射率の低減には限界があり、ま
た、ブラウン管などにおいては、解像度を低下させる原
因ともなっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の前述の欠点を解消し、低温熱処理により形成が可
能な高性能導電膜および低反射導電膜を提供することに
ある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、Pt、Pdお
よびAuからなる群から選ばれる1種以上の金属微粒子
を水または有機溶媒に均一に分散させて調製したPt、
PdおよびAuからなる群から選ばれる1種以上の金属
微粒子が分散したゾルを含み、かつ導電膜形成成分10
0重量部中の80重量部以上が該金属微粒子となるよう
に調製されたブラウン管用導電膜形成用塗布液、該塗布
液からなる導電膜をブラウン管表面に有するブラウン
管、および低反射導電膜をブラウン管表面に有するブラ
ウン管を提供する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明における導電膜形成用塗布
液は、Pt、PdおよびAuからなる群から選ばれる1
種以上の金属微粒子を水または有機溶媒に均一に分散さ
せて調製したPt、PdおよびAuからなる群から選ば
れる1種以上の金属微粒子を導電膜形成成分100重量
部中の80重量部以上含むように調製されていることを
特徴とする。
【0013】本発明における導電膜形成用塗布液は、金
属微粒子をゾルの形で含有しており、これを塗布した場
合は従来のメッキ膜とは異なり、微小な孔が導電膜中に
導入される。当該導電膜の上に、ケイ素、チタンまたは
ジルコニウムなどのアルコキシドおよび/またはそれら
の部分加水分解物を含む塗布液を塗布した場合には、こ
の孔に上記塗布液が浸入して導電膜の強度が著しく向上
する。
【0014】また、このように形成された導電膜は、従
来の方法である金属塩と還元液からなる塗布液を用いる
場合とは異なり、導電膜の形成時には副生成物が生成せ
ず、導電膜とその上に形成される膜との間での膜強度の
劣化も生じない。
【0015】本発明で使用する金属微粒子は、Pt、P
dおよびAuからなる群から選ばれる1種以上であり、
これらの金属微粒子としては金属の蒸発凝縮により生成
される金属微粒子または金属塩の化学還元により生成さ
れる金属微粒子が好適である。
【0016】本発明において金属微粒子の形成に用いら
れる金属塩としては、例えば、硝酸パラジウムなどの硝
酸塩、塩化第一金、塩化第二金、塩化金酸、塩化第一白
金、塩化第一白金アンモニウム、塩化パラジウム、四塩
化パラジウムアンモニウム、六塩化パラジウムカリウム
などの塩化物、酢酸パラジウムなどの酢酸塩などが使用
できる。
【0017】上記金属塩の還元剤としては、例えば水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ナ
トリウム、水素化リチウムなどの水素化物や、ギ酸、シ
ュウ酸、ホスフィン酸、ホスフィン酸ナトリウム、ロシ
ェル塩などの有機酸、無機酸、塩が使用できる。
【0018】金属微粒子は、例えば、前記金属塩を水ま
たは有機溶媒に溶解させ、必要に応じアンモニアなどで
pHを調整した後、前記還元剤を添加することにより生
成する。このとき液の種類により反応温度を調整するこ
とも好ましい。こうした方法により生成した金属微粒子
は、適宜洗浄乾燥した後、撹拌などの操作によりゾル化
を行う。このとき、微粒子の分散性向上のために、加
熱、紫外線の照射、酸化剤への浸漬などにより、上記微
粒子の表面を一部酸化してもよい。
【0019】t、PdおよびAuからなる群から選ば
れる1種以上の金属微粒子の粉末は、あまり大きいと分
散しにくくなるため、平均粒径は100nm以下、特に
10nmを超える範囲、さらには30〜50nmの範囲
が好ましい。金属微粒子の粉体体積抵抗が0.01Ω・
cm以下であると良好な結果が得られる。
【0020】こうしたPt、PdおよびAuからなる群
から選ばれる1種以上の金属微粒子粉末は、均一に水や
有機溶媒などに分散させることが重要である。
【0021】分散する際には、溶液と粉末の接触を容易
にするために撹拌を行うことが好ましい。この場合、コ
ロイドミル、ボールミル、サンドミル、ホモミキサーな
どの市販の粉砕機を使用できる。また、微粒子を分散さ
せる際には、20〜200℃の範囲で加熱することもで
きる。分散媒体の沸点以上で撹拌する場合には加圧して
液相が保持できるようにする。このようにしてPt、P
dおよびAuからなる群から選ばれる1種以上の金属微
粒子がコロイド粒子として分散した水性ゾルまたはオル
ガノゾルが得られる。
【0022】上記水性ゾルはそのまま塗布液としても使
用できるが、基体に対する塗布性を増すために、金属微
粒子を有機溶媒に分散または水性ゾルの水分を親水性有
機溶媒で置換して用いることもできる。親水性有機溶媒
としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノールなどのアルコール類、エチルセロソルブ、メチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコー
ルメチルエーテルなどのエーテル類、2,4−ペンタジ
オン、ジアセトンアルコールなどのケトン類、乳酸エチ
ル、乳酸メチルなどのエステル類が使用できる。
【0023】また、本発明の上記塗布液には液の粘度、
表面張力、展延性を調整する点から、M(OR)
R’4−y(yは2、3または4、MはSi、Tiまた
はZr、Rはアルキル基、R’はアルキル基またはアセ
チルアセトネート基)の金属アルコキシドおよび/また
はそれらの部分加水分解物を添加することもできる。
【0024】また、導電膜の膜厚調整などのために、上
記塗布液に、Sn、Sb、In、Zn、GaおよびRu
からなる群から選ばれる1種以上の金属の酸化物微粒子
を金属微粒子と同様なゾルの形で含有させてもよい。こ
のような酸化物微粒子の大きさは平均粒径で100nm
以下、特に10〜50nmの範囲が好ましい。また、以
上のように金属微粒子に添加する酸化物微粒子等の添加
量は、金属微粒子100重量部当たり0〜100重量部
の割合が好ましい。
【0025】さらに塗布時における基体との濡れ性を向
上させるために種々の界面活性剤を上記塗布液に添加で
きる。
【0026】本発明における塗布液においては、該塗布
液中に含有される導電膜形成成分のうち、前記金属微粒
子が主成分であることが必要であり、塗布液中における
膜形成成分を100重量部とした場合(この場合、酸化
物原料は酸化物換算で、また、金属原料は金属換算で計
算する)、前記金属微粒子は10重量部以上含有され
る。金属微粒子の量が10重量部未満であると、形成さ
れる導電膜に所望の導電性を得にくい。金属微粒子の含
有割合は、特には50重量部以上、さらには80重量部
以上が好ましい。
【0027】本発明における塗布液を基体上へ塗布する
方法としては、例えばスピンコート、ディップコート、
スプレーコートなどの方法が好適に使用できる。また、
スプレーコート法を用いて表面に凹凸を形成して防眩効
果を付与してもよく、また、その上にシリカ被膜などの
ハードコートを設けてもよい。さらには、本発明による
導電膜をスピンコートまたはスプレーコートで形成し、
その上にシリコンアルコキシドを含む溶液をスプレーコ
ートして、表面に凹凸を有するシリカ被膜のノングレア
コートを設けてもよい。
【0028】本発明の塗布液に低沸点溶媒を添加した場
合、室温下の乾燥で塗膜が得られるが、沸点が100〜
250℃にある中〜高沸点溶媒を用いる場合には、室温
乾燥では溶媒が塗膜中に残留するために塗膜の加熱処理
を行う。加熱温度の上限は基板の軟化点によって決定さ
れる。この点も考慮すると好ましい加熱温度範囲は10
0〜500℃である。
【0029】本発明においては、光の干渉作用を利用す
る低反射膜を上記導電膜面に形成できる。例えば、基体
がガラスの場合(屈折率n=1.52)の場合、上記導
電膜の上に、(導電膜の屈折率)/(低屈折率膜の屈折
率)の比の値が約1.23となるような低屈折率膜を形
成すると、導電膜の反射率を最も低減させうる。反射率
の低減には可視光領域において、特に555nmの反射
率を低減することが好ましいが、実用上は反射外観など
を考慮し、適宜決定するのがよい。
【0030】こうした2層からなる低反射導電膜の最外
層の低屈折率膜としては、MgFゾルを含む溶液やシ
リコンアルコキシドを含む溶液のうちから選ばれる1種
以上よりなる溶液を用いて形成できる。屈折率の点を考
慮すると該材料中ではMgFが最も低く、反射率低減
のためにはMgFゾルを含む溶液を用いることが好ま
しく、膜の硬度や耐擦傷性の点ではSiOを主成分と
する膜が好ましい。
【0031】こうした屈折率膜形成用のシリコンアルコ
キシドを含む溶液としては種々のものが使用でき、Si
(OR)・R’4−y(yは3または4、Rはアルキ
ル基、R’はアルキル基)で示されるシリコンアルコキ
シドまたはそれらの部分加水分解物を含む液が挙げられ
る。例えば、シリコンエトキシド、シリコンメトキシ
ド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブトキシドの
モノマーまたは重合体が好ましく使用できる。
【0032】シリコンアルコキシドは、アルコール、エ
ステル、エーテルなどに溶解して用いることもでき、ま
た、前記溶液に塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、ギ酸、マレイ
ン酸、フッ酸、またはアンモニア水溶液を添加してシリ
コンアルコキシドを加水分解して用いることもできる。
また、前記シリコンアルコキシドは溶媒に対して、30
重量%以下の量で含まれていることが好ましい。シリコ
ンアルコキシドの固形分量があまり大きいと得られる塗
布液の保存安定性が悪いため、こうした固形分量が好ま
しい。
【0033】また、この溶液には膜の強度向上のための
バインダーとして、Zr、Ti、Sn、Alなどのアル
コキシドや、これらの部分加水分解物を添加して、Zr
、TiO、SnOおよびAlから選ばれ
るいずれか1種または2種以上の複合物をMgFやS
iOと同時に析出させてもよい。
【0034】基体との濡れ性を上げるために界面活性剤
を添加してもよい。添加される界面活性剤としては、直
鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキルエ
ーテル硫酸エステルなどが挙げられる。
【0035】本発明における低反射導電膜の製造方法
は、多層干渉効果による低反射導電膜にも応用できる。
反射防止性能を有する多層の低反射膜の構成としては、
反射防止をしたい光の波長をλとして、基体側より、高
屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/2〜λ/4、また
はλ/4〜λ/4で形成した2層の低反射膜、基体側よ
り中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/
4〜λ/2〜λ/4で形成した3層の低反射膜、基体側
より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ/2〜λ/2〜λ/2〜λ/4で形成した
4層の低反射膜などが典型例として知られている。本発
明における塗布液から形成される膜を上記中屈折率層ま
たは高屈折率層に使用できる。
【0036】また、本発明における塗布液から形成され
る膜は、可視光領域全般にわたって吸収を生じるため、
コントラストの向上にも寄与する。
【0037】本発明の塗布液による導電膜およびその膜
上に形成されるケイ素化合物を主成分とする膜よりなる
低反射導電膜を形成する基体としては、ブラウン管パネ
ル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、クリーンルー
ム用ガラス、CRTまたはLCDなどの表示装置の前面
板などの各種ガラス、プラスチック基板を採用できる。
【0038】こうして得られる本発明における導電膜の
厚さは任意に調整できるが、本発明の目的には約0.2
〜0.1μmであり、好ましくは約0.02〜0.05
μmの範囲である。上記膜厚が薄すぎると微粒子がアイ
ランド状に存在し、導電連鎖性が不足し、所望の導電性
が得られない等の点で不充分であり、また、膜厚が厚す
ぎると膜による光の吸収が強すぎ、可視光域での光の透
過率が下がりすぎる等の点で不充分である。
【0039】本発明の好ましい実施形態では、上記導電
膜の表面に低屈折率膜を形成するが、該低屈折率膜の厚
さは任意に調整できる。本発明の目的に適する厚さは約
0.03〜1μmであり、好ましくは約0.03〜0.
08μmの範囲である。上記膜厚範囲を外すと二重干渉
効果による低反射性が充分には実現しない等の点で不充
分である。
【0040】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げてさらに説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。以下の実施例
(例1〜0)および比較例(例1〜2)におい
て、得られた膜の評価方法は次のとおりである。評価結
果を表2に示した。
【0041】1)導電性評価:ローレスタ抵抗測定器
(三菱化学社製)により膜表面の表面抵抗値(単位:Ω
/□)を測定した。表において7.2E2は7.2×1
を意味し、他も同様である。 2)耐擦傷性:1kg荷重下で消しゴム(ライオン社製
50−50)で膜表面を50回往復後、その表面の傷の
付きを目視で判断した。評価基準は、○:傷が全くつか
ない、△:傷が多少つく、×:一部に膜剥離が生じる、
とした。 3)鉛筆硬度:1kg荷重下において、鉛筆で膜表面を
走査し、その後目視により表面の傷の生じ始める鉛筆の
硬度を膜の鉛筆硬度と判断した。 4)視感反射率:GAMMA分光反射率スペクトル測定
器により多層膜の400〜700nmでの視感反射率を
測定した。 5)視感透過率:日立製作所製スペクトロフォトメータ
U−3500により380〜780nmでの視感透過率
を測定した。
【0042】また、得られた金属微粒子の粉体体積抵抗
は4端子法により測定し、得られたゾルの平均粒径は大
塚電子製レーザ回折式粒径測定装置LPA−3100に
より測定した。
【0043】
【0044】
【0045】[例] 硝酸銀水溶液(銀換算固形分10重量%)をアンモニア
水溶液でpH11に調整し、50℃に保持した後、ギ酸
を添加し、銀の粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗
浄および濾過分離し、100℃で12時間乾燥し、銀微
粒子を得た。この銀微粒子をサンドミルで2.5時間粉
砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は92nmで
あった。その後濃縮を行い固形分5重量%液を得た(
液)。
【0046】イソプロポキシアセチルアセトネートチタ
ンをエタノールに溶かし、塩酸酸性水溶液で加水分解を
行い、TiO換算で5重量%となるようエタノール溶
液を調製した(B液)。液とB液とを液/液=8
/2(重量比)となるように混合し、その後超音波を2
時間照射した(C液)。水、エタノール、メタノールお
よびプロピレングリコールモノメチルエーテルを重量比
で水/エタノール/メタノール/プロピレングリコール
モノメチルエーテル=50/42/5/3となるよう混
合した(D液)。C液をD液で固形分が0.9重量%と
なるように希釈して本発明の塗布液を得た(E液)。E
液を14型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布し、
180℃で30分間加熱し導電膜を形成した。
【0047】
【0048】
【0049】[例] 酢酸パラジウム(パラジウム換算固形分10重量%)を
アンモニア水でpH8に調整し80℃に保持した溶液中
に添加し、さらに水素化ホウ素カリウムをパラジウムに
対して5倍モルの量で徐々に添加しパラジウム粒子を沈
殿析出させた。この沈殿物を洗浄および濾過分離し、1
2℃で12時間乾燥し、パラジウム微粒子を得た。この
微粒子をサンドミルで4.2時間粉砕した。このときの
液中の粒子の平均粒径は75nmであった。その後濃縮
を行い固形分5重量%液を得た(F液)。
【0050】ケイ酸エチルをエタノールに溶かし、塩酸
酸性水溶液で加水分解を行い、SiO 換算で5重量%
となるようエタノール溶液を調製した(G液)。G液と
F液とを、G液/F液=1/9(重量比)となるように
混合し、その後超音波を1.0時間照射した(H液)。
液をD液で固形分が1.2重量%となるように希釈し
て本発明の塗布液を得た(液)。液を14型ブラウ
ン管表面にスピンコート法で塗布し、160℃で30分
間加熱し導電膜を形成した。
【0051】
【0052】
【0053】
【0054】
【0055】
【0056】
【0057】
【0058】
【0059】[例] 塩化第一白金を水に溶解し、水素化ホウ素ナトリウムを
白金に対して10倍モルの量で徐々に添加し、白金粒子
を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄および濾過分離
し、140℃で12時間乾燥し白金微粒子を得た。この
白金微粒子をサンドミルで2.5時間粉砕した。このと
きの液中の粒子の平均粒径は86nmであった。その後
濃縮を行い固形分5重量%液を得た(液)。
【0060】液をD液で固形分が1.0重量%となる
ように希釈して本発明の塗布液を得た(K液)。液を
14型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布し、16
0℃で30分間加熱し導電膜を形成した。
【0061】
【0062】
【0063】[例] 塩化第一金を水に溶解し、水素化ホウ素ナトリウムを金
に対して5倍モルの量で徐々に添加し、金粒子を沈殿析
出させた。この沈殿物を洗浄および濾過分離し、140
℃で12時間乾燥し金微粒子を得た。この金微粒子をサ
ンドミルで4.5時間粉砕した。このときの液中の粒子
の平均粒径は96nmであった。その後濃縮を行い固形
分5重量%液を得た(液)。
【0064】L液をD液で固形分が0.8重量%となる
ように希釈して本発明の塗布液を得た(M液)。M液を
14型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布し、16
0℃で30分間加熱し導電膜を形成した。
【0065】
【0066】
【0067】
【0068】
【0069】
【0070】
【0071】[例5] イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、ジアセトンアルコールを重量比でイ
ソプロパノール/プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート/ジアセトンアルコール=6/3/1と
なるように混合した(N液)。
【0072】例1で調製したA液をD液で固形分が0.
8重量%となるように希釈し14型ブラウン管表面にス
ピンコート法で塗布し、60℃で10分間乾燥させた。
その後この膜の上にB液をN液で0.85重量%に希釈
したものをスピンコート法で塗布し、160℃で30分
間焼成し低反射導電膜を形成した。
【0073】[例6〜8例5 におけるA液を表1に示す各液に変更した以外は
と同様にして低反射導電膜を形成した。
【0074】
【表1】
【0075】[例] アンチモンを15重量%置換型固溶させた酸化スズ粒子
をサンドミルで1時間粉砕解膠を行った。これに硝酸銀
をAg/SnO=9/1(重量比)となるように添加
し、さらにこの液にアンモニアを添加し、pHが11と
なるよう調整した。次に、この液に銀に対して8倍モル
のギ酸を添加し、1時間50℃に保持し、銀を還元析出
させた。この液にさらに陰イオン交換樹脂を添加しNO
イオンを除去し、超音波を2時間照射し分散させ
た。その後濃縮を行い固形分5重量%液を調製した(
液)。
【0076】O液をD液で固形分が0.9重量%となる
ように希釈し14型ブラウン管表面にスピンコート法で
塗布し、60℃で10分間乾燥させた。その後この膜の
上にG液をN液で0.85重量%に希釈したものをスピ
ンコート法で塗布し、160℃で30分間焼成し低反射
導電膜を形成した。
【0077】
【0078】[例0] スズを5重量%置換型固溶させた酸化インジウム粒子を
サンドミルで1時間粉砕し、解膠を行った。これに硝酸
銀をAg/In=9/1(重量比)となるように
添加し、さらにこの液にアンモニアを添加し、pHが1
1となるよう調整した。次に、この液に銀に対して8倍
モルのロシェル塩を添加し、1時間撹拌し、銀を還元析
出させた。この液にさらに陰イオン交換樹脂を添加しN
イオンを除去し、超音波を2時間照射し分散させ
た。その後濃縮を行い固形分5重量%液を調製した(
液)。例における液を液に変更した以外は例
同様に行った。
【0079】[例1] 塩化スズと塩化アンチモンとをSn/Sb=85/15
(重量比)となるように混合しアンモニア水でpH10
に調整し50℃に保持した溶液中に添加し、混合粒子を
沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄別し、100℃で
12時間乾燥後、650℃にて3時間大気下で焼成し、
アンチモンドープ酸化スズ微粒子を得た。この微粒子を
サンドミルで2時間粉砕した。このときの液中の粒子の
平均粒径は65nmであった。その後濃縮を行い固形分
5重量%液を得た。
【0080】この液をD液で固形分1.2重量%に希釈
し、14型ブラウン管表面にスピンコートした。さらに
この膜の上に液を液で0.9重量%に希釈したもの
をスピンコート法で塗布し、160℃で20分間焼成し
2層膜を形成した。
【0081】[例2] スズを5重量%置換型固溶させた酸化インジウム粒子を
サンドミルで1時間粉砕し、解膠を行った。これに硝酸
銀をAg/In=5/95(重量比)となるよう
に添加し、さらにこの液にアンモニアを添加し、pHが
11となるよう調整した。次に、この液に銀に対して8
倍モルのロシェル塩を添加し、1時間撹拌し、銀を還元
析出させた。この液にさらに陰イオン交換樹脂を添加し
NO イオンを除去し、超音波を2時間照射し分散さ
せた。その後濃縮を行い固形分5重量%液を調製した
液)。例における液を液に変更した以外は例
9と同様に行った。
【0082】
【表2】
【0083】
【0084】
【発明の効果】本発明によれば、スプレーまたはスピン
コートなどの簡便な方法により効率よく優れた導電膜を
提供できる。本発明は金属微粒子による導電膜を提供す
るため、電磁波を容易にシールドでき、かつ比較的安価
に製造できる。とくにCRTのパネルフェイス面などの
大面積の基体に充分適用でき、量産も可能であるため工
業的価値は非常に高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森本 剛 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−251470(JP,A) 特開 昭63−160140(JP,A) 特開 昭63−76247(JP,A) 特開 昭61−118931(JP,A) 特開 昭55−144029(JP,A) 特開 昭55−75426(JP,A) 特開 平9−115438(JP,A) 特開 平9−55175(JP,A) 特開 平7−258862(JP,A) 特開 平5−190091(JP,A) 特開 平4−155732(JP,A) 特開 平2−24358(JP,A) 特許3315673(JP,B2) 特許3308511(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 20/00 - 20/08 H01J 29/88 H01J 9/20 H05K 9/00

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】t、PdおよびAuからなる群から選ば
    れる1種以上の金属微粒子を水または有機溶媒に均一に
    分散させて調製したPt、PdおよびAuからなる群か
    ら選ばれる1種以上の金属微粒子が分散したゾルを含
    み、かつ導電膜形成成分100重量部中の80重量部以
    上が該金属微粒子となるように調製されたブラウン管用
    導電膜形成用塗布液。
  2. 【請求項2】前記金属微粒子が、平均粒径100nm以
    下である請求項1に記載のブラウン管用導電膜形成用塗
    布液。
  3. 【請求項3】さらにSn、Sb、In、Zn、Gaおよ
    びRuからなる群から選ばれる1種以上の金属の酸化物
    微粒子が分散したゾルを含む請求項1または2に記載の
    ブラウン管用導電膜形成用塗布液。
  4. 【請求項4】さらにSi、TiまたはZrのアルコキシ
    ドおよび/またはそれらの部分加水分解物を含む請求項
    1、2または3に記載のブラウン管用導電膜形成用塗布
    液。
  5. 【請求項5】請求項1、2、3または4に記載のブラウ
    ン管用導電膜形成用塗布液から形成される導電膜をブラ
    ウン管パネル表面に有するブラウン管パネル。
  6. 【請求項6】請求項1、2、3または4に記載のブラウ
    ン管用導電膜形成用塗布液から形成される導電膜をブラ
    ウン管表面に有するブラウン管。
  7. 【請求項7】請求項1、2、3または4に記載のブラウ
    ン管用導電膜形成用塗布液から形成される導電膜上に、
    該導電膜より低屈折率の膜が形成されてなるブラウン管
    用低反射導電膜。
  8. 【請求項8】ブラウン管パネル表面に請求項7に記載の
    ブラウン管用低反射導電膜が形成されてなるブラウン管
    パネル。
  9. 【請求項9】ブラウン管表面に請求項7に記載のブラウ
    ン管用低反射導電膜が形成されてなるブラウン管。
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US6896114B1 (en) 1999-09-03 2005-05-24 Fuji Electric Co., Ltd. Coin dispensing apparatus for automatic vending machine
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KR100785920B1 (ko) * 2000-08-11 2007-12-17 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 투명 도전막 및 표시장치
JP4479161B2 (ja) 2002-03-25 2010-06-09 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜とこの透明導電膜形成用塗布液および透明導電性積層構造体と表示装置
JP4232480B2 (ja) 2002-03-25 2009-03-04 住友金属鉱山株式会社 貴金属コート銀微粒子分散液の製造方法と透明導電層形成用塗布液および透明導電性基材と表示装置
JP5309440B2 (ja) * 2005-11-15 2013-10-09 三菱マテリアル株式会社 太陽電池の電極形成用組成物及び該電極の形成方法並びに該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池の製造方法
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JP5309521B2 (ja) 2006-10-11 2013-10-09 三菱マテリアル株式会社 電極形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いた電極の形成方法
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