CN109402635B - 透明导电电极的制备方法 - Google Patents

透明导电电极的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109402635B
CN109402635B CN201811274747.0A CN201811274747A CN109402635B CN 109402635 B CN109402635 B CN 109402635B CN 201811274747 A CN201811274747 A CN 201811274747A CN 109402635 B CN109402635 B CN 109402635B
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
silver
conductive layer
pretreatment
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811274747.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109402635A (zh
Inventor
孟祥浩
顾杨
潘克菲
高绪彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuovo Film Inc
Original Assignee
Nuovo Film Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuovo Film Inc filed Critical Nuovo Film Inc
Priority to CN201811274747.0A priority Critical patent/CN109402635B/zh
Publication of CN109402635A publication Critical patent/CN109402635A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109402635B publication Critical patent/CN109402635B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明提供了一种透明导电电极的制备方法，包括如下步骤：在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜；在银纳米线导电膜上涂布基质，所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层；将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方，被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域；采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理，增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量，同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐；采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理，构成第二区域。该方法通过预处理液对传导层进行处理，增加银纳米线的裸露数量；同时将银纳米线表面形成难溶性银盐，降低银的氧化电位，以降低银纳米线的蚀刻条件，从而降低后续工艺的蚀刻痕。

Description

透明导电电极的制备方法
技术领域
本发明涉及透明导电电极制备领域，尤其涉及一种透明导电电极的制备方法。
背景技术
银纳米线透明导电膜具有柔性特征，因此，在柔性显示、触控传感器、太阳能电池、可穿戴设备等领域具有广泛的应用。
在上述应用中，需要对银纳米线构成的导电层进行图案化处理加工，具体可以通过干法，例如激光刻蚀；湿法，例如喷墨打印蚀刻剂、丝印蚀刻膏以及蚀刻液实现加工。其中湿法蚀刻相较于激光蚀刻在生产效率上更有优势，特别是黄光蚀刻工艺可以通过卷对卷作业，能够大大提高产量。
但是湿法蚀刻是通过化学试剂与银纳米线反应，可能会导致蚀刻区银纳米线密度下降、直径变细或者长度变短，从而产生蚀刻区与非蚀刻区的外观对比，影响最终产品的光学性能。
有鉴于此，有必要提供一种改进的纳米银蚀刻液及其制备方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低蚀刻痕的透明导电电极的制备方法。
为实现上述发明目的，本发明提供了一种透明导电电极的制备方法，包括如下步骤：在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜；在银纳米线导电膜上涂布基质，所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层；将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方，被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域；采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理，增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量，同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐；采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理，构成第二区域。
作为本发明的进一步改进，所述预处理液包括：80～99.9％溶剂、0.1～10％预处理剂，0.1～1％pH调节剂，0.1～1％表面活性剂。
作为本发明的进一步改进，所述预处理剂为能够与银离子形成难溶性盐的试剂，所述预处理剂为氯化钠、氯化钾、溴化钠、溴化钾、碘化钠、碘化钾、氰化钠、氰化钾、硫氰化钠、硫氰化钾、硫化钠、硫化钾中的一种或多种的混合；或所述预处理剂为含有巯基的有机物，含有巯基的有机物为乙硫醇、十二硫醇、1,3-丙二硫醇、半胱氨酸、或谷胱甘肽，或所述预处理剂为能够螯合银粒子的有机物，能够螯合银粒子的有机物为苯并三氮唑、或乙二胺四乙酸。
作为本发明的进一步改进，采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理具体为：通过丝网印刷工艺将可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液涂布于预处理剂处理后的传导层，然后对传导层进行加热，加热温度为30℃～150℃，加热时间为1分钟～60分钟。
作为本发明的进一步改进，所述可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液由蚀刻母液加入1％～20％的填料构成；所述蚀刻母液包括：80％～99.9％溶剂、0.1％～10％蚀刻剂，0.1％～1％pH调节剂，0.1％～1％表面活性剂；所述填料为惰性无机物，所述惰性无机物为气相二氧化硅、或膨润土、或硫酸钡；或所述填料为惰性有机高分子，所述惰性有机高分子为PVP、或羟基纤维素。
作为本发明的进一步改进，采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理具体为：通过喷墨打印工艺将可采用喷墨打印工艺涂布的蚀刻液涂布于预处理剂处理后的传导层，然后对传导层进行加热，加热温度为30℃～120℃，加热时间为1～30分钟。
作为本发明的进一步改进，所述可采用喷墨打印工艺涂布的蚀刻液由蚀刻母液加入含量0％～90％的稀释剂构成；所述蚀刻母液包括：80％～99.9％溶剂、0.1％～10％蚀刻剂，0.1％～1％pH调节剂，0.1％～1％表面活性剂；所述稀释剂为水或醇类，所述醇类为甲醇、乙醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的一种或多种的混合。
作为本发明的进一步改进，采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理具体为：通过黄光工艺将可采用黄光工艺涂布的蚀刻液涂布于预处理剂处理后的传导层，黄光蚀刻工艺的蚀刻温度为30℃～60℃，蚀刻时间为15秒～240秒。
作为本发明的进一步改进，所述可采用黄光工艺涂布的蚀刻液由蚀刻母液含量1～90％的稀释剂构成，所述蚀刻母液包括：80％～99.9％溶剂、0.1％～10％蚀刻剂，0.1％～1％pH调节剂，0.1％～1％表面活性剂；所述稀释剂为水或醇类，所述醇类为甲醇、乙醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的一种或多种的混合。
作为本发明的进一步改进，采用预处理液、蚀刻液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理，具体为：将预处理液直接加入到黄光工艺的显影液中，显影温度为30～60℃、显影时间为15～240秒；然后将可采用黄光工艺涂布的蚀刻液涂布于经过预处理液处理后的传导层，黄光蚀刻工艺的蚀刻温度为30℃～60℃，蚀刻时间为15秒～240秒。
作为本发明的进一步改进，所述可采用黄光工艺涂布的蚀刻液由蚀刻母液含量1～90％的稀释剂构成，所述蚀刻母液包括：80％～99.9％溶剂、0.1％～10％蚀刻剂，0.1％～1％pH调节剂，0.1％～1％表面活性剂；所述稀释剂为水或醇类，所述醇类为甲醇、乙醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的一种或多种的混合。
作为本发明的进一步改进，所述蚀刻剂为具有金属阳离子的盐，具有金属阳离子的盐为Fe3+、Cu2+组成的盐中的一种或多种；或所述蚀刻剂为无机氧化物，所述无机氧化物为次氯酸根、高氯酸根、重铬酸根、高锰酸根组成的盐中的一种或多种；或所述蚀刻剂为无机过氧化物，所述无机过氧化物为双氧水、金属过氧化物、过硫酸盐中的一种或多种；或所述蚀刻剂为有机氧化剂，所述有机氧化剂为过氧化氢异丙苯、过氧化二叔丁基、过乙酸、过氧化苯甲酰中的一种或多种。
作为本发明的进一步改进，溶剂为水或醇类，醇类为甲醇、乙醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的一种或多种的混合。
作为本发明的进一步改进，pH调节剂为无机酸，无机酸为硝酸、硫酸、盐酸和磷酸中的一种或多种；或pH调节剂为有机酸，有机酸为甲酸、乙酸、丙酸、草酸、柠檬酸、乳酸中的一种或多种；或pH调节剂为无机碱，无机碱为氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或多种；或pH调节剂为强碱弱酸盐，强碱弱酸盐为碳酸钠、碳酸钾、磷酸钠、磷酸钾、乙酸钠、乙酸钾、草酸钠、草酸钾中的一种或多种。
作为本发明的进一步改进，表面活性剂是阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性离子表面活性剂及非离子表面活性剂中的一种或几种的混合物。
本发明的有益效果是：本发明的透明导电电极的制备方法，通过预处理液对传导层进行处理，溶解或部分溶解所述基质，增加银纳米线的裸露数量；同时将银纳米线表面形成难溶性银盐，降低银的氧化电位，以降低银纳米线的蚀刻条件，从而降低后续工艺的蚀刻痕，使得第一区域与第二区域的光学性质差异较小，且在外观上的视觉差异非常小，由其制备的显示屏外观基本一致。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合具体实施例对本发明进行详细描述。
本发明旨在提供一种透明导电电极的制备方法，包括如下步骤：在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜；在银纳米线导电膜上涂布基质，所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层；将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方；被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域；采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理，增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量，同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐；采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理，构成第二区域。
其中，所用到的基板的材料为玻璃，或者为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸酯、聚碳酸酯等聚酯，或者为聚酰亚胺，或者为EPR、SBR、EPDM等合成橡胶，或者为聚二甲基硅氧烷硅氧烷等含硅化合物。
所述银纳米线采用现有技术中的方法合成，于此不再赘述。
所述基质主要为光学透明的聚合物，适当的聚合物基质的实例包括但不限于：聚甲基丙烯酸酯(例如聚甲基丙烯酸甲酯)、聚丙烯酸酯和聚丙烯腈的聚丙烯酸化物、聚乙烯醇、聚酯(例如，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸酯和聚碳酸酯)、诸如酚醛塑料或甲酚-甲醛的具有高度芳香性的聚合物、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺-酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚硫化物、聚砜、聚亚苯基、聚苯醚、聚氨酯(PU)、环氧、聚烯烃(例如聚丙烯、聚甲基戊烯和环烯烃)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、纤维素、硅酮及其它含硅的聚合物(例如聚倍半硅氧烷和聚硅烷)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙酸酯、聚降冰片烯、合成橡胶(例如EPR、SBR、EPDM)、含氟聚合物(例如聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯)。
所述掩膜板可以为现有技术中用到的各种掩膜板，例如：金属材质的掩膜板或由光刻胶形成的掩膜板等，于此不再赘述。
在传导层制作完成后，裸露在基质之外的银纳米线的数量不可控，且银纳米线在基质外的裸露部分不确定，可能为银纳米线的两端，也可能为银纳米线的中间部分。本发明通过预处理液对传导层进行处理，溶解或部分溶解所述基质，增加银纳米线的裸露数量；同时将银纳米线表面形成难溶性银盐，降低银的氧化电位，以降低银纳米线的蚀刻条件，从而降低后续工艺的蚀刻痕。
本领域技术人员可以理解的是：所述难溶性银盐是指在25℃条件下，沉淀平衡常数Ksp＜1*10-10。例如将银转化成氯化银，银的氧化还原电位是Ag+e-＝Ag+E＝0.799eV，而AgCl+e-＝Ag+Cl-E＝0.222eV，所以更容易被氧化，降低所需的蚀刻条件，从而降低后续工艺的蚀刻痕。
所述预处理液包括：80～99.9％溶剂、0.1～10％预处理剂，0.1～1％pH调节剂，0.1～1％表面活性剂。
其中，溶剂为水或醇类，醇类为甲醇、乙醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的一种或多种的混合。通过该溶剂可以溶解或部分溶解所述基质，增加银纳米线的裸露数量，便于在蚀刻过程中进行蚀刻。
所述预处理剂为能够与银离子形成难溶性盐的试剂，目的是降低Ag的氧化点位，在预处理的这一工艺步骤中，难溶性银盐仍保留在原银纳米线表面。具体地，所述预处理剂为氯化钠、氯化钾、溴化钠、溴化钾、碘化钠、碘化钾、氰化钠、氰化钾、硫氰化钠、硫氰化钾、硫化钠、硫化钾中的一种或多种的混合；或所述预处理剂为含有巯基的有机物，含有巯基的有机物为乙硫醇、十二硫醇、1,3-丙二硫醇、半胱氨酸、或谷胱甘肽，或所述预处理剂为能够螯合银粒子的有机物，能够螯合银粒子的有机物为苯并三氮唑、或乙二胺四乙酸。
金属原子的价电子比较少，容易失去电子变成金属阳离子，释放出的价电子在整个晶体中可以自由移动，成为自由电子从而体现导电性；而平常状态阳离子和自由电子保持平衡，所以不显电性；但在溶剂中，所有的金属表面都伴随微量的金属离子。例如在溶剂中，银纳米线表面会有微量的银离子，所述预处理剂能够与这微量的银离子反应生成难溶性银盐而保留在原银纳米线附近。
pH调节剂为无机酸，无机酸为硝酸、硫酸、盐酸和磷酸中的一种或多种；或pH调节剂为有机酸，有机酸为甲酸、乙酸、丙酸、草酸、柠檬酸、乳酸中的一种或多种；或pH调节剂为无机碱，无机碱为氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或多种；或pH调节剂为强碱弱酸盐，强碱弱酸盐为碳酸钠、碳酸钾、磷酸钠、磷酸钾、乙酸钠、乙酸钾、草酸钠、草酸钾中的一种或多种。
表面活性剂是阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性离子表面活性剂及非离子表面活性剂中的一种或几种的混合物。
采用所述蚀刻液处理预处理剂处理后的传导层，具体工艺包括：喷墨打印工艺、丝网印刷工艺、黄光工艺。各种工艺使用的蚀刻液分别为：可采用喷墨打印工艺涂布的蚀刻液、可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液、可采用黄光工艺涂布的蚀刻液。
本发明的各种蚀刻液由蚀刻母液混合各自工艺需要的添加剂构成；所述蚀刻母液包括：80％～99.9％溶剂、0.1％～10％蚀刻剂，0.1％～1％pH调节剂，0％～1％表面活性剂。
其中，蚀刻剂为带有氧化性质的试剂，所述蚀刻剂为具有金属阳离子的盐，具有金属阳离子的盐为Fe3+、Cu2+组成的盐中的一种或多种；或所述蚀刻剂为无机氧化物，所述无机氧化物为次氯酸根、高氯酸根、重铬酸根、高锰酸根组成的盐中的一种或多种；或所述蚀刻剂为无机过氧化物，所述无机过氧化物为双氧水、金属过氧化物、过硫酸盐中的一种或多种；或所述蚀刻剂为有机氧化剂，所述有机氧化剂为过氧化氢异丙苯、过氧化二叔丁基、过乙酸、过氧化苯甲酰中的一种或多种。
蚀刻剂机理在于：蚀刻剂用于氧化零价银，而难溶性银盐的氧化电位0.222eV比单质银氧化电位0.799eV更低，更容易氧化形成一价银，电导性能大幅度降低，从而失去导电性，达到“蚀刻”的目的。
蚀刻母液与预处理液的溶剂、pH调节剂、表面活性剂的选择范围均相同。
溶剂为水或醇类，醇类为甲醇、乙醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的一种或多种的混合。
pH调节剂为无机酸，无机酸为硝酸、硫酸、盐酸和磷酸中的一种或多种；或pH调节剂为有机酸，有机酸为甲酸、乙酸、丙酸、草酸、柠檬酸、乳酸中的一种或多种；或pH调节剂为无机碱，无机碱为氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或多种；或pH调节剂为强碱弱酸盐，强碱弱酸盐为碳酸钠、碳酸钾、磷酸钠、磷酸钾、乙酸钠、乙酸钾、草酸钠、草酸钾中的一种或多种。
表面活性剂是阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性离子表面活性剂及非离子表面活性剂中的一种或几种的混合物。
所述喷墨印刷蚀刻液由上述蚀刻母液加入含量0.1～90％的稀释剂构成，所述稀释剂可以是水，也可以使醇类如甲醇、乙醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的一种或多种的混合。
喷墨印刷工艺具体为：预处理后的传导层上通过喷墨印刷工艺涂布喷墨印刷蚀刻液，然后对传导层进行加热以加速蚀刻效果；加热温度为30℃～120℃，加热时间为1～30分钟。
于一具体参考实施例中，蚀刻母液包括蚀刻剂高锰酸钾5％，溶剂去离子水90％和乙二醇10％，pH调节剂硫酸0.5％。取10份蚀刻母液及70份乙二醇、20份聚乙二醇得到可用于喷墨打印的可采用喷墨打印工艺涂布的蚀刻液。将可采用喷墨打印工艺涂布的蚀刻液打印于预处理后的传导层表面后，设定加热温度为30℃～120℃，加热时间为1分钟～30分钟，加速蚀刻效果。
所述可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液由上述蚀刻母液加入1～20％的填料得到可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液，填料可参考CN201710708988中的惰性无机物：气相二氧化硅、膨润土、硫酸钡等；或惰性有机高分子：PVP、羟基纤维素等。丝网印刷工艺具体为：预处理后的传导层上通过丝网印刷工艺涂布可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液，然后对传导层进行加热以加速蚀刻效果，加热温度为30℃～150℃，加热时间为1分钟～60分钟。
于一具体参考实施例中，蚀刻母液包括蚀刻剂高锰酸钾5％，溶剂去离子水90％和乙二醇10％，pH调节剂硫酸0.5％。取10份蚀刻母液，10份二氧化硅，20份PVP，30份乙二醇，30份聚乙二醇混合得到可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液。将该可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液丝印于预处理后的传导层表面后，设定加热温度为30℃～150℃，加热时间为1分钟～60分钟，加速蚀刻效果。
所述可采用黄光工艺涂布的蚀刻液由上述蚀刻母液加入含量1～90％的稀释剂构成，所述稀释剂为水或醇类，所述醇类为甲醇、乙醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的一种或多种的混合。
黄光蚀刻工艺的蚀刻温度为30℃～60℃，蚀刻时间为15秒～240秒。
具体地，可以在黄光工艺蚀刻前通过预处理液对传导层进行预处理，也可以将预处理液直接加入到黄光工艺的显影液中，不必增加蚀刻槽；显影温度为30～60℃、显影时间为15～240秒。
于第一黄光蚀刻实施例中，蚀刻母液包括蚀刻剂高锰酸钾5％，溶剂去离子水90％和乙二醇10％，pH调节剂硫酸0.5％。取10份蚀刻组合物及90份去离子水得到可采用黄光工艺涂布的蚀刻液。
将带有干膜的银纳米线导电膜分别经过曝光、显影后过蚀刻液。其中显影液处理温度为30℃，显影时间为2分钟；蚀刻液处理温度为30℃，蚀刻时间为2分钟；导电膜被蚀刻前后的光学及方阻参数如下：
a* b* 雾度(％) 透过率(％) 方阻Ω/□
蚀刻前 -0.217 1.67 1.35 90.46％ 45.0
蚀刻后 -0.233 1.209 0.92 90.91％ 3672.2
表格中，a*表示色差，当a*数值较大时代表颜色较红的或少绿的，但为负值偏小时代表较绿的或少红的；b*表示色差，b*数值较大时代表颜色偏黄或少蓝色，负值较小时代表颜色偏蓝或少黄色。
于第二黄光蚀刻实施例中，蚀刻母液包括蚀刻剂高锰酸钾5％，溶剂去离子水90％和乙二醇10％，pH调节剂硫酸0.5％。取10份蚀刻母液及90份去离子水得到可采用黄光工艺涂布的蚀刻液。
预处理液包括0.1％硫化钠，1％碳酸钠，1％草酸钾、98份去离子水；将该预处理液直接作为黄光工艺的显影液使用。
将带有干膜的银纳米线导电膜分别经过曝光、显影后过蚀刻液。其中显影液处理温度为30℃，显影时间为2分钟。蚀刻液处理温度为30℃，蚀刻时间为2分钟。相较于上第一黄光蚀刻实施例，蚀刻后雾度变化更小，电阻变化更大，具体导电膜被蚀刻前后的光学及方阻参数如下：
a* b* 雾度(％) 透过率(％) 方阻Ω/□
蚀刻前 -0.208 1.681 1.36 90.43 45.0
蚀刻后 -0.268 1.446 1.08 90.7 大于10k
综上所述，本发明的透明导电电极的制备方法，通过预处理液对传导层进行处理，溶解或部分溶解所述基质，增加银纳米线的裸露数量；同时将银纳米线表面形成难溶性银盐，降低银的氧化电位，以降低银纳米线的蚀刻条件，从而降低后续工艺的蚀刻痕，使得第一区域与第二区域的光学性质差异较小，且在外观上的视觉差异非常小，由其制备的显示屏外观基本一致。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.一种透明导电电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜；
在银纳米线导电膜上涂布基质，所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层；
将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方，被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域；
采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理，增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量，同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐；
采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理，构成第二区域。
2.根据权利要求1所述的透明导电电极的制备方法，其特征在于：所述预处理液中包括预处理剂，所述预处理剂为能够与银离子形成难溶性盐的试剂，所述预处理剂为氯化钠、氯化钾、溴化钠、溴化钾、碘化钠、碘化钾、氰化钠、氰化钾、硫氰化钠、硫氰化钾、硫化钠、硫化钾中的一种或多种的混合；或所述预处理剂为含有巯基的有机物，含有巯基的有机物为乙硫醇、十二硫醇、1,3-丙二硫醇、半胱氨酸、或谷胱甘肽，或所述预处理剂为能够螯合银粒子的有机物，能够螯合银粒子的有机物为苯并三氮唑、或乙二胺四乙酸。
3.根据权利要求1所述的透明导电电极的制备方法，其特征在于：采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理具体为：通过丝网印刷工艺将可采用丝网印刷工艺涂布的蚀刻液涂布于预处理剂处理后的传导层，然后对传导层进行加热，加热温度为30℃～150℃，加热时间为1分钟～60分钟。
4.根据权利要求1所述的透明导电电极的制备方法，其特征在于：采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理具体为：通过喷墨打印工艺将可采用喷墨打印工艺涂布的蚀刻液涂布于预处理剂处理后的传导层，然后对传导层进行加热，加热温度为30℃～120℃，加热时间为1～30分钟。
5.根据权利要求1所述的透明导电电极的制备方法，其特征在于：采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理具体为：通过黄光工艺将可采用黄光工艺涂布的蚀刻液涂布于预处理剂处理后的传导层，黄光蚀刻工艺的蚀刻温度为30℃～60℃，蚀刻时间为15秒～240秒。
6.根据权利要求1所述的透明导电电极的制备方法，其特征在于：采用预处理液、蚀刻液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理，具体为：将预处理液直接加入到黄光工艺的显影液中，或将预处理液作为黄光工艺的显影液使用，显影温度为30～60℃、显影时间为15～240秒；然后将可采用黄光工艺涂布的蚀刻液涂布于经过预处理液处理后的传导层，黄光蚀刻工艺的蚀刻温度为30℃～60℃，蚀刻时间为15秒～240秒。
CN201811274747.0A 2018-10-30 2018-10-30 透明导电电极的制备方法 Active CN109402635B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811274747.0A CN109402635B (zh) 2018-10-30 2018-10-30 透明导电电极的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811274747.0A CN109402635B (zh) 2018-10-30 2018-10-30 透明导电电极的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109402635A CN109402635A (zh) 2019-03-01
CN109402635B true CN109402635B (zh) 2021-02-09

Family

ID=65469644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811274747.0A Active CN109402635B (zh) 2018-10-30 2018-10-30 透明导电电极的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109402635B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112852429B (zh) * 2021-01-08 2022-09-09 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 一种银金属薄膜层蚀刻液及其制备、应用
CN113488287A (zh) * 2021-07-22 2021-10-08 苏州诺菲纳米科技有限公司 一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101292362A (zh) * 2005-08-12 2008-10-22 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体
CN103258596A (zh) * 2013-04-27 2013-08-21 苏州诺菲纳米科技有限公司 导电薄膜的消影方法
CN105441949A (zh) * 2016-01-26 2016-03-30 苏州诺菲纳米科技有限公司 纳米银蚀刻液、制备图案化的纳米银导电膜的方法及触控传感器
CN106527064A (zh) * 2016-12-02 2017-03-22 天津宝兴威科技股份有限公司 一种应用于黄光工艺的显影液及其显影工艺
CN106909258A (zh) * 2015-12-23 2017-06-30 汉思高电子科技（义乌）有限公司 一种触摸屏功能片引线的结构及其制作方法
CN107557787A (zh) * 2017-08-17 2018-01-09 苏州诺菲纳米科技有限公司 用于纳米银导电膜的蚀刻液及图案化纳米银导电膜的制备方法
CN107808708A (zh) * 2017-12-06 2018-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 纳米银透明导电膜及其制备方法和触摸屏

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101292362A (zh) * 2005-08-12 2008-10-22 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体
CN103258596A (zh) * 2013-04-27 2013-08-21 苏州诺菲纳米科技有限公司 导电薄膜的消影方法
CN106909258A (zh) * 2015-12-23 2017-06-30 汉思高电子科技（义乌）有限公司 一种触摸屏功能片引线的结构及其制作方法
CN105441949A (zh) * 2016-01-26 2016-03-30 苏州诺菲纳米科技有限公司 纳米银蚀刻液、制备图案化的纳米银导电膜的方法及触控传感器
CN106527064A (zh) * 2016-12-02 2017-03-22 天津宝兴威科技股份有限公司 一种应用于黄光工艺的显影液及其显影工艺
CN107557787A (zh) * 2017-08-17 2018-01-09 苏州诺菲纳米科技有限公司 用于纳米银导电膜的蚀刻液及图案化纳米银导电膜的制备方法
CN107808708A (zh) * 2017-12-06 2018-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 纳米银透明导电膜及其制备方法和触摸屏

Also Published As

Publication number Publication date
CN109402635A (zh) 2019-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109402635B (zh) 透明导电电极的制备方法
JP4923904B2 (ja) 親水性および／または親油性の異なる領域を同一表面上に備える基板を生産する方法
CN103069502A (zh) 使用金属纳米线的透明导体的蚀刻构图
KR101324104B1 (ko) 그라핀 필름 및 패턴 제조 방법
KR101630032B1 (ko) 산화제 전구체를 함유한 수성 에칭제 조성 및 도전성 회로 패턴 형성 방법
KR20100048144A (ko) 금속막 에칭액 조성물
US10294422B2 (en) Etching compositions for transparent conductive layers comprising silver nanowires
CN109830327B (zh) 一种透明导电电极的制备方法
Kim et al. Novel patterning of flexible and transparent Ag nanowire electrodes using oxygen plasma treatment
US20160334918A1 (en) Thin-film transistor, array substrate and fabrication method, and display device
EP2510546A2 (en) Electronic device
US20090050601A1 (en) Inert gas etching
TW201628855A (zh) 附有膜之玻璃板、觸控感測器、膜及附有膜之玻璃板之製造方法
CN105070650A (zh) 梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法
KR101507065B1 (ko) 높은 분산 안정성을 지니는 부분적으로 환원된 그래핀 용액 및 이를 이용하여 제조된 코팅잉크
WO2021031368A1 (zh) 显示面板及其制备方法和终端
KR20090095181A (ko) 금속배선 형성용 식각액 조성물, 이 조성물을 이용한도전막의 패터닝 방법 및 평판 표시 장치의 제조방법
US8029852B2 (en) Contact printing oxide-based electrically active micro-features
KR101453088B1 (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
JP2016111360A (ja) 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法
KR102599939B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
CN105070685A (zh) 梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法
US10923347B2 (en) Metal oxide film and manufacturing method thereof, thin film transistor and array substrate
CN108445676B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
EP3051596A1 (en) Method for modifying cdte layer of cdte thin-layer solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant