TW201232869A - Organic EL device - Google Patents

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201232869 - 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關有機電激發光（EL)裝置、照明裴置、面 狀光源、及顯示裝置。 【先前技術】 有機電激發光（EL ; Electro Luminescence)元件是具 有積層複數薄膜的結構。藉由適當地設定各薄膜的厚度及 材料專，可以賦予元件本身可撓性。將如此之有機此元件 設置在撓性薄膜上的情形，可以得到有機EL元件所搭載的 裝置全體變成撓性裝置。 口 有機EL元件由於曝露在外面空氣中而容易劣化，故 ^ ^ °又置在氧氣及水分等不容易穿透、氣體阻隔性高的 薄膜上。作為如此氣體阻隔性高的薄膜者，已有提案使由 氧化=、氮化石夕、氧氮化石夕、及氧化铭等之無機氧化物所 成的溥膜，在塑膠基材上成膜並形成薄膜。 作為將由無機氧化物所成的薄膜在塑膠基材上成膜 的方套者已知有真空蒸錢法、減鏡法、離子錢覆法等的 物理氣相沈積法（PVD)、減壓化學氣相沈積法、電衆化學氣 相沈積法等之化學氣相沈積法（⑽。作為使用如此之成膜 方法的氣體阻隔性高的薄膜者，例如，在日本特開平4 — 讓6號公報（專利文獻1)中已揭示，有積層2層以上石夕 氧化物的蒸鏟獏所形成的積層蒸鍍膜層之薄膜。 另方面丄在日本特表2002— 532850號（專利文獻2) 中則已揭$ X互積層陶竞系的無機阻隔膜及聚合物膜的 4 323544 201232869 薄膜。 [先前技術文獻] (專利文獻） 專利文獻1:日本特開平4— 89236號公報 專利文獻2:日本特表2002— 532850號公報 【發明内容】 [發明欲解決之課題] 然而，在專利文獻1記載的薄膜，氣體阻隔性必然不 能充分，經被彎曲，則有氣體阻隔性降低之問題。 依據在專利文獻2記載的薄膜，則期望在氣體阻隔性 高時，同時能抑制由於彎曲所導致的氣體阻隔性之下降。 然而，在專利文獻2記載的薄膜之製造步驟，由於將無機 阻隔膜與聚合物膜的交互積層，故會有需要複雜且長的製 造時間之問題。 本發明之目的是提供一種有機EL裝置，其具備高氣 體阻隔性，由於彎曲所導致的氣體阻隔性下降不易，並且 具備藉由簡單的步驟在短時間内就可能形成之薄膜。 [解決課題之手段] 本發明是關於一種有機EL裝置，其具備··第1薄膜、 配置為與前述第1薄膜相對向之第2薄膜、與夾在前述第 1薄膜與第2薄膜之間的有機EL元件。前述第2薄膜與前 述第1薄膜共同密封前述有機EL元件。前述第2薄膜具有 含矽〇夕原子）、氧（氧原子）及碳（碳原子）之氣體阻隔（Gas barrier)層。分別表示相對於砍原子、氧原子及碳原子的 s 5 323544 201232869 合计里之矽原子之量（數）的比率（矽原子比）、氧原子之量 (數）的比率（氧原子比）、及碳原子之量（數）的比率（碳原子 比），與在前述氣體阻隔層的厚度方向（膜厚方向）中由前述 氣體阻隔層的一侧的表面起算之距離的關係之矽分佈曲線、 氧分佈曲線、及碳分佈曲線，滿足下述條件（丨）至（丨丨丨）。 (i) 在軋體阻隔層厚度方向（膜厚方向）的g〇%以上的區 域中，矽原子比、氧原子比、及碳原子比之中，矽原 子比為第2大之值。 (ii) 前述碳分佈曲線具有至少1個極值。 (111)在前述碳分佈曲線中，碳原子比的最大值與最小值之 差的絕對值有5原子％(at%)以上。 前述第1薄膜，也可以是金屬薄膜。 月!l述第1薄膜，也可以具有含石夕、氧、及碳之第2氣 體阻隔層。在一個實施形態中相關的該第2氣體阻隔層 中，前述矽分佈曲線、前述氧分佈曲線、及前述碳分佈曲 線是滿足前述條件（〇、（ii)及（iii)。 在另一方面，本發明是有關具有前述有機虹裝置的 照明裝置、面光源裝置及顯示裝置。 [發明效果] 依本發明，可以實現具備高氣體阻隔性，經由彎曲導 致的氣體阻隔性降低不易，具備藉由簡易的步驟可能在短 時間内形成之薄膜的有機EL裝置。 【實施方式】 [實施發明之最佳形態] s 323544 201232869 以下，詳細地說明本發明的適當之實施形態，但本發 明並不侷限於以下之實施形態。 x 本實施形態中相關之有機EL裝置，係具有第i薄膜、 有機EL元件、與第2薄膜，該第2薄膜是與第j薄膜之間 爽有有機ELtl件’配置在第}薄膜上，與前述第1薄獏同 時密封前述有機EL元件之薄膜。即，第2薄膜是配置成與 第1薄膜相對向’有機EL元件是介於第！薄膜與第2薄膜 之間。 、 在有機EL裝置所搭載的有機EL元件，可以區分成下 述3種型態的元件。即，有機EL元件是可以區分成··（ι) 該有機EL元件為向著所搭載的支持基板而射出光，即所謂 的底發光（bottom-emission)型的元件，（Π)支持基板是向 著反對侧射出光，即所謂的頂發光（t〇p—emissi〇n)型的元 件，及，（ΠΙ)向著支持基板射出光，同時，向著與支持基 板相對侧射出光之兩面發光型的元件。在本實施形態相關 的有機EL裝置中，所搭載的有機乩元件，可以是任何型 之兀件。以下作為一個例子，首先，參照第丨圖說明有關 設置頂發光型元件之有機EL裝置，其次，參照第2圖說明 關於設置底發光型元件之有機EL裝置。 第1圖是表示本實施形態的有機乩裝置之模式的截 面圖。第1圖所示實施形態的有機EL裝置13中，在第i 薄膜1上搭載有機el元件2。第2薄膜11，係一面與第1 薄膜1之間夾著該有機EL元件2，一面配置在第1薄膜1 上。第2薄膜11是與第1薄膜1同時密封有機EL元件2。 7 323544 201232869 ‘第1薄膜1與第2薄膜η是隔著設置在其等之間的接著声 4而點合。有機EL裝置13，因應必要，也可以具備保護層 3’该保護層3是被覆有機El元件2,且存在有機乩元件 2與接著層4之間。藉由設置此保護層3,可以隔開接著層 4而保護有機EL元件2。 第1圖所示之本實施形態的有機EL裝置2，係頂發光 尘的兀件’光向著第2薄膜11射出。為此第2薄膜工工是 必需藉由光穿透構材而形成。另一方面，本實施形態中相 當於支持基板的第卜薄膜卜也可以藉由光不穿透之不 明構材而形成。 作為第1薄膜1者，可以使用塑夥薄膜或金屬薄膜， ，以金屬薄膜為佳。金屬薄膜與塑膠薄膜等相比，由於有 向的氣體阻隔性’故可以提高有機EL裝置的氣體阻隔性。 作為金屬薄膜者，可以使關如：Cu或卜的薄板、 及不銹鋼等之合金薄板。 /第2薄膜U是具有含石夕原子、氧原子、及碳原干之 氣體阻隔層5。在本實施形態第2薄膜11是由基材6，·與 設置在基材6之有機EL元件2側的主面上之氣體阻隔層5 所構成。氣體阻隔；| 5由於滿足後述之條件⑴、⑴）及 (⑴），而具備高的氣體阻隔性，進一步，可以抑制被彎曲 時的氣體阻隔性下降。 藉由如此之第i薄膜i與第2薄膜的密封有機肌元 件2 ’而可以實現有撓性的、兼具充分的耐久性與氣體阻 隔性之有機EL裝置。尤其在使用金屬薄膜作為第ι薄膜丨 8 323544 201232869 的膏开7由於第1薄膜1與第2薄膜11的兩方都顯示有高 的氣體阻驗，可以實現兼具更高耐久性與氣體阻隔性之 有機EL裝置。 、第2圖表示其他之實施形態的有機EL裝置13的模式 截面圖。第2圖所示實施形態的有機EL裝置13盥第j圖 所示實施形態是在有機EL元件，與第i薄膜i相異。本^ 施形恕的有機EL it件2是底發光型元件，向著相當於支持 基板的第1薄膜i射出光。因此以薄^必需是顯示光 穿透性之薄膜。 本實施形態的第1薄膜i只要是顯示光穿透性之薄膜 即+可’而無特職制，但從氣體闯性之觀㈣言，與第 2薄膜11同樣’以具有含發原子、氧原子、及碳原子^第 2氣體阻隔層8為佳。本實施形態第丨薄膜丨是由基材7, 與設置在基材7之有機EL元件2侧的主面上之第2土氣體阻 隔層8所構成。此第2氣體阻隔層8,係與第2薄膜"之 體阻隔層5相同，由於滿足後述之條件⑴、（i〇及⑴〇 而具備高的氣體阻隔性，進-步，可以抑卿曲時的氣體 阻隔性下降。 精由如此之第1薄膜1與第 · _ q π π從’珂啕機此元 牛2 ’也可以實現有撓性的、兼具充分的耐久性與氣體阻 隔性之有機EL裝置。 裂置中’除了底發光 成兩面發光型的有機 第2圖所示實施形態的有機el 型的有機EL元件之外，也可以設置 EL元件。 s 323544 201232869 吏用第1溥膜作為密封構材，將有氣體阻隔層的第2 薄膜^作支持基板使用’藉由此第1薄膜與第2薄膜，也 可以您封有機EL元件。 一例如’在第1圖及第2圖所示的實施形態中，對於第 1缚膜及/或第2薄膜，也可以再貼合附加的薄膜。作為 =力口的薄膜者’可以列舉：保護有機EL裝置表面的保護薄 古方止入射到有機EL襄置的外光反射之防止反射薄膜、 光取出效率作㈣絲㈣膜1關整光的相位 光學機能性_ '以及有積層選取此等複數薄膜 學薄膜等。附加的薄膜可以貼合在第i薄膜及/ 或第2溥膜的單面上或雙面上。 (接著層） 接著層係將第i薄膜與第2薄膜 配置有機EL元件的狀鲅下垃％ β ^專膜之間 劑以有☆ 〜、之層。在接著層制的接著 為佳，如第1圖所示，自有舰元件 係以於通過接著層4射出到外界的有機EL裝置， 者層4之光穿透率高者為佳。此情形，由光取出效 率的差之…者層4接者的層，與接著層4的折射 丰的差之絕對值以小的為佳。 及先用的接著劑者’熱硬化性接著劑 ，接著劑等硬化性接著劑為合適。 作為熱硬化性接著劑者， / 及丙稀酸g旨系接著劑等。 + ¥氧系接著劑 作為環氧系接著劑者，可以列舉如：選自雙紛A型環

S 323544 201232869 氧樹脂、㈣F型環氧樹脂、及苯氧樹脂之含有環氧化合 物之接著劑。 作為丙烯酸酯系接著劑者，可以列舉如：含有選自由 丙稀酸、曱基丙稀酸、丙稀酸乙醋、丙稀酸丁醋.、丙稀酸 -2-。己S旨、丙烯ϋ胺、丙稀腈及祕丙稀酸§旨等作為主成分 的單體，與可與該主成分共聚合單體之接著劑。 作為光硬化性接著劑者，可以列舉如：自由基系接著 劑，及陽離子系接著劑等。 作為自由基系接著劑者，可以列舉如：含有環氧基丙 烯酸酯、酯丙烯酸酯、及酯丙烯酸酯等之接著劑。 匕作為陽離子系接著劑者，可以列舉如：含有環氧系樹 脂.、乙烯基系樹脂等之接著劑。 ’、 (保護層） 保護層係試圖覆蓋有機EL元件而設置。藉由設置此 保護層而可以隔開接著層以保護有機E L it件。 構成有機EL元件的電子注入層及陰極，由於 將含有在大氣h安定㈣料作為主成分，故形 疋

元件後，在貼合第2薄膜直到密封該有機此元件為L 間，經由包圍電子注入層及陰極的環境中之水分及氧氣等 恐怕會劣化》ϋ此，保制係遮斷藉由第氧乳專 EL元件為止的期間包圍環境中之水分及氧氣== 來保護有機EL元件之機能為佳。 〃、有由此 作為在保護層中使用的材料者，可 安定的金屬材料、阻隔#傷3从— 百.在大氣中

S Μ 生優異的無機絕緣性材料及有機絕 323544 11 201232869 緣性材料等，金屬材料例如是選自A卜Cu、Ag、Au、Pt、 Ή、Cr、（：〇及Ni。热機絕緣材料例如是選自^⑴、_、

SiOxNy、及SiOxCy。作為右她如A 為有機絕緣材料者是使用聚對二甲 本（P〇ly-Para-Xylylene 簡稱败^此）等。 由金屬材料所形成的保護層，例如：藉由真空蒸鐘法、 ?鏟&或二鍍法而形成。由無機絕緣材料所形成 的保護 層’例如：藉由濺鍍法、⑽法、或雷射剝離法 ⑽）而形成。由有機絕緣材料所形成的保護層’例 ^藉由含有單體氣體的真空蒸錢，與含單體蒸鐘獻被塗 膜表面）之聚合的製膜法而形成。 (有機EL裝置之製造方法） 以下’參照第3圖說明有機虹裝置之製造方法。第3 圖表示用以製造有機EL裝置的裝置之概念圖。在第3圖所 =置’係使第i薄膜i與第2薄膜u貼合’再將附加的 潯膜820貼合在第2薄膜π μ — @，一 有機EL元件1上。如賴1上預先形成 捲出輥500是將預先在有機此元件上形成的第2薄 L1、送出，捲出報510是將第2薄膜11送出。在自捲出輕 达出之第1薄膜1上，藉由第i接著層用的塗布裝置 入0塗布接著劑’而形成第1接著層。之後，藉由第1貼 口，5U/ 512 ’使第1薄膜1 ’與經過運送輥513所供給 、第2薄膜11隔著第1接著層而貼合，進一步藉由第1 接著層用的硬化裝置611，使第1接著層硬化（固化）。 在第2薄膜U上，藉由設在硬化裝置611之下游側 12 323544 201232869 布裝置62°來塗布接著劑，進-步形 =接耆層，著，藉由第2點合請、522,使第2 附加薄^膜f20„ 52\送出，經過運送輥523所供給的 著声用的;“：者弟2接著層而貼合，進-步藉由第2接 所^、，石^置⑵，使第2接著層硬化（固化）。之後， 所形成的有機EU置藉由捲取輥卿而捲取。 作為附加薄膜者，例如#用箭 能y 1 肿使“相㈣。在本實施形 :、雖疋點…的附加薄膜’但也可以依序貼 =:薄膜。在貼合3片以上薄膜的情形

應有機EL裝置之積層順序而適當地變更。 斤疋U (第2薄膜） 其次說明相關的第2薄膜n，本實施形態的有機el 一!!徵是第2薄膜，尤其是變成其之氣體阻隔層5。 弟2溥膜具有含石夕原子、氧石夕原子及碳肩子的氣體阻 j。相對於石夕原子、氧原子及碳原子的合計量，將石夕原 子數之比率（㈣子比）、氧料數之㈣ =子數之比率（碳原子比），在氣體阻隔層之厚度方向自氣火 姐阻隔層之-側的表面’藉由一面變更距離一面測定，可 以付到刀別表不各原子原子比與自氣體阻隔層表面之距離 的關係之石夕分佈曲線、氧分佈曲線、及碳分佈曲線。本實 施形態相關的自氣體阻隔層得到之此等曲線，係滿足下述 條件（1)、（ii)及（iii)。 ⑴在氣體阻隔層厚度方向的_以上之區域中，石夕原子 比、乳原子比及碳原子比之中，石夕原？比為帛2大之

P 323544 13 201232869 值。 (ii)碳分佈曲線至少有1個的極值。 (i i i)在碳分佈曲線中碳之原子比的最大值與最小值之差 (絕對值）有5 at%以上。 (i)之條件，換言之，係指在氣體阻隔層厚度方向的 90%以上之區域中，滿足下述式（1)或下述式（2)之意思。 (氧原子比）>(矽原子比）>(碳原子比）· · ·（〇 (碳原子比）>(矽原子比）>(氧原子比）· · *(2) 〈第2薄膜的基材〉 上述氣體阻隔層通常是在基材上形成。即，第2薄膜 是含有基材、與在此基材上所形成之氣體阻隔層。作為第 2薄膜的基材者，可以列舉無色透明之樹脂薄膜或樹脂薄 片。在如此之基材使用的樹脂，例如，可以選自聚對苯二 曱酸乙二酯（PET)及聚萘二曱酸乙二酯（PEN)等聚酯系樹 脂；聚乙烯（PE)、聚丙烯（PP)及環狀聚烯烴等聚烯烴系樹 脂；聚醯胺系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；聚苯乙烯系樹脂； 聚乙烯醇系樹脂；乙烯一醋酸乙烯酯共聚合物之皂化物； 聚丙烯腈系樹脂；縮醛系樹脂；以及聚醯亞胺系樹脂。此 等樹脂之中，從耐熱性高；線膨脹率小、製造成本低的觀 點而言，以聚酯系樹脂及聚烯烴系樹脂為佳，以PET及PEN 為特佳。此等之樹脂可以單獨使用1種，也可以組合2種 以上而使用。

S 第2薄膜的基材厚度，考慮製造第2薄膜之際的安定 性而可以適當地設定。第2薄膜的基材厚度，從真空中可 14 323544 201232869 ’二：送溥膜之觀點而言’以5至500 ,的範圍為佳。藉由 “ 7 CVD法形成氣體阻隔層的情形，係由通過第2薄膜的 f材亚持續放電㈣成氣體阻隔層，第2薄㈣基材厚度 疋以50至2〇〇_為較佳，以5〇至1〇〇私^為更佳。 ^ +於第2薄膜的基材，從與後述之的氣體阻隔層的密 著f生的觀點而言，為了表面清淨以實施表面活性處理為佳。 作為如此之表面活性處理者，例如可以列舉：電晕處理、 龟漿處理、及火焰處理。 〈氣體阻隔層〉 …乳體阻隔層是在前述基材之至少單面上形成。本實施 形態相關的第2薄膜是含有石夕原子、氧原子及碳原子，具 備滿足全部上述之（〇至〇11)的氣體阻隔層之至少一層即 可。例如’第2薄膜也可以具有不滿足上述條件（i)至（^) 中之至少任何-個的其他層。氣體阻隔層或是其他層也可 以是復含有氮原子及鋁原子等。 /夕原子比、氧原子比及碳原子比不滿足條件⑴的情 形，第2薄膜的氣體阻隔性會下降。滿足上述式〇)或（？） 之區域，以佔有氣體阻隔層的厚度之9〇%以上為佳。此比 率，較佳是95%，更佳是1〇〇%。 本實施形態相關之氣體阻隔層中，作為上述條件（Η) 之碳分佈曲線至少必需要i個的極值。如此之氣體阻隔層 中，碳分佈曲線以有2個的極值為較佳，有3個以上的極 值為更佳。碳分佈曲線沒有極值的情形，則所得第2薄膜 當彎曲時，氣體阻隔性會下降。碳分佈曲線至少有3個極 323544 15 201232869 值的情形，碳分佈曲線的鄰接極值間的厚度方向中距離以 在200nm以下為佳，在1 OOnm以下為更佳。 本說明書中，極值是指在氣體阻隔層的厚度方向中， 相對於自氣體阻隔層之表面起的距離將元素原子比加以作 圖而得之分佈曲線中的極大值或極小值。極大值是指上述 分佈曲線中，隨著自氣體阻隔層之表面起的距離變化，元 素原子比值會有自增加變成減少的改變點，並且與在該點 之元素的原子比值相比較，由該點起在氣體阻隔層的厚度 方向中，將自氣體阻隔層之表面起的距離進一步變化20nm 的位置中，元素之原子比值會減少3at%以上之點的元素原 子比之意思。極小值是指隨著自氣體阻隔層之表面起的距 離變化，元素之原子比之值會自減少變成增加之改變點， 並且與在該點之元素之原子比的值相比較，由該點之氣體 阻隔層的厚度方向中，將由氣體阻隔層表面起的距離進一 步變化20nm的位置中，元素之原子比值增加3at%以上之 點的元素原子比之意思。 本實施形態中相關氣體阻隔層，在作為上述條件（iii)， 必需要碳分佈曲線中的碳原子比的最大值與最小值之差在 5at%以上，在如此之氣體阻隔層中，後原子比的最大值與 最小值之差是以在6 at%以上為較佳，以在7at%以上為更 佳，此差未滿5 at%時，當第2薄膜彎曲時，第2薄膜的 氣體阻隔性會下降。上述之差的上限並無特別限定但通常 是30%左右。 (氧分佈曲線，極值） 16 323544 201232869 •㈣阻隔層的氧分佈曲線，至少必需要1個的極值為 仏’至J有2個的極值為較佳’至少有3個極值為更佳。 氧分佈曲線有極值的情形，由於第2薄膜的彎曲有更難產 生氣體阻隔性之下降的傾向。氣體阻隔層的氧分佈至少有 3個極值的情形’氧分佈曲線有的-個極值，與在該極值 鄰接的極值間，各個的氣體阻隔層之厚度方向中，自氣體 阻隔層之表面起的距離差，任何—個都以在2()Q⑽以下為 佳’在lOOnm以下為更佳。 (氧分佈曲線，最大值與最小值之差） 氣體阻層的氧分佈曲線中，氧原子比的最大值與最 小值之差以在5at%以上為佳，以在6 at%以上為較佳，以 在7at%以上為更佳，此差在前述下限以上時，由於第2薄 膜的彎曲導致氣體阻隔性的下降有更難的傾向。此差的上 限並無特別限定，通常是3〇at%左右。 氣體阻隔層的矽分佈曲線中，矽原子比的最大值與最 小值之差以未達5at%為佳，以未達4at°/Q為較佳，未達3at〇/〇 為更佳。此差未達前述上限時，第2薄膜的氣體阻隔性有 變得特高之傾向。 (氧破分佈曲線’最大值與最小值之差） 氟體阻隔層之厚度方向中’表示由該層表面起的距 離’與相對於梦原子、氧原子及碳原子的合計量之氧原子 及碳原子數之合計量的比率（氧及碳的原子比）之關係的氧 碳分佈曲線中，氧及碳的原子比之合计的最大值與最小值 之差以未達5at%以上為佳，以未達4at%以上為較佳，以未 17 323544 .201232869 -達3at%以上為更佳。此差未達前述上限時，第2薄膜的氣 體阻隔性有變得特高之傾向。 石夕分佈曲線、氧分佈曲線、碳分佈曲線及氧碳分佈曲 線疋藉由併用X線光電子分光法（XPS:X ray Photo electron Spectroscopy)之測定與氬氣等稀有氣體之離子濺射，使試 料内部曝露持續進行依序表面組成分析，即所謂的藉由 XPS縱深分佈圖（Depth Proiile)測定而可以作成。藉由如 此之XPS縱深分佈圖測定所得之分佈曲線，例如，可以作 成將各元素之原子比（單位：a ΐ %)當作縱軸，將蝕刻時間（濺 射時間）當作横軸。蝕刻時間大致是與氣體阻隔層之厚度方 向中由氣體阻隔層之表面起的距離相關。因此，作為「氣 體阻隔層之厚度方向中由氣體阻隔層的一方表面起的距 離」者，係可以採用由在XPS縱深分佈圖測定之際>采用的 蝕刻速度與蝕刻時間之關係算出的自氣體阻隔層之表面起 的距離。在如此之XPS縱深分佈圖測定之際採用的濺鍍法 中，作為蝕刻離子種者是採用使用氬（Ar+)的稀有氣體離 子藏鍍法，該餘刻速度（截刻速率）以設成0. 〇5nm/sec (51〇2熱氧化膜換算值）為佳。 從形成膜面全體中有均勻且優異之氣體阻隔性的氣 體阻隔層的觀點而言，氣體阻隔層是以在膜面方向（平行氣 體阻隔層的主面（表面）之方向）中，於實質地一樣為佳。在 本說明書中，「氣體阻隔層為在膜面方向中實質地一樣」是 指，藉由XPS縱深分佈圖測定氣體阻隔層膜面的任意2個 位置之測定點作成相關的氧分佈曲線、碳分佈曲線及氧碳 18 323544 201232869 刀佈曲線之情形，在此任意2個位置之測定點中所得碳分 佈曲線持著極值的數為互相相同，在各各的碳分佈曲線中， 碳原子比的最大值與最小值的差，為互相相同或是此等之 差在5at%以内之意思。 石反分佈曲線以實質上連續為佳。本說明書中，「碳分 佈曲線声、質上連續」疋指，有關碳分佈曲線中碳之原子比 是不含有不連續變化部分之意思。具體上，是指由蝕刻速 度與蝕刻時間算出之在氣體阻隔層的厚度方向中，由該層 表面之距離（x，單位：⑽），與碳原子比（c，單位：at%) 之關係，為滿足下述數學式（F1)所示條件： -1. (dc/dx)^ 1. 〇· · -(pi) 本實施形態相關之第2薄膜，只要具備至少丨層能全 邛滿足上述條件（i)至（iii)之氣體阻隔層即可，第2薄膜 也可以具備2層以上能全部滿足上述條件（i)至（ίΗ)之氣 體阻隔層。第2薄膜具備如此之2層以上氣體阻隔層的情 开夕複數的氣體阻隔層的材質，可以是相同的，也可以是 相異的。X ’第2薄膜具備如此的2層以上之氣體阻隔層 的情形，此等之氣體阻隔層也可以在基材之—側的表面上 幵/成’也可以在基材之兩側的表面上分別形成。第2薄膜 也可以含有不必然具有氣體阻隔性之薄膜層。 矽分佈曲線、氧分佈曲線及碳分佈曲線中，矽原子比、 氧原子比及碳原子比収式⑴所示條件的情形，氣體阻隔 =相對㈣原子、氧原子及碳原子之合計量1原子之 含置的原子比率’以有25至45 at%為佳，以有30至4〇 at% 323544 19 201232869 為更佳。氣體阻隔層中相對於矽原子、氧原子及碳原子之 合計量’氧原子之含量的原子比率，以有33至67 at%為 佳，以有45至67 at%為更佳。氣體阻隔層中相對於矽原 子、氧原子及原子之合計量，碳原子之含量的原子比率， 以有3至33at%為佳，以有3至25at%為更佳。 矽分佈曲線、氧分佈曲線及碳分佈曲線中，石夕原子比、 氧原子比及碳原子比為滿足前述式（2)所示條件的情 體阻隔層中相對於w'氧原子及破原子 原子之含量的原子比率，以有25至45 at%為佳，以有3〇 至40 at%為更佳。氣體阻隔層中相對於矽原子、氧原子及 碳原子之合計量，氧原子之含量的原子比率，以有】至犯 at/D為佳，以有1〇至27 at%為更佳。氣體阻隔層中相對 於石夕原子、氧原子及碳原子之合計量，碳原子之含量的原 子比率，係以有33至66at%為佳，以有4〇至5?⑽為更 佳。 軋體阻隔層的厚度是以5至3〇〇〇nm為佳，以1〇至2〇〇〇 為更L ’以100至l〇〇〇nra為特佳。氣體阻隔層的厚度 ，此等數值㈣’可以有較優良之氧氣阻隔性、水蒸 氣阻隔性等阻隔性，_由於f曲所導致的氣體阻隔 性之下降有被更有效抑制的傾向。 第2薄膜具備複數之氣體阻隔層的情形，此等之氣體 阻搞層的厚度合敎，通常是1Q至丨圆⑽，以1()至5_ nm ^佳」以⑽至咖nm為較佳，以咖至讓⑽為 氣體阻層的厚度合計值在此等數值範圍内時，可 323544 20 201232869 以得到較優良之氧氣阻隔性、水蒸氣阻隔性等之氣體阻隔 性，同時由於彎曲所致的氣體阻隔性之下降有被更有效抑 制的傾向。 第2薄膜，在第2薄膜的基材及氣體阻隔層之外，因 應需要，也可以復具備底層塗布層、熱封性樹脂層、接著 劑層等。底層塗布層是提高與基材及氣體阻隔層之接著性 而可以使用可能之底層塗布劑來形成。熱封性樹脂層是使 用適當的公知之熱封性樹脂而可以形成。接著劑層是使用 適當的接著劑而可以形成，藉由如此之接著劑層也可以將 複數的第2薄膜互相接著。 第2薄膜的氣體阻隔層，係以電漿化學氣相沈積法所 形成的層為佳。藉由電漿化學氣相沈積法所形成的氣體阻 隔層，係將第2薄膜之基材配置在一對的成膜輥上，以在 一對的成膜輥間放電後發生電漿之電漿化學氣相沈積法所 形成之層為更佳。在一對的成膜輥間放電之際，將一對的 成膜輥之極性互相反轉為佳。使用如此之電漿化學氣相沈 積法的成膜氣體，以含有有機矽化合物與氧氣為佳。成膜 氣體中的氧氣含量，係以具有使成膜氣體中的有機矽化合 物全量完全氧化的必要理論氧量以下為佳。第2薄膜之氣 體阻隔層，係以藉由連續地成膜製程所形成之層為佳。利 用如此之電漿化學氣相沈積法，形成氣體阻隔層方法之詳 細内容，係在後述之製造第2薄膜方法中說明。 〈第2薄膜的製造方法〉 其次，說明第2薄膜之製造方法。第2薄膜可藉由在 21 323544 201232869 第2薄膜之基材表面上形成氣體阻隔層而製造。作為將氣 體阻隔層在第2薄膜之基材表面上形成的方法者，從氣體 阻隔性的觀點而言，以電漿化學氣相沈積法（電漿CVD)為 佳，該電漿化學氣相沈積法也可以是潘寧放電（音譯； Penn i ng d i scharge)電漿方式的電聚化學氣相沈積法。 在電漿化學氣相沈積法中產生電漿之際，係以在複數 的成膜輥之間的空間產生電漿放電為佳，使用一對的成膜 輥，分別在此一對的成膜輥上配置基材，以在一對成膜輥 之間放電並發生電漿為更佳。藉由使用如此一對的成膜輥， 在成膜時，在一方的成膜輥上存在的基材上持續成膜氣體 阻隔層，在另一方的成膜輥上存在的基材上也可能同時成 膜氣體阻隔層。藉由此，不僅可以有效率地製造氣體阻隔 層，尚可以以2倍之成膜速率同時成膜相同結構之膜。結 果，碳分佈曲線中極值至少可以加倍增加，變成可能有效 率地形成全部滿足上述條件（i)至（iii)的氣體阻隔層。從 生產性之觀點而言，以輥對輥（roll to roll)方式在第2 薄膜的基材表面上形成氣體阻隔層為佳。藉由如此之電衆 化學氣相沈積法在製造第2薄膜之際使用的可能裝置，並 無特別之限制，但至少具備一對成膜輥與電漿電源，以可 在前述一對成膜輥間放電之裝置為佳。例如，藉由使用第 4圖所示製造裝置，一面利用電漿化學氣相沈積法，一面 以報對報（rol 1 to rol 1)方式可以製造第2薄膜。 以下，一面參照第4圖，一面更詳細說明製造第2薄 膜的方法。第4圖表示可以適當利用之為了製造本實施形 22 323544 201232869 態有狀第2薄膜的作裝置的—個例子之模式圖 兄明及圖式中’在同—或相當之要件中是付上同 符號，而適當地省略重複的說明。 、 第4圖所示之製造裝置，具備：送出輥7〇卜 21、22、23、24、相對向配置的一對成膜輥 % 供认管41、♦ ; 乂聘視31、32、氣體 產生51、與在成_31、32之内 :裝ί中：場產生装置Μ、與捲取輕7〇2。在此勢 用電源51、邀少成賴31、32、氣體供給管4卜電裝產生 J!二與磁場產生裝置61、62係配置在圖式中省略 ”二至内。該真空室是與圖式中省略噌略 由真，泵而可以適當調整真空室内的墨力了工7、接，藉 第4圖之製造裝置中’將一對成 膜輕32)作成可作為〆對的對向電極的二、_31與成 分別連接至電槳產生用電源51。由電夢各個成膜輥 給電力，而在成膜輕31與成膜輥32之生用電源51供 由此在成膜輥3丨與成膜輥32之間的办卩θ的空間放電，藉 在利用將成膜輥31與成膜輥3 2作為;S可以產生電漿。 當變更此材質及設計就可能作為電極而的凊形，只要適 (成膜輥31與成獏輥32)係以其之中心用一對成膜輥 成為略為平行地配置 為宜。配置如此在同-平面上 31與成膜輥32)，藉由在各個成膜輥上、成《輥（成膜輥 與在1個成_上成膜的情形相比較，可^氣體阻隔層， 同時，因為可以將相同結構之膜从加倍成膜速率。 、王® rflj成肢 中極值的數至少也可加倍增多。依據如、，噥分佈曲線 此之製造裝置，藉 323544 23 201232869 由CVD法在基材6之表面上可以形成氣體阻隔層，在成膜 輥31上基材6之表面上持續堆積膜成分，進一步在成膜輥 32上於基材6之表面上也可以堆積膜成分。因此，在基材 6之表面上可以有效率地形成氣體阻隔層。 在成膜輥31、32之内部，係設置磁場產生裝置61、 62。該磁場產生裴置61、62，例如即使作為成膜輥回轉， 其本身也成為不回轉般而被固定。 作為成膜輥31、32者，可以適當使用通常的輥，成 ，輥3卜32之直徑，從可以形成效率較佳之薄膜觀點而 °男'貝上以相同者為佳。成膜親31、32之直徑，從放電 條件、室内空間等觀點而言，以5至1〇〇(：111為佳。 在第4圖之製造裝置中，基材6之表面為試圖相互對 =在一對成膜輥（成膜輥31與成膜輥32)上，配置基材6， ^ =如此配置基材6，在賴輕31與成膜輕Μ之間進行 i產生電水之際’存在—對成膜輕間的基材6之各個表 可以同％成膜。即，依如此之製造裝置，藉由⑽法， 膜輕=31上於基材6之表面上堆制成分，進—步在成 上可以酬成分。因此，在基材6之表面上可以有 政率地形成氣體卩且隔層。 適當:=，1;議21、22、23，者，可以 1¾¾ 才才 6 民卩 v|r 而2取報702只要可以捲起形成氣體 用的輥。 ’、、、別限制’可以適當選擇通常使 氣體供給管41只要可 X將原料氣體等以預定之速度 323544 24 201232869 供給或排出即可。作為電漿產生用電源51者，可以適當使 用通常的電漿產生裝置的電源。電漿產生用電源51將電力 供給與其連接之成膜輥31與成膜輥32，可以將此等當作 為了放電之對向電極來利用。作為電漿產生用電源51者， 由於可以實施效率更良好的電漿CVD，故以利用可以將一 對成膜輥的極性互相反轉的電源（交流電源等）為佳。電漿 產生用電源51，為了可以效率更良好地實施電漿CVD，以 設定可以施加電力100W至10kW，交流頻率50Hz至500kHz 為佳。作為磁場產生裝置61、62者，可以適當地使用通常 的磁場產生裝置。作為基材6者，除了第2薄膜之基材以 外，可使用具有預先形成氣體阻隔層的薄膜。如此，作為 基材6者藉由使用具有預先形成氣體阻隔層的薄膜，可以 使氣體阻隔層的厚度增厚。 使用第4圖所示之製造裝置，例如，藉由適當調整原 料氣體的種類、電漿產生裝置的電極鼓（electrode drum) 之電力、真空室内之壓力、成膜輥之直徑、以及，薄膜之 運送速度，而可以製造第2薄膜。 使用第4圖所示之製造裝置，將成膜氣體（原料氣體 等）持續供給到真空室内，藉由在一對成膜輥（成膜輥31 及32)間使產生放電，藉由電漿分解成膜氣體（原料氣體 等），在成膜報31上的基材6表面上並且在成膜報32上的 基材6表面上，藉由電漿CVD法形成氣體阻隔層。在如此 成膜之際，由於基材6藉由送出報701及成膜報31等，分 別運送，故藉由輥對輥方式的連續成膜製程而在基材6之s 25 323544 201232869 表面上形成氣體阻隔層。 在氣體阻隔層的形成中使用的成膜氣體中之原料氣體， 係因應所形成的氣體阻隔層之材質而適當選擇。作為原料 氣體者，例如，可以使用含矽之有機矽化合物。原料氣體， 除了有機矽化合物之外，也可以含有作為矽源的單矽烷。 原料氣體，例如，可以含有選自由六曱基二矽氧烷、 1，1, 3, 3-四曱基二矽氧烷、乙烯基三曱基矽烷、曱基三曱 基矽烷、六甲基二矽烷、曱基矽烷、二曱基矽烷、三曱基 矽烷、二乙基矽烷、丙基矽烷、苯基矽烷、乙烯基三乙氧 基矽烷、乙烯基三曱氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基 秒烧、苯基三曱氧基碎烧、曱基三乙氧基碎烧、及八曱基 環四矽氧烷所成群組中至少1種的有機矽化合物。即使在 此等之有機矽化合物中，從化合物之處理性及所得氣體阻 隔層的氣體阻隔性等特性觀點而言，也以六甲基二矽氧烷 及1，1，3, 3-四甲基二矽氧烷為佳。此等之有機矽化合物可 以單獨使用1種或組合2種以上來使用。 成膜氣體也可以含有原料氣體以外之反應氣體。作為 此反應氣體者，可以使用適當選擇與原料氣體反應形成之 氧化物、氮化物等無機化合物的氣體。作為用於形成氧化 物的反應氣體者，例如，可以使用氧或臭氧。作為用於形 成氮化物的反應氣體者，例如，可以使用氮或氨。此等之 反應氣體，可以單獨使用1種或組合2種以上來使用。例 如，形成氧氮化物的情形，可以組合用以形成氧化物的反 應氣體與用以形成氮化物的反應氣體。

S 26 323544 201232869 作為成膜氣體者，為了將原料氣體供給到真空室内， 因應必要，也可以使用載體氣體（carr i er gas)。作為成膜 氣體者，為了產生電漿放電，因應必要，也可以使用放電 用氣體。作為如此之載體及放電用氣體者，可以使用適當 的公知者。例如，可以將氦氣、氬氣、氖氣及氙氣等稀有 氣體或氫氣當作載體及放電用氣體使用。 成膜氣體為含有原料氣體與反應氣體的情形，原料氣 體與反應氣體比率，為了使原料氣體與反應氣體完全反應， 比起理論上必需之反應氣體量的比率，以過剩的反應氣體 之比率而不過多為佳。藉由適當調控反應氣體的比率，可 以特別有效地形成能完全滿足上述條件（i)至（iii)之薄膜 (氣體阻隔層）。成膜氣體為含有有機矽化合物與氧的情形， 成膜氣體的氧量，為了使成膜氣體中的有機發化合物全量 完全氧化以必要之理論氧量以下為佳。 以下，作為成膜氣體者，係使用含有作為原料氣體的 六甲基二矽氧烷（有機矽化合物：HMDSO : (CH3)6Si2〇)，與 作為反應氣體的氧氣（〇2)之氣體，列舉製造矽一氧系的氣 體阻隔層的情形，詳細說明有關成膜氣體中的原料氣體與 反應氣體的適當比率等。 將含有作為原料氣體的六甲基二矽氧烷（HMDS0 : (CH3)6Si2〇)，與作為反應氣體的氧氣（〇2)的成膜氣體，藉 由電漿CVD反應而製作矽一氧系的氣體阻隔層的情形，在 此成膜氣體中產生下述反應式（3): (CH3)6Si2〇+12〇2— 6C〇2+9H2〇+2Si〇2 (3) 27 323544 201232869 s 所示之反應，而形成二氧化石夕，此反應中，將1莫耳 六曱基二矽氧烷完全氧化之必要氧量是12莫耳。因此在成 膜氣體中，相對於1莫耳六曱基二矽氧烷含有氧12莫耳以 上而完全反應之情形，可以得到所形成的均勻之二氧化矽 膜。此情形，不可能形成完全滿足上述條件（i)至（iii)之 氣體阻隔層之可能性高。因此，形成本實施形態相關之氣 體阻隔層之際，以試圖使上述（3)式的反應不完全進行方 式，相對於1莫耳六甲基二矽氧烷，氧量以比化學理論量 的12莫耳少為佳。實際的電漿CVD室内的反應中，原料的 六曱基二矽氧烷與反應氣體的氧，由於自氣體供給部往成 膜區域供給使成膜，故反應氣體的氧氣莫耳量（流量），即 使為原料的六曱基二矽氧烷的莫耳量（流量）之12倍的莫 耳量（流量），現實中反應也不可能完全進行，供給氧量使 比化學理論量比太過剩地供給，初期反應可完結者被認為 有大部分。例如，由於藉由CVD可以得到完全氧化的氧化 矽，故氧的莫耳量（流量）也有是原料的六甲基二矽氧烷的 莫耳量（流量）的20倍以上左右的情形。因此，相對於原料 的六曱基二石夕氧烧的莫耳量（流量），氧的莫耳量（流量）是 以比化學理論量比的12倍量以下（較佳是10倍以下）之量 為佳。藉由含有如此比的六曱基二矽氧烷及氧在成膜氣體 中，沒有完全氧化的六曱基二矽氧烷中之碳原子及氫原子 被取入氣體阻隔層中。結果，就可以形成完全滿足上述條 件（i)至（iii)之氣體阻隔層，藉此，所得第2薄膜變成能 發揮有優良的氣體阻隔性及耐彎曲性。相對於成膜氣體中 28 323544 201232869 的 六甲基二矽氧烷的莫耳量 卜 少時，沒有氧化之碳原子及^子被=莫耳量（流量）太 中。由於此情形氣體阻隔層的透明性;：入氣體阻隔層 之裝置用撓性基板則在電池^需要透明性 相對於成膜氣體中的六曱其有困難。由如此之觀點而言’ 的莫耳量(流量)是以比六C燒的莫耳量(流量)，氧 〇. 1倍多之i騎，叫G 耳4(流量）之 等而空度)可以因應原料氣體的種類 乂 〇· IPa至5〇pa的範圍為佳。 此之電渡 ^ 32間放電，施：L 中，為了在成膜輥31及成膜輥 每化, 加在電漿產生甩電源51所接續的電 實施形態中是哼番六+时、 牧馬们毛極妓（本 料氣體之膜輥31及32上）的電力，係因應原 刪為佳。心♦上+ &力等而週田5周整，以0.1至 之傾向，施加前述下限時有變成容易產生顆粒 成膜時的前述上限時顏時產生的熱量變多， 會因熱而=溫度會上昇。溫度太過上昇時，基材 . ’因而成膜時可能會發生皺紋的情形，因熱 TTTJ》寻 'Jr^ Si 、 ，成膜輥會露出，在成膜輥間會產生大電流的 放電’成_本身恐怕會有剔p 古…土 之運送速度（線速度），因應原料氣體之種類及 之®力等而可以適當調整，以〇·1至lOOm/min 為佳，以〇 $ 時 ^ ·主2〇m/inin為更佳。線速度未逹到前述下限 s 膜因熱而有容易引起發生皺紋的傾向，線速度超過 29 323544 201232869 :述上限時’則所形成的氣體阻隔層的厚度，有變薄之傾 句。 (第1薄膜） 广月’J述之帛1薄膜，係由有機EL元件射出之光通過第^ =膜而射出到外界的情形，有必要由顯示光穿透性的構材 形f °此之情形’苐卜薄膜是與第2薄膜相同，以有第 ^的乳體阻隔層為佳。—實施形態相關之第2氣體阻隔層， δ ^石夕原子、氧原子、及碳原子’在該第2氣體阻隔層中， 矽分佈曲線、氧分佈曲線及碳分佈曲線為滿足上述之條件 (1)至（iii)。此第2氣體阻隔層是藉由與在上述之第2薄 膜中的氣體阻隔層同樣的方法而可以形成。第2氣體阻隔 層，也可以有與第2薄膜之氣體阻隔層全部相同結構，但 限定氧分佈曲線及碳分佈曲線為滿足條件（i)至（iH)中， 也可以有與第2薄膜之氣體阻隔層相異之結構。 (有機EL·元件） 其次說明關於有機EL元件的結構。有機£L元件是在 貼合第1薄膜與第2薄膜步驟之前，在第1薄膜或第2薄 膜上形成。 ， 有機EL元件是有由陽極及陰極所成的一對電極，與 在該電極間所設置的發光層所構成。在一對電極間，除了 發光層’因應需要，可以設置預定之層。發光層是不限定 1層而設置有複數層。 作為在陰極與發光層之間所設置之層者，可以 子注入層、電子傳輸層及電洞阻隔層等。在陰極與發光層 323544 30 201232869 之間δ又置電子注入層及電子傳輸層兩方之層 陰極之層稱為電子注入層，除 月少接 為電子傳輸層。 匕-子主入層以外之層稱 電子注入層有改善由陰極的電子注入 子傳輸層有改善由連接陰極側表面之層 ι ” 能。電洞阻隔層是有阻擔電洞傳輪的機曰能。電子:二機 傳輸層有阻擒電洞傳輸之機能的情形，此;之 層兼具為電洞阻隔層。 電洞阻隔層有阻擔電洞傳輸的機能 電洞電流之元件，根據此之電流值的減少而可以 作為陽極與發光詹之間所設置之層者，可 Π置:洞傳輸層及電子阻隔層等。在陽極峨層： 二:=注入層與電洞傳輸層兩方之層的情形，連接 険本之層稱為電洞注入層，除了此電洞 為電洞傳輪層。 層之層以外稱 電洞注入層有改善由陽極的電洞注 r#r有改善由連接陽極側表面之廣的電洞::之： 7。㊄子阻隔層有阻擔電子傳輸的機能。電洞注入層、及 =電洞傳輸層有_電子傳輸之機能的情形，此等之層 為兼具電子阻隔層。 曰 、電子阻隔層有阻擋電子傳輸的機能，例如，製作只流 通電子電流之元件’根據此之電流值的減少而可以確認。

S ^電子注入層及電洞注入層有總稱為電荷注入層之情 形’電子傳輸層及制傳輸層有總稱為電荷傳輸層之情形。 323544 31 201232869 有本實施形態之有機el元件可能的層結構之一例可 以顯示如以下。 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 c) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 d) 陽極/電洞注入層/發光層/電子傳輸層/陰極 e) 陽極/電洞注入層/發光層/電子傳輸層/電子注入芦 /陰極 / a f) 陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極 g) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子注入層/陰極 h) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極 i) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子、、主入 /陰極 / " j) 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極 k) 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子注入層 l) 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層 /陰極 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層 /電子注入層/陰極 n)陽極/發光層/電子注入層/陰極 〇)陽極/發光層/電子傳輸層/陰極 P)陽極/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極 (在此’記號「/」是表示挾著「/」間所記載的2個層為 32 323544 201232869 鄰接並積層，以下相同。） 本實施形態的有機EL元件也可以有2層以上發光層。 上述a)至p)的層結構中之任何1個，在陽極與陰極所挾持 的積層體當作「結構單位A」時，作為有2層發光層的有 機EL元件之結構者，可以列舉下述q)所示層結構。2個（結 構單位A)的層結構可以是相同的，也可以是相異。 q) 陽極/(結構單位A)/電荷產生層/(結構單位A)/陰 極 將「（結構單位A)/電荷產生層」當作「結構單位B」 時，作為有3層以上發光層之有機EL元件的結構者，可以 列舉下述r)所示層結構。 r) 陽極/(結構單位Β)χ/(結構單位A)/陰極 記號「X」是表示2以上的整數，（結構單位Β)χ是表 示由X段所積層的結構單位Β所成的積層體。複數（結構單 位Β)的層結構可以是相同的，也可以是相異。 電荷產生層是指藉由施加電場而產生電洞與電子之層。 作為電荷產生層者，例如可列舉含有；氧化飢、銦錫氧化 物（Indium Tin Oxide ;簡稱ΙΤΟ)、及氧化铜等之薄膜。 積層之層的順序、層數、及各層的厚度，係斟酌發光 效率及元件壽命而可以適當設定。 其次，更具體地說明有關構成有機EL元件的各層材 料及形成方法。 〈陽極〉 有由發光層射出的光通過陽極後射出到外面的結構 33 323544 201232869 之有機EL元件的情形，作為陽極者是使用顯示有光穿透性 的電極。作為顯示光穿透性之電極者，可以使用金屬氧化 物.、金屬硫化物及金屬等之薄膜，而以導電度及光穿透率 高的電極為適合。具體的是使用含有氧化銦、氧化辞、氧 化錫、ΙΤ0、銦鋅氧化物（Indium Zinc Oxide ;簡稱ιζο)、 金、鉑、銀及銅等薄膜。其中以由ITO、IZ0、或氧化锡所 成薄膜為合適。作為陽極的製作方法者，可以列舉真咖基 <六、 鐘法、减鍍法、離子鑛覆法、及鑛覆法等。作為該陽極者， 也可以使用聚苯胺或其衍生物、及聚B塞吩或其衍生物等之 有機透明導電膜。 陽極之厚度’係考慮所要求的特性及步驟的簡易程度 等而適當地設定’例如是l〇nm至，而以2〇nm至 為佳’更佳是50nra至500nm。 〈電洞注入層〉 作為構成電洞注入層之電洞注入材料者，可以列舉氧 化鈒、氧化銦、氧灿、及氧化㉟等氧化物、苯胺系化合 物星爆型胺系化合物、酞菁抓ine)系、盔曰 系碳、聚笨胺、以及料顿生物等。 ’、’、曰曰 _為電/同/主入層的成膜方法者，例如可以列舉由含 電：注：材料的溶液來成膜。例如，將含有電洞注入材: 的冷液精由預定之塗布法塗布成膜，經由硬化已成膜 液而可以形成電洞注入層。 、‘ 、作為由溶㈣成膜巾所使用的溶劑者，只要可 電洞注入材料去g卩· 丁叶者·即可，而無特別限制，例如可以列舉氯仿

S 323544 201232869 二氣曱烷及二氯乙烷等氯系溶劑，四氫呋喃等醚系溶劑， 曱笨及二曱笨等芳香族烴系溶劑，丙酮及曱乙酮等酮系溶 劑，醋酸乙酯、醋酸丁酯及乙酸乙基溶纖素等酯系溶劑， 以及水。 作為塗布法者，可以列舉旋轉塗布法、鑄模法、微凹 版印刷法、凹版塗布法、棒塗布法、輥塗布法、線棒塗布 法、浸潰塗布法、喷霧塗布法、篩網印刷法、軟版印刷法、 平版印刷法、及喷墨列印法等。 電洞注入層之厚度是考慮所要求的特性及步驟的簡 易程度等而適當地設定，例如是1 nm至1 // m，而以2nm至 500nm為佳，更佳是5nm至200nm。 〈電洞傳輸層〉 作為構成電洞傳輸層之電洞傳輸材料者，可以列舉： 聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、在侧鏈或 主鏈有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基 胺衍生物、二苯乙稀（stilbene)衍生物、三苯基二胺衍生 物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或 其衍生物、聚吼咯或其衍生物、聚（對-伸苯基伸乙烯基） (卩〇1丫（卩1^11716116乂丨117161^)或其衍生物、及聚（2,5-伸售 吩基伸乙烯基）或其衍生物等。 其中作為電洞傳輸材料者，以聚乙烯基咔唑或其衍生 物、聚矽烷或其衍生物、在側鏈或主鏈有芳香族胺之聚矽 氧烧衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚嗟吩或其衍生物、聚 芳基胺或其衍生物、聚（對-伸苯基伸乙烯基）或其衍生物、s 35 323544 201232869 及聚（2, 5-伸噻吩基伸乙烯基）或其衍生物等高分子電洞傳 輸材料為佳，更佳之電洞傳輸材料是聚乙烯基咔唑或其衍 生物、聚矽烷或其衍生物、及在側鏈或主鏈有芳香族胺之 聚矽氧烷衍生物。低分子電洞傳輸材料，理想的是在高分 子黏著劑中分散後使用。 作為電洞傳輸層的成膜方法者，並無特別限制，可以 列舉在低分子的電洞傳輸材料，係由含有高分子黏著劑與 電洞傳輸材料之混合液的成膜’南分子的電洞傳輸材料* 係由含有電洞傳輸材料之溶液的成膜。 作為在由溶液的成膜中使用的溶劑者，只要可以溶解 電洞傳輸材料者即可而無特別限制，可以列舉氯仿、二氯 甲烷及二氯乙烷等氯系溶劑，四氫呋喃等醚系溶劑.，曱苯 及二曱苯等芳香族烴系溶劑，丙酮及曱乙酮等酮系溶劑， 醋酸乙酯、醋酸丁酯及乙酸乙基溶纖素等酯系溶劑等。 作為由溶液的成膜方法者，可以與前述之電洞注入層 的成膜法相同之塗布法。 與電洞傳輸材料組合之高分子黏著劑，以對電荷輸送 沒有極度阻害者為佳，又對於可見光吸收弱者為佳。此高 分子黏著劑，例如可以選自聚碳酸自旨、聚丙稀酸S旨、聚丙 烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸曱酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯及聚 矽氧烷。 電洞傳輸層之厚度是隨使用的材料之不同而有不同 之最適值，係試圖將驅動電壓與發光效率變成適度之值而 適當地設定，電洞傳輸膜必需至少具有不產生針孔的厚 36 323544 201232869 度，太厚時，元件之驅動電壓 之厚度，例如是1·至Um， 佳是5nm至200nm。 〈發光層〉 變高。因此，該電洞傳輸層 而以2nm至500nm為佳，更

發光層通常，主尊B (發光材料），或㈣發螢光及人㈣光之有機物 成。摻雜劑，例如是為2與辅助該有機物之摻雜劑所形 光波長而添加。在發；發光效率，或是為了變化發 ==是高分子化合物。-般由於比起低分子，對 性高：高分子化合物在塗布法中適合使用， t:二疋以3有间分子化合物為佳。發光層換算成聚苯 乙坤=平均分子量以含有的高分子化合物為 佳。作為構成發光層之發光材料者，例如可以列舉以下之 色素系材料、金屬錯合㈣㈣、高分子緒料、及摻雜 材料。 (色素系材料） 作為色素系材料者’例如可以列舉：環喷達明衍生物、 四苯基丁二烯衍生物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、 吡唑并喹啉衍生物（Pyrazol〇quin〇linederivatives)、二 本乙稀基本讨生物、一本乙細基伸芳香基衍生物、α比p各衍 生物、噻吩環化物、吡啶環化物、紫環酮（perinone)衍生 物、寡聚噻吩衍生物、噁二唑二聚體、吡唑啉二聚體、喹 吖酮衍生物、及香豆素衍生物。

S (金屬錯合物系材料） 37 323544 201232869 作為金屬錯合物系材料者，例如可以列舉具 Tb、EuW#j^mA1、Zn、B:'、ir: 等ϋ為Γ金屬，與選自/惡二唾、。塞二唾、笨基喊、苯 基本并米唾及唾琳結構等配位基的金屬錯合物。金屬錯合 物系材料，例如可以選自有由銦錯合物及麵錯合物^ 三重激發狀態的發光的金屬錯合物、㈣琳紛^入物了笨 开喧⑽鈹錯合物、苯并t坐辞錯合物、ς :物偶娜一°卜物合.，以及菲繞:二 (南分子系材料） 作為高分子系材料者，可以 婦基衍生物、聚嚷吩衍生物、聚 =申本基伸乙 衍生物、聚乙快衍生物、聚努衍生物、聚物、㈣烧 將上述色素系材料或金屬錯合㈣材^ ^何生物、 材料等。 $材料！南分子化的 上述發光性材料中’作為藍色 二苯乙縣料香齡錄、喔 物’可以列舉 合物、聚乙燦基味唾衍生物=生:此等之聚 努衍生物等。其t，以高分料I本基何生物、以及聚 聚對伸苯基街生物、以及聚努街生物 m 基味峻衍生物、 作為綠色發光材料者， 素街生物、以及此等之二物了生物'香豆 物、及聚努衍生物等。、/對伸本基伸乙稀基衍生 伸乙缔基衍生物、及聚,衍:物=材料的聚對伸笨基

S 323544 38 顯32869 環化2紅色發光，料者，可以列舉香豆素衍生物、售吩 物、:及此等之聚合物、聚對伸苯基伸乙烯基衍生 也噻吩衍生物、及聚苟衍生物 枓的聚對伸笨基伸 ^八中以同刀子材 衍生物等為佳。烯土何生物、4噻吩衍生物、及聚芴 各色：：發光材料’也可以是上述的藍色、綠色或紅色之 之成^的材料之混合物’也可以是將形成各色發光材料 刀I體）混合’將此混合物聚合所形成的高分子材料。 ^是積層分別使用發出各色光的材料所形成的複數發 曰作成全體發出白色光的元件結構。 (摻雜材料） 作為摻雜材料者，例如可以列舉花衍生物、香豆素衍 ^物紅榮烯知生物、喧琳酮衍生物、方酸錯（Squalium) "物卜琳仿生物、苯乙稀系色素、四氫蒽衍生物、。比 酮衍生物、十環烯及吩°惡嗪_(phenoxazone)。發光層 之厚度’通常約為2nm至200nm。 〈發光層之成膜方法〉 作為發光層之成膜方法者，可以使用塗布含有發光材 料洛液的方法、真空蒸鍍法、及轉印法等。作為在由溶液 之成膜中使用的溶劑者’可以列舉與在由溶液成膜電洞注 入層之際所使用的前述溶劑相同之溶劑。 作為塗布含有發光材料溶液的方法者，可以列舉旋轉 塗布法、鎢模法、微凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗布法、 輥塗布法、線棒塗布法、浸潰塗布法、狹縫塗布法、毛細 39 323544 201232869 管塗布法、喷霧塗布法、及噴嘴塗布法等塗布法，以及， w卩n p 軚版印刷法、平版印刷法、反 ==墨列印法等印刷法。從容易形成圖案及多 塗布論點而言，以凹版印刷法$ = '平版印刷法、反轉印刷法、及喷墨列印法等印 顯示昇華性的低分子化合物的情形，可以使用 开:;=。也可以使用藉由雷射轉印或熱感轉印，而只 形成所期望部分的發光層之方法。 〈電子傳輸層〉 A作為構成電子傳輸層之電子傳輸材料者，可以使用通 “吏用的材料，可以列舉喔二唾衍生物、蕙職二甲炫或盆 =物、笨料其衍生物、魏或其衍生物、蒽酿或其衍 生物:四氰基慧酉昆二甲燒或其衍生物、苟衍生物、二苯基 婦或其衍生物、聯苯酿衍生物、或8删琳或 :=物、料料騎生物、料料或其衍生物、及 ♦勿或其衍生物等。 、八中作為電子傳輸材料者，係以噁二唑衍生物、苯 或，、彳4生物、蒽驅或其街生物、或基喧琳或其衍生 之金屬錯合物、聚喧琳或其衍生物、聚啥喔琳或其衍生 为=聚苟或其衍生物為佳，以2_(4_聯苯基）_5一（4一第三 土笨基）1，3’4-噁二唑）、苯醌、蒽醌、參（8一喹啉酚) 鋁、及聚喹啉為更佳。 電子傳輸層的成膜法並無特別限制。低分子的電子傳 :材料的N形，可以列舉由粉末的真空蒸鍍法、或由溶液 323544 201232869 • 或是熔融狀態的成膜，高分子的電子傳輸材料的情形，可 以列舉由溶液或是炫融狀態的成膜。在由溶液或是溶融狀 悲的成膜情形’也可以併用高分子黏著劑。作為由溶液成 膜為電子傳輸層的方法者，可以列舉與前述之由溶液成膜 為電洞注入層之方法相同之成膜法。 電子傳輸層之厚度是隨使用的材料之不同而有不同之 最適值，係試圖使驅動電壓與發光效率變成適度之值而適 當地設定。電子傳輸膜必需要至少具有不發生針孔的厚度， 太厚時，元件之驅動電壓變高。因此，該電子傳輸層之厚 度，例如是lnm至l/zm，而以2mn至500nm為佳，更佳是 5nm 至 200nm ° 〈電子注入層〉 作為構成電子注入層之材料者，係因應發光層之種類 而選擇最適合的材料。作為構成電子注入層之材料者，可 以列舉鹼金屬、鹼土族金屬、含有選自鹼金屬及鹼土族金 屬中1種類以上的金屬之合金、鹼金屬或驗土族金屬的氧 化物、鹵化物、碳酸化物、以及此等物質的混合物等。作 為鹼金屬、鹼金屬的氧化物、i化物、及碳酸化物之例者， 可以列舉鋰、鈉、鉀、铷、鈽、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、 氟化鈉、氧化鉀、氟化卸、氧化修、氟化#α、氧化飾、氟 化飾及碳酸鐘等。作為臉土族金屬、驗土族金屬的氧化物、 鹵化物、及竣酸化物之例子者，可以列舉：鎂、I弓、鋇、 锶、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟化鋇、 氧化錕、氟化锶及碳酸鎂等。電子注入層也可以是以積層

S 323544 41 201232869 2層以上之積層物所構成 例如可以列舉UF/Ca。 法或印刷法等而形成。電 左右為佳。 。作為電子注入層之積層物者， 電子注入層是藉由蒸鍍法、濺鍍 子注入層之厚度是以lnm至^ 〈陰極〉 反射到陽極側，作.為陰極之材 為了 :作為陰極的材料者，=::::= :=:rr;13族金屬。作為陰極心 ，紹： 鉀，、絶、鈹、鎂，、銷、 t紅、釩、鋅、釔、銦、鈽、釤、銪、铽、锜等全 :二:有選自此等之2種以上金屬的合金、選自；金 屬種以上，與選自金、銀，、鋼、銳、鈦、、 鶴及錫之1種以上的合金，或石墨或是石墨層間化合物。 作為合金之例者，可以列舉鎂_銀合金、鎂，合金 铭合金、銦-銀合金、㈣呂合金善鎂合金鲁銦合金、 及弓叙合金等。作為陰極者，可以使用由導電性金氧 物及導電性有機物等所成的透明導電性電極。具體上 為導電性金屬氧化物者’可㈣舉氧化銦、氧化鋅 錫、ΙΤ0及ΙΖ0’作為導電性有機物者 ::r、及聚"吩或其街生物等。陰極，二：積 層2層以上之積層物所構成。也有電子注入層作為陰極使 323544 42 201232869 用之情形。 特性及步驟的簡易程度而 以m，而以20nm至1 # m為 陰極之厚度是考慮所要求的 適當地設定’例如是1 〇nm至1 〇 佳’更佳是50nm至500nm。 :為陰極的製作方法者，可㈣舉如：真空蒸鑛法、 濺鍍法、及金屬薄膜及熱壓著的層壓法等。 以上之有機EL裝置’藉由追加所預定之結構要件， 可以作為照明裝置、面光《置或顯示裝置使用。 實施例 (參考例A1) 使用前述之第4圖所示裝置製造第2薄膜。即，2軸 延伸聚萘二甲酸乙二酯薄膜（pEN薄膜，厚度：1〇〇vm，寬； 350mm，日本帝人杜邦薄膜（股）公司製，商品名「。⑽以 Q65FA」）當作基材（基材6)使用，將此裝著在送出輥。 於是，在成膜輥31及成膜輥32之間施加磁場，同時分別 供給電力到成膜輥31及成膜輥32，在成膜輥31及成膜輥 32之間放電使產生電漿。在所形成的放電區域，供給成臈 氣體（作為原料氣體的是六甲基二矽氧烷（服DS〇)與作為反 應氣體的氧氣（也有作為放電氣體之機能）的混合氣體），在 下述條件下藉由電漿CVD法進行薄膜形成，得到有氣體阻 隔層的第2薄膜。 (成獏條件） —原料氣體的供給量：50sccm(零度、在iatm中換算成 每1分鐘標準立方公分（sccra)，以下相同）

S 323544 43 201232869 氧氣的供給量：50sccm 真空室内的真空度：3Pa 由％装產生用電源的施加雷六

电刀.0.8kW 由％渡產生用電源的頻率： 薄膜的運送速度：0.5 mZmin。 所得第2薄膜中氣體阻隔層的厚声曰 ，所 ^ ^ ^ 又疋 〇.3βιη，又 件第2缚膜的水蒸氣穿透度，在溫度仙 · 度〇 _，高濕度側的濕度90 %RH的條件二=側的渴 濕度側的濕度10 0 % R Η的條件中為檢測界限以下的值。、t 步，曲率半徑8腿之條件下，彎曲第2薄膜後之溫度4〇遣〜 低濕度侧的濕度10 % R Η，高濕度側的濕度丨〇 〇 % R H的條件中、 第2薄膜的水蒸氣穿透度是在檢測界限以下的值，彎曲第 2薄膜的情形，氣體阻隔性的下降也確認被充分地抑制。 有關所得到之第2薄膜’在下述條件進行xps縱深分 佈（depth profiling)測定’得到矽分佈曲線、氧分佈曲 線、碳分佈曲線及氧碳分佈曲線。 蝕刻離子種：氬（Ar+) 钱刻速率（換算Si〇2熱氧化膜值）：〇. 05nm/sec 蝕刻間隔（換算Si〇2值）：l〇nm X光電子分光裝置：Thermo Fisher Scientific公司 製，機種名「VG Theta Probe」 照射X光線：單結晶分光AlKa X光的點及其大小：800x400//m的楕圓形。 s 44 323544 201232869 所得矽分佈曲線、 第5圖表示。W於所 丨佈曲線、及碳分佈曲線分別在 .,, 于之梦分佈曲線、氧分佈曲绩、石山八 佈曲線，將原子比⑼y、A 乳刀㈣線、喊分 、 （原子浪度）與蝕刻時間的關係，同時， 與從氣體阻隔層的表面起之距離（nm)的 的/圖之圖表中表示。第6圖之圖的橫轴記載 、離（nm)」是由侧時間與兹刻速度計算出而求得之 值。 由第5圖及第6圖所示結果可知，所得碳分佈曲線有 複明之明確的極值，碳原子比的最大值與最小值的差為 5at%以上，並 η，灰 μ « 、 軋體阻隔層的厚度方向的90%以上之區 戈中S〜夕原子比、氧原子比及碳原子比為滿足前述式 (1)所示條件。 (參考例A2) 々，在4考例A1所得之有厚度〇· 3 // m的氣體阻隔層之 第2薄膜’當作基材6裝置在送出輥701上’在氣體阻隔 層之表面上形成新的氣體阻隔層。除此之外，其餘與參考 例A1同樣操作，得到第2薄膜（A)。所得之第2薄膜（A) 中，基材（PEN薄膜）上的氣體阻隔層之厚度是0.6//m。 將所得之第2薄膜（A)當作基材6裝置在送出輥701 上’在氣體阻隔層之表面上形成新的氣體阻隔層。除此之 外’其餘與參考例A1同樣操作，得到第2薄膜（B)。 在所得之第2薄膜（B)中，氣體阻隔層之厚度有〇· 9 。所得之第2薄膜（B)的水蒸氣穿透度，在溫度40。(：、 低濕度侧的濕度〇% RH，高濕度侧的濕度90% RH的條件中 45 323544 201232869 是6. 9xl(T4g/(m2.day)，又在溫度4〇ΐ、低濕度側的濕度 1 (U RH，向濕度側的濕度1 〇〇% rh的條件中為檢測界限以 下的值。進一步，曲率半徑8mm之條件下，彎曲第2薄膜 (B)後之溫度40°C、低濕度側的濕度1()% RH，高濕度侧的 濕度100% RH的條件中，第2薄膜（B)的水蒸氣穿透度為檢 測界限以下的值，彎曲第2薄膜（B)的情形中，確認氣體阻 隔性的下降是被充分抑制。 有關所得第2薄膜（B)，矽分佈曲線、氧分佈曲線、 碳分佈曲線及氧碳分佈曲線是藉由與參考例A1中之方法 相同的方法作成。所得結果在第7圖表示。關於矽分佈曲 線、氧分佈曲線、碳分佈曲線及氧碳分佈曲線，將原子比（原 ^濃度）與蝕刻時間的關係，同時，原子比（原子濃度）與從 氣體阻隔層的表面起之距離（n__合併在第8圖之圖 表不。第8圖之圖的橫軸記載的「距離（nm)」是由餘刻時 間與银刻速度計算出而求得之值。 由第7圖及第8圖所示結果可知，所得碳分佈曲線有 複數之明確的極值，碳料比的最A值與最小值的差為5 at %以上，並且，在氣體阻隔層的厚度方向的90%以上區 域中，㈣子比、氧料比及碳料比確認能滿足前述式 (1)所示條件。 (參考例A3) 除了將原料氣體之供給量設定為1〇〇sccm以外，其餘 與參考例Λ1同樣操作而得到第2薄膜。 ’、 所得之第2薄膜中，氣體阻隔層之厚度有0 6口。所

S 323544 46 201232869 侍到之第2薄膜的水蒸氣穿透度，在溫度4(rc、低濕度側 的濕度0% RH，高濕度側的濕度9〇% RH的條件中是3. & g/(m ’day) ’在溫度4(rc、低濕度側的濕度1〇% RH， 高濕度侧的濕度100% RH的條件中為檢測界限以下的值。 進γ曲率半！ 8mm之條件中，彎曲第2薄膜後之溫度 40 C低濕度側的濕度⑽RH，高濕度側的濕度剛％跗 的，件中’第2薄膜的水蒸氣穿透度為檢測界限以下的值， 在弓曲第U膜的情形中，也確認氣體阻隔性的下降是被 充分抑制。 有關所％第2薄膜，；5夕分佈曲線、氧分佈曲線、碳分 佈曲線及氧碳分佈㈣是藉由與參相A1中之方法相同 的=法作成。所得⑪分佈曲線、氧分佈曲線、及碳分佈曲 ^是在苐9目絲。關於所财分佈曲線、氧分佈曲線、 刀佈曲線及氧;^分佈曲線’將原子比（原子濃度）與姓刻 夺1的關係、’原子比（原子濃度）與從氣體阻隔層的 表面起之距離（nm)的關係合併在第10圖之圖表示。第10 圖之圖的横軸記載的「距離（nro)」是由關時間與钱刻速 度計异出而求得之值。 由第9圖及第1〇圖所示結果可知，所得碳分佈曲線 有複數明確的姉，碳料比的最大值與最小值的差為5 σ 、°X上並且，在氣體阻隔層的厚度方向之90%以上的 I、中 >原子比、氧原子比及碳原子比確認能滿足前述 式（1)所示條件。 (參考比較例A1)

S 323544 47 201232869 2軸延伸聚萘二甲酸乙二酯薄膜(PEN薄膜，厚度. 100，’寬：350·’日本帝人杜邦薄膜（股）公司製，ς品 名「WxQ65FA」）之表面上，使用石夕乾，在含氧氣環: 中，错由反應麟法形成由氧化石夕所成的氣體阻隔層 到用於比較之第2薄膜。 所得之第2薄膜中，氣體阻隔層之厚度有__。所 得之第2薄膜的水蒸氣穿透度，在溫度靴、低濕度側的 濕度/⑽RH’高濕度側的濕度 RH的條件中是⑽ /(m2*day)，該氣體阻隔性並不充分。 有關所得第2薄膜，石夕分佈曲線、氧分佈曲線、碳分 佈曲線及氧碳分佈曲線是藉由與參考例A1中之方法相同 的方法作成。所得石夕分佈曲線、氧分佈曲線、及碳分佈曲 線是f第11圖表示。又，關於所得梦分佈曲線、氧分佈曲 線、石厌分佈曲線及氧碳分佈曲線，將原子比（原子濃度）與 則時間的關係，以及，原子比（原子濃度）與從氣體阻隔 層的表面起之距離（nm)的關係合併在第12圖之圖表示。第 12圖之圖的橫軸記載的「距離(nm)」是由餘刻時間與姓刻 速度計算出而求得值。如由第u圖及第12圖所示結果可 知，確5忍所得碳分佈曲線沒有極值。 (產業上之可能利用） 如上述之說明，本發明相關之有機EL元件中所利用 的薄膜，有充分的氣體阻隔性，並且在彎曲的情形中，也 可能充分抑制氣體阻隔性之下降。 【圖式簡單說明】

S 323544 48 201232869 第1圖表示一實施形態中相關的有機乩裝置之截面圖。 第2圖表示-實施形態中侧的有機虹裝置之截面圖。 第3圖表示用以製造有機乩裝置的裝置之一實施形 態的概念圖。 第4圖表示製造第2薄膜的裝置之一實施形態的模式 圖。 第5圖表示以參考例Au导到之第2薄膜中石夕分佈曲 線氧为佈曲線、及碳分佈曲線之圖。 第6圖表示以參考例A1得到之第2薄膜中石夕分佈曲 線、氧分佈曲線、碳分佈曲線及氧碳分佈曲線之圖 第7圖表示以參考例…得到之第2薄膜中石夕分佈曲 線、氧分佈曲線、碳分佈轉及氧碳分佈曲線之圖。 第8圖表示以參考例A2得到之第2薄膜中石夕分佈曲 線、氧分佈崎、碳分佈輯及氧碳分佈曲線之圖。 第9圖表不以參考例A3得到之第2薄膜中矽分佈曲 線、氧分佈曲線、及碳分佈曲線之圖。 f 10圖表不以參考例A3得到之第2薄膜中矽分佈曲 線氧刀佈曲線、碳分佈曲線及氧碳分佈曲線之圖 第π圖表示以參考比較例Al得到之帛2薄膜中石夕分 佈曲線'及碳分佈曲線之圖。 佈曲巧表示以參考比較例A1得到之第2薄膜中石夕分 r 士 ®氧分佈曲線、碳分佈曲線及氧碳分佈曲線之圖。 L主要元件符號說明】 2 有機EL元件

S 49 323544 201232869 3 保護膜 5 氣體阻隔層 7 第1薄膜之基材 11 第2薄膜 2卜 22、 23、24 運送輥 41 氣體供給管 61 ' 62 磁場產生裝置 511 ' 512 第1貼合輥 513 、 523 運送輥 610 、 620 塗佈裝置 701 送出輥 接著層 第2薄膜之基材 第2氣體阻隔層 有機EL裝置 32 一對之成膜輥 電漿發生用電源 、510、520 捲出輥 、522 第2貼合輥 、702 捲取輥 、621 硬化裝置 附加薄膜 50 323544

Claims (1)

1. 201232869 七、申請專利範圍： 1. 一種有機EL裝置，具備： 第1薄膜； 配置為與前述第1薄膜對向之第2薄膜；以及 夾在前述第1薄膜與前述第2薄膜之+ μ . 賴之間的有機EL 則述有機 前述第2薄膜與前述第1薄膜共同密封 EL元件， 前述第2薄膜具有含矽原子、氧原子及碳原 體阻隔層， 乳 將分別表示相對於矽原子、氧原子及碳原子合計量 之石夕原子數比率、氧料數比率及碳料的數比 在前述諸阻隔層之厚度方向從前述氣體F且隔層一方 f面起异之距離的難㈣分佈曲線、氧分佈曲線、及 碳分佈曲線為滿足下述條件·· 〇)在前述氣體阻隔層之厚度方向的90%以上區域中， 矽原子數比率、氧原子數比率及碳原子數比率令， . 矽原子數比率為第2大之值， (11)則述碳分佈曲線具有至少丨個極值，及 •)在如述奴力佈曲線令碳原子數比率之最大值與最 小值的差有5原子％以上。 :申明專利範圍第1項所述之有機EL裝置，其中，前 $ J第1薄臈為金屬薄臈。 ^專利觀圍第1或2項所述之有機EL裝置，其尹， 323544 201232869 前述第1薄膜具有含矽原子、_ ^ /尽十、虱原子、及碳原子之第〇 氣體阻隔層， 該第2氣體阻隔層中，前述石夕分佈曲線、前述氧分 佈曲線、及前述礙分佈曲線為滿足前述條件⑴、⑴ 及（iii)。 4. -種照明裝置，具有中請專利範圍第^3項中任一項 所述之有機EL裝置。 5. —種面光源裝置，具有申請專利範圍第丨至3項中任一 項所述之有機EL裝置。 6. —種顯示裝置’具有申請專利範圍第丨至3項中任一項 所述之有機EL裝置。 S 323544 2