JPH101777A - 導電膜形成用塗布液および導電膜 - Google Patents
導電膜形成用塗布液および導電膜Info
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- JPH101777A JPH101777A JP14751496A JP14751496A JPH101777A JP H101777 A JPH101777 A JP H101777A JP 14751496 A JP14751496 A JP 14751496A JP 14751496 A JP14751496 A JP 14751496A JP H101777 A JPH101777 A JP H101777A
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低温熱処理により形成が可能な高性能導電膜お
よび低反射導電膜の提供。 【解決手段】Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎか
らなる群から選ばれる１種以上の金属微粒子が分散した
ゾルを含み、かつ導電膜形成成分の１０重量部以上が該
金属微粒子となるように調製された導電膜形成用塗布液
と該塗布液を用いて形成される導電膜。
よび低反射導電膜の提供。 【解決手段】Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎか
らなる群から選ばれる１種以上の金属微粒子が分散した
ゾルを含み、かつ導電膜形成成分の１０重量部以上が該
金属微粒子となるように調製された導電膜形成用塗布液
と該塗布液を用いて形成される導電膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はブラウン管パネルな
どのガラス基体表面に導電膜を形成するための導電膜形
成用塗布液、該塗布液からなる導電膜および低反射導電
膜を有する物品に関する。
どのガラス基体表面に導電膜を形成するための導電膜形
成用塗布液、該塗布液からなる導電膜および低反射導電
膜を有する物品に関する。
【０００２】
【従来の技術】ブラウン管は高電圧で作動するために起
動時または終了時に該表面に静電気が誘発される。この
静電気によりブラウン管表面に埃が付着し、コントラス
ト低下を引き起こしたり、直接触れた際に軽い電気ショ
ックによる不快感を生じたりすることが多い。
動時または終了時に該表面に静電気が誘発される。この
静電気によりブラウン管表面に埃が付着し、コントラス
ト低下を引き起こしたり、直接触れた際に軽い電気ショ
ックによる不快感を生じたりすることが多い。
【０００３】従来より、上述の現象を防止するためにブ
ラウン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがなさ
れている。例えば特開昭６３−７６２４７記載の通り、
ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱し、ＣＶＤ
法により酸化スズおよび酸化インジウムなどの導電性酸
化物層を設ける方法が採用されてきた。
ラウン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがなさ
れている。例えば特開昭６３−７６２４７記載の通り、
ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱し、ＣＶＤ
法により酸化スズおよび酸化インジウムなどの導電性酸
化物層を設ける方法が採用されてきた。
【０００４】しかし、この方法では装置コストがかかる
うえ、ブラウン管表面を高温に加熱するために、ブラウ
ン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度が低下する
などの問題があった。また、導電層に用いる材料として
は酸化スズが最も一般的であるが、この場合低温処理で
は高性能な膜が得にくい欠点があった。また、近年、電
磁波ノイズによる電子機器への電波障害が社会問題とな
り、それらを防止するための規格の作成や規制が行われ
ている。
うえ、ブラウン管表面を高温に加熱するために、ブラウ
ン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度が低下する
などの問題があった。また、導電層に用いる材料として
は酸化スズが最も一般的であるが、この場合低温処理で
は高性能な膜が得にくい欠点があった。また、近年、電
磁波ノイズによる電子機器への電波障害が社会問題とな
り、それらを防止するための規格の作成や規制が行われ
ている。
【０００５】電磁波ノイズは人体について、ＣＲＴ上の
静電気チャージによる皮膚癌の恐れ、低周波電界（ＥＬ
Ｆ）による胎児への影響、その他Ｘ線、紫外線などによ
る害が各国で問題視されている。この場合、導電性塗膜
をブラウン管表面に介在させることにより、導電性塗膜
に電磁波が当たり、塗膜内に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかし、このためには高い電界
強度に耐えうる良導電性が必要あるが、それほどの良導
電性の膜を得ることはさらに困難であった。
静電気チャージによる皮膚癌の恐れ、低周波電界（ＥＬ
Ｆ）による胎児への影響、その他Ｘ線、紫外線などによ
る害が各国で問題視されている。この場合、導電性塗膜
をブラウン管表面に介在させることにより、導電性塗膜
に電磁波が当たり、塗膜内に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかし、このためには高い電界
強度に耐えうる良導電性が必要あるが、それほどの良導
電性の膜を得ることはさらに困難であった。
【０００６】一方、導電膜の製造に関して特開平６−３
１００５８記載の方法があるが、この方法では、金属塩
と還元剤の混合液を塗布して膜を形成するために、金属
導電膜はガラス面にメッキされた状態となり、膜の強度
が著しく弱く、かつ導電膜を洗浄し副生成塩を除去する
工程が必要となるという問題が生じていた。
１００５８記載の方法があるが、この方法では、金属塩
と還元剤の混合液を塗布して膜を形成するために、金属
導電膜はガラス面にメッキされた状態となり、膜の強度
が著しく弱く、かつ導電膜を洗浄し副生成塩を除去する
工程が必要となるという問題が生じていた。
【０００７】また、陰極線管の全面パネルに帯電防止膜
を形成する方法として特開昭６３−１６０１４０に金属
粒子を少量添加し帯電防止膜を形成する方法が記載され
ているが、この方法の場合には、形成される帯電防止膜
の膜表面抵抗値が１０7 Ω／□のオーダー以上であり、
帯電防止機能は発揮するが、電磁波ノイズを遮蔽するに
は導電性が不足するという問題がある。
を形成する方法として特開昭６３−１６０１４０に金属
粒子を少量添加し帯電防止膜を形成する方法が記載され
ているが、この方法の場合には、形成される帯電防止膜
の膜表面抵抗値が１０7 Ω／□のオーダー以上であり、
帯電防止機能は発揮するが、電磁波ノイズを遮蔽するに
は導電性が不足するという問題がある。
【０００８】また、導電膜および低反射膜のコーティン
グ法による形成は、従来より光学機器のみならず、民生
用機器、特にテレビ、コンピュータ端末の陰極線管（Ｃ
ＲＴ）に関して数多く検討されてきた。従来の成膜方法
は、例えば特開昭６１−１１８９３１記載のように、ブ
ラウン管表面に防眩効果を持たせるために表面に微細な
凹凸を有するＳｉＯ2 を層付着させたり、フッ酸により
表面をエッチングして表面に凹凸を設けるなどの方法が
採られてきた。
グ法による形成は、従来より光学機器のみならず、民生
用機器、特にテレビ、コンピュータ端末の陰極線管（Ｃ
ＲＴ）に関して数多く検討されてきた。従来の成膜方法
は、例えば特開昭６１−１１８９３１記載のように、ブ
ラウン管表面に防眩効果を持たせるために表面に微細な
凹凸を有するＳｉＯ2 を層付着させたり、フッ酸により
表面をエッチングして表面に凹凸を設けるなどの方法が
採られてきた。
【０００９】しかし、これらの方法は、外部光を散乱さ
せるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設け
る方法でないために、反射率の低減には限界があり、ま
た、ブラウン管などにおいては、解像度を低下させる原
因ともなっている。
せるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設け
る方法でないために、反射率の低減には限界があり、ま
た、ブラウン管などにおいては、解像度を低下させる原
因ともなっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の前述の欠点を解消し、低温熱処理により形成が可
能な高性能導電膜および低反射導電膜を提供することに
ある。
技術の前述の欠点を解消し、低温熱処理により形成が可
能な高性能導電膜および低反射導電膜を提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ａｇ、Ｒｕ、
Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎからなる群から選ばれる１種
以上の金属微粒子が分散したゾルを含み、かつ導電膜形
成成分の１０重量部以上が該金属微粒子となるように調
製された導電膜形成用塗布液、該塗布液からなる導電膜
をガラス基体上に有するガラス物品、該塗布液からなる
導電膜をブラウン管表面に有するブラウン管、および低
反射導電膜が形成されたこれらの物品を提供する。
Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎからなる群から選ばれる１種
以上の金属微粒子が分散したゾルを含み、かつ導電膜形
成成分の１０重量部以上が該金属微粒子となるように調
製された導電膜形成用塗布液、該塗布液からなる導電膜
をガラス基体上に有するガラス物品、該塗布液からなる
導電膜をブラウン管表面に有するブラウン管、および低
反射導電膜が形成されたこれらの物品を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の導電膜形成用塗布液は、
Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎからなる群から
選ばれる１種以上の金属微粒子を導電膜形成成分の１０
重量部以上含むように調製されていることを特徴とす
る。
Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎからなる群から
選ばれる１種以上の金属微粒子を導電膜形成成分の１０
重量部以上含むように調製されていることを特徴とす
る。
【００１３】本発明では予め塗布液に、金属微粒子をゾ
ルの形で含有しており、これを塗布した場合は従来のメ
ッキ膜とは異なり、微小な孔が導電膜中に導入される。
当該導電膜の上に、ケイ素、チタンまたはジルコニウム
などのアルコキシドおよび／またはそれらの部分加水分
解物を含む塗布液を塗布した場合には、この孔に上記塗
布液が浸入して導電膜の強度が著しく向上する。
ルの形で含有しており、これを塗布した場合は従来のメ
ッキ膜とは異なり、微小な孔が導電膜中に導入される。
当該導電膜の上に、ケイ素、チタンまたはジルコニウム
などのアルコキシドおよび／またはそれらの部分加水分
解物を含む塗布液を塗布した場合には、この孔に上記塗
布液が浸入して導電膜の強度が著しく向上する。
【００１４】また、このように形成された導電膜は、従
来の方法である金属塩と還元液からなる塗布液を用いる
場合とは異なり、導電膜の形成時には副生成物が生成せ
ず、導電膜とその上に形成される膜との間での膜強度の
劣化も生じない。
来の方法である金属塩と還元液からなる塗布液を用いる
場合とは異なり、導電膜の形成時には副生成物が生成せ
ず、導電膜とその上に形成される膜との間での膜強度の
劣化も生じない。
【００１５】本発明で使用する金属微粒子は、Ａｇ、Ｒ
ｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎからなる群から選ばれ
る１種以上であり、これらの金属微粒子としては金属の
蒸発凝縮により生成される金属微粒子または金属塩の化
学還元により生成される金属微粒子が好適である。
ｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎからなる群から選ばれ
る１種以上であり、これらの金属微粒子としては金属の
蒸発凝縮により生成される金属微粒子または金属塩の化
学還元により生成される金属微粒子が好適である。
【００１６】本発明において金属微粒子の形成に用いら
れる金属塩としては、例えば、硝酸銀、亜硝酸銀、ニト
ロソ硝酸ルテニウム、硝酸ルビジウム、硝酸パラジウ
ム、硝酸ニッケル、硝酸インジウム、亜硝酸コバルトカ
リウム、硝酸第二クロムなどの硝酸塩、三塩化レニウ
ム、五塩化レニウム、塩化ルテニウム、塩化ルテニウム
アンモニウム、塩化ルテニウムカリウム、塩化ルテニウ
ムナトリウム、塩化第一金、塩化第二金、塩化金酸、塩
化銀、三塩化イリジウム、四塩化イリジウム、六塩化イ
リジウムアンモニウム、六塩化イリジウム三カリウム、
三塩化オスミウム、六塩化オスミウム酸アンモニウム、
塩化第一白金、塩化第一白金アンモニウム、三塩化イン
ジウム、三塩化ロジウム、六塩化ロジウムアンモニウ
ム、六塩化ロジウムカリウム、塩化ヘキサミンロジウ
ム、塩化パラジウム、四塩化パラジウムアンモニウム、
六塩化パラジウムカリウム、塩化ニッケル、塩化第一コ
バルト、塩化コバルトアンモニウム、塩化第一スズ、塩
化第二スズ、六塩化スズアンモニウム、塩化第一クロ
ム、塩化第二クロムなどの塩化物、酢酸ルテニウム、酢
酸銀、酢酸ロジウム、酢酸パラジウム、酢酸インジウ
ム、酢酸ニッケル、酢酸コバルト、酢酸第一スズ、酢酸
第二クロムなどの酢酸塩などが使用できる。
れる金属塩としては、例えば、硝酸銀、亜硝酸銀、ニト
ロソ硝酸ルテニウム、硝酸ルビジウム、硝酸パラジウ
ム、硝酸ニッケル、硝酸インジウム、亜硝酸コバルトカ
リウム、硝酸第二クロムなどの硝酸塩、三塩化レニウ
ム、五塩化レニウム、塩化ルテニウム、塩化ルテニウム
アンモニウム、塩化ルテニウムカリウム、塩化ルテニウ
ムナトリウム、塩化第一金、塩化第二金、塩化金酸、塩
化銀、三塩化イリジウム、四塩化イリジウム、六塩化イ
リジウムアンモニウム、六塩化イリジウム三カリウム、
三塩化オスミウム、六塩化オスミウム酸アンモニウム、
塩化第一白金、塩化第一白金アンモニウム、三塩化イン
ジウム、三塩化ロジウム、六塩化ロジウムアンモニウ
ム、六塩化ロジウムカリウム、塩化ヘキサミンロジウ
ム、塩化パラジウム、四塩化パラジウムアンモニウム、
六塩化パラジウムカリウム、塩化ニッケル、塩化第一コ
バルト、塩化コバルトアンモニウム、塩化第一スズ、塩
化第二スズ、六塩化スズアンモニウム、塩化第一クロ
ム、塩化第二クロムなどの塩化物、酢酸ルテニウム、酢
酸銀、酢酸ロジウム、酢酸パラジウム、酢酸インジウ
ム、酢酸ニッケル、酢酸コバルト、酢酸第一スズ、酢酸
第二クロムなどの酢酸塩などが使用できる。
【００１７】上記金属塩の還元剤としては、例えば水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ナ
トリウム、水素化リチウムなどの水素化物やギ酸、シュ
ウ酸、ホスフィン酸、ホスフィン酸ナトリウム、ロシェ
ル塩などの有機酸、無機酸、塩が使用できる。
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ナ
トリウム、水素化リチウムなどの水素化物やギ酸、シュ
ウ酸、ホスフィン酸、ホスフィン酸ナトリウム、ロシェ
ル塩などの有機酸、無機酸、塩が使用できる。
【００１８】金属微粒子の還元析出法としては、前記金
属塩を水または有機溶媒に溶解させ、必要に応じアンモ
ニアなどでｐＨを調整した後、前記還元剤を添加するこ
とにより生成する。このとき液の種類により反応温度を
調整することも好ましい。こうした方法により生成した
金属微粒子は、適宜洗浄乾燥した後、撹拌などの操作に
よりゾル化を行う。このとき、微粒子の分散性向上のた
めに、加熱、紫外線の照射、酸化剤への浸漬などによ
り、上記微粒子の表面を一部酸化してもよい。
属塩を水または有機溶媒に溶解させ、必要に応じアンモ
ニアなどでｐＨを調整した後、前記還元剤を添加するこ
とにより生成する。このとき液の種類により反応温度を
調整することも好ましい。こうした方法により生成した
金属微粒子は、適宜洗浄乾燥した後、撹拌などの操作に
よりゾル化を行う。このとき、微粒子の分散性向上のた
めに、加熱、紫外線の照射、酸化剤への浸漬などによ
り、上記微粒子の表面を一部酸化してもよい。
【００１９】Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎか
らなる群から選ばれる１種以上の金属微粒子の粉末は、
あまり大きいと分散しにくくなるため、平均粒径は１０
０ｎｍ以下、特に１０ｎｍを超える範囲、さらには３０
〜５０ｎｍの範囲が好ましい。金属微粒子の粉体体積抵
抗が０．０１Ω・ｃｍ以下であると良好な結果が得られ
る。
ｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎか
らなる群から選ばれる１種以上の金属微粒子の粉末は、
あまり大きいと分散しにくくなるため、平均粒径は１０
０ｎｍ以下、特に１０ｎｍを超える範囲、さらには３０
〜５０ｎｍの範囲が好ましい。金属微粒子の粉体体積抵
抗が０．０１Ω・ｃｍ以下であると良好な結果が得られ
る。
【００２０】こうしたＡｇ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、
Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｕおよ
びＩｎからなる群から選ばれる１種以上の金属微粒子粉
末は、均一に水や有機溶媒などに分散させることが重要
である。
Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｕおよ
びＩｎからなる群から選ばれる１種以上の金属微粒子粉
末は、均一に水や有機溶媒などに分散させることが重要
である。
【００２１】分散する際には、溶液と粉末の接触を容易
にするために撹拌を行うことが好ましい。この場合、コ
ロイドミル、ボールミル、サンドミル、ホモミキサーな
どの市販の粉砕機を使用できる。また、微粒子を分散さ
せる際には、２０〜２００℃の範囲で加熱することもで
きる。分散媒体の沸点以上で撹拌する場合には加圧して
液相が保持できるようにする。このようにしてＡｇ、Ｒ
ｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎからなる群から選ばれ
る１種以上の金属微粒子がコロイド粒子として分散した
水性ゾルまたはオルガノゾルが得られる。
にするために撹拌を行うことが好ましい。この場合、コ
ロイドミル、ボールミル、サンドミル、ホモミキサーな
どの市販の粉砕機を使用できる。また、微粒子を分散さ
せる際には、２０〜２００℃の範囲で加熱することもで
きる。分散媒体の沸点以上で撹拌する場合には加圧して
液相が保持できるようにする。このようにしてＡｇ、Ｒ
ｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎからなる群から選ばれ
る１種以上の金属微粒子がコロイド粒子として分散した
水性ゾルまたはオルガノゾルが得られる。
【００２２】上記水性ゾルはそのまま塗布液としても使
用できるが、基体に対する塗布性を増すために、金属微
粒子を有機溶媒に分散または水性ゾルの水分を親水性有
機溶媒で置換して用いることもできる。親水性有機溶媒
としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノールなどのアルコール類、エチルセロソルブ、メチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコー
ルメチルエーテルなどのエーテル類、２，４−ペンタジ
オン、ジアセトアルコールなどのケトン類、乳酸エチ
ル、乳酸メチルなどのエステル類が使用できる。
用できるが、基体に対する塗布性を増すために、金属微
粒子を有機溶媒に分散または水性ゾルの水分を親水性有
機溶媒で置換して用いることもできる。親水性有機溶媒
としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノールなどのアルコール類、エチルセロソルブ、メチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコー
ルメチルエーテルなどのエーテル類、２，４−ペンタジ
オン、ジアセトアルコールなどのケトン類、乳酸エチ
ル、乳酸メチルなどのエステル類が使用できる。
【００２３】また、本発明の上記塗布液には液の粘度、
表面張力、展延性を調整する点から、Ｍ（ＯＲ）y ・Ｒ
4-y（ｙは２、３または４、ＭはＳｉ、ＴｉまたはＺ
ｒ、Ｒはアルキル基、Ｒ’はアルキル基またはアセチル
アセトネート基）の金属アルコキシドおよび／またはそ
れらの部分加水分解物を添加することもできる。
表面張力、展延性を調整する点から、Ｍ（ＯＲ）y ・Ｒ
4-y（ｙは２、３または４、ＭはＳｉ、ＴｉまたはＺ
ｒ、Ｒはアルキル基、Ｒ’はアルキル基またはアセチル
アセトネート基）の金属アルコキシドおよび／またはそ
れらの部分加水分解物を添加することもできる。
【００２４】また、導電膜の膜厚調整などのために、上
記塗布液に、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｕおよ
びＲｕからなる群から選ばれる１種以上の金属の酸化物
微粒子を金属微粒子と同様なゾルの形で含有させてもよ
い。このような酸化物微粒子の大きさは平均粒径で１０
０ｎｍ以下、特に１０〜５０ｎｍの範囲が好ましい。ま
た、以上のように金属微粒子に添加する酸化物微粒子等
の添加量は、金属微粒子１００重量部当たり０〜１００
重量部の割合が好ましい。
記塗布液に、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｕおよ
びＲｕからなる群から選ばれる１種以上の金属の酸化物
微粒子を金属微粒子と同様なゾルの形で含有させてもよ
い。このような酸化物微粒子の大きさは平均粒径で１０
０ｎｍ以下、特に１０〜５０ｎｍの範囲が好ましい。ま
た、以上のように金属微粒子に添加する酸化物微粒子等
の添加量は、金属微粒子１００重量部当たり０〜１００
重量部の割合が好ましい。
【００２５】さらに塗布時における基体との濡れ性を向
上させるために種々の界面活性剤を上記塗布液に添加す
ることもできる。
上させるために種々の界面活性剤を上記塗布液に添加す
ることもできる。
【００２６】本発明の塗布液においては、該塗布液中に
含有される導電膜形成成分のうち、前記金属微粒子が主
成分であることが必要であり、塗布液中における膜形成
成分を１００重量部とした場合（この場合、酸化物原料
は酸化物換算で、また、金属原料は金属換算で計算す
る）、前記金属微粒子は１０重量部以上含有される。金
属微粒子の量が１０重量部未満であると、形成される導
電膜に所望の導電性を得にくい。金属微粒子の含有割合
は、特には５０重量部以上、さらには８０重量部以上が
好ましい。
含有される導電膜形成成分のうち、前記金属微粒子が主
成分であることが必要であり、塗布液中における膜形成
成分を１００重量部とした場合（この場合、酸化物原料
は酸化物換算で、また、金属原料は金属換算で計算す
る）、前記金属微粒子は１０重量部以上含有される。金
属微粒子の量が１０重量部未満であると、形成される導
電膜に所望の導電性を得にくい。金属微粒子の含有割合
は、特には５０重量部以上、さらには８０重量部以上が
好ましい。
【００２７】本発明の塗布液を基体上へ塗布する方法と
しては、例えばスピンコート、ディップコート、スプレ
ーコートなどの方法が好適に使用できる。また、スプレ
ーコート法を用いて表面に凹凸を形成して防眩効果を付
与してもよく、また、その上にシリカ被膜などのハード
コートを設けてもよい。さらには、本発明による導電膜
をスピンコートまたはスプレーコートで形成し、その上
にシリコンアルコキシドを含む溶液をスプレーコートし
て、表面に凹凸を有するシリカ被膜のノングレアコート
を設けてもよい。
しては、例えばスピンコート、ディップコート、スプレ
ーコートなどの方法が好適に使用できる。また、スプレ
ーコート法を用いて表面に凹凸を形成して防眩効果を付
与してもよく、また、その上にシリカ被膜などのハード
コートを設けてもよい。さらには、本発明による導電膜
をスピンコートまたはスプレーコートで形成し、その上
にシリコンアルコキシドを含む溶液をスプレーコートし
て、表面に凹凸を有するシリカ被膜のノングレアコート
を設けてもよい。
【００２８】本発明の塗布液は、そのままで基体上へ塗
布するために、塗布液に低沸点溶媒を添加した場合、室
温下の乾燥で塗膜が得られるが、沸点が１００〜２５０
℃にある中〜高沸点溶媒を用いる場合には、室温乾燥で
は溶媒が塗膜中に残留するために塗膜の加熱処理を行
う。加熱温度の上限は基板に用いられるガラス、プラス
チックなどの軟化点によって決定される。この点も考慮
すると好ましい加熱温度範囲は１００〜５００℃であ
る。
布するために、塗布液に低沸点溶媒を添加した場合、室
温下の乾燥で塗膜が得られるが、沸点が１００〜２５０
℃にある中〜高沸点溶媒を用いる場合には、室温乾燥で
は溶媒が塗膜中に残留するために塗膜の加熱処理を行
う。加熱温度の上限は基板に用いられるガラス、プラス
チックなどの軟化点によって決定される。この点も考慮
すると好ましい加熱温度範囲は１００〜５００℃であ
る。
【００２９】本発明においては、光の干渉作用を利用す
る低反射膜を上記導電膜面に形成できる。例えば、基体
がガラスの場合（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、上記導
電膜の上に、（導電膜の屈折率）／（低屈折率膜の屈折
率）の比の値が約１．２３となるような低屈折率膜を形
成すると、導電膜の反射率を最も低減させうる。反射率
の低減には可視光領域において、特に５５５ｎｍの反射
率を低減することが好ましいが、実用上は反射外観など
を考慮し、適宜決定するのがよい。
る低反射膜を上記導電膜面に形成できる。例えば、基体
がガラスの場合（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、上記導
電膜の上に、（導電膜の屈折率）／（低屈折率膜の屈折
率）の比の値が約１．２３となるような低屈折率膜を形
成すると、導電膜の反射率を最も低減させうる。反射率
の低減には可視光領域において、特に５５５ｎｍの反射
率を低減することが好ましいが、実用上は反射外観など
を考慮し、適宜決定するのがよい。
【００３０】こうした２層からなる低反射導電膜の最外
層の低屈折率膜としては、ＭｇＦ2ゾルを含む溶液やシ
リコンアルコキシドを含む溶液のうちから選ばれる１種
以上よりなる溶液を用いて形成できる。屈折率の点を考
慮すると該材料中ではＭｇＦ2 が最も低く、反射率低減
のためにはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液を用いることが好ま
しく、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ2 を主成分と
する膜が好ましい。
層の低屈折率膜としては、ＭｇＦ2ゾルを含む溶液やシ
リコンアルコキシドを含む溶液のうちから選ばれる１種
以上よりなる溶液を用いて形成できる。屈折率の点を考
慮すると該材料中ではＭｇＦ2 が最も低く、反射率低減
のためにはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液を用いることが好ま
しく、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ2 を主成分と
する膜が好ましい。
【００３１】こうした屈折率膜形成用のシリコンアルコ
キシドを含む溶液としては種々のものが使用でき、Ｓｉ
（ＯＲ）y ・Ｒ’4-y （ｙは３または４、Ｒはアルキル
基、Ｒ’はアルキル基）で示されるシリコンアルコキシ
ドまたはそれらの部分加水分解物を含む液が挙げられ
る。例えば、シリコンエトキシド、シリコンメトキシ
ド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブトキシドの
モノマーまたは重合体が好ましく使用できる。
キシドを含む溶液としては種々のものが使用でき、Ｓｉ
（ＯＲ）y ・Ｒ’4-y （ｙは３または４、Ｒはアルキル
基、Ｒ’はアルキル基）で示されるシリコンアルコキシ
ドまたはそれらの部分加水分解物を含む液が挙げられ
る。例えば、シリコンエトキシド、シリコンメトキシ
ド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブトキシドの
モノマーまたは重合体が好ましく使用できる。
【００３２】シリコンアルコキシドは、アルコール、エ
ステル、エーテルなどに溶解して用いることもでき、ま
た、前記溶液に塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、ギ酸、マレイ
ン酸、フッ酸、またはアンモニア水溶液を添加してシリ
コンアルコキシドを加水分解して用いることもできる。
また、前記シリコンアルコキシドは溶媒に対して、３０
重量％以下の量で含まれていることが好ましい。シリコ
ンアルコキシドの固形分量があまり大きいと得られる塗
布液の保存安定性が悪いため、こうした固形分量が好ま
しい。
ステル、エーテルなどに溶解して用いることもでき、ま
た、前記溶液に塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、ギ酸、マレイ
ン酸、フッ酸、またはアンモニア水溶液を添加してシリ
コンアルコキシドを加水分解して用いることもできる。
また、前記シリコンアルコキシドは溶媒に対して、３０
重量％以下の量で含まれていることが好ましい。シリコ
ンアルコキシドの固形分量があまり大きいと得られる塗
布液の保存安定性が悪いため、こうした固形分量が好ま
しい。
【００３３】また、この溶液には膜の強度向上のための
バインダーとして、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌなどのアル
コキシドや、これらの部分加水分解物を添加して、Ｚｒ
Ｏ2、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 から選ばれ
るいずれか１種または２種以上の複合物をＭｇＦ2 やＳ
ｉＯ2 と同時に析出させてもよい。
バインダーとして、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌなどのアル
コキシドや、これらの部分加水分解物を添加して、Ｚｒ
Ｏ2、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 から選ばれ
るいずれか１種または２種以上の複合物をＭｇＦ2 やＳ
ｉＯ2 と同時に析出させてもよい。
【００３４】基体との濡れ性を上げるために界面活性剤
を添加してもよい。添加される界面活性剤としては、直
鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキルエ
ーテル硫酸エステルなどが挙げられる。
を添加してもよい。添加される界面活性剤としては、直
鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキルエ
ーテル硫酸エステルなどが挙げられる。
【００３５】本発明の低反射導電膜の製造方法は、多層
干渉効果による低反射導電膜にも応用できる。反射防止
性能を有する多層の低反射膜の構成としては、反射防止
をしたい光の波長をλとして、基体側より、高屈折率層
−低屈折率層を光学厚みλ／２〜λ／４、またはλ／４
〜λ／４で形成した２層の低反射膜、基体側より中屈折
率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／４〜λ／
２〜λ／４で形成した３層の低反射膜、基体側より低屈
折率層−中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚
みλ／２〜λ／２〜λ／２〜λ／４で形成した４層の低
反射膜などが典型例として知られている。本発明の塗布
液から形成される膜を上記中屈折率層または高屈折率層
に使用できる。
干渉効果による低反射導電膜にも応用できる。反射防止
性能を有する多層の低反射膜の構成としては、反射防止
をしたい光の波長をλとして、基体側より、高屈折率層
−低屈折率層を光学厚みλ／２〜λ／４、またはλ／４
〜λ／４で形成した２層の低反射膜、基体側より中屈折
率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／４〜λ／
２〜λ／４で形成した３層の低反射膜、基体側より低屈
折率層−中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚
みλ／２〜λ／２〜λ／２〜λ／４で形成した４層の低
反射膜などが典型例として知られている。本発明の塗布
液から形成される膜を上記中屈折率層または高屈折率層
に使用できる。
【００３６】また、本発明の塗布液から形成される膜
は、可視光領域全般にわたって吸収を生じるため、コン
トラストの向上にも寄与し、かつ低反射性に優れる。
は、可視光領域全般にわたって吸収を生じるため、コン
トラストの向上にも寄与し、かつ低反射性に優れる。
【００３７】本発明の塗布液による導電膜およびその膜
上に形成されるケイ素化合物を主成分とする膜よりなる
低反射導電膜を形成する基体としては、ブラウン管パネ
ル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、クリーンルー
ム用ガラス、ＣＲＴまたはＬＣＤなどの表示装置の前面
板などの各種ガラス、プラスチック基板を採用できる。
上に形成されるケイ素化合物を主成分とする膜よりなる
低反射導電膜を形成する基体としては、ブラウン管パネ
ル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、クリーンルー
ム用ガラス、ＣＲＴまたはＬＣＤなどの表示装置の前面
板などの各種ガラス、プラスチック基板を採用できる。
【００３８】こうして得られる本発明の導電膜の厚さは
任意に調整できるが、本発明の目的には約０．２〜０．
１μｍであり、好ましくは約０．０２〜０．０５μｍの
範囲である。上記膜厚が薄すぎると微粒子がアイランド
状に存在し、導電連鎖性が不足し、所望の導電性が得ら
れない等の点で不充分であり、また、膜厚が厚すぎると
膜による光の吸収が強すぎ、可視光域での光の透過率が
下がりすぎる等の点で不充分である。
任意に調整できるが、本発明の目的には約０．２〜０．
１μｍであり、好ましくは約０．０２〜０．０５μｍの
範囲である。上記膜厚が薄すぎると微粒子がアイランド
状に存在し、導電連鎖性が不足し、所望の導電性が得ら
れない等の点で不充分であり、また、膜厚が厚すぎると
膜による光の吸収が強すぎ、可視光域での光の透過率が
下がりすぎる等の点で不充分である。
【００３９】本発明の好ましい実施形態では、上記導電
膜の表面に低屈折率膜を形成するが、該低屈折率膜の厚
さは任意に調整できる。本発明の目的に適する厚さは約
０．０３〜１μｍであり、好ましくは約０．０３〜０．
０８μｍの範囲である。上記膜厚範囲を外すと二重干渉
効果による低反射性が充分には実現しない等の点で不充
分である。
膜の表面に低屈折率膜を形成するが、該低屈折率膜の厚
さは任意に調整できる。本発明の目的に適する厚さは約
０．０３〜１μｍであり、好ましくは約０．０３〜０．
０８μｍの範囲である。上記膜厚範囲を外すと二重干渉
効果による低反射性が充分には実現しない等の点で不充
分である。
【００４０】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げてさらに説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。以下の実施例
（例１〜３０）および比較例（例３１〜３２）におい
て、得られた膜の評価方法は次の通りである。評価結果
を表２、表３に示した。
るが、本発明はこれらに限定されない。以下の実施例
（例１〜３０）および比較例（例３１〜３２）におい
て、得られた膜の評価方法は次の通りである。評価結果
を表２、表３に示した。
【００４１】１）導電性評価：ローレスタ抵抗測定器
（三菱化学社製）により膜表面の表面抵抗値（単位：Ω
／□）を測定した。表において７．２Ｅ２は７．２×１
０2 を意味し、他も同様である。 ２）耐擦傷性：１ｋｇ荷重下で消しゴム（ライオン社製
５０−５０）で膜表面を５０回往復後、その表面の傷の
付きを目視で判断した。評価基準は、○：傷が全く付か
ない、△：傷が多少つく、×：一部に膜剥離が生じる、
とした。 ３）鉛筆硬度：１ｋｇ荷重下において、鉛筆で膜表面を
走査し、その後目視により表面の傷の生じ始める鉛筆の
硬度を膜の鉛筆硬度と判断した。 ４）視感反射率：ＧＡＭＭＡ分光反射率スペクトル測定
器により多層膜の４００〜７００ｎｍでの視感反射率を
測定した。 ５）視感透過率：日立製作所製スペクトロフォトメータ
Ｕ−３５００により３８０〜７８０ｎｍでの視感透過率
を測定した。
（三菱化学社製）により膜表面の表面抵抗値（単位：Ω
／□）を測定した。表において７．２Ｅ２は７．２×１
０2 を意味し、他も同様である。 ２）耐擦傷性：１ｋｇ荷重下で消しゴム（ライオン社製
５０−５０）で膜表面を５０回往復後、その表面の傷の
付きを目視で判断した。評価基準は、○：傷が全く付か
ない、△：傷が多少つく、×：一部に膜剥離が生じる、
とした。 ３）鉛筆硬度：１ｋｇ荷重下において、鉛筆で膜表面を
走査し、その後目視により表面の傷の生じ始める鉛筆の
硬度を膜の鉛筆硬度と判断した。 ４）視感反射率：ＧＡＭＭＡ分光反射率スペクトル測定
器により多層膜の４００〜７００ｎｍでの視感反射率を
測定した。 ５）視感透過率：日立製作所製スペクトロフォトメータ
Ｕ−３５００により３８０〜７８０ｎｍでの視感透過率
を測定した。
【００４２】また、得られた金属微粒子の粉体体積抵抗
は４端子法により測定し、得られたゾルの平均粒径は大
塚電子製レーザ回折式粒径測定装置ＬＰＡ−３１００に
より測定した。
は４端子法により測定し、得られたゾルの平均粒径は大
塚電子製レーザ回折式粒径測定装置ＬＰＡ−３１００に
より測定した。
【００４３】［例１］三塩化ルテニウム水溶液（固形分
１０重量％）に水素化ホウ素ナトリウム液をルテニウム
に対して４倍モルの量で添加して金属ルテニウムを還元
析出させた。この金属ルテニウムを充分洗浄した後、１
００℃で２４時間乾燥を行い、金属ルテニウム粉末を得
た。この金属ルテニウム粉末をサンドミルで２０分間粉
砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は８９ｎｍで
あった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た（Ａ
液）。
１０重量％）に水素化ホウ素ナトリウム液をルテニウム
に対して４倍モルの量で添加して金属ルテニウムを還元
析出させた。この金属ルテニウムを充分洗浄した後、１
００℃で２４時間乾燥を行い、金属ルテニウム粉末を得
た。この金属ルテニウム粉末をサンドミルで２０分間粉
砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は８９ｎｍで
あった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た（Ａ
液）。
【００４４】ケイ酸エチルをエタノールに溶かし、塩酸
酸性水溶液で加水分解を行い、ＳｉＯ2 換算で５重量％
となるようエタノール溶液を調製した（Ｂ液）。Ａ液と
Ｂ液とを、Ａ液／Ｂ液＝８／２（重量比）となるように
混合し、その後超音波を１時間照射した（Ｃ液）。水、
エタノール、メタノールおよびプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルを重量比で水／エタノール／メタノー
ル／プロピレングリコールモノメチルエーテル＝５０／
４２／５／３となるよう混合した（Ｄ液）。Ｃ液をＤ液
で固形分が１．０重量％となるように希釈して本発明の
塗布液を得た（Ｅ液）。Ｅ液を１４型ブラウン管表面に
スピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本
発明の導電膜を得た。
酸性水溶液で加水分解を行い、ＳｉＯ2 換算で５重量％
となるようエタノール溶液を調製した（Ｂ液）。Ａ液と
Ｂ液とを、Ａ液／Ｂ液＝８／２（重量比）となるように
混合し、その後超音波を１時間照射した（Ｃ液）。水、
エタノール、メタノールおよびプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルを重量比で水／エタノール／メタノー
ル／プロピレングリコールモノメチルエーテル＝５０／
４２／５／３となるよう混合した（Ｄ液）。Ｃ液をＤ液
で固形分が１．０重量％となるように希釈して本発明の
塗布液を得た（Ｅ液）。Ｅ液を１４型ブラウン管表面に
スピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本
発明の導電膜を得た。
【００４５】［例２］硝酸銀水溶液（銀換算固形分１０
重量％）をアンモニア水溶液でｐＨ１１に調整し、５０
℃に保持した後、ギ酸を添加し、銀の粒子を沈殿析出さ
せた。この沈殿物を洗浄および濾過分離し、１００℃で
１２時間乾燥し、銀微粒子を得た。この銀微粒子をサン
ドミルで２．５時間粉砕した。このときの液中の粒子の
平均粒径は９２ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分
５重量％液を得た（Ｆ液）。
重量％）をアンモニア水溶液でｐＨ１１に調整し、５０
℃に保持した後、ギ酸を添加し、銀の粒子を沈殿析出さ
せた。この沈殿物を洗浄および濾過分離し、１００℃で
１２時間乾燥し、銀微粒子を得た。この銀微粒子をサン
ドミルで２．５時間粉砕した。このときの液中の粒子の
平均粒径は９２ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分
５重量％液を得た（Ｆ液）。
【００４６】イソプロポキシアセチルアセトネートチタ
ンをエタノールに溶かし、塩酸酸性水溶液で加水分解を
行い、ＴｉＯ2 換算で５重量％となるようエタノール溶
液を調製した（Ｇ液）。Ｆ液とＧ液とをＦ液／Ｇ液＝８
／２（重量比）となるように混合し、その後超音波を２
時間照射した（Ｈ液）。Ｈ液をＤ液で固形分が０．９重
量％となるように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｉ
液）。Ｉ液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で
塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得
た。
ンをエタノールに溶かし、塩酸酸性水溶液で加水分解を
行い、ＴｉＯ2 換算で５重量％となるようエタノール溶
液を調製した（Ｇ液）。Ｆ液とＧ液とをＦ液／Ｇ液＝８
／２（重量比）となるように混合し、その後超音波を２
時間照射した（Ｈ液）。Ｈ液をＤ液で固形分が０．９重
量％となるように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｉ
液）。Ｉ液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で
塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得
た。
【００４７】［例３］塩化ニッケルを水に溶解し８０℃
に保持した後水素化ナトリムを添加し、ニッケル粒子を
沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄および濾過分離し、
８０℃で２４時間乾燥し、ニッケル微粒子を得た。この
金属粒子をサンドミルで２．０時間粉砕した。このとき
の液中の粒子の平均粒径は９８ｎｍであった。その後濃
縮を行い固形分５重量％液を得た（Ｊ液）。
に保持した後水素化ナトリムを添加し、ニッケル粒子を
沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄および濾過分離し、
８０℃で２４時間乾燥し、ニッケル微粒子を得た。この
金属粒子をサンドミルで２．０時間粉砕した。このとき
の液中の粒子の平均粒径は９８ｎｍであった。その後濃
縮を行い固形分５重量％液を得た（Ｊ液）。
【００４８】ブトキシアセチルアセトネートジルコニウ
ムをエタノールに溶かし塩酸酸性水溶液で加水分解を行
い、ＺｒＯ2 換算で５重量％となるようにエタノール溶
液を調製した（Ｋ液）。Ｊ液とＫ液とを、Ｊ液／Ｋ液＝
９／１（重量比）となるように混合し、その後超音波を
４時間照射した（Ｌ液）。Ｌ液をＤ液で固形分が１．３
重量％となるように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｍ
液）。Ｍ液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で
塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得
た。
ムをエタノールに溶かし塩酸酸性水溶液で加水分解を行
い、ＺｒＯ2 換算で５重量％となるようにエタノール溶
液を調製した（Ｋ液）。Ｊ液とＫ液とを、Ｊ液／Ｋ液＝
９／１（重量比）となるように混合し、その後超音波を
４時間照射した（Ｌ液）。Ｌ液をＤ液で固形分が１．３
重量％となるように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｍ
液）。Ｍ液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で
塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得
た。
【００４９】［例４］酢酸パラジウム（パラジウム換算
固形分１０重量％）をアンモニア水でｐＨ８に調整し８
０℃に保持した溶液中に添加し、さらに水素化ホウ素カ
リウムをパラジウムに対して５倍モルの量で徐々に添加
しパラジウム粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄
および濾過分離し、１２℃で１２時間乾燥し、パラジウ
ム微粒子を得た。この微粒子をサンドミルで４．２時間
粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は７５ｎｍ
であった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た
（Ｎ液）。
固形分１０重量％）をアンモニア水でｐＨ８に調整し８
０℃に保持した溶液中に添加し、さらに水素化ホウ素カ
リウムをパラジウムに対して５倍モルの量で徐々に添加
しパラジウム粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄
および濾過分離し、１２℃で１２時間乾燥し、パラジウ
ム微粒子を得た。この微粒子をサンドミルで４．２時間
粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は７５ｎｍ
であった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た
（Ｎ液）。
【００５０】Ｂ液とＮ液とを、Ｂ液／Ｎ液＝１／９（重
量比）となるように混合し、その後超音波を１．０時間
照射した（Ｏ液）。Ｏ液をＤ液で固形分が１．２重量％
となるように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｐ液）。
Ｐ液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
量比）となるように混合し、その後超音波を１．０時間
照射した（Ｏ液）。Ｏ液をＤ液で固形分が１．２重量％
となるように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｐ液）。
Ｐ液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
【００５１】［例５］六塩化ロジウムカリウムを水／エ
タノール＝５０／５０（重量比）液に溶解し、水素化リ
チウムをロジウムに対して６倍モルの量で徐々に添加
し、ロジウム粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄
および濾過分離し、１２０℃で１２時間乾燥しロジウム
微粒子を得た。このロジウム微粒子をサンドミルで１．
８時間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は８
２ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を
得た（Ｒ液）。
タノール＝５０／５０（重量比）液に溶解し、水素化リ
チウムをロジウムに対して６倍モルの量で徐々に添加
し、ロジウム粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄
および濾過分離し、１２０℃で１２時間乾燥しロジウム
微粒子を得た。このロジウム微粒子をサンドミルで１．
８時間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は８
２ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を
得た（Ｒ液）。
【００５２】Ｋ液とＲ液とを、Ｋ液／Ｒ液＝２．５／
７．５（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．０時間照射した（Ｓ液）。Ｓ液をＤ液で固形分が
１．１重量％となるように希釈して本発明の塗布液を得
た（Ｔ液）。Ｔ液を１４型ブラウン管表面にスピンコー
ト法で塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本発明の導電
膜を得た。
７．５（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．０時間照射した（Ｓ液）。Ｓ液をＤ液で固形分が
１．１重量％となるように希釈して本発明の塗布液を得
た（Ｔ液）。Ｔ液を１４型ブラウン管表面にスピンコー
ト法で塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本発明の導電
膜を得た。
【００５３】［例６］三塩化レニウムを水／エタノール
＝７０／３０（重量比）液に溶解し、水素化ホウ素ナト
リウムをレニウムに対して８倍モルの量で徐々に添加
し、レニウム粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄
および濾過分離し、１２０℃で１２時間乾燥してレニウ
ム微粒子を得た。このレニウム微粒子をサンドミルで
２．０時間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径
は７５ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％
液を得た（Ｕ液）。
＝７０／３０（重量比）液に溶解し、水素化ホウ素ナト
リウムをレニウムに対して８倍モルの量で徐々に添加
し、レニウム粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄
および濾過分離し、１２０℃で１２時間乾燥してレニウ
ム微粒子を得た。このレニウム微粒子をサンドミルで
２．０時間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径
は７５ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％
液を得た（Ｕ液）。
【００５４】Ｇ液とＵ液とを、Ｇ液／Ｕ液＝１．５／
８．５（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．５時間照射した（Ｖ液）。Ｖ液をＤ液で固形分が
０．９重量％となるように希釈して本発明の塗布液を得
た（Ｗ液）。Ｗ液を１４型ブラウン管表面にスピンコー
ト法で塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本発明の導電
膜を得た。
８．５（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．５時間照射した（Ｖ液）。Ｖ液をＤ液で固形分が
０．９重量％となるように希釈して本発明の塗布液を得
た（Ｗ液）。Ｗ液を１４型ブラウン管表面にスピンコー
ト法で塗布し、１８０℃で３０分間加熱し本発明の導電
膜を得た。
【００５５】［例７］三塩化イリジウムを水に溶解し、
ホスフィン酸をイリジウムに対して８倍モルの量で徐々
に添加し、沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄および濾
過分離し、１２０℃で１２時間乾燥しイリジウム微粒子
を得た。このイリジウム微粒子をサンドミルで１．８時
間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は９５ｎ
ｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た
（Ｘ液）。
ホスフィン酸をイリジウムに対して８倍モルの量で徐々
に添加し、沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄および濾
過分離し、１２０℃で１２時間乾燥しイリジウム微粒子
を得た。このイリジウム微粒子をサンドミルで１．８時
間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は９５ｎ
ｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た
（Ｘ液）。
【００５６】Ｋ液とＸ液とを、Ｋ液／Ｘ液＝１／９（重
量比）となるように混合し、その後超音波を１．０時間
照射した（Ｙ液）。Ｙ液をＤ液で固形分が１．４重量％
となるように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｚ液）。
Ｚ液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
量比）となるように混合し、その後超音波を１．０時間
照射した（Ｙ液）。Ｙ液をＤ液で固形分が１．４重量％
となるように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｚ液）。
Ｚ液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
【００５７】［例８］三塩化オスミウムを水に溶解し、
水素化ホウ素カリウムをオスミウムに対して８倍モルの
量で徐々に添加し、オスミウム粒子を沈殿析出させた。
この沈殿物を洗浄および濾過分離し、１２０℃で１２時
間乾燥しオスミウム微粒子を得た。このオスミウム微粒
子をサンドミルで２．５時間粉砕した。このときの液中
の粒子の平均粒径は９８ｎｍであった。その後濃縮を行
い固形分５重量％液を得た（Ａ１液）。
水素化ホウ素カリウムをオスミウムに対して８倍モルの
量で徐々に添加し、オスミウム粒子を沈殿析出させた。
この沈殿物を洗浄および濾過分離し、１２０℃で１２時
間乾燥しオスミウム微粒子を得た。このオスミウム微粒
子をサンドミルで２．５時間粉砕した。このときの液中
の粒子の平均粒径は９８ｎｍであった。その後濃縮を行
い固形分５重量％液を得た（Ａ１液）。
【００５８】Ｂ液とＡ１液とを、Ｂ液／Ａ１液＝１／９
（重量比）となるように混合し、その後超音波を１．０
時間照射した（Ｂ１液）。Ｂ１液をＤ液で固形分が１．
５重量％となるように希釈して本発明の塗布液を得た
（Ｃ１液）。Ｃ１液を１４型ブラウン管表面にスピンコ
ート法で塗布し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導
電膜を得た。
（重量比）となるように混合し、その後超音波を１．０
時間照射した（Ｂ１液）。Ｂ１液をＤ液で固形分が１．
５重量％となるように希釈して本発明の塗布液を得た
（Ｃ１液）。Ｃ１液を１４型ブラウン管表面にスピンコ
ート法で塗布し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導
電膜を得た。
【００５９】［例９］塩化第一白金を水に溶解し、水素
化ホウ素ナトリウムを白金に対して１０倍モルの量で徐
々に添加し、白金粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を
洗浄および濾過分離し、１４０℃で１２時間乾燥し白金
微粒子を得た。この白金微粒子をサンドミルで２．５時
間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は８６ｎ
ｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た
（Ｄ１液）。
化ホウ素ナトリウムを白金に対して１０倍モルの量で徐
々に添加し、白金粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を
洗浄および濾過分離し、１４０℃で１２時間乾燥し白金
微粒子を得た。この白金微粒子をサンドミルで２．５時
間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径は８６ｎ
ｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た
（Ｄ１液）。
【００６０】Ｄ１液をＤ液で固形分が１．０重量％とな
るように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｅ１液）。Ｅ
１液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
るように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｅ１液）。Ｅ
１液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
【００６１】［例１０］２−エチルヘキサン酸スズをエ
タノールに溶解し、水素化ホウ素ナトリウムをスズに対
して５倍モルの量で徐々に添加し、スズ粒子を沈殿析出
させた。この沈殿物を洗浄および濾過分離し、１４０℃
で１２時間乾燥しスズ微粒子を得た。このスズ微粒子を
サンドミルで２．５時間粉砕した。このときの液中の粒
子の平均粒径は６５ｎｍであった。その後濃縮を行い固
形分５重量％液を得た（Ｆ１液）。
タノールに溶解し、水素化ホウ素ナトリウムをスズに対
して５倍モルの量で徐々に添加し、スズ粒子を沈殿析出
させた。この沈殿物を洗浄および濾過分離し、１４０℃
で１２時間乾燥しスズ微粒子を得た。このスズ微粒子を
サンドミルで２．５時間粉砕した。このときの液中の粒
子の平均粒径は６５ｎｍであった。その後濃縮を行い固
形分５重量％液を得た（Ｆ１液）。
【００６２】Ｇ液とＦ１液とを、Ｇ液／Ｆ１液＝１５／
８５（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．０時間照射した（Ｈ１液）。Ｈ１液をＤ液で固形分
が２．３重量％となるように希釈して本発明の塗布液を
得た（Ｉ１液）。Ｉ１液を１４型ブラウン管表面にスピ
ンコート法で塗布し、１６０℃で３０分間加熱し本発明
の導電膜を得た。
８５（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．０時間照射した（Ｈ１液）。Ｈ１液をＤ液で固形分
が２．３重量％となるように希釈して本発明の塗布液を
得た（Ｉ１液）。Ｉ１液を１４型ブラウン管表面にスピ
ンコート法で塗布し、１６０℃で３０分間加熱し本発明
の導電膜を得た。
【００６３】［例１１］塩化第一金を水に溶解し、水素
化ホウ素ナトリウムを金に対して５倍モルの量で徐々に
添加し、金粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄お
よび濾過分離し、１４０℃で１２時間乾燥し金微粒子を
得た。この金微粒子をサンドミルで４．５時間粉砕し
た。このときの液中の粒子の平均粒径は９６ｎｍであっ
た。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た（Ｊ１
液）。
化ホウ素ナトリウムを金に対して５倍モルの量で徐々に
添加し、金粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を洗浄お
よび濾過分離し、１４０℃で１２時間乾燥し金微粒子を
得た。この金微粒子をサンドミルで４．５時間粉砕し
た。このときの液中の粒子の平均粒径は９６ｎｍであっ
た。その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た（Ｊ１
液）。
【００６４】Ｊ１液をＤ液で固形分が０．８重量％とな
るように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｋ１液）。Ｋ
１液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
るように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｋ１液）。Ｋ
１液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
【００６５】［例１２］酢酸コバルトを水に溶解し、水
素化ホウ素リチウムをコバルトに対して８倍モルの量で
徐々に添加し、コバルト粒子を沈殿析出させた。この沈
殿物を洗浄および濾過分離し、１６０℃で１２時間乾燥
しコバルト微粒子を得た。このコバルト微粒子をサンド
ミルで１．５時間粉砕した。このときの液中の粒子の平
均粒径は７５ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分５
重量％液を得た（Ｌ１液）。
素化ホウ素リチウムをコバルトに対して８倍モルの量で
徐々に添加し、コバルト粒子を沈殿析出させた。この沈
殿物を洗浄および濾過分離し、１６０℃で１２時間乾燥
しコバルト微粒子を得た。このコバルト微粒子をサンド
ミルで１．５時間粉砕した。このときの液中の粒子の平
均粒径は７５ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分５
重量％液を得た（Ｌ１液）。
【００６６】Ｇ液とＬ１液とを、Ｇ液／Ｌ１液＝１０／
９０（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．０時間照射した（Ｍ１液）。Ｍ１液をＤ液で固形分
が１．２重量％となるように希釈して本発明の塗布液を
得た（Ｎ１液）。Ｎ１液を１４型ブラウン管表面にスピ
ンコート法で塗布し、１６０℃で３０分間加熱し本発明
の導電膜を得た。
９０（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．０時間照射した（Ｍ１液）。Ｍ１液をＤ液で固形分
が１．２重量％となるように希釈して本発明の塗布液を
得た（Ｎ１液）。Ｎ１液を１４型ブラウン管表面にスピ
ンコート法で塗布し、１６０℃で３０分間加熱し本発明
の導電膜を得た。
【００６７】［例１３］塩化第一クロムを水に溶解し、
水素化ホウ素カリウムをクロムに対して８倍モルの量で
徐々に添加し、クロム粒子を沈殿析出させた。この沈殿
物を洗浄および濾過分離し、１６０℃で１２時間乾燥し
クロム微粒子を得た。このクロム微粒子をサンドミルで
２．０時間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径
は８５ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％
液を得た（Ｏ１液）。
水素化ホウ素カリウムをクロムに対して８倍モルの量で
徐々に添加し、クロム粒子を沈殿析出させた。この沈殿
物を洗浄および濾過分離し、１６０℃で１２時間乾燥し
クロム微粒子を得た。このクロム微粒子をサンドミルで
２．０時間粉砕した。このときの液中の粒子の平均粒径
は８５ｎｍであった。その後濃縮を行い固形分５重量％
液を得た（Ｏ１液）。
【００６８】Ｏ１液をＤ液で固形分が１．１重量％とな
るように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｐ１液）。Ｐ
１液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
るように希釈して本発明の塗布液を得た（Ｐ１液）。Ｐ
１液を１４型ブラウン管表面にスピンコート法で塗布
し、１６０℃で３０分間加熱し本発明の導電膜を得た。
【００６９】［例１４］硝酸インジウムを水に溶解し、
水素化ホウ素カリウムをインジウムに対して４倍モルの
量で徐々に添加し、インジウム粒子を沈殿析出させた。
この沈殿物を洗浄および濾過分離し、１６０℃で１２時
間乾燥しインジウム微粒子を得た。このインジウム微粒
子をサンドミルで２．０時間粉砕した。このときの液中
の粒子の平均粒径は７９ｎｍであった。その後濃縮を行
い固形分５重量％液を得た（Ｑ１液）。
水素化ホウ素カリウムをインジウムに対して４倍モルの
量で徐々に添加し、インジウム粒子を沈殿析出させた。
この沈殿物を洗浄および濾過分離し、１６０℃で１２時
間乾燥しインジウム微粒子を得た。このインジウム微粒
子をサンドミルで２．０時間粉砕した。このときの液中
の粒子の平均粒径は７９ｎｍであった。その後濃縮を行
い固形分５重量％液を得た（Ｑ１液）。
【００７０】Ｂ液とＱ１液とを、Ｂ液／Ｑ１液＝１０／
９０（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．０時間照射した（Ｒ１液）。Ｒ１液をＤ液で固形分
が１．３重量％となるように希釈して本発明の塗布液を
得た（Ｓ１液）。Ｓ１液を１４型ブラウン管表面にスピ
ンコート法で塗布し、１６０℃で３０分間加熱し本発明
の導電膜を得た。
９０（重量比）となるように混合し、その後超音波を
１．０時間照射した（Ｒ１液）。Ｒ１液をＤ液で固形分
が１．３重量％となるように希釈して本発明の塗布液を
得た（Ｓ１液）。Ｓ１液を１４型ブラウン管表面にスピ
ンコート法で塗布し、１６０℃で３０分間加熱し本発明
の導電膜を得た。
【００７１】［例１５］イソプロパノール、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、ジアセトン
アルコールを重量比でイソプロパノール／プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート／ジアセトンア
ルコール＝６／３／１となるように混合した（Ｔ１
液）。
グリコールモノメチルエーテルアセテート、ジアセトン
アルコールを重量比でイソプロパノール／プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート／ジアセトンア
ルコール＝６／３／１となるように混合した（Ｔ１
液）。
【００７２】例１で調製したＡ液をＤ液で固形分が０．
８重量％となるように希釈し１４型ブラウン管表面にス
ピンコート法で塗布し、６０℃で１０分間乾燥させた。
その後この膜の上にＢ液をＴ１液で０．８５重量％に希
釈したものをスピンコート法で塗布し、１６０℃で３０
分間焼成し本発明の低反射導電膜を得た。
８重量％となるように希釈し１４型ブラウン管表面にス
ピンコート法で塗布し、６０℃で１０分間乾燥させた。
その後この膜の上にＢ液をＴ１液で０．８５重量％に希
釈したものをスピンコート法で塗布し、１６０℃で３０
分間焼成し本発明の低反射導電膜を得た。
【００７３】［例１６〜２７］例１５におけるＡ液を表
１に示す各液に変更した以外は例１５と同様にして本発
明の低反射導電膜を得た。
１に示す各液に変更した以外は例１５と同様にして本発
明の低反射導電膜を得た。
【００７４】
【表１】
【００７５】［例２８］アンチモンを１５重量％置換型
固溶させた酸化スズ粒子をサンドミルで１時間粉砕解膠
を行った。これに硝酸銀をＡｇ／ＳｎＯ2 ＝９／１（重
量比）となるように添加し、さらにこの液にアンモニア
を添加し、ｐＨが１１となるよう調整した。次に、この
液に銀に対して８倍モルのギ酸を添加し、１時間５０℃
に保持し、銀を還元析出させた。この液にさらに陰イオ
ン交換樹脂を添加しＮＯ3 -イオンを除去し、超音波を２
時間照射し分散させた。その後濃縮を行い固形分５重量
％液を調製した（Ｕ１液）。
固溶させた酸化スズ粒子をサンドミルで１時間粉砕解膠
を行った。これに硝酸銀をＡｇ／ＳｎＯ2 ＝９／１（重
量比）となるように添加し、さらにこの液にアンモニア
を添加し、ｐＨが１１となるよう調整した。次に、この
液に銀に対して８倍モルのギ酸を添加し、１時間５０℃
に保持し、銀を還元析出させた。この液にさらに陰イオ
ン交換樹脂を添加しＮＯ3 -イオンを除去し、超音波を２
時間照射し分散させた。その後濃縮を行い固形分５重量
％液を調製した（Ｕ１液）。
【００７６】Ｕ１液をＤ液で固形分が０．９重量％とな
るように希釈し１４型ブラウン管表面にスピンコート法
で塗布し、６０℃で１０分間乾燥させた。その後この膜
の上にＢ液をＴ１液で０．８５重量％に希釈したものを
スピンコート法で塗布し、１６０℃で３０分間焼成し本
発明の低反射導電膜を得た。
るように希釈し１４型ブラウン管表面にスピンコート法
で塗布し、６０℃で１０分間乾燥させた。その後この膜
の上にＢ液をＴ１液で０．８５重量％に希釈したものを
スピンコート法で塗布し、１６０℃で３０分間焼成し本
発明の低反射導電膜を得た。
【００７７】［例２９］スズを９重量％置換型固溶させ
た酸化インジウム粒子をサンドミルで１時間粉砕解膠を
行った。これに塩化ルテニウムをＲｕ／Ｉｎ2 Ｏ3 ＝９
／１（重量比）となるように添加し、さらにこの液に水
素化ホウ素ナトリウムをルテニウムに対して８倍モルの
量で添加し、ルテニウムを還元析出させた。この液にさ
らに陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂を順次添加し
不純物イオンを除去し、超音波を２時間照射し分散させ
た。その後濃縮を行い固形分５重量％液を調製した（Ｖ
１液）。例２８におけるＵ１液をＶ１液に変更した以外
は例２８と同様に行った。
た酸化インジウム粒子をサンドミルで１時間粉砕解膠を
行った。これに塩化ルテニウムをＲｕ／Ｉｎ2 Ｏ3 ＝９
／１（重量比）となるように添加し、さらにこの液に水
素化ホウ素ナトリウムをルテニウムに対して８倍モルの
量で添加し、ルテニウムを還元析出させた。この液にさ
らに陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂を順次添加し
不純物イオンを除去し、超音波を２時間照射し分散させ
た。その後濃縮を行い固形分５重量％液を調製した（Ｖ
１液）。例２８におけるＵ１液をＶ１液に変更した以外
は例２８と同様に行った。
【００７８】［例３０］スズを５重量％置換型固溶させ
た酸化インジウム粒子をサンドミルで１時間粉砕し、解
膠を行った。これに硝酸銀をＡｇ／Ｉｎ2 Ｏ3 ＝９／１
（重量比）となるように添加し、さらにこの液にアンモ
ニアを添加し、ｐＨが１１となるよう調整した。次に、
この液に銀に対して８倍モルのロシェル塩を添加し、１
時間撹拌し、銀を還元析出させた。この液にさらに陰イ
オン交換樹脂を添加しＮＯ3 -イオンを除去し、超音波を
２時間照射し分散させた。その後濃縮を行い固形分５重
量％液を調製した（Ｗ１液）。例２８におけるＵ１液を
Ｗ１液に変更した以外は例２８と同様に行った。
た酸化インジウム粒子をサンドミルで１時間粉砕し、解
膠を行った。これに硝酸銀をＡｇ／Ｉｎ2 Ｏ3 ＝９／１
（重量比）となるように添加し、さらにこの液にアンモ
ニアを添加し、ｐＨが１１となるよう調整した。次に、
この液に銀に対して８倍モルのロシェル塩を添加し、１
時間撹拌し、銀を還元析出させた。この液にさらに陰イ
オン交換樹脂を添加しＮＯ3 -イオンを除去し、超音波を
２時間照射し分散させた。その後濃縮を行い固形分５重
量％液を調製した（Ｗ１液）。例２８におけるＵ１液を
Ｗ１液に変更した以外は例２８と同様に行った。
【００７９】［例３１］塩化スズと塩化アンチモンとを
Ｓｎ／Ｓｂ＝８５／１５（重量比）となるように混合し
アンモニア水でｐＨ１０に調整し５０℃に保持した溶液
中に添加し、混合粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を
洗浄炉別し、１００℃で１２時間乾燥後。６５０℃にて
３時間大気下で焼成し、アンチモンドープ酸化スズ微粒
子を得た。この微粒子をサンドミルで２時間粉砕した。
このときの液中の粒子の平均粒径は６５ｎｍであった。
その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た。
Ｓｎ／Ｓｂ＝８５／１５（重量比）となるように混合し
アンモニア水でｐＨ１０に調整し５０℃に保持した溶液
中に添加し、混合粒子を沈殿析出させた。この沈殿物を
洗浄炉別し、１００℃で１２時間乾燥後。６５０℃にて
３時間大気下で焼成し、アンチモンドープ酸化スズ微粒
子を得た。この微粒子をサンドミルで２時間粉砕した。
このときの液中の粒子の平均粒径は６５ｎｍであった。
その後濃縮を行い固形分５重量％液を得た。
【００８０】この液をＤ液で固形分１．２重量％に希釈
し、１４型ブラウン管表面にスピンコートした。さらに
この膜の上にＢ液をＵ１液で０．９重量％に希釈したも
のをスピンコート法で塗布し、１６０℃で２０分間焼成
し２層膜を得た。
し、１４型ブラウン管表面にスピンコートした。さらに
この膜の上にＢ液をＵ１液で０．９重量％に希釈したも
のをスピンコート法で塗布し、１６０℃で２０分間焼成
し２層膜を得た。
【００８１】［例３２］スズを５重量％置換型固溶させ
た酸化インジウム粒子をサンドミルで１時間粉砕し、解
膠を行った。これに硝酸銀をＡｇ／Ｉｎ2 Ｏ3 ＝５／９
５（重量比）となるように添加し、さらにこの液にアン
モニアを添加し、ｐＨが１１となるよう調整した。次
に、この液に銀に対して８倍モルのロシェル塩を添加
し、１時間撹拌し、銀を還元析出させた。この液にさら
に陰イオン交換樹脂を添加しＮＯ3 -イオンを除去し、超
音波を２時間照射し分散させた。その後濃縮を行い固形
分５重量％液を調製した（Ｘ１液）。例２８におけるＵ
１液をＸ１液に変更した以外は例２８と同様に行った。
た酸化インジウム粒子をサンドミルで１時間粉砕し、解
膠を行った。これに硝酸銀をＡｇ／Ｉｎ2 Ｏ3 ＝５／９
５（重量比）となるように添加し、さらにこの液にアン
モニアを添加し、ｐＨが１１となるよう調整した。次
に、この液に銀に対して８倍モルのロシェル塩を添加
し、１時間撹拌し、銀を還元析出させた。この液にさら
に陰イオン交換樹脂を添加しＮＯ3 -イオンを除去し、超
音波を２時間照射し分散させた。その後濃縮を行い固形
分５重量％液を調製した（Ｘ１液）。例２８におけるＵ
１液をＸ１液に変更した以外は例２８と同様に行った。
【００８２】
【表２】
【００８３】
【表３】
【００８４】
【発明の効果】本発明によれば、スプレーまたはスピン
コートなどの簡便な方法により効率よく優れた導電膜を
提供できる。本発明は金属微粒子による導電膜を提供す
るため、電磁波を容易にシールドでき、かつ比較的安価
に製造できる。とくにＣＲＴのパネルフェイス面などの
大面積の基体にも充分適用でき、量産も可能であるため
工業的価値は非常に高い。
コートなどの簡便な方法により効率よく優れた導電膜を
提供できる。本発明は金属微粒子による導電膜を提供す
るため、電磁波を容易にシールドでき、かつ比較的安価
に製造できる。とくにＣＲＴのパネルフェイス面などの
大面積の基体にも充分適用でき、量産も可能であるため
工業的価値は非常に高い。
フロントページの続き (72)発明者 廣谷 真奈美 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 森本 剛 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒ、ＡｕおよびＩｎか
らなる群から選ばれる１種以上の金属微粒子が分散した
ゾルを含み、かつ導電膜形成成分の１０重量部以上が該
金属微粒子となるように調製された導電膜形成用塗布
液。 - 【請求項２】金属微粒子が、平均粒径１００ｎｍ以下で
ある請求項１の導電膜形成用塗布液。 - 【請求項３】さらにＳｎ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａ
ｕおよびＲｕからなる群から選ばれる１種以上の金属の
酸化物微粒子が分散したゾルを含む請求項１または２の
導電膜形成用塗布液。 - 【請求項４】さらにＳｉ、ＴｉまたはＺｒのアルコキシ
ドおよび／またはそれらの部分加水分解物を含む請求項
１、２または３の導電膜形成用塗布液。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４の導電膜形成用
塗布液から形成される導電膜をガラス基体上に有するガ
ラス物品。 - 【請求項６】請求項１、２、３または４の導電膜形成用
塗布液から形成される導電膜をブラウン管表面に有する
ブラウン管。 - 【請求項７】請求項１、２、３または４の導電膜形成用
塗布液から形成される導電膜上に、該導電膜より低屈折
率の膜が形成されてなる低反射導電膜。 - 【請求項８】基体上に請求項７の低反射導電膜が形成さ
れてなるガラス物品。 - 【請求項９】ブラウン管表面に請求項７の低反射導電膜
が形成されてなるブラウン管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14751496A JP3473272B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 導電膜形成用塗布液および導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14751496A JP3473272B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 導電膜形成用塗布液および導電膜 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30757899A Division JP3315673B2 (ja) | 1996-06-10 | 1999-10-28 | 導電膜付きブラウン管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH101777A true JPH101777A (ja) | 1998-01-06 |
| JP3473272B2 JP3473272B2 (ja) | 2003-12-02 |
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ID=15432069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14751496A Ceased JP3473272B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 導電膜形成用塗布液および導電膜 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3473272B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1083525A2 (en) | 1999-09-03 | 2001-03-14 | Sanyo Electric Co. Ltd | Coin dispensing apparatus |
| KR20010051016A (ko) * | 1999-11-11 | 2001-06-25 | 김순택 | 투명도전막 형성용 조성물 및 이로부터 형성된투명도전막을 구비하고 있는 표시소자 |
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