SU1706963A1 - Способ получени @ -карбида кремни - Google Patents
Способ получени @ -карбида кремни Download PDFInfo
- Publication number
- SU1706963A1 SU1706963A1 SU884409571A SU4409571A SU1706963A1 SU 1706963 A1 SU1706963 A1 SU 1706963A1 SU 884409571 A SU884409571 A SU 884409571A SU 4409571 A SU4409571 A SU 4409571A SU 1706963 A1 SU1706963 A1 SU 1706963A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- mixture
- nitrogen
- argon
- carbon
- silicon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/984—Preparation from elemental silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/10—Solid density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии карбидов и позвол ет получать порошок / -карбида кремни , легированного азотом и кислородом, который может быть использован дл изготовлени карборундовых абразивных , керамических и огнеупорных материалов. Целью изобретени вл етс повышение степени легировани карбида кремни азотом и кислородом при одновременном упрощении процесса. Это обеспечиваетс способом получени /3-карбида кремни , включающим приготовление исходной шихты из смеси кремни , углерода и добавки, выбранной из р да ( CO(NH2)2; (NH-02C204 в количестве 0.5-10% от массы шихты, размещение смеси с плотностью 0,8-1,5 г/см в оболочку из материала с теплопроводностью 1-9 10 кал/см-с град., выбранного из р да асбест, картон, бумага, слюда, и затем размещение шихты с оболочкой в замкнутый объем реакторов; термообработку шихты в газовой среде и проведение процесса в атмосфере воздуха с добавкой 10-50% аб.аргона, либо в смеси азота (60-80% об.) с оксидом углерода (40- 20% об.), или в смеси азота (60-80% об.) с диоксидом углерода (40-20% об.), или аргоном (10-40% об.) под давлением 0,5-10 МПа. Способ позвол ет получать -карбид кремни с размерами частиц 15 мкм с удельной поверхностью до 10 м /г, легированный азотом и кислородом в одном процессе 2 з.п.ф-лы, 1 табл. ел с
Description
Изобретение относитс к технологии получени карбидов, а именно порошка
карбида кремни ,легированного азотом и кислородом, который может оыть использован дл изготовлени карборундовых абразивных , керамических и огнеупорных материалов.
Целью изобретени вл етс повышение степени легировани карбида кремни азотом и кислородом при одновременном упрощении процесса.
Сущность способа заключаетс в следующем . Готов т смесь из кремни и углерода в соотношении Sl/С, равном 1:1, 8-1,2, при этом используют кремний любой марки дисперсностью 12 мкм. Кремний может быть использован как кристаллический, так и аморфный, или из их смеси. В качестве углерода используют сажу любых марок, графит и другие углеродсодержащие материалы. В качестве добавки используют соединени (МН4)аСОз; (МНфСаО : CO(NH2)2.
vj О Os Ю Os GO
Провод т перемешивание углерода, кремни и добавки, вз той в количестве 0,5- 10% от массы шихты.
Полученную смесь с плотностью 0,8-1,5 г/см3 помещают в оболочку из асбеста, кар- тона, бумаги и слюды () кал/см-с- град). Смесь с оболочкой размещают в реакторе , подают под давлением 0,5-10,0 МПа газовую смесь: воздух с добавкой аргона (10-15 об.%), либо азот с добавкой оксида углерода (20-40 об. %), либо азот с добавкой диоксида углерода (20-40%), и провод т инициирование экзотермической реакции локальным воспламенением смеси, подава кратковременный импульс тока, например, через спираль, котора находитс в контакте со смесью. В смеси начинаетс самораспростран ющийс высокотемпературный синтез (СВС), который заканчиваетс через 3-30 мин, при этом температура синтеза достигает 2100° С и скорость горени от 0,1 мм/с до 2 мм/с. Воспламенение исходной смеси может быть осуществлено также с помощью электрической дуги, электрической искры, световым или лазерным лучом.
После охлаждени реактора извлекают продукт и удал ют оболочку, Выделенный продукт анализируют на содержание азота, углерода и свободного кислорода.
Указанные интервалы плотности, дав- пений, соотношени компонентов газовой смеси вл ютс оптимальными, позвол ющие получать карбид кремни , легированный азотом и кислородом, с высоким выходом.-
Пример. Порошок кремни чистотой 95-99% с частицами менее 12 мкм смешивают в стехиометрическом отношении с техническим углеродом П804Т и добавкой карбоната аммони в количестве 0,5 мае % от массы кремни и углерода.
Полученную смесь плотностью 1,1 г/см помещают в оболочку из картона ( 10 6 кал/см-С град.). Смесь с оболочкой размещают в реакторе, подают воздух с аргоном (90 об.%) под давлением 50 атм (5 МПа) и провод т инициирование экзотермической реакции локальным воспламенением исходной смеси, подава кратковременный импульс тока через спираль , котора находитс в контакте со смесью. В смеси начинаетс самораспростран ющийс высокотемпературный синтез. Дальнейшее взаимодействие компонентов происходит за счет тепловыделени реакции. Синтез протекает со скоростью 0,5 мм/с и температурой во фронте горени 1950° С. После окончани процесса и охлаждени реактора
извлекают содержимое, удал ют оболочку и анализируют продукт.
Полученный карбид кремни представл ет собой /J SIC и содержит, %: свободный углерод 0,2; кислород 2,4; азот 2,4, и состоит полностью из кубической модификации карбида кремни , размер частиц которого менее 15 мкм и удельна поверхность 7,0 м2/г.
В таблице представлены примеры способа с указанием исходной шихты, параметров синтеза и свойств конечного продукта.
Легирование карбида кремни азотом и кислородом осуществл етс за счет образовани нитрида кремни , оксинитрида кремни , которые равномерно распредел ют по объему полученного продукта, при этом общее содержание кислорода и азота достигает 4 мас.%.
Таким образом, способ позвол ет получать / -карбид кремни с размерами частиц 15 мкм, с удельной поверхностью до 10 , легированной азотом и кислородом в одном процессе, что невозможно осуществить известными способами. Предлагаемый способ простой, характеризуетс небольшим расходом электроэнергии, производителен и технологичен.
Claims (3)
1. Способ получени /3-карбида кремни , включающий приготовление смеси из порошков кремни и углерода, размещение смеси в оболочке с последующей термообработкой в газовой среде и извлечение образовавшегос продукта, отличающий- с тем, что, с целью повышени степени легировани карбида кремни азотом и кислородом при одновременном упрощении процесса , висходнуюсмесьдополнительно ввод т добавку соединени из группы, включающей (ЫНфСОз, CO(NH2)2, ( в количестве 0,5-10% от массы, при этом смесь при плотности 0,8-1,5 г/см3 размещают в ободочку из материала с теплопроводностью, равной 1-9 х 10 кал/см Страд, а термообработку осуществл ют в режиме горени путем локального воспламенени смеси под давлением газовой среды, содержащим инертный газ.
2. Способ поп, 1,отличающийс тем, что в качестве материала оболочки используют материал из группы, включающей асбест, картон, бумагу и слюду.
3. Способ по пп. 1и 2, отличающийс тем, что термообработку ведут в газовой среде из смеси воздуха с 10-50 об.% аргона, или смеси азота с 20-40% оксида или диоксида углерода или смеси азота с 10-40 об.% аргона под давлением 0.5-10 МПа.
(NB,)tC(0«2
Wfl«),C,0,1
codm,),0,1
(ЯН.),С,0.1,5
CO(KHj), 0,5
,0
(HH.VCjO,1,5
Om,l«CtCi 2,5
)t8,0
1,5
0,8
0,9
1.
1,0
1.0 1.2 0,8 0,9
Сло
Асбестоий картон
Асбестова ткань
Асвест о- локнистый
5.7 2.5
3.0
3,75
Асбест прес- в,9 «манный
Асбест3,75
бумаг I 1,0
Бумага 1,1
Авсест прес- 9,0 соаанный
.7 .5
.0
,75
,9
,75
,0
,1
,0
10,Л Аргои (в Во«ду 0
1,0 Азот 60 Оксид утл рода 0
1|,0 8о1дух 10 Лргон 90
Ают «О
Диоксид углерода 20
Акт SO АЮКСИД углерода 0
25
«О
7,0
Амт 90 Аргон 10
5,0 60 Аргон 4в
0,6 Ают 70 Аргон 30
6,0 Аэот 70 Оксид yrmpo- да 30
0,62,3
O.S2,
о.з .в
,5
0.52,0
0,31,5
0.1.
0,21,6
0.52.0
I. 2.3
2.7 2.5
2.0
2,5 2.
Прототип 1,0 1,0
Огне упор
1 потоке г«« «,7 0,5-1.0 О..
состо щего
и «одорооа и
углеюдорода
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884409571A SU1706963A1 (ru) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | Способ получени @ -карбида кремни |
JP1502225A JPH03500528A (ja) | 1988-04-28 | 1988-12-14 | β‐炭化珪素の製造方法 |
HU891329A HUT52738A (en) | 1988-04-28 | 1988-12-14 | Process for production of betha silicium carbide |
EP19890902352 EP0364592A4 (en) | 1988-04-28 | 1988-12-14 | Method for obtaining _g(b)-silicon carbide |
PCT/SU1988/000256 WO1989010329A1 (en) | 1988-04-28 | 1988-12-14 | METHOD FOR OBTAINING beta-SILICON CARBIDE |
CN89103262A CN1037689A (zh) | 1988-04-28 | 1989-04-19 | 制取β-碳化硅的方法 |
DD89327987A DD283793A5 (de) | 1988-04-28 | 1989-04-26 | Verfahren zur herstellung von beta-siliziumkarbid |
CS263089A CS274745B2 (en) | 1988-04-28 | 1989-04-28 | Method of beta silicion carbide production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884409571A SU1706963A1 (ru) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | Способ получени @ -карбида кремни |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1706963A1 true SU1706963A1 (ru) | 1992-01-23 |
Family
ID=21368455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884409571A SU1706963A1 (ru) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | Способ получени @ -карбида кремни |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0364592A4 (ru) |
JP (1) | JPH03500528A (ru) |
CN (1) | CN1037689A (ru) |
CS (1) | CS274745B2 (ru) |
DD (1) | DD283793A5 (ru) |
HU (1) | HUT52738A (ru) |
SU (1) | SU1706963A1 (ru) |
WO (1) | WO1989010329A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1058692C (zh) * | 1995-10-26 | 2000-11-22 | 北京有色金属研究总院 | 离心自蔓延制取陶瓷衬管的点火方法 |
CN1304286C (zh) * | 2004-12-30 | 2007-03-14 | 清华大学 | 一种SiC微米粉体的制备方法 |
CN101343062B (zh) * | 2007-07-13 | 2012-02-29 | 贾玉东 | 一种冶炼绿色碳化硅磨料的方法 |
CN101648709B (zh) * | 2008-08-16 | 2011-09-14 | 贾玉东 | 一种冶炼绿色碳化硅磨料的方法 |
US20110250117A1 (en) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Ge Investment Co., Ltd. | Method for fabricating silicon carbide material |
CN102863953A (zh) * | 2012-10-16 | 2013-01-09 | 桂林理工大学 | 自蔓延高温合成致白光LED用红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+的方法 |
CN103058192B (zh) * | 2013-01-06 | 2016-05-25 | 河北同光晶体有限公司 | 一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法 |
CN105293499B (zh) * | 2015-11-30 | 2017-10-24 | 西安电子科技大学 | 一种b、n共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法 |
WO2023171713A1 (ja) * | 2022-03-09 | 2023-09-14 | 国立大学法人東北大学 | 二酸化炭素の資源化方法及び固形炭化物の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3535080A (en) * | 1969-02-18 | 1970-10-20 | Norton Co | Apparatus and method for the continuous furnacing of borides,carbides and silicides |
JPS5325300A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-08 | Nippon Crucible Co | Process for preparing betaatype silicon carbide particle |
JPS5850929B2 (ja) * | 1978-03-10 | 1983-11-14 | 株式会社東芝 | 炭化ケイ素粉末の製造方法 |
DE2922280C2 (de) * | 1979-05-31 | 1982-07-22 | Nippon Crucible Co., Ltd., Tokyo | Verfahren zum Herstellen von pulverförmigem ß-Siliziumcarbid |
US4217335A (en) * | 1979-06-14 | 1980-08-12 | Nippon Crucible Co., Ltd. | Process for producing β-silicon carbide fine powder |
JPS5684310A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-09 | Hiroshige Suzuki | Manufacture of betaatype silicon carbide |
-
1988
- 1988-04-28 SU SU884409571A patent/SU1706963A1/ru active
- 1988-12-14 EP EP19890902352 patent/EP0364592A4/de not_active Ceased
- 1988-12-14 HU HU891329A patent/HUT52738A/hu unknown
- 1988-12-14 WO PCT/SU1988/000256 patent/WO1989010329A1/ru not_active Application Discontinuation
- 1988-12-14 JP JP1502225A patent/JPH03500528A/ja active Pending
-
1989
- 1989-04-19 CN CN89103262A patent/CN1037689A/zh active Pending
- 1989-04-26 DD DD89327987A patent/DD283793A5/de not_active IP Right Cessation
- 1989-04-28 CS CS263089A patent/CS274745B2/cs unknown
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Карбид кремни . - Киев: Наукова думка, 1985. Патент US №4117096, кл. С 01 В 31/36, 1978. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03500528A (ja) | 1991-02-07 |
CN1037689A (zh) | 1989-12-06 |
HUT52738A (en) | 1990-08-28 |
HU891329D0 (en) | 1990-07-28 |
CS263089A2 (en) | 1990-10-12 |
EP0364592A4 (en) | 1991-08-28 |
CS274745B2 (en) | 1991-10-15 |
DD283793A5 (de) | 1990-10-24 |
EP0364592A1 (de) | 1990-04-25 |
WO1989010329A1 (en) | 1989-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4117096A (en) | Process for producing powder of β-type silicon carbide | |
Koc et al. | Synthesis of beta silicon carbide powders using carbon coated fumed silica | |
EP0151490B1 (en) | Process for producing ultra-fine ceramic particles | |
Guo et al. | Induction plasma synthesis of ultrafine SiC powders from silicon and CH 4 | |
SU1706963A1 (ru) | Способ получени @ -карбида кремни | |
US4122152A (en) | Process for preparing silicon nitride powder having a high α-phase content | |
JPS60255602A (ja) | 酸化物超微粒子の製造方法 | |
CN107663092B (zh) | 一种AlN粉体的制备方法 | |
US3307908A (en) | Preparation of aluminum nitride | |
Setiowati et al. | Silicon carbide powder synthesis from silicon monoxide and methane | |
Zeng et al. | Combustion synthesis of Si3N4–SiC composite powders | |
EP0434667B1 (en) | Processes for producing silicon carbide particles and sinter | |
Mullins et al. | The effect of carbon morphology on the combustion synthesis of titanium carbide | |
US4719095A (en) | Production of silicon ceramic powders | |
Batsanov et al. | Fixation of atmospheric nitrogen by nanodiamonds | |
Bhaumik et al. | Synthesis and sintering of SiC under high pressure and high temperature | |
CN101229916B (zh) | 以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法 | |
JPH0556284B2 (ru) | ||
JPS62162608A (ja) | 窒化珪素微粉末の製造方法 | |
JPS6225605B2 (ru) | ||
KR100386510B1 (ko) | 자전고온 합성법을 이용한 질화 알루미늄 분말 제조방법 | |
SU1073229A1 (ru) | Способ получени материала на основе нитрида кремни | |
Zhang et al. | Synthesis of tungsten monocarbide by self-propagating high-temperature synthesis in the presence of an activative additive | |
Wu et al. | Direct combustion synthesis of SiC powders | |
Park et al. | Thermal plasma chemical vapour deposition for SiC powders from SiCH 3 Cl 3-H 2 |