SU1706963A1 - Способ получени @ -карбида кремни - Google Patents

Способ получени @ -карбида кремни Download PDF

Info

Publication number
SU1706963A1
SU1706963A1 SU884409571A SU4409571A SU1706963A1 SU 1706963 A1 SU1706963 A1 SU 1706963A1 SU 884409571 A SU884409571 A SU 884409571A SU 4409571 A SU4409571 A SU 4409571A SU 1706963 A1 SU1706963 A1 SU 1706963A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
mixture
nitrogen
argon
carbon
silicon
Prior art date
Application number
SU884409571A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Григорьевич Мержанов
Инна Петровна Боровинская
Николай Сергеевич Махонин
Леонид Сергеевич Попов
Original Assignee
Институт структурной макрокинетики АН СССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт структурной макрокинетики АН СССР filed Critical Институт структурной макрокинетики АН СССР
Priority to SU884409571A priority Critical patent/SU1706963A1/ru
Priority to JP1502225A priority patent/JPH03500528A/ja
Priority to HU891329A priority patent/HUT52738A/hu
Priority to EP19890902352 priority patent/EP0364592A4/de
Priority to PCT/SU1988/000256 priority patent/WO1989010329A1/ru
Priority to CN89103262A priority patent/CN1037689A/zh
Priority to DD89327987A priority patent/DD283793A5/de
Priority to CS263089A priority patent/CS274745B2/cs
Application granted granted Critical
Publication of SU1706963A1 publication Critical patent/SU1706963A1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • C01B32/914Carbides of single elements
    • C01B32/956Silicon carbide
    • C01B32/963Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/984Preparation from elemental silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технологии карбидов и позвол ет получать порошок / -карбида кремни , легированного азотом и кислородом, который может быть использован дл  изготовлени  карборундовых абразивных , керамических и огнеупорных материалов. Целью изобретени   вл етс  повышение степени легировани  карбида кремни  азотом и кислородом при одновременном упрощении процесса. Это обеспечиваетс  способом получени  /3-карбида кремни , включающим приготовление исходной шихты из смеси кремни , углерода и добавки, выбранной из р да ( CO(NH2)2; (NH-02C204 в количестве 0.5-10% от массы шихты, размещение смеси с плотностью 0,8-1,5 г/см в оболочку из материала с теплопроводностью 1-9 10 кал/см-с град., выбранного из р да асбест, картон, бумага, слюда, и затем размещение шихты с оболочкой в замкнутый объем реакторов; термообработку шихты в газовой среде и проведение процесса в атмосфере воздуха с добавкой 10-50% аб.аргона, либо в смеси азота (60-80% об.) с оксидом углерода (40- 20% об.), или в смеси азота (60-80% об.) с диоксидом углерода (40-20% об.), или аргоном (10-40% об.) под давлением 0,5-10 МПа. Способ позвол ет получать -карбид кремни  с размерами частиц 15 мкм с удельной поверхностью до 10 м /г, легированный азотом и кислородом в одном процессе 2 з.п.ф-лы, 1 табл. ел с

Description

Изобретение относитс  к технологии получени  карбидов, а именно порошка
карбида кремни ,легированного азотом и кислородом, который может оыть использован дл  изготовлени  карборундовых абразивных , керамических и огнеупорных материалов.
Целью изобретени   вл етс  повышение степени легировани  карбида кремни  азотом и кислородом при одновременном упрощении процесса.
Сущность способа заключаетс  в следующем . Готов т смесь из кремни  и углерода в соотношении Sl/С, равном 1:1, 8-1,2, при этом используют кремний любой марки дисперсностью 12 мкм. Кремний может быть использован как кристаллический, так и аморфный, или из их смеси. В качестве углерода используют сажу любых марок, графит и другие углеродсодержащие материалы. В качестве добавки используют соединени  (МН4)аСОз; (МНфСаО : CO(NH2)2.
vj О Os Ю Os GO
Провод т перемешивание углерода, кремни  и добавки, вз той в количестве 0,5- 10% от массы шихты.
Полученную смесь с плотностью 0,8-1,5 г/см3 помещают в оболочку из асбеста, кар- тона, бумаги и слюды () кал/см-с- град). Смесь с оболочкой размещают в реакторе , подают под давлением 0,5-10,0 МПа газовую смесь: воздух с добавкой аргона (10-15 об.%), либо азот с добавкой оксида углерода (20-40 об. %), либо азот с добавкой диоксида углерода (20-40%), и провод т инициирование экзотермической реакции локальным воспламенением смеси, подава  кратковременный импульс тока, например, через спираль, котора  находитс  в контакте со смесью. В смеси начинаетс  самораспростран ющийс  высокотемпературный синтез (СВС), который заканчиваетс  через 3-30 мин, при этом температура синтеза достигает 2100° С и скорость горени  от 0,1 мм/с до 2 мм/с. Воспламенение исходной смеси может быть осуществлено также с помощью электрической дуги, электрической искры, световым или лазерным лучом.
После охлаждени  реактора извлекают продукт и удал ют оболочку, Выделенный продукт анализируют на содержание азота, углерода и свободного кислорода.
Указанные интервалы плотности, дав- пений, соотношени  компонентов газовой смеси  вл ютс  оптимальными, позвол ющие получать карбид кремни , легированный азотом и кислородом, с высоким выходом.-
Пример. Порошок кремни  чистотой 95-99% с частицами менее 12 мкм смешивают в стехиометрическом отношении с техническим углеродом П804Т и добавкой карбоната аммони  в количестве 0,5 мае % от массы кремни  и углерода.
Полученную смесь плотностью 1,1 г/см помещают в оболочку из картона ( 10 6 кал/см-С град.). Смесь с оболочкой размещают в реакторе, подают воздух с аргоном (90 об.%) под давлением 50 атм (5 МПа) и провод т инициирование экзотермической реакции локальным воспламенением исходной смеси, подава  кратковременный импульс тока через спираль , котора  находитс  в контакте со смесью. В смеси начинаетс  самораспростран ющийс  высокотемпературный синтез. Дальнейшее взаимодействие компонентов происходит за счет тепловыделени  реакции. Синтез протекает со скоростью 0,5 мм/с и температурой во фронте горени  1950° С. После окончани  процесса и охлаждени  реактора
извлекают содержимое, удал ют оболочку и анализируют продукт.
Полученный карбид кремни  представл ет собой /J SIC и содержит, %: свободный углерод 0,2; кислород 2,4; азот 2,4, и состоит полностью из кубической модификации карбида кремни , размер частиц которого менее 15 мкм и удельна  поверхность 7,0 м2/г.
В таблице представлены примеры способа с указанием исходной шихты, параметров синтеза и свойств конечного продукта.
Легирование карбида кремни  азотом и кислородом осуществл етс  за счет образовани  нитрида кремни , оксинитрида кремни , которые равномерно распредел ют по объему полученного продукта, при этом общее содержание кислорода и азота достигает 4 мас.%.
Таким образом, способ позвол ет получать / -карбид кремни  с размерами частиц 15 мкм, с удельной поверхностью до 10 , легированной азотом и кислородом в одном процессе, что невозможно осуществить известными способами. Предлагаемый способ простой, характеризуетс  небольшим расходом электроэнергии, производителен и технологичен.

Claims (3)

1. Способ получени  /3-карбида кремни , включающий приготовление смеси из порошков кремни  и углерода, размещение смеси в оболочке с последующей термообработкой в газовой среде и извлечение образовавшегос  продукта, отличающий- с   тем, что, с целью повышени  степени легировани  карбида кремни  азотом и кислородом при одновременном упрощении процесса , висходнуюсмесьдополнительно ввод т добавку соединени  из группы, включающей (ЫНфСОз, CO(NH2)2, ( в количестве 0,5-10% от массы, при этом смесь при плотности 0,8-1,5 г/см3 размещают в ободочку из материала с теплопроводностью, равной 1-9 х 10 кал/см Страд, а термообработку осуществл ют в режиме горени  путем локального воспламенени  смеси под давлением газовой среды, содержащим инертный газ.
2. Способ поп, 1,отличающийс  тем, что в качестве материала оболочки используют материал из группы, включающей асбест, картон, бумагу и слюду.
3. Способ по пп. 1и 2, отличающийс  тем, что термообработку ведут в газовой среде из смеси воздуха с 10-50 об.% аргона, или смеси азота с 20-40% оксида или диоксида углерода или смеси азота с 10-40 об.% аргона под давлением 0.5-10 МПа.
(NB,)tC(0«2
Wfl«),C,0,1
codm,),0,1
(ЯН.),С,0.1,5
CO(KHj), 0,5
,0
(HH.VCjO,1,5
Om,l«CtCi 2,5
)t8,0
1,5
0,8
0,9
1.
1,0
1.0 1.2 0,8 0,9
Сло 
Асбестоий картон
Асбестова  ткань
Асвест о- локнистый
5.7 2.5
3.0
3,75
Асбест прес- в,9 «манный
Асбест3,75
бумаг I 1,0
Бумага 1,1
Авсест прес- 9,0 соаанный
.7 .5
.0
,75
,9
,75
,0
,1
,0
10,Л Аргои (в Во«ду 0
1,0 Азот 60 Оксид утл рода 0
1|,0 8о1дух 10 Лргон 90
Ают «О
Диоксид углерода 20
Акт SO АЮКСИД углерода 0
25
«О
7,0
Амт 90 Аргон 10
5,0 60 Аргон 4в
0,6 Ают 70 Аргон 30
6,0 Аэот 70 Оксид yrmpo- да 30
0,62,3
O.S2,
о.з .в
,5
0.52,0
0,31,5
0.1.
0,21,6
0.52.0
I. 2.3
2.7 2.5
2.0
2,5 2.
Прототип 1,0 1,0
Огне упор
1 потоке г«« «,7 0,5-1.0 О..
состо щего
и «одорооа и
углеюдорода
SU884409571A 1988-04-28 1988-04-28 Способ получени @ -карбида кремни SU1706963A1 (ru)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884409571A SU1706963A1 (ru) 1988-04-28 1988-04-28 Способ получени @ -карбида кремни
JP1502225A JPH03500528A (ja) 1988-04-28 1988-12-14 β‐炭化珪素の製造方法
HU891329A HUT52738A (en) 1988-04-28 1988-12-14 Process for production of betha silicium carbide
EP19890902352 EP0364592A4 (en) 1988-04-28 1988-12-14 Method for obtaining _g(b)-silicon carbide
PCT/SU1988/000256 WO1989010329A1 (en) 1988-04-28 1988-12-14 METHOD FOR OBTAINING beta-SILICON CARBIDE
CN89103262A CN1037689A (zh) 1988-04-28 1989-04-19 制取β-碳化硅的方法
DD89327987A DD283793A5 (de) 1988-04-28 1989-04-26 Verfahren zur herstellung von beta-siliziumkarbid
CS263089A CS274745B2 (en) 1988-04-28 1989-04-28 Method of beta silicion carbide production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884409571A SU1706963A1 (ru) 1988-04-28 1988-04-28 Способ получени @ -карбида кремни

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1706963A1 true SU1706963A1 (ru) 1992-01-23

Family

ID=21368455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884409571A SU1706963A1 (ru) 1988-04-28 1988-04-28 Способ получени @ -карбида кремни

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP0364592A4 (ru)
JP (1) JPH03500528A (ru)
CN (1) CN1037689A (ru)
CS (1) CS274745B2 (ru)
DD (1) DD283793A5 (ru)
HU (1) HUT52738A (ru)
SU (1) SU1706963A1 (ru)
WO (1) WO1989010329A1 (ru)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1058692C (zh) * 1995-10-26 2000-11-22 北京有色金属研究总院 离心自蔓延制取陶瓷衬管的点火方法
CN1304286C (zh) * 2004-12-30 2007-03-14 清华大学 一种SiC微米粉体的制备方法
CN101343062B (zh) * 2007-07-13 2012-02-29 贾玉东 一种冶炼绿色碳化硅磨料的方法
CN101648709B (zh) * 2008-08-16 2011-09-14 贾玉东 一种冶炼绿色碳化硅磨料的方法
US20110250117A1 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 Ge Investment Co., Ltd. Method for fabricating silicon carbide material
CN102863953A (zh) * 2012-10-16 2013-01-09 桂林理工大学 自蔓延高温合成致白光LED用红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+的方法
CN103058192B (zh) * 2013-01-06 2016-05-25 河北同光晶体有限公司 一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法
CN105293499B (zh) * 2015-11-30 2017-10-24 西安电子科技大学 一种b、n共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法
WO2023171713A1 (ja) * 2022-03-09 2023-09-14 国立大学法人東北大学 二酸化炭素の資源化方法及び固形炭化物の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3535080A (en) * 1969-02-18 1970-10-20 Norton Co Apparatus and method for the continuous furnacing of borides,carbides and silicides
JPS5325300A (en) * 1976-08-20 1978-03-08 Nippon Crucible Co Process for preparing betaatype silicon carbide particle
JPS5850929B2 (ja) * 1978-03-10 1983-11-14 株式会社東芝 炭化ケイ素粉末の製造方法
DE2922280C2 (de) * 1979-05-31 1982-07-22 Nippon Crucible Co., Ltd., Tokyo Verfahren zum Herstellen von pulverförmigem ß-Siliziumcarbid
US4217335A (en) * 1979-06-14 1980-08-12 Nippon Crucible Co., Ltd. Process for producing β-silicon carbide fine powder
JPS5684310A (en) * 1979-12-14 1981-07-09 Hiroshige Suzuki Manufacture of betaatype silicon carbide

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Карбид кремни . - Киев: Наукова думка, 1985. Патент US №4117096, кл. С 01 В 31/36, 1978. *

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03500528A (ja) 1991-02-07
CN1037689A (zh) 1989-12-06
HUT52738A (en) 1990-08-28
HU891329D0 (en) 1990-07-28
CS263089A2 (en) 1990-10-12
EP0364592A4 (en) 1991-08-28
CS274745B2 (en) 1991-10-15
DD283793A5 (de) 1990-10-24
EP0364592A1 (de) 1990-04-25
WO1989010329A1 (en) 1989-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4117096A (en) Process for producing powder of β-type silicon carbide
Koc et al. Synthesis of beta silicon carbide powders using carbon coated fumed silica
EP0151490B1 (en) Process for producing ultra-fine ceramic particles
Guo et al. Induction plasma synthesis of ultrafine SiC powders from silicon and CH 4
SU1706963A1 (ru) Способ получени @ -карбида кремни
US4122152A (en) Process for preparing silicon nitride powder having a high α-phase content
JPS60255602A (ja) 酸化物超微粒子の製造方法
CN107663092B (zh) 一种AlN粉体的制备方法
US3307908A (en) Preparation of aluminum nitride
Setiowati et al. Silicon carbide powder synthesis from silicon monoxide and methane
Zeng et al. Combustion synthesis of Si3N4–SiC composite powders
EP0434667B1 (en) Processes for producing silicon carbide particles and sinter
Mullins et al. The effect of carbon morphology on the combustion synthesis of titanium carbide
US4719095A (en) Production of silicon ceramic powders
Batsanov et al. Fixation of atmospheric nitrogen by nanodiamonds
Bhaumik et al. Synthesis and sintering of SiC under high pressure and high temperature
CN101229916B (zh) 以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法
JPH0556284B2 (ru)
JPS62162608A (ja) 窒化珪素微粉末の製造方法
JPS6225605B2 (ru)
KR100386510B1 (ko) 자전고온 합성법을 이용한 질화 알루미늄 분말 제조방법
SU1073229A1 (ru) Способ получени материала на основе нитрида кремни
Zhang et al. Synthesis of tungsten monocarbide by self-propagating high-temperature synthesis in the presence of an activative additive
Wu et al. Direct combustion synthesis of SiC powders
Park et al. Thermal plasma chemical vapour deposition for SiC powders from SiCH 3 Cl 3-H 2