JP2012084305A - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高いガスバリア性を備え、フィルムを屈曲させたときにもガスバリア性が低下しにくく、簡易な工程で短時間で形成することが可能なフィルムを備える有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】第１のフィルムと、有機ＥＬ素子と、前記第１のフィルムとの間に前記有機ＥＬ素子を介在させて、第１のフィルム上に配置され、前記第１のフィルムとともに前記有機ＥＬ素子を封止する第２のフィルムとを有する有機ＥＬ装置であって、前記第２のフィルムは、珪素、酸素及び炭素を含有するガスバリア層を有しており、珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）と、前記膜厚方向における前記ガスバリア層の一方の表面からの距離との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす、有機ＥＬ装置。
【選択図】図１

Description

本発明は有機ＥＬ装置、照明装置、面状光源、および表示装置に関する。

有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子は複数の薄膜が積層されて構成されており、各薄膜の厚さや材料などを適宜設定することによって、素子自体に可撓性を付与することができる。このような有機ＥＬ素子をフレキシブルなフィルム上に設けた場合、有機ＥＬ素子が搭載された装置全体をフレキシブルな装置とすることもできる。

有機ＥＬ素子は外気に曝されることによって劣化するため、通常は酸素や水分などを透過しにくい、ガスバリア性の高いフィルム上に設けられる。このようなガスバリア性の高いフィルムとして、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素および酸化アルミニウムなどの無機酸化物からなる薄膜をプラスチック基材上に成膜したものが提案されている。

無機酸化物からなる薄膜をプラスチック基材上に成膜する方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法（ＰＶＤ）、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法等の化学気相成長法（ＣＶＤ）が知られている。このような成膜方法を用いたガスバリア性の高いフィルムとして、たとえば特開平４−８９２３６号公報（特許文献１）には、ケイ素酸化物の蒸着膜を２層以上積層した積層蒸着膜層が設けられたフィルムが開示されている。

しかしながら特許文献１に記載のフィルムはガスバリア性が不十分である上に、フィルムを屈曲させることによって、ガスバリア性が低下するという問題があった。

そこでガスバリア性を高めるとともに、屈曲させたときのガスバリア性の低化を抑制することが可能なバリアフィルムとして、たとえばセラミック系の無機バリア膜とポリマー膜とを交互に積層したフィルムが特表２００２−５３２８５０号（特許文献２）に開示されている。しかしながら特許文献２記載のフィルムは無機バリア膜とポリマー膜とを交互に積層するものであり、製造工程が複雑で製造時間が長いという問題があった。

特開平４−８９２３６号公報 特表２００２−５３２８５０号公報

したがって本発明の目的は、高いガスバリア性を備え、フィルムを屈曲させたときにもガスバリア性が低下しにくく、簡易な工程で短時間で形成することが可能なフィルムを備える有機ＥＬ装置を提供することである。

本発明は、第１のフィルムと、
有機ＥＬ素子と、
前記第１のフィルムとの間に前記有機ＥＬ素子を介在させて、第１のフィルム上に配置され、前記第１のフィルムとともに前記有機ＥＬ素子を封止する第２のフィルムとを有する有機ＥＬ装置であって、
前記第２のフィルムは、珪素、酸素及び炭素を含有するガスバリア層を有しており、
前記ガスバリア層は、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）と、前記膜厚方向における前記ガスバリア層の一方の表面からの距離との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が下記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす、有機ＥＬ装置に関する。
（ｉ）ガスバリア層の膜厚方向の９０％以上の領域において、珪素、酸素および炭素の原子比のうちで、珪素の原子比が２番目の値であること
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること
（ｉｉｉ）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること
また本発明は、前記第１のフィルムが金属フィルムである有機ＥＬ装置に関する。

また本発明は、前記第１のフィルムが、珪素、酸素及び炭素を含有する第２のガスバリア層を有し、
第２のガスバリア層は、珪素、酸素及び炭素を含有しており、当該第２のガスバリア層における前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線及び前記炭素分布曲線が前記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす有機ＥＬ装置に関する。

また本発明は、前記有機ＥＬ装置を有する照明装置に関する。

また本発明は、前記有機ＥＬ装置を有する面光源装置に関する。

また本発明は、前記有機ＥＬ装置を有する表示装置に関する。

本発明によれば、高いガスバリア性を備え、フィルムを屈曲させたときにもガスバリア性が低下しにくく、簡易な工程で短時間で形成することが可能なフィルムを備える有機ＥＬ装置を実現することができる。

本発明の実施形態の有機ＥＬ装置を示す図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ装置を示す図である。 本発明の有機ＥＬ装置を製造するための装置の概念図である。 第２のフィルムを製造する装置の一実施形態を示す模式図である。 参考例Ａ１で得られた第２のフィルムにおける珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線を示すグラフである。 参考例Ａ１で得られた第２のフィルムにおける珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を示すグラフである。 参考例Ａ２で得られた第２のフィルムにおける珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を示すグラフである。 参考例Ａ２で得られた第２のフィルムにおける珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を示すグラフである。 参考例Ａ３で得られた第２のフィルムにおける珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線を示すグラフである。 参考例Ａ３で得られた第２のフィルムにおける珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を示すグラフである。 参考比較例Ａ１で得られた第２のフィルムにおける珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線を示すグラフである。 参考比較例Ａ１で得られた第２のフィルムにおける珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を示すグラフである。

本発明の有機ＥＬ装置は、第１のフィルムと、有機ＥＬ素子と、前記第１のフィルムとの間に前記有機ＥＬ素子を介在させて、第１のフィルム上に配置され、前記第１のフィルムとともに前記有機ＥＬ素子を封止する第２のフィルムとを有する有機ＥＬ装置である。

有機ＥＬ装置に搭載される有機ＥＬ素子は、つぎの３つの型の素子に大別することができる。すなわち（Ｉ）当該有機ＥＬ素子が搭載される支持基板に向けて光を出射するいわボトムエミッション型の素子、（ＩＩ）支持基板とは反対側に向けて光を出射するいわゆるトップエミッション型の素子、（ＩＩＩ）支持基板に向けて光を出射するとともに、支持基板とは反対側に向けて光を出射する両面発光型の素子とに大別することができる。本発明はいずれの型の素子にも適用することが可能である。以下では一例としてまず図１を参照してトップエミッション型の素子が設けられた有機ＥＬ装置について説明し、つぎに図２を参照してボトムエミッション型の素子が設けられた有機ＥＬ装置について説明する。

図１は本実施形態の有機ＥＬ装置を模式的に示す断面図である。図１に示す実施形態の有機ＥＬ装置１３は、第１のフィルム１上に有機ＥＬ素子２が搭載されている。第２のフィルム１１は、この有機ＥＬ素子２を介在させて第１のフィルム１上に配置されており、前記第１のフィルム１とともに前記有機ＥＬ素子を封止する。第１のフィルム１と第２のフィルム１１とは、接着層４を介して貼り合わされている。また有機ＥＬ素子２は必要に応じて保護層３によって覆われる。この保護層３を設けることによって、接着層４から有機ＥＬ素子２を保護することができる。

図１に示す本実施形態の有機ＥＬ素子２はトップエミッション型の素子であり、光を第２のフィルム１１に向けて出射する。そのため第２のフィルム１１は光を透過する部材によって構成する必要がある。他方、本実施形態において支持基板に相当する第１のフィルム１は光を透過しない不透明な部材によって構成してもよい。

第１のフィルム１にはプラスチックフィルムや金属フィルムを使用することができ、金属フィルムを用いることが好ましい。金属フィルムはプラスチックフィルムなどに比べるとガスバリア性が高いため、有機ＥＬ装置のガスバリア性を高めることができる。金属フィルムの材料としては、たとえばＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅなどからなる薄板やステンレス鋼などの合金からなる薄板を用いることができる。

第２のフィルム１１は、珪素、酸素及び炭素を含有するガスバリア層５を有する。本実施形態では第２のフィルム１１は、基材６と、この基材６上に設けられるガスバリア層５から構成される。ガスバリア層５は、後述するが、後述の条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たすことによって、高いガスバリア性を備え、さらに屈曲したさいのガスバリア性の低下を抑制することができる。

このような第１のフィルム１と第２のフィルムとによって有機ＥＬ素子２を封止することにより、フレキシブルで、十分な耐久性とガスバリア性を兼ね備えた有機ＥＬ装置を実現することができる。とくに第１のフィルム１に金属フィルムを用いた場合には、第１のフィルム１と第２のフィルム１１の両方が高いガスバリア性を示すので、より高い耐久性とガスバリア性を兼ね備えた有機ＥＬ装置を実現することができる。

図２は本発明の他の実施形態の有機ＥＬ装置１３を模式的に示す断面図である。図２に示す実施形態の有機ＥＬ装置１３は、図１に示す実施形態とは有機ＥＬ素子と、第１のフィルム１とが異なる。すなわち本実施形態の有機ＥＬ素子２は、ボトムエミッション型の素子であり、支持基板に相当する第１のフィルム１に向けて光を出射する。そのため第１のフィルム１は光透過性を示すフィルムである必要がある。

本実施形態の第１のフィルム１は光透過性を示すフィルムであればとくに制限はないが、ガスバリア性の観点から、第２のフィルム１１と同様に、珪素、酸素及び炭素を含有する第２のガスバリア層８を有することが好ましい。本実施形態では第１のフィルム１は、基材７と、この基材７上に設けられる第２のガスバリア層８から構成される。この第２のガスバリア層８は、後述するが、第１のフィルム１１のガスバリア層５と同様に、後述の条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たすことによって、高いガスバリア性を備え、さらに屈曲したさいのガスバリア性の低下を抑制することができる。

このような第１のフィルム１と第２のフィルムとによって有機ＥＬ素子２を封止することにより、フレキシブルで、十分な耐久性とガスバリア性を兼ね備えた有機ＥＬ装置を実現することができる。

なお図２に示す実施形態の有機ＥＬ装置において、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子にかえて、両面発光型の有機ＥＬ素子を設けてもよい。

さらに、第１のフィルムを封止部材として用い、ガスバリア層をする第２のフィルムを支持基板として用い、この第１のフィルムと第２のフィルムとによって有機ＥＬ素子を封止した有機ＥＬ装置を構成してもよい。

またたとえば図１および図２に示す実施形態において、第１のフィルムおよび／または第２のフィルムに付加的なフィルムをさらに貼合してもよい。付加的なフィルムとしては、有機ＥＬ装置の表面を保護する保護フィルム、有機ＥＬ装置に入射する外光の反射を防止する反射防止フィルム、光取出し効率を高める作用を有する光取出しフィルム、光の位相や偏光を調整するための光学機能性フィルムや、これらを積層した光学フィルムなどが挙げられる。付加的なフィルムは第１のフィルムおよび／または第２のフィルムの表面上に貼合される。

（接着層）
接着層は、有機ＥＬ素子を介して第１のフィルムと第２のフィルムとを接着する層である。接着層に用いられる接着剤には、ガスバリア性の高いものを用いることが好ましい。また図１に示すような、有機ＥＬ素子２から出射する光が、接着層４を通って外界に出射する構成の有機ＥＬ装置では、接着層４も光透過率が高いことが好ましい。この場合、光取出し効率の観点からは、接着層４に接する層と、接着層４との屈折率の差の絶対値は小さいほうが好ましい。

接着層に利用可能な接着剤としては、熱硬化性接着剤または光硬化性接着剤などの硬化性接着剤が好適に用いられる。

熱硬化性樹脂接着剤としては、エポキシ系接着剤、アクリレート系接着剤などをあげることができる。

エポキシ系接着剤としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂接着剤、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂接着剤、およびフェノキシ樹脂接着剤などをあげることができる。

アクリレート系接着剤としてはアクリル酸、メタクリル酸、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−ヘキシルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル、ヒドロキシルアクリレートなどを主成分とし、該主成分に該主成分と共重合可能なモノマーを共重合したポリマーなどを挙げることができる。

光硬化性接着剤としては、ラジカル系接着剤、カチオン系接着剤などを挙げることができる。

ラジカル系接着剤としては、エポキシアクリレート、エステルアクリレート、およびエステルアクリレートなどを挙げることができる。

カチオン系接着剤としては、エポキシ系樹脂、ビニルエーテル系樹脂などを挙げることができる。

（保護層）
保護層は、有機ＥＬ素子を覆うように設けられる。この保護層を設けることによって有機ＥＬ素子を接着層から保護することができる。

有機ＥＬ素子を構成する電子注入層や陰極は通常、大気中で不安定な材料を主成分として含むため、有機ＥＬ素子を形成した後、第２のフィルムを貼合して、当該有機ＥＬ素子を封止するまでの間に、電子注入層や陰極が雰囲気中の水分や酸素などによって劣化するおそれがある。そのため保護層は、第２のフィルムによって有機ＥＬ素子が封止されるまでの間に、雰囲気中の水分や酸素などを遮断し、これらから有機ＥＬ素子を保護する機能を有することが好ましい。

保護層に用いられる材料としては、大気中で安定な金属材料、バリア性の優れた無機絶縁性材料、有機絶縁性材料などがあげられる。金属材料としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＣｏおよびＮｉなどが用いられる。無機絶縁材料としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＯｘＣｙなどが用いられる。有機絶縁材料としては、パリレンなどが用いられる。

保護層は、金属材料を用いる場合、真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などによって形成され、無機絶縁材料を用いる場合、スパッタリング法、ＣＶＤ法、レーザーアブレーション法などによって形成され、有機絶縁材料を用いる場合、モノマーガスの真空蒸着と被コーティング表面での重合による製膜法によって形成される。

（有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、図３を参照して有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。図３は有機ＥＬ装置を製造する装置を概略的に示す図である。図３に示す実施形態では、有機ＥＬ素子がその上に形成された第１のフィルム１と、第２のフィルム１１とを貼り合わせ、さらに付加的なフィルム８２０を第２のフィルム１１に貼り合わせている。

巻き出しロール５００は、有機ＥＬ素子が予めそのうえに形成された第１のフィルム１を送りだす。巻き出しロール５１０は第２のフィルム１１を送り出す。巻き出しロール５００から送りだされた第１のフィルム１上には、第１接着層塗布装置６１０によって第１接着層が塗布形成される。その後、第１貼り合せロール５１１,５１２によって、第１のフィルム１と第２のフィルム１１とが第１接着層を介して貼り合わされ、さらに第１接着剤硬化装置６１１によって、第１接着層が固化させる。

本実施形態では、第２のフィルム１１上に、さらに第２接着層塗布装置６１０によって第２接着層が塗布形成されるとともに、巻き出しロール５２０からは付加的なフィルム８２０が送り出される。そして第２貼り合わせロール５２１，５２２によって、第２のフィルム１１と付加的なフィルム８２０とが第２接着層を介して貼り合わされ、さらに第２接着剤効果装置６２１によって、第２接着層が固化され、有機ＥＬ装置が作製されることになる。その後、有機ＥＬ装置は巻き取りロール５３０によって巻きとられる。

付加的なフィルムとしてはたとえば前述のものが用いられる。なお本実施形態では１枚の付加的なフィルムが貼り合わされる形態について説明したが、２枚以上の付加的なフィルムを順次貼合してもよい。

なお３枚以上のフィルムを貼り合せる場合、貼り合せる順序は有機EL装置の積層順に応じて適宜変更される。

（第２のフィルム）
つぎに第２のフィルム１１について説明する。本発明の有機ＥＬ装置の特徴は第２のフィルムにあり、とくにその構成要素であるガスバリア層５にある。

第２のフィルムは、珪素、酸素及び炭素を含有するガスバリア層を有する。このガスバリア層は、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）と、前記ガスバリア層の膜厚方向における前記ガスバリア層の一方の表面からの距離との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が下記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす。
（ｉ）ガスバリア層の膜厚方向の９０％以上の領域において、珪素、酸素および炭素の原子比のうちで、珪素の原子比が２番目の値であること
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること
（ｉｉｉ）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること
なお（ｉ）の条件は、換言すると、ガスバリア層の膜厚方向の９０％以上の領域において、下記式（１）または下記式（２）を満たすことを意味する。

（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
（炭素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（酸素の原子比）・・・（２）
＜第２のフィルムの基材＞
上述のガスバリア層は通常、基材上に形成される。すなわち第２のフィルムは、基材と、この基材上に形成されるガスバリア層を含んで構成される。第２のフィルムの基材としては、無色透明な樹脂からなるフィルム又はシートが挙げられる。このような基材に用いる樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン系樹脂；ポリアミド系樹脂；ポリカーボネート系樹脂；ポリスチレン系樹脂；ポリビニルアルコール系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル系樹脂；アセタール系樹脂；ポリイミド系樹脂が挙げられる。これらの樹脂の中でも耐熱性が高く線膨張率が小さく製造コストが低いという観点から、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂が好ましく、ＰＥＴ、ＰＥＮがとくに好ましい。またこれらの樹脂は１種を単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて使用してもよい。

第２のフィルムの基材の厚みは、本発明の第２のフィルムを製造する際の安定性を考慮して適宜に設定することができる。前記第２のフィルムの基材の厚みとしては、真空中においてもフィルムの搬送が可能であるという観点から、５〜５００μｍの範囲であることが好ましく。さらに、プラズマＣＶＤ法によりガスバリア層を形成する場合には、前記第２のフィルムの基材を通して放電しつつ本発明にかかるガスバリア層を形成することから、前記第２のフィルムの基材の厚みが５０〜２００μｍの範囲であることがより好ましく、５０〜１００μｍの範囲であることが特に好ましい。

また前記第２のフィルムの基材には、後述するガスバリア層との密着性の観点から、第２のフィルムの基材の表面を清浄するための表面活性処理を施すことが好ましい。このような表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、およびフレーム処理が挙げられる。

＜ガスバリア層＞

本発明にかかるガスバリア層は、前記基材の少なくとも片面に形成される層である。第２のフィルムは、珪素、酸素及び炭素を含有し、上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を全て満たすガスバリア層を少なくとも一層備えていればよい。たとえば第２のフィルムは上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）の少なくともいずれかを満たさない他の層を有していてもよく、前記ガスバリア層または他の層は、窒素、アルミニウムを更に含有していてもよい。

ガスバリア層は上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）の全てを満たす。
珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が前記条件（ｉ）を満たさない場合には、得られる第２のフィルムのガスバリア性が不十分となる。上記（１）（２）式を満たす領域が、ガスバリア層の膜厚の９０％以上を占めることが好ましく、より好ましくは９５％以上であり特に好ましくは１００％である。

またこのようなガスバリア層は、上記条件（ｉｉ）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有することが必要である。このようなガスバリア層においては、前記炭素分布曲線が２つの極値を有することがより好ましく、３つ以上の極値を有することが特に好ましい。前記炭素分布曲線が極値を有さない場合には、得られる第２のフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が不十分となる。またこのように少なくとも３つの極値を有する場合において、前記炭素分布曲線の隣接する極値間の膜厚方向における距離が２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお本発明において極値とは、ガスバリア層の膜厚方向におけるガスバリア層の表面からの距離に対する元素の原子比の極大値又は極小値のことをいう。また本発明において極大値とは、ガスバリア層の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比の値が増加から減少に変わる点であって且つその点の元素の原子比の値よりも、該点からガスバリア層の膜厚方向におけるガスバリア層の表面からの距離を更に２０ｎｍ変化させた位置の元素の原子比の値が３ａｔ％以上減少する点のことをいう。さらに本発明において極小値とは、ガスバリア層の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比の値が減少から増加に変わる点であり、且つその点の元素の原子比の値よりも、該点からガスバリア層の膜厚方向におけるガスバリア層の表面からの距離を更に２０ｎｍ変化させた位置の元素の原子比の値が３ａｔ％以上増加する点のことをいう。

またこのようなガスバリア層は、上記条件（ｉｉｉ）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であることが必要である。またこのようなガスバリア層においては、炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が６ａｔ％以上であることがより好ましく、７ａｔ％以上であることが特に好ましい。前記絶対値が５ａｔ％未満では、得られる第２のフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が不十分となる。

（酸素分布曲線、極値）
本発明においては、前記ガスバリア層の前記酸素分布曲線が少なくとも１つの極値を有することが好ましく、少なくとも２つの極値を有することがより好ましく、少なくとも３つの極値を有することが特に好ましい。前記酸素分布曲線が極値を有さない場合には、得られる第２のフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が低下する傾向にある。また、このように少なくとも３つの極値を有する場合においては、前記酸素分布曲線の有する一つの極値及び該極値に隣接する極値における前記ガスバリア層の膜厚方向における前記ガスバリア層の表面からの距離の差の絶対値がいずれも２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。

（酸素分布曲線、最大と最小の差）
また本発明においては、前記ガスバリア層の前記酸素分布曲線における酸素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であることが好ましく、６ａｔ％以上であることがより好ましく、７ａｔ％以上であることが特に好ましい。前記絶対値が前記下限未満では、得られる第２のフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が低下する傾向にある。

本発明においては、前記ガスバリア層の前記珪素分布曲線における珪素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％未満であることが好ましく、４ａｔ％未満であることがより好ましく、３ａｔ％未満であることが特に好ましい。前記絶対値が前記上限を超えると、得られる第２のフィルムのガスバリア性が低下する傾向にある。

（酸素炭素分布曲線、最大と最小の差）
また、本発明においては、前記ガスバリア層の膜厚方向における該層の表面からの距離と珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子及び炭素原子の合計量の比率（酸素及び炭素の原子比）との関係を示す酸素炭素分布曲線において、前記酸素炭素分布曲線における酸素及び炭素の原子比の合計の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％未満であることが好ましく、４ａｔ％未満であることがより好ましく、３ａｔ％未満であることが特に好ましい。前記絶対値が前記上限を超えると、得られる第２のフィルムのガスバリア性が低下する傾向にある。

前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線、前記炭素分布曲線及び前記酸素炭素分布曲線は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）の測定とアルゴン等の希ガスイオンスパッタとを併用することにより、試料内部を露出させつつ順次表面組成分析を行う、いわゆるＸＰＳデプスプロファイル測定により作成することができる。このようなＸＰＳデプスプロファイル測定により得られる分布曲線は、例えば、縦軸を各元素の原子比（単位：ａｔ％）とし、横軸をエッチング時間（スパッタ時間）として作成することができる。なお、このように横軸をエッチング時間とする元素の分布曲線においては、エッチング時間は膜厚方向における前記ガスバリア層の膜厚方向における前記ガスバリア層の表面からの距離に概ね相関することから、「ガスバリア層の膜厚方向におけるガスバリア層の表面からの距離」として、ＸＰＳデプスプロファイル測定の際に採用したエッチング速度とエッチング時間との関係から算出されるガスバリア層の表面からの距離を採用することができる。また、このようなＸＰＳデプスプロファイル測定に際して採用するスパッタ法としては、エッチングイオン種としてアルゴン（Ａｒ^＋）を用いた希ガスイオンスパッタ法を採用し、そのエッチング速度（エッチングレート）を０．０５ｎｍ／ｓｅｃ（ＳｉＯ_２熱酸化膜換算値）とすることが好ましい。

また、本発明においては、膜面全体において均一で且つ優れたガスバリア性を有するガスバリア層を形成するという観点から、前記ガスバリア層が膜面方向（ガスバリア層の表面に平行な方向）において実質的に一様であることが好ましい。本明細書において、ガスバリア層が膜面方向において実質的に一様とは、ＸＰＳデプスプロファイル測定によりガスバリア層の膜面の任意の２箇所の測定箇所について前記酸素分布曲線、前記炭素分布曲線及び前記酸素炭素分布曲線を作成した場合に、その任意の２箇所の測定箇所において得られる炭素分布曲線が持つ極値の数が同じであり、それぞれの炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が、互いに同じであるかもしくは５ａｔ％以内の差であることをいう。

さらに、本発明においては、前記炭素分布曲線は実質的に連続であることが好ましい。
本明細書において、炭素分布曲線が実質的に連続とは、炭素分布曲線における炭素の原子比が不連続に変化する部分を含まないことを意味し、具体的には、エッチング速度とエッチング時間とから算出される前記ガスバリア層の膜厚方向における該層の表面からの距離（ｘ、単位：ｎｍ）と、炭素の原子比（ｃ、単位：ａｔ％）との関係において、下記数式（Ｆ１）：
−１．０ ≦（ｄｃ／ｄｘ）≦ １．０ ・・・（Ｆ１）
で表される条件を満たすことをいう。

本発明における第２のフィルムは、上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を全て満たすガスバリア層を少なくとも１層備えることが必要であるが、第２のフィルムは、上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を全て満たすガスバリア層をさらに備えていてもよい。さらにこのようなガスバリア層を２層以上備える場合には、複数のガスバリア層の材質は、同一であってもよく、異なっていてもよい。また、このようなガスバリア層を２層以上備える場合には、このようなガスバリア層は前記基材の一方の表面上に形成されていてもよく、前記基材の両方の表面上に形成されていてもよい。また第２のフィルムは、ガスバリア性を必ずしも有しない薄膜層を含んでいてもよい。

また、前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線及び前記炭素分布曲線において、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、前記式（１）で表される条件を満たす場合には、前記ガスバリア層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の含有量の原子比率は、２５〜４５ａｔ％であることが好ましく、３０〜４０ａｔ％であることがより好ましい。また、前記ガスバリア層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率は、３３〜６７ａｔ％であることが好ましく、４５〜６７ａｔ％であることがより好ましい。さらに、前記ガスバリア層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の含有量の原子比率は、３〜３３ａｔ％であることが好ましく、３〜２５ａｔ％であることがより好ましい。

さらに、前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線及び前記炭素分布曲線において、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、前記式（２）で表される条件を満たす場合には、前記ガスバリア層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の含有量の原子比率は、２５〜４５ａｔ％であることが好ましく、３０〜４０ａｔ％であることがより好ましい。また、前記ガスバリア層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率は、１〜３３ａｔ％であることが好ましく、１０〜２７ａｔ％であることがより好ましい。さらに、前記ガスバリア層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の含有量の原子比率は、３３〜６６ａｔ％であることが好ましく、４０〜５７ａｔ％であることがより好ましい。

また、前記ガスバリア層の厚みは、５〜３０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０〜２０００ｎｍの範囲であることより好ましく、１００〜１０００ｎｍの範囲であることが特に好ましい。ガスバリア層の厚みが前記下限未満では、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性等のガスバリア性が劣る傾向にあり、他方、前記上限を超えると、屈曲によりガスバリア性が低下しやすくなる傾向にある。

また、本発明の第２のフィルムが複数のガスバリア層を備える場合には、それらのガスバリア層の厚みの合計値は、通常１０〜１００００ｎｍの範囲であり、１０〜５０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１００〜３０００ｎｍの範囲であることより好ましく、２００〜２０００ｎｍの範囲であることが特に好ましい。ガスバリア層の厚みの合計値が前記下限未満では、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性等のガスバリア性が劣る傾向にあり、他方、前記上限を超えると、屈曲によりガスバリア性が低下しやすくなる傾向にある。

本発明における第２のフィルムは、前記第２のフィルムの基材及び前記ガスバリア層を備えるものであるが、必要に応じて、更にプライマーコート層、ヒートシール性樹脂層、接着剤層等を備えていてもよい。このようなプライマーコート層は、前記基材及び前記ガスバリア層との接着性を向上させることが可能な公知のプライマーコート剤を用いて形成することができる。また、このようなヒートシール性樹脂層は、適宜公知のヒートシール性樹脂を用いて形成することができる。さらに、このような接着剤層は、適宜公知の接着剤を用いて形成することができ、このような接着剤層により複数の第２のフィルム同士を接着させてもよい。

また、本発明における第２のフィルムにおいては、前記ガスバリア層がプラズマ化学気相成長法により形成される層であることが好ましい。このようなプラズマ化学気相成長法により形成されるガスバリア層としては、前記第２のフィルムの基材を前記一対の成膜ロール上に配置し、前記一対の成膜ロール間に放電してプラズマを発生させるプラズマ化学気相成長法により形成される層であることがより好ましい。また、このようにして一対の成膜ロール間に放電する際には、前記一対の成膜ロールの極性を交互に反転させることが好ましい。更に、このようなプラズマ化学気相成長法に用いる成膜ガスとしては有機ケイ素化合物と酸素とを含むものが好ましく、その成膜ガス中の酸素の含有量は、前記成膜ガス中の前記有機ケイ素化合物の全量を完全酸化するのに必要な理論酸素量以下であることが好ましい。また、本発明の第２のフィルムにおいては、前記ガスバリア層が連続的な成膜プロセスにより形成された層であることが好ましい。なお、このようなプラズマ化学気相成長法を利用してガスバリア層を形成する方法は、後述の本発明の第２のフィルムを製造する方法において説明する。

＜第２のフィルムの製造方法＞

次に、第２のフィルムを製造する方法について説明する。第２のフィルムは、前記第２のフィルムの基材の表面上に前記ガスバリア層を形成させることにより製造することができる。このような本発明にかかるガスバリア層を前記第２のフィルムの基材の表面上に形成させる方法としては、ガスバリア性の観点から、プラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ）を採用することが好ましい。なお、前記プラズマ化学気相成長法はペニング放電プラズマ方式のプラズマ化学気相成長法であってもよい。

また、前記プラズマ化学気相成長法においてプラズマを発生させる際には、複数の成膜ロールの間の空間にプラズマ放電を発生させることが好ましく、一対の成膜ロールを用い、その一対の成膜ロールのそれぞれに前記基材を配置して、一対の成膜ロール間に放電してプラズマを発生させることがより好ましい。このようにして、一対の成膜ロールを用い、その一対の成膜ロール上に基材を配置して、かかる一対の成膜ロール間に放電することにより、成膜時に一方の成膜ロール上に存在する基材上にガスバリア層を成膜しつつ、もう一方の成膜ロール上に存在する基材上にも同時にガスバリア層を成膜することが可能となって効率よくガスバリア層を製造できるばかりか、成膜レートを倍にでき、なおかつ、同じ構造の膜を成膜できるので前記炭素分布曲線における極値を少なくとも倍増させることが可能となり、効率よく上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を全て満たすガスバリア層を形成することが可能となる。また、本発明における第２のフィルムは、生産性の観点から、ロールツーロール方式で前記第２のフィルムの基材の表面上に前記ガスバリア層を形成させることが好ましい。また、このようなプラズマ化学気相成長法により第２のフィルムを製造する際に用いることが可能な装置としては、特に制限されないが、少なくとも一対の成膜ロールと、プラスマ電源とを備え且つ前記一対の成膜ロール間において放電することが可能な構成となっている装置であることが好ましく、例えば、図４に示す製造装置を用いた場合には、プラズマ化学気相成長法を利用しながらロールツーロール方式で製造することも可能となる。

以下、図４を参照しながら、本発明の第２のフィルムを製造する方法についてより詳細に説明する。なお、図４は、本発明の第２のフィルムを製造するのに好適に利用することが可能な製造装置の一例を示す模式図である。また、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図４に示す製造装置は、送り出しロール７０１と、搬送ロール２１、２２、２３、２４と、成膜ロール３１、３２と、ガス供給管４１と、プラズマ発生用電源５１と、成膜ロール３１及び３２の内部に設置された磁場発生装置６１、６２と、巻取りロール７０２とを備えている。また、このような製造装置においては、少なくとも成膜ロール３１、３２と、ガス供給管４１と、プラズマ発生用電源５１と、磁場発生装置６１、６２とは、図示を省略した真空チャンバー内に配置されている。更に、このような製造装置において前記真空チャンバーは図示を省略した真空ポンプに接続されており、かかる真空ポンプにより真空チャンバー内の圧力を適宜調整することが可能となっている。

このような製造装置においては、一対の成膜ロール（成膜ロール３１と成膜ロール３２）を一対の対向電極として機能させることが可能となるように、各成膜ロールがそれぞれプラズマ発生用電源５１に接続されている。そのため、このような製造装置においては、プラズマ発生用電源５１により電力を供給することにより、成膜ロール３１と成膜ロール３２との間の空間に放電することが可能であり、これにより成膜ロール３１と成膜ロール３２との間の空間にプラズマを発生させることができる。なお、このように、成膜ロール３１と成膜ロール３２を電極としても利用する場合には、電極としても利用可能なようにその材質や設計を適宜変更すればよい。また、このような製造装置においては、一対の成膜ロール（成膜ロール３１及び３２）は、その中心軸が同一平面上において略平行となるようにして配置することが好ましい。このようにして、一対の成膜ロール（成膜ロール３１及び３２）を配置することにより、成膜レートを倍にでき、なおかつ、同じ構造の膜を成膜できるので前記炭素分布曲線における極値の数を少なくとも倍増させることが可能となる。そして、このような製造装置によれば、ＣＶＤ法により基材６の表面上にガスバリア層を形成することが可能であり、成膜ロール３１上において基材６の表面上に膜成分を堆積させつつ、更に成膜ロール３２上においても基材６の表面上に膜成分を堆積させることもできるため、基材６の表面上に前記ガスバリア層を効率よく形成することができる。

また、成膜ロール３１及び成膜ロール３２の内部には、磁場発生装置６１及び６２が設けられている。この磁場発生装置６１及び６２は、たとえ成膜ロールが回転したとしても、自身は回転しないようにして固定されている。

さらに成膜ロール３１及び成膜ロール３２としては適宜公知のロールを用いることができる。このような成膜ロール３１及び３２としては、より効率よく薄膜を形成せしめるという観点から、直径が同一のものを使うことが好ましい。また、このような成膜ロール３１及び３２の直径としては、放電条件、チャンバーのスペース等の観点から、５〜１００ｃｍの範囲とすることが好ましい。

また、このような製造装置においては、基材６の表面がそれぞれ対向するように、一対の成膜ロール（成膜ロール３１と成膜ロール３２）上に、基材６が配置されている。このようにして基材６を配置することにより、成膜ロール３１と成膜ロール３２との間に放電を行ってプラズマを発生させる際に、一対の成膜ロール間に存在する基材６のそれぞれの表面を同時に成膜することが可能となる。すなわち、このような製造装置によれば、ＣＶＤ法により、成膜ロール３１上にて基材６の表面上に膜成分を堆積させ、更に成膜ロール３２上にて膜成分を堆積させることができるため、基材６の表面上に前記ガスバリア層を効率よく形成することが可能となる。

また、このような製造装置に用いる送り出しロール７０１及び搬送ロール２１、２２、２３、２４としては適宜公知のロールを用いることができる。また、巻取りロール７０２としても、ガスバリア層を形成した基材６を巻き取ることが可能なものであればよく、特に制限されず、適宜公知のロールを用いることができる。

また、ガス供給管４１としては原料ガス等を所定の速度で供給又は排出することが可能なものを適宜用いることができる。さらに、プラズマ発生用電源５１としては、適宜公知のプラズマ発生装置の電源を用いることができる。このようなプラズマ発生用電源５１は、これに接続された成膜ロール３１と成膜ロール３２に電力を供給して、これらを放電のための対向電極として利用することを可能とする。このようなプラズマ発生用電源５１としては、より効率よくプラズマＣＶＤを実施することが可能となることから、前記一対の成膜ロールの極性を交互に反転させることが可能なもの（交流電源など）を利用することが好ましい。また、このようなプラズマ発生用電源５１としては、より効率よくプラズマＣＶＤを実施することが可能となることから、印加電力を１００Ｗ〜１０ｋＷとすることができ且つ交流の周波数を５０Ｈｚ〜５００ｋＨｚとすることが可能なものであることがより好ましい。また、磁場発生装置６１、６２としては適宜公知の磁場発生装置を用いることができる。さらに、基材６としては、前記本発明に用いる第２のフィルムの基材の他に、前記ガスバリア層を予め形成させたものを用いることができる。このように、基材６として前記ガスバリア層を予め形成させたものを用いることにより、前記ガスバリア層の厚みを厚くすることも可能である。

このような図４に示す製造装置を用いて、例えば、原料ガスの種類、プラズマ発生装置の電極ドラムの電力、真空チャンバー内の圧力、成膜ロールの直径、並びに、フィルムの搬送速度を適宜調整することにより、本発明の第２のフィルムを製造することができる。すなわち、図４に示す製造装置を用いて、成膜ガス（原料ガス等）を真空チャンバー内に供給しつつ、一対の成膜ロール（成膜ロール３１及び３２）間に放電を発生させることにより、前記成膜ガス（原料ガス等）がプラズマによって分解され、成膜ロール３１上の基材６の表面上並びに成膜ロール３２上の基材６の表面上に、前記ガスバリア層がプラズマＣＶＤ法により形成される。なお、このような成膜に際しては、基材６が送り出しロール７０１や成膜ロール３１等により、それぞれ搬送されることにより、ロールツーロール方式の連続的な成膜プロセスにより基材６の表面上に前記ガスバリア層が形成される。

このようなガスバリア層の形成に用いる前記成膜ガス中の原料ガスとしては、形成するガスバリア層の材質に応じて適宜選択して使用することができる。このような原料ガスとしては、例えばケイ素を含有する有機ケイ素化合物を用いることができ、さらに有機ケイ素化合物のほかにモノシランを含有させ、形成する膜のケイ素源として使用してもよい。このような有機ケイ素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサンが挙げられる。これらの有機ケイ素化合物の中でも、化合物の取り扱い性及び得られるガスバリア層のガスバリア性等の特性の観点から、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンが好ましい。また、これらの有機ケイ素化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

また、前記成膜ガスとしては、前記原料ガスの他に反応ガスを用いてもよい。このような反応ガスとしては、前記原料ガスと反応して酸化物、窒化物等の無機化合物となるガスを適宜選択して使用することができる。酸化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、酸素、オゾンを用いることができる。また、窒化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、窒素、アンモニアを用いることができる。これらの反応ガスは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができ、例えば酸窒化物を形成する場合には、酸化物を形成するための反応ガスと窒化物を形成するための反応ガスとを組み合わせて使用することができる。

前記成膜ガスとしては、前記原料ガスを真空チャンバー内に供給するために、必要に応じて、キャリアガスを用いてもよい。さらに、前記成膜ガスとしては、プラズマ放電を発生させるために、必要に応じて、放電用ガスを用いてもよい。このようなキャリアガス及び放電用ガスとしては、適宜公知のものを使用することができ、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等の希ガス；水素を用いることができる。

このような成膜ガスが原料ガスと反応ガスを含有する場合には、原料ガスと反応ガスの比率としては、原料ガスと反応ガスとを完全に反応させるために理論上必要となる反応ガスの量の比率よりも、反応ガスの比率を過剰にし過ぎないことが好ましい。反応ガスの比率を過剰にし過ぎてしまうと、上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を全て満たす薄膜が得られなくなってしまう。この場合には、形成されるガスバリア層によって、優れたバリア性や耐屈曲性を得ることができなくなる。また、前記成膜ガスが前記有機ケイ素化合物と酸素とを含有するものである場合には、前記成膜ガス中の前記有機ケイ素化合物の全量を完全酸化するのに必要な理論酸素量以下であることが好ましい。

以下、前記成膜ガスとして、原料ガスとしてのヘキサメチルジシロキサン（有機ケイ素化合物：ＨＭＤＳＯ：（ＣＨ_３）_６Ｓｉ_２Ｏ：）と反応ガスとしての酸素（Ｏ_２）を含有するものを用い、ケイ素−酸素系のガスバリア層を製造する場合を例に挙げて、成膜ガス中の原料ガスと反応ガスの好適な比率等についてより詳細に説明する。

原料ガスとしてのヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ、（ＣＨ_３）_６Ｓｉ_２Ｏ）と、反応ガスとしての酸素（Ｏ_２）とを含有する成膜ガスをプラズマＣＶＤにより反応させてケイ素−酸素系のガスバリア層を作製する場合、その成膜ガスにより下記反応式（３）：
（ＣＨ_３）_６Ｓｉ_２Ｏ＋１２Ｏ_２→６ＣＯ_２＋９Ｈ_２Ｏ＋２ＳｉＯ_２ （３）
に記載のような反応が起こり、二酸化ケイ素が製造される。このような反応においては、ヘキサメチルジシロキサン１モルを完全酸化するのに必要な酸素量は１２モルである。そのため、成膜ガス中に、ヘキサメチルジシロキサン１モルに対して酸素を１２モル以上含有させて完全に反応させた場合には、均一な二酸化ケイ素膜が形成されてしまうため、上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を全て満たすガスバリア層を形成することができなくなってしまう。そのため、本発明において、ガスバリア層を形成する際には、上記（３）式の反応が完全に進行してしまわないように、ヘキサメチルジシロキサン１モルに対して酸素量を化学量論比の１２モルより少なくする必要がある。なお、実際のプラズマＣＶＤチャンバー内の反応では、原料のヘキサメチルジシロキサンと反応ガスの酸素は、ガス供給部から成膜領域へ供給されて成膜されるので、反応ガスの酸素のモル量（流量）が原料のヘキサメチルジシロキサンのモル量（流量）の１２倍のモル量（流量）であったとしても、現実には完全に反応を進行させることはできず、酸素の含有量を化学量論比に比して大過剰に供給して初めて反応が完結すると考えられる（例えば、ＣＶＤにより完全酸化させて酸化ケイ素を得るために、酸素のモル量（流量）を原料のヘキサメチルジシロキサンのモル量（流量）の２０倍以上程度とする場合もある。）。そのため、原料のヘキサメチルジシロキサンのモル量（流量）に対する酸素のモル量（流量）は、化学量論比である１２倍量以下（より好ましくは、１０倍以下）の量であることが好ましい。このような比でヘキサメチルジシロキサン及び酸素を含有させることにより、完全に酸化されなかったヘキサメチルジシロキサン中の炭素原子や水素原子がガスバリア層中に取り込まれ、上記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を全て満たすガスバリア層を形成することが可能となって、得られる第２のフィルムに優れたバリア性及び耐屈曲性を発揮させることが可能となる。なお、成膜ガス中のヘキサメチルジシロキサンのモル量（流量）に対する酸素のモル量（流量）が少なすぎると、酸化されなかった炭素原子や水素原子がガスバリア層中に過剰に取り込まれるため、この場合はバリア膜の透明性が低下して、バリアフィルムは有機ＥＬデバイスや有機薄膜太陽電池などのような透明性を必要とするデバイス用のフレキシブル基板には利用できなくなってしまう。このような観点から、成膜ガス中のヘキサメチルジシロキサンのモル量（流量）に対する酸素のモル量（流量）の下限は、ヘキサメチルジシロキサンのモル量（流量）の０．１倍より多い量とすることが好ましく、０．５倍より多い量とすることがより好ましい。

また、真空チャンバー内の圧力（真空度）は、原料ガスの種類等に応じて適宜調整することができるが、０．１Ｐａ〜５０Ｐａの範囲とすることが好ましい。

また、このようなプラズマＣＶＤ法において、成膜ロール３１及び３２間に放電するために、プラズマ発生用電源５１に接続された電極ドラム（本実施形態においては成膜ロール３１及び３２に設置されている。）に印加する電力は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるものであり一概に言えるものでないが、０．１〜１０ｋＷの範囲とすることが好ましい。このような印加電力が前記下限未満ではパーティクルが発生し易くなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると成膜時に発生する熱量が多くなり、成膜時の基材表面の温度が上昇する。温度が上昇しすぎると、基材が熱によって損傷し、成膜時に皺が発生したり、場合によっては熱によってフィルムが溶け、成膜ロールが露出し、成膜ロール間に大電流の放電が発生して成膜ロール自体を損傷するおそれがある。

基材６の搬送速度（ライン速度）は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、０．１〜１００ｍ／ｍｉｎの範囲とすることが好ましく、０．５〜２０ｍ／ｍｉｎの範囲とすることがより好ましい。ライン速度が前記下限未満では、フィルムに熱に起因する皺の発生しやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、形成されるガスバリア層の厚みが薄くなる傾向にある。

（第１のフィルム）
前述したように第１のフィルムは、有機ＥＬ素子から出射される光が第１のフィルムを通って外界に出射する場合、光透過性を示す部材によって構成する必要があり、その際には、第２のフィルムと同様に、第２のガスバリア層を有することが好ましい。この第２のガスバリア層は、珪素、酸素及び炭素を含有しており、当該第２のガスバリア層における前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線及び前記炭素分布曲線が前記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす。そのため、上述の第２のフィルムにおけるガスバリア層と同様にして形成することができる。なお第２のガスバリア層は、第２のフィルムのガスバリア層と全く同じ構成であってもよいが、前記酸素分布曲線及び前記炭素分布曲線が前記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす限りにおいて、第２のフィルムのガスバリア層とは異なっていてもよい。

（有機ＥＬ素子）
つぎに有機ＥＬ素子の構成について説明する。有機ＥＬ素子は、第１のフィルムと第２のフィルムとが貼合される工程の前に、第１のフィルムまたは第２のフィルム上に形成される。

有機ＥＬ素子は、陽極および陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられる発光層とから構成される。なお一対の電極間には、発光層に加えて、必要に応じて所定の層が設けられることがある。また発光層は１層に限らず複数層設けられることがある。

陰極と発光層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。

電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する。電子輸送層は陰極側の表面に接する層からの電子注入を改善する機能を有する。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する。なお電子注入層、及び／又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。

正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。

陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。陽極と発光層との間に、正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に接する層を正孔注入層といい、この正孔注入層を除く層を正孔輸送層という。

正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する。正孔輸送層は陽極側の表面に接する層からの正孔注入を改善する機能を有する。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する。なお正孔注入層、及び／又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。

電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。

なお、電子注入層および正孔注入層を総称して電荷注入層ということがあり、電子輸送層および正孔輸送層を総称して電荷輸送層ということがある。

本実施の形態の有機ＥＬ素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｆ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｌ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｏ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｐ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。
以下同じ。）
本実施の形態の有機ＥＬ素子は２層以上の発光層を有していてもよい。上記ａ）〜ｐ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「構造単位Ａ」とすると、２層の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、下記ｑ）に示す層構成を挙げることができる。なお２つある（構造単位Ａ）の層構成は互いに同じでも、異なっていてもよい。
ｑ）陽極／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極
また「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、下記ｒ）に示す層構成を挙げることができる。
ｒ）陽極／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極
なお記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、（構造単位Ｂ）ｘは、構造単位Ｂがｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

ここで、電荷発生層とは電界を印加することにより正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。

積層する層の順序、層数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜設定することができる。

次に有機ＥＬ素子を構成する各層の材料および形成方法について、より具体的に説明する。

＜陽極＞
発光層から放射される光が陽極を通って外に出射する構成の有機ＥＬ素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の膜厚は、要求される特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

＜正孔注入層＞
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。

正孔注入層の成膜方法としては、例えば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。例えば正孔注入材料を含む溶液を所定の塗布法によって塗布成膜し、さらにこれを固化することによって正孔注入層を形成することができる。

溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。

塗布法としてはスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などを挙げることができる。

正孔注入層の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。

これらの中で正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などの高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。

溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。

溶液からの成膜方法としては、前述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚は、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜発光層＞
発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。一般的に低分子よりも溶媒への溶解性の高い高分子化合物は塗布法に好適に用いられるため、発光層は高分子化合物を含むことが好ましく、高分子化合物としてポリスチレン換算の数平均分子量が１０^３〜１０^８の化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する発光材料としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。

（色素系材料）
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。

（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。

（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。

上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。

また緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。

また赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。

また白色に発光する材料としては、上述の青色、緑色、赤色の各色に発光する材料を混合したものや、各色に発光する材料となる成分をモノマーとして、これを重合したポリマーをその材料として用いてもよい。また各色に発光する材料をそれぞれ用いて形成される発光層を積層して、全体として白色を発光する素子を実現してもよい。
（ドーパント材料）
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜発光層の成膜方法＞
発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を塗布する方法、真空蒸着法、転写法などを用いることができる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前述の溶液から正孔注入層を成膜する際に用いられる溶媒と同様の溶媒を挙げることができる。

発光材料を含む溶液を塗布する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法およびノズルコート法などのコート法、並びにグラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法が好ましい。また、昇華性を示す低分子化合物の場合には、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写により、所望のところのみに発光層を形成する方法も用いることができる。

＜電子輸送層＞
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。

これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液若しくは溶融状態からの成膜を挙げることができ、高分子の電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜を挙げることができる。なお溶液または溶融状態からの成膜する場合には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔注入層を成膜する方法と同様の成膜法を挙げることができる。

電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜電子注入層＞
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、２層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばＬｉＦ／Ｃａなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度が好ましい。

＜陰極＞
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取り出す構成の有機ＥＬ素子では、発光層から放射される光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の１３族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、およびＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられる場合もある。

陰極の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設計され、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などを挙げることができる。

以上の有機ＥＬ装置は、所定の構成要素を追加することによって、照明装置、面光源装置、表示装置として用いることができる。

（参考例Ａ１）
前述の図４に示す製造装置を用いて第２のフィルムを製造した。すなわち、２軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム、厚み：１００μｍ、幅：３５０ｍｍ、帝人デュポンフィルム（株）製、商品名「テオネックスＱ６５ＦＡ」）を基材（基材６）として用い、これを送り出しロール７０１に装着した。そして、成膜ロール３１と成膜ロール３２との間に磁場を印加すると共に、成膜ロール３１と成膜ロール３２にそれぞれ電力を供給して、成膜ロール３１と成膜ロール３２との間に放電してプラズマを発生させ、このような放電領域に、成膜ガス（原料ガスとしてのヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）と反応ガスとしての酸素ガス（放電ガスとしても機能する）の混合ガス）を供給して、下記条件にてプラズマＣＶＤ法による薄膜形成を行い、第２のフィルムを得た。

〈成膜条件〉
原料ガスの供給量：５０ｓｃｃｍ（零度、１ａｔｍに換算したＳｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ。以下同じ。）
酸素ガスの供給量：５００ｓｃｃｍ
真空チャンバー内の真空度：３Ｐａ
プラズマ発生用電源からの印加電力：０．８ｋＷ
プラズマ発生用電源の周波数：７０ｋＨｚ
フィルムの搬送速度；０．５ｍ／ｍｉｎ。

得られた第２のフィルムにおけるガスバリア層の厚みは０．３μｍであった。また、得られた第２のフィルムにおいて、温度４０℃、低湿度側の湿度０％ＲＨ、高湿度側の湿度９０％ＲＨの条件における水蒸気透過度は３．１×１０^−４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）であり、温度４０℃、低湿度側の湿度１０％ＲＨ、高湿度側の湿度１００％ＲＨの条件における水蒸気透過度は検出限界以下の値であった。さらに、曲率半径８ｍｍの条件で屈曲させた後の温度４０℃、低湿度側の湿度１０％ＲＨ、高湿度側の湿度１００％ＲＨの条件における水蒸気透過度は検出限界以下の値であり、得られた第２のフィルムを屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することができることが確認された。

また、得られた第２のフィルムについて、下記条件にてＸＰＳデプスプロファイル測定を行い、珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を得た。
エッチングイオン種：アルゴン（Ａｒ^＋）
エッチングレート（ＳｉＯ_２熱酸化膜換算値）：０．０５ｎｍ／ｓｅｃ
エッチング間隔（ＳｉＯ_２換算値）：１０ｎｍ
Ｘ線光電子分光装置：Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、機種名「ＶＧ Ｔｈｅｔａ Ｐｒｏｂｅ」
照射Ｘ線：単結晶分光ＡｌＫα
Ｘ線のスポット及びそのサイズ：８００×４００μｍの楕円形。

得られた珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線をそれぞれ図５に示し、且つ、得られた珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線に関して、原子比とエッチング時間の関係とともに、原子比とガスバリア層の表面からの距離（ｎｍ）との関係を併せて示すグラフを図６に示す。なお、図６に記載のグラフの横軸に記載の「距離（ｎｍ）」はエッチング時間とエッチング速度とから計算して求められた値である。

図５及び図６に示す結果からも明らかなように、得られた炭素分布曲線が複数の明確な極値を有していること、炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、並びに珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が前記式（１）で示された条件を満たしていることが確認された。

（参考例Ａ２）
先ず、参考例Ａ１で得られたガスバリア層の厚みが０．３μｍの第２のフィルムを基材６として用いて送り出しロール７０１に装着し、前記ガスバリア層の表面上に新たにガスバリア層を形成した以外は、参考例Ａ１と同様にして、第２のフィルム（Ａ）を得た。なお、得られた第２のフィルム（Ａ）における基材（ＰＥＮフィルム）上のガスバリア層の厚みは０．６μｍであった。

その後、得られた第２のフィルム（Ａ）を基材６として用いて送り出しロール７０１に装着し、前記ガスバリア層の表面上に新たにガスバリア層を形成した以外は参考例Ａ１と同様にして、第２のフィルム（Ｂ）を得た。

得られた第２のフィルム（Ｂ）におけるガスバリア層の厚みは０．９μｍであった。また、得られた第２のフィルム（Ｂ）において、温度４０℃、低湿度側の湿度０％ＲＨ、高湿度側の湿度９０％ＲＨの条件における水蒸気透過度は６．９×１０^−４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）であり、温度４０℃、低湿度側の湿度１０％ＲＨ、高湿度側の湿度１００％ＲＨの条件における水蒸気透過度は検出限界以下の値であった。さらに、曲率半径８ｍｍの条件で屈曲させた後の温度４０℃、低湿度側の湿度１０％ＲＨ、高湿度側の湿度１００％ＲＨの条件における水蒸気透過度は検出限界以下の値であり、得られた第２のフィルム（Ｂ）を屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することができることが確認された。

また、得られた第２のフィルム（Ｂ）について、珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を参考例Ａ１における方法と同様の方法により作成した。得られた結果を図７に示す。また、珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線に関して、原子比とエッチング時間の関係とともに、原子比とガスバリア層の表面からの距離（ｎｍ）との関係を併せて示すグラフを図８に示す。なお、図８のグラフの横軸に記載の「距離（ｎｍ）」はエッチング時間とエッチング速度とから計算して求められた値である。

図７及び図８に示す結果からも明らかなように、得られた炭素分布曲線が複数の明確な極値を有していること、炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、並びに珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が前記式（１）で示された条件を満たしていることが確認された。

（参考例Ａ３）
原料ガスの供給量を１００ｓｃｃｍとした以外は参考例Ａ１と同様にして第２のフィルムを得た。

得られた第２のフィルムにおけるガスバリア層の厚みは０．６μｍであった。また、得られた第２のフィルムにおいて、温度４０℃、低湿度側の湿度０％ＲＨ、高湿度側の湿度９０％ＲＨの条件における水蒸気透過度は３．２×１０^−４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）であり、温度４０℃、低湿度側の湿度１０％ＲＨ、高湿度側の湿度１００％ＲＨの条件における水蒸気透過度は検出限界以下の値であった。さらに、曲率半径８ｍｍの条件で屈曲させた後の温度４０℃、低湿度側の湿度１０％ＲＨ、高湿度側の湿度１００％ＲＨの条件における水蒸気透過度は検出限界以下の値であり、得られた第２のフィルムを屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することができることが確認された。

また、得られた第２のフィルムについて、珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を参考例Ａ１における方法と同様の方法により作成した。得られた珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線を図９に示す。また、得られた珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線に関して、原子比とエッチング時間の関係とともに、原子比とガスバリア層の表面からの距離（ｎｍ）との関係を併せて示すグラフを図１０に示す。なお、図１０のグラフの横軸に記載の「距離（ｎｍ）」はエッチング時間とエッチング速度とから計算して求められた値である。

図９及び図１０に示す結果からも明らかなように、得られた炭素分布曲線が複数の明確な極値を有していること、炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、並びに珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が前記式（１）で示された条件を満たしていることが確認された。

（参考比較例Ａ１）
２軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム、厚み：１００μｍ、幅：３５０ｍｍ、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「テオネックスＱ６５ＦＡ」）の表面上に、シリコンターゲットを用い、酸素含有ガス雰囲気中において、反応スパッタ法により酸化ケイ素からなるガスバリア層を形成して、比較のための第２のフィルムを得た。

得られた第２のフィルムにおけるガスバリア層の厚みは１００ｎｍであった。また、得られた第２のフィルムにおいて、温度４０℃、低湿度側の湿度１０％ＲＨ、高湿度側の湿度１００％ＲＨの条件における水蒸気透過度は１．３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）であり、ガスバリア性が不十分なものであった。

得られた第２のフィルムについて、珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を参考例Ａ１における方法と同様の方法により作成した。得られた珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線を図１１に示す。また、得られた珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線に関して、原子比とエッチング時間の関係とともに、原子比とガスバリア層の表面からの距離（ｎｍ）との関係を併せて示すグラフを図１２に示す。なお、図１２のグラフの横軸に記載の「距離（ｎｍ）」はエッチング時間とエッチング速度とから計算して求められた値である。図１１及び図１２に示す結果からも明らかなように、得られた炭素分布曲線は極値を有していないことが確認された。

以上説明したように、本発明で利用するフィルムは、十分なガスバリア性を有しており、しかもフィルムを屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することが可能である。

１ 第１のフィルム
２ 有機ＥＬ素子
３ 保護膜
４ 接着層
５ ガスバリア層
６ 第２のフィルムの基材
７ 第１のフィルムの基材
８ 第２のガスバリア層
１１ 第２のフィルム
１３ 有機ＥＬ装置
５００、５１０、５２０ 巻き出しロール
５１１、５１２ 第1貼り合せロール
５２１、５２２ 第2貼り合せロール
５３０ 巻き取りロール
８２０ 付加的フィルム
６１０、６２０ 接着層塗布装置
６１１、６２１ 接着層硬化装置
７０１ 送り出しロール
２１，２２，２３，２４ 搬送ロール
３１，３２ 一対の成膜ロール
４１ ガス供給管
５１ プラズマ発生用電源
６１，６２ 磁場発生装置
７０２ 巻き取りロール

Claims (6)

1. 第１のフィルムと、
   有機ＥＬ素子と、
   前記第１のフィルムとの間に前記有機ＥＬ素子を介在させて、第１のフィルム上に配置され、前記第１のフィルムとともに前記有機ＥＬ素子を封止する第２のフィルムとを有する有機ＥＬ装置であって、
   前記第２のフィルムは、珪素、酸素及び炭素を含有するガスバリア層を有しており、
   前記ガスバリア層は、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）と、膜厚方向における前記ガスバリア層の一方の表面からの距離との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が下記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす、有機ＥＬ装置。
   （ｉ）ガスバリア層の膜厚方向の９０％以上の領域において、珪素、酸素および炭素の原子比のうちで、珪素の原子比が２番目の値であること
   （ｉｉ）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること
   （ｉｉｉ）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること
2. 前記第１のフィルムが金属フィルムである請求項１記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記第１のフィルムが、珪素、酸素及び炭素を含有する第２のガスバリア層を有し、
   第２のガスバリア層は、珪素、酸素及び炭素を含有しており、当該第２のガスバリア層における前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線及び前記炭素分布曲線が前記条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす、請求項１または２記載の有機ＥＬ装置。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を有する照明装置。
5. 請求項１〜３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を有する面光源装置。
6. 請求項１〜３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を有する表示装置。