JP2001108826A - 偏光子保護フィルム及びその製造方法と偏光板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐久性に優れ、偏光子の寸法変化等によって
偏光子保護フィルムに外力が加わった場合においても、
複屈折の変化が小さく、液晶ディスプレイに組み込んだ
場合、色ムラ、コントラスト低下が発現することがない
偏光子保護フィルム及びこれを用いた偏光板を提供す
る。 【解決手段】 光弾性係数の絶対値が２０×１０^-7ｃｍ
² ／ｋｇｆ以下である基材フィルム上に、例えば、大気
圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、対
向電極間にパルス化された電界を印可することにより、
放電プラズマを発生させる方法で得られた反射防止層が
形成されていることを特徴とする偏光子保護フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は偏光子保護フィル
ム、その製造方法、及び前記保護フィルムを用いた偏光
板に関する。さらに詳しくは、耐久性に優れかつ複屈折
の変化が小さい偏光子保護フィルム、及びその製造方
法、並び前記保護フィルムを液晶ディスプレイに組み込
んだ場合に、色ムラ、コントラスト低下等が発現するこ
とがない偏光板に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイ等に用いられる偏光板
は、偏光子の両面に保護フィルムが積層されて形成され
ている。従来、偏光子としては、沃素又は二色性染料が
吸着された延伸ポリビニルアルコールフィルムが使用さ
れ、保護フィルムとしては、トリアセチルセルロースフ
ィルムが使用されている。

【０００３】しかしながら、トリアセチルセルロースフ
ィルムは耐熱性及び耐湿性が充分でなく、高温下若しく
は高湿下で使用すると、偏光子とトリアセチルセルロー
スフィルムが剥離したり、トリアセチルセルロースが加
水分解して透明性が低下し偏光板性能が低下したり、偏
光子の偏光度が低下するという欠点があった。

【０００４】これに対して、例えば、特開平８−６２４
１９号公報には、分子量及びＴｇを調整し耐久性に優れ
たポリカーボネート（以下、ＰＣという）フィルムを偏
光子保護フィルムとして使用した偏光板が開示されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
偏光子保護フィルムは、トリアセチルセルロースフィル
ムに比べて耐湿性及び耐熱性が高いため得られる。偏光
板は耐久性に優れるものの、実際の使用時に偏光子の寸
法変化等によって偏光子保護フィルムには外力が加わっ
た場合、偏光子保護フィルムの複屈折が変化してしま
い、このため、偏光板を特に液晶ディスプレイに組み込
んだ場合、色ムラ、コントラスト低下が発現するという
問題点があった。

【０００６】本発明者等は上述の観点に鑑み、偏光子保
護フィルムの複屈折の変化を低減させ、液晶ディスプレ
イに用いた場合であっても、色ムラが無く、コントラス
トに優れた偏光板を提供すべく鋭意研究した結果、光弾
性係数の絶対値が２０×１０ ^-7ｃｍ² ／ｋｇｆ以下に調
整した基材フィルムの表面に反射防止層が形成されたフ
ィルムを偏光子保護フィルムとして使用すると、上記課
題が解決出来ることを見出し本発明を完成するに至っ
た。

【０００７】本発明は、耐久性に優れ、偏光子の寸法変
化等によって偏光子保護フィルムに外力が加わった場合
においても、複屈折の変化が小さい、及び、液晶ディス
プレイに組み込んだ場合、色ムラ、コントラスト低下が
発現することがない前記偏光子保護フィルムを用いた偏
光板を提供することを目的とする。更に本発明は、上記
偏光子保護フィルムを大気圧近傍で短時間に製造し得る
方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の本発明（以下、「本発明１」という）
では、光弾性係数の絶対値が２０×１０^-7ｃｍ² ／ｋｇ
ｆ以下である基材フィルム上に、反射防止層が形成され
ていることを特徴とする偏光子保護フィルムを提供す
る。また、請求項２記載の本発明（以下、「本発明２」
という）では、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含む
ガス雰囲気中で、対向電極間にパルス化された電界を印
可することにより、放電プラズマを発生させ、反射防止
層を形成することを特徴とする請求項１記載の偏光子保
護フィルムの製造方法を提供する。

【０００９】また、請求項３記載の本発明（以下、「本
発明３」という）では、請求項１記載の偏光子保護フィ
ルムが、偏光子の少なくとも片面に接着されていること
を特徴とする偏光板を提供する。

【００１０】以下、本発明の構成について詳述する。

【００１１】＜基材フィルム＞本発明における基材フィ
ルム用樹脂は、トリアセチルセルロース以外で、偏光子
保護フィルムとしての透明性があれば特に限定されず、
透明な市販樹脂が使用される。このような樹脂として
は、例えば、ポリカーボネイト、ポリサルフォン、ポリ
アリレート、ポリエーテルサルフォン、ノルボルネン系
樹脂、スチレン（以下、Ｓｔと略記する）系樹脂、スチ
レン無水マレイン酸共重合体、スチレンマレイミド共重
合体、ポリエチレンオキサイド、ポリメチルメタクリレ
ート（以下、ＭＭＡと略記する）、ＭＭＡ−Ｓｔ系樹
脂、アクリロニトリルスチレン系樹脂、ポリメチルペン
テン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフェニレンエーテ
ル、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。

【００１２】上記基材フィルムは、２種以上の樹脂によ
って構成されても良い。その場合は、互いに相溶性が良
い樹脂が選択されることが好ましい、例えば、ポリメチ
ルメタクリレートとポリエチレンオキサイド、ポリメチ
ルメタクリレートとポリフッ化ビニリデン、ポリメチル
メタクリレートとポリ塩化ビニル、ポリフェニレンエー
テルとポリスチレン、ポリフェニレンエーテルとスチレ
ンマレイド重合体、ポリカーボネイトとスチレン無水マ
レイン酸共重合体、ポリカーボネイトとポリスチレンの
組合せが、好ましい組み合わせとして挙げられる。特
に、耐熱性、粘着性、透明性、強度の点から、ポリカー
ボネイトとスチレン無水マレイン酸共重合体、ポリカー
ボネイトとポリスチレンの組み合わせが最も好ましい。

【００１３】また、上記２種以上の樹脂の相溶性を確保
するために、相溶化剤と呼ばれる第３成分を添加しても
良い。このような相溶化剤としては、例えば、(1) ブレ
ンド系を構成するポリマーＡとポリマーＢと同じ成分を
有するブロックポリマー若しくはグラフトポリマー、
(2) ポリマーＡまたはポリマーＢの１方に分子状に混合
するポリマーＣ成分を有するブロックポリマー若しくは
グラフトポリマー、(3)ポリマーＡとポリマーＢのそれ
ぞれに相溶性の高いポリマーＣを用いる方法が挙げられ
る。

【００１４】上記２種以上の樹脂から、基材フィルムを
成形する手段としては、溶液キャスティング法、溶融成
形法等の通常の方法が用いられるが、生産性の点から溶
融成形法が好ましい。溶融成形法としては、Ｔダイを用
いた方法や、インフレーション法などの溶融押出し法、
カレンダー法、熱プレス法、射出成形法が用いられる。
中でも、生産性や厚み精度が良いことからＴダイ成形法
が好ましい。

【００１５】２種以上の原料の樹脂の供給方法は、ホッ
パーから樹脂ペレットを同時に所定配合量供給しても良
いし、サードフィード、タンデム等で別に供給してもよ
い。また、溶融混練でブレンドする場合は、混練性の面
から２軸押出機を用いるのが好ましい。

【００１６】複屈折の変化が小さく、ディスプレイに組
み込んだ場合の色ムラ、コントラストの低下を防ぐため
には、成形した基材フィルムの光弾性係数を２０×１０
- ^-7ｃｍ² ／ｋｇｆ以下、好ましくは１０×１０^-7ｃｍ
² ／ｋｇｆ以下にする必要がある。これは、光弾性係数
の小さい、若しくは、正負の符号の異なる樹脂をブレン
ドもしくは積層することで達成される。

【００１７】上記正の光弾性定数を有する樹脂の例とし
ては、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリサルホン（ＰＳ
ｕ）、ポリアリレート、ポリエーテルサルホン、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレン、ノル
ボルネン開環重合水素添加物及びこれらのモノマーユニ
ットが含まれた共重合体等が挙げられる。

【００１８】上記負の光弾性定数を有する樹脂の例とし
ては、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）、α−メチルス
チレン等の単独重合体及びこれらのモノマーユニットを
含む共重合体、エチレン−テトラシクロドデセン共重合
体等が挙げられる。

【００１９】本発明において、光弾性係数とは、下記で
定義される樹脂物性である。応力のかかる方向の屈折率
が、応力のかかる方向に垂直な方向の屈折率より大きく
なる場合を正、小さくなる場合を負とし、実際には、加
えた外力とその位相差変化量から、下記式により、［位
相差（Ｒｅ）×フィルム幅（Ｗ）］と［引っ張り荷重
（Ｐ）］との傾きとして求められる値である。 Δｎ＝Ｃσ ［Δｎ：複屈折 Ｃ：光弾性係数ｃｍ² ／ｋｇｆ σ：
応力Ｋｇｆ／ｃｍ² ］ 位相差（Ｒｅ）＝フィルム厚み（ｄ）×Δｎ よって、Ｒｅ＝Ｃ×σ×ｄ 両辺にフィルム幅（Ｗ）を掛けて以下の関係式が得られ
る。 Ｒｅ×Ｗ＝Ｃ×σ×ｄ×Ｗ＝Ｃ×Ｐ（荷重）

【００２０】上記基材フィルムの厚さは、薄くなると強
度が低下し、厚くなると透明性が低下したり、複屈折が
高くなっていしまうので５〜５００μｍが好ましく、よ
り好ましくは１０〜１５０μｍであり、さらに好ましく
は１５〜１００μｍである。

【００２１】上記基材フィルムのぬれ指数は、小さくな
ると接着剤により偏光子と接着しにくくなるため、４０
ダイン／ｃｍ以上必要であり、好ましくは５０ダイン／
ｃｍ以上である。ここで言うぬれ指数とは、Ｚｉｓｍａ
ｎによる臨界表面張力を意味し、ＪＩＳ−Ｋ６７６８に
基づき標準ぬれ試薬で測定した値である。

【００２２】上記基材フィルムのぬれ指数を４０ダイン
／ｃｍ以上にする方法としては、従来公知の任意の方法
が使用される。例えば、(1) 接着剤と反応しうる官能基
を有するモノマー、もしくは、ポリマーを偏光子保護フ
ィルム表面にコーティングする方法、(2) カップリング
剤処理法、酸化力の強い薬品処理法、表面層を除去する
薬品処理法、表面粗化手段としての薬品処理法、表面層
を強化するＣＡＳＩＮＧ処理法等の各種化学的処理方
法、(3) グロー放電処理、プラズマ処理、紫外線照射処
理等の各種物理的処理方法等が挙げられる。

【００２３】本発明の基材フィルムに、ハードコート性
能を要求される場合は、上記フィルム上にハードコート
層を設けることができる。上記ハードコート層に使用さ
れるハードコート剤としては、特に限定されず、一般に
使用されている紫外線硬化（ＵＶ硬化）、電子線硬化
（ＥＢ硬化）、熱硬化型のものが用いられる。

【００２４】＜反射防止層＞本発明における反射防止層
は、反射防止機能を付与できるものであれば、特に限定
されず、例えば、低屈折率材料薄膜単層、あるいは低屈
折率材料薄膜と高屈折率薄膜を組み合わせることにより
得られる。

【００２５】上記低屈折率材料としては、例えば、フッ
素系の重合膜、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ ₃ 、ＭｇＦ等が挙げ
られ、上記高屈折率材料としては、例えば、ＴｉＯ₂ 、
ＺｎＯ、ＺｒＯ₂ 等の金属酸化物、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、
Ｃｕ、Ｎｉ等の金属、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の金属窒化物、
ＴｉＣ等の金属炭化物等が挙げられる。上記材料は、反
射防止性能、透明性、帯電防性、電磁波遮断等の要求性
能によって適宜選択される。

【００２６】反射防止効果を期待する可視光線の波長領
域は、３８０〜７８０ｎｍであり、特に視感度の高い４
５０〜６５０ｎｍの範囲にあるので、反射防止層の膜厚
が波長５５０ｎｍに対応できる膜厚を中心に±３０％の
範囲に設定されれば、可視光線に対する反射防止効果が
十分に期待される。

【００２７】上記基材フィルムへの反射防止層の積層方
法は特に限定されず、スパッタリング、蒸着、プラズマ
化学蒸着（以下、ＣＶＤ）、塗工等が挙げられる。

【００２８】＜反射防止層の形成方法＞本発明２におい
ては、上記基材フィルム上に反射防止層を形成する方法
として、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰
囲気中で、対向電極間にパルス化された電界を印加する
ことにより発生する、放電プラズマを利用することを特
徴とする。

【００２９】以下に、常圧プラズマＣＶＤ法による上記
反射防止層の形成方法について詳述する。下記条件で成
膜した時、スパッタリング同等の膜質が得られるのに加
え、塗工法同等の連続成膜が可能になるため、生産性も
非常に高い。

【００３０】上記反射防止層の形成方法において、大気
圧近傍の圧力とは、１００〜８００Ｔｏｒｒの圧力をい
い、中でも、圧力調整が容易で装置構成が容易となる７
００〜７８０Ｔｏｒｒの圧力範囲とすることが好まし
い。

【００３１】又、電極間にパルス電界を形成する場合に
は、パルス化された電流が流れるが、この場合にはその
パルス電流の最大値、つまりピーク−ピーク値を、上記
の面積で除した値をいう。

【００３２】本発明における上記反射防止層の形成方法
（以下、適宜薄膜形成方法という場合がある）において
は、上記対向電極の少なくともいずれか一方の対向面に
固体誘電体を設置し、一方の電極の対向面に設置された
固体誘電体と他方の電極との間、又は、対向電極の双方
の対向面に設置された固体誘電体の間に、基材を配置し
て処理を行うようにすることが好ましい。

【００３３】大気圧近傍の圧力下でのグロー放電では、
下記の理由により、放電電流密度がプラズマ密度を反映
する。金属化合物を含むガス雰囲気の大気圧近傍の圧力
下においては、電極間の放電電流密度を前記した０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ² の範囲とすることにより、金属化
合物をプラズマ励起させ、且つ、そのプラズマをグロー
放電状態に保ち、反射防止層の形成に至らせることが可
能となる。

【００３４】又、本発明における電極間の放電電流密度
とは、放電により電極間に流れる電流値を、放電空間に
おける電流の流れ方向と直交する方向の面積で除した値
をいい、電極として平行平板型のものを用いた場合に
は、その対向面積で上記電流値を除した値に相当する。

【００３５】一般にプラズマ中の電子密度、所謂、プラ
ズマ密度は、プローブ法や電磁波法によって測定され
る。

【００３６】しかし、大気圧近傍の圧力では、電極間の
放電は、元来、アーク放電に移行し易いので、探針をプ
ラズマ中に挿入するプローブ法では、探針にアーク電流
が流れてしまい、正確な測定はできない。

【００３７】又、発光分光分析やレーザ吸光分析などに
よる電磁波法は、ガスの種類によって得られる情報が異
なるので分析が困難である。

【００３８】一方、大気圧近傍の圧力下におけるグロー
放電においては、低ガス圧放電に比して、ガス分子密度
が大きいので、電離後、再結合までの寿命が短く、電子
の平均自由行程も短い。そのため、グロー放電空間が電
極に挟まれた空間に限定されるという特徴がある。

【００３９】それ故に、プラズマ中の電子はそのまま電
極を通して電流値に変換され、電子密度（プラズマ密
度）は放電電流密度を反映した値であると考えられ、本
発明者等の実験によると、この放電電流密度により、薄
膜形成制御が可能であることが判明している。

【００４０】図１に、本発明者らが用いた放電プラズマ
発生装置と、その放電電圧および放電電流の測定に用い
た測定回路図を示す。

【００４１】この放電プラズマ発生装置においては、平
行平板型の一対の電極１、２間にパルス電源３からｋＶ
オーダーのパルス化された電界を印加することにより、
電極１、２間にパルス電界を形成するとともに、その一
方の電極２の対向面には固体誘電体４を設置した。

【００４２】そして、一方の電極２とアース電位間に抵
抗５を直列接続し、その抵抗５の両端をＢＮＣ端子６を
介してオシロスコープ７に接続することにより、抵抗５
の両端の電圧値を測定して、その抵抗５の抵抗値を用い
て放電電流に換算した。

【００４３】又、放電電圧は、電極１の電位を高圧プロ
ーブ８により１／１０００に減衰させた上で、ＢＮＣ端
子９〜オシロスコープ７によってアース電位との電位差
を計測することによって測定した。

【００４４】この測定回路においては、パルス電界によ
る放電電流が高速に通電・遮断を繰り返しているので、
測定に供したオシロスコープ７は、そのパルスの立ち上
がり速度に対応したナノ秒オーダーの測定が可能な高周
波オシロスコープ、具体的には、岩崎通信社製オシロス
コープＤＳ−９１２２とした。

【００４５】又、放電電圧の減衰に用いた高圧プローブ
８は、岩崎通信社製高圧プローブＳＫ−３０１ＨＶとし
た。

【００４６】測定結果を図２に例示する。図２において
波形１が放電電圧であり、波形２が放電電流を表す波形
である。パルス電界の形成による放電電流密度は、この
波形２のピーク−ピーク値の電流換算値を電極対向面の
面積で除した値である。

【００４７】さて、本発明の薄膜形成方法において、金
属化合物を含むガス雰囲気中で、且つ、大気圧近傍の圧
力下で、電極間における放電電流密度が、０．２〜３０
０ｍＡ／ｃｍ² である範囲を比較的に容易に実現するに
は、対向電極間にパルス化された電界を印加する方法を
挙げることができる。

【００４８】大気圧近傍の圧力下においては、通常の交
流電界を印加する方法では、上記放電電流密度が０．１
ｍＡ／ｃｍ² 以下の低い範囲しか達成されず、金属元素
含有薄膜が形成されるような金属化合物のプラズマを維
持することは難しい。実際に大気圧近傍の圧力下では、
ヘリウム、ケトン等の特定のガス以外のガスでは、安定
してグロー放電状態が継続されず、瞬時にアーク放電に
移行してしまうことが知られている。

【００４９】そこで、本発明においては、電極間にパル
ス化された電圧を印加することにより、電極間の放電を
グロー放電からアーク放電に移行する前に停止させる。
電極間にこのような周期的なパルス電界を形成すること
により、微視的にパルス的なグロー放電が繰り返し発生
し、結果としてグロー放電状態が継続することになる。

【００５０】以上のように、大気圧近傍の圧力下で、し
かも、金属化合物を含有する雰囲気中では、電極間にパ
ルス化した電界を印加することにより、安定したグロー
放電状態で放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ²
である放電プラズマを長期に渡って発生させ、反射防止
層の形成に至らせることができるのである。

【００５１】本発明において、反射防止層に使用される
金属化合物は、特に限定されないが、グロー放電におい
て、電子密度を大きくして、効率的にガスを分解させ、
薄膜形成能力を高めるという観点から、ジメチルシラ
ン；Ｓｉ（ＣＨ₃ ）₂ Ｈ₂ 、テトラメチルシラン；Ｓｉ
（ＣＨ₃ ）₄ 、テトラジメチルアミノチタン；Ｔｉ〔Ｎ
（ＣＨ₃ ）₂ 〕₄ などの有機金属化合物、モノシラン；
ＳｉＨ₄ 、ジシラン；Ｓｉ₂ Ｈ₆ などの金属水素化合
物、二塩化シラン；ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ 、三塩化シラン；Ｓ
ｉＨＣｌ₃ 、塩化チタン；ＴｉＣｌ₄ などの金属ハロゲ
ン化合物、テトラメトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ₃ ）₄ 、テトラエトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ₂ Ｈ₅）
₄ 、テトラエトキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₄ 、テ
トライソプロポキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ₃ Ｈ₇ ）₄ など
の金属アルコキシドなどを用いることが好ましい。安全
性を考慮すると、これらの中でも、金属水素化合物、金
属アルコキシドが、常温、大気中で、発火、爆発の危険
性がないことから好ましく、腐食性、有害ガスの発生が
ないことから、金属アルコキシドが更に好ましい。

【００５２】金属化合物を放電空間へ導入するには、金
属化合物は、常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状
態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空
間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧等
の手段により気化させて使用される。

【００５３】金属化合物を加熱により気化して用いる場
合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタ
ンなどの常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属
アルコキシドが本発明の薄膜形成方法に好適である。上
記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用され
ても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキ
サンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用されて
も構わない。上記の希釈溶媒は、グロー放電において、
分子状、原子状に分解されるため、形成される薄膜に対
する影響は無視できる。

【００５４】上述のように、本発明における金属化合物
としては金属アルコキシドを用いることが好ましい。

【００５５】上述のように、「金属化合物を含むガス雰
囲気」とは、金属化合物がプラズマ放電するガス雰囲気
に濃度の如何を問わず、一つの成分として含まれている
ことを意味し、ガス雰囲気が金属化合物単独で占有され
ていても構わない。

【００５６】しかし、経済性、安全性の観点から、上述
の金属化合物は、単独雰囲気ではなく、以下に例示され
るような希釈ガスによって希釈されていることが好まし
い。

【００５７】上記希釈ガスとしては、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノン、窒素などが挙げられ、これら
の少なくとも１種の混合物が使用される。

【００５８】更に、高密度プラズマを得るには、多くの
電子を有する化合物（分子量の大きい化合物）の存在下
で、ガスを分解することが有効であり、それは、上記希
釈ガスにも適用できる。

【００５９】従って、本発明に使用する希釈ガスは、分
子量が１０以上であることが好ましい。分子量が１０未
満であるヘリウムのような気体を希釈剤として使用した
場合は、グロー放電が継続しても、電子密度の低い放電
状態しか達成できず、薄膜の形成には至らないか又は、
形成速度が遅すぎて不経済な結果となる。

【００６０】よって、プラズマ放電を行う雰囲気ガスの
組成は、金属化合物０．０００１〜１０体積％とアルゴ
ン及び／又は窒素９９．９９９９〜９０体積％からなる
混合ガスであることが好ましい。金属化合物が０．００
０１体積％未満の場合は、高密度プラズマが得られ難
く、薄膜形成効率が悪くなり、１０体積％を超えても、
薄膜形成速度に著しい向上が現れる訳ではなく、経済的
に不利になるからである。

【００６１】上記薄膜形成方法において、放電プラズマ
を発生させるために使用する電極の材質としては、銅、
アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合
金、あるいは金属間化合物等を挙げることができる。

【００６２】又、上記電極は電界集中によるアーク放電
の発生を避けるために、電極間の距離がほぼ一定となる
構造であることが好ましく、この条件を満たす電極構造
としては、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板
型、双曲面対向平板型、同軸円筒型構造等を挙げること
ができる。

【００６３】又、本発明においては、上記電極の対向面
の一方または双方に固体誘電体を設置することが好まし
い。又、固定誘電体によって覆われずに電極どうしが直
接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じや
すくなるため、固体誘電体はこれを設置する側の電極に
密着し、且つ、接する電極の対向面を完全に覆うように
する。

【００６４】上記固体誘電体の形状は、シート状でもフ
ィルム状でもよいが、厚みが０．５〜５ｍｍ程度である
ことが好ましく、厚すぎると放電プラズマを発生するの
に高電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起
こりアーク放電が発生する。

【００６５】この固体誘電体の材質は、ポリテトラフル
オロエチレンやポリエチレンテレフタレート等のプラス
チック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸
化ジルコニウム、二酸化チタニウム等の金属酸化物、チ
タン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。

【００６６】ただし、上記固体誘電体は、比誘電率が２
以上（２５℃環境下、以下同）であることが好ましい。
このような誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。

【００６７】又、放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／
ｃｍ² である放電プラズマを安定して発生させるために
は、比誘電率が１０以上の固定誘電体を用いると有利で
ある。

【００６８】比誘電率の上限は特に限定されるものでは
ないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知ら
れている。比誘電率が１０以上の固体誘電体としては、
酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０
〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、又は、酸化
ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなり、その
被膜の厚みが１０〜１０００μｍであるものを用いるこ
とが好ましい。

【００６９】本発明における一対の電極間の距離は、固
体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマの利用目
的等を考慮して決定されるが、１〜５０ｍｍとすること
が好ましい。１ｍｍ未満ではその間に発生するプラズマ
を表面処理等に利用する際の基材の配置のための空隙を
設けるのに不充分であり、５０ｍｍを越えると均一な放
電プラズマを発生することが困難となる。

【００７０】本発明において、電極間にパルス電圧を印
加する場合、そのパルス波形は特に限定されるものでは
ないが、図３（Ａ），（Ｂ）に例示するようなインパル
ス型や、（Ｃ）に例示するような方形波型、（Ｄ）に例
示するような変調型等を用いることができる。この図３
には印加電圧が正負の繰り返しであるものを例示した
が、正、又は、負のいずれかの極性のみのパルス電圧、
所謂、片波状のパルス電圧を印加してもよい。

【００７１】本発明において、電極間に印加するパルス
電圧は、そのパルスの立ち上がり時間及び立ち下がり時
間が短い程、プラズマ発生の際のガスの電離が、効率よ
く行われる。

【００７２】特に、電極間に印加するパルス電圧の立ち
上がりは、１００μｓ以下とすることが好ましい。１０
０μｓをこえると、放電状態がアーク放電に移行し易
く、不安定なものとなる。また、このような高速立上が
り時間のパルス電界によって電子密度の高い放電状態を
実現する効果がある。

【００７３】パルス電圧の立ち下がり時間は特に規定さ
れないが、立ち上がり時間と同程度に高速であることが
好ましく、より好ましくは１００μｓ以下である。

【００７４】また、立ち上がり／立ち下がり時間の下限
は特に限定しないが、電源装置等を勘案すると４０ｎｓ
以上が現実的である。

【００７５】尚、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧
変化の向きが連続して正である時間をいい、立ち下がり
時間とは、電圧変化の向きが連続して負である時間を指
すものとする。

【００７６】又、電極間に形成するパルス電界は、その
パルス波形、立ち上がり及び立ち下がり時間、及び、周
波数を適宜に変調されていてもよい。

【００７７】尚、パルス電界は、周波数が高く、パルス
幅が短い方が、高速連続薄膜形成には適している。

【００７８】本発明において電極間に印加するパルス電
界の周波数は、０．５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲とす
ることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると、薄膜形
成速度が遅すぎて現実的ではなく、１００ｋＨｚを超え
ると、アーク放電が発生し易くなる。パルス電界の周波
数は、より好ましくは１ｋＨｚである。

【００７９】又、パルス電界におけるパルス継続時間
は、１μｓ〜１０００μｓであることが好ましく、より
好ましくは３μｓ〜２００μｓである。１μｓ未満であ
ると放電が不安定なものとなり、１０００μｓを越える
とアーク放電に移行し易くなる。

【００８０】ここで、パルス継続時間とは、図４に例示
するように、ＯＮ・ＯＦＦが繰り返されるパルス電界に
おける、１つのパルス波形の連続持続時間を言い、図４
（ａ）の波形ではパルス継続時間＝パルスデューティ時
間であるが、図４（ｂ）の波形では複数のパルスを含ん
だ、オンが継続する時間を言う。

【００８１】更に、本発明において、パルス電界の強さ
は、放電プラズマの利用目的等によって適宜に選択され
るが、１〜１００ｋＶ／ｃｍとすることが望ましい。

【００８２】１ｋＶ／ｃｍ未満であると、薄膜形成速度
が遅くなり、１００ｋＶを超えると、アーク放電が発生
するために好ましくない。

【００８３】以上のような各条件を満足するパルス電界
を形成するための電源回路の構成例を、図５にブロック
図で示し、又、図６にはその動作の原理を等価的な回路
図によって示す。図６においてＳＷ１〜４は、図５にお
けるスイッチングインバータ回路内でスイッチとして機
能する半導体素子であり、これらの各素子として、５０
０ｎｓ以下のターンオン時間及びターンオフ時間を有す
る半導体素子を用いることにより、電界強度１〜１００
ｋＶ／ｃｍ、且つ、パルスの立ち上がり及び立ち下がり
時間がともに４０ｎｓ〜１００μｓの高電圧、且つ、高
速のパルス電界の形成を実現することができる。

【００８４】次に、図６を参照しつつその動作原理を簡
単に説明する。＋Ｅは正極性の直流電圧供給部、−Ｅは
負極性の直流電圧供給部である。ＳＷ１〜４は、上記し
た高速半導体素子からなるスイッチング素子である。Ｄ
１〜４はダイオードであり、Ｉ1 〜Ｉ4 は電荷の移動方
向を示している。

【００８５】まず、ＳＷ１をＯＮにすると、電荷がＩ1
で示す方向に移動して、放電空間の両端に置かれた一対
の電極の一方側（正極性の負荷）を充電する。

【００８６】次に、ＳＷ１をＯＦＦにしてから、ＳＷ２
を瞬時にＯＮにすることにより、正極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ２とＤ４を通ってＩ3 の方向に移動す
る。

【００８７】次いで、ＳＷ２をＯＦＦにした後、ＳＷ３
を瞬時にＯＮにすると、電荷がＩ2の方向に移動して他
方側の電極（負極性の負荷）を充電する。

【００８８】更に、ＳＷ３をＯＦＦにしてから、ＳＷ４
を瞬時にＯＮにすることにより、負極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ４とＤ２を通ってＩ4 の方向に移動す
る。

【００８９】以上の動作を繰り返すことにより、図７に
示した波形の出力パルスを得ることができる。〔表１〕
にこの動作表を示す。この〔表１〕に示した数値は、図
７の波形に付した数値と対応させてある。

【００９０】

【表１】

【００９１】以上の回路の利点は、負荷のインピーダン
スが高い場合であっても、充電されている電荷を、ＳＷ
２とＤ４、又は、ＳＷ４とＤ２の動作により確実に放電
することができる点、及び、高速ターンオンのスイッチ
ング素子であるＳＷ１，ＳＷ３を使って高速に充電を行
うことができる点にあり、これにより、図４に示したよ
うな立ち上がり時間及び立ち下がり時間の極めて短いパ
ルス化された電界を、負荷に対して、つまり一対の電極
間に印加することが可能となる。

【００９２】尚、本発明における薄膜形成方法において
用いられるパルス電界は、直流電界を重畳することを妨
げない。

【００９３】本発明における薄膜形成方法は、以上説明
した本発明に固有の放電プラズマの発生方法により対向
電極間に発生させたプラズマを利用するものであり、対
向電極間、又は、一方の電極の対向面に固体誘電体を設
置する場合には、その固体誘電体と他方の電極の間、も
しくは双方の電極の対向面に固体誘電体を設置する場合
には、その固体誘電体の間に、処理すべき基材を配置す
る。

【００９４】本発明の方法においては、薄膜形成処理す
べき基材を加熱したり冷却してもよいが、室温でも充分
に処理できる。

【００９５】本発明における偏光子保護フィルムは、少
なくとも偏光子の片面に接着され、常法により本発明の
偏光板を製造することが出来る。

【００９６】本発明において、偏光子とは、偏光機能を
有するＰＶＡ製フィルムまたはシートを意味し、例え
ば、ＰＶＡフィルムにはヨウ素を吸着させた後、ホウ酸
浴中で一軸延伸したＰＶＡ・ヨウ素系偏光子、ＰＶＡフ
ィルムに二色性の高い直接染料を拡散吸着させた後、一
軸延伸したＰＶＡ・染料系偏光膜、ＰＶＡフィルムにヨ
ウ素を吸着させ延伸してポリビニレン構造としたＰＶＡ
・ポリビニレン系偏光膜などが挙げられる。

【００９７】本発明の偏光子保護フィルムは、上記偏光
子の少なくとも片面に用いる必要が有り、望ましくは両
面に用いる方がよい。

【００９８】偏光子との接着（張り合わせ）には、粘着
剤、接着剤など公知の技術が使用できる。例えば、接着
剤には、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアクリ
ル系等が挙げられる。粘着剤を例示すると、ポリエステ
ル系、アクリル系、シリコン系、ゴム系が挙げられる。

【００９９】また、貼り合わせる前処理として、接着層
との接着性を確保するため表面改質処理を行うのが良
い。表面改質の手段としては通常の方法が利用でき、化
学処理方法として、接着剤分子と反応しうるような官能
基をもつモノマーあるいはポリマーを表面に付ける表面
グラフト化手法、表面に別のポリマーもしくはモノマー
をコーティングする方法、カップリング剤処理、酸化力
の強い薬品による処理、表面層を除去する薬品処理、表
面層を強化するＣＡＳＩＮＧ処理、表面粗化手法として
の薬品処理、物理的処理方法として、紫外線照射処理、
グロー放電処理、コロナ放電処理、プラズマジェット処
理、表面粗化手法としてのエスパッタ処理等が挙げられ
る。

【０１００】本発明の反射射防止フィルムには、反射防
止層の表面に、更に防汚層を形成することができる。上
記防汚層としては、フッ素系シランカップリング剤を、
スピンコーター、ディッピング装置、マイクログラビア
コーター等の塗工装置によって、上記反射防止層上に塗
工、乾燥することにより形成される。尚、スピンコータ
ー、ディッピング装置では連続処理が行えずバッチ処理
になる。

【０１０１】上記フッ素系シランカップリング剤の市販
品としては、例えば、信越化学社製コート剤「ＫＰ−８
０１Ｍ」〔CF3(CF2)n C2H4Si(NH2)3〕、東芝シリコン社
製〔CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3の１００％溶液〕等が挙げ
られる。上記コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」は溶剤ＴＦＢ
〔成分：１，３−ビス（トリフロロメチル）ベンゼン、
セントラル硝子社製〕で希釈して使用される。

【０１０２】上記防汚層は、例えば、防汚剤を溶剤によ
って希釈したものを、スピンコーター、ディッピング装
置、マイクログラビアコーター等によって塗工すること
に形成することができる。上記スピンコーター、ディッ
ピング装置を使用する場合は、連続処理ができずバッチ
処理となる。

【０１０３】（作用）偏光子保護フィルムは、加わる外
力（偏光子の収縮応力、張り合わせ時の歪み、ディスプ
レイ組み込み時の歪み等）によって見かけ上複屈折が変
化してしまう。また、高温高湿環境下においては偏光子
の収縮応力はより大きいものとなる。そして、これらを
支配する物性が光弾性係数（Δｎ＝Ｃ×σ Δｎ：複屈
折 ｃ：光弾性係数 σ：応力）であり、光弾性係数が
小さい場合に、外力に対する複屈折の変化も小さくなる
ため、表示性能が向上する。このため、本発明１では、
光弾性係数の絶対値が２０×１０^-7ｃｍ² ／ｋｇｆ以下
である該フィルム上に、反射防止層が形成されているの
で、(1) 偏光子の寸法変化等によって偏光子保護フィル
ムに外力が加わった場合においても複屈折率が小さく、
液晶ディスプレイに組み込んだ場合優れた表示品質を提
供できる。(2) 従来の偏光子保護フィルムに比べ、耐湿
性、耐熱性に優れた偏光板を提供できる。(3) 外光の写
り込み及び内部反射のない反射防止機能を持った偏光板
を提供できる。(4) 本発明の基材フィルムは、押し出し
成型法での製造に適しているため、生産性が向上し、安
価な偏光板を提供できる。本発明２では、大気圧近傍の
圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、対向電極間
にパルス化された電界を印可することにより、放電プラ
ズマを発生させ、反射防止層を形成するので、従来、低
圧力下で行われていた反射防止層の形成が、大気圧近傍
で、短時間にできるようになった。本発明３では、請求
項１記載の偏光子保護フィルムが、偏光子の少なくとも
片面に接着されているので、問題となる偏光子と液晶パ
ネルの間に用いられる場合の偏光子保護フィルムの複屈
折変化が解消され、良好な液晶表示性能を得られる。

【０１０４】

【実施例】以下、実施例を掲げて、本発明のを更に詳し
く説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限定さ
れるものではない。

【０１０５】（実施例１） ＜偏光子保護フィルムの作成＞下記手順により、偏光子
保護フィルムを作成した。 １）基材フィルムの作製 ポリカーボネイト樹脂（帝人化成（株）パンライトＡＤ
５５０３ 比重１．２）、スチレン無水マレイン酸共重
合体（積水化成品工業（株）ダイラークＤ２３２ 比重
１．０８）を、重量比２：８の配合組成で下記条件下で
溶融混練し基材フィルムを作成した。 押出機：同方向２軸（池貝機販（株）ＰＣＭ３０）、押
出温度２１０〜２４０℃ Ｔダイ：幅５００ｍｍ、コートハンガータイプ 吐出量：１２ｋｇ／ｈｒ ３本ロール引取機で速度６ｍ／ｍｉｎ、ロール温度１２
０℃で成形して、平均厚み６０μｍの幅４３０ｍｍのフ
ィルムを得た。その後、表面処理として片面に５０Ｗ／
ｍ² ・ｍｉｎのコロナ処理を施した。 ２）ハードコート層の塗工 ハードコート剤として、多官能アクリレート（大日精化
社製、ＥＸＦ３７）１００重量部とコロイダルシリカ
（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０５）１０重量
部との混合溶液を、トルエンで上記混合溶液分が４０％
になるように希釈し調整した。次に、上記基材フィルム
の片面に、マイクログラビアコーターによって、上記ハ
ードコート剤を塗工し、加熱乾燥した後、３００ｍｍＪ
／ｃｍ² で紫外線ランプを照射し、厚さ５μｍのハード
コート層を作成した。その後、上記ハードコートフィル
ムの表面を０．６ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処
理を施した。

【０１０６】３）反射防止層の形成 （３−１）処理装置 使用した放電プラズマ処理装置は、図８に示されるよう
に、容量１０リッターのステンレス製の容器８２からな
り、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源８
４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装着
してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （３−２）ＴｉＯ₂ 層上とＳｉＯ₂ 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ₂ と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記フィルムを配置した。

【０１０７】上部電極８４は、直径８０ｍｍで、直径１
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ₂ 誘電体８６が被覆してあり、フィルム
表面から２ｍｍ上方にを配置した。

【０１０８】油回転ポンプ（図８に記載されていない）
で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出口８
１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じてアル
ゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔｏｒ
ｒとした。

【０１０９】しかる後に、上部電極８４に接続した（反
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９９．５となるよう
に調整した。

【０１１０】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ² 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。

【０１１１】引き続いて、上記上部電極８４に接続した
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラエトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：アルゴン：酸素＝１：７：９２となるよう
に調整した。

【０１１２】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１６ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ² 、周波数８ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
₂ 薄膜表面に積層した。

【０１１３】更に、上記同様の方法にて、ＴｉＯ₂ 薄膜
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
₂ 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４００〜
７００ｎｍにおける平均反射率が、０．５％の反射防止
層を得た。

【０１１４】＜偏光子の作製＞鹸化度９９％の厚み７５
μのＰＶＡ未延伸フィルムを室温の水で洗浄した後、縦
一軸に５倍延伸を行った。このフィルムの緊張状態を保
持したままヨウ素０．５ｗｔ％、ヨウ化カリウム５ｗｔ
％からなる水溶液に浸漬し二色性色素を吸着させた。さ
らにホウ酸１０ｗｔ％、ヨウ化カリウム１０ｗｔ％から
なる５０℃の水溶液で５分間架橋処理を行い偏光子を得
た。

【０１１５】＜偏光板の作製＞ポリエステル系樹脂溶液
（製品名：ＴＭ−５９３、東洋モートン社製）１００重
量部、イソシアネート系硬化剤溶液（製品名：ＣＡＴ−
５６、東洋モートン社製）を１８重量部を配合後、酢酸
エチルで固形分濃度（以下ＴＮＶ）が３０％になるよう
に希釈し、偏光子にバーコーターで塗布した。８０℃で
１分間乾燥し、乾燥後厚みは３μであった。これを、上
記で得られた偏光板保護フィルムのコロナ処理面に、８
０℃に加熱したロールを用いて熱ラミした。もう片面は
上記接着剤溶液を上記で得られた偏光板保護フィルムの
コロナ処理面に同条件で塗布乾燥し、３μになった接着
層にすでに得られた偏光子／偏光板保護フィルム積層体
を上記同条件で熱ラミして偏光板とした。これをさらに
４０℃２日間の硬化を行ったのち、下記方法にて、光弾
性係数を算出し、耐久性試験前後の液晶ディスプレーの
表示状態の品質について評価した。

【０１１６】（実施例２） ＜偏光子保護フィルムの作成＞基材フィルムとして、熱
可塑性飽和ノルボルネン樹脂（日本ゼオン社製、ＺＥＯ
ＮＯＲ１６００Ｒ）を一軸押出機に供給し、２７５〜２
９０℃で押し出して厚さ６０μｍの熱可塑性飽和ノルボ
ルネン樹脂フィルムを得た。次いで、４０Ｗ／ｍ² ／ｍ
ｉｎの条件でコロナ放電処理を行った。さらに、上記フ
ィルムに実施例１と同様にして、ハードコート層、及
び、反射防止層を形成し偏光子保護フィルムを得た。

【０１１７】＜偏光板の作成＞接着剤層として、ポリエ
ステルポリオール溶液（東洋モートン社製、ＴＭー５９
３）１００重量部とイソシアネート系硬化剤溶液（東洋
モートン社製、ＣＡＴー５６）１８重量部を混合し、上
記偏光板保護フィルムに塗布、乾燥し、厚さ３μｍの接
着剤層が積層された偏光板保護フィルムを得た。さら
に、実施例１と同様にして偏光子、及び、偏光板を作成
した。

【０１１８】（実施例３） ＜偏光子保護フィルムの作製＞ １）基材フィルム 基材フィルムとして、ポリメチルペンテン樹脂（三井化
学社製，商品名「ＴＰＸＲＴ１８」、密度０．８３３ｇ
／ｃｍ³ 、融点２４０℃，メルトフローレート２６ｇ／
１０分（２６０℃５ｋｇ ＡＳＴＭ Ｄ １２３８）を
下記条件で溶融混練し、基材フィルムを作成した。 押出機：単軸押出機５０φ、Ｌ／Ｄ＝２８、押出温度２
７０〜３００℃ Ｔダイ：コートハンガータイプ、幅５００ｍｍ 吐出量：１２ｋｇ／ｈｒ ３本ロール引取機でロール温度６０℃とし６ｍ／ｍｉｎ
の速度で成形して平均厚み６０μｍ、幅４３０ｍｍのポ
リメチルペンテンフィルムを得た。その後、表面処理と
して片面に５０Ｗ／ｍ² ／ｍｉｎでコロナ放電処理を施
した。 ２）ハードコート層の塗工 ハードコート剤として、多官能アクリレート（大日精化
社製、ＥＸＦ３７）１００重量部、コロイダルシリカ
（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０５）３５重量
部、ウレタンアクリレート（大日精化社製、Ｕ０２）と
の混合溶液を、トルエンで上記混合溶液分が４０％にな
るように希釈し調整した。次に、上記基材フィルムの片
面に、マイクログラビアコーターによって、上記ハード
コート剤を塗工し、加熱乾燥した後、３００ｍｍＪ／ｃ
ｍ² で紫外線ランプを照射し、厚さ５μｍのハードコー
ト層を作成した。 ３）反射防止層 上記フィルムに実施例１と同様にして、反射防止層を形
成し、偏光子保護フィルムを得た。

【０１１９】＜偏光板の作成＞さらに、実施例１と同様
にして接着剤層、偏光子、偏光板を作成した。

【０１２０】（実施例４） ＜偏光子保護フィルムの作製＞基材フィルムとして、ポ
リサルホン（ＰＳｕ）樹脂（帝人アモコエンジニアプラ
スチック社製、商品名「ＵＤＥＬ，Ｐ−３５００」）の
３０重量％アニソール溶液を調製し、ＰＥＴ基材上に流
延し６０℃で５分間、１２０℃で５分間、更に１７０℃
で５分間乾燥し、厚み１０μｍのＰＳｕフィルムを作製
した。基材フィルムとして、エチレン−テトラシクロド
デセン共重合体（三井石油化学社製，商品名「ＡＰＥＬ
６０１５」，以下「ＡＰＥＬ」と記す）の３０重量％シ
クロヘキサン溶液を調製し、ＰＥＴ基材に流延し、６０
℃で５分間、１２０℃で５分間乾燥した後基材より剥離
し、厚み７０μｍのＡＰＥＬフィルムを作製した。さら
に、上記フィルムに実施例１と同様にして、ハードコー
ト層、及び、反射防止層を形成し偏光子保護フィルムを
得た。 ＜偏光板の作製＞アクリル酸ブチル９４．８重量部、ア
クリル酸５重量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト０．２重量部を過酸化ベンゾイル０．３重量部の存在
下で酢酸エチルを溶媒として共重合し、重量平均分子量
（Ｍｗ）１２０万、Ｍｗと数平均分子量（Ｍｎ）の比
（Ｍｗ／Ｍｎ）が３．９であるアクリル系ポリマーの酢
酸エチル溶液を得た。得られたアクリル系ポリマーの酢
酸エチル溶液にトルエンを加えて希釈しアクリル系ポリ
マー１３重量％のトルエン溶液とした。この溶液にイソ
シアネート架橋剤（日本ポリウレタン社製，商品名「コ
ロネートＬ」）２．０重量部を添加し攪拌した溶液を離
型フィルムに塗布し、発泡しないように６０℃で５分
間、更に１００℃で５分間の２段階で乾燥させて粘着剤
層を形成した。上記粘着剤層面に軽剥離性の離型フィル
ムを貼り合わせた。この方法により平均厚みが１０μｍ
の粘着剤層を作製した。

【０１２１】上記ＰＳｕフィルム（厚み１０μｍ）とＡ
ＰＥＬフィルムよりなる各偏光子保護フィルムの各々の
片面に４０Ｗ／ｍ² ／ｍｉｎでコロナ放電処理を行い、
コロナ放電処理面を向き合わせて前記粘着剤層（厚み１
０μｍ）を介して貼り合わせ、ＰＳｕフィルム／ＡＰＥ
Ｌフィルムの積層フィルムとし、該積層フィルムの両面
にそれぞれ４０Ｗ／ｍ² ／ｍｉｎでコロナ放電処理を行
い、これを液晶セル側の保護フィルムとした。

【０１２２】一方、ＰＣ樹脂フィルム（厚み５０μｍ）
の片面に４０Ｗ／ｍ² ／ｍｉｎでコロナ放電処理を行
い、これを背面用保護フィルムとした。上記液晶セル面
側保護フィルムのＡＰＥＬ樹脂層面と背面用保護フィル
ムのコロナ放電処理処理面に、ポリエステル系接着剤
（東洋モートン社製，商品名「ＴＭ−５９３」）の３０
重量％酢酸エチル溶液を乾燥後の厚みが２μｍとなるよ
うに塗布し、９０℃で乾燥した。前記偏光子の両面に上
記接着剤面を貼り合わせて偏光板とした。

【０１２３】（比較例１）基材フィルムとして、実施例
１で用いたポリカーボネイト樹脂とスチレン無水マレイ
ン酸共重合体の重量比７：３の配合組成にした以外は、
実施例１と同様にして偏光板を作成した。

【０１２４】（比較例２）基材フィルムとして７５μの
トリアセチルセルロースのアルカリ鹸化フィルムを使用
し、ポリビニルアルコール系接着剤（商品名ゴーセノー
ルＮＨ１７、日本合成化学（株）社製）の３ｗｔ％水溶
液を塗布厚１μになるよう塗布し、９０℃で乾燥し、反
射防止層を設けなかったこと以外は、実施例１と同様に
して偏光板を作成した。

【０１２５】＜評価方法＞ （１）光弾性係数の算出 上記実施例及び比較例にて作製した偏光子保護フィルム
を幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍに切り出し長辺方向に荷
重をかけながら位置差を測定して、その近似直線の傾き
から光弾性係数を求めた。 荷重の測定：フォースゲージ ＤＰＳ−５（ＩＭＡＤＡ
社製） 水準：０、０．５、１．０、１．５ｋｇ 位相差の測定：セナルモン法（アスカ電子社製）、測定
波長６３ｎｍ （２）耐久性試験 高温試験：８０℃の高温乾燥機にて７００時間放置し
た。 高温高湿試験：６０℃９０％ＲＨの高温高湿試験機にて
７００時間放置した。 （３）品質評価 市販の１５ｉｎｃｈＴＦＴモニターの表面側偏光板の代
わりに上記で作製した偏光板を貼り付けて画像を目視観
察した。

【０１２６】評価の結果について表２に示した。本発明
の偏光子保護フィルムを用いた偏光板は、色ムラ、コン
トラストの低下が発現せず、液晶ディスプレーの表示状
態に極めて優れていた。

【０１２７】

【表２】 ＰＣ：ポリカーボネイト樹脂、Ｓ−ＭＡＮ：スチレン無
水マレイン酸共重合体、ＰＳｔ：ポリスチレン樹脂、Ｐ
Ｓｕ：ポリサルフォン樹脂、ＡＰＥＬ：エチレン−テト
ラシクロドデセン樹脂、ＴＡＣ：トリアセチルセルロー
ス樹脂

【０１２８】

【発明の効果】本発明１では、光弾性係数の絶対値が２
０×１０^-7ｃｍ² ／ｋｇｆ以下である基材フィルム上
に、反射防止層が形成されているので、(1) 偏光子の寸
法変化等によって偏光子保護フィルムに外力が加わった
場合においても複屈折率が小さく、液晶ディスプレイに
組み込んだ場合優れた表示品質を提供できる。(2) 従来
の偏光子保護フィルムに比べ、耐湿性、耐熱性に優れた
偏光板を提供できる。(3)外光の写り込み及び内部反射
のない反射防止機能を持った偏光板を提供できる。(4)
本発明の偏光子保護フィルム用基材フィルムは、押し出
し成型法での製造に適しているため、生産性が向上し、
安価な偏光板を提供できる。本発明２では、大気圧近傍
の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、対向電極
間にパルス化された電界を印可することにより、放電プ
ラズマを発生させ、反射防止層を形成するので、従来、
低圧力下で行われていた反射防止層の形成が、大気圧近
傍で、短時間にできるようになった。本発明３では、請
求項１記載の偏光子保護フィルムが、偏光子の少なくと
も片面に接着されているので、良好な液晶表示性能を得
られる。

【０１２９】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いた放電プラズマ発生装置とその放
電電圧及び放電電流の測定に用いた測定回路図の一例を
示す説明図である。

【図２】図３の装置により得られた放電電圧（波形１）
と放電電流（波形２）の測定結果を示すグラフである。

【図３】本発明において一対の電極間に印加するパルス
電圧の波形の例を示す説明図である。

【図４】本発明でいうパルス電界継続時間の説明図であ
る。

【図５】本発明を適用した装置において用いるのに適し
た電源回路の構成例を示すブロック図である。

【図６】等価的な回路図で示す図７の回路の動作原理の
説明図である。

【図７】図６に示された動作原理により得ることのでき
るパルス電圧波形の説明図である。

【図８】本発明の各実施例で用いた放電プラズマ発生装
置の構成を示す模式図である。

【符号の説明】

１、２ 電極 ３ パルス電源 ４ 固体誘電体 ５ 抵抗 ６、９ ＢＮＣ端子 ７ オシロスコープ ８ 高圧プローブ ８１−１ 直流電源 ８１−２ 交流電源（高電圧パルス電源） ８２ ステンレス製容器 ８３ 放電プラズマ発生空間 ８４ 上部電極 ８５ 下部電極 ８６ 固体誘電体 ８７ 基材 ８８ ガス導入管 ８９ 希釈ガス導入管 ８１０ ガス排出口 ８１１ 排気口

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光弾性係数の絶対値が２０×１０^-7ｃｍ
   ² ／ｋｇｆ以下である基材フィルム上に、反射防止層が
   形成されていることを特徴とする偏光子保護フィルム。
2. 【請求項２】 大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含む
   ガス雰囲気中で、対向電極間にパルス化された電界を印
   可することにより、放電プラズマを発生させ、反射防止
   層を形成することを特徴とする請求項１記載の偏光子保
   護フィルムの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の偏光子保護フィルムが、
   偏光子の少なくとも片面に接着されていることを特徴と
   する偏光板。