JP3972093B2 - β−Ｇａ２Ｏ３ナノウイスカーとその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明はβ型Ｇａ2Ｏ3（β−Ｇａ2Ｏ3）ナノウイスカーとその製造方法に関するものである。さらに詳細には、この出願の発明はナノスケール電子回路用部品、ナノスケール電気光学用材料、断熱材、高温耐熱複合材料用添加剤、さらには薬品の濾過材料、吸着剤、化学センサー等として有用なβ型酸化ガリウムナノウイスカーとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
可視光に対して透明で、電気的には半導体であるβ−Ｇａ2Ｏ3は、透明電極、紫外活性蛍光材料等の電気光学用材料として期待されている。またこのβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーは高温で安定であり、酸化物としての特徴を生かして、耐熱性、耐酸化性に優れた構造材料としての複合材料の添加剤としても期待される。
【０００３】
このようなβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの製造に関してはこれまでに幾つかの方法が報告されている。それらは、Ｇａ金属を酸化性雰囲気で直接蒸発させるものや、酸化ケイ素と鉄の混合触媒を利用するもの、金を皮膜したＧａＡｓ結晶を酸化するもの、窒化ガリウム（ＧａＮ）粒子を酸化するもの等である（文献１−５）。
【０００４】
しかしこれらの従来の方法には、形状が微細で均一なβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが得られにくいことをはじめ、製造に多くの時間を要することや、残存した触媒の後処理が困難であること、生成したβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの性能を阻害する不純物が混在する等の問題点がある。
【０００５】
【文献】
【表１】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この出願の発明は上記の課題を解決するものとして、構造材料や耐熱材料の補強材等として有用な、形状が微細で均一性が高く、これまでに知られていない形状規模のナノウイスカーをも提供し、また、製造時間が短縮でき、不純物を残存させず、また大量生産が容易な製造方法を提供することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、Ｇａ 2 Ｏ 3 粉末を高純度非晶質活性炭素粉末（ＡＡＣ）と混合する工程と、それらの混合体を不活性ガスの雰囲気または気流中で、１３００℃から１４００℃に加熱保持する工程とによりβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーを製造することを特徴とするβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーの製造方法を提供する。
【０００９】
そして、第２には、Ｇａ2Ｏ3粉末と高純度炭素粉末とを混合する際の重量比；Ｘ（＝Ｇａ2Ｏ3／Ｃ）を６〜１０とすることを特徴とする方法を、第３には、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーを、炭素繊維を巻いたグラファイト製円筒の炭素繊維部分に析出させる方法を提供する。
【００１０】
さらにまた、この出願の発明は、第４には、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカー生成物質中に残存している、Ｇａ金属または炭素を取り除くため、生成物全体を空気中、６００℃〜８００℃で熱処理する方法を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は、上記の通りの構成を特徴とするものであるが、その実施の形態について説明すると、まず重要なことは、構造材料または耐熱材料の補強材として有効である、長さが５０μｍ以下で、直径が１０〜１００ｎｍの形状のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが提供されることである。
【００１２】
このように微細で均一性の高いβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーはこの出願の発明によってはじめて提供されるものである。そしてまた、強調されるべきことは、この出願の発明によって、ナノスケール電子回路部品として、またはナノスケールの電気光学材料または光透過性電気伝導材料として、β−Ｇａ2Ｏ3がナノウイスカーの形状で提供されることである。
【００１３】
この出願の発明のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの製造方法においては、Ｇａ2Ｏ3粉末と高純度非晶質活性炭素粉末（ＡＡＣ）の混合体を１３００℃以上の温度で処理するが、この処理によって、次式で示される反応に従って気相の酸化ガリウムが生成される。
【００１４】
Ｇａ2Ｏ3（固相）＋２Ｃ＝Ｇａ2Ｏ（気相）＋２ＣＯ（気相）
気相のＧａ2Ｏは約１０００℃の低温部で固相のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーと液相のＧａ金属として析出される。この際、液相の金属Ｇａが触媒の働きをして、高純度のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが短時間で、容易、かつ大量に製造される。
【００１５】
Ｇａ2Ｏ3粉末と高純度非晶質活性炭素粉末は、各々、特にその粒径については限定はないが、反応の促進、そして混合等のための取扱いの観点を考慮して、たとえば一般的には数ｍｍ以下とすることが好ましい。５００μｍ以下であることがさらに好ましい。また、その混合比については、特に限定的ではないが、反応促進の観点より、重量比Ｘ（＝Ｇａ2Ｏ3／Ｃ）として、６〜１０の範囲とするのが好ましい。
【００１６】
また、１３００℃以上の加熱処理については、その温度は１４００℃以下とすることが好ましく、実際的には、１３５０℃から１４００℃の範囲とするのが好適である。１３００℃未満では上記の反応は円滑でなく、また、１４００℃を超えるとβ−Ｇａ2Ｏ3の生成が難しくなる。このような加熱処理は、不活性ガス、たとえば、Ｎ2（窒素）、あるいはＡｒ（アルゴン）等の希ガスの雰囲気、もしくは気流中で行うこととする。大気中あるいは１０ｖｏｌ％以上の酸素含有雰囲気は好ましくない。
【００１７】
１３００℃以上の温度での加熱保持は、一般的には１０分以上、より好ましくは１時間以上の保持とすることが好ましい。
【００１８】
また、以上の加熱処理によるβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの製造については、より実際的には前記混合体の炭素坩堝内への装入と、たとえば縦型の高周波誘導加熱炉での処理が好適な例として考慮される。炭素坩堝、さらには炭素サセプターや炭素保温材の使用は、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの生成を安定に、かつ促進するものとして有用である。
【００１９】
前記の反応により気相のＧａ2Ｏより生成されるβ−Ｇａ2Ｏ3は、たとえば、炭素繊維を巻きつけたグラファイト製円筒の外側の表面に析出させる。つまり、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーを、炭素繊維上に析出させることで、直径が１０〜１００ｎｍの範囲にあるナノスケールのウイスカーを容易に製造することが可能となる。
【００２０】
また、この出願の発明によれば、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカー生成物中に残存している、Ｇａ金属または炭素を取り除くため、生成物全体を６００℃〜８００℃の温度範囲で空気中で処理する方法も提供される。これによって高純度のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが実現される。
【００２１】
なお、以上の発明においては、「ナノウイスカー」との用語を用いているが、「ナノロッド」あるいは「ナノワイヤー」と呼んでもよいことは言うまでもない。
【００２２】
そこで、次に実施例により、さらに詳しくこの発明について説明する。もちろん、以下の例によって発明が限定されることはない。
【００２３】
【実施例】
出発原料としてＧａ2Ｏ3と市販の高純度非晶質活性炭素粉末（ＡＡＣ）を、その重量比ＸをＸ＝７．８とした混合体そして炭素坩堝に入れて、縦型高周波誘導加熱炉中のグラファイト製円筒（窒素導入管と排出管が取付けられている）の内部に設置し、この円筒を炭素繊維保温材で巻いた後に石英管（長さ５０ｃｍ、内径１２ｃｍ）内に設置し、炭素坩堝内とこの石英管の内部に高純度窒素ガスを導入し、１３６０℃で、２時間加熱保持した。
【００２４】
加熱終了後、炭素坩堝内は空であり、炭素繊維の表面上には白色の析出物があった。この場合の炭素ファイバー付近の温度は約１０００℃であった。析出物を炭素ファイバーと共に取り出し、Ｘ線回折法により構造解析を行った。図１はその結果を示したものである。この回折図形の解析の結果、これらのピークはａ）非晶質炭素によるブロードな回折と、ｂ）β−Ｇａ2Ｏ3の結晶からの回折線であることを確認した。
【００２５】
さらに前記の白色をした試料をＸ線エネルギー分散スペクトルメーターにより元素分析を行った結果、図２に示したように、ガリウムと酸素であることが確認された。なお、図２において示された銅のピークは、試料を乗せているマイクログリッドによるものである。また、前記の白色の析出物の透過型電子顕微鏡写真（図３）から、これらの物質は、長さが５０μｍ以下で、直径が１０〜１００ｎｍのβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーであることが確認された。
【００２６】
さらに、白色の析出物について、空気中で７００℃の温度に１５分間加熱したところ、残存していた金属Ｇａや炭素はほぼ完全に除去され、極めて高純度のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが得られることが確認された。
【００２７】
【発明の効果】
以上詳しく説明したとおり、この出願の発明では、長さが５０μｍ以下で、直径が１０〜１００ｎｍのβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが提供される。
【００２８】
ナノスケールのウイスカーはミクロンスケールのウイスカーに比べ、約２倍の強度を持つと言われていることから、酸化物ナノウイスカーとしての酸化ガリウムは、大気中で使用される耐熱材料または構造材料の補強用の添加剤として有望である。またナノスケールであることから、大気中で使用可能な吸着剤、フィルター、センサー等への応用も期待される。
【００２９】
さらにβ型の酸化ガリウムは新しい透明電極としての期待が高まっており、そのナノウイスカーとしての提供は、ナノスケールの電子回路部品、または電気光学用材料、または光透過型半導体としての応用に対する期待が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】β型酸化ガリウム（β−Ｇａ2Ｏ3）ナノウイスカーと非晶質炭素のＸ線回折像。ａ）非晶質炭素、ｂ）β型酸化ガリウム（β−Ｇａ2Ｏ3）。
【図２】Ｘ線エネルギー分散スペクトルメーターにより元素組成を分析した結果を示した図である。
【図３】高分解能透過型透過電子顕微鏡を用いて観察した像の図面に代わる写真である。
【発明の属する技術分野】
この出願の発明はβ型Ｇａ2Ｏ3（β−Ｇａ2Ｏ3）ナノウイスカーとその製造方法に関するものである。さらに詳細には、この出願の発明はナノスケール電子回路用部品、ナノスケール電気光学用材料、断熱材、高温耐熱複合材料用添加剤、さらには薬品の濾過材料、吸着剤、化学センサー等として有用なβ型酸化ガリウムナノウイスカーとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
可視光に対して透明で、電気的には半導体であるβ−Ｇａ2Ｏ3は、透明電極、紫外活性蛍光材料等の電気光学用材料として期待されている。またこのβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーは高温で安定であり、酸化物としての特徴を生かして、耐熱性、耐酸化性に優れた構造材料としての複合材料の添加剤としても期待される。
【０００３】
このようなβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの製造に関してはこれまでに幾つかの方法が報告されている。それらは、Ｇａ金属を酸化性雰囲気で直接蒸発させるものや、酸化ケイ素と鉄の混合触媒を利用するもの、金を皮膜したＧａＡｓ結晶を酸化するもの、窒化ガリウム（ＧａＮ）粒子を酸化するもの等である（文献１−５）。
【０００４】
しかしこれらの従来の方法には、形状が微細で均一なβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが得られにくいことをはじめ、製造に多くの時間を要することや、残存した触媒の後処理が困難であること、生成したβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの性能を阻害する不純物が混在する等の問題点がある。
【０００５】
【文献】
【表１】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この出願の発明は上記の課題を解決するものとして、構造材料や耐熱材料の補強材等として有用な、形状が微細で均一性が高く、これまでに知られていない形状規模のナノウイスカーをも提供し、また、製造時間が短縮でき、不純物を残存させず、また大量生産が容易な製造方法を提供することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、Ｇａ 2 Ｏ 3 粉末を高純度非晶質活性炭素粉末（ＡＡＣ）と混合する工程と、それらの混合体を不活性ガスの雰囲気または気流中で、１３００℃から１４００℃に加熱保持する工程とによりβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーを製造することを特徴とするβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーの製造方法を提供する。
【０００９】
そして、第２には、Ｇａ2Ｏ3粉末と高純度炭素粉末とを混合する際の重量比；Ｘ（＝Ｇａ2Ｏ3／Ｃ）を６〜１０とすることを特徴とする方法を、第３には、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーを、炭素繊維を巻いたグラファイト製円筒の炭素繊維部分に析出させる方法を提供する。
【００１０】
さらにまた、この出願の発明は、第４には、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカー生成物質中に残存している、Ｇａ金属または炭素を取り除くため、生成物全体を空気中、６００℃〜８００℃で熱処理する方法を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は、上記の通りの構成を特徴とするものであるが、その実施の形態について説明すると、まず重要なことは、構造材料または耐熱材料の補強材として有効である、長さが５０μｍ以下で、直径が１０〜１００ｎｍの形状のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが提供されることである。
【００１２】
このように微細で均一性の高いβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーはこの出願の発明によってはじめて提供されるものである。そしてまた、強調されるべきことは、この出願の発明によって、ナノスケール電子回路部品として、またはナノスケールの電気光学材料または光透過性電気伝導材料として、β−Ｇａ2Ｏ3がナノウイスカーの形状で提供されることである。
【００１３】
この出願の発明のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの製造方法においては、Ｇａ2Ｏ3粉末と高純度非晶質活性炭素粉末（ＡＡＣ）の混合体を１３００℃以上の温度で処理するが、この処理によって、次式で示される反応に従って気相の酸化ガリウムが生成される。
【００１４】
Ｇａ2Ｏ3（固相）＋２Ｃ＝Ｇａ2Ｏ（気相）＋２ＣＯ（気相）
気相のＧａ2Ｏは約１０００℃の低温部で固相のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーと液相のＧａ金属として析出される。この際、液相の金属Ｇａが触媒の働きをして、高純度のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが短時間で、容易、かつ大量に製造される。
【００１５】
Ｇａ2Ｏ3粉末と高純度非晶質活性炭素粉末は、各々、特にその粒径については限定はないが、反応の促進、そして混合等のための取扱いの観点を考慮して、たとえば一般的には数ｍｍ以下とすることが好ましい。５００μｍ以下であることがさらに好ましい。また、その混合比については、特に限定的ではないが、反応促進の観点より、重量比Ｘ（＝Ｇａ2Ｏ3／Ｃ）として、６〜１０の範囲とするのが好ましい。
【００１６】
また、１３００℃以上の加熱処理については、その温度は１４００℃以下とすることが好ましく、実際的には、１３５０℃から１４００℃の範囲とするのが好適である。１３００℃未満では上記の反応は円滑でなく、また、１４００℃を超えるとβ−Ｇａ2Ｏ3の生成が難しくなる。このような加熱処理は、不活性ガス、たとえば、Ｎ2（窒素）、あるいはＡｒ（アルゴン）等の希ガスの雰囲気、もしくは気流中で行うこととする。大気中あるいは１０ｖｏｌ％以上の酸素含有雰囲気は好ましくない。
【００１７】
１３００℃以上の温度での加熱保持は、一般的には１０分以上、より好ましくは１時間以上の保持とすることが好ましい。
【００１８】
また、以上の加熱処理によるβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの製造については、より実際的には前記混合体の炭素坩堝内への装入と、たとえば縦型の高周波誘導加熱炉での処理が好適な例として考慮される。炭素坩堝、さらには炭素サセプターや炭素保温材の使用は、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーの生成を安定に、かつ促進するものとして有用である。
【００１９】
前記の反応により気相のＧａ2Ｏより生成されるβ−Ｇａ2Ｏ3は、たとえば、炭素繊維を巻きつけたグラファイト製円筒の外側の表面に析出させる。つまり、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーを、炭素繊維上に析出させることで、直径が１０〜１００ｎｍの範囲にあるナノスケールのウイスカーを容易に製造することが可能となる。
【００２０】
また、この出願の発明によれば、β−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカー生成物中に残存している、Ｇａ金属または炭素を取り除くため、生成物全体を６００℃〜８００℃の温度範囲で空気中で処理する方法も提供される。これによって高純度のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが実現される。
【００２１】
なお、以上の発明においては、「ナノウイスカー」との用語を用いているが、「ナノロッド」あるいは「ナノワイヤー」と呼んでもよいことは言うまでもない。
【００２２】
そこで、次に実施例により、さらに詳しくこの発明について説明する。もちろん、以下の例によって発明が限定されることはない。
【００２３】
【実施例】
出発原料としてＧａ2Ｏ3と市販の高純度非晶質活性炭素粉末（ＡＡＣ）を、その重量比ＸをＸ＝７．８とした混合体そして炭素坩堝に入れて、縦型高周波誘導加熱炉中のグラファイト製円筒（窒素導入管と排出管が取付けられている）の内部に設置し、この円筒を炭素繊維保温材で巻いた後に石英管（長さ５０ｃｍ、内径１２ｃｍ）内に設置し、炭素坩堝内とこの石英管の内部に高純度窒素ガスを導入し、１３６０℃で、２時間加熱保持した。
【００２４】
加熱終了後、炭素坩堝内は空であり、炭素繊維の表面上には白色の析出物があった。この場合の炭素ファイバー付近の温度は約１０００℃であった。析出物を炭素ファイバーと共に取り出し、Ｘ線回折法により構造解析を行った。図１はその結果を示したものである。この回折図形の解析の結果、これらのピークはａ）非晶質炭素によるブロードな回折と、ｂ）β−Ｇａ2Ｏ3の結晶からの回折線であることを確認した。
【００２５】
さらに前記の白色をした試料をＸ線エネルギー分散スペクトルメーターにより元素分析を行った結果、図２に示したように、ガリウムと酸素であることが確認された。なお、図２において示された銅のピークは、試料を乗せているマイクログリッドによるものである。また、前記の白色の析出物の透過型電子顕微鏡写真（図３）から、これらの物質は、長さが５０μｍ以下で、直径が１０〜１００ｎｍのβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーであることが確認された。
【００２６】
さらに、白色の析出物について、空気中で７００℃の温度に１５分間加熱したところ、残存していた金属Ｇａや炭素はほぼ完全に除去され、極めて高純度のβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが得られることが確認された。
【００２７】
【発明の効果】
以上詳しく説明したとおり、この出願の発明では、長さが５０μｍ以下で、直径が１０〜１００ｎｍのβ−Ｇａ2Ｏ3ナノウイスカーが提供される。
【００２８】
ナノスケールのウイスカーはミクロンスケールのウイスカーに比べ、約２倍の強度を持つと言われていることから、酸化物ナノウイスカーとしての酸化ガリウムは、大気中で使用される耐熱材料または構造材料の補強用の添加剤として有望である。またナノスケールであることから、大気中で使用可能な吸着剤、フィルター、センサー等への応用も期待される。
【００２９】
さらにβ型の酸化ガリウムは新しい透明電極としての期待が高まっており、そのナノウイスカーとしての提供は、ナノスケールの電子回路部品、または電気光学用材料、または光透過型半導体としての応用に対する期待が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】β型酸化ガリウム（β−Ｇａ2Ｏ3）ナノウイスカーと非晶質炭素のＸ線回折像。ａ）非晶質炭素、ｂ）β型酸化ガリウム（β−Ｇａ2Ｏ3）。
【図２】Ｘ線エネルギー分散スペクトルメーターにより元素組成を分析した結果を示した図である。
【図３】高分解能透過型透過電子顕微鏡を用いて観察した像の図面に代わる写真である。
Claims (4)
- Ｇａ 2 Ｏ 3 粉末を高純度非晶質活性炭素粉末（ＡＡＣ）と混合する工程と、それらの混合体を不活性ガスの雰囲気または気流中で、１３００℃から１４００℃に加熱保持する工程とによりβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーを製造することを特徴とするβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーの製造方法。
- Ｇａ 2 Ｏ 3 粉末と高純度炭素粉末とを混合する際の重量比；Ｘ（＝Ｇａ 2 Ｏ 3 ／Ｃ）を６〜１０とすることを特徴とする請求項１に記載のβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーの製造方法。
- β−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーを、炭素繊維を巻いたグラファイト製円筒の炭素繊維部分に析出させることを特徴とする請求項１または２に記載のβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーの製造方法。
- β−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカー生成物質中に残存している、Ｇａ金属または炭素を取り除くため、生成物全体を空気中、６００℃〜８００℃で熱処理することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のβ−Ｇａ 2 Ｏ 3 ナノウイスカーの製造方法。
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|---|---|
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| US8018568B2 (en) | 2006-10-12 | 2011-09-13 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowire-based transparent conductors and applications thereof |
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-
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- 2002-12-04 JP JP2002353068A patent/JP3972093B2/ja not_active Expired - Lifetime
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