JP2002170429A - 高密度触媒核分散層を有する基体並びに改質酸化亜鉛皮膜を有する導電性物品及びその作製方法 - Google Patents
高密度触媒核分散層を有する基体並びに改質酸化亜鉛皮膜を有する導電性物品及びその作製方法Info
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 非導電性基材表面上に、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐ
ｄをＳｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜１０）：
（１〜１０）の重量割合で有する触媒層が形成されてな
ることを特徴とする高密度Ｐｄ核分散層を有する基体。 【効果】 本発明によれば、非導電性基体表面上に微細
なＳｎ，Ａｇ，Ｐｄからなる触媒核粒子を高密度に付与
することができる。また、本触媒上に形成する改質酸化
亜鉛皮膜は、生産性が高く、複雑なパターニングが容易
にでき、大気中に放置しても比抵抗率の変動が小さいた
め安定に作動し、作製に大規模な設備を必要とせず、生
産コストの低い、大面積や複雑な形状の導電性物品を容
易に作製することができる。
ｄをＳｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜１０）：
（１〜１０）の重量割合で有する触媒層が形成されてな
ることを特徴とする高密度Ｐｄ核分散層を有する基体。 【効果】 本発明によれば、非導電性基体表面上に微細
なＳｎ，Ａｇ，Ｐｄからなる触媒核粒子を高密度に付与
することができる。また、本触媒上に形成する改質酸化
亜鉛皮膜は、生産性が高く、複雑なパターニングが容易
にでき、大気中に放置しても比抵抗率の変動が小さいた
め安定に作動し、作製に大規模な設備を必要とせず、生
産コストの低い、大面積や複雑な形状の導電性物品を容
易に作製することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、緻密で平滑な表面
を有する高密度にＰｄ核が分散した層を表面に有する基
体、並びにその上に形成する酸化亜鉛皮膜を用いた導電
性物品、特に液晶ディスプレイ等の透明電極、及びその
作製方法に関する。
を有する高密度にＰｄ核が分散した層を表面に有する基
体、並びにその上に形成する酸化亜鉛皮膜を用いた導電
性物品、特に液晶ディスプレイ等の透明電極、及びその
作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
携帯電話やノート型パソコン等の小サイズ化や高性能化
による電子部品回路の高集積化に伴い、原子レベルで欠
陥のない無電解めっきが必要となってきている。非導電
性基板上に無電解めっき技術を用いて回路を形成させる
方法としては、塩化パラジウム等のパラジウム塩と塩酸
とを含む触媒液により、金属パラジウムを被めっき物に
吸着させた後、無電解めっきを施す方法が行われてい
る。この検討として、Ｐｄ核の粒子サイズと核密度が無
電解めっき皮膜の初期析出状態に大きく影響を与えるこ
とが本間らによって報告されている［Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４４．４１２３（１９９
７）］。しかしながら、従来のＰｄ核は粒子サイズが大
きく、吸着するＰｄ核の核密度も低いものであり、上記
触媒液により処理した後に得られる無電解めっき皮膜
は、初期析出の核密度が低く、初期析出層の多くの欠陥
を含有するものであったため、これに代わる初期析出層
に欠陥のない無電解めっきが望まれている。
携帯電話やノート型パソコン等の小サイズ化や高性能化
による電子部品回路の高集積化に伴い、原子レベルで欠
陥のない無電解めっきが必要となってきている。非導電
性基板上に無電解めっき技術を用いて回路を形成させる
方法としては、塩化パラジウム等のパラジウム塩と塩酸
とを含む触媒液により、金属パラジウムを被めっき物に
吸着させた後、無電解めっきを施す方法が行われてい
る。この検討として、Ｐｄ核の粒子サイズと核密度が無
電解めっき皮膜の初期析出状態に大きく影響を与えるこ
とが本間らによって報告されている［Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４４．４１２３（１９９
７）］。しかしながら、従来のＰｄ核は粒子サイズが大
きく、吸着するＰｄ核の核密度も低いものであり、上記
触媒液により処理した後に得られる無電解めっき皮膜
は、初期析出の核密度が低く、初期析出層の多くの欠陥
を含有するものであったため、これに代わる初期析出層
に欠陥のない無電解めっきが望まれている。
【０００３】また、現在、液晶ディスプレイやプラズマ
ディスプレイ等で使用される透明電極等の導電性物品と
してはＩＴＯ膜が主流である。一般に、この導電性物品
はエッチングによりパターニングされる。しかし、ＩＴ
Ｏ膜は硬く、エッチングがしにくいという不具合があ
り、このため、マグネトロンスパッタリング法等の乾式
法で作製した酸化亜鉛皮膜を導電性物品として利用する
ことが検討されているが、酸化亜鉛皮膜は一般的に空気
中に放置しておくと比抵抗値が上昇する性質があるた
め、導電性物品としての実用化は困難なものであった。
ディスプレイ等で使用される透明電極等の導電性物品と
してはＩＴＯ膜が主流である。一般に、この導電性物品
はエッチングによりパターニングされる。しかし、ＩＴ
Ｏ膜は硬く、エッチングがしにくいという不具合があ
り、このため、マグネトロンスパッタリング法等の乾式
法で作製した酸化亜鉛皮膜を導電性物品として利用する
ことが検討されているが、酸化亜鉛皮膜は一般的に空気
中に放置しておくと比抵抗値が上昇する性質があるた
め、導電性物品としての実用化は困難なものであった。
【０００４】更に、マグネトロンスパッタリング法やモ
レキュラービームエピタキシー法等の乾式法による作製
には、製膜雰囲気の制御のための真空排気装置やガス導
入装置、プラズマ発生のための高周波電源や基板加熱装
置及び駆動装置等の大規模な設備が必要である上、バッ
ジ処理であるため、連続処理ができず、生産性が悪く、
生産コストが高いものであった。更には、大面積な基板
や複雑な形状の基板上に均一に製膜するのが困難であっ
た。
レキュラービームエピタキシー法等の乾式法による作製
には、製膜雰囲気の制御のための真空排気装置やガス導
入装置、プラズマ発生のための高周波電源や基板加熱装
置及び駆動装置等の大規模な設備が必要である上、バッ
ジ処理であるため、連続処理ができず、生産性が悪く、
生産コストが高いものであった。更には、大面積な基板
や複雑な形状の基板上に均一に製膜するのが困難であっ
た。
【０００５】酸化亜鉛皮膜には、エッチングが容易にで
きるという特徴があるが、上記事情により、なかなか利
用しにくい状況となっている上、水溶液から作製できる
酸化亜鉛皮膜も存在しているが、その透明性及び導電性
が劣るため、利用範囲が限られているものであった。
きるという特徴があるが、上記事情により、なかなか利
用しにくい状況となっている上、水溶液から作製できる
酸化亜鉛皮膜も存在しているが、その透明性及び導電性
が劣るため、利用範囲が限られているものであった。
【０００６】また、（００２）面に強く優先配向した酸
化亜鉛皮膜は光学的透明性に優れ、また紫外線発光薄膜
としても近年注目を浴びている。更に、（１００）面に
優先配向した酸化亜鉛皮膜は光触媒性に優れていること
が特開平９−２９９７９１号公報に記載されている。
化亜鉛皮膜は光学的透明性に優れ、また紫外線発光薄膜
としても近年注目を浴びている。更に、（１００）面に
優先配向した酸化亜鉛皮膜は光触媒性に優れていること
が特開平９−２９９７９１号公報に記載されている。
【０００７】ここで、＜優先配向＞とは、Ｘ線回折の結
果、酸化亜鉛の（１００）面と（００２）面と（１０
１）面を比較して最もピーク強度の大きいものと定義す
る。
果、酸化亜鉛の（１００）面と（００２）面と（１０
１）面を比較して最もピーク強度の大きいものと定義す
る。
【０００８】このような酸化亜鉛皮膜の配向性を制御す
ることが、皮膜の特性に大きく影響するが、水溶液から
作製した酸化亜鉛皮膜の配向性を制御することは非常に
困難であり、上記のような特性を活かすことができずに
いた。
ることが、皮膜の特性に大きく影響するが、水溶液から
作製した酸化亜鉛皮膜の配向性を制御することは非常に
困難であり、上記のような特性を活かすことができずに
いた。
【０００９】本発明は、上記要望に応えたもので、触媒
核の粒子径が小さくかつ高密度に分散した表面が平滑か
つ緻密である高密度Ｐｄ核分散層を有する基体、特に緻
密で高密度な欠陥のない無電解めっき皮膜を与えること
ができる高密度Ｐｄ核分散層を有する基体を提供するこ
と、無電解法によって作製された上記各特性を十分に利
用できる配向性が制御された酸化亜鉛皮膜及びその作製
方法、並びに、高い導電性及び優れた透明性を持ち、か
つ、大気中へ放置した場合も比抵抗値の変動が少ない水
溶液から作製された酸化亜鉛皮膜を利用した導電性物
品、特に、透明電極、及びその作製方法を提供すること
を目的とする。
核の粒子径が小さくかつ高密度に分散した表面が平滑か
つ緻密である高密度Ｐｄ核分散層を有する基体、特に緻
密で高密度な欠陥のない無電解めっき皮膜を与えること
ができる高密度Ｐｄ核分散層を有する基体を提供するこ
と、無電解法によって作製された上記各特性を十分に利
用できる配向性が制御された酸化亜鉛皮膜及びその作製
方法、並びに、高い導電性及び優れた透明性を持ち、か
つ、大気中へ放置した場合も比抵抗値の変動が少ない水
溶液から作製された酸化亜鉛皮膜を利用した導電性物
品、特に、透明電極、及びその作製方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため、鋭意検討を重ねた
結果、非導電性基材表面上に、Ｓｎ，Ｐｄに加え、Ａｇ
を含有させ、そのＳｎ，Ａｇ，Ｐｄの重量割合を特定範
囲とすることにより、非導電性基材上に微細な触媒粒子
を高密度に分散できることを知見した。
発明者は、上記目的を達成するため、鋭意検討を重ねた
結果、非導電性基材表面上に、Ｓｎ，Ｐｄに加え、Ａｇ
を含有させ、そのＳｎ，Ａｇ，Ｐｄの重量割合を特定範
囲とすることにより、非導電性基材上に微細な触媒粒子
を高密度に分散できることを知見した。
【００１１】即ち、非導電性基材表面上に、Ｓｎ，Ａ
ｇ，Ｐｄからなる触媒層を形成するにあたり、Ｓｎ，Ａ
ｇ，Ｐｄを、Ｓｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜
１０）：（１〜１０）の重量割合で形成することによ
り、触媒核の核密度を１５００核（個）／μｍ2以上と
することができ、触媒核粒子径が２ｎｍ以下、特に１ｎ
ｍ以下とすることが可能になると共に、上記触媒層の平
均粗さを０．５ｎｍ以下とすることができることを見出
した。
ｇ，Ｐｄからなる触媒層を形成するにあたり、Ｓｎ，Ａ
ｇ，Ｐｄを、Ｓｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜
１０）：（１〜１０）の重量割合で形成することによ
り、触媒核の核密度を１５００核（個）／μｍ2以上と
することができ、触媒核粒子径が２ｎｍ以下、特に１ｎ
ｍ以下とすることが可能になると共に、上記触媒層の平
均粗さを０．５ｎｍ以下とすることができることを見出
した。
【００１２】この機構については不明であるが、従来の
Ｓｎ−Ｐｄ系のＰｄ核分散層では、この分散層中でＰｄ
核同士が凝集するため、その粒子径が大きくなり、核密
度も低下すると考えられる。ここで、Ａｇは、このＳｎ
−Ｐｄ系のＰｄ核分散層中のＰｄ核同士の凝集を抑制す
ることにより、Ｐｄ核が分散するため、Ｐｄ核の粒子径
が微細化し、核密度が向上すると一応考えられるが、こ
の理論に限定するものではない。
Ｓｎ−Ｐｄ系のＰｄ核分散層では、この分散層中でＰｄ
核同士が凝集するため、その粒子径が大きくなり、核密
度も低下すると考えられる。ここで、Ａｇは、このＳｎ
−Ｐｄ系のＰｄ核分散層中のＰｄ核同士の凝集を抑制す
ることにより、Ｐｄ核が分散するため、Ｐｄ核の粒子径
が微細化し、核密度が向上すると一応考えられるが、こ
の理論に限定するものではない。
【００１３】また、上記触媒層上に無電解酸化亜鉛皮膜
を形成させた場合に、そのボラン系還元剤濃度を制御す
るだけで、酸化亜鉛皮膜の配向性等の特性を制御するこ
とができることを知見し、本発明をなすに至った。
を形成させた場合に、そのボラン系還元剤濃度を制御す
るだけで、酸化亜鉛皮膜の配向性等の特性を制御するこ
とができることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１４】即ち、本発明は、下記の高密度Ｐｄ核分散
層を有する基体及びその上に形成する酸化亜鉛皮膜及び
その作製方法、並びにその酸化亜鉛皮膜を改質した改質
酸化亜鉛皮膜を用いた導電性物品、及びその作製方法を
提供する。 請求項１：非導電性基材表面上に、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄを
Ｓｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜１０）：（１
〜１０）の重量割合で有する触媒層が形成されてなるこ
とを特徴とする高密度Ｐｄ核分散層を有する基体。 請求項２：上記触媒層が、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄからなる触
媒核を１５００核／μｍ2以上の核密度で有する請求項
１記載の高密度Ｐｄ核分散層を有する基体。 請求項３：上記触媒層の平均粗さが０．５ｎｍ以下であ
る請求項１又は２記載の高密度Ｐｄ核分散層を有する基
体。 請求項４：上記触媒層の触媒核の粒子サイズが２ｎｍ以
下である請求項１、２又は３記載の高密度Ｐｄ核分散層
を有する基体。 請求項５：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密度
Ｐｄ核分散層を有する基体をボラン系還元剤を含有する
無電解酸化亜鉛めっき液に浸漬し、無電解酸化亜鉛皮膜
を形成するに際し、ボラン系還元剤の濃度を制御するこ
とにより、上記酸化亜鉛皮膜の配向性を制御することを
特徴とする無電解酸化亜鉛皮膜の形成方法。 請求項６：ボラン系還元剤の濃度を０．００１〜０．０
１ｍｏｌ／Ｌに調整して（１０１）面に優先配向した酸
化亜鉛皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 請求項７：ボラン系還元剤の濃度を０．０２〜０．８ｍ
ｏｌ／Ｌに調整して（００２）面に優先配向した酸化亜
鉛皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 請求項８：ボラン系還元剤の濃度を０．１〜０．２ｍｏ
ｌ／Ｌに調整して（１００）面に優先配向した酸化亜鉛
皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 請求項９：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密度
Ｐｄ核分散層上に（１０１）面に優先配向した酸化亜鉛
皮膜を有する基体。 請求項１０：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密
度Ｐｄ核分散層上に（００２）面に優先配向した酸化亜
鉛皮膜を有する基体。 請求項１１：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密
度Ｐｄ核分散層上に（１００）面に優先配向した酸化亜
鉛皮膜を有する基体。 請求項１２：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密
度Ｐｄ核分散層を有する基体上に少なくとも水溶液から
作製された酸化亜鉛皮膜の層と酸化亜鉛皮膜以外の層を
有する導電性物品。 請求項１３：酸化亜鉛皮膜中に３価の金属が０．０１重
量％以上含まれている請求項１２記載の導電性物品。 請求項１４：酸化亜鉛皮膜中の３価の金属が０．０１〜
３０重量％含まれている請求項１３記載の導電性物品。 請求項１５：比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下である酸化
亜鉛皮膜を用いた請求項１２、１３又は１４記載の導電
性物品。 請求項１６：酸化亜鉛皮膜の層及び／又は酸化亜鉛皮膜
以外の層がパターン化されていることを特徴とする請求
項１２乃至１５のいずれか１項記載の導電性物品。 請求項１７：透明電極である請求項１２乃至１６のいず
れか１項記載の導電性物品。 請求項１８：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密
度Ｐｄ核分散層を有する基体表面上に少なくとも水溶液
から作製された酸化亜鉛皮膜の層とパターン化された酸
化亜鉛皮膜以外の層を有する導電性物品の作製方法であ
って、水溶液から作製された酸化亜鉛皮膜を３価の金属
カチオンを含む水溶液で表面を改質し、更に熱処理を加
える酸化亜鉛皮膜層の作製工程を含み、かつ、乾式法を
用いない湿式プロセスであることを特徴とする導電性物
品の作製方法。 請求項１９：エッチングレスであることを特徴とする請
求項１８記載の導電性物品の作製方法。 請求項２０：導電性物品が透明電極である請求項１８又
は１９記載の導電性物品の作製方法。
層を有する基体及びその上に形成する酸化亜鉛皮膜及び
その作製方法、並びにその酸化亜鉛皮膜を改質した改質
酸化亜鉛皮膜を用いた導電性物品、及びその作製方法を
提供する。 請求項１：非導電性基材表面上に、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄを
Ｓｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜１０）：（１
〜１０）の重量割合で有する触媒層が形成されてなるこ
とを特徴とする高密度Ｐｄ核分散層を有する基体。 請求項２：上記触媒層が、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄからなる触
媒核を１５００核／μｍ2以上の核密度で有する請求項
１記載の高密度Ｐｄ核分散層を有する基体。 請求項３：上記触媒層の平均粗さが０．５ｎｍ以下であ
る請求項１又は２記載の高密度Ｐｄ核分散層を有する基
体。 請求項４：上記触媒層の触媒核の粒子サイズが２ｎｍ以
下である請求項１、２又は３記載の高密度Ｐｄ核分散層
を有する基体。 請求項５：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密度
Ｐｄ核分散層を有する基体をボラン系還元剤を含有する
無電解酸化亜鉛めっき液に浸漬し、無電解酸化亜鉛皮膜
を形成するに際し、ボラン系還元剤の濃度を制御するこ
とにより、上記酸化亜鉛皮膜の配向性を制御することを
特徴とする無電解酸化亜鉛皮膜の形成方法。 請求項６：ボラン系還元剤の濃度を０．００１〜０．０
１ｍｏｌ／Ｌに調整して（１０１）面に優先配向した酸
化亜鉛皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 請求項７：ボラン系還元剤の濃度を０．０２〜０．８ｍ
ｏｌ／Ｌに調整して（００２）面に優先配向した酸化亜
鉛皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 請求項８：ボラン系還元剤の濃度を０．１〜０．２ｍｏ
ｌ／Ｌに調整して（１００）面に優先配向した酸化亜鉛
皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 請求項９：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密度
Ｐｄ核分散層上に（１０１）面に優先配向した酸化亜鉛
皮膜を有する基体。 請求項１０：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密
度Ｐｄ核分散層上に（００２）面に優先配向した酸化亜
鉛皮膜を有する基体。 請求項１１：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密
度Ｐｄ核分散層上に（１００）面に優先配向した酸化亜
鉛皮膜を有する基体。 請求項１２：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密
度Ｐｄ核分散層を有する基体上に少なくとも水溶液から
作製された酸化亜鉛皮膜の層と酸化亜鉛皮膜以外の層を
有する導電性物品。 請求項１３：酸化亜鉛皮膜中に３価の金属が０．０１重
量％以上含まれている請求項１２記載の導電性物品。 請求項１４：酸化亜鉛皮膜中の３価の金属が０．０１〜
３０重量％含まれている請求項１３記載の導電性物品。 請求項１５：比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下である酸化
亜鉛皮膜を用いた請求項１２、１３又は１４記載の導電
性物品。 請求項１６：酸化亜鉛皮膜の層及び／又は酸化亜鉛皮膜
以外の層がパターン化されていることを特徴とする請求
項１２乃至１５のいずれか１項記載の導電性物品。 請求項１７：透明電極である請求項１２乃至１６のいず
れか１項記載の導電性物品。 請求項１８：請求項１乃至４のいずれか１項記載の高密
度Ｐｄ核分散層を有する基体表面上に少なくとも水溶液
から作製された酸化亜鉛皮膜の層とパターン化された酸
化亜鉛皮膜以外の層を有する導電性物品の作製方法であ
って、水溶液から作製された酸化亜鉛皮膜を３価の金属
カチオンを含む水溶液で表面を改質し、更に熱処理を加
える酸化亜鉛皮膜層の作製工程を含み、かつ、乾式法を
用いない湿式プロセスであることを特徴とする導電性物
品の作製方法。 請求項１９：エッチングレスであることを特徴とする請
求項１８記載の導電性物品の作製方法。 請求項２０：導電性物品が透明電極である請求項１８又
は１９記載の導電性物品の作製方法。
【００１５】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に係わる高密度Ｐｄ核分散層を有する基体は、非
導電部を有する基材にＳｎ，Ａｇ，Ｐｄを、Ｓｎ：Ａ
ｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜１０）：（１〜１０）
の重量割合で有するものである。
本発明に係わる高密度Ｐｄ核分散層を有する基体は、非
導電部を有する基材にＳｎ，Ａｇ，Ｐｄを、Ｓｎ：Ａ
ｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜１０）：（１〜１０）
の重量割合で有するものである。
【００１６】なお、非導電性基材上ヘのＳｎ，Ａｇ，Ｐ
ｄの付与方法については、センシタイジング−アクチベ
ーティング法、アルカリキャタリスト法、キャタリスト
−アクセレレーター法等の水溶液による付与方法、有機
金属錯体を付与した後に熱分解を施す方法、スパッタリ
ング法等の乾式法等を使用することができる。とりわ
け、水溶液を用いたセンシタイジング−銀活性−パラジ
ウム活性による付与方法がその工程や水溶液、処理の条
件を制御することにより容易に適用できる。例えば、セ
ンシタイジング溶液としては、ＳｎＣｌ2，ＳｎＳＯ4等
の２価の錫塩を塩酸、硫酸等の酸溶液に溶解した、２価
の錫イオンを１〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨ０．１〜１．
５程度の強酸性である溶液を使用し、１０〜６０℃で１
０秒〜５分間浸漬処理し、次いで、銀イオンを含有する
活性化剤としては銀イオンが０．０００１〜０．５ｍｏ
ｌ／Ｌであるものを用い、ｐＨは５〜１１とし、液温を
１５〜６０℃として、１０秒〜５分間浸漬処理すればよ
い。パラジウムを含有する活性化剤としては、ＰｄＣｌ
2，ＰｄＳＯ4等の２価のパラジウム塩を塩酸、硫酸等の
酸溶液に溶解し、２価のＰｄイオンを０．０１〜１ｇ／
Ｌ含有し、ｐＨが１〜３である溶液を使用し、１０〜６
０℃で１秒〜５分間浸漬処理することが好ましい。長時
間浸漬しすぎると、Ｐｄ核が凝集し、塊粒化が生じるお
それがある。
ｄの付与方法については、センシタイジング−アクチベ
ーティング法、アルカリキャタリスト法、キャタリスト
−アクセレレーター法等の水溶液による付与方法、有機
金属錯体を付与した後に熱分解を施す方法、スパッタリ
ング法等の乾式法等を使用することができる。とりわ
け、水溶液を用いたセンシタイジング−銀活性−パラジ
ウム活性による付与方法がその工程や水溶液、処理の条
件を制御することにより容易に適用できる。例えば、セ
ンシタイジング溶液としては、ＳｎＣｌ2，ＳｎＳＯ4等
の２価の錫塩を塩酸、硫酸等の酸溶液に溶解した、２価
の錫イオンを１〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨ０．１〜１．
５程度の強酸性である溶液を使用し、１０〜６０℃で１
０秒〜５分間浸漬処理し、次いで、銀イオンを含有する
活性化剤としては銀イオンが０．０００１〜０．５ｍｏ
ｌ／Ｌであるものを用い、ｐＨは５〜１１とし、液温を
１５〜６０℃として、１０秒〜５分間浸漬処理すればよ
い。パラジウムを含有する活性化剤としては、ＰｄＣｌ
2，ＰｄＳＯ4等の２価のパラジウム塩を塩酸、硫酸等の
酸溶液に溶解し、２価のＰｄイオンを０．０１〜１ｇ／
Ｌ含有し、ｐＨが１〜３である溶液を使用し、１０〜６
０℃で１秒〜５分間浸漬処理することが好ましい。長時
間浸漬しすぎると、Ｐｄ核が凝集し、塊粒化が生じるお
それがある。
【００１７】この場合、上記基材としては、ガラス、プ
ラスチック、セラミックなどの非導電性基材が挙げら
れ、これらの複合体であってもよく、表面全体又は表面
の所定個所が非導電部とされているものである。また、
上記基材表面に酸化物等の絶縁物質が被覆されているも
のも採用できる。また、形状としても、板状、シート
状、粉体等が採用でき、制限されず、これら基体を公知
の脱脂剤、有機溶剤等で洗浄後、カチオン界面活性剤や
シランカップリング剤等の公知表面調整剤を用いて基体
表面に電荷を付与した後、上記触媒付与処理を行う。
ラスチック、セラミックなどの非導電性基材が挙げら
れ、これらの複合体であってもよく、表面全体又は表面
の所定個所が非導電部とされているものである。また、
上記基材表面に酸化物等の絶縁物質が被覆されているも
のも採用できる。また、形状としても、板状、シート
状、粉体等が採用でき、制限されず、これら基体を公知
の脱脂剤、有機溶剤等で洗浄後、カチオン界面活性剤や
シランカップリング剤等の公知表面調整剤を用いて基体
表面に電荷を付与した後、上記触媒付与処理を行う。
【００１８】本発明によれば、非導電性基材表面上にＳ
ｎ，Ａｇ，Ｐｄを、Ｓｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：
（１〜１０）：（１〜１０）の重量割合で付与する。特
に水溶液による付与方法の場合、微細な触媒核を高密度
に得るためには、好ましくはＳｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜
５）：（１〜５）：（１〜５）、更に好ましくはＳｎ：
Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜４）：（１〜３）：（１〜２）の範
囲とし、かつ、Ｓｎ≧Ａｇ≧Ｐｄとすることが好まし
い。
ｎ，Ａｇ，Ｐｄを、Ｓｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：
（１〜１０）：（１〜１０）の重量割合で付与する。特
に水溶液による付与方法の場合、微細な触媒核を高密度
に得るためには、好ましくはＳｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜
５）：（１〜５）：（１〜５）、更に好ましくはＳｎ：
Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜４）：（１〜３）：（１〜２）の範
囲とし、かつ、Ｓｎ≧Ａｇ≧Ｐｄとすることが好まし
い。
【００１９】センシタイジング処理とＡｇ活性化処理に
よりＳｎ：Ａｇ＝３：２程度に付与させることにより、
微細な触媒核を高密度に付与させることができる。
よりＳｎ：Ａｇ＝３：２程度に付与させることにより、
微細な触媒核を高密度に付与させることができる。
【００２０】また、その後に付与させるＰｄの割合とし
ても、特にはＡｇよりもＰｄの割合が少ない方が好まし
く、Ａｇ：Ｐｄ＝２：１程度とすることがよく、上記範
囲よりＰｄが多いと粒子径が大きくなる傾向となる。な
お、Ｐｄが少なすぎると無電解めっきの触媒としての機
能が低下する。
ても、特にはＡｇよりもＰｄの割合が少ない方が好まし
く、Ａｇ：Ｐｄ＝２：１程度とすることがよく、上記範
囲よりＰｄが多いと粒子径が大きくなる傾向となる。な
お、Ｐｄが少なすぎると無電解めっきの触媒としての機
能が低下する。
【００２１】Ｓｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝３：２：１付近が微細
な触媒核を高密度に得るための最適条件である。
な触媒核を高密度に得るための最適条件である。
【００２２】ここで、上記のような最適条件とするに
は、特にセンシタイジング−銀活性−パラジウム活性を
１つの工程として、複数回繰り返すことが好ましく、こ
れによって微細な触媒核を高密度に付与することができ
る。この理由については定かではないが、まずセンシタ
イジング−銀活性−パラジウム活性を１回行うことによ
り、非常に微細な触媒核が形成され、上記工程を繰り返
すことによって、最初に付与された触媒核を中心に高密
度に触媒核が形成されるためであると考えられる。
は、特にセンシタイジング−銀活性−パラジウム活性を
１つの工程として、複数回繰り返すことが好ましく、こ
れによって微細な触媒核を高密度に付与することができ
る。この理由については定かではないが、まずセンシタ
イジング−銀活性−パラジウム活性を１回行うことによ
り、非常に微細な触媒核が形成され、上記工程を繰り返
すことによって、最初に付与された触媒核を中心に高密
度に触媒核が形成されるためであると考えられる。
【００２３】Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄを上記範囲とすることに
より、触媒核粒子を１５００核／μｍ2以上、好ましく
は２０００核／μｍ2以上、更に好ましくは２５００核
／μｍ 2以上、特には３０００核／μｍ2以上の核密度と
することができる。この場合、高密度Ｐｄ核分散層は、
平均表面粗さが０．５ｎｍ以下、特に０．３ｎｍ以下と
することができ、また、触媒核粒子径は２ｎｍ以下、好
ましくは１．５ｎｍ以下、更に好ましくは１ｎｍ以下と
することができ、高密度で緻密な層を形成し得る。な
お、この高密度Ｐｄ核分散層を無電解めっきの触媒層と
して利用する場合には、触媒核の粒子径としては、０．
０３ｎｍ以上とすることが好ましい。上記核密度、平均
粗さ、平均粒子径は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）観察に
より測定し得る。
より、触媒核粒子を１５００核／μｍ2以上、好ましく
は２０００核／μｍ2以上、更に好ましくは２５００核
／μｍ 2以上、特には３０００核／μｍ2以上の核密度と
することができる。この場合、高密度Ｐｄ核分散層は、
平均表面粗さが０．５ｎｍ以下、特に０．３ｎｍ以下と
することができ、また、触媒核粒子径は２ｎｍ以下、好
ましくは１．５ｎｍ以下、更に好ましくは１ｎｍ以下と
することができ、高密度で緻密な層を形成し得る。な
お、この高密度Ｐｄ核分散層を無電解めっきの触媒層と
して利用する場合には、触媒核の粒子径としては、０．
０３ｎｍ以上とすることが好ましい。上記核密度、平均
粗さ、平均粒子径は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）観察に
より測定し得る。
【００２４】なお、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄの重量割合は、Ｉ
ＣＰ（誘導結合プラズマ発光分光分析装置）にて分析で
きる。
ＣＰ（誘導結合プラズマ発光分光分析装置）にて分析で
きる。
【００２５】本発明により作製した、緻密で平滑な表面
を有する高密度Ｐｄ核分散層を表面に被覆してなる基体
は、例えば、この基体を無電解めっき用触媒層とした場
合、初期析出層が緻密で高密度な欠陥のない無電解めっ
き皮膜が得られ、この無電解めっきとしては制限はない
が、例えば、プリント配線基板や超ＬＳＩチップ上のＣ
ｕ回路形成、コンピューターハードディスク用Ｎｉ−Ｐ
下地層形成、液晶ディスプレイの透明電極や太陽電池の
透明半導体電極形成などの電子部品分野などに有効に用
いられる。
を有する高密度Ｐｄ核分散層を表面に被覆してなる基体
は、例えば、この基体を無電解めっき用触媒層とした場
合、初期析出層が緻密で高密度な欠陥のない無電解めっ
き皮膜が得られ、この無電解めっきとしては制限はない
が、例えば、プリント配線基板や超ＬＳＩチップ上のＣ
ｕ回路形成、コンピューターハードディスク用Ｎｉ−Ｐ
下地層形成、液晶ディスプレイの透明電極や太陽電池の
透明半導体電極形成などの電子部品分野などに有効に用
いられる。
【００２６】また、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄがそれぞれが持つ
特性を利用して、高密度Ｐｄ核分散層を薄膜や下地層と
して利用することもできる。例えば、本発明の基材とし
て、非導電性基材表面上に酸化チタンをコーティングし
た基材を用いた場合、この酸化チタンをコーティングし
た基材表面上に本発明の緻密で平滑な表面を有する高密
度Ｐｄ核分散層を形成することで、酸化チタンの光触媒
性を向上させることができる。
特性を利用して、高密度Ｐｄ核分散層を薄膜や下地層と
して利用することもできる。例えば、本発明の基材とし
て、非導電性基材表面上に酸化チタンをコーティングし
た基材を用いた場合、この酸化チタンをコーティングし
た基材表面上に本発明の緻密で平滑な表面を有する高密
度Ｐｄ核分散層を形成することで、酸化チタンの光触媒
性を向上させることができる。
【００２７】更に、上記触媒層上に無電解酸化亜鉛皮膜
を形成する場合、その理由は定かではないが、後述する
ように、ボラン系還元剤の濃度を調整することで酸化亜
鉛皮膜の配向性を制御することができ、酸化亜鉛皮膜の
光透過性、光触媒性、導電性等の所望の特性を活かした
酸化亜鉛皮膜を形成することができる。
を形成する場合、その理由は定かではないが、後述する
ように、ボラン系還元剤の濃度を調整することで酸化亜
鉛皮膜の配向性を制御することができ、酸化亜鉛皮膜の
光透過性、光触媒性、導電性等の所望の特性を活かした
酸化亜鉛皮膜を形成することができる。
【００２８】ここで、無電解酸化亜鉛皮膜を形成する場
合は、上記洗浄・表面調整・触媒付与の各処理を含め、
下記工程のように行うことができる。 （１）洗浄：公知の脱脂剤や有機溶媒を使用することが
でき、公知の処理条件を使用することができる。 （２）表面調整：公知の表面調整剤を使用して、基板表
面に電荷を付与する。 （３）触媒付与：基板表面に触媒を付与する（前記触媒
付与工程）。 （４）無電解酸化亜鉛皮膜作製：基板に酸化亜鉛皮膜を
析出させる。
合は、上記洗浄・表面調整・触媒付与の各処理を含め、
下記工程のように行うことができる。 （１）洗浄：公知の脱脂剤や有機溶媒を使用することが
でき、公知の処理条件を使用することができる。 （２）表面調整：公知の表面調整剤を使用して、基板表
面に電荷を付与する。 （３）触媒付与：基板表面に触媒を付与する（前記触媒
付与工程）。 （４）無電解酸化亜鉛皮膜作製：基板に酸化亜鉛皮膜を
析出させる。
【００２９】この場合、上記表面調整剤としては、主成
分としてカチオン界面活性剤あるいはカチオン性高分子
化合物１〜５０ｇ／Ｌを含有する水溶液を使用すること
ができ、１０〜６０℃で１〜１０分間浸漬処理すること
ができる。
分としてカチオン界面活性剤あるいはカチオン性高分子
化合物１〜５０ｇ／Ｌを含有する水溶液を使用すること
ができ、１０〜６０℃で１〜１０分間浸漬処理すること
ができる。
【００３０】上記工程（４）での無電解酸化亜鉛皮膜析
出溶液としては、酸化亜鉛を析出させる液であればよ
く、特に制限されないが、硝酸亜鉛等の亜鉛塩を０．０
１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは０．０５〜０．２ｍ
ｏｌ／Ｌと、ジメチルアミンボラン等のアミンボラン系
還元剤、その他の還元剤を０．００１〜０．５ｍｏｌ／
Ｌ、好ましくは０．０００５〜０．３ｍｏｌ／Ｌ、特に
０．０００１〜０．２ｍｏｌ／Ｌ含有するｐＨ４〜９程
度、特にｐＨ６．５程度の処理液を好適に用いることが
でき、１０〜８０℃で１０〜２００分間浸漬処理する方
法が採用し得る。
出溶液としては、酸化亜鉛を析出させる液であればよ
く、特に制限されないが、硝酸亜鉛等の亜鉛塩を０．０
１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは０．０５〜０．２ｍ
ｏｌ／Ｌと、ジメチルアミンボラン等のアミンボラン系
還元剤、その他の還元剤を０．００１〜０．５ｍｏｌ／
Ｌ、好ましくは０．０００５〜０．３ｍｏｌ／Ｌ、特に
０．０００１〜０．２ｍｏｌ／Ｌ含有するｐＨ４〜９程
度、特にｐＨ６．５程度の処理液を好適に用いることが
でき、１０〜８０℃で１０〜２００分間浸漬処理する方
法が採用し得る。
【００３１】ここで、本発明の触媒層上に形成する無電
解酸化亜鉛皮膜は、ボラン系還元剤、特にジメチルアミ
ンボラン（ＤＭＡＢ）の濃度をかえることによって無電
解酸化亜鉛皮膜の結晶の配向性［（１００）面：（００
２）面：（１０１）面］を制御することが可能である。
解酸化亜鉛皮膜は、ボラン系還元剤、特にジメチルアミ
ンボラン（ＤＭＡＢ）の濃度をかえることによって無電
解酸化亜鉛皮膜の結晶の配向性［（１００）面：（００
２）面：（１０１）面］を制御することが可能である。
【００３２】即ち、上記工程（４）で、例えば、硝酸亜
鉛０．１ｍｏｌ／Ｌ、めっき浴ｐＨ６．３、めっき浴温
度６８℃の条件下では、ＤＭＡＢ濃度を０．００１〜
０．０１ｍｏｌ／Ｌに調整すると（１０１）面に優先配
向した酸化亜鉛皮膜が得られ、０．０２〜０．０８ｍｏ
ｌ／Ｌに調整すると（００２）面に配向した酸化亜鉛皮
膜が得られ、０．１〜０．２ｍｏｌ／Ｌに調整すると
（１００）面に配向した酸化亜鉛皮膜を得ることができ
る。特に、（００２）面に優先配向した酸化亜鉛皮膜で
は、（００２）面のピーク強度比が、（１０１）面のピ
ーク強度比に対して１．５倍以上、特に２倍以上、更に
は５倍以上を示す優先配向酸化亜鉛皮膜が得られる。
鉛０．１ｍｏｌ／Ｌ、めっき浴ｐＨ６．３、めっき浴温
度６８℃の条件下では、ＤＭＡＢ濃度を０．００１〜
０．０１ｍｏｌ／Ｌに調整すると（１０１）面に優先配
向した酸化亜鉛皮膜が得られ、０．０２〜０．０８ｍｏ
ｌ／Ｌに調整すると（００２）面に配向した酸化亜鉛皮
膜が得られ、０．１〜０．２ｍｏｌ／Ｌに調整すると
（１００）面に配向した酸化亜鉛皮膜を得ることができ
る。特に、（００２）面に優先配向した酸化亜鉛皮膜で
は、（００２）面のピーク強度比が、（１０１）面のピ
ーク強度比に対して１．５倍以上、特に２倍以上、更に
は５倍以上を示す優先配向酸化亜鉛皮膜が得られる。
【００３３】この配向性は、前記のように、無電解酸化
亜鉛皮膜の光透過性、光触媒性、導電性といった各特性
へ関係があるが、上記無電解酸化亜鉛めっき液条件で
は、光透過性を９０％以上とする場合には、ＤＭＡＢ濃
度は０．００１〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、特に０．００５〜
０．０５ｍｏｌ／Ｌ（ピークは０．０３ｍｏｌ／Ｌ）、
高い光触媒性を得るには、ＤＭＡＢ濃度を０．００１〜
０．５ｍｏｌ／Ｌ、特に０．０１〜０．３ｍｏｌ／Ｌ
（ピークは０．１ｍｏｌ／Ｌ）、導電性膜としての特性
を得るには、ＤＭＡＢ濃度を０．００１〜０．０５ｍｏ
ｌ／Ｌ、特に０．００５〜０．０３ｍｏｌ／Ｌ（ピーク
は０．０１ｍｏｌ／Ｌ）とすることで、これら無電解酸
化亜鉛皮膜の特性を得ることができる。また、この範囲
を考慮することにより、上記各特性を２種以上持つ無電
解酸化亜鉛皮膜を容易に得ることが可能であり、例え
ば、透明導電性膜のような光透過性と導電性膜としての
特性を両方活かす場合には、ＤＭＡＢ濃度を０．００５
〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ（例えば、０．０１ｍｏｌ／Ｌ）
とすることにより、光透過性が９０％以上の透明導電性
膜を得ることができる。このように、ＤＭＡＢ濃度を設
定することで、所望する無電解酸化亜鉛皮膜の特性を得
ることが可能である。
亜鉛皮膜の光透過性、光触媒性、導電性といった各特性
へ関係があるが、上記無電解酸化亜鉛めっき液条件で
は、光透過性を９０％以上とする場合には、ＤＭＡＢ濃
度は０．００１〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、特に０．００５〜
０．０５ｍｏｌ／Ｌ（ピークは０．０３ｍｏｌ／Ｌ）、
高い光触媒性を得るには、ＤＭＡＢ濃度を０．００１〜
０．５ｍｏｌ／Ｌ、特に０．０１〜０．３ｍｏｌ／Ｌ
（ピークは０．１ｍｏｌ／Ｌ）、導電性膜としての特性
を得るには、ＤＭＡＢ濃度を０．００１〜０．０５ｍｏ
ｌ／Ｌ、特に０．００５〜０．０３ｍｏｌ／Ｌ（ピーク
は０．０１ｍｏｌ／Ｌ）とすることで、これら無電解酸
化亜鉛皮膜の特性を得ることができる。また、この範囲
を考慮することにより、上記各特性を２種以上持つ無電
解酸化亜鉛皮膜を容易に得ることが可能であり、例え
ば、透明導電性膜のような光透過性と導電性膜としての
特性を両方活かす場合には、ＤＭＡＢ濃度を０．００５
〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ（例えば、０．０１ｍｏｌ／Ｌ）
とすることにより、光透過性が９０％以上の透明導電性
膜を得ることができる。このように、ＤＭＡＢ濃度を設
定することで、所望する無電解酸化亜鉛皮膜の特性を得
ることが可能である。
【００３４】このように光透過性と導電性膜としての特
性を得られるように形成した無電解酸化亜鉛皮膜を用い
て導電性物品を作製する場合は、特に後述する改質剤に
よって酸化亜鉛を処理した後、加熱処理を行うことが有
効である。
性を得られるように形成した無電解酸化亜鉛皮膜を用い
て導電性物品を作製する場合は、特に後述する改質剤に
よって酸化亜鉛を処理した後、加熱処理を行うことが有
効である。
【００３５】ここで、酸化亜鉛皮膜を用いた導電性物品
を得るための基体としては特に制限されず、金属基板や
ＩＴＯ膜等の導電性基板、ソーダライムガラスや無アル
カリガラス等のガラス基板やセラミック基板、プラスチ
ックやフィルム基板、エポキシ樹脂等の樹脂基板などの
非導電性基板が挙げられる。特に、ソーダライムガラス
の場合、乾式法で該基体上にＩＴＯを製膜したときに
は、該基体中に含まれるアルカリ（Ｎａ）がＩＴＯと反
応して、アルカリ塩を生成するため、一般にはシリコン
等で該基体表面を処理しておく必要があるが、本発明で
はこの処理は不要となる。
を得るための基体としては特に制限されず、金属基板や
ＩＴＯ膜等の導電性基板、ソーダライムガラスや無アル
カリガラス等のガラス基板やセラミック基板、プラスチ
ックやフィルム基板、エポキシ樹脂等の樹脂基板などの
非導電性基板が挙げられる。特に、ソーダライムガラス
の場合、乾式法で該基体上にＩＴＯを製膜したときに
は、該基体中に含まれるアルカリ（Ｎａ）がＩＴＯと反
応して、アルカリ塩を生成するため、一般にはシリコン
等で該基体表面を処理しておく必要があるが、本発明で
はこの処理は不要となる。
【００３６】なお、この場合、酸化亜鉛皮膜の膜厚は
０．００５μｍ以上、好ましくは０．００５〜２μｍと
することができるが、これに制限されるものではない。
０．００５μｍ以上、好ましくは０．００５〜２μｍと
することができるが、これに制限されるものではない。
【００３７】更には、この無電解酸化亜鉛皮膜を陰極と
して、上記組成液から無電解酸化亜鉛皮膜の上に電解酸
化亜鉛皮膜を作製してもよい。
して、上記組成液から無電解酸化亜鉛皮膜の上に電解酸
化亜鉛皮膜を作製してもよい。
【００３８】この場合、電解酸化亜鉛皮膜析出溶液とし
ては、酸化亜鉛を析出させる液であればよく、特に制限
されないが、硝酸亜鉛等の亜鉛塩０．０１〜０．５ｍｏ
ｌ／Ｌ、好ましくは０．０５〜０．２ｍｏｌ／Ｌを含有
するｐＨ４〜９程度、特にｐＨ６の処理液を好適に用い
ることができ、陽極として亜鉛、カーボン、白金等を用
いて導電性基板１ｃｍ2あたり０．１〜２０クーロン、
好ましくは１〜１０クーロン通電して酸化亜鉛皮膜を得
ることができる。浴温は１０〜８０℃の範囲で用いられ
る。
ては、酸化亜鉛を析出させる液であればよく、特に制限
されないが、硝酸亜鉛等の亜鉛塩０．０１〜０．５ｍｏ
ｌ／Ｌ、好ましくは０．０５〜０．２ｍｏｌ／Ｌを含有
するｐＨ４〜９程度、特にｐＨ６の処理液を好適に用い
ることができ、陽極として亜鉛、カーボン、白金等を用
いて導電性基板１ｃｍ2あたり０．１〜２０クーロン、
好ましくは１〜１０クーロン通電して酸化亜鉛皮膜を得
ることができる。浴温は１０〜８０℃の範囲で用いられ
る。
【００３９】上述の如く作製した酸化亜鉛皮膜を改質す
る改質剤は、３価の金属カチオンを含む水溶液であり、
ここで、３価の金属カチオンとしては、Ｉｎ3+，Ａ
ｌ3+，Ｇａ3+，Ｔｂ3+，Ｙ3+，Ｅｕ3+，Ｂｉ3+，Ｒ
ｕ3+，Ｃｅ3+等を挙げることができ、これらの１種又は
２種以上を含有するものである。なお、対アニオンとし
ては、その３価の金属化合物を水溶液とするものであれ
ばよく、特に制限されないが、硫酸イオン、ハロゲンイ
オン、リン酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、クエン
酸イオン、乳酸イオン、その他のカルボン酸イオンなど
が挙げられる。上記３価の金属カチオンは、水溶液中に
０．１〜５０ｇ／Ｌ、より好ましくは０．３〜３ｇ／Ｌ
含有されることが有効である。上記３価の金属カチオン
が上記範囲を外れると、酸化亜鉛上に均一に改質皮膜が
得られなくなるおそれがある。
る改質剤は、３価の金属カチオンを含む水溶液であり、
ここで、３価の金属カチオンとしては、Ｉｎ3+，Ａ
ｌ3+，Ｇａ3+，Ｔｂ3+，Ｙ3+，Ｅｕ3+，Ｂｉ3+，Ｒ
ｕ3+，Ｃｅ3+等を挙げることができ、これらの１種又は
２種以上を含有するものである。なお、対アニオンとし
ては、その３価の金属化合物を水溶液とするものであれ
ばよく、特に制限されないが、硫酸イオン、ハロゲンイ
オン、リン酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、クエン
酸イオン、乳酸イオン、その他のカルボン酸イオンなど
が挙げられる。上記３価の金属カチオンは、水溶液中に
０．１〜５０ｇ／Ｌ、より好ましくは０．３〜３ｇ／Ｌ
含有されることが有効である。上記３価の金属カチオン
が上記範囲を外れると、酸化亜鉛上に均一に改質皮膜が
得られなくなるおそれがある。
【００４０】上記３価の金属カチオン含有水溶液（改質
剤）のｐＨは２〜１０、特に３〜８であることが好まし
い。
剤）のｐＨは２〜１０、特に３〜８であることが好まし
い。
【００４１】上記処理により得られる、酸化亜鉛皮膜中
の３価金属の含有量は、比抵抗値を安定させるためには
０．０１重量％以上とすることが好ましく、更に優れた
透明性を得るためには３０重量％以下とすることが好ま
しい。より好ましくは０．０５〜１０重量％、更に好ま
しくは０．１〜５重量％である。
の３価金属の含有量は、比抵抗値を安定させるためには
０．０１重量％以上とすることが好ましく、更に優れた
透明性を得るためには３０重量％以下とすることが好ま
しい。より好ましくは０．０５〜１０重量％、更に好ま
しくは０．１〜５重量％である。
【００４２】酸化亜鉛皮膜を改質剤で処理する場合の条
件は、適宜選定されるが、１０〜６０℃、特に２０〜４
０℃で１秒〜１０分程度の条件を採用することができ、
酸化亜鉛を改質剤中に浸漬することによって処理するこ
とができるが、スプレー処理等によってもよい。
件は、適宜選定されるが、１０〜６０℃、特に２０〜４
０℃で１秒〜１０分程度の条件を採用することができ、
酸化亜鉛を改質剤中に浸漬することによって処理するこ
とができるが、スプレー処理等によってもよい。
【００４３】上記処理によれば、酸化亜鉛皮膜表面が水
溶液で濡れているので、空気との接触を抑制することが
できるため、処理中に酸化亜鉛皮膜の比抵抗率が変動す
ることを抑えることができる。
溶液で濡れているので、空気との接触を抑制することが
できるため、処理中に酸化亜鉛皮膜の比抵抗率が変動す
ることを抑えることができる。
【００４４】また、上記工程により得られた改質酸化亜
鉛皮膜を加熱処理する条件については、１５０〜７００
℃、好ましくは２００〜６５０℃で行うことが推奨さ
れ、また加熱時間は５分〜２時間であることが好まし
く、これにより、導電性が更に向上する。
鉛皮膜を加熱処理する条件については、１５０〜７００
℃、好ましくは２００〜６５０℃で行うことが推奨さ
れ、また加熱時間は５分〜２時間であることが好まし
く、これにより、導電性が更に向上する。
【００４５】ここで、上記加熱処理は、上記改質処理に
次いで行うこともできるが、後述する酸化亜鉛皮膜以外
の層を酸化亜鉛皮膜の上層へ形成した後に行ってもよ
い。
次いで行うこともできるが、後述する酸化亜鉛皮膜以外
の層を酸化亜鉛皮膜の上層へ形成した後に行ってもよ
い。
【００４６】更に、加熱雰囲気は、大気中、窒素、ヘリ
ウム、アルゴン等の非酸化性ガス雰囲気、水素等の還元
性ガス雰囲気、これらの混合ガス雰囲気のいずれであっ
てもよいが、ガス雰囲気中の酸素濃度を１００ｐｐｍ以
下、特に１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。ガス雰
囲気中の酸素濃度が１００ｐｐｍよりも多いと、加熱し
ても導電性が十分に向上しない場合がある。これは、ガ
ス雰囲気中の酸素が多いために酸化亜鉛皮膜中の酸素欠
陥を形成することが困難であるためと考えられる。ま
た、水素等の還元ガスを非酸化性ガス雰囲気中に０．０
１〜１０容量％、特に０．０５〜５容量％含有する混合
ガスを使用することにより、より抵抗値の低い酸化亜鉛
皮膜を得ることができる。これは、還元性ガスにより酸
化亜鉛皮膜中に酸素欠陥を形成し、抵抗値の低い酸化亜
鉛皮膜が得られると考えられる。また、酸化亜鉛の一部
が還元ガスにより金属に還元されるのかも知れない。
ウム、アルゴン等の非酸化性ガス雰囲気、水素等の還元
性ガス雰囲気、これらの混合ガス雰囲気のいずれであっ
てもよいが、ガス雰囲気中の酸素濃度を１００ｐｐｍ以
下、特に１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。ガス雰
囲気中の酸素濃度が１００ｐｐｍよりも多いと、加熱し
ても導電性が十分に向上しない場合がある。これは、ガ
ス雰囲気中の酸素が多いために酸化亜鉛皮膜中の酸素欠
陥を形成することが困難であるためと考えられる。ま
た、水素等の還元ガスを非酸化性ガス雰囲気中に０．０
１〜１０容量％、特に０．０５〜５容量％含有する混合
ガスを使用することにより、より抵抗値の低い酸化亜鉛
皮膜を得ることができる。これは、還元性ガスにより酸
化亜鉛皮膜中に酸素欠陥を形成し、抵抗値の低い酸化亜
鉛皮膜が得られると考えられる。また、酸化亜鉛の一部
が還元ガスにより金属に還元されるのかも知れない。
【００４７】本発明の導電性物品は、更に上記工程によ
り作製された酸化亜鉛皮膜層の他に、その上層又は下層
に酸化亜鉛皮膜以外の層を有しており、該酸化亜鉛皮膜
以外の層としては、制限はなく、金属層、電着塗装層、
樹脂層等が挙げられる。このとき、該酸化亜鉛皮膜以外
の層が酸化亜鉛皮膜の下層にある場合、この該酸化亜鉛
皮膜以外の層で被覆された基体を前記の無電解酸化亜鉛
皮膜形成工程で処理する。ここで、該酸化亜鉛皮膜以外
の層の作製方法としては、スパッタリングなどの乾式
法、無電解めっき法、電解めっき法、電着塗装法、塗布
法、スクリーン印刷法などの湿式法を採用できるが、湿
式法を採用した場合には、連続処理が可能となり生産性
を高めることができる。
り作製された酸化亜鉛皮膜層の他に、その上層又は下層
に酸化亜鉛皮膜以外の層を有しており、該酸化亜鉛皮膜
以外の層としては、制限はなく、金属層、電着塗装層、
樹脂層等が挙げられる。このとき、該酸化亜鉛皮膜以外
の層が酸化亜鉛皮膜の下層にある場合、この該酸化亜鉛
皮膜以外の層で被覆された基体を前記の無電解酸化亜鉛
皮膜形成工程で処理する。ここで、該酸化亜鉛皮膜以外
の層の作製方法としては、スパッタリングなどの乾式
法、無電解めっき法、電解めっき法、電着塗装法、塗布
法、スクリーン印刷法などの湿式法を採用できるが、湿
式法を採用した場合には、連続処理が可能となり生産性
を高めることができる。
【００４８】本発明の工程により作製された改質酸化亜
鉛皮膜は、０．１Ω・ｃｍ以下、特に０．０５Ω・ｃｍ
以下の比抵抗値であり、導電性がよいため、電極として
使用することができる。また、この改質酸化亜鉛皮膜を
陰極として、該酸化亜鉛皮膜上に多様な層を形成するこ
とができ、例えば、金属層や電着塗装層を形成すること
ができる。この場合、該酸化亜鉛皮膜はエッチングが容
易である（強酸液や強アルカリ液を使用せずに容易にエ
ッチングできる）ことから、エッチングが困難な金属等
を容易にパターニングすることができる上、該酸化亜鉛
皮膜を作製する溶液のｐＨも中性付近であることから、
基体の侵食をせずに処理することができる。また、電着
塗装を行う場合、不導電体上への電着塗装が可能とな
り、更に透明性を持った酸化亜鉛皮膜を作製した場合に
は、陰極となる金属層の色むらによって発生する、電着
塗装膜の膜厚が薄い場合の電着塗装膜の色調変化を抑え
ることができる上、必要によって、パターン化した電着
塗装を得ることができる。
鉛皮膜は、０．１Ω・ｃｍ以下、特に０．０５Ω・ｃｍ
以下の比抵抗値であり、導電性がよいため、電極として
使用することができる。また、この改質酸化亜鉛皮膜を
陰極として、該酸化亜鉛皮膜上に多様な層を形成するこ
とができ、例えば、金属層や電着塗装層を形成すること
ができる。この場合、該酸化亜鉛皮膜はエッチングが容
易である（強酸液や強アルカリ液を使用せずに容易にエ
ッチングできる）ことから、エッチングが困難な金属等
を容易にパターニングすることができる上、該酸化亜鉛
皮膜を作製する溶液のｐＨも中性付近であることから、
基体の侵食をせずに処理することができる。また、電着
塗装を行う場合、不導電体上への電着塗装が可能とな
り、更に透明性を持った酸化亜鉛皮膜を作製した場合に
は、陰極となる金属層の色むらによって発生する、電着
塗装膜の膜厚が薄い場合の電着塗装膜の色調変化を抑え
ることができる上、必要によって、パターン化した電着
塗装を得ることができる。
【００４９】本発明の導電性物品は、上記工程により作
製する改質酸化亜鉛皮膜にパターン形成を更に施すこと
ができるが、この場合、パターン形成方法としては、以
下の両方法が採用できる。 Ａ：基体の全面に上記工程により酸化亜鉛皮膜を形成−
フォトレジストによるパターン形成−エッチング−フォ
トレジストの除去−パターン形成。 Ｂ：基体にフォトレジストでパターンを形成−上記工程
により酸化亜鉛皮膜を形成−フォトレジストの除去−パ
ターン形成。
製する改質酸化亜鉛皮膜にパターン形成を更に施すこと
ができるが、この場合、パターン形成方法としては、以
下の両方法が採用できる。 Ａ：基体の全面に上記工程により酸化亜鉛皮膜を形成−
フォトレジストによるパターン形成−エッチング−フォ
トレジストの除去−パターン形成。 Ｂ：基体にフォトレジストでパターンを形成−上記工程
により酸化亜鉛皮膜を形成−フォトレジストの除去−パ
ターン形成。
【００５０】上記Ａの工程において、エッチングとして
は制限はないが、連続処理する場合には、ウェットエッ
チングを採用することが好ましい。採用できる系として
は特に制限はなく、常法の系が採用でき、例えば塩酸系
のエッチャントでウェットエッチングすることにより得
ることができる。
は制限はないが、連続処理する場合には、ウェットエッ
チングを採用することが好ましい。採用できる系として
は特に制限はなく、常法の系が採用でき、例えば塩酸系
のエッチャントでウェットエッチングすることにより得
ることができる。
【００５１】また、特にＢの工程においては、エッチン
グの工程を省くことができ、エッチングの廃液処理等を
行うことなくパターンを形成することができ、生産コス
トをより抑えることができる。また、該フォトレジスト
でのパターン形成は、触媒付与処理の前に行い、パター
ン化された状態の触媒付与をしてもよく、触媒付与後に
行ってもよい。
グの工程を省くことができ、エッチングの廃液処理等を
行うことなくパターンを形成することができ、生産コス
トをより抑えることができる。また、該フォトレジスト
でのパターン形成は、触媒付与処理の前に行い、パター
ン化された状態の触媒付与をしてもよく、触媒付与後に
行ってもよい。
【００５２】更に、本発明においては、酸化亜鉛皮膜以
外の金属酸化物層や金属層をパターン化することがで
き、上記Ａ，Ｂの方法を採用できる。例えば、液晶ディ
スプレイ等に必要な透明電極では、低抵抗化を計るため
に透明電極の形成前あるいは形成後に補助電極を形成す
る。補助電極材としては、Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ等を
使用することができる。
外の金属酸化物層や金属層をパターン化することがで
き、上記Ａ，Ｂの方法を採用できる。例えば、液晶ディ
スプレイ等に必要な透明電極では、低抵抗化を計るため
に透明電極の形成前あるいは形成後に補助電極を形成す
る。補助電極材としては、Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ等を
使用することができる。
【００５３】従って、本発明においては、比抵抗値が
０．１Ω・ｃｍ以下である高い導電性を持つ酸化亜鉛皮
膜を有する導電性物品、特に透明電極を一貫した湿式プ
ロセス（スパッタリングや蒸着といった乾式法を使用し
ない）の連続処理で形成することができる。更には、酸
化亜鉛皮膜及び金属層のパターン形成の方法を上記Ｂ法
により形成した場合、エッチングレスでの処理が可能と
なる。
０．１Ω・ｃｍ以下である高い導電性を持つ酸化亜鉛皮
膜を有する導電性物品、特に透明電極を一貫した湿式プ
ロセス（スパッタリングや蒸着といった乾式法を使用し
ない）の連続処理で形成することができる。更には、酸
化亜鉛皮膜及び金属層のパターン形成の方法を上記Ｂ法
により形成した場合、エッチングレスでの処理が可能と
なる。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、非導電性基体表面上に
微細なＳｎ，Ａｇ，Ｐｄからなる触媒核粒子を高密度に
付与することができる。また、本触媒上に形成する改質
酸化亜鉛皮膜は、生産性が高く、複雑なパターニングが
容易にでき、大気中に放置しても比抵抗率の変動が小さ
いため安定に作動し、作製に大規模な設備を必要とせ
ず、生産コストの低い、大面積や複雑な形状の導電性物
品を容易に作製することができる。
微細なＳｎ，Ａｇ，Ｐｄからなる触媒核粒子を高密度に
付与することができる。また、本触媒上に形成する改質
酸化亜鉛皮膜は、生産性が高く、複雑なパターニングが
容易にでき、大気中に放置しても比抵抗率の変動が小さ
いため安定に作動し、作製に大規模な設備を必要とせ
ず、生産コストの低い、大面積や複雑な形状の導電性物
品を容易に作製することができる。
【００５５】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【００５６】［実施例１］非導電性基板としてソーダラ
イムガラスを用い、下記の工程で触媒を付与した。触媒付与 ｉ．脱脂 基板を下記の脱脂剤溶液に５０℃で３分間浸漬処理し
た。 ｉｉ．水洗 ２５℃，１５秒間 ｉｉｉ．表面調整 下記表面調整剤溶液に３０℃で５分間浸漬処理した。 ｉｖ．水洗 ２５℃，１５秒間 ｖ．センシタイジング 下記のセンシタイジング溶液に２０℃で１分間浸漬し
た。 ｖｉ．水洗 ２５℃，１５秒間 ｖｉｉ．触媒付与 下記の銀活性化溶液に２０℃で１分間浸漬した。 ｖｉｉｉ．水洗 ２５℃，１５秒間 ｉｘ．触媒付与 下記のパラジウム活性化溶液に２０℃で１分間浸漬し
た。 ｘ．水洗 ２５℃，１５秒間
イムガラスを用い、下記の工程で触媒を付与した。触媒付与 ｉ．脱脂 基板を下記の脱脂剤溶液に５０℃で３分間浸漬処理し
た。 ｉｉ．水洗 ２５℃，１５秒間 ｉｉｉ．表面調整 下記表面調整剤溶液に３０℃で５分間浸漬処理した。 ｉｖ．水洗 ２５℃，１５秒間 ｖ．センシタイジング 下記のセンシタイジング溶液に２０℃で１分間浸漬し
た。 ｖｉ．水洗 ２５℃，１５秒間 ｖｉｉ．触媒付与 下記の銀活性化溶液に２０℃で１分間浸漬した。 ｖｉｉｉ．水洗 ２５℃，１５秒間 ｉｘ．触媒付与 下記のパラジウム活性化溶液に２０℃で１分間浸漬し
た。 ｘ．水洗 ２５℃，１５秒間
【００５７】なお、上記（ｖ）〜（ｉｘ）の工程を１回
のみ行ったものを実施例１−１、（ｖｉｉ）の工程の浸
漬時間を２分間としたものを実施例１−２、（ｉｘ）の
工程の浸漬時間を２分間としたものを実施例１−３、
（ｖ）〜（ｘ）を２回繰り返したものを実施例１−４、
（ｖ）〜（ｘ）を３回繰り返したものを実施例１−５、
（ｖｉｉ）〜（ｘ）を２回繰り返したものを実施例１−
６、（ｖｉｉ）の工程の浸漬時間を２分間とし、（ｖｉ
ｉ）〜（ｘ）を２回繰り返したものを実施例１−７、
（ｖｉｉ）の工程の浸漬時間を２分間とし、（ｖ）〜
（Ｖｉｉｉ）を２回繰り返したものを実施例１−８、
（ｉｘ）の工程の浸漬時間を２分間とし、（ｖ）の工程
以降を（ｖ）→（ｖｉ）→（ｖｉｉ）→（ｖｉｉｉ）→
（ｉｘ）→（ｘ）→（ｖ）→（ｖｉ）→（ｉｘ）→
（ｘ）としたものを実施例１−９、（ｖ）の工程以降を
（ｖ）→（ｖｉ）→（ｖｉｉ）→（ｖｉｉｉ）→（ｉ
ｘ）→（ｘ）→（ｖ）→（ｖｉ）→（ｉｘ）→（ｘ）と
したものを実施例１−１０とした。
のみ行ったものを実施例１−１、（ｖｉｉ）の工程の浸
漬時間を２分間としたものを実施例１−２、（ｉｘ）の
工程の浸漬時間を２分間としたものを実施例１−３、
（ｖ）〜（ｘ）を２回繰り返したものを実施例１−４、
（ｖ）〜（ｘ）を３回繰り返したものを実施例１−５、
（ｖｉｉ）〜（ｘ）を２回繰り返したものを実施例１−
６、（ｖｉｉ）の工程の浸漬時間を２分間とし、（ｖｉ
ｉ）〜（ｘ）を２回繰り返したものを実施例１−７、
（ｖｉｉ）の工程の浸漬時間を２分間とし、（ｖ）〜
（Ｖｉｉｉ）を２回繰り返したものを実施例１−８、
（ｉｘ）の工程の浸漬時間を２分間とし、（ｖ）の工程
以降を（ｖ）→（ｖｉ）→（ｖｉｉ）→（ｖｉｉｉ）→
（ｉｘ）→（ｘ）→（ｖ）→（ｖｉ）→（ｉｘ）→
（ｘ）としたものを実施例１−９、（ｖ）の工程以降を
（ｖ）→（ｖｉ）→（ｖｉｉ）→（ｖｉｉｉ）→（ｉ
ｘ）→（ｘ）→（ｖ）→（ｖｉ）→（ｉｘ）→（ｘ）と
したものを実施例１−１０とした。
【００５８】［実施例２〜４］非導電性基板としてソー
ダライムガラスを用い、上記実施例１−５の方法により
触媒を付与した後、下記無電解ＺｎＯめっき液を用いて
ｐＨ６．３，６８℃で１時間浸漬処理した。
ダライムガラスを用い、上記実施例１−５の方法により
触媒を付与した後、下記無電解ＺｎＯめっき液を用いて
ｐＨ６．３，６８℃で１時間浸漬処理した。
【００５９】［実施例５〜１１］表２のように非導電性
基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付与
した後、実施例２の無電解ＺｎＯめっき液を用いてｐＨ
６．３，６８℃で３０分間浸漬処理した。
基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付与
した後、実施例２の無電解ＺｎＯめっき液を用いてｐＨ
６．３，６８℃で３０分間浸漬処理した。
【００６０】［実施例１２〜１８］表２のように非導電
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ｃｕめっき液を用いてｐＨ１３．
３，６０℃で１分間浸漬処理した。
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ｃｕめっき液を用いてｐＨ１３．
３，６０℃で１分間浸漬処理した。
【００６１】［実施例１９〜２５］表２のように非導電
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いてｐＨ
４．６，９０℃で１分間浸漬処理した。
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いてｐＨ
４．６，９０℃で１分間浸漬処理した。
【００６２】［実施例２６〜３２］表２のように非導電
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ｎｉ−Ｂめっき液を用いてｐＨ
６．６，６５℃で１分間浸漬処理した。
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ｎｉ−Ｂめっき液を用いてｐＨ
６．６，６５℃で１分間浸漬処理した。
【００６３】［実施例３３〜３９］表２のように非導電
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ａｕめっき液を用いてｐＨ７．
５，７０℃で１分間浸漬処理した。
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ａｕめっき液を用いてｐＨ７．
５，７０℃で１分間浸漬処理した。
【００６４】［実施例４０〜４６］表２のように非導電
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解コバルトめっき液を用いてｐＨ
９，９０℃で１分間浸漬処理した。
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解コバルトめっき液を用いてｐＨ
９，９０℃で１分間浸漬処理した。
【００６５】［実施例４７〜５３］表２のように非導電
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ｐｄめっき液を用いてｐＨ８，５
０℃で１分間浸漬処理した。
性基材を用い、上記実施例１−５の方法により触媒を付
与した後、下記無電解Ｐｄめっき液を用いてｐＨ８，５
０℃で１分間浸漬処理した。
【００６６】［実施例５４］下記酸化チタンコーティン
グ剤を用い、スピンコーティング法により酸化チタン膜
を形成し、大気中３５０℃で３０分間加熱処理を施し
た。これを基材として、その上に実施例１−５の方法に
よりＳｎ：Ａｇ：Ｐｄを３：２：１の重量割合で付与
し、高密度Ｐｄ核分散層を形成した。この高密度Ｐｄ核
分散層は、実施例１−５の結果と同等であった。高密度
Ｐｄ核分散層が平滑かつＰｄ核粒子が微細であり、酸化
チタン膜の光触媒性向上の効果を確認した。
グ剤を用い、スピンコーティング法により酸化チタン膜
を形成し、大気中３５０℃で３０分間加熱処理を施し
た。これを基材として、その上に実施例１−５の方法に
よりＳｎ：Ａｇ：Ｐｄを３：２：１の重量割合で付与
し、高密度Ｐｄ核分散層を形成した。この高密度Ｐｄ核
分散層は、実施例１−５の結果と同等であった。高密度
Ｐｄ核分散層が平滑かつＰｄ核粒子が微細であり、酸化
チタン膜の光触媒性向上の効果を確認した。
【００６７】［比較例１］実施例１において、パラジウ
ム活性化剤を用いることなく、センシタイジング処理と
銀活性化処理のみにおいて触媒化処理を行った以外は、
実施例１と同様にしてソーダライムガラス基板上に触媒
を付与した。
ム活性化剤を用いることなく、センシタイジング処理と
銀活性化処理のみにおいて触媒化処理を行った以外は、
実施例１と同様にしてソーダライムガラス基板上に触媒
を付与した。
【００６８】［比較例２］実施例１において、銀活性化
剤を用いることなく、センシタイジング処理とパラジウ
ム活性化処理のみにおいて触媒化処理を行った以外は、
実施例１と同様にしてソーダライムガラス基板上に触媒
を付与した。
剤を用いることなく、センシタイジング処理とパラジウ
ム活性化処理のみにおいて触媒化処理を行った以外は、
実施例１と同様にしてソーダライムガラス基板上に触媒
を付与した。
【００６９】実施例１、比較例１，２により得られたソ
ーダライムガラス基板上の触媒粒子の吸着状態のＡＦＭ
観察及び触媒粒子を王水に溶解させた後のＩＣＰ測定の
結果を表１に示す。また、実施例２〜４により得られた
ソーダライムガラス基板上の酸化亜鉛のＸ線回折ピーク
強度比を表２に示す。更に、各種無電解めっきの初期析
出状態のＡＦＭ観察結果（実施例５〜５３）を表３，４
に示す。
ーダライムガラス基板上の触媒粒子の吸着状態のＡＦＭ
観察及び触媒粒子を王水に溶解させた後のＩＣＰ測定の
結果を表１に示す。また、実施例２〜４により得られた
ソーダライムガラス基板上の酸化亜鉛のＸ線回折ピーク
強度比を表２に示す。更に、各種無電解めっきの初期析
出状態のＡＦＭ観察結果（実施例５〜５３）を表３，４
に示す。
【００７０】脱脂剤 上村工業株式会社製アサヒクリーナーＣ−４０００ ５ｇ／Ｌ表面調整剤 上村工業株式会社製スルカップＣＤ−２０２ ５０ｍＬ／Ｌセンシタイジング溶液 ＳｎＣｌ2 １５ｇ／Ｌ ＨＣｌ（３６％） ４５ｍＬ／Ｌ ｐＨ ０．５銀活性化溶液 ＡｇＳＯ4 ３ｇ／Ｌ ｐＨ ７．０パラジウム活性化溶液 ＰｄＣｌ2 １．５ｇ／Ｌ ＨＣｌ（３６％） １．５ｍＬ／Ｌ ｐＨ ２．８無電解ＺｎＯめっき溶液 （実施例２）Ｚｎ（ＮＯ3）2 ０．１ｍｏｌ／Ｌ ＤＭＡＢ ０．００５ｍｏｌ／Ｌ ｐＨ ６．３ （実施例３）Ｚｎ（ＮＯ3）2 ０．１ｍｏｌ／Ｌ ＤＭＡＢ ０．０３ｍｏｌ／Ｌ ｐＨ ６．３ （実施例４）Ｚｎ（ＮＯ3）2 ０．１ｍｏｌ／Ｌ ＤＭＡＢ ０．１ｍｏｌ／Ｌ ｐＨ ６．３無電解Ｃｕめっき溶液 上村工業株式会社製スルカップＰＥＡ（還元剤：ホルムアルデヒド） ｐＨ １３無電解Ｎｉ−Ｐめっき溶液 上村工業株式会社製ニムデンＬＰＸ（還元剤：次亜リン酸ナトリウム） ｐＨ ６．０無電解Ｎｉ−Ｂめっき溶液 上村工業株式会社製ＢＥＬ８０１（還元剤：ジメチルアミンボラン） ｐＨ ６．６無電解Ａｕめっき溶液 上村工業株式会社製ネオラムＴＷＢ ｐＨ ７．５無電解Ｃｏめっき溶液 硫酸コバルト ０．０５ｍｏｌ／Ｌ 酒石酸ナトリウム ０．５ｍｏｌ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ０．２ｍｏｌ／Ｌ ホウ酸 ０．５ｍｏｌ／Ｌ ｐＨ ９無電解Ｐｄめっき溶液 塩化パラジウム ０．０１ｍｏｌ／Ｌ エチレンジアミン ０．０８ｍｏｌ／Ｌ チオグリコール酸 ２０ｍｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ０．４ｍｏｌ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ０．０６ｍｏｌ／Ｌ ｐＨ ８酸化チタンコーティング剤 多木化学株式会社製ＣＡ−６２ ｐＨ １１ 結晶子サイズ １０ｎｍ
【００７１】
【表１】 基板：ソーダライムガラス基板
【００７２】表１の結果から、本発明により非導電性基
材表面上に微細な触媒核粒子を高密度に付与することが
できる。
材表面上に微細な触媒核粒子を高密度に付与することが
できる。
【００７３】
【表２】
【００７４】表２の結果から、本発明の触媒を付与した
基板上に、配向性［（１００）：（００２）：（１０
１）］を制御した酸化亜鉛皮膜を得ることができる。
基板上に、配向性［（１００）：（００２）：（１０
１）］を制御した酸化亜鉛皮膜を得ることができる。
【００７５】
【表３】
【００７６】
【表４】
【００７７】表３，４の結果から、本発明により非導電
性基材表面上に初期核密度が高密度な無電解めっき皮膜
を得ることができる。
性基材表面上に初期核密度が高密度な無電解めっき皮膜
を得ることができる。
【００７８】［実施例５５］非導電性基板としてソーダ
ライムガラス１を用い、スパッタリング法により厚さ１
０００ÅのＣｕ膜２を形成［図１−ａ参照］し、巾１０
０μｍ、長さ３００ｍｍのストライプ状のパターンをフ
ォトレジスト３により形成した［図１−ｂ］。その後エ
ッチング剤によりパターン形成後、フォトレジストを除
去することにより、ストライプ状にパターニングされた
Ｃｕ配線を形成した［図１−ｃ］。次に、実施例１−５
記載の方法により触媒を付与し、この上に実施例２に示
す無電解酸化亜鉛析出溶液に６８℃で２時間浸漬して、
無電解法で酸化亜鉛を析出させた。その後、下記に示す
酸化亜鉛皮膜用改質剤に２５℃で１０秒間浸漬した後、
水素３％、窒素９７％の混合雰囲気中、５００℃で１０
分間加熱処理することにより改質酸化亜鉛皮膜４を得た
［図１−ｄ］。次いで、フォトレジスト３によるパター
ニングを行い［図１−ｅ］、希塩酸によりエッチングを
行うことにより、改質酸化亜鉛皮膜によるパターン化さ
れた透明電極を得た［図１−ｆ］。この透明電極の改質
酸化亜鉛皮膜の膜厚は０．１μｍで、可視光平均透過
率、比抵抗値、温度６０℃，湿度９０％で２０日間放置
した時の比抵抗値の変動率、酸化亜鉛皮膜中のＩｎ含有
量は、それぞれ９０％、２．０×１０-3Ω・ｃｍ、１１
５％、３重量％であった。酸化亜鉛皮膜用改質剤 硫酸インジウム １ｇ／Ｌ ｐＨ ４
ライムガラス１を用い、スパッタリング法により厚さ１
０００ÅのＣｕ膜２を形成［図１−ａ参照］し、巾１０
０μｍ、長さ３００ｍｍのストライプ状のパターンをフ
ォトレジスト３により形成した［図１−ｂ］。その後エ
ッチング剤によりパターン形成後、フォトレジストを除
去することにより、ストライプ状にパターニングされた
Ｃｕ配線を形成した［図１−ｃ］。次に、実施例１−５
記載の方法により触媒を付与し、この上に実施例２に示
す無電解酸化亜鉛析出溶液に６８℃で２時間浸漬して、
無電解法で酸化亜鉛を析出させた。その後、下記に示す
酸化亜鉛皮膜用改質剤に２５℃で１０秒間浸漬した後、
水素３％、窒素９７％の混合雰囲気中、５００℃で１０
分間加熱処理することにより改質酸化亜鉛皮膜４を得た
［図１−ｄ］。次いで、フォトレジスト３によるパター
ニングを行い［図１−ｅ］、希塩酸によりエッチングを
行うことにより、改質酸化亜鉛皮膜によるパターン化さ
れた透明電極を得た［図１−ｆ］。この透明電極の改質
酸化亜鉛皮膜の膜厚は０．１μｍで、可視光平均透過
率、比抵抗値、温度６０℃，湿度９０％で２０日間放置
した時の比抵抗値の変動率、酸化亜鉛皮膜中のＩｎ含有
量は、それぞれ９０％、２．０×１０-3Ω・ｃｍ、１１
５％、３重量％であった。酸化亜鉛皮膜用改質剤 硫酸インジウム １ｇ／Ｌ ｐＨ ４
【００７９】［実施例５６］非導電性基板としてソーダ
ライムガラス１を用い、該ソーダライムガラス上に巾１
００μｍ、長さ３００ｍｍのストライプ状のパターンを
フォトレジスト３により形成した［図２−ａ］。その
後、無電解めっき法により厚さ０．１μｍのＣｕ膜２を
形成し［図２−ｂ］、フォトレジストを除去することに
より、ストライプ状にパターニングされたＣｕ配線を形
成した［図２−ｃ］。次に、該ソーダライムガラス上に
ストライプ状のパターンをフォトレジスト３により形成
し［図２−ｄ］、その後に実施例１−５記載の方法によ
り触媒を付与し、この上に実施例２記載の無電解酸化亜
鉛析出溶液に６８℃で２時間浸漬して、無電解法で酸化
亜鉛を析出させた。次いで、フォトレジストを除去し、
上記酸化亜鉛用改質剤に２５℃で１０秒間浸漬した後、
窒素９７％、水素３％の混合雰囲気中、５００℃で１０
分間加熱処理することにより、改質酸化亜鉛皮膜４を被
覆した透明電極を得た［図２−ｅ］。この改質酸化亜鉛
皮膜の膜厚は０．１μｍで、可視光平均透過率、比抵抗
値は、それぞれ９５％、２．０×１０-3Ω・ｃｍ、温度
６０℃、湿度９０％で２０日間放置した時の比抵抗値の
変動率は１１５％、酸化亜鉛皮膜中のＩｎ含有量は３重
量％であった。
ライムガラス１を用い、該ソーダライムガラス上に巾１
００μｍ、長さ３００ｍｍのストライプ状のパターンを
フォトレジスト３により形成した［図２−ａ］。その
後、無電解めっき法により厚さ０．１μｍのＣｕ膜２を
形成し［図２−ｂ］、フォトレジストを除去することに
より、ストライプ状にパターニングされたＣｕ配線を形
成した［図２−ｃ］。次に、該ソーダライムガラス上に
ストライプ状のパターンをフォトレジスト３により形成
し［図２−ｄ］、その後に実施例１−５記載の方法によ
り触媒を付与し、この上に実施例２記載の無電解酸化亜
鉛析出溶液に６８℃で２時間浸漬して、無電解法で酸化
亜鉛を析出させた。次いで、フォトレジストを除去し、
上記酸化亜鉛用改質剤に２５℃で１０秒間浸漬した後、
窒素９７％、水素３％の混合雰囲気中、５００℃で１０
分間加熱処理することにより、改質酸化亜鉛皮膜４を被
覆した透明電極を得た［図２−ｅ］。この改質酸化亜鉛
皮膜の膜厚は０．１μｍで、可視光平均透過率、比抵抗
値は、それぞれ９５％、２．０×１０-3Ω・ｃｍ、温度
６０℃、湿度９０％で２０日間放置した時の比抵抗値の
変動率は１１５％、酸化亜鉛皮膜中のＩｎ含有量は３重
量％であった。
【００８０】［実施例５７］実施例５６の透明電極を用
いて、該透明電極上に低融点鉛系ガラスペーストを厚さ
４０μｍでスクリーン印刷５し［図３−ａ］、次いで１
２０℃で１０分乾燥し、更に４５０℃で１時間焼成処理
した。その後、配向膜６を塗布・ラビングして作製し、
ラビング偏向フィルタ７を貼合した［図３−ｂ］。この
ようにして作製した透明電極２枚を用いて、液晶セルを
作製し、液晶を樹脂にてセル内に封止して液晶ディスプ
レイを作製したところ、何ら問題なく動作した。
いて、該透明電極上に低融点鉛系ガラスペーストを厚さ
４０μｍでスクリーン印刷５し［図３−ａ］、次いで１
２０℃で１０分乾燥し、更に４５０℃で１時間焼成処理
した。その後、配向膜６を塗布・ラビングして作製し、
ラビング偏向フィルタ７を貼合した［図３−ｂ］。この
ようにして作製した透明電極２枚を用いて、液晶セルを
作製し、液晶を樹脂にてセル内に封止して液晶ディスプ
レイを作製したところ、何ら問題なく動作した。
【００８１】［実施例５８］実施例５５の透明電極を用
いた以外は、実施例５７と同様にして液晶ディスプレイ
を作製したところ、何ら問題なく動作した。
いた以外は、実施例５７と同様にして液晶ディスプレイ
を作製したところ、何ら問題なく動作した。
【００８２】［実施例５９］実施例５６の透明電極を用
い、透明電極上に最終的にシランカップリング剤を塗布
・乾燥、焼成して保護膜８を作製した［図４］以外は、
実施例５７と同様にして透明電極（前面用）を得た。背
面電極として、ソーダライムガラス基板１の表面にレジ
スト３を形成するデータ電極に対応したストライプ状の
開口パターンを有した形状でスクリーン印刷した［図５
−ａ］。続いて、次に実施例５６での処理と同様にして
触媒層を形成し、レジストを除去後、無電解酸化亜鉛め
っき４を施し、その上に無電解ニッケルめっき９を施し
た［図５−ｂ］。これにより、密着よくガラス基板の裏
面、表面に酸化亜鉛皮膜上に析出したニッケルめっき層
を１０μｍの厚さで得た。続いて、パターン化されたニ
ッケル上に銀１０を電解法にて３μｍ析出させ、データ
電極を形成した［図５−ｃ］。その後、白色顔料含有低
融点ガラスペーストを厚さ２０μｍの厚さに塗布し、乾
燥後４５０℃で焼成し、誘電体層１１を形成した［図５
−ｄ］。次いで、データ電極間に黒色顔料含有低融点ガ
ラスペーストを用いてスクリーン印刷・乾燥を１０数回
繰り返し、厚さ２５０μｍとし、焼成してリブ１２を形
成した［図５−ｅ］。このリブ間にそれぞれ対応した位
置に蛍光体（（Ｙ，Ｇａ）ＢＯ3：Ｅｕ，ＢａＭｇＡｌ2
Ｏ3：Ｅｕ，Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）１３をスクリーン印
刷した。これを乾燥・焼成して背面電極を得た［図５−
ｆ］。この前面電極と背面電極を用いて、プラズマディ
スプレイを作製したところ、何ら問題なく動作した。
い、透明電極上に最終的にシランカップリング剤を塗布
・乾燥、焼成して保護膜８を作製した［図４］以外は、
実施例５７と同様にして透明電極（前面用）を得た。背
面電極として、ソーダライムガラス基板１の表面にレジ
スト３を形成するデータ電極に対応したストライプ状の
開口パターンを有した形状でスクリーン印刷した［図５
−ａ］。続いて、次に実施例５６での処理と同様にして
触媒層を形成し、レジストを除去後、無電解酸化亜鉛め
っき４を施し、その上に無電解ニッケルめっき９を施し
た［図５−ｂ］。これにより、密着よくガラス基板の裏
面、表面に酸化亜鉛皮膜上に析出したニッケルめっき層
を１０μｍの厚さで得た。続いて、パターン化されたニ
ッケル上に銀１０を電解法にて３μｍ析出させ、データ
電極を形成した［図５−ｃ］。その後、白色顔料含有低
融点ガラスペーストを厚さ２０μｍの厚さに塗布し、乾
燥後４５０℃で焼成し、誘電体層１１を形成した［図５
−ｄ］。次いで、データ電極間に黒色顔料含有低融点ガ
ラスペーストを用いてスクリーン印刷・乾燥を１０数回
繰り返し、厚さ２５０μｍとし、焼成してリブ１２を形
成した［図５−ｅ］。このリブ間にそれぞれ対応した位
置に蛍光体（（Ｙ，Ｇａ）ＢＯ3：Ｅｕ，ＢａＭｇＡｌ2
Ｏ3：Ｅｕ，Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）１３をスクリーン印
刷した。これを乾燥・焼成して背面電極を得た［図５−
ｆ］。この前面電極と背面電極を用いて、プラズマディ
スプレイを作製したところ、何ら問題なく動作した。
【００８３】［実施例６０］実施例５５の工程におい
て、銅パターンを碁盤目状とし、図１−ｄまでの透明電
極［図６］を作製し、この透明電極を用いて公知の方法
で液晶シャッターを作製したところ、何ら問題なく動作
した。
て、銅パターンを碁盤目状とし、図１−ｄまでの透明電
極［図６］を作製し、この透明電極を用いて公知の方法
で液晶シャッターを作製したところ、何ら問題なく動作
した。
【００８４】［実施例６１］透明電極のパターン形状を
実施例５６と同様に形成したこと以外は、実施例５７と
同様にして作製した透明電極を用いて、公知の方法で液
晶光シャッターを作製したところ、何ら問題なく動作し
た。
実施例５６と同様に形成したこと以外は、実施例５７と
同様にして作製した透明電極を用いて、公知の方法で液
晶光シャッターを作製したところ、何ら問題なく動作し
た。
【００８５】［実施例６２］ソーダライムガラス基板全
面（パターニングなし）に実施例５５記載の方法によ
り、膜厚が０．１μｍで、可視光平均透過率、比抵抗値
がそれぞれ９５％、２．０×１０-3Ω・ｃｍ、温度６０
℃、湿度９０％で２０日間放置した時の比抵抗値の変動
率が１１５％、酸化亜鉛皮膜中のＩｎ含有量が３重量％
の改質酸化亜鉛皮膜を形成した後、銀ペーストを碁盤目
状にスクリーン印刷し、次いで１３０℃で３０分間銀を
硬化させたものを透明電極として用い、公知の方法で液
晶光シャッターを作製したところ、何ら問題なく動作し
た。
面（パターニングなし）に実施例５５記載の方法によ
り、膜厚が０．１μｍで、可視光平均透過率、比抵抗値
がそれぞれ９５％、２．０×１０-3Ω・ｃｍ、温度６０
℃、湿度９０％で２０日間放置した時の比抵抗値の変動
率が１１５％、酸化亜鉛皮膜中のＩｎ含有量が３重量％
の改質酸化亜鉛皮膜を形成した後、銀ペーストを碁盤目
状にスクリーン印刷し、次いで１３０℃で３０分間銀を
硬化させたものを透明電極として用い、公知の方法で液
晶光シャッターを作製したところ、何ら問題なく動作し
た。
【００８６】［実施例６３］実施例５５の透明電極を用
いて公知の方法でＥＬディスプレイを作製したところ、
何ら問題なく動作した。
いて公知の方法でＥＬディスプレイを作製したところ、
何ら問題なく動作した。
【００８７】［実施例６４］実施例５６の透明電極を用
いて公知の方法でＥＬディスプレイを作製したところ、
何ら問題なく動作した。
いて公知の方法でＥＬディスプレイを作製したところ、
何ら問題なく動作した。
【００８８】［実施例６５］実施例５５の工程におい
て、銅パターンを碁盤目状とし、図１−ｄまでの透明電
極［図６］を作製し、この透明電極を用いて公知の方法
でＥＬライトを作製したところ、何ら問題なく動作し
た。
て、銅パターンを碁盤目状とし、図１−ｄまでの透明電
極［図６］を作製し、この透明電極を用いて公知の方法
でＥＬライトを作製したところ、何ら問題なく動作し
た。
【００８９】［実施例６６］透明電極のパターン形状を
実施例５６と同様にして形成したこと以外は、実施例５
７と同様にして作製した透明電極を用いて、公知の方法
でＥＬライトを作製したところ、何ら問題なく動作し
た。
実施例５６と同様にして形成したこと以外は、実施例５
７と同様にして作製した透明電極を用いて、公知の方法
でＥＬライトを作製したところ、何ら問題なく動作し
た。
【００９０】［実施例６７］ソーダライムガラス基板全
面（パターニングなし）に実施例５５記載の方法によ
り、膜厚が０．１μｍで、可視光平均透過率、比抵抗値
がそれぞれ９５％、２．０×１０-3Ω・ｃｍ、温度６０
℃、湿度９０％で２０日間放置した時の比抵抗値の変動
率が１１５％、酸化亜鉛皮膜中のＩｎ含有量が３重量％
の改質酸化亜鉛皮膜を形成した後、銀ペーストを碁盤目
状にスクリーン印刷し、次いで１３０℃で３０分間銀を
硬化させたものを透明電極として用い、公知の方法でＥ
Ｌライトを作製したところ、何ら問題なく動作した。
面（パターニングなし）に実施例５５記載の方法によ
り、膜厚が０．１μｍで、可視光平均透過率、比抵抗値
がそれぞれ９５％、２．０×１０-3Ω・ｃｍ、温度６０
℃、湿度９０％で２０日間放置した時の比抵抗値の変動
率が１１５％、酸化亜鉛皮膜中のＩｎ含有量が３重量％
の改質酸化亜鉛皮膜を形成した後、銀ペーストを碁盤目
状にスクリーン印刷し、次いで１３０℃で３０分間銀を
硬化させたものを透明電極として用い、公知の方法でＥ
Ｌライトを作製したところ、何ら問題なく動作した。
【００９１】［実施例６８］基体上にパターン化された
銅配線を作製せずに実施例５６の方法を用いて、ガラス
基体上にパターン化された酸化亜鉛皮膜を作製した。こ
の酸化亜鉛皮膜の特性は実施例５６と同じであった。こ
の酸化亜鉛皮膜を陰極として、電解法により銅を析出さ
せた。ガラス基板上に密着よく銅パターンを形成するこ
とができた。
銅配線を作製せずに実施例５６の方法を用いて、ガラス
基体上にパターン化された酸化亜鉛皮膜を作製した。こ
の酸化亜鉛皮膜の特性は実施例５６と同じであった。こ
の酸化亜鉛皮膜を陰極として、電解法により銅を析出さ
せた。ガラス基板上に密着よく銅パターンを形成するこ
とができた。
【００９２】［実施例６９］図７のようにレジストを形
成した後に、無電解法により銅を析出させたこと以外は
実施例６８と同様にしてガラス基板上に銅パターンを形
成した。この銅パターンは密着よく析出していた。
成した後に、無電解法により銅を析出させたこと以外は
実施例６８と同様にしてガラス基板上に銅パターンを形
成した。この銅パターンは密着よく析出していた。
【００９３】［実施例７０］銅を析出させるにあたり図
８−ａのようにレジストを形成したこと以外は実施例６
８と同様にして銅パターンを形成した。銅パターンは図
８−ｂのように酸化亜鉛皮膜の側壁部のみに密着よく析
出した。この基体を透明電極として使用し、液晶セルを
作製したところ、何ら問題なく動作した。
８−ａのようにレジストを形成したこと以外は実施例６
８と同様にして銅パターンを形成した。銅パターンは図
８−ｂのように酸化亜鉛皮膜の側壁部のみに密着よく析
出した。この基体を透明電極として使用し、液晶セルを
作製したところ、何ら問題なく動作した。
【００９４】［実施例７１］銅を析出させる代わりに電
着塗装を施したこと以外は、実施例６８と同様にして電
着塗装パターンを得た。電着塗装は密着よく析出してお
り、色調むらも見られなかった。
着塗装を施したこと以外は、実施例６８と同様にして電
着塗装パターンを得た。電着塗装は密着よく析出してお
り、色調むらも見られなかった。
【００９５】［実施例７２］基体をセラミック基板とし
たこと以外は、実施例６８と同様にして銅パターンを得
た。得られた銅パターンは密着性がよく、ガラス質が偏
析しているセラミック上へも密着性のよい銅パターンが
得られることがわかった。
たこと以外は、実施例６８と同様にして銅パターンを得
た。得られた銅パターンは密着性がよく、ガラス質が偏
析しているセラミック上へも密着性のよい銅パターンが
得られることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による透明電極の作製方法の一実施例を
説明する工程図である。
説明する工程図である。
【図２】本発明による透明電極の作製方法の他の実施例
を説明する工程図である。
を説明する工程図である。
【図３】液晶ディスプレイの作製方法の一実施例を説明
する工程図である。
する工程図である。
【図４】プラズマディスプレイ用前面透明電極の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】プラズマディスプレイ用背面透明電極の一実施
例を説明する工程図である。
例を説明する工程図である。
【図６】透明電極の別の例を示す断面図である。
【図７】透明電極の更に別の例を示す断面図である。
【図８】液晶セルの作製方法の別の実施例を説明する工
程図である。
程図である。
１ ソーダライムガラス ２ 補助電極（Ｃｕ） ３ レジスト ４ 改質酸化亜鉛皮膜 ５ 誘電体層 ６ 配向膜 ７ 偏光フィルタ ８ 保護膜 ９ 無電解ニッケル層 １０ 銀層 １１ 誘電体層 １２ リブ １３ 蛍光体層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ ５Ｇ３２３ 11/02 11/02 Ｂ Ｆターム(参考） 4G069 AA03 AA08 AA12 BB02A BB02B BC22A BC22B BC32A BC32B BC72A BC72B CD10 DA06 EA07 EA11 EB15X EB18X 4K022 AA02 AA03 AA13 AA18 AA43 BA25 BA33 CA06 CA07 DA01 DB03 DB28 EA04 5C027 AA01 AA02 5C040 GC06 GC18 GC19 JA02 JA04 JA08 JA15 JA22 JA28 KA01 KB02 KB09 KB17 KB28 MA23 MA25 MA26 5G307 FA01 FB01 FC02 FC03 5G323 BA01 BA02 BB01
Claims (20)
- 【請求項１】 非導電性基材表面上に、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐ
ｄをＳｎ：Ａｇ：Ｐｄ＝（１〜１０）：（１〜１０）：
（１〜１０）の重量割合で有する触媒層が形成されてな
ることを特徴とする高密度Ｐｄ核分散層を有する基体。 - 【請求項２】 上記触媒層が、Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄからな
る触媒核を１５００核／μｍ2以上の核密度で有する請
求項１記載の高密度Ｐｄ核分散層を有する基体。 - 【請求項３】 上記触媒層の平均粗さが０．５ｎｍ以下
である請求項１又は２記載の高密度Ｐｄ核分散層を有す
る基体。 - 【請求項４】 上記触媒層の触媒核の粒子サイズが２ｎ
ｍ以下である請求項１、２又は３記載の高密度Ｐｄ核分
散層を有する基体。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の高
密度Ｐｄ核分散層を有する基体をボラン系還元剤を含有
する無電解酸化亜鉛めっき液に浸漬し、無電解酸化亜鉛
皮膜を形成するに際し、ボラン系還元剤の濃度を制御す
ることにより、上記酸化亜鉛皮膜の配向性を制御するこ
とを特徴とする無電解酸化亜鉛皮膜の形成方法。 - 【請求項６】 ボラン系還元剤の濃度を０．００１〜
０．０１ｍｏｌ／Ｌに調整して（１０１）面に優先配向
した酸化亜鉛皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 - 【請求項７】 ボラン系還元剤の濃度を０．０２〜０．
８ｍｏｌ／Ｌに調整して（００２）面に優先配向した酸
化亜鉛皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 - 【請求項８】 ボラン系還元剤の濃度を０．１〜０．２
ｍｏｌ／Ｌに調整して（１００）面に優先配向した酸化
亜鉛皮膜を得る請求項５記載の形成方法。 - 【請求項９】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の高
密度Ｐｄ核分散層上に（１０１）面に優先配向した酸化
亜鉛皮膜を有する基体。 - 【請求項１０】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の
高密度Ｐｄ核分散層上に（００２）面に優先配向した酸
化亜鉛皮膜を有する基体。 - 【請求項１１】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の
高密度Ｐｄ核分散層上に（１００）面に優先配向した酸
化亜鉛皮膜を有する基体。 - 【請求項１２】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の
高密度Ｐｄ核分散層を有する基体上に少なくとも水溶液
から作製された酸化亜鉛皮膜の層と酸化亜鉛皮膜以外の
層を有する導電性物品。 - 【請求項１３】 酸化亜鉛皮膜中に３価の金属が０．０
１重量％以上含まれている請求項１２記載の導電性物
品。 - 【請求項１４】 酸化亜鉛皮膜中の３価の金属が０．０
１〜３０重量％含まれている請求項１３記載の導電性物
品。 - 【請求項１５】 比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下である
酸化亜鉛皮膜を用いた請求項１２、１３又は１４記載の
導電性物品。 - 【請求項１６】 酸化亜鉛皮膜の層及び／又は酸化亜鉛
皮膜以外の層がパターン化されていることを特徴とする
請求項１２乃至１５のいずれか１項記載の導電性物品。 - 【請求項１７】 透明電極である請求項１２乃至１６の
いずれか１項記載の導電性物品。 - 【請求項１８】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の
高密度Ｐｄ核分散層を有する基体表面上に少なくとも水
溶液から作製された酸化亜鉛皮膜の層とパターン化され
た酸化亜鉛皮膜以外の層を有する導電性物品の作製方法
であって、水溶液から作製された酸化亜鉛皮膜を３価の
金属カチオンを含む水溶液で表面を改質し、更に熱処理
を加える酸化亜鉛皮膜層の作製工程を含み、かつ、乾式
法を用いない湿式プロセスであることを特徴とする導電
性物品の作製方法。 - 【請求項１９】 エッチングレスであることを特徴とす
る請求項１８記載の導電性物品の作製方法。 - 【請求項２０】 導電性物品が透明電極である請求項１
８又は１９記載の導電性物品の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000362895A JP2002170429A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 高密度触媒核分散層を有する基体並びに改質酸化亜鉛皮膜を有する導電性物品及びその作製方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000362895A JP2002170429A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 高密度触媒核分散層を有する基体並びに改質酸化亜鉛皮膜を有する導電性物品及びその作製方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002170429A true JP2002170429A (ja) | 2002-06-14 |
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|---|---|---|---|
| JP2000362895A Pending JP2002170429A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 高密度触媒核分散層を有する基体並びに改質酸化亜鉛皮膜を有する導電性物品及びその作製方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002170429A (ja) |
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- 2000-11-29 JP JP2000362895A patent/JP2002170429A/ja active Pending
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