JPS62167212A - β型炭化珪素粉末の製造法 - Google Patents
β型炭化珪素粉末の製造法Info
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005049 combustion synthesis Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 2
- 238000000815 Acheson method Methods 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明はβ型炭化珪素粉末の製造法に関するものであ
る。
る。
〈従来の技術とその問題点〉
炭化珪素(以下SLCと略称する)粉末の合成法として
は、従来 (1)珪砂とコークスを黒鉛芯のまわりにおいて通電加
熱により2500℃以上でα−5LCを得るアチソン法
。
は、従来 (1)珪砂とコークスを黒鉛芯のまわりにおいて通電加
熱により2500℃以上でα−5LCを得るアチソン法
。
(2) 5jo2とCをN2ガス中で1500°C以
上で加熱してβ−3jCを得る5i02還元法。
上で加熱してβ−3jCを得る5i02還元法。
(3) SLとCを1000〜1400’Cで加熱し
てβ−5LCを得るSi炭化法。
てβ−5LCを得るSi炭化法。
などが工業的に知られている。
しかし、これらの方法で得られるSac粉末は純度が悪
く、しかも合成後所定の粒度を得るために粉砕−精製処
理一説酸処理などの工程が必要であり、実用上の欠点が
多く指摘されている。
く、しかも合成後所定の粒度を得るために粉砕−精製処
理一説酸処理などの工程が必要であり、実用上の欠点が
多く指摘されている。
また、このほかに混合元素体の一部を強熱点火させる自
己燃焼合成法(特公昭5B−27441号)や金属粉末
と炭素粉、おるいはこれに珪酸粉末を含有酸素濃度が0
.3〜35VOI%の酸化性雰囲気中で加熱してβ型S
LC粉末を得る方法(特公昭55−29005号、60
−35283号)なども知られている。
己燃焼合成法(特公昭5B−27441号)や金属粉末
と炭素粉、おるいはこれに珪酸粉末を含有酸素濃度が0
.3〜35VOI%の酸化性雰囲気中で加熱してβ型S
LC粉末を得る方法(特公昭55−29005号、60
−35283号)なども知られている。
しかし、これらのうち前者の自己燃焼合成法ではSLC
の生成熱が小さいため、一部を強熱点火しただけでは化
学的連鎖反応が混合体全体には広がらず、従って短時間
での合成は不可能であること、また後者は酸素濃度O2
3〜35VOI%の酸化性雰囲気中での加熱を必須とす
るものであり、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中では
自発的連鎖反応を誘起できないなどの問題点がある。
の生成熱が小さいため、一部を強熱点火しただけでは化
学的連鎖反応が混合体全体には広がらず、従って短時間
での合成は不可能であること、また後者は酸素濃度O2
3〜35VOI%の酸化性雰囲気中での加熱を必須とす
るものであり、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中では
自発的連鎖反応を誘起できないなどの問題点がある。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明者らは上記に鑑みて金属珪素粉末と炭素粉末の混
合粉末を用いたβ型炭化珪素粉末の短時間の合成による
製造法について検討した結果、この発明に至ったもので
ある。
合粉末を用いたβ型炭化珪素粉末の短時間の合成による
製造法について検討した結果、この発明に至ったもので
ある。
即ち、この発明は金属珪素粉末と炭素粉末よりなる混合
粉体に通電加熱または誘導加熱を施し、金属珪素と炭素
の化学的連鎖反応を励起せしめて短時間で合成反応を終
了させることを特徴とするβ型炭化珪素粉末の製造法。
粉体に通電加熱または誘導加熱を施し、金属珪素と炭素
の化学的連鎖反応を励起せしめて短時間で合成反応を終
了させることを特徴とするβ型炭化珪素粉末の製造法。
である。
〈作用〉
以下、この発明の詳細な説明する。
この発明は上述したように、金属珪素粉末と炭素粉末の
混合粉末を用いてβ型炭化珪素粉末を得るに際し、 ■ 通電加熱により合成反応を起させる前に、混合体を
予熱させることができ、この予熱効果により、容易に混
合体全体に化学的連鎖反応を励起させることができるの
である。また、 ■ 化学的連鎖反応が真空中または不活性ガス雰囲気中
(Ar1Heなどで常圧〜2000気圧)で極めて短時
間で起るため、原料中に含まれる酸素などの不純物が反
応系外へ排出され、酸化されないのである。さらに ■ 機構は未だ明らかではないが、合成されるSiC粉
末の粒径が原料SL粉末の粒径とほぼ一致することから
、得るべきSiC粉末の粒径を容易に制御することがで
きる。のである。
混合粉末を用いてβ型炭化珪素粉末を得るに際し、 ■ 通電加熱により合成反応を起させる前に、混合体を
予熱させることができ、この予熱効果により、容易に混
合体全体に化学的連鎖反応を励起させることができるの
である。また、 ■ 化学的連鎖反応が真空中または不活性ガス雰囲気中
(Ar1Heなどで常圧〜2000気圧)で極めて短時
間で起るため、原料中に含まれる酸素などの不純物が反
応系外へ排出され、酸化されないのである。さらに ■ 機構は未だ明らかではないが、合成されるSiC粉
末の粒径が原料SL粉末の粒径とほぼ一致することから
、得るべきSiC粉末の粒径を容易に制御することがで
きる。のである。
このように、この発明で混合粉体を通電加熱または誘導
加熱するのは、通常の外部加熱よりも昇温速度を早い範
囲で任意に設定できるため、連鎖反応開始までに合成さ
れるS*Cff1が少なく、生成熱の全放出量を多くす
ることができること、予熱温度を任意に設定できること
、 のためである。
加熱するのは、通常の外部加熱よりも昇温速度を早い範
囲で任意に設定できるため、連鎖反応開始までに合成さ
れるS*Cff1が少なく、生成熱の全放出量を多くす
ることができること、予熱温度を任意に設定できること
、 のためである。
また、通電加熱、誘導加熱を採用することにより、反応
温度をより高温に任意に設定できることから高温では連
鎖反応が容易となり、反応時間が短縮でき、合成される
SLCが粒成長する時間も短縮できる。
温度をより高温に任意に設定できることから高温では連
鎖反応が容易となり、反応時間が短縮でき、合成される
SLCが粒成長する時間も短縮できる。
高温では不純物を系外へ排出しやすいから純度の高いS
LCが合成できる、などの種々の効果を奏するのでおる
。
LCが合成できる、などの種々の効果を奏するのでおる
。
なお、この発明のβ型SiC粉末の製造法で採用する通
電加熱は第1図に示す通電加熱装置を用いればよい。同
図において1は混合圧粉体、2は電極棒であり、3と4
は不活性ガスの導入口と排出口である。
電加熱は第1図に示す通電加熱装置を用いればよい。同
図において1は混合圧粉体、2は電極棒であり、3と4
は不活性ガスの導入口と排出口である。
また、誘導加熱は第2図にその一例を示した誘導加熱装
置を用いればよい。
置を用いればよい。
同図において、5は誘導コイル、6は5j02チユーブ
である。
である。
この誘導加熱はSLとCの混合圧粉体が導電性であるの
で誘導電流によって試料を直接加熱でき、化学的連鎖反
応を励起させるのでおる。
で誘導電流によって試料を直接加熱でき、化学的連鎖反
応を励起させるのでおる。
この発明において、通電加熱、誘導加熱における通電量
としては100〜2000wの範囲が好ましい。
としては100〜2000wの範囲が好ましい。
かくして、この発明で得られるβ型炭化珪素粉末は酸素
の排出が行なわれているので、不純物として粉末中に残
存する酸素の量はせいぜい0.08重量%以下でおるか
ら、SLCとしては純度の高いものが得られるのが大き
い特長であり、さらに1qられるβ型SiC粉末の粒径
制御が容易に行なえることも特長の1つである。
の排出が行なわれているので、不純物として粉末中に残
存する酸素の量はせいぜい0.08重量%以下でおるか
ら、SLCとしては純度の高いものが得られるのが大き
い特長であり、さらに1qられるβ型SiC粉末の粒径
制御が容易に行なえることも特長の1つである。
このようにして得たβ型SiC粉末は、すぐれた耐熱性
、耐食性、耐摩耗性などを有しているので、高温構造材
料分野への応用が可能である。またさきにも述べたよう
に、この発明で得たβ型SiC粉末は高純度であるから
、この粉末よりなるSLC焼結体の性能は、従来のSi
C粉末よりなるSjC焼結体のそれよりもはるかに良い
ことが予想されるのでSLC焼結体としてもより広範囲
の用途に供することができるものと考えられる。
、耐食性、耐摩耗性などを有しているので、高温構造材
料分野への応用が可能である。またさきにも述べたよう
に、この発明で得たβ型SiC粉末は高純度であるから
、この粉末よりなるSLC焼結体の性能は、従来のSi
C粉末よりなるSjC焼結体のそれよりもはるかに良い
ことが予想されるのでSLC焼結体としてもより広範囲
の用途に供することができるものと考えられる。
〈実施例〉
以下、この発明を実施例により説明する。
実施例1
平均粒径0.2μmの非晶質SLと平均粒径0.021
μmのグラファイトを両者の元素混合比C/ SL =
1.05となるように秤量し、これをボールミルにて混
合した。次いでこれを17#φX30M’の混合圧粉体
に成形し、真空乾燥したのち、第1図に示した装置にて
常圧、Arガス9600wの直接通電にてSLC粉末を
合成した。
μmのグラファイトを両者の元素混合比C/ SL =
1.05となるように秤量し、これをボールミルにて混
合した。次いでこれを17#φX30M’の混合圧粉体
に成形し、真空乾燥したのち、第1図に示した装置にて
常圧、Arガス9600wの直接通電にてSLC粉末を
合成した。
得られたSLC粉末は、転換率SL C/ (S= C
+ SL+C)=100%、粒径0.2μ而程度で淡緑
色を呈していた。また、この実施例で得たSLC粉末の
構造は約9000倍の顕微鏡写真によると、第3図の通
りでおった。
+ SL+C)=100%、粒径0.2μ而程度で淡緑
色を呈していた。また、この実施例で得たSLC粉末の
構造は約9000倍の顕微鏡写真によると、第3図の通
りでおった。
実施例2
平均粒径1〜10μmの結晶質SLと平均粒径0、03
1μ711?、の非晶質Cを混合比C/Si= 1.o
oにとり、ボールミルで十分に混合した。その後この混
合粉末をCIPにて2000atmで圧粉体に成形した
。次いで真空乾燥したのち第1図に示す装置にて常圧A
rガス中で800wを通電してSLC粉末を合成した。
1μ711?、の非晶質Cを混合比C/Si= 1.o
oにとり、ボールミルで十分に混合した。その後この混
合粉末をCIPにて2000atmで圧粉体に成形した
。次いで真空乾燥したのち第1図に示す装置にて常圧A
rガス中で800wを通電してSLC粉末を合成した。
得られたSLC粉末の転換率は98%、粒径1〜10μ
m、純度は酸素を0.08重量%含有するだけの非常に
高い精度のものが得られた。
m、純度は酸素を0.08重量%含有するだけの非常に
高い精度のものが得られた。
また得られたSLC粉末の900倍顕微鏡写真は第4図
の通りである。
の通りである。
実施例3
平均粒径2μmの結晶質SLと平均粒径0.031μm
の非晶質Cとを混合比C/Sj= 1.05にて用意し
、ボールミルで混合した後、圧粉体に成形し、真空乾燥
してから高圧下、Arガス中で500Wの直接通電を行
ってSLC粉末を得た。
の非晶質Cとを混合比C/Sj= 1.05にて用意し
、ボールミルで混合した後、圧粉体に成形し、真空乾燥
してから高圧下、Arガス中で500Wの直接通電を行
ってSLC粉末を得た。
得られたSLC粉末は、転換率100%、平均粒径2μ
mで酸素含有率が僅か0.07%である黄緑色を呈した
。
mで酸素含有率が僅か0.07%である黄緑色を呈した
。
実施例4
比表面積(B E T ) 21.7m2/ 3の結晶
質SLと平均粒径0.031μmの非晶質Cを混合比C
/ si、 =1、OOで配合し、ボールミルにて十分
混合したのち、CIPにて圧粉体を成形した。次いで真
空乾燥したのち、第2図に示す誘導加熱炉にて常圧、A
rガス9600wにて誘導加熱を行ない、’3LC粉末
を得た。
質SLと平均粒径0.031μmの非晶質Cを混合比C
/ si、 =1、OOで配合し、ボールミルにて十分
混合したのち、CIPにて圧粉体を成形した。次いで真
空乾燥したのち、第2図に示す誘導加熱炉にて常圧、A
rガス9600wにて誘導加熱を行ない、’3LC粉末
を得た。
このSLC粉末は緑色を呈し、その転換率は99%、平
均粒径1μ而であり、第5図に3000倍の顕微鏡写真
を示した。
均粒径1μ而であり、第5図に3000倍の顕微鏡写真
を示した。
〈発明の効果〉
上述したように、この発明の方法によれば、非常に短時
間(数秒〜数10秒)でβ型SLC粉末が合成できて、
経済的であること、純度の高い(酸素の含有量は0.0
8%以下)β型SLC扮末が得られること、得られるβ
型SLC扮末の粒径制御が容易であること、などの多く
の利点を有するのでおる。
間(数秒〜数10秒)でβ型SLC粉末が合成できて、
経済的であること、純度の高い(酸素の含有量は0.0
8%以下)β型SLC扮末が得られること、得られるβ
型SLC扮末の粒径制御が容易であること、などの多く
の利点を有するのでおる。
第1図はこの発明で用いる通電加熱装置の概略図、第2
図は同じく誘導加熱装置の概略図、第3図乃至第5図は
この発明の方法で得られたβ型炭化珪素粉末の構造を示
す顕微鏡写真である。 1・・・混合圧粉体 2・・・電極棒3・・・
不活性ガス導入口 4・・・不活性ガス排出口5・・
・誘導コイル 6・・・5LO2チューブ出願
人代理人 弁理士 和 1)昭第1図 第2図 第3図 第“4f (90ωす
図は同じく誘導加熱装置の概略図、第3図乃至第5図は
この発明の方法で得られたβ型炭化珪素粉末の構造を示
す顕微鏡写真である。 1・・・混合圧粉体 2・・・電極棒3・・・
不活性ガス導入口 4・・・不活性ガス排出口5・・
・誘導コイル 6・・・5LO2チューブ出願
人代理人 弁理士 和 1)昭第1図 第2図 第3図 第“4f (90ωす
Claims (3)
- (1)金属珪素粉末と炭素粉末よりなる混合粉体に通電
加熱または誘導加熱を施し、金属珪素と炭素の化学的連
鎖反応を励起せしめて短時間で合成反応を終了させるこ
とを特徴とするβ型炭化珪素粉末の製造法。 - (2)金属珪素粉末と炭素粉末の混合比率がC/Si=
0.5〜1.5である特許請求の範囲第1項記載のβ型
炭化珪素粉末の製造法。 - (3)通電加熱または誘導加熱を真空あるいは不活性ガ
ス雰囲気中で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のβ型炭化珪素粉末の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61010829A JPS62167212A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | β型炭化珪素粉末の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61010829A JPS62167212A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | β型炭化珪素粉末の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62167212A true JPS62167212A (ja) | 1987-07-23 |
JPH0556284B2 JPH0556284B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=11761248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61010829A Granted JPS62167212A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | β型炭化珪素粉末の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62167212A (ja) |
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1986
- 1986-01-21 JP JP61010829A patent/JPS62167212A/ja active Granted
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