JP2000026632A - 常圧プラズマを用いたフィルム基材への薄膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＴＡＣ等の吸湿性を有するフィルム基材の表面
上に、常圧プラズマを用いて薄膜を連続的に形成するに
あたり、その基材フィルムに皺が発生することを防止す
る。 【解決手段】大気圧近傍の圧力下において、フィルム基
材Ｆを対向電極１１，１２間に通過させながら、対向電
極１１，１２間にパルス電圧を印加することにより放電
プラズマを発生させ、その放電プラズマを用いてフィル
ム基材Ｆの表面に薄膜を連続的に形成する方法におい
て、金属元素含有アルコキシド０．０１〜５体積％、ア
ルゴンガス５０〜９９．９９体積％からなるガス雰囲気
下で、対向電極１１，１２間に、電界強度が１〜９０ｋ
Ｖ／ｃｍとなるようにパルス電圧を印加して薄膜を形成
するとともに、その成膜中におけるフィルム基材Ｆの温
度を１００℃以下に制御することで、プラズマ放電空間
でのフィルム基材の温度（含水率）の変動を抑える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大気圧近傍の圧力
下で発生させたグロー放電プラズマを用いてフィルム基
材に薄膜を連続的に形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィ
ルムや、１軸延伸ポリエステルフィルムは透明性に優
れ、光学的に異方性が無いことから偏光フィルム、位相
差フィルムなどの光学用途の支持体として一般的に用い
られている。そのため、ＴＡＣフィルム自身に誘電体薄
膜を成膜して反射防止のような光学性能等を付加する要
求が高まっている。

【０００３】グロー放電プラズマを用いて、プラスチッ
クフィルム上に透明金属酸化物を連続的に成膜する方法
としては、特開平７−３３３４０４号公報及び特開平８
−１６５５６５号公報に示されているような低圧力下で
のプラズマＣＶＤやスパッタリング法が公開されてい
る。しかし、これらの方法では、フィルムロールを真空
槽内に設置しているので、原料の搬入や製品の搬出ごと
に、真空の解除と形成を繰り返さなくてはならず、フィ
ルム基材の交換に多くの時間を要する。しかも複雑かつ
大規模な真空放電装置を用いる必要があることから、設
備がコスト高になるという問題がある。

【０００４】このような点を解消するため、本出願人
は、常圧パルスプラズマを用いた成膜法を既に提案して
いる。

【０００５】その成膜法は、互いに対向する一対の電極
で構成され、その一方または双方の電極の対向面（最表
面）が固体誘電体で被覆されてなる対向電極を、大気圧
近傍の圧力下に配置し、その対向電極間にフィルム基材
を電極に接触させながら走行させると同時に、対向電極
間にパルス電圧を印加することによりグロー放電プラズ
マを発生させ、その放電プラズマを用いてフィルム基材
に薄膜を連続的に形成する方法である。この成膜法で
は、大気圧環境下から直接フィルム基材を成膜環境下に
導入し、そのフィルム基材上に薄膜を直接成膜すること
ができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、標準状態
（２０℃，６５％相対湿度）にある空気中で１％以上の
吸湿率をもつプラスチックフィルム、例えばＴＡＣフィ
ルムのような吸湿性を有するフィルム基材を、常圧放電
下に置いて成膜を行う場合、フィルム基材を大気中から
放電プラズマ空間に導入した際に、放電による加熱によ
ってフィルム基材の含水量に急激な変動が生じ、フィル
ム基材が変形して皺が入ってしまう。

【０００７】ここで、反射防止の光学性能を付加するた
めの誘電体薄膜等は、膜質・膜厚が均一であることが要
求されるが、その支持体であるフィルム基材に皺が入っ
てしまうと、光学的特性が損なわれてしまい、本来の機
能を全く発揮できなくなる。従って、フィルム基材への
皺入りは、光学的用途が目的である場合、致命的な問題
となる。

【０００８】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、常圧プラズマを用いてフィルム基材上に薄膜を
連続的に形成するにあたり、そのフィルム基材に皺が発
生することを防止することのできる薄膜形成方法の提供
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、互いに対向する一対の電極で構成され、
その一方または双方の電極の対向面が固体誘電体で被覆
されてなる対向電極を、大気圧近傍の圧力下に配置し、
この対向電極間にフィルム基材を通過させながら、対向
電極間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマ
を発生させ、その放電プラズマを用いてフィルム基材の
表面に薄膜を連続的に形成する方法であって、金属元素
含有アルコキシド０．０１〜５体積％、アルゴンガス５
０〜９９．９９体積％からなるガス雰囲気下で、対向電
極間に、電界強度が１〜９０ｋＶ／ｃｍとなるようにパ
ルス電圧を印加して薄膜を形成するとともに、その成膜
中におけるフィルム基材の温度を１００℃以下に制御す
ることによって特徴づけられる。

【００１０】なお、本発明において、大気圧近傍の圧力
とは、１００〜８００Ｔｏｒｒの圧力を言い、中でも、
圧力調整が容易で装置構成が簡単となる７００〜７８０
Ｔｏｒｒの圧力範囲とすることが好ましい。 ＜作用＞まず、放電中のフィルム基材の急激な含水率変
動を防ぐためには、フィルム基材の急激な温度変化を抑
える必要がある。これを達成するには、（１）放電プラ
ズマから与えられる熱を奪うこと、及び（２）エネルギ
をある水準以下にすることが有効であり、それらについ
て本発明で実施する手法を、以下に詳細に説明する。 （１）について 常圧パルスプラズマＣＶＤは低温成膜が可能で高分子フ
ィルム上にも放電プラズマ処理が可能であるが、保温あ
るいは冷却の措置を講じなければ、電極が加熱され、高
分子フィルムの熱変形温度を超えてしまう。

【００１１】例えば、本発明において課題の一つとして
いるＴＡＣフィルムは、メーカーによって異なるが、熱
変形温度が１１０〜１２０℃である。従って放電による
熱変形（皺の発生等）を避けるには、基材温度ないしは
基材表面温度をその熱変形温度以下、好ましくは製造ロ
ットの差を加味した１００℃以下にする必要があり、こ
の点を勘案して本発明の薄膜形成方法では、フィルム基
材の温度を１００℃以下に制御した状態で、フィルム基
材にＴｉＯ2 膜またはＳｉＯ2 膜などを成膜する。

【００１２】具体的には、フィルム基材が接触する電極
の内部に冷媒を循環させることにより、放電プラズマか
らの熱を奪ってフィルム基材の温度を一定に保った状態
で成膜を行う。なお、このような温度制御に用いる冷媒
としては、例えば、水、シリコーンオイル、エチレング
リコールといった熱容量の大きな流動体が好ましく、特
に１００℃以上にならない水を冷媒として用いることが
より好ましい。

【００１３】なお、常圧プラズマを用いた薄膜形成に
は、一般に、対向電極として、平行平板型、円筒対向平
板型、球対向平板型、双曲面対向平板型、円筒−曲面対
向型構造のものが用いられるが、フィルム基材温度を一
定に保つという目的を達成するには、円筒−曲面対向型
構造の対向電極を用い、その一方のロール電極にフィル
ム基材の全幅を密着させて成膜を行うことが好ましい。

【００１４】また、本発明において、一対の対向電極の
電極対向面の一方または双方に固体誘電体を設けてお
く。この際、固体誘電体によって覆われずに電極どうし
が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生
じやすくなるため、固体誘電体はこれを設置する側の電
極に密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うよ
うにする。

【００１５】固体誘電体の形状は、シート状でもフィル
ム状でもよいが、厚みが０．５〜５ｍｍ程度であること
が好ましく、厚すぎると放電プラズマを発生するのに高
電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり
アーク放電が発生する。

【００１６】固体誘電体の材質には、ポリテトラフルオ
ロエチレン、ポリエチレンテレフタレートまたはテフロ
ン（四フッ化エチレン；デュポン社製品の商品名）等の
プラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタニウム等の金属酸
化物、あるいはチタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げ
られる。

【００１７】ただし、固体誘電体は、比誘電率が２以上
（２５℃環境下、以下同）であることが好ましい。この
ような誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレン、
ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。

【００１８】また、放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ
である放電プラズマを安定して発生させるためには、比
誘電率が１０以上の固体誘電体を用いると有利である。

【００１９】比誘電率の上限は特に限定されるものでは
ないが、現実の材料では１８５００程度のものが知られ
ている。比誘電率が１０以上の固体誘電体としては、酸
化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０〜
９５重量％で混合された金属酸化物被膜、またた酸化ジ
ルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなり、その被
膜の厚みが１０〜１０００μｍであるものを用いること
が好ましい。

【００２０】本発明における一対の電極間の距離は、固
体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマの利用目
的等を考慮して決定されるが、１〜５０ｍｍとすること
が好ましい。１ｍｍ未満ではその間に発生するプラズマ
を表面処理等に利用する際のフィルム基材の配置のため
の空隙を設けるのに不充分であり、５０ｍｍを越えると
均一な放電プラズマを発生することが困難となる。 （２）の手段について フィルム基材の温度を一定にするには、前記したように
プラズマの放電エネルギを制限することが有効であり、
本発明では、電界強度を１〜９０ｋＶ／ｃｍとする。す
なわち、常圧下では、大抵のガス雰囲気において電界強
度が９０ｋＶ／ｃｍ以上となると、電極全面に均一なグ
ロー放電を形成することができず、一部にストリーマー
状の放電が発生してしまい、光学薄膜を成膜することが
できない。また、電界強度が１ｋＶ／ｃｍ以下の場合、
成膜に十分なプラズマ密度が得られない。

【００２１】ここで、９０ｋＶ／ｃｍ以下の電界強度を
実現するには、放電ガスの雰囲気の選択が必要であり、
ヘリウムガス，アルゴンガスを５０％以上の存在下で成
膜を行うことが必要である。しかし、ヘリウムガス雰囲
気とした場合、成膜するのに十分なプラズマ密度が得ら
れない。

【００２２】従って、常圧プラズマを用いた成膜法にお
いて９０ｋＶ／ｃｍ以下の電界強度を実現するにはアル
ゴンガスを用いた雰囲気をすることが必要であり、例え
ば、金属酸化物をＴＡＣ上に成膜する場合、好ましいガ
ス雰囲気は、金属元素含有アルコキシド０．０１〜５
％、アルゴンガス５０〜９９．９９％からなるガス雰囲
気である。

【００２３】金属元素含有アルコキシドの混合量を前記
範囲としているのは、金属元素含有アルコキシドは、一
般に気化温度が１００℃より高いので、１００℃以下の
条件下に導入するにはガス希釈（アルゴンガス等）によ
って飽和蒸気圧以下にする必要があり、５％以上では飽
和蒸気以下にすることが難しく、また、成膜されずに排
気される割合が大きくなってコスト的にも不利である。
一方、混合量が０．０１％以下では十分な成膜速度が得
られない、という理由による。

【００２４】金属元素含有アルコキシドとしては、例え
ば、テトラメトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 、テト
ラエトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、テトラエト
キシチタン；Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、テトライソプロポ
キシチタン；Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 、テトラブトキシチ
タン；Ｔｉ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 及びこれの混合物等が挙げ
られる。

【００２５】また、アルゴンガスの混合量を５０％以上
としているのは、混合雰囲気中のアルゴンガスが５０％
以下では混合ガスのプラズマ化に高電界が必要となり、
その高電界によってフィルム基材が変形してしまう、と
いう理由による。

【００２６】なお、アルゴンガス以外の希釈用ガスとし
ては、酸素、空気、二酸化炭素等の酸化反応を助成する
反応ガスや窒素等のプラズマ密度を制御するための添加
ガス等を用途に応じて選択できる。

【００２７】本発明において、対向電極間に印加するパ
ルス電圧のパルス波形は特に限定されるものではない
が、図４（Ａ），（Ｂ）に例示するようなインパルス型
や、（Ｃ）に例示するような方形波型、（Ｄ）に例示す
るような変調型等を用いることができる。この図４には
印加電圧が正負の繰り返しであるものを例示したが、正
または負のいずれかの極性のみのパルス電圧、いわゆる
片波状のパルス電圧を印加してもよい。

【００２８】本発明において、電極間に印加するパルス
電圧は、そのパルスの立ち上がり時間及び立ち下がり時
間が短い程、プラズマ発生の際のガスの電離が、効率よ
く行われる。特に、電極間に印加するパルス電圧の立ち
上がりは、１００μｓ以下とすることが好ましい。１０
０μｓをこえると、放電状態がアーク放電に移行し易
く、不安定なものとなる。また、このような高速立上が
り時間のパルス電界によって電子密度の高い放電状態を
実現する効果がある。

【００２９】パルス電圧の立ち下がり時間は特に規定さ
れないが、立ち上がり時間と同程度に高速であることが
好ましく、より好ましくは１００μｓ以下である。ま
た、立ち上がり／立ち下がり時間の下限は特に限定しな
いが、電源装置等を勘案すると４０μｓ以上が現実的で
ある。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧変化
の向きが連続して正である時間をいい、立ち下がり時間
とは、電圧変化の向きが連続して負である時間を指すも
のとする。

【００３０】対向電極間に形成するパルス電界は、その
パルス波形、立ち上がり及び立ち下がり時間、及び、周
波数が適宜に変調されていてもよい。なお、パルス電界
は、周波数が高く、パルス幅が短い方が、高速連続薄膜
形成には適している。

【００３１】本発明において対向電極間に印加するパル
ス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲
とすることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると、薄
膜形成速度が遅すぎて現実的ではなく、１００ｋＨｚを
超えると、アーク放電が発生し易くなる。パルス電界の
周波数は、より好ましくは上記範囲の中で１ｋＨｚ以上
である。

【００３２】また、パルス電界におけるパルス継続時間
は、１μｓ〜１０００μｓであることが好ましく、より
好ましくは３μｓ〜２００μｓである。１μｓ未満であ
ると放電が不安定なものとなり、１０００μｓを越える
とアーク放電に移行し易くなる。ここで、パルス継続時
間とは、図５に例示するように、ＯＮ・ＯＦＦが繰り返
されるパルス電界における、１つのパルス波形の連続持
続時間を言い、図５（Ａ）の波形ではパルス継続時間＝
パルスデューティ時間であるが、図５（Ｂ）の波形では
複数のパルスを含んだ、オンが継続する時間を言う。

【００３３】なお、本発明に用いるフィルム基材の材質
としては、ＴＡＣのほか、ポリエステル、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリカーボネート等の透明プラスチックなどが挙
げられる。

【００３４】

【実施例】本発明のフィルム基材への薄膜形成方法の具
体的な実施例を比較例とともに説明する。

【００３５】まず、本発明の実施例（比較例）に用いた
成膜装置を図１に模式的に示す。図１に示す成膜装置
は、主として、チャンバ１、高電圧パルス電源２、巻出
機３、加熱ロール４、処理用ガス供給装置５、油回転ポ
ンプ６、及び巻取機７によって構成されている。

【００３６】チャンバ１の前後（フィルム基材Ｆの走行
方向における前後）にはそれぞれシール装置８，９が設
置されている。また、チャンバ１には、ガス導入口１０
ａ及びガス吸引口１０ｂが設けられており、そのガス導
入口１０ａに処理用ガス供給装置５が接続され、ガス吸
引口１０ｂに減圧用の油回転ポンプ６が接続されてい
る。

【００３７】チャンバ１の内部には、互いに対向するロ
ール電極１１と曲面電極１２が配置されている。このロ
ール電極１１と曲面電極１２との間には、高電圧パルス
電源２からのパルス電圧が印加される。また、ロール電
極１の内部には、冷却水の循環用流路（図示せず）が形
成されており、このロール電極１１に接触しながら進行
するフィルム基材Ｆを成膜に適した温度（例えば６０
℃）に保持することができる。

【００３８】そして、以上の構造の成膜装置において、
処理用ガス供給装置５及び油回転ポンプ６の操作によ
り、チャンバ１内を、大気圧近傍の圧力下、希釈用ガス
（Ａｒ）及び原料ガス（Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 またはＳ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）雰囲気にした状態で、ロール電極
１１と曲面電極１２との間に、高電圧パルス電源２から
高電圧をかけることによりグロー放電プラズマを発生さ
せるとともに、フィルム基材Ｆ（ＴＡＣ等）をロール電
極１１に接触させながら走行させることにより、ロール
−ロール方式で連続的にフィルム基材Ｆに薄膜（ＴｉＯ
2 またはＳｉＯ2）を形成することができる。 ＜実施例１＞図１に示した成膜装置において、ロール電
極１１として、ＳＵＳ３０４製；φ２１０ｍｍ、表面を
厚み０．２ｍｍ・比誘電率１４のＡｌ2 Ｏ3 誘電体で被
覆したものを用い、また、曲面電極１２として、ＳＵＳ
３０４製；Ｒ５２ｍｍ、表面を厚み１ｍｍ・比誘電率１
４のＡｌ2 Ｏ3 誘電体で被覆したものを用いた。

【００３９】また、ロール電極１１と曲面電極１２と
を、ロール電極１１にフィルム基材Ｆ（ＴＡＣフィル
ム；コニカ社製，幅２５ｍｍ，厚み８０μｍ）を接触さ
せた状態で、そのフィルム基材Ｆの２ｍｍ下方に曲面電
極１２の対向面が位置するように配置した。

【００４０】そして、以下の条件でフィルム基材Ｆの表
面にＴｉＯ2 薄膜を１２００Å成膜した。

【００４１】チャンバ１内を、Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 ；
０．２体積％／Ａｒ；９９．８体積％の混合ガスで置換
した後、ロール電極１１と曲面電極１２との間に、波高
値１４ｋＶ、周波数４ｋＨｚのパルス電界を印加して、
電界値が７０ｋＶ／ｃｍのグロー放電を生じさせ、この
放電開始後、フィルム基材Ｆ（ＴＡＣフィルム）を０．
３ｍ／ｍｉｎで走行させながら成膜を行った。また、ロ
ール電極１１の循環用流路に、導電率２μＳ／ｃｍ、温
度６０℃の冷却水を循環させて、このロール電極１１上
を走行するフィルム基材（ＴＡＣフィルム）Ｆの温度を
６０℃に保持した。 ＜実施例２＞実施例１で作成したＴｉＯ2 膜付きのＴＡ
Ｃフィルムを、再び、図１に示す成膜装置に通し、導入
混合ガスを入れ換えてＳｉＯ2 膜を積層した。

【００４２】このときの条件は、導入混合ガスをＳｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）；０．２体積％／Ｏ2 ；１０体積％
／Ｎ2 ；１０体積％／Ａｒ；７９．８体積％の混合ガス
とし、また、フィルム走行速度を０．７ｍ／ｍｉｎとし
てＳｉＯ2 膜を９５０Å成膜した以外は、実施例１と同
じとした。 ＜比較例＞実施例２においてＳｉＯ2 膜を積層するとき
の導入混合ガスを、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5 ）4 ）；０．２体
積％／Ｏ2 ；１０体積％／Ｎ2 ；８９．８体積％の混合
ガスとし、放電電圧を波高値１８ｋＶ（電界値９０ｋＶ
／ｃｍ）とするとともに、フィルム走行速度を１ｍ／ｍ
ｉｎとした以外は、実施例２と同じとした。 ＜成膜結果＞実施例１及び２のいずれも皺無く成膜され
た。一方、比較例のガス配合では、窒素の放電電界が高
いため、フィルム基材が高エネルギに曝された結果、表
面温度が１００℃を越えて、皺入りが発生した。また、
一度皺入りが発生すると、その盛り上がった部分はロー
ル電極１１から外れてしまい、フィルム基材Ｆの温度制
御が不可となった。 ＜反射率測定＞実施例１及び２で得られた積層酸化物薄
膜の反射スペクトルを測定した。その結果を図２に示
す。この図２の測定結果から、実施例１及び２の条件で
成膜を行うと、フィルム基材Ｆ（ＴＡＣフィルム）上に
良好な反射防止効果が得られることが分かる。

【００４３】また、実施例１及び２で得られた積層酸化
物薄膜の５５０ｎｍでの反射率のマッピング測定を行っ
たところ、図３に示すような測定結果が得られた。この
図３から、実施例１及び２の条件では、放電による皺入
りがないため、極めて均一な膜厚の積層酸化物薄膜が得
られることが分かる。

【００４４】なお、反射率の波長特性の測定には、分光
光度計（日立製作所製、商品名；ＵＶ−３３００）を用
い、また、マッピング測定には、自動膜厚測定装置（ナ
ノメトリックス社製、商品名；Ｍ−５５００）を可動ス
テージ（２００ｍｍ×３００ｍｍ）に取り付けたものを
用いた。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大気圧近傍下においてグロー放電プラズマを用いてフィ
ルム基材の表面に薄膜を形成する方法において、成膜時
のフィルム基材の温度を１００℃以下に制御するととも
に、雰囲気ガス及び対向電極間のパルス電界強度の各条
件を適当に設定して、プラズマ放電空間でのフィルム基
材の温度及び含水率の変動を抑えているので、ＴＡＣフ
ィルム等の吸湿性を有するフィルム基材に薄膜を形成す
る場合でも、そのフィルム基材に皺が入ることがなくな
り、ＴｉＯ2 またはＳｉＯ2 等の透明金属酸化物薄膜を
均一な膜厚で成膜することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例で用いた成膜装置の構成を示す
模式図である。

【図２】実施例１及び２で得られた積層酸化物薄膜の反
射率スペクトルの測定結果を示すグラフである。

【図３】実施例１及び２で得られた積層酸化物薄膜のマ
ッピング測定の結果を示すグラフである。

【図４】対向電極間に印加するパルス電界の例を示す電
圧波形図である。

【図５】対向電極間に印加するパルス電界のパルス継続
時間の例を示す図である。

【符号の説明】

１ チャンバ １０ａ ガス導入口 １０ｂ ガス吸引口 １１ ロール電極 １２ 曲面電極 ２ 高電圧パルス電源 ３ 巻出機 ４ 加熱ロール ５ 処理用ガス供給装置 ６ 油回転ポンプ ７ 巻取機 ８，９ シール装置 Ｆ フィルム基材

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の電極で構成され、
   その一方または双方の電極の対向面が固体誘電体で被覆
   されてなる対向電極を、大気圧近傍の圧力下に配置し、
   この対向電極間にフィルム基材を通過させながら、対向
   電極間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマ
   を発生させ、その放電プラズマを用いてフィルム基材の
   表面に薄膜を連続的に形成する方法であって、金属元素
   含有アルコキシド０．０１〜５体積％、アルゴンガス５
   ０〜９９．９９体積％からなるガス雰囲気下で、対向電
   極間に、電界強度が１〜９０ｋＶ／ｃｍとなるようにパ
   ルス電圧を印加して薄膜を形成するとともに、その成膜
   中におけるフィルム基材の温度を１００℃以下に制御す
   ることを特徴とする、常圧プラズマを用いたフィルム基
   材への薄膜形成方法。
2. 【請求項２】 標準状態（２０℃，６５％相対湿度）の
   空気中で１％以上の吸湿率を有するフィルム基材を対向
   電極間に通過させて薄膜を形成することを特徴とする、
   請求項１に記載の常圧プラズマを用いたフィルム基材へ
   の薄膜形成方法。
3. 【請求項３】 フィルム基材がトリアセチルセルロース
   であることを特徴とする、請求項１または２に記載の常
   圧プラズマを用いたフィルム基材への薄膜形成方法。