JP2002322558A - 薄膜形成方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 連続処理に適しており、安価に多層の薄膜を
均一に形成する方法を提供し、更にこの方法で表面に薄
膜を形成した光学フィルム、これを用いた偏光板や画像
表示装置を提供する。 【解決手段】 裏面の動摩擦係数が０．９以下である基
材フィルム、抗張力が１．４×１０²Ｎ／ｍｍ²以上の基
材フィルム、水分率が４％以下の基材フィルム、あるい
は金属支持体からウェブを剥離後幅方向に延伸した基材
フィルムの表面に、大気圧もしくは大気圧近傍の圧力下
にある電極間隙に反応ガスを供給しながらプラズマ放電
処理をすることを特徴とする薄膜形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基材フィルム表面
に薄膜を形成する方法及び薄膜を有する光学フィルムに
関し、より詳しくは大気圧または大気圧近傍の圧力下で
プラズマ放電処理を利用して基材フィルム表面に薄膜を
形成する方法、薄膜が形成された光学フィルムに関し、
特に、液晶画像表示装置、各種ディスプレイ装置、有機
ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ等に使用され
る光学フィルム、それを用いた偏光板、あるいはそれら
を用いた画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学レンズ、ＣＲＴ、コンピュータやワ
ープロの液晶画像表示装置等の分野を中心に、透過率、
コントラストの向上、映り込み低減のために表面反射を
減少させる反射防止技術が従来より提案されている。反
射防止技術には、光学干渉層として積層する多層の屈折
率と光学膜厚を適当な値に調整することにより、積層体
と空気界面における光の反射を減らせることが知られて
いる。このような多層積層体は、高屈折率層としてＴｉ
Ｏ₂、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等を、また低屈折率材料として
は、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂等を積層して製作されており、こ
れらはスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーテ
ィング法等の真空を用いた乾式製膜法によって製作され
ている。しかし、このような真空装置は処理基材フィル
ムが大きくなると、製膜装置が非常に大型化するため、
装置が非常に高額になる他、真空排気にも非常に時間を
費やし、生産性が上げられない、また連続生産が出来な
い等のデメリットが大きい。

【０００３】また、別の反射防止層の作製方法として、
チタンアルコキシドやシランアルコキシドに代表される
金属アルコキシドを基材フィルムの表面に塗布、乾燥、
加熱して金属酸化物の膜を作製する方法が行われてい
る。しかし、この方法では加熱温度が３００℃という高
い温度が必要で基材フィルムにダメージを与えてしま
い、また特開平８−７５９０４号に記載されているよう
な加熱温度が１００℃と比較的低温である方法では、作
製に長時間が必要となりいずれにも問題点があった。

【０００４】近年、温度と時間を改良する方法として、
特開平９−２１９０２号にみられるような高屈折率材料
をＴｉ、Ｚｒ、ＴａまたはＩｎのアルコキシドと分子中
に２個以上のアクリロイル基、メタクリロイル基、アリ
ル基またはビニル基を有する化合物を併用する低温での
作製方法が提案されている。特開平７−２０９５０３号
には、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリ
ロイル基の重合可能な官能基とアルコキシド基のような
加水分解可能官能基を併せ持つ有機珪素化合物と、重合
可能な不飽和結合を持つ単量体からの共重合物とを主成
分とする光学皮膜形成コーティング用組成物が示されて
おり、バインダー樹脂成分と無機成分を分子レベルで均
一なものにするという技術が提案されている。そして組
成物を基材フィルムに塗布した後、１００℃で長時間加
熱するか、電離放射線照射により重合させて皮膜とする
ことが述べられている。

【０００５】この他、特開平８−２９５８４６号及び同
９−２２０７９１号にも反応性有機金属化合物及び金属
酸化物やシラン化合物組成物を含有する組成物を熱また
は電離性放射線で硬化する技術が開示されている。更に
この他にも上記のような反応性有機金属化合物は使用し
ないが、電離性放射線として電子線や紫外線を照射する
ことによって作製する方法が、特開平５−２７０８６４
号、同５−２７９５９８号、同６−１１６０２号、同８
−１２２５０１号、同８−２９７２０１号、同９−２１
９０２号及び同９−２５３５０号等に記載されている。
しかし、このような製膜方法では、有機成分が未反応の
まま残存してしまう。そして残存した有機成分が経時で
徐々に変化していくため、各屈折率が変化していき、次
第に反射防止機能が損なわれてしまうことがあった。

【０００６】このような真空装置を用いることによる低
生産性のデメリット及び金属アルコキシドをコーティン
グ後、エネルギー処理等により硬化させる方法における
残存有機成分の問題を克服する方法として、大気圧条件
下または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電を発生さ
せ、反射防止機能を有する薄膜を製膜する方法が特開平
１１−１３３２０５号、特開２０００−１８５３６２
号、特開平１１−６１４０６号、特開２０００−１４７
２０９号、同２０００−１２１８０４号等に記載されて
いる。

【０００７】しかしながら、上記記載の方法を適用して
も微少面積への製膜は可能であるが、広巾で長尺の基材
フィルムへの均一製膜は困難であり、特に屈折率及び光
学膜厚を一定に保つ必要のある反射防止機能膜等の連続
製膜は非常に困難であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、連続
処理に適しており、安価に多層の薄膜を均一に形成する
方法を提供し、更にこの方法で表面に薄膜を形成した光
学フィルム、これを用いた偏光板や画像表示装置を提供
することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記の構成よ
りなる。

【００１０】（１） 裏面の動摩擦係数が０．９以下で
ある基材フィルムの表面に、大気圧もしくは大気圧近傍
の圧力下にある電極間隙に反応ガスを供給しながらプラ
ズマ放電処理をすることを特徴とする薄膜形成方法。

【００１１】（２） 膜厚が１０〜６０μｍであり、抗
張力が１．４×１０²Ｎ／ｍｍ²以上の基材フィルムを、
大気圧もしくは大気圧近傍の圧力下にある電極間隙に反
応ガスを供給しながらプラズマ放電処理することを特徴
とする薄膜形成方法。

【００１２】（３） ２３℃、８０％ＲＨにおける水分
率が４％以下の基材フィルムの表面に直接、または該基
材フィルム上に有する層を介して、大気圧もしくは大気
圧近傍の圧力下にある電極間隙に反応ガスを供給してプ
ラズマ放電処理することを特徴とする薄膜形成方法。

【００１３】（４） 少なくとも幅手方向に延伸し製膜
した基材フィルム表面に直接、または該基材フィルム上
に有する層を介して、大気圧もしくは大気圧近傍の圧力
下にある電極間隙に反応ガスを供給してプラズマ放電処
理することを特徴とする薄膜形成方法。

【００１４】（５） 前記基材フィルム上に有する層が
エチレン性不飽和二重結合を有するモノマー及び／また
はオリゴマーを重合して形成された樹脂硬化層であるこ
と特徴とする（３）または（４）に記載の薄膜形成方
法。

【００１５】（６） 前記基材フィルムがセルロースエ
ステルフィルムであることを特徴とする（１）乃至
（５）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。

【００１６】（７） 前記セルロースエステルフィルム
が、総アシル基置換度２．５５〜２．９５のセルロース
エステルを有することを特徴とする（６）に記載の薄膜
形成方法。

【００１７】（８） （１）乃至（７）の何れか１項に
記載の方法で形成された薄膜を有することを特徴とする
光学フィルム。

【００１８】（９） （８）に記載の光学フィルムを保
護フィルムとして用いたこと特徴とする偏光板。

【００１９】（１０） （８）に記載の光学フィルムを
用いたこと特徴とする画像表示装置。

【００２０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、セルロースエステルフィルムに大気圧もしくは大気
圧近傍の圧力下にある電極間隙に反応ガスを供給して放
電することにより形成された膜厚ムラの少ない薄膜を形
成する方法、及びそれにより形成された薄膜を有する光
学フィルムを提供するものである。

【００２１】本発明の構成（１）は、裏面の動摩擦係数
が０．９以下である基材フィルムを用いて、この表面
に、大気圧もしくは大気圧近傍の圧力下にある電極間隙
に反応ガスを供給してプラズマ放電処理することにより
薄膜を形成する方法である。このプラズマ放電処理方法
が、常圧プラズマ法あるいは大気圧プラズマ放電処理方
法とも呼ばれている方法（以降、この大気圧もしくはそ
の近傍の圧力下のプラズマ放電処理を単にプラズマ放電
処理と略すことがある）で、大気圧もしくはその近傍の
圧力下にある対向電極間の間隙に反応ガスを供給して放
電することにより発生させたプラズマによって、基材フ
ィルム上に薄膜を形成させるものであるこの方法は、薄
膜形成速度が著しく早い反面、長尺基材フィルム上に連
続的に薄膜を形成する場合に、形成する薄膜の膜厚ムラ
が起こりやすいという問題があった。この問題を解決す
るために鋭意検討を重ねた結果、薄膜を設ける際の裏面
側のすべり性を制御することによって、薄膜のムラを著
しく改善することが出来ることを見い出した。すなわ
ち、プラズマ放電処理では、基材フィルムの裏面の動摩
擦係数が０．９以下であることによって、裏面側の電極
に接触させながら電極間隙を搬送させて基材フィルム表
面に薄膜を形成させることが、均一な薄膜を形成させる
のに好ましいことを本発明者らは見い出した。動摩擦係
数が０．９を超えると、搬送がスムーズにいかないケー
スが多く、形成される薄膜に膜厚ムラが生じることがあ
った。このように本発明においては、動摩擦係数を０．
９以下とすることによって、搬送性を安定させることに
より、膜厚が均一な薄膜を形成することが出来たのであ
る。更に動摩擦係数が０．２〜０．６であるとより均一
な薄膜が形成出来るため好ましい。これに対して、動摩
擦係数が０．９を越えるとプラズマ放電処理の際に基材
フィルムが接触している電極上で蛇行しやすく、基材フ
ィルムがうねったり、皺などが入るなどのためにムラに
なるため好ましくない。ここでいう動摩擦係数は、プラ
ズマ放電処理しない基材フィルムの裏面同士の面に対し
て測定したものである。動摩擦係数を所定の範囲とする
ため、基材フィルム自身あるいはその裏面側に後述の微
粒子を含有させて微細な凹凸を形成することが好まし
い。その詳細については後述する。

【００２２】微粒子を基材フィルムの裏面に含有させる
ことによって、特に回転電極に接触させながら表面にプ
ラズマ放電処理を行う際に以前に起こっていた放電部で
のしわや折れなどによる処理の不均一性がなく、基材フ
ィルム裏面側の動摩擦係数が本発明の範囲内にあること
により、回転電極上での搬送中の基材フィルムの蛇行も
抑制されるようになり、長時間連続的に基材フィルムに
薄膜を形成することが出来、品質に優れ、安定した光学
フィルムを提供出来る。

【００２３】本発明の構成（２）は、膜厚が薄い基材フ
ィルムの上にも、ムラがない薄膜を形成する方法であ
る。従来、膜厚が薄い基材フィルムを用いるとプラズマ
放電処理の際に皺が入り易い等の問題があったが、膜厚
が１０〜６０μｍで、且つ抗張力が１．４×１０²Ｎ／
ｍｍ²以上を有する基材フィルムであれば、このような
問題が著しく改善されることが明らかになった。１．４
×１０²Ｎ／ｍｍ²未満ではムラが出易く好ましない。抗
張力の測定は、ＪＩＳ Ｋ７１２７−１９８９に準じて
行うことが出来る。本発明では、膜厚が１０〜６０μｍ
の基材フィルムを、該ＪＩＳに記載の１号試験片に合わ
せた試料を用いて、引っ張り速度を１００ｍｍ／ｍｉｎ
とした時の抗張力が、１．４×１０²Ｎ／ｍｍ²以上であ
ることが好ましく、より好ましくは１．４５×１０²Ｎ
／ｍｍ²以上、更に１．５×１０²Ｎ／ｍｍ²以上である
ことが好ましい。本発明に用いる基材フィルムは縦方向
（長尺基材フィルムの長手方向）と横方向（長尺基材フ
ィルムの幅手方向）の抗張力が共に上記の値以上である
ことが好ましく、特に縦方向と横方向の抗張力は略等し
いことが好ましい。具体的には、縦方向に対して横方向
の抗張力の変動が±３０％以内であることが好ましく、
±１５％以内であることより好ましく、±１０％以内で
あることが更に好ましい。

【００２４】プラズマ放電処理の際、基材フィルムは電
極に接した状態で適切なテンションをかけながら表面に
薄膜を形成することが好ましく、本発明のごとき抗張力
を有する基材フィルムを用いることによって、薄い基材
フィルムであっても均一な薄膜を形成することが出来、
品質に優れた光学フィルムを提供することが出来る。

【００２５】本発明の構成（３）において、基材フィル
ムが、特にセルロースエステルフィルムの場合、２３
℃、８０％ＲＨの雰囲気における水分率が０．５〜４以
下のセルロースエステルフィルムを用いてこれにプラズ
マ放電処理によって膜厚ムラが少ない薄膜を形成するこ
とが出来ることを本発明者らは見い出した。通常セルロ
ースエステルフィルム中には少量の水分が含まれてお
り、この必要以上の水分がプラズマ放電処理の際に放電
空間に放出され、これが膜厚ムラに何らかの関与をして
いるのではないかと、この理由は明確ではないが本発明
者らはこのように考えている。２３℃、８０％ＲＨの雰
囲気で４％を超す水分率があるとムラ生じ易くなった
り、ヘイズが増加するため好ましくないことが分かっ
た。そこで、２３℃、８０％ＲＨの雰囲気における水分
率が４％以下のセルロースエステルフィルムを用いるこ
とによって、ムラの軽減された均一な薄膜の光学フィル
ムを提供出来る。このような水分率は、セルロースエス
テルフィルム中のセルロースエステルの総アシル基置換
度や種類、あるいは可塑剤の種類及び含有量を変更する
ことによって調整することが出来る。

【００２６】本発明の構成（４）は、少なくとも幅手方
向に延伸して製膜したセルロースエステルフィルムを用
いたプラズマ放電処理により薄膜を形成することによ
り、薄膜のムラを低減する方法である。溶液流延製膜法
で作製したセルロースエステルフィルムは、乾燥過程で
収縮するため、特に横方向に大きく収縮するため、これ
がプラズマ放電処理の際の薄膜のムラの原因の一つとな
っていることが判明した。これに対して、少なくとも幅
手方向に延伸されて製膜されたセルロースエステルフィ
ルムは、平面性が優れているためプラズマ放電処理の際
に電極に均一に密着させることが出来、処理ムラ（薄膜
のムラ）が起こりにくくなり、均一な薄膜が形成出来る
ものと考えられる。本発明の光学フィルムに用いられる
セルロースエステルフィルムは特に横方向に延伸倍率と
して１．０３倍以上延伸したものであることが好まし
く、幅手方向及び長手方向にそれぞれ１．０３倍以上延
伸したものがより好ましい。これにより薄膜のムラを軽
減した光学フィルムを提供出来る。

【００２７】本発明の構成（５）は、上記構成（１）か
ら（４）の基材フィルム上に、後述のエチレン性不飽和
二重結合を有するモノマー及び／またはオリゴマーを重
合して形成された樹脂硬化層を設けた後に、プラズマ放
電処理をすることによりその層の上に形成する薄膜の厚
さムラを軽減することが出来るもので、特に構成（３）
及び（４）について有効である。また、樹脂硬化層は紫
外線により重合硬化することが好ましい。

【００２８】本発明の上記のプラズマ放電処理による薄
膜のムラを軽減する方法は、本発明の構成（１）〜
（４）のそれぞれで有効であるが、これらを組み合わせ
ることによってより均一な薄膜の光学フィルムを得るこ
とが出来る（本発明の構成（８））。

【００２９】以下、本発明をより詳細に説明する。本発
明に係わる基材としては、セルロースエステルフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィル
ム、ポリスチレンフィルム、ポリオレフィンフィルム、
ポリビニルアルコール系フィルム、セルロース系フィル
ム、その他の樹脂フィルム等を挙げることが出来、例え
ば、セルロースエステルフィルムとしてはセルロースジ
アセテートフィルム、セルロースアセテートブチレート
フィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィル
ム、セルロースアセテートフタレートフィルム、セルロ
ーストリアセテート、セルロースナイトレート；ポリエ
ステルフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート
フィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブ
チレンフタレートフィルム、１，４−ジメチレンシクロ
ヘキシレンテレフタレート、あるいはこれら構成単位の
コポリエステルフィルム；ポリカーボネートフィルムと
してはビスフェノールＡのポリカーボネートフィルム；
ポリスチレンフィルムとしては、シンジオタクティック
ポリスチレンフィルム；ポリオレフィンフィルムとして
はポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム；ポ
リビニルアルコール系フィルムとしてはポリビニルアル
コールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム；
セルロース系フィルムとしてはセロファン；その他の樹
脂フィルムとしては、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポ
リメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルスルホンフィル
ム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルケトンイミ
ドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィル
ム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィ
ルム、アクリルフィルムあるいはポリアリレートフィル
ム、ポリ塩化ビニリデンフィルム等を挙げることが出来
る。

【００３０】これらのフィルムの素材を適宜混合して得
られたフィルムも好ましく用いることが出来る。例え
ば、ゼオネックス（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ
（日本合成ゴム（株）製）などの市販品の樹脂を混合し
たフィルムを用いることも出来る。また、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、ポリスルフォンあるいはポリエ
ーテルスルフォン等の固有の複屈折率が高い素材であっ
ても、溶液流延あるいは溶融押し出し等の条件、更には
縦、横方向に延伸する条件等を適宜設定することによ
り、本発明に適した基材を得ることが出来る。本発明に
おいては、上記の記載のフィルムに限定されない。本発
明において、特に好ましい基材フィルムとしてはセルロ
ースエステルフィルムである（本発明の構成（６））。

【００３１】樹脂硬化層は、種々の機能を有していても
よく、例えば、防眩層やクリアハードコート層であって
もよい。

【００３２】本発明において、上記基材として基材フィ
ルムのうちで、セルロースエステルフィルムが特に好ま
しく用いられる。

【００３３】ここで、本発明に特に有用な基材としての
セルロースエステルフィルムの素材のセルロースエステ
ルについて述べる。本発明に有用なセルロースエステル
フィルムは、セルロースの水酸基を、アシル基、特に炭
素原子数が２〜４のアシル基で２．５５〜２．９５置換
したセルロースエステルを使用したものが好ましい。こ
のようなセルロースエステルとしては、セルロースジア
セテート、セルローストリアセテート、セルロースアセ
テートブチレート、セルロースアセテートプロピオネー
トを挙げることが出来、中でもセルローストリアセテー
ト、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセ
テートプロピオネートが好ましい。これらの好ましいセ
ルロースエステルにおいて、アセチル基の置換度が１．
６以上であることが特に好ましい。セルロースエステル
の原料のセルロースとしては、特に限定はないが、綿花
リンター、木材パルプ（針葉樹由来、広葉樹由来）、ケ
ナフなどを挙げることが出来る。またそれらから得られ
たセルロースエステルはそれぞれ任意の割合で混合使用
することが出来る。これらのセルロースエステルは、セ
ルロース原料をアシル化剤が酸無水物（無水酢酸、無水
プロピオン酸、無水酪酸）である場合には、酢酸のよう
な有機酸やメチレンクロライド等の有機溶媒を用い、硫
酸のようなプロトン性触媒を用いて定法により反応させ
て得ることが出来る。特に混酸セルロースエステルの場
合には、例えば混酸エステルでは特開平１０−４５８０
４号公報に記載の方法で反応して得ることが出来る。ア
シル基の置換度の測定方法はＡＳＴＭ−８１７−９６の
規定に準じて測定することが出来る。

【００３４】セルロースエステルの数平均分子量（Ｍ
ｎ）は、７０，０００〜２５０，０００が、成型した場
合の機械的強度が強く、且つ、適度なドープ粘度となり
好ましく、更に好ましくは、８０，０００〜１５０，０
００である。

【００３５】これらセルロースエステルは後述するよう
に一般的に溶液流延製膜法と呼ばれる方法で製造（製
膜）される。この方法は、無限に移送する無端の金属ベ
ルト（例えばステンレスベルト）あるいは回転する金属
ドラム（例えば鋳鉄で表面をクロムメッキしたドラム）
等の流延用金属支持体（以降、単に金属支持体というこ
ともある）上に、加圧ダイからドープ（セルロースエス
テル溶液のこと）を流延（キャスティング）し、金属支
持体上のウェブ（ドープ膜）を金属支持体から剥離し、
乾燥させて製造するものである。

【００３６】本発明に係わるセルロースエステルフィル
ムは可塑剤を含有するのが好ましい。可塑剤としては特
に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エ
ステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピ
ロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン
酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを挙げ
ることが出来る。リン酸エステル系としては、トリフェ
ニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジ
ルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフ
ェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオク
チルホスフェート、トリブチルホスフェート等；フタル
酸エステル系としては、ジエチルフタレート、ジメトキ
シエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチル
フタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキ
シルフタレート、ブチルベンジルフタレート等；トリメ
リット酸系可塑剤として、トリブチルトリメリテート、
トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテー
ト等、ピロメリット酸エステル系可塑剤として、テトラ
ブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテー
ト、テトラエチルピロメリテート等；グリセリンエステ
ルとしては、トリアセチン、トリブチリン等；グリコー
ル酸エステル系では、エチルフタリルエチルグリコレー
ト、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリ
ルブチルグリコレート等；その他のカルボン酸エステル
の例としては、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチル
アセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸
エステルを挙げることが出来る。これらのうち、リン酸
エステル系可塑剤やグリコール酸エステル系の可塑剤が
好ましい。

【００３７】これらの可塑剤を単独あるいは併用するの
が好ましい。また可塑剤の使用量は、フィルム性能、加
工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜３０質
量％であることが好ましい。

【００３８】本発明に係わるセルロースエステルフィル
ムには、画像表示装置として屋外に置かれた場合等の劣
化防止の観点から紫外線吸収剤を含有させることが好ま
しい。紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫
外線の吸収能に優れ、かつ波長４００ｎｍ以上の可視光
の吸収が少ないものを好ましく用いることが出来る。例
えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾ
ール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフ
ェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケ
ル錯塩系化合物などを挙げることが出来るが、これらに
限定されない。

【００３９】ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として
は、例えば、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフ
ェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ
−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾ
トリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔ−ブ
チルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−
（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″
−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフ
ェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス
（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−
（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノー
ル）、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−
５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾー
ル、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６
−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、
オクチル−３−〔３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５
−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フ
ェニル〕プロピオネート、２−エチルヘキシル−３−
〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−
クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニ
ル〕プロピオネート等を挙げることが出来、チヌビン
（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９、チヌビン１７１、チヌビン
３２６（チバ・スペッシャリティ・ケミカル社製）等が
市販されており、好ましく用いることが出来る。

【００４０】また、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤も本
発明に係わるセルロースエステルフィルムに有用なもの
の一つである。例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾ
フェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホ
ベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ
−５−ベンゾイルフェニルメタン）等を挙げることが出
来る。

【００４１】本発明の光学フィルムには、紫外線吸収剤
として透明性が高く、偏光板や液晶の劣化を防ぐ効果に
優れたベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤やベンゾフェ
ノン系紫外線吸収剤を好ましく用いることが出来、不要
な着色がより少ないベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤
が特に好ましい。また、紫外線吸収剤においても、製膜
工程でブリードアウトしたり、揮発しないものが好まし
い。

【００４２】本発明では、セルロースエステルフィルム
の裏面の動摩擦係数を調整するため、マット剤としての
微粒子を添加することが好ましい。

【００４３】本発明に有用な基材としてのセルロースエ
ステルフィルムには、マット剤をセルロースエステルフ
ィルム中に含有させることによって、搬送や巻き取りを
し易くすることが出来る。マット剤は出来るだけ微粒子
のものが好ましく、微粒子としては、例えば二酸化珪
素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、炭酸カルシウム、カオリン、タルク、焼成ケイ酸カ
ルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウ
ム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム等の無機微
粒子や、ポリメタアクリル酸メチルアクリレート樹脂粉
末、アクリルスチレン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリ
レート樹脂粉末、シリコン系樹脂粉末、ポリスチレン系
樹脂粉末、ポリカーボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミ
ン系樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系
樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂
粉末、ポリイミド系樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレ
ン系樹脂粉末等を挙げることが出来るが、特に架橋高分
子微粒子が好ましい。本発明においては、これらに限定
されるものではない。

【００４４】上記のうちでも二酸化珪素が動摩擦係数の
調整するのに特に好ましく、またフィルムのヘイズを小
さく出来るので好ましい。微粒子の一次粒子または二次
粒子の平均粒径は０．０１〜１．０μｍの範囲で、その
含有量はセルロースエステルに対して０．００５〜０．
５質量％が好ましい。二酸化珪素のような微粒子は有機
物により表面処理されている場合が多いが、このような
ものはフィルムのヘイズを低下出来るため好ましい。表
面処理で好ましい有機物としては、ハロシラン類、アル
コキシシラン類、シラザン、シロキサンなどがあげられ
る。微粒子の平均粒径が大きい方が滑り性効果は大き
く、反対に平均粒径の小さい方は透明性に優れるため、
好ましい微粒子の一次粒子の平均粒径は２０ｎｍ以下が
好ましく、好ましくは、５〜１６ｎｍであり、特に好ま
しくは、５〜１２ｎｍである。これらの微粒子はセルロ
ースエステルフィルム中では、セルロースエステルフィ
ルム表面に０．０１〜１．０μｍの凹凸を生成させるこ
とが好ましい。二酸化珪素の微粒子としては日本アエロ
ジル（株）製のアエロジル（ＡＥＲＯＳＩＬ）２００、
２００Ｖ、３００、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、
Ｒ２０２、Ｒ８１２、ＯＸ５０、ＴＴ６００等を挙げる
ことが出来、好ましくはアエロジル２００Ｖ、Ｒ９７
２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２であ
る。これらの微粒子は２種以上併用してもよい。２種以
上併用する場合、任意の割合で混合して使用することが
出来る。この場合、平均粒径や材質の異なる微粒子、例
えばアエロジル２００ＶとＲ９７２Ｖを質量比で０．
１：９９．９〜９９．９〜０．１の範囲で使用出来る。
酸化ジルコニウムとして、例えばアエロジルＲ９７６ま
たはＲ８１１（日本アエロジル（株）製）等市販品も使
用出来る。

【００４５】有機物微粒子として、例えば、シリコーン
樹脂として、トスパール１０３、１０５、１０８、１２
０、１４５、３１２０、２４０（東芝シリコーン（株）
製）等市販品も使用出来る。

【００４６】本発明に係る微粒子の１次平均粒子径の測
定は、透過型電子顕微鏡（倍率５０万〜２００万倍）で
粒子を観察を行い、粒子１００個を観察し、その平均値
をもって、１次平均粒子径とした。

【００４７】微粒子の、見掛比重としては、７０ｇ／リ
ットル以上が好ましく、更に好ましくは、９０〜２００
ｇ／リットルであり、特に好ましくは、１００〜２００
ｇ／リットルである。見掛比重が大きい程、高濃度の分
散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化す
るため好ましく、また、本発明のように固形分濃度の高
いドープを調製する際には、特に好ましく用いられる。

【００４８】１次粒子の平均径が２０ｎｍ以下、見掛比
重が７０ｇ／ｌ以上の二酸化珪素微粒子は、例えば、気
化させた四塩化珪素と水素を混合させたものを１０００
〜１２００℃にて空気中で燃焼させることで得ることが
出来る。本発明において、上記記載の見掛比重は二酸化
珪素微粒子を一定量メスシリンダーに採り、この時の重
さを測定し、下記式で算出した。

【００４９】見掛比重（ｇ／ｌ）＝二酸化珪素質量
（ｇ）÷二酸化珪素の容積（ｌ） 本発明に有用な微粒子の分散液を調製する方法とそれを
ドープに添加する方法としては、例えば以下に示すよう
な三つの方法を挙げることが出来る。

【００５０】《調製方法Ａ》有機溶媒と微粒子を撹拌混
合した後、分散機で分散を行う。これを微粒子分散液と
する。微粒子分散液をドープ液に加えて撹拌する。

【００５１】《調製方法Ｂ》有機溶媒と微粒子を撹拌混
合した後、分散機で分散を行う。これを微粒子分散液と
する。別に有機溶媒に少量のセルロースエステルを加え
撹拌溶解した液に微粒子分散液を加えて撹拌する。これ
を微粒子添加液とし、インラインミキサーでドープ液と
十分混合する。

【００５２】《調製方法Ｃ》有機溶媒に少量のセルロー
スエステルを加え、撹拌溶解する。これに微粒子を加え
て分散機で分散を行う。これを微粒子添加液とする。微
粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合
する。

【００５３】調製方法Ａは二酸化珪素微粒子の分散性に
優れ、調製方法Ｃは二酸化珪素微粒子が再凝集しにくい
点で優れている。中でも、上記記載の調製方法Ｂは二酸
化珪素微粒子の分散性と、二酸化珪素微粒子が更に再凝
集しにくい等、両方に優れている好ましい調製方法であ
る。

【００５４】《分散方法》二酸化珪素微粒子を有機溶媒
などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜
３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好まし
く、１５〜２０質量％が最も好ましい。

【００５５】セルロースエステルに対する二酸化珪素微
粒子の添加量はセルロースエステル１００質量部に対し
て、二酸化珪素微粒子は０．０１〜０．５質量部が好ま
しく、０．０５〜０．２質量部が更に好ましく、０．０
８〜０．１２質量部が最も好ましい。添加量は多い方
が、セルロースエステルフィルムの動摩擦係数に優れ、
添加量が少ない方がヘイズが低く、凝集物も少ない点が
優れている。

【００５６】分散液に使用される有機溶媒は低級アルコ
ール類が好ましく、低級アルコールとしては、メタノー
ル、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルア
ルコール、ブタノール等を挙げることが出来、好ましく
用いることが出来る。低級アルコール以外の有機溶媒と
しては特に限定されないが、ドープ調製時に用いられる
有機溶媒が好ましい。

【００５７】分散機は通常の分散機が使用出来る。分散
機は大きく分けてメディア分散機とメディアレス分散機
に分けられる。二酸化珪素微粒子の分散には後者がヘイ
ズが低くなるので好ましい。メディア分散機としてはボ
ールミル、サンドミル、ダイノミル等を挙げることが出
来る。また、メディアレス分散機として、超音波型、遠
心型、高圧型等があるが、本発明においては高圧型が好
ましく、高圧分散装置が好ましい。高圧分散装置は、微
粒子と有機溶媒を混合した組成物を、細管中に高速通過
させることで、高剪断や高圧状態など特殊な条件を作り
出す装置である。高圧分散装置で処理する場合、例え
ば、管径１〜２０００μｍの細管中で装置内部の最大圧
力条件が９．８ＭＰａ以上であることが好ましい。更に
好ましくは１９．６ＭＰａ以上である。またその際、最
高到達速度が１００ｍ／秒以上に達するもの、伝熱速度
が４２０ｋＪ／時間以上に達するものが好ましい。

【００５８】上記のような高圧分散装置にはＭｉｃｒｏ
ｆｌｕｉｄｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製超高圧
ホモジナイザ（商品名マイクロフルイダイザ）あるいは
ナノマイザ社製ナノマイザがあり、他にもマントンゴー
リン型高圧分散装置、例えばイズミフードマシナリ製ホ
モジナイザ、三和機械（株）社製ＵＨＮ−０１等があ
る。

【００５９】本発明において、上記微粒子を含有させる
際、セルロースエステルフィルムの厚さ方向に均一に分
布していることが好ましいが、主に表面近傍に存在する
ように分布させることがより好ましく、例えば、一つの
ダイから共流延法により、２種以上のドープを同時に流
延し、微粒子を含有するドープを表層側に配置させるよ
うにすることが好ましい。このようにすることによっ
て、ヘイズを少なくし、且つ動摩擦係数を低めることが
出来る。更に好ましくは３種のドープを使用して表層側
の両層に微粒子を含有するドープ配置させることが望ま
しい。

【００６０】本発明に係わる基材フィルムの動摩擦係数
を調整するため、裏面側に微粒子を含有するバックコー
ト層を設けるのが好ましく、添加する微粒子の大きさや
添加量、材質等によって動摩擦係数を調整することが出
来る。

【００６１】本発明に有用なバックコート層に含ませる
微粒子としては、無機化合物の微粒子または有機化合物
の微粒子を挙げることが出来、前述のセルロースエステ
ルフィルムに含有させる微粒子、微粒子の粒径、微粒子
の見かけに比重、分散方法等ほぼ同様である。

【００６２】バックコート層のバインダーに対する微粒
子の添加量は樹脂１００質量部に対して、微粒子は０．
０１〜１質量部が好ましく、０．０５〜０．５質量部が
更に好ましく、０．０８〜０．２質量部が最も好まし
い。添加量は多い方が、動摩擦係数が低くなり、また少
ない方がヘイズが低く、凝集物も少なくなる。

【００６３】バックコート層に使用される有機溶媒は特
に限定されないが、バックコート層にアンチカール機能
を付与することも出来るので、基材フィルム及び基材フ
ィルムの素材の樹脂を溶解させる有機溶媒または膨潤さ
せる有機溶媒が有用である。これらを基材フィルムのカ
ール度合、樹脂の種類、混合割合、塗布量等により適宜
選べばよい。

【００６４】バックコート層に使用し得る有機溶媒とし
ては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジオキ
サン、アセトン、メチルエチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、酢酸メチル、酢酸エチル、トリクロロ
エチレン、メチレンクロライド、エチレンクロライド、
テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロホルム
あるいはＮ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノンなどがある。溶解させない有機溶媒
としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロ
ピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブタノ
ールなどがあるが、有機溶媒としては特にこれらに限定
されるものではない。

【００６５】バックコート層塗布組成物の塗布方法とし
ては、グラビアコーター、ディップコーター、ワイヤー
バーコーター、リバースコーター、押し出しコーター等
を用いて、塗布液膜厚（ウェット膜厚ということもあ
る）を１〜１００μｍとすることが好ましく、特に５〜
３０μｍが好ましい。

【００６６】バックコート層に用いられる樹脂として
は、例えば塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニルとビニルアルコー
ルの共重合体、部分加水分解した塩化ビニル／酢酸ビニ
ルコポリマー、塩化ビニル／塩化ビニリデンコポリマ
ー、塩化ビニル／アクリロニトリルコポリマー、エチレ
ン／ビニルアルコールコポリマー、塩素化ポリ塩化ビニ
ル、エチレン／塩化ビニルコポリマー、エチレン／酢酸
ビニルコポリマー等のビニル系ホモポリマーあるいはコ
ポリマー、セルロースニトラート、セルロースアセテー
トプロピオネート、セルロースジアセテート、セルロー
ストリアセテート、セルロースアセテートフタレート、
セルロースアセテートブチレート樹脂等のセルロースエ
ステル系樹脂、マレイン酸および／またはアクリル酸の
コポリマー、アクリル酸エステルコポリマー、アクリロ
ニトリル／スチレンコポリマー、塩素化ポリエチレン、
アクリロニトリル／塩素化ポリエチレン／スチレンコポ
リマー、メチルメタクリレート／ブタジエン／スチレン
コポリマー、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステルポリウレ
タン樹脂、ポリエーテルポリウレタン樹脂、ポリカーボ
ネートポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエー
テル樹脂、ポリアミド樹脂、アミノ樹脂、スチレン／ブ
タジエン樹脂、ブタジエン／アクリロニトリル樹脂等の
ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリメ
チルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートとポリ
メチルアクリレートの共重合体等を挙げることが出来る
が、これらに限定されるものではない。特に好ましくは
セルロースジアセテート、セルロースアセテートプロピ
オネートのようなセルロース系樹脂層である。

【００６７】例えば、以上のようなバックコート層を設
けることにより、動摩擦係数を０．９以下にすることが
出来る。

【００６８】本発明で用いられる基材フィルムは、エチ
レン性不飽和モノマーを１種以上含む成分を重合させて
形成した層を有していることが好ましい。

【００６９】エチレン性不飽和モノマーを含む成分を重
合させて形成した樹脂層としては、活性線硬化樹脂ある
いは熱硬化樹脂を硬化させて形成された層が好ましく用
いられるが、特に好ましく用いられるのは活性線硬化樹
脂層である。

【００７０】ここで、活性線硬化樹脂層とは紫外線や電
子線のような活性線照射により架橋反応などを経て硬化
する樹脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂
としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代
表的なものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の
活性線照射によって硬化する樹脂でもよい。紫外線硬化
性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタ
ン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹
脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線
硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬
化型エポキシ樹脂等を挙げることが出来る。また、具体
例としては、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘ
キサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトー
ルペンタアクリレート等を挙げることが出来る。

【００７１】紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂とし
ては、一般にポリエステルポリオールにイソシアネート
モノマー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた
生成物に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−
ヒドロキシエチルメタクリレート（以下アクリレートに
はメタクリレートを包含するものとしてアクリレートの
みを表示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート
等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応さ
せる容易に形成されるものを挙げることが出来、特開昭
５９−１５１１１０号に記載のものを用いることが出来
る。

【００７２】紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系
樹脂としては、一般にポリエステルポリオールに２−ヒ
ドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレ
ート系のモノマーを反応させる容易に形成されるものを
挙げることが出来、特開昭５９−１５１１１２号に記載
のものを用いることが出来る。

【００７３】紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂
の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマー
とし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反
応させて生成するものを挙げることが出来、特開平１−
１０５７３８号に記載のものを用いることが出来る。

【００７４】これらの光反応開始剤としては、具体的に
は、ベンゾイン及び誘導体、アセトフェノン、ベンゾフ
ェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケト
ン、α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及び
これらの誘導体を挙げることが出来る。光増感剤と共に
使用してもよい。上記光反応開始剤も光増感剤としても
使用出来る。また、エポキシアクリレート系の光反応剤
の使用の際、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、ト
リ−ｎ−ブチルホスフィン等の増感剤を用いることが出
来る。

【００７５】樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和二
重結合が一つのモノマーとして、メチルアクリレート、
エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ベンジルア
クリレート、シクロヘキシルアクリレート、酢酸ビニ
ル、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることが出来
る。また不飽和二重結合を二つ以上持つモノマーとし
て、エチレングリコールジアクリレート、プロピレング
リコールジアクリレート、ジビニルベンゼン、１，４−
シクロヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシ
ルジメチルアジアクリレート、前出のトリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリルエステル等を挙げることが出来る。

【００７６】本発明において使用し得る市販品として、
紫外線硬化樹脂としては、アデカオプトマーＫＲ・ＢＹ
シリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−４１０、ＫＲ−５５
０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、ＢＹ−３２０Ｂ（旭
電化（株）製）；コーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ
−１０１−ＷＳ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５
０１、Ｍ−１０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０
２、ＮＳ−１０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ
２０、ＡＧ−１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（広栄化学（株）
製）；セイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ Ｘ
−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１０、ＤＰ−
２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２０
０、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６０
０、ＳＣＲ９００（大日精化工業（株）製）；ＫＲＭ７
０３３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１
３１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９
２０２（ダイセル・ユーシービー（株）製）；ＲＣ−５
０１５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０
３１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２
０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７
１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（大日本インキ化
学工業（株）製）；オーレックスＮｏ．３４０クリヤ
（中国塗料（株）製）；サンラッドＨ−６０１（三洋化
成工業（株）製）；ＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７
（昭和高分子（株）製）；ＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・
ジャパン（株）製）、アロニックスＭ−６１００、Ｍ−
８０３０、Ｍ−８０６０（東亞合成（株）製）等を適宜
選択して利用出来る。

【００７７】これらの活性線硬化樹脂層は公知の方法で
塗設することが出来る。紫外線硬化性樹脂を光硬化反応
により硬化皮膜層を形成するための光源としては、紫外
線を発生する光源であれば制限なく使用出来る。例え
ば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノ
ンランプ等を用いることが出来る。照射条件はそれぞれ
のランプによって異なるが、照射光量は２０〜１０００
０ｍＪ／ｃｍ²程度あればよく、好ましくは、５０〜２
０００ｍＪ／ｃｍ²である。近紫外線領域〜可視光線領
域にかけてはその領域に吸収極大のある増感剤を用いる
ことによって効率よく形成することが出来る。

【００７８】紫外線硬化樹脂層組成物塗布液の有機溶媒
としては、例えば、炭化水素類、アルコール類、ケトン
類、エステル類、グリコールエーテル類、その他の有機
溶媒の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合し利用
出来る。プロピレングリコールモノアルキルエーテル
（アルキル基の炭素原子数として１〜４）またはプロピ
レングリコールモノアルキルエーテル酢酸エステル（ア
ルキル基の炭素原子数として１〜４）等を５質量％以
上、より好ましくは５〜８０質量％以上含有する上記有
機溶媒を用いるのが好ましい。

【００７９】紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法
としては、前述のものを用いることが出来る。塗布量は
ウェット膜厚として０．１〜３０μｍが適当で、好まし
くは、０．５〜１５μｍである。

【００８０】紫外線硬化性樹脂組成物は塗布乾燥中また
は後に、紫外線を照射するのがよく、照射時間としては
０．５秒〜５分程度がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効
率または作業効率の観点から３秒〜２分がより好まし
い。

【００８１】こうして得た硬化樹脂層に、ブロッキング
を防止するために、また対擦り傷性等を高めるために、
無機化合物あるいは有機化合物の微粒子を加えることも
出来、それらの種類としては、前述のマット剤の微粒子
とほぼ同様である。これらの微粒子粉末の平均粒径とし
ては、０．００５μｍ〜１μｍが好ましく０．０１〜
０．１μｍであることが特に好ましい。紫外線硬化樹脂
組成物と微粒子粉末との割合は、樹脂組成物１００質量
部に対して、０．１〜１０質量部となるように配合する
ことが望ましい。

【００８２】紫外線硬化樹脂層は、ＪＩＳ Ｂ０６０１
で規定される中心線平均粗さ（Ｒａ）が１〜５０ｎｍの
クリアハードコート層であっても、Ｒａが０．１〜１μ
ｍ程度の防眩層であってもよい。本発明では、これらの
層の上にプラズマ放電処理によって薄膜を形成すること
が出来、前述のごとく表面に凹凸のある基材フィルム上
に均一な薄膜を形成することが出来好ましい。例えば、
低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層等から構成される
低反射性積層体の光学干渉層に好ましく用いられる。特
にＲａが０．１〜０．５μｍの防眩層上に均一に薄膜を
形成することが出来るため好ましい。

【００８３】本発明に有用な基材フィルムまたは塗設し
た層を有する基材フィルムは、光学特性として、面内レ
ターデーションＲ₀が０〜１０００ｎｍ、また厚さ方向
のレターデーションＲ_tが０〜３００ｎｍであることが
好ましい。また、波長分散特性として、Ｒ₀（６００）
／Ｒ₀（４５０）は０．７〜１．３であることが好まし
く、特に１．０〜１．３であること好ましい。ここで、
Ｒ₀（４５０）は波長４５０ｎｍの光による３次元屈折
率測定に基づいた面内リターデーション、Ｒ₀（６０
０）は波長６００ｎｍの光による３次元屈折率測定に基
づいた面内リターデーションを表す。

【００８４】本発明の薄膜を形成する方法としての大気
圧もしくはその近傍の圧力下のプラズマ放電処理は、下
記のごときプラズマ放電処理装置を用いることによって
行われる。

【００８５】本発明の薄膜の形成方法、また、その方法
に用いられる薄膜の形成装置について、以下に本発明に
有用なプラズマ放電処理装置の一例を示すが、本発明は
これらに限定されない。

【００８６】図１は、本発明の薄膜形成方法に用いられ
るプラズマ放電処理装置の一例を示す図である。図１に
おいては、この装置は一対の回転電極１０Ａと１０Ｂを
有し、回転電極１０Ａと１０Ｂには、プラズマ放電を発
生させるための電圧を印加出来る電源８０が電圧供給手
段８１、８２を介して接続されている。回転電極１０Ａ
と１０Ｂは基材フィルムを巻き回しながら搬送するもの
で、ロール電極もしくはベルト状の電極であることが好
ましく、図１ではロール電極を示している。これらの回
転電極間の間隙（電極間隙）は放電が行われる場所であ
り、基材フィルムＦが搬送出来る間隔に設定されいる。
この電極間の間隙が放電部５０となる。この電極間隙は
大気圧もしくは大気圧近傍の圧力下に維持されており、
ここに反応ガス供給部３０より反応ガスＧが供給され、
基材フィルムＦ表面がプラズマ放電処理される。ここ
で、図示してないが元巻きロールから巻き出された基材
フィルムＦまたは前工程から搬送されてくる基材フィル
ムＦがガイドロール２０を経て、まず、移送方向に回転
する回転電極１０Ａに接しながら移送され、放電部５０
を通過して、基材フィルムＦの表面に薄膜が形成され
る。一旦放電部５０から出た基材フィルムＦは、Ｕター
ンロール１１Ａ〜１１ＤでＵターンされて、今度は、基
材フィルムＦは回転電極１０Ａと反対方向に回転してい
る回転電極１０Ｂに接しながら移送され、再び前記放電
部５０を通過して、先ほど薄膜が形成された基材フィル
ムＦの表面に更にプラズマ放電処理され薄膜が形成され
る。処理に使用された反応ガスＧはガス排出口４０より
反応後の排ガスＧ′として排出される。図では基材フィ
ルムＦ上に形成された薄膜は省略してある。表面に薄膜
が形成された基材フィルムＦは、ガイドローラ２１を介
して次工程または巻き取りロール（図示してない）方向
に搬送される。従って、基材フィルムＦは回転電極１０
Ａ、１０Ｂに密着した状態で放電部５０を往復してプラ
ズマ放電処理されることとなる。なお、図示してない
が、回転電極１０Ａと１０Ｂ、ガイドロール２０、２
１、Ｕターンロール１１Ａ〜１１Ｄ、反応ガス供給部３
０、ガス排出口４０等の装置は外界と遮断するプラズマ
放電処理容器内に囲まれて納められていることが好まし
い。またこれも図示してないが、必要に応じて、回転電
極１０Ａ、と１０Ｂの温度制御をするための温度制御用
媒体が循環されるようになっている。

【００８７】図２には別のプラズマ放電処理装置を示
す。図２は本発明の薄膜形成方法に有用な回転電極と固
定電極を有するプラズマ放電処理装置の一例を示す図で
ある。回転電極１１０とそれに対向して配置された複数
の固定電極１１１を有し、図示されていない元巻きロー
ルまたは前工程からから搬送されて来る基材フィルムＦ
がガイドロール１２０、ニップロール１２２を経て回転
電極１１０に導かれ、基材フィルムＦは回転電極１１０
に接した状態で回転電極１１０の回転と同期しながら移
送され、大気圧もしくはその近傍の圧力下にある放電部
１５０に反応ガス発生装置１３１で調製された反応ガス
Ｇが給気管１３０から供給され、固定電極１１１に対向
している基材フィルム面に薄膜が形成される。回転電極
１１０と固定電極には、プラズマ放電を発生させるため
の電圧を印加出来る電源１８０が電圧供給手段１８１、
１８２を介して接続されている。また、回転電極１１
０、固定電極１１１、放電部１５０はプラズマ放電処理
容器１９０で覆われ、外界と遮断されている。処理され
た排ガスＧ′は処理室の下部にあるガス排気口１４０か
ら排出される。プラズマ放電処理された基材フィルムＦ
はニップロール１２３及びガイドロール１２１を経て次
工程または図示してない巻き取りロールへ搬送される。
基材フィルムＦがプラズマ放電処理容器の出入り部分の
ニップロール１２２及び１２３のところに外界との仕切
板１２４及び１２５が設けられており、外界からニップ
ロール１２２と共に基材フィルムＦに同伴して来る空気
を遮断し、また出口においては、反応ガスＧまたは排ガ
スＧ′が外界に漏れないようになっている、なお、図示
してないが、必要に応じて、回転電極１１０及び固定電
極１１１は温度調節のための温度制御された媒体を循環
するようになっている。

【００８８】このように、本発明において、薄膜が形成
される基材フィルムは回転電極上で移送しながらプラズ
マ放電処理されるのが好ましい。

【００８９】回転電極が基材フィルムと接する表面は高
い平滑性が求められ、回転電極の表面の表面粗さがＪＩ
Ｓ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒ
ｍａｘ）が１０μｍ以下であることが好ましく、より好
ましくは８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以
下である。また、中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は０．５
μｍ以下が好ましく、更に好ましくは０．１μｍ以下で
ある。

【００９０】本発明に用いられる電極の表面は固体誘電
体で被覆されていることが望ましく、特に金属等の導電
性母材に対し固体誘電体で被覆されていることが望まし
い。固体誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスティック、
ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）
等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等を挙
げることが出来る。特に好ましくは、セラミックスを溶
射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処
理誘電体であることが望ましい。ここで、金属等の導電
性母材としては、銀、白金、ステンレス、アルミニウ
ム、鉄等の金属等を挙げることが出来るが、加工の観点
からステンレスが好ましい。また、ライニング材として
は、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系
ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、
アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく
用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易
いので、更に好ましく用いられる。

【００９１】本発明において、電極は、その裏面側（内
側）から、必要に応じて、加熱あるいは冷却することが
出来るようになっている。電極がベルトの場合には、そ
の裏面より気体で冷却することも出来るが、ロールを用
いた回転電極では内部に媒体を供給して電極表面の温度
及び基材フィルムの温度を制御することが好ましい。媒
体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましく用い
られる。基材フィルムの温度は処理条件によって異なる
が、室温〜２００℃以下が好ましく、より好ましくは室
温〜１２０℃以下である。基材フィルムの温度ムラが生
じないようにすることが必要である。

【００９２】本発明において、電極間隙は、固体誘電体
の厚さ、印加電圧や周波数、プラズマを利用する目的等
を考慮して決定される。上記電極の一方に固体誘電体を
設置した場合の固体誘電体と電極の最短距離、上記電極
の双方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体同士の
距離としては、いずれの場合も均一な放電プラズマを発
生させるという観点から０．５ｍｍ〜２０ｍｍが好まし
く、特に好ましくは１ｍｍ±０．５ｍｍである。

【００９３】本発明において、電極間隙の放電部には、
ガス発生装置で発生させた混合ガスを流量制御して、反
応ガス供給口よりプラズマ放電部に導入される。反応ガ
スの濃度や流量は適宜調整されるが、基材フィルムの搬
送速度に対して十分な速度で処理用ガスを電極間隙に供
給することが好ましい。放電部でほとんどが反応して薄
膜形成に使われるように流量や放電条件が設定するのが
望ましい。

【００９４】放電部に大気が混入したり、反応ガスが装
置外に漏れ出ることを防止するために、電極及び移送中
の基材フィルムは全体を囲んで外界から遮蔽することが
好ましい。本発明において、放電部の気圧は大気圧もし
くはその近傍の圧力に維持される。ここで大気圧近傍と
は、２０〜２００ｋＰａの圧力を表すが、本発明に記載
の効果を好ましく得るためには、９３〜１１０ｋＰａが
好ましい。

【００９５】本発明に有用なプラズマ放電処理装置で
は、一方の電極は電源に接続して電圧を印加し、もう一
方の電極はアースに接地し放電プラズマを発生させるこ
とが安定したプラズマを発生させるために好ましい。

【００９６】本発明で用いる高周波電源より電極に印加
する電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が０．
５〜１０ｋＶ程度で、印加する周波数は１ｋＨｚ〜１５
０ＭＨｚに調整し、波形をパルス波であってもサイン波
としてもよい。特に周波数を１００ｋＨｚを超えて５０
ＭＨｚ以下とすることが好ましい放電部（放電空間）が
得られるため好ましい。

【００９７】放電部における放電密度は５〜１０００Ｗ
・ｍｉｎ／ｍ²であることが好ましく、特に５０〜５０
０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ²であることが望ましい。

【００９８】プラズマ放電処理部はパイレックス（登録
商標）ガラス製の処理容器等で適宜囲まれていることが
望ましく、電極との絶縁がとれれば金属製を用いること
も可能である。例えば、アルミまたは、ステンレスのフ
レームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、
該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとっ
ても良い。また、放電部や回転電極の側面部、基材フィ
ルム搬送部等の側面を囲むことによって、反応ガスや排
ガスを適切に放電部に供給したり排気することも出来
る。

【００９９】本発明の薄膜形成方法に係る反応ガスにつ
いて説明する。本発明の方法で薄膜を形成するための反
応ガスは、特に希ガスを含むことが好ましい。つまり、
反応ガスは希ガスと後述の反応性ガスの混合ガスである
ことが好ましい。ここで、希ガスとは、周期表の第１８
属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、ク
リプトン、キセノン、ラドン等を挙げることが出来る
が、本発明においては、中でもヘリウム、アルゴンを好
ましく用いることが出来、特にアルゴンが好ましい。反
応ガス中の希ガスの濃度は９０％以上であることが安定
したプラズマ放電を発生させるために好ましく、９０〜
９９．９９体積％であることが望ましい。

【０１００】希ガスは安定したプラズマ放電を発生させ
るために用いられ、該プラズマ中で反応製ガスはイオン
化あるいはラジカル化され、基材表面に堆積あるいは付
着するなどして薄膜が形成される。

【０１０１】本発明に有用な反応ガスは、様々な物質の
反応性ガスを添加したものを用いることによって、様々
な機能を持った薄膜を基材フィルム上に形成することが
出来る。例えば、反応性ガスとして、フッ素含有有機化
合物、珪素化合物を用いて反射防止層の低屈折率層を形
成することも出来る。またはＴｉ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、
Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｉあるいはその他の金属を含有する有機
金属化合物として用いて、金属酸化物層または金属窒化
物層等を形成することが出来、これらは反射防止層の中
屈折率層や高屈折率層としたり、あるいは導電層や帯電
防止層とすることも出来る。また、フッ素含有有機化合
物で防汚層や低屈折率層を形成することも出来、珪素化
合物でガスバリア層や低屈折率層を形成することも出来
る。本発明は、高あるいは中屈折率層と低屈折率層を交
互に多層を積層して形成される反射防止層の形成に特に
好ましく用いられる。

【０１０２】本発明で形成される薄膜の膜厚としては、
１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲のものが好ましく得られ
る。

【０１０３】本発明においては、上記記載のような基材
フィルム面に対して本発明に係わる薄膜を設ける場合、
平均膜厚に対する膜厚偏差を±８％になるように設ける
ことが出来、より好ましくは±５％以内とすることが出
来、特に±１％以内の均一に薄膜とすることが出来る。

【０１０４】本発明に有用な反応性ガスに用いるフッ素
含有有機化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化
水素ガス等が好ましい。フッ素含有有機化合物として
は、四フッ化炭素、六フッ化炭素、四フッ化エチレン、
六フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン等のフッ化
炭素化合物；二フッ化メタン、四フッ化エタン、四フッ
化プロピレン、三フッ化プロピレン、八フッ化シクロブ
タン等のフッ化炭化水素化合物；更に、一塩化三フッ化
メタン、一塩化二フッ化メタン、二塩化四フッ化シクロ
ブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアル
コール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を挙
げることが出来る。これらは単独でも混合して用いても
よい。上記のフッ化炭化水素ガスとしては、二フッ化メ
タン、四フッ化エタン、四フッ化プロピレン、三フッ化
プロピレン等を挙げることが出来る。更に、一塩化三フ
ッ化メタン、一塩化二フッ化メタン、二塩化四フッ化シ
クロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物や
アルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体
を用いることが出来るがこれらに限定されない。また、
これらの化合物が分子内にエチレン性不飽和基を有して
いても良い。また、上記の化合物は混合して用いても良
い。本発明に有用な反応性ガスにフッ素含有有機化合物
を用いる場合、プラズマ放電処理により基材フィルム上
に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中の反応性
ガスとしてのフッ素含有有機化合物の含有率は、０．０
１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましく
は、０．１〜５体積％である。

【０１０５】また、本発明に係わるフッ素含有有機化合
物が常温常圧で気体である場合は、反応性ガスの成分と
してそのまま使用出来るので最も容易に本発明の方法を
遂行することが出来る。しかし、フッ素含有有機化合物
が常温常圧で液体または固体である場合には、気化手段
により、例えば加熱、減圧等により気化して使用すれば
よく、適切な有機溶媒に溶解して用いてもよい。

【０１０６】本発明に有用な反応性ガスとしての珪素化
合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチル
シランなどの有機金属化合物、モノシラン、ジシランな
どの金属水素化合物、二塩化シラン、三塩化シラン、四
フッ化珪素などの金属ハロゲン化合物、テトラメトキシ
シラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラ
ン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシ
ラン、エチルトリエトキシシラン、などのアルコキシシ
ラン、オルガノシラン等を用いることが好ましいがこれ
らに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用
いることが出来る。あるいは別の有機化合物を添加して
膜の物性を変化あるいは制御することも出来る。本発明
において、反応性ガスとして珪素化合物を用いる場合、
放電プラズマ放電処理により基材フィルム上に均一な薄
膜を形成する観点から、反応ガス中の反応性ガスとして
の珪素化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％である
ことが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％
である。

【０１０７】本発明に有用な反応性ガスとしての有機金
属化合物としては、特に限定されないが、Ａｌ、Ａｓ、
Ａｕ、Ｂ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍ
ｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｙ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ等の金属化合
物を挙げることが出来る。これらのうちを好ましく用い
ることが出来る。例えば、反射防止層の高屈折率層を形
成するには、チタン化合物が好ましく、テトラジメチル
アミノチタンなどの有機アミノ金属化合物、モノチタ
ン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三
塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、
テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、
テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどを用
いることが好ましいが、これらに限定されない。本発明
において上記の珪素化合物や有機金属化合物は、取り扱
い上の観点から金属水素化合物、金属アルコキシドが好
ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れ
なども少ないことから、金属アルコキシドが好ましく用
いられる。本発明において、反応性ガスとして有機金属
化合物を用いる場合、プラズマ放電処理により基材フィ
ルム上に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中の
反応性ガスとしての有機金属化合物の含有率は、０．０
１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましく
は、０．１〜５体積％である。また、珪素化合物やチタ
ン化合物を放電部へ導入するには、両者は常温常圧で気
体、液体または固体いずれの状態であっても使用し得
る。気体の場合は、そのまま放電部に導入出来るが、液
体や固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の気化手
段により気化させて使用することが出来る。珪素化合物
やチタン化合物を加熱により気化して用いる場合、テト
ラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタンなどの
ように常温で液体で、且つ沸点が２００℃以下である金
属アルコキシドが本発明の低反射積層体の薄膜形成方法
に好適である。上記金属アルコキシドは、有機溶媒によ
って希釈して使用しても良く、有機溶媒としては、メタ
ノール、エタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒また
はこれらの混合有機溶媒を使用することが出来る。

【０１０８】更に、反応ガス中に水素ガスを０．１〜１
０体積％含有させることにより薄膜の硬度を著しく向上
させることが出来る。

【０１０９】本発明の光学フィルムとしては、例えば低
屈折率層と高屈折率層を積層して反射防止層を形成した
光学フィルムや、導電層、帯電防止層を形成した光学フ
ィルム等を挙げることが出来る。

【０１１０】本発明において、本発明に係わるプラズマ
放電装置を複数設けることによってことによって、多層
の薄膜を連続的に設けることが出来、薄膜のムラもなく
多層の積層体を形成することが出来る。例えば、基材フ
ィルム上に反射防止層を有する光学フィルムを作製する
場合、屈折率１．６〜２．３の高屈折率層及び屈折率
１．３〜１．５の低屈折率層を基材フィルム表面に連続
して積層し、効率的に形成ことが出来る。低屈折率層と
しては、含フッ素有機化合物を含むガスをプラズマ放電
処理により形成された含フッ素化合物層、あるいはアル
コキシシラン等の有機珪素化合物を用いてプラズマ放電
処理により形成された主に酸化ケイ素を有する層が好ま
しく、高屈折率層としては、有機金属化合物を含むガス
をプラズマ放電処理により形成された金属酸化物層、例
えば酸化チタン、酸化ジルコニウムのような層が好まし
い。それぞれの薄膜については、これらに限定されるも
のではなく、層構成もこれらに限定されるものではな
い。例えば、最表面にフッ素含有有機化合物ガス存在下
で大気圧もしくはその近傍の圧力下でのプラズマ放電処
理して防汚層を設けてもよい。

【０１１１】本発明の方法により多層の薄膜を積層する
ことにより各層のムラもなく、均一な光学フィルムを得
ることが出来る。

【０１１２】このように、本発明においては様々な機能
を有する薄膜を形成した光学フィルムを提供することが
出来る。

【０１１３】帯電防止層または導電性層としては、金属
酸化物微粒子や架橋カチオンポリマーのような導電性樹
脂微粒子を塗設した膜厚０．１〜２μｍ程度の層、ある
いは大気圧もしくはその近傍の圧力下でのプラズマ放電
処理により、主に酸化錫あるいは酸化亜鉛等の金属酸化
物を有する導電性物質の層を形成してもよい。

【０１１４】本発明の光学フィルムは特に偏光板保護フ
ィルムとして有用であり、これを用いて公知の方法で偏
光板を作製することが出来る。これらの光学フィルムは
薄膜の均一性が高いため、各種表示装置に好ましく用い
ることが出来、優れた表示性能を得ることが出来る。

【０１１５】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。

【０１１６】実施例１ 本実施例１は請求項４、６、７及び８に係わる発明に関
する。

【０１１７】 《ドープＡの調製》 〈ドープＡ組成物〉 メチレンクロライド ３７０ｋｇ エタノール ７０ｋｇ セルロースアセテートプロピオネート （アセチル基置換度：２．０、プロピオニル基置換度０．８）１００ｋｇ エチルフタリルエチルグリコレート ７ｋｇ チヌビン３２６ １ｋｇ なお、セルロースエステルの置換度の測定は、ＡＳＴＭ
−Ｄ８１７−９６に規定の方法に準じて行った。

【０１１８】上記ドープＡ組成物を有機溶媒を密閉容器
に投入し、攪拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌しな
がら、完全に溶解、混合した。ドープを流延する温度ま
で下げて一晩静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積
濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過し
ドープＡを調製した。

【０１１９】《セルロースアセテートプロピオネートフ
ィルムの作製》溶液流延製膜法によりセルロースアセテ
ートプロピオネートフィルムを製膜した。すなわち、ド
ープ温度３５℃で３０℃の無限移行する無端の金属支持
体のステンレスベルト上に均一に流延した。その後、剥
離可能な範囲まで乾燥させた後、ステンレスベルトから
ウェブを剥離した。このときのウェブの残留溶媒量は３
５質量％であった。ステンレスベルトから剥離した後、
９０℃に維持されたテンター装置内で幅方向に延伸倍率
表１に示したように延伸しながら乾燥した後、更にロー
ル搬送しながら１２０℃の乾燥ゾーンで乾燥を終了さ
せ、膜厚７０μｍ、幅１．３ｍ、長さ２０００ｍのセル
ロースエステルフィルム１及び２を作製、基材フィルム
１及び２として使用した。

【０１２０】《光学フィルムの作製》図２の記載したプ
ラズマ放電処理装置を用いて、基材フィルム１及び２に
酸化チタンの薄膜（高屈折率層）を形成し、光学フィル
ム１及び２を作製した。

【０１２１】回転電極として、循環水による温度調節機
能を有するステンレス製ジャケットロール母材に、セラ
ミック溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後テト
ラメトキシシランの有機溶媒溶液を塗布乾燥後、紫外線
照射により硬化させて封孔処理を行い、更にバーティカ
ル鏡面研磨仕上げを行った固体誘電体を有するロール電
極を製作した。固定電極の固体誘電体を上記回転電極と
同様に調製し、回転電極と固定電極を図２のように配置
した。ロール電極と固定電極の間隙を１．５ｍｍ±０．
１ｍｍとし、放電プラズマ発生に用いる使用電源には日
本電子（株）製の高周波電源ＪＲＦ−１００００で１
３．５６ＭＨｚに設定し、放電密度を３００Ｗ・ｍｉｎ
／ｍ²としてプラズマ放電処理を行った。但し、回転電
極は、ドライブを用いて回転させ、基材フィルムの移送
速度に同調させた。下記の高屈折率層形成用反応ガス組
成物を用いて、酸化チタンの薄膜を有する光学フィルム
１及び２を連続的に作製した。下記の評価を行った結果
を表１に示す。

【０１２２】 〈高屈折率層形成用反応ガス組成物〉 （高屈折率層形成用反応ガス組成） 希ガス：アルゴン ９９．４体積％ 反応性ガス：テトライソプロポキシチタン蒸気 （１５０℃に加熱した液体にアルゴンガスをバブリング） ０．１体積％ 水素ガス ０．５体積％ 〔目視評価〕幅手全幅×長さ方向に５０ｃｍの試料の裏
面に黒色のスプレーを吹き付けて光吸収処理を行い、表
面から蛍光灯の反射を観察して反射光により、薄膜のム
ラについて評価した。

【０１２３】 ◎：ムラが全く認められない ○：わずかにムラが認められる △：ムラが認められる ×：明瞭なムラが認められる。

【０１２４】

【表１】

【０１２５】（結果）本発明の方法はムラの少ない薄膜
を形成出来ることが確認された。

【０１２６】実施例２ 実施例２は請求項２、６、７及び８に係わる発明に関す
る。

【０１２７】 《ドープＢの調製》 〈ドープＢ組成物〉 メチレンクロライド ３８０ｋｇ エタノール ４０ｋｇ セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．９２） １００ｋｇ トリフェニルホスフェート １１ｋｇ 二酸化珪素微粒子（粒径０．０１μｍ） ０．１２ｋｇ チヌビン３２６ １ｋｇ 上記ドープＢ組成物を有機溶媒を密閉容器に投入し、攪
拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に
溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて一晩
静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙（株）製
の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過しドープＢを調
製した。

【０１２８】《セルローストリアセテートフィルムの作
製》溶液流延製膜法によりセルローストリアセテートし
フィルムを製膜した。すなわち、ドープ温度３５℃で２
５℃の無限移行する無端の金属支持体のステンレスベル
ト上に均一に流延した。その後、剥離可能な範囲まで乾
燥させた後、ステンレスベルトからウェブを剥離した。
このときのウェブの残留溶媒量は７０質量％であった。
ステンレスベルトから剥離した後、９０℃に維持された
テンター装置内で幅方向に延伸倍率を１．０３倍および
１．１０倍としてそれぞれ延伸しながら乾燥した後、更
にそれぞれロール搬送しながら１２０℃の乾燥ゾーンで
乾燥を終了させ、膜厚６０μｍのセルロースエステルフ
ィルム３及び４を作製、基材フィルム３及び４（延伸倍
率１．０３を３、１．１０を４とした）とした。

【０１２９】《光学フィルムの作製》基材フィルム３及
び４を、図２のプラズマ放電処理装置を用いて、実施例
１と同様の高屈折率層形成用反応ガス組成物を用い、実
施例１と同様に酸化チタンの薄膜（高屈折率層）を形成
し、光学フィルム３及び４を作製した。下記の評価を行
った結果を表２に示した。

【０１３０】〔抗張力の測定〕ＪＩＳ Ｋ７１２７−１
９８９に従って抗張力を算出した。試料には、１号試験
片を使用し、引っ張り速度は１００ｍｍ／ｍｉｎで行っ
た。試料はフィルムの長尺方向（ＭＤ方向）と幅手方向
（ＴＤ方向）について測定を行った。

【０１３１】〔ＴＤ方向の膜厚バラツキの評価〕光学フ
ィルム３及び４は、ムラのない均一な薄膜が形成出来
た。

【０１３２】高屈折率層の分光反射率は分光光度計Ｕ−
４０００型（日立製作所製）を用いて、角度５°正反射
の条件にて反射率の測定を行った。測定は、観察側の裏
面を粗面化処理した後、黒色のスプレーを用いて光吸収
処理を行い、フィルム裏面での光の反射を防止して、反
射率（４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長について）の測定
を行った。得られた反射スペクトルデータより、高屈折
率層の膜厚を算出した。幅方向（ＴＤ方向）で１０ｃｍ
間隔で１０点を測定して膜厚の平均値とバラツキを求め
た。

【０１３３】〔皺によるムラの目視評価〕幅手全幅×５
０ｃｍの試料を裏面に黒色のスプレーを吹き付けて光吸
収処理を行い、表面から蛍光灯の反射を観察して反射光
により皺によるムラについて評価した。

【０１３４】 ◎：皺によるムラは認められない ○：ごく一部に皺によるムラが認められる △：部分的に皺によるムラが認められる ×：皺によるムラが顕著である

【０１３５】

【表２】

【０１３６】（結果）本発明の光学フィルム３及び４は
何れも抗張力が１．４×１０²Ｎ／ｍｍ²以上であり、目
視による皺もムラも無く、分光反射率測定からのムラが
無かった。

【０１３７】実施例３実施例３は請求項３、６、７及び
８に係わる発明に関する。

【０１３８】 《ドープＣの調製》 〈ドープＣ組成物〉 メチレンクロライド ４４０ｋｇ エタノール ３５ｋｇ セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．８６） １００ｋｇ エチルフタリルエチルグリコレート １５ｋｇ チヌビン３２６ ０．５ｋｇ チヌビン１０９ ０．５ｋｇ 上記ドープＣ組成物の有機溶媒を密閉容器に投入し、攪
拌しながら順に素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完
全に溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて
一晩静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙
（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過しドー
プＣを調製した。

【０１３９】《セルローストリアセテートフィルムの作
製》これらのドープを用いて、溶液流延法により製膜し
た。すなわち、ドープ温度３５℃で３０℃のステンレス
ベルト上に均一に流延し、剥離可能な範囲まで乾燥させ
た後、ステンレスベルトからウェブを剥離した。このと
きのウェブの残留溶媒量は４０質量％であった。

【０１４０】それぞれをステンレスベルトから剥離した
後、９０℃に維持されたテンター装置内で１．０５倍幅
方向に延伸した後、ロール搬送しながら１２０℃の乾燥
ゾーンで乾燥を終了させ、膜厚５０μｍのセルロースエ
ステルフィルム５を作製し、基材フィルム５とした。

【０１４１】《光学フィルムの作製》基材フィルム５
を、図２のプラズマ放電処理装置を用いて、実施例１と
同様の高屈折率層形成用反応ガス組成物を用い、実施例
１と同様に酸化チタンの薄膜（高屈折率層）を形成し、
光学フィルム５を作製した。下記の評価を行った結果を
表３に示した。

【０１４２】〔目視評価〕実施例１の目視評価と同様に
評価した。

【０１４３】〔ヘイズ〕ＪＩＳ Ｋ７１０５に準じて測
定した。

【０１４４】〔水分率の測定〕試料を１０ｃｍ×１０ｃ
ｍの大きさに裁断し、２３℃、８０％ＲＨの雰囲気下で
４８時間調湿した後その質量を測定しＷ₂とした。次に
この試料を１２０℃で４５分間乾燥した後の質量を測定
しＷ₁とした。それぞれの測定値から下記式に計算し
て、２３℃、８０％ＲＨにおける水分率が得られる。

【０１４５】 水分率（％）＝（（Ｗ₂−Ｗ₁）／Ｗ₁）×１００

【０１４６】

【表３】

【０１４７】水分率３質量％のセルロースエステルフィ
ルム５（基材フィルム５）を用いた光学フィルム５はヘ
イズが低く、目視によるムラの評価も良好であった。

【０１４８】実施例４ 実施例４は請求項１、５、６、７及び８に係わる発明に
関する。

【０１４９】 《ドープＤの調製》 〈ドープＤ組成物〉 エタノール ３５ｋｇ アエロジル２００Ｖ ０．３ｋｇ メチレンクロライド ４４０ｋｇ セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．８９） １００ｋｇ トリフェニルホスフェート １０ｋｇ エチルフタリルエチルグリコレート ５ｋｇ チヌビン３２６ ０．５ｋｇ チヌビン１０９ ０．５ｋｇ 上記ドープＤ組成物を有機溶媒を密閉容器に投入し、攪
拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に
溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて一晩
静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙（株）製
の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過しドープＤを調
製した。

【０１５０】《セルローストリアセテートフィルムの作
製》ドープＤを用いて、溶液流延製膜法により製膜し
た。ドープ温度３５℃で３０℃のステンレスベルト上に
均一に流延し、剥離可能な範囲まで乾燥させた後、ステ
ンレスベルトからウェブを剥離した。このときのウェブ
の残留有機溶媒量は４０％であった。ステンレスベルト
から剥離した後、８５℃に保持されたテンターにて幅方
向に１．０６倍に延伸した後、ロール搬送しながら１２
０℃の乾燥ゾーンで乾燥を終了させ、膜厚５０μｍのマ
ット剤（アエロジル２００Ｖ）含有セルロースエステル
フィルム６を作製し、基材フィルム６とした。このフィ
ルムの抗張力はＭＤ方向、ＴＤ方向ともに１５０Ｎ／ｍ
ｍ²以上であった。

【０１５１】《バックコート層等を塗設した基材フィル
ムの作製》上記基材フィルム６のＡ面に下記の塗布組成
物（１）をウェット膜厚１３μｍとなるように押し出し
コートし、乾燥温度９０℃にて乾燥させバックコート層
を塗設した。

【０１５２】また反対側のＢ面には、下記の塗布組成物
（２）をウェット膜厚で１３μｍとなるように押し出し
コートし、次いで８０℃に設定した乾燥部で乾燥した
後、１１０ｍＪ／ｃｍ²で紫外線照射し、乾燥膜厚で３
μｍの中心線平均表面粗さ（Ｒａ）１２ｎｍのクリアハ
ードコート層を設け、これを基材フィルム７とした。

【０１５３】また、基材フィルム７のクリアハードコー
ト層に変えて下記塗布組成物（３）を塗設し防眩層を設
け、基材フィルム８とした。

【０１５４】以下に上記記載の基材フィルム７及び８の
作製に用いる塗布組成物（１）及び（２）、更に塗布組
成物（３）とその調製方法を示す。

【０１５５】 〈塗布組成物（１）〉（バックコート層塗布組成物） アセトン ３０質量部 酢酸エチル ４５質量部 イソプロピルアルコール １０質量部 セルロースジアセテート ０．６質量部 二酸化珪素微粒子２％アセトン分散液 ０．０４質量部 〈塗布組成物（２）〉（クリアハードコート層塗布組成物） ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分 ２０質量部 ジエトキシベンゾフェノン ４質量部 酢酸エチル ４５質量部 メチルエチルケトン ４５質量部 イソプロピルアルコール ６０質量部 〈塗布組成物（３）（防眩層作製用）の調製〉 酢酸エチル ４５質量部 メチルエチルケトン ４５質量部 イソプロピルアルコール ６０質量部 サイリシア４３１（平均粒径２．５μｍ（富士シリシア化学（株）製）） ２質量部 アエロジル２００Ｖ（平均粒径１２ｎｍ） ５質量部 以上を高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業
（株）製）で攪拌し、その後衝突型分散機（マントンゴ
ーリン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の紫外
線硬化液を添加し、塗布組成物（３）を調製した。

【０１５６】 〈紫外線硬化液〉 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分 ２０質量部 ジエトキシベンゾフェノン ４質量部 《光学フィルムの作製》基材フィルム６のＢ面側に、基
材フィルム７のクリアハードコート層の上に、及び基材
フィルム８の防眩層の上に、それぞれ図２のプラズマ放
電処理装置を用いて、実施例１と同様の高屈折率層形成
用反応ガス組成物を用い、実施例１と同様に酸化チタン
の薄膜（高屈折率層）を形成し、光学フィルム６、７及
び８を作製した。

【０１５７】下記の評価を行った結果を表４に示した。 〔動摩擦係数の測定〕１００ｍｍ×２００ｍｍの大きさ
に裁断した試料フィルムの上に７５ｍｍ×１００ｍｍの
大きさに裁断した試料フィルムを載せる。試料フィルム
はバックコート層側同士が接するようにし、これを固定
した台の上に載せ、更にフィルム上にフォームラバーで
覆われた２００ｇのおもりを載せる。おもりを水平方向
に引っ張り、動きだした時の力（Ｆ）を測定し、下記式
より動摩擦係数（μ）を求めた。

【０１５８】Ｆ＝μ×Ｗ ここで、Ｗはおもりの質量（ｋｇ）である。

【０１５９】〔ＭＤ方向の膜厚バラツキの評価〕高屈折
率層の分光反射率は分光光度計Ｕ−４０００型（日立製
作所製）を用いて、角度５°正反射の条件にて反射率の
測定を行った。測定は、観察側の裏面を粗面化処理した
後、黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、フィル
ム裏面での光の反射を防止して、反射率（４００ｎｍ〜
７００ｎｍの波長について）の測定を行った。得られた
反射スペクトルデータより、高屈折率層の膜厚を算出し
た。長手方向（ＭＤ方向）で３０ｃｍ間隔で１０点を測
定して膜厚の平均値とバラツキを求めた。

【０１６０】

【表４】

【０１６１】（結果）本発明のセルロースエステルフィ
ルム自体がマット剤を含有した基材フィルム６、マット
剤入りのバックコート層をＡ面側に、またＢ面側にクリ
アーハードコート層を塗設した基材フィルム７、及びマ
ット剤入りのバック層をＡ面側に、またＢ面側に防眩層
を塗設した基材フィルム８は何れも動摩擦係数は０．９
以下であり、プラズマ放電処理することによって、ＭＤ
の膜厚ムラもなく、均一な膜厚の光学フィルム６、７及
び８をそれぞれ得ることが出来た。

【０１６２】 比較例１ 《ドープＥの調製》 〈ドープＥ組成物〉 メチレンクロライド ４４０ｋｇ エタノール ３５ｋｇ セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．８６） １００ｋｇ トリフェニルホスフェート ８ｋｇ チヌビン３２６ ０．５ｋｇ チヌビン３２８ ０．５ｋｇ 上記ドープＥ組成物を有機溶媒を密閉容器に投入し、攪
拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に
溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて一晩
静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙（株）製
の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過しドープＥを調
製した。

【０１６３】《セルローストリアセテートフィルムの作
製》溶液流延製膜法によりセルローストリアセテートフ
ィルムを製膜した。ドープ温度３５℃で３０℃の無限移
行する無端の金属支持体のステンレスベルト上に均一に
流延した。その後、剥離可能な範囲まで乾燥させた後、
ステンレスベルトからウェブを剥離した。このときのウ
ェブの残留溶媒量は２０質量％であった。ステンレスベ
ルトから剥離した後、ロール搬送しながら９０〜１２０
℃の乾燥ゾーンで乾燥を終了させ、膜厚７０μｍのセル
ロースエステルフィルム７を作製、基材フィルム９とし
て使用した。

【０１６４】《光学フィルムの作製》基材フィルム９
を、図２のプラズマ放電処理装置を用いて、実施例１と
同様の高屈折率層形成用反応ガス組成物を用い、実施例
１と同様に酸化チタンの薄膜（高屈折率層）を形成し、
光学フィルム９を作製した。

【０１６５】下記の評価を行った結果を表５に示した。 〔評価〕実施例１の目視評価、実施例２の抗張力の測
定、ＴＤの膜厚バラツキの評価、皺によるムラの目視評
価、実施例３のヘイズ、水分率の測定、実施例４の動摩
擦係数の測定及びＭＤの膜厚バラツキの評価をそれぞれ
行い、結果を表５に示した。

【０１６６】

【表５】

【０１６７】（結果）比較例の光学フィルムは、延伸も
行わず、基材の膜厚が７０μｍと厚く、抗張力が１．３
×１０²Ｎ／ｍｍ²と小さく、水分率が５質量％と大き
く、動摩擦係数も１．１０と大きく、その結果非常にム
ラが目立ち、膜厚バラツキも大きかった。

【０１６８】実施例５及び比較例２ 実施例４の光学フィルム７及び８と比較例１の光学フィ
ルム９の高屈折率層の上に、この高屈折率層の薄膜プラ
ズマ放電処理の条件を下記の低屈折率層形成用反応ガス
組成物に変更した以外は実施例１と同様にして低屈折率
層（膜厚９５ｎｍ、屈折率１．４６）を設け、これらを
順に偏光板用保護フィルム１０〜１２とした。

【０１６９】 〈低屈折率層形成用反応ガス組成物〉 希ガス：アルゴン ９８．２体積％ 反応性ガス：テトラメトキシシラン蒸気（アルゴンガスにてバブリング） ０．３体積％ 水素ガス １．５体積％ 偏光板用保護フィルム１０〜１２として用い、偏光板１
〜３を作製した。

【０１７０】《偏光板の作製》偏光板用保護フィルム１
０〜１２を用いて、以下に述べる工程に従って、偏光板
１〜３を作製し、評価した。

【０１７１】１．偏光膜の作製 厚さ１２０μｍのポリビニルアルコールフィルムを、一
軸延伸（温度１１０℃、延伸倍率５倍）した。これをヨ
ウ素０．０７５ｇ、ヨウ化カリウム５ｇ、水１００ｇか
らなる水溶液に６０秒間浸漬し、次いでヨウ化カリウム
６ｇ、ホウ酸７．５ｇ、水１００ｇからなる６８℃の水
溶液に浸漬した。これを水洗、乾燥し偏光膜を得た。

【０１７２】２．偏光板の作製 次いで、下記工程１〜５に従って、偏光膜と偏光板用保
護フィルム１０〜１２とを貼り合わせて偏光板を作製し
た。

【０１７３】工程１：偏光板用保護フィルムを、長手方
向３０ｃｍ、巾手方向１８ｃｍのサイズで２枚切り取
り、２ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム溶液に６０℃で９
０秒間浸漬し、次いで水洗、乾燥させた。低屈折率層の
表面には剥離性保護フィルムを張り付けて保護した。

【０１７４】工程２：長手方向３０ｃｍ、巾手方向１８
ｃｍサイズに断裁した前記偏光膜を固形分２質量％の完
全鹸化ポリビニルアルコール接着剤槽中に１〜２秒間浸
漬した。

【０１７５】工程３：工程２で偏光膜に付着した過剰の
接着剤を軽く取り除き、それを工程１で処理した偏光板
用保護フィルム１０〜１２の上に積層し、更にその反対
側の偏光膜の表面に同一種の偏光板用保護フィルム１０
〜１２を接着剤で積層体を形成し、配置した。（低屈折
率層が外側になるように配置） 工程４：ハンドローラにて工程３で積層した偏光膜と偏
光板用保護フィルム１１〜１２との積層体の端部から過
剰の接着剤及び気泡を取り除き貼り合わせた。ハンドロ
ーラの圧力は２０〜３０Ｎ／ｃｍ²、ローラスピードは
約２ｍ／ｍｉｎとした。

【０１７６】工程５：８０℃の乾燥機中にて工程４で作
製した試料を２分間乾燥処理し、偏光板１〜３を作製し
た。

【０１７７】《表示装置の作製》市販の液晶表示パネル
（ＮＥＣ製 カラー液晶ディスプレイ ＭｕｌｔｉＳｙ
ｎｃ ＬＣＤ１５２５Ｊ 型名 ＬＡ−１５２９ＨＭ）
の最表面の偏光板を注意深く剥離し、ここに偏光方向を
合わせた偏光板１〜３をそれぞれ張り付けた。

【０１７８】偏光板及び液晶表示パネルについて、目視
でムラの評価を行い、前述のムラの評価の基準で同様に
評価し、表６に示した。

【０１７９】

【表６】

【０１８０】（結果）本発明の偏光板１及び２を用いた
液晶表示パネルは、比較例の偏光板３を用いた液晶表示
パネルに対して、反射光のムラもなく、表示性能に優れ
ていることが確認された。これに対して、比較の偏光板
３を用いたものは著しい反射光のムラが認められた。

【０１８１】

【発明の効果】本発明の大気圧もしくはその近傍の気圧
下でプラズマ放電処理方法を用いて、薄膜連続処理に適
し、安価に多層の薄膜を均一に形成する方法を提供し、
更にこの方法で表面に薄膜を形成した光学フィルム、こ
れを用いた偏光板や画像表示装置を提供する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜形成方法に用いられるプラズマ放
電処理装置の一例を示す図である。

【図２】本発明の薄膜形成方法に有用な回転電極と固定
電極を有するプラズマ放電処理装置の一例を示す図であ
る。

【符号の説明】

Ｆ 基材フィルム Ｇ 反応ガス Ｇ′ 排ガス １０Ａ，１０Ｂ，１１０ 回転電極 １１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ Ｕターンロール ２０，２１ ガイドロール ３０ 反応ガス供給部 ４０，１４０ ガス排気口 ５０，１５０ 放電部 ８０，１８０ 電源 ８１，８２，１８１，１８２ 電圧供給手段 １１０ 回転電極 １１１ 固定電極 １２０，１２１ ガイドロール １２２，１２３ ニップロール １２４，１２５ 仕切板 １３０ 給気管 １３１ 反応ガス発生装置 １９０ プラズマ放電処理容器

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BB33 2K009 AA02 BB28 CC09 CC12 CC24 CC26 CC42 DD02 DD05 DD09 DD17 4G075 AA24 BC01 CA47 DA02 DA18 EC21 ED04 ED06 EE12 FB12 4K029 AA11 BA48 BB02 BC07 CA12 JA10 KA03

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 裏面の動摩擦係数が０．９以下である基
   材フィルムの表面に、大気圧もしくは大気圧近傍の圧力
   下にある電極間隙に反応ガスを供給しながらプラズマ放
   電処理をすることを特徴とする薄膜形成方法。
2. 【請求項２】 膜厚が１０〜６０μｍであり、抗張力が
   １．４×１０²Ｎ／ｍｍ²以上の基材フィルムを、大気圧
   もしくは大気圧近傍の圧力下にある電極間隙に反応ガス
   を供給しながらプラズマ放電処理することを特徴とする
   薄膜形成方法。
3. 【請求項３】 ２３℃、８０％ＲＨにおける水分率が４
   ％以下の基材フィルムの表面に直接、または該基材フィ
   ルム上に有する層を介して、大気圧もしくは大気圧近傍
   の圧力下にある電極間隙に反応ガスを供給してプラズマ
   放電処理することを特徴とする薄膜形成方法。
4. 【請求項４】 少なくとも幅手方向に延伸し製膜した基
   材フィルム表面に直接、または該基材フィルム上に有す
   る層を介して、大気圧もしくは大気圧近傍の圧力下にあ
   る電極間隙に反応ガスを供給してプラズマ放電処理する
   ことを特徴とする薄膜形成方法。
5. 【請求項５】 前記基材フィルム上に有する層がエチレ
   ン性不飽和二重結合を有するモノマー及び／またはオリ
   ゴマーを重合して形成された樹脂硬化層であること特徴
   とする請求項３または４に記載の薄膜形成方法。
6. 【請求項６】 前記基材フィルムがセルロースエステル
   フィルムであることを特徴とする請求項１乃至５の何れ
   か１項に記載の薄膜形成方法。
7. 【請求項７】 前記セルロースエステルフィルムが、総
   アシル基置換度２．５５〜２．９５のセルロースエステ
   ルを有することを特徴とする請求項６に記載の薄膜形成
   方法。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７の何れか１項に記載の方
   法で形成された薄膜を有することを特徴とする光学フィ
   ルム。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の光学フィルムを保護フ
   ィルムとして用いたこと特徴とする偏光板。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載の光学フィルムを用い
    たこと特徴とする画像表示装置。