CN101668879B - 含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法 - Google Patents

含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101668879B
CN101668879B CN2008800098290A CN200880009829A CN101668879B CN 101668879 B CN101668879 B CN 101668879B CN 2008800098290 A CN2008800098290 A CN 2008800098290A CN 200880009829 A CN200880009829 A CN 200880009829A CN 101668879 B CN101668879 B CN 101668879B
Authority
CN
China
Prior art keywords
base material
treatment chamber
blocking layer
exposed
plasma body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008800098290A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101668879A (zh
Inventor
L·M·赞伯韦
V·A·沙玛米安
W·K·韦德纳
M·J·罗伯达
S·A·斯诺
G·A·塞尔尼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of CN101668879A publication Critical patent/CN101668879A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101668879B publication Critical patent/CN101668879B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249978—Voids specified as micro
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31507—Of polycarbonate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明提供在挠性基材上形成阻挡层的方法和工艺。连续卷到卷法包括使用至少一个构造成引导基材穿过处理室的辊向处理室提供基材。该工艺包括通过使在处理室内的基材的至少一部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体而邻近该基材沉积阻挡层。本发明进一步涉及包含基于结构单元SiC：H的阻挡层的涂布挠性基材。该阻挡层具有高密度和低孔隙率。此外，该阻挡层显示出10-2-10-3g.m-2d-1的低水蒸气透过率(WVTR)并且适合很低渗透性的应用。

Description

含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法
发明背景 
1.发明领域 
本发明一般地涉及阻挡层的沉积，更具体地涉及含硅和碳的阻挡层的卷到卷(roll-to-roll)等离子体增强化学气相沉积。 
2.相关技术的说明 
阻挡层常用于提供免受环境中众多潜在损害条件的防护。例如，疏水性阻挡层可以用于提供对水的防护，不透明性阻挡层可以用于提供对各类辐射的防护，抗刮性阻挡层可以用于提供对磨损的防护，等等。阻挡层可以在药品和食物包装中以及在众多挠性电子器件、包括液晶和二极管显示器、光伏和光学器件(包括太阳能电池)以及薄膜电池中用作对湿分和氧气的防护措施。通常在基材、例如挠性塑料膜或金属箔上形成阻挡层。 
适合用作层间电介质或环境阻挡体的氢化碳氧化硅膜及其制备方法是本领域已知的。例如，Loboda等人的美国专利6,159,871描述了制备氢化碳氧化硅膜的化学气相沉积法。Loboda专利中所述的CVD法包括将包含含甲基的硅烷和提供氧的气体的反应性气体混合物引入包含基材的沉积室内。25℃-500℃下在含甲基的硅烷与提供氧的气体之间诱发反应。反应过程中存在受控量的氧，这在基材上产生介电常数为3.6或更小的包含氢、硅、碳和氧的膜。 
Loboda的国际申请公布WO 02/054484描述了包括形成为半导体材料所制成的基材的固态器件组件的集成电路。该集成电路还包括连接固态器件的金属配线。至少在金属配线上形成扩散阻挡层而且该扩散阻挡层是组成为SiwCxOyHz的合金膜，其中w为10-33的值，x为1-66的值，y为1-66的值，z为0.1-60的值，以及w+x+y+z＝100原子％。 
Loboda等人的美国专利6,593,655描述了其上形成有膜的半导体器件。如下产生该膜：将包含含甲基的硅烷和提供氧的气体的反应性气体混合物引入包含半导体器件的沉积室，并且在25℃-500℃下诱发含甲基的硅烷与提供氧的气体之间的反应。反应过程中存在受控量的氧，这在半导体器件上产生介电常数为3.6或更小的包含氢、硅、碳和氧的膜。 
Cerny等人的美国专利6,667,553描述了一种基材，例如液晶器件、发光二极管显示器件和有机发光二极管显示器件。如下在基材上产生膜：将包含含甲基的硅烷和提供氧的气体的反应性气体混合物引入包含该基材的沉积室内。在25℃-500℃下在含甲基的硅烷与提供氧的气体之间诱发反应。反应过程中存在受控量的氧，这在基材上产生介电常数为3.6或更小的包含氢、硅、碳和氧的膜。该膜对于波长为400nm-800nm的光具有95％或更高的透射率。 
P.O’Connor的美国专利20030215652描述了一种聚合物容器，其具有式SiOxCyHz的含有机物层的等离子体聚合的表面。该等离子体形成的阻挡体系可以是等离子体沉积的连续涂层，其具有从等离子体层与聚合物容器原始表面之间的界面上的式SiOxCyHz变化到沉积过程中已经变成该容器的新表面的表面上的SiOx的组成。通过在没有氧化化合物存在下启动等离子体，然后向等离子体中加入氧化化合物，从而形成该连续体。将氧化化合物的浓度提高至足以氧化前体单体的浓度。或者，从基材界面起具有组成连续性的阻挡体系可以通过不改变氧化内容物的情况下提高功率密度和/或等离子体密度而形成致密的高阻挡部分。此外，氧气增加和提高的功率密度/等离子体密度的组合可以形成梯度阻挡体系的致密部分。 
诸如上述那些的常规沉积工艺采用间歇式处理以在基材上沉积阻挡层。然而，间歇式处理不是一种连续技术而且通常需要将基材装载至处理室内，在基材之上形成阻挡层，然后从处理室内取出具有在其上形成的阻挡层的基材。一旦从处理室内取出基材，可以将另一基材放在处理室内以便在该新基材上可以形成阻挡层。放入基材和/或从室内取出基材所需的时间会增加形成阻挡层所需的总处理时间并且降低系统的生产量。 
J.Madocks的专利申请WO 02/086185涉及可以在连续卷到卷方法中使用的潘宁放电等离子体源。类似于潘宁放电的磁场和电场布置在两个表面之间的区域中有效地捕集电子霍尔电流。将基材靠近电极中的至少一个布置并且相对于等离子体移动时，根据工艺条件对该基材进行等离子体处理、涂布或者改性。 
本发明涉及解决一个或多个上述问题的影响。 
发明概述 
以下呈现本发明的简化概述以便提供对本发明某些方面的基本理解。这种概述不是本发明的详尽综述。并非意图确定本发明的关键或重要要素或者描绘本发明的范围。其唯一的目的在于作为在后面论述的更详细说明的序言以简化形式呈现一些概念。 
本发明的一种实施方案中，提供一种在基材上形成阻挡层的方法。定义为连续卷到卷处理的所述方法包括使用至少一个构造成引导基材穿过处理室的辊向处理室提供基材。该方法还包括通过使在处理室内的基材的至少一部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体而邻近该基材沉积阻挡层。 
本发明的另一实施方案中，根据一种工艺在基材上形成阻挡层。所述工艺包括使用至少一个构造成引导基材穿过处理室的辊向处理室提供基材。定义为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的所述工艺还包括通过使在处理室内的基材的至少一部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体而邻近该基材沉积阻挡层。在优选的该工艺中，使用多个辊向处理室提供基材包括使用多个辊向处理室提供基材以使得该基材的第一部分暴露于靠近处理室的第一侧的等离子体和该基材的第二部分同时暴露于靠近处理室的第二侧的等离子体，所述第一侧与第二侧相对。 
本发明的另一实施方案中，提供一种装置以便在基材上形成阻挡层。所述装置包括构造成接收基材的至少一部分并且使基材的所述至少一部分暴露于等离子体的处理室。所述装置还包括至少一个用于引导基材穿过处理室的辊以便通过暴露于含硅和碳的前体气体而邻近该基材沉积阻挡层。 
本发明的另一实施方案中，提供一种在基材上形成阻挡层的方法。所述方法包括使用至少一个辊引导长度为L的基材穿过包含等离子体的处理室，该等离子体由含硅和碳的前体气体在添加或不添加惰性气体和/或氧化剂的情况下形成。所述方法还包括当引导基材穿过处理室时，沿着长度L在该基材的选定部分处邻近基材的表面沉积阻挡层。 
本发明所述的阻挡层具有比常规的氢化碳化硅或碳氧化硅膜更高的密度和更低的孔隙率。该阻挡层具有低水蒸气透过率，通常为10-2-10-3gm-2d-1。 
附图简要说明 
连同附图参照下列说明可以理解本发明，在附图中同样的标号数字表明同样的要素，以及其中： 
图1从概念上说明可以按照本发明采取卷到卷技术用于沉积阻挡层的反应器系统的一种示例性实施方案； 
图2显示本发明的涂布基材的横截面图； 
图3描绘按照本发明形成的阻挡涂层的FTIR； 
图4提供按照本发明形成的阻挡涂层的透光率； 
图5描绘作为气相中氧含量的函数的碳化硅基阻挡涂层的透光率； 
图6描绘作为反应器系统中电功率的函数的碳化硅基阻挡层的透光率； 
表1概括实施例1-4的阻挡涂层的工艺参数和性能。透水性试验在38℃和100％相对湿度(RH)下进行。 
虽然本发明容许各种改进和替代形式，但是通过附图示范性地显示了其特定实施方案并且在本文中对其作了详细描述。然而，应当理解本文中特定实施方案的说明不是意图将本发明限于所公开的特定形式，而是相反，意图覆盖落在如所附权利要求限定的本发明范围内的所有改进、等价物和替代物。 
特定实施方案的详细说明 
以下描述本发明的说明性实施方案。为了清楚起见，并非实际实 施的所有特征都在本说明书中描述。当然将会意识到在开发任何上述实际实施方案中，应当作出许多关于实施的决定从而实现开发者的特定目标，例如服从系统相关和商业相关的约束，这将随不同的实施方式而有所变化。此外，应当意识到尽管这种开发努力可能是复杂且费时的，然而对于阅读过本公开内容的本领域技术人员而言这将是例行的工作。 
现在将参照附图描述本发明。各种结构、系统和装置只是为了说明而示意性地描绘在附图中，以至于不会因本领域技术人员公知的细节而使本发明不清楚。尽管如此，包括附图以描述和说明本发明的说明性实例。本文使用的措辞和短语应当理解和解释成具有与相关领域技术人员对于那些措辞和短语的理解一致的含义。不存在术语或短语的特别定义(也就是与本领域技术人员理解的普通和常规含义不同的定义意图)旨在通过本文中术语或短语的一致使用而显示。在术语或短语意图具有特殊含义(即与技术人员的理解不同的含义)的程度下，这种特殊定义将会明白地以定义方式在说明书中提出，所述方式直接和明确地提供该术语或短语的特殊定义。 
图1从概念上说明可以采取卷到卷技术用于沉积阻挡层的反应器系统100的一种示例性实施方案。在所示的实施方案中，反应器系统100用于实施制备水蒸气不可透过的涂布挠性塑料基材的连续卷到卷等离子体法。卷到卷制造是其中在用辊限定网幅的宽度并且保持网幅的适当张力和位置的情况下卷材或网幅通过加工机械的工艺。因此，该技术有时称作“网幅加工(web processing)”。网幅通常是用作阻挡层的基材的挠性塑料或金属箔材料的大连续卷材。当基材穿过处理室时，引入化学品并且产生功能层。在所示的本实施方案中，反应器系统100包括处理室(未示出)。得益于本公开内容的本领域技术人员将会意识到，为了清楚起见，只有与本发明相关的反应器系统和处理室的特征示于图1中并且在本文中描述。 
两个辊120(1-2)可以用于向处理室提供挠性基材125。挠性基材125可以是塑料基材或金属箔。在可供替代的实施方案中，塑料膜基 材125可以由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亚胺、多氟烃等形成。辊120另外与可以用于在辊120和室壁之间建立电压差的电压源(未示出)连接。例如，辊120可以充当阴极或充当阳极以便在处理室内形成电场。在优选的实施方案中，还可以提供附加的辊从而引导基材125和/或调节或维持基材125中的张力。然而，得益于本公开内容的本领域技术人员应当意识到本发明不限于图1所示的辊120的特定数目和/或构造。在可供替代的实施方案中，更多或更少的辊120可以用于向处理室提供数个部分的基材125。一种实施方案中，辊120可以是温度控制的。 
气体源130用于向处理室提供一种或多种气体。尽管在图1中描绘单个气体源130，但是得益于本公开内容的本领域技术人员将会意识到本发明不限于单个气体源130。在可供替代的实施方案中，任何数目的气体源130可以用于向处理室提供气体。一种实施方案中，气体源130向处理室提供含硅树脂和碳、例如有机基硅烷的气体。气体源130还可以提供氢气和/或氧气，以及一种或多种惰性气体例如氩气和/或氦气。例如，气体源130可以提供由作为含硅碳的前体的三甲基硅烷((CH3)3SiH)、连同或不连同作为惰性气体的氩气组成的气体混合物。处理室内的气体可以被电离从而在处理室内形成等离子体135。等离子体135则可以在处理室内通过磁场约束。这类等离子体源通常称为潘宁放电等离子体源。 
操作中，基材125经过辊120(2)进入处理室，在该处理室中使基材125的一侧暴露于等离子体。接着当基材125暴露于等离子体时可以将阻挡层沉积在基材125上。例如，当基材125通过辊120引导穿过处理室时，阻挡层可以沉积在基材125暴露于等离子体的部分上。例如，如果由包含硅、碳和氢的气体形成等离子体，可以由基于结构单元SiC:H的氢化碳化硅形成非梯度阻挡层。另一实例中，如果由包含硅、碳、氢和氧的气体形成等离子体，可以由基于结构单元SiOC:H的氢化碳氧化硅形成阻挡层。基材125然后可以经过附加的辊离开处 理区 
Figure G2008800098290D00071
并可以通过另一辊120(2)引导回到处理区中，在那里它再次暴露于处理室中的等离子体，以至于可以形成附加部分的阻挡层。这样可以制造连续阻挡层涂布的塑料膜。 
图2显示涂布基材200的横截面图。在所示的实施方案中，阻挡层205已经沉积在挠性基材200上。例如，阻挡层205可以用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积，如本文所述的。 
回到图1，可以调节反应器系统100的操作参数，例如网幅速度(或辊速)、等离子体功率、气体压力、浓度和/或流动速率，从而实现阻挡层的某些性能。一种实施方案中，可以调节操作参数以使得阻挡层与常规氢化碳化硅和/或硅氧烷膜相比，具有相对较高的密度和低的纳米孔隙率。例如，潘宁放电等离子体源中的等离子体的低等离子体阻抗容许反应器系统100在低压下操作。通过在低毫托(mTorr)范围内(＜50mTorr)操作，气体物质的平均自由行程足够长以使气相化学相互反应和颗粒形成减到最少。通过施加300-400W的等离子体功率，这容许阻挡层的优质沉积的更高单体输送和沉积速率(例如，至多200nm.m/min的动态沉积速率)。 
使用本文所述技术形成的阻挡层的性能可以通过采用各类度量衡学确定。示例性的度量衡学技术包括用Tristan分光计测定阻挡层的厚度和厚度均匀性；用MOCON Permatran-W渗透试验系统和/或常规Ca试验分析阻挡层性能；经由用Shimadzu UV 2401 PC分光计进行的UV-VIS光谱法确定阻挡层的光学性能；用X射线的能量分散分析(EDAX)、卢瑟福背散射光谱学(RBS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱法确定阻挡层的组成；通过阻挡层的水接触角的光学测量确定表面可润湿性；通过标准带试验确定阻挡层的附着性能；通过采取Steelwool试验确定阻挡层的抗刮性；用Veeco’s Dimension 5000 AFM以轻敲模式下的原子力显微镜(AFM)确定阻挡层的膜表面粗糙度；用常规沸水试验、以及用扫描电子显微镜(SEM)和/或光学显微镜检验确定热稳定性。 
图3描绘用本文所述技术的实施方案形成的阻挡层的实施方案的傅里叶变换红外(FTIR)光谱。将阻挡层的IR吸收率作为按cm-1计的波 数的函数作图。在图3所示的实施方案中，阻挡涂层由基于结构单元SiC:H的氢化碳化硅或者基于结构单元SiOC:H的氢化碳氧化硅形成。IR吸收率显示对应于阻挡层材料的各种化学键振动、例如弯曲模式和伸缩模式的峰。静态条件下沉积的阻挡层的FTIR谱(图3)显示具有减少的氢含量的典型SiC-基键结构，这是高密度等离子体(HDP)工艺的特征。另外图3中所示(图例框)的是通过椭圆光度法测定的涂层的相应折射率(RI)值。 
如此在挠性塑料基材上形成的阻挡涂层具有10-2-10-3g.m-2d-1的低水蒸气透过率(WVTR)，如通过Mocon Inc.的Permatran-W渗透性测试仪以及通过Dow Corning Co.进行的钙(Ca)降解试验测定的那样。阻挡层还是高疏水性的，例如阻挡层的水接触角可以是85°以上。沉积的阻挡层的厚度也可以取决于网幅速度，通常调节该速度以便阻挡层厚度为0.5-2.0μm。此外，碳化硅阻挡层是光滑的。根据阻挡层的厚度，均方根粗糙度(rms)为2-6nm，如同由原子力显微镜(AFM)测定那样。阻挡层是透明的，通常对于电磁谱的可见区中的光透过至少55％，如同图4所示的空白基材和涂布阻挡层的基材的紫外-可见光谱中所示的。在所示实施方案中，在纵轴上绘制透射率百分比而在横轴上绘制按纳米计的光波长。线条描绘了空白PEN基材、空白PET基材、用氢化碳化硅基阻挡层涂布的基材的透射率。透射率通常随着增大波长而提高并且处于约70-90％的范围。此外，可以通过氧化作用(oxygenation)提高阻挡层的透明度。如图4所示(虚线和点线)，碳氧化硅阻挡层对于电磁谱的可见区域的光具有至少80％的透明度。 
用本文所述技术形成的阻挡层可以在食物、饮料和药品包装中以及在众多挠性电子器件、包括液晶和二极管显示器、光伏和光学器件(包括太阳能电池)以及薄膜电池中用作对湿分和氧气的防护措施。 
实施例
提供下列实施例以更好地说明本法明的涂布基材和方法。然而，这些实施例旨在是说明性的而不限制本发明。实施例中，用中等频率范围内操作的单个和/或两个不对称潘宁放电等离子体源进行阻挡涂 层沉积。沉积室内辊的温度保持在18-25℃。表1和2提供根据本发明实施例形成的阻挡层的一些物理性能以及图4、5和6展现阻挡层的一些光学性能。 
实施例1-2 
在300-500W的等离子体功率下进行阻挡涂层沉积(表1)。在20-30mTorr的压力下，将含硅碳的前体、即三甲基硅烷((CH3)3SiH)、或者Ar/((CH3)3SiH)的气体流速比率至多2.5的包含三甲基硅烷((CH3)3SiH)和氩气(Ar)的反应性气体混合物引入沉积室中进行沉积过程(表1)。阻挡涂层沉积在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜材料上。沉积的阻挡层的厚度通常约0.75μm。阻挡涂层包含硅(Si)、碳(C)、作为杂质的氧(O)和氢(H)，其组成比为Si/C＝0.60-0.65和O/Si＝0.075-0.10，即该材料可以分类为基于结构单元SiC:H的氢化碳化硅(表1，图3-实线)。阻挡层具有10-3-10-2g.m-2d-1的低水蒸气透过率(WVTR)，如由Mocon Inc.的Permatran-W渗透性测试仪测定的那样。阻挡层光滑而且良好附着。阻挡层可以在可见光谱的400nm范围内是高度吸收的，涂布的塑料基材具有透明性，对于波长600nm和更高的可见光典型地超过50％(图4，实线)。 
实施例3和4 
在250-300W的功率范围下进行阻挡涂层沉积(表1)。在30-50mTorr的压力下，将气体流速比率Ar/((CH3)3SiH)＝1.0-1.5以及O2/((CH3)3SiH)＝0.5-1.25的包含含硅碳的前体、即三甲基硅烷((CH3)xSiH)、氩气(Ar)和氧气(O2)的反应性气体混合物引入沉积系统中进行沉积过程(表1)。本实施例中，阻挡涂层沉积在PET和PEN挠性基材上。沉积的阻挡层的厚度通常为1.5-2.0μm。阻挡涂层含硅(Si)、碳(C)、氧(O)和氢(H)，其组成比为Si/C＝0.95-1.10和O/Si＝0.35-1.0，即该材料可以分类为基于结构单元SiOC:H的氢化碳氧化硅(表1，图3-虚线和点线)。阻挡层具有10-3-10-2g.m-2d-1的低水蒸气透过率(WVTR)，如由Mocon Inc.的Permatran-W渗透性测试仪测定的那样。阻挡层是光滑的-均方根粗糙度(rms)为4-6nm。涂布的塑 料基材具有透明性，对于波长500nm和更高的可见光典型地超过75％(图4，虚线和点线)。此外，阻挡层良好附着于塑料基材上并且经受住标准带试验。另外，涂布塑料基材、相应地阻挡层经受住沸水试验。 
图5描绘作为气相中氧含量的函数的塑料基材上氧掺杂碳化硅基阻挡层的透射率。所示实施方案中，作为在横轴上绘制的氧气流速的函数，在纵轴上绘制阻挡层的透射率。阻挡层的折射率倾向于随着增加氧含量而降低，阻挡层的透射率倾向于随着增加氧含量而增加。 
图6描绘作为反应器系统中电功率的函数的塑料基材上氧掺杂碳化硅基阻挡层的透射率。所示实施方案中，作为在横轴上绘制的按瓦特计的施加电功率的函数，在纵轴上绘制阻挡层的透射率。阻挡层的透射率倾向于随着施加电功率的增加而降低。 
包含硅、碳、氢和/或氧的阻挡层的卷到卷沉积可以是用于形成阻挡层涂布膜、例如可以用于挠性电子器件中的阻挡层塑料的非常有效的技术。例如，本文描述的三甲基硅烷PECVD阻挡层技术的实施方案已进行试验而且成功适合使用卷到卷涂布系统。本文所述的阻挡层沉积技术相对于工艺操作条件和阻挡层性能显示宽范围的可调性，而且已经实现至多150nm.m/min的动态沉积速率。由于潘宁放电等离子体源提供的能量输入，可以建立“温和”工艺条件(200-300W的等离子体功率)。温和工艺条件可以特别适合沉积具有高阻挡防护水平、即WVTR＜10-3g.m-2d-1和阻挡改善系数BIF＞1000的应力被降低、抗龟裂和透明的涂层。 
上面公开的特定实施方案只是说明性的，因为本法明可以在不同但是对得益于本文教导的本领域技术人员而言显然等价的方式下进行改进和实施。此外，除了如下面的权利要求中所述之外，不希望限于设备结构或设计的细节。因此显然的是，可以改变或改进上面公开的特定实施方案而且所有这些变化都认为是在本发明的范围内。因此，本文寻求的保护如下面的权利要求书所述。 

Claims (34)

1.一种方法，其包括：
使用至少两个构造成引导基材的第一部分和第二部分穿过处理室的辊向处理室提供基材；
在所述辊和室壁之间建立电压差；
向处理室提供一种或多种气体，所述气体包括含硅和碳的前体；
离子化所述气体以形成等离子体；
使基材的第一部分暴露于靠近处理室的第一侧的等离子体和该基材的第二部分同时暴露于靠近处理室的第二侧的等离子体；和
邻近该基材的第一部分和第二部分沉积阻挡层。
2.权利要求1的方法，其中向处理室提供基材包括向处理室提供挠性网幅基材。
3.权利要求2的方法，其中向处理室提供挠性网幅基材包括向处理室提供由聚萘二甲酸乙二醇酯塑料膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯塑料膜中的至少一种形成的挠性网幅基材。
4.权利要求1的方法，其中向处理室提供基材包括提供长度尺寸大于处理室的线性尺寸和宽度尺寸小于或近似等于处理室的至少一个线性尺寸的基材。
5.权利要求1的方法，其中使用至少两个辊向处理室提供基材包括使用额外的构造成保持基材中的选定张力和基材的选定位置的辊向处理室提供基材。
6.权利要求1的方法，其中当使得该基材的第一部分暴露于靠近处理室的第一侧的等离子体和该基材的第二部分同时暴露于靠近处理室的第二侧的等离子体时，所述第一侧与第二侧相对。
7.权利要求1的方法，其中使基材的所述部分暴露于等离子体包括使基材的所述部分暴露于磁约束等离子体。
8.权利要求7的方法，其中使基材的所述部分暴露于磁约束等离子体包括使基材的所述部分暴露于由潘宁放电等离子体源形成的磁约束等离子体。
9.权利要求8的方法，其中使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体包括使基材的所述部分暴露于包含三甲基硅烷前体气体的等离子体。
10.权利要求9的方法，其中使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体包括使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体以及惰性气体的等离子体。
11.权利要求10的方法，其中使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体包括使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体、惰性气体和氧化剂的等离子体。
12.权利要求1的方法，其中沉积阻挡层包括沉积由基于结构单元SiC:H的氢化碳化硅构成的阻挡层。
13.权利要求12的方法，其中沉积阻挡层包括沉积由基于结构单元SiC:H的氢化碳化硅构成的单一阻挡层，其具有在10-2-10-3g.m-2d-1范围内的低水蒸气透过率。
14.权利要求1的方法，其中沉积阻挡层包括沉积由基于结构单元SiOC:H的氢化碳氧化硅构成的阻挡层。
15.权利要求14的方法，其中沉积阻挡层包括沉积由基于结构单元SiOC:H的氢化碳氧化硅构成的单一阻挡层，其具有在10-2-10-3g.m-2d-1范围内的低水蒸气透过率。
16.权利要求1的方法，其中向处理室提供基材和沉积阻挡层包括根据基于目标阻挡层厚度和目标阻挡层纳米孔隙率中至少一个所选择的至少一个操作参数向处理室提供基材和沉积阻挡层。
17.通过如下工艺在基材上形成的阻挡层，所述工艺包括：
使用至少两个构造成引导基材的第一部分和第二部分穿过处理室的辊向处理室提供基材；
在所述辊和室壁之间建立电压差；
向处理室提供一种或多种气体，所述气体包括含硅和碳的前体；
离子化所述气体以形成等离子体；
使基材的第一部分暴露于靠近处理室的第一侧的等离子体和该
基材的第二部分同时暴露于靠近处理室的第二侧的等离子体；和
邻近该基材的第一部分和第二部分沉积阻挡层。
18.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中向处理室提供基材包括向处理室提供挠性网幅基材。
19.权利要求18的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中向处理室提供挠性网幅基材包括向处理室提供由聚萘二甲酸乙二醇酯塑料膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯塑料膜中至少一种形成的挠性网幅基材。
20.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中向处理室提供基材包括提供长度尺寸大于处理室的线性尺寸和宽度尺寸小于或近似等于处理室的至少一个线性尺寸的基材。
21.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中使用至少两个辊向处理室提供基材包括使用额外的构造成保持基材中的选定张力和基材的选定位置的辊向处理室提供基材。
22.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，当使得该基材的第一部分暴露于靠近处理室的第一侧的等离子体和该基材的第二部分同时暴露于靠近处理室的第二侧的等离子体时，所述第一侧与第二侧相对。
23.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中使基材的所述部分暴露于等离子体包括使基材的所述部分暴露于磁约束等离子体。
24.权利要求23的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中使基材的所述部分暴露于磁约束等离子体包括使基材的所述部分暴露于由潘宁放电等离子体源形成的磁约束等离子体。
25.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体包括使基材的所述部分暴露于包含三甲基硅烷前体气体的等离子体。
26.权利要求25的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体包括使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体以及惰性气体的等离子体。
27.权利要求26的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体包括使基材的所述部分暴露于包含含硅和碳的前体气体、惰性气体和氧化剂的等离子体。
28.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中沉积阻挡层包括沉积由基于结构单元SiC:H的氢化碳化硅构成的阻挡层。
29.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中沉积阻挡层包括沉积由基于结构单元SiC:H的氢化碳化硅构成的单一阻挡层，其具有在10-2-10-3g.m-2d-1范围内的低水蒸气透过率。
30.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中沉积阻挡层包括沉积由基于结构单元SiOC:H的氢化碳氧化硅构成的阻挡层。
31.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中沉积阻挡层包括沉积由基于结构单元SiOC:H的氢化碳氧化硅构成的单一阻挡层，其具有高在10-2-10-3g.m-2d-1范围内的低水蒸气透过率。
32.权利要求17的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中向处理室提供基材和沉积阻挡层包括根据基于目标阻挡层厚度和目标阻挡层纳米孔隙率中至少一个所选择的至少一个操作参数向处理室提供基材和沉积阻挡层。
33.权利要求11的方法，其中前体气体中的氧化剂是氧气。
34.权利要求27的通过所述工艺在基材上形成的阻挡层，其中前体气体中的氧化剂是氧气。
CN2008800098290A 2007-03-28 2008-02-29 含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法 Expired - Fee Related CN101668879B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US90849807P 2007-03-28 2007-03-28
US60/908,498 2007-03-28
PCT/US2008/055436 WO2008121478A2 (en) 2007-03-28 2008-02-29 Roll-to-roll plasma enhanced chemical vapor deposition method of barrier layers comprising silicon and carbon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101668879A CN101668879A (zh) 2010-03-10
CN101668879B true CN101668879B (zh) 2012-05-09

Family

ID=39731105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800098290A Expired - Fee Related CN101668879B (zh) 2007-03-28 2008-02-29 含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20100178490A1 (zh)
EP (1) EP2137338A2 (zh)
JP (1) JP2010522828A (zh)
KR (1) KR20090126273A (zh)
CN (1) CN101668879B (zh)
WO (1) WO2008121478A2 (zh)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5319342B2 (ja) * 2009-03-17 2013-10-16 富士フイルム株式会社 ガスバリア膜の製造方法、太陽電池用ガスバリアフィルム、および、ディスプレイ用ガスバリアフィルム
DK2251453T3 (da) 2009-05-13 2014-07-07 Sio2 Medical Products Inc Beholderholder
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
JP2012084305A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
JP5649431B2 (ja) * 2010-12-16 2015-01-07 株式会社神戸製鋼所 プラズマｃｖｄ装置
CA2822599C (en) * 2010-12-28 2015-11-24 Kirin Beer Kabushiki Kaisha Gas-barrier plastic molded product and manufacturing process therefor
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
EP2747921B1 (en) * 2011-08-26 2017-11-01 Exatec, LLC. Organic resin laminate, methods of making and using the same, and articles comprising the same
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
CN103930595A (zh) 2011-11-11 2014-07-16 Sio2医药产品公司 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备
KR20130055172A (ko) 2011-11-18 2013-05-28 삼성디스플레이 주식회사 기판 정렬 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 정렬 방법
CN104220249B (zh) * 2012-03-27 2016-08-24 住友化学株式会社 层叠膜、有机电致发光装置、光电转换装置及液晶显示器
US10787591B2 (en) * 2012-04-30 2020-09-29 The Boeing Company Composites including silicon-oxy-carbide layers and methods of making the same
JP6156388B2 (ja) * 2012-10-19 2017-07-05 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアー性フィルムの製造方法、ガスバリアー性フィルム及び電子デバイス
CA2890066C (en) 2012-11-01 2021-11-09 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
KR20140063303A (ko) 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
EP2920567B1 (en) 2012-11-16 2020-08-19 SiO2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
JP6382830B2 (ja) 2012-11-30 2018-08-29 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 医療シリンジ、カートリッジ等上でのｐｅｃｖｄ堆積の均一性制御
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
CN110074968B (zh) 2013-03-11 2021-12-21 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
TW201438879A (zh) * 2013-04-10 2014-10-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 成型滾輪及其製造方法
EP3122917B1 (en) 2014-03-28 2020-05-06 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
JP6354302B2 (ja) * 2014-05-08 2018-07-11 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルム
US20160056414A1 (en) * 2014-08-21 2016-02-25 Universal Display Corporation Thin film permeation barrier system for substrates and devices and method of making the same
KR101701369B1 (ko) 2015-01-27 2017-02-01 한국과학기술연구원 탄소가 포함된 액체상의 전구체를 이용한 연속 롤투롤 방식의 고품질 그래핀 제조방법과 그 제조장치
WO2017005553A1 (en) * 2015-07-03 2017-01-12 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Barrier film or sheet and laminated packaging material comprising the film or sheet and packaging container made therefrom
JP2018523538A (ja) 2015-08-18 2018-08-23 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 低酸素透過速度を有する薬剤包装及び他の包装
KR102412614B1 (ko) 2015-10-22 2022-06-23 삼성전자주식회사 물질막, 이를 포함하는 반도체 소자, 및 이들의 제조 방법
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786492B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
KR102378021B1 (ko) * 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
US10504901B2 (en) 2017-04-26 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured using the same
US11158500B2 (en) 2017-05-05 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films
US10991573B2 (en) 2017-12-04 2021-04-27 Asm Ip Holding B.V. Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87104355A (zh) * 1986-06-23 1988-02-17 明尼苏达采矿和制造公司 多室淀积系统
CN1072734A (zh) * 1991-09-27 1993-06-02 美国Boc氧气集团有限公司 快速等离子处理的设备和方法
EP1522403A2 (en) * 2000-03-14 2005-04-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier film
CN1853925A (zh) * 2005-04-12 2006-11-01 富士胶片株式会社 阻气薄膜、衬底薄膜和有机电致发光装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2614317B1 (fr) * 1987-04-22 1989-07-13 Air Liquide Procede de protection de substrat polymerique par depot par plasma de composes du type oxynitrure de silicium et dispositif pour sa mise en oeuvre.
US4764405A (en) * 1987-07-22 1988-08-16 Air Products And Chemicals, Inc. Method for increasing barrier properties of thermoplastic substrates
US5300541A (en) * 1988-02-04 1994-04-05 Ppg Industries, Inc. Polyamine-polyepoxide gas barrier coatings
JPH04221822A (ja) * 1990-12-21 1992-08-12 Kazuo Tsubouchi 堆積膜形成法
EP0854891B1 (en) * 1995-10-13 2003-05-28 Dow Global Technologies Inc. Process for preparing coated plastic surfaces
US5879775A (en) * 1996-12-12 1999-03-09 Eastman Kodak Compnay Protective inorganic and DLC coatings for plastic media such as plastic cards
US6203898B1 (en) * 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
US6667553B2 (en) * 1998-05-29 2003-12-23 Dow Corning Corporation H:SiOC coated substrates
US6268695B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6548912B1 (en) * 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6573652B1 (en) * 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6492026B1 (en) * 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
US6896968B2 (en) * 2001-04-06 2005-05-24 Honeywell International Inc. Coatings and method for protecting carbon-containing components from oxidation
US7294283B2 (en) * 2001-04-20 2007-11-13 Applied Process Technologies, Inc. Penning discharge plasma source
JP4339597B2 (ja) * 2001-04-20 2009-10-07 ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド ダイポールイオン源
JP2002322558A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Konica Corp 薄膜形成方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置
US20030215652A1 (en) * 2001-06-04 2003-11-20 O'connor Paul J. Transmission barrier layer for polymers and containers
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US6975067B2 (en) * 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
TW582186B (en) * 2003-01-29 2004-04-01 Au Optronics Corp Method of fabricating organic light emitting display with passivation structure
US20040166692A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Loboda Mark Jon Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
JP4987717B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 ダウ・コーニング・コーポレイション コーティングを有する基板及びその調製方法
JP4987716B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 ダウ・コーニング・コーポレイション 水素化シリコンオキシカーバイド（Ｈ：ＳｉＯＣ）でコーティングされた基板およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87104355A (zh) * 1986-06-23 1988-02-17 明尼苏达采矿和制造公司 多室淀积系统
CN1072734A (zh) * 1991-09-27 1993-06-02 美国Boc氧气集团有限公司 快速等离子处理的设备和方法
EP1522403A2 (en) * 2000-03-14 2005-04-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier film
CN1853925A (zh) * 2005-04-12 2006-11-01 富士胶片株式会社 阻气薄膜、衬底薄膜和有机电致发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008121478A2 (en) 2008-10-09
EP2137338A2 (en) 2009-12-30
JP2010522828A (ja) 2010-07-08
KR20090126273A (ko) 2009-12-08
CN101668879A (zh) 2010-03-10
US20100178490A1 (en) 2010-07-15
US20100092781A1 (en) 2010-04-15
WO2008121478A3 (en) 2009-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101668879B (zh) 含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法
JP5312805B2 (ja) 高保全性保護被膜
KR102058902B1 (ko) 적층 필름, 유기 전계 발광 장치, 광전 변환 장치 및 액정 디스플레이
US8828528B2 (en) Barrier film and method of manufacturing the same
US7449246B2 (en) Barrier coatings
US8034419B2 (en) Method for making a graded barrier coating
CA2082794A1 (en) Method of preparing uv absorbant and abrasion-resistant transparent plastic articles
US20090110892A1 (en) System and method for making a graded barrier coating
WO2015098671A1 (ja) 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス
WO2006023437A2 (en) Sioc:h coated substrates and methods for their preparation
TWI523758B (zh) 層合薄膜及電子裝置
CN110418859A (zh) 气体阻隔膜、气体阻隔性膜、气体阻隔膜的制造方法、及气体阻隔性膜的制造方法
US8691371B2 (en) Barrier coating and method
Kim et al. Surface modification of polymeric substrates to enhance the barrier properties of an Al2O3 layer formed by PEALD process
JP2018020540A (ja) バリア性フィルム
Ohishi et al. Formation and gas barrier properties of silica thin films formed on heat resistant PET (Polyethylene Terephthalate) substrate by excimer light irradiation to polysilazane coatings
KR102381102B1 (ko) 적층 필름, 유기 일렉트로 루미네선스 장치, 광전 변환 장치 및 액정 디스플레이
US20140242367A1 (en) Barrier film and methods of making same
JP2005219427A (ja) バリアフィルムの製造方法およびこれに使用するプラズマｃｖｄ装置
JP6944664B2 (ja) バリア性フィルム
KR100927964B1 (ko) 플라스틱 기판의 제조방법
CN110177683A (zh) 阻挡层系统以及用于以连续卷绕式工艺制造阻挡层系统的方法
CN110114897A (zh) 电子设备
Majee Development of efficient permeation barriers based on hot-wire CVD grown silicon-nitride multilayers for organic devices deposited on flexible substrates

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120509

Termination date: 20130229