WO2018051617A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2018051617A1
WO2018051617A1 PCT/JP2017/024899 JP2017024899W WO2018051617A1 WO 2018051617 A1 WO2018051617 A1 WO 2018051617A1 JP 2017024899 W JP2017024899 W JP 2017024899W WO 2018051617 A1 WO2018051617 A1 WO 2018051617A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
organic
electrode layer
electrode
light
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/024899
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宏 石代
中山 知是
Original Assignee
コニカミノルタ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コニカミノルタ株式会社 filed Critical コニカミノルタ株式会社
Publication of WO2018051617A1 publication Critical patent/WO2018051617A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • H10K50/166Electron transporting layers comprising a multilayered structure

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device having high toughness (robustness) that enables stable front-condensing light distribution even when manufacturing conditions fluctuate within a certain range.
  • the present invention relates to a luminescence element.
  • organic electroluminescence elements using a light emitting material that realizes high luminous efficiency by using all singlet excitons and triplet excitons for electroluminescence (hereinafter also referred to as EL) have been proposed.
  • EL electroluminescence
  • a material in a practical range has been developed with both high light emission efficiency and light emission lifetime, and is used for display and illumination.
  • Such an organic electroluminescence element has a configuration in which a light emitting layer made of an organic material is disposed between two electrodes, and light emitted from the light emitting layer is transmitted through the electrode and taken out to the outside. For this reason, at least one of the two electrodes is configured as a transparent electrode, and emitted light is extracted from the transparent electrode side.
  • the present invention has been made in view of the above problems and situations, and its solution is to have a high toughness that enables stable front-concentrated light distribution even if the manufacturing conditions vary within a certain range.
  • An organic electroluminescence device having (robustness) is provided.
  • the present inventor is in the process of examining the cause of the above problems, etc., the layer thickness of the organic functional layer sandwiched between the first electrode layer and the second electrode layer is within a specific range, A value obtained by dividing the luminous flux divergence when the front luminance is 1000 ⁇ 300 cd / m 2 by the front luminance is stable within the specified range even if the manufacturing conditions fluctuate due to the organic electroluminescence element within the specific range. It has been found that a concentrating light distribution is possible.
  • An organic electroluminescence device having a substrate, a first electrode layer, one or more organic functional layers, and a second electrode layer, The distance between the interface between the organic functional layer adjacent to the first electrode layer and the interface between the organic functional layer adjacent to the second electrode layer is in the range of 100 to 150 nm, Organic electroluminescence in which the value obtained by dividing the luminous flux divergence (lm / m 2 ) by the front luminance when the front luminance is 1000 ⁇ 300 cd / m 2 is in the range of 1.5 to 3.2 (lm / cd) element.
  • At least one of the first electrode layer and the second electrode layer is composed of a laminate of at least an organic compound layer and a metal layer, and the organic compound constituting the organic compound layer is an atom of at least one of a nitrogen atom and a sulfur atom.
  • the light distribution characteristic is preferably Lambert instead of front condensing because the light emitting surface is flat.
  • the light emitting surface is often curved, and in that case the light distribution characteristics may be Lambert. It may not always be preferable.
  • the light emission surface of the panel is curved in a convex shape instead of a flat surface
  • the light distribution characteristic is not a Lambert but a front condensing type
  • the light emission intensity is high and even when viewed from all directions. It will be.
  • the same effect can be obtained even when the light emitting surface of the panel is bent concavely.
  • the present inventors have studied, and as a result, in the organic electroluminescence element, the interface on the organic functional layer side of the first electrode layer and the organic functional layer side of the second electrode layer.
  • the distance to the interface within a specific range, the value obtained by dividing the luminous flux emitted from the organic electroluminescence element by the front luminance can be adjusted to a specific region below the Lambertian orientation characteristics. It has been found that an organic electroluminescence device having high toughness (robustness) can be obtained by enabling stable front-condensing light distribution even when manufacturing conditions such as layer thickness control vary.
  • the value obtained by dividing the luminous flux divergence by the front luminance is approximately 3.14 (lm / cd) in Lambertian orientation characteristics, but is preferably in the range of 1.5 to 3.2 (lm / cd).
  • the organic electroluminescence device having stable and high toughness (robustness) can be obtained even when the manufacturing conditions such as layer thickness control are changed.
  • the organic electroluminescent element of the present invention is an organic electroluminescent element having a substrate, a first electrode layer, one or a plurality of organic functional layers, and a second electrode layer, and the organic electroluminescent element adjacent to the first electrode layer.
  • Light flux divergence when the distance between the interface with the functional layer and the interface between the organic electrode layer adjacent to the second electrode layer is in the range of 100 to 150 nm and the front luminance is 1000 ⁇ 300 cd / m 2
  • a value obtained by dividing the degree (lm / m 2 ) by the front luminance is in a range of 1.5 to 3.2 (lm / cd). This feature is a technical feature common to or corresponding to the claimed invention.
  • the value obtained by dividing the luminous flux divergence by the front luminance is within the range of 1.7 to 2.8 (lm / cd). This is preferable from the viewpoint of obtaining a preferable front condensing type light emission characteristic when used for illumination or indication.
  • At least one of the first electrode layer and the second electrode layer is composed of a laminate of at least an organic compound layer and a metal layer, and the organic compound constituting the organic compound layer is at least one of a nitrogen atom and a sulfur atom.
  • the metal layer contains silver (Ag)
  • the electrode layer can be formed as a thin film and light scattering can be reduced. This is a preferred embodiment from the viewpoint of obtaining higher intensity light distribution characteristics.
  • is used to mean that the numerical values described before and after it are included as a lower limit value and an upper limit value.
  • the organic electroluminescence element of the present invention (hereinafter referred to as an organic EL element) is an organic electroluminescence element having a substrate, a first electrode layer, one or a plurality of organic functional layers, and a second electrode layer.
  • the distance between the interface between the organic functional layer adjacent to the first electrode layer and the interface between the organic functional layer adjacent to the second electrode layer is in the range of 100 to 150 nm
  • the front luminance is A value obtained by dividing the luminous flux divergence (lm / m 2 ) at 1000 ⁇ 300 cd / m 2 by the front luminance is in the range of 1.5 to 3.2 (lm / cd).
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the organic EL element of the present invention.
  • the present invention is not limited to this.
  • FIG. 1 illustrates a case where a transparent substrate is used as a substrate used for an organic EL element.
  • the organic EL element 100 of the present invention is provided on a transparent substrate 110, and in order from the transparent substrate 110 side, at least a first electrode layer 101, an organic functional layer 103 composed of an organic material, etc., a second electrode.
  • a layer (counter electrode) 102 and a sealing member 105 are stacked in this order.
  • the end portion of the first electrode layer 101 (metal layer 101b) has a shape of an extraction electrode, and the first electrode layer 101 and an external power source (not shown) are electrically connected via the extraction electrode. .
  • the organic EL element 100 is configured to extract the generated light (emitted light h) from the transparent substrate 110 side, and is generally a bottom emission type element.
  • the emitted light h is the sum of the emitted light h1 extracted directly from the transparent substrate 110 side and the reflected light h2 reflected from the light-reflective second electrode layer 102 and extracted from the transparent substrate 110 side. Improvement is achieved.
  • the organic EL element 100 of the present invention includes at least a transparent substrate, a first electrode layer, one or a plurality of organic functional layers, a second electrode layer, and a sealing member. From the viewpoint of forming a flexible organic EL device, it is preferable that the material has flexibility.
  • the electrode layer 101 or the second electrode layer 102 is composed of a laminate of the organic compound layer 101a and the metal layer 101b, the electrode layer can be formed as a thin film, and light scattering and the like can be reduced. Therefore, it is preferable from the viewpoint of obtaining a higher intensity light distribution characteristic with the front light collecting type.
  • FIG. 1 shows a configuration in which the first electrode layer 101 is composed of a laminate of the organic compound layer 101a and the metal layer 101b.
  • the metal layer 101b preferably contains silver (Ag) as a main component, and the “main component” is 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more as a component of the material constituting the metal layer. The component that occupies.
  • the layer structure of the organic EL element 100 is not limited, and may be a general layer structure.
  • the first electrode layer 101 functions as an anode (that is, an anode)
  • the second electrode layer 102 functions as a cathode (that is, a cathode).
  • the organic functional layer 103 is composed of the positive hole injection layer 103a / the positive hole transport layer 103b / the electron blocking layer 103c / the light emitting layer 103d / the electron transport layer 103e / the electron injection in order from the first electrode layer 101 side which is an anode.
  • a structure in which the layer 103f is stacked is illustrated, but among these, it is essential to include the light-emitting layer 103d formed using at least an organic material.
  • the hole injection layer 103a and the hole transport layer 103b may be provided as a hole transport injection layer.
  • the electron transport layer 103e and the electron injection layer 103f may be provided as an electron transport injection layer.
  • the electron injection layer 103f may be formed of an inorganic material.
  • the organic functional layer 103 may be laminated with a hole blocking layer or the like in addition to these layers, if necessary.
  • the light-emitting layer 103d may have a structure in which each color light-emitting layer that generates light emitted in each wavelength region is stacked, and each color light-emitting layer is stacked via a non-light emitting intermediate layer.
  • the intermediate layer may function as a hole blocking layer and an electron blocking layer.
  • the second electrode layer 102 serving as a cathode may also have a laminated structure as necessary. In such a configuration, only a portion where the organic functional layer 103 is sandwiched between the first electrode layer 101 and the second electrode layer 102 becomes a light emitting region in the organic EL element 100.
  • the organic functional layer is an intermediate electrode layer using the hole injection layer 103a / hole transport layer 103b / electron blocking layer 103c / light emitting layer 103d / electron transport layer 103e / electron injection layer 103f as one light emitting unit.
  • a plurality of light emitting units can also be stacked via, for example.
  • an auxiliary electrode (not shown) is provided in contact with the metal layer 101b of the first electrode layer 101 for the purpose of reducing the resistance of the first electrode layer 101. Also good.
  • the organic EL element 100 having the above configuration is sealed by the sealing member 105 on the transparent substrate 110 for the purpose of preventing deterioration of the organic functional layer 103 configured using an organic material or the like.
  • the sealing member 105 is fixed to the transparent substrate 110 side via an adhesive layer on the surface thereof.
  • the extraction electrode portion of the first electrode 101 and the terminal portion of the second electrode layer 102 are provided on the transparent substrate 110 so as to be exposed from the sealing member 105 while being insulated from each other by the organic functional layer 103. It is assumed that Therefore, it is also preferable to provide the inorganic insulating layer 104 on the second electrode layer 102 with a larger area than the organic functional layer 103.
  • the sealing member 105 is preferably formed in an area wider than the organic functional layer 103 and narrower than the inorganic insulating layer 104.
  • the transparent substrate 110 and the sealing member 105 preferably have a gas barrier layer in order to protect the organic functional layer 103 from the humidity of the external environment.
  • the distance from the interface on the first electrode layer side of the light emitting layer 103d to the interface on the organic functional layer side of the first electrode layer is (a), and the second electrode layer is formed from the interface on the second electrode layer side of the light emitting layer 103d.
  • the range of the value is in the range of 1.0 to 4.0 to increase the front luminance. This is a preferred embodiment from the viewpoint. Preferably, it is in the range of 2.0 to 3.0.
  • the distance between the interface between the first electrode layer and the adjacent organic functional layer and the interface between the second electrode layer and the adjacent organic functional layer is within a range of 100 to 150 nm.
  • the value obtained by dividing the luminous flux divergence (lm / m 2 ) by the front luminance when the front luminance is 1000 ⁇ 300 cd / m 2 is within the range of 1.5 to 3.2 (lm / cd). It is characterized by.
  • the value in the case of a Lambertian light distribution characteristic is in the vicinity of 3.14 (lm / cd), but in a region exceeding 3.2 (lm / cd). Then, a phenomenon that the front brightness was clearly reduced was observed. Moreover, in the area
  • front luminance refers to luminance (cd / m 2 ) measured in the normal direction with respect to the light emitting region of the organic EL element as 0 degree (front).
  • Light flux divergence is defined in JIS Z 8113: 1998, which means the brightness of light emitted from one point of a surface light source, and the light flux per unit area (lumen: lm). Say. The unit is lm / m 2 .
  • Front condensing type means that the luminance when measured from the 0 degree (front) direction with respect to the luminance measured from the direction from a viewing angle of 45 degrees of the organic EL element is 110% or more.
  • the front luminance and luminous flux divergence according to the present invention can be measured by the following procedure.
  • the front means a normal direction (0 degree direction) with respect to a predetermined position of the light emitting region of the organic EL element, and when the organic EL element is in a curved state, The normal direction with respect to a predetermined position of the light emitting region.
  • Frontal luminance is measured by setting an organic EL element on a rotating stage that automatically rotates, such as a goniophotometer, and using a spectral radiance meter (CS-, manufactured by Konica Minolta, Inc.) as a light receiver in an environment of 25 ⁇ 2 ° C. 2000), the luminance can be obtained by measuring the light quantity distribution and spectrum.
  • CS- spectral radiance meter
  • the luminance is set several times. Measured and averaged to obtain the front luminance (cd / m 2 ).
  • the luminous flux divergence (lm / m 2 ) is determined by measuring the total luminous flux per unit area using a commercially available total luminous flux measuring instrument with an integrating sphere. For example, the luminous flux at a constant current is measured using an integrating sphere of ⁇ 250 mm.
  • Konica Minolta Co., Ltd. integrating sphere system ISP500 etc. can be used.
  • the luminous flux divergence (lm / m 2 ) when the front luminance of the organic EL element is 1000 ⁇ 300 cd / m 2 is measured, and the value divided by the front luminance is 1.5 to 3.2. It is the characteristic that it exists in the range of (lm / cd), As a method of adjusting in the said range, the following methods can be mentioned, for example.
  • the organic EL element is adjusted by adjusting the distance between the interface between the first electrode layer and the adjacent organic functional layer of the organic EL element and the interface between the second electrode layer and the adjacent organic functional layer.
  • the light distribution characteristic of the element is adjusted to be in the above numerical range.
  • the organic EL element when light generated in the light emitting layer is extracted, the light directly extracted from the light emitting layer through the first electrode layer and the light reflected by the second electrode layer positioned opposite to the first electrode layer are extracted. It is known that light causes interference.
  • various distances from the light emitting point in the light emitting layer to the interface with the first electrode layer or the interface with the second electrode layer can be changed by adjusting the layer thickness of each organic functional layer constituting the organic EL element. It is possible to adjust the light distribution characteristics of the organic EL element.
  • the layer thickness of each layer for setting the light distribution characteristics of the organic EL element within the above numerical range can be derived using conventionally known light extraction calculation software.
  • light extraction calculation software for example, setfos (registered trademark) (manufactured by Fluxim AG) can be used.
  • each organic layer for setting the light distribution characteristics of the organic EL element in the above numerical range varies depending on the material constituting each organic functional layer, and is not particularly limited. However, a preferable example is shown below.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are provided between the first electrode layer 101 and the second electrode layer 102 as shown in FIG.
  • the thickness of each of the hole injection layer is 3 to 15 nm
  • the hole transport layer is 50 to 80 nm
  • the electron blocking layer is 5 to 20 nm
  • the light emitting layer is 10 to 40 nm
  • the electron injection layer is designed to be about 1.5 nm.
  • the total layer thickness that is, the interface between the first electrode layer and the adjacent organic functional layer, and the organic layer adjacent to the second electrode layer
  • the distance to the interface with the functional layer within the range of 100 to 150 nm
  • the value obtained by dividing the luminous flux divergence (lm / m 2 ) when the front luminance is 1000 ⁇ 300 cd / m 2 by the front luminance is Adjust within the range of 1.5 to 3.2 (lm / cd).
  • the distance from the interface between the first electrode layer and the second electrode layer and the adjacent organic functional layer is preferably 115 to 140 nm.
  • Transparent substrate examples of the transparent substrate applicable to the organic EL element according to the present invention include transparent materials such as glass and plastic. Examples of the transparent transparent substrate preferably used include glass, quartz, and a resin film.
  • the glass material examples include silica glass, soda lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass.
  • a physical treatment such as polishing, a coating made of an inorganic material or an organic material, or these coatings, if necessary.
  • a combined hybrid coating can be formed.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate pro Cellulose esters such as pionate (CAP), cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate and their derivatives, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether Ketone, polyimide, polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, poly Cyclones such as luphones, polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic and polyarylates, Arton (trade name, manufactured by JSR) and Appel (trade
  • the organic EL element may have a configuration in which a gas barrier layer is provided on the transparent substrate as described above, if necessary.
  • any material that has a function of suppressing intrusion of water or oxygen that causes deterioration of the organic EL element may be used.
  • an inorganic substance such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride may be used. Can be used.
  • the oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 is 1 ⁇ . 10 ⁇ 3 cm 3 / (m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm) or less, water vapor transmission rate (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity (90 ⁇ 2)%) measured by a method according to JIS K 7129-1992
  • a high gas barrier property of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less is preferable.
  • the first electrode layer constituting the organic EL device of the present invention preferably acts as an anode, and a metal, an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) are used as an electrode material. Those are preferably used.
  • metals such as Ag and Au or alloys containing metal as a main component, CuI or indium-tin composite oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), SnO 2, ZnO and other metal oxides
  • ITO indium-tin composite oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • SnO 2 ZnO and other metal oxides
  • the metal or an alloy containing a metal as a main component is preferable, and silver or an alloy containing silver as a main component is more preferable.
  • the first electrode layer is made of silver as a main component in order to form a transparent thin film electrode
  • the purity of silver is preferably 99% or more.
  • palladium (Pd), copper (Cu), gold (Au), or the like may be added to ensure the stability of silver.
  • the first electrode layer is a layer mainly composed of silver, specifically, it may be formed of silver alone or may be composed of an alloy containing silver (Ag).
  • alloys include silver / magnesium (Ag / Mg), silver / copper (Ag / Cu), silver / palladium (Ag / Pd), silver / palladium / copper (Ag / Pd / Cu), silver -Indium (Ag.In) etc. are mentioned.
  • the first electrode layer constituting the organic EL device of the present invention is composed of silver as a main component and is transparent with a thickness in the range of 2 to 20 nm.
  • the electrode is preferable, but the thickness is more preferably in the range of 4 to 12 nm.
  • a thickness of 20 nm or less is preferable because the absorption component and reflection component of the transparent electrode are kept low, high light transmittance is maintained, and front luminance is improved.
  • the layer composed mainly of silver in the present invention means that the silver content in the transparent electrode is 60% by mass or more, preferably the silver content is 80% by mass or more, More preferably, the silver content is 90% by mass or more, and particularly preferably the silver content is 98% by mass or more.
  • “transparent” in the first electrode layer according to the present invention means that the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 50% or more.
  • the first electrode layer may have a structure in which a layer composed mainly of silver is divided into a plurality of layers as necessary.
  • the first electrode layer is a transparent electrode composed mainly of silver
  • an organic compound layer is formed below the transparent electrode from the viewpoint of improving the uniformity of the silver film of the transparent electrode to be formed. It is preferable to provide 101a.
  • an organic compound layer It is preferable that it is a layer containing the organic compound which has a nitrogen atom or a sulfur atom, the electrode layer 101b is provided on the said organic compound layer, and the 1st electrode layer 101 is formed. Is a preferred embodiment.
  • the organic compound contained in the organic compound layer is preferably a compound having a nitrogen atom having an effective unshared electron pair not involved in aromaticity.
  • an organic compound layer containing an organic compound having a nitrogen atom or a sulfur atom is provided below the silver electrode and the organic compound layer. Interacts with nitrogen atoms or sulfur atoms of the organic compound contained in, and as a result, the diffusion distance of silver atoms on the surface of the organic compound layer is reduced, and the formation of silver aggregates can be suppressed, A translucent electrode film having high uniformity can be formed.
  • the transparent first electrode layer having a uniform film thickness can be obtained although the film thickness is small.
  • the first electrode layer can be sufficiently conductive even when there is no high-temperature annealing treatment (for example, a heating process at 150 ° C. or higher) after formation by being formed on the organic compound layer.
  • the organic compound having at least a nitrogen atom or a sulfur atom is not particularly limited.
  • Examples of the method for forming the first electrode layer include a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, and a dip method, a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, and a CVD method.
  • a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, and a dip method
  • a vapor deposition method resistance heating, EB method, etc.
  • a sputtering method a sputtering method
  • CVD method a vapor deposition method.
  • a vacuum vapor deposition method As a vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method is mainly used, and a resistance heating boat for vapor deposition in a vacuum vapor deposition apparatus is filled with silver, which is a constituent material of the transparent anode, and, if necessary, other alloys.
  • the resistance heating boat for vapor deposition is made of molybdenum or tungsten.
  • the vacuum degree in the vacuum deposition apparatus is reduced to, for example, a range of 1 ⁇ 10 ⁇ 2 to 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa, and then the above-described deposition material containing a transparent anode forming material such as silver is used.
  • the resistance heating boat is energized and heated, and a silver thin film is vapor-deposited on the resin substrate or underlayer at a predetermined vapor deposition rate (nm / second), and the thickness is in the range of 2 to 20 nm. An anode is formed.
  • the first electrode layer can achieve both improved conductivity and improved light transmission.
  • Organic functional layer Various functional layers constituting the organic EL element will be described in the order of a light emitting layer, a charge injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and a blocking layer.
  • the organic EL device according to the present invention is not particularly limited, but when used for illumination or indication, the emission color is preferably red, and the front luminance L1 is selected by selecting the light-emitting material.
  • the front chromaticity when 1000 cd / m 2 is preferably 0.29 ⁇ y ⁇ 0.335 and y + x ⁇ 0.98 in the CIE-xy chromaticity diagram. Thereby, red emitted light can be obtained.
  • the front chromaticity is y ⁇ 0.39, y ⁇ 0.79-0.67x, y in the CIE-xy chromaticity diagram. It is preferable that ⁇ x ⁇ 0.120. Thereby, amber-colored emitted light can be obtained.
  • the chromaticity is obtained when, for example, a spectral radiance meter CS-2000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) is used to give a predetermined current density to the organic EL element and the front luminance L1 is 1000 cd / m 2. It is obtained by measuring the degree.
  • a spectral radiance meter CS-2000 manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.
  • the light emitting layer constituting the organic EL element preferably has a structure containing a phosphorescent compound as a light emitting material.
  • This light emitting layer is a layer that emits light by recombination of electrons injected from the electrode or the electron transport layer and holes injected from the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. Alternatively, it may be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
  • Such a light emitting layer is not particularly limited in its configuration as long as the light emitting material contained satisfies the light emission requirements. Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength. In this case, it is preferable to have a non-light emitting intermediate layer between the light emitting layers.
  • the total thickness of the light emitting layer is preferably in the range of 1 to 100 nm, more preferably in the range of 1 to 40 nm, and particularly preferably in the range of 10 to 40 nm because a lower driving voltage can be obtained.
  • the sum total of the thickness of a light emitting layer is the thickness also including the said intermediate
  • the light emitting layer as described above is prepared by using a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an LB method (Langmuir-Blodget, Langmuir Blodgett method) and an ink jet method. Can be formed.
  • a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an LB method (Langmuir-Blodget, Langmuir Blodgett method) and an ink jet method. Can be formed.
  • a plurality of light emitting materials may be mixed, and a phosphorescent light emitting material and a fluorescent light emitting material (also referred to as a fluorescent dopant or a fluorescent compound) may be mixed and used in the same light emitting layer.
  • the structure of the light-emitting layer preferably contains a host compound (also referred to as a light-emitting host) and a light-emitting material (also referred to as a light-emitting dopant) and emits light from the light-emitting material.
  • ⁇ Host compound> As the host compound contained in the light emitting layer, a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.) of less than 0.1 is preferable. Further, the phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
  • a known host compound may be used alone, or a plurality of types of host compounds may be used.
  • a plurality of types of host compounds it is possible to adjust the movement of charges, and the efficiency of the organic electroluminescent device can be improved.
  • a plurality of kinds of light emitting materials described later it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary light emission color.
  • the host compound used in the light emitting layer may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). )
  • Examples of host compounds applicable to the present invention include, for example, JP-A Nos. 2001-257076, 2001-357777, 2002-8860, 2002-43056, 2002-105445, 2002-352957, 2002-231453, 2002-234888, 2002-260861, 2002-305083, US2005 / 0112407, US2009 No./0030202, International Publication No. 2001/039234, International Publication No. 2008/056746, International Publication No. 2005/089025, International Publication No. 2007/063754, International Publication No. 2005/030900, International Publication No. 2009. / 08 028, WO 2012/023947, can be mentioned JP 2007-254297, JP-European compounds described in Japanese Patent No. 2034538 Pat like.
  • a phosphorescent compound also referred to as a phosphorescent compound, a phosphorescent material, or a phosphorescent dopant
  • a fluorescent compound both a fluorescent compound or a fluorescent material
  • a phosphorescent compound is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and the phosphorescence quantum yield is 0 at 25 ° C.
  • a preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more, although it is defined as 0.01 or more compounds.
  • the phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of the Fourth Edition Experimental Chemistry Course 7.
  • the phosphorescence quantum yield in the solution can be measured using various solvents, but when using a phosphorescent compound in the present invention, the phosphorescence quantum yield is 0.01 or more in any solvent. Should be achieved.
  • the phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light-emitting layer of a general organic EL device, but preferably contains a group 8 to 10 metal in the periodic table of elements. More preferred are iridium compounds, more preferred are iridium compounds, osmium compounds, platinum compounds (platinum complex compounds) or rare earth complexes, and most preferred are iridium compounds.
  • At least one light emitting layer may contain two or more phosphorescent compounds, and the concentration ratio of the phosphorescent compound in the light emitting layer varies in the thickness direction of the light emitting layer. It may be an embodiment.
  • preferred phosphorescent compounds include organometallic complexes having Ir as a central metal. More preferably, a complex containing at least one coordination mode of metal-carbon bond, metal-nitrogen bond, metal-oxygen bond, and metal-sulfur bond is preferable.
  • Examples of the phosphorescent compound include, for example, Organic Letter, vol. 16, pages 2579 to 2581 (2001), Inorg. Chem. 30, No. 8, pp. 1685-1687 (1991), J. MoI. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, pages 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, pages 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry, Vol. 26, 1171 (2002), European Journal of Organic Chemistry, Vol. 4, pages 695-709 (2004), and the references disclosed in these documents. It can be synthesized by applying the method described.
  • Fluorescent compounds include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes. System dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.
  • the charge injection layer is a layer provided between the electrode and the light emitting layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance.
  • the organic EL element and its industrialization front line June 30, 1998, NT. The details are described in Volume 2, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of “Part 2” of S Co., Ltd., and there are a hole injection layer and an electron injection layer.
  • the charge injection layer is present between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer in the case of a hole injection layer, and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer in the case of an electron injection layer.
  • the hole injection layer is a layer that is disposed adjacent to the anode as the first electrode layer in order to lower the driving voltage and improve the luminance of light emission.
  • the organic EL element and its industrialization front line June 1998) (Published by NTS, Inc., 30th) ”, the second volume, Chapter 2,“ Electrode Materials ”(pages 123 to 166).
  • the details of the hole injection layer are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069, etc.
  • materials used for the hole injection layer include: , Porphyrin derivatives, phthalocyanine derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, polyarylalkane derivatives, triarylamine derivatives, carbazole derivatives, Indolocarbazole derivatives, isoindole derivatives, acene derivatives such as anthracene and naphthalene, fluorene derivatives, fluorenone derivatives, polyvinylcarbazole, aromatic amines introduced into the main chain or side chain Child material or oligomer, polysilane, a conductive polymer or oligomer
  • Examples of the triarylamine derivative include benzidine type represented by ⁇ -NPD (4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl), and MTDATA (4,4 ′, 4 ′′).
  • Examples include a starburst type represented by -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine), a compound having fluorene or anthracene in the triarylamine-linked core.
  • hexaazatriphenylene derivatives such as those described in JP-T-2003-519432 and JP-A-2006-135145 can also be used as a hole transport material.
  • the electron injection layer is a layer provided between the cathode and the light emitting layer for lowering the driving voltage and improving the light emission luminance.
  • the electron injection layer is adjacent to the electrode layer.
  • JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like Specific examples of materials preferably used for the electron injection layer are as follows. Metals represented by strontium and aluminum, alkali metal compounds represented by lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, etc., alkali metal halide layers represented by magnesium fluoride, calcium fluoride, etc. Examples thereof include an alkaline earth metal compound layer typified by magnesium, a metal oxide typified by molybdenum oxide and aluminum oxide, and a metal complex typified by lithium 8-hydroxyquinolate (Liq).
  • Metals represented by strontium and aluminum alkali metal compounds represented by lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, etc.
  • the 2nd electrode layer in this invention is a cathode
  • organic materials such as a metal complex
  • the electron injection layer is preferably a very thin film, and depending on the constituent material, the layer thickness is preferably in the range of 1 nm to 10 ⁇ m.
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes.
  • the hole injection layer and the electron blocking layer also have the function of a hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives
  • Examples include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, conductive polymer oligomers, and thiophene oligomers.
  • hole transport material those described above can be used, but porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds can be used, and in particular, aromatic tertiary amine compounds can be used. preferable.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl, N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviation: TPD), 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, 1,1 -Bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, 1,1-bis (4-di-p -Tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane, bis (4-di-p
  • the hole transport material may be formed by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, and an LB method (Langmuir Brodget, Langmuir Brodgett method). Thus, it can be formed by thinning.
  • the layer thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the p property can be increased by doping impurities into the material of the hole transport layer.
  • Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175 and J.P. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer structure or a stacked structure of a plurality of layers.
  • the electron transport layer having a single-layer structure and the electron transport layer having a multilayer structure as an electron transport material (also serving as a hole blocking material) constituting a layer portion adjacent to the light emitting layer, electrons injected from the cathode are emitted from the light emitting layer. It suffices to have a function of transmitting to the network. As such a material, any one of conventionally known compounds can be selected and used.
  • Examples include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane, anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as a material for the electron transport layer. It can.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain, or a polymer material having these materials as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8- Quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (abbreviation: Znq), etc. and the central metal of these metal complexes
  • a metal complex replaced with In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as a material for the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an inkjet method, and an LB method.
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer may have a single structure composed of one or more of the above materials.
  • blocking layer examples include a hole blocking layer and an electron blocking layer.
  • the blocking layer is a layer provided as necessary. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359, and “Organic EL elements and the forefront of industrialization (published by NTT Corporation on November 30, 1998)” on page 237. Hole blocking (hole block) layer and the like.
  • the hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense.
  • the hole blocking layer is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons but has a very small ability to transport holes, and recombines electrons and holes by blocking holes while transporting electrons. Probability can be improved.
  • the structure of an electron carrying layer can be used as a hole-blocking layer as needed.
  • the hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
  • the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense.
  • the electron blocking layer is made of a material that has the ability to transport holes and has a very small ability to transport electrons. By blocking holes while transporting holes, the probability of recombination of electrons and holes is improved. Can be made.
  • the structure of a positive hole transport layer can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the layer thickness of the hole blocking layer applied to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably in the range of 5 to 30 nm.
  • the second electrode layer is an electrode that functions as a cathode (cathode) when the first electrode layer is an anode, and is an electrode film that functions to supply electrons to the organic layer, and has a low work function. (4 eV or less)
  • the thing which uses a metal, an alloy, an electroconductive compound, and these mixtures as an electrode substance is used. Specifically, sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, indium, Examples include lithium / aluminum mixtures and rare earth metals.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
  • the second electrode layer is preferably formed using a light reflective metal.
  • the metals gold, aluminum, silver, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, and lithium / aluminum mixture are more preferable.
  • the second electrode layer can be produced by forming a thin film of these conductive materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the second electrode layer is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • sealing member examples of the sealing means used for sealing the organic EL element include a method in which a sealing member is bonded to the second electrode layer and the transparent substrate by forming a resin adhesive layer described later. .
  • the sealing member may be disposed so as to cover the display area of the organic EL element, and may be concave or flat. Moreover, when it has transparency, it is preferable that the light transmittance in wavelength 550nm is 50% or more, More preferably, it is 70% or more.
  • Specific examples include a glass plate, a polymer plate, and a polymer film.
  • the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
  • the sealing member glass and a polymer film can be preferably used from the viewpoint that the organic EL element can be made transparent and thin. Furthermore, the polymer film has a water vapor transmission rate of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 g / m 2 .multidot.m at a temperature of 25 ⁇ 0.5 ° C. and a relative humidity of 90 ⁇ 2% RH measured by a method according to JIS K 7129-1992.
  • the oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 mL / m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm (1 atm is 1.01325 ⁇ 10 5 a Pa) equal to or lower than a temperature of 25 ⁇ 0.5 ° C.
  • water vapor permeability at a relative humidity of 90 ⁇ 2% RH is preferably not more than 1 ⁇ 10 -3 g / m 2 ⁇ 24h.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorocarbon or silicon oil is injected in the gas phase and liquid phase. It is preferable to do. Further, the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element can be evacuated, or a hygroscopic compound can be sealed in the gap.
  • a laminated body is formed by laminating a first electrode layer, one or a plurality of organic functional layers, and a second electrode layer on a transparent substrate.
  • a transparent substrate is prepared, and on the transparent substrate, a thin film made of a desired electrode material, for example, a first electrode layer material, is 1 ⁇ m or less, preferably 5 to 20 nm, preferably 10 to 15 nm.
  • the first electrode layer is formed by a method such as vapor deposition or sputtering so as to be thick.
  • a portion connected to an external power source is formed at the end of the first electrode layer.
  • an organic functional layer including a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like is sequentially laminated thereon.
  • each of these layers includes spin coating, casting, inkjet, vapor deposition, and printing, but vacuum vapor deposition is easy because a homogeneous layer is easily obtained and pinholes are difficult to generate.
  • the method or spin coating method is particularly preferred.
  • different formation methods may be applied for each layer.
  • the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C. and a degree of vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 6 to 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa. It is desirable to appropriately select each condition within the range of the deposition rate of 0.01 to 50 nm / second, the substrate temperature of ⁇ 50 to 300 ° C., and the layer thickness of 0.1 to 5 ⁇ m.
  • the second electrode layer is formed on the upper portion by an appropriate forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method.
  • the cathode is preferably patterned in a shape in which a terminal portion is drawn from the upper side of the organic functional layer to the periphery of the transparent substrate while maintaining an insulating state with respect to the first electrode layer by the organic functional layer.
  • the transparent substrate, the first electrode layer, the organic functional layer, and the second electrode layer are sealed with a sealing member. That is, a sealing member that covers at least the organic layer is provided on the transparent substrate with the terminal portions of the anode and the cathode exposed.
  • an inorganic insulating layer is preferably provided on the second electrode layer.
  • the inorganic insulating layer may be not only an inorganic material film but also a film made of a composite material with an organic material or a hybrid film in which these films are laminated.
  • the water vapor transmission rate (environmental condition: 25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity (90 ⁇ 2)% RH) is about 0.01 g / [m 2 ⁇ day ⁇ atm] or less
  • oxygen transmission Gas barrier properties such that the degree is about 0.01 cm 3 / [m 2 ⁇ day ⁇ atm] or less
  • the resistivity is 1 ⁇ 10 12 ⁇ ⁇ cm or more
  • the light transmittance is about 80% or more in the visible light region. It is preferable that the transparent insulating film has.
  • the oxygen permeability is a value of 0.0001 cm 3 / [m 2 ⁇ day ⁇ atm] or less
  • the water vapor permeability is a value of about 0.0001 g / [m 2 ⁇ day ⁇ atm] or less. It is particularly preferable to use a multilayer film having such a high gas barrier property.
  • the “water vapor permeability” as used herein is a value measured by an infrared sensor method in accordance with JIS (Japanese Industrial Standards) -K7129 (1992), and “oxygen permeability” is JIS- It is a value measured by a coulometric method based on K7126 (1987).
  • the material of the inorganic insulating layer may be any material that can suppress the intrusion of, for example, water or oxygen that causes deterioration of the organic EL element 1.
  • silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide, acid Inorganic materials such as silicon carbide, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, and molybdenum oxide can be used.
  • a layer made of a composite material of these inorganic materials and an organic material or a structure in which an organic material layer is stacked on these inorganic material layers is preferable.
  • the stacking order of the inorganic material layer and the organic material layer is arbitrary, and a plurality of both layers may be alternately stacked.
  • the surface is preferably an inorganic material layer from the viewpoint of insulation and gas barrier properties.
  • the thickness of the inorganic insulating layer can be arbitrarily set as long as the above performance is satisfied, but the total thickness is preferably in the range of 50 to 1000 nm in consideration of the flexibility of the element.
  • any method may be used as long as the inorganic insulating layer can be formed on the second electrode layer.
  • vacuum deposition method sputtering method, magnetron sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method (see JP 2004-68143 A), plasma Methods such as CVD (Chemical Vapor Deposition), laser CVD, thermal CVD, ALD (atomic layer deposition), and wet coating can be used.
  • the material for the resin adhesive layer examples include a photocurable or thermosetting adhesive having a reactive vinyl group of an acrylic acid oligomer or a methacrylic acid oligomer.
  • a photocurable or thermosetting adhesive having a reactive vinyl group of an acrylic acid oligomer or a methacrylic acid oligomer.
  • an epoxy-based thermosetting or chemical curable (two-component mixed) adhesive for example, a hot melt type material (for example, polyamide, polyester, polyolefin), a cationic curable type ultraviolet ray A curable epoxy resin adhesive or the like is used.
  • the resin adhesive layer it is preferable to form the resin adhesive layer with a thermosetting adhesive from the viewpoint of simplifying the manufacturing process. Moreover, as a form of a resin contact bonding layer, it is preferable to use the thermosetting adhesive processed into the sheet form. In the case where a sheet-type thermosetting adhesive is used, it is preferable that it exhibits non-fluidity at room temperature (about 25 ° C.) and exhibits fluidity within a temperature range of 50 to 120 ° C.
  • thermosetting adhesive used as the material for the resin adhesive layer any adhesive can be used, the adhesion between the resin adhesive layer and the adjacent inorganic insulating layer, the bonding method in the manufacturing process, and A suitable thermosetting adhesive is appropriately selected in consideration of the curing method and the like.
  • a resin mainly composed of a compound having an ethylenic double bond at the terminal or side chain of the molecule and a thermal polymerization initiator can be used. More specifically, an epoxy resin or an acrylic resin can be used. It is possible to use a thermosetting adhesive composed of, for example.
  • the water content of the resin adhesive layer is preferably set to a value of about 1.0% or less in consideration of extending the life of the organic EL element.
  • the water content mentioned here is a value measured by a method based on ASTM (American Society for Testing and Materials) -D570.
  • the extraction electrode is for electrically connecting the first electrode layer, the intermediate electrode and the second electrode layer and an external power source, and the material is not particularly limited, and a known material can be suitably used. However, for example, a metal film such as a MAM electrode (Mo / Al ⁇ Nd alloy / Mo) having a three-layer structure can be used.
  • a metal film such as a MAM electrode (Mo / Al ⁇ Nd alloy / Mo) having a three-layer structure can be used.
  • Examples of the method for forming the extraction electrode include a vapor deposition method, a sputtering method, a printing method, an ink jet method, an aerosol jet method, and the like, but the sputtering method is preferable in terms of production efficiency.
  • the auxiliary electrode is provided for the purpose of reducing the resistance of the electrode, and is provided in contact with the first electrode layer.
  • the material for forming the auxiliary electrode is preferably a metal having low resistance such as gold, platinum, silver, copper, or aluminum. Since these metals have low light transmittance, a pattern is formed in a range not affected by extraction of the emitted light h from the light extraction surface. Examples of a method for forming such an auxiliary electrode include a vapor deposition method, a sputtering method, a printing method, an ink jet method, and an aerosol jet method.
  • the line width of the auxiliary electrode is preferably 50 ⁇ m or less from the viewpoint of the aperture ratio for extracting light, and the thickness of the auxiliary electrode is preferably 1 ⁇ m or more from the viewpoint of conductivity.
  • the protective film or the protective plate is for mechanically protecting the organic EL element, and particularly when the sealing member is a sealing film, mechanical protection for the organic EL element is not sufficient. It is preferable to provide such a protective film or protective plate.
  • a glass plate, a polymer plate, a thinner polymer film, a metal plate, a thinner metal film, a polymer material film or a metal material film is applied.
  • a polymer film because it is lightweight and thin.
  • a hard coat layer may be provided on the outside of the transparent substrate or the sealing member.
  • the hard coat layer preferably contains a curable resin.
  • the curable resin is not particularly limited, and the active energy ray curable resin or the thermosetting material obtained by irradiating the active energy ray curable material with an active energy ray such as ultraviolet ray to be cured is heated.
  • the thermosetting resin etc. which are obtained by curing by the above method.
  • the curable resins may be used alone or in combination of two or more.
  • UV curable organic / inorganic hybrid hard coat material OPSTAR registered trademark
  • JSR Corporation polymerizable unsaturated to silica fine particles
  • thermosetting materials include TutProm series (Organic polysilazane) manufactured by Clariant, SP COAT heat-resistant clear paint manufactured by Ceramic Co., Ltd., Nanohybrid Silicone manufactured by ADEKA, DIC Corporation Unidic (registered trademark) V-8000 series manufactured by EDICLON (registered trademark) EXA-4710 (ultra-high heat-resistant epoxy resin), silicone resin X-12-2400 (trade name) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Nitto Inorganic / organic nanocomposite material SSG Co., Ltd. manufactured by Spinning Co., Ltd.
  • Thermosetting urethane resin composed of acrylic polyol and isocyanate prepolymer, phenol resin, urea melamine resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, silicone resin, polyamidoamine Epi Roruhidorin resins.
  • the layer thickness of the hard coat layer is preferably about 0.1 to 10 ⁇ m, and roll coating method, rod bar coating method, air knife coating method, spray coating method, slide type curtain coating method, or US Pat. No. 2,761,419 And a wet coating method such as a slide hopper coating method and an extrusion coating method described in US Pat. No. 2,7617,91.
  • an ultraviolet shielding layer is preferably provided outside the transparent substrate or the sealing member.
  • the ultraviolet shielding layer is preferably a layer containing a UV absorbent dispersed or dissolved in a binder resin, and has a function of absorbing and shielding light in the light wavelength range of 200 to 350 nm.
  • Examples of the ultraviolet absorber include titanium oxide, zinc oxide, cerium oxide, iron oxide and the like as inorganic ultraviolet absorbers.
  • Examples of the organic ultraviolet absorber include benzophenone, benzotriazole, phenyl salicylate, and triazine.
  • the inorganic ultraviolet absorber it is preferable to use titanium oxide or zinc oxide, and the use of fine particle titanium oxide or fine particle zinc oxide having an average particle diameter in the range of 5 to 50 nm provides high transmittance to the functional sheet. It is preferable from the viewpoint of providing.
  • fine particle titanium oxide or fine particle zinc oxide examples include commercially available fine particle titanium oxide TTO series (TTO-51 series, TTO-55 series, TTO-F series, TTO-W-5, etc.) manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. ), And ultra-fine ZnO-containing UV-cut master pellets manufactured by CI Kasei Co., Ltd., and the like.
  • benzophenone ultraviolet absorbers that are organic ultraviolet absorbers include 2,4-dihydroxy-benzophenone, 2-hydroxy-4-methoxy-benzophenone, 2-hydroxy-4-n-octoxy-benzophenone, 2-hydroxy -4-dodecyloxy-benzophenone, 2-hydroxy-4-octadecyloxy-benzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxy-benzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxy-benzophenone, 2, 2 ', 4,4'-tetrahydroxy-benzophenone and the like.
  • benzotriazole ultraviolet absorbers examples include 2- (2′-hydroxy-5-methylphenyl) benzotriazole and 2- (2′-hydroxy-3 ′, 5′-di-t-butylphenyl) benzotriazole. 2- (2′-hydroxy-3′-t-butyl-5′-methylphenyl) benzotriazole and the like.
  • phenyl salicylate ultraviolet absorber examples include phenylsulcylate, 2-4-di-t-butylphenyl-3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzoate, and the like.
  • hindered amine ultraviolet absorber examples include bis (2,2,6,6-tetramethylpiperidin-4-yl) sebacate.
  • triazine ultraviolet absorbers examples include 2,4-diphenyl-6- (2-hydroxy-4-methoxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-diphenyl-6- (2-hydroxy- 4-ethoxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-diphenyl- (2-hydroxy-4-propoxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-diphenyl- (2-hydroxy- 4-butoxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-diphenyl-6- (2-hydroxy-4-butoxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-diphenyl-6- ( 2-hydroxy-4-hexyloxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-diphenyl-6- (2-hydroxy-4-octyloxyphenyl) -1,3,5 Triazine, 2,4-diphenyl-6- (2-hydroxy-4-dodecyloxyphen
  • the amount of the ultraviolet absorber used is in the range of 0.1 to 20% by mass, preferably in the range of 1 to 15% by mass, and more preferably in the range of 3 to 10% by mass with respect to the total mass of the ultraviolet shielding layer. It is. By making the amount used within these ranges, it is possible to improve the weather resistance while maintaining good adhesion to other constituent layers.
  • the wet coating method used for forming the ultraviolet shielding layer is not particularly limited.
  • a roll coating method, a rod bar coating method, an air knife coating method, a spray coating method, a slide curtain coating method, or US Pat. No. 2,761,419 And a slide hopper coating method and an extrusion coating method described in US Pat. No. 2,761791 can be used as appropriate.
  • the ultraviolet shielding layer such as PET film (trade name Teonex HB), PEN film (trade name Teonex Q65H or 65HA) manufactured by Teijin DuPont Films Ltd. Can be mentioned.
  • PET film trade name Teonex HB
  • PEN film trade name Teonex Q65H or 65HA
  • the organic EL element of the present invention condenses light in a specific direction, for example, in the front direction with respect to the light emitting surface of the element, by combining a so-called condensing sheet, for example, by providing a structure on the microlens array on the light extraction side.
  • a so-called condensing sheet for example, by providing a structure on the microlens array on the light extraction side.
  • a quadrangular pyramid having a side of 30 ⁇ m and an apex angle of 90 degrees is two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate.
  • One side is preferably within a range of 10 to 100 ⁇ m. Within this range, it is preferable because the thickness is not excessively thick and coloring is not caused by the effect of diffraction.
  • the condensing sheet it is possible to use, for example, an LED (light emitting diode) backlight put into practical use for a liquid crystal display device.
  • a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used.
  • the shape of the prism sheet for example, the base material may be formed by forming a ⁇ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 ⁇ m, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
  • a light diffusion plate / film may be used in combination with the light collecting sheet.
  • a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.
  • Example 1 Preparation of organic EL element 101> According to the following method, the organic EL element 101 having the configuration shown in FIG. 1 was produced.
  • the organic EL element On the 1st electrode layer of the produced said glass substrate, the organic EL element was produced according to the procedure shown below.
  • the glass substrate was dried in a glove box having a dew point of ⁇ 80 ° C. or less and an oxygen concentration of 1 ppm or less, and then transferred from the glove box to a vacuum evaporation apparatus for forming an organic functional layer without being exposed to the atmosphere.
  • Each of the deposition crucibles in the vacuum deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an amount optimal for device fabrication.
  • the evaporation crucible used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.
  • the chamber of the vacuum deposition apparatus was depressurized to a vacuum degree of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, and the compound M-1 (MTDATA) represented by the following chemical formula was deposited on the first electrode layer at a deposition rate of 0.1 nm / second. Then, a hole injection layer having a thickness of 15 nm (in the table, expressed as HIL, hereinafter the same) was formed.
  • MTDATA compound M-1
  • compound M-2 ( ⁇ -NPD) represented by the following chemical formula was deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer (HTL) having a layer thickness of 30 nm.
  • HTL hole transport layer
  • N, N′-bis- (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine was used as an electron blocking layer (EBL). Vapor deposited to a thickness of
  • the heating boat containing the compound H-2 represented by the following chemical formula and the heating boat containing the compound RD-1 represented by the following chemical formula were respectively energized independently to produce H-2 as the luminescent host.
  • the deposition rate (nm / second) of RD-1 which is a light emitting dopant was adjusted to be 100: 6, and a phosphorescent light emitting layer (EML) having a red thickness of 20 nm was formed.
  • the size of the light emitting layer was 17 mm ⁇ 17 mm.
  • the heating boat containing tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum (Alq 3) was heated by energization and deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second to form an electron transport (ETL) layer having a layer thickness of 25 nm. Formed.
  • ETL electron transport
  • LiF was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second to form an electron injection layer (EIL) having a layer thickness of 1 nm.
  • EIL electron injection layer
  • Second electrode layer aluminum was vapor-deposited with a thickness of 70 nm to form a second electrode layer (cathode; reflective electrode, light impermeability).
  • the device obtained above is covered with a glass case, a glass substrate having a thickness of 300 ⁇ m is used as a sealing member, and an epoxy photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is used as a sealant around the periphery.
  • the organic EL element 101 was obtained by applying, bringing the second extraction electrode portion and the substrate of the element into close contact, irradiating UV light from the glass substrate side, curing and sealing.
  • Organic EL elements 102 to 110 were prepared in the same manner as in the production of the organic EL element 101 except that the layer thickness of the organic functional layer was changed as shown in Table 1.
  • the value of luminous flux divergence (lm / m 2 ) when the front luminance of the organic EL element was 1000 ⁇ 300 cd / m 2 was measured using an integrating sphere system ISP500 manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.
  • a value (lm / cd) obtained by dividing the luminous flux divergence by the front luminance was obtained from the obtained luminous flux divergence value.
  • the organic EL elements 102 to 108 of the present invention have a front luminance of the comparative example, because the total thickness of the organic functional layer and the luminous flux divergence / front luminance are within the range defined by the present invention. It is high and it turns out that it is a front condensing type.
  • Example 2 ⁇ Preparation of organic EL element 201> (Preparation of flexible base material with gas barrier layer)
  • a polyethylene naphthalate film (a film made by Teijin DuPont Co., Ltd., hereinafter abbreviated as PEN) is used, and a gas barrier is formed on the surface of the substrate (the surface on which the first electrode layer is formed) by the following procedure. The layer was formed and the flexible substrate with a gas barrier layer was produced.
  • the resin base material was set in a discharge plasma chemical vapor deposition apparatus (Plasma CVD apparatus Precision 5000 manufactured by Applied Materials) and continuously conveyed by roll-to-roll.
  • a magnetic field was applied between the film forming rollers, and electric power was supplied to each film forming roller to generate plasma between the film forming rollers to form a discharge region.
  • a mixed gas of hexamethyldisiloxane (HMDSO), which is a raw material gas, and oxygen gas (which also functions as a discharge gas) is supplied as a film forming gas from a gas supply pipe to the formed discharge region.
  • HMDSO hexamethyldisiloxane
  • oxygen gas which also functions as a discharge gas
  • Feed rate of source gas (hexamethyldisiloxane, HMDSO): 50 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute) Reaction gas (O 2 ) supply amount: 500 sccm Degree of vacuum in the vacuum chamber: 3Pa
  • Applied power from the power source for plasma generation 0.8 kW
  • Frequency of power source for plasma generation 70 kHz
  • Film transport speed 0.8 m / min (Formation of high refractive index layer and organic compound layer)
  • a flexible substrate on which a gas barrier layer is formed is fixed to a base material holder of a commercially available electron beam evaporation apparatus, niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is placed in a heating boat, and these substrate holder and heating boat are placed in a vacuum of the electron beam evaporation apparatus. Attached to the tank.
  • the heating boat containing niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is heated by irradiating the electron beam with a deposition rate of 0.1.
  • a high refractive index layer made of Nb 2 O 5 having a thickness of 30 nm was provided on the flexible substrate at a rate of ⁇ 0.2 nm / second. Then, the flexible substrate was transferred from the plasma processing chamber to the vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus without being exposed to the atmosphere.
  • a heating boat containing the following compound 1 which is a nitrogen-containing compound was energized and heated. Thereby, an organic compound layer having a deposition thickness of 15 nm and a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second was formed.
  • first electrode layer (Formation of first electrode layer)
  • the flexible substrate on which the gas barrier layer was formed was attached to a vacuum chamber and the pressure was reduced to 4 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, and then a heating boat containing silver was energized and heated.
  • a first electrode layer made of silver having a film thickness of 13 nm was formed at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer were formed in the same manner as in the organic EL element 101 of Example 1.
  • Second electrode layer aluminum was vapor-deposited with a thickness of 70 nm to form a second electrode layer (cathode; reflective electrode, light impermeability).
  • a 300 nm inorganic insulating layer made of SiN was formed on the fabricated second electrode layer by a plasma CVD method using SiH 4 gas, N 2 gas, and H 2 gas under vacuum.
  • An adhesive was applied to a non-alkali glass substrate having a thickness of 0.7 mm and dried at 120 ° C. for 2 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 20 ⁇ m.
  • a 50 ⁇ m thick polyethylene terephthalate film obtained by bonding an aluminum foil having a thickness of 100 ⁇ m to this adhesive layer was bonded to obtain a sealing film with an adhesive layer.
  • the sealing film was allowed to stand for 24 hours or more in a nitrogen atmosphere, and then peeled off from the glass substrate, and was bonded by a vacuum laminator heated to 80 ° C. so that the adhesive layer side covered the cathode. Furthermore, it sealed by heating for 30 minutes at 120 degreeC.
  • the organic EL element 201 having a light emitting region of 13 mm ⁇ 13 mm was produced.
  • Organic EL elements 202 to 209 were manufactured in the same manner as in the manufacture of the organic EL element 201 except that the layer thickness of the organic functional layer was changed as shown in Table 2.
  • the organic EL elements 202 to 207 of the present invention reproduce Example 1 and the total thickness of the organic functional layer and the luminous flux divergence / front luminance are within the range defined by the present invention. It can be seen that the luminance is higher than that of the comparative example and is a front condensing type.
  • Example 3 Preparation of organic EL element 301>
  • the organic EL element 301 was produced in the same manner except that the thickness of the first electrode layer was 18 nm and the light emitting region was 15 mm ⁇ 16 mm.
  • the organic EL element 302 was produced in the same manner except that the thickness of the first electrode layer was 9 nm.
  • Preservability 100 pieces of the produced organic EL elements were preserved at 85 ° C./humidity for 500 hours, and the preservability was evaluated according to the following evaluation criteria.
  • the organic EL elements 301 to 305 of the present invention reproduce Example 1 and Example 2, and the total layer thickness of the organic functional layer and the luminous flux divergence / front luminance are within the range defined by the present invention.
  • the front luminance is higher than that of the comparative example and is a front condensing type.
  • the ratio of the total layer thickness (nm) (a) of HIL + HTL + EBL to the total layer thickness (nm) (b) of ETL + EIL (b) is (a) / (b) of 2.0-3. It turned out that it is excellent also in preservability by being in the range of 0.
  • the organic electroluminescence device of the present invention has a high toughness (robustness) that enables stable light distribution even when manufacturing conditions fluctuate within a certain range by making the light distribution characteristic a specific front condensing type. It is suitable as an electronic device for a lighting device and a display device.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本発明の課題は、配光特性を特定の正面集光型とすることにより、一定範囲内で製造条件が変動しても安定な配光を可能とする、高い強靭性(ロバストネス)を有した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板、第1電極層、一つ又は複数の有機機能層、及び第2電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第1電極層と隣接する前記有機機能層との界面と、前記第2電極層と隣接する前記有機機能層との界面との距離が、100~150nmの範囲内であり、正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)を正面輝度で除した値が、1.5~3.2(lm/cd)の範囲内であることを特徴とする。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子
 本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、より詳しくは、一定範囲内で製造条件が変動しても安定な正面集光型の配光を可能とする、高い強靭性(ロバストネス)を有した有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
 従来、一重項励起子と三重項励起子の全てをエレクトロルミネッセンス(ElectroLuminescence:以下ELともいう。)に利用し、高発光効率を実現する発光材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子が提案されている。また、実際の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、高い発光効率と発光寿命の両方で実用域の材料が開発され、ディスプレイや照明に利用されている。
 このような有機エレクトロルミネッセンス素子は、2枚の電極間に有機材料からなる発光層が配置された構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、2枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成され、透明電極側から発光光が取り出される。
 また、近年では、有機エレクトロルミネッセンス素子の面発光や可撓性といった特性を活かし、デザイン性の高い照明器具として、例えば車両用灯具(テールランプやインジケーター等)に適用することが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
 例えば、面発光源である有機エレクトロルミネッセンス素子を湾曲させた状態で車両等に搭載する場合、湾曲した基板にタイル状の有機エレクトロルミネッセンス素子を湾曲部に沿って複数配置することによって、結果的に全方向に高強度の光が放出されることになり、曲面発光体としては好ましい態様である。
 しかしながら、その場合、当該複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の生産段階において製造条件が変動したりすると配光特性として正面方向の輝度のばらつきが大きくなり、必ずしも全方向への均一な配光が得られないという問題があることが分かった。
特開2015-5552号公報
 本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、一定範囲内で製造条件が変動しても安定な正面集光型の配光を可能とする、高い強靭性(ロバストネス)を有した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
 本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、第1電極層と第2電極層間に挟持される有機機能層の層厚を特定の範囲内であり、正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度を正面輝度で除した値が、特定の範囲内である有機エレクトロルミネッセンス素子によって、一定範囲内で製造条件が変動しても安定な正面集光型の配光が可能となることを見出した。
 すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
 1.基板、第1電極層、一つ又は複数の有機機能層、及び第2電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
 前記第1電極層と隣接する前記有機機能層との界面と、前記第2電極層と隣接する前記有機機能層との界面との距離が、100~150nmの範囲内であり、
 正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)を正面輝度で除した値が、1.5~3.2(lm/cd)の範囲内である有機エレクトロルミネッセンス素子。
 2.前記光束発散度を正面輝度で除した値が、1.7~2.8(lm/cd)の範囲内である第1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
 3.前記第1電極層及び前記第2電極層の少なくとも一方が、少なくとも有機化合物層と金属層の積層体からなり、当該有機化合物層を構成する有機化合物が、窒素原子、硫黄原子の少なくとも一方の原子を有し、かつ、当該金属層が銀(Ag)を含有する第1項又は第2項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
 本発明の上記手段により、一定範囲内で製造条件が変動しても安定な正面集光型の配光を可能とする、高い強靭性(ロバストネス)を有した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
 本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
 通常の照明用光源として、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いる場合、発光面が平面であるため、配光特性は正面集光型ではなくランバートであることが好ましいと考えられている。一方で、特定用途、例えばイルミネーション用やインジケーション用に用いる場合などは、高い意匠性が要求されるため、発光面が曲面になるケースが多く、その際は配光特性がランバートであることが必ずしも好ましいとは言えない場合がある。
 例えば、パネルの発光面を平面ではなく凸に湾曲させる場合、配光特性をランバートではなく正面集光型にすると、結果的にあらゆる方向から見た場合でも、発光強度が高く一様に感じられることになる。一方パネルの発光面を凹に湾曲させる場合でも、同様の効果が得られる。
 このような配光特性とするために本発明者らは検討を加えた結果、有機エレクトロルミネッセンス素子において、第1電極層の有機機能層側の界面と、第2電極層の有機機能層側の界面との距離を特定の範囲内に調整することによって、当該有機エレクトロルミネッセンス素子から出射される光束発散度を正面輝度で除した値が、ランバートな配向特性以下の特定の領域に調整でき.層厚制御等の製造条件が変動しても安定な正面集光型の配光を可能とし、高い強靭性(ロバストネス)を有した有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができることを見出した。
 すなわち、前記光束発散度を正面輝度で除した値は、ランバートな配向特性ではおよそ3.14(lm/cd)近傍になるが、1.5~3.2(lm/cd)の範囲、好ましくは1.7~2.8(lm/cd)の範囲になるように、前記界面間の距離を調整することによって、有機エレクトロルミネッセンス素子をイルミネーション用途やインジケーション用途に用いる場合に好ましい正面集光型の発光特性とすることができ、層厚制御等の製造条件が変動しても、安定で高い強靭性(ロバストネス)を有した有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板、第1電極層、一つ又は複数の有機機能層、及び第2電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第1電極層と隣接する前記有機機能層との界面と、前記第2電極層と隣接する前記有機機能層との界面との距離が、100~150nmの範囲内であり、正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)を正面輝度で除した値が、1.5~3.2(lm/cd)の範囲内であることを特徴とする。この特徴は、各請求項に係る発明に共通する又は対応する技術的特徴である。
 本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記光束発散度を正面輝度で除した値が、1.7~2.8(lm/cd)の範囲内であることが、イルミネーション用途やインジケーション用途に用いる場合の好ましい正面集光型の発光特性を得る観点から、好ましい。
 また、前記第1電極層及び前記第2電極層の少なくとも一方が、少なくとも有機化合物層と金属層の積層体からなり、当該有機化合物層を構成する有機化合物が、窒素原子、硫黄原子の少なくとも一方の原子を有し、かつ、当該金属層が銀(Ag)を含有することが、電極層を薄膜で形成可能であり、光散乱等を低減することが可能となるため、正面集光型でより高強度な配光特性を得る観点から、好ましい実施態様である。
 以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「~」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
 ≪本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の概要≫
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と表記する。)は、基板、第1電極層、一つ又は複数の有機機能層、及び第2電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第1電極層と隣接する前記有機機能層との界面と、前記第2電極層と隣接する前記有機機能層との界面との距離が、100~150nmの範囲内であり、正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)を正面輝度で除した値が、1.5~3.2(lm/cd)の範囲内であることを特徴とする。
 〔有機EL素子の構成〕
 本発明の有機EL素子は、種々の構成をとり得るが、本発明の有機EL素子の一例を示す断面図を図1に示す。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
 図1では有機EL素子に用いる基板として、透明基板を用いる場合について説明する。
 本発明の有機EL素子100は、透明基板110上に設けられており、透明基板110側から順に、少なくとも第1電極層101、有機材料等を用いて構成された有機機能層103、第2電極層(対向電極)102、及び封止部材105をこの順に積層して構成されている。第1電極層101(金属層101b)の端部は、取出し電極の形状を有し、第1電極層101と外部電源(図示略)とは、取出し電極を介して、電気的に接続される。有機EL素子100は、発生させた光(発光光h)は、透明基板110側から取り出すように構成されており、一般的にボトムエミッション型の素子である。
 上記発光光hは、透明基板110側から直接取り出される発光光h1と光反射性の第2電極層102によって反射されて透明基板110側から取り出される反射光h2の合算になるため、発光輝度の向上が達成される。
 本発明の有機EL素子100は、少なくとも透明基板、第1電極層、一つ又は複数の有機機能層、第2電極層及び封止部材で構成され、当該透明基板と当該封止部材とがいずれも可撓性を有していることが、フレキシブルな有機EL素子を形成する観点から、好ましい。
 前記第1電極層101又は第2電極層102は、有機化合物層101aと前記金属層101bの積層体からなる場合は、電極層を薄膜で形成でき、光散乱等を低減することが可能となるため、正面集光型でより高強度な配光特性を得る観点から、好ましい。
 図1では、第1電極層101が前記有機化合物層101aと前記金属層101bの積層体からなる構成を示している。当該金属層101bは銀(Ag)を主成分として含有することが好ましく、「主成分」とは、当該金属層を構成する材料の成分として、80質量%以上、より好ましくは90質量%以上を占める成分をいう。
 また、有機EL素子100の層構造は限定されることはなく、一般的な層構造であってよい。ここでは、第1電極層101がアノード(すなわち陽極)として機能し、第2電極層102がカソード(すなわち陰極)として機能することとする。この場合、例えば、有機機能層103は、アノードである第1電極層101側から順に正孔注入層103a/正孔輸送層103b/電子阻止層103c/発光層103d/電子輸送層103e/電子注入層103fを積層した構成が例示されるが、このうち、少なくとも有機材料を用いて構成された発光層103dを有することが必須である。正孔注入層103a及び正孔輸送層103bは、正孔輸送注入層として設けられてもよい。電子輸送層103e及び電子注入層103fは、電子輸送注入層として設けられてもよい。また、これらの有機機能層103のうち、例えば、電子注入層103fは無機材料で構成されている場合もある。
 また、有機機能層103は、これらの層の他にも正孔阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていても良い。さらに、発光層103dは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させた構造としても良い。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能しても良い。さらに、カソードである第2電極層102も、必要に応じた積層構造であっても良い。このような構成において、第1電極層101と第2電極層102とで有機機能層103が挟持された部分のみが、有機EL素子100における発光領域となる。
 また、上記有機機能層は、上記正孔注入層103a/正孔輸送層103b/電子阻止層103c/発光層103d/電子輸送層103e/電子注入層103f等を一つの発光ユニットとして、中間電極層等を介して、複数の発光ユニットを積層することもできる。
 また、以上のような層構成においては、第1電極層101の低抵抗化を図ることを目的とし、第1電極層101の金属層101bに接して補助電極(不図示)が設けられていてもよい。
 以上のような構成の有機EL素子100は、有機材料等を用いて構成された有機機能層103の劣化を防止することを目的として、透明基板110上において封止部材105によって封止されている。この封止部材105はその表面に接着剤層を介して透明基板110側に固定されている。ただし、第一電極101の取出し電極部及び第2電極層102の端子部分は、透明基板110上において有機機能層103によって互いに絶縁性を保った状態で封止部材105から露出させた状態で設けられていることとする。そのために、第2電極層102上に有機機能層103より広い面積で無機絶縁層104を設けることも好ましい。また、その場合、封止部材105は、有機機能層103より広い面積で、かつ無機絶縁層104よりは狭い領域で形成することが好ましい。
 さらに、透明基板110及び封止部材105は、有機機能層103を外部環境の湿度等から保護するため、ガスバリアー層を有することが好ましい。
 また、発光層103dの第1電極層側の界面から第1電極層の有機機能層側の界面までの距離を(a)とし、発光層103dの第2電極層側の界面から第2電極層の有機機能層側の界面までの距離(b)としたときに、(a)/(b)の値の範囲を、1.0~4.0の範囲内とすることが、正面輝度を高める観点から好ましい態様である。好ましくは、2.0~3.0の範囲内である。
 〔正面輝度、及び光束発散度を正面輝度で除した値〕
 本発明の有機EL素子は、前記第1電極層と隣接する有機機能層との界面と、前記第2電極層と隣接する有機機能層との界面との距離が、100~150nmの範囲内であり、正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)を正面輝度で除した値が、1.5~3.2(lm/cd)の範囲内であることを特徴とする。
 前述したとおり、本発明者らの検討によれば、ランバートな配光特性の場合の当該値は3.14(lm/cd)近傍であるが、3.2(lm/cd)を超える領域になると正面輝度が明らかに低下する現象がみられた。また、1.5(lm/cd)未満である領域では、正面集光型にはなるが、発光の範囲が狭くなりすぎて、逆に正面輝度としては低下することが分かった。したがって、有機EL素子を正面集光型に設計する場合は、当該値を1.5~3.2(lm/cd)の範囲内に調整することが必要であることを見出したものである。当該値は、好ましくは、1.7~2.8(lm/cd)の範囲内であり、ランバートな配光特性よりも、より正面集光型にすることが、イルミネーション用途やインジケーション用途に用いる場合には、好ましい。
 ここで、「正面輝度」とは、有機EL素子の発光領域に対する法線方向を0度(正面)として、当該方向において測定される輝度(cd/m)をいう。
 「光束発散度」とは、JIS Z 8113:1998に規定されており、面光源のある1か所の点から放出される光の明るさをいい、単位面積当たりの光束(ルーメン:lm)をいう。単位はlm/mである。
 「正面集光型」とは、有機EL素子の視野角45度から方向から測定したときの輝度に対する0度(正面)方向から測定したときの輝度が、110%以上であることをいう。
  本発明に係る正面輝度及び光束発散度は以下の手順にて測定することができる。
 (正面輝度及び光束発散度の測定)
 前記したように、本発明において正面とは、有機EL素子の発光領域の所定位置に対する法線方向(0度方向)をいい、有機EL素子が湾曲した状態にある場合には、有機EL素子の発光領域の所定位置に対する法線方向をいう。
 正面輝度の測定は、有機EL素子をゴニオフォトメーターのような自動的に回転させる回転ステージにセットし、25±2℃の環境下、受光器として分光放射輝度計(コニカミノルタ社製、CS-2000)を用いて光量分布及びスペクトルを測定することにより輝度を求めることができる。当該測定においては、有機EL素子に一定の電流量(例えば、5mA/cm)を流し発光させながら、有機EL素子の発光領域に対する前記法線方向を0度(正面)とし、輝度を複数回測定し平均して正面輝度(cd/m)とする。
 光束発散度(lm/m)は、市販の積分球付きの全光束測定機器によって単位面積当たりの全光束を測定する。例えば、φ250mmの積分球を用いて一定電流における光束を測定する。機器としては、コニカミノルタ(株)製積分球システムISP500等を用いることができる。
 本発明では、有機EL素子の前記正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)を測定し、当該正面輝度で除した値が、1.5~3.2(lm/cd)の範囲内にあることが特徴であり、当該範囲内に調整する方法としては、例えば以下の方法を挙げることができる。
 好ましい方法としては、有機EL素子の前記第1電極層と隣接する有機機能層との界面と、前記第2電極層と隣接する有機機能層との界面との距離を調整することにより、有機EL素子の配光特性が上記数値範囲となるように調整する方法である。有機EL素子においては、発光層で生じた光を取り出す際、発光層から第1電極層を通じて直接取り出される光と、第1電極層と対極に位置する第2電極層で反射されてから取り出される光とが、干渉を起こすことが知られている。したがって、有機EL素子を構成する各有機機能層の層厚を調整することで、発光層における発光点から第1電極層との界面又は第2電極層との界面までの距離を種々変更することができ、有機EL素子の配光特性を調整することが可能となる。
 有機EL素子の配光特性を上記数値範囲とするための各層の層厚は、従来公知の光取出し計算ソフトを用いて導出することができる。そのような光取出し計算ソフトとしては、例えば、setfos(登録商標)(Fluxim AG社製)を用いることができる。
 有機EL素子の配光特性を上記数値範囲とするための各有機層の具体的な層厚は、各有機機能層を構成する材料等により種々変動するものであり、特に限定されるものではないが、好ましい一例について以下に示す。
 例えば、図1に示すような第1電極層101と第2電極層102との間に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層及び電子注入層からなる場合、各層厚として、正孔注入層は3~15nmの範囲、正孔輸送層は50~80nmの範囲、電子阻止層は5~20nmの範囲、発光層は10~40nmの範囲、電子輸送層は25~40nmの範囲、及び電子注入層は1.5nm程度で設計し、総層厚、すなわち前記第1電極層と隣接する有機機能層との界面と、前記第2電極層と隣接する有機機能層との界面との距離を100~150nmの範囲内にすることにより、正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)を正面輝度で除した値が、1.5~3.2(lm/cd)の範囲内に調整することができる。前記第1電極層及び第2電極層と隣接する有機機能層との界面との距離は、115~140nmであることが好ましい。
 〔有機エレクトロルミネッセンス素子の構成〕
 以下に、本発明に係る有機EL素子の構成の代表例及び詳細を説明する。
 (i)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
 (ii)陽極/正孔注入輸送層/発光層/正孔阻止層/電子注入輸送層/陰極
 (iii)陽極/正孔注入輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子注入輸送層/陰極
 (iv)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
 (v)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極
 (vi)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極
 更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。
 本発明に適用可能な有機EL素子の概要については、例えば、特開2013-157634号公報、特開2013-168552号公報、特開2013-177361号公報、特開2013-187211号公報、特開2013-191644号公報、特開2013-191804号公報、特開2013-225678号公報、特開2013-235994号公報、特開2013-243234号公報、特開2013-243236号公報、特開2013-242366号公報、特開2013-243371号公報、特開2013-245179号公報、特開2014-003249号公報、特開2014-003299号公報、特開2014-013910号公報、特開2014-017493号公報、特開2014-017494号公報等に記載されている構成を挙げることができる。
 更に、有機EL素子を構成する各層について説明する。
 〔透明基板〕
 本発明に係る有機EL素子に適用可能な透明基板としては、例えば、ガラス、プラスチック等の透明材料を挙げることができる。好ましく用いられる透明な透明基板としては、ガラス、石英、樹脂フィルムを挙げることができる。
 ガラス材料としては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、隣接する層との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜を形成することができる。
 樹脂フィルムを構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)及びアペル(商品名三井化学社製)等のシクロオレフィン系樹脂等を挙げることができる。
 有機EL素子においては、上記説明した透明基板上に、必要に応じて、ガスバリアー層を設ける構成であってもよい。
 ガスバリアー層を形成する材料としては、水分や酸素など、有機EL素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素などの無機物を用いることができる。更に、ガスバリアー層の脆弱性を改良するため、これら無機層と有機材料からなる有機層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
 また、ガスバリアー層のガスバリアー性は、基材上に当該ガスバリアー層を形成させた積層体で算出した際、JIS K 7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10-3cm/(m・24h・atm)以下、JIS K 7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%)が、1×10-3g/(m・24h)以下の高ガスバリアー性であることが好ましい。
 〔第1電極層〕
 本発明の有機EL素子を構成する第1電極層は陽極(アノード)として作用することが好ましく、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。
 具体的には、Ag、Au等の金属又は金属を主成分とする合金、CuI、又はインジウム-スズの複合酸化物(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、SnO及びZnO等の金属酸化物を挙げることができるが、金属又は金属を主成分とする合金であることが好ましく、更に好ましくは、銀又は銀を主成分とする合金である。
 第1電極層を、透明薄膜電極にするために、銀を主成分として構成する場合、銀の純度としては、99%以上であることが好ましい。また、銀の安定性を確保するためにパラジウム(Pd)、銅(Cu)及び金(Au)等が添加されていてもよい。
 第1電極層は銀を主成分として構成されている層とした場合、具体的には、銀単独で形成しても、又は銀(Ag)を含有する合金から構成されていてもよい。そのような合金としては、例えば、銀・マグネシウム(Ag・Mg)、銀・銅(Ag・Cu)、銀・パラジウム(Ag・Pd)、銀・パラジウム・銅(Ag・Pd・Cu)、銀・インジウム(Ag・In)などが挙げられる。
 上記第1電極層を構成する各構成材料の中でも、本発明の有機EL素子を構成する第1電極層としては、銀を主成分として構成し、厚さが2~20nmの範囲内にある透明電極であることが好ましいが、更に好ましくは厚さが4~12nmの範囲内である。厚さが20nm以下であれば、透明電極の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、高い光透過率が維持され、正面輝度が向上するため好ましい。
 本発明でいう銀を主成分として構成されている層とは、透明電極中の銀の含有量が60質量%以上であることをいい、好ましくは銀の含有量が80質量%以上であり、より好ましくは銀の含有量が90質量%以上であり、特に好ましくは銀の含有量が98質量%以上である。また、本発明に係る第1電極層でいう「透明」とは、波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいう。
 第1電極層においては、銀を主成分として構成されている層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。
 また、本発明においては、第1電極層が、銀を主成分として構成する透明電極である場合には、形成する透明電極の銀膜の均一性を高める観点から、その下部に、有機化合物層101aを設けることが好ましい。有機化合物層としては、特に制限はないが、窒素原子又は硫黄原子を有する有機化合物を含有する層であることが好ましく、当該有機化合物層上に電極層101bを設け、第1電極層101を形成する方法が好ましい態様である。
 さらに、前記有機化合物層が含有する有機化合物が、芳香族性に関与しない有効非共有電子対を持つ窒素原子を有する化合物であることが好ましい。
 本発明においては、銀を主成分とする第1電極層とする際に、その下部に窒素原子又は硫黄原子を有する有機化合物を含有する有機化合物層を設けることにより、銀原子と、有機化合物層が含有している有機化合物の窒素原子又は硫黄原子とが相互作用し、その結果、銀原子の有機化合物層表面上における拡散距離が減少し、銀の凝集体の生成を抑制することができ、高い均一性を有する透光性電極膜を形成することができる。
 一般的には銀原子は、核成長型(Volumer-Weber:VW型)での膜成長により島状に孤立しやすいが、単層成長型(Frank-van der Merwe:FM型)の膜成長によって成膜されるようになる。したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の透光性第1電極層が得られるようになる。また、第1電極層は、有機化合物層上に形成されることにより、形成後の高温アニール処理(例えば、150℃以上の加熱プロセス)等がなくても十分に導電性を有することができる。
 本発明においては、少なくとも窒素原子又は硫黄原子を有する有機化合物としては、特に制限はないが、例えば、国際公開第2013/105569号、国際公開第2013/141097号、国際公開第2013/161750号に記載の化合物を挙げることができる。
 第1電極層の形成方法としては、例えば、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタリング法、CVD法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられるが、蒸着法により形成することが好ましい。
 蒸着法としては、主には、真空蒸着法が用いられ、真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートに、透明陽極の構成材料である銀や、必要に応じてその他の合金を充填する。この蒸着用の抵抗加熱ボートは、モリブデン製又はタングステン製材料で作製されたものが用いられている。透明陽極形成時には、真空蒸着装置内の真空度を、例えば、1×10-2~1×10-6Paの範囲内まで減圧した後、銀等の透明陽極形成用材料の入った上記蒸着用の抵抗加熱ボートに通電して加熱し、所定の蒸着速度(nm/秒)で、樹脂基材上又は下地層上に、銀薄膜を蒸着して、厚さ2~20nmの範囲内にある透明陽極を形成する。
 以上の構成によって、第1電極層は、導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。
 〔有機機能層〕
 有機EL素子を構成する各種機能層について、発光層、電荷注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び阻止層の順に説明する。
 (発光層)
 本発明に係る有機EL素子は、特に限定されるものではないが、イルミネーション用途やインジケーション用途に用いる場合には、発光色は赤色であることが好ましく、発光材料の選択により、正面輝度L1が1000cd/mであるときの正面の色度が、CIE-xy色度図において0.29≦y≦0.335、y+x≧0.98であることが好ましい。これにより、赤色の発光光を得ることができる。
 又は、本発明においては、前記正面輝度L1が1000cd/mであるときの正面の色度が、CIE-xy色度図においてy≧0.39、y≧0.79-0.67x、y≧x-0.120であることが好ましい。これにより、アンバー色の発光光を得ることができる。
 上記色度は、例えば、分光放射輝度計CS-2000(コニカミノルタ社製)を用いて、有機EL素子に対し所定値の電流密度を与え、正面輝度L1が1000cd/mであるときの色度を測定することで得られる。
 有機EL素子を構成する発光層は、発光材料としてリン光発光性化合物が含有されている構成が好ましい。
 この発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。
 このような発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
 発光層の厚さの総和は、1~100nmの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから1~40nmの範囲内がさらに好ましく、10~40nmの範囲が特に好ましい。なお、発光層の厚さの総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。
 以上のような発光層は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法(ラングミュア・ブロジェット、Langmuir Blodgett法)及びインクジェット法等の公知の方法により形成することができる。
 また発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、リン光発光材料と蛍光発光材料(蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう。)を同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成としては、ホスト化合物(発光ホスト等ともいう。)及び発光材料(発光ドーパントともいう。)を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
 〈ホスト化合物〉
 発光層に含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)におけるリン光発光のリン光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。さらにリン光量子収率が0.01未満であることが好ましい。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。
 ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は、複数種のホスト化合物を用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
 発光層に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよい。
 本発明に適用可能なホスト化合物としては、例えば、特開2001-257076号公報、同2001-357977号公報、同2002-8860号公報、同2002-43056号公報、同2002-105445号公報、同2002-352957号公報、同2002-231453号公報、同2002-234888号公報、同2002-260861号公報、同2002-305083号公報、米国特許公開第2005/0112407号明細書、米国特許公開第2009/0030202号明細書、国際公開第2001/039234号、国際公開第2008/056746号、国際公開第2005/089025号、国際公開第2007/063754号、国際公開第2005/030900号、国際公開第2009/086028号、国際公開第2012/023947号、特開2007-254297号公報、欧州特許第2034538号明細書等に記載されている化合物を挙げることができる。
 〈発光材料〉
 本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物(リン光性化合物、リン光発光材料又はリン光発光ドーパントともいう。)及び蛍光発光性化合物(蛍光性化合物又は蛍光発光材料ともいう。)が挙げられる。
 〈リン光発光性化合物〉
 リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
 上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は、種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて、上記リン光量子収率として0.01以上が達成されればよい。
 リン光発光性化合物は、一般的な有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8~10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物(白金錯体系化合物)又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
 本発明においては、少なくとも一つの発光層が、2種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化している態様であってもよい。
 本発明に使用できる公知のリン光発光性化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
 Nature 395,151(1998)、Appl.Phys.Lett.78,1622(2001)、Adv.Mater.19,739(2007)、Chem.Mater.17,3532(2005)、Adv.Mater.17,1059(2005)、国際公開第2009/100991号、国際公開第2008/101842号、国際公開第2003/040257号、米国特許公開第2006/835469号明細書、米国特許公開第2006/0202194号明細書、米国特許公開第2007/0087321号明細書、米国特許公開第2005/0244673号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。
 また、Inorg.Chem.40,1704(2001)、Chem.Mater.16,2480(2004)、Adv.Mater.16,2003(2004)、Angew.Chem.lnt.Ed.2006,45,7800、Appl.Phys.Lett.86,153505(2005)、Chem.Lett.34,592(2005)、Chem.Commun.2906(2005)、Inorg.Chem.42,1248(2003)、国際公開第2009/050290号、国際公開第2009/000673号、米国特許第7332232号明細書、米国特許公開第2009/0039776号、米国特許第6687266号明細書、米国特許公開第2006/0008670号明細書、米国特許公開第2008/0015355号明細書、米国特許第7396598号明細書、米国特許公開第2003/0138657号明細書、米国特許第7090928号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。
 また、Angew.Chem.lnt.Ed.47,1(2008)、Chem.Mater.18,5119(2006)、Inorg.Chem.46,4308(2007)、Organometallics 23,3745(2004)、Appl.Phys.Lett.74,1361(1999)、国際公開第2006/056418号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2006/082742号、米国特許公開第2005/0260441号明細書、米国特許第7534505号明細書、米国特許公開第2007/0190359号明細書、米国特許第7338722号明細書、米国特許第7279704号明細書、米国特許公開第2006/103874号明細書等に記載の化合物も挙げることができる。
 さらには、国際公開第2005/076380号、国際公開第2008/140115号、国際公開第2011/134013号、国際公開第2010/086089号、国際公開第2012/020327号、国際公開第2011/051404号、国際公開第2011/073149号、特開2009-114086号公報、特開2003-81988号公報、特開2002-363552号公報等に記載の化合物も挙げることができる。
 本発明においては、好ましいリン光発光性化合物としてはIrを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属-炭素結合、金属-窒素結合、金属-酸素結合、金属-硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。
 リン光発光性化合物(リン光発光性金属錯体ともいう)としては、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579~2581頁(2001)、Inorg.Chem.第30巻、第8号、1685~1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704~1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055~3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry 第26巻、1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻、695~709頁(2004年)、さらにこれらの文献中に記載されている参考文献等に開示されている方法を適用することにより合成することができる。
 〈蛍光発光性化合物〉
 蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素及び希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
 (電荷注入層)
 電荷注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層の間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)にその詳細が記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
 電荷注入層としては、一般には、正孔注入層であれば、陽極と発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であれば陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させることができるが、本発明においては、電極に隣接して電荷注入層を配置させることが好ましい。
 〈正孔注入層〉
 正孔注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、第1電極層である陽極に隣接して配置されるで層であり、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載されている。
 正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー(例えば、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン):PSS(ポリスチレンスルホン酸)、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等)等が挙げられる。
 トリアリールアミン誘導体としては、α-NPD(4,4′-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル)に代表されるベンジジン型や、MTDATA(4,4′,4″-トリス〔N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ〕トリフェニルアミン)に代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
 また、特表2003-519432号公報や特開2006-135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
 〈電子注入層〉
 電子注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、陰極と発光層との間に設けられる層のことであり、第2電極層が陰極である場合には、当該電極層に隣接して設けられ、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載されている。
 電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデン、酸化アルミニウム等に代表される金属酸化物、リチウム8-ヒドロキシキノレート(Liq)等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、本発明における第2電極層が陰極の場合は、金属錯体等の有機材料が特に好適に用いられる。電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、構成材料にもよるが、その層厚は1nm~10μmの範囲が好ましい。
 (正孔輸送層)
 正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層及び電子阻止層も正孔輸送層の機能を有する。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
 正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー及びチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
 正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることができ、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
 芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル、N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス(3-メチルフェニル)-〔1,1′-ビフェニル〕-4,4′-ジアミン(略称:TPD)、2,2-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)プロパン、1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル、1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン、ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)フェニルメタン、ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)フェニルメタン、N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ(4-メトキシフェニル)-4,4′-ジアミノビフェニル、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル、4,4′-ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル、N,N,N-トリ(p-トリル)アミン、4-(ジ-p-トリルアミノ)-4′-〔4-(ジ-p-トリルアミノ)スチリル〕スチルベン、4-N,N-ジフェニルアミノ-(2-ジフェニルビニル)ベンゼン、3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン及びN-フェニルカルバゾール等が挙げられる。
 正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びLB法(ラングミュア・ブロジェット、Langmuir Blodgett法)等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmの範囲である。この正孔輸送層は、上記材料の1種又は2種以上からなる1層構造であってもよい。
 また、正孔輸送層の材料に不純物をドープすることにより、p性を高くすることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報及びJ.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
 このように、正孔輸送層のp性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
 (電子輸送層)
 電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
 単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる。)としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
 例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した高分子材料又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
 また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8-キノリノール)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(5,7-ジクロロ-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7-ジブロモ-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(2-メチル-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(5-メチル-8-キノリノール)アルミニウム、ビス(8-キノリノール)亜鉛(略称:Znq)等及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。
 電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びLB法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmの範囲内である。電子輸送層は上記材料の1種又は2種以上からなる単一構造であってもよい。
 (阻止層)
 阻止層としては、正孔阻止層及び電子阻止層が挙げられ、上記説明した有機層3の各構成層の他に、必要に応じて設けられる層である。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層等を挙げることができる。
 正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
 一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ、電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に適用する正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3~100nmの範囲であり、さらに好ましくは5~30nmの範囲である。
 〔第2電極層〕
 第2電極層は、第1電極層が陽極(アノード)の場合は、陰極(カソード)として機能する電極であり、有機層に電子を供給するために機能する電極膜であり、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。具体的には、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
 これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
 前記第1電極層を透明電極として形成する場合は、第2電極層は光反射性の金属を用いて形成されることが好ましい。上記金属の中でも、金、アルミニウム、銀、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物であることがより好ましい。
 第2電極層は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させて作製することができる。また、第2電極層としてのシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常5nm~5μm、好ましくは5~200nmの範囲で選ばれる。
 〔封止部材〕
 有機EL素子を封止するのに用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、第2電極層及び透明基板とを後述する樹脂接着層を形成して接着する方法を挙げることができる。
 封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性を有する場合は、波長550nmでの光透過率が50%以上であることが好ましく、より好ましくは70%以上である。
 具体的には、ガラス板、ポリマー板、ポリマーフィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
 封止部材としては、有機EL素子を透明で薄膜化することできる観点から、ガラス及びポリマーフィルムを好ましく使用することができる。さらに、ポリマーフィルムは、JIS K 7129-1992に準拠した方法で測定された温度25±0.5℃、相対湿度90±2%RHにおける水蒸気透過度が、1×10-3g/m・24h以下であることが好ましく、さらには、JIS K 7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10-3mL/m・24h・atm(1atmは、1.01325×10Paである)以下であって、温度25±0.5℃、相対湿度90±2%RHにおける水蒸気透過度が、1×10-3g/m・24h以下であることが好ましい。
 封止部材と有機EL素子の表示領域(発光領域)との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙を真空とすることや、間隙に吸湿性化合物を封入することもできる。
 〔有機EL素子の製造方法〕
 有機EL素子の製造方法としては、透明基板上に、第1電極層、一つ又は複数の有機機能層及び第2電極層を積層して積層体を形成する。
 まず、透明基板を準備し、該透明基板上に、所望の電極物質、例えば、第1電極層用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは5~20nm、好ましくは10~15nmの範囲内の膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、第1電極層を形成する。同時に、第1電極層端部に、外部電源と接続する部分を形成する。
 次に、この上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を含む有機機能層を順に積層する。
 これらの各層の形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な層が得られやすく、かつ、ピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。更に、層ごとに異なる形成法を適用しても良い。これらの各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50~450℃、真空度1×10-6~1×10-2Pa、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-50~300℃、層厚0.1~5μmの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。
 以上のようにして有機機能層を形成した後、この上部に第2電極層を蒸着法やスパッタリング法などの適宜の形成法によって形成する。この際、陰極は、有機機能層によって第1電極層に対して絶縁状態を保ちつつ、有機機能層の上方から透明基板の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成することが好ましい。
 第2電極層の形成後、これら透明基板、第1電極層、有機機能層及び第2電極層を封止部材で封止する。すなわち、陽極及び陰極の端子部分を露出させた状態で、透明基板上に、少なくとも有機層を覆う封止部材を設ける。
 〔有機EL素子のその他の層〕
 (無機絶縁層)
 第2電極層の絶縁及び有機機能層への水蒸気の浸入を防止するために、無機絶縁層を第2電極層上に設けることが好ましい。
 無機絶縁層は、無機材料被膜だけでなく、有機材料との複合材料からなる被膜、又は、これらの被膜を積層したハイブリッド被膜であっても良い。無機絶縁層の性能としては、水蒸気透過度(環境条件:25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が約0.01g/[m・day・atm]以下、酸素透過度が約0.01cm/[m・day・atm]以下、抵抗率が1×1012Ω・cm以上、光線透過率は可視光領域で約80%以上であるような、ガスバリアー性を有する透明絶縁膜であることが好ましい。より好ましくは、酸素透過度が0.0001cm/[m・day・atm]以下の値であり、かつ、水蒸気透過度が約0.0001g/[m・day・atm]以下の値となるようなハイガスバリアー性の多層膜で構成することが特に好ましい。なお、本明細書でいう「水蒸気透過度」は、JIS(日本工業規格)-K7129(1992年)に準拠した赤外センサー法により測定された値であり、「酸素透過度」は、JIS-K7126(1987年)に準拠したクーロメトリック法により測定された値である。
 無機絶縁層の材料としては、例えば、水や酸素等、有機EL素子1の劣化をもたらすものの浸入を抑制できる材料であれば良く、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン等の無機材料を用いることができる。更に、無機絶縁層104の脆弱性を改良するため、これら無機材料と有機材料との複合材料からなる層、又は、これら無機材料層に有機材料層を積層した構造とすることが好ましい。無機材料層と有機材料層からなる構造である場合、無機材料層と有機材料層の積層順序は任意であり、両者が交互に複数積層されて構成されていても良いが、無機絶縁層の最表面は無機材料層とすることが絶縁性やガスバリアー性の観点から好ましい。無機絶縁層の層厚は、上記性能を満たせば任意で設定できるが、素子の可撓性を考慮して、総厚で50~1000nmの範囲内が好ましい。
 また、無機絶縁層の形成方法としては、無機絶縁層を第2電極層上に形成できれば、いずれの形成方法であっても良い。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法(特開2004-68143号公報参照)、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法、レーザーCVD法、熱CVD法、ALD(原子層堆積)法、湿式塗布等の方法を用いることができる。
 (樹脂接着層)
 樹脂接着層の材料としては、例えば、アクリル酸系オリゴマー又はメタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化性又は熱硬化性接着剤等が挙げられる。また、樹脂接着層の材料としては、例えば、エポキシ系等の熱硬化性又は化学硬化性(二液混合)接着剤、ホットメルト型材料(例えば、ポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン)、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤等が用いられる。
 本発明では、製造プロセス簡略化の観点から、樹脂接着層を熱硬化性接着剤で形成することが好ましい。また、樹脂接着層の形態としては、シート状に加工された熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。シート状タイプの熱硬化性接着剤を用いる場合には、常温(25℃程度)では非流動性を示し、50~120℃の温度範囲内では流動性を発現するものが好ましい。
 樹脂接着層の材料として用いられる熱硬化性接着剤としては、任意の接着剤を使用することができ、樹脂接着層と隣接する無機絶縁層等との密着性や、製造プロセスにおける貼り合わせ方法及び硬化方法等を考慮して、適宜好適な熱硬化性接着剤が選択される。例えば、分子の末端又は側鎖にエチレン性二重結合を有する化合物と、熱重合開始剤とを主成分とする樹脂等を用いることができ、より具体的には、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等からなる熱硬化性接着剤を使用することができる。
 また、樹脂接着層の含水率は、有機EL素子の長寿命化等を考慮して、約1.0%以下の値とすることが好ましい。なお、ここでいう含水率は、ASTM(米国材料試験協会)-D570に準拠した手法で測定された値である。
 〔その他の構成要素〕
 (取出し電極)
 取出し電極は、第1電極層、中間電極及び第2電極層と外部電源とを電気的に接続するものであって、その材料としては特に限定されるものではなく公知の素材を好適に使用できるが、例えば、3層構造からなるMAM電極(Mo/Al・Nd合金/Mo)等の金属膜を用いることができる。
 取出し電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられるが、スパッタリング法であることが生産効率上好ましい。
 (補助電極)
 補助電極は、電極の抵抗を下げる目的で設けるものであって、第1電極層に接して設けられる。補助電極を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取出し面からの発光光hの取出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極の線幅は、光を取り出す開口率の観点から50μm以下であることが好ましく、補助電極の厚さは、導電性の観点から1μm以上であることが好ましい。
 (保護膜、保護板)
 保護膜若しくは保護板は、有機EL素子を機械的に保護するためのものであり、特に封止部材が封止膜である場合には、有機EL素子に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜若しくは保護板を設けることが好ましい。
 以上のような保護膜若しくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、透光性に有利であり、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
 (ハードコート層)
 前記透明基板又は封止部材の外側に、素子の機械的強度を高めるために、ハードコート層を設けてもよい。
 ハードコート層は、好ましくは硬化性樹脂を含む。硬化性樹脂としては特に制限されず、活性エネルギー線硬化性材料等に対して紫外線等の活性エネルギー線を照射し硬化させて得られる活性エネルギー線硬化性樹脂や、熱硬化性材料を加熱することにより硬化して得られる熱硬化性樹脂等が挙げられる。硬化性樹脂は、単独でも、又は2種以上組み合わせて用いてもよい。
 ハードコート層の形成に用いられる活性エネルギー線硬化性材料として、具体的には、JSR株式会社製のUV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR(登録商標)シリーズ(シリカ微粒子に重合性不飽和基を有する有機化合物を結合させてなる化合物)を用いることができる。また、熱硬化性材料として、具体的には、クラリアント社製のトゥットプロムシリーズ(有機ポリシラザン)、セラミックコート株式会社製のSP COAT耐熱クリアー塗料、(株)ADEKA製のナノハイブリッドシリコーン、DIC株式会社製のユニディック(登録商標)V-8000シリーズ、EPICLON(登録商標) EXA-4710(超高耐熱性エポキシ樹脂)、信越化学工業株式会社製のシリコーン樹脂 X-12-2400(商品名)、日東紡績株式会社製の無機・有機ナノコンポジット材料SSGコート、アクリルポリオールとイソシアネートプレポリマーとからなる熱硬化性ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミドアミン-エピクロルヒドリン樹脂等が挙げられる。
 ハードコート層の層厚は0.1~10μm程度の厚さであることが好ましく、ロールコーティング法、ロッドバーコーティング法、エアナイフコーティング法、スプレーコーティング法、スライド型カーテン塗布法、又は米国特許第2761419号明細書、米国特許第2761791号明細書などに記載のスライドホッパー塗布法、エクストルージョンコート法等の湿式塗布方式で形成することが好ましい。
 (紫外線遮蔽層)
 本発明に係る有機機能層を紫外線から保護するために、紫外線遮蔽層を前記透明基板又は封止部材の外側に設けることが好ましい。
 紫外線遮蔽層は、バインダー樹脂に紫外線吸収剤を分散又は溶解して含有する層であることが好ましく、光波長200~350nmの範囲の光を吸収して遮蔽する機能を有する。
 紫外線吸収剤としては、無機系紫外線吸収剤として、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウム、酸化鉄等が挙げられる。また、有機系紫外線吸収剤としては、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、サリチル酸フェニル系、トリアジン系等が挙げられる。
 無機系紫外線吸収剤として、酸化チタン又は酸化亜鉛を用いることが好ましく、平均粒径が5~50nmの範囲内である微粒子酸化チタン又は微粒子酸化亜鉛を用いることが、機能性シートに高い透過率を付与する観点から好ましい。
 前記微粒子酸化チタン又は微粒子酸化亜鉛としては、市販品の例として、石原産業(株)製微粒子酸化チタンTTOシリーズ(TTO-51シリーズ、TTO-55シリーズ、TTO-Fシリーズ、TTO-W-5等)、及びシーアイ化成(株)製超微粒子ZnO含有紫外線カットマスターペレット等が挙げられる。
 有機系紫外線吸収剤であるベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、例えば、2,4-ジヒドロキシ-ベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メトキシ-ベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-n-オクトキシ-ベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-ドデシロキシ-ベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-オクタデシロキシ-ベンゾフェノン、2,2′-ジヒドロキシ-4-メトキシ-ベンゾフェノン、2,2′-ジヒドロキシ-4,4′-ジメトキシ-ベンゾフェノン、2,2′,4,4′-テトラヒドロキシ-ベンゾフェノン等が挙げられる。
 ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、例えば、2-(2′-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2′-ヒドロキシ-3′,5′-ジ-t-ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2′-ヒドロキシ-3′-t-ブチル-5′-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
 サリチル酸フェニル系紫外線吸収剤としては、例えば、フェニルサルチレート、2-4-ジ-t-ブチルフェニル-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンゾエート等が挙げられる。ヒンダードアミン系紫外線吸収剤としては、ビス(2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イル)セバケート等が挙げられる。
 トリアジン系紫外線吸収剤としては、例えば、2,4-ジフェニル-6-(2-ヒドロキシ-4-メトキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ジフェニル-6-(2-ヒドロキシ-4-エトキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ジフェニル-(2-ヒドロキシ-4-プロポキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ジフェニル-(2-ヒドロキシ-4-ブトキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ジフェニル-6-(2-ヒドロキシ-4-ブトキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ジフェニル-6-(2-ヒドロキシ-4-ヘキシルオキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ジフェニル-6-(2-ヒドロキシ-4-オクチルオキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ジフェニル-6-(2-ヒドロキシ-4-ドデシルオキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ジフェニル-6-(2-ヒドロキシ-4-ベンジルオキシフェニル)-1,3,5-トリアジン等が挙げられる。
 紫外線吸収剤の使用量は、紫外線遮蔽層の全質量に対し、0.1~20質量%の範囲内、好ましくは1~15質量%の範囲内、より好ましくは3~10質量%の範囲内である。使用量をこれらの範囲内にすることで、他の構成層との密着性を良好に保ちつつ、耐候性を向上させることが可能となる。
 紫外線遮蔽層の形成に用いる湿式塗布方式としては、特に制限されず、例えば、ロールコーティング法、ロッドバーコーティング法、エアナイフコーティング法、スプレーコーティング法、スライド型カーテン塗布法、又は米国特許第2761419号明細書、米国特許第2761791号明細書などに記載のスライドホッパー塗布法、エクストルージョンコート法などを適宜用いることができる。
 また、紫外線遮蔽層として市販の紫外線吸収性を有する樹脂フィルムを用いることも好ましく、例えば、帝人デュポンフィルム株式会社製PETフィルム(商品名テオネックスHB)、PENフィルム(商品名テオネックスQ65H又は65HA)等が挙げられる。
 (集光シート)
 本発明の有機EL素子は、光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設ける加工や、いわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
 マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10~100μmの範囲内が好ましい。この範囲内とすることで、厚さが厚すぎることなく、回折の効果により色付くこともないため好ましい。
 集光シートとしては、例えば液晶表示装置のLED(light emitting diode)バックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
 また、有機EL素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)などを用いることができる。
 以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量%」を表す。
 実施例1
 <有機EL素子101の作製>
 下記の方法に従って、図1に記載の構成の有機EL素子101を作製した。
 (第1電極層の形成)
 透明なガラス製の基板(30mm×300mm)の上に厚さ150nmとなる条件でITO(In:SnO=90:10(質量%比))をスパッタリング法で成膜した後、パターニングを行い、ITO層から成る第1電極層(陽極)を形成した。次いで、ITO層を設けた基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
 (有機機能層の形成)
 上記作製したガラス基板の第1電極層上に、下記に示す手順に従って、有機EL素子を作製した。なお、ガラス基板は、露点-80℃以下、酸素濃度1ppm以下のグローブボックスにおいて乾燥させた後、グローブボックスから大気に晒すことなく、有機機能層を形成する真空蒸着装置内に移送した。
 真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
 続いて、真空蒸着装置のチャンバーを真空度1×10-4Paにまで減圧し、下記化学式で表される化合物M-1(MTDATA)を、蒸着速度0.1nm/秒で第1電極層上に蒸着し、層厚15nmの正孔注入層(表中、HILと表記、以下同)を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 次いで、下記化学式で表される化合物M-2(α-NPD)を、正孔注入層上に蒸着し、層厚30nmの正孔輸送層(HTL)を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 この上に、電子阻止層(EBL)として、N,N′-ビス-(1-ナフチル)-N,N′-ジフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミン(NPB)を5nmの厚さに蒸着した。
 次いで、下記化学式で表される化合物H-2の入った加熱ボートと、下記化学式で表される化合物RD-1の入った加熱ボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるH-2と発光ドーパントであるRD-1の蒸着速度(nm/秒)が100:6になるように調節し、膜厚20nmの赤色を呈するリン光発光層(EML)を形成した。発光層の大きさは17mm×17mmとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 その後、トリス(8-ヒドロキシキノリナート)アルミニウム(Alq3)の入った前記加熱ボートを通電して加熱し蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚25nmの電子輸送(ETL)層を形成した。
 更に、LiFを蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚1nmの電子注入層(EIL)を形成した。
 (第2電極層の形成)
 次に、アルミニウムを厚さ70nmで蒸着して第2電極層(陰極;反射電極、光不透過性)を形成した。
 (取出し電極の形成)
 作製した素子の第1電極層及び第2電極層の引出し部分に対し、第1取出し電極部として、MAM(Moモリブデン/Alアルミニウム/Moモリブデン)を150nmの厚さにて形成して接続した後に、第2取出し電極部として、MAM(Moモリブデン/Alアルミニウム/Moモリブデン)を断面形状が台形状になるように形成して接続した。
 (素子の封止)
 最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚さ300μmのガラス基板を封止部材として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、第2取出し電極部及び素子の基板とを密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化・封止して、有機EL素子101を得た。
 <有機EL素子102~110の作製>
 有機EL素子101の作製において、有機機能層の層厚を表1に記載のように変化させた以外は同様にして、有機EL素子102~110を作製した。
 ≪評価≫
 (1)光束発散度を正面輝度で除した値の測定
 作製した有機EL素子101~110の正面輝度の評価、及び光束発散度を正面輝度で除した値を、下記手順にて求めた。
 (正面輝度及び光束発散度の測定)
 有機EL素子を25±2℃の環境下で、自動的に回転させる回転ステージにセットし、分光放射輝度計(コニカミノルタ社製、CS-2000)を用いて光量分布及びスペクトルを測定することにより輝度を求めた。当該測定においては、有機EL素子に一定の電流量(5mA/cm)を流し発光させながら、有機EL素子の発光領域に対する法線方向を0度(正面)とし、正面輝度(cd/m)とした。
 次いで、有機EL素子の前記正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)の値を、コニカミノルタ(株)製積分球システムISP500等を用いて、測定した。得られた光束発散度の値から、当該光束発散度を前記正面輝度で除した値(lm/cd)を求めた。
 (2)正面輝度(相対値)の評価
 (1)で求めた有機EL素子101の正面輝度を100としたときの、有機EL素子102~110の正面輝度の相対値を算出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 表1から、本発明の有機EL素子102~108は、有機機能層の合計層厚及び光束発散度/正面輝度が本発明で規定する範囲内であることにより、正面輝度が比較例に対して高く、正面集光型であることが分かる。
 また、有機機能層の各層厚が変化しても、いずれも高い正面輝度を有していることから、製造段階でのロバストネスにも優れていることが分かる。
 実施例2
 <有機EL素子201の作製>
 (ガスバリアー層付フレキシブル基材の準備)
 フレキシブル基板として、ポリエチレンナフタレートフィルム(帝人デュポン社製フィルム、以下、PENと略記する。)を用い、基板の表面上(第1電極層を形成する面側)に、下記の手順にてガスバリアー層を形成し、ガスバリアー層付フレキシブル基板を作製した。
 放電プラズマ化学気相成長装置(アプライドマテリアルズ社製プラズマCVD装置 Precision5000)に、樹脂基材をセットし、ロールtoロールで連続搬送させた。次に、成膜ローラー間に磁場を印加するとともに、各成膜ローラーに電力を供給して、成膜ローラー間にプラズマを発生させ、放電領域を形成した。次に、形成した放電領域に、成膜ガスとして、原料ガスであるヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)と反応ガスである酸素ガス(放電ガスとしても機能する)の混合ガスを、ガス供給管から供給し、下記条件にて、層厚120nmのガスバリアー層を成膜した。
 (成膜条件)
 原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン、HMDSO)の供給量:50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
 反応ガス(O)の供給量:500sccm
 真空チャンバー内の真空度:3Pa
 プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
 プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
 フィルムの搬送速度:0.8m/min
 (高屈折率層及び有機化合物層の形成)
 ガスバリアー層を形成したフレキシブル基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化ニオブ(Nb)を加熱ボートに入れ、これら基板ホルダー及び加熱ボートを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。
 次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、酸化ニオブ(Nb)の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度0.1~0.2nm/秒でフレキシブル基板上に厚さ30nmのNbからなる高屈折率層を設けた。そして、フレキシブル基板を大気に曝露することなく、プラズマ処理用チャンバーから、真空蒸着装置の真空槽に移送した。
 次に、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、窒素含有化合物である下記化合物1の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1~0.2nm/秒で層厚が15nmの有機化合物層を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 (第1電極層の形成)
 ガスバリアー層を形成したフレキシブル基板を真空槽に装着し、4×10-4Paまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1~0.2nm/秒で膜厚13nmの銀からなる第1電極層を形成した。
 次いで、実施例1の有機EL素子101と同様にして正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を形成した。
 (第2電極層の形成)
 次に、アルミニウムを厚さ70nmで蒸着して第2電極層(陰極;反射電極、光不透過性)を形成した。
 (取出し電極の形成)
 作製した素子の第1電極層及び第2電極層の引出し部分に対し、第1取出し電極部として、MAM(Moモリブデン/Alアルミニウム/Moモリブデン)を150nmの厚さにて形成して接続した後に、第2取出し電極部として、MAM(Moモリブデン/Alアルミニウム/Moモリブデン)を断面形状が台形状になるように形成して接続した。
 (無機絶縁層の形成)
 作製した第2電極層上に、真空下、SiHガス、Nガス、Hガスを用いたプラズマCVD法により、SiNからなる300nmの無機絶縁層を形成した。
 (素子の封止)
 次のようにして、形成した第1電極層及び第2電極層までを被覆するように封止フィルムを封止部材として貼り合わせて封止した。
 厚さ0.7mmの無アルカリガラス基板に接着剤を塗布して、120℃で2分間乾燥し、厚さ20μmの接着層を形成した。この接着層に、厚さ100μmのアルミニウム箔を貼り合わせた厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを貼り合わせて、接着層付き封止フィルムとした。この封止フィルムを、窒素雰囲気下に24時間以上放置した後、ガラス基板から剥離し、80℃に加熱した真空ラミネーターにより、接着層側が上記陰極を被覆するように貼り合わせた。更に、120℃で30分間加熱して封止した。このようにして、13mm×13mmの発光領域を有する有機EL素子201を作製した。
 <有機EL素子202~209の作製>
 有機EL素子201の作製において、有機機能層の層厚を表2に記載のように変化させた以外は同様にして、有機EL素子202~209を作製した。
 ≪評価≫
 実施例1と同様にして、(1)光束発散度を正面輝度で除した値の測定、(2)正面輝度(相対値)の評価を行い、結果を表2に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 表2から、本発明の有機EL素子202~207は、実施例1を再現し、有機機能層の合計層厚及び光束発散度/正面輝度が本発明で規定する範囲内であることにより、正面輝度が比較例に対して高く、正面集光型であることが分かる。
 また、有機機能層の各層厚が変化しても、いずれも高い正面輝度を有していることから、製造段階でのロバストネスにも優れていることが分かる。
 さらに基材及び封止材にガスバリアー性樹脂フィルムを使用していることから、フレキシブルな有機EL素子を実現することができた。
 実施例3
 <有機EL素子301の作製>
 実施例2の有機EL素子205の作製において、第1電極層の層厚を18nmとし、15mm×16mmの発光領域とした以外は同様にして、有機EL素子301を作製した。
 <有機EL素子302の作製>
 有機EL素子301の作製において、第1電極層の層厚を9nmとした以外は同様にして、有機EL素子302を作製した。
 <有機EL素子303~305の作製>
 有機EL素子301の作製において、第1電極層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の各層厚を表3に記載のように変化させた以外は同様にして、有機EL素子303~305を作製した。
 ≪評価≫
 実施例1と同様にして、(1)光束発散度を正面輝度で除した値の測定、(2)正面輝度(相対値)の評価を行い、加えて下記条件で保存性を行い、結果を表3に示した。
 (3)保存性
 作製した有機EL素子を、100枚を85℃・湿度成行きにて500時間保存し、以下の評価基準にて保存性を評価した。
 ○:素子100枚がすべて点灯する。
 △:素子100枚のうち1枚以上が点灯しないものがある
 評価結果を、表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
 表3から、本発明の有機EL素子301~305は、実施例1及び実施例2を再現し、有機機能層の合計層厚及び光束発散度/正面輝度が本発明で規定する範囲内であることにより、正面輝度が比較例に対して高く、正面集光型であることが分かる。
 また、有機機能層の各層厚が変化しても、いずれも高い正面輝度を有していることから、製造段階でのロバストネスにも優れていることが分かる。
 さらに、HIL+HTL+EBLの合計層厚(nm)(a)と、ETL+EIL(b)の合計層厚(nm)(b)との比の値が、(a)/(b)が2.0~3.0の範囲内にあることで、保存性にもより優れることが分かった。
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、配光特性を特定の正面集光型とすることにより、一定範囲内で製造条件が変動しても安定な配光を可能とする、高い強靭性(ロバストネス)を有しており、照明装置、表示装置用の電子デバイスとして好適である。
 100  有機EL素子
 101  第1電極層
 101a 有機化合物層
 101b 金属層
 102  第2電極層層
 103  有機機能層
 103a 正孔注入層
 103b 正孔輸送層
 103c 発光層
 103d 電子輸送層
 103e 電子注入層
 104  無機絶縁層
 105  封止部材
 110  透明基板
 h    発光光

Claims (3)

  1.  基板、第1電極層、一つ又は複数の有機機能層、及び第2電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
     前記第1電極層と隣接する前記有機機能層との界面と、前記第2電極層と隣接する前記有機機能層との界面との距離が、100~150nmの範囲内であり、
     正面輝度が1000±300cd/mのときの光束発散度(lm/m)を正面輝度で除した値が、1.5~3.2(lm/cd)の範囲内である有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2.  前記光束発散度を正面輝度で除した値が、1.7~2.8(lm/cd)の範囲内である請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3.  前記第1電極層及び前記第2電極層の少なくとも一方が、少なくとも有機化合物層と金属層の積層体からなり、当該有機化合物層を構成する有機化合物が、窒素原子、硫黄原子の少なくとも一方の原子を有し、かつ、当該金属層が銀(Ag)を含有する請求項1又は請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
PCT/JP2017/024899 2016-09-13 2017-07-07 有機エレクトロルミネッセンス素子 WO2018051617A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-178153 2016-09-13
JP2016178153A JP2019194937A (ja) 2016-09-13 2016-09-13 有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018051617A1 true WO2018051617A1 (ja) 2018-03-22

Family

ID=61619078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/024899 WO2018051617A1 (ja) 2016-09-13 2017-07-07 有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2019194937A (ja)
WO (1) WO2018051617A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012124478A (ja) * 2010-11-19 2012-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置
JP2014103104A (ja) * 2012-10-22 2014-06-05 Konica Minolta Inc 透明電極、電子デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2014211964A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2016017072A1 (ja) * 2014-07-30 2016-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機el素子及び有機el素子の製造方法
JP2016100072A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2016159585A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 三菱化学株式会社 フレキシブル基板、それを用いた有機el素子及び有機el照明装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012124478A (ja) * 2010-11-19 2012-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置
JP2014103104A (ja) * 2012-10-22 2014-06-05 Konica Minolta Inc 透明電極、電子デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2014211964A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2016017072A1 (ja) * 2014-07-30 2016-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機el素子及び有機el素子の製造方法
JP2016100072A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2016159585A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 三菱化学株式会社 フレキシブル基板、それを用いた有機el素子及び有機el照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019194937A (ja) 2019-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5098645B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
JP4830374B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
JP6337883B2 (ja) 電子デバイス
JP5664715B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011132550A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2007119420A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光色度安定化方法、照明装置及び電子ディスプレイ装置
JP5862665B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2016091793A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法
JP5879737B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6592915B2 (ja) 透明電極基板とその製造方法、電子デバイス及び有機elデバイス
WO2009116414A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6409771B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法
WO2018051617A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP7336381B2 (ja) 受光・発光素子、光センサおよび生体センサ
JP2010177338A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
WO2014185219A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2017057023A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2018116923A1 (ja) 透明電極及び電子デバイス
JP6182838B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2016072246A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014181695A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007221028A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP6337897B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6252590B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5895699B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17850523

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17850523

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1