JP6457528B2 - 以降の処理工程中における、正確な位置合わせのための、基準マークを備える電子アセンブリ - Google Patents

Description

可撓性の電子構成要素及び光学構成要素などの物品の作製は、細長い基材又はウェブ上に堆積されるか、又は形成される材料の層を適用することを含み得る。具体的には、材料のパターンは、複数の堆積工程を通じて、ウェブ等の細長い基材上に層状で堆積され得る。いくつかの物品は、基材の一方の側又は両側に施される特徴の正確な位置合わせを必要とする。

層間の正確な位置合わせを実現するため、基材が複数の製造工程を通じて移動する際に、横方向（クロスウェブ）の位置決め、及び長手方向（ダウンウェブ）の位置決めが維持されなくてはならない。基材上に形成される層間の位置合わせの維持は、基材が可撓性又は伸縮性である場合に、より複雑となる。いくつかの物品は複数の工程で作製され、工程中に、材料又はプロセスが基材に順に施され、プロセス工程のそれぞれに正確な位置合わせが求められる。

実施形態の一覧
Ａ．基材の第１ゾーンのパターン付き導電性ナノワイヤ層を被覆するレジスト層を形成し、低コントラスト第１導電性パターンを形成する工程と、第１導電性パターンと実質的に同時に、第１ゾーンとは異なる基材の第２ゾーンに高コントラスト基準マークを形成する工程であって、基準マークは第１導電性パターンと位置合わせされている、工程と、基準マークをガイドとして使用して、第１導電性パターンと位置合わせされた第２パターンを形成する工程とを含む、方法。
Ｂ．第１導電性パターンが、約８０％超の光透過率を有する、実施形態Ａに記載の方法。
Ｃ．基準マークが、約０％〜約５０％の光透過率を有する、実施形態Ａ又はＢに記載の方法。
Ｄ．基準マークと第１導電性パターンとの間の位置合わせの誤差は、約２０マイクロメートル未満である、実施形態Ａ〜Ｃのいずれか１つの記載の方法。
Ｅ．第１導電性パターンは、２００マイクロメートル未満の大きさの寸法を有する、特徴を含む、実施形態Ａ〜Ｄのいずれか１つの記載の方法。
Ｆ．第２パターンは導電性である、実施形態Ａ〜Ｅのいずれか１つに記載の方法。
Ｇ．第２パターンは、第１導電性パターンと位置合わせされ、電子アセンブリを形成する、実施形態Ｆに記載の方法。
Ｈ．基材の第１ゾーンにおけるパターン付き導電性ナノワイヤ層は、
ナノワイヤを含む導電性層で基材をコーティングする工程と、
レジストマトリックス材料で導電性層にパターンを適用し、基材上に、露出した導電性層の１つ以上の第１領域、及びレジストマトリックス材料の１つ以上の第２領域を生成する工程と、
レジストマトリクス材料を固化又は硬化させる工程と、
剥離可能なポリマー層でパターンを上塗りする工程と、
剥離可能なポリマー層を固化又は硬化させる工程と、
基材から剥離可能なポリマー層を剥離する工程と、
基材の１つ以上の第１領域において、基材から露出した導電性層を除去し、基材上にパターン付き導電性層を形成する工程であって、パターン付き導電性層は、レジストマトリックス材料により被覆されたナノワイヤを含む、工程と、によって製造される、実施形態Ａ〜Ｇのいずれか１つに記載の方法。
Ｉ．導電性層上のパターンは、フォトリソグラフィ、フレキソグラフィック印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷、スプレイコーティング、ニードルコーティング、フォトリソグラフィックパターン化、及びオフセット印刷の少なくとも１つから選択されるプロセスによって適用される、実施形態Ｈに記載の方法。
Ｊ．基準マークは、フォトリソグラフィ、フレキソグラフィック印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷、スプレイコーティング、ニードルコーティング、フォトリソグラフィックパターン化、及びオフセット印刷の少なくとも１つから選択されるプロセスによって形成される、実施形態Ａ〜Ｉのいずれか１つに記載の方法。
Ｋ．第１ゾーンにおいて、低コントラスト第１導電性パターンを含む基材と、第１ゾーンとは異なる、基材の第２ゾーンの高コントラスト基準マークであって、基準マーク及び第１導電性パターンは位置合わせされている、高コントラスト基準マークと、第１導電性パターンと位置合わせされた第２導電性パターンとを含む、電子アセンブリ。
Ｌ．基準マーク及び第１導電性パターンは、約１００マイクロメートル未満の寸法正確性で位置合わせされる、実施形態Ｋの電子アセンブリ。
Ｍ．基準マーク及び第１導電性パターンは、約２０マイクロメートル未満の寸法正確性で位置合わせされる、実施形態Ｋ〜Ｌのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｎ．基準マークと第２導電性パターンとの間の、基材の可視光線領域における光透過率の差は、約５０％超である、実施形態Ｋ〜Ｍのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｏ．第１導電性パターンは、可視光領域において、約８０％〜約９９．９％の光透過率を有する、実施形態Ｋ〜Ｎのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｐ．基準マークは、可視領域において、約５０％未満の光透過率を有する、実施形態Ｋ〜Ｏのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｑ．第２導電性パターンは回路相互接続である、実施形態Ｋ〜Ｐのいずれか１つに記載のアセンブリ。
Ｒ．回路相互接続は、第１導電性パターンに対して面内にある、実施形態Ｋ〜Ｑのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｓ．回路相互接続は、第１導電性パターンに対して面外にある、実施形態Ｋ〜Ｒのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｔ．第１導電性パターンは、第１インクから生じ、基準マークは、第１インクとは異なる第２インクから生じ、第１インクは選択される溶媒に溶解可能であり、第２インクは、選択される溶媒に溶解不能である、実施形態Ｋ〜Ｓのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｕ．実施形態Ｋ〜Ｔのいずれか１つに記載の電子アセンブリを組み込む、ディスプレイ。
Ｖ．第１ゾーンに第１導電性パターンを含む基材であって、第１導電性パターンは、レジストマトリックス材料の層によって被覆される導電性ナノワイヤを含み、導電性パターンは、可視領域において、約８０％超の光透過率を有する、基材と、第１ゾーンとは異なる、基材の第２ゾーンの基準マークであって、基準マークは、可視領域において約５０％未満の光透過率を有し、基準マーク及び第２導電性パターンは、約１００マイクロメートル未満の寸法正確性で位置合わせされる、基準マークと、第１導電性パターンと位置合わせされた第２導電性パターンとを含む、電子アセンブリ。
Ｗ．レジストマトリックス材料は、約１０ナノメートル〜約３０００ナノメートルの厚さを有する、実施形態Ｖの電子アセンブリ。
Ｘ．レジストマトリックス材料は、少なくとも８０％の光透過率を有する、実施形態Ｖ〜Ｗのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｙ．第２導電性パターンは回路相互接続である、実施形態Ｖ〜Ｘのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
Ｚ．回路相互接続は、導電性金属ナノ粒子を含むインクから生じる、実施形態Ｖ〜Ｙのいずれか１つに記載の電子アセンブリ。
ＡＡ．実施形態Ｖ〜Ｚのいずれか１つに記載の電子アセンブリを組み込む、ディスプレイ。
ＢＢ．ディスプレイはタッチスクリーンディスプレイであり、任意により、タッチスクリーンディスプレイは、携帯電話、タブレットコンピューター、ノートブックコンピューター、ラップトップコンピューター、コンピューターディスプレイ、又はテレビから選択される電子装置の構成要素である、実施形態ＡＡに記載のディスプレイ。

本出願において「コントラスト」とは、特定の式によって計算される数字として表現される、２つの領域の輝度など、測定される量の違いの度合いを意味する。この定義は、ＡＳＴＭ規格Ｅ３８４「Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ａｐｐｅａｒａｎｃｅ」によるものである。最も広い意味における「低コントラストインク」とは、基材上の二次的動作が、所定のパターンと直接位置合わせされるようにするために、基材から光学的に十分に区別可能でない、いずれかのインクである。より正式な定義は、以下の実施例３において記載される光学試験に関連して提示される。

本出願において、「所定のパターン」とは、例として、線、反復的な線、トレース、記号、文字、図、図形、数字、又はこれらの組合せを含み得るパターンを意味し、これは印刷などの好適な複製方法によって基材に配置されるべく、既定であるか、又は事前に選択される。所定のパターンとしては、１０００、５００、１００、２０、１０又は５マイクロメートル未満の大きさの寸法を有する、特徴を含み得る。

本出願において、「基準マーク」とは、ウェブ変位、ウェブ速度、又はウェブ位置に関する情報を取得するために、基準点として画像化システムが使用するために、基材上に配置された、記号、線、点、又は他の形状のパターンを意味する。

本出願において、数値、特性、又は特徴に関して用語「約」又は「およそ」とは、数値、特性、特徴の±５％を意味するが、また、数値、又は特性、又は特徴の±５％以内のいずれかの狭い値、並びに正確な数値も明示的に含む。例えば、「約」１００℃の温度とは、９５℃以上１０５℃以下を指すがまた、例えば、この範囲内のいずれかのより狭い温度範囲、又は更に単一の温度（例えば、１００℃丁度の温度）を明示的に含む。

本出願において、特性又は特徴に関して用語「実質的に」とは、特性又は特徴がこの特性又は特徴の９８％以内に制限されることを意味するがまた、特性又は特徴の２％以内のいずれかの狭い範囲、加えて、特性又は特徴の正確な値も明示的に含む。例えば、「実質的に」透明な基材とは、入射光の９８％以上１００％以下を透過する基材を指す。

当業者は、「発明を実施するための形態」、「実施例」、及び添付の「特許請求の範囲」を含む、本開示の残りの部分を熟考することによって、本発明の本質をより完全に理解するであろう。

当業者であれば、本考察はあくまで代表的な実施形態の説明に過ぎず、代表的な構成として実施される本開示のより広い態様を限定することを意図するものではない点は理解されるはずである。
そのクロスウェブ幅に沿ってゾーンに分割される、ドクターブレードアセンブリに隣接する印刷ロールを含む、印刷装置の斜視図である。 図１の印刷装置の概略側面図である。 本開示の一実施形態による別の印刷装置の斜視図である。 本開示による装置により、第１及び第２ゾーンに第１及び第２インクを印刷された、不定長ステアリングのウェブの平面図である。 基材の第１ゾーンにおける導電性ナノワイヤ層の概略断面図であり、導電性ナノワイヤ層は、パターン付きレジストマトリックス材料により被覆されている。 剥離可能なポリマー層により被覆された、図５の構造の概略断面図である。 剥離可能なポリマー層の除去に続く、図６の構造の概略断面図である。 二次的導電性パターンにより部分的に被覆された、図７の構造の概略断面図である。 ２つの基準マークにおけるエッジ検出可能性を評価するために使用される、信号値対時間のプロットである。 実施例５における、銀ナノ粒子インクパターンと位置合わせされた、基準マークの写真である。 実施例５に従って製造した電子アセンブリの写真である。

本明細書及び図面において参照符号が繰り返し使用される場合、本開示の同じ又は類似の特徴又は要素を表すものとする。

ここで図１を参照し、本開示を実行するために好適な印刷装置２０が例示される。印刷装置２０は、印刷ロール２２、及び印刷ロール２２と隣接するドクターブレードアセンブリ２４を含む。いくつかの代替的な実施形態において、ロール２２は、別個の印刷ロールへと間接的にインクを塗布する、アニロックスロールなどの転写ロールである。印刷ロール２２は、シャフト２２ａを有するライブシャフトロール（live shaft roll）、又はデッドシャフトロール（dead shaft roll）のいずれかであり得る。印刷ロール２２は有利にアニロックスロールであるが、本発明は、フレキソ印刷、グラビア印刷、平台印刷又は回転スクリーン印刷、インクジェット印刷、及び二重オフセット印刷と共に機能できる。ドクターブレードアセンブリ２４は有利に、支持体２５及びブレード支持体２６を含む。ブレード支持体２６は、実際のドクターブレード２７を保持する。例示されるブレード支持体２６は、ブレード支持体２６のクロスウェブ幅を、第１ゾーン４２、及び第２ゾーン４０へと分割する、バリア２８、３０、及び３２を含む。バリア２８、３０、及び３２は、印刷ロール２２の側面を、これを擦ることなく封止し得る、柔軟で弾力的な材料から形成される。

ここで図２を参照すると、図１の印刷装置２０の側面図が例示されている。この側面図において、ドクターブレード２７が、ブレード支持体２６により支持される様子がよりよく理解できる。また、視覚的明瞭性のために図１から省略された、第１インクディスペンサ６０ａが図中に示される。第１インクディスペンサ６０ａは、第１インクをブレード支持体２６の第１ゾーン（図１の４２）に分配するために、第１インク源６２に接続される。この図において、第２インクを第２ゾーン（図１の４０）へと分配するために、同様の第２インクディスペンサ６０ｂが、第１インクディスペンサ６０ａの後方に配置されており、図には示されていない。ユーザーの好み、及び／又は想到される印刷の種類により、インクディスペンサの形態は、スパウト、スプレイ、供給ブラシ、供給ローラー、開いたパン、包囲したパン、開いたアプリケータ（前方ブレード、又は逆ブレード）など、多くの形態をとり得る。

ここで図３を参照し、本発明を実行するために好適な、別の印刷装置１２０が例示される。印刷装置１２０は印刷ロール１２２を含む。印刷ロール１２２は、シャフト１２２ａを有するライブシャフトロール、又はデッドシャフトロールのいずれかであり得る。上記の印刷装置２０と同様に、印刷ロール１２２は有利にアニロックスロールであるが、本発明は、フレキソグラフィック印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、及び二重オフセット印刷と共に機能することができる。例示される実施形態において、印刷ロール１２２は、シャフト１７０ａを中心に回転可能である、主要インク塗布ロール１７０と隣接する。インクロール１７０は、主要インカー１７４により、第１ゾーン１７２に、第１インクを塗布される。第１ゾーン１７２内の第１インクは、印刷ロール１２２の第１受け取りゾーン１７６に転写される。

支持体１７８は、少なくとも１つの（この例示される実施形態では２つ）、補助インキングロール１８０ａ、及び１８０ｂを担持し、それぞれ、二次インカー１８２ａ及び１８２ｂによって第２インクを塗布されている。第２インクは、印刷ロール１２２の２つの第２受け取りゾーン１８４ａ及び１８４ｂに転写される。基材（多くの実施形態においては不定長材料のウェブ）は、その後、従来的な方法により印刷ロール１２２と接触させられる。

ここで図４を参照し、上記の装置の１つにより、第１ゾーン２０２、及び第２ゾーン２０４にそれぞれ第１インク及び第２インクを塗布された、不定長のウェブ２００の平面図が例示されている。第１ゾーン２０２内において、既定のパターン２０６が印刷されている（例えば、低コントラストインクの安全マーク、又は溶解性インクの電子回路のパターン）。連続的な基準マークの対２０８は、第２ゾーン２０４に印刷されている。様々な実施形態において、基準マーク及び所定のパターンは、２０、１０、又は更に５マイクロメートル未満の寸法正確性で位置合わせされる。

図４に示されない実施形態において、基準マーク２０８は、別個の非連続的なマークであってもよく、これは、単独で、又は連続的な基準マークと組み合わせて使用され得る。非限定的な実施例において、別個の基準マークは、ダウンウェブ位置情報を提供することがあり、一方で連続的な基準マークはダウンウェブパターン位置情報を提供することができる。

実施例として提示され、限定的であることを意図されない一実施形態において、ウェブ基材２００の第１ゾーン２０２における所定のパターン２０６は、３Ｍ出願番号６９８７９ＵＳ００２号に記載されるナノワイヤを含む、導電性層で基材をコーティングすることによって形成される。

図５を参照し、導電性ナノワイヤ層３１６は、基材３１４の第１ゾーン３５０の第１主要表面３１５の少なくとも一部にわたり、及び望ましくは、第１主要表面３１５の面積の少なくとも５０％、６０％、７０％、８０％、又は９０％にわたり実質的に連続的である。導電性ナノワイヤ層３１６は、第１の基材ゾーン３１４に沿って連続的にコーティングされてもよく、又はその間にコーティングされない基材領域を残して別個のブロック若しくは矩形で適用されてもよく、ブロック又は矩形は、形成される、意図されるタッチスクリーンの全体的な大きさと同様の寸法を有する。「実質的に連続的である」とは、ナノワイヤが、基材の表面を導電性とするために十分な密度で適用されることを意味し、これはナノワイヤ層が、例えば、国際公開第ＷＯ ２００７／０２２２２６号の図１５Ｂに示されるように、その間に開孔部又は空隙を備えるように個別のワイヤを含むものと理解される。

導電性ナノワイヤ層３１６は、導電性ナノワイヤを含む。本出願において、用語ナノワイヤとは、高いアスペクト比（例えば、１０を超える）を有する、導電性金属若しくは非金属フィラメント、繊維、ロッド、ストリング、ストランド、ウィスカー、又はリボンを指す。非金属導電性ナノワイヤの例としては、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、酸化金属ナノワイヤ（例えば、五酸化バナジウム）、半金属ナノワイヤ（例えば、シリコン）、導電性ポリマー繊維などが挙げられるがこれらに限定されない。

本明細書で使用される場合、「金属製ナノワイヤ」は、元素金属、合金、又は（金属酸化物を含む）金属化合物を含む金属製ワイヤを指す。金属製ナノワイヤの少なくとも１つの断面寸法は、５００ｎｍ未満、２００ｎｍ未満、又は更に好ましくは１００ｎｍ未満である。典型的には、ナノワイヤは１０超の、好ましくは５０超の、及びより好ましくは１００超のアスペクト比（長さ：幅）を有する。好適な金属ナノワイヤは、銀、金、銅、ニッケル及び金メッキした銀を非限定的に含む任意の金属を含むことができる。

金属ナノワイヤは、当該技術分野において既知の方法により調製され得る。特に、銀ナノワイヤは、ポリオール（例えば、エチレングリコール）、及びポリビニルピロリドンの存在下で塩化銀（例えば、硝酸銀）の溶液相還元により合成することができる。均一な寸法の銀ナノ粒子の大量生産は、例えば、Ｓｕｎ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．（２００２），１４，４７３６〜４７４５，ａｎｄ Ｓｕｎ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｎｏｌｅｔｔｅｒｓ（２００３）３（７），９５５〜９６０に記載される方法に従って調製され得る。例えば、生体テンプレートを使用して、ナノワイヤを作製するより多くの方法が、国際公開第ＷＯ ２００７／０２２２２６号に記載される。

いくつかの実施形態において、ナノワイヤは、液体内で分散し、基材上のナノワイヤは、ナノワイヤを含む液体を基材上にコーティングし、この液体を蒸発（乾燥）又は硬化させることによって形成される。ナノワイヤは、典型的には液体内に分散し、コーター又は噴霧器を使用する基材上へのより均一な堆積を促進する。

ナノワイヤが、安定的な分散（「ナノワイヤ分散」とも称される）を形成し得る、いずれかの非腐食性液体が使用され得る。好ましくは、ナノワイヤが、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素、又は芳香族溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレンなど）中に分散する。より好ましくは、液体は揮発性であり、２００℃以下、１５０℃以下、又は１００℃以下の沸点を有する。

加えて、ナノワイヤ分散液は、粘度、腐食、接着、及びナノワイヤ分散を制御するために、添加物又は結合剤を含み得る。好適な添加物又は結合剤の例としては、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、２−ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、メチルセルロース（ＭＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、トリプロピレングリコール（ＴＰＧ）、及びキサンタンガム（ＸＧ）、並びに、エトキシレート、アルコキシレート、酸化エチレン、並びに酸化プロピレン及びこれらのコポリマー、スルホネート、サルフェート、ジスルホン酸塩、スルホサクシネート、リン酸エステル、並びにフルオロ界面活性剤（例えば、ＤｕＰｏｎｔから、商標名Ｚｏｎｙｌで入手可能であるもの）が挙げられるが、これらに限定されない。

一実施例において、ナノワイヤ分散液、又は「インク」は、０．００２５重量％〜０．１重量％の界面活性剤（例えば、好ましい範囲はＺｏｎｙｌ（登録商標）ＦＳＯ−１００において、０．００２５重量％〜０．５重量％）、０．０２重量％〜４重量％の粘度変性剤（例えば、好ましい範囲は、ＨＰＭＣにおいて０．０２重量％〜０．５重量％）、９４．５重量％〜９９．０重量％の溶媒、及び０．０５重量％〜１．４重量％の金属ナノワイヤを含む。好適な界面活性剤の代表的な例としては、Ｚｏｎｙｌ ＦＳＮ、Ｚｏｎｙｌ ＦＳＯ、Ｚｏｎｙｌ ＦＳＨ、Ｔｒｉｔｏｎ（ｘ１００、ｘ１１４、ｘ４５）、Ｄｙｎｏｌ（６０４、６０７）、ｎ−Ｄｏｄｅｃｙｌ ｂ−Ｄ−ｍａｌｔｏｓｉｄｅ、及びＮｏｖｅｋを含む。好適な粘度変性剤の例としては、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、メチルセルロース、キサンタンガム、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースを含む。上記の結合剤又は添加物を含む、ナノワイヤ分散液中に存在し得る好適な溶媒の例としては、水及びイソプロパノールが挙げられる。

分散液の濃度を上記に開示されるものから変更することが所望される場合、溶媒の濃度は、増加又は低減し得る。しかしながら、好ましい実施形態において、他の成分の相対的な比率は、同じままであり得る。特に、界面活性剤の粘度変性剤に対する比率は、好ましくは約８０：１〜約０．０１：１、粘度変性剤のナノワイヤに対する比率は好ましくは約５：１〜約０．０００６２５：１、ナノワイヤの界面活性剤に対する比率は、好ましくは約５６０：１〜約５：１である。分散液の成分の比率は、使用される基材、及び適用方法によって修正され得る。ナノワイヤ分散液の好ましい粘度範囲は、約１〜１０００ｃＰ（０．００１〜１Ｐａ−ｓ）である。

図５の基材３１４は剛性又は可撓性のものであってよい。基材は透明又は半透明であり得る。好適な剛性基材としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート、アクリルなどが挙げられる。好適な可撓性基材としては、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエステルナフタレート（ＰＥＮ）、及びポリカーボネート（ＰＣ））、ポリオレフィン（例えば、直鎖、分岐、及び環状ポリオレフィン）、ポリビニル（例えば、塩化ポリビニル、塩化ポリビニリデン、ポリビニルアセタール、ポリスチレン、ポリアクリレートなど）、セルロースエステル質（例えば、セルローストリアセテート、セルロースアセテート）、ポリスルホン、例えば、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、シリコーン、及び他の従来的なポリマーフィルムが挙げられるがこれらに限定されない。別の好適な基材は、Ｃｏｒｎｉｎｇ，Ｉｎｃ．，Ｃｏｒｎｉｎｇ，ＮＹから商標名Ｗｉｌｌｏｗ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｇｌａｓｓで入手可能な可撓性ガラス材料である。好適な基材の更なる例は、米国特許第６，９７５，０６７号に見出すことができる。

任意により、基材の表面は、ナノワイヤの以降の堆積をより良好に受け取るように、表面を準備するように、予め処理することができる。表面の事前処理は、多数の機能を果たす。例えば、これらは均一なナノワイヤ分散層の堆積を可能にする。加えて、これらは、以降の処理工程のために、ナノワイヤを基材上で不動化させることができる。更に、予備処理は、ナノワイヤの堆積パターンを形成するパターン化工程と共に実行することができる。国際公開第ＷＯ ２００７／０２２２２６号に記載されるように、予備処理としては、溶媒若しくは化学洗浄、加熱、任意のパターン付き中間層の堆積により、ナノワイヤ堆積物に適切な化学的又はイオン状態を付与すること、並びに、プラズマ処理、紫外線（ＵＶ）オゾン処理、又はコロナ放電などの、更なる表面処理が挙げられる。

ナノワイヤ層３１６を形成するナノワイヤ分散液は、所望の光学的及び電気的特性を達成するために選択される、所与の厚さで、基材に適用され得る。この適用は、スロットコーティング、ロールコーティング、マイヤーロッドコーティング、ディップコーティング、カーテンコーティング、スライドコーティング、ナイフコーティング、グラビアコーティング、ノッチバーコーティング、又は噴霧など、既知のコーティング方法を使用して行われ、基材上に導電性ナノワイヤ層が生じる。ナノワイヤ層３１６はまた、グラビア、フレキソグラフィック、スクリーン、凸版、インクジェット印刷などが挙げられるがこれらに限定されない印刷技術を使用して、非連続的に堆積され得る。コーティング工程は、ロールツーロールプロセス、又はピースパーツ方式のいずれかで行うことができる。

堆積後、分散液の液体は、典型的には蒸発により除去される。蒸発は、加熱（例えば、ドライヤーを使用する）によって加速させることができる。結果として得られる導電性ナノワイヤ層は、これをより導電性にするために、事後処理を必要とすることがある。この事後処理は、国際公開第ＷＯ ２００７／０２２２６号に更に記載される、熱、プラズマ、コロナ放電、ＵＶオゾン、又は圧力への曝露を伴う処理工程であり得る。任意に、基材をナノワイヤ層でコーティングすることの後に、ナノワイヤ層を固化又は硬化させることが続いてもよい。

任意に、導電性ナノワイヤ層３１６は、液体分散コーティング以外の手段を使用して基材表面３１５にその層が送達されるプロセスによって、基材３１４上にコーティングされてもよい。例えば、ナノワイヤ層は、ドナー基材から基材表面へと乾式転写され得る。更なる例として、ナノワイヤは、気相懸濁液から、基材表面へと供給され得る。

１つの特定の実施形態において、ナノワイヤの水性分散液（例えば、商標名ＣｌｅａｒＯｈｍ ＩｎｋでＣａｍｂｒｉｏｓから入手可能な分散液）の層が、スロットダイコーティング技術を使用して、１０．０〜２５マイクロメートルの範囲でＰＥＴ基材に適用された。コーティングの配合（例えば、全固形分重量％、及び銀ナノワイヤの固形分重量％）は、コーティング及び乾燥プロセス条件と合わせて、計画される電気特性及び光学特性、例えば、所望のシート抵抗（Ｏｈｍ／Ｓｑ）、並びに透過率（％）及びヘイズ（％）などの光学特性を有するナノワイヤ層を生成するように選択されることができる。

基材上にナノワイヤをコーティングすることにより得られる（例えば、ナノワイヤ分散液から）導電性ナノワイヤ３１６は、ナノワイヤ、及び任意により結合剤又は添加物を含む。ナノワイヤ層は好ましくはナノワイヤの相互接続ネットワークを含む。ナノワイヤ層を形成するナノワイヤは、好ましくは互いに電気的に接続され、これはおおよそ、又は効果的にシート導電体となる。ナノワイヤ層は、層を構成する個別のナノワイヤの間に開放空間を含み、少なくとも部分的な透明性（すなわち、光透過性）を生じる。個別のナノワイヤ間に開放空間を有するナノワイヤの相互接続されたネットワークを有するナノワイヤ層は、透明伝導体層として説明され得る。

典型的には、ナノワイヤ層３１６の光学品質は、光透過率及びヘイズを含む測定可能な特性によって定量的に説明され得る。「光透過率」とは、入射光が媒体を透過する割合を指す。様々な実施形態では、導電性ナノワイヤ層の光透過率は少なくとも８０％であり、９９．９％の高さであってもよい。様々な実施形態では、ナノワイヤ層などの導電性層の光透過率は少なくとも８０％であり、９９．９％の高さであってもよい（例えば、９０％〜９９．９％、９５％〜９９．５％、９７．５％〜９９％）。基材（例えば、透明基材）上にナノワイヤ層が堆積する、又は積層する（例えば、コーティングされる）透明な導電体において、構造全体における光透過率は、構成するナノワイヤ層の光透過率と比較して、僅かに低いことがある。接着剤層、反射防止層、グレア防止層など、導電性ナノワイヤ層及び基材と共に存在し得る他の層が、透明伝導体の全体的な光透過率を増加又は低減させることがある。様々な実施形態では、基材上に堆積又は積層される導電性ナノワイヤ層、及び１つ又は２つ以上の他の層を備える透明伝導体の光透過率は、少なくとも５０％、少なくとも６０％、少なくとも７０％、少なくとも８０％、少なくとも９０％、又は少なくとも９１％であり得、少なくとも９１％〜９９％の高さであってもよい。

ヘイズは光拡散の指標である。これは透過中に入射光から分離され、散乱する光の量の割合を指す。主に媒体の特性である光透過率とは異なり、ヘイズは多くの場合生産上の懸念事項であり、典型的には、表面粗度及び媒体中の包埋粒子又は組成の不均質性によって生じる。ＡＳＴＭ規格Ｄ１００３−１１により、ヘイズは２．５°超の角度で偏光された、透過光の割合として定義することができる。様々な実施形態において、導電性ナノワイヤ層のヘイズは、１０％以下、８％以下、５％以下、２％以下、１％以下、０．５％以下、又は０．１％以下（例えば、０．１％〜５％、又は０．５％〜２％）である。基材（例えば、透明基材）上に導電性ナノワイヤ層が堆積する、又は積層する（例えば、コーティングされる）透明な伝導体において、構造全体におけるヘイズは、構成するナノワイヤ層のヘイズと比較して、僅かに高いことがある。接着剤層、反射防止層、グレア防止層など、導電性ナノワイヤ層及び基材と共に存在し得る他の層が、ナノワイヤ層を含む透明伝導体の全体的なヘイズを増加又は低減させることがある。様々な実施形態において、基材上に堆積又は積層された導電性ナノワイヤ層を含む透明な伝導体のヘイズは、１０％以下、８％以下、５％以下、２％以下、１％以下、０．５％以下、又は０．１％以下（例えば、０．１％〜５％、又は０．５％〜２％）であり得る。「透明度」とは、偏光される角度が２．５°未満である透過光の割合である。

導電性ナノワイヤ層３１６のシート抵抗、透過率、及びヘイズは、その層及びその構成材料（ナノワイヤなど）のある特定の特質を変更することによって調整され得る。ナノワイヤに関し、これらは、例えば、組成（例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ａｕ、Ｐｄ）、長さ（例えば、１マイクロメートル、１０マイクロメートル、１００マイクロメートル、又は１００マイクロメートル超）、断面寸法（例えば、直径１０ナノメートル、２０ナノメートル、３０ナノメートル、４０ナノメートル、５０ナノメートル、７５ナノメートル、又は７５ナノメートル超）において変化する場合がある。ナノワイヤを含む導電性層に関し、これらは、例えば、その他の組成（例えば、セルロース結合剤、界面活性剤などの加工助剤、又は導電性ポリマーなどの導電性エンハンサー）、又はそのナノワイヤの面積密度（例えば、平方ミリメートル当たり１０超、平方ミリメートル当たり１００超、平方ミリメートル当たり１０００超、平方ミリメートル当たり１００００超）において変化することがある。したがって、導電性層、又はナノワイヤ層のシート抵抗は、１００００００オーム／ｍ２未満、１０００オーム／ｍ２未満、１００オーム／ｍ２未満、又は更に１０オーム／ｍ２未満（例えば、１オーム／ｍ２〜１０００オーム／ｍ２、１０オーム／ｍ２〜５００オーム／ｍ２、２０オーム／ｍ２〜２００オーム／ｍ２、又は２５オーム／ｍ２〜１５０オーム／ｍ２）であり得る。導電性層又はナノワイヤ層の透過率は少なくとも８０％であり得、９９．９％の高さであってもよい（例えば、９０％〜９９．９％、９５％〜９９．５％、又は９７．５％〜９９％であってもよい）。導電性層又はナノワイヤ層３１６のヘイズは、１０％以下、８％以下、５％以下、２％以下、１％以下、０．５％以下、又は０．１％以下（例えば、０．１％〜５％、又は０．５％〜２％）であり得る。

図５を再び参照し、基材３１４上に、露出した導電性ナノワイヤ層の１つ以上の第１領域３１７と、レジストマトリックス材料の１つ以上の第２領域３２２を生成するために、レジストマトリックス材料のパターン（例えば、タッチスクリーンのための回路パターン）が、導電性ナノワイヤ層３１６上に適用される。レジストマトリックス材料３２０は、導電性ナノワイヤ層３１６に、印刷によって適用されるか、又はここにパターン化されてもよく、そのように適用される際に、基材上の導電性ナノワイヤ層をより接着性にするか、又はより保護されたものとする。

いくつかの実施形態において、マトリックス材料３２０は、ポリマー、及び望ましくは光学的に透明なポリマーを含む。好適なポリマー系レジストマトリクス材料の例としては、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、及びポリアクリロニトリルなどのポリアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエステルナフタレート（ＰＥＮ）、及びポリカーボネート（ＰＣ））、高度の芳香族性を有するポリマー、例えばフェノール樹脂又はクレゾールホルムアルデヒド（Ｎｏｖｏｌａｃｓ（登録商標））、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、多硫化物、ポリスルホン、ポリフェニレン、及びポリフェニルエーテル、ポリウレタン（ＰＵ）、エポキシ、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、及び環状オレフィン）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンコポリマー（ＡＢＳ）、セルロース誘導体、シリコーン及び他のシリコン含有ポリマー（例えば、ポリシルセスキオキサン及びポリシラン）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム（例えば、ＥＰＲ、ＳＢＲ、ＥＰＤＭ）、及びフルオロポリマー（例えば、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はポリヘキサフルオロプロピレン）、フルオロオレフィン及び炭化水素オレフィンのコポリマー（例えば、Ｌｕｍｉｆｌｏｎ（登録商標））、並びに非晶質フッ化炭素ポリマー若しくはコポリマー（例えば、Ａｓａｈｉ Ｇｌａｓｓ Ｃｏ．によるＣＹＴＯＰ（登録商標）、又はＤｕＰｏｎｔ Ｃｏｒｐ．によるＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ）が挙げられるが、これらに限定されない。

他の実施形態において、レジストマトリックス材料３２０は、プレポリマーを含む。「プレポリマー」とは、本明細書において記載されるように、モノマーの混合物、若しくはオリゴマーの混合物、又は重合化及び／若しくは架橋してポリマー材料を形成することができる、部分的なポリマーを指す。所望のポリマーマトリックスを考慮して、好適なモノマー又は部分的なポリマーを選択することが、当業者により既知である。

いくつかの実施形態において、ポリマーは、光硬化性であり、すなわち、プレポリマーは、放射線に暴露すると、重合化及び／又は架橋する。光硬化性プレポリマーに基づくレジストマトリックス材料は、選択的な領域において放射線に暴露することによって、又は基材上にプレポリマーを選択的に配置して、その後放射線に均一に暴露することによって、パターン化することができる。他の実施形態において、プレポリマーは、熱硬化性であり、同様の方法でパターン化され得るが、熱源への暴露が、放射線への暴露の代わりに使用される。

典型的には、レジストマトリックス材料３２０が液体として塗布される。レジストマトリックス材料は、任意により溶媒を含み得る（例えば、適用中）。任意により、溶媒は、適用プロセス中、例えば、剥離可能なポリマー層による上塗りの前に除去されてもよい。マトリックス材料を溶媒和、又は分散し得る非腐食性溶媒が使用され得る。好適な溶媒の例としては、水、アルコール、ケトン、エーテル、テトラヒドロフラン、炭化水素（例えば、シクロヘキサン）、又は芳香族溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレンなど）を含む。溶媒は揮発性であり得、２００℃以下、１５０℃以下、又は１００℃以下の沸点を有する。

いくつかの実施形態において、レジストマトリックス材料３２０は、架橋剤、重合開始剤、安定化剤（例えば、酸化防止剤、より長い製品耐用寿命のためのＵＶ安定化剤、及びより長い貯蔵寿命のための重合防止剤を含む）、界面活性剤などを含み得る。いくつかの実施形態において、マトリックス材料３２０は更に、腐食防止剤を含み得る。いくつかの実施形態においてレジストマトリックス材料自体が導電性である。例えば、マトリックスは、導電性ポリマーを含み得る。導電性ポリマーは当該技術分野において既知であり、ポリアニリン、ポリチオフェン、及びポリジアセチレンが挙げられるがこれらに限定されない。

いくつかの実施形態において、レジストマトリックス材料は、約１０ナノメートル〜約２マイクロメートル、約３００ナノメートル〜約２マイクロメートル、約２０ナノメートル〜約２００ナノメートル、約４０ナノメートル〜２００ナノメートル、又は約５０ナノメートル〜２００ナノメートルの厚さを有する。

いくつかの実施形態において、レジストマトリックス材料は、約１．３０〜２．５０、約１．４０〜１．７０、又は約１．３５〜１．８０の屈折率を有する。

レジストマトリックス材料３２０は、導電性ナノワイヤ層３１６に一体性を付与し、導電性ナノワイヤ層３１６の、基材３１４の表面３１５への接着の改善を促進することができる。

典型的には、レジストマトリックス３２０は、光学的に透明な材料である。材料は、材料の光透過率が、可視領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において少なくとも８０％であるときに、光学的に透明であるとみなされる。別様に指示されない限り、本明細書において記載される層（基材を含む）は、好ましくは光学的に透明である。レジストマトリックス材料の光学的透明性は典型的には、屈折率（ＲＩ）、厚さ、平滑度、厚さ全体におけるＲＩの一貫性、表面（境界面を含む）反射性、並びに表面粗さ及び／又は埋め込まれた粒子により生じる散乱を含むがこれらに限定されない、多数の要因によって決定される。

上述のように、レジストマトリクス材料３２０は、硬化されかつ／又は固化されて、導電性ナノワイヤ層３１６の上にパターンを形成する選択された領域内の保護層となることができる。「硬化又は硬化させること」は、固形ポリマーマトリクスを形成するようにモノマー若しくは部分的ポリマー（例えば１５０個より少ないモノマー単位を含むオリゴマー）が重合する過程、又はポリマーが架橋する過程を指す。好適な重合化、又は架橋条件は、当該技術分野において既知であり、例として、モノマーの加熱、可視光線又は紫外線（ＵＶ）によりモノマーを照射すること、電子ビームなどが挙げられる。あるいは、「固化又は固化させること」は、例えば重合又は架橋を伴わずに、レジストマトリクス材料の乾燥中の溶媒除去によって生じ得る。

レジストマトリックス材料３２０は、好適なパターン化プロセスによってパターン化される。好適なパターン化プロセスとしては、減算的方法、例えば、フォトリソグラフィ（レジストマトリックス材料はフォトレジストである）を含む。好適なパターン化プロセスはまた直接印刷を含む。上述のように、印刷されたレジストを固化又は硬化させることは、次のプロセス工程前に起こる。好適なプリンター、又はパターン化方法は既知であり、例示されるフレキソグラフィックプリンター、グラビア印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷、スプレイコーティング、ニードルコーティング、フォトリソグラフィックパターン化、及びオフセット印刷が挙げられる。

好適なパターンは、幅又は長さのいずれかである最小の寸法がゼロマイクロメートルを超える、例えば０．００１マイクロメートル超かつ１マイクロメートル未満、１０マイクロメートル未満、１００マイクロメートル未満、１ｍｍ未満、又は１０ｍｍ未満である、特徴を含む。特徴寸法のいずれかの上限は、印刷が行われる基材の寸法によってのみ制限される。ロールツーロール印刷の場合、これは、ウェブの機械方向において有効に不定である。これらの特徴は、星形、正方形、矩形、又は円形など、パターン化され得る任意の形状をとり得る。多くの場合、特徴は、タッチスクリーンの構成要素として使用するための、タッチに反応する平行線又はグリッドである。

再び図５を参照し、レジストマトリックス材料３２０は、基材３１４の第１ゾーン３５０においてパターン化され、少なくとも１つの基準マーク４０２が、第１ゾーンとは異なる基材３１４の第２ゾーン４００に、実質的に同時に印刷される。第２ゾーン４００において基準マーク４０２を形成するために使用されるインクは、好ましくは、好適な撮像システムにより感知するために一貫した光学的コントラストをもたらすため、ナノワイヤ層３１６を形成するために使用されるインク、及び第１ゾーン３５０にレジストマトリックス材料３２０を形成するために使用されるインクと十分なコントラストを有するべきである。例えば、いくつかの実施形態では、第１ゾーン３５０におけるナノワイヤ層３１６、及びレジストマトリックス材料３２０を形成するために使用されるインクは、基材材料３１４に対して低いコントラストを有し、可視光線で裸眼により観察したときに、非常に明るいか、又は不可視である場合がある。第２ゾーン４００の基準マーク４０２を形成するために使用されるインクは、基材３１４に対し、第１ゾーン３５０においてパターン付き層３１６、３２０を形成するために使用されるインクよりも高いコントラストを有し、裸眼で観察するときに、層３１６、３２０よりも暗く、又は更に濃い黒色に見える。

基準マーク４０２の一貫しない縁部の検出は、不正確な位置情報として直接変換され、これは、層３１６、３２０に重なる、又は隣接するように適用された、いずれかの追加的な印刷された層の動的な位置合わせに使用される。基準マークの品質は、印刷位置合わせプロセス中に、基準マークを確実に検出する能力と関連し得る。ウェブ上の基準マークの検出は、関連するパターンの基準として、オンライン検出を使用するために、ウェブ上のマーク間で一貫している必要がある。低品質の基準マーク４０２は、パターン付き層３１６、３２０と位置合わせしていても、パターン付き層３１６、３２０の位置に不正確性を生じ、この不正確性により、後に適用されるパターン付き層とのずれのために、位置合わせが低降伏点まで大きく制限される。

観察される基準マーク品質の１つの特徴は、マークの印刷密度である。基準マークの検出は、基材を透過するいずれかの光の吸収、及びその後の遮蔽に依存している。理想的な基準マークは、検出器からの入射光の１００％吸収率を生じ、応答時間のばらつきが少ない高速センサーにより、ウェブがセンサーの前を通過する際に、ウェブ位置対光透過率のプロットにおいて方形波を生じる。センサーは基準マークの感知と基準マークの不感知との中点において、起動する（出力信号電圧における、低出力から高出力の変化を生じる）ように調節される。非限定的な実施例において、好適な基準マークは、検出器からの入射光の約１００％〜約５０％、又は約１００％〜約７５％、又は約１００％〜約９０％（例えば、約０％〜約５０％、又は約０％〜約２５％、又は約０％〜約１０％の光透過率）の吸収率を生じるべきである。

好適なセンサーは、基準マーク４０２の確実なオンラインウェブ検出をもたらすために、十分に早い応答時間を有するべきである。好適なセンサーの１つの非限定的な実施例は、Ｏｐｔｅｘ−Ｒａｍｃｏ，Ｗｅｓｔ Ｄｅｓ Ｍｏｉｎｅｓ，ＩＡから入手可能であり、これは約１６μｓの応答時間を有する。

様々な実施形態において、第２ゾーン４００における基準マーク４０２、及び第１ゾーン３５０のレジスト材料３２０の所定のパターンの少なくとも一部が位置合わせされている。基準マーク４０２と、パターン付き材料３２０との間の絶対的位置合わせ誤差は、フレキソグラフィック印刷又はグラビア印刷に関するパターン正確性へのこれらの通常の要因のみによるものである。通常のパターン不正確性の要因としては、印刷後の基材の非弾性的歪み、加えて印刷プロセス中における弾性的歪み（これらは、基材が元の歪んでいない状態に戻らされると、パターンの歪みを生じる）が挙げられる。印刷後の非弾性的歪みの典型的な例は、ＰＥＴフィルムの熱収縮である。印刷中における弾性的歪みの例は、印刷プロセスを通じた移送に必要な通常のウェブ張力により圧縮性（典型的にはクロスウェブ）、又は延伸性（典型的にはダウンウェブ）のウェブ歪みである。パターン誤差への他の要因は、取り付けプロセス中における通常のプレート製造誤差、加えてプレートの歪みである。フレキソグラフィック印刷のプロセスは、基材の表面エネルギー、プレート、及びインクの表面張力による、パターンの局所的特徴を増加又は低減させるものとして既知である。これらの既知のパターン化誤差は全て、第２ゾーン４００の基準マーク４０２と、第１ゾーン３５０のパターン化位置合わせ材料３２０との間の位置合わせの誤差よりも大きい。本質的に、この基準パターン化プロセスに関連する位置合わせ誤差は、絶対的に最小化され、通常の印刷により生じる誤差から外れない傾向にある。いくつかの実施形態において、例えば、基準マーク４０２と、パターン化レジスト材料３２０との間の位置合わせの誤差は、約１００マイクロメートル未満、約２０マイクロメートル未満、又は約１０マイクロメートル未満である。

図６を参照し、基材の第１ゾーン３５０において、剥離可能なポリマー材料３３０が、基材３１４上の、導電性ナノワイヤ層３１６、及びレジスト層３２０にわたって適用される（例えば、基材３１４の導電性ナノワイヤ層３１６の１つ以上の領域に印刷することによって、コーティング、又はパターン化される）。このように適用されると、剥離可能なポリマー材料３３０が導電性ナノワイヤ層３１６を、剥離することによって除去可能にする（例えば、剥離可能なポリマー材料３３０がパターン化されている１つ以上の領域において）。一般的に、導電性ナノワイヤ層３１６に適用される剥離可能なポリマー材料３０は、基材上にコーティングされた同じ導電性ナノワイヤ層に適用されるレジストマトリックス材料よりも基材に接着しにくい。一般的に、導電性ナノワイヤ層３１６に適用されるレジストマトリックス材料３２０に適用される剥離可能なポリマー材料３３０は、レジストマトリックス材料３２０に対して、レジストマトリックス材料が導電性ナノワイヤ層３１６に接着するよりも、接着しにくい。

好適な剥離可能なポリマー材料は、導電性ナノワイヤ層３１６を容易にコーティングし、かつこれに接着する一方で、基材３１４又はレジストマトリックス材料３２０のいずれにも不適切に接着せず、よって層３３０は、レジストマトリックス材料３２０及び基材３１４の両方から剥離することができる。剥離可能なポリマー層３３０の化学的組成の選択は、基材３１４、レジストマトリックス材料３２０、及び導電性ナノワイヤ層３１６の特定の組成に依存している。

１つの好適な剥離可能なポリマー層は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を含む。いくつかの実施形態において、ＰＶＡにおいておよそ８０００〜９０００ダルトン（Ｄａ）の分子量が好ましいことが見出された。ＰＶＡを含む、好適な市販のコーティング組成物は、ＭａｃＤｅｒｍｉｄ Ａｕｔｏｔｙｐｅ，Ｉｎｃ．，Ｒｏｌｌｉｎｇ Ｍｅａｄｏｗｓ，ＩＬから入手可能なＭａｃＤｅｒｍｉｄ’ｓ Ｐｒｉｎｔ ＆ Ｐｅｅｌである。Ｐｒｉｎｔ ａｎｄ Ｐｅｅｌは、ある範囲の表面仕上げの上に選択的に印刷されて、容易に除去可能な保護マスクとして作用するように設計された水系のスクリーン印刷可能なニスである。驚くべきことに、この組成物のナノワイヤ層３１６に対する接着は、以降の剥離操作の間に、これを基材３１４から、不要な領域において完全に除去する一方で、基材に取り付けられたレジストパターン３２０によって被覆されたナノワイヤ領域を容易に残すために十分であった。

別の市販の剥離可能なポリマー材料は、Ｎａｚｄａｒ Ｉｎｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｓｈａｗｎｅｅ，ＫＳから入手可能な、Ｎａｚｄａｒ ３０３４４０ＷＢ Ｗａｔｅｒｂａｓｅ Ｐｅｅｌａｂｌｅ Ｍａｓｋである。別の好適な剥離可能なポリマー層は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）及びＴｒｉｔｏｎ Ｘ−１１４（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅから入手可能）（又は別の好適な界面活性剤）、並びに脱イオン水を混合することによって配合することができる。１つの好適な配合は、２０重量％のＰＶＡ（８０００〜９０００Ｄａ分子量）、２重量％ Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ−１１４、及び残りの脱イオン水を含み得る。

好ましくは、剥離可能なポリマー層３３０は、レジストマトリックス材料３２０、パターン付き基材３１４に液状で供給される。剥離可能なポリマー層３３０は、剥離可能なポリマー層形成液を、レジストマトリックス材料でパターン化された基材に適用することによって形成される。コーターによる適用後に、剥離可能なポリマー層３３０を固化又は硬化させるために、乾燥機が任意に使用され得る。剥離可能なポリマー層形成液は、スロットコーティング、グラビアコーティング、ロールコーティング、フラッドコーティング、ノッチバーコーティング、噴霧、熱圧縮積層、スクリーン印刷、又は真空積層などの、既知の適用方法を使用して、基材に適用される。

図５に示されるように、導電性ナノワイヤ層３１６、及びレジストマトリックス材料パターン３２０を有する、第１ゾーン３５０の基材３１５の表面は、ｉ）露出した導電性ナノワイヤ層３１６の１つ以上の第１領域３１７と、ｉｉ）レジストマトリックス材料により被覆した導電性ナノワイヤ層の１つ以上の第２領域３２２を含む。一般的に、レジストマトリックス材料領域は、露出した導電性ナノワイヤ層領域に対して隆起している。一般的に、レジストマトリックス材料領域と、露出した導電性ナノワイヤ層領域との間の境界において起伏の変化が存在する。起伏の変化などの例は、露出した導電性層領域と、レジストマトリックス材料のレジストマトリックス材料領域との間のステップ縁部である。ステップ縁部は、高さ（上記の実施例のレジストマトリックス材料の厚さと近似する）を有してもよく、これは横方向の範囲（例えば、およそ、その上にステップ縁部が存在する、基材と平行な平面上の距離）を有し得る。起伏の変化に応じて、そしてレジストマトリクス材料及び露出した導電性層領域の面内の幾何学的形状（例えば、形状及び大きさ）に応じて、露出した導電性材料表面の実質的に全体を、剥離可能なポリマー層と接触させることは困難な場合がある。露出した導電性ナノワイヤ層領域の一部が剥離可能なポリマー層と接触しない場合、その部分は、後の剥離工程中に成功裏に又は高いパターン忠実度をもって、除去されない場合がある。したがって、いくつかの実施形態において、剥離可能なポリマー形成液体層は、レジストマトリックス材料でパターン化された基材に適用され、露出する導電性層の少なくとも５０％、好ましくは少なくとも７５％、より好ましくは少なくとも９０％、より好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９９％、及び最も好ましくは１００％が、剥離可能なポリマー層材料と接触する。

レジストマトリックス材料でパターン化された基材に供給される剥離可能なポリマー層形成液体に関し、これはポリマー溶液、ポリマー分散液、モノマー溶液、モノマー、モノマーの混合物、又は溶解物であり得る。液体は、少量の二次的成分（例えば、光開始剤、表面活性剤、粘度変性剤）を含んでもよい。剥離可能なポリマー層は、固体（例えば、接着剤と、露出したナノワイヤ材料領域における露出した導電性又はナノワイヤ材料との間の接触の度合いを制限する、有意な降伏応力を呈する架橋結合した感圧接着剤などの、粘弾性固体）としては供給されない。液状の剥離可能な層の適用は、レジストマトリックス材料でパターン化された基材から剥離可能なポリマー層を剥離した後の、導電性又はナノワイヤ層の高分解能（高い再現性）のパターン化に繋がる。

剥離可能なポリマー層形成液の粘度は、レジストマトリクス材料でパターン化された基材にそれを送達するのに使用される適用方法を考慮して選択されることができる。例えば、ポリマー溶液、モノマー、又はモノマー溶液のスロットコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、フラッドコーティング、ノッチバーコーティング、スクリーン印刷、又は噴霧の場合、粘度は、１ｃｐｓ〜１０，０００ｃｐｓ（０．００１〜１０Ｐａ−ｓ）、好ましくは１０ｃｐｓ〜２，５００ｃｐｓ（０．０１〜２．５Ｐａ−ｓ）であり得る。ポリマー溶融物の熱圧縮又は真空積層の場合、粘度は１０，０００ｃｐｓ〜１００，０００，０００ｃｐｓ（１０Ｐａ−ｓ〜１００Ｐａ−ｓ）であり得る。剥離可能なポリマー層形成液体は、好ましくはゼロ降伏応力を有する。いくつかの有用な剥離可能なポリマー層形成液体は、非常に低い降伏応力、好ましくは１００Ｐａ未満、より好ましくは５０Ｐａ未満、更により好ましくは５Ｐａ未満、更により好ましくは１Ｐａ未満を生成し得る。

剥離可能なポリマー層３３０は、基材３１４の第１主要表面３１５の少なくとも一部にわたり、及び望ましくは、第１主要表面３１５の面積の少なくとも５０％、６０％、７０％、８０％、又は９０％にわたり実質的に連続的である。剥離可能なポリマー層は、その間にコーティングされない基材領域を残して別個のブロック若しくは矩形で適用されてもよく、ブロック又は矩形は、形成される、意図されるタッチスクリーンの全体的な大きさと同様の寸法を有する。「実質的に連続的である」とは、剥離可能なポリマー層が、多数のパターン付きレジストマトリックス材料ライン、トレース、又は別個の特徴にわたって適用され、これにより剥離可能なポリマー層は、パターン付きレジストマトリックス材料３２０だけではなくまた、パターン付きレジストマトリックス材料の間に存在する導電性ナノワイヤ層３１６を被覆することを意味する。典型的には、剥離可能なポリマー材料の均一な厚さ及び連続的なコーティングが、基材の少なくとも一部にわたって適用されるが、基材の全幅又は全長に必ずしも及ぶ必要はない。例えば、各縁に沿った切片又は周縁部はコーティングされずに残される一方で、基材の中間部分は、剥離可能なポリマー材料でコーティングされてもよい。

本明細書に記載されるアプローチは、いくつかの利点を有する。最初に、剥離可能なポリマー層を液体としてキャストすることにより、剥離可能なポリマー層と、導電性ナノワイヤ層との間の非常に緊密な接触を形成することが可能である。次に、緊密な接触は、導電性ナノワイヤ層の除去された部分が、剥離可能なポリマー層が除去された後に、基材上に落ちるのを防ぎ、製品収率を実質的に低減させ得る基材の汚染を回避することができる。最後に、上塗り工程後、剥離可能なポリマー層は、輸送、取り扱い、及び変換操作の間に定位置に留まり、保護フィルムとしての機能を果たし、導電性ナノワイヤ材料がレーザーアブレーションを使用してパターン化された場合にそうであるように、追加のライナーが事後に適用される必要性を排除することができる。

剥離可能なポリマー層は、パターン付きレジストマトリックス材料３２０、及び導電性ナノワイヤ層３１６の両方を被覆するのに十分な厚さで適用される。剥離可能なポリマー層の典型的な厚さは、約２μｍ〜約１０μｍ、１０μｍ〜約２５μｍ又は２５μｍ〜約１００μｍである。剥離可能なポリマー層の適用後、層は必要に応じて固化又は硬化される。任意の乾燥機が、固化過程又は硬化過程を加速させるために使用され得る。剥離可能なポリマー材料のより薄い層が好ましいがこれは、コーティング組成物から溶媒を除去するために必要なエネルギーがより少なく、より早い乾燥、及びしたがって、処理時間に繋がるためである。いくつかの実施形態において、剥離工程中において、機械的支持をもたらすために、任意のプレマスク（図６に示されない）は、剥離可能なポリマー層３３０の表面に積層されてもよい。

ここで図７を参照し、剥離可能なポリマー層３３０が剥離される。剥離可能なポリマー層３３０は、例えば、適用された層の全てと共に基材３１４を層剥離ニップ（図７には示されない）に通すなど、広範な技術により除去され得る。パターン付き（例えば、印刷された）レジストマトリックス材料３２０により保護されない基材の領域において、導電性ナノワイヤ材料３１６が取り付けられた、剥離可能なポリマー層３３０は、基材３１４から除去される。基材３１４から剥離可能なポリマー層３３０を剥離することにより、基材の選択される領域における導電性ナノワイヤ材料３１６が除去され、これによって、基材３１４上にとどまるナノワイヤ層の各領域が、レジストマトリックス材料３２０により被覆される、パターン付きナノワイヤ層が形成される。

ここで図８を参照し、パターン付きナノワイヤ層３１６が基材３１４の第１ゾーン３５０に一度形成されると、後の印刷又は適用工程において、パターン付きナノワイヤ層３１６上に、材料３６０の二次的パターンが形成される。基準マーク４０２をガイドとして使用し、二次的パターン３６０が、銀ナノワイヤ層３２０と位置合わせされる。材料の二次的パターンが、例えば、フレキソグラフィック印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、オフセットリソグラフィック印刷、及びパターンスプレイコーティングなどが挙げられるがこれらに限定されない、任意の好適な方法により適用されてもよい。他の実施形態において、材料３６０の二次的パターンは、リフトオフプロセスによって形成され得、金属化層は、真空蒸着により堆積させることができる。例えば、以下の実施例２からの金属化層は、水溶性層（例えば、以下の実施例１により印刷されるような）を印刷し、金属を真空蒸着し、その後最終的に、パターン付きナノワイヤ層３１６に位置合わせされた真空蒸着相互接続層３６０を残して、リフトオフ層を最終的に洗い流すことによって、パターン付きナノワイヤ層３１６と位置合わせするように形成され得る。

材料３６０の二次的パターンは、１つ以上の有用な特性をもたらすために選択され得る、本明細書において一般的に「インク」と称される、広範な材料から形成され得る。例えば、二次的パターン３６０が生じるインクは、その電気特性（導電又は絶縁）、光学的特性（例えば、屈折率、ヘイズ、又は透過性）、又は更に音響特性に関して選択されてもよい。

いくつかの実施形態において、材料３６０の二次的パターンは導電性であり得る。例えば、二次的パターンは、いくつかの実施形態において、パターン付きナノワイヤ層の選択される部分を被覆する導電性トレースを形成し得る、銀ナノ粒子インクであり得る。基準マーク４０２の縁部感知は、銀ナノ粒子インク３６０がレジストマトリックス材料３２０と位置合わせされて、正確に適用され、これはひいては、導電性トレース３６０が銀ナノワイヤ層３１６に対して正確に配置されることを確実にする。導電性トレース３６０はその後フレックス回路、導電性接着剤、又は他のいずれかの種類の伝導体と接続されて、電子装置を形成する。電子装置はその後、例えば、液晶ディスプレイなどのディスプレイ装置など、電子構成要素内に組み込まれてもよい。

所定のパターンの位置の決定を可能にするいずれかの種類の基準マークが機能し得るが、別の利益をもたらす可能性が存在する。特に、移動するウェブのダウンウェブ、及び／又はクロスウェブ位置を決定するのに有用な基準マーク、及びこれらのパターンに関連する方法は、同時係属中の、共同譲渡された、米国特許出願第２０１０／０１９６６０７号「Ｓｙｓｔｅｍｓ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｓｃａｌｅｓ」、同第２０１０／０１８８６６８号「Ｔｏｔａｌ ｉｎｔｅｒｎａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｓｃａｌｅ」、及び同第２０１１／０２４７５１１号「Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｍａｋｉｎｇ Ｆｉｄｕｃｉａｌｓ ｏｎ ａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ」に見出すことができる。特に、図４の２０８として例示される基準マークは、米国特許出願第２０１１／０２５７７７９号「Ｐｈａｓｅ−ｌｏｃｋｅｄ Ｗｅｂ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｓｉｇｎａｌ Ｕｓｉｎｇ Ｗｅｂ Ｆｉｄｕｃｉａｌｓ」に開示される。

本開示の実施形態はここで、限定的であることを意図されない、以下の実施例において、更に詳細に記載される。

（実施例１）
図１及び図２に一般的に例示される印刷装置が構成される。印刷ロールの直径は１２ｃｍであった。ロールは、第１ゾーン及び第２ゾーンの両方において、菱形が接続した所定のパターンを有する。ステンレススチールドクターブレード上に、Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮの３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙから３Ｍ ＥＳＰＥ ７３０２ ＥＸＰＲＥＳＳとして市販されるビニルポリシロキサン印象材から、ロールに対して３つの障壁が形成された。

米国特許第４，８９５，６３１号に開示される水溶性インクが、ドクターブレードの第１ゾーンに分配される一方で、Ｓｈａｗｎｅｅ，ＫＳのＮａｚｄａｒ Ｉｎｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓから、９３０１ Ｏｐａｑｕｅ ｗｈｉｔｅ ＵＶフレキソインクとして市販されている、ＵＶ硬化性非水溶性インクが、ドクターブレードの第２ゾーンに分配された。ロールにインクが塗布されるための停留時間の後、従来的なポリエステルテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの基材に印刷が開始され、これは、２ｍ／分の線形速度、１ポンド／線インチ（１．７５Ｎ／ｃｍ）の張力で運搬された。このウェブは、Ｇａｉｔｈｅｒｓｂｕｒｇ，ＭＤのＦｕｓｉｏｎ ＵＶ Ｓｙｓｔｅｍｓ，ＩｎｃからモデルＩ２５０Ｂとして市販され、同じくＦｕｓｉｏｎ ＵＶ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃから、モデルＶＰＳ−４８として市販される電源に接続された、マイクロ波光源を有する、ＵＶ硬化ステーションに通された。このステーションは、４０％電力に設定され、８ ＳＣＦＭの窒素を供給された。これにより第２インクは非水溶性となる。

（実施例２）
実施例１によるフィルムは、例えば、米国特許第５，４４０，４４６号（Ｓｈａｗら）及び同第７，０１８，７１３号（Ｐａｄｉｙａｔｈら）に記載されているシステムと同様のロールツーロール真空チャンバなどの従来的な種類のスパッタ蒸着装置を通された。酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の４０ｎｍ厚さの層は、基材の第１ゾーンに堆積された。フィルムはその後水ですすがれ、これにより水溶性インクが第１ゾーンから溶解し、所定のパターン上のスパッタリングした層の部分が流される。ＵＶ硬化性インクにより、第２ゾーンに印刷された基準マークは、水ですすいだ後にフィルム上に残る。このような方法で形成された、所定のパターンは、２０ミル（０．５ｍｍ）未満の直径の特徴を有し得る。

（実施例３）
図３に一般的に示されている装置が構成された。Ｎａｚｄａｒ Ｉｎｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓから９３０１ Ｏｐａｑｕｅ ｗｈｉｔｅ ＵＶフレキソインクとして市販されている第１インクが、第１インカーから、マイクロフレキソ印刷ロールの第１ゾーンへと分配された。マイクロフレキソ印刷ロールは、第１ゾーンにおいて、離間した矩形の所定のパターンを有する。Ｎａｚｄａｒ Ｉｎｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓから９３１９ Ｂａｓｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｂｌｕｅ ＵＶフレキソインクとして市販されている第２インクが、第２インカーから、マイクロフレキソ印刷ロールの第２ゾーンへと分配された。マイクロフレキソ印刷ロールは、第２ゾーンにおいて、離間した矩形の所定のパターンを有する。これらのインクは、アニロックスロールから、シリコーン剥離ライナーでコーティングされた白紙の基材に印刷され、その後、感圧接着剤、特に、９０重量％イソオクチルアクリレート、及び１０重量％のアクリル酸のランダムコポリマーの薄い層により上塗りされた。印刷後、このウェブは、Ｆｕｓｉｏｎ ＵＶ Ｓｙｓｔｅｍｓ，ＩｎｃからモデルＩ２５０Ｂとして市販され、同じくＦｕｓｉｏｎ ＵＶ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃから、モデルＶＰＳ−４８として市販される電源に接続された、マイクロ波光源を有する、ＵＶ硬化ステーションに通された。このステーションは、４０％電力に設定され、８ ＳＣＦＭの窒素を供給された。特定のフィルム及びインク組成物は、一定の安全マーク用途を模したものであり、インクの乾燥後、第１ゾーン内のパターンは、通常の室内照明では肉眼でほぼ不可視であった。しかしながら、第２ゾーン内のインクは、鮮明であり、明らかに可視であった。

ゾーン１におけるインクを塗布した領域と基材との間の低コントラストは、Ｔｒｅｎｔｏｎ，ＮＪのＰｒｉｎｃｅｔｏｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓから市販されているＭＩＣＲＯＭＡＸ測光カメラを使用して、隣接するインク付き領域とインク無し領域の反射を測定することによって評価された。データは、８．６、１７．５、及び３０．０°の最大開口角において、かつ照射の円錐は、収集の円錐と同じであるような条件下において、収集された。結果は表１に示され、各入力値は、インク付き基材の異なる無作為の部分における、５つの実験の平均を表している。Ｒ_ｓは、任意のユニットにおける基材の反射である。Ｒ_ｓは、任意のユニットにおけるインク付き領域の反射である。これらの値から３つの値が算出された。Ｃ_ｃはＲ_ｓ／Ｒ_ｉであり、Ｃ_ａ＝（Ｒ_ｓ−Ｒ_ｉ）／Ｒ_ｉであり、Ｃ_ｂ＝（Ｒ_ｓ−Ｒ_ｉ）／（（Ｒ_ｓ＋Ｒ_ｉ）／２）である。

「低コントラストインク」の１つの定義は、Ｒ_ｓ、及びＲ_ｉの値が、３０．０°の開口で測定され、照明の円錐が収集の円錐と等しいときの、Ｃ_ｃの値が、約０．９〜１．１であるときのものとして説明することができる。

（実施例４）
実施例３の印刷ウェブは、特定の最終用途のために、所定のパターンに対して補完的であることが意図される、二次的なパターンを有する、従来的な印刷ロールに対して運搬された。実質的に不可視であるが、第１の所定のパターンの位置は、可視の基準マークにより既知である。二次的パターンはその後、例えば、印刷又は積層により、ウェブに適用される。ウェブは、米国特許出願第２０１２／０６８３７６号、「Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｇｕｉｄｉｎｇ ａ Ｍｏｖｉｎｇ Ｗｅｂ」の技術を使用して、第１の所定のパターンと、二次的パターンとの間で適切に位置合わせされるよう、便利に操作される。

（実施例５）
９５重量％のＣｌｅａｒＯｈｍＴＭ Ｉｎｋ−Ｎ Ｇ４−０２（Ｃａｍｂｒｉｏｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡから入手可能）、及び５重量％のイソプロピルアルコール（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ，Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯから入手可能）から成る混合物は、５ガロンの円筒形容器内で撹拌することにより混合されて、以下においてナノワイヤ配合物と称されるコーティング配合物を生じる。ナノワイヤ配合物は、１３インチ（３３センチメートル）幅で、１７インチ（４３センチメートル）幅、及び５ミル（１２７マイクロメートル）厚さのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（Ｄｕｐｏｎｔ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥから入手可能なＭｅｌｉｎｅｘ ＳＴ−５０４フィルム）の第１ゾーンに、スロットダイを使用して（４０ｆｔ／分（１２ｍ／分）のウェブ速度でおよそ２０μｍの予め測定した湿式フィルム厚さを標的とする）、コーティングされ、基材上のナノワイヤ層を形成する。次にナノワイヤ層を、空気衝突オーブン内で約２分間１０５℃の温度に加熱して、コーティングされ乾燥した、透明かつ導電性のナノワイヤ層をもたらした。

ナノワイヤ層及び基材の光透過率及びヘイズは、Ｈａｚｅ Ｇａｒｄ Ｐｌｕｓ（ＢＹＫ Ｇａｒｄｎｅｒ ＵＳＡ，Ｃｏｌｕｍｂｉａ，ＭＤ）で測定され、それぞれ９１．５％及び１．７％と測定された。シート抵抗は、二点プローブ測定により、４０〜５０オーム／ｍ２と測定された。

２つのＵＶ硬化性印刷インク（低制約インク及び黒い高コントラストインク）が、単一のパターン付きフォトポリマーフレキソグラフィック印刷スタンプを使用して、ナノワイヤコーティングした基材の２つの別個の領域上に一緒に堆積された。ナノワイヤコーティングした基材の中央第１領域上に印刷された第１インク（Ｆｌｉｎｔ Ｇｒｏｕｐ ＵＦＲ０−００６１−４６５Ｕ，Ｆｌｉｎｔ Ｇｒｏｕｐ Ｐｒｉｎｔ Ｍｅｄｉａ Ｎｏｒｔｈ Ａｍｅｒｉｃａ，Ｂａｔａｖｉａ，ＩＬ）は清澄であり、裸眼に対してはほぼ透明であった。２つの別個のインクアプリケータにより、ナノワイヤコーティングした基材の外側縁部上に印刷された第２インク（Ｎａｚｄａｒ ９３００ Ｓｅｒｉｅｓ ＵＶ Ｆｌｅｘｏ Ｉｎｋ，９３３４ ＦＲ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｂｌａｃｋ（ＢＷ８），Ｎａｚｄａｒ，Ｓｈａｗｎｅｅ，ＫＳ）は、黒色であり、裸眼に対してはほぼ不透明であり、後の印刷の位置合わせのために、印刷された基準マークを形成した。電極及び基準パターンの両方を印刷するために使用されるフレキソグラフィックツールは、パターンを画定する画像に基づいて、Ｓｏｕｔｈｅｒｎ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ（ＳＧＳ，Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ，ＭＮ）によって作製された。２つのＵＶ硬化インクが、２．０ＢＣＭ／平方インチ（０．３ＢＣＭ／ｃｍ^２）アニロックスロールを使用して３０ｆｔ／分（９ｍ／分）の速度（およそ０．５〜２．０マイクロメートルの湿式コーティングを生じる速度）で印刷され、生じるパターン付きＵＶ硬化性層は、窒素パージした雰囲気において、Ｘｅｒｉｃ Ｗｅｂ（Ｘｅｒｉｃ Ｗｅｂ Ｄｒｙｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｎｅｅｎａｈ，ＷＩ）からの水銀アーク灯ＵＶ硬化アセンブリで、高強度紫外線で照射された。２０ｆｐｍ（６ｍ／分）の実行速度で、硬化条件において測定したＵＶ強度は、ＵＶＡ波長において、０．５５２Ｗ／ｃｍ^２、及びＵＶＢ波長において、０．５１９Ｗ／ｃｍ^２であった。（ＵＶＡ波長は３１５〜４００ｎｍを基準とすることを意味し、ＵＶＢ波長は、２８０〜３１５ｎｍを基準とすることを意味する。）

Ｓｕｎｘ ＃ＦＤ−４２ＧＷ拡散同軸二又繊維光学装置、及びＳｕｎｘ ＃ＦＸ−ＭＲ２繊維光学ズームレンズを備えるＯｐｔｅｘ ＃Ｄ３ＲＦ−ＴＰ光電センサーは、基材からレンズへとおよそ２５ｍｍ（１’’）に取り付けられ、研磨したアニロックスロールを支持体として、及び透明ＰＥＴ基材上に背景反射体として備える。レンズは、Ｄ３ＲＦ数字ディスプレイに示される、最大反射信号を得るため、反射性支持ロール、及びロール上の透明基材と位置合わせされた。最大信号のために、レンズ及び繊維束の位置合わせが行われると、レンズからウェブの距離は、Ｄ３ＲＦ数字ディスプレイ上に１００カウントの反射信号を生じるように調節された。

「基準マークのない」基材と関連する、１００カウントの反射信号を示すセンサーにより、ウェブは、基準が基材上の可視の「赤色」センサーの光を完全に被覆するまで、割り送られた。数字の読み取り値は、前の１００カウントからより低い値まで低下し、Ｄ３ＲＦに表示されるこの値は、基準を有さない基材に対する基準の「暗さ」又は「コントラスト」に依存した。

時間対信号値のプロットが、高コントラスト（暗い）基準マーク、及び低コントラスト（明るい）基準マークに関して、図９に示されている。時間の値が、５０ｆｐｍ（１５ｍ／分）の線速度に関連し、ウェブ位置と直接関連し得る。高コントラストマークの好ましいトリガレベルが、低コントラスト基準マークにおいて使用される際に、「下限」、又は低コントラストマークに関して検出される値に非常に近いときに、同じトリガ値を双方のマークに使用することができないという事実に特に注意する。マーク間の基準の感知におけるいずれかのばらつきは、基準の縁部の位置のかなりの不正確性を生じる（Ｄ３ＲＦディスプレイ上のおよそ５５カウントの信号レベルで示される）。

ナノワイヤ層上にパターンを形成するために低コントラストＵＶ硬化性印刷インクを適用するのと同時に、基準マークを形成するため、第２高コントラストＵＶ硬化性印刷インクが、第１ゾーンとは異なる基材の第２ゾーンに適用された。低コントラストＵＶ硬化性印刷インクのパターン、及び基準マークが位置合わせされる。縁部検出を改善し、後に適用される層の配置の正確性を向上させるため、第２ゾーンにおける基準マークを形成する第２ＵＶ硬化性インクは、乾燥したときに、第１ゾーンにおける透明ナノワイヤインク、及びＵＶ硬化性インクとのはっきりしたコントラストを生じるように選択された。この実施例において使用される第２ＵＶ硬化性インクは、Ｎａｚｄａｒ ９３００ Ｓｅｒｉｅｓ ＵＶ Ｆｌｅｘｏ Ｉｎｋ，９３４４ ＦＲ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｂｌａｃｋ（ＢＷ８）であり、これは、Ｎａｚｄａｒ，Ｓｈａｗｎｅｅ，ＫＳから市販されている。

９９重量％のＭａｃＤｅｒｍｉｄ Ｐｒｉｎｔ ａｎｄ Ｐｅｅｌ（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ Ｉｎｃ．，Ｄｅｎｖｅｒ，ＣＯ）、及び０．２５重量％のＴｅｒｇｉｔｏｌ Ｓ−１５−７界面活性剤（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ，Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯから入手可能）が、剥離可能ポリマー層として使用するために調製された。剥離可能ポリマー組成物は、３６ＢＣＭ／平方インチ（５．６ＢＣＭ／ｃｍ^２）グラビアロール、及びゴム転写ロールを使用してオフセットグラビアコーティング法により、前の工程による印刷フィルム上に上塗りされた。コーティングされたフィルムはその後、剥離可能ポリマー溶液の触感が乾燥したものになるまで、空気インピンジメント、及びＩＲ炉に通され、その後、接着剤ライナーがその表面に積層された。残りの位置合わせされた印刷工程への入力中において、ラミネータライナーが除去されて、剥離可能ポリマーが剥離され、後方にパターン付きナノワイヤ基材が残され（低コントラスト透明ＵＶ硬化インクで被覆される）、黒いＵＶ硬化した基準マークがフィルム縁部上にある。透明なＵＶインクを有する透明なナノワイヤインクの所望の効果は、ＰＥＴフィルム上にパターン付き透明伝導体を提供することである。レジストを有するパターン付きＣａｍｂｒｉｏｓは、反射又は透過モードにおいて、非常に小さなコントラスト、又は可視の区別をもたらす。基準マークを形成する第２ＵＶ硬化性インクは、透明なナノワイヤインク、及び透明なＵＶインクにはっきりとしたコントラストをもたらすために十分に暗かった。

第２ゾーンに、位置合わせ特徴、又はガイドとして基準マークを使用し、ＰＣｈｅｍ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ，Ｉｎｃ．，Ｂｅｎｓａｌｅｍ，ＰＡから入手可能な銀ナノ粒子フレキソグラフィック印刷インクのパターン付き層が、第１ゾーンの選択される部分にわたり、ナノワイヤインクの透明ＵＶ硬化性インクにわたり、加えて基材の選択される部分に適用された。銀ナノ粒子インクは、第２ナノワイヤインクの選択される領域に電気的に接続された、導電性トレースを形成した。Ｓｏｕｔｈｅｒｎ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ（ＳＧＳ，Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ，ＭＮ）によって作製されたパターン付きフォトポリマースタンプを使用して銀ナノ粒子フレキソグラフィックインクが印刷された。印刷パターンは、３００ＢＣＭ、９００ＬＰＩアニロックスロールにより、５０ｆｐｍ（１５ｍ／分）で印刷された、３００μｍピッチの１５０μｍ幅のトレースから成る。材料は単一のＩＲユニット、及び２つの空気インピンジメントドライヤーにより最高強度で乾燥させた。ＩＲ乾燥装置は、Ｘｅｒｉｃ Ｗｅｂ Ｓｙｓｔｅｍｓ（Ｘｅｒｉｃ Ｗｅｂ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｎｅｅｎａｈ，ＷＩ）のものであった。ＩＲバルブは、１０８ジュール／平方インチにおける銀印刷中において、５０ｆｐｍ（１５メートル／分）の電力出力を備える、中波長ＩＲである。インピンジメントドライヤーは、直列の２つのドライヤーであり、それぞれ６つの乾燥バーを備える。双方のドライヤーは、２７５Ｆ°の空気温度、及び１５ｐｓｉ（１０３ｋＰａ）のマニホールド供給圧に設定された。機器は、Ｆｌｅｘ Ａｉｒ Ｉｎｃ（Ｆｌｅｘ Ａｉｒ Ｉｎｃ，Ｇｒｅｅｎ Ｂａｙ，ＷＩ）のものであった。銀ナノ粒子インクパターンと位置合わせされたときの、第２の暗いＵＶインクの基準パターンが図１０に示される。画像の透過性、及び銀ナノ粒子インクのはるかに不透明な特性により、銀ナノ粒子インクはより暗く見える。反射光によりセンサーが観察するとき、銀ナノ粒子インクは色がより明るく反射性であり、基準マーク（透過するときにはるかに明るく見える）は非常に濃い黒色である。青い保護積層体を備える、仕上がった物品の一部の画像が図１１に示されている。図１１の写真は、銀ナノ粒子インクで印刷された回路相互接続と、（図１０では不可視である）パターン付き透明ナノ粒子インクパターンを、後に印刷される回路相互接続インクと位置合わせするための基準として使用される濃い黒色基準マーク（写真の上部に位置する）を示している。

本開示に対する他の変形例及び変更例が、本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく当業者には実施され得る。本開示の趣旨及び範囲は、添付の特許請求の範囲に更に具体的に記載されている。多様な実施形態の観点を多様な実施形態の他の観点と全体的に若しくは部分的に相互交換すること又は組み合わせることが可能であることが理解される。

特許証のための上記の出願において引用された、参照文献、特許、又は特許出願はいずれも一貫性を有するようにそれらの全容を本明細書に参照として援用する。援用された参照文献の部分と本願の部分との間に不一致又は矛盾がある場合、先行する記述の情報が優先されるものとする。前述の説明は、請求する開示内容を当業者が実施することを可能にするためのものであり、本開示の範囲を限定するものとして解釈されるべきではなく、本開示の範囲は特許請求の範囲及びその全ての等価物によって定義される。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［２８］に記載する。
［項目１］
方法であって、
基材の第１ゾーンのパターン付き導電性ナノワイヤ層を被覆するレジスト層を形成し、低コントラスト第１導電性パターンを形成する工程と、
前記第１導電性パターンと実質的に同時に、前記第１ゾーンとは異なる前記基材の第２ゾーンに高コントラスト基準マークを形成する工程であって、前記基準マークは前記第１導電性パターンと位置合わせされている、工程と、
前記基準マークをガイドとして使用して、前記第１導電性パターンと位置合わせされた第２パターンを形成する工程とを含む、方法。
［項目２］
前記第１導電性パターンは、約８０％超の光透過率を有する、項目１に記載の方法。
［項目３］
前記基準マークが、約０％〜約５０％の光透過率を有する、項目１又は２に記載の方法。
［項目４］
前記基準マークと前記第１導電性パターンとの間の位置合わせの誤差は、約２０マイクロメートル未満である、項目１〜３のいずれか一項の記載の方法。
［項目５］
前記第１導電性パターンは、２００マイクロメートル未満の大きさの寸法を有する、特徴を含む、項目１〜４のいずれか一項に記載の方法。
［項目６］
前記第２パターンは導電性である、項目１〜５のいずれか一項に記載の方法。
［項目７］
前記第２パターンは、前記第１導電性パターンと位置合わせされ、電子アセンブリを形成する、項目６に記載の方法。
［項目８］
前記基材の前記第１ゾーンにおける前記パターン付き導電性ナノワイヤ層は、
ナノワイヤを含む導電性層で基材をコーティングする工程と、
レジストマトリックス材料で前記導電性層にパターンを適用し、前記基材上に、露出した導電性層の１つ以上の第１領域、及びレジストマトリックス材料の１つ以上の第２領域を生成する工程と、
前記レジストマトリクス材料を固化又は硬化させる工程と、
剥離可能なポリマー層で前記パターンを上塗りする工程と、
前記剥離可能なポリマー層を固化又は硬化させる工程と、
前記基材から前記剥離可能なポリマー層を剥離する工程と、
前記基材の前記１つ以上の第１領域において、前記基材から前記露出した導電性層を除去し、前記基材上にパターン付き導電性層を形成する工程であって、前記パターン付き導電性層は、前記レジストマトリックス材料により被覆されたナノワイヤを含む、工程と、によって製造される、項目１〜７のいずれか一項に記載の方法。
［項目９］
前記導電性層上の前記パターンは、フォトリソグラフィ、フレキソグラフィック印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷、スプレイコーティング、ニードルコーティング、フォトリソグラフィックパターン化、及びオフセット印刷の少なくとも１つから選択されるプロセスによって適用される、項目８に記載の方法。
［項目１０］
前記基準マークは、フォトリソグラフィ、フレキソグラフィック印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷、スプレイコーティング、ニードルコーティング、フォトリソグラフィックパターン化、及びオフセット印刷の少なくとも１つから選択されるプロセスによって形成される、項目１〜９のいずれか一項に記載の方法。
［項目１１］
電子アセンブリであって、
第１ゾーンにおいて、低コントラスト第１導電性パターンを含む基材と、
前記第１ゾーンとは異なる、前記基材の第２ゾーンの高コントラスト基準マークであって、前記基準マーク及び前記第１導電性パターンは位置合わせされている、高コントラスト基準マークと、
前記第１導電性パターンと位置合わせされた第２導電性パターンとを含む、電子アセンブリ。
［項目１２］
前記基準マーク及び前記第１導電性パターンは、約１００マイクロメートル未満の寸法正確性で位置合わせされる、項目１１に記載の電子アセンブリ。
［項目１３］
前記基準マーク及び前記第１導電性パターンは、約２０マイクロメートル未満の寸法正確性で位置合わせされる、項目１１又は１２に記載の電子アセンブリ。
［項目１４］
前記基準マークと前記第２導電性パターンとの間の、前記基材の前記可視光線領域における光透過率の差は、約５０％超である、項目１１〜１３のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目１５］
前記第１導電性パターンは、前記可視光線領域において、約８０％〜約９９．９％の光透過率を有する、項目１１〜１４のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目１６］
前記基準マークは、前記可視領域において、約５０％未満の光透過率を有する、項目１１〜１５のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目１７］
前記第２導電性パターンは回路相互接続である、項目１１〜１６のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目１８］
前記回路相互接続は、前記第１導電性パターンに対して面内にある、項目１１〜１７のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目１９］
前記回路相互接続は、前記第１導電性パターンに対して面外にある、項目１１〜１８のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目２０］
前記第１導電性パターンは、第１インクから生じ、前記基準マークは、前記第１インクとは異なる第２インクから生じ、前記第１インクは選択される溶媒に溶解可能であり、前記第２インクは、前記選択される溶媒に溶解不能である、項目１１〜１９のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目２１］
項目１１〜２０のいずれか一項に記載の電子アセンブリを組み込む、ディスプレイ。
［項目２２］
電子アセンブリであって、
第１ゾーンに第１導電性パターンを含む基材であって、前記第１導電性パターンは、レジストマトリックス材料の層によって被覆される導電性ナノワイヤを含み、前記導電性パターンは、可視領域において、約８０％超の光透過率を有する、基材と、
前記第１ゾーンとは異なる、前記基材の第２ゾーンの基準マークであって、前記基準マークは、可視領域において約５０％未満の光透過率を有し、前記基準マーク及び前記第２導電性パターンは、約１００マイクロメートル未満の寸法正確性で位置合わせされる、基準マークと、
前記第１導電性パターンと位置合わせされた第２導電性パターンとを含む、電子アセンブリ。
［項目２３］
前記レジストマトリックス材料は、約１０ナノメートル〜約３０００ナノメートルの厚さを有する、項目２２に記載の電子アセンブリ。
［項目２４］
前記レジストマトリックス材料は、少なくとも８０％の光透過率を有する、項目２２又は２３に記載の電子アセンブリ。
［項目２５］
前記第２導電性パターンは回路相互接続である、項目２２〜２４のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目２６］
前記回路相互接続は、導電性金属ナノ粒子を含むインクから生じる、項目２２〜２５のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。
［項目２７］
項目２２〜２６のいずれか一項に記載の電子アセンブリを組み込む、ディスプレイ。
［項目２８］
前記ディスプレイはタッチスクリーンディスプレイであり、任意により、前記タッチスクリーンディスプレイは、携帯電話、タブレットコンピューター、ノートブックコンピューター、ラップトップコンピューター、コンピューターディスプレイ、又はテレビから選択される電子装置の構成要素である、項目２７に記載のディスプレイ。

Claims (9)

1. 方法であって、
   基材の第１ゾーンの導電性ナノワイヤ層を被覆するパターン付きレジスト層を形成し、低コントラスト第１導電性パターンを形成することであって、前記第１導電性パターンが、可視光線領域において、８０％〜９９．９％の光透過率を有する、ことと、
   前記第１導電性パターンと実質的に同時に、前記第１ゾーンとは異なる前記基材の第２ゾーンに高コントラスト基準マークを形成することであって、前記基準マークは、前記第１導電性パターンと位置合わせされており、基材の変位、基材の速度、又は基材の位置に関する情報を取得するための基準点として使用されており、かつ、可視領域において、５０％未満の光透過率を有する、ことと、
   前記基準マークをガイドとして使用して、前記第１導電性パターンと位置合わせされた第２パターンを形成することとを含む、方法。
2. 前記第２パターンは、前記第１導電性パターンと位置合わせされ、電子アセンブリを形成する、請求項１に記載の方法。
3. 前記基材の前記第１ゾーンにおける前記第１導電性パターンは、
   ナノワイヤを含む導電性層で基材をコーティングすることと、
   レジストマトリックス材料で前記導電性層にパターンを適用し、前記基材上に、露出した導電性層の１つ以上の第１領域、及びレジストマトリックス材料の１つ以上の第２領域を生成することと、
   前記レジストマトリックス材料を固化又は硬化させることと、
   剥離可能なポリマー層で前記パターンを上塗りすることと、
   前記剥離可能なポリマー層を固化又は硬化させることと、
   前記基材から前記剥離可能なポリマー層を剥離することと、
   前記基材の前記１つ以上の第１領域において、前記基材から前記露出した導電性層を除去し、前記基材上にパターン付き導電性層を形成することであって、前記パターン付き導電性層は、前記レジストマトリックス材料により被覆されたナノワイヤを含む、ことと、によって製造される、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記導電性層上の前記パターンは、フォトリソグラフィ、フレキソグラフィック印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷、スプレイコーティング、ニードルコーティング、フォトリソグラフィックパターン化、及びオフセット印刷の少なくとも１つから選択されるプロセスによって適用される、請求項３に記載の方法。
5. 電子アセンブリであって、
   第１ゾーンにおいて、低コントラスト第１導電性パターンを含む基材であって、前記第１導電性パターンが、可視光線領域において、８０％〜９９．９％の光透過率を有する、基材と、
   前記第１ゾーンとは異なる、前記基材の第２ゾーンの高コントラスト基準マークであって、前記基準マーク及び前記第１導電性パターンは位置合わせされており、前記基準マークは、基材の変位、基材の速度、又は基材の位置に関する情報を取得するための基準点として使用されており、かつ、可視領域において、５０％未満の光透過率を有する、高コントラスト基準マークと、
   前記第１導電性パターンと位置合わせされた第２導電性パターンとを含み、
   前記第１導電性パターンは、第１インクから生じ、前記基準マークは、前記第１インクとは異なる第２インクから生じる、電子アセンブリ。
6. 前記基準マーク及び前記第１導電性パターンは、１００マイクロメートル未満の寸法正確性で位置合わせされる、請求項５に記載の電子アセンブリ。
7. 前記第２導電性パターンは回路相互接続である、請求項５又は６に記載の電子アセンブリ。
8. 前記回路相互接続は、前記第１導電性パターンに対して面内にある、請求項７に記載の電子アセンブリ。
9. 前記第１導電性パターンは、導電性ナノワイヤを含む、請求項５〜８のいずれか一項に記載の電子アセンブリ。

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