JPS5850929B2 - 炭化ケイ素粉末の製造方法 - Google Patents

炭化ケイ素粉末の製造方法

Info

Publication number
JPS5850929B2
JPS5850929B2 JP53026597A JP2659778A JPS5850929B2 JP S5850929 B2 JPS5850929 B2 JP S5850929B2 JP 53026597 A JP53026597 A JP 53026597A JP 2659778 A JP2659778 A JP 2659778A JP S5850929 B2 JPS5850929 B2 JP S5850929B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
silicon carbide
carbon
carbide powder
silica
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53026597A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS54126699A (en
Inventor
寛 井上
博 遠藤
治男 工藤
勝利 米屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP53026597A priority Critical patent/JPS5850929B2/ja
Priority to US06/018,264 priority patent/US4226841A/en
Priority to DE2909023A priority patent/DE2909023B2/de
Publication of JPS54126699A publication Critical patent/JPS54126699A/ja
Publication of JPS5850929B2 publication Critical patent/JPS5850929B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/97—Preparation from SiO or SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
    • C01P2004/52—Particles with a specific particle size distribution highly monodisperse size distribution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は炭化ケイ素粉末の製造方法に関する。
さらに詳しくはシリカ粉末または焼成温度以下でシリカ
粉末を生成する化合物と炭素粉末または焼成温度以下で
炭素粉末を生成する化合物と炭化ケイ素粉末との混合粉
末を非酸化性雰囲気中で焼成することを特徴とする炭化
ケイ素粉末の製造方法に関する。
炭化ケイ素は高温安定性、高強度、高熱伝導性等の緒特
性を有する材料であり、原子力エネルギー材料、化学装
置、高温ガス処理、電気加熱要素および電子抵抗器等に
広く用いられているが、特に高温構造材料として有用で
あり、省エネルギー省資源化の目的に重要な役割を果す
材料として開発が進められている。
より優れた特性を有する材料を得るためには、原料とな
る炭化ケイ素は粒径が小さく、粒形および粒径のばらつ
きが少ないことが必要である。
従来、炭化ケイ素粉末はシリカの炭素還元または他の方
法により製造されているが、いずれも粒径を小さくする
ことが困難であり、粒子の径および形状がばらついてい
るためより優れた特性を得るために支障をきたしていた
。
本発明は上記従来技術を改良した炭化ケイ素粉末の製造
方法を提供することを目的とするものであって、本発明
者等は従来技術の欠点を解消するために鋭意研究した結
果、粒径が小さく、粒形および粒径のばらつきが少ない
炭化ケイ素粉末の開発に成功し、本発明を完成するに至
った。
本発明においては、炭化ケイ素粉末はシリカ粉末または
焼成温度以下でシリカ粉末を生成する化合物と炭素粉末
または焼成温度以下で炭素粉末を生成する化合物と炭化
ケイ素粉末との混合粉末を非酸化性雰囲気中で焼成する
ことにより製造されるＯ ここで製造原料としては、シリカ粉末または焼底温度以
下でシリカ粉末を生成する化合物と炭素粉末または焼成
温度以下で炭素粉末を生成する化合物との混合粉末が用
いられ、焼成温度以下でシリカ粉末を生成する化合物の
具体例としては、例えばテトラエトキシシラン（Ｓｉ（
Ｃ２Ｈ５Ｃ）４）、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ２０ ５ｉ
Ｏ２）等が挙げられる。
炭素粉末としては、カーボンブラック、グラファイト等
が挙げられ、また焼成温度以下で炭素粉末を生成する化
合物としては、例えば各種樹脂系物質等が挙げられる。
これらのシリカ粉末、炭素粉末および炭化ケイ素粉末は
０．５μ以下の粒径を有し、純度９９φ以上のものが好
ましい。
ここに用いられる原料の組成は、炭素粉末がシリカ粉末
１．０重量部に対して０．５〜４．０重量部、好ましく
は０．６〜２．０重量部であり、炭化ケイ素粉末はシリ
カ粉末ｉ、ｏ重量部に対して０．０５〜１．０重量部、
好ましくは０．１〜１．０重量部でありシリカ粉末に対
して炭素粉末が０．５未満ではシリカが未反応のまま残
留してしまい、４．０を超える値では炭化ケイ素の収率
が低下するため好ましくない。
またシリカ粉末に対して炭化ケイ素が０．０５未満では
、炭化ケイ素の添加の効果が見られず、１．０を超える
値では添加した炭化ケイ素の性質が顕著に現われ、酸化
物還元によって好ましい粉末特性を有するものを得られ
ない場合がある。
高温でシリカ粉末を生成する化合物、炭素粉末を生成す
る化合物、炭化ケイ素を生成する物質の添加量は、生成
物が上記の割合となるように定める。
焼成は非酸化性雰囲気中、例えば窒素、一酸化炭素、ア
ルゴン、アンモニアガス、水素等好ましくは一酸化炭素
、アルゴンの雰囲気中で１３５０〜１８５０’Ｃ（窒素
、アンモニアは１５５０°Ｃ以上）好ましくは１４００
〜１７００’Ｃで行なう。
反応温度が１３５０’Ｃ未満では炭化ケイ素が生成し難
く、１８５０℃を超える値では粒が成長するので゛好ま
しくない。
非酸化性雰囲気が窒素、アンモニアの場合には、１５５
０℃未満では窒化ケイ素が生成するので１５５０℃以上
の温度で行なわなければならない。
本発明の方法に従えば反応はシリカの炭素還元により生
成した炭化ケイ素が最初に添加された炭化ケイ素を核と
して進行し、粒径が小さく粒形および粒径のばらつきが
少ない炭化ケイ素粉末が得られる。
この粉末の粒径は１μ以下一般的には０．５μ以下を有
するものである。
最初にケイ素粉末を添加した場合には、ケイ素の溶融を
避けるように、即ち炭化ケイ素化反応を起る前に１４２
０℃に昇温しないように焼成すればこのケイ素粉末がま
ず炭化ケイ素粉末となり、炭化ケイ素粉末を添加した場
合と同様にこの炭化ケイ素粉末が核となって反応が促進
される。
なお炭素粉末を過剰に添加した場合には未反応の炭素粉
末が残留するが焼成後酸化性雰囲気中、６００〜８５０
°Ｃで炭素を酸化して除去することができる。
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例 １ ｏ、ｏｉμのシリカ粉末１重量部、０．０５μの炭素粉
末２．０重量部、０．４μの炭化ケイ素粉末０．１重量
部からなる混合粉末１００ｇをカーボン容器中に入れ、
アルゴン気流下（流量：２１／ｍ１ｎ）１６００’Ｃで
５時間反応させた。
この生成物を７００℃で２時間空気酸化して残留炭素を
除き炭化ケイ素粉末を得た。
得られた粉末をＸ線回折したところβ型で、平均粒径は
０．６μであり、電子顕微鏡写真により観察したところ
粒形および粒径のばらつきが少なかった。
実施例 ２ ０．４μの炭化ケイ素粉末に代えてさらに細かい気相合
成の０．１μ以下の炭化ケイ素粉末０．１重量部を用い
た以外は実施例１と同様に行なったところさらに微細な
炭化ケイ素粉末を得た。
得られた粉末をＸ線回折したところβ型で平均ね径は０
．３μであり、電子顕微鏡写真により観察したところ粒
径および粒形のばらつきは少なかった。
実施例 ３〜８ ０．０１μのシリカ粉末、０．０３μのカーボン粉末お
よび０．４μのβ型炭化ケイ素粉末（いずれも高純度）
を用いて種々の条件下で実施例１と同様に行なったとこ
ろ粒径および粒形のばらつきが少ない炭化ケイ素粉末を
得た。
結果を表−１に示す。実施例 ９，１０ テトラエチルシラン粉末、０．０５μの炭素粉末および
０．４μの炭化ケイ素粉末からなる混合粉末（実施例９
）並びに０．０１μのシリカ粉末、ノボラック粉末およ
び０．４μの炭化ケイ素粉末からなる混合粉末（実施例
１０）を用いて実施例１と同様の状件下で焼成を行なっ
たところ、粒径および粒形のばらつきがルない炭化ケイ
素粉末が得られた。
得られた結果を表−１に示す。以上の実施例から明らか
なように本発明の方法によれば粒径が小さく粒形および
粒径のばらつきが少ない炭化ケイ素粉末が得られる０

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ シリカ粉末または焼成温度以下でシリカ粉末を生成
    する化合物；炭素粉末または焼成温度以下で炭素粉末を
    生成する化合物；及び炭化ケイ素粉末；からなる混合粉
    末を非酸化性雰囲気中、１３５０〜１８５０℃で焼成す
    ることを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法０ ２ シリカ粉末１．０重量部に対して炭素粉末が０．５
    〜４．０重量部、炭化ケイ素粉末が０．０５〜１．０重
    量部であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の製造方法。 ３ シリカ粉末、炭素粉末および炭化ケイ素粉末の平均
    粒径が０．５μ以下であることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の製造方法。
JP53026597A 1978-03-10 1978-03-10 炭化ケイ素粉末の製造方法 Expired JPS5850929B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53026597A JPS5850929B2 (ja) 1978-03-10 1978-03-10 炭化ケイ素粉末の製造方法
US06/018,264 US4226841A (en) 1978-03-10 1979-03-07 Method of producing silicon carbide powder
DE2909023A DE2909023B2 (de) 1978-03-10 1979-03-08 Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidpulvers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53026597A JPS5850929B2 (ja) 1978-03-10 1978-03-10 炭化ケイ素粉末の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54126699A JPS54126699A (en) 1979-10-02
JPS5850929B2 true JPS5850929B2 (ja) 1983-11-14

Family

ID=12197929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53026597A Expired JPS5850929B2 (ja) 1978-03-10 1978-03-10 炭化ケイ素粉末の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4226841A (ja)
JP (1) JPS5850929B2 (ja)
DE (1) DE2909023B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS625922U (ja) * 1985-06-28 1987-01-14

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5673616A (en) * 1979-11-22 1981-06-18 Toshiba Corp Manufacture of silicon carbide
JPS5684310A (en) * 1979-12-14 1981-07-09 Hiroshige Suzuki Manufacture of betaatype silicon carbide
JPS5788019A (en) * 1980-11-13 1982-06-01 Asahi Chem Ind Co Ltd Manufacture of silicon carbide
JPS5923831A (ja) * 1982-07-28 1984-02-07 Tokai Carbon Co Ltd ＳｉＣウイスカ−強化複合材の製造方法
EP0239301B1 (en) * 1986-03-27 1993-05-05 Imperial Chemical Industries Plc Production of ceramic materials
US4886652A (en) * 1986-10-27 1989-12-12 Osaka Gas Co., Ltd. Production of metal carbides
SU1706963A1 (ru) * 1988-04-28 1992-01-23 Институт структурной макрокинетики АН СССР Способ получени @ -карбида кремни
US5116679A (en) * 1988-07-29 1992-05-26 Alcan International Limited Process for producing fibres composed of or coated with carbides or nitrides
US5190737A (en) * 1989-01-11 1993-03-02 The Dow Chemical Company High yield manufacturing process for silicon carbide
US5340417A (en) * 1989-01-11 1994-08-23 The Dow Chemical Company Process for preparing silicon carbide by carbothermal reduction
GB8906044D0 (en) * 1989-03-16 1989-04-26 Davy Mckee London Process
US5173283A (en) * 1990-10-01 1992-12-22 Alcan International Limited Platelets for producing silicon carbide platelets and the platelets so-produced
CA2402886C (en) 2000-03-14 2012-02-14 James Hardie Research Pty Limited Fiber cement building materials with low density additives
MXPA05002057A (es) 2002-08-23 2005-09-12 James Hardie Int Finance Bv Microesferas sinteticas huecas.
US7993570B2 (en) 2002-10-07 2011-08-09 James Hardie Technology Limited Durable medium-density fibre cement composite
US20090156385A1 (en) 2003-10-29 2009-06-18 Giang Biscan Manufacture and use of engineered carbide and nitride composites
US7998571B2 (en) 2004-07-09 2011-08-16 James Hardie Technology Limited Composite cement article incorporating a powder coating and methods of making same
EP1856003A2 (en) 2005-02-24 2007-11-21 James Hardie International Finance B.V. Alkali resistant glass compositions
CA2632760C (en) 2005-12-08 2017-11-28 James Hardie International Finance B.V. Engineered low-density heterogeneous microparticles and methods and formulations for producing the microparticles
US8993462B2 (en) 2006-04-12 2015-03-31 James Hardie Technology Limited Surface sealed reinforced building element
US7939044B2 (en) * 2008-02-11 2011-05-10 Alexander Mukasyan Method of manufacturing sub-micron silicon-carbide powder
WO2009118862A1 (ja) * 2008-03-27 2009-10-01 イビデン株式会社 ハニカム構造体の製造方法
KR20120012343A (ko) * 2010-07-30 2012-02-09 엘지이노텍 주식회사 탄화 규소 및 이의 제조 방법
CN114057196B (zh) * 2020-08-03 2023-05-05 比亚迪股份有限公司 一种高纯α相碳化硅粉料的制备方法
CN115124040A (zh) * 2022-07-07 2022-09-30 安徽微芯长江半导体材料有限公司 一种提高大粒径碳化硅粉料占比的固相合成方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271109A (en) * 1963-04-11 1966-09-06 Pittsburgh Plate Glass Co Pigmentary silicon carbide
GB1242051A (en) * 1967-05-08 1971-08-11 Nat Res Dev Improvements in the manufacture of silicon carbide
US3855395A (en) * 1972-09-06 1974-12-17 Univ Utah Production of silicon nitride from rice hulls
JPS5075600A (ja) 1973-11-08 1975-06-20

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS625922U (ja) * 1985-06-28 1987-01-14

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54126699A (en) 1979-10-02
DE2909023B2 (de) 1981-05-21
DE2909023A1 (de) 1979-09-13
US4226841A (en) 1980-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5850929B2 (ja) 炭化ケイ素粉末の製造方法
JPS5934147B2 (ja) 炭化ケイ素焼結セラミツク体及びその製造法
JPH0134925B2 (ja)
US4517305A (en) Finely divided silicon carbide having a high content of 2H-type silicon carbide and method of producing the same
JPS61151006A (ja) 窒化アルミニウム質粉末の製造方法
US4346068A (en) Process for preparing high-purity α-type silicon nitride
JPS60221365A (ja) 高強度炭化珪素焼結体の製造法
JPS58120599A (ja) β−炭化珪素ウイスカ−の製造方法
JPH0280318A (ja) あらかじめ決められた粒子寸法を有する耐火性金属ホウ化物の合成法
JPS5839764B2 (ja) 窒化アルミニウム質粉末の製造方法
US4528119A (en) Metal borides, carbides, nitrides, silicides, oxide materials and their method of preparation
JPS6152106B2 (ja)
JPH0662286B2 (ja) 炭化珪素の製造方法
JP4111478B2 (ja) 炭化珪素微小球の製造方法
JPS5945915A (ja) β型炭化珪素粉末の製造方法
JPS61132509A (ja) 炭化珪素の製造方法
JPH0313166B2 (ja)
JPS61242905A (ja) α型窒化ケイ素粉末の製造方法
JPH02271919A (ja) 炭化チタン微粉末の製造方法
JPH02180710A (ja) 微粉状αまたはβ炭化ケイ素の製造方法
JPS61168567A (ja) 炭化珪素焼結体の製造方法
KR20130020490A (ko) 탄화 규소 및 이의 제조 방법
JPH05132307A (ja) 微粒子状炭化珪素の製造方法
JPS6411565B2 (ja)
JPS62128913A (ja) 炭化けい素粉末の製造方法