JP6337883B2 - 電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、透明導電体、及び、この透明導電体を備える電子デバイスに関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンス（electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。

このような有機電界発光素子は、２枚の電極間に有機材料を用いて構成された発光層を挟持した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明導電体として構成される。

透明導電体としては、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の酸化物半導体系の材料や、ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を狙った材料が検討されている（例えば、下記特許文献１、特許文献２参照）。しかしながら、ＩＴＯはレアメタルのインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために形成後に３００℃程度でアニール処理する必要がある。そこで、銀にアルミニウムを混ぜることにより銀単独よりも薄い厚さで導電性を確保する構成も提案されている（例えば、下記特許文献３参照）。

特開２００２−１５６２３号公報 特開２００６−１６４９６１号公報 特開２００９−１５１９６３号公報

しかしながら、銀とアルミニウムとを用いて構成された透明導電体であっても、十分な導電性と光透過性との両立を図ることは困難であった。

そこで本発明は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明導電体を提供すること、およびこの透明導電体を用いることによって性能の向上が図られた電子デバイスを提供する。

本発明の透明導電体は、アドミッタンス調整層と、導電層とがこの順に積層されている。そして、導電層が、厚さ１５ｎｍ以下の金属材料層と、Ｐｔ及びＰｄの少なくとも一方を含む白金族元素含有層とからなる。さらに、導電層のアドミッタンス調整層側の界面における波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ_１＝ｘ_１＋ｉｙ_１、導電層のアドミッタンス調整層と反対側の界面における波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ_２＝ｘ_２＋ｉｙ_２で表した場合に、ｘ_１及びｘ_２の少なくとも一方が１．６以上である。
また、本発明の電子デバイスは、上記透明導電体を備える。

本発明の透明導電体によれば、白金族元素含有層に隣接して金属材料が形成された導電層を有するため、白金族元素と金属材料との相互作用が得られ、薄いながらも均一な厚さの導電層が得られる。
さらに、アドミッタンス調整層により導体層の光学アドミッタンスＹ_１及びＹ_２を調整することにより、透明導電体の光透過性を向上させることができる。
従って、透明導電体において、導電性の向上と光透過性の向上との両立が可能となる。また、この透明導電体を用いて、導電性と光透過性とに優れる電子デバイスを構成することができる。

本発明によれば、導電性と光透過性とに優れた透明導電体、及び、電子デバイスを提供することができる。

第１実施形態の透明導電体の概略構成を示す図である。 基材上に導電層を形成した場合のアドミッタンス軌跡を示す図である。 第１実施形態の透明導電体のアドミッタンス軌跡を示す図である。 第２実施形態の透明導電体の概略構成を示す図である。 第２実施形態の透明導電体のアドミッタンス軌跡を示す図である。 第３実施形態の有機電界発光素子の概略構成を示す図である。 実施例２で作製したボトムエミッション型の有機電界発光素子の概略構成を示す図である。

以下、本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．透明導電体（第１実施形態）
２．透明導電体（第２実施形態）
３．有機電界発光素子（第３実施形態）
４．照明装置（第４実施形態）

〈１．透明導電体（第１実施形態）〉
本発明の第１実施形態について説明する。図１に、第１実施形態の透明導電体の概略構成図（断面図）を示す。
図１に示すように、透明導電体１０は、アドミッタンス調整層１２と、導電層１５とを備える。導電層１５は、金属材料層１４と、この金属材料層１４に隣接する白金族元素含有層１３が設けられた構成である。また、白金族元素含有層１３は、金属材料層１４とアドミッタンス調整層１２との間に挟まれた構成を有している。そして、アドミッタンス調整層１２と、白金族元素含有層１３及び金属材料層１４からなる導電層１５とを透明導電体１０が、基材１１上に形成されている。
つまり、透明導電体１０は、基材１１上に、アドミッタンス調整層１２、白金族元素含有層１３、及び、金属材料層１４がこの順に積層された構成である。そして、導電層１５において、白金族元素含有層１３が、アドミッタンス調整層１２と金属材料層１４との間に挟持された構成である。

透明導電体１０は波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が１５％以下、且つ、吸収率の最大値が２５％以下であることが好ましい。
透明導電体１０は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が１５％以下、好ましくは１２％以下であり、さらに１０％以下であることが好ましい。また、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は２５％以下であり、好ましくは２０％以下であり、さらに１５％以下であることが好ましい。透明導電体１０の光の吸収率は、導電層１５のプラズモン吸収率や、各層を構成する材料の光吸収率を抑制することで、低減することができる。

また、透明導電体１０の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均透過率は、５０％以上であることが好ましく、より好ましくは７０％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。一方、透明導電体１０の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光の平均反射率は、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。上記波長の光の平均透過率が５０％以上であり、かつ平均反射率２０％以下であると、高い透明性が要求される用途にも、透明導電体１０を適用できる。

上記吸収率、平均透過率及び平均反射率は、透明導電体の正面に対して５°傾けた角度から測定光を透明導電体に入射させて測定される値である。吸収率、平均透過率及び平均反射率は、分光光度計で測定される。

また、透明導電体１０の表面抵抗は、３０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、さらに好ましくは１５Ω／ｓｑ．以下である。透明導電体１０の表面抵抗値は、導電層１５の厚み等によって調整できる。透明導電体１０の表面抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定できる。また、市販の表面抵抗率計によっても測定できる。

以下に、本例の透明導電体１０について、基材１１、アドミッタンス調整層１２、白金族元素含有層１３、及び、導電層１５の順に、詳細な構成を説明する。なお、本例の透明導電体１０において、透明とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。

［基材１１］
透明導電体１０が形成される基材１１は、この上に形成される各種素子の支持材である。基材１１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、このような基材１１としては、例えばガラス、石英、透明樹脂フィルム等を挙げることができるが、これらに限定されない。

基材１１は、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。基材１１の光の平均透過率が低いと、透明導電体全体の光の平均透過率が低下する。また、基材１１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。

基材１１の平均透過率は、基材１１の正面に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させて測定した値である。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の方法で基材１１の平均反射率を測定し、［平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）］として算出される値である。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定する。

基材１１の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０である。基材１１の屈折率は、通常、基材１１の材質によって定まる。基材１１の屈折率は、波長５１０ｎｍの光の屈折率であり、エリプソメーターで測定される。

基材１１の厚みは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。基材１１の厚みが１μｍより薄い場合には、基材１１の強度が低くなり、基材１１上に素子を形成する際に破損する可能性がある。また、基材１１の厚みが厚すぎると、透明導電体の可撓性や光透過性が低下する原因となる場合がある。

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、透明導電体１０の積層構造との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて研磨等の物理的処理や、無機物又は有機物からなる被膜、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。またさらには、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、樹脂フィルムの劣化をもたらす水分や酸素等素子の浸入を抑制する機能を有する材料を用いる。例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。特に、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法を好ましく用いることができる。

［アドミッタンス調整層］
アドミッタンス調整層１２は、透明導電体１０の反射率や透過率等の光学特性、特に、導電層１５の反射率を調整するために設けられる層である。アドミッタンス調整層１２による透明導電体１０のアドミッタンス調整に関しては、後述する。

アドミッタンス調整層１２は、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含む層であることが好ましい。アドミッタンス調整層１２を構成する材料は、金属酸化物または金属硫化物であることが好ましい。金属酸化物又は金属硫化物の例には、酸化チタン（ＴｉＯ_２：ｎ＝２．１〜２．４）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：ｎ＝１．９〜２．２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：ｎ＝１．９〜２．０）、硫化亜鉛（ＺｎＳ：ｎ＝２．０〜２．２）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５：ｎ＝２．２〜２．４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２：ｎ＝２．０．〜２．１）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２：ｎ＝１．９〜２．２）、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５：ｎ＝１．９〜２．２）、酸化錫（ＳｎＯ_２：ｎ＝１．８〜２．０）等が含まれ、屈折率や生産性の観点からＴｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５であることが好ましい。アドミッタンス調整層１２には、誘電性材料または酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

アドミッタンス調整層１２は、導電層１５の設けられている側の反対側でアドミッタンス調整層１２が接する層よりも高い屈折率を有することが好ましい。本例であれば、アドミッタンス調整層１２は、透明導電体１０が設けられている基材１１よりも高い屈折率を有することが好ましい。

また、アドミッタンス調整層１２の屈折率は、１．８以上であることが好ましく、より好ましくは２．１以上２．５以下である。後述するように、アドミッタンス調整層１２の屈折率が１．８より高いと、透明導電体１０の光透過性が高まりやすい。また、アドミッタンス調整層１２の屈折率は、基材１１の屈折率よりも、０．１〜１．１以上大きいことが好ましく、０．４〜１．０以上大きいことがより好ましい。アドミッタンス調整層１２の屈折率は、波長５１０ｎｍの光の屈折率であり、エリプソメーターで測定される。アドミッタンス調整層１２の屈折率は、アドミッタンス調整層１２を構成する材料や、アドミッタンス調整層１２中の材料の密度等によって調整される。

アドミッタンス調整層１２の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。アドミッタンス調整層１２の厚みが１０ｎｍ未満であると、透明導電体１０の光透過性を十分に高めることが難しい。一方、アドミッタンス調整層１２の厚みが１５０ｎｍを超えると、透明導電体１０の透明性（反射防止性）が高まらない。アドミッタンス調整層１２の厚みは、エリプソメーターで測定される。

アドミッタンス調整層１２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層であり得る。アドミッタンス調整層１２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で形成された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。

［導電層］
導電層１５は、導電層１５を主として構成する金属材料層１４と、この金属材料層１４に隣接して設けられた白金族元素含有層１３とから構成される。

導電層の吸収は、金属固有の吸収（以下、固有吸収）と、主に導電層の表面形状に起因するプラズモン吸収の２つの吸収の総計で決まる。固有吸収は導電層が薄いほど小さく、プラズモン吸収は表面が平滑なほど小さいため、導電層ができるだけ薄く、表面が平滑であることが、導電層の吸収を小さくする上で有効である。

導電層１５のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの全範囲で２０％以下であることが好ましい。さらに、導電層１５のプラズモン吸収率は、１５％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。上記波長におけるプラズモン吸収率が大きいと、導電層１５の光の透過率が低くなる。また、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると導電層１５の透過光が着色しやすくなる。

［白金族元素含有層］
白金族元素含有層１３は、金属材料層１４に隣接して設けられた白金（Ｐｔ）、及び、パラジウム（Ｐｄ）の少なくともいずれかを含む層である。また、本例では、白金族元素含有層１３は、アドミッタンス調整層１２上に直接形成されている層である。

アドミッタンス調整層１２上に金属材料層１４を形成する場合、アドミッタンス調整層１２に付着した金属原子が表面拡散しながら、ある大きさの塊（核）を生成する。そして、この塊（核）の周囲に沿うように、初期の薄膜成長が進む。このため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長し、厚みが１５μｍ程度になると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、膜の表面がいまだ平滑ではなく、プラズモン吸収が生じやすい。

これに対し、予めアドミッタンス調整層１２上に、白金（Ｐｔ）、及び、パラジウム（Ｐｄ）の少なくともいずれかを含む成長核を形成すると、金属材料層１４を構成する金属材料が、アドミッタンス調整層１２上を移動し難くなる。
また、ＰｔやＰｄでは成長核同士の間隔を、原子が表面拡散して形成される塊同士の間隔よりも狭くすることができる。従って、この成長核を起点として膜が成長すると、厚みが薄くても平坦な膜となりやすい。つまり、厚みが薄くても導通が得られ、さらにプラズモン吸収の生じ難い金属材料層１４を形成することができる。

上述の成長核は、アドミッタンス調整層１２上を表面拡散し難い金属で形成する。このような金属としては、上述の白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）単体、又は、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む材料を用いることができる。Ｐｔ、及び、Ｐｄは、これらの１種のみを用いてもよく、２種を組み合わせて用いてもよい。また、Ｐｔ、及び、Ｐｄに加えて、例えば、金、コバルト、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、クロム、ニッケル等を含む合金を用いてもよい。

白金族元素含有層１３は、アドミッタンス調整層１２上で表面拡散し難く、かつ金属材料層１４を構成する金属材料との親和性が高い必要がある。また、緻密で細かい成長核が得られることが好ましい。例えば、ＩＡＤなどのアシストを用いて、成長する層を細かく砕きながら形成することで、所望の層（成長核）を得ることができる。

白金族元素含有層１３を構成する層（成長核）の平均厚みは３ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１ｎｍ以下、さらに好ましくは単原子層である。層（成長核）の平均厚みは、形成速度及び形成時間により調整する。

また、白金族元素含有層１３は、連続した均質な膜でもよく、白金族元素の層が形成されていない欠陥や空孔が形成された非連続部がある膜や、金属原子が互いに離間して分散された状態で付着している、いわゆる島状構造であってよい。好ましくは、金属原子が互いに離間して付着している状態である。
さらに、白金族元素含有層１３のみによる単独層として形成されていてもよく、白金族元素含有層１３上に形成される金属材料層１４の金属材料と混在した層となっていてもよい。

白金族元素含有層１３は、厚み３ｎｍ以下のＰｔ、Ｐｄを含む層（成長核）を、スパッタ法又は蒸着法を用いて形成することができる。或いは、Ｐｔ、Ｐｄを含む層を形成し、この層をドライエッチングして、白金族元素の層（成長核）を残存させる方法により形成することができる。

スパッタ法としては、例えば、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等を用いることができる。スパッタ時間は、形成する白金族元素の層（成長核）の平均厚み、及び、形成速度に合わせて適宜選択する。スパッタ形成速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

一方、蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等を用いることができる。蒸着時間は、形成する層（成長核）及び、形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

また、アドミッタンス調整層１２上に白金族元素の層を形成した後、この層を所望の厚みまでドライエッチングする方法では、白金族元素の層の形成方法は特に制限されない。例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の気相成膜法や、メッキ法等の湿式成膜法を用いることができる。形成する白金族元素の層の平均厚みは３〜１５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１０ｎｍである。白金族元素の層の平均厚みが３ｎｍ未満であると、金属の量が少なく、十分な成長核が得られないおそれがある。

白金族元素の層のドライエッチング方法としては、エッチングガスやイオン、ラジカル等の物理的な衝突を伴うエッチング方法をいい、化学的な反応のみによってエッチングを行う反応性ガスエッチング等は含まない。このような物理的な衝突を伴うエッチング方法であれば特に制限されず、例えば、イオンビームエッチング、逆スパッタエッチング、プラズマエッチング等を用いることができる。
特にエッチング後の薄膜（成長核）に所望の凹凸を形成しやすいとの観点から、イオンビームエッチングが特に好ましい。

白金族元素含有層１３を構成する層（成長核）が厚すぎると、成長核を形成しても、薄くかつ平滑な金属材料層１４が得られ難い。さらに、この白金族元素含有層１３の成長核を起点に形成される金属材料層１４が厚くなる。白金族元素含有層１３の成長核の平均厚みは、白金族元素の層の厚みと、白金族元素の層のエッチング厚みとの差から求める。白金族元素の層のエッチング厚みは、エッチングレートとエッチング時間との積である。エッチングレートは、別途ガラス基板上に作製した厚み５０ｎｍの白金族元素の層を同条件でエッチングし、エッチング後の光の透過率がガラス基板と同等になる（大凡厚み０ｎｍ）までの時間から求める。白金族元素含有層１３の成長核の平均厚みは、ドライエッチングする時間で調整する。

［金属材料層］
金属材料層１４は、白金族元素含有層１３に隣接して形成された、金属材料からなる層である。
金属材料層１４に含まれる金属は特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等を用いることができる。金属材料層１４は、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

金属材料層１４は、固有吸収が小さく、かつ電気伝導率が大きいとの観点から、銀又は銀（Ａｇ）を主成分として構成された層であることが好ましい。金属材料層１４を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金としては、銀を５０質量％以上含む合金であることが好ましい。銀を主成分とした合金としては、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。
以上のような金属材料層１４は、銀又は銀を主成分とする合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。

このような金属材料層１４の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また、金属材料層１４は、白金族元素含有層１３上に形成されることにより、形成後の高温アニール処理等がなくても十分な導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、形成後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。

金属材料層１４は、厚さが３〜１５ｎｍの範囲にあることが好ましい。厚さが１５ｎｍ以下、特に１２ｎｍ以下であることにより、層の吸収成分又は反射成分が低く抑えられ、透明導電体の光透過率が維持されるため好ましい。また、金属材料層１４は、少なくとも厚さが３ｎｍ以上あれば、透明導電体１０の導電性が確保される。

さらに、透明導電体１０の光透過性を阻害しないために、金属材料層１４と白金族元素含有層１３との合計の厚さが、１５ｎｍ以下となるように金属材料層１４の厚さを設定することが好ましく、特に合計の厚さを１２ｎｍ以下とすることが好ましい。金属材料層１４と白金族元素含有層１３との合計の厚さが１５ｎｍ以下では、層の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、透明導電体１０の光透過率が維持されるため好ましい。さらに、金属材料層１４と白金族元素含有層１３との合計の厚さを１２ｎｍ以下とすることにより、透明導電体１０の光透過性がさらに向上する。

なお、以上のような、白金族元素含有層１３、及び白金族元素含有層１３に隣接して設けられた金属材料層１４からなる導電体１５は、金属材料層１４の上部が保護膜で覆われていてもよく、別の導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明導電体１０の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び導電性層が光透過性を有することが好ましい。

［透明導電体の光学アドミッタンスについて］
次に、透明導電体１０の光学アドミッタンスについて説明する。透明導電体１０のアドミッタンス調整層１２は、導電層１５の固有吸収と反射率を調整する機能を有する。

ここで、透明導電体１０の表面の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０と、透明導電体１０表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとから定まり、これらの関係は以下の式で表される。

上記の式に基づけば、｜ｙ_０−Ｙ_Ｅ｜が０に近い程、反射率Ｒが低くなる。ここで、例えば、光が入射する媒質が空気であるとすると、空気の光学アドミッタンスｙ_０は１であることから、等価アドミッタンスＹ_Ｅが１に近ければ近いほど、透明導電体１０の反射率Ｒが低くなる。
また、別の例として、透明導電体１０の上に有機ＥＬ層を積層した場合、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０は、有機ＥＬ層を構成する材料の屈折率で決まる値となる。例えば、有機ＥＬ層として、透明導電体１０の上に屈折率１．８の有機材料を積層した構成の場合、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０は１．８となる。このため、等価アドミッタンスＹ_Ｅが１．８に近ければ近いほど、透明導電体１０の反射率Ｒが低くなる。

光学アドミッタンスＹは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常屈折率と同一である。等価アドミッタンスＹ_Ｅは、透明導電体１０を構成する各層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば、透明導電体１０が一層からなる場合には、透明導電体１０の等価アドミッタンスＹ_Ｅは、当該層の光学アドミッタンスＹと等しくなる。

一方、透明導電体１０が積層体である場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ−１（Ｅ_ｘ−１ Ｈ_ｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され；具体的には以下の式（１）または式（２）にて求められる。

・ｘ層目が誘電性材料または酸化物半導体材料からなる層である場合

上記式において、δ＝２πｎｄ/λであり、ｙ＝ｎ（ｘ層目の膜のアドミッタンス）、ｄはｍ層目の膜の厚みである。

・ｘ層目が理想金属層である場合

上記式において、γ＝２πｋｄ／λ、ｄはｘ層目の膜の厚み、ｋは膜の屈折率（虚部）である。

そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明支持材から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）が、当該透明導電体１０の等価アドミッタンスＹ_Ｅとなる。

ここで、図２に基材１１上に直接導電層１５を形成した場合における、波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。また、図３に、基材１１上にアドミッタンス調整層１２を介して導電層１５を形成した場合における、波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。

図２においては、導電層１５の基材１１側の界面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスを、Ｙ_１＝ｘ_１+ｉｙ_１とする。一方、図３においては、導電層１５のアドミッタンス調整層１２側の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスを、Ｙ_１＝ｘ_１+ｉｙ_１とする。
さらに、図２及び図３において、導電層１５の上記Ｙ_１と反対側の界面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスを、Ｙ_２＝ｘ_２+ｉｙ_２とする。このＹ_２が、透明導電体１０の等価アドミッタンスＹ_Ｅに相当する。なお、上記Ｙ_１と反対側の界面とは、図２においては導電層１５の基材１１と反対側の界面、図３においては導電層１５のアドミッタンス調整層１２と反対側の界面である。

また、アドミッタンス軌跡を示すグラフにおいて、横軸（Ｒｅ）は、光学アドミッタンスＹを、［Ｙ＝ｘ+ｉｙ］と表わしたときの実部、つまり当該式におけるｘである。また、縦軸（ＩＭ）は、光学アドミッタンスの虚部、つまり当該式におけるｙである。

図２に示すアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス軌跡の始点の座標が、基材１１の導電層１５側の等価アドミッタンスＹ_Ｚであり、アドミッタンス座標（ｘ_Ｚ，ｙ_Ｚ）である。また、導電層１５の基材１１と反対側の界面の等価アドミッタンスＹ_２がアドミッタンス座標（ｘ_２，ｙ_２）である。

図２では、基材上に直接導電層１５を形成した場合を示しているため、導電層１５の基材１１側の等価アドミッタンスＹ_１のアドミッタンス座標（ｘ_１，ｙ_１）は、Ｙ_Ｚアドミッタンス座標（ｘ_Ｚ，ｙ_Ｚ）に一致する。
そして、このアドミッタンス軌跡の始点は、基材１１の表面であるため、基材１１側の等価アドミッタンスＹ_１が基材１１の屈折率（例えば、ｎ：１．５）に依存し、Ｙ_ＺとＹ_１のアドミッタンス座標（ｘ_Ｚ，ｙ_Ｚ）＝（ｘ_１，ｙ_１）＝（１．５，０）となる。

図３に示すアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス軌跡の始点の座標が、基材１１とアドミッタンス調整層１２との界面の等価アドミッタンスＹ_Ｚであり、アドミッタンス座標（ｘ_Ｚ，ｙ_Ｚ）＝（１．５，０）となる。
そして、導電層１５とアドミッタンス調整層１２との界面の等価アドミッタンスＹ_１がアドミッタンス座標（ｘ_１，ｙ_１）である。導電層１５のアドミッタンス調整層１２と反対側の界面の等価アドミッタンスＹ_２がアドミッタンス座標（ｘ_２，ｙ_２）である。

図２及び図３において、アドミッタンス軌跡の終点の座標が、透明導電体１０の等価アドミッタンスＹ_Ｅである。透明導電体１０の等価アドミッタンスＹ_Ｅのアドミッタンス座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）との距離が、透明導電体１０表面の反射率Ｒに比例する。つまり、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）との距離が近ければ近いほど、透明導電体１０の反射率Ｒが小さくなる。

上述のように、透明導電体１０の等価アドミッタンスＹ_Ｅは、導電層１５のアドミッタンス調整層１２と反対側の界面の等価アドミッタンスＹ_２に等しい。従って、本例では、導電層１５の等価アドミッタンスＹ_２のアドミッタンス座標（ｘ_２，ｙ_２）と、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）との距離が近ければ近いほど、透明導電体１０の反射率Ｒが小さくなる。

例えば、光が入射する媒質が空気の場合には、空気の屈折率（ｎ：１）から、光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）＝（１，０）となる。また、有機ＥＬ素子のような有機層であれば、有機層の屈折率を例えばｎ＝１．８とした場合、光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）＝（１．８，０）となる。
従って、導電層１５の等価アドミッタンスＹ_２のアドミッタンス座標（ｘ_２，ｙ_２）が、光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（１，０）や（１．８，０）に近づくほど、透明導電体１０の反射率Ｒが小さくなる。

また、反射率Ｒと、等価アドミッタンスＹ_Ｅ、及び、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０との関係式に基づけば、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）が、光が入射する媒質のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）より右側にあると、反射率Ｒが小さくなりやすい。従って、等価アドミッタンスＹ_Ｅのｘ座標ｘ_Ｅ、つまり、導電層１５の等価アドミッタンスＹ_２のｘ座標ｘ_２は、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０のｘ座標ｘ_０よりも大きいことが好ましい。

本実施形態の透明導電体１０では、導電層１５の両主面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ_１、Ｙ_２とする。そして、光学アドミッタンスＹ_１＝ｘ_１＋ｉｙ_１とし、光学アドミッタンスＹ_２＝ｘ_２＋ｉｙ_２とした場合に、ｘ_１及びｘ_２のうち、少なくともいずれか一方が１．６以上である。また、好ましくはｘ_１及びｘ_２の両方が１．６以上である。つまり、図３のアドミッタンス軌跡におけるＹ_１（ｘ_１，ｙ_１）、及び、Ｙ_２（ｘ_２，ｙ_２）の少なくともいずれか一方の横軸座標が１．６以上である。その理由を以下に示す。

なお、透明導電体１０の導電層１５が複数の層から形成されている場合には、最もアドミッタンス調整層１２側の層の導電層１５の界面の光学アドミッタンスをＹ_１＝ｘ_１＋ｉｙ_１とする。そして、最もアドミッタンス調整層１２と反対側の層の導電層１５の界面の光学アドミッタンスをＹ_２＝ｘ_２＋ｉｙ_２とする。
従って、金属材料層１４と白金族元素含有層１３とからなる導電層１５の場合には、アドミッタンス調整層１２側の白金族元素含有層１３の界面の光学アドミッタンスをＹ_１＝ｘ_１＋ｉｙ_１とする。そして、アドミッタンス調整層１２と反対側の金属材料層１４の界面の光学アドミッタンスをＹ_２＝ｘ_２＋ｉｙ_２とする。

導電層１５を構成する金属材料は、一般的に光学アドミッタンスの虚部の値が大きく、金属材料を積層すると、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。
例えば、アドミッタンス調整層１２を設けずに、基材１１上に直接導電層１５を積層すると、上述の図２に示すように、アドミッタンス軌跡が、始点（ｘ_ｚ，ｙ_ｚ）である基材１１のアドミッタンス座標（１．５，０）から、縦軸（虚部）方向にある（ｘ_２，ｙ_２）に大きく移動する。つまり、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が非常に大きくなる。このように、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が大きくなると、導電層１５の光学アドミッタンスＹ_２（透明導電体１０の等価アドミッタンスＹ_Ｅ）は、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）から遠ざかる方向に移動する。このため、導電層１５の光学アドミッタンスＹ_２を、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０、例えば、空気のアドミッタンス座標（１，０）や、有機材料のアドミッタンス座標（１．８，０）に近づけることが難しくなる。

また、導電層１５の基材１１側の界面のアドミッタンスＹ_１である、アドミッタンス軌跡の始点（ｘ_ｚ，ｙ_ｚ）が、基材１１のアドミッタンス座標（１．５，０）から殆ど移動しない場合には、アドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になり難い。このように、アドミッタンス軌跡が、横軸を中心に線対称にならないと、他の波長（５７０ｎｍ以外）においても、アドミッタンス軌跡がぶれやすく、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標が一定になりにくい。このため、反射防止効果が十分でない波長領域が生じやすい。

これに対し、図３に示す、基材１１／アドミッタンス調整層１２／導電層１５をこの順に備える透明導電体１０の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス調整層１２により、導電層１５のアドミッタンスＹ_１のアドミッタンス座標（ｘ_１，ｙ_１）が、アドミッタンス軌跡の始点（ｘ_Ａ，ｙ_Ａ）から横軸（実部）及び縦軸（虚部）の正方向に大きく移動する。
特に、Ｙ_１の実部の座標ｘ_１を１．６以上とすると、アドミッタンス軌跡の円弧が大きくなり、導電層１５のアドミッタンスＹ_１のアドミッタンス座標（ｘ_１，ｙ_１）が、アドミッタンス軌跡の始点（ｘ_ｚ，ｙ_ｚ）から、虚部の正方向に大きく移動する。

つまり、導電層１５によって、アドミッタンス軌跡が虚部の負方向に大きく移動しても、Ｙ_２の虚部の絶対値｜ｙ_２｜が大きくなり難い。さらに、導電層１５のアドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になりやすい。このため、他の波長（５７０ｎｍ以外）においても、アドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称となりやすく、各波長の等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標がほぼ同一になる。つまり、いずれの波長においても、等価アドミッタンスＹ_Ｅの値が、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）に近づきやすくなる。これはいずれの波長においても、十分な反射防止効果が得られることを示す。

導電層１５として、金属材料を用いる場合には、導電層１５において発生する光吸収には、２つの起源が考えられる。１つは金属材料本来の吸収であり、もう１つは導電層１５の構造に起因するプラズモン吸収である。導電層１５のアドミッタンスを高く保つことで金属材料本来の吸収を最小化することができる。
ここで、各層界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。

上記関係式に基づけば、アドミッタンスＹが大きくなれば電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。従って、アドミッタンス調整層１２により、導電層１５のアドミッタンスＹ_１の実部の座標ｘ_１を１．６以上となるように調整すると、導電層１５のアドミッタンスＹ_１が大きくなり、導電層１５による光の吸収が少なくなる。

また、アドミッタンス調整層１２により、導電層１５のアドミッタンスＹ_２の実部の座標ｘ_２を１．６以上に調整した場合にも、導電層１５のアドミッタンスＹ_２が大きくなり、導電層１５による光の吸収が少なくなる。また。導電層１５のアドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になりやすく、導電層１５の電場が小さくなるため、導電層１５による光の吸収が抑制される。

上述のように、ｘ_１及びｘ_２は、少なくともどちらかが１．６以上７．０以下であることが好ましい。より好ましくは、ｘ_１及びｘ_２が共に１．６以上７．０以下である。さらに好ましくは、ｘ_１及び／又はｘ_２が、１．８以上５．５以下、さらに２．０以上３．０以下であることが好ましい。

また、ｘ_１及びｘ_２のうち、特にｘ_１が１．６以上であることが好ましい。ｘ_１は、アドミッタンス調整層１２の屈折率や、アドミッタンス調整層１２の厚み等によって調整される。この場合、ｘ_２は１．３以上５．５以下であることが好ましく、さらに好ましくは１．５以上３．５以下である。ｘ_２は、導電層１５を構成する材料の屈折率や、導電層１５の厚み等によって調整される。

ここで、ｘ_１とｘ_２との差の絶対値｜ｘ_１−ｘ_２｜は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。また特に、導電層１５のアドミッタンス軌跡と横軸との交点の座標Ｙcross（ｘ_cross，０）とした場合に｜ｘ_１−ｘ_２｜／ｘ_crossが０．５より小さいことが好ましく、より好ましくは０．３以下であり、さらに好ましくは０．２以下である。

また、アドミッタンス軌跡をグラフの横軸を中心に線対称とするため、上記Ｙ_１の虚部の座標ｙ_１と、Ｙ_２の虚部の座標ｙ_２が、ｙ_１×ｙ_２＜０を満たすことが好ましい。

また、さらに、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）との距離（｜ｘ_Ｅ−ｘ_０｜＋｜ｙ_Ｅ−ｙ_０｜）は、０．９以下であることが好ましく、より好ましくは０．６以下、さらに好ましくは０．３以下である。

［透明導電体の効果］
以上のように構成された透明導電体１０は、白金族元素含有層１３に隣接させて金属材料層１４が形成された、導電層１５を設けた構成である。これにより、白金族元素含有層１３に隣接させて金属材料層１４を形成する際には、金属材料層１４を構成する金属原子が白金族元素含有層１３を構成するＰｔやＰｄと相互作用し、金属原子の白金族元素含有層１３表面での拡散距離が減少し、金属材料の凝集が抑えられる。このため、一般的には核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）での成長により島状に孤立し易い金属材料層１４が、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によって形成されるようになる。従って、薄いながらも、均一な厚さの導電層１５が得られるようになる。

さらに、透明導電体１０は、導電層１５の界面の光学アドミッタンスＹ_１の実部ｘ_１、光学アドミッタンスＹ_２の実部ｘ_２が、アドミッタンス調整層１２により、１．６以上となるように調整されている。このように、アドミッタンス調整層１２により、導電層１５の界面のアドミッタンスを調整することにより、透明導電体１０の反射を抑制することができ、光透過性を向上させることができる。

以上の結果、光透過性を確保しつつ、導電性が確保された透明導電体１０を得ることができる。このため、透明導電体１０において、導電性の向上と、光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。

〈２．透明導電体（第２実施形態）〉
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図４に、第２実施形態の透明導電体の概略構成図（断面図）を示す。図４に示すように、第２実施形態の透明導電体２０は、アドミッタンス調整層１２として、第１アドミッタンス調整層２１と第２アドミッタンス調整層２２とを備えることのみが、図１に示す第１実施形態の透明導電体１０と異なる。以下、第１実施形態と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第２実施形態の透明導電体２０の構成を説明する。

図４に示すように、透明導電体２０は、アドミッタンス調整層１２として第１アドミッタンス調整層２１と第２アドミッタンス調整層２２とを備え、さらに、導電層１５とを備える構成である。
導電層１５は、金属材料層１４と、金属材料層１４に隣接する位置に形成された白金族元素含有層１３とからなる。つまり、導電層１５において、白金族元素含有層１３が、金属材料層１４とアドミッタンス調整層１２との間に挟まれた構成である。そして、第２アドミッタンス調整層２２、第１アドミッタンス調整層２１、白金族元素含有層１３、及び、導電層１５からなる透明導電体２０が、基材１１上に形成されている。
つまり、透明導電体２０は、基材１１上に、第２アドミッタンス調整層２２、第１アドミッタンス調整層２１、白金族元素含有層１３、及び、金属材料層１４がこの順に積層された構成であり、第１アドミッタンス調整層２１と金属材料層１４とに白金族元素含有層１３が挟持された構成である。

第２実施形態の透明導電体２０において、導電層１５を構成する白金族元素含有層１３及び金属材料層１４は、上述の第１実施形態と同様の構成である。また、第１アドミッタンス調整層２１は、上述の第１実施形態の透明導電体のアドミッタンス調整層と同様の構成とすることができる。このため、第１アドミッタンス調整層２１、及び、この上に形成される導電層１５、白金族元素含有層１３、金属材料層１４の構成は、詳細な説明を省略する。

［第２アドミッタンス調整層］
第２アドミッタンス調整層２２は、アドミッタンス調整層１２を構成する２層のうち、導電層１５が形成されない側に設けられた層である。つまり、アドミッタンス調整層１２では、導電層１５が形成されている側に第１アドミッタンス調整層２１が設けられ、導電層１５が形成されている側と反対側に第２アドミッタンス調整層２２が設けられている。

第２アドミッタンス調整層２２は、第１アドミッタンス調整層２１よりも低い屈折率を有す層である。特に、第２アドミッタンス調整層２２は、第１アドミッタンス調整層２１よりも、特に波長５５０ｎｍにおける屈折率が０．２以上低いことが好ましい。この第２アドミッタンス調整層２２としては、例えば、低い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成される。例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２：ｎ＝１．３７）、フッ化リチウム（ＬｉＦ：ｎ＝１．３９）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２：ｎ＝１．４３）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ_３：ｎ＝１．３８）等の光学フィルムに一般的に用いられる低屈折率材料やPoly(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl acrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl acrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl methacrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,3-pentafluoropropyl acrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl methacrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(2,2,3,4,4,4-hexafluorobutyl acrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(2,2,3,3,3-pentafluoropropyl methacrylate)：ｎ＝１．４０、Poly(2,2,2-trifluoroethyl acrylate)：ｎ＝１．４１、Poly(2,2,3,3-tetrafluoropropyl acrylate)：ｎ＝１．４２、Poly(2,2,3,3-tetrafluoropropyl methacrylate)：ｎ＝１．４２、Poly(2,2,2-trifluoroethyl methacrylate)：ｎ＝１．４２等のポリマー材料などが用いられる。

第２アドミッタンス調整層２２の厚みは、４０〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５０〜１８０ｎｍである。アドミッタンス調整層１２の厚みが４０ｎｍ未満又は２００ｎｍを超えると、透明導電体２０の光透過性を十分に高めることが難しい。アドミッタンス調整層１２の厚みは、エリプソメーターで測定される。

［透明導電体１０の光学アドミッタンスについて］
次に、透明導電体２０の光学アドミッタンスについて説明する。
図５に、透明導電体２０の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。

導電層１５の第１アドミッタンス調整層２１側の界面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ_１＝ｘ_１+ｉｙ_１とし、導電層１５の第１アドミッタンス調整層２１と反対側の界面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ_２＝ｘ_２+ｉｙ_２とする。
導電層１５の光学アドミッタンスＹ_２のアドミッタンス座標（ｘ_２，ｙ_２）が、透明導電体２０の等価アドミッタンスＹ_Ｅに相当する。

図５に示すアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス軌跡の始点の座標が、基材１１の導電層１５側の等価アドミッタンスＹ_Ｚであり、アドミッタンス座標（ｘ_Ｚ，ｙ_Ｚ）である。
そして、透明導電体２０では、第１アドミッタンス調整層２１よりも屈折率の低い第２アドミッタンス調整層２２を備えることにより、アドミッタンス軌跡がアドミッタンス座標（ｘ_Ｚ，ｙ_Ｚ）から、横軸（実部）の負方向にある点Ｗに移動する。この移動した点Ｗは、第１アドミッタンス調整層２１と第２アドミッタンス調整層２２との界面の光学アドミッタンスに相当する。

さらに、図５に示すように、第１アドミッタンス調整層２１を備えることにより、Ｙ_１の実部の座標ｘ_１が１．６以上となるように、透明導電体２０のアドミッタンス軌跡を調整することができる。また、導電層１５のアドミッタンス軌跡をグラフの横軸を中心に線対称に近付けることができる。
第１アドミッタンス調整層２１による透明導電体２０への作用は、上述第１実施形態で説明した透明導電体へのアドミッタンス調整層の作用と同様である。

上述のように、屈折率の低い第２アドミッタンス調整層２２を備えることにより、アドミッタンス軌跡が、横軸（虚部）において負方向に移動する。負方向に移動する。このため、第２アドミッタンス調整層２２を備えない上述の第１実施形態の場合に比べて、正方向にある導電層１５の光学アドミッタンスＹ_１のアドミッタンス座標（ｘ_１，ｙ_１）、及び、光学アドミッタンスＹ_２のアドミッタンス座標（ｘ_２，ｙ_２）が、共に負方向に移動する。
この結果、導電層１５の光学アドミッタンスＹ_２を、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０、例えば、空気のアドミッタンス座標（１，０）や、有機材料のアドミッタンス座標（１．８，０）に近づけることできる。

従って、等価アドミッタンスＹ_Ｅの値が、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_０のアドミッタンス座標（ｘ_０，ｙ_０）に近づきやすくなり、透明導電体２０の反射率を低下させ、光透過性を向上させることができる。また、導電層１５のアドミッタンスを高く保つことで金属材料本来の吸収を最小化することができる。

上述のように、アドミッタンス調整層１２を複数層で形成する場合には、アドミッタンス調整層１２を構成する材料や厚さを適宜組み合わせることにより、設計自由度が向上する。このため、アドミッタンス調整層を単層で形成する場合に比べて、導電層１５の光学アドミッタンスＹ_１及びＹ_２の調整が容易になり、また、光学アドミッタンスＹ_１及びＹ_２を最適化できる範囲が広がる。
従って、アドミッタンス調整層１２を、第１アドミッタンス調整層２１と第２アドミッタンス調整層２２のように複数の層から構成することで、透明導電体の光透過性を向上させることができる。

〈３．有機電界発光素子（第１実施形態：ボトムエミッション型）〉
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態は、電子デバイスの一例として、上述の第２実施形態の透明導電体を用いたボトムエミッション型の有機電界発光素子について説明する。図６に、本実施形態の有機電界発光素子の断面構成図を示す。以下にこの図に基づいて有機電界発光素子の構成を説明する。

［有機電界発光素子の構成］
図６に示す有機電界発光素子３０は、透明基板である基材１１上に設けられており、基材１１側から順に、アノードとなる透明導電体２０、発光機能層１６、及びカソードとなる対向電極１７が積層されている。このうち、透明導電体２０として、上述の第１実施形態の透明導電体２０が用いられている。このため有機電界発光素子３０は、発生させた光（以下、発光光ｈと記す）を、少なくとも基材１１側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。

また、有機電界発光素子３０の全体的な層構造は、上記に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。ここでは、透明導電体２０がアノード（すなわち陽極）側に配置され、主に導電層１５の金属材料層１４がアノードとして機能する一方、対向電極１７がカソード（すなわち陰極）として機能する。

この場合、例えば発光機能層１６は、アノードである透明導電体２０の上部に［正孔注入層１６ａ／正孔輸送層１６ｂ／発光層１６ｃ／電子輸送層１６ｄ／電子注入層１６ｅ］をこの順に積層した構成を例示できるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層１６ｃを有する。正孔注入層１６ａ及び正孔輸送層１６ｂは、正孔輸送性と正孔注入性とを有する正孔輸送／注入層として設けられてもよい。電子輸送層１６ｄ及び電子注入層１６ｅは、電子輸送性と電子注入性とを有する単一層として設けられてもよい。また、これらの発光機能層１６のうち、例えば電子注入層１６ｅは無機材料で構成されていてもよい。

また、発光機能層１６は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層１６ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させて発光層ユニットとして形成されていてもよい。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらにカソードである対向電極１７も、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成において、透明導電体２０と対向電極１７とで発光機能層１６が挟持されている部分のみが、有機電界発光素子３０における発光領域となる。

また、以上のような層構成においては、透明導電体２０の低抵抗化を図ることを目的とし、透明導電体２０の導電層１５に接して補助電極が設けられていてもよい。

以下、上述した有機電界発光素子３０を構成するための主要各層の詳細を、基材１１、透明導電体２０、対向電極１７、発光機能層１６の発光層１６ｃ、発光機能層１６の他の層、及び補助電極の順に説明する。その後、有機電界発光素子３０の作製方法を説明する。

［基材］
基材１１は、上述の図１に示す第１実施形態の透明導電体２０が設けられる基材のうち、光透過性を有する透明な材料が用いられる。

［透明導電体（アノード側）］
透明導電体２０は、上述の実施形態の透明導電体２０であり、基材１１側から、第２アドミッタンス調整層２２、第１アドミッタンス調整層２１、白金族元素含有層１３、及び、導電層１５がこの順に形成された構成である。ここでは特に、透明導電体２０を構成する導電層１５が実質的なアノードとなる。

［対向電極（カソード）］
対向電極１７は、発光機能層１６に電子を供給するためのカソードとして機能する導電層であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

対向電極１７は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄層を形成させることにより作製することができる。また、対向電極１７としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、厚さは通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

［発光層］
本実施形態の有機電界発光素子に用いられる発光層１６ｃは、発光材料として例えば燐光発光化合物が含有されている。

この発光層１６ｃは、電極又は電子輸送層１６ｄから注入された電子と、正孔輸送層１６ｂから注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層１６ｃの層内であっても発光層１６ｃにおける隣接する層との界面であってもよい。

このような発光層１６ｃとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層１６ｃ間には非発光性の中間層（図示せず）を有していることが好ましい。

発光層１６ｃの厚さの総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い電圧で駆動することができることから１〜３０ｎｍである。なお、発光層１６ｃの厚さの総和とは、発光層１６ｃ間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。

複数層を積層した構成の発光層１６ｃの場合、個々の発光層の厚さとしては、１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、１〜２０ｎｍの範囲に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の厚さの関係については、特に制限はない。

以上のような発光層１６ｃは、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。

また発光層１６ｃは、複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）を同一発光層１６ｃ中に混合して用いてもよい。

発光層１６ｃの構成として、ホスト化合物（発光ホストともいう）、発光材料（発光ドーパント化合物、ゲスト材料ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

（ホスト化合物）
発光層１６ｃに含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに、燐光量子収率が０．０１未満である化合物が好ましい。また、ホスト化合物は、発光層１６ｃに含有される化合物の中で、層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子３０を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Differential Scanning Colorimetry：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。

有機電界発光素子に適用可能なホスト化合物の具体例としては、特開２０１３−４２４５号公報の段落［０１６３］〜［０１７８］に記載の化合物Ｈ１〜Ｈ７９を例示することができる。特開２０１３−４２４５号公報の段落［０１６３］〜［０１７８］に記載の化合物Ｈ１〜Ｈ７９を本願明細書に組み込む。

また、その他の公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。

（発光材料）
本実施形態の有機電界発光素子に用いることのできる発光材料としては、燐光発光性化合物（燐光性化合物、燐光発光材料ともいう）が挙げられる。

燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。

上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本例において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

燐光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは、燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

燐光発光性化合物は、一般的な有機電界発光素子の発光層１６ｃに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物である。さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本実施形態の有機電界発光素子３０においては、少なくとも一つの発光層１６ｃに２種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層１６ｃにおける燐光発光性化合物の濃度比が発光層１６ｃの厚さ方向で変化していてもよい。

燐光発光性化合物は好ましくは発光層１６ｃの総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。

有機エレクトロルミネッセンス素子に適用可能な燐光発光性化合物としては、特開２０１３−４２４５号公報の段落［０１８５］〜［０２３５］に記載の一般式（４）、一般式（５）、一般式（６）で表される化合物、及び、例示化合物を好ましく挙げることができる。また、その他の例示化合物として、Ｉｒ−４６、Ｉｒ−４７、Ｉｒ−４８、を以下に示す。特開２０１３−４２４５号公報の段落［０１８５］〜［０２３５］に記載の一般式（４）、一般式（５）、一般式（６）で表される化合物、及び、例示化合物（Ｐｔ−１〜Ｐｔ−３、Ｏｓ−１、Ｉｒ−１〜Ｉｒ−４５）を本願明細書に組み込む。

上記の燐光発光性化合物（燐光発光性金属錯体等ともいう）は、例えば、Organic Letters誌 vol.3 No.16 2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻 第8号 1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻 4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻第7号 1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻 第12号 3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻 1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻 695〜709頁(2004年)、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

（蛍光発光材料）
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

［注入層：正孔注入層、電子注入層］
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層１６ｃの間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層１６ａと電子注入層１６ｅとがある。

注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層１６ａであれば、アノードと発光層１６ｃ又は正孔輸送層１６ｂの間、電子注入層１６ｅであればカソードと発光層１６ｃ又は電子輸送層１６ｄとの間に配置される。

正孔注入層１６ａは、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。

電子注入層１６ｅは、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。電子注入層１６ｅはごく薄い層であることが望ましく、素材にもよるがその厚さは１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層１６ｂは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層１６ａ、電子阻止層も正孔輸送層１６ｂに含まれる。正孔輸送層１６ｂは単層又は複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、J.Huang et.al.,Applied Physics Letters,80(2002),p.139に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層１６ｂは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層１６ｂの厚さについては特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層１６ｂは、上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、正孔輸送層１６ｂの材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。

このように、正孔輸送層１６ｂのｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

［電子輸送層］
電子輸送層１６ｄは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層１６ｅ、正孔阻止層（図示せず）も電子輸送層１６ｄに含まれる。電子輸送層１６ｄは単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。

単層構造の電子輸送層１６ｄ、及び積層構造の電子輸送層１６ｄにおいて発光層１６ｃに隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層１６ｃに伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層１６ｄの材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層１６ｄの材料として用いることができる。

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されていても、電子輸送層１６ｄの材料として好ましく用いることができる。また、発光層１６ｃの材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層１６ｄの材料として用いることができ、正孔注入層１６ａ、正孔輸送層１６ｂと同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層１６ｄの材料として用いることができる。

電子輸送層１６ｄは、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層１６ｄの厚さについては特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層１６ｄは上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、電子輸送層１６ｄに不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層１６ｄには、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層１６ｄのｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。

また、電子輸送層１６ｄの材料（電子輸送性化合物）としては、例えば、特開２０１３−４２４５号公報の段落［００５７］〜［０１４８］に記載の一般式（１）、一般式（２）、及び、一般式（３）で表される化合物を用いることが好ましく、例示化合物１〜１１１が用いることができる。また、その他の例示化合物として、化合物１１２〜１３４を以下に示す。特開２０１３−４２４５号公報の段落［００５７］〜［０１４８］に記載の一般式（１）、一般式（２）、及び、一般式（３）で表される化合物を、本願明細書に組み込む。

［阻止層：正孔阻止層、電子阻止層］
阻止層は、上述のように有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられる。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層１６ｄの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層１６ｄの構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層１６ｃに隣接して設けられていることが好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層１６ｂの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層１６ｂの構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。阻止層の厚さとしては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍである。

［補助電極］
補助電極は、透明導電体２０の抵抗を下げる目的で設けられ、透明導電体２０の導電層１５に接して設けられる。補助電極を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面からの発光光ｈの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極の線幅は、光を取り出す開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。

［封止材］
封止材は、有機電界発光素子３０を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤によって基材１１側に固定されていてもよく、封止層であってもよい。この封止材は、有機電界発光素子３０における透明導電体２０及び対向電極１７の端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層１６を覆う状態で設けられている。また封止材に電極を設け、有機電界発光素子３０の透明導電体２０及び対向電極１７の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。

板状（フィルム状）の封止材としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。

なかでも、素子を薄型化できるということから、封止材として薄型のフィルム状にしたポリマー基板を好ましく使用することができる。

さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下であることが好ましい。

また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材として用いてもよい。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状に形成される。

また、これに限らず、金属材料を用いてもよい。金属材料としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金が挙げられる。このような金属材料は、薄型のフィルム状にして封止材として用いることにより、有機電界発光素子が設けられた発光パネル全体を薄型化できる。

また、このような板状の封止材を基材１１側に固定するための接着剤は、封止材と基材１１との間に挟持された有機電界発光素子３０を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。

また、このような接着剤としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

なお、有機電界発光素子３０を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、室温から８０℃までに接着硬化できる接着剤を使用することが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。

封止材と基材１１との接着部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、板状の封止材と基材１１と接着剤との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

一方、封止材として封止層を用いる場合、有機電界発光素子３０における発光機能層１６を完全に覆い、かつ有機電界発光素子３０における透明導電体２０及び対向電極１７の端子部分を露出させる状態で、基材１１上に封止層が設けられる。

このような封止層は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機電界発光素子３０における発光機能層１６の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止層の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる層と共に、有機材料からなる層を用いて積層構造としてもよい。

これらの層の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

［保護層、保護板］
尚、ここでの図示は省略したが、基材１１との間に有機電界発光素子ＥＬ及び封止材を挟んで保護層若しくは保護板を設けてもよい。この保護層若しくは保護板は、有機電界発光素子ＥＬを機械的に保護するためのものであり、特に封止材が封止層である場合には、有機電界発光素子ＥＬに対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護層若しくは保護板を設けることが好ましい。

以上のような保護層若しくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄型化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

［有機電界発光素子の作製方法］
ここでは一例として、図６に示す有機電界発光素子３０の製造方法を説明する。

まず、基材１１上に、第２アドミッタンス調整層２２を９０ｎｍ程度の厚さに形成する。次に、第１アドミッタンス調整層２１を４０ｎｍ程度の厚さに形成する。
次に、第１アドミッタンス調整層２１上に、白金族元素含有層１３を１ｎｍ程度形成し、その後、金属材料層１４を３ｎｍ〜１５ｎｍとなるように形成する。白金族元素含有層１３と金属材料層１４は、上述の第１実施形態に記載の方法で形成することができる。以上により、アノード側の透明導電体２０を基材１１上に作製する。
第１アドミッタンス調整層２１、第２アドミッタンス調整層２２の形成は、蒸着法（ＥＢ法等）、スパッタリング法等があるが、緻密な層が得られやすい点から、イオンアシストＥＢ蒸着法又はスパッタリング法が特に好ましい。

次にこの上に、正孔注入層１６ａ、正孔輸送層１６ｂ、発光層１６ｃ、電子輸送層１６ｄ、電子注入層１６ｅの順に形成し、発光機能層１６を形成する。これらの各層の形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、スパッタ法、印刷法等があるが、均質な層が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる形成方法を適用してもよい。これらの各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般に化合物を収蔵したボート加熱温度５０℃〜４５０℃、真空度１０^−６Ｐａ〜１０^−２Ｐａ、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０℃〜３００℃、厚さ０．１μｍ〜５μｍの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。

次に、カソードとなる対向電極１７を、蒸着法やスパッタ法などの適宜の形成方法によって形成する。この際、発光機能層１６によって透明導電体２０に対して絶縁状態を保ちつつ、発光機能層１６の上方から基材１１の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。

これにより、有機電界発光素子３０が得られる。また、その後には、有機電界発光素子３０における透明導電体２０及び対向電極１７の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層１６を覆う封止材を設ける。この際、接着剤を用いて、封止材を基材１１側に接着し、これらの封止材−基材１１間に有機電界発光素子３０を封止する。

以上により、基材１１上に所望の有機電界発光素子３０が得られる。このような有機電界発光素子３０の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層１６から対向電極１７まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から基材１１を取り出して異なる形成法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

このようにして得られた有機電界発光素子３０に直流電圧を印加する場合には、アノードである導電層１５を＋の極性とし、カソードである対向電極１７を−の極性として、電圧２Ｖ以上４０Ｖ以下程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

なお、上述の実施形態では、第２実施形態の透明導電体をボトミエミッション型の有機電界発光素子に適用した構成について説明しているが、第１実施形態の透明導電体を用いて有機電界発光素子を構成することもできる。
さらに、これらの透明導電体が適用される有機電界発光素子は、ボトムエミッション型に限られず、例えば、対向電極側から光を取り出すトップエミッション型の構成や、両面から光を取り出す両面発光型の構成としてもよい。有機電界発光素子がトップエミッション型であれば、対向電極に透明な材料を用いると共に、透明導電体の基材に換えて反射性を有する不透明な基材を用い、発光光ｈを基板で反射させて対向電極側から取り出す構成としてもよい。また、有機電界発光素子が両面発光型であれば、対向電極に透明導電体と同様に透明な材料を用い、発光光ｈを両面から取り出す構成としてもよい。
また、ボトミエミッション型、トップエミッション型及び両面発光型の有機電界発光素子においても、上述の第３実施形態の有機電界発光素子のように、透明導電体をアノードとする構成以外にも、透明導電体をカソードとする構成にも適用可能である。

［有機電界発光素子の用途］
上述した各実施形態の有機電界発光素子は、上述したように面発光体であるため各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明などの照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これに限定するものではなく、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

また、各実施形態の有機電界発光素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。この場合、近年の照明装置およびディスプレイの大型化にともない、有機電界発光素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化してもよい。

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また異なる発光色を有する本発明の有機電界発光素子を２種以上使用することにより、カラーまたはフルカラー表示装置を作製することが可能である。

〈４．照明装置（第４実施形態）〉
［照明装置−１］
本発明の第４実施形態について説明する。第４実施形態は、電子デバイスの一例として上述の第３実施形態の有機電界発光素子を用いた照明装置について説明する。

本実施形態の照明装置に用いる有機電界発光素子は、上述した第３実施形態の構成の有機電界発光素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造として構成された有機電界発光素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。

なお、有機電界発光素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機電界発光素子（白色有機電界発光素子ともいう）に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させてもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有させてもよい。

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料の組み合わせや、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせでもよい。白色有機電界発光素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合してもよい。

このような白色有機電界発光素子は、各色発光の有機電界発光素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機電界発光素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の形成にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば導電層を形成でき、生産性も向上する。

また、このような白色有機電界発光素子の発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、上述の有機電界発光素子の実施形態に記載の金属錯体、また公知の発光材料の中から任意の材料を選択して組み合わせて白色化すればよい。

以上に説明した白色有機電界発光素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。

［照明装置−２］
また、照明装置は、例えば有機電界発光素子を複数用いることにより、発光面を大面積化することもできる。この場合、基材上に有機電界発光素子を設けた複数の発光パネルを、支持基板上に複数配列する（すなわちタイリングする）ことによって発光面を大面積化する。支持基板は、封止材を兼ねるものであってもよく、この支持基板と、発光パネルの基材との間に有機電界発光素子を挟持する状態で各発光パネルをタイリングする。支持基板と基材との間には接着剤を充填し、これによって有機電界発光素子を封止してもよい。尚、発光パネルの周囲には、透明導電体及び対向電極の端子を露出させておく。

このような構成の照明装置では、各発光パネルの中央が発光領域となり、発光パネル間には非発光領域が発生する。このため、非発光領域からの光取り出し量を増加させるための光取り出し部材を、光取り出し面の非発光領域に設けてもよい。光取り出し部材としては、集光シートや光拡散シートを用いることができる。

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［透明導電体の作製］
試料１０１〜１１４の各透明導電体を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。下記表１に、試料１０１〜１１４の各透明導電体の構成を示す。

［試料１０１，１０２の透明導電体の作製］
以下のようにして、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の基材上に、下記表１に示すそれぞれの厚さで銀からなる導電層を形成した。

まず、ＰＥＴ製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる導電層をそれぞれの厚さで形成した。試料１０１では厚さ８ｎｍで形成し、試料１０２では厚さ１２ｎｍで形成した。

［試料１０３の透明導電体の作製］
以下のようにして、ＰＥＴ製の基材上に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなるアドミッタンス調整層を４０ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。

まず、透明なＰＥＴ製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、市販の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。

次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に厚さ４０ｎｍのＩＴＯからなるアドミッタンス調整層を設けた。

次に、アドミッタンス調整層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、当該真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ８ｎｍの銀からなる導電層を形成し、アドミッタンス調整層とこの上部の導電層との積層構造からなる試料１０３の透明導電体を得た。

［試料１０４の透明導電体の作製］
アドミッタンス調整層を酸化チタン（ＴｉＯ_２）で構成した以外は、上記試料１０３と同様の手順で試料１０４の透明導電体を得た。

［試料１０５の透明導電体の作製］
以下のようにして、ＰＥＴ製の基材上に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなるアドミッタンス調整層を４０ｎｍの厚さで形成した。さらに、この上部に導電層として、パラジウム（Ｐｄ）からなる白金族元素含有層（Ｐｄ層）を０．１ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる金属材料層を６ｎｍの厚さで形成した。

まず、ＰＥＴ製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、パラジウム（Ｐｄ）のターゲットをスパッタリング装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。

次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＩＴＯの入った加熱ボートに電子ビームを照射し加熱して、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基板上に厚さ４０ｎｍのＩＴＯからなるアドミッタンス調整層を設けた。

続いて、アドミッタンス調整層まで形成した基板を真空のままスパッタリング装置の真空槽に移し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、Ｐｄのターゲットに電圧を印加し、アドミッタンス調整層上にＰｄからなる白金族元素含有層を０．１ｎｍの厚さで設けた。

次に、白金族元素含有層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ６ｎｍの銀からなる金属材料層を形成した。これにより、アドミッタンス調整層、及び、白金族元素含有層と金属材料層とからなる導電層がこの順に積層された試料１０５の透明導電体を得た。

［試料１０６の透明導電体の作製］
アドミッタンス調整層を酸化チタン（ＴｉＯ_２）で構成した以外は、上記試料１０５と同様の手順で試料１０６の透明導電体を得た。

［試料１０７の透明導電体の作製］
アドミッタンス調整層を酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）で構成した以外は、上記試料１０５と同様の手順で試料１０７の透明導電体を得た。

［試料１０８の透明導電体の作製］
銀からなる金属材料層の厚さを８ｎｍで構成した以外は、上記試料１０５と同様の手順で試料１０８の透明導電体を得た。

［試料１０９の透明導電体の作製］
銀からなる金属材料層の厚さを８ｎｍで構成した以外は、上記試料１０６と同様の手順で試料１０９の透明導電体を得た。

［試料１１０の透明導電体の作製］
銀からなる金属材料層の厚さを８ｎｍで構成した以外は、上記試料１０７と同様の手順で試料１１０の透明導電体を得た。

［試料１１１の透明導電体の作製］
銀からなる金属材料層の厚さを１０ｎｍで構成した以外は、上記試料１０７と同様の手順で試料１１１の透明導電体を得た。

［試料１１２の透明導電体の作製］
銀からなる金属材料層の厚さを１２ｎｍで構成した以外は、上記試料１０７と同様の手順で試料１１２の透明導電体を得た。

［試料１１３の透明導電体の作製］
以下のようにして、ＰＥＴ製の基材上に、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）からなる第２アドミッタンス調整層を１８０ｎｍの厚さで形成し、この上部に酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる第１アドミッタンス調整層を４０ｎｍの厚さで形成した。さらに、この上部に導電層として、パラジウム（Ｐｄ）からなる白金族元素含有層（Ｐｄ層）を０．１ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる金属材料層を８ｎｍの厚さで形成した。

まず、ＰＥＴ製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。さらに、酸化チタン（ＴｉＯ_２）を加熱ボートに入れ、当該電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。

次に、パラジウム（Ｐｄ）のターゲットをスパッタリング装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。

次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に厚さ１８０ｎｍのフッ化マグネシウムからなる第２アドミッタンス調整層を設けた。
さらに、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で第２アドミッタンス調整層上に厚さ４０ｎｍの酸化チタンからなる第１アドミッタンス調整層を設けた。

続いて、第１アドミッタンス調整層まで形成した基材を真空のままスパッタリング装置の真空槽に移し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、Ｐｄのターゲットに電圧を印加し、第１アドミッタンス調整層上にＰｄからなる白金族元素含有層を０．１ｎｍの厚さで設けた。

次に、白金族元素含有層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、当該真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ８ｎｍの銀からなる金属材料層を形成した。これにより、第２アドミッタンス調整層、第１アドミッタンス調整層、及び、白金族元素含有層と金属材料層とからなる導電層がこの順に積層された試料１１３の透明導電体を得た。

［試料１１４の透明導電体の作製］
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）からなる第２アドミッタンス調整層の厚さを９０ｎｍで構成し、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）からなる第１アドミッタンス調整層を２５ｎｍの厚さで形成した以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１１４の透明導電体を得た。

［試料１１５の透明導電体の作製］
銀からなる金属材料層の厚さを１５ｎｍで構成した以外は、上記試料１０７と同様の手順で試料１１５の透明導電体を得た。

［試料１１６の透明導電体の作製］
銀からなる金属材料層の厚さを１６ｎｍで構成した以外は、上記試料１０７と同様の手順で試料１１６の透明導電体を得た。

［実施例１の各試料の評価］
上記で作製した試料１０１〜１１６の各透明導電体の光学特性として、光学アドミッタンスの決定、吸収率（平均吸収率、最大吸収率、プラズモン吸収率：％）の測定を行った。
また、試料１０１〜１１６の各透明導電体について、可視光平均透過率（％）、及び、表面抵抗（Ω／ｓｑ．）を測定した。
光学アドミッタンスの決定、吸収率（％）、可視光平均透過率（％）、及び、表面抵抗（Ω／ｓｑ．）の測定は、以下のように行った。

［アドミッタンスの決定方法］
透明導電体を構成する各界面のアドミッタンスは、薄膜設計ソフトＥｓｓｅｎｔｉａｌ Ｍａｃｌｅｏｄ Ｖｅｒ．９．４．３７５で算出した。なお、算出に必要な各層の厚みｄ、屈折率ｎ、及び吸収係数ｋは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。

［平均吸収率、最大吸収率の測定方法］
透明導電体の正面に対して、５°傾けた角度から測定光（波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて、光の平均透過率及び平均反射率を測定した。そして、平均吸収率は、１００−（平均透過率＋平均反射率）の計算式より算出した。なお、測定光は、基材側から入射させた。
また、上記と同様の方法で波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの透過率及び反射率を測定した。そして、各波長における吸収率を１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出し、得られた値の最大値を最大吸収率とした。

［プラズモン吸収率の測定方法］
導電層のプラズモン吸収率は、以下のように測定した。
まず、透明ガラス基板上に、パラジウムを真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）を用いて基板上に０．２ｓ（０．１ｎｍ）で形成した。パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。その後、パラジウムが付着した基板上にシンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて銀を２０ｎｍ形成した。このときの抵抗加熱は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。
得られた導電層の反射率及び透過率を測定し、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）として算出した。この導電層にはプラズモン吸収が無いと仮定し、実施例で作成した各試料の透明導電体の導電層の吸収率を測定したデータから差し引き、プラズモン吸収率を測定した。
光の透過率及び反射率は、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて測定した。

［可視光平均透過率の測定方法］
光透過率の測定は、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、測定光（波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）において、試料と同じ基材をベースラインとして光の平均透過率を測定した。

［表面抵抗の測定方法］
表面抵抗の測定は、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で行った。

試料１０１〜１１６の構成、並びに、光学アドミッタンス、吸収率（％）、可視光平均透過率（％）、及び、表面抵抗（Ω／ｓｑ．）の測定結果を下記表１に示す。

［実施例１の評価結果］
アドミッタンス調整層、及び、白金族元素含有層と金属材料層とからなる導電層がこの順に形成されている試料１０５〜１１６の透明導電体では、各吸収率が低く、可視光平均透過率、表面抵抗においても良好な結果が得られた。

試料１０１〜１０４では、白金族元素含有層としてＰｄ層が形成されていないため、Ｐｄ層が形成された試料１０５〜１１６に比べ、導電層を構成するＡｇ層の均一性が悪く、透明導電体の光吸収率が大きい。このため、可視光平均透過率、及び、表面抵抗も低下している。

また、試料１０１〜１０４の中では、アドミッタンス調整層を備える試料１０３及び試料１０４が、アドミッタンス調整層を備えない試料１０１に比べて、可視光平均透過率が向上している。この結果から、アドミッタンス調整層を備えることにより、透明導電体の光透過率が向上することがわかる。

試料１０５〜１０７と、試料１０８〜１１０とは、アドミッタンス調整層をそれぞれＩＴＯ、ＴｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５で構成し、金属材料層の厚さが異なる試料である。導電層の厚さが同じ試料では、光学アドミッタンスｘ_１及びｘ_２が大きくなると、透明導電体の光吸収率が低下している。特に、ｘ_１及びｘ_２が１．８未満の試料１０５及び試料１０８に対し、ｘ_１及びｘ_２が２．０以上の試料１０６、試料１０７、試料１０９及び試料１１０は、透明導電体の最大吸収率が低下している。

また、最もｘ_１及びｘ_２が大きい試料１０７及び試料１１０が、光吸収率が最も低い。このため、ｘ_１及びｘ_２を大きくすることにより、透明導電体の光吸収率が低下することがわかる。
一方、可視光平均透過率では、ｘ_１及びｘ_２がＩＴＯとＮｂ_２Ｏ_５の間の値であるＴｉＯ_２を用いた試料１０６及び試料１０９において、最もよい測定結果が得られた。
この結果から、ｘ_１及びｘ_２が大き過ぎると、透明導電体の光吸収率をさげられるものの、導電層で反射が増加するため、結果的に透明導電体の可視光平均透過率を低下させる要因となると考えられる。

金属材料層の厚さを１０ｎｍ、１２ｎｍとした試料１１１、試料１１２では、導電層の厚さが増加することにより、導電層の均質性等が向上するため、試料１０７や試料１１０に比べて、プラズモン吸収率が低下している。一方で、導電層の厚さが増加すると導電層自体の吸収が増加するため、透明導電体の可視光平均透過率では、試料１１０〜１１２に大きな変化はない。従って、導電層の厚さを８ｎｍ以上とすることにより、導電層の膜質が向上し、透明導電体の光透過率を向上させることができる。ただし、導電層の厚さが１５ｎｍより増加するとプラズモン吸収率の低下よりも、導電層自体の吸収が増加の方が大きくなるため、導電層の膜厚は１５ｎｍ以下である必要がある。

アドミッタンス調整層を２層設けた試料１１３及び試料１１４は、同じ厚さの導電層を設けた試料１０９や試料１１０に比べて、平均吸収率が低下し、可視光平均透過率が向上している。このように、試料１１３及び試料１１４のように、アドミッタンス調整層を複数形成することにより、導体層の光学アドミッタンスを容易に調整することができる。そして、導体層の光学アドミッタンスを好ましく調整することにより、透明導電体の光透過率を向上させることができる。

［ボトムエミッション型の有機電界発光素子の作製］
実施例１で作製した透明導電体の試料１０１〜１１６を、アノードとして発光機能層の下部に設けたボトムエミッション型の有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の試料２０１〜２１６を作製した。図７を参照し、作製手順を説明する。尚、下記表２には、試料２０１〜２１６の有機電界発光素子に用いた透明導電体の構成を示している。各有機電界発光素子の試料２０１〜２１６には、試料番号の下２ケタが一致する実施例１の各試料１０１〜１１６の透明導電体を用いた。

［試料２０１〜２１６の有機電界発光素子の作製手順］
（透明導電体の形成）
先ず、試料２０１〜２１６の作製において、透明な無アルカリガラス製又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の基材３１の上部に、各透明導電体３２を形成した。各透明導電体３２の形成は、実施例１の試料１０１〜１１６と同様の手順で行った。

（正孔輸送・注入層の形成）
まず、正孔輸送注入材料として下記構造式に示すα−ＮＰＤが入った加熱ボートに通電して加熱し、α−ＮＰＤよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送・注入層３３を、透明導電体３２上に形成した。この際、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒、厚さ２０ｎｍとした。

（発光層の形成）
次に、先に構造式を示したホスト材料Ｈ４の入った加熱ボートと、先に構造式を示した燐光発光性化合物Ｉｒ−４の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ４と燐光発光性化合物Ｉｒ−４とよりなる発光層３４を、正孔輸送・注入層３３上に形成した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ４：燐光発光性化合物Ｉｒ−４＝１００：６となるように、加熱ボートの通電を調節した。また厚さ３０ｎｍとした。

（正孔阻止層の形成）
次に、正孔阻止材料として下記構造式に示すＢＡｌｑが入った加熱ボートに通電して加熱し、ＢＡｌｑよりなる正孔阻止層３５を、発光層３４上に形成した。この際、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒、厚さ１０ｎｍとした。

（電子輸送・注入層の形成）
その後、電子輸送材料として先に構造式を示した化合物１０の入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、化合物１０とフッ化カリウムとよりなる電子注入層と電子輸送層とを兼ねた電子輸送・注入層３６を、正孔阻止層３５上に形成した。この際、蒸着速度が化合物１０：フッ化カリウム＝７５：２５になるように、加熱ボートの通電を調節した。また厚さ３０ｎｍとした。

（対向電極：カソードの形成）
以上の後には、発光機能層が形成された基材３１を、真空蒸着装置の第２真空槽内に移送し、第２真空槽内を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、第２真空槽内に取り付けられたアルミニウムの入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．３ｎｍ／秒で厚さ１００ｎｍのアルミニウムからなる対向電極３７を形成した。この対向電極３７は、カソードとして用いられる。以上により基材３１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子を形成した。

（素子の封止）
その後、有機電界発光素子を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材で覆い、有機電界発光素子を囲む状態で、透明封止材と基材３１との間に接着剤（シール材）を充填した。接着剤としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。透明封止材と基材３１との間に充填した接着剤に対して、ガラス基板（透明封止材）側からＵＶ光を照射し、接着剤を硬化させて有機電界発光素子を封止した。

尚、有機電界発光素子の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、５ｃｍ×５ｃｍの基材３１における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域とし、発光領域の全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域を設けた。また、アノードである透明導電体３２の導電層と、カソードである対向電極３７とは、正孔輸送・注入層３３から電子輸送・注入層３６によって絶縁された状態で、基材３１の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。

以上のようにして、基材３１上に有機電界発光素子を設け、これを透明封止材と接着剤とで封止した試料２０１〜２１６の有機電界発光素子の各発光パネルを得た。これらの各発光パネルにおいては、発光層３４で発生した各色の発光光ｈが、基材３１側から取り出される。

［実施例２の各試料の評価］
試料２０１〜２１６で作製した有機電界発光素子について、駆動電圧（Ｖ）、及び、色度差（Δｘｙ）を測定した。この結果を下記表２に合わせて示す。

［駆動電圧の測定方法］
駆動電圧の測定においては、各試料２０１〜２１６の有機電界発光素子の透明導電体３２側（すなわち基材３１側）での正面輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を駆動電圧として測定した。なお、輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表わす。

［色変化の測定方法］
色変化の測定においては、各試料２０１〜２１６の有機電界発光素子に２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流を加え、角度の異なる位置からＣＩＥ１９３１表色系における色度を測定した。この際、透明導電体３２側の発光面に対する法線方向となる０°の位置と、垂直水平（上下左右）方向にそれぞれ４５°の各位置とで色度を測定した。角度の異なる位置において測定した色度の差を、色変化（Δｘｙ）として下記表２に示した。色変化は、色度の視野角特性を表し、数値が小さいほど好ましい結果となる。

試料２０１〜２１６の構成、並びに、駆動電圧（Ｖ）、及び、色度差（Δｘｙ）の測定結果を下記表２に示す。

［実施例２の評価結果］
アドミッタンス調整層、及び、白金族元素含有層と金属材料層とからなる導電層がこの順に形成された透明導電体を備える試料２０５〜２１６の有機ＥＬ素子では、駆動電圧、色変化共に良好な結果が得られた。

試料２０１〜２０４の有機ＥＬ素子では、導電層を１２ｎｍ形成した試料２０２を除き、発光しなかった。また、試料２０２においても、色変化の測定結果が低く、十分な結果が得られなかった。

金属材料層を６ｎｍ形成した試料２０５〜２０７に比べると、金属材料層を８ｎｍ以上形成した試料２０８〜２１４では、駆動電圧が低く、色変化も小さい、良好な結果が得られた。

また、色変化の測定結果を見ると、アドミッタンス調整層としてＴｉＯ_２やＮｂ_２Ｏ_５を用いた試料２０６、試料２０７、試料２０９及び試料２１０では、アドミッタンス調整層としてＩＴＯを用いた試料２０５及び試料２０８に比べて、良好な結果が得られた。この結果から、アドミッタンス調整層としては、ＴｉＯ_２やＮｂ_２Ｏ_５を用いることが好ましいと考えられる。

さらに、アドミッタンス調整層を２層設けた試料２１３及び試料２１４は、同じ厚さの導電層を設けた試料２０９や試料２１０に比べて、色変化の測定結果で良好な結果が得られた。つまり、試料２１３及び試料２１４のように、アドミッタンス調整層を複数形成することにより、導体層の光学アドミッタンスを調整することが可能となり、有機ＥＬ素子の光学特性を向上させることが可能となる。

なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。

１０，２０，３２・・・透明導電体、１１，３１・・・基材、１２・・・アドミッタンス調整層、１３・・・白金族元素含有層、１４・・・金属材料層、１５・・・導電層、１６・・・発光機能層、１６ａ・・・正孔注入層、１６ｂ・・・正孔輸送層、１６ｃ，３４・・・発光層、１６ｄ・・・電子輸送層、１６ｅ・・・電子注入層、１７，３７・・・対向電極、２１・・・第１アドミッタンス調整層、２２・・・第２アドミッタンス調整層、３０・・・有機電界発光素子、３３・・・正孔輸送・注入層、３５・・・正孔阻止層、３６・・・電子輸送・注入層

Claims (9)

1. 基材と、アドミッタンス調整層と導電層とがこの順に積層された透明導電体と、発光機能層と、対向電極とが、この順に積層された電子デバイスであって、
   前記導電層が、厚さ１５ｎｍ以下の金属材料層と、前記アドミッタンス調整層側に形成された、前記金属材料層の成長核となるＰｔ及びＰｄの少なくとも一方を含む白金族元素含有層とからなり、
   前記導電層の前記アドミッタンス調整層側の界面における波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ_１＝ｘ_１＋ｉｙ_１、前記導電層の前記アドミッタンス調整層と反対側の界面における波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ_２＝ｘ_２＋ｉｙ_２、で表した場合に、ｘ_１及びｘ_２の少なくとも一方が１．６以上であり、
   前記光学アドミッタンスＹ_１のｙ_１と、前記光学アドミッタンスＹ_２のｙ_２とが、ｙ_１×ｙ_２＜０の関係を満たす
   電子デバイス。
2. 前記アドミッタンス調整層が、誘電体材料、又は、酸化物半導体材料を含有する請求項１に記載の電子デバイス。
3. 前記導電層のプラズモン吸収率が、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの全範囲で１５％以下である請求項１に記載の電子デバイス。
4. ｘ_１及びｘ_２が共に１．６以上である請求項１に記載の電子デバイス。
5. 前記金属材料層が銀又は銀を主成分とする合金を含む請求項１に記載の電子デバイス。
6. 前記アドミッタンス調整層が、ＴｉＯ_２、又は、Ｎｂ_２Ｏ_５を含む請求項１に記載の電子デバイス。
7. 前記アドミッタンス調整層の屈折率が１．８以上２．５以下である請求項１に記載の電子デバイス。
8. 前記アドミッタンス調整層が、第１アドミッタンス調整層と、第２アドミッタンス調整層とからなり、前記第１アドミッタンス調整層側に前記導電層が設けられている請求項１に記載の電子デバイス。
9. 前記第１アドミッタンス調整層の屈折率が、前記第２アドミッタンス調整層の屈折率よりも０．２以上大きい請求項８に記載の電子デバイス。

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